BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP. HCM

---------------------------

NGUYỄN THỊ BÍCH LIÊN

THIẾT KẾ BỘ ĐIỀU KHIỂN MPPT SỬ DỤNG

PHƯƠNG PHÁP TÌM KIẾM TRỰC TIẾP CHO
HỆ PIN QUANG ĐIỆN

LUẬN VĂN THẠC SĨ

Chuyên ngành: Kỹ thuật điện
Mã số ngành: 60520202

TP. HỒ CHÍ MINH, tháng 07 năm 2016

 BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP. HCM
---------------------------

NGUYỄN THỊ BÍCH LIÊN

THIẾT KẾ BỘ ĐIỀU KHIỂN MPPT SỬ DỤNG

PHƯƠNG PHÁP TÌM KIẾM TRỰC TIẾP CHO
HỆ PIN QUANG ĐIỆN

LUẬN VĂN THẠC SĨ

Chuyên ngành: Kỹ thuật điện
Mã số ngành: 60520202
CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: TS. HUỲNH QUANG MINH

TP. HỒ CHÍ MINH, tháng 07 năm 2016

 CÔNG TRÌNH ĐƯỢC HOÀN THÀNH TẠI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP. HCM

Cán bộ hướng dẫn khoa học : TS. Huỳnh Quang Minh

Luận văn Thạc sĩ được bảo vệ tại Trường Đại học Công nghệ TP. HCM
ngày 25 tháng 09 năm 2016.

Thành phần Hội đồng đánh giá Luận văn Thạc sĩ gồm:

TT Họ và tên Chức danh Hội đồng

1 PGS.TS. Võ Ngọc Điều Chủ tịch
2 PGS.TS. Nguyễn Thanh Phương Phản biện 1
3 PGS.TS. Trần Thu Hà Phản biện 2
4 TS. Nguyễn Minh Tâm Ủy viên
5 TS. Đinh Hoàng Bách. Ủy viên, Thư ký

Xác nhận của Chủ tịch Hội đồng đánh giá Luận sau khi Luận văn đã được
sửa chữa (nếu có).

Chủ tịch Hội đồng đánh giá LV

TRƯỜNG ĐH CÔNG NGHỆ TP. HCM CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM
PHÒNG QLKH – ĐTSĐH Độc lập – Tự do – Hạnh phúc

TP. HCM, ngày 23 tháng 01 năm 2016

NHIỆM VỤ LUẬN VĂN THẠC SĨ

Họ và tên học viên : NGUYỄN THỊ BÍCH LIÊN Phái : NỮ

Ngày, tháng, năm sinh : 29/10/1981 Nơi sinh : Ninh Bình
Chuyên ngành : Kỹ Thuật Điện MSHV : 1441830047
I. Tên đề tài:
THIẾT KẾ BỘ ĐIỀU KHIỂN MPPT SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP TÌM KIẾM
TRỰC TIẾP CHO HỆ PIN QUANG ĐIỆN
II. Nhiệm vụ và nội dung:
+ Mô hình hóa hệ thống Pin quang điện trên Matlab/Simulink. Khảo sát đặc tính
điện như dòng điện, điện áp, công suất của Pin quang điện khi thay đổi điều kiện
môi trường như bức xạ, nhiệt độ.
+ Mô phỏng hệ thống tìm điểm MPP với giải thuật P&O (Perturb and Observe).
+ Mô phỏng hệ thống tìm điểm MPP với giải thuật Incond (Increamental
Conductance).
III. Ngày giao nhiệm vụ : 23/01/2016
IV. Ngày hoàn thành nhiệm vụ : 20/07/2016
V. Cán bộ hướng dẫn : TS. Huỳnh Quang Minh
CÁN BỘ HƯỚNG DẪN KHOA QUẢN LÝ CHUYÊN NGÀNH
 i

LỜI CAM ĐOAN

Tôi xin cam kết các nội dung lý thuyết trình bày trong luận văn này là do tôi
tham khảo các tài liệu và biên soạn lại, tất cả các kết quả mô phỏng, thực nghiệm
đều do chính bản thân tôi tự làm ra, hoàn toàn không phải sao chép của từ bất kỳ
một tài liệu hoặc công trình nghiên cứu nào khác.
Nếu tôi không thực hiện đúng các cam kết nêu trên, tôi xin chịu hoàn toàn
trách nhiệm trước kỷ luật của nhà trường.

Tác giả

Nguyễn Thị Bích Liên

 ii

LỜI CẢM ƠN

Tôi xin gửi đến thầy TS. Huỳnh Quang Minh lời biết ơn sâu sắc vì đã dành
thời gian quý báu để hướng dẫn, tạo điều kiện thuận lợi cũng như cho tôi những lời
khuyên bổ ích để hoàn thành luận văn này.
Tôi xin chân thành cảm ơn tất cả các Thầy, Cô trong Phòng Thí Nghiệm
Nghiên Cứu Điện Tử Công Suất đã giúp đỡ và đồng hành cùng tôi trong thời gian
thực hiện luận văn.
Ngoài ra, trong suốt thời gian học tập tại trường đại học Công Nghệ TP.
HCM, tôi đã được các Thầy Cô khoa Điện – Điện tử, và đặc biệt là các Thầy Cô bộ
môn Kỹ thuật điện giảng dạy tận tình, cho tôi nhiều kiến thức mới bổ ích, bên cạnh
đó tôi cũng được các đồng nghiệp đóng góp nhiều ý kiến cũng như các tài liệu có
giá trị. Xin gửi đến các Thầy, Cô và các bạn lời cảm ơn chân thành nhất.
Cuối cùng, tôi xin cám ơn Cha Mẹ, các anh chị em trong gia đình và đặc biệt
là người chồng của tôi, đã động viên và tạo điều kiện giúp tôi vượt qua những khó
khăn trong suốt quá trình học tập và nghiên cứu vừa qua.
Tp. Hồ Chí Minh, ngày 20 tháng 07 năm 2016

Nguyễn Thị Bích Liên

 iii

TÓM TẮT
Năng lượng mặt trời là nguồn năng lượng sạch, hoàn toàn miễn phí và không
gây ô nhiễm môi trường. Việc nghiên cứu hệ thống điện mặt trời có ý nghĩa rất
quan trọng, góp phần khai thác triệt để nguồn năng lượng tự nhiên trong khi các
nguồn năng lượng truyền thống đang ngày càng cạn kiệt
Luận văn tập trung nghiên cứu và mô phỏng hai giải thuật tìm điểm công
suất cực đại của Pin quang điện (MPPT) đáp ứng trong các điều kiện thay đổi của
môi trường như bức xạ, nhiệt độ. Đó là phương pháp nhiễu loạn và quan sát -
Perturb and Observer (P&O), điện dẫn gia tăng - Increamental Conductance
(Incond).
Luận văn sử dụng phần mềm Matlab/Simulink thực hiện các mô hình mô
phỏng để kiểm chứng lý thuyết của đề tài, mô hình mô phỏng được xây dựng bằng
hàm truyền, phương trình trạng thái mô hình hóa của hệ thống cũng như là mô
phỏng hệ thống thực sử dụng Sim Power system.
 iv

ABSTRACT
Solar energy is a clean energy source, it is free and do not make polluted
environment. The study of the solar energy system is very important, contributing to
exploit the natural energy sources while the traditional energy sources are
exhaustible.
The thesis focus on two algorithms to find the maximum power point of the
photovoltaic. Those are Perturb and Observer (P&O) and Increamental conductance
(Incond) methods.
The thesis use the Matlab / Simulink software to implement the simulation
model to verify the theory of the subject, the simulation model is built in the
transfer function, the equation state of the modeling system. Sim Power library of
Matlab is also used in this thesis.
 v

MỤC LỤC
LỜI CAM ĐOAN ........................................................................................................ i
LỜI CẢM ƠN .............................................................................................................ii
TÓM TẮT ................................................................................................................. iii
ABSTRACT ............................................................................................................... iv
MỤC LỤC ................................................................................................................... v
DANH MỤC HÌNH ẢNH ........................................................................................vii
CHƯƠNG 1: TÍNH CẤP THIẾT CỦA ĐỀ TÀI.................................................... 1
1.1 Phạm vi nghiên cứu luận văn ...................................................................... 3
1.2 Sản phẩm của luận văn ............................................................................... 3
CHƯƠNG 2: TỔNG QUÁT VỀ HỆ THỐNG SỬ DỤNG NĂNG LƯỢNG
MẶT TRỜI ................................................................................................................ 4
2.1Nguồn năng lượng Mặt Trời ......................................................................... 4
2.1.1Phổ của Mặt Trời ................................................................................... 4
2.1.2 Định nghĩa tỷ số AM ............................................................................ 6
2.1.3 Các dạng bức xạ thu được ................................................................. 8
2.2 Sơ lược lịch sử Pin Quang điện ................................................................... 9
2.3Cơ bản về bán dẫn ...................................................................................... 10
2.3.1 Dải năng lượng ................................................................................... 11
2.3.2 Hiệu suất của Vật liệu Quang điện ..................................................... 13
2.3.3 Cấu trúc P-N cho PV .......................................................................... 14
2.3.4 Công nghệ chế tạo PV ....................................................................... 16
2.4 Hệ thống PV .............................................................................................. 17
2.4.1 Hệ thống PV độc lập........................................................................... 17
2.4.2 Hệ thống PV kết hợp .......................................................................... 18
2.4.3 Hệ thống PV nối lưới .......................................................................... 18
CHƯƠNG 3: MÔ HÌNH HÓA PV ........................................................................ 20
3.1 Đặc tuyến và thông số cơ bản của PV ....................................................... 20
3.2 Phương trình toán của PV.......................................................................... 22
CHƯƠNG 4: CÁC GIẢI THUẬT TRUY TÌM ĐIỂM CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI25
4.1 Giới thiệu về đặc tuyến tải ......................................................................... 25
 vi

4.2 Điểm công suất cực đại ............................................................................. 26

4.2.1 Mục đích của MPPT ........................................................................... 26
4.2.2 Bộ Buck-Boost ................................................................................... 27
4.3 Giới thiệu các giải thuật của MPPT........................................................... 29
4.3.1 Phương pháp nhiễu loạn và quan sát (Perturbation And Observe -
P&O) ................................................................................................................. 29
4.3.2 Phương pháp độ dẫn (Incremental Conductance-IncCond) ............... 31
CHƯƠNG 5: MÔ PHỎNG..................................................................................... 34
5.1 Mô hình mô phỏng MPP trong Matlab Simulink ...................................... 34
5.2 Mô hình hóa và mô phỏng PV ................................................................... 40
5.3 Kết quả mô phỏng của phương pháp P&O ................................................ 45
5.4 Kết quả mô phỏng của phương pháp InCond ............................................ 50
5.5 So sánh P&O và InCond ............................................................................ 54
CHƯƠNG 6: KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN ..................................... 57
6.1 Ưu điểm của năng lượng mặt trời:............. Error! Bookmark not defined.
6. 2 Nhược điểm của năng lượng mặt trời ....... Error! Bookmark not defined.
6. 3 Hướng phát triển: ...................................................................................... 59
TÀI LIỆU THAM KHẢO ...................................................................................... 60
 vii

