靜電磁

arthur

August 11, 2021

靜電磁是物奧很重要的一個部分，至少近幾年題目看起來靜電磁比例都算高，ex:2021
複選電磁學有三題，其中電磁波一題，電磁感應一題，靜電磁跟電路混和一題。雖然題目偶
爾會很唬爛，但是我們還是要認真學習電磁學，其中靜電磁就是最基本的一環。

1 真空中的靜電
1.1 庫倫定律
首先是庫倫定律，大家應該都很熟，注意其只適用場源不移動的情形：
1 Qq
FE = r̂
4πϵ0 r2

而由庫倫定律，我們可以得到電場這個觀念，也就是單位測試電荷受到的靜電力：
FE 1 Q
E≡ = r̂
q 4πϵ0 r2

此外，若空間中有許多電荷分布，則空間中的電場滿足疊加原理：
Xn
1 Qi
E = E1 + E2 + ... + En = rˆi
i=1
4πϵ0 ri2

注意疊加原理是向量和，要考慮方向。由電場疊加原理，我們也可以推得連續性分布的電荷
的電場形式： ˆ
1 r − r′ ′
E(r) = 3 dq(r )
4πϵ0 |r − r |
′

因此可得下列對於不同連續電荷分布的電場表達式：
˚
1 r − r′ ′ 3 ′
E(r) = 3 ρ(r ) d r
4πϵ0 |r − r |
′
¨
1 r − r′
E(r) = σ(r′ ) da′
4πϵ0 |r − r′ |3
ˆ
1 r − r′ ′ ′
E(r) = 3 λ(r ) dl
4πϵ0 |r − r |
′

Example 1. 圓環
求半徑 R，帶電荷 Q 的圓環，其主軸上距離圓心 h 處的電場。

1
1.2 高斯定律
由庫倫定律我們可以導出和其等價的數學式，即馬克士威方程組的第一條：高斯定律
‹ ˚
1 Qenc
E · da = ρ d3 r =
∂V ϵ0 V ϵ0
可由散度定理寫成微分形式：
ρ(r)
∇ · E(r) =
ϵ0
高斯定律對於有高度對稱性的系統，求電場的效率比庫倫定律高不少，而其局域性使其相較
庫倫定律，可以解釋更多物理現象，ex: 庫倫定律是非相對論性的，但高斯定律是相對論性
的。以下主要針對高斯定律討論。
Example 2. 簡單
計算無限大、帶面電荷密度 σ 的平板產生的電場，使用至少三種不同的方法 (運用三種不同
的對稱性)。 2ϵσ0

Example 3. 原子
已知基態氫原子中有一顆質子位於原子核，帶電 q，此外還有電子雲，其電荷密度分布為：
1 −2r/a0
ρ(r) = −q( )e
πa30

驗證電子雲總電量為 q，並求空間中的電場 E。
Example 4. 球殼定理
證明均勻帶電球殼內部任一點電場為零。
Example 5. 點電荷
藉由求點電荷電場的散度可以發現一些有趣的事。

1.3 電位
電位的定義就是單位電荷帶的靜電能。
在靜電學中由庫倫定律可以驗證靜電場的下列性質：
˛
E · dl = 0 ⇔ ∇ × E = 0

pf:
˛ ˆ ˆ
E · dl = E · dl + E · dl
A→B B→A

A → B 可以選取任意路徑，然而：
ˆ ˆ
Q r − r′ ′ Q
E · dl = 3 · dr = − +C
4πϵ0 |r − r |
′ 4πϵ0 |r − r′ |

