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高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制
薛三旺、范舀平、陈仁厚、付安英
陕西华星互外器一｝广 装西成阳 ７１２０９９）

摘要：本’￡通之对宜蓝＝－：够光导型锑・ｃ鬟；：卟一≮．’】嚣前设：｝与工芝鬲完，矗理ｊ沓ｊ听徊工艺买箍日勺
连础上优遗靠一ｌ二量是墩，Ｌ：：护锚：精心畦：Ｔ囊捌嚣的光学系抗：改进制造Ｔ艺，安观对足敦元精奢雇篷匏

有效控制等，醑制戍ｊ孙电基圈啦睾达１【ｒｖ，Ｗ、霉；虹探锄事达１０…：ｍ Ｈｚ‘二Ｗ“芏各．七诰响应范目：～８

－Ⅲ。啊应时７司≤二×１０‘砂的高性谨、ｊ强定 奇ＫＪ谨嚣件，

关键词：空涅、谲ｒ￡崩、幕副器

一、 引言
锑化镏是一种直接豹窄禁带蕙立的’二导体．在室：是Ｆ为０ １ｉ电子伏，表明它具有大
于７ ４ ｍ的光ｉ＊啊应二没限，啊应对闯！！请铺汞还小一个数量级．达到１０４砂。同时由于
探测器由ＩｎＳｂ单品青：ｊ戎，｜生能稳定：可・芏生温Ｆ ｌ：作．无焉制冷。因此结掏简单．体积
小．使用方便。庄Ｅ行灵头釜瞄准、红外线气体分忻、环境检测、高速列车的热轴检测、
农业上的棚宝二氧化碳气肥监测、汽车趸气捡测以及ｊ｝明火晌探测和故障热点检测等方
面．均得到广泛的应用。

二、 设计与工艺
根据国民经济发喂｜杓需要，电子邵Ｆ返我厂研制高灵敏度室温光导锑化铟鲥，１ＴＭ探测
器。为此我们主要从以下几个方面开展丁研制１：作。
ｌ＿灵敏元材料的优选
灵敏元材料是制遗探测器的基础，它的性能直接影响着探测器的陛能优劣。因此业．
须十分重视。对制备灵敏元所用锑化铟材料的优选，我们首先根据Ｐ Ｗ Ｋｍｓｅ在“锑化

铟光电导与光融电探测器”一文宁的理论分听与研究结果可知：“ｌｎＳｂ的禁带宽度（Ｅｇ）
随温度而改变，囚此导致探０、？器的峰篮响应波ｔ随温度而．雯，３００ Ｋ时为６ ６ ｕ ｍ，１９５Ｋ
阿为６．０ ｍ，７７Ｋ ｒ为５．！ｕ
ｕ
ｍ”：“室暑锑化镨光鬯导探没ｊ器的最仕光谱响应率是用自由
空穴浓度约为ｌ×ＩＯ １：１‘奇勺Ｐ型柯ｔｂ寻到的”：叩掣洋品的纯度和探洲宰在本征（Ｉ．６×
１０１６ｃｍ一到ｌ×１０“Ｃ２１空穴范围冈是交化不太大ｊ勺．而庄７×１０”Ｃｍ １空穴对达剑梢低Ｆ
９×１０“ＣＩｌｌ．Ｈｚｉ：ｗ。｜的最大值。啊应阜也硅’洋，而ｎ型伢”｝的搽嬲耋、确应率比同等纯
度的Ｐ型材篁斗要小得乡”。
同时我们还根据寸不同戟ｉ虎子浓腰的Ｐ州锑化钢材料制成器件的ｌＵ阻率、：嘀应率最
大值的温度与浓度＾二司天系的实验碧，繁－叮知：
１）从室温以上而ｉ’：￥温度时，摄列器於鬯』坦指数式地上升，边士１一定高度后就堇本不
再上升；

