Semiconductor 

Physics and Devices
半導體物理與元件

Chapter‐3
MOSFET and MOS Capacitors

Prof. Jyh-Chyurn Guo 郭治群 教授

Institute of Electronics
陽明交通大學/電子研究所

2022 Sem. Physics & devices Prof. J.C. Guo, 郭治群教授 1

 Content

 CMOS Device Structure
 Basic Features of MOSFET
 MOSFET Fundamentals
 MOS Capacitors
 Threshold Voltage (VT) Model

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 CMOS Device Structure

 Four terminal devices
 Typical layout
 Fabrication steps
 CMOS circuits and symbols

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 CMOS Device Structure

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 CMOS Device Layout

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 CMOS Fabrication Process

/As

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 CMOS Fabrication Process

Pre‐gate doping (P31/As75)

Hard mask
BARC (TEOS/SiN)

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 CMOS Fabrication Process

Composite 
spacer
TEOS/SiN/TEOS

Silicidation
TiSi2, COSi2, NiSi

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 Basic CMOS Circuit Symbols

4‐terminal devices
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 Basic Features of MOSFETs

 Capacitance
 Equivalent circuit : DC model
 Equivalent circuit : dynamic model
 MOSFET device model approach

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 Basic Features of MOSFETs

Gate to accumulation layer at off‐state

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 Basic Features ‐ Capacitances

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 Equivalent Circuit – DC Model

IG effect on IDS : 
worse for long‐channel 
devices
RG effect  : 
C‐V depletion (IG & RG )
fmax, Thermal noise

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 Equivalent Circuit – Dynamic Model

Parasitic RLC in 4‐terminal devices
Rg, Rs, Rd, Rb, Lg, Ls, Ld, Lb

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 MOSFET Device Characteristics

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 MOSFET Fundamentals

 Ideal MOS Band Diagram  (zero ms)
 Actual MOS Engery Band Diagram 
non‐zero ms
‐ Thermal equilibrium
‐ Accumulation
‐ Depletion
‐ Inversion
 Surface carrier density

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 Ideal MOS Band Diagram – ms=0

m   ox  B
Eg
s   s    Bp
2q
 Eg 
ms  m    s    Bp 
 2q 
Eg
 Bp   p
2q
 Eg 
ms  m    s   p 
 q 

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 MOS Energy Band diagram ms≠0

(8.8eV)

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 MOS Band Diagram – thermal equilibrium

(4.5eV)

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 MOS Energy Band diagram – Accumulation

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 MOS Energy Band diagram – Inversion
 s (VG )  2 Bp

s B

p

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 MOSFET Band diagram – Gate biases

Accumulation Depletion Inversion

(VG < 0) ( 0< VG <VT) (VG > VT >0)

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 MOS Capacitors

 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 MOS  C‐V defined Threshold Voltage
 Poly‐Si gate effect
 Inversion layer quantization effect
 MOSFET VT model : geometry effects

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential, space charge, electric field
For p - type substrate with doping concentration of N A

p (x)  
 E i ( x )  E i (  )
q
q p ( x ) q p ( x )
 
pp ( x )  pp 0 e kBT
 N Ae kBT

q p ( x ) 2 q p ( x )
ni 
np ( x )  np 0e kBT
 e kBT

NA

S  p ( x  0)  
 Ei ( x  0)  Ei ( )
surface potential
q
q S

pp ( x  0)  pp 0e kBT

q S

np ( x  0)  np 0e kBT

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential, space charge, electric field
 S  0 : accumulation of holes (band bending upward )
 S  0 : Flatband condition
0   S   Bp : depletion of holes (band bending downward )
 S   Bp : Fermi  level at midgap, Ei (0)  EF , np (0)  pp (0)  ni
 Bp   S  2 Bp : weak inversion, Ei (0)  EF , np (0)  pp (0)
 S  2 Bp : strong inversion, np (0)  pp 0  N A

