第23卷第1期 红外与毫米波学报 Vol．23‚No． 1

2004年2月 J．Infrared Millim．Waves February‚

2004

1001－9014（2004）01－0064－03
文章编号：

非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备
1 1‚
2 1 3 1‚
2
王宏臣 ‚　易新建 ‚　陈四海 ‚　黄　光 ‚　李雄伟
（1．华中科技大学光电子工程系‚
2．华中科技大学激光国家重点实验室‚湖北‚武汉　430074；
3．中国科技大学图象识别和人工智能教育部重点实验室‚湖北‚武汉‚
430074）

摘要：采用离子束溅射镀膜和氧化工艺在 Si（110）和石英衬底上制备了用于非致冷红外探测器阵列热敏材料的混
合相氧化钒多晶薄膜．扫描电子显微镜（SEM）照片显示：薄膜表面呈针状晶粒状‚而且薄膜表面光滑、致密‚均匀性
021K －1．
好．测试结果表明：氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数（T CR）在20℃分别为50KΩ和－0．
关　键　词：氧化钒薄膜；离子束溅射；电阻温度系数；非致冷红外探测器
中图分类号：T N215；O484．
1　　文献标识码：A

FABRICATION OF VANADIUM OXIDES POLYCRYSTALLINE

THIN FILM FOR UNCOOLED IR DETECTORS
WANG Hong-Chen1‚　YI Xin-Jian1‚2‚　CHEN S-
i Hai1‚　HU ANG Guang3‚　LI Xiong-Wei1‚2
（1．Department of Optoelectronic Engineer‚Huazhong U niversity of Science ＆ T echnology‚
Wuhan 430074‚China；
2．State Key Laboratory for Laser T echnology‚Huazhong U niversity of Science ＆ T echnology‚
Wuhan 430074‚China；
3．T he State Key Laboratory for Imaging Processing and Intelligent Control‚
Huazhong U niversity of Science ＆ T echnology‚Wuhan 430074‚China）

Abstract：Polycrystalline Vanadium Oxides thin films deposited on Si（110） and quartz substrates for thermo-sensitive ma-
terial of uncooled IR detector arrays were fabricated by ion beam sputtering deposition and oxide process． SEM photogra-
phy indicates that V O x thin films with acerose crystal constructor are smooth‚compact and uniform ．T he test result shows
that the square resistance and the temperature coefficient of resistance（T CR） of the V O x thin film are 50KΩ and －0．
021K －1 at 20℃‚respectively．
Key words：vanadium oxides thin film ；ion beam sputtering；temperature coefficient of resistance；uncooled IR detectors

10－2K －1‚为一般金属薄膜电阻温度系数的5～10
引言
而且氧化钒薄膜材料的1／f 噪声系数远小于电
倍‚
氧化钒薄膜材料具有温度相变特性‚即在温度 阻温度系数较高的 YbaCuO 等超导薄膜‚因此 VO x
升高的过程中‚薄膜相态由常温半导体转变成高温 薄膜材料是目前用于制作长波热红外探测器热敏电
金属态‚在相态改变的过程中‚还伴随着光、电、磁等 阻的理想材料 ［5‚6］ ．
［1‚
2］
多方面特性的突变 ．由于氧化钒薄膜材料的这 可以采用多种方法制备 VO x 薄膜‚如化学气相
一特性‚因而它在光电开关、光存储器件、新型 MOS
沉积 （CVD ）、反 应 离 子 溅 射 ［7］ 、溶 胶-凝 胶 （ so-
l
晶体管开关电路、电致变色和热致变色等领域都有
gel） ［8］ 等．离子束溅射镀膜技术具有易于改变薄膜
很广泛的应用 ［3‚4］ ．虽然氧化钒薄膜在室温时不具
的生长条件、薄膜淀积速度较快、膜层致密、针孔少
有温度相变特性‚但由于它具有较高的电阻温度系
与衬底的粘附性好而且可以对大面积衬底均匀镀膜
在室温时‚其电阻温度系数的典型值为－2．
数‚ 0×
等独特优点‚因而该工艺是用来制备 VO x 薄膜的常

