PRACTICA No. 2 ESTUDIO Y APLICACION DEL BJT e ° Nv 2.1,Efecto sobre el punto de reposo (Q ) por variaciones del 8 *Objetivo: -Reconocer el efecto que tiene la variacién del B de un BIT sobre el punto Q en dos circuitos de polarizacién diferentes, mediante dos montajes experimentales, *Informacién de interés: A medida que los transistores bipolares empezaron a producirse en grandes series, las unidades de un mismo tipo tienden a presentar variaciones del en una proporcién hasta de 3 a 1 Esto trae como resultado que al cambiar un BJT en un circuito, el punto de reposo (es decir su valor Igy Vceq) puede cambiar considerablemente si no se usa un cireuito de polarizacién que minimice este efecto Fig, 2.1- Cireuito dle potaricacién Ain En ia figura 2.1 se muestra el circuito llamado de polarizacién fija; del cual se obtienen las siguientes ecuaciones "Ro | wert [FCS ARE] wera f Veo Wags Vo = Voo~Te#Ro| En la figura 2.2 se muestra la linea de carga para el circuito de polarizacién.fija, con un punto de operacién QL Observe que en la ecuacién 2.1, la corriente de,base no depende del , mientras que segin la ecuacién 2.3, la corriente de colector depende en forma directa del B. Es decir este circuito es muy inestable a variaciones del B, ya que si tomamos como referencia a QI en ia figura 2.2 y el transistor se cambia por uno de un 8 mucho mayor, para una misma Iyq ahora [cg seria mucho e23 Fema Linea de carga mayor, produciendo un cambio significative Fig. 2.2 Ubicacién del punto Q para el enel punto Q ‘ circuito de polarizaciin fia UREXPO, Garquisimeto ng Oar Bera4 PRACTICA No. 2 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT. dy Uno de los mejores circuitos de polarizacion se denomina divisor de tensién con Rg (también llamado autopolarizado con Rz), el cual se muestra en la figura 2.3. De este circuito las ecuaciones que se obtienen son las siguientes : EE ° Fe25 : Re -FV.| ke2.6 Ree i es 5 my + =| Ee 2.7 Wy) we22 = : vie = Ri a : Ee28 Rp)| be2.9 ‘Fig, 2.3-Cireuito de polarizacién ' or divisor de tension con Ry. Comparando Ee. 2.7 y Ec. 2.8, se nota que tanto Ip como Ic ahora se veran, afectadas por el B; por lo que estos cambios de B tendrin menos influencia en el punto Q. Si se hace 7S Rey entonees In ecuacion 2.8 priticamente ser independiente del pardmetro By asi Icq (el punto Q) tendria muy poca variacién con grandes cambios dei B. Una regla préctica de diseio es hacer *® =0,1 2, 0 ele a e Temss Se Linea de carga = Veo e En Ja figura 2.4 se muestra la linea de carga para el circuito de polarizacion por divisor de tensién, con un punto de operacién Q, Fog? eae) Ke Fig. 2.4-Linea de carga y punto para elcreuito de lag. 23 Rese 3 UNEXPO, Barquisimaren PRACTICA No. 2 ¥ ESTUDIO ¥ APLICACIONES DEL BJT dy i Observe que el punto de corte con el eje Ie es tee » mientras que en el de co + Re V, ee polarizacion fija este punto es Re Esto implica que la excursion de ic se ve reducida en el circuito de polarizacién por divisor de tensién con Re Otras ecuaciones de diseiio en el circuito de polarizacién por divisor de tension: Ee 2.12 *Prelaboratorio: 1. ‘Determine el punto Q (Ig Jag» Vero) en el circuito de la figura 2.1 si B,=100, Veo =12V, Ry=470 KO, Re=2,2 KQ. Tome Viggo = 0,7V. 2. Repita él punto anterior suponiendo que el BJ [ se cambié por otro que tenga un 50. 