ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH

TRƯỜNG KHOA HỌC TỰ NHIÊN

VẬT LÝ LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

Chap 5: THYRISTOR

Trình bày: NGUYỄN THỊ THIÊN TRANG

 ONLINE

❖ Hiện tượng trễ

❖ Diode Shockley

❖ DIAC

❖ SCR

❖ TRIAC

❖ UJT

2
 HIỆN TƯỢNG TRỄ
❖ Thyristor thuộc loại linh kiện bán dẫn có trễ => hệ thống sẽ không trở về
trạng thái ban đầu sau khi nguyên nhân gây ra sự thay đổi trạng thái
không còn nữa

❖ Thyristor có xu hướng ở trạng thái “mở” mỗi khi được bật, và có xu

hướng ở trạng thái “tắt” mỗi khi được tắt. Một sự kiện nhất thời có thể lật
thyristor sang trạng thái “mở” hoặc trạng thái “tắt” và nó sẽ tự duy trì ở
trạng thái đó thậm chí sau khi nguyên nhân gây ra sự thay đổi trạng thái
không còn nữa

=> Thyristor được sử dụng như một linh kiện chuyển mạch bật/tắt và
không được sử dụng như là một bộ khuếch đại tín hiệu tương tự 3
 DIODE SHOCKLEY
❖ Diode Shockley là diode 4 lớp PNPN

❖ Một diode Shockley bao gồm 2 transistor BJT, một PNP và

một NPN mắc với nhau như hình:

4
Sơ đồ vật lý Sơ đồ tương đương Ký hiệu
 DIODE SHOCKLEY
➢ Nguyên lý hoạt động:
✓ Cấp nguồn cho mạch tương đương của diode Shockley
✓ Khi không có nguồn cung cấp → không có dòng điện
✓ Khi V bắt đầu tăng lên thì vẫn sẽ không có dòng điện bởi vì
không có transistor nào ở chế độ dẫn (mở): cả hai
transistor sẽ đều ở chế độ ngắt
✓ Dòng cực C chạy qua transistor ở phía dưới được điều
khiển bởi transistor ở phía trên, và dòng cực C chạy qua
transistor ở phía trên được điều khiển bởi transistor ở phía
dưới. Nói cách khác chẳng transistor nào có thể dẫn điện
cho đến khi transistor kia dẫn

5
 DIODE SHOCKLEY
➢ Vậy diode Shockley dẫn điện như thế nào?

✓ Nếu hai transistor được nối theo kiểu để tạo ra một diode Shockley
thì mỗi transistor sẽ dẫn khi có một điện áp đủ lớn giữa anod và
catod để khiến một trong số chúng thoát ra khỏi trạng thái ngắt

✓ Mỗi khi một transistor thoát ra khỏi trạng thái ngắt và bắt đầu dẫn,
nó sẽ cho phép dòng cực C chạy qua transistor còn lại làm cho
transistor này dẫn điện theo cách thông thường, và sau đó cho
phép dòng cực C chạy qua transistor đầu tiên. Cuối cùng thì cả hai
transistor sẽ đều bão hoà và sẽ giữ cho nhau ở trạng thái dẫn (ON)
thay vì ở trạng thái ngắt (OFF)

6
 DIODE SHOCKLEY
➢ Nhưng làm cách nào để hai transistor lại trở lại trạng thái
ngắt?
Giảm V cung cấp tới một giá trị rất nhỏ sao cho chỉ có dòng điện rất
nhỏ chảy qua các cực của transistor → một trong hai transistor sẽ
ngắt, dẫn đến việc làm ngưng dòng cực gốc chảy qua transistor kia,
khiến cho cả hai transistor đều rơi vào trạng thái ngắt

7
 DIODE SHOCKLEY
➢ Đặc tuyến Volt/Ampe là đường trễ kinh điển, khi tín hiệu điện áp
đầu vào tăng lên và giảm xuống, dòng điện đầu ra không đi theo
cùng một con đường đi xuống giống như khi nó đi lên

✓ Diode Shockley có xu hướng duy trì ở trạng thái dẫn (ON) một khi
nó đã dẫn điện, và ở trạng thái tắt một khi nó đã ngắt điện. Không
có chế độ “ở giữa” hay “tích cực” trong hoạt động của nó: nó chỉ
thuần tuý là bật (ON) hoặc tắt (OFF), giống như tất cả các
Thyristor.

8
 DIAC
❖ DIAC: hai diode Shockley có thể được mắc song song với
nhau theo 2 hướng ngược nhau. Diac có thể có hoạt động
song hướng (AC)

9
 DIAC
➢ Nguyên lý hoạt động:

✓ Khi cấp một điện áp một chiều vào hai đầu của DIAC thì nó hoạt
động giống hệt như một diode Shockley.

