Professional Documents
Culture Documents
Nhóm6 Piezoelectric Micro Actuator NEW
Nhóm6 Piezoelectric Micro Actuator NEW
VIỆN CƠ KHÍ
BỘ MÔN CƠ SỞ THIẾT KẾ MÁY VÀ ROBOT
---o0o---
Hà Nội, 07/2022
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
4
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
MỤC LỤC
LỜI NÓI ĐẦU.................................................................................................................. 4
DANH MỤC HÌNH VẼ...................................................................................................8
LITERATURE REVIEW: PIEZOELECTRIC ACTUATOR..........................................12
TỔNG QUAN VỀ PIEZOELECTRIC ACTUATOR......................................................12
1.1. Hiệu ứng áp điện (piezoelectric effect)..................................................................12
1.2. Bộ kích hoạt áp điện..............................................................................................14
ĐẶC TRƯNG MỘT SỐ VẬT LIỆU ÁP ĐIỆN VÀ NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG........16
2.1. Vật liệu áp điện.....................................................................................................16
2.1.1. Piezoelectric Single Crystals (Đơn tinh thể áp điện)......................................16
2.1.2. Piezoelectric Ceramics (Gốm áp điện)...........................................................17
2.1.3. Piezoelectric Polymers (Polyme áp điện).......................................................18
2.2. Nguyên lý hoạt động của gốm áp điện..................................................................20
PHÂN LOẠI, ƯU NHƯỢC ĐIỂM VÀ ỨNG DỤNG CỦA THIẾT BỊ ÁP ĐIỆN..........22
3.1. Multilayer (stack) actuators...................................................................................22
3.2. Bimorph (bender) actuators...................................................................................24
3.3. Stick-slip actuators................................................................................................27
3.3.1. Tổng quan về Stick-Slip actuators..................................................................27
3.3.2. Một số các hiện tượng của cơ cấu Stick-Slip..................................................30
3.4. Tube actuators.......................................................................................................31
3.5. Bulk actuators........................................................................................................33
TÍNH TOÁN THIẾT BỊ ÁP ĐIỆN..................................................................................35
4.1. Bộ kích hoạt áp điện ngăn xếp...............................................................................35
4.2. Bimorph (bender) actuators...................................................................................37
4.3. Stick-slip actuators................................................................................................39
4.4. Bộ kích hoạt ống áp điện.......................................................................................40
MÔ HÌNH HÓA BỘ VI ÁP ĐIỆN...................................................................................42
5.1. Mô hình hóa bộ thiết bị truyền động ngăn xếp......................................................42
5.1.1. Các mô hình thiết bị truyền động ngăn xếp....................................................42
5
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
6
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
7
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
8
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
9
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 54. Vận tốc của bậc các tải ngoài khác
nhau……………………………………….69
Hình 55: Cấu tạo của cơ cấu chấp
hành………………………………………………......71
Hình 56: Nguyên lý chuyển động của cơ cấu uốn hình chiếc ô………………………….72
Hình 57: Nguyên lý hoạt động của bộ truyền động áp điện tuyến tính hình chiếc ô được
đề
xuất……………………………………………………………………………………….73
Hình 58: Hệ thống thí nghiệm……………………………………………………………
73
Hình 59: Mối quan hệ giữa điện áp đầu vào và độ dịch chuyển…………………………74
Hình 60: Mối quan hệ giữa tần số đầu vào và độ dịch chuyển bước khi U= 120V………
75
Hình 61: Mối quan hệ giữa độ dịch chuyển bước và tải trong trường hợp U =120 V và f =
1Hz……………………………………………………………………………………….75
10
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
11
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
12
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Về bản chất, hiệu ứng áp điện được giải thích bằng sự dịch chuyển của các ion trong
các tinh thể. Khi tinh thể bị nén, các ion trong mỗi ô đơn vị bị dịch chuyển, gây ra hiện
tượng phân cực điện ở mỗi ô đơn vị. Những hiệu ứng này tích tụ, gây ra sự chênh lệch
điện thế giữa các mặt của tinh thể. Khi một điện trường bên ngoài được đặt vào tinh thể
và các ion trong mỗi ô đơn vị được chuyển dịch bởi lực tĩnh điện, dẫn đến biến dạng cơ
học của toàn bộ tinh thể. Hiện tượng áp điện thuận được phát hiện đầu tiên ở trong các
tinh thể ngoài tự nhiên, nhiều nhất là thạch anh. Về sau người ta cũng tìm thấy hiệu ứng
này ở trong gốm sứ, gần đây là polyme.
Ngày nay hiện tượng áp điện được ứng dụng rất rộng rãi trong kỹ thuật phục vụ cho
cuộc sống hàng ngày như: máy bật lửa, cảm biến, máy siêu âm, điều khiển góc quay nhỏ
gương phản xạ tia lade, các thiết bị, động cơ có kích thước nhỏ, hiện nay người ta đang
phát triển nhiều chương trình nghiên cứu như máy bay bay đập cánh như côn trùng, cơ
nhân tạo, cánh máy bay biến đổi hình dạng, phòng triệt tiêu âm thanh, các cấu trúc thông
minh, hầu hết các máy in hiện nay... một trong những ứng dụng quan trọng hiện nay
trong kỹ thuật là dùng làm động cơ piezo.
Phân tích một số ứng dụng của hiệu ứng áp điện:
+ Hiệu ứng áp điện nghịch :1 sự dịch chuyển nhỏ có thể được tạo ra bằng cách áp một
điện trường cho vật liệu áp điện. Thị trường hiện tại có nhu cầu về kỹ thuật chính xác tiên
tiến cho nhiều loại bộ truyền động có thể điều chỉnh vị trí chính xác (thiết bị định vị vi
mô), triệt tiêu các rung động tiếng ồn (bộ giảm chấn) và điều khiển các vật thể một cách
linh hoạt (động cơ siêu âm). Các thiết bị này được sử dụng trong các lĩnh vực, bao gồm
quang học, thiên văn học, kiểm soát chất lỏng và máy móc chính xác. Các biến áp điện
gây ra bởi một điện trường được sử dụng cho các ứng dụng cơ cấu vận hành máy móc.