和路徑無關，因此： ˛
E · dl = 0

更嚴謹的說法是不把庫倫定律視為已知，而是只考慮高斯定律時，上式即為電磁場為” 靜”
的定義。此外，也可以和重力場做對照，或許可以讓推導看起來不那麼通靈。

2
Definition 1. 做功觀點
考慮測試電荷在空間中受靜電力作用，若其維持等速運動，則可知它需要的外力作用為
Fext = −qE，經過某路徑後外力做功為：
ˆ ˆ
Fext · dr = −qE · dr

由於靜電力為保守力 (積一圈為零)，我們可以定義一個位能，並想像外力做功儲存進這個位
能。也就是： ˆ ˆ
UE ≡ Fext · dr = −q E · dr

而電位的定義則是單位電荷的電能，因此：
ˆ
Φ=− E · dr

Definition 2. 力學能觀點
考慮另外一種定義方式，今有一顆非相對論性測試電荷除靜電力外不受其他力作用，則它的
運動方程式可以寫為：
dp dp 1 dp2 dK
= qE ⇒ 2p · = 2qp · E ⇒ = = qv · E
dt dt 2m dt dt
則： ˆ ˆ ˆ
dK = ∆K = q v · E dt = q E · dr

若要使系統力學能守恆，透過已知 E 為保守場，可以定義靜電位能：
ˆ
U = −q E · dl s.t. ∆(U + K) = 0

因此電位可定義為： ˆ
Φ=− E · dr

由梯度定理及斯托克斯定理，可以得出上述的微分形式：

∇ × E = 0, E = −∇Φ

因此知電位滿足帕松方程：
ρ(r)
∇2 Φ(r) = −
ϵ0
通解為： ˚
1 ρ(r′ ) 3 ′
Φ(r) = dr
4πϵ0 |r − r′ |
Example 6. 點電荷
空間中距離點電荷 r 處的電位為：
Q
Φ(r) =
4πϵ0 r
Example 7. 球殼
均勻帶電球殼中的電位相等。
Example 8. 電偶極
求空間中電偶極造成的電位及電場。

3
1.4 能量
任意一種電荷分布中的總靜電能可以寫成：
X
n X
n
1 qi qj 1 X 1 qi qj 1X
n
U= = = qi Φi
i=1 j=i+1
4πϵ0 rij 2 i̸=j 4πϵ0 rij 2 i=1

1
2
是為了把重複算的扣掉。若是連續的電荷分佈則寫為：
˚ ˚
1 ϵ0
U= ρ(r)Φ(r) d r = −
3
Φ(r)∇2 Φ(r) d3 r
2 2
由格林恆等式：
∇ · (ψ∇ϕ) = ∇ψ · ∇ϕ + ψ∇2 ϕ
可得：
˚ ˚ ˚ ‹ ˚
2 3
Φ(r)∇ Φ(r) d r = ∇ · (Φ∇Φ) d r −
3
|∇Φ| d r =
2 3
Φ∇Φ · da − |E|2 d3 r

對全空間積分時由於電場是有界的，因此對積分式的前半為零。可得空間中靜電能表達式：
˚
1
U= ϵ0 E 2 d3 r
2
能量密度則定義為： ˚
1
U= u d3 r ⇒ u = ϵ0 E 2
2

1.5 邊界條件；導體
在靜電場通過帶有電荷的表面時，有兩個邊界條件必須要被滿足。首先，由高斯定律：
‹
Qenc
E · da =
ϵ0
可以得到若表面上帶有電荷密度 σ 時：
‹
σA σ
⊥
E · da = (Eup ⊥
− Edown )A = ⇒ ∆E⊥ = n̂
ϵ0 ϵ0