DANH MỤC HÌNH ẢNH

Hình 2. 1 Phổ của vật thể đen ..................................................................................... 5
Hình 2. 2 Phổ của mặt trời ngoài khí quyển ............................................................... 6
Hình 2. 3 Tỷ số AM .................................................................................................... 7
Hình 2. 4 Phổ của mặt trời theo AM khác nhau.......................................................... 7
Hình 2. 5 Bức xạ trực tiếp ........................................................................................... 8
Hình 2. 6 Tán xạ .......................................................................................................... 8
Hình 2. 7 Phản xạ ........................................................................................................ 9
Hình 2. 8 Nguyên tử Silic ......................................................................................... 11
Hình 2. 9 Dải năng lượng .......................................................................................... 11
Hình 2. 10 Vùng năng lượng có ích và hao phí ........................................................ 13
Hình 2. 11 Phổ năng lượng có ích và hao phí ........................................................... 13
Hình 2. 12 Nguyên tử hóa trị 5 ................................................................................. 14
Hình 2. 13 Nguyên tử hóa trị 3 ................................................................................. 15
Hình 2. 14 Tiếp xúc P-N ........................................................................................... 15
Hình 2. 15 Mẫu PV ................................................................................................... 16
Hình 2. 16 Hướng chế tạo PV ................................................................................... 16
Hình 2. 17 Bảng tuần hoàn ........................................................................................ 17
Hình 2. 18 Hệ thống độc lập ..................................................................................... 18
Hình 2. 19 Hệ thống kết hợp ..................................................................................... 18
Hình 2. 20 Hệ thống kết lưới..................................................................................... 19
Hình 3. 1.Mô hình PV ............................................................................................... 20
Hình 3. 2 Đặc tuyến PV ............................................................................................ 20
Hình 3. 3 Thông số cơ bản PV .................................................................................. 21
Hình 3. 4 Hệ số lấp đầy ............................................................................................. 21
Hình 3. 5 Mô hình 1 diode ....................................................................................... 22
Hình 3. 6 Mô hình 2 diode ........................................................................................ 22
Hình 3. 7 Mô hình 1 diode đơn giản ......................................................................... 22
Hình 3. 8 Datasheet solartech.................................................................................... 24
Hình 3. 9 Hệ số nhiệt K0 ........................................................................................... 24
Hình 4. 1 Điểm hoạt động của tải ............................................................................. 25
 viii

Hình 4. 2 Đặc tuyến điện trở ..................................................................................... 25

Hình 4. 3 Đặc tuyến trở khi thay đổi bức xạ ............................................................. 26
Hình 4. 4 Buck-Boost ................................................................................................ 26
Hình 4. 5 Mạch điện Buck-Boost .............................................................................. 27
Hình 4. 6 Giản đồ hoạt động ..................................................................................... 28
Hình 4. 7 Cách thay đổi đặc tuyến bộ Buck-Boost ................................................... 29
Hình 4. 8 Cách thực hiện P&O ................................................................................. 30
Hình 4. 9 Nguyên lý thực hiện thuật toán P&O ........................................................ 30
Hình 4. 10 Lưu đồ P&O ............................................................................................ 31
Hình 5. 1 Sơ đồ tổng quát hệ thống tìm MPP trong Matlab Simulink...................... 34
Hình 5. 2 Sơ đồ chi tiết triển khai giải thuật P&O và InCond .................................. 35
Hình 5. 3 Mô hình hóa PV BX1 ................................................................................ 35
Hình 5. 7 Mô hình trên Simulink .............................................................................. 40
Hình 5. 8 Đặc tuyến V-I khi nhiệt độ thay đổi, bức xạ không đổi ............................ 41
Hình 5. 9 Đặc tuyến P-V khi nhiệt độ thay đổi, bức xạ không đổi ........................... 41
Hình 5. 10 Đặc tuyến P-I khi nhiệt độ thay đổi, bức xạ không đổi .......................... 42
Hình 5. 11 Đặc tuyến V-I khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi .......................... 43
Hình 5. 12 Đặc tuyến P-V khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi ......................... 43
Hình 5. 13 Đặc tuyến P-I khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi .......................... 44
Hình 5. 14 Điện áp PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo P&O ............................... 45
Hình 5. 15 Dòng điện PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo P&O ........................... 45
Hình 5. 16 Công suất PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo P&O ........................... 46
Hình 5. 17 Điện áp PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo P&O ............................. 47
Hình 5. 18 Dòng điện PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo P&O ........................ 48
Hình 5. 19 Công suất PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo P&O ......................... 48
Hình 5. 20 Đáp ứng dòng điện, điện áp, công suất của PV khi cả nhiệt độ và bức xạ
thay đổi theo P&O ..................................................................................................... 49
Hình 5. 21 Điện áp PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo InCond ........................... 50
Hình 5. 22 Dòng điện PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo InCond ....................... 50
Hình 5. 23 Công suất PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo InCond ........................ 51
Hình 5. 24 Điện áp PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo InCond ......................... 52
 ix

Hình 5. 25 Dòng điện PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo InCond ..................... 52
Hình 5. 26 Công suất PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo Incond ...................... 53
Hình 5. 28 So sánh InCond và P&O khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi ........ 54
Hình 5. 29 So sánh InCond và PO khi bức xạ không đổi, nhiệt độ thay đổi ............ 55
 1

TỔNG QUAN VỀ ĐỀ TÀI

Ngày nay, tình hình dân số và nền công nghiệp phát triển không ngừng. Điều
này càng thể hiện rõ vai trò quan trọng của ngành năng lượng và trở thành yếu tố
không thể thiếu trong cuộc sống, hai lý do chính khiến nhu cầu sử dụng năng
lượng gia tăng đó là sự phát triển kinh tế và sự phát triển dân số. Sự phát triển
này gắn liền với sự phát triển sử dụng năng lượng hay nói cách khác muốn phát
triển kinh tế phải phát triển năng lượng.

Vấn đề năng lượng hiện nay đang là chủ đề nóng và được cả thế giới quan
tâm, các nhà nghiên cứu nhận định rằng thị trường tiêu thụ năng lượng ở các
quốc gia trên thế giới không ngừng tăng đặc biệt là ở Bắc Mỹ, Châu Á, Châu
Âu. Khi nhu cầu sử dụng năng lượng ngày càng gia tăng thì việc khai thác các
nguồn năng lượng truyền thống không còn đáp ứng được do nguồn năng lượng
ngày càng cạn kiệt, gây ô nhiễm môi trường, hiệu ứng nhà kính và biến đổi khí
hậu và sự nóng lên của trái đất cùng hiện tượng băng tan v..v..Hiểu được tầm
quan trọng đó, chúng ta đang tìm kiếm những nguồn năng lượng mới như năng
lượng hạt nhân, năng lượng gió, năng lượng sinh học, năng lượng thủy triều,
năng lượng mặt trời. Theo tính toán và đánh giá của các nhà khoa học khi
nghiên cứu về các nguồn năng lượng trên thì thấy nguồn năng lượng mặt trời có
ưu điểm hơn cả. Tuy nhiên quá trình thu được lượng ánh sáng chiếu vào tấm pin
quang điện và chuyển đổi được thành điện năng đạt được hiệu suất rất thấp,
khoảng 9% đến 17%. Đặc biệt là trong các điều kiện bức xạ thấp, bóng râm, độ
ẩm, khoảng cách hay nhiệt độ thay đổi liên tục Vì vậy việc nghiên cứu các giải
pháp để nâng cao hiệu quả của hệ thống điện năng lương mặt trời là hết sức cần
thiết và cấp bách. Có rất nhiều các phương pháp và giải thuật đang được nghiên
cứu và áp dụng vào thực tiễn như giải thuật nhiễu loạn và quan sát(P&O), giải
thuật điện dẫn gia tăng(INC), giải thuật mạng nơron nhân tạo, giải thuật logic
mờ v..v…Trong các giải thuật vừa nêu trên, tác giả chọn lựa hai giải thuật nhiễu
loạn và quan sát P&O và giải thuật điện dẫn gia tăng INC để trình bày và mô
phỏng 2 giải thuật trên phần mềm matlb Similink.
 2

CHƯƠNG 1: TÍNH CẤP THIẾT CỦA ĐỀ TÀI

Các nguồn năng lượng truyền thống như dầu mỏ, than đá… đang dần cạn
kiệt và vấn đề bức thiết đặt ra cho các nhà khoa học trên toàn thế giới đó chính là
tìm ra các nguồn năng lượng thay thế. Trong nhiều nguồn năng lượng mới, năng
lượng mặt trời đóng một vai trò quan trọng và được sự quan tâm của nhiều nhà khoa
học.
Tiếp cận được nguồn năng lượng mặt trời không chỉ góp phần giải quyết vấn
đề cung cấp điện năng, mà nguồn năng lượng này còn là một nguồn năng lượng
sạch, không gây ô nhiễm môi trường. Trong tất cả các nguồn năng lượng tái tạo,
năng lượng mặt trời là phong phú và ít biến đổi nhất trong thời kỳ biến đổi khí hậu
hiện nay.
cThuận lợi tại Việt Nam: là một trong những nước nằm trong dải phân bổ
ánh nắng mặt trời nhiều nhất trong năm trên bản đồ bức xạ mặt trời của thế giới cho
nên nguồn năng lượng mặt trời ở Việt Nam rất phong phú.
Việt Nam có nhiều đảo hiện có cư dân sinh sống nhưng nhiều nơi không thể
đưa điện lưới đến được. Sử dụng được nguồn năng lượng mặt trời sẽ có ý nghĩa như
“nguồn năng lượng tại chỗ” đáp ứng nhu cầu tiêu thụ điện của cư dân những vùng
này. Như vậy, yêu cầu sử dụng được nguồn năng lượng mặt trời ở Việt Nam còn
mang ý nghĩa kinh tế, xã hội, quốc phòng.
Tuy nhiên, tình hình nghiên cứu và ứng dụng năng lượng mặt trời ở Việt
Nam cho đến nay vẫn chưa phát triển đủ để đáp ứng nhu cầu, thực trạng đó đòi hỏi
phải có các nghiên cứu cụ thể nhằm chế tạo được các bộ nghịch lưu pin mặt trời tạo
thành nguồn điện có khả năng ứng dụng được trong dân dụng cũng như trong công
nghiệp. Các bộ nghịch lưu này phải đảm bảo chất lượng điện áp, tính ổn định và giá
thành hợp lý.
Năng lượng điện tạo ra bởi các tấm pin mặt trời là năng lượng điện 1 chiều
(DC), để sử dụng được (trong công nghiệp, dân dụng, hoà lưới điện), nó phải được
chuyển đổi thành năng lượng điện xoay chiều AC. Sự chuyển đổi đó được thực hiện
bởi các bộ nghịch lưu – inverter.
 3

Thông thường, điện áp ngõ ra của các tấm pin mặt trời chưa đủ để đưa vào
bộ DC-AC (hoặc do nhu cầu muốn tăng hiệu suất của các bộ biến đổi công suất),
giữa pin mặt trời và tầng chuyển đổi DC/AC, thường có thêm một bộ biến đổi công
suất dạng DC/DC, tăng hoặc giảm áp (Boost/Buck).
Tuy nhiên, công suất của pin mặt trời là một đại lượng biến thiên liên tục và
phụ thuộc nhiều yếu tố môi trường như bức xạ mặt trời, nhiệt độ, bóng râm,…
khiến cho ngõ ra thường không ổn định và không tận dụng được công suất tối đa.
Do đó, trong bài toán năng lượng mặt trời, làm sao để sử dụng công suất pin mặt
trời hiệu quả nhất, hay nói cách khác là làm sao để làm việc ở điểm công suất cực
đại MPP (Maximum power point) là một vấn đề hết sức quan trọng. Có rất nhiều kĩ
thuật tối ưu điểm công suất cực đại, những kĩ thuật này còn đang được tiếp tục
nghiên cứu và phát triển.
1.1 Phạm vi nghiên cứu luận văn
Luận văn tập trung nghiên cứu mô phỏng mô hình hóa Pin quang điện trên
phần mềm Matlab Simulink, khảo sát các đặc tính của Pin như dòng điện, điện áp
và công suất khi thay đổi các điều kiện môi trường như bức xạ, nhiệt độ, tải.
Tìm hiểu và phân tích hai giải thuật tìm điểm công suất cực đại là P&O và
Incond. Đưa ra các kết luận về ưu nhược điểm của hai phương pháp trên.
1.2 Mục tiêu nghiên cứu của đề tài:

Nghiên cứu mô phỏng bộ điều khiển công suất cực đại MPPT ( Maximum
power Point Tracker ) sử dụng phương pháp tìm kiếm trực tiếp cho hệ Pin quang
điện.