✓ Tuy nhiên, khi cấp một điện áp AC vào hai đầu của DIAC thì nó
hoạt động hoàn toàn khác. Do dòng điện liên tục đảo chiều, các
DIAC sẽ không duy trì ở trạng thái “chốt” lâu hơn một nửa chu kỳ.
Nếu một DIAC bắt đầu “chốt”, nó sẽ chỉ tiếp tục dẫn dòng chừng
nào điện áp đủ lớn để đưa đủ dòng điện theo hướng đó. Khi điện
áp AC đảo chiều, DIAC sẽ ngắt do không đủ dòng điện và nó cần
phải có một điện áp đủ lớn (breakover voltage) khác để khiến nó
dẫn trở lại. 10
 DIAC

Đặc tuyến Volt Ampe

Các DIAC không bao giờ

được sử dụng một mình,
mà thường được sử
dụng kết hợp với các linh
11
kiện Thyristor khác.
 SCR - Silicon-Controlled Rectifier

❖ Cấu tạo: biến đổi từ diode Shockley

12
 SCR - Silicon-Controlled Rectifier
➢ Nguyên lý hoạt động

✓ Nếu cực G của một SCR để hở (không nối) thì nó hoạt động giống như
một điốt Shockley

✓ Do cực G nối trực tiếp với cực gốc của transistor phía dưới, nó có thể
được sử dụng như một phương tiện thay thế để “chốt” SCR

✓ Cung cấp một V nhỏ giữa cực G và catod, transistor phía dưới sẽ buộc
phải “dẫn” do có dòng cực gốc đủ lớn, kéo theo transistor phía trên cũng
dẫn, và nó lại cung cấp đủ dòng điện cho cực gốc của transistor phía
dưới. Kết quả là sau đó SCR không còn cần được kích hoạt bởi một điện
áp cổng nữa

✓ Tất nhiên, dòng cực G cần thiết để khởi động việc “chốt” sẽ nhỏ
hơn rất nhiều so với dòng điện chảy qua SCR từ catod đến anod, do đó
13
SCR sẽ có khả năng khuếch đại
 SCR - Silicon-Controlled Rectifier
➢ Phương pháp buộc SCR dẫn điện được gọi là kích hoạt
(triggering) và là cách thông thường nhất để SCR được “chốt”.

➢ Để tắt một SCR, dòng anod phải giảm xuống dưới dòng giữ
(holding current). Trong các mạch một chiều (DC) một số phụ kiện
thêm vào phải được sử dụng để đảm bảo điều này. Trong các
mạch xoay chiều (AC) một SCR sẽ tắt khi điện áp cung cấp (điện
áp anốt) đi qua điểm 0 hướng tới các giá trị âm

14
 TRIAC
❖ SCR là cấu kiện đơn hướng (một chiều), do đó nó chỉ hữu
ích cho việc điều khiển một chiều (DC). Nếu hai SCR được
nối với nhau theo kiểu song song như hình vẽ 8.34 thì ta có
một cấu kiện mới gọi là TRIAC

15
TRIAC – ĐẶC TUYẾN VOLT AMPE

16
 UJT
❖ Cấu tạo: gồm một thanh bán dẫn Silic loại N có một đầu nối loại P ở
chính giữa. Các đầu nối tại hai đầu cuối của thanh bán dẫn được gọi là
các cực cửa B1 và B2; điểm nối ở giữa loại P là cực phát (emitter). Khi
cực phát hở, điện trở toàn phần là RBB0 (một thông số trong bản thông số
(data sheet) của linh kiện) bằng tổng của hai điện trở RB1 và RB2.

17
 UJT
➢ Đường cong đặc tuyến giữa dòng cực phát đơn nối và điện áp
được mô tả như sau: khi VE tăng, dòng IE tăng đến IP (điểm đỉnh –
peak point).
Sau khi tăng đến điểm đỉnh (IP), trong vùng điện trở âm (negative
reisistance region) dòng IE tăng tiếp mặc dù điện áp giảm. Điện áp
đạt giá trị nhỏ nhất tại điểm đáy (valley point). Điện trở của RB1,
điện trở bão hoà là nhỏ nhất tại điểm đáy

18
 UJT
➢ Dùng để chế tạo bộ tạo dao động hồi phục (relaxation). Điện áp
nguồn cung cấp VBB sẽ nạp điện cho CE qua RE cho đến điểm đỉnh
(peak point). Cực phát đơn nối không có tác động gì đến tụ điện
cho đến khi điểm đỉnh được đạt tới.

➢ Mỗi khi điện áp của tụ (VE) đạt tới điểm điện áp đỉnh VP, điện trở
cực E - cực B1 (E-B1) bị nhỏ đi sẽ khiến tụ phóng một cách nhanh
chóng. Mỗi khi tụ phóng điện đến dưới điểm đáy VV, điện trở E-B1
quay trở lại thành điện trở cao, và tụ điện lại được nạp

19
 UJT
➢ Trong khi tụ phóng điện qua điện trở bão hoà E-B1, một xung có
thể xuất hiện trên các điện trở tải ngoài B1 và B2.
Điện trở tải tại B1 cần phải nhỏ để không ảnh hưởng đến thời
gian phóng điện. Điện trở ngoài tại B2 là tuỳ chọn. Nó có thể
được thay thế bởi một ngắn mạch. Tần số xấp xỉ được cho bởi
1/f = T = RC

➢ Điện trở nạp RE phải giảm đi trong các giới hạn nhất định. Nó buộc
phải đủ nhỏ để cho phép dòng IP chảy dựa trên việc nguồn cung
cấp VBB nhỏ hơn VP. Nó cũng buộc phải đủ lớn để cung cấp dòng IV
dựa trên việc nguồn cung cấp VBB nhỏ hơn VV.

20
 UJT

Bộ tạo dao động hồi phục (relaxation oscillator) dùng UJT và các
dạng sóng. Bộ tạo dao động điều khiển SCR
21
22