且由電場的環積分： ˛
E · dl = 0 ⇒ ∆E∥ = 0

4
歐姆定律的靜電形式為：J = σE，σ 為電導率，也可寫為 E = ρJ，ρ 為電阻率。
由歐姆定律可知，在導體中因其電導率極大 (電阻率極小)，若有電場存在則整個導體能夠自
由移動電子使其永遠為零，而不會產生無限大的電流。因此可以推得下列性質：
1. 導體內部電場為 0。
2. 導體內部等電位。
3. 導體所有電荷皆在表面上。
且由第一個邊界條件，可知在導體表面的電場為：
σ
E = n̂
ϵ0
也可在已知電位反求表面電荷分佈：
∂Φ
σ = −ϵ0 ∇Φ · n̂ ≡ −ϵ0
∂n
薄片帶電體單位面積受力的情形描述如下：
σ σ
Edown = Eother − n̂, Eup = Eother + n̂
2ϵ0 2ϵ0
因此 Eother = 12 (Eup + Edown )
1
f = σ(Eup + Edown )
2
至於導體在電場中的單位面積受力可以分析如下：
f = σEother
帶電體帶面電荷密度 σ 時其產生的電場為：
σ
Econ = n̂
2ϵ0
邊界條件：
σ
∆E⊥ = n̂
ϵ0
* 導體條件：
Ein = 0
因此：
σ σ σ
Eother = Etotal − Econ = n̂ − n̂ = n̂
ϵ0 2ϵ0 2ϵ0
最終可得其單位面積受力為：
σ2 1
f= n̂ = 2ϵ0 |Eother |2 n̂ = ϵ0 |Etotal |2 n̂
2ϵ0 2

1.6 更多電位
對於一區域，若其內部無電荷分布，則電位滿足拉普拉斯方程：
∇2 Φ = 0
唯一性定理說明，若邊界上的電位、電位梯度、導體總電荷三者有一個確定，或有三者的混
合條件，則此區域內的電位唯一確定，證明略。由此，可以說明若有一個很難處理的系統，
但已知邊界條件，可以在不改變區間內的電荷分布的情況下，改變區間外的電荷分布，使其
滿足邊界條件，進而化簡問題，此即鏡像法。此外，拉普拉斯方程還能用各種不同的食譜跟
油炸的香酥焦脆，但我讀的時候先被電的香酥焦脆了，好啦其實滿好玩的。

5
1.7 鏡像法
鏡像法最經典的例子如下：
空間中有一個位於 r = (0, 0, h) 的帶電球，其電量為 q，而 z = 0 的平面為一無限大導體板，
試求：
1. 鏡像電荷的位置與電量 (分板上、板下)
2. 導體板的電荷分布與總電荷
3. 導體板與球間的作用力
4. 電荷和板的間的靜電能
解：
分為 z ≤ 0 或 z ≥ 0 討論：
z ≤ 0：
這個答案顯然，由於導體的性質，這個區域內的電場恆為 0，因此鏡像電荷：

q ′ = −q, r′ = (0, 0, h)

因電場為 0 此區域的靜電能為 0。
z ≥ 0：
邊界條件為：在板上 Φ = 0。因為導體板等電位，但其延伸至無窮，因此整個導體板的電位
為 0，由此可推論電場滿足：E ∥ = 0, ∀z = 0。列式暴力後可以炸出：

q ′ = −q, r′ = (0, 0, −h)

而電位為：
1 q q
Φ= (p −p )
4πϵ0 x2 + y 2 + (z − h)2 x2 + y 2 + (z + h)2
導體板的電荷分布：

∂Φ ∂Φ  qh
σ = −ϵ0 = −ϵ0  =−
∂n ∂z z=0 2π(r + h2 )3/2
2

可證得： ¨ ˆ ∞
qh
Q= σ da = − 2πr dr = −q = q ′
0 2π(r2 + h2 )3/2
以及：
1 q2
F=− ẑ
4πϵ0 4h2
而電荷和板間靜電能的計算方式有二種：
(1) 帶入離散求和公式：
1X 1 q2
U= qi Φi = −
2 8πϵ0 2h
(2) 利用功能定理
ˆ ˆ h
1 q2 1 q2
U =− Fc · dr = − − dz = −
∞ 4πϵ0 4h2 8πϵ0 2h
注意此結論和空間只有兩顆電荷的情形不同，能量恰好只有一半。其原因可以想成除了板和
電荷的交互作用能外，還有導體板本身的交互作用能。還有一種解釋是只有兩點電荷的情況
下可以對全空間積分，但電荷和板系統只有一半的全空間，因此能量只有一半。
Example 9. 感應電偶極
一顆半徑 R 導體球置於外加均勻電場 E 中，求其感應電偶極矩。ANS：p = 4πϵ0 R3 E

