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HLW8012

HLW8012 User manual

REV 1.3

Mailing address: Zhongchu Building, Bagua 4th Road, Futian District, Shenzhen 6 Building 

No. 412post code:518028

company website:www.hiliwi.com

work phone:0755‑29650970
company Fax:0755‑86968790

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content

Historical modification record............................................ .................................................. ........................................ 1
1 Chip function description............................................ .................................................. ................................ 2
1.1 Main features and functions of the chip............ .................................................. ............. 2
1.2 Chip structure description... .................................................. .................... 2
1.3 Chip pin description.............................................. .................................................. ..................... 3
2 Chip characteristics description............................................ .................................................. ................................ 4

2.1 Recommended working conditions............................................ .................................................. .................... 4

2.2 Analog characteristics ... .................................................. ........................... 4
2.3 Built‑in reference voltage............................................ .................................................. .................... 5
2.4 Digital characteristics ... .................................................. ........................... 5
2.5 Switching characteristics...................................... .................................................. ........................... 5
2.6 Limit ratings............................................... .................................................. ........................ 6
3 Chip application...................................... .................................................. ....................................... 7
3.1 HLW8012 typical application................................................ .................................................. .......... 7
3.2 CF,CF1 Frequency of................................................ .................................................. ...... 7
3.3 Chip start threshold and creep prevention... .................................................. . 8
3.4 Built‑in oscillator............................................... .................................................. ........................ 8
3.5 Built‑in reference source............................................ .................................................. ........................ 8
4 HLW8012 Package....................................... .................................................. ............................. 9

REV 1.3

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History modification record

time Modify record Version

2013‑1‑2 initial version REV 1.0

2014‑6‑20 Update company address REV 1.1
2014‑8‑01 Change the chip pin diagram VIN To V1N,VIP To V1P REV 1.2
2015‑11‑11 Change the typos of the digital characteristic table:DCLK change to MCLK; Add the contents of the pin  REV 1.3
description table: the differential voltage of the current and voltage channels is VPeak

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1 Chip function description

HLW8012 It is a single‑phase multi‑function metering chip, which provides high‑frequency pulses CF For electric energy metering and high frequency CF1 Used to indicate current

Effective value or voltage effective value. This chip usesSOP8 Package.

1.1 Main features and functions of the chip

‑ High frequency pulse CF, Indicating active power, satisfying 50/60Hz IEC 687/1036 Standard accuracy requirements, in 1000:1 Fan

Reach within±0.2%Accuracy.

‑ High frequency pulse CF1, Can be configured as the effective value of the output current or the effective value of the voltage, in 500:1 Reach within±0.5%of

Accuracy.

‑ Built‑in power supply monitoring circuit, when the power supply voltage is low 4V When, the chip enters the reset state.

‑ Built‑in 2.43V Voltage reference source.

‑ 5V Single power supply, working current is less than 3mA.

‑ Main application areas: occasions where voltage, current and power need to be measured, such as single‑phase multi‑function energy meters, smart sockets,

Digital display meters, street lamps, small household appliances, etc.

1.2 Chip structure description

HLW8012 The functional block diagram is shown in the figure 1 Shown

VDD

Internal Power On
Clock Reset

V1P
PGA ADC
Sigma_I
Active Power
V1N I_rms Voltage to
V_rms Frequency SEL
calculation Converter
CF1
V2P CF
PGA ADC
Sigma_V

1k
Reference
Voltage
2.43V

GND

picture1 Chip functional block diagram

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1.3 Chip pin description

VDD 1 8 SEL

V1P 2 7 CF1

HLCW
F 8012

V1N 3 6 CF

V2P 4 5 GND

picture2 Chip pin diagram

surface1 HLW8012 Pin description

Pin number Pin name input Output instruction

1 VDD Chip power Chip power

2,3 V1P,V1N enter Current differential signal input terminal, maximum differential input signal (VPeak)±43.75mV

4 V2P enter The positive input terminal of the voltage signal. Maximum input signal (VPeak)±700mV

5 GND Chip ground Chip ground

6 CF Output Output active high frequency pulse, duty cycle 50%

7, CF1 Output SEL=0, The effective value of output current, duty cycle 50%；

SEL=1, The effective value of output voltage, duty cycle 50%；

8 SEL enter Configure the effective value output pin with pull‑down

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2 Chip characteristics description

2.1 Recommended working conditions

parameter symbol Minimum Typical value Max unit

Positive power VDD 4.5 5.0 5.5 V
temperature range TA ‑40 ‑ + 85 °C

2.2 Analog characteristics

VDD = 5 V ± 10%；GND = 0 V

parameter symbol Minimum Typical value Max unit

Precision

Active power Full gain range
PActive ‑ ±0.2 ‑ %
Input range 0.1%~100%

Effective value of current Full gain range
IRMS ‑ ±0.5 ‑ %
Input range 0.2%~100%

Voltage RMS Full gain range
VRMS ‑ ±0.5 ‑ %
Input range 0.2%~100%

Analog input (all channels)