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential, space charge, electric field
 p ( x ) can be obtained by solving Poisson ' s equation
d2 (x )
 p(x)   ,  si  ksi  0
dx 2
 si
 ( x )  q  p p  n p  ND   N A  
charge neutrality at thermal equilibrium
p p 0  n p 0  ND   N A   0
 ( x )  q  p p  pp 0  n p  n p 0 
q p ( x )

pp ( x )  pp 0 e kBT

q p ( x )

np ( x )  np 0e kBT

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential, space charge, electric field
To obtain  p by solving 1D Poisson ' s equation

q  
q p ( x )
d 2 p     q p ( x )
   pp 0  e kBT
 1  np 0  e kBT
 1 
dx 2  si     
    

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential, space charge, electric field
d p
d p d p q p    q p ( x )
  q p ( x ) 
    pp 0  e  1  np 0  e  1  d p
dx kBT kBT
d
0 dx dx  si 0
    
    
d p q
Let  , 
dx kBT

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential, space charge, electric field
2 
 np 0 
let F   p ,  
 p
 p0 

 q  pp 0  1
  
 2 si  L D
2

then  ( x ) 
surface electric field
 s   ( x  0) 
surface space charge
Qs   si  s 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential and space charge
2 si kBT  np 0 
Qs   F   S , 
qLD  p
 p0 

 np 0     
2
n 
   
np 0  S np 0
F   S ,    S  1    S  1  ,  i 
 e S
e
  
 p p0  p p0 pp 0  NA 

At flatband  S  0  Qs ( S  0) 

kBT  N A 
Weak inversion  B   S  2 B ,  B  n  
q  ni 
e  B  e  S  e 2  B 

e 2  B  e   S  e   B 
 B   S  2 B 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential and space charge
2 si kBT  n 
Qs   F   S , p 0 
qLD  pp 0 

 np 0     
2
 
   
n n n
F   S ,    e S   S  1  p 0 e  S   S  1  , p 0   i   e 2  B
 pp 0   pp 0  pp 0  N A 

k T N 
Strong inversion  S  2 B ,  B  B n  A 
q  ni 
e  S  e 2  B 

e   S  e 2  B 
 S  2 B 
 S  2 B 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Surface potential and space charge
2 si kBT  n  2 si kBT    
   
np 0  S
Qs   F   S , p 0     e S
   1  e    1 
qLD  pp 0  qLD 
S
p
S

 p0

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Space charge layer capacitance
2 si kBT  np 0 
Qs   F   S , 
qLD  pp 0 

 np 0     
   
np 0  S
F   S ,   e S
  S  1  e   S  1 
 pp 0   pp 0 


 
   
  S np 0  S
 1 e  e 1 
dQs  si  pp 0 
CD  
d S 2LD  np 0 
F   S , 
 p
 p0 

 si
CFB  CD  S  0   Flatband capaci tan ce
LD

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Space charge, electric field, surface potential
QM  QSi  (Qinv  QD )
QD  qN AW
In depletion region : Qinv  0
QSi  QD  qN AW
qN AW
 Si ESi  QSi  qN AW  ESi 
 Si
1 qN AW 2 2 Si S
 S  ESiW  W 
2 2 Si qN A

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Space charge, electric field, surface potential
Qox
VG   ms   Vi   S  VFB  Vi   S
Cox
1 qN AW 2 2 Si S
 S  ESiW  W 
2 2 Si qN A
Vi  Vox  Eox tox 
VG 
VG  VFB   S  

