Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET

CHÖÔNG 5
TRANSISTOR HIEÄU ÖÙNG TRÖÔØNG FET

5.1 GIÔÙI THIEÄU

Transistor hieäu öùng tröôøng FET hoaït ñoäng döïa treân söï ñieàu khieån ñieän trôû keânh daãn bôûi ñieän
tröôøng (ñieän tröôøng naøy do ñieän aùp 2 beân ngoõ vaøo sinh ra, coøn doøng ñieän vaøo luoân luoân xaáp xæ baèng
0). Töø ñoù khoáng cheá doøng ñieän ra. Do ñaëc ñieåm naøy ngöôøi ta xeáp transistor tröôøng vaøo loaïi linh
kieän ñieàu khieån baèng ñieän aùp trong khi BJT thuoäc loaïi ñieàu khieån baèng doøng ñieän (BJT coù ngoõ vaøo
laø chuyeån tieáp p-n phaân cöïc thuaän, doøng ñieän vaøo bieán ñoåi nhieàu theo tín hieäu, coøn ñieän aùp vaøo
thay ñoåi raát ít).
Doøng ñieän maùng iD taïo neân bôûi chæ moät loaïi haït daãn (haït ña soá cuûa keânh) do ñoù transistor tröôøng
thuoäc loaïi ñôn cöïc tính trong khi BJT hoaït ñoäng döïa vaøo 2 loaïi haït daãn neân goïi laø loaïi löôõng cöïc.
Do ñoù khoâng coù vai troø cuûa haït daãn thieåu soá, khoâng coù quaù trình saûn sinh vaø taùi hôïp cuûa 2 loaïi haït
daãn cho neân tham soá cuûa FET ít chòu aûnh höôûng cuûa nhieät ñoä. Taïp aâm noäi boä cuõng beù hôn BJT.
Ngoõ vaøo cuûa FET coù ñieän trôû raát lôùn, doøng ñieän vaøo gaàn nhö baèng 0 neân maïch haàu nhö khoâng
tieâu thuï naêng löôïng. Ñieàu naøy ñaëc bieät phuø hôïp cho vieäc khueách ñaïi caùc nguoàn tín hieäu yeáu, hoaëc
nguoàn coù noäi trôû lôùn.
FET cuõng coù 3 cöïc: cöïc maùng D (Drain) töông töï nhö cöïc C, cöïc nguoàn S (Source) töông töï nhö
cöïc phaùt E vaø cuoái cuøng cöïc cöûa G (Gate) töông töï nhö cöïc neàn B. Vai troø cöïc nguoàn S vaø cöïc
maùng D coù theå ñoåi laãn cho nhau maø tham soá cuûa FET khoâng thay ñoåi ñaùng keå.
Kích thöôùc caùc ñieän cöïc S, G, D coù theå giaûm xuoáng raát beù (döïa treân coâng ngheä MOS), thu nhoû
theå tích cuûa transistor moät cach ñaùng keå vaø nhôø ñoù FET raát thoâng duïng trong caùc vi maïch coù maät ñoä
tích hôïp cao.
Cuõng nhö BJT, FET coù theå maéc theo 3 sô ñoà cô baûn: maïch nguoàn chung (CS), maùng chung
(CD), vaø cöûa chung (CG). Maïch CS töông töï nhö maïch CE cuûa BJT, vaø seõ ñöôïc phaân tích nhieàu ôû
caùc phaàn sau. Maïch CD coù sô ñoà vaø ñaëc ñieåm töông töï maïch CC cuûa BJT vôùi ñieän trôû vaøo raát lôùn,
ñieän trôû ra raát nhoû, ñieän aùp ra ñoàng pha vaø xaáp xæ trò soá vôùi ñieän aùp vaøo. Coøn maïch CG treân thöïc teá
raát ít duøng.
Toùm laïi, nhôø vaøo caùc tính naêng öu vieät keå treân: ñieän trôû vaøo lôùn, heä soá khueách ñaïi cao, tieâu thuï
naêng löôïng beù, thuaän tieän phaùt trieån theo xu höôùng vi ñieän töû hoùa… Do ñoù maëc duø ra ñôøi treã hôn
BJT nhöng FET ngaøy caøng ñöôïc duøng roäng raõi.

5.2 CAÙC ÖU ÑIEÅM VAØ KHUYEÁT ÑIEÅM CUÛA JFET

5.2.1 Öu ñieåm:
1. FET laø phaàn töû nhaïy aùp vôùi trôû khaùng vaøo raát cao (trong khoaûng töø 107 ñeán 1012Ω). Vì trôû
khaùng vaøo lôùn hôn so vôùi BJT, neân FET thöôøng ñöôïc ñaët tröôùc BJT trong caùc maïch khueách
ñaïi ña taàng.
2. JFET coù nhieãu thaáp hôn BJT.

67
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
3. FET thöôøng oån ñònh nhieät hôn BJT. FET thöôøng deã cheá taïo hôn BJT. Moät soá löôïng lôùn caùc
linh kieän coù theå ñöôïc saûn xuaát treân moät chip ñôn (coù nghóa laø taêng khaû naêng maät ñoä tích
hôïp cao).
4. FET coù taùc ñoäng gioáng nhö laø caùc bieán trôû phuï thuoäc aùp vôùi moät giaù trò nhoû cuûa ñieän aùp
maùng-nguoàn.
5. Trôû khaùng vaøo raát cao cuûa FET cho pheùp noù coù theå chöùa ñieän tích ñuû laâu ñeå coù theå taïo caùc
phaàn töû nhôù.
6. FET coù coâng suaát cao vaø coù theå chuyeån maïch caùc doøng lôùn.
7. JFET khoâng bò aûnh höôûng phaùt xaï nhö BJT.

5.2.2 Khuyeát ñieåm:

1. FET theå hieän caùc ñaùp öùng taàn soá keùm vì ñieän dung ñaàu vaøo khaù lôùn. Tuy nhieân coâng ngheä
hieän nay cho pheùp cheá taïo nhieàu loaïi FET cao taàn, coâng suaát duøng trong moät soá lónh vöïc
ñaëc bieät, chaúng haïn nhö phaùt thanh, truyeàn hình, maùy thu phaùt voâ tuyeán ñieän.
2. Moät soá FET theå hieän tính chaát tuyeán tính keùm.
3. FET deã bò hö hoûng khi thao taùc do tónh ñieän.

5.3 CAÙC LOAÏI FET

Coù 2 loaïi FET chuû yeáu laø:
1. JFET (Junction FET): transistor tröôøng duøng chuyeån tieáp p-n.
2. MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) hay coøn goïi laø IGFET (Isolated-Gate FET):
transistor tröôøng coù cöïc cöûa caùch ly. Coù 2 loaïi MOSFET:
• Deleption MOSFET
• Enhencement MOSFET.