２）从室温以上向Ｆ；墨ｉ景时．搽涮器的探测牟也是指数式地上升，而斜率要大丁电阻的
上升斜奎。世上升到一设犬点后．卫柏温度Ｆ醑而Ｆ球，极犬点出现在电阻曲线趋
于饱和之前，投大专随若受主浓度的藏小而向较低的温医眵动。
依据上述斫＝气成果结合我似的实践经验缘台考怨，对近室温工作的光电导型锑
化铟红外探测器我们选用！１１１：面生妊∞掺Ｚｎ的Ｐ犁锑化钢单晶割造，载沆子浓度
最好控制在２～６×１．０…ｃｍ’之同。
２．优化光学设计

探测器的光学系统设计是提高性能的一个重要方面，我们在探测器光学设计中根据
不同要求ｔ分别采用了超半球浸没技术或弯月形场镜系统，使落到探测器上的红外辐射

盎～————
１４０ ．：
技透镜或场镜折射聚焦成像，叭而提高灵敦面上的辐射能量密度，亦大大．Ｎ４、了探测嚣
拘工作面积。宙于探测器的输出信号与入射的辐射能量密度成正比，因此使性能显著提
高。浸没透镜业弯月形场镜选用电阻率为ｊ～３０Ｑ ｃｍ的ｒｌ型光学Ｇｅ单晶，透红外性能
抒，折射率（ｉ）高达４或电阳率大于１５０Ｑ．ｃｍ的Ｐ型Ｓｉ单晶，折射率（ｎ）达３．ｊ。
单个折射球面是有象差的 加入浸没透镜或场镜不应给光学系统带来额外的象差，
根据象差理论可以证明，单个沂射球面在某些共轭点没有象差，对任意宽的光束能完成
完善盈，这些点叫齐明点。而高度等了二曲率坐径ｒ的标准半球透镜和高度等于（１＋Ｉ，’ｎ）
？的标准超半球满足共轭条件 不会引起额外象差。为了提高光学增益．我们采用标准
超半球浸没透镜结构。同样，在采用弯月形场镜系统时，场镜的设计亦要考崽象差问题，
首先应满足球差最小。
红外辐射由空气（ｎ。＝ｉ）垂直入射的ｔ青：兄下，反射率Ｒ＝（ｎ＿－－ｌｌ／ｎ一＋ｎ）２ｔ对６ｅ和
Ｉｎｓｂ而言．ｎ＝４。一次反射损失高达３６％，Ｓｉ的折射率ｎ＝３．５，－－｝２反射损失亦选３帆以
上。为了减少反射损失．必须在其表面高真空镀一层增透膜。单层增透膜的膜层光学厚
度应为１／４波长。增透膜的折射率应尽可能为基材（Ｇｅ、Ｓｉ或ＩｎＳｂ）和入射媒质｛空气ｊ
折射率相乘积的平方根，即２或１．８７。
我们根据该探测器光谱响应波段庄８ １．ｔ ｍ以内，没有选用通常的ＺｎＳ增透膜料，而是
选取折射率约为１．９膜层非常坚同且不吸潮，透射波长迭８ ｕ ｍ的Ｓｉ０做膜料，它对产品
性能不会产生任伺不良影响。在工艺上采取离子辅助镀新技术，确保膜崖与Ｇｅ、Ｓｉ、ｌｎＳｂ
表面的牢固性。我们可根据使，稍需要，适当选择增透波长，提高响应。如气体分析可使
分析波长附近增透。而火车热轴检测或１Ｆ明火探＂ＮＮ宜镀多层宽带增透膜，以便通过提
高积分透过率达到提高积分响应率的目的。
室温下锑化铟的电阻率低，为了提高探测器电阻，此前往往将灵敏元做成窄疑的元
件，这样的结果造成目标辐射能量难以合理利用。我们根据探测器对阻值没有严珞的要
求．而且阻值的大小与材料的栽流子浓度关系很大，完全可以通过选取材料和减薄灵敏
元的厚度来调节阻值：在通光孔径巾８ ｒｎｍ情；兄Ｆ将其工作面设计为０．ｊ×０．５的正方形，
这样即可以达到视场对称，又可充分刊｝干ｊ目标的辐射能量。除此而外，我们还根据火车
热轴检测的特点，研制了工作面积（０．２５×０．２５）衄二的探测器件。』二作面积的进一步
缩小，只是视场缩小了，这对同定点光源检测来说的确十分育利，可使蛀能进一步得剜
提鬲。