S 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Space charge, electric field, surface potential
QM  QSi  (Qinv  QD )
QD  qN AW
 Si ESi  QSi  qN AW 
1 qN AW 2
 S  ESiW  
2 2 Si
Under strong inversion
 NA 
 S  2 B  2T n  
 i 
n
Wmax 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Space charge, electric field, surface potential, and VT
Qox
VG   ms   Vi   S  VFB  Vi   S
Cox
Under strong inversion
VT  VG ( S  2 B ) 
Vi  Vox  Eox tox 
W (VG  VT )  Wmax 
qN AWmax
Vox (VG  VT )  
Cox
VT 
 NA 
 B  T n  
 i 
n
VT 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 ms for N+ doped poly‐Si gate/P‐Si substrate
For N  poly -gate / p-substrate
2qN A  Si T N  N 
VT  VFB  n  A   2T n  A 
Cox qN A  ni   ni 
Qox
VFB   ms 
Cox
 ms 
 N  poly 
 p Si 
 N  poly   p Si 
 poly Si  Si 
 NA 
 Bp  T n  
 ni 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 ms for P+ doped poly‐Si gate/N‐Si substrate
For P  poly  gate / n  substrate
2qND  Si T ND   ND 
VT  VFB  n    2T n  
Cox qND  ni   i 
n
 ms   P  poly   n Si
 P  poly 
 n Si 
 P  poly   n Si 
 poly Si  Si , Eg ,poly  Eg ,Si  Eg 
 ND 
 Bn  T n  
 ni 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Accumulation : VG > 0  (n‐type substrate)

Example for the n‐substrate
• Electrons are attracted to the n‐substrate surface
• Small signal capacitance per unit area is given by
 OX
COX 
tOX
 OX  kOX  0
 0  8.854  1014 F / cm : permitivity in the air
kOX : dielectric constant of oxide
tOX : oxide thickness
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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Depletion : VG < 0   (n‐type substrate)

• Electrons are repelled from the n‐substrate surface
• Small signal capacitance per unit area is given by
1  1 1  COX Cd
    C 
C  COX Cd  COX  Cd
 Si
Cd 
xd
 Si  kSi  0
kSi : dielectric constant of silicon
2022 Sem. Physics & devices xd : depletion layer width Prof. J.C. Guo, 郭治群教授 41
 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 Inversion : VG < VT < 0   (N‐type substrate)

• Holes (inversion carriers) pile up at oxide/Si interface 
• Under strong inversion
‐ Xd,max = maximum depletion layer width
‐ Cdmin=Cd(Xd=Xd,max)
• For VG in depletion ~weak inversion
‐ Xd a VG1/2

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
Consider depletion condition
Q  QG  QSi  qND xd  0
xd : depletion layer width
d 2  qND
   
dx 2  si  si
 (x) 
 s   ( x  0) 
VG  VOX   s
VOX  EOX tOX
Gauss Law

EOX 
VOX 

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
VG  VOX   s
Q2
s  
2 si qND
Q
VOX 
COX
VG 

Q

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
 si qND  2COX 2VG 
Q 1 1 
COX   si qND 
For n -substrate under depletion
Q  0 and VG  0
Q 
dQ
C 
dVG

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 MOS Capacitor C‐V Characteristics
• In depletion region
C decrease as VG‐1/2
• When getting into inversion region
‐ Xd,max = max. depletion layer width
‐ Cdmin=Cd(Xd=Xd,max)

qND xd 2 2 si |  s |
s    xd 
2 si qND
 ND 
 s @(VGS  VT )  2 Fn  2T n  
 i 
n

2 si  ND 
xd ,max  xd ( s  2 Fn )  2T n  
qND  i 
n

 si T
 ND 
2 n  
qND  i 
n

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 MOS  C‐V Characteristics
strong inversion
In strong inversion
• s=2F
• The inversion layer width < 50A
• A higher s or E‐field tends
to confine inversion charge 
closer to the surface

Generally, inversion carriers must be treated quantum
mechanically (QM) as a 2D gas. According to QM model 
• inversion layer carriers occupy discrete energy bands
• peak distribution is around 10~30A away from the surface
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 MOS C‐V Defined VT

ND can be extracted from Cmin

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 MOS C‐V Defined VT (large size)

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 MOS C‐V Defined VT

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 MOS C‐V Defined VT

Reverse body bias

(  )