5.4 CAÁU TAÏO VAØ HOAÏT ÑOÄNG CUÛA JFET

Keânh daãn

iD
D (Cöïc maùng)

Vuøng ngheøo +
VDD
G (Cöïc coång)
p p vDS
+

VGG vGS n
_

_ S (Cöïc nguoàn)

Hình 5.1. Caáu taïo vaø nguyeân taéc hoaït ñoäng cuûa JFET loaïi n
68
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
5.4.1 Caáu taïo:
Maët caét cuûa caáu taïo JFET cuøng hoaït ñoäng cuûa noù nhö H5.1.
Gioáng BJT, JFET laø linh kieän coù 3 chaân. Veà cô baûn, noù chæ coù
moät moái noái p-n giöõa cöïc coång vaø keânh daãn nguoàn-maùng, khaùc vôùi
BJT coù 2 moái noái. Ta coù theå noùi moät caùch ñôn giaûn hoaù veà caáu taïo
cuûa JFET nhö sau: a. JFET keânh n
Thoûi baùn daãn Si loaïi n hình truï coù ñieän trôû suaát khaù lôùn, ñöôïc gaén
vôùi 2 sôïi kim loaïi ôû ñaùy treân vaø ñaùy döôùi. Ñaùy treân goïi laø cöïc maùng
D, ñaùy döôùi laø cöïc nguoàn S. Voøng theo chu vi cuûa thoûi baùn daãn loaïi n
ngöôøi ta taïo ra moät lôùp baùn daãn p, vaø do ñoù taïi ranh giôùi giöõa 2 baùn
daãn seõ hình thaønh moät chuyeån tieáp p-n (vuøng ngheøo) coù ñieän trôû suaát
khaù lôùn. Phaàn theå tích coøn laïi cuûa thoûi Si (khoâng bò vuøng ngheøo
chieám choã) ñöôïc goïi laø keânh daãn. Lôùp baùn daãn loaïi p cuõng ñöôïc taïo
tieáp xuùc vôùi 1 sôïi kim loaïi duøng laøm cöïc cöûa G. Ta goïi ñoù laø JFET b. JFET keânh p
keânh n vôùi caùc kyù hieäu nhö H5.2
Hình 5.2. Kyù hieäu JFET

5.4.2 Hoaït ñoäng:

Haõy xeùt tröôøng hôïp JFET keânh n laøm ví duï. Noái JFET vôùi caùc nguoàn ñieän aùp phaân cöïc VDD vaø
VGG nhö H5.1. Nguoàn VDD cung caáp 1 ñieän aùp nguoàn maùng vDS giöõa cöïc maùng vaø nguoàn, gaây ra
doøng chuyeån ñoäng qua keânh daãn cuûa ñieän töû (haït ña soá cuûa baùn daãn loaïi n), taïo neân doøng ñieän
maùng iD.
Maët khaùc, nguoàn VGG taïo ñieän aùp coång nguoàn vGS = -VGG giöõa cöïc coång vaø cöïc nguoàn, phaân cöïc
nghòch chuyeån tieáp p-n (hình thaønh giöõa coång vaø keânh daãn), nghóa laø laøm cho beà daøy vuøng ngheøo
taêng leân vaø do ñoù thu heïp tieát dieän cuûa keânh daãn.
Do ñieän trôû suaát cuûa keânh daãn khaù lôùn neân khi chaïy qua keânh daãn, doøng iD gaây ra moät söï phaân
boá ñieän theá doïc theo chieàu daøi cuûa keânh. Caùc ñieåm trong keânh coù vò trí caøng gaàn cöïc D seõ coù ñieän
theá caøng cao, do ñoù tình traïng phaân cöïc nghòch cuûa chuyeån tieáp p-n taêng daàn theo höôùng töø cöïc S
ñeán cöïc D. Vì vaäy beà daøy cuûa vuøng ngheøo cuõng taêng daàn theo höôùng ñoù. Noùi caùch khaùc: ôû gaàn cöïc
maùng keânh daãn laø heïp nhaát.
Neáu giöõ VDD khoâng ñoåi, taêng daàn VGG, tình traïng phaân cöïc nghòch cuûa chuyeån tieáp p-n seõ caøng
taêng: vuøng ngheøo caøng môû roäng, keânh daãn caøng thu heïp. Do ñoù ñieän trôû keânh daãn caøng taêng vaø
doøng maùng iD caøng giaûm. Coøn doøng giöõa cöïc G vaø cöïc S chæ laø doøng ngöôïc cuûa chuyeån tieáp p-n,
thöôøng raát nhoû, khoâng ñaùng keå: iG ≈ 0.
Neáu baây giôø ngoaøi ñieän aùp phaân cöïc VGG coù theâm tín hieäu xoay chieàu vi ñaët vaøo giöõa cöïc G vaø
S thì roõ raøng tuyø trò soá vaø daáu cuûa vi maø tình traïng phaân cöïc nghòch cuûa chuyeån tieáp p-n seõ thay ñoåi.
Töø ñoù keânh daãn bò bieán ñoåi vaø doøng maùng cuõng bieán ñoåi theo.
Nguyeân lyù hoaït ñoäng cuûa JFET keânh p hoaøn toaøn töông töï, chæ löu yù raèng caùc ñieän aùp phaân cöïc
coù chieàu ngöôïc laïi. Taïo neân doøng maùng ôû ñaây laø caùc loã troáng, haït daãn ña soá cuûa keânh p.

69
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
5.4.3 Ñaëc tuyeán iD – vDS:
vGS = 0: Xeùt hoaït ñoäng cuûa JFET vôùi vGS = 0,
taêng daàn vDS töø giaù trò 0 trôû ñi, quan heä giöõa iD theo iD
vDS coù daïng nhö H5.3. Ñaëc tuyeán naøy bao goàm 3
ñoaïn:
Ñoaïn beân traùi gaàn nhö tuyeán tính, vôùi ñoä doác
khaù lôùn. ÔÛù phaïm vi naøy, khi ñieän aùp vDS coøn nhoû, IDSS
phaân boá ñieän theá do vDS gaây ra treân ñieän trôû keânh
daãn aûnh höôûng chöa ñaùng keå ñeán beà daøy vuøng
ngheøo vaø ñeán tieát dieän cuûa keânh. Vì vaäy keânh daãn
ñoùng vai troø nhö moät ñieän trôû thoâng thöôøng vôùi giaù Vp vDS
trò haàu nhö khoâng ñoåi: ñieän aùp taêng khieán doøng ñieän
taêng. Nhöng khi vDS lôùn daàn, aûnh höôûng noùi treân Hình 5.3. Ñöôøng ñaëc tính iD-vDS cuûa JFET
ngaøy caøng theå hieän roõ. Vuøng ngheøo ngaøy caøng môû keânh n khi vGS = 0
roäng, laán saâu vaøo keânh daãn, thu heïp tieát dieän cuûa
keânh laøm cho ñieän trôû keânh taêng vaø doøng iD taêng chaäm laïi.
Khi ñaït tôùi giaù trò vDS = Vp (ñieåm thaét keânh), vuøng ngheøo môû roäng tôùi möùc choaùn heát tieát dieän
cuûa keânh taïi vuøng gaàn cöïc maùng, nghóa laø keânh bò thaét laïi ôû phía cöïc maùng (H5.4a). Vaø luùc naøy
doøng maùng ñaït giaù trò baõo hoaø IDSS. Ngöôøi ta goïi Vp laø ñieän aùp thaét keânh. Vuøng ñaëc tuyeán naèm beân
traùi ñieåm thaét keânh laø vuøng ñieän trôû.