Common mode signal ‑ 1 ‑ 1 V
Analog input

Crosstalk to the voltage channel at full scale (50, 60Hz) ‑ ‑100 ‑ dB
Input capacitance IC ‑ 6.4 ‑ pF
Equivalent input impedance Current channel 500 kΩ
EII ‑
Voltage channel 6 MΩ
Equivalent input noise Current channel ‑ ‑ 2 µVrms
NI
Voltage channel ‑ ‑ 20 µVrms

Power supply

Current consumption IA+ID 3 ‑ mA
Power consumption (VDD = 5 V) PC ‑ 15 mW
Low voltage threshold for power failure detection PMLO ‑ 4 ‑ V
High voltage threshold for power failure detection PMHI ‑ 4.3 ‑ V

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2.3 Built‑in reference voltage

parameter symbol Minimum Typical value Max unit

The reference voltage VREF + 2.3 + 2.43 + 2.55 V
Temperature drift TCVREF ‑ 25 ‑ ppm/°C

2.4 Digital features

VDD = 5 V,GND = 0 V

parameter symbol Minimum Typical value Max unit

Master clock

Master clock frequency MCLK 3.04 3.579 4.12 MHz

Main clock duty cycle 30 50 70 %
filter

Input sampling rate (DCLK=MCLK/4) ‑ MCLK/4 ‑ Hz
Digital filter output bit rate OWR ‑ MCLK/128 ‑ Hz
High‑pass filter corner (‑3dB)frequency ‑ 0.543 ‑ Hz
input Output

High level input voltage VDD=5V VIH 0.8VDD ‑ ‑ V

Low‑level input voltage VDD=5V, VIL ‑ ‑ 0.8 V
High level output voltage Iout = +5 mA VOH VDD‑0.5 ‑ ‑ V
Low‑level output voltage Iout=‑5 mA VOL ‑ ‑ 0.5 V
Input leakage current Iin ‑ ±10 ‑ µA
Digital output pin capacitance COUT ‑ 5 ‑ pF

2.5 Switching characteristics

SEL Is the input port,CF,CF1 The output pulse duty cycle is 50%.

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2.6 Limit rating

parameter symbol Minimum Typical value Max unit

Digital power supply VDD ‑0.3 ‑ + 6.0 V
Analog power VDD ‑0.3 ‑ + 6.0 V
VDD to GND ‑0.3 ‑ + 6.0 V
V1P, V1N, V2P ‑ 2 + 2 V
Analog input voltage VINA ‑0.3 ‑ VDD+0.3 V
Digital input voltage VIND ‑0.3 ‑ VDD+0.3 V
Digital output voltage VOUTD ‑0.3 ‑ VDD+0.3 V
Working temperature TA ‑40 ‑ 85 °C

storage temperature Tstg ‑65 ‑ 150 °C

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3 Chip application

3.1 HLW8012 typical application

As shown 4 Shown in HLW8012 Two small capacitors should be connected in parallel on the power supply side to filter out high‑frequency and low‑frequency noise from the power grid. Electricity

The flow signal is sampled by the manganin resistance and then connected HLW8012, The voltage signal is input to the HLW8012.CF,

CF1,SEL Direct access to CPU The input terminal, by calculating CF,CF1 The pulse period is used to calculate the power value and the effective value of the current

And the magnitude of the effective value of the voltage.

Power module
0.1uF
10uF

5V
VDD SEL

L
1K
V1P CF1
33nF
220V
MCU
1mΩ manganese

copper
1K
HLW8012
V1N

N
33nF CF
burden

load 470K 470K

V2P GND

470K 1K 0.1uF
470K 470K 470K

picture3 HLW8012 typical application

3.2 CF,CF1 Frequency of

HLW8012 internal DSP With a certain gain, after the frequency conversion module, the active power, current RMS and voltage have

The output frequency of the effective value can be calculated by the following formula:

(1) Calculation formula of active power:   =  1× 2×48
X     
 2 128

(2) Calculation formula of current effective value:    =  1×24 X     
    512

(3) Formula for calculating the effective value of voltage:    =  2×2 X     
    512

V1: Voltage signal on the pin of the current channel

V2: Voltage signal on the voltage channel pin

   : Built‑in crystal oscillator, typical frequency is about 3.579MHz

   : Built‑in reference source, the typical voltage is 2.43V

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3.3 Chip start threshold and creep prevention

HLW8012 Using a new anti‑creeping algorithm, as long as the power value of the input signal is greater than the internal noise value, the metering module starts

Normal measurement.

3.4 Built‑in oscillator

HLW8012 The frequency of the built‑in oscillator used is approximately 3.579M, The power supply voltage rejection ratio is <0.01/V.

3.5 Built‑in reference source

HLW8012 Built‑in high‑precision bandgap reference source, the typical output voltage of the reference source is 2.43V.

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4 HLW8012 Encapsulation

HLW8012 use SOP8 Package, the specific package information is shown in the figure below:

picture4 HLW8012 Package Infographic

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