6
2 介質中的靜電
2.1 電偶極
電偶極就是兩個帶等值異號電量 ±q 的點電荷，兩顆電荷間有一個距離 d，可以定義電偶極
矩 p = qd，d 由負電指向正電。如下圖，可以得到電偶極的電位：

q 1 1 q d cos θ p · r̂
Φ= ( − )≈ 2
=
4πϵ0 r+ r− 4πϵ0 r 4πϵ0 r2
可以由電位得到電偶極的電場：
  
∂ 1 ∂ 1 ∂ p cos θ 2p cos θ p sin θ
E = −∇Φ = − r̂ + θ̂ + ϕ̂ = r̂ + θ̂
∂r r ∂θ r sin θ ∂ϕ 4πϵ0 r 2 4πϵ0 r 3 4πϵ0 r3

最後：
1
E= [3(p · r̂)r̂ − p]
4πϵ0 r3
電偶極在空間中受外加電場的靜電力如下圖：

因此：
N=p×E
U = −p · E
F = (p · ∇)E
Example 10. 2014 複選 (二)

7
2.2 介質的原子模型
一個介質中不同原子有質子、中子及電子，在介質中通過電場時會產生交互作用，使高斯定
律需要被修正。
考慮一顆氫原子，假設電子的質量 m 及電量 −e 均勻分布於一個半徑 R 的球。質子電量 e，
且質子位置固定。
(1) 求電子雲小幅振盪的自然振盪頻率
(2) 若有外加靜電場 E0 ，求電子雲的位移

考慮一個電子及原子核密度都為 n 的介質，只由位置固定的原子核及位置根據外加電場改變
的電子雲構成，求有外加電場 E0 時，介質產生的電場 EA 與單位體積的電偶極矩 P。
由此可知對勻相線性介質而言有：

P = αE ≡ ϵ0 χe E (E 為總電場)

一般線性介質則有： X
Pi = αij Ej
j=x,y,z

非線性介質可由多變數泰勒展開表示如下：
X (1) X (2) X (3)
Pi /ϵ0 = χij Ej + χijk Ej Ek + χijkℓ Ej Ek Eℓ + · · ·
j jk jkℓ

2.3 高斯定律的修正
由上可知，我們可以定義電極化強度 P，為的單位體積磁偶極矩，由下圖可知介質的感應電
荷密度 ρb 和電極化強度的關係 (b 代表被束縛的，bounded)：

σb Ad = P · n̂Ad ⇒ σb = P · n̂
考慮一個不均勻電荷分布，其高斯面取如下圖：

˚ ‹ ‹ ˚
qb = ρb d r = −
3
σb da = − P · da = − ∇ · P d3 r ⇒ ρb = −∇ · P

8
而由高斯定律：
ρtotal ρf + ρb
∇·E= = ⇒ ∇ · (ϵ0 E + P) ≡ ∇ · D = ρf
ϵ0 ϵ0
即為任意介質中電位移 D 定義與高斯定律在介質中的修正。
在線性介質中有 P = ϵ0 χe E，可以進一步得到電容率 ϵ = ϵ0 (1 + χe )，相對電容率 ϵ/ϵ0 =
1 + χe 。

2.4 其他修正
由高斯定律及靜電條件，易知邊界條件應修正為：
∆D⊥ = σf n̂

∆E∥ = 0
而靜電能修正如下： ˚
1
U= E · D d3 r
2

2.5 電容與介電質
考慮兩個平行電極板，兩者有電位差 V ，且分別帶電 ±Q，系統的電容定義為：
Q
C≡
(注意分子分母)
V
√
舉例而言，前述系統若平行板面積 A，距離 d << A 且中間未填充介電質，則電容
C = ϵ0 Ad 。若中間填充了介電質，可以假定每個材料皆有一介電常數 κ 使得 C = κC0 。