３．改进制造工艺
灵敏元件是探测器的核心．由ｙ－ｒｎＳｂ品片表面状态及厚度对其眭能影响很大，而旦
室温光导元忭的厚度要求减薄钊ｊ～ｌｆ）ｕ ｍ。因此腐蚀工艺十分关键。
在ＩｎＳｌｏ器件的制备］：艺中．为了消除品片的机械损伤，降低噪声．通常都要对研
躇好的ＩｎＳｂ品片进行化学抛光，常用的腐蚀液为ＣＰ４一Ａ．躏蚀速度快．最佳腐蚀液采用
ＣＰ４－１３。腐蚀速度虽然比ＣＰ４一Ａ缓慢一些，还是太快，受宝温影响亦丈。工艺实践宁发现，
难以控制最佳腐蚀量。经过大量工艺筛选．采用一种乳酸腐绌液，对ＩｎＳｂ进行微减薄腐
蚀，其Ｉｎ／Ｓｂ原千精蚀比剜接近于１，腐蚀速度缓慢，室温影响小．实现了对灵敏元进
行稿密腐蚀，达到最ｉ圭效果。从而避免了以往常常造成腐蚀不到位或过腐蚀的现象。
另外，为了防止裔蚀过程辛腐蚀液对焊点的潜腐造成探测器的噪声增大，在蹰蚀前
在焊点上涂覆一层抗腐蚀的保护胶，提高了探测器噪声合格率。
除此而外，在产品结构设计方面的环氧树脂密封、踱璃绝缘子引出、可靠的内部结
掏确保能承受各种机械作用和吾项环境试验。

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 三、 研制结粱

研专｛戒二。的鬲灵孰’望室温竞导！ｎＳｂ红“探洲器‘＾掣｛¨Ｂ节、Ｃ掣）电压响应率分
销入Ｔ－：０ｆ、ｉｊ－００ｖ ｗ，交高丹≈ｊ选主ｌ！ｉ０｛，（ｊ ｉ｛３ｆ３００ｖ，ｗ，。Ｉ．ｆ ５００．８００ １）高Ｔ １．ｊ嚣】３
×１０。ｉ】Ｈｚ・：ｗ‘’最赢退引？ｊ ａ｛１５×１１），ｃ＿，Ｈｚ…ｗ～：对闻常数经中国计量替学藏埘３．３９
Ｉ。ｍ靛强氖擞竞掐额酗赫．响应Ｆ哿２ｄｂ最低为８锄２．最高选１３燃ｚ，即时间常数在０．０１２～
ｌｊ ０２“ｓ之同，远小了Ｏ ｌ，ｓ：光：３啊应经电子：一业部华ｊ￡光电技术研究所测试．光谱
啊应长波：疆可达７ ３ ｕ ｍ，＆８ ｕ ｍ让晌响＿ｊｒｉｋ＿－峰值波譬啊声的ｌ吣以上。详：吐Ｆ丧：

・电压：碗应阜 鬻体森测睾
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该产品与其他类型的霖测嚣比，具有灵敏度高．可探测波段宽，响应速度快，使用
可不必制冷，设计台理，结构可靠，性能跑定，使用方便等特点。固此得到铁道科学研
究院、北京分析仪器厂、北京电脑技术应用研究所等用户的高度评价和认可。通过鉴定
试验，产品性能指标全面达到井明显优于合同任务中的要求。获得了良好的经济效益和
社会效益。

参考文献：
ｌ、ＤＩＦ默ＲＥＤ ０酐ＥＣｌ＂ＯＲｓ（红外探测嚣）
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３、 红外光学工程 张幼文编著 上海鹌学技术出版挂 １９８ｌ ｌｏ

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