ĐẠI HỌC QUỐC GIA

ĐẠI HỌC BÁCH KHOA TP HỒ CHÍ MINH

KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ


ĐIỆN TỬ HỌC TƯƠNG TỰ VÀ ỨNG DỤNG

(EE3189)
BÀI TẬP CHƯƠNG 4

LỚP P01--- NHÓM 01 --- HK212

NGÀY NỘP: 1/3/2022
Giảng viên hướng dẫn: LƯU PHÚ

Sinh viên thực hiện Mã số sinh viên Phân công

Nguyễn Thành Nhân 1911757 BT 4.1; 4.8 và 4.12

Trần Thị Linh 1913963 BT 4.2; 4.7; 4.11 và 4.14

Huỳnh Đăng Khoa 1911398 BT 4.3; 4.6 và 4.10

Nguyễn Phương Nam 1910356 BT 4.4; 4.5; 4.9 và 4.13

Thành phố Hồ Chí Minh – 2021

 Bài 4.1 (Nguyễn Thành Nhân)

Một MOSFET-n có 𝒌'𝒏 = 𝟒𝟎𝟎𝝁𝑨/𝑽𝟐 , 𝑽𝒕 = 𝟎. 𝟒𝑽 hoạt động

trong vùng 𝒗𝑫𝑺 bé tương đương như 1 điện trở thay đổi từ 200𝛀 ÷
𝟏𝑲𝛀. Tính tầm điện áp điều khiển 𝒗𝑮𝑺 và W sao cho ứng với điều
kiện chế tạo kích thước dụng cụ bé nhất 𝑳𝒎𝒊𝒏 = 𝟎. 𝟏𝟖𝝁𝒎, 𝒗𝑫𝑺𝒎𝒂𝒙 =
𝟏. 𝟖𝑽.

Trả lời:
- Ta có:

𝑘 ′ n = 400μA/V 2 ; Vt = 0.4V
rDS thay đổi từ 200Ω ÷ 1KΩ nên khi rDSmin = 200Ω thì vOVmax nên
vOV ≥ vDS → vOV = vDSmax = vGSmax − Vt
⟹ vGSmax = 1.8 + 0.4 = 2.2V
1
rDSmin =
W
k′n ×
× (vGSmax − Vt )
L
1
⇔ 200 = ⇒ W = 1.25μm(1)
−6 W
400 × 10 × × (2.2 − 0.4)
0.18
Khi rDSmax = 1KΩ thì vOVmin nên vGSmin
1
rDS =
W
k′n × × (vGS − Vt )
L
1
⇔ 1000 =
1.25
400 × 10−6 × × (vGSmin − 0.4)
0.18
⇒ vGSmin = 0.76V
Vậy, rDS thay đổi từ 200Ω ÷1KΩ thì vGS thay đổi từ 0.76V ÷ 2.2V.

1
 Bài 4.2 (Trần Thị Linh)

Một BJT có 𝑰𝒔 = 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟏𝟓 𝑨 𝒗à 𝜷 = 𝟓𝟎 ÷ 𝟐𝟎𝟎. Cho BJT làm

việc trong vùng chủ động 𝒗𝑩𝑬 = 𝟎. 𝟔𝟓𝑽. Tìm 𝒊𝑪 , 𝒊𝑩 , 𝒊𝑬 ?

Cho MOSFET-n có 𝐿𝑚𝑖𝑛 = 0.25𝜇𝑚, 𝑡𝑜𝑥 = 6𝑛𝑚 , 𝜇𝑛 = 460𝑐𝑚2 /

𝑉 ,𝑉𝑡 = 0.5𝑉.

a. Tìm 𝐶𝑜𝑥 , 𝑘𝑛′ .

𝑊 0.15𝜇𝑚
b. Với = . Tìm 𝑉𝑂𝑉 , 𝑉𝐺𝑆 , 𝑉𝐷𝑆𝑚𝑖𝑛 để MOSFET làm việc
𝐿 0.25𝜇𝑚

trong miền bão hòa với 𝐼𝐷 = 0.8𝑚𝐴.

c. Với điều kiện câu (b), tìm 𝑉𝑂𝑉 , 𝑉𝐺𝑆 để MOSFET làm việc tương
đương như một điện trở 500Ω
Trả lời:
a. Tìm 𝑪𝒐𝒙 , 𝒌′𝒏.
𝜀𝑜𝑥 3.45×10−11
- Điện dung oxide: 𝐶𝑜𝑥 = = = 5.75 × 10−3 𝐹/𝑚2
𝑡𝑜𝑥 6×10−9

(4.3)
- Hệ số hỗ dẫn quá trình sản xuất:
𝑘𝑛′ = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 264.5 𝜇𝐴/𝑉 2 (4.10a)

𝑾 𝟎.𝟏𝟓𝝁𝒎
b. Với = . Tìm 𝑽𝑶𝑽 , 𝑽𝑮𝑺 , 𝑽𝑫𝑺𝒎𝒊𝒏 để MOSFET làm việc
𝑳 𝟎.𝟐𝟓𝝁𝒎

trong miền bão hòa với 𝑰𝑫 = 𝟎. 𝟖𝒎𝑨.

