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  • Semiconductores-Teoria de Bandas

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    ENERGIA SOLAR ~ SEMICONDUCTORES- TEORIA DE BANDAS Bandas de conduccién y de valencia En los metales, como los atomos estén “empacados” muy cerca unos de otros, los niveles energéticos de cada atomo del metal estén afectados por los de los atomos vecinos. Este conjunto de niveles de energia tan cercano se conoce como “banda de energia” y en ellas, la banda de valencia y la de conduccién estan tan proximas que practicamente no existe brecha energética, luego los electrones pueden viajar a través del metal con facilidad porque estan ligados muy débilmente a la estructura y esto explica la conductividad eléctrica del mismo. Como las bandas de valencia y de conduccién son adyacentes, se requiere solo una cantidad despreciable de energia para promover un electron de la banda de valencia a la de conduccién, donde adquiere libertad para moverse a través de todo el metal, ya que la banda de conduccién carece de electrones propios. Las sustancias como la madera o el vidrio, no conducen la corriente eléctrica, basicamente porque la conductividad eléctrica de un sélido depende del espaciamiento y del estado de ocupacién de las bandas de energia. En un “aislante” la brecha entre las bandas de conduccién y de valencia, es mucho mayor que en un metal, luego, se requiere mucha mayor energia para excitar un electron de valencia hasta la banda de conduccién. La carencia de esta energia impide la libre movilidad de los electrones, luego el vidrio y la madera son aislantes comunes. Banda de Banda de Banda de ¢ |& |conduccién | | ¢ |4 |conduccién | | ¢ |4 |conduccién e © | Brecha ©} | Brcha t energética e fe energética 7 recti ‘|| \Bandade ||{ || [Bandade |} || [Banda de a valencia <1" |valencia <1" |valencia CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE SEMICONDUCTORES Numerosos elementos en especial el silicio y el germanio, del grupo 4A 0 14 tienen propiedades intermedias entre la de los metales y la de los no metales y se laman “semiconductores”. La brecha energgtica entre las bandas Ilenas y las vacias en estos sdlidos es mucho menor que en el caso de los aislantes. Si se entrega la energia necesaria para excitar los electrones desde la banda de valencia hasta la de conduccién, el sélido se convertira en un conductor. Este comportamiento es opuesto al de los metales, ya que la capacidad de un metal para conducir la corriente eléctrica disminuye al aumentar Ia ‘temperatura, pues a mayores temperaturas aumenta la vibracién de los atomos del metal y esto tiende a romper el libre flujo de electrones. La capacidad de un semiconductor para conducir la electricidad se puede aumentar mediante Ia adicién de pequefias cantidades de impurezas al elemento (proceso Hamado “dopado”) Asi ocurre al agregar restos de boro 0 fosforo al silicio sdlido (aprox. 5 Atomos de B 6 P por cada millén de atomos de silicio). La estructura del Si sélido es similar a la del diamante (C), cada atomo de silicio est4 unido por enlaces covalentes a otros 4 atomos de Si. El fosforo (Ne 3s” 3p’) tiene un electron de valencia mas que el silicio (Ne 3s° 3p”), de modo que sobra un electron de valencia después que 4 de ellos se usen para formar los 4 enlaces covalentes con el Si si 5

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