+ Nguồn điện và điện áp cao: Một ví dụ về các ứng dụng trong lĩnh vực này là bật lửa
thuốc lá điện, trong đó việc nhấn một nút khiến một chiếc búa có lò xo đập vào một tinh
thể áp điện, do đó tạo ra một điện áp đủ cao để dòng điện chạy qua một khe hở tia lửa
nhỏ, làm nóng và đốt cháy khí. Hầu hết các loại đầu đốt và dãy gas đều có hệ thống phun
dựa trên piezo được tích hợp sẵn. (hình 3a)
+ Cảm biến: Nguyên tắc hoạt động của cảm biến áp điện là thay đổi kích thước vật lý,
được biến đổi thành lực, sau đó tác động lên hai mặt đối lập của phần tử cảm biến. Việc
phát hiện các biến đổi áp suất dưới dạng âm thanh là ứng dụng phổ biến nhất, được thấy
trong các micro áp điện và bộ thu áp điện cho guitar khuếch đại điện. Đặc biệt, cảm biến
áp điện được sử dụng với âm thanh tần số cao trong các đầu dò siêu âm cho hình ảnh y tế
và kiểm tra không phá hủy. (hình 3b)
13
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 3 (a) ứng dụng vào bật lửa (b) ứng dụng cảm biến để đo âm thanh,
lực,..
Trích nguồn: wikipedia; application of Piezoelectric Effect.
1.2. Bộ kích hoạt áp điện.
Bộ kích hoạt áp điện (Hình 3) là thiết bị hoạt động dựa trên hiệu ứng áp điện ngược, đặt
một điện áp lên nó sẽ sinh ra một sự dịch chuyển và khi có rung động, nó sẽ tạo ra một
điện áp. Bộ kích hoạt áp điện là một bộ kích hoạt vi dịch chuyển hoàn hảo và có thể điều
khiển được, được dẫn động bằng điện trường. Bộ kích hoạt áp điện có tốc độ đáp ứng rất
cao, thể tích nhỏ, khối lượng tương đối nhỏ và nhiệt lượng ít. Hiệu suất tuyệt vời của bộ
kích hoạt áp điện làm cho nó có tiềm năng đáng kể trong lĩnh vực điều khiển tích cực.
So với các bộ kích hoạt truyền thống, bộ kích hoạt áp điện có các ưu điểm:
+ Tiêu thụ điện năng thấp: Hiệu ứng áp điện chỉ chuyển đổi trực tiếp năng lượng điện
thành chuyển động cơ học trong quá trình di chuyển. Có khả năng hoạt động tĩnh, ngay
cả khi giữ tải nặng, không tiêu tốn điện năng.
+ Khuếch đại nhanh chóng: Bộ kích hoạt áp điện cung cấp thời gian phản hồi nhanh nhất
hiện có (cỡ micro giây). Gia tốc có thể tương đương 10 lần gia tốc trọng trường.
+ Không bị hao mòn: Bộ kích hoạt áp điện không có bánh răng hay trục quay. Sự dịch
chuyển của nó dựa trên động lực học ở trạng thái rắn, vì thế không bị ăn mòn. Các nhà
14
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
khoa học đã tiến hành kiểm tra độ bền trên bộ kích hoạt áp điện và thấy hiệu suất không
đổi sau vài tỷ chu kỳ .
Bộ kích hoạt áp điện có các đặc điểm: định hướng lưỡng cực, hoạt động theo nguyên lý
trường điện từ, mật độ năng lượng 10 6 J/m-3, tần số dao động cỡ 100 kHz, các chế độ hoạt
động phụ thuộc vào hướng của điện trường và khả năng biến dạng khoảng 0.12-0.15% .
15
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
16
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
tinh thể thạch anh,… Được biết, gốm KNN có tiềm năng thay thế các vật liệu dựa trên
PZT, nhưng tính chất áp điện của nó kém hơn. Zheng và cộng sự đã tạo ra một tinh thể
đơn áp điện KNNT được phân cực cùng với kích thước lớn 12 × 11 × 11 mm 3 và hệ số
ghép cơ điện lớn k33 = 0,827, kt = 0,646, và tanδ = 0,004.
2.1.2. Piezoelectric Ceramics (Gốm áp điện).
Gốm áp điện mềm (Soft Ceramics)
Gốm áp điện mềm có các hệ số d33, kp, Sij tương đối cao nhưng giá trị Qm thấp.
Chúng cho thấy một tiềm năng vô cùng lớn trong lĩnh vực truyền động không tương tác.
Một số loại gốm mềm bao gồm gốm PZT như PZT 5A (gốm thương mại),
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PMN-PT), Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3- PbZrO3 (PZN-PZT),
Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3- PbZrO3 (PNN-PZT), gốm không pha chì (Na 1/2K1/2), NbO3
(KNN), BaTiO3 (BT), (Na1/2Bi1/2)TiO3 (NBT).
Gốm PMN-PT đã được nghiên cứu rộng rãi bởi tính chất đáng chú ý của chúng.
Có rất nhiều phương pháp được thực hiện nhằm nâng cao tính chất của gốm PMN-PT, ví
dụ như pha trộn thêm một số nguyên tố. D.Wang đã thêm Pb(Ni 1/3Nb2/3)O3 vào gốm
PMN-PT và đã tìm ra hình thái của biên pha (morphotropic phase boundary) với đặc tính
tối ưu tại Tc = 245o C, d33 = 450 pC/N và kp = 49%. Gần đây, H. Li đã tổng hợp gốm
PMT-PT với hệ số áp điện cực cao d33 = 1500 pC/N nhưng ở nhiệt độ thấp (89o C).