D D

G G
p p p p

n n

S S

a. Ngay luùc baét ñaàu thaét keânh b. Vaãn taêng vDS sau khi thaét keânh

Hình 5.4. Minh hoïa quaù trình thaét keânh khi taêng daàn vDS
Neáu tieáp tuïc taêng vDS lôùn hôn Vp, ñaëc tuyeán chuyeån sang giai ñoaïn thöù hai, gaàn nhö naèm ngang.
Luùc naøy vuøng ngheøo tieáp tuïc môû roäng, mieàn keânh bò thaét traûi daøi veà phía cöïc nguoàn, laøm cho ñieän
trôû keânh daãn caøng taêng (H5.4b). Vì vaäy tuy vDS taêng nhöng doøng iD haàu nhö khoâng thay ñoåi. Vuøng
ñaëc tuyeán naøy goïi laø vuøng baõo hoøa. Neáu JFET ñöôïc söû duïng nhö moät phaàn töû khueách ñaïi, seõ laøm
vieäc trong vuøng naøy.

70
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
Ñoaïn ñaëc tuyeán thöù 3 töông öùng vôùi hieän töôïng ñaùnh thuûng chuyeån tieáp p-n, xaûy ra khi vDS quaù
lôùn. Vuøng ñaëc tuyeán naøy ñöôïc goïi laø vuøng ñaùnh thuûng.

Thay ñoåi ñieän aùp coång nguoàn cho JFET:

Phaàn trình baøy tröôùc ñaõ coù neâu ra moät Vuøng Vuøng Vuøng ñaùnh
ñöôøng ñaëc tính iD - vDS khi vGS = 0. Trong phaàn ñieän trôû baõo hoøa thuûng
naøy, caùc ñöôøng ñaëc tính iD - vDS seõ ñöôïc khaûo
saùt ñaày ñuû theo nhieàu giaù trò khaùc nhau cuûa vGS. iD
Khi vGS laàn löôït laáy caùc giaù trò aâm taêng daàn vGS = 0V
(cho JFET keânh n), moãi ñaëc tuyeán vaãn bao goàm IDSS
3 ñoaïn nhö treân, chæ khaùc laø do coù theâm taùc
vGS = -1V
duïng cuûa vGS, chuyeån tieáp p-n bò phaân cöïc
nghòch nhieàu hôn, ñieän trôû keânh daãn taêng hôn vGS = -2V
vaø do ñoù giaù trò doøng baõo hoøa cuûa iD nhoû hôn.
Trò soá tuyeät ñoái cuûa vGS caøng taêng, doøng iD
caøng giaûm, ñaëc tuyeán caøng dòch veà phía döôùi. Vp BVDS vDS
Maët khaùc ñieåm baét ñaàu thaét keânh cuûa moãi ñaëc
tuyeán caøng xeâ dòch veà phía traùi nhö H5.5. Ñieåm Hình 5.5. Ñöôøng ñaëc tuyeán iD-vDS
baét ñaàu ñaùnh thuûng cuûa töøng ñaëc tuyeán cuõng
dòch daàn veà beân traùi.
Neáu vGS tieáp tuïc taêng (aâm hôn), noù seõ ñaït ñeán vò trí maø sau ñoù iD seõ laø 0 baát keå caùc giaù trò cuûa
vDS. Giaù trò naøy cuûa vGS ñöôïc goïi laø vGS(OFF) hay ñieän aùp ngheõn Vp. Giaù trò cuûa Vp laø aâm vôùi JFET
keânh n vaø döông vôùi JFET keânh p.

Ñaëc ñieåm cuûa ñöôøng ñaëc tính iD - vDS:

Xeùt H5.5, ta thaáy khoaûng caùch thaúng ñöùng giöõa moät caëp ñöôøng ñaëc tuyeán iD - vDS theo vGS seõ
khoâng tuyeán tính theo vGS. Ví duï: khoaûng caùch giöõa caùc ñöôøng cong vGS = 0V vaø vGS = -1V trong
H5.5 khoâng gioáng nhö laø khoaûng caùch giöõa hai ñöôøng cong vGS = -1V vaø vGS = -2V.
Doøng baõo hoøa maùng nguoàn IDSS laø moät thoâng soá phuï thuoäc nhieät ñoä. Aûnh höôûng cuûa nhieät ñoä
treân VP khoâng ñaùng keå. Tuy nhieân IDSS giaûm xaáp xæ 25% khi nhieät ñoä taêng 100°C. Cuõng coù theå %
thay ñoåi caùc giaù trò VP , IDSS lôùn hôn do caùc thay ñoåi töông ñoái khaùc nhau trong quaù trình saûn xuaát.
Ñieàu naøy coù theå thaáy khi xem data sheet cuûa 2N3822, trong ñoù giaù trò cöïc ñaïi cuûa IDSS laø 10mA vaø
cöïc tieåu laø 2mA.
Caùc doøng vaø aùp trình baøy cho phaàn naøy laø caùc thoâng soá cuûa JFET keânh n. Caùc giaù trò cuûa JFET
keânh p laø caùc giaù trò ñaûo cuûa JFET keânh n.

5.4.4 Ñaëc tính truyeàn ñaït cuûa JFET:

Ñaëc tính truyeàn ñaït laø giaù trò quan troïng trong thieát keá JFET. Noù laø ñoà thò veõ doøng maùng iD nhö
laø haøm cuûa ñieän aùp coång nguoàn, vGS. Maëc duø noù ñöôïc veõ vôùi vDS laø haèng soá, ñaëc tính truyeàn ñaït
cuõng haàu nhö ñoäc laäp vôùi vDS vì sau khi FET ñaït ñeán ñieåm ngheõn, iD vaãn töông ñoái coøn laø haèng soá
khi taêng caùc giaù trò cuûa vDS . Ñieàu naøy coù theå thaáy töø ñöôøng ñaëc tính iD – vDS trong H5.5, trong ñoù
moãi ñöôøng ñaëc tính trôû neân phaúng ñoái vôùi caùc giaù trò vDS > VP . Trong H5.6, ñaëc tính truyeàn ñaït vaø

71
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
ñöôøng ñaëc tính iD – vDS ñöôïc theå hieän cho JFET keânh n. Hai ñoà thò duøng chung truïc iD. Ñaëc tính
truyeàn ñaït coù theå suy ra töø caùc ñöôøng cong ñaëc tính iD – vDS. Phöông phaùp thoâng duïng nhaát laø xaùc
ñònh ñaëc tính truyeàn ñaït trong vuøng baõo hoøa theo quan heä sau ñaây:
2
iD ⎛ v ⎞
≈ ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ (5.1)
I DSS ⎝ VP ⎠

Vuøng Vuøng Vuøng ñaùnh

ñieän trôû baõo hoøa thuûng
iD
vGS = 0V
IDSS

vGS = -1V

vGS = -2V

vGS Vp Vp BVDS vDS

Hình 5.6. Ñaëc tính truyeàn ñaït cuûa JFET

Vì theá chæ caàn bieát IDSS vaø VP ñeå coù theå xaùc ñònh toaøn boä ñaëc tính. Caùc baûng thoâng soá cheá taïo
cuõng thöôøng cho 2 thoâng soá naøy, vì theá ñaëc tính truyeàn ñaït coù theå xaây döïng töø ñaëc tuyeán iD-vDS hay
(5.1) cuõng coù theå ñöôïc duøng tröïc tieáp. VP trong caùc thoâng soá cheá taïo ñöôïc cho döôùi daïng VGS(OFF) .