MOSFET làm việc trong miền bão hòa, nên ta có:

Dòng trong miền bão hòa:

2
 1 2 𝑊 1 0.15 2
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛′ ( ) 𝑉𝑂𝑉 ⟺ 8 × 10−4 = × 264.5 × 10−6 × ( ) × 𝑉𝑂𝑉
2 𝐿 2 0.25

(4.13)

Phương trình có nghiệm:

𝑉𝑂𝑉 = 3.175 𝑉
{
𝑉𝑂𝑉 = −3.175 𝑉 (𝑙𝑜ạ𝑖 𝑣ì 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑡 ⟹ 𝑉𝑂𝑉 > 0)

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐷𝑆𝑚𝑖𝑛 = 3.175𝑉 (4.14)

𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 ⟹ 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑂𝑉 + 𝑉𝑡 = 3.175 + 0.5 = 3.675 𝑉 (4.14)

c. Với điều kiện câu (b), tìm 𝑉𝑂𝑉 , 𝑉𝐺𝑆 để MOSFET làm việc
tương đương như một điện trở 500Ω

MOSFET làm việc trong miền triode 𝑉𝐷𝑆 bé tương đương như R:
1 1
𝑅𝐷𝑆 = = (4.8)
𝑊 0.15
𝑘𝑛′ × × 𝑉𝑂𝑉 264.5 × 10−6 × × 𝑉𝑂𝑉
𝐿 0.25
⟹ 𝑉𝑂𝑉 = 12.6 𝑉
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑂𝑉 + 𝑉𝑡 = 12.6 + 0.5 = 13.1 𝑉 (4.14)

Bài 4.3 (Huỳnh Đăng Khoa)

Đặc tuyến 1 MOSFET – như

hình BT4.3 tìm:

a. 𝒌𝒏 , 𝑽𝒕𝒏 .
b. 𝒊𝑫 @𝒗𝑫𝑺 = 𝟓𝑽 𝒌𝒉𝒊 𝒗𝑮𝑺 =
𝟑. 𝟓𝑽, 𝒗𝑮𝑺 = 𝟒. 𝟓𝑽.
c. 𝒊𝑫 @𝒗𝑫𝑺 = 𝟏𝑽 suy ra 𝒓𝑫𝑺
Trả lời:
3
a. Từ đặt tuyến, ta có với 𝐼𝐷 = 0.38𝑚𝐴 và 𝑉𝐺𝑆 = 4𝑉 hoạt động ở rìa
miền bão hòa 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝑂𝑉 = 2.28𝑉
2𝐼𝐷 2×0.38 mA
=> 𝑘𝑛 = 2 = ≈ 0.146 ( )
𝑉𝑂𝑉 2.282 𝑉2

=> 𝑉𝑡𝑛 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑂𝑉 = 4 − 2.28 = 1.72𝑉

b. 𝑣𝐷𝑆 = 5𝑉 nên với 𝑣𝐺𝑆 = 3.5𝑉 và 𝑣𝐺𝑆 = 4.5𝑉 thì MOSFET làm
việc trong miền bão hòa (dựa vào đặc tuyến)
2
𝑣𝐺𝑆 = 3.5𝑉 => 𝐼𝐷 = 0.5𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉 = 0.5 × 0.146 × (3.5 − 1.72)2 ≈
0.23𝑚𝐴
2
𝑣𝐺𝑆 = 4.5𝑉 => 𝐼𝐷 = 0.5𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉 = 0.5 × 0.146 × (4.5 − 1.72)2 ≈
0.54𝑚𝐴

c. Khi 𝑣𝐷𝑆 = 1𝑉 với 𝑣𝐺𝑆 = 3.5𝑉 và 𝑣𝐺𝑆 = 4.5𝑉 thì MOSFET làm
việc trong miền triode (dựa vào đặc tuyến)

Ta có,

4
 𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝑂𝑉 − 0.5𝑣𝐷𝑆 )𝑣𝐷𝑆 = 0.146 × (𝑉𝐺𝑆 − 1.72 − 0.5 × 1) × 1
{ 1 1
𝑟𝐷𝑆 = =
𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉 0.146 × (𝑉𝐺𝑆 − 1.72)

Với 𝑣𝐺𝑆 = 3.5𝑉

𝐼𝐷 = 0.146 × (3.5 − 1.72 − 0.5 × 1) × 1 ≈ 0.19𝑚𝐴

=> { 1 1
𝑟𝐷𝑆 = = ≈ 3.8𝑘Ω
𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉 0.146×(3.5−1.72)

Với 𝑣𝐺𝑆 = 4.5𝑉

𝐼𝐷 = 0.146 × (4.5 − 1.72 − 0.5 × 1) × 1 ≈ 0.33𝑚𝐴

=> { 1 1
𝑟𝐷𝑆 = = ≈ 2.46𝑘Ω
𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉 0.146×(3.5−1.72)

Bài 4.4 (Nguyễn Phương Nam)

Mạch điện như hình BT4.4

1𝑚𝐴
MOSFET có 𝑘𝑛 = , 𝑉𝑡𝑛 =
𝑉2

0.8𝑉 . 𝑇ì𝑚 𝑉𝐺𝑆 , 𝐼𝐷 , 𝑉𝐷𝑆 .