∇ · D = ρf ⇒ E/E0 = ϵ0 /ϵ = 1/ϵr ⇒ V /V0 = 1/ϵr ⇒ κ = ϵr

若今在上述系統填充某一介電質，介電常數 κ，可以藉此求出介電質在兩端的感應面電荷密
度。
σf + σb σf
= ⇒ σb = −(ϵr − 1)σf
ϵ0 ϵ
Example 11. 2010 複選 4

Example 12. Jackson 3ed 4.13

兩個無線長同軸薄圓柱電極板，半徑分別為 a, b, (a < b)，固定兩電極板間電位差 V ，今將其
垂直插入一液態線性介質，密度 ρ，不考慮表面張力，若其液面上升高度 h，重力加速度 g。
求介質的電極化率 χe 。ANS： (b −a )ρgh
2 2 ln (b/a)
ϵ0 V 2

Example 13. 挑戰題

在不依照提示的情況下解熱流空腔
現在有兩個無限大金屬平板平行放置，相距為 L，他們之間充滿了各向同性的熱導率為 κ 的
介質。金屬平板的熱導率遠遠大於 κ。兩個板的溫度分別被保持在 T1 與 T2 ，他們之間形成
熱流。在到兩個板距離都為 L/2 的中間位置有個小球形空腔，半徑為 R(R << L)。
第一種情況是球形腔裡面充滿熱導率可以忽略的氣體，第二種情況是球形腔裡面充滿很大的
熱導率的介質 (比 κ 大很多)。請求出從第一種到第二種情況，兩個板之間總熱流通量 (單位
時間流過的熱量)P 發生的變化量。
注：雖然慈神在給引導的時候有說不能用鏡像法，但那是因為兩個導體板還在，相信有部分
同學看過或知道怎麼把導體板移掉，詳情見：
Jackson 3ed. 的 2.5 和 4.4 有針對這種問題的完整的解釋，這兩部分也不會太難懂。

9
3 真空中的靜磁
3.1 必歐-沙伐定律
空間中有電流 i，在導線上，導線的方向向量為 s，則每一小段導線 ds 和其在空間中產生的
磁場關係如下，僅在 ds 不隨時間改變時適用：
µ0 i ds × r̂
dB =
4π r2

積分可得： ˆ
µ0 i ds × r̂
B=
4π r2
從此式，可發現磁場也遵守疊加原理。
Example 14. 有限長直導線的磁場
Example 15. 圓環磁場
Example 16. 有限長螺線管磁場

3.2 安培定律
和庫倫定律及高斯定律的關係一樣，安培定律是必歐-沙伐定律的等價形式，且僅適用於磁
場源不移動時： ˛ ¨
B · dl = µ0 J · da ≡ µ0 Ienc or ∇ × B = µ0 J
∂S S

Example 17. 無限長直導線

Example 18. 無限長螺線管
Example 19. 井字導線 (梗)

3.3 高斯磁定律
沒什麼好說的，就是磁單極不存在，也就是：
‹
B · da = 0 or ∇ · B = 0

10
3.4 勞倫茲力
一顆帶電荷 q，速度 v 的非相對論性粒子在電磁場中的受力為：

F = q(E + v × B)

由此可知磁力不做功。
可以由此推導出導線在磁場中受力為：

F = IL × B

兩條導線 L1 , L2 間 L1 受 L2 的磁力可以計算如下：
ˆ
µ0 I2 dl2 × (r1 − r2 )
B2 =
4π L2 |r1 − r2 |3
ˆ ˆ
µ0 I1 dl1 × (I2 dl2 × (r1 − r2 ))
F12 =
4π L1 L2 |r1 − r2 |3
能量密度可以寫為：
B2
u=
2µ0
其中最重要的應用有兩個，一是質譜儀、二是霍爾效應。

