Datasheet

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12W2T4_B11
EasyPIM™2BModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode
EasyPIM™2BmodulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4Diode
VorläufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 25 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 39 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 50 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,85 2,25 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,45 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,026 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,026 µs
RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 0,026 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,016 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,02 µs
RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 0,021 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,19 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,28 µs
RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C 0,30 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,18 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,21 µs
RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C 0,22 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 1,60 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 1700 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 2,40 mJ
RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 2,60 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 1,45 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 2,15 mJ
RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C 2,35 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 90 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,75 0,85 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,70 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CM dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS revision:2.1
1
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 25 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 50 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 90,0 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 75,0 A²s

Durchlassspannung IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,75 2,25 V
Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,75 V
IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,75 V
Rückstromspitze IF = 25 A, - diF/dt = 1700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 48,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 50,0 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 52,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 25 A, - diF/dt = 1700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 2,50 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 4,40 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 4,90 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 25 A, - diF/dt = 1700 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,95 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 1,75 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 2,05 mJ
proDiode/perdiode RthJC 1,10 1,20 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,90 K/W
Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 100°C IFRMSM 50 A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 100°C IRMSM 50 A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 450 A
IFSM
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 370 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 1000 A²s
I²t
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 685 A²s

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 25 A VF 0,90 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Reversecurrent
RthCH 0,95 K/W
Tvj op °C
2
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 25 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 39 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 50 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,85 2,25 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,45 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,08 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,08 µs
RGon = 68 Ω Tvj = 150°C 0,08 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,042 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,051 µs
RGon = 68 Ω Tvj = 150°C 0,053 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,34 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,44 µs
RGoff = 68 Ω Tvj = 150°C 0,46 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,18 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,215 µs
RGoff = 68 Ω Tvj = 150°C 0,225 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 3,90 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon 5,00 mJ
RGon = 68 Ω Tvj = 150°C 5,40 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 1,50 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff 2,20 mJ
RGoff = 68 Ω Tvj = 150°C 2,40 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 90 A
proIGBT/perIGBT RthJC 0,75 0,85 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,70 K/W
Tvj op -40 150 °C
3
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
Dauergleichstrom
IF 10 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 20 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 16,0 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 14,0 A²s

Durchlassspannung IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,75 2,25 V
Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,75 V
IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,75 V
Rückstromspitze IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 12,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 10,0 A
Tvj = 150°C 8,00 A
Sperrverzögerungsladung IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,90 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 1,70 µC
Tvj = 150°C 1,90 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,24 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 0,52 mJ
Tvj = 150°C 0,59 mJ
RthCH 1,30 K/W
Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
4
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
AI2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 11,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 200
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
LsCE 30 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 5,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch mΩ
RAA'+CC' 6,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
F 40 - 80 N
mountig force per clamp
Gewicht
G 39 g
Weight
5
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
50 50
Tvj = 25°C VGE = 19V
45 Tvj = 125°C 45 VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
VGE = 13V
40 40 VGE = 11V
VGE = 9V
35 35
30 30
IC [A]
IC [A]
25 25
20 20
15 15
10 10
5 5
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=20Ω,VCE=600V
50 10,0
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
45 Tvj = 125°C 9,0 Eoff, Tvj = 125°C
Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
40 8,0
35 7,0
30 6,0
E [mJ]
IC [A]
25 5,0
20 4,0
15 3,0
10 2,0
5 1,0
0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 10 20 30 40 50
VGE [V] IC [A]
6
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V
12 10
Eon, Tvj = 125°C ZthJH : IGBT
11 Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
10 Eoff, Tvj = 150°C
ZthJH [K/W]
E [mJ]
6 1
2
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585
1 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0 0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=20Ω,Tvj=150°C
55 50
IC, Modul Tvj = 25°C
50 IC, Chip 45 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
40
40
35
35
30
30
IC [A]
IF [A]
25
25
20
20
15
15
10
10
5 5
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VF [V]
7
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=20Ω,VCE=600V IF=25A,VCE=600V
4,0 3,0
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C 2,7 Erec, Tvj = 150°C
3,5
2,4
3,0
2,1
2,5
1,8
E [mJ]
E [mJ]
2,0 1,5
1,2
1,5
0,9
1,0
0,6
0,5
0,3
0,0 0,0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJH=f(t) IF=f(VF)
10 50
ZthJH: Diode Tvj = 25°C
45 Tvj = 150°C
40
35
30
ZthJH [K/W]
IF [A]
1 25
20
15
10
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,166 0,359 0,821 0,654
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 5
0,1 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
t [s] VF [V]
8
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=15V
50 20
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
45 Tvj = 125°C 18 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C Tvj = 150°C
40 16
35 14
30 12
IC [A]
IF [A]
25 10
20 8
15 6
10 4
5 2
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
VCE [V] VF [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
10000
R[Ω]
1000
100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [°C]
9
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
10
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage

Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
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