Nội dung thực hiện:

Đề xuất hai giải thuật tìm điểm công suất cực đại của Pin Quang điện bao gồm:
 Perturb and Oberser (P&O): Phương pháp nhiễu loạn và quan sát
 Increamental Conductance (Incond): Phương pháp điện dẫn gia tăng
Khảo sát mô hình mô phỏng đặc tính Pin Quang Điện và mô hình toán tìm điểm
công suất cực đại sử dụng trên phần mềm Matlab Simulink
 4

CHƯƠNG 2: TỔNG QUÁT VỀ HỆ THỐNG SỬ DỤNG

NĂNG LƯỢNG MẶT TRỜI
2.1 Nguồn năng lượng Mặt Trời
2.1.1 Phổ của Mặt Trời
Mặt trời là một nguồn sáng khổng lồ với đường kính 1.4 triệu km. Bên trong mặt
trời, các phản ứng hạt nhân biến đổi hydro thành heli liên tục diễn ra. Sự hao hụt
khối lượng do phản ứng hạt nhân này sinh ra nguồn năng lượng điện từ khoảng

3.8x1020 MW và bức xạ ra ngoài không gian. Năng lượng bức xạ của một vật thể là
hàm số phụ thuộc vào nhiệt độ. Để mô tả độ bức xạ của một đối tượng, người ta
thường dùng một khái niệm lý thuyết để so sánh, gọi là vật thể đen (blackbody).
Phương trình bức xạ của vật thể đen được cho bởi định luật Planck:

(2.1)

Trong đó:
E: Công suất bức xạ trên một đơn vị diện tích (của vật thể đen) trong đoạn vi

phân bước sóng (Wm-2( m)-1).

T : nhiệt độ tuyệt đối của vật thể đen (K).
 : bước sóng ( m).
Ví dụ: Nếu xem trái đất tương đồng với một vật thể đen có nhiệt độ 288 K
(15oC), thì phổ năng lượng bức xạ của trái đất theo định luật Planck giống như hình
2.1
 5

Hình 2. 1 Phổ của vật thể đen

Diện tích của đồ thị trên ở giữa 2 giá trị bước sóng bất kỳ chính là công suất bức
xạ của vật thể trong khoảng bước sóng đó. Nếu lấy tích phân đồ thị trên từ 0 đến vô
cùng chính là tổng công suất bức xạ của vật thể.
Tổng công suất bức xạ của một vật thể đen (trên toàn bề mặt) được cho bởi định
luật Stefan- Boltzmann:

(2.2)

Trong đó:
E: công suất bức xạ tổng (W)
:: hằng số Stefan-Boltzmann = 5.67e-

8 Wm-2K-4. T : nhiệt độ tuyệt đối (K).

A : diện tích bề mặt của vật thể đen (m2).

Đường cong phổ bức xạ có giá trị cực đại ở bước sóng được xác định bởi công
thức

(2.3)

Trong lòng mặt trời có nhiệt độ khoảng 15 triệu Kelvin, nhưng bức xạ từ bề mặt
của mặt trời tương đồng với vật thể đen có nhiệt độ 5800 K. Hình 2.2 diễn tả phổ
bức xạ của mặt trời và phổ bức xạ của vật thể đen 5800 K. Công suất bức xạ của vật

thể đen 5800 K (toàn bộ diện tích của đường cong) là 1.37 kW/m2, bằng với công
 6

suất bức xạ tổng của mặt trời ở ngoài khí quyển trái đất. Công suất bức xạ tổng của
mặt trời được phân tỷ lệ như sau: những bước sóng dưới tia cực tím (UltraViolet-
UV) chiếm 7%, trong vùng khả kiến chiếm 47%, từ vùng hồng ngoại (Infrared-IR)
trở lên chiếm 46%. Nhắc lại về bước sóng trong vùng khả kiến có tầm từ 0.38  m
đến 0.78 m.

Hình 2. 2 Phổ của mặt trời ngoài khí quyển

Khi bức xạ mặt trời đi vào khí quyển cúa trái đất sẽ bị hấp thu bởi nhiều thành
phần. Do đó, đường cong phổ bức xạ của mặt trời nhận được trên mặt đất bị méo
dạng nhiều so với ngoài không gian. Phổ bức xạ nhận được trên mặt đất còn phụ
thuộc vào góc chiếu của mặt trời so với bề mặt trái đất, được phản ánh theo tỷ số
AM.
2.1.2 Định nghĩa tỷ số AM
Với mỗi góc chiếu khác nhau của mặt trời so với mặt đất thì quãng đường của
tia sáng xuyên qua khí quyển sẽ khác nhau. Nếu định nghĩa:
h1: quảng đường ngắn nhất xuyên qua khí quyển (tia sáng vuông với mặt đất)
h2: quảng đường thực mà tia sáng xuyên qua khí quyển thì tỷ số AM (Air Mass
ratio) được tính:

(2.4)
 7

Hình 2. 3 Tỷ số AM

Tỷ số AM1 ( tương ứng với tia sáng chiếu trực tiếp vuông góc với

mặt đất. AM0 tương ứng với phổ bức xạ ở ngoài khí quyển. Thông thường, AM1.5
được xem là phổ bức xạ trung bình trên mặt đất. Công suất bức xạ tổng ứng với
AM1.5 được phân tỷ lệ như sau: những bước sóng dưới UV chiếm 2%, trong vùng
khả kiến chiếm 54%, từ vùng IR trở lên chiếm 44%. Phổ công suất của mặt trời
theo tỷ số AM được diễn tả trong hình 2.4. Đường cong có khuynh hướng giảm lại
và dịch chuyển về phía bước sóng lớn khi AM tăng lên.

Hình 2. 4 Phổ của mặt trời theo AM khác nhau

 8

2.1.3 Các dạng bức xạ thu được

Khi luồng ánh sáng xuyên qua bầu khí quyển sẽ bị phân thành 3 thành phần
chính soi vào vật thể. 3 thành phần đó bao gồm: những tia sáng trực tiếp (đi xuyên
thẳng qua bầu khí quyển), tán xạ do thành phần tạp chất trong bầu khí quyển, phản
xạ từ các bề mặt khác nhau.
Bức xạ trực tiếp:
Như mô tả trong hình 2.5, nếu bức xạ từ mặt trời đi tới vật thu là IB thì bức
xạ mà vật thu thu được IBC tính bới công thức:
IBC  IBcos (2.5)

Hình 2. 5 Bức xạ trực tiếp

Tán xạ:
Rất khó để có thể ước lượng chính xác lượng tán xạ đến vật thu. Tán xạ gây ra
do nhiều thành phần tạp chất trong khí quyển. Khi tia sáng đi vào khí quyển, sẽ bị
phân ra do bụi, hơi nước lơ lửng, có khi là những đám mây. Những tạp chất này
không chỉ tác động đến tia sáng đi trực tiếp vào khí quyển, mà còn tác động đến cả
những tia sáng do phản xạ từ những bề mặt khác vào khí quyển.

Hình 2. 6 Tán xạ
Dựa theo mô hình đơn giản được phát triển bởi Threlkeld và Jordan (1958), độ
bức xạ do tán xạ có thể thiết lập theo độ bức xạ trực tiếp:
 9

IDH  CIB (2.6)

Trong đó:
IDH : tán xạ nhận được ở bề mặt ngang (Diffuse Horizontal surface)
IB : bức xạ trực tiếp
C : hệ số tán xạ của bầu trời, giá trị này thay đổi hàng ngày và được tính dựa
theo số liệu thực nghiệm.
Phản xạ:
Phản xạ sinh ra do những bề mặt đặt trước tấm thu như mặt nước, mặt
tuyết… Trong những ngày nắng tốt và xung quanh tấm thu có nhiều bề mặt phản
chiếu thì việc tính đến phản xạ là cần thiết. Cách đơn giản để tính độ phản xạ dựa
vào hệ số phản xạ của bề mặt trước tấm thu và góc đặt của tấm thu:

(2.7)

Trong đó:
IRC : phản xạ nhận được của tấm thu
IBH , IDH : lần lượt là bức xạ trực tiếp và tán xạ chiếu vào bề mặt ngang

 : góc đặt tấm thu

Hình 2. 7 Phản xạ
2.2 Sơ lược lịch sử Pin Quang điện
Lịch sử hình thành pin mặt trời (Photovoltaic-PV) bắt đầu từ năm 1839, nhà vật
lý 19 tuổi người Pháp, Edmund Becquerel, đã tạo ra hiệu điện thế bằng cách chiếu
sáng. Ông chiếu ánh sáng vào tấm điện cực kim loại nằm trong dung dịch điện phân
yếu. Suốt 40 năm sau đó, Adams và Day là những người đầu tiên nghiên cứu về pin
 10

mặt trời ở dạng rắn. Họ có thể tạo được những cell pin đầu tiên từ selenium với hiệu
suất 1 đến 2 %. Những cell pin này sau đó lại được dùng nhiều trong ngành nhiếp
ảnh để đo cường độ sáng.
Trong những năm đầu của ngành vật lý lượng tử, vào năm 1904, nhà vật lý vĩ
đại Albert Einsteins đã công bố những nghiên cứu về hiệu ứng của vật chất quang
điện. Dựa vào việc lượng tử hóa năng lượng của photon, ông đã giải thích được việc
phát sinh dòng điện khi chiếu sáng vào vật chất quang điện. Cùng thời gian đó, nhà
khoa học người Ba Lan Czochralski bắt đầu phát triển những tinh thể silicon hoàn
hảo (perfect crystal of silicon), tạo ra bước ngoặt trong ngành điện tử hiện đại nói
chung cũng như riêng về phần pin mặt trời. Từ năm 1940 đến 1950, phương pháp
của Czochralski bắt đầu tạo ra những thế hệ pin mặt trời dung đơn tinh thể silicon,
kỹ thuật này còn được dùng nhiều trong công nghiệp pin mặt trời ngày nay.
Vào những thập niên 1950, nhiều cố gắng thương mại hóa PV đã gặp nhiều trở
ngại do giá thành khá lớn. Ứng dụng thực tiễn đáng chú ý của PV trong giai đoạn
này là việc lắp đặt cho vệ tinh Vanguard I. Trong các ứng dụng không gian, chi phí
không còn là trở ngại lớn và thường đòi hỏi những thiết bị nhẹ gọn và độ tin cậy
cao. Các cell pin mặt trời đáp ứng được những yêu cầu đó, PV trở thành sự lựa chọn
phù hợp để cấp năng lượng cho các vệ tinh và tàu không gian. Những năm cuối thập
niên 1980, giá thành của PV bắt đầu giảm và hiệu suất tăng. Lúc này, PV được ứng
dụng rộng rải cho máy tính bỏ túi, đèn chiếu sáng trên đường cao tốc, máy bơm ở
nông thôn… Ngày nay, đến năm 2002, sản lượng PV bán ra trên toàn thế giới đạt
được 600 MW mỗi năm và không ngừng gia tăng với mức 40% hàng năm.
2.3 Cơ bản về bán dẫn
PV sử dụng vật liệu bán dẫn để chuyển đổi ánh sáng thành điện năng. Công
nghệ chế tạo PV rất giống với công nghệ để chế tạo transistor, diode và tất cả các
thiết bị bán dẫn khác.Vật liệu sử dụng khởi nguồn cho hầu hết thiết bị bán dẫn và
PV thường là silicon tinh thể tinh khiết.
 11

Hình 2. 8 Nguyên tử Silic

Silicon có hóa trị 4, hình 2.8 mô tả nguyên tử silicon ở dạng đầy đủ và rút gọn.
Trong tinh thể silicon tinh khiết, mỗi nguyên tử silicon sẽ hình thành các liên kết
đồng hóa trị với 4 nguyên tử silicon khác để hình thành liên kết bền vững.
2.3.1 Dải năng lượng
Ở 0 độ tuyệt đối, silicon là chất cách điện lý tưởng, không hề có electron tự do.
Khi nhiệt độ tăng lên, một vài electron có đủ năng lượng để di chuyển tự do có thể
tạo thành dòng điện. Độ dẫn của silicon tỷ lệ theo độ tăng của nhiệt độ. Tuy nhiên,
độ dẫn của silicon vẫn còn rất thấp ở nhiệt độ thường, nguyên nhân mà silicon được
gọi là bán dẫn.
Lý thuyết lượng tử dùng giản đồ dải năng lượng để phân biệt vật liệu dẫn điện
và vật liệu bán dẫn. Năng lượng của các electron đều nằm trong những dải năng
lượng rời rạc cho phép. Hình 2.9 mô tả những dải năng lượng của electron cho kim
loại và bán dẫn.