Trả lời:
Mạch KĐ CS :
𝑅2
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉 − 𝑅𝑆 . 𝐼𝐷
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷
18𝐾
= × 10 − 2𝐾. 𝐼𝐷
18𝐾+32𝐾

= 3.6 − 2𝐼𝐷
1
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡𝑛 )2
2
2𝐼𝐷 = (3.6 − 2𝐼𝐷 − 0.8)2

5
2𝐼𝐷 = (2.8 − 2𝐼𝐷 )2
2𝐼𝐷 = 4(1.4 − 𝐼𝐷 )2
0.5𝐼𝐷 = 1.96 − 2.8𝐼𝐷 + 𝐼𝐷2
𝐼𝐷2 − 3.3𝐼𝐷 + 1.96 = 0
→ 𝐼𝐷 = 2.5𝑚𝐴 ℎ𝑜ặ𝑐 𝐼𝐷 = 0.78𝑚𝐴
Với 𝐼𝐷 = 0.78𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 10 − 6𝐼𝐷 = 5.32𝑉 > 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = 2.8 − 2𝐼𝐷 = 1.25𝑉
→ 𝐶ℎọ𝑛 𝐼𝐷 = 0.78𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 == 3.6 − 2𝐼𝐷 = 2.04𝑉

Bài 4.5 (Nguyễn Phương Nam)

𝑴ạ𝒄𝒉 đ𝒊ệ𝒏 𝒉ì𝒏𝒉 𝑩𝑻𝟒. 𝟓 𝑴𝑶𝑺𝑭𝑬𝑻 𝒄ó

𝟏𝒎𝑨
𝒌𝒑 = ,
𝑽𝟐

𝑽𝒕𝒑 = −𝟎. 𝟖𝑽. 𝑻ì𝒎 𝑽𝑺𝑮 , 𝑰𝑫 , 𝑽𝑺𝑫 ?

Trả lời:

𝑅2 22
𝑉𝐺 = . (𝑉𝑆𝑆 − 𝑉𝐷𝐷 ) + 𝑉𝐷𝐷 = . 6 − 3 = 1.4𝑉
𝑅1 + 𝑅2 22 + 8

𝐺𝑖ả 𝑠ử 𝑀𝑜𝑠𝑓𝑒𝑡 𝑙à𝑚 𝑣𝑖ệ𝑐 ở 𝑚𝑖ề𝑛 𝑏ã𝑜 ℎò𝑎

1 2 3 − 𝑉𝑆 1
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = . 𝐾𝑝 . (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡𝑝 |) => = . 1. (𝑉𝑆 − 1,4 − 0,8)2
2 0.5 2

=> 𝑉𝑆 = 2.883𝑉 ℎ𝑜ặ𝑐 𝑉𝑆 = −2.483𝑉, 𝑐ℎọ𝑛 𝑉𝑆 = 2.883𝑉 để 𝑉𝑆𝐷

> |𝑉𝑂𝑉 |

6
=> 𝑉𝑆𝐺 = 1.483𝑉 => 𝐼𝐷 = 0.233𝑚𝐴;

=> 𝑉𝑆𝐷 = 6 − 0,233. (5 + 0,5) = 4.7185𝑉 > |𝑉𝑂𝑉 | = 𝑉𝑆𝐺 − 0.8

= 0.087𝑉

=> 𝑀𝑜𝑠𝑓𝑒𝑡 𝑙à𝑚 𝑣𝑖ệ𝑐 𝑡𝑟𝑜𝑛𝑔 𝑚𝑖ề𝑛 𝑏ã𝑜 ℎò𝑎

Bài 4.6 (Huỳnh Đăng Khoa)

Mạch điện hình BT4.6 có 𝒌𝒑 =

𝟎. 𝟒𝒎𝑨/𝑽𝟐 , 𝑽𝒕𝒑 = −𝟎. 𝟖𝑽. Vẽ DCLL và xác
định điểm Q:

a. 𝑽𝑫𝑫 = 𝟑. 𝟓𝑽, 𝑹𝑫 = 𝟏. 𝟐𝑲.

b. 𝑽𝑫𝑫 = 𝟓𝑽, 𝑹𝑫 = 𝟒𝑲.
Trả lời:

a. Ta có,

𝑉𝑆𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 = 3.5𝑉

=> |𝑉𝑂𝑉 | = 𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡𝑝 | = 3.5 − 0.8 = 2.7𝑉

7
 Giả sử MOSFET làm việc trong miền bão hòa, khi đó:
2
𝐼𝐷 = 0.5𝑘𝑝 𝑉𝑂𝑉 = 0.5 × 0.4 × 2.72 = 1.458𝑚𝐴

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝑆𝐷 3.5−𝑉𝑆𝐷

Mà 𝐼𝐷 = =
𝑅𝐷 1.2

=> 𝑉𝑆𝐷 = 3.5 − 1.458 × 1.2 ≈ 1.75𝑉 < |𝑉𝑂𝑉 |

=> vậy MOSFET không làm việc trong miền bão hòa mà là miền
triode.

Khi đó,

𝐼𝐷 = 𝑘𝑝 (|𝑉𝑂𝑉 | − 0.5𝑣𝐷𝑆 )𝑣𝐷𝑆 = 0.4(3.5 − 0.8 − 0.5𝑣𝐷𝑆 )𝑣𝐷𝑆

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑆𝐷 3.5 − 𝑉𝑆𝐷

𝐼𝐷 = =
𝑅𝐷 1.2

Gải hai phương trình trên, ta được 𝐼𝐷 = 1.33𝑚𝐴 và 𝑉𝑆𝐷 = 1.90𝑉

b. Ta có,

8
 𝑉𝑆𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 = 5𝑉

=> |𝑉𝑂𝑉 | = 𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑡𝑝 | = 5 − 0.8 = 4.2𝑉

Giả sử MOSFET làm việc trong miền bão hòa, khi đó:
2
𝐼𝐷 = 0.5𝑘𝑝 𝑉𝑂𝑉 = 0.5 × 0.4 × 4.22 = 3.53𝑚𝐴

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝑆𝐷 5−𝑉𝑆𝐷

Mà 𝐼𝐷 = =
𝑅𝐷 4

=> 𝑉𝑆𝐷 = 5 − 3.53 × 4 ≈ −9.11𝑉 < 0 < |𝑉𝑂𝑉 |

=> vậy MOSFET không làm việc trong miền bão hòa mà là miền
triode.