5.4.5 Maïch töông ñöông tín hieäu nhoû, gm vaø rds

Hoã daãn gm:
Ñeå tính ñöôïc khaû naêng khueách ñaïi cuûa JFET, caàn phaûi bieát gm laø hoã daãn cuûa transistor. Giaù trò
cuûa gm coù ñôn vò theo siemens (S), laø moät thoâng soá ñaëc tröng cho söï bieán ñoåi cuûa doøng maùng theo
ñieän aùp coång nguoàn hay noù chính laø ñoä doác cuûa ñaëc tính truyeàn ñaït. Coù theå phaùt bieåu nhö sau:
∂i ∆i D
gm = D ≈ (5.2)
∂v GS ∆v GS v =const
DS

Hoã daãn gm khoâng phaûi laø moät haèng soá khi ñieåm Q thay ñoåi. Ñieàu naøy coù theå thaáy moät caùch tröïc
quan khi xaùc ñònh gm töø ñöôøng cong ñaëc tính truyeàn ñaït. Khi iD thay ñoåi, ñoä doác cuûa ñöôøng cong
ñaëc tính truyeàn ñaït trong H5.6 cuõng thay ñoåi, vì theá gm thay ñoåi. Coù theå tính hoã daãn baèng caùch vi
phaân phöông trình (5.1) vôùi keát quaû laø:
∂i 2I (1 − v GS VP )
g m = D = DSS (5.3)
∂v GS − VP
Ñònh nghóa ñoä xuyeân daãn taïi v GS = 0 laø:
2I DSS
g mo = (5.4)
− VP

72
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
.
Duøng ñònh nghóa naøy, ñoä xuyeân daãn coù theå cho bôûi:
⎛ v ⎞
g m = g mo ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ (5.5)
⎝ VP ⎠
Moät daïng khaùc cuûa phöông trình (5.5) cuõng coù theå coù ñöôïc baèng caùch ñònh nghóa:
I
k n = DSS (5.6)
VP2
Vieát laïi bieåu thöùc (5.1) nhö sau:
2
⎛ v ⎞ I
i D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ = DSS (VP − v GS )2 = k n (VP − v GS )2 (5.7)
⎝ VP ⎠ 2
VP
Caùc giaù trò cuûa kn phuï thuoäc vaøo caáu truùc cuûa JFET vaø chuû yeáu laø haøm soá theo chieàu daøi vaø
chieàu roäng cuûa keânh. Noù ñöôïc ño theo ñôn vò mA/V2. Ngöôøi ta coù theå löïa choïn ñieåm Q ñeå iD = IDQ
vaø vGS = VGSQ. Nhö vaäy (5.7) coù theå ruùt ra nhö sau:
I DQ
VP − VGSQ = − (5.8)
kn
Nhöng töø (5.3):
− 2I DSS ⎛ VGSQ ⎞ − 2I DSS
gm = ⎜⎜1 − ⎟= (VP − VGSQ ) (5.9)
VP ⎝ VP ⎟⎠ VP2
Theá (5.6) vaø (5.8) vaøo (5.9):
2I I DQ I DQ
g m = − DSS = 2k n = 2 k n I DQ (5.10)
VP2
kn kn
Ñieän trôû ñoäng rds:
Ñieän trôû ñoäng rds ñöôïc xaùc ñònh baèng nghòch ñaûo ñoä doác cuûa ñöôøng cong ñaëc tính iD – vDS trong
vuøng baõo hoøa.
1 ∂i ∆i D
= D ≈ (5.11)
rds ∂v DS ∆v DS v =const
GS

Do ñoä doác cuûa ñöôøng cong laø raát nhoû trong vuøng tích cöïc H5.5 neân rds raát lôùn. Ngöôïc laïi rds raát
nhoû khi FET hoaït ñoäng gaàn goác.
∂v
Heä soá khueách ñaïi: µ = g m .rds . Coù theå ñöôïc tính tröïc tieáp töø ñaëc tuyeán: µ = − DS
∂vGS v =const .
GS

Maïch töông ñöông tín hieäu nhoû:

Coù theå phaùt trieån maïch töông ñöông ac cho JFET gioáng nhö ñaõ thöïc hieän cho BJT, vôùi bieåu
thöùc:
∂i ∂i
∆i D = D ∆v GS + D ∆v DS (5.12)
∂v GS ∂v DS
Phöông trình (5.12) coù theå vieát laïi baèng caùch duøng caùc tham soá ñöôïc ñònh nghóa nhö sau:
∆v
∆i D = g m ∆v GS + DS (5.13)
rds

73
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET

iD
G + D
gmvgs
vgs rds

S - S
Hình 5.7. Maïch töông ñöông tín hieäu nhoû cuûa FET

Xaùc ñònh gm:

Coù theå xaùc ñònh gm baèng ñöôøng cong ñaëc tính theo ñònh nghóa (5.2), vôùi ñieåm Q ñöôïc choïn naèm
trong vuøng baõo hoaø.
Neáu khoâng coù saün ñöôøng cong ñaëc tính, gm vaø vGS coù theå ñöôïc tính moät caùch toaùn hoïc theo
phöông trình (5.1), vôùi IDSS vaø VP bieát tröôùc. Hai tham soá naøy thoâng thöôøng ñöôïc cho trong caùc
thoâng soá chæ daãn cuûa nhaø saûn xuaát. Doøng tónh IDQ coù theå choïn töø 30% ñeán 70% cuûa IDSS , seõ chæ ra
ñieåm Q haàu nhö naèm trong vuøng tuyeán tính cuûa ñöôøng cong ñaëc tính. Thuû tuïc hôïp lyù nhaát ñeå chæ ra
caùc giaù trò tónh gaàn vôùi trung taâm cuûa vuøng hoaït ñoäng tuyeán tính nhö sau:
1. Choïn IDQ = IDSS /2 vaø töø phöông trình (5.1) ta xaùc ñònh ñöôïc VGSQ = 0.3VP .
2. Choïn VDSQ = VDD /2
Nhö vaäy coù theå tìm ra hoã daãn ôû ñieåm Q töø (5.3) laø gm = 1.42IDSS/VP , neân nhôù laø giaù trò cuûa gm ôû
ñaây phuï thuoäc vaøo giaû thuyeát xaùc ñònh IDQ ñöôïc thieát laäp baèng moät nöûa IDSS. Nhöõng giaù trò naøy
thoâng thöôøng theå hieän moät ñieåm khôûi ñaàu toát cho quaù trình thieát laäp caùc giaù trò tónh cho JFET.

Thí duï 5.1: Xaùc ñònh gm cho JFET trong ñoù IDSS = 7mA, VP = -3.5mV vaø VDD = 15V. Choïn vò trí
hôïp lyù cho ñieåm Q.
Giaûi: Coù theå baét ñaàu löïa choïn ñieåm Q nhö sau:
I V
I DQ = DSS = 3.5mA; VDSQ = DD = 7.5V; VGSQ = 0.3VP = −1.05V
2 2
Hoã daãn gm taïi ñieåm Q ñaõ choïn coù giaù trò:
1.42I DSS
gm = = 2840µS
VP
Chuù yù: taát caû caùc keát quaû aùp duïng chæ cho tröôøng hôïp IDQ coù giaù trò baèng IDSS/2.