Hình 2. 9 Dải năng lượng

Dải năng lượng trên cùng gọi là dải dẫn, những electron nằm trong dải năng
lượng này có thể di chuyển tự do và tạo thành dòng điện. Ở nhiệt độ phòng, chỉ

khoảng 1 trong 1010 electron trong silicon là nằm trong dải dẫn.
 12

Những khe trống nằm giữa các dải năng lượng cho phép gọi là dải cấm.
Trong đó dải cấm ngăn cách dải dẫn và dải năng lượng cho phép gần kề dải dẫn
được xét đến nhiều nhất. Năng lượng cho một electron vượt qua dải cấm đó để đến
dải dẫn gọi là năng lượng band-gap (band-gap energy) ký hiệu là Eg. Đơn vị cho Eg
thường là electron-Volt (eV). Đối với silicon, Eg = 1.12 eV. Như vậy, mỗi một
electron sẽ cần một năng lượng Eg để trở thành electron tự do. Các electron tự do
này sẽ tạo thành dòng điện khi có thể. Cần nói thêm, mỗi khi có một electron được
giải phóng, sẽ xuất hiện một lỗ trống tương ứng. Những lỗ trống này cũng có khả
năng di chuyển và tạo thành dòng điện. Trong những vật liệu quang điện, nguồn
năng lượng để giải phóng các electron tự do lấy từ photon của nguồn sáng. Theo lý
thuyết của vật lý lượng tử, mỗi photon là một sóng có tần số tương ứng. Sóng điện
từ này có năng lượng được tính theo công thức:

(2.8)

Trong đó:
E: năng lượng của photon (J)
h : hằng số Planck = 6.626e-34 (Js)
 , : tương ứng là tần số (hz) và bước sóng (m)
của photon c : vận tốc ánh sáng (m/s)
Đối với những cell pin silicon, Eg = 1.12 eV, áp dụng công thức trên tính
được bước sóng lớn nhất để giải phóng electron là 1.11m . Những photon có bước
sóng lớn hơn 1.11m sẽ không giải phóng electron, sinh ra dòng điện, mà chỉ đơn
thuần làm nóng pin. Hơn nữa, mỗi photon chỉ giải phóng được một electron nên
những photon có bước sóng ngắn hơn 1.11m (năng lượng lớn hơn Eg) chỉ dùng
được phần năng lượng để giải phóng electron, phần năng lượng dư sẽ sinh ra nhiệt
làm nóng pin. Hình 2.10 mô tả biểu đồ năng lượng tương ứng với bước sóng gồm
những vùng góp năng lượng có ích để giải phóng electron và những vùng năng
lượng hao phí sinh ra nhiệt.
 13

Hình 2. 10 Vùng năng lượng có ích và hao phí

2.3.2 Hiệu suất của Vật liệu Quang điện
Như đã được mô tả ở phần trên, mỗi một electron cần một nguồn năng lượng
đúng bằng Eg để giải phóng thành electron tự do. Phần năng lượng nhỏ hơn Eg và
phần năng lượng lớn hơn Eg (của một photon) đều không dùng được và phát sinh
nhiệt. Xét lại mật độ phổ công suất của mặt trời ứng với AM1.5, chỉ có vài vùng
cho năng lượng có ích (mô tả ở hình 2.11).

Hình 2. 11 Phổ năng lượng có ích và hao phí

Dựa vào hình trên, chỉ có 49.6% năng lượng công suất bức xạ mặt trời là có
thể dùng được. Nói một cách đơn giản, hiệu suất của pin silicon ở mức dưới 50%.
Thực tế, pin silicon còn có hiệu suất nhỏ hơn, ở dưới 25%. Những nguyên nhân làm
giảm hiệu suất:
 14

+ Giá trị điện áp band-gap (band-gap voltage) khi đo ở 2 đầu cell pin chỉ
khoảng phân nửa đến 2/3 giá trị đầy đủ.
+ electron tự do và lỗ trống có khuynh hướng kết hợp làm giảm dòng điện
pin.
+ Nhưng photon không được hấp thụ trọn vẹn do phản xạ hoặc đi xuyên qua
cell pin.
+ trở nội của cell pin gây tổn hao công suất.
2.3.3 Cấu trúc P-N cho PV
Năng lượng từ photon sinh ra cặp electron tự do - lỗ trống, nhưng chúng có
khuynh hướng kết hợp làm giảm dòng điện pin. Để ngăn chặn sự kết hợp đó, cần
thiết tạo ra một điện trường nhằm tách electron tự do và lỗ trống thành 2 vùng. Cách
để tạo điện trường là thiết lập 2 vùng khác biệt trong tinh thể silicon. Một vùng gồm
những tinh thể silicon tinh khiết trộn lẫn một lượng nhỏ nguyên tố hóa học có hóa
trị 3, tương tự đối với vùng còn lại nhưng với nguyên tố hóa học hóa trị 5.
Nguyên tố hóa học hóa trị 5 có thể là phospho, chỉ khoảng 1/1000 phospho
so với silicon. Khi một nguyên tử phospho trộn lẫn vào tinh thể silicon tinh
khiết, như hình 2.12, nguyên tử phospho sẽ liên kết đồng hóa trị với 4 nguyên tử
silicon xung quanh. Do đó, electron ngoài cùng còn lại của phospho sẽ trở thành
electron tự do. Ngoài ra, nguyên tử phospho bị mất đi một electron ngoài cùng sẽ có
điện tích +1 và trở thành điện tích dương cố định trong mạng tinh thể. Vùng trộn lẫn
này, gồm có electron tự do, gọi là vùng n (negative, n-type).

Hình 2. 12 Nguyên tử hóa trị 5

Vùng trộn lẫn còn lại có tỷ lệ nguyên tố hóa trị 3 so với silicon khoảng 1/10
triệu, nguyên tố hóa trị 3 có thể là boron. Boron liên kết đồng hóa trị với 4 nguyên
tử silicon xung quanh bằng 3 electron ngoài cùng. Do đó, sẽ còn thiếu một electron
liên kết đồng hóa trị và tạo ra một lỗ trống. Lỗ trống giống như một điện tích dương
 15

di chuyển tự do trong mạng tinh thể. Đối với mỗi nguyên tử boron bị mất đi một lỗ
trống, nói đúng hơn là có một electron nằm vào lỗ trống, sẽ có điện tích -1 và trở
thành điện tích âm cố định trong mạng tinh thể, mô tả trên hình 2.13. Vùng trộn lẫn
này, gồm có lỗ trống tự do, gọi là vùng p (positive, p-type).

Hình 2. 13 Nguyên tử hóa trị 3

Nếu để vùng p cạnh vùng n, chỗ tiếp xúc của 2 vùng sẽ có hiện tượng
khuếch tán electron-lỗ trống. Như trên hình 2-14, electron ở vùng n sẽ khuếch tán
qua chỗ tiếp xúc để lấp các lỗ trống ở vùng p. Khi hiện tượng khuếch tán diễn ra,
gần chỗ tiếp xúc p-n chỉ còn lại tương ứng điện tích dương cố định ở vùng n và điện
tích âm cố định ở vùng p. Một điện trường sẽ phát sinh ở chỗ tiếp xúc p-n đồng thời
cản lại hiện tượng khuếch tán.

Hình 2. 14 Tiếp xúc P-N

Vùng phát sinh điện trường ở chỗ tiếp xúc p-n không còn các điện tích tự do
cả dương và âm được gọi là miền nghèo (depletion region). Miền nghèo rộng
khoảng 1 cm và có hiệu điện thế 1V, điện trường trong miền này lên đến
10.000V/cm.
Đối với PV có cấu trúc p-n sẽ ngăn được sự kết hợp trở lại của electron và lỗ
trống. Khi năng lượng photon được hấp thu, cặp electron-lỗ trống được tạo ra. Điện
trường ở miền nghèo sẽ đẩy electron về vùng n và lỗ trống về vùng p. Hơn nữa, khi
vùng p và vùng n tương ứng tích lũy nhiều lỗ trống và electron tự do sẽ tạo nên một
 16

hiệu điện thế. Dòng điện dễ dàng sinh ra khi 2 đầu hiệu điện thế này được nối tải
thích hợp, như hình 2.15.

Hình 2. 15 Mẫu PV
2.3.4 Công nghệ chế tạo PV
Công nghệ chế tạo PV ngày càng phát triển đa dạng. Từ những cell pin
truyền thống có độ dày từ 200-500 m , những cell pin ở dạng “màng mỏng” (thin-
film) dần dần chiếm ưu thế. Cell pin màng mỏng có độ dày 1-10m , không dùng
nhiều vật liệu bán dẫn và dể chế tạo hơn nên giá thành cạnh tranh hơn. Loại cell pin
này dùng nhiều cho các thiết bị: máy tính bỏ túi, đồng hồ và trong nhiều mạch điện
tử. Hình 2.16 mô tả các hướng công nghệ cho PV dựa theo 2 hướng chính.

Hình 2. 16 Hướng chế tạo PV

Vật liệu chế tạo PV không chỉ dừng lại ở nguyên tố silicon, germanium
(cùng nằm trong nhóm 4-bảng tuần hoàn nguyên tố hóa học với silicon) cũng được
dùng thay thế. Vật liệu chế tạo PV còn sử dụng hỗn hợp của 2 nguyên tố, thường sử
dụng nhất là cell pin GaAs (Gallium và Arsenic) và CdTe (Cadmium và Tellurium).
Những cặp vật liệu này thường nằm ở 2 nhóm đối xứng với nhóm 4, mô tả trên hình
2.17.
 17

Hiệu suất của PV cũng tăng dần theo thời gian:

Hình 2. 17 Bảng tuần hoàn

2.4 Hệ thống PV
2.4.1 Hệ thống PV độc lập
PV đầu tiên được ứng dụng độc lập. Đối với những vùng nông thôn, vùng
núi cao, hay ở những vùng hẻo lánh của các nước đang phát triển, nơi mà lưới điện
quốc gia chưa cung cấp đến, thì việc sử dụng các hệ thống PV độc lập hoàn toàn
cấp thiết. Nguồn điện lấy xuống từ PV sẽ được cấp cho tải DC hoặc qua hệ thống
nghịch lưu rồi cấp cho tải AC. Phần lưu trữ cũng rất quan trọng, giúp lưu năng
lượng và phát lại.
 18

Hình 2. 18 Hệ thống độc lập

2.4.2 Hệ thống PV kết hợp
Hầu hết các trường hợp ứng dụng trong các hệ thống lớn, hệ thống PV
thường được dùng thêm với máy phát diesel. Đối với trường hợp đó, hệ thống PV
độc lập thường không thể cung cấp đủ nguồn năng lượng yêu cầu cho tải. Hệ thống
PV kết hợp máy phát vừa đáp ứng đủ yêu cầu của tải vừa sử dụng được thêm nguồn
năng lượng từ PV.