PZN-PZT và PNN-PZT cũng đang được nghiên cứu rộng rãi. Sự khuếch tán nhiệt
pha của PZN vào khoảng 140o C. Thành phần tối ưu của PZN vào khoảng 0.5PZN-
0.5Pb(Zr0.47Ti0.53)O3 tại d33 = 430 pC/N, kp = 0.67, Pr = 27 µC/cm2 và Tc ≈ 250o C. Các
nhà nghiên cứu đã sử dụng nhiều phương pháp khác nhau để cải thiện các hệ số trên. H.
Li và các cộng sự đã tìm ra được ranh giới pha nằm trong khoảng lân cận của x = 0.3, d 33
≈ 550 pC/N, kp ≈ 0.69, ɛr = 2327, Tc ≈ 325 o C. Zheng nâng cao hiệu quả của gốm PZN-
PZT sử dụng nghiền bi động năng cao và cho kết quả là các hạt gốm mịn tại d 33 = 380
pC/N và kp = 0.49. Hơn nữa, một số tạp chất đã được báo cáo, ví dụ như LiCO 3 và Sm2O3
để kết tinh nhiệt độ thấp, La2O3 để tăng độ phân cực, PNN để nâng cao d 33. J. Du nghiên
cứu gốm 0.5PNN-0.135PZ-0.315PT với tính chất điện tốt d 33 = 1070 pC/N, kp = 0.69 và
ɛr = 8710. Các đặc điểm đang chú ý của PNN-PZT đến từ 3 điểm tại cấu trúc hình thoi, tứ
diện, lập phương dẫn đến hằng số điện môi cao. Hơn nữa, nhiệm vụ tối ưu các thuộc tính
của gốm PNN-PZT đã được hoàn thành bằng cách thêm vào như Fe 2O3, Sm2O3, Lu2O3,
Pb(In1/2Nb1/2)O3, Pb(Mg1/2W1/2)O3, Pb(Sb1/2Nb1/2)O3, Pb(Fe2/3W1/3)O3, …
Gốm áp điện không pha chì thu hút được rất nhiều nhà nghiên cứu. Đó là loại vật
liệu đang phát triển nhanh chóng và một số trong gốm áp điện không có chì có thể so
sánh với gốm áp điện có chì. Trong số đó, KNN và BNT thu hút được rất nhiều sự quan
tâm. Y. Saito công bố gốm KNN với d 33 = 416 pC/N. Năm 2019, hệ số áp điện d 33 = 650
17
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
pC/N được công bố. H.Li chế tạo một loại gốm công nghệ cao với d 33 = 700 pC/N và kp =
76%. Tuy nhiên, một vấn đề lớn đặt ra đối với gốm KNN là làm thế nào để tạo ra cấu trúc
như mong muốn vì có sự bay hơi trong quá trình kết tinh. Một vấn đề đối với gốm BNT
là nó không dễ bị phân cực..
Gốm cứng (Hard Ceramics)
Gốm cứng có đặc điểm là Qm cao (yếu tố cơ học) và tổn hao thấp về cả cơ và điện.
Do đó, chúng có rất nhiều ứng dụng trong máy biến áp áp điện, động cơ áp điện, cảm
biến siêu âm, … Khi đặt một điện áp xoay chiều cao vào thiết bị, gốm cứng có thể hạn
chế việc tổn thất năng lượng điện biến thành năng lượng nhiệt do các đặc tính cơ điện.
Pb(Mn1/3Sb2/3)O3 -PZT (PMS-PZT) và Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-PZT(PMnN-PZT) là 2
loại gốm áp điện cứng được sử dụng rộng rãi. Chúng có các đặc tính của gốm cứng điển
hình với Qm > 1000 và tanδ < 1%. Các đặc trưng tối ưu của nó là d 33 = 374 pC/N, kp =
0.6, Qm = 1250, tanδ = 0.41%. Một số thành phần bao gồm Pb(Mg 1/3Ta2/3)O3 và
Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 - Pb(Sn1/3Nb2/3)O3 đã được giới thiệu trong hệ thống PMS-PZT và đạt
được kết quả Qm = 1500. Một loại gốm áp điện khác là PMnN-PZT được nghiên cứu bởi
H.Chen cho kết quả d33 = 307 pC/N, kp = 0.55, Qm = 2379. X. Gao đã hạ thấp nhiệt độ
nóng chảy bằng cách thêm CuO và đạt được kết quả k p = 0.47, Qm = 1300, tanδ = 0.4%
và nhiệt độ kết tinh thấp hơn 930o C.
Gốm nhiệt độ cao (High Template Ceramics)
Một số cơ cấu truyền động hoạt động trong những môi trường khắc nghiệt và nhiệt
độ cao, ví dụ như lò phản ứng hạt nhân. Các nhà khoa học vẫn đang tìm kiếm một loại
gốm áp điện chịu được nhiệt độ cao để sử dụng trong các cơ cấu truyền động áp điện và
động cơ.
Năm 2001, R.E.Eitel nghiên cứu một loại gốm mới gọi là Bi(Me)O 3-PbTiO3 và
ranh giới pha với Tc = 450o C. BiScO3-BiGaO3-PbTiO3 là một đơn tinh thể có tổn thất
điện môi là 0.3% tại điều kiện thử nghiệm có tần số dao động là 1kHz.
2.1.3. Piezoelectric Polymers (Polyme áp điện).
Đặc điểm của polyme áp điện
Các đặc tính của polyme rất khác biệt so với các chất vô tổ chức (Bảng 1) đến nỗi chúng
có đủ điều kiện duy nhất để lấp đầy các khu vực ngách nơi các tinh thể đơn và gốm
không có khả năng hoạt động hiệu quả. Như đã lưu ý trong Bảng 1, hằng số biến dạng áp
điện (d31) của polyme thấp hơn của gốm. Tuy nhiên, các polyme áp điện có hằng số ứng
suất áp điện cao hơn nhiều (g 31) cho thấy rằng chúng là cảm biến tốt hơn nhiều so với
gốm sứ. Cảm biến và thiết bị truyền động cao phân tử áp điện mang lại lợi thế về tính
18
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
linh hoạt trong quá trình xử lý vì chúng có trọng lượng nhẹ, dẻo dai, dễ dàng sản xuất
thành các khu vực lớn và có thể được cắt và tạo thành các hình dạng phức tạp. Polyme
cũng thể hiện độ bền cao và khả năng chống va đập cao.