5.5 CAÁU TRUÙC VAØ HOAÏT ÑOÄNG CUÛA MOSFET

Phaàn tieáp theo naøy seõ giôùi thieäu veà metal-oxide semiconductor FET (MOSFET). Loaïi FET naøy
ñöôïc caáu taïo goàm moät coång kim loaïi caùch ñieän vôùi keânh qua moät lôùp caùch ñieän silicon dioxide
(SiO2) vaø ñöôïc caáu taïo theo hai kieåu deleption MOSFET vaø enhencement MOSFET. Hai loaïi naøy
seõ ñöôïc ñònh nghóa vaø xem xeùt trong phaàn sau.

74
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
5.5.1 Deleption MOSFET:
Caáu taïo:

D SiO2
S G

n+ n+ b. Deleption MOSFET keânh n

SUB Keânh daãn loaïi n

a. Caáu taïo deleption MOSFET keânh n c. Deleption MOSFET keânh p

Hình 5.8. Caáu taïo vaø kyù hieäu deleption MOSFET

Caáu truùc vaø kyù hieäu cuûa deleption MOSFET keânh n ñöôïc theå hieän trong H5.8. Deleption
MOSFET ñöôïc caáu taïo goàm moät keânh vaät lyù naèm giöõa cöïc maùng vaø cöïc nguoàn. Keát quaû laø khi cung
caáp moät ñieän aùp vDS xuaát hieän iD giöõa maùng vaø nguoàn.
Töø phieán baùn daãn Si loaïi p, ngöôøi ta taïo ra treân beà maët moät lôùp loaïi n duøng laøm keânh daãn. Ôû hai
ñaàu khueách taùn hai mieàn n+ duøng laøm cöïc nguoàn vaø cöïc maùng D. Treân maët phieán Si ñöôïc phuû
maøng SiO2 baûo veä. Phía treân maøng naøy, ñoái dieän vôùi keânh daãn, gaén moät baêng kim loaïi duøng laøm
cöïc cöûa G. Thoâng qua cöûa soå khoeùt xuyeân qua maøng SiO2 ôû vuøng thích hôïp, ngöôøi ta phun kim loaïi,
taïo tieáp xuùc tuyeán tính vôùi 2 vuøng n+, duøng laøm ñaàu
daãn ra cho cöïc S vaø cöïc D. Ñaùy cuûa phieán Si ñoâi
khi cuõng ñöôïc gaén vôùi sôïi kim loaïi duøng laøm cöïc +
ñeá SUB. Thoâng thöôøng cöïc ñeá ñöôïc noái vôùi cöïc
D
nguoàn. G VDD
S v DS
Hoaït ñoäng: VGG +
Haõy xeùt hoaït ñoäng cuûa deleption MOSFET vGS
keânh n trong maïch H5.9. Ban ñaàu döôùi taùc duïng _ _
cuûa ñieän aùp vDS (do nguoàn VDD taïo ra), qua keânh
daãn vaø cöïc maùng coù doøng ñieän iD, taïo bôûi haït daãn
ña soá cuûa keânh daãn (ñieän töû). Neáu coù theâm ñieän aùp 0

vGS (do VGG taïo neân) vôùi cöïc tính nhö hình veõ thì Hình 5.9. Hoaït ñoäng cuûa deleption MOSFET
cuõng gioáng nhö quaù trình xaûy ra ôû moät tuï ñieän, caùc
ñieän tích aâm seõ tích tuï treân cöïc G, caùc ñieän tích döông seõ tích tuï ôû cöïc ñoái dieän, töùc laø trong keânh
daãn (lôùp SiO2 ñoùng vai troø ñieän moâi cuûa tuï). Caùc ñieän tích döông naøy seõ taùi hôïp vôùi ñieän töû, laøm
giaûm noàng ñoä haït daãn voán coù trong keânh, khieán ñieän trôû cuûa keânh taêng vaø doøng maùng iD giaûm.
Caøng taêng trò soá vGS, doøng iD caøng giaûm. Cheá ñoä laøm vieäc nhö theá goïi laø cheá ñoä laøm ngheøo haït daãn
(deleption). Neáu ñoåi cöïc tính nguoàn VGG (vGS trôû thaønh ñieän aùp döông) thì tình hình dieãn ra traùi laïi:

75
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
caøng taêng trò soá vGS, noàng ñoä haït daãn trong keânh caøng taêng theâm, ñieän trôû keânh caøng giaûm vaø doøng
iD caøng taêng. Cheá ñoä laøm vieäc vôùi cöïc tính vGS nhö theá goïi laø cheá ñoä giaøu (enhencement).
Nhö vaäy ngay khi vGS = 0, deleption MOSFET ñaõ coù doøng maùng ban ñaàu iD ≠ 0. Tuøy cöïc tính
cuûa vGS maø MOSFET naøy hoaït ñoäng ôû cheá ñoä giaøu hay ngheøo, duøng giaù trò cuûa vGS ñeå ñieàu khieån
doøng maùng iD taêng hay giaûm.

Ñaëc tính truyeàn ñaït vaø ñaëc tính iD-vGS:

iD vGS = +1V

IDSS vGS = 0V

vGS = -1V
i D = I DSS (1 − v GS Vp )
2

vGS = -2V

vGS Vp vDS

Hình 5.10. Ñaëc tính truyeàn ñaït vaø ñaëc tuyeán iD-vDS cuûa deleption MOSFET keânh n

H5.10 laø ñaëc tuyeán truyeàn ñaït vaø ñaëc tuyeán iD-vGS cuûa deleption MOSFET. Chuù yù deleption
MOSFET coù theå hoaït ñoäng vôùi caû giaù trò aâm laãn döông cuûa vGS. Duøng phöông trình Shockley (5.1)
ñeå xaáp xæ ñöôøng cong cho giaù trò aâm cuûa vGS. Caàn löu yù ñaëc tính truyeàn ñaït seõ lieân tuïc theo giaù trò
döông cuûa vGS. Vì coång ñöôïc caùch ñieän vôùi keânh, doøng qua coång raát nhoû khoâng ñaùng keå (10-12A) vaø
vGS coù theå coù caû hai phaân cöïc.
Deleption MOSFET keânh p cuõng töông töï ngoaïi tröø phaûi ñoåi caùc chaát baùn daãn loaïi n vaø loaïi p
vaø ñaûo cöïc caùc ñieän aùp vaø ñaûo chieàu doøng ñieän.

Ví duï 5.2: Tính doøng maùng iD , vôùi deleption MOSFET keânh n vôùi IDSS = 7mA vaø VP = -3.5V
theo caùc giaù trò vGS sau:
a. vGS = -1V c. vGS = -3V
b. vGS = -2V d. vGS = 0.5V
Giaûi : Duøng phöông trình (5.1) cho moãi tröôøng hôïp, trong ñoù IDSS = 7mA vaø VP = -3.5V.
2
⎛ v ⎞
a. i D = I DSS ⎜⎜1 − GS ⎟⎟ = 3.57mA b. i D = 1.29mA
⎝ VP ⎠
c. i D = 0.14 mA d. i D = 9.14mA
Chuù yù laø iD taêng maïnh khi vGS döông. Ñoä chính xaùc cuûa coâng thöùc giaûm vôùi caùc giaù trò vGS
döông.