Hình 2. 19 Hệ thống kết hợp

2.4.3 Hệ thống PV nối lưới
Hệ thống kết lưới PV góp phần gia tăng công suất cho hệ thống lưới điện
quốc gia và tiết kiệm chi phí dùng điện cho các hộ sử dụng cũng như các công ty ở
các nước phát triển. Hơn nữa hệ thống PV kết lưới không cần phải có các thiết bị
lưu trữ vì công suất không dùng hết có thể cấp hết lên lưới. Trong những năm gần
 19

đây, hệ thống kết lưới gia tăng đáng kể trên toàn thế giới. Trong năm 2004, ở Đức
gần 1 tỷ watt hệ thống PV kết lưới được lắp đặt. Các hệ thống kết lưới để sử dụng ở
một đất nước, cần phải có sự hỗ trợ và tiêu chuẩn từ chính phủ. Chất lượng điện
năng rất quan trọng trong các hệ thống này.

Hình 2. 20 Hệ thống kết lưới

 20

CHƯƠNG 3: MÔ HÌNH HÓA PV

3.1 Đặc tuyến và thông số cơ bản của PV
Như đã giải thích ở những phần trên, trong cấu trúc của PV có mối nối P-N. Do
đó có thể mô hình hóa PV bằng một diode mắc song song với một nguồn dòng
như hình 3.1.

Hình 3. 1.Mô hình PV

Dựa theo ký hiệu của hình vẽ, áp dụng định luật Kirchhoff cho nút:
I  ISC  Id (3.1)
Áp dụng công thức Shockley cho diode, (3.1) trở thành:
I  ISC  I0 (e1) (3.2)

Khi không có ánh sáng ISC = 0, đặc tuyến I-V của PV giống như đặc tuyến của
diode nhưng đảo ngược. Khi có ánh sáng, đặc tuyến đảo ngược đó sẽ được nâng
lên một lượng đúng bằng ISC.

Hình 3. 2 Đặc tuyến PV

Trên đặc tuyến của PV có những thông số cơ bản nhưng rất quan trọng như
dòng ngắn mạch, áp hở mạch và điểm công suất cực đại (MPP). Chỉ khi vận hành ở
 21

MPP, công suất ra tải của PV mới tối ưu. Những thông số cơ bản này đều được cho
trong datasheet của các sản phẩm PV.

Hình 3. 3 Thông số cơ bản PV

Một thông số quan trọng khác của PV là hệ số lấp đầy (Fill Factor-FF), như
hình 3.4. Hệ số FF mô tả chất lượng mối nối bán dẫn của PV và thể hiện khả năng
hấp thu ánh sáng để tạo năng lượng.

q
V
/
(3.3)
A
kT

Hình 3. 4 Hệ số lấp đầy

FF luôn < 1 và thay đổi tùy theo vật liệu PV. FF càng gần bằng 1, PV càng
vận hành tốt. Đối với những cell pin chất lượng cao, FF có khi lên đến 0.85 hoặc
hơn. Đối với các PV thương mại thông thường, FF chỉ ở mức 0.68.
 22

3.2 Phương trình toán của PV

Có nhiều cách, tùy theo độ chính xác khác nhau, để mô hình hóa PV như mô
hình 1 diode, mô hình 2 diode. Trong bài này, mô hình 1 diode và bỏ đi điện trở
song song, hình 3.7, được áp dụng.

Hình 3. 5 Mô hình 1 diode

Hình 3. 6 Mô hình 2 diode

Hình 3. 7 Mô hình 1 diode đơn giản

I=
Áp dụng công thức Shockley cho diode ta có:

I= q (3.4)
V
/
Trong đó: + q là điện tích electron (1,6 x C) A
kT

+ là dòng bão hòa của diode

+ là dòng ngắn mạch của PV
+ A là hệ số phẩm chất của diode
+ k là hằng số Boltzmann = 1,38x
 23

+ T là nhiệt độ Kelvin
+ là điện áp hở mạch của PV
thay đổi theo nhiệt độ :
) (3.5)
q
V
/
Cùng 1 nhiệt độ, thay đổi theo bức xạ: A
kT

(3.6)

thay đổi theo nhiệt độ:

(3.7)

ở nhiệt độ chuẩn:

(3.8)

với

Trong đó:
ISC: dòng quang điện, xem như bằng với dòng ngắn mạch tương ứng. I0:
dòng bão hòa của diode.
Rs: trở nối tiếp.

T: nhiệt độ tuyệt đối, Kelvin. G: bức xạ, W/m2.

q: điện tích electron = 1.6e-19 Coulomb. k: hằng số Boltzmann = 1.38e-23.
A: hệ số phẩm chất của diode. Vg: điện áp bandgap.
Các phương trình trên sẽ được giải theo phương pháp Newton-Ralphson để
tính toán (IPV,VPV) ở trường hợp bức xạ và nhiệt độ bất kỳ. Một số thông số trong
phương trình sẽ được chọn để đơn giản tính toán. PV của hãng Solartech SPM080P
với công suất cực đại 80 watt được chọn để mô hình hóa.
 24

Hình 3. 8 Datasheet solartech

Hệ số K0 được chọn là 0.065% dựa theo hệ số nhiệt của PV. Còn Rs được
lấy là 0.005 Ohms.

Hình 3. 9 Hệ số nhiệt K0
 25

CHƯƠNG 4: CÁC GIẢI THUẬT TRUY TÌM ĐIỂM

CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI
4.1 Giới thiệu về đặc tuyến tải
Mỗi PV có một đặc tuyến I-V cụ thể. Khi PV được sử dụng cho tải khác
nhau hay trong điều kiện môi trường khác nhau sẽ làm việc ở điểm hoạt động khác
nhau. Đặc tuyến của tải trở sẽ được giới thiệu trong phần sau đây.

Hình 4. 1 Điểm hoạt động của tải

Tải trở:
Phương trình mô tả đơn giản cho tải trở:
V = IR hay I =

Đặc tuyến I-V đơn giản là một đường thẳng có độ dốc là Khi R tăng
độ dốc của đặc tuyến sẽ hạ thấp, ngược lại khi R giảm độ dốc của đặc tuyến sẽ
nâng cao. Đường thẳng I-V của tải trở sẽ giao đường I-V của PV ở điểm làm việc.

Hình 4. 2 Đặc tuyến điện trở

Như hình 4.2, chỉ có trường hợp tải trở là Rm thì công suất vận hành của PV
là cực đại.
 26

Khi điện trở không thay đổi, điểm làm việc cũng sẽ thay đổi khi điều kiện
môi trường khác đi. Như hình 4.3, chỉ có một điều kiện bức xạ ứng với công suất
PV là cực đại.

Hình 4. 3 Đặc tuyến trở khi thay đổi bức xạ

4.2 Điểm công suất cực đại
4.2.1 Mục đích của MPPT
Qua những phần trên, cho thấy đối với những tải và điều kiện môi trường
khác nhau, điểm vận hành của PV sẽ thay đổi. Khi đó, PV có thể sẽ không được vận
hành ở công suất cực đại. Để sử dụng tối ưu công suất PV, việc bắt công suất cực
đại (mppt) là rất cần thiết.

Hình 4. 4 Buck-Boost
MPPT (Maximum Power Point Tracker) là phương pháp dò tìm điểm làm
việc có công suất cực đại của hệ thống điện mặt trời thông qua việc đóng mở khóa
điện tử của bộ biến đổi DC/DC. Phương pháp MPPT được sử dụng rất phổ biến
trong hệ thống PV làm việc độc lập và đang dần được áp dụng trong hệ quang điện
làm việc với lưới.
 27

Giải thuật mppt đơn giản là điều khiển các bộ biến đổi điện tử công suất để
giữ cho PV vận hành ở công suất cực đại. Những bộ biến đổi DC/DC dạng xung
thường được sử dụng. Đặc điểm chung của những bộ DC/DC này là đóng ngắt các
khóa để thay đổi tỷ số giữa điện áp vào-ra. Các bộ biến đổi DC/DC thường gặp là:
bộ Buck (giảm áp), bộ Boost (tăng áp), bộ Buck-Boost (tăng hoặc giảm áp tùy ý).
Trong quá trình thực nghiệm, bộ Buck-Boost được dùng cho giải thuật mppt, nên sẽ
được giới thiệu sơ ở phần dưới.
4.2.2 Bộ Buck-Boost
Cấu hình không cách ly của bộ Buck-Boost được minh họa ở hình 4.5. Bộ
biến đổi bao gồm nguồn áp Vs, khóa điều khiển S, cuộn cảm L, diode D, tụ lọc đầu
ra C và tải R. Khi khóa đóng, diode sẽ tắt (không dẫn), cuộn cảm nhận năng lượng
từ nguồn, tụ sẽ cấp năng lượng cho tải. Khi khóa ngắt, diode sẽ dẫn, cuộn cảm sẽ
cấp năng lượng cho tải và nạp năng lượng cho tụ.

Hình 4. 5 Mạch điện Buck-Boost

Tỷ số vào-ra của điện áp sẽ phụ thuộc vào tỷ số đóng cắt:

(4.1)

Mô tả sơ về dòng và áp của linh kiện trong bộ Buck-Boost khi khóa đóng cắt (lúc
ổn định):
 28

Hình 4. 6 Giản đồ hoạt động

Trong đó:
vL, iL: áp và dòng cuộn cảm vS, iS: áp và dòng nguồn vO, iO: áp và
dòng ra
iC: dòng tụ
Khi thiết kế cần lưu ý giá trị cuộn cảm và tụ điện để đảm bảo dòng hoạt động
liên tục và điện áp ra có độ nhấp nhô bé:

(4.2)

Vì sao bộ Buck-Boost có thể giữ được điểm cực đại của PV?
Thử xét tải trở ở đầu ra bộ Buck-Boost và PV ở đầu vào bộ Buck-Boost, khi
hoạt động ổn định, phương trình cân bằng công suất vào ra:

(4.3)

với Vpv và Ipv là áp và dòng PV, Vo và Io là áp và dòng tải.

(4.4)
 29

Lại có:

(4.5)

Thay vào phương trình trên:

(4.6)

Khi đó đặc điểm hoạt động của PV có thể điều khiển dể dàng bằng cách thay
đổi x. Dù trường hợp tải thay đổi hoặc điều kiện môi trường thay đổi, công suất vẫn
có thể giữ cực đại.