3 es los datos obtenidos en 1 y 2 del prelaboratorio, determine cual es el cambio porcentual de Ig, [eqs Vor cuando el # cambia en un 50% (de 100 a 150). 4, Determine el punto Q (99, Teo» Vero) en el circuito de la figura 2.3 si A= 100, Veg =12V,R,= 10KO, Ry =82KO, Rp = 3300, Re=2,2K. 5. Repita el punto anterior para un BJT con ,~150. 6. Con Ios datos obtenidos en 4 y 5 del prelaboratorio, determine cual es cl cambio porcentual de Igo, Zop. Veey cuando el 6 cambia en un 50% (de 100 a 150), *Material = 2 transistores 2N3904 o equivalente. = S resistencias en total: 470KQ, 2,2K Q, 10K, 3300, 82K.Q; todas % W. *Desarrollo Pra 1. Mida con el multimetro elf de cada uno de los transistores y etiquete el de menor B como T, y el otro como T;. "Los valores de f, y f, deben ser notoriamente diferentes para interpretar adecuadamente esta prictica. 2. Monte el circuite de ta figura 2.1 con T,, usando Ve =12V, Ry=470KQ, UNEXPO, Barquisimeto ng, Omar BenvenutoB PRACTICA No. 2 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT Ro=2,2 KQ. Mida con un multimetro Iyg, J 3. Repita el paso 2 reemplazando aT; por T2, 4, Monte el circuito de la figura 2.3 con Ty, usando Vg=12V, R,= 10K, R,=82KQ, R= 3300, R-=2,2K. Mida con un multimetro Igo. Log. Veep Anote esos valores. 5. Repita el paso 4, reemplazando aT, por Tp. Very. Anote esos valores 1. Trace la linea de carga del punto 2 del desarrollo préctico indicando los puntos de corte con los eje y también el punto Q. 2. Repita 1 para el punto 3 del desarrollo practico. 3. Repita 1 para el punto 4 del desarrollo préctico. 4. Repita 1 para el punto 5 del desarrollo prictico. 5. Con los datos obtenidos en 1 y 2 del desarrollo préctico, determine el cambio porcentual de Log ¥ Veep 6. Con los datos de 4 y 5 del desarrollo prictico determine el cambio porcentual de Tty Ves 7. Conclusiones. 2.2, Efectos de la temperatura sobre los paraimetros del BJT *Objetivo: + Verifiear Ios cambios en Vzp y et Icg) producto de variaciones en la temperatura, mediante mediciones reales de estos pardmetros para distintos valores de temperatura. *Informacién de inte tra causa importante de la variacién del punto Q es la temperatura de trabajo del transistor; ya que los valores de Jeg) Y Vg dependen de la temperatura, Vs 29 donde T esta expresado en °C y K, es una constante de proporcionalidad: my Som, 1 Ge 7G Panel en mv Ky=2Th, paraelSiy Ky UNEXPO, Barquisimeto tyFoy . a 6 ee 4 | PRACTICA No. 2 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT dy De Ia ecuacién 2.13 se nota que un aumento de temperatura produce un descenso de Ve, mientras que si a temperatura baja entonces tendremos un aumento de Vg¢ La ecuacién exacta para la corriente de colector es En la mayoria de los casos se cumple J, >> Icgo, por lo que la ecuacién 2.14 se convierte en la ecuacién 2.2 Be 2.18 De nuevo T esti expresado en °C y Ki es una constante de proporcionalidad K, =0.072 + ; asf que si el BIT se muestra expuesto a grandes cambios de temperatura, se debe tomar en cuenta fa corriente inversa Iog,. En general en un circuito de polarizacién por divisor de ieusién comio ci de la figura 2 pueden determinar como: Be 2.16 *Prelaboratorio: 1. Un transistor a 25°C tiene un voltaje Vgp=0,7V. Caleule el nuevo Ve para: a) 100°C. b) -100°C. 2, Calcule el valor de Fay en un circuito de polarizacién por divisor de tensién como