Các tính năng đáng chú ý khác của polyme là hằng số điện môi thấp, độ cứng đàn
hồi thấp và mật độ thấp, dẫn đến độ nhạy điện áp cao (đặc tính cảm biến tuyệt vời) và trở
kháng cơ học và âm học thấp (rất quan trọng đối với các ứng dụng y tế và dưới nước).
Polyme cũng thường có độ đánh thủng điện môi cao và cường độ trường hoạt động cao,
có nghĩa là chúng có thể chịu được trường động lực cao hơn nhiều so với gốm sứ.
Polyme cung cấp khả năng tạo hình các điện cực trên bề mặt phim và chỉ các vùng được
chọn cực. Dựa trên các tính năng này, polyme áp điện có khu vực thiết lập riêng cho các
ứng dụng kỹ thuật và cấu hình thiết bị hữu ích.
Bảng 1: So sánh đặc tính đối với vật liệu polyme áp điện và vật liệu gốm tiêu chuẩn
d31a g31a k31 Tính năng nổi bật
(pm/V) (mV-m/N)
Polyvinylideneflouride 28 240 0.12 linh hoạt, nhẹ, âm
(PVDF) thanh thấp.
Lead Zirconium Titanate 175 11 0.34 giòn, nặng, độc hại.
(PZT)
19
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Khả năng của vật liệu chịu biến dạng lớn khi ứng suất cơ học.
2.2. Nguyên lý hoạt động của gốm áp điện.
a. Đặc trưng cơ học
Bây giờ hãy xem xét một gốm áp điện có độ dày e chịu một điện trường (E = V/e,
trong đó V là hiệu điện thế do nguồn điện tạo ra trên gốm). Sau đó đây là trường hợp của
phân cực nghịch, và do đó gốm chịu biến dạng do hiệu ứng này gây ra, biểu thức là hàm
của điện trường đặt vào E (tính bằng V/m):
S = d.E
Trong đó S là độ biến dạng sinh ra bởi hiệu ứng áp điện và d (m/V) là hằng số biến
dạng áp điện.
Tuy nhiên, biến dạng này không phải là biến dạng duy nhất mà mẫu trải qua. Các
biến dạng cũng phải được xem xét, do các lực cơ học khác nhau. Biểu thức cho tổng biến
dạng được trải qua bởi mẫu được đề cập:
S = d.E + s.T
trong đó s (m2/N) là tuân thủ đàn hồi (nghịch đảo của module Young của gốm) và T
(N/m2) là ứng suất do ngoại lực tác động lên mẫu [3].
b. Sự dịch chuyển điện tích
Một đặc tính quan trọng khác của vật liệu áp điện là chúng là chất điện môi. Do
đó, có sự dịch chuyển của điện tích, mà chúng ta sẽ gọi là mật độ điện tích D (C / m 2),
trong chất điện môi bất cứ khi nào nó tiếp xúc với một điện trường. Do đó, trong trường
hợp của mẫu chúng ta đã thảo luận ở trên, chúng ta có thể viết biểu thức cho sự dịch
chuyển điện trong mẫu như sau:
D = ϵ.E
Với (F/m) là môi trường điện môi của vật liệu ceramic trong trường hợp này, lưu
ý rằng giá trị sau có thứ tự từ 10-9 đến 10-12 F/m đối với chất điện môi.
Tuy nhiên, mẫu này sẽ phải chịu tác động của bên ngoài. Do đó, thực tế là gốm
được đề cập là áp điện sẽ dẫn đến tạo ra sự dịch chuyển điện thông qua hiệu ứng áp điện
trực tiếp, mà biểu thức tỷ lệ với ứng suất tác dụng T:
D = d.T
trong đó d tính bằng đơn vị C/N, tương đương với (định nghĩa của cường độ điện trường)
V/m4
Vì vậy ta tìm thấy biểu thức cho tổng dịch chuyển điện trong một vật liệu áp điện là:
D = ϵ.E + d.T
20
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Do đó, thấy được sự khác biệt giữa tuân thủ đàn hồi trong ngắn mạch, ở đây viết là sE và
khi mạch hở sẽ viết là sD:
(1.12)
Cuối cùng, ta thu được biểu thức chung
21
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
22
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 5 Cơ chế khuếch đại thủy lực bằng bộ kích hoat áp điện ngăn xếp
Cũng trong (H Zhou, B Henson, A Bell, A Blackwood, 2001) Zhou đã mô tả động cơ
truyền động bằng quán tính dựa trên các ứng dụng của bộ kích hoạt ngăn xếp.
23
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 7 Cơ cấu kẹp của Zheng Li (bên trái) và Das (bên phải)
3.2. Bimorph (bender) actuators.
Thuật ngữ bimorph được sử dụng phổ biến nhất với bimorphs áp điện. Trong các
ứng dụng thiết bị truyền động, một lớp hoạt động co lại và lớp kia mở rộng nếu điện áp
được đặt vào, do đó, hai lớp uốn cong. Trong các ứng dụng cảm biến , uốn cong lưỡng
24
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
hình tạo ra điện áp, ví dụ có thể được sử dụng để đo độ dịch chuyển hoặc gia tốc. Chế độ
này cũng có thể được sử dụng để thu năng lượng (W Al-Ashtari, M Hunstig, T Hemsel,
2013). Vật liệu áp điện cũng thường được tìm thấy ở dạng một lớp kép. Hướng phân cực
của hai lớp là như nhau. Điện áp đặt vào các cực của lớp trên ngược với điện áp đặt vào
lớp dưới.