收稿日期：2002-06-13‚修回日期：
2003-03-17　　 　　　　　　　　Received Date： 2002-06-13‚revised Date： 2003-03-17
基金项目：国家自然科学基金资助项目（60106003）
作者简介：王宏臣‚男‚（1979—）‚河南新乡人‚ 2000年进入华中科技大学光电子工程系攻读硕士研究生‚ 2002年开始直接‚攻读博士学位‚研究
方向为非致冷红外探测器‚微小光学‚微型光机电系统等．
 1期
用方法．根据相关文献‚制备氧化钒薄膜通常采用反
应离子束溅射技术‚即在离子束溅射镀膜的过程中
通入反应气体（O2）‚对 Ar ＋ 离子束溅射出的金属钒
原子进行氧化‚生成所需的 VO x 薄膜．但是这种工
艺在镀膜过程中需要对反应气体（O2）的流量进行
精确控制‚而反应气体的流量又受到诸如离子束能
量、束流密度、衬底温度等很多影响薄膜生长条件的
制约‚控制难度大‚工艺的可重复性也较差‚很难保
证薄膜的质量和稳定性．为了降低工艺难度和提高
工艺稳定性‚通过一段时间的工艺摸索之后‚我们采
用了一种新工艺‚即先采用离子束溅射制备金属钒
薄膜‚然后在氧化炉中氧化这层金属钒薄膜来制备
VO x 多晶薄膜．通过多次试验逐步摸索出了制备高
性能 VO x 多晶薄膜的工艺条件‚制备出了满足红外
探测器热敏材料所用的高性能氧化钒多晶薄膜．
1　氧化钒多晶薄膜的制备
利用新工艺制备氧化钒薄膜的工艺可简要 描述
为1．
1衬底表面清洗‚
1．2溅射钒膜及1．
3氧化钒膜．
1．
1　衬底表面清洗
为了防止衬底表面的污染物影响薄膜性能‚镀
膜前需要将衬底表面清洗干净．首先将 Si 和石英衬
底放在浓 H2SO4 和 H2O2 的混合液中加热煮沸‚然
后再分别放在丙酮和酒精溶液中超声清洗‚最后经
去离子水漂洗后放在对流烘箱中烘干备用．
衬底 和 石 英 衬 底 的 大 小 分 别 为 20×20mm2 和
10×10mm2．
1．2　溅射钒膜
采用新工艺制备 VO x 薄膜首先需要在衬底上
淀积一层金属钒薄膜．溅射镀膜的原理示意图如图
1所示．镀膜前首先打开平行离子源‚对衬底表面进
行离子束溅射清洗‚除去衬底表面吸附的污染物‚露
出新鲜的衬底表面．当清洗结束后‚关闭平行离子
源‚打开聚焦离子源‚清洗靶材‚清洗时间为90s‚靶
图1　镀膜系统原理示意图
Fig．
1　T he Diagrammatic Sketch of depositing system
王宏臣等：非致冷红外探测器用氧化钒多晶薄膜的制备 65
材清洗结束后‚打开挡板‚开始溅射镀膜‚镀膜时间
为3min‚镀膜时的工艺参数如表1所示．衬底上生
长的 金 属 钒 膜 呈 银 灰 色‚薄 膜 的 方 块 电 阻 约 为
0．
3kΩ．
表1　溅射镀膜参数表
Table 1　The parameters of sputter coating
本底真空 ＜3×10－3Pa
工作气压 　2×10－2Pa　
　离子束能量 800eV 　　
屏栅电流 70mA　　
镀膜时间 3min　　
衬底温度 300℃　　
1．
3　氧化钒膜
将已经镀有金属钒薄膜的 Si 和石英衬底从镀
膜机的真空室中取出放在充满高纯 O2 的开管式氧
化炉内进行氧化‚氧化炉的工作原理如图2所示．程
控温度控制装置采用微机控制自动控温‚控温范围
为100～900℃‚控温精度优于0．
5℃．温升曲线可以
通过改变控温程序加以改变．制备 VO x 薄膜时典型
的氧化温度为400℃‚氧化时间为120min‚氧气流量
为150SCC M．氧化时的温度、时间和氧气流量是影
响 VO x 薄膜性能的重要因素．氧化时的温度越高‚
时间越长、气流越快‚则薄膜中的 V2O5 成分越多‚
Si（110）
所制备的 VO x 薄膜的方块电阻也越大‚虽然此时的
电阻温度系数也随之升高‚但并不适合用作红外探
测器的热敏材料．所以在制备 VO x 薄膜的过程中‚
需要精确控制氧化温度‚时间和气体流量以制备满
足需要的 VO x 薄膜．当薄膜氧化完毕后‚衬底在氧
气气氛中自由冷却至室温．对所制备的 VO x 薄膜的
形貌进行了 SEM 分析‚薄膜的 SEM 照片如图3所
由图可知‚所制备的 VO x 薄膜表面呈明显的针
示．
型多晶状‚薄膜表面光滑、致密、均匀．
图2　开管式氧化扩散系统工作原理图
Fig．
2　T he diagrammatic sketch of opening tube oxide dif-
fusion system
 66
图3　Si 衬底上 V O x 薄膜的 SEM 照片
Fig．3　T he SEM microphotography of V O x thin film on Si
substrate
2　薄膜性能测试
衡量作为非致冷微测辐射热计热敏电阻材料
的 VO x 薄膜的重要指标是它的方块电阻和电阻温
度系数（T CR）．电阻温度系数被定义为薄膜的电阻