Khi đó,

𝐼𝐷 = 𝑘𝑝 (|𝑉𝑂𝑉 | − 0.5𝑣𝐷𝑆 )𝑣𝐷𝑆 = 0.4(5 − 0.8 − 0.5𝑣𝐷𝑆 )𝑣𝐷𝑆

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑆𝐷 5 − 𝑉𝑆𝐷

𝐼𝐷 = =
𝑅𝐷 4

Gải hai phương trình trên, ta được 𝐼𝐷 = 1.08𝑚𝐴 và 𝑉𝑆𝐷 = 0.70𝑉

Bài 4.7 (Trần Thị Linh)

Thiết kế mạch MOSFET như hình

2𝑚𝐴
BT 4.4. MOSFET có 𝐺𝑚 = , 𝑉𝑡𝑛 =
𝑉

0.4𝑉, 𝑉𝐷𝐷 = 3.3𝑉, 𝑅𝐷 = 7.5𝑅𝑆 , 𝑉𝐷𝑆𝑄 =

9
1.6𝑉, 𝐼𝐷𝑄 = 1𝑚𝐴 . Dòng qua cầu phân áp bằng 5%𝐼𝐷𝑄 .

Trả lời:

2𝐼𝐷 2𝐼𝐷 2×10−3

Ta có : 𝐺𝑚 = ⟹ 𝑉𝑂𝑉 = = = 1𝑉 (4.15)
𝑉𝑂𝑉 𝐺𝑚 2×10−3

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 3.3 − 1.6

𝐼𝐷 = ⟹ 10−3 =
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 𝑅𝑆 + 7.5𝑅𝑆
𝑅𝑆 = 0.2 𝑘Ω
⟹{ (4.21)
𝑅𝐷 = 1.5 𝑘Ω

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑂𝑉 + 𝑉𝑡𝑛 = 1 + 0.4 = 1.4𝑉

𝑅2
Và 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑄 = 𝑉 (4.22)&(4.23)
𝑅1 +𝑅2 𝐷𝐷

𝑅2 17
⇔ 1.4 + 0.2 = 3.3 ⇒ 𝑅1 = 𝑅 (1)
𝑅1 + 𝑅2 16 2
𝑉𝐷𝐷
Dòng qua cầu phân áp: 𝐼12 = 5%𝐼𝐷𝑄 = (2)
𝑅1 +𝑅2

𝑅1 = 34 𝑘Ω
(1) và (2) ⟹ {
𝑅2 = 32 𝑘Ω

Kết quả mô phỏng:

10
Với các giá trị R tính được như trên, ta thu được: 𝐼𝐷𝑆 = 998𝜇𝐴 ≈
1𝑚𝐴

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷 − 𝑉𝑆 = 1.8 − 0.2 = 1.6𝑉

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 = 1.6 − 0.2 = 1.4𝑉

𝐼12 = 50𝜇𝐴

Phù hợp với yêu cầu đề bài.

Bài 4.8 (Nguyễn Thành

Nhân)

Mạch điện như hình BT4.8

𝟐𝒎𝑨
có 𝒌𝒏 = , 𝑽𝒕𝒏 = 𝟎. 𝟖𝑽, 𝝀 =
𝑽𝟐

𝟎. 𝟎𝟐/𝑽. 𝑽𝑫𝑫 = 𝟓𝑽, 𝑹𝑺 =

11
𝟏𝑲, 𝑹𝑫 = 𝟒𝑲, 𝑹𝒔𝒊𝒈 = 𝟏𝑲, 𝑹𝟏 = 𝟐𝟐𝟓𝑲, 𝑹𝟐 = 𝟏𝟕𝟓𝑲.

a. Tìm điểm phân cực tĩnh Q.

b. Tính 𝐀𝐯 , 𝐀𝐯𝐬 , 𝐀𝐢 , 𝐑 𝐢𝐧 , 𝐑 𝐢 , 𝐑 𝐨 𝒗ớ𝒊 𝑹𝑳 = ∞.
c. Tính 𝑹𝑳 để 𝐀𝐯𝐬 còn 75% so với khi tải hở mạch.
Trả lời:
a. Tìm điểm phân cực tĩnh Q:
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆𝑄 5−𝑉𝐷𝑆𝑄
• 𝐼𝐷𝑄 = 0.5𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑡𝑛) = =
𝑅𝐷 +𝑅𝑆 4+1
𝑅2 175
 𝑉𝐺𝑆𝑄 = 𝑉𝑅2 − 𝑉𝑅𝑆 = . 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝑆 . 𝐼𝐷𝑄 = . 5 − 1. 𝐼𝐷𝑄
𝑅1 +𝑅2 175+225

1 35 2
 𝐼𝐷𝑄 = . 2. ( − 𝐼𝐷𝑄 − 0.8)
2 16

𝐼𝐷𝑄 = 0.607 𝑚𝐴
{
𝐼𝐷𝑄 = 3.167 𝑚𝐴
175
• 𝑉𝐷𝑆 = 5 − 5𝐼𝐷 > 𝑉𝑂𝑉 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 = . 5 − 1. 𝐼𝐷 − 0.8 =
175+225