Hình 4. 7 Cách thay đổi đặc tuyến bộ Buck-Boost

4.3 Giới thiệu các giải thuật của MPPT
Trong khuôn khổ của luận văn này chỉ phân tích 2 phương pháp MPPT được
ứng dụng rộng rãi và đã trở nên phổ biến, quen thuộc và cho được một số hiệu quả
làm việc. Đó là Phương pháp nhiễu loạn và quan sát P&O, Phương pháp điện dẫn
gia tăng INCond
4.3.1 Phương pháp nhiễu loạn và quan sát (Perturbation And Observe -
P&O)
Trong thuật toán này điện áp hoạt động của pin mặt trời (PMT) bị nhiễu bởi
một gia số nhỏ ΔV và kết quả làm thay đổi công suất, ΔP được quan sát. Hình 4.9
mô tả nguyên lý hoạt động của thuật toán P&O, từ đó có thể suy ra cách thức hoạt
động của thuật toán như sau:
- Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di chuyển theo hướng 1 (ΔP < 0 và
ΔV < 0) thì cần tăng điện áp hoạt động lên để di chuyển điểm hoạt động tới điểm
MPP.
 30

- Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di chuyển theo hướng 2 (ΔP > 0 và
ΔV > 0) thì cần tăng điện áp hoạt động lên để di chuyển điểm hoạt động tới điểm
MPP.
- Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di chuyển theo hướng 3 (ΔP > 0 và
ΔV < 0) thì cần giảm điện áp hoạt động để di chuyển điểm hoạt động tới điểm MPP.
- Nếu điểm hoạt động của hệ thống đang di chuyển theo hướng 4 (ΔP < 0 và
ΔV > 0) thì cần giảm điện áp hoạt động để di chuyển điểm hoạt động tới điểm MPP.

Hình 4. 8 Cách thực hiện P&O

Hình 4. 9 Nguyên lý thực hiện thuật toán P&O

Giải thích thuật toán:
Bộ điều khiển MPPT sẽ đo các giá trị dòng điện I và điện áp V, sau đó tính toán
độ sai lệch ∆P, ∆V và kiểm tra:
- Nếu ∆P. ∆V > 0 thì tăng giá trị điện áp tham chiếu Vref.
 31

- Nếu ∆P. ∆V < 0 thì giảm giá trị điện áp tham chiếu Vref. Sau đó cập nhật
các giá trị mới thay cho giá trị trước đó của V, P và tiến hành đo các thông số I, V
cho chu kỳ làm việc tiếp theo.
Lưu đồ giải thuật cho P&O:

Hình 4. 10 Lưu đồ P&O

Thuật toán P&O có ưu điểm là đơn giản, dễ thực hiện. Khối lượng tính toán
ít. Trong toàn bộ giải thuật chỉ có phép tính cộng trừ và so sánh, không hề có phép
tính chia.
4.3.2 Phương pháp điện dẫn gia tăng (Incremental Conductance-IncCond)
Phương pháp điện dẫn gia tăng (Incremental Conductance-IncCond) dựa trên việc
phân tích đạo hàm của công suất theo điện áp. Ở bên trái điểm cực đại, đạo hàm
có giá trị dương. Ở bên phải điểm cực đại đạo hàm có giá trị âm.
Giải thuật IncCond dựa trên việc so sánh những biểu thức trên để xác định
điểm cực đại. Tỷ số độ thay đổi dòng điện và điện áp được so sánh với tỷ số dòng
 32

điện và điện áp tức thời để biết được PV đang vận hành ở bên trái hay bên phải so
với điểm cực đại.

(4.7)

Ta lại có:

(4.8)

Vậy, công thức 4.1 trở thành:

(4.9)

Khi điểm vận hành của PV đến được điểm cực đại, giá trị đặt sẽ được giữ
không đổi. Khi có sự thay đổi về điều kiện môi trường và tải, giải thuật sẽ so sánh
tiếp để điều chỉnh giá trị đặt nhằm bắt công suất cực đại mới.

Hình 4. 11 Nguyên lý thực hiện thuật toán InCond

Lưu đồ giải thuật cho phương pháp IncCond:
 33

Hình 4. 12 Lưu đồ IncCond

 34

CHƯƠNG 5: MÔ PHỎNG
5.1 Mô hình mô phỏng MPP trong Matlab Simulink

Hình 5. 1 Sơ đồ tổng quát hệ thống tìm MPP trong Matlab Simulink

Mô hình được mô phỏng trên thư viện simulink của phần mềm MATLAB
2014ra. Mô phỏng trên miền rời rạc, kiểu mô phỏng fix-step với bước tính Tstep =
2e-5 (s), phương pháp giải ode-4 Runge-Kutta.
Khối PV được xây dựng dựa trên S-Function.
Khối P&O và InCond xây dựng trong Embbeded Function.
Giá trị các biến được đưa ra workspace để khảo sát và vẽ đồ thị.
Các giá trị đầu vào như nhiệt độ và bức xạ được thay đổi theo hàm nấc, tại
các điểm thời gian 0.33s và 0.66s
Các thông số của PV:
+ Điện áp hở mạch: 30.8V
+ Dòng ngắn mạch: 8.7A
+ Số cell pin mắc nối tiếp: 50
 35

Hình 5. 2 Sơ đồ chi tiết triển khai giải thuật P&O và InCond

Hình 5. 3 Mô hình hóa PV BX1

Hình 5. 4 Bộ điều khiển PI

 36

Trong hình 5.4, ngõ ra của PI là tín hiệu PWM với tần số 10khz để khiển bộ
Boost Converter. Các hệ số Kp, Ki được lựa chọn trong quá trình mô phỏng. Giá trị
phù hợp là Kp = 1, Ki = 3.

Hình 5. 5 Mô hình bộ boost converter

Hình 5. 6 Mô hình MPPT

Trong hình 5.6, các giải thuật P&O và Incond sẽ được nhúng vào trong các
khối Embbedded Function. Chi tiết được mô tả trong mục 5.2 và 5.3
Giải thuật P&O được thể hiện trong khối Embedded Function của Matlab
Simulink:
function [Vref,I] = MPPT( V, P, Tsamp)
%#eml
 37

persistent Vref1;
persistent V1;
persistent P1;
persistent N;
deltaP = 0.2;
deltaV = 0.2;
POV = 0.2;
if isempty(Vref1)
Vref1 = 0;
end
if isempty(V1)
V1 = 0;
end
if isempty(P1)
P1 = 0;
end
if isempty(N)
N = 0;
end
if (Tsamp > 0.001*N) %chu ky lay mau la 1ms
N = N + 1;
if((P - P1)> deltaP)%cong suat tang
if((V - V1) > deltaV) % dien ap tang --> ben trai mppt
Vref = Vref1 + POV;
I = 1;
else %ben phai mppt
Vref = Vref1 - POV;
I = 2;
end
else %cong suat giam
if((V - V1) > deltaV) % dien ap tang --> ben phai mppt
 38

Vref = Vref1 - POV;

I = 3;
else %ben trai mppt
Vref = Vref1 + POV;
I = 4;
end
end
P1 = P;
V1 = V;
Vref1 = Vref;
else
Vref = Vref1;
I = 0;
end
end
Giải thuật IncCond được thể hiện trong khối Embedded Function của Matlab
Simulink:
function [Vref,n] = MPPT( V, I, song)
%#eml
persistent Vref1;
persistent V1;
persistent I1;
Inc = 0.2 ;
a = 0.2;
if isempty(Vref1)
Vref1 = 0;
end
if isempty(V1)
V1 = 0;
end
if isempty(I1)
 39

I1 = 0;
end
dV = V - V1;
dI = I - I1;
V1 = V;
I1 = I;
if abs(dV) < 1e-3
dV = 0;
end
if abs(dI)< 1e-3
dI = 0;
end
if song ==0
Vref = Vref1;
n = 1;
else
if dV == 0 %thay doi nho tren Vref, lam cho dien ap pin khong thay doi
%can duy tri do thay doi Vref cho den khi nao diep ap pin thay doi that
%su
if dI == 0
Vref1 = Vref1;
n = 2;
elseif dI > 0 %tren dac tuyen V-I, chieu search di len
Vref1 = Vref1 + Inc;
n = 3;
else %tren dac tuyen V-I, chieu search di xuong
Vref1 = Vref1 -Inc;
n = 4;
end
else % dac tuyen P-I
if abs(dI/dV + I/V)< a % cong suat khong doi, tai mppt
 40

Vref = Vref1;
n = 5;
elseif dI/dV + I/V > a % ben trai mppt
Vref1 = Vref1 + Inc;
n = 6;
else
Vref1 = Vref1 - Inc; % ben phai mppt
n = 7;
end
end
Vref = Vref1;
5.2 Mô hình hóa và mô phỏng PV
Mô hình PV được xây dựng trên SimPowerSystem của Simulink để đảm bảo
đặc tính điện. Mô hình gồm có một khối (dùng Embedded function) để tính đầu ra
IPV dựa theo VPV và điều kiện môi trường. IPV tính được sẽ đưa vào một nguồn
dòng điều khiển, giống như cấu trúc của PV theo công thức 3.4.

Hình 5. 7 Mô hình trên Simulink

Trong đó Ns và Np chính là số panel PV nối tiếp và song song trong một
mảng (array) PV.
 41

Hình 5. 8 Đặc tuyến V-I khi nhiệt độ thay đổi, bức xạ không đổi

Hình 5. 9 Đặc tuyến P-V khi nhiệt độ thay đổi, bức xạ không đổi
 42

Hình 5. 10 Đặc tuyến P-I khi nhiệt độ thay đổi, bức xạ không đổi
Trong các hình 5.8 đến 5.10 mô tả các mối quan hệ như V-I, P-V và P-I của
tấm pin mặt trời khi nhiệt độ trên bề mặt tấm pin thay đổi ở các điểm như 25, 35, 45
và 55 độ C. Trong khảo sát này, bức xạ được giữ không đổi là 900W/m2.
Ở hình 5.8, ta thấy khi nhiệt độ thay đổi chỉ làm thay đổi áp hở mạch của
pin, không ảnh hưởng tới dòng ngắn mạch. Chính vì vậy, điểm công suất cực đại có
xu hướng dịch sang trái khi nhiệt độ tăng.
Ở hình 5.9, khi nhiệt độ tăng, công suất giảm. Có 4 điểm mà tại đó PV cho
công suất cực đại tương ứng với 4 điều kiện hoạt động về nhiệt độ. Điện áp tại MPP
giảm dần khi nhiệt độ tăng. Tại 55oC là 18.55V, công suất cực đại tương ứng là
132.7W. Tại 45oC là 19.54V, công suất cực đại tương ứng là 140.2W. Tại 35oC là
20.56V, công suất cực đại là 147.7W. Tại 25oC là 21.52V, công suất cực đại là
155.1W. Các giải thuật tìm kiếm MPP, phải tìm kiếm thành công các điểm này để
ép PV luôn luôn cho công suất lớn nhất tùy thuộc vào từng điều kiện hoạt động.
Ở hình 5.10, nếu xét theo đồ thị P-I thì điểm công suất cực đại chỉ di chuyển
theo trục tung khi nhiệt độ thay đổi. Thành phần dòng ngắn mạch ít thay đổi so
với điện áp hở mạch.
 43

Hình 5. 11 Đặc tuyến V-I khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi

Hình 5. 12 Đặc tuyến P-V khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi
 44