率随温度的相对变化率‚用 α表示为：
1 dR
α＝ 　
R dT
采用四探针法对所制备的 VO x 多晶薄膜进行了电
学性能测量‚在20℃时薄膜电阻值约为50KΩ．为求
得 VO x 多晶薄膜的电阻温度系数‚必须测量 VO x
薄膜在不同温度下的电阻值‚为此‚我们设计了一套
测量不同温度下薄膜方块电阻的系统‚温度控制装
置采用微机控制‚可以在0～200℃之间随意调节‚
并且可以保证温控系统的温度稳定性优于0．
2℃‚
调节温控装置‚使薄膜温度变化‚通过四探针电阻率
图4　混合相 V O x 薄膜的电阻温度曲线
Fig．
4　 Resistance versus temperature curve for mixed
vanadium oxides thin film
红外与毫米波学报 23卷
测量系统就可以测出 VO x 薄膜在不同温度下的方
块电阻．
利用这一系统‚我们对所制备的 VO x 薄膜进行
了测试‚图4是一个典型的样片测试曲线．从图中可
以获知薄膜的电阻温度系数（T CR）在20℃时达到
021K －1）．为了衡量新工艺制备
了较高的水平（－0．
VO x 薄膜的均匀性‚我们对薄膜进行了多点测量‚
测试结果显示：薄膜在衬底上（20×20mm2）的厚度
均匀性优于2％‚电阻均匀性优于5％．
3　结语
VO x 薄膜淀积技术是制作高性能非致冷 VO x
红外焦平面的核心技术之一‚本文通过采用离子束
溅射镀膜和氧化工艺在 Si 和石英衬底上制作了高
性能的 VO x 多晶薄膜‚分析测试结果表明：所制备
的 VO x 薄膜表面光滑、均匀、致密‚与衬底粘附性
好．通过测量该薄膜在不同温度下的电阻率‚发现所
制备的 VO x 薄膜在20℃时的方块电阻为50KΩ‚电
021K －1‚电阻均匀性优
阻温度系数（ T CR）达到－0．
于5％‚为今后进一步研制非致冷红外探测器奠定
了基础．
． REFERENCES
［1］Rozgonyi G A‚Hensler D H．Structure and electrical prop-
erties of vanadium dioxide thin films ［ J ］ ． J． V ac． Sci．
Technol．‚1968‚5（6）：194－199
［2］ DeNatale J F ‚Wood P J‚Harker A B．Formation and
characterization of grain-oriented V O2 thin films ［ J ］ ． J．
A pp ．Phys．‚1989‚66（12）：5844－5850
［3］ Ermine H‚Picard F ‚Vincent D．Vanadium oxide films
forms for optical switching and detection ［ J ］ ．Opt．Eng．‚
1993‚32（9）：2092－2099
［4］Burdis M S．Properties of sputtered thin films of vanadium-
titanium oxide for use in electrochromic windows ［J ］ ．T hin
Solid Films‚1997‚311：286－298
［5］ CHEN Chang-Hong‚YI Xin-Jian‚XIONG B- i Feng．In-
frared responsivity of uncooled V O2-based thin films
bolometer ［J ］ ．Acta Physica Sinica（陈长虹‚易新建‚熊笔
锋．基于 V O2 薄膜非致冷红外探测器光电响应研究．物
理学报）‚2001‚50（3）：136－138
［6］Chen Changhong‚Yi Xinjian‚Zhang Jing．Linear uncooled
microbolometer array based on V O x thin film ［J ］ ．Inf rared
Phys Technol‚2001‚42（2）：87－90
［7］Case F C．Modifications in the phase transition properties of
pre-deposited V O2 films ［ J ］ ．J． V ac． Sci． Technol．‚
1984‚A2（4）：1509－1512
［8］ Hanlon T J‚Walker R E‚Coath J A．Comparison bet ween
vanadium dioxide coating on glass on produced by sputter-
ing‚alkoxide and aqueous so- l gel methods ［ J ］ ．T hin Solid
Films‚2002‚405：234－237