3.4.1 質譜儀
若只有磁場的情況下，因磁力不做功，且力方向和速度方向垂直，因此其軌跡為螺線形。若
速度方向和磁場方向垂直，則會行等速率圓周運動。此時由圓周運動公式可得：
mv
r=
qB
qB
ω=
m
藉由速度篩選器和屏幕的配合，就能透過迴轉半徑求出荷質比。

11
3.4.2 霍爾效應
如下圖，在磁場中的帶電粒子運動會偏折，在兩端累積電荷，直到產生的電場和磁場平衡：

VH
E=− x̂, B = µ0 H ẑ
w
I
J = nqvd = − ŷ
wd
穩流條件是靜電力和磁力平衡，即：
−VH IB IB
E + vd × B = 0 ⇒ − =0⇒q=−
w nqwd ndVH
因此載流粒子帶負電。
已知載流粒子為電子，可以藉由測量不同參數計算出電子數密度 n 或導體厚度 d。
以下為勞倫茲力的例題：
Example 20. 2005 複選 4
Example 21. 2006 複選 4
Example 22. 2018 複選三

比較著名的還有像磁瓶這種跑出意想不到的守恆量的應用，可以拿來限制帶電粒子的移動。

3.5 邊界條件
既然電場有邊界條件，磁場當然也有，透過上述經驗可以略過推導得到第一條：
∆B⊥ = 0
和第二條：
∆B∥ = µ0 K × n̂
簡圖如下：

12
3.6 鏡像法
透過磁場的邊界條件可以使用靜像法。然而在使用之前需先介紹一個特殊現象。

3.6.1 邁斯納效應
在弱場近似下，由於法拉第定律及歐姆定律：
dΦB
ε=−
dt
但超導體中 σ → ∞，因此其電動勢恆為 0，磁通量守恆。從無限遠處將超導體移至空間中
某個帶有弱磁場的位置，因為其磁通量恆為 0，因此超導體內部磁場恆為 0。透過邊界條件
∆B⊥ = 0，可得超導體邊界 B⊥ = 0。可以圖示如下：

Example 23. 基礎
在平面 z = 0 有一張無限大的一類超導體，在 r = (x, 0, h)，有一個 +x 方向的載流導線，帶
電流 I。求超導體上下的靜像電流。

靜像法在流 (瘤) 體中還有其他應用，來日再談。

Example 24. 2021 APhO 3.C

4 介質中的靜磁
4.1 磁偶極
今有一環路帶電流 I，環路面積 A，其磁偶極矩定義如下：

m = IAn̂

由勞倫茲力公式可以得到下列式子：
N=m×B
U = −m · B
F = ∇(m · B)

13
4.2 安培定律
定義一向量 M 為單位體積的磁偶極矩。透過磁矢勢的觀點，可以得到感應出的電流密度為：
Jb = ∇ × M, Kb = M × n̂
M 稱為磁化強度，安培定律可寫為：
 
1
∇ × B = µ0 (Jf + Jb ) ⇒ ∇ × B − M ≡ ∇ × H = Jf
µ0
安培定律修正如下：
˛ ¨
H · dl = Jf · da ≡ Ienc or ∇ × H = Jf
∂S S

根據一些推導可以得到對線性勻向介質有 (非鐵磁性物質)：
M = χm H
B = µ0 (H + M) = µ0 (1 + χm )H = µH

4.3 其他修正
能量密度修正為：
1
u= B·H
2
邊界條件修正為：
∆B⊥ = 0, ∆H∥ = Kf × n̂

5 後記
這份講義主要以物奧考試為目的，很多東西沒放，以下採列舉供有志之士知道從哪繼續讀。

5.1 靜電學
唯一性定理
拉普拉斯方程
分離變數法
格林函數
多極展開
多練鏡像法好處多多
奇怪的介質

5.2 靜磁學
磁極觀點
磁矢勢
多極展開
奇怪的介質
更多鏡像法
超導體是個好東西

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