el de la figura 2.3 con Vqc=12V, Ri= 1KQ, Ry= 10KQ, Ro= 6800, Re= 4700, 8=150, Estos calculos definen el punto Q a temperatura ambiente (27°C). : 3. Usando la ecuacién 2.16 y tomando un valor Jc (27°C)= 0.1 determine las’ variaciones de Jogen el circuito del punto anterior si la temperatura sube hasta 100°C. 4, Prepare el transistor indicado en los materiales soldando tres cables para extender los terminales (aproximadamente 25cm c/). UNEXPO, Barquisimeto ng, Omar BenvenutoPRACTICA No. 2 dk ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT y - | transistor 2N3904 o equivalente, 4 resistencia en total: IKQ, 10K 2, 6802, 470.2; todas % W. *Desarrollo Practi 1, Mida con un multimetro el f del transistor, 2. Monte el circuito indicado en el punto 2 del prelaboratorio, Mide y anote el valor de Ig. Tome nota de la temperatura ambiente 3. Caliente el transistor introduciéndolo en una resistencia tubular segin las instrucciones del profesor o el asistente hasta levarlo a 75°C, Mida y anote el valor Fey *Post laborato: 1. Con los datos obtenidos en el punto 2 y 3 del desarrollo prictico y aplicando la ecuacién 2.16 determine el valor de Ig) a temperatura ambiente del transistor usado, 2. Conciusiones - Disefiar un amplificador EC, donde se identifiquen las ganancias de tensién y corriente, verificdndolo con un montaje practico *Informacién de interés: El cireuito que se muestra en la figura 2,5 representa la estructura tipica de un amplificador EC. A continuacién se indica un procedimiento de disefio, Generalmente se tiene una ganancia de voltaje especificada, al igual que se conocen Vee, Ry y por supuesto el # del transistor. ig. 2.5- Amplificador en emisor comin. UNEXPO, Barquisimeto Tag. Omar Bemvenuto26 PRACTICA No. 2 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT dy Se selecciona R,= Ry y de esa forma podemos despejar Rz" luego se determinan las resistencias colector-emisor vistas por los componentes DC y AC respectivamente como in Ree Fe2s e239 Se determina el punto Jy ubicéndolo en el centro de la linea de carga para obtener una maxima excursién simétrica en la salida como’ Ee 2.20 determinamos e221 y entonces E222 nos define el valor real de Ia resistencia que se colocaré en el emisor. Si la dnica restriccién de disefio es 4, entonces Ry se puede determinar por la ecuacién 2.10. En ‘caso que se imponga también Ja ganancia de corriente 4, o la impedancia de entrada R,,, Rg se debe determinar por alguna de las ecuaciones. Fe 2.23 Ee 2.24 UNEXPO, Barquisimeto Trg. Omar BenvenutoPRACTICA No. 2 Kr ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT ) 27 y finalmente Ee Qn Ee 2.12 con estos pasos queda completamente definido el amplificador. También es importante dcterminar la maxima excursién del voltaje de salida sin que haya distorsién Be 2.26 Vore ‘een (Red Be 2.27 En la figura 2.6 se ilustra las lineas de carga para maxima excursidn simétrica en la salida, fem =U) ““? + logte cee < = ‘Linea de carga AC Ee 2.20 Re 2.28 UNEXPO, BarquisimetoPRACTICA No. 2 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT *Prelaboratorio: 28 1. Disefie un amplificador en Emisor Comin como el de la figura 2.5 con R, =91KQ, Voc =15 para una ganancia de tension 4, = corriente 4, disefiado en el punto anterior. *Materiales: = 1 transistor 2N3904, ~ Lresistencia de 9,1KQ; 4 W. - resistencias