25
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 9 Cấu trúc bimorph, unimorph và triple layer benders, (a) bimorph bender trong
chuỗi kết nối, (b) bimorph bender trong kết nối song song, (c) triple layer bender, (d)
unimorph bender, (e) thiết bị cầu vồng (QM Wang, X Du, B Xu, LE Cross, 1999)
Ngay trong năm nay Zhang và nhóm của ông đã phát triển động cơ quay quán tính hai
bậc tự do được đề xuất sử dụng bộ kích hoạt áp điện hai chiều (PEA) (S Zhang, Y Liu, J
Deng, X Tian, X Gao, 2021). Các tấm áp điện được chồng lên nhau hai lớp với hai bộ áp
điện được kích hoạt trái hướng sẽ làm cho chân đỡ khối cầu dịch chuyển theo trục x, đối
với trục y cũng được lắp một bộ tương tự, kết quả là cơ cấu này có thể di chuyển được
theo hai hướng vuông góc nhờ việc di chuyển của khối cầu. Quá trình mô tả chuyển động
của chân đỡ khối cầu nhơ các tấm áp điện được diễn tả trên hình 12.
Hình 10 Động cơ quay quán tính hai bậc tự do và sự bố trí các tấm bimorph piezo (S
Zhang, Y Liu, J Deng, X Tian, X Gao, 2021)
26
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 11 Mô tả nguyên lý hoạt động của động cơ của Zhang (S Zhang, Y Liu, J Deng, X
Tian, X Gao, 2021)
3.3. Stick-slip actuators.
3.3.1. Tổng quan về Stick-Slip actuators.
Nếu xét hiện tượng này trong các hệ trượt macro, dính-trượt bị coi là yếu tố gây
nhiễu. Do đó đã có rất nhiều mô hình, công cụ phân tích và các phương pháp ổn định
được phát triển để điều khiển các hệ động lực học với ma sát. Nhưng trong các hệ micro,
hiện tượng này có thể được tận dụng để thành một nguyên lý kích hoạt, gọi là chuyển
động dính-trượt. Nếu các lực tác động lên phần tử chấp hành (PTCH) có thể được điều
khiển cả về độ lớn lẫn phương chiều thì hoàn toàn có thể thu được chuyển động dính-
trượt lặp đi lặp lại theo một hướng định sẵn.
27
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
dạng răng cưa bao gồm hai pha: pha tăng chậm và pha giảm nhanh. Tín hiệu điện được
đưa vào PTKH khiến cho những điểm tiếp xúc sẽ chuyển vị theo dạng tín hiệu điện.
Chính vì thế, trong một chu kì, PTKH sẽ có hai trạng thái: dãn chậm và co lại nhanh. Pha
tăng chậm được thể hiện trong hình 1.2b, khi này PTCH cùng di chuyển với PTKH, do
chuyển động chậm nên lực do quán tính của PTCH nhỏ hơn nhiều so với lực ma sát tĩnh
giữa hai phần tử nên độ dịch chuyển của hai phần tử là như nhau. Pha này còn được gọi
là pha dính. Trong hình 9.2c, PTKH co lại nhanh, gia tốc lớn dẫn tới sau một khoảng thời
gian xác định, lực quán tính của PTCH lớn hơn lực ma sát tĩnh. Trong pha này, ở một
khoảng thời gian xác định ban đầu, hai phần tử vẫn dính với nhau do lực quán tính chưa
đủ lớn kết hợp với các yếu tố như độ nhấp nhô bề mặt, vật liệu là không cứng tuyệt đối –
tạo ra một khoảng dịch chuyển gọi là bước lùi (back step). Sau đó, khi lực quán tính đủ
lớn, PTCH không theo kịp chuyển động của PTKH và bị trượt trên phần tử này. Do đó,
pha giảm nhanh còn gọi là pha trượt. Sau một chu kì dính-trượt, PTCH thực hiện được
một bước dịch chuyển/chuyển vị.
Mỗi bước chuyển vị thu được sau mỗi chu kì là rất nhỏ do giới hạn về độ biến
dạng của vật liệu áp điện, tuy nhiên, theo lý thuyết thì khoảng làm việc của thiết bị là
không giới hạn. Hơn thế nữa, khi làm việc ở chế độ quét (Scaning mode), độ dịch chuyển
nhỏ đem lại nhiều ưu điểm khi đáp ứng được yêu cầu độ chính xác cao. Một vài cơ cấu
tương tự có thể kể đến mô hình của Zhang (Y Zhang, Y Peng, Z Sun, H Yu, 2018) thiết
kế năm 2018 và mô hình của Xu (Z Xu, H Huang, J Dong, 2020) thiết kế năm 2020 với
đặc điểm là sử dụng cơ cấu tam giác để gây chuyển động. Nguyên lý của cơ cấu là trình
kẹp chặt trong giai đoạn' stick' và một hành động giải phóng trong giai đoạn 'slip' (Y
Zhang, Y Peng, Z Sun, H Yu, 2018). Ngoài ra có thể sử dụng các cơ cấu khớp mềm như
hình 12.Sự co giãn của vật liệu áp điện làm cho thanh trượt dính và trượt đi một đoạn ∆s
sự lặp lại của các bước này sẽ làm cơ cấu di chuyển.