76
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
5.5.2 Enhencement MOSFET:
Caáu taïo:

D SiO2
S G

n+ n+ b. Enhencement MOSFET keânh n

SUB

a. Caáu taïo enhencement MOSFET keânh n c. Enhencement MOSFET keânh p

Hình 5.11. Caáu taïo vaø kyù hieäu enhencement MOSFET

Enhancement MOSFET ñöôïc minh hoïa trong H5.11. Noù khaùc vôùi deleption MOSFET ôû choã laø
noù khoâng coù lôùp baùn daãn n moûng laøm keânh daãn ban ñaàu. . Chuù yù laø kyù hieäu cho enhancement
MOSFET trong H5.11b vaø H5.11c vôùi caùc ñöôøng neùt ñöùt giöõa nguoàn vaø maùng cho thaáy thaät söï
khoâng coù keânh naøo toàn taïi luùc ban ñaàu.

Hoaït ñoäng:
Vì vaäy khi coù ñieän aùp vDS ñaët vaøo (H5.12), trong maïch maùng chæ coù moät doøng ñieän raát nhoû chaïy
qua chuyeån tieáp p-n phaân cöïc ngöôïc. Ñieän trôû töông
ñöông giöõa cöïc S vaø D coi nhö voâ cuøng lôùn. +
Khi coù ñieän aùp döông vGS (H5.12), ñieän tích
döông seõ tích tuï treân cöïc G, coøn ñieän tích aâm tích tuï G
D
VDD
ôû vuøng ñoái dieän phía beân kia cuûa maøng SiO2 (vuøng S vDS
naèm giöõa 2 mieàn n+). Tuy vaäy, khi vGS coøn nhoû, +
löôïng ñieän tích caûm öùng naøy khoâng lôùn, chuùng bò loã VGG
vGS
troáng cuûa phieán baùn daãn p taùi hôïp maát. Chæ khi vGS _ _
vöôït quaù moät ñieän aùp ngöôõng VT naøo ñoù, löôïng ñieän
tích aâm caûm öùng noùi treân môùi trôû neân ñaùng keå. 0
Chuùng taïo thaønh moät lôùp baùn daãn n ôû treân beà maët
Hình 5.12. Hoaït ñoäng enhencement MOSFET
phieán Si loaïi p, ñoùng vai troø nhö moät keânh daãn noái
lieàn hai mieàn n+ cuûa cöïc nguoàn vaø cöïc maùng. Do
xuaát hieän keânh daãn, ñieän trôû töông ñöông giöõa S vaø D giaûm xuoáng vaø do ñoù doøng maùng iD taêng leân.
Trò soá vGS caøng taêng, noàng ñoä ñieän tích aâm trong keânh daãn caøng nhieàu, doøng iD seõ caøng lôùn. Cheá ñoä
laøm vieäc khi vGS > VT nhö vaäy goïi laø cheá ñoä laøm giaøu haït daãn (enhencement).

77
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
Ñaëc tính truyeàn ñaït vaø ñaëc tính iD-vDS: Ñaëc tính truyeàn ñaït vaø ñaëc tính iD-vDS ñöôïc theå hieän
trong H5.13. Chuù yù raèng, khoâng coù doøng iD cho ñeán khi vGS vöôït quaù VT . Khoâng coù giaù trò IDSS toàn
taïi trong enhancement MOSFET, vì doøng maùng baèng 0 cho ñeán khi hình thaønh keânh. IDSS baèng 0 taïi
vGS = 0. Vôùi giaù trò: vGS > VT vaø (vGS - VT ) < vDS, doøng maùng coù theå tính töø phöông trình:
iD = k(vGS - VT )2 (5.15)

iD vGS = 5V

vGS = 4V

iD = k(vGS – VT)2 vGS = 3V

vGS = 2V

vGS VT vDS

Hình 5.13. Ñaëc tính truyeàn ñaït vaø ñaëc tuyeán iD-vDS cuûa enhancement MOSFET keânh n

Chuù yù: Khoâng gioáng nhö (5.1), giaù trò k phuï thuoäc vaøo caáu truùc cuûa MOSFET vaø chuû yeáu laø haøm
theo beà roäng vaø chieàu daøi cuûa moät keânh. Moät giaù trò tieâu bieåu cuûa k laø 0.3mA/V2. Ñieän aùp ngöôõng
VT ñöôïc cho bôûi nhaø saûn xuaát.

Xaùc ñònh gm:

Giaù trò cuûa gm coù theå tính baèng caùc vi phaân phöông trình (5.15), gioáng vôùi khi tính cho tröôøng
hôïp JFET, keát quaû laø
∂i
g m = D = 2 k (v GS − VT ) (5.16)
∂v GS

Enhancement MOSFET keânh p ñöôïc trình baøy töông töï vôùi enhancement MOSFET keânh n
nhöng caùc thoâng soá ngöôïc laïi.
Maëc duø coù nhieàu haïn cheá hôn trong taàm hoaït ñoäng so vôùi deleption MOSFET, enhancement
MOSFET ñöôïc duøng trong caùc öùng duïng maïch tích hôïp vì noù coù caáu truùc ñôn giaûn vôùi moät ñieän aùp
nguoàn cung caáp thaáp.

Ví duï 5.3: Xaùc ñònh iD cho enhancement MOSFET keânh n vôùi: VT = 3V khi k = 0.3mA/V2 vaø vGS
ñöôïc cho bôûi caùc giaù thò sau: 3.0V; 4.0V; 5.0V.
Giaûi: Duøng phöông trình (5.15)
iD = 0.3(vGS - VT )2 = 0.3(3 – 3)2 = 0mA
iD = 0.3(4 – 3)2 = 0.3mA
iD = 0.3(5 – 3)2 = 1.2mA