de acuerdo al disefo. = 3 condensadores de 100 wi”, 35V. - 1 potencidmetro o resistencia variable de 10K Q. *Desarrollo practi i, Monte ef ado en el punto 10 y una ganancia de “10. Mida con un multimetro el de su transistor y con ese valor realice el disefio, Con ese mismo transistor montaré el desarrollo prictico. Determine analiticamente la impedancia de entrada Rj, y Vopr del amplificador 1 del prelaboratorio. Utilice C=C, =100,F y la sefial de entrada serd una senoidal de 200mV p-p y | KH de frecuencia. 2. Obtenga en el osciloscopio simultineamente V, y V,.. Dibaijelos en su cuaderno, 3.” Mida con un multimetro la corriente AC en la carga R, . Mida con un multimetro la corriente AC que circula por la fuent te V, 4, Conecte un potencidmetro en serie con Ja entrada como se indica en Ia figura 2.7. Coloque un canal del osciloscopio en A y 2] elotro en que V, el valor de su resistencia, Este valor es amplificador. ‘Varie el potenciémetro hasta 3/4 Retire el potenciémetr y mida R,, del Fig. 2.7- Circuito para caleular Rin 5, Reinstale el circuito original. Varie lentamente V,, obseryando ¥, en el osciloscopio. Anote el voltaje miximo p-p de la salida sin distorsién. Note cual de los semiciclos se corte-primero 6. Lieve V, nuevamente a 200mV p-p. Conecte un condensador de 1004” en paralelo con R,. Observe simultaneamente V, y V,, y grafiquelos. UNEXPO, Barquisimeto Trg, Omar Benvenuto 4The PRACTICA No. 2 = ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BSP (Gz 1. De los resultados en el punto 3 del desarrollo préctico, calcule la ganancia de corriente 4, y comparelo con el valor del disefo, 2. Compare el valor de £,, calculado con el obtenido experimentalmente, 3. Segimn lo observado en el punto 5 del desarrollo practico qué ocurre primero el corte 0 la saturacién? Justifique. * 5. Conclusiones. Comente los resultados obtenidos al conectar un capacitor en paralelo con Re 2.4 El Transistor como interruptor ‘Objet ~ Verificar las propiedades de un interruptor electronico con BJT, mediante un ‘montaje experimental, *Informacién de interés: Los transistores también pueden usarse en circuits de conmutacién, Si se iayecta la suficiente corriente por el terminal de la base, entonees el BJT “se enciende” (region de saturacidn) y una gran corriente fluye entre colector y emisor. Si no se inyecta corriente por la base, entonces el BUT se “apaga” (region de corte) y no fluye ninguna corriente entre colector y emisor. En la figura 2.8 se muestra a un transistor en configuracién EC trabajando como un inversor légico, sintenttgos vt [50° ve | Fig. 2.8 Cireuito para un BIT trabajando como inversor. Si Vi es una seal binaria (2 estados bien definidos) con valores Vag y 0, tendremos una salida Vz con valotes 0 y Vee respectivamente, Los resistores Ry y Re deben seleccionarse de forma que permitan al transistor cambiar de saturacién a corte y viceversa, sin que exista un excesivo consumo de energia. De este inversor se pueden obtener las siguientes ecuaciones: Ee 2.31 e232 UREXPO, Barquisinata Thg. Omar SemenatoJ cai lal PRACTICA Ne. 2 ESTUDIO ¥ APLICACIONES DEL BJT Despreciando Icy), si V, =0 la unién B-E esté polarizada en inverso y no puede fluir corriente por Ia base , haciendo que J, sea 0. El transistor esta en el corte y Vo =Vec. Si V, = Veo, fluye una corriente al por Ja base que