28
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 13 Mô hình Stick-slip actuator của Zhang (Y Zhang, Y Peng, Z Sun, H Yu, 2018)
29
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 15 Biến dạng của các nhấp nhô và chuyển vị đầu dưới tác dụng của ngoại lực
Khi tác dụng lực pháp tuyến và lực tiếp tuyến lên hai vật để chúng tiếp xúc với nhau,
luôn xuất hiện những tiếp xúc tế vi giữa các nhấp nhô tại bề mặt tiếp xúc (Hình 15a). Ở
chế độ ma sát chuyển vị đầu, lực giữ giữa các nhấp nhô chiếm ưu thế do vậy lực ma sát
giống như một hàm của chuyển vị hơn là của vận tốc. Điều này là do các nhấp nhô biến
dạng đàn hồi dẻo, phụ thuộc vào tải đặt lên từng cặp nhấp nhô tiếp xúc, khiến chúng có
ứng xử giống như các lò xo phi tuyến (hình 15b). Biến dạng đàn hồi gây ra dịch chuyển
chuyển vị đầu, trong khi biến dạng dẻo gây ra ma sát tĩnh, khi lực tiếp tuyến F e tăng đến
một mức độ nào đó, các dịch chuyển chuyển vị đầu cũng sẽ tăng theo khiến cho các tiếp
xúc nhấp nhô bị phá vỡ, từ đó dẫn tới hiện tượng trượt hoàn toàn. Sau đó ma sát sẽ
chuyển sang chế độ trượt, lực ma sát trở thành hàm theo vận tốc. Tại thời điểm chuyển
giữa hai chế độ ma sát, lực ma sát có giá trị F ba (còn gọi là lực tới hạn/break away force)-
khi lực tiếp tuyến Fe lớn hơn Fba thì sẽ gây ra chế độ ma sát trượt; đồng thời, giá trị
chuyển vị chuyển vị đầu tối đa trước khi các tiếp xúc nhấp nhô bị phá vỡ được gọi là
khoảng tới hạn - zba
b. Hiện tượng biên độ 0
Cụm từ “Biên độ 0” biểu thị biên độ biến dạng nhỏ nhất của “Phần tử kích hoạt”
(bằng vật liệu áp điện) mà không gây ra chuyển động cho “phần tử chấp hành”. Nói cách
khác, dưới mức biên độ này, chuyển vị tương đối giữa hai phần tử không thể vượt qua
được các biến dạng tiếp xúc mà phần tử chấp hành chỉ dao động quanh vị trí ban đầu do
biến dạng đàn hồi của các nhấp nhô bề mặt tại vùng tiếp xúc. Hình dưới mô tả chuyển vị
của phần tử chấp hành với các giá trị biên độ kích hoạt khác nhau, từ đó cho ta thấy rõ
hiện tượng biên độ 0.
30
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 16 Quan hệ giữa độ lớn biên độ dao động và độ lớn bước dịch chuyển của PTCH
Khi giá trị biên độ đạt tới 16nm, PTCH bắt đầu dịch chuyển, trong trường hợp này, Biên
độ 0 có giá trị bằng 16nm. Giá trị biên độ liên quan tới mức điện áp cấp vào, vì vậy giá trị
điện áp tương đương giá trị biên độ 0 được gọi là giá trị điện áp điều khiển tối thiểu. Hiểu
biết về hiện tượng này giúp cải thiện và tối ưu hiệu suất của các thiết bị, ví dụ: tối thiểu
hóa được biên độ 0 sẽ giúp giảm mức điện áp tối thiểu cấp vào, từ đó giảm bớt được chi
phí liên quan tới vật tư [17].
c. Hiện tượng vi dao động
Hiện tượng vi dao động sau pha trượt cũng được giải thích qua chế độ ma sát
chuyển vị đầu, sau khi kết thúc pha trượt, các liên kết giữa các nhấp nhô được hình thành
trở lại khi giá trị biên độ nhỏ hơn hoặc bằng biên độ 0. Do đó, ở pha dính, PTCH chuyển
động dưới tác động của lực ma sát chuyển vị đầu. Do các tiếp xúc tế vi biến dạng đàn hồi,
chúng ứng xử giống các lò xo có biến dạng ban đầu. Điều này khiến PTCH dao động như
trong một hệ khối lượng-lò xo-cản. Các vi dao động này sẽ được dập tắt sau một khoản
thời gian. Tuy nhiên nếu thiết bị hoạt động ở tần số cao, những vi dao động này có thể
chưa được dập tắt hoàn toàn trước khi pha trượt tiếp theo bắt đầu. Điều này sẽ gây ra sự
hỗn loạn trong chuyển vị của PTCH và hiệu suất thiết bị. Do vậy các phương pháp giảm
vi dao động là vô cùng cân thiết. Trong thực tế, dao động của PTKH cũng góp phần gây
ra vi dao động, nên nếu lựa chọn vật liệu cho PTKH có độ cứng cao hơn nhiều so với độ
cứng của tiếp xúc, vi dao động sẽ chỉ bị gây ra bởi biến dạng đàn hồi tại các tiếp xúc là
chủ yếu.
31
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
32
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 18 Cơ cấu 2 bậc tự do, 3 bậc tự do, và toàn bậc do bằng vật liệu áp điện [18]
3.5. Bulk actuators.
Các cơ chế khác có thể được sử dụng cho các thành phần hoạt động nhưng việc sử
dụng bộ kích hoạt màng áp điện là rất phổ biến. Việc thiết lập thông thường của một bộ
kích hoạt màng, trong đó tấm áp điện được phân cực theo chiều dày, sử dụng hiệu ứng áp
điện ngang. Đặt điện áp điều khiển vào hai điện cực bề mặt trên mỗi mặt của màng áp
điện dẫn đến biến dạng co lại trong mặt phẳng làm việc, vuông góc với hướng phân cực,
do hiệu ứng áp điện. Mặc dù thiết kế này thích hợp cho nhiều ứng dụng, nhưng hiệu ứng
này là đẳng hướng trong mặt phẳng cơ cấu truyền động và không cho phép tách các biến
dạng dọc và ngang, điều này có thể cần thiết cho một số ứng dụng. Hiệu ứng ngang cũng
yếu hơn (khoảng 50%) so với hiệu ứng áp điện sơ cấp, xảy ra theo hướng phân cực. Có
nhiều con đường khác nhau đến thiết bị truyền động IDE áp điện, dựa trên màng áp điện
số lượng lớn hoặc vật liệu composite với sợi áp điện. Cả hai khái niệm đều được trình
bày sau đây.
