• Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (dc) I (dc) r% 1 Lý thuyết 6V 2.47V 0.247mA 121% 2 VOM 6V 2.45V 0.245mA 3 OSC 6.01V 2.45V 0.245mA
• Sai số giữa lý thuyết và thiết bị đo:
Vo (dc) VOM 0.008% OSC 0.008% Bài 2: Mạch chỉnh lưu bán kì có tụ lọc: • Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (DC) ID (DC) r% 1 Lý thuyết 6V 7.4V 0.747mA 5.8% 2 VOM 6.014V 7.305V 0.7305mA 5.1% 3 OSC 6.0104V 7.3V 0.73mA 4.88% • Sai số giữa tính toán lý thuyết với các thiết bị đo kiểm chứng: Vo (dc) r% VOM 0.0128% 0.1207% OSC 0.0135% 0.1586%
Bài 3: Mạch chỉnh lưu có tải và tụ 100uf:
• Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (DC) ID (DC) r% 1 Lý thuyết 6V 7.8V 0.78mA 5.77% 2 VOM 6.012V 7.788V 0.77mA 5.4% 3 OSC 6.0104V 7.855V 0.78mA 5.6% • Sai số giữa tính toán lý thuyết với các thiết bị đo kiểm chứng: Vo (dc) r% VOM 0.0015% 0.064% OSC 0.007% 0.029%
Bài 4: Mạch chỉnh lưu bán kì có tụ lọc 1000uf:
• Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (DC) ID (DC) r% 1 Lý thuyết 6V 7.95V 0.78mA 5.8% 2 VOM 6.012V 7.67V 0.76mA 4.72% 3 OSC 6.0104V 7.7V 0.77mA 5.5% • Sai số giữa tính toán lý thuyết với các thiết bị đo kiểm chứng: Vo (dc) r% VOM 0.035V 0.186% OSC 0.031V 0.052%
Bài 5: Mạch chỉnh lưu toàn kì không có tụ:
• Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (DC) ID (DC) r% 1 Lý thuyết 6V 4.51V 0.451mA 48% 2 VOM 6V 4.92V 0.492mA 50% 3 OSC 5.99V 4.92V 0.492mA 54% • Sai số giữa tính toán lý thuyết với các thiết bị đo kiểm chứng: Vo (dc) r% VOM 0.09% 0.042% OSC 0.09% 0.125% Bài 6: Mạch chỉnh lưu toàn kì dùng cầu diode có tụ: • Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (DC) ID (DC) r% 1 Lý thuyết 6V 7.08 0.708mA 0.028% 2 VOM 6.04V 7.198V 0.719mA 0.025% 3 OSC 6.01V 7.197V 0.719mA 0.023% • Sai số giữa tính toán lý thuyết với các thiết bị đo kiểm chứng: Vo (dc) r% VOM 0.0167% 0.107% OSC 0.0165% 0.178%
Bài 7: Máy biến áp có tụ:
• Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (DC) ID (DC) r% 1 Lý thuyết 6V 7.708V 0.78mA 0.028% 2 VOM 6.01V 7.818V 0.78mA 0.026% 3 OSC 6,0005V 7.818V 0.78mA 0.018% • Sai số giữa tính toán lý thuyết với các thiết bị đo kiểm chứng: Vo (dc) r% VOM 0.014% 0.07% OSC 0.014% 0.357%
Bài 8: Máy biến áp không có tụ:
• Bảng so sánh: TT Vi (rms) Vo (DC) ID (DC) r% 1 Lý thuyết 6V 7.74V 0.74mA 0.5% 2 VOM 6.01V 7.805V 0.78mA 0.25% 3 OSC 6.0005V 7.835V 0.78mA 0.22% • Sai số giữa tính toán lý thuyết với các thiết bị đo kiểm chứng: Vo (dc) r% VOM 0.008% 0.5% OSC 0.0122% 0.56%