Hleva al transistor a la saturacién por lo que Vo =Vessir => Vo *0 En la figura 2.9(a) se muestra la curva de transferencia y en la figura 2.9 (b) la tabla entrada-salida para un inversor con BJT, El valor. de &, es de suma importancia, ya que este determina el valor de J, cuando V,=Vec. I, debe ser mayor que Ja minima requerida para saturar al transistor. $ Vo) Zi, ride fc, 2.22 Ry B Fig. 2.9- a) Curva de transferencia 5) Tabla entrada-salida en un inversor BIT. Obteniendo un valor de Ry : e233 wt relaboratos 1. Defina tiempo de ascenso, tiempo de descenso, tiempo de propagacién, Dibuje seflales asociadas, e indique estos tiempos. Defina capacitancia parésita en un BJT. Defina Fan-Out ‘Al conectar una carga en el inversor de Ja figura 2.8, la salida V, en alto cae por debajo de Vac. Si le carga es un grupo de compuertas iguales como se muestra en la figura 2.10. Calcule la maxima cantidad de entradas que la salida V puede manejar sin caer a menos de 2v. Use Ry =56KQ, Ro = 2KQ, B= 50 Veg = 5, Votag = 9.1V, Vergy = 0-20. Fig. 2.10-La salida Vo mancjando ncompuertas. UNEXPO, Barquisimeto Trg. Omer BenvenutoPRACTICA No. 2 ESTUDIO Y APLICACIONES DEL BJT En Wakerly. Disefto digital.1™ edicién, conseguira mayor informacién. *Materiales: - 2 transistores 2N3904, - 4 resistencias en total : 2K (2), 5.6K (2), todas 4 w. “Desarrollo Préctico: Ze 1. Monte el circuito de la figura 2.8 con Ry = 5.6KQ. y Re =2KQ 2. Conecte una fuente DC como entrada V; y complete la tabla 2.1 midiendo con un voltimetro V, 3. Reemplace la fuente DC por un sefial triangular con ‘Tabla 22- Llenar con # Ae os datos del punto 2 deb excursién de Ov a Sy y f=250Hz, lo, ica. 4. Coloque ambos canales del osciloscopio en GND y la base de tiempo en modo xy. 5. Lleve el punto a la esquina inferior izquierda. Ponga ambos canales en DC 6. Conecte Ia entrada V, al canal x (1%) Ia salida 7, aleanal yi ¥%,. Observe la curva obtenida en la pantalla del osciloscopio, Anote los valores de interés. 7. Arme en el protoboard otro inversor idéntico al que sc tiene y conecte la enteada V, del mismo con la salida V, del primero. 8. Repita el punto 2 enando otra tabla como la 2.1. *Post Laboratori 1, Con la curva de transferencia obtenida en el punto 6 del desarrollo préctico indique el rango de valores de V, para los cuales el BIT esta en el Corte, Region Activa y Saturacién, Indique esta situacién en la curva obtenida 2. Justifique la razén por la que Jos resultados de la tabla 2.1 obtenidos en los puntos 2y 8 del desarrollo préctico difieren para V;,=0V. 3. Si se conecta una segunda compuerta a la salida V, en el circuito del punto 7 del desarrollo prictico. {Cuil serd ahora el valor de Vz cuando la entrada V, esta en bajo? Ra, 2h) WEA Rez oa aK 4. Conclusiones. Rep 22 22 UREXPO, Barquisimeto ‘ing, Omar BenvenutoPRACTICA No. 2 ESTUDIO ¥ APLICACIONES DEL BJT 2.5 Bibliografia. BOYLESTAD-NASHELSKY. Electronica, Teoria de Circuits. 8va ediciéa, Pearson, SAVANT-RODEN-CARPENTER. Disefio Electrénico. 2da edicién. Addison Wesley. NEAMEN, DONALD. Analisis y Diseio de Circuitos Electrénieos. Tomo I. Mc Graw Hill WAKERLY, JOHN. Diseiio Digital. Ira edicién. PHH, SCHILLING-BELOVE. Cireuitos Electrénicos. 3ra edicién, Me Graw Hill HORENSTEIN, MARK. Mieroelectrénica. 2da edicién. PHH. ECG. Replacement Guide. UNEXPO, Barquisimeto hg. Omar Benvenuto