33
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
34
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
35
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
(3.1)
(3.2)
(3.3)
Trong đó:
(3.4)
(3.5)
Vì các lớp nằm trong một chuỗi, nên tổng dịch chuyển X của cơ cấu chấp hành là tổng độ
giãn dài của mỗi lớp:
(3.6)
36
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Đặc biệt lưu ý là hành trình tự do (chuyển động của cơ cấu chấp hành khi không có ứng
suất nào được tác dụng) và lực chặn (lực do cơ cấu truyền động tạo ra khi nó được giữ ở
vị trí không biến dạng)
Hình 23 Đặc tính tĩnh của thiết bị truyền động ngăn xếp áp điện (XLi và FBi là hành
trình tự do và lực chặn đối với điện áp Vi, i = 1, 2, 3)
4.2. Bimorph (bender) actuators.
Vật liệu áp điện cũng thường được tìm thấy ở dạng một lớp màng kép (xem Hình
30). Hướng phân cực của hai lớp là như nhau. Điện áp áp dụng cho các thiết bị đầu cuối
của lớp trên ngược lại với áp dụng cho lớp dưới.
37
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
38
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
s11E L3 d13 L2
4. F 3. V
wt 3 t2 (3.9)
d13 L2
L 3. V
t2 (3.10)
d13 wt
FB V
s11E L (3.11)
4.3. Stick-slip actuators.
Một bộ kích hoạt chống trượt có thể hoạt động ở hai chế độ khác nhau: một chế độ
bước cho hành trình vĩ mô (vài cm với vận tốc vài mm / giây) và một chế độ quét cho các
vị trí vi mô có độ phân giải cao (vài chục nanomet đến một vài micromet, với độ phân
giải nanomet).
Hình 27 Nguyên tắc hoạt động ở chế độ bước [BRE 98]
Trong chế độ đầu tiên, một bước liên quan đến sự biến dạng chậm của bàn chân, tiếp theo
là trở lại nhanh chóng trở lại theo hướng ngược lại. Trong giai đoạn chậm, khối lượng
theo sau chuyển động của bàn chân nhờ ma sát “dính”, trong khi quán tính của nó ngăn
cản nó sau giai đoạn quay trở lại nhanh chóng của chúng “trượt”. Khi một sự dịch chuyển
của kích thước nhỏ hơn một bước được yêu cầu, bàn chân được biến dạng từ từ để tránh
bất kỳ trượt ở tất cả. Đây là chế độ quét. Có thể sử dụng kết hợp hai chế độ này để có
được khoảng cách dịch chuyển dài mà vẫn giữ được độ phân giải nanomet.
Tóm lại, cơ cấu truyền động chống trượt được đặc trưng bởi các điểm sau:
- Độ phân giải vài nanomet (<5 nm) cho các hành trình theo bậc của một cm với
vận tốc vài mm trên giây (2–5mm / s).
39
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
(3.12)
(3.13)
Với:
(3.14)
(3.15)
Kết quả được đưa ra là
40
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
(3.16)
(3.17)
(3.18)
(3.19)
Ta có:
(3.20)
Với:
(3.21)
Và:
(3.22)
(3.23)
(Osamah M. El Rifai, and Kamal Youcef-Toumi, 2004 ) Chuyển vị u3p (z, t) có thể được
tìm thấy bằng Fourier nghịch đảo
biến đổi được đưa ra bởi:
(3.24)
41
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Mô hình đồ thị trái phiếu, được phát minh bởi H. Paynter vào cuối năm 50 tại MIT là
một kỹ thuật mô hình đồ họa, tập trung vào dòng điện trong hệ thống, có thể thông
qua các miền khác nhau. Có ba miền được xem xét trong mô hình đồ thị liên kết
chung của Rodriguez – Fortun. Các miền điện và cơ học vĩ mô được nối với nhau
thông qua miền 'phân cực'. Để mô hình hóa bộ truyền động ngăn xếp, chúng ta có thể
giả định rằng tất cả các lớp mà nó bao gồm có các đặc tính giống nhau và do đó chúng
ta có thể xem xét mô hình của lớp áp điện được mô tả trong Hình 5.2 để đại diện cho
toàn bộ ngăn xếp áp điện. Các phần tử tích lũy năng lượng 𝐶c và 𝐶p có thể được kết
hợp thành một được ký hiệu là 𝐶nl. 𝐶p đại diện cho điện dung của piezoceramics và
𝐶c đại diện cho sự kết hợp tích lũy năng lượng phi tuyến giữa các miền điện và cơ học
của vật liệu piezo
Đồ thị bond dựa trên mô hình này được thể hiện trong Hình 5.3. Các mũi tên nhỏ ở
cuối mỗi liên kết điện cho biết hướng của dòng điện dương. Năng lượng của mỗi liên
kết được cho bằng tích của hai đại lượng được hiển thị bên cạnh liên kết. Ví dụ trong
miền điện, công suất là sản phẩm của điện áp và dòng điện, trong miền cơ học, nó là
sản phẩm của lực và vận tốc. Các nét nhỏ vuông góc với một liên kết biểu thị quan hệ
nhân quả, tức là đại lượng nào trong hai đại lượng là đầu vào và đại lượng nào là đầu
ra. Có hai yếu tố tích lũy năng lượng - cân bằng và cân bằng. Quán tính đại diện cho
khối lượng trong cơ học và điện cảm trong hệ thống điện. Sự phù hợp thể hiện sự
tương hỗ giữa độ cứng của lò xo trong cơ năng và điện dung trong hệ thống điện.
Tuân thủ 𝐶nl được đặt trong 'miền phân cực'.