Hình 5. 13 Đặc tuyến P-I khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi
Trong các hình 5.11 đến 5.13 mô tả các mối quan hệ như V-I, P-V và P-I của
tấm pin mặt trời khi bức xạ trên bề mặt tấm pin thay đổi ở các điểm như 600, 700,
800 và 900W/m2. Trong khảo sát này, nhiệt độ được giữ không đổi là 35 độ C.
Ở hình 5.11, ta thấy khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi, áp hở mạch của
các tấm pin không thay đổi nhiều nhưng dòng ngắn mạch thay đổi rất lớn. Điều này
dẫn tới điểm công suất cực đại sẽ ít thay đổi theo hoành độ.
Ở hình 5.12, ta thấy công suất thay đổi rất nhiều khi bức xạ thay đổi. Tại bức
xạ 600W/m2, điện áp tại MPP là 20.94V, công suất cực đại là 101W. Tại bức xạ
700W/m2, điện áp tại MPP là 20.85V, công suất cực đại là 117.3W. Tại bức xạ
800W/m2, điện áp tại MPP là 20.7V, công suất cực đại là 132.7W. Tại bức xạ
900W/m2, điện áp tại MPP là 20.5V, công suất cực đại là 147.7W. Trong trường
hợp bức xạ tăng dần, điện áp tại MPP không thay đổi nhiều. Các điểm MPP sẽ được
gặp lại khi áp dụng các giải thuật tìm kiếm MPP.
Ở hình 5.13, quan sát trên biểu đồ P-I, ta thấy điểm công suất cực đại di
chuyển nhanh về phía phải trên trục hoành khi bức xạ tăng.
 45

KẾT LUẬN
Dựa trên các phân tích chi tiết về đặc tính dòng điện, điện áp và công suất
của Pin trên các điều kiện về nhiệt độ và bức xạ, ta rút ra được các cơ sở lý thuyết
cho các giải thuật tìm kiếm điểm công suất cực đại như sau:
Khi bức xạ không đổi, công suất giảm khi nhiệt độ tăng, điểm MPP có xu
hướng dịch về phía trái trên trục hoành trong đồ thì P-V.
Khi nhiệt độ không đổi, công suất tăng khi bức xạ tăng, điểm MPP không
thay đổi vị trí nhiều trên trục hoành trong đồ thị P-V.
5.3 Kết quả mô phỏng của phương pháp P&O

Hình 5. 14 Điện áp PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo P&O

Hình 5. 15 Dòng điện PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo P&O
 46

Hình 5. 16 Công suất PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo P&O
Kết quả mô phỏng:
Bắt công suất cực đại của PV ở điều kiện bức xạ thay đổi theo hàm nấc lần
lượt là 600W/m2 đến 800W/m2 và 900W/m2 ở nhiệt độ không đổi là 35oC.
Theo các hình 5.14, 5.15, 5.16, ta có một số nhận xét sau:
Thời gian quá độ của hệ thống là 0.2s. Thời gian này có thể tăng lên hoặc
giảm xuống tùy thuộc vào bước tìm kiếm của điện áp tham chiếu. Trong kết quả mô
phỏng này, bước tìm kiếm được chọn là 0.2 Volt. Nếu bước tìm kiếm tăng lên, thời
gian đáp ứng giảm xuống nhưng ở trạng thái xác lập, điện áp tham chiếu cho điểm
MPP sẽ dao động nhiều. Việc lựa chọn bước tìm kiếm phù hợp là dựa trên thực
nghiệm.
Đối với phương pháp P&O, ở trạng thái xác lập, điện áp tham chiếu sẽ
không dừng lại ở một điểm mà dao động quanh bước tìm kiếm (0.2 Volt). Điều này
thể hiện rõ ở hình 5.14. Cũng trong hình này, điện áp PV đã bám theo điện áp tham
chiếu. Chứng tỏ mô hình hoạt động tốt.
Theo hình 5.12 và hình 5.14, 5.16, ta có bảng so sánh giá trị công suất của
PV theo giải thuật PO khi bức xạ thay đổi như sau:
 47

Bức xạ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật PO
(Nhiệt độ: 35oC) (Hình 5.12) (Hình 5.14 và 5.16)
600W/m2 (20.94V, 101W) (21.5V, 100W)
800W/m2 (20.7V, 132.7W) (21.2V, 131.2W)
900W/m2 (20.5V, 147.7W) (20.8V,146.5W)
Theo bảng trên, đáp ứng về công suất cực đại của PV theo P&O bám sát theo
điểm MPP của PV đã khảo sát ở mục 5.5. Do điện áp tại MPP không thay đổi nhiều
khi chỉ bức xạ thay đổi, nên thời gian xác lập khi bức xạ thay đổi diễn ra rất nhanh,
gần như là tức thời với bước tìm kiếm là 0.2V.
Bắt công suất cực đại của PV ở điều kiện bức xạ không đổi tại 900W/m2,
nhiệt độ thay đổi theo hàm nấc từ 25oC đến 35oC và 55oC.

Hình 5. 17 Điện áp PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo P&O
 48

Hình 5. 18 Dòng điện PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo P&O

Hình 5. 19 Công suất PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo P&O
Kết quả mô phỏng:
Bắt công suất cực đại của PV ở điều kiện nhiệt độ thay đổi theo hàm nấc lần
lượt là 25, 35 và 55oC tại bức xạ không đổi 900W/m2.
Khi nhiệt độ thay đổi, bức xạ thay đổi, dòng ngắn mạch gần như không thay
đổi (hình 5.18), trong khi điện áp thay đổi rất nhiều. Chính vì vậy, cần có thời gian
để điện áp PV xác lập tới điện áp tham chiếu từ bộ MPP. (hình 5.17)
Theo hình 5.9 và hình 5.17, 5.19, ta có bảng so sánh giá trị công suất của PV
theo giải thuật P&O khi nhiệt độ thay đổi như sau:
 49

Nhiệt độ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật PO
(Bức xạ: (Hình 5.9) (Hình 5.17 và 5.19)
900W/m2)
25oC (21.52V, 155W) (21.3V, 154.7W)
35oC (20.56V, 147.7W) (20.4V, 146.5W)
55oC (18.55V, 132.7W) (18.4V,131.3W)

Hình 5. 20 Đáp ứng dòng điện, điện áp, công suất của PV khi cả nhiệt độ và bức xạ
thay đổi theo P&O
Nhận xét:
+ Ở trạng thái xác lập, điện áp dao động nhiều và tùy thuộc vào bước tìm
kiếm MPP.
+ Thời gian xác lập nhanh nếu tăng bước tìm kiếm điện áp MPP. Tuy nhiên,
nếu tăng quá mức, sẽ làm hệ thống dao động nhiều và không ổn định.
Phương pháp P&O không có điều kiện dừng xác định. Sau mỗi chu kỳ, điện
áp hoặc dòng điện tham chiếu luôn được thêm hoặc bớt đi một khoảng thay đổi.
Khoảng dao động này có thể giảm xuống bằng cách giảm độ thay đổi, nhưng sẽ
khiến cho thời gian xác lập tăng lên.
 50

5.4 Kết quả mô phỏng của phương pháp InCond

Hình 5. 21 Điện áp PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo InCond

Hình 5. 22 Dòng điện PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo InCond
 51

Hình 5. 23 Công suất PV tại MPP khi bức xạ thay đổi theo InCond
Kết quả mô phỏng
Bắt công suất cực đại của PV ở điều kiện bức xạ thay đổi theo hàm nấc lần
lượt là 600W/m2 đến 800W/m2 và 900W/m2 ở nhiệt độ không đổi là 35oC.
Theo các hình 5.21, 5.22, 5.23, ta có một số nhận xét sau:
Thời gian quá độ của hệ thống là 0.18s. Thời gian này có thể tăng lên hoặc
giảm xuống tùy thuộc vào bước tìm kiếm của điện áp tham chiếu. Trong kết quả mô
phỏng này, bước tìm kiếm được chọn là 0.2 Volt. Ngưỡng để xác định tại MPP là
0.2Walt.
Theo hình 5.12 và hình 5.21, 5.23, ta có bảng so sánh giá trị công suất của
PV theo giải thuật InCond khi bức xạ thay đổi như sau:
Bức xạ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật InCond
(Nhiệt độ: 35oC) (Hình 5.12) (Hình 5.21 và 5.23)
600W/m2 (20.94V, 101W) (21V, 100.7W)
800W/m2 (20.7V, 132.7W) (20.5V, 132.3W)
900W/m2 (20.5V, 147.7W) (20.3V,147.5W)
Theo bảng trên, đáp ứng về công suất cực đại của PV theo Incond bám sát
điểm MPP của PV đã khảo sát ở mục 5.2
Bắt công suất cực đại của PV ở điều kiện bức xạ không đổi tại 900W/m2,
nhiệt độ thay đổi theo hàm nấc từ 25oC đến 35oC và 55oC.
 52

Hình 5. 24 Điện áp PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo InCond

Hình 5. 25 Dòng điện PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo InCond
 53

Hình 5. 26 Công suất PV tại MPP khi nhiệt độ thay đổi theo Incond
Kết quả mô phỏng:
Bắt công suất cực đại của PV ở điều kiện nhiệt độ thay đổi theo hàm nấc lần
lượt là 25, 35 và 55oC tại bức xạ không đổi 900W/m2.
Theo hình 5.9 và hình 5.24, 5.26, ta có bảng so sánh giá trị công suất của
PV theo giải thuật INC khi nhiệt độ thay đổi như sau:

Nhiệt độ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật INC
(Bức xạ: (Hình 5.9) Hình 5.24 và 5.26)
900W/m2)
25oC (21.52V, 155W) (21.6V, 154.8W)
35oC (20.56V, 147.7W) (20.5V, 147.5W)
55oC (18.55V, 132.7W) (18.5V,132.7W)
 54

Hình 5. 27 Đáp ứng dòng điện, điện áp, công suất của PV khi cả nhiệt độ và bức xạ
thay đổi theo InCond
5.5 So sánh P&O và InCond
Xét trường hợp bức xạ thay đổi theo hàm nấc lần lượt là 600W/m2,
800W/m2 và 900W/m2. Nhiệt độ giữ không đổi với 35oC.

Hình 5. 28 So sánh InCond và P&O khi bức xạ thay đổi, nhiệt độ không đổi
 55

Xét trường hợp nhiệt độ thay đổi theo hàm nấc lần lượt là 25oC, 35oC và
55oC. Bức xạ giữ không đổi với 900W/m2

Hình 5. 29 So sánh InCond và PO khi bức xạ không đổi, nhiệt độ thay đổi
Theo hình 5.28, 5.29, ta có một số nhận xét sau:
Phương pháp Incond có ưu điểm hơn so với phương pháp P&O là ở trạng thái
xác lập, điểm MPP tham chiếu dao động ít. Thời gian quá độ của P&O chịu nhiều
ảnh hưởng bởi bước tìm kiếm của điện áp tham chiếu. Bước tìm kiếm này ảnh
hưởng tới độ chính xác khi xác lập. Nếu ta chọn bước tìm kiếm lớn sẽ giảm bớt
được thời gian quá độ, nhanh chóng xác lập nhưng sai số xác lập lớn.
Ngược lại, P&O tỏ ra hiệu quả hơn InCond ở tính đơn giản, khối lượng tính
toán ít, có thể chọn bước tìm kiếm lớn nhưng ta phải chấp nhận dao động ở trạng
thái xác lập.
Sự ảnh hưởng lẫn nhau giữa bước tìm kiếm và các yếu tố của chất lượng điều
khiển như thời gian quá độ, sai số xác lập, yêu cầu ta phải lựa chọn bước tìm kiếm
cho phù hợp. Trong khuôn khổ của luận văn này, bước tìm kiếm cho P&O và
InCond được tác giả lựa chọn dựa trên thực nghiệm.
Kết luận
Tác giả đã xây dựng được mô hình mô phỏng của dàn PV, khảo sát được
sự ảnh hưởng của cường độ bức xạ mặt trời và nhiệt độ đến công suất phát của
dàn PV. Trong hệ thống PV, người ta luôn mong muốn cho dù ở bất kỳ điều
kiện thời tiết như thế nào, dòng công suất phát từ dàn PV tới tải luôn là cực đại,
 56