1.3875 − 𝐼𝐷
 𝐼𝐷 < 0.9𝑚𝐴
 𝐼𝐷𝑄 = 0.607 𝑚𝐴.
 𝑉𝐷𝑆 = 1.965𝑉.
 𝑉𝐺𝑆 = 1.58𝑉
b. Tính 𝐀𝐯 , 𝐀𝐯𝐬 , 𝐀𝐢 , 𝐑 𝐢𝐧 , 𝐑 𝐢 , 𝐑 𝐨 𝒗ớ𝒊 𝑹𝑳 = ∞.
2𝐼𝐷 2×0.607
• 𝑔𝑚 = = = 1.56𝑚2 /𝑉.
𝑉𝑜𝑣 0.78
4×82.3
• 𝑅'𝐿 = (𝑅𝐷 //𝑟0 ) = = 3.81 𝐾Ω.
4+82.3
1
𝑣0 −3.81
• 𝐴𝑉 =
𝑔𝑚
= −𝑔𝑚 𝑅'𝐿 × 1 = 1 = −2.32
𝑣𝑖 +𝑅𝑆 +1
𝑔𝑚 1.56

12
 225×175
• 𝑅𝑖 = (𝑅1 //𝑅2 ) = = 98.4375 𝐾Ω.
225+175
𝑅𝑖 98.4375
• 𝐴𝑉𝑆 = 𝐴𝑉 × = −2.32 × = −2.3.
𝑅𝑖 +𝑅𝑠𝑖𝑔 98.4375+1

• 𝑅𝑜𝑢𝑡 = 𝑟0 (1 + 𝑔𝑚 𝑅𝑆 ) + 𝑅𝑆 = 82.3(1 + 1.56 × 1) + 1

= 211.688 𝐾Ω.
4×211.688
• 𝑅0 = (𝑅𝐷 //𝑅𝑜𝑢𝑡 ) = = 3.92 𝐾Ω.
4+211.688

c. Tính 𝑹𝑳 để 𝐀𝐯𝐬 còn 75% so với khi tải hở mạch.

• 𝑅''𝐿 = (𝑅'𝐿 //𝑅𝐿 ) = 3.81//𝑅𝐿
−𝑅''𝐿 −3.81//𝑅𝐿
• 𝐴'𝑉 = 1 = 1
𝑔𝑚
+𝑅𝑆 1.56
+1

𝑅𝑖 −3.81//𝑅𝐿 98.4375
• 𝐴'𝑉𝑆 = 𝐴'𝑉 × = 1 × = 75%𝐴𝑉𝑆
𝑅𝑖 +𝑅𝑠𝑖𝑔 +1 98.4375+1
1.56

 −3.81//𝑅𝐿 = −3.81 × 0.75

 𝑅𝐿 = 11.43 𝐾Ω.
Bài 4.9 (Nguyễn Phương Nam)

Thiết kế mạch KĐ như hình

BT4.9, Cho 𝑽𝒕𝒏 = 0.8V, 𝝀 = 𝟎. 𝟎𝟏/𝑽,
phân cực 𝑽𝑮𝑺𝑸 = 1.6V, 𝑰𝑫𝑸 = 0.4mA,
𝑽𝑫𝑺𝑸 ≈ 𝟒𝑽. Yêu cầu sao cho 𝑨𝒗 =
-𝟒, 𝑹𝒊 = 𝟏𝑴.

Gợi ý: 𝑹𝑺 = 𝑹𝑺𝟏 + 𝑹𝑺𝟐 về mặt DC.

𝑹𝑺 = 𝑹𝑺𝟏 về mặt AC.

Trả lời:

13
Ta có : VOV = VGS − Vt = 1,6 − 0,8 = 0,8 V

Ta có các thông số :

2 I D 2.0,8 A
gm = = = 1m
VOV 0,8 V

1 1
r0 = = = 250 K
 I D 0,01.0, 4

Nhìn vào sơ đồ  Ri = RG = 1M

Sơ đồ mạch DC

G nối đất nên VG = 0 V

VGS = VG − VS  VS = −1,6 V

VDS = VD − VS  4 = VD + 1,6  VD = 2, 4 V

14
Dùng KVL cho nhánh S, ta có:
VS − (−5) −1,6 + 5
= ID  = 0, 4  RS 1 + RS 2 = 8,5 K
RS 1 + RS 2 RS 1 + RS 2

Dùng KVL cho nhánh D S, ta có:

5 − (−5) − VDS 10 − 4
= ID  = 0, 4  RD = 6,5 K
RD + RS 1 + RS 2 RD + 8,5

Mạch AC: gắn tụ song song với RS 2

1 1 1 
R ' L = (r0 RD RL ) = 1 /  + +  = 5, 47 K
 0
r RD RL 

RL'
Ta có : AV = −
1 / g m + RS 1

5, 47
 −4 = −
1 + RS 1

 RS 1 = 367,5

Mà RS 1 + RS 2 = 8,5K  RS 2 = 8132,5

Bài 4.10 (Huỳnh Đăng Khoa)

15
 Mạch điện như hình BT4.10. Cho 𝑽𝒕𝒑 = −𝟏𝑽, 𝒌𝒑 = 𝟏𝒎𝑨/
𝑽𝟐 , 𝝀 = 𝟎.
a. Tìm 𝑹𝑫 , 𝑹𝑺 sao cho 𝑰𝑫𝑸 = 𝟎. 𝟕𝟓𝒎𝑨, 𝑽𝑺𝑫𝑸 = 𝟔𝑽.
b. Tính 𝑹𝒊 , 𝑹𝟎 .
c. Tìm 𝒊𝟎 𝒗à 𝒗𝟎 𝒗ớ𝒊 𝒊𝒔𝒊𝒈 = 𝟓 𝐬𝐢𝐧 𝝎𝒕 (𝝁𝑨).