78
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET

5.6 PHAÂN CÖÏC CHO FET

VDD
VDD

R2 Rd Rd

C→∞
IDQ
C→∞

+
+ RL vL Rg
vi R1 _
_ Rs Rs
VGG

0 0

a. Maïch phaân cöïc cho JFET b. Maïch töông ñöông Thevenin

Hình 5.14. Maïch phaân cöïc cho JFET

Caùc maïch phaân cöïc cho JFET vaø deleption MOSFET cuõng gioáng vôùi caùc maïch söû duïng cho
phaân cöïc BJT. Tuy nhieân trong vuøng tích cöïc cuûa JFET vaø deleption MOSFET, phaân cöïc cuûa vGS coù
theå traùi daáu vôùi nguoàn aùp cung caáp taïi cöïc maùng. Ñeå löïa choïn ñieåm hoaït ñoäng, ñieän aùp phaân cöïc
traùi daáu naøy coù theå khoâng thích hôïp vôùi nguoàn ñeå ñaït caùc yeâu caàu veà maïch. Caàn thieát coù theå boû R2
ñeå chæ coù ñieän aùp phaân cöïc ñuùng theo yeâu caàu. Khoâng phaûi luùc naøo cuõng coù khaû naêng tìm ñieän trôû
thích hôïp cho caùc ñieåm Q ñaëc bieät. Nhö vaäy, quaù trình löïa choïn ñieåm Q coù theå caàn tôùi moät soá
phöông phaùp giaûi quyeát vaán ñeà.
Xeùt phöông trình phaân cöïc cho JFET khueách ñaïi coâng suaát nhö H5.14. Phöông phaùp phaân cöïc
töông töï cho deleption MOSFET. Maïch bao goàm moät ñieän trôû ôû cöïc nguoàn RS laøm taêng tính chaát
tuyeán tính nhöng ñoàng thôøi laøm giaûm ñoä lôïi. Hay noùi caùch khaùc ñieän trôû naøy cung caáp moät hoài tieáp
aâm, trong ñoù ñaëc bieät laø laøm giaûm phi tuyeán cuûa khueách ñaïi FET.
H5.14a minh hoïa moät khueách ñaïi FET duøng moät nguoàn aùp DC ñeå phaân cöïc. Maïch töông ñöông
Thevenin cho maïch phaân cöïc laø maïch H5.14b vôùi:
RR
R g = R1 // R2 = 1 2 (5.17)
R1 + R2
V R
VGG = DD 1 (5.18)
R1 + R 2
Vì coù 3 aån soá caàn tìm IDQ , VGSQ , vaø VDSQ cho neân caàn phaûi tìm ra 3 phöông trình DC nhö sau:
Thöù nhaát laø töø voøng coång nguoàn:
VGG = VGSQ + IDQ Rs (5.19)
Chuù yù laø doøng qua cöïc coång baèng 0, do ñoù seõ khoâng coù rôi aùp treân Rg. Phöông trình DC thöù hai
coù theå ruùt ra töø ñònh luaät Kirchhoff cho voøng maùng nguoàn nhö sau:
VDD = VDSQ + IDQ (Rs + Rd ) (5.20)

79
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
Phöông trình DC thöù ba caàn thieát ñeå thieát laäp phaân cöïc cho JFET vaø deleption MOSFET döïa
vaøo phöông trình (5.1), ôû ñaây iD = IDQ vaø vGS = VGSQ
2
I DQ ⎛ v GSQ ⎞
= ⎜1 − ⎟ (5.21)
I DSS ⎜⎝ VP ⎟⎠
Ba phöông trình treân goàm (5.19), (5.20), (5.21) ñuû ñeå thieát laäp phaân cöïc cho JFET vaø deleption
MOSFET.
Chuù yù: Khoâng caàn ñaët ñieåm Q taïi trung ñieåm cuûa ñöôøng taûi AC nhö thöôøng laøm vôùi phaân cöïc
BJT, vì khueách ñaïi FET thöôøng ñöôïc duøng laøm ñaàu vaøo cho caùc boä khueách ñaïi ñeå lôïi duïng öu ñieåm
coù trôû khaùng ñaàu vaøo cao. ÔÛ vò trí naøy möùc ñieän aùp raát nhoû, neân khoâng caàn phaûi ñöa ra boä khueách
ñaïi vôùi caùc cheânh leääch cao. Ñoàng thôøi vì ñöôøng cong ñaëc tính cuûa FET laø phi tuyeán, caùc ñaàu vaøo
thay ñoåi nhieàu seõ laøm meùo daïng.

5.7 PHAÂN TÍCH KHUEÁCH ÑAÏI CS

H5.15 laø maïch töông ñöông tín hieäu nhoû cuûa H5.14. rds thöôøng coù giaù trò raát lôùn. Ta coù:
v v vg
Ñoä lôïi aùp: Av = L = L . (5.22)
vi v g vi

D +
gmvgs
rds
G S
+ + vgs - Rd RL vL
id
vi Rg Rs

- -
Hình 5.15. Maïch töông ñöông tín hieäu nhoû cuûa H5.14

Phaûn aùnh trôû khaùng cuûa FET, ta ñöôïc:

µvgs = µ(vg – vs) = µvg – µ.idRs . (5.23)
Duøng bieán ñoåi nhö treân ta ñöôïc maïch töông ñöông nhö hình H5.16.

G rds + (µ+1)Rs D
+ +
vi RG µvg Rd RL vL

- -
H5.16. Maïch sau khi phaûn aùnh trôû khaùng
Ñieän aùp ñaàu ra:
− (R d // R L )g m v i
v L = −i d (Rd // R L ) = (5.24)
1 + R sg m
vL v g Rd // RL
Ñoä lôïi aùp: Av = . = −µ .1 (5.25)
v g vi Rd // RL + rds + (µ + 1)Rs

80
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
Trôû khaùng ngoõ vaøo: Zi = Rg = R1 || R2 (5.26)
Trôû khaùng ra: Z0 = Rd//(rds + (µ+1)Rs) (5.27)

Ví duï 5.4: Khueách ñaïi CS. Tìm Av cho khueách ñaïi JFET trong H5.16. Ñieåm Q taïi VDSQ = 12V
vaø IDQ = 7mA. Caùc thoâng soá cuûa FET cho nhö sau: gm = 3.0mS; rds = 200K
VDD=24V

19K D
C G
+ +
+ + gmvgs vL
Rg vL rds 19K
vi vi _
_ Rg
_ VGG _

0
S
0

Hình 5.17. Maïch cho ví duï 5.4 Hình 5.18. Maïch töông ñöông tín hieäu nhoû cuûa H5.16
Giaûi: Töø maïch töông ñöông trong H5.18, coù theå nhaän:
v v v gs − i d (R d // rds )
Av = L = L ⋅ = = −g m (R d // rDS ) = −52
vi v gs v i v gs

Ví duï 5.5: Khueách ñaïi JFET CS. Phaân tích khueách ñaïi JFET CS ñôn taàn nhö H5.19 vaø xaùc ñònh
caùc giaù trò Av , Z0 , vaø Zin. Giaû söû IDSS = 2mA vaø VP = -2V.

VDD=20V

10K
C→∞
D
G
S
+ +
vi
100
2.67K vL
_
30
_ 300 C→∞

Hình 5.19. Khueách ñaïi CS cho ví duï 5.5

Giaûi: Tröôùc tieân caàn xaùc ñònh gm , vì caû Av vaø Ai ñeàu phuï thuoäc tham soá naøy. Neân nhôù laø giaù trò
gm phuï thuoäc vaøo vò trí ñieåm Q. Nhö vaäy caàn tìm 2 phöông trình ñeå tìm IDQ vaø VGSQ, nhö sau:
VGSQ = - RS IDQ = -(0.1 + 0.3) IDQ = -0.4IDQ
Vaø töø phöông trình (5.1):

81
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
2
I DQ ⎛ VGSQ ⎞
= ⎜⎜1 − ⎟
I DSS ⎝ VP ⎟⎠
Khi giaûi hai phöông trình treân, ta nhaän phöông trình baäc hai theo IDQ :
2
I DQ ⎛ − 0.4I DQ ⎞
= ⎜⎜1 − ⎟
2 ⎝ − 2 ⎟⎠
Trong ñoù IDQ tính theo mA. Ruùt goïn seõ coù:
IDQ 2 – 22.5 IDQ + 25 = 0
Giaûi phöông trình baäc hai naøy ta ñöôïc 2 giaù trò: 21.33mA vaø 1.17mA.
Vì IDSS chæ laø 2mA, neân giaù trò lôùn bò loaïi boû vaø nhaän: IDQ = 1.17mA. Vì theá:
VGSQ = (-0.4)(IDQ) = -0.469V
Duøng phöông trình (5.3) ñeå tìm gm :
2I ⎛ VGSQ ⎞
g m = DSS ⎜⎜1 − ⎟
− VP ⎝ VP ⎟⎠
Baây giôø coù theå tìm ñoä lôïi aùp töø phöông trình (5.25)
Vaø tìm Zi, Z0 töø phöông trình (5.26) vaø 5.27)