đó là mục tiêu của bài toán điều khiển MPPT. Qua đó, tác giả giới thiệu hai
thuật toán InCond và P&O áp dụng trong điều khiển MPPT của dàn PV.
Mô phỏng được hai thuật toán MPPT trong điều kiện thời tiết thay đổi
thường gặp trong thực tế để thấy được ưu, nhược điểm của từng phương pháp.
Dựa trên kết quả mô phỏng ở hình 5.20, 5.27 cho thấy, cả hai phương
pháp MPPT đều hoạt động tốt khi điều kiện thời tiết thay đổi đột ngột, phản ứng
bám điểm công suất cực đại với thời gian rất nhanh, độ quá điều chỉnh rất nhỏ.Tuy
nhiên, thuật toán Incond có ưu điểm hơn thuật toán P&O chẳng hạn như:
dao động quanh điểm công suất cực đại hẹp và ít hơn thuật toán P&O; giảm
thiểu được hao tổn công suất phát do dao động quanh điểm công suất cực đại ít
hơn thuật toán P&O. Vì vậy, việc áp dụng thuật toán Incond trong điều khiển MPPT
sẽ cho hiệu quả tốt hơn thuật toán P&O
 57

CHƯƠNG 6: KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN

Năng lượng là một vấn đề thiết yếu cho sự tồn tại và phát triển của xã hội,
với nhu cầu sử dụng năng lượng ngày càng tăng của con người, trong thời đại khoa
hoc kỹ thuật phát triển với tốc độ vũ bão như hiện nay thì việc tìm một nguồn năng
lượng mới thay thế cho các nguồn năng lượng cũ không còn là một vấn đề quá khó
khăn. Việc nghiên cứu và tìm ra các nguồn năng lượng mới như năng lương hạt
nhân, năng lượng địa nhiệt, năng lượng gió, năng lượng thủy triều, và năng lượng
mặt trời có ý nghĩa rất quan trọng. Trong số các nguồn năng lượng này thì năng
lượng mặt trời có nhiều ưu việt hơn cả như: là nguồn năng lượng vô tận, không gây
ô nhiễm môi trường, dễ dàng lắp đặt, được sản xuất bất cứ nơi nào trên thế giới.
Việt Nam có địa lý trải dài từ vĩ độ 8 bắc đến 23 độ bắc với lượng bức xạ trung bình
5kw/m2/ ngày với số giờ nắng trung bình khoảng 2000 giờ nắng/ năm.
Về cơ bản năng lượng mặt trời có 2 dạng biến đổi:
- Dạng 1: Quang năng sang nhiệt năng
- Dạng 2: Quang năng sang điện năng

Luận văn nghiên cứu phương thức biến đổi năng lượng mặt trời từ quang
năng thành điện năng thông qua pin quang điện có cấu tạo từ các chất bán dẫn
silic. Tuy nhiên chi phí đầu tư cho hệ năng lượng mặt trời vẫn còn khá cao, điều
này thôi thúc các nhà nghiên cứu không ngừng nâng cao hiệu quả sử dụng
nguồn năng lượng này , giải pháp ngiên cứu bộ điều khiển tìm điểm công suất
cực đại sử dụng phương pháp tìm kiếm trực tiếp cho hệ pin quang điện cũng
không nằm ngoài mục tiêu trên.
Khảo sát đặc tuyến V-I, V-P, P-I và điều khiển bám điểm công suất cực đại
của pin quang điện qua mô phỏng 2 giải thuật P&O, INC
Các kết quả đạt được của phương pháp P&O:
- Với trường hợp nhiệt độ 35oC, bức xạ thay đổi từ khoảng 600w/m2-
900w/m2 ta thấy điện áp tại điểm MPP không thay đổi nhiều nên thời
gian xác lập rất nhanh 0.2s và điểm MPP theo giải thuật P&O cũng bám
sát rất tốt
-
 58

Bức xạ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật PO
(Nhiệt độ: 35oC) (Hình 5.12) (Hình 5.14 và 5.16)
600W/m2 (20.94V, 101W) (21.5V, 100W)
800W/m2 (20.7V, 132.7W) (21.2V, 131.2W)
900W/m2 (20.5V, 147.7W) (20.8V,146.5W)

- Với trường hợp bức xạ 900w/m2 nhiệt độ thay đổi 25,35,55oC ta thấy
khi nhiệt độ giảm thì điện áp giảm điểm MPP của tấm pin giảm

Nhiệt độ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật PO
(Bức xạ: (Hình 5.9) (Hình 5.17 và 5.19)
900W/m2)
25oC (21.52V, 155W) (21.3V, 154.7W)
35oC (20.56V, 147.7W) (20.4V, 146.5W)
55oC (18.55V, 132.7W) (18.4V,131.3W)
-
- Nhận xét: Mô hình mô phỏng đã hoạt động tốt và đáp ứng đúng với yêu
cầu đạt ra ban đầu có thể nâng cao hiệu suất pin mặt trời tại mọi thời
điểm. Giải thuật P&O là giải thuật cơ bản đơn giản và được áp dụng rộng
rãi với MPPT
Các kết quả đạt được của Phương pháp điện dẫn gia tăng INC:

Bức xạ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật InCond
(Nhiệt độ: 35oC) (Hình 5.12) (Hình 5.21 và 5.23)
600W/m2 (20.94V, 101W) (21V, 100.7W)
800W/m2 (20.7V, 132.7W) (20.5V, 132.3W)
900W/m2 (20.5V, 147.7W) (20.3V,147.5W)
 59

Nhiệt độ thay đổi MPP theo đặc tuyến PV MPP theo giải thuật INC
(Bức xạ: (Hình 5.9) Hình 5.24 và 5.26)
900W/m2)
25oC (21.52V, 155W) (21.6V, 154.8W)
35oC (20.56V, 147.7W) (20.5V, 147.5W)
55oC (18.55V, 132.7W) (18.5V,132.7W)

Tác giả sử dụng 2 phương pháp MPPT được ứng dụng rộng rãi phổ biến,
quen thuộc và cho được một số hiệu quả làm việc sau đây: Phương pháp nhiễu loạn
và quan sát P&O, Phương pháp điện dẫn gia tăng INC.
Phương pháp nhiễu loạn và quan sát P&O: sử dụng thuật toán đơn giản.
Thuật toán này xem xét sự tăng, giảm điện áp theo chu kỳ để tìm được điểm làm
việc có công suất lớn nhất.
Phương pháp điện dẫn gia tăng INC: sử dụng tổng điện dẫn gia tăng của dãy
pin mặt trời để dò tìm điểm công suất tối ưu, dao động nhỏ quanh điểm MPP hơn
phương pháp P&O.
Hướng phát triển:
Giải thuật P&O và Incond đã được kiểm chứng với mô hình mô phỏng trên
Matlab. Trong thời gian tới, tác giả sẽ tập trung nghiên cứu để kiểm chứng giải
thuật trên mô hình thực nghiệm. Giải thuật sẽ được nhúng vào chip xử lý số giá rẻ
của Texas Instrument là DSP 28069. Đồng thời, giải thuật cũng được kiểm chứng
với các loại tải vô hạn như lưới điện hoặc Acquy.
Với những ưu điểm và nhược điểm của năng lượng mặt trời đã được nêu
trên, tác giả kết luận rằng năng lượng mặt trời là một trong những nguồn tốt nhất
của năng lượng. Mặc dù không được sử dụng trong một quy mô lớn ngày hôm nay
nhưng năng lượng mặt trời có tiềm năng sản xuất nhiều hơn hàng nghìn lần lượng
điện mà hiện tại đang sử dụng trên toàn thế giới. Điều đó là cần thiết để tạo ra 1
nguồn năng lượng điện khổng lồ từ năng lượng mặt trời trong tương lai.
 60

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] M. Kamil (07/2010). Grid-Connected Solar Microinverter Reference Design
Using a dsPIC® Digital Signal Controller. Microchip Technology Application
Note, AN1338.
[2] Dong Dong. “Modeling and Control Design of a Bidirectional PWM
Converter for Single-phase Energy Systems”, M.A. Thesis , Faculty of the
Virginia Polytechnic Institute and State University, 2009.
[3] J. S. Kumari and Ch. Sai Babu. “Mathematical Modeling and Simulation of
Photovoltaic Cell using Matlab-Simulink Environment”. International Journal
of Electrical and Computer Engineering (IJECE).Vol. 2, No. 1, February 2012,
pp. 26-34.
[4] K.Kachhiya. “MATLAB/Simulink Model of Solar PV Module and MPPT
Algorithm” in Proc. National Conference on Recent Trends in Engineering &
Technology, India, May 2011.
[5] Z. Chen, X. Zhang, And J. Pan (2007). An integrated inverter for a single-
phase single-stage grid-connected PV system based on Z-source. Bulletin of the
polish academy of sciences technical sciences, Vol. 55, No. 3, 2007.
[6] A. Chaouachi, R.M. Kamel, K. Nagasaka. “MPPT Operation for PV Grid-
connected System using RBFNN and Fuzzy Classification”. World Academy of
Science, Engineering and Technology, 41, pp. 97-105, 2010.
[7] L. Wuidart (?). “Topologies for switched mode Power supplies”.
STMicoroelectronics Application note, AN513/0393.
[8] Larry Nelson Jr., Eric Ruscitti. “High Voltage DC-DC Converter, Project
#SJB 2A06”. B.E. thesis, Worcester Polytechnic Institute, Apr. 2007.
[9] L. Rozenblat, “Switching mode power supply (smps) topologies
Overview, comparison and selection guide”, Internet:
http://www.smps.us/topologies.html”, 2012.
[10] R.S.R. Babu, J. Henry. “A Comparative Analysis of DC-DC Converters for
Renewable Energy System”, in Proc. IMECS, Vol. II, Mar. 2012.
 61

[11] Nguyễn Thị Bích Hạnh (2013). Điều khiển tối ưu công suất phát của 1 hệ
nhiều Pin Quang Điện. Luận văn Thạc sỹ, khoa Kỹ thuật điện – Trường Đại Học Kỹ
Thuật Công Nghệ.
[12] Nguyễn Thị Thục (2014). Nghiên cứu cấu trúc và hệ thống điều khiển bộ
biến đổi bán dẫn công suất cho hệ pin mặt trời có thuật toán dò tìm điểm công
suất lớn nhất. Luận văn Thạc sỹ, khoa Kỹ thuật điện và tự động hóa – Trường
Đại Học Thái Nguyên.
[13] Nguyễn Ngọc Thoại (2012). Điều khiển bám điểm công suất cực đại của hệ
pin mat trời có xét đến bóng râm. Luận văn Thạc sỹ. Khoa Kỹ thuật điện –
Trường Đại Học Kỹ Thuật Công Nghệ.
[14] Nguyễn Nhân Bổn, Võ Nguyên Ngân, Nguyễn Thế vinh (2015). Giải thuật
nâng cao hiệu suất pin mặt trời và ứng dụng. Khoa Điện – Điện Tử, UTE-HCM.
[15] http:/codientu/threads/6388.
[16] http:/feee.hcmute.edu.vn.
[17] http:/baigiang.violet.vn/present/show/entry_id10381076.
[18] GS.TSKH Thân Ngọc Hoàn. Năng lượng điện mặt trời và những phương
pháp nâng cao chất lượng và hiệu suất. Tạp chí Khoa học và công nghệ trường
Đại Học Hàng hải số 18-tháng 6/2009 từ http:/www.khcn.vimaru.edu.vn
[19]Nguyễn Thùy Linh. Đánh giá hiệu quả hoạt động của hệ thống điện mặt trời
công suất nhỏ theo các phương thức họa động khác nhau. Tạp chí khoa học và
công nghệ trường Đại Học Phạm Văn Đồng số 07- tháng 10/2015 từ
http:/www.tckh.hcmup.edu.vn