Trả lời:

a. Ta có,

=>
𝑉𝑆𝐺𝑄 = 𝑉 + − 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑄 => 𝑉𝑆𝐺𝑄 = 5 − 0.75𝑅𝑆 (1)
{
𝑉𝑆𝐷𝑄 = 𝑉 + − 𝑉 − − (𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 )𝐼𝐷𝑄 => 6 = 10 − 0.75(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷 ) (2)

Giả sử MOSFET hoạt động trong miền bão hòa

𝐼𝐷𝑄 = 0.5𝑘𝑝 (𝑉𝑆𝐺𝑄 − |𝑉𝑡𝑝 |)2 ↔ 0.75 = 0.5 × 1 × (5 − 0.75𝑅𝑆 − 1)2

𝑅𝑆 ≈ 3.70𝐾 𝑅𝐷 ≈ 1.63𝐾
=> { Từ (2) => {
𝑅𝑆 ≈ 6.97𝐾 𝑅𝐷 ≈ −1.63𝐾

Vậy chỉ lấy 𝑅𝐷 ≈ 1.63𝐾 và 𝑅𝑆 ≈ 3.70𝐾

16
=> 𝑉𝑆𝐺𝑄 = 5 − 0.75𝑅𝑆 = 5 − 0.75 × 3.7 = 2.225𝑉

=> |𝑉𝑂𝑉 | = 𝑉𝑆𝐺𝑄 − |𝑉𝑡𝑝 | = 2.225 − 1 = 1.225𝑉

Vậy 𝑉𝑆𝐺𝑄 > |𝑉𝑂𝑉 | => MOSFET thực sự hoạt động trong miền bão
hòa

b.

2𝐼𝐷𝑄 2 × 0.75
𝑔𝑚 = = ≈ 1.22 𝑚𝐴/𝑉
|𝑉𝑂𝑉 | 1.225

𝜆 = 0 => 𝑟𝑜 = ∞

2 × 1.63
𝑅′𝐿 = ≈ 0.90𝐾
2 + 1.63

Tổng trở vào nhìn từ 𝑅𝑆 :

17
 1 1
𝑅𝑆 × 3.7×1.22
𝑔𝑚
𝑅𝑖 = 1 = 1 ≈ 0.67𝐾
𝑅 𝑆 +𝑔 3.7+1.22
𝑚

Hệ số khuếch đại áp:

𝐴𝑣 = 𝑔𝑚 𝑅′𝐿 = 1.22 × 0.9 ≈ 1.1

Hệ số khuếch đại tính từ nguồn:

𝐴𝑣𝑠 = 𝐴𝑣 = 1.1

Hệ số khuếch đại dòng:

𝐴𝑖 =

Tổng trở ra:

+ Tính 𝑅𝑜𝑢𝑡
𝑥𝑥
𝑅𝑜𝑢𝑡 = =
𝑖𝑥

Bài 4.11 (Trần Thị Linh)

Mạch điện như hình

BT4.11. Cho 𝑉𝑡𝑝 = −2𝑉, 𝑘𝑝 =
10𝑚𝐴
, 𝜆 = 0.01/𝑉, nguồn dòng
𝑉2
10mA.
Tìm 𝐴𝑣 (𝑅𝐿 = ∞). Tìm 𝑅0 .
Tìm 𝑅𝐿 để 𝐴𝑣 = 0.9
Trả lời:

Mạch khuếch đại D chung

18
- Tìm 𝑨𝒗 (𝑹𝑳 = ∞):

Nguồn dòng 10mA: 𝐼𝐷 = 10 𝑚𝐴

1 1
Ta có: 𝑟0 = = = 10 𝑘Ω (4.17)
𝜆𝐼𝐷 0.01×10×10−3

Giả sử MOSFET làm việc trong miền bão hòa:

1 2
1 2
𝐼𝐷 = 𝑘𝑝 𝑉𝑂𝑉 ⟺ 10 = × 10 × 𝑉𝑂𝑉
2 2

⟹ |𝑉𝑂𝑉 | = 1.41 𝑉

𝑉𝑆𝐺 = |𝑉𝑡𝑝 | + |𝑉𝑂𝑉 | = 2 + 1.41 = 3.41 𝑉

2 𝐼𝐷 2 × 0.01 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = = = 14.18 (4.26)
| 𝑉𝑂𝑉 | 1.41 𝑉

Theo đề bài: 𝑅𝐿 = ∞ nên 𝑅𝐿′ = 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟0 ⟹ 𝑅𝐿′ = 𝑟0 = 10𝑘Ω

𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 14.18 × 10
𝑨𝒗 = = = 𝟎. 𝟗𝟗𝟑 (4.43)
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 1 + 14.18 × 10

Tổng trở ra:

1 0.0705 × 10
𝑹𝟎 = ∥ 𝑅𝑆 ∥ 𝑟0 = = 𝟎. 𝟎𝟕𝒌𝛀 (4.47)
𝑔𝑚 0.0705 + 10

- Tìm 𝑹𝑳 để 𝑨𝒗 = 𝟎. 𝟗

𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 14.18 × 10−3 𝑅𝐿′

𝐴𝑣 = ⟺ 0.9 =
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿′ 1 + 14.18 × 10−3 𝑅𝐿′