Ngoaøi daïng maïch CS coøn coù caùc daïng maïch khaùc nhö laø CD (Common Drain) … caùch tính cuõng
töông töï nhö maïch CS.
5.8 TRANSISTOR MOÁI NOÁI RAØO THEÁ KIM LOAÏI BAÙN DAÃN (MESFET)
Transistor moái noái raøo theá kim loaïi baùn daãn (MESFET) gioáng nhö FET, ngoaïi tröø moái noái raøo
theá kim loaïi baùn daãn, gioáng nhö tröôøng hôïp diode Shottky. FET ñöôïc taïo bôûi Si ñöôïc caáu taïo vôùi
moät boä khueách taùn hay cho moät coång cho ion. Tuy nhieân, coù moät öu ñieåm khi söû duïng raøo theá
Shottky cuûa coång kim loaïi khi keânh naøy laø loaïi n vaø caàn ñeán chieàu roäng nhoû cuûa keânh. GaAs thì
khoù thöïc hieän hôn, noù thöïc hieän raøo theá Shottky khi öùng duïng ôû taàn soá cao bôûi vì electron di chuyeån
trong GaAs nhanh hôn trong Si. Duøng MESFET GaAs raát toát cho caùc öùng duïng sieâu cao taàn. Khi so
saùnh vôùi transistor Si löôõng cöïc, GaAs MESFET hoaït ñoäng toát ôû taàn soá 4GHz. Nhöõng MESFET naøy
coù ñoä lôïi cao, nhieãu thaáp, hieäu suaát cao, vaø trôû khaùng ñaàu vaøo cao, vaø tính chaát laø choáng nhieãu
nhieät toát. Chuùng thöôøng ñöôïc söû duïng laøm dao ñoäng cao taàn, khueách ñaïi, troän vaø chuyeån maïch toác
ñoä cao.

5.9 CAÙC LINH KIEÄN KHAÙC

Caùc linh kieän naøy laø phaàn giôùi thieäu theâm ñöôïc phaùt trieån töø caùc linh kieän tröôùc.
5.9.1. VMOSFET (VMOS)
Caùc nghieân cöùu ñöôïc thöïc hieän nhaèm taêng khaû naêng coâng suaát cuûa caùc linh kieän raén. Moät lónh
vöïc cho thaáy nhieàu höùa heïn caùc khaû naêng cuûa MOSFET, trong ñoù caùc keânh daãn ñöôïc ñieàu chænh ñeå
coù caáu truùc khaùc vôùi caùc keânh thaúng kinh ñieån töø maùng ñeán nguoàn. Nhö vaäy ñieàu chænh thöïc hieän
moät keânh hình V nhö H5.24. Moät lôùp baùn daãn ñöôïc theâm vaøo. Thaønh phaàn cuûa VMOS ñöôïc ñöa ra
laø do hieän töôïng doøng maùng nguoàn chaûy thaúng ñöùng do caáu truùc cuûa noù gaây ra. Cöïc maùng baây giôø
ñöôïc ñaët treân moät maûnh vaät lieäu baùn daãn ñöôïc gaén theâm vaøo. Ñieàu naøy cho pheùp cöïc maùng cuûa
transistor ñöôïc ñaët vôùi caùc caùnh toûa nhieät ñeå coù theå phaân taùn nhieät toûa ra töø linh kieän. Coång gate
daïng hình V ñieàu khieån 2 MOSFET, moãi transistor naèm beân hai khe loõm. Baèng caùch laøm song song

82
Baøi giaûng Maïch Ñieän töû 1 Chöông 5: Transistor hieäu öùng tröôøng FET
2 chaân cöïc S, khaû naêng doøng taêng gaáp ñoâi. VMOS khoâng ñoái xöùng vì D vaø S khoâng theå thay ñoåi
cho nhau nhö tröôøng hôïp MOSFET coâng suaát thaáp. Caùc loaïi FET coå ñieån giôùi haïn doøng khoaûng vaøi
mA, nhöng VMOSFET coù taàm ñeán 100A. Nhö vaäy noù coù khaû naêng coâng suaát nhieàu hôn so vôùi caùc
loaïi FET coå ñieån.
Caùc linh kieän VMOS coù theå giaûi quyeát toát vôùi caùc öùng duïng taàn soá cao, coâng suaát lôùn. Caùc thieát
bò 10W coù theå thöïc hieän ôû taàn soá UHF. Coù nhieàu öu ñieåm cuûa VMOSFET. Chuùng coù moät heä soá
nhieät ñoä aâm ñeå traùnh troâi nhieät. Doøng ræ raát nhoû. Vaø chuùng coù khaû naêng thöïc hieän chuyeån maïch toác
ñoä cao. Transistor VMOS coù theå coù caùc khoaûng caùch giöõa caùc ñöôøng ñaëc tính baèng nhau theo caùc
giaù trò baèng nhau cuûa ñieän aùp coång, vì theá noù coù theå ñöôïc duøng gioáng nhö laø transistor moái noái
löôõng cöïc BJT cho caùc khueách ñaïi tuyeán tính coâng suaát cao.

5.9.2. Caùc linh kieän MOS khaùc

Caùc loaïi khaùc cuûa linh kieän MOS laø double-diffused process fabricated FET, ñoâi khi coøn ñöôïc
goïi laø DMOS. Linh kieän naøy coù öu ñieåm laø cung caáp khaû naêng hao phí coâng suaát thaáp vaø khaû naêng
toác ñoä cao.
Quaù trình cheá taïo FET treân caùc cuø lao Si nhoû naèm treân moät neàn shappire coøn ñöôïc goïi SMOS.
Caùc cuø lao Si ñöôïc hình thaønh baèng caùch khaéc moät lôùp moûng Si treân beà maët neàn shappire. Loaïi cheá
taïo naøy cung caáp moät khaû naêng phaân caùch ñieän giöõa caùc cuø lao Si, nhö vaäy laøm giaûm khaû naêng kyù
sinh giöõa caùc linh kieän.
Kyõ thuaät MOS coù nhieàu öu ñieåm veà ñieän dung laãn ñieän trôû (duøng MOSFET) ñöôïc cheá taïo cuøng
luùc vôùi FET, maëc duø giaù trò ñieän dung lôùn khoâng thuaän tieän laém. Duøng enhancement MOSFET hai
chaân ñieän trôû ñöôïc noái ñeán cöïc maùng seõ laøm cho FET hoaït ñoäng taïi ñieåm ngheõn. Coång MOSFET
ñöôïc noái vôùi moät cöïc maùng qua moät nguoàn coâng suaát, laøm cho FET ñöôïc phaân cöïc trong khi noù
hoaït ñoäng trong vuøng ñieän trôû phuï thuoäc aùp. Theo caùch naøy, ñieän trôû taïi maùng ñöôïc thay theá bôûi
moät MOSFET khaùc vôùi moät ñieän trôû kyù sinh, vì theá noù tieát kieäm khoâng gian chip.

83