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 Low Freq. C‐V Characteristics

near Co

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 MOSC C‐V ‐ Poly‐Si Gate Effect 

 Eg  NA  

N poly -gate / p-Si substrate :  ms     T n   
 2q  i 
n
Eg  ND 
P  poly -gate / n -Si substrate :  ms   T n  
2q  i 
n

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 MOS Band Diagram – Flatband to Inversion 

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 MOSFET ‐ VT for Strong Inversion

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 MOSC C‐V : Poly‐Si Gate Depletion 

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 MOSC : Inversion Layer Quantization 

2D electron gas
confined in QW

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 Inversion Layer Quantization 

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 QM Effect on Device Performance 

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 VT Model : Geometry Effects 

 Short Channel Effect
 Reverse Short Channel Effect
 DIBL effect
 Narrow Width Effect
 Inverse Narrow Width Effect

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 VT Model : Short Channel Effect

well-known & simple

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 VT Model : Short Channel Effect

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 VT Model : Short Channel Effect

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 VT Model : Short Channel Effect

rj xd
 or   QB '  | VT |
L rj

Reverse body biases : xd ↑ Vth ↑

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 VT Model : Short Channel Effect

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 VT Model :Reverse Short Channel Effect

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 VT Model : DIBL Effect

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 VT Model : DIBL Effect

The drain bias lowers the potential 
barrier between source and channel, 
and hence increases the current
In principle, it is possible to derive an 
analytical model to estimate Dfs as a 
function of L and VD. However, a 
simple model for a closed form may not 
exist. Thus, only analytical models for 
SCE are based on charge sharing effect 

In reality, 2D device simulation have to be used to analyze DIBL. If the 
surface region is implanted to shift VT, then DIBL may occur beneath 
the surface where the doping is lighter. To solve this problem, a deep 
heavily doped channel implant is used to prevent the drain potential 
from punch‐through to the source

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 VT Model : Narrow Width Effect

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 VT Model : Narrow Width Effect

In addition to short channel 
effects on VT, narrow width effect 
is another important geometry 
scaling factor affecting VT
MOSFET cross section along
the channel width direction

In the boundary between the active and isolation regions, the 
depletion layer cannot change abruptly. Consequently, the transition 
region is formed with spreading of field lines from the gate outside 
the active region (W). Thus,the gate charge QG have to support part 
of charge outside of active region and this extra charge loading leads 
to degraded Qinv at fixed Vg or increase of VT to reach required Qinv

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 VT Model : Narrow Width Effect

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 VT Model : Narrow Width Effect

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 VT Model : Narrow Width Effect

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 VT Model : Narrow Width Effect

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 VT Model : Inverse Narrow Width Effect

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 VT Model : Channel/Well Doping Effect

 Non‐uniform vertical profile

‐ Multiple channel implantations
‐ Retrograde channel implantation
 Non‐uniform lateral profile

‐ Halo implantation
‐ Super halo implantation
 Well proximity effect (WPE)

‐ Well implant mask to channel distance

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 VT Model : Channel Doping Effect

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 Non‐uniform Channel Doping Profile

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 VT Model : Non‐uniform Vertical Profile

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 VT Model : Non‐uniform Vertical Profile

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 VT Model : Non‐uniform Lateral Profile

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 Non‐uniform Lateral Profile due to S/D Process

2D non‐uniform lateral Boron profile after S/D Processing

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 Nonuniform Lateral Profile due to Halo Implant

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 RSCE due to Halo Implant

• RSCE (L↓VT↑ ) for Leff < 200nm is due to halo implants near SDE

• RSCE depends on halo doping profile (dose, energy, tilt angle,annealing)

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 VT Model : Non‐uniform Lateral Profile

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 VT Model : Non‐uniform Lateral Profile

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 VT Model : Non‐uniform Lateral Profile

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 VT Model : Well Proximity Effects

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