⟹ 𝑅𝐿′ = 0.635 𝑘Ω

19
 𝑅𝐿 ×10
Mà 𝑅𝐿′ = 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟0 = = 0.635 ⟹ 𝑹𝑳 = 𝟎. 𝟔𝟕𝟖 𝒌𝛀
𝑅𝐿 +10

Bài 4.12 (Nguyễn Thành Nhân)

Mạch điện hình BT 4.12 có 𝐑 𝐒 =

𝟒𝑲, 𝐑 𝟏 = 𝟖𝟓𝟎𝑲, 𝐑 𝟐 = 𝟑𝟓𝟎𝑲, 𝐑 𝐋 = 𝟒𝑲.
MOSFET có 𝐕𝐭𝐩 = −𝟏. 𝟐𝑽, 𝐤'𝐩 = 𝟒𝟎𝝁𝑨/
𝑾
𝑽𝟐 , = 𝟖𝟎, 𝝀 = 𝟎. 𝟎𝟓/𝑽. Tính 𝐀𝐯 , 𝐀𝐠 =
𝑳
𝒊𝟎
𝒗à 𝐑 𝟎 .
𝒗𝒊

Trả lời:

Phân cực DC: Giả sử MOSFET làm việc ở chế độ bão hòa
350
• 𝑉𝐺 = × 10 = 2.92𝑉.
350+850
𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝑆𝐷
• 𝐼𝐷 =
𝑅𝑆

• 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐺 = 𝑉𝑆𝐺 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆

 7.08 = 𝑉𝐺 + 6.4(𝑉𝑆𝐺 − 1.2)2

𝑉𝑆𝐺 = 2.08: 𝑛ℎậ𝑛
{
𝑉𝑆𝐺 = 0.16: 𝑙𝑜ạ𝑖
 𝐼𝐷 = 1.24𝑚𝐴.
 𝑟0 = 16.1 𝐾Ω.
𝑊
• 𝑔𝑚 = 𝑘'𝑝 (𝑉𝑆𝐺 − ‖𝑉𝑡𝑝 ‖) = 2.82 𝐾Ω.
𝐿

• 𝑅'𝐿 = 𝑅𝐿 //𝑅𝑆 //𝑟0 = 1.78 𝐾Ω.

𝑔𝑚 𝑅'𝐿
• 𝐴𝑉 = = 0.834.
1+𝑔𝑚𝑅'𝐿
𝑖0 𝑖0 𝑣0 𝐴𝑉 𝑚𝐴
• 𝐴𝑔 = = × = = 0.208 .
𝑣𝑖 𝑣0 𝑣𝑖 𝑅𝐿 𝑉
1
• 𝑅0 = //𝑅𝑆 //𝑟0 = 0.32 𝐾Ω.
𝑔𝑚

20
 Bài 4.13 (Nguyễn Phương Nam)

Thiết kế mạch KĐ như hình

BT4.13 thỏa yêu cầu 𝐀𝐯 ≥
-𝟏𝟎, 𝐑 𝐢𝐧 = 𝟐𝟎𝟎𝑲, 𝐑 𝐋 = 𝟐𝟎𝑲.
Chọn 𝐈𝐃𝐐 = 𝟏𝒎𝑨, 𝐕𝐃𝐒𝐐 = 𝟏𝟎𝑽.
MOSFET có 𝐕𝐭𝐧 = 𝟐𝑽, 𝝀 = 𝟎.
Tính các giá trị R.

Cho 𝐢𝐃𝐦𝐢𝐧 = 𝟎. 𝟏𝒎𝑨, tìm biên độ 𝐯𝐢𝐦𝐚𝐱 để ngõ ra đạt biên độ cực
đại không bị méo.

Trả lời:
d. DCLL:

VDD − VDS 20 − VDS

ID = =
RD + RS RD + RS

DCLL cắt trục hoành tại VDS = 20 suy ra được hình dáng của DCLL

DCLL cắt trục tung tại I D = 2mA  RD + RS = 10 K

21
Nhìn đồ thị ta có VG = 4 V

Ta có :

R2
 VG = VDD
R1 + R2
R2
4= .20
R1 + R2

R1
 =4
R2

Ta có thêm : 𝑅𝑖𝑛 = 𝑅1 // 𝑅2

 R2 = 250 K

 R1 = 1M

e. ACLL:

Ta có : vDS  vOV thì MOSFET làm việc trong miền bão hòa

Nhìn đồ thị ta có vOV = vDS = 5V tại biên miền bão hòa nên vGS  5V

22
Ta có biên độ max không bị méo: 𝑣1 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 − 𝑣𝑂𝑉 = 7𝑉

r0 =  ( vì  = 0 )

Ta có : 𝑅𝐿′ = 𝑅𝐷 // 𝑅𝐿

I D = 0,5kn (VGS − Vtn )

2

2I D
gm = =
VGS − Vtn

Av = − g m RL'  −10
Mà
 g m RL'  10

Xét tại dấu “=” g m RL' = 10

Ta có :
−𝑣𝐷𝑆 𝑉𝐷𝑆𝑄
𝑖𝐷 = + + 𝐼𝐷𝑄
𝑅𝐷 // 𝑅𝐿 𝑅𝐷 // 𝑅𝐿

−𝑣𝐷𝑆 𝑚𝑎𝑥 10
 0.1.10−3 = 𝑖𝐷𝑚𝑖𝑛 = + + 1.10−3
𝑅𝐷 // 𝑅𝐿 𝑅𝐷 // 𝑅𝐿

Bài 4.14 (Trần Thị Linh)

