TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA

KHOA: ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG

BỘ MÔN: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ

ĐỀ THI CUỐI KỲ
Tên học phần: Công nghệ vi điện tử
Mã học phần: 1060473 Số tín chỉ: 2
Phương pháp đánh giá (*): Tự luận Thời gian làm bài: 50 phút
Đề số: 18
☑Sinh viên không được sử dụng tài liệu khi làm bài.
☐ Sinh viên được sử dụng tài liệu khi làm bài.

Câu 1 (4 điểm):

a. Một chip chứa hệ thống kỹ thuật số gồm 220 triệu transitor được thiết kế dựa trên công nghệ có  = 25 nm,
trong đó 20 triệu transitor là các cổng logic và phần còn lại là các mảng bộ nhớ. Độ rộng trung bình của transistor dùng cho
cổng logic là 12 và dùng cho bộ nhớ là 4. Hệ số hoạt động (activity factor ) trung bình của bộ nhớ là 0,04 và của cổng
logic là 0,1. Giả sử mỗi transistor có tổng điện dung là 2 fF/m. Bỏ qua điện dung dây dẫn. Hãy tính công suất chuyển
mạch (switching power) khi con chip hoạt động ở tần số 1 GHz và điện nguồn là 1 V. (2đ)
b. Tính xác suất P và hệ số hoạt động  của các điểm E, F, G trong Hình 1 biết PA = 1/2, PB = 1/2, PC = 3/5 và PD =
2/3. Tính đến phân số. (2đ)

Hình 1.

Câu 2 (6 điểm):
Xét mạch trong Hình 2 với 1, x là tổng độ rộng cặp PMOS, NMOS trong các cổng logic. Điện dung đơn vị là C.
a. Sử dụng NMOS, PMOS để vẽ các cổng của mạch theo quy tắc đã học. (1đ)
b. Hãy tính độ trễ (delay, D) từ A đến B khi x = 3. (1đ)
c. Giả sử x chưa biết, xác định x để độ trễ D là ngắn nhất và tính độ trễ D lúc này. (2đ)
d. Tính độ rộng NMOS, PMOS của các cổng trong trường hợp c. (2đ)

Hình 2.

Tổng cộng có: 2 câu

Đà Nẵng, ngày 10 tháng 12 năm 2021

TRƯỞNG BỘ MÔN

Nguyễn Duy Nhật Viễn