Thiết kế mạch khuếch đại CD

như hình BT4.14 thỏa yêu cầu
𝑅0 = 600Ω, 𝑅𝑖 = 500K. Phân cực
sao cho 𝐼𝐷𝑄 = 2𝑚𝐴, MOSFET có
𝑉𝑡𝑝 = −1𝑉, 𝜆 = 0, 𝑔𝑚 = 1𝑚𝐴/𝑉.
Vẽ DCLL, ACLL và tìm 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 để
đạt max/swing tốt nhất.
Trả lời:

23
 2𝐼 2𝐼𝐷𝑄 2×2
Ta có: 𝑔𝑚 = |𝑉 𝐷𝑄| ⟹ |𝑉𝑂𝑉 | = = = 4𝑉
𝑂𝑉 𝑔𝑚 1

1
2 2𝐼𝐷𝑄 2×2
Và 𝐼𝐷𝑄 = 𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉 ⟹ 𝑘𝑛 = 2 = = 0.25 𝑚𝐴/𝑉 2
2 𝑉𝑂𝑉 42

Theo đề bài: 𝜆 = 0 ⟹ 𝑟0 = 0
1 1 1×𝑅𝑆
𝑅0 = ∥ 𝑅𝑆 ∥ 𝑟0 = ∥ 𝑅𝑆 = 0.6 𝑘Ω ⟺ 0.6 = ⟹ 𝑅𝑆 =
𝑔𝑚 𝑔𝑚 1+𝑅𝑆

1.5 𝑘Ω

𝑉𝑆𝐺𝑄 = |𝑉𝑂𝑉 | + |𝑉𝑡𝑝 | = 4 + 1 = 5𝑉

𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝑆𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑅𝑆 𝐼𝐷𝑄 = 10 − 1.5 × 2 = 7𝑉

𝑉𝐺 = 𝑉𝑆𝐺 − 𝑉𝑆𝐺𝑄 = 7 − 5 = 2𝑉
{ 𝑅 𝑉 𝑅𝑉 500000×10 ⟹ 𝑅1 = 2.5 𝑀Ω
𝑉𝐺 = 2 𝐷𝐷 = 𝑖 𝐷𝐷 =
𝑅2 +𝑅1 𝑅1 𝑅1

𝑅𝑖 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ⟹ 𝑅2 = 625𝑘Ω

- DCLL:

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆 10−𝑉𝐷𝑆

Phương trình: 𝐼𝐷 = = (𝑉, 𝑚𝐴)
𝑅𝑆 1.5

- ACLL
Phương trình:
𝑣𝐷𝑆 𝑉𝐷𝑆𝑄
𝑖𝐷 = − + + 𝐼𝐷𝑄
𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿
𝑣𝐷𝑆 7
= − + +2 (𝑉. 𝑚𝐴)
1.5 ∥ 𝑅𝐿 1.5 ∥ 𝑅𝐿

Tính biên miền bão hòa 𝒗𝑫𝑺𝒎𝒊𝒏 = 𝒗𝑶𝑽𝒔𝒂𝒕 (vì trong miền bão
hòa𝑣𝐷𝑆 ≥ 𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 ) theo phương trình ACLL:

24
 1 2
𝑣𝐷𝑆 𝑉𝐷𝑆𝑄
𝑘 𝑣 == − + + 𝐼𝐷𝑄
2 𝑛 𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿 𝑅𝑆 ∥ 𝑅𝐿
𝑣𝐷𝑆 7
=− + +2 (4.48)
1.5 ∥ 𝑅𝐿 1.5 ∥ 𝑅𝐿

1 2
|𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 | 7
⟺ × 0.25 × 𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 =− + +2 (1)
2 1.5 ∥ 𝑅𝐿 1.5 ∥ 𝑅𝐿

Tính 𝒗𝑫𝑺𝒎𝒂𝒙 với 𝑰𝑫𝒎𝒊𝒏 = 𝟎

Phương trình (1) trở thành: 𝑣𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 = 7 + 2 × 1.5 ∥ 𝑅𝐿 (2)

Để đạt max/swing tốt nhất, cần thỏa:

|7 − 𝑣𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 | = |7 − 𝑣𝐷𝑆𝑚𝑖𝑛 | (biên độ 2 bên bằng nhau → tín hiệu hình

sin đều)

⟺ 𝑣𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 − 7 = 7 − |𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 | (3)

(2)&(3) ⟹ 7 = |𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 | + 2 × 1.5 ∥ 𝑅𝐿 ⟹ 1.5 ∥ 𝑅𝐿 =

7−|𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡|
(4)
2

3 2 | + 2|𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 | − 14 =
(1)&(4) ⟹ −0.0625|𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 | + 0.4375|𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡
0

⟹ |𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 | = 5.657 𝑉

(3) ⟹ 𝑣𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 = 14 − |𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 | = 14 − 5.657 = 8.343𝑉

1 2 1 2 1
(4) ⟹ = |
− = − ⟹ 𝑹𝑳 = 𝟏. 𝟐𝟏𝟔 𝒌𝛀
𝑅𝐿 7−|𝑣𝑂𝑉𝑠𝑎𝑡 1.5 7−5.657 1.5

Phương trình ACLL:

25
 𝑣𝐷𝑆 7
𝑖𝐷 = − + +2
0.672 0.672

26