Mô đun của nó được xác định:
Chúng ta hãy nhìn vào biểu đồ trái phiếu từ phía bên trái và đi theo hướng của dòng
điện dương. Điện áp đầu vào 𝑉in giảm đi bởi điện trở đầu vào 𝑅e được biến đổi thành
43
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
điện trường 𝐸1, trong khi dòng điện kéo ra được biến đổi thành đạo hàm của lưỡng
cực điện 𝑝. Đây là trong đồ thị liên kết được biểu diễn bởi máy biến áp 𝑇1. Vì nó là
một máy biến áp lý tưởng, công suất của cả hai bên được bảo toàn. Các ngoại lực 𝐹e,
khối lượng 𝑚, độ cứng 𝑘 và một dao động tắt dần phi tuyến 𝑅nl ở phía bên phải của
đồ thị liên kết tạo thành một hệ thống giảm chấn massspring với đầu ra lực 𝐹, được
biến đổi bởi một máy biến áp lý tưởng 𝑇2 thành điện trường 𝐸2. Sau đó, năng lượng
được lưu trữ theo tuân thủ 𝐶nl, bao gồm điện dung tuyến tính của gốm sứ
piezoceramics và mô hình độ trễ, tạo nên hàm phi tuyến 𝐶nl của 𝑝.
Chúng ta có thể viết lại nó thành các phương trình toán học sau:
Trong đó 𝑖 biểu thị dòng điện, ℓ là chiều dài của ngăn xếp và 𝑇 là hằng số cơ điện.
Một mô hình không gian trạng thái có thể được rút ra trực tiếp từ đồ thị liên kết:
Mô hình này dựa trên các toán tử backlash. Toán tử như vậy được thể hiện trong
Định nghĩa toán học sau đây của toán tử backlash được lấy từ:
44
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
trong đó 𝑥 biểu thị đầu vào và 𝑦 đầu ra, 𝑦0 là giá trị ban đầu, thường 𝑦0 = 0. Tham
số 𝑡 là thời gian và 𝑇 là bước thời gian rời rạc. Chúng ta có thể thu được mô hình
Prandtl – Ishlinskii bằng cách tính tổng kết quả đầu ra của một số toán tử có trọng
số với độ rộng toán tử khác nhau 𝑟. Đầu ra của các toán tử có trọng số bằng nhau
và chiều rộng khác nhau được vẽ trong Hình 5.5.
Mô hình Al Janaideh’s Prandtl–Ishlinskii
Mô hình không phụ thuộc vào tỷ lệ được trình bày trên các dòng sau đây là sự kết hợp
của một số mô hình do O. Al Janaideh thực hiện và được xuất bản trong các bài báo
trên tạp chí. Mô hình từ trễ đối xứng này được xác định bằng phương trình:
trong đó 𝜂 là một hàm bao của các toán tử và Θ là một hàm mật độ. Tôi đã chọn độ
rộng của các toán tử dấu gạch chéo ngược 𝑟𝑗 đều với khoảng 𝜎𝑟:
Số lượng toán tử 𝐽 được chọn bằng thực nghiệm để mô hình hóa độ trễ với đủ độ
chính xác và chi phí tính toán có thể quản lý được. Từ tập các tham số Ω = {𝑞, 𝑐, 𝜎𝑟,
𝛼, 𝛽}, chúng tôi muốn tìm các tham số Ωopt như vậy tạo ra sai số 𝐸 (Ω) giữa dữ liệu
đo 𝑌 (𝑖) và dữ liệu mô phỏng Φ (𝑥 (𝑖), Ω) tối thiểu. Chúng ta có thể viết nó bằng toán
học:
45
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
được viết bởi Ang , sử dụng hai toán tử. Để cho phép mô hình hóa độ trễ không đối xứng,
các toán tử vùng chết một mặt được sử dụng cùng với các toán tử phản ứng dữ dội được
xác định bởi
Toán tử vùng chết một phía được xác định:
trong đó 𝑥 là đầu vào và 𝑑 là chiều rộng toán tử. Toán tử này được mô tả trong Hình 5.6.
Trong đó
là vector trọng số của toán tử phản ứng dữ dội. Vectơ của toán tử backlash được xác định
Vectơ của các toán tử vùng chết một phía và vectơ trọng số của nó được xác định
Cả độ rộng của toán tử dấu gạch chéo ngược và độ rộng của toán tử vùng chết đều được
chọn cách đều nhau, nhưng chỉ giữa 𝑑1,. . . , 𝑑𝑚 cho cái sau. Mô hình được xác định
tương tự như Al
Của Janaideh. Một bộ thông số Ω bao gồm:
trong đó 𝜎𝑑 là khoảng giữa các độ rộng của các toán tử vùng chết. Lưu ý ở đây rằng phản
ứng dữ dội
khoảng độ rộng của toán tử không được bao gồm. Chiều rộng toán tử thứ được đặt bằng
một nửa của
phạm vi đầu vào và do đó khoảng thời gian được xác định bằng cách chia giá trị này cho
số
toán tử phản ứng dữ dội
Trong đó 𝑧 (︀𝑥 (𝑖)) ︀là đầu ra của mô hình được mô phỏng và 𝑌 (𝑖) đầu ra đo được của thiết
bị truyền động ngăn xếp. 𝑖 biểu thị mỗi 𝐼 điểm dữ liệu.
47
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
KẾT LUẬN
48
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
CASE STUDY
I,Design and optimization of MEMS based piezoelectric actuator for
drug delivery systems (Thiết kế và tối ưu hóa bộ truyền động áp điện
dựa trên MEMS cho hệ thống phân phối thuốc)
1 Giới thiệu về hệ thống
Hệ thống phân phối thuốc là các thiết bị nhằm mục đích đưa thuốc vào một điểm
cụ thể của cơ thể bệnh nhân. Đây là những điều cần thiết để cung cấp một lượng thuốc
được yêu cầu, điều trị tốt hơn, quản lý và tiến bộ trong điều kiện y tế. Sự tiến bộ trong
công nghệ MEMS đã mở đường cho ứng dụng của nó trong lĩnh vực y tế. Một ứng dụng
chính như vậy là bơm vi mô của hệ thống phân phối thuốc liên quan đến nguyên lý vi
chất lỏng.
Micumpump là thiết bị thịnh hành cho các ứng dụng y tế trong công nghệ MEMS.
Bộ truyền động trong bộ vi xử lý có ý nghĩa hơn đối với việc nó gọi thuốc thông qua cơ
chế tác động của nó tạo ra áp suất trong buồng và làm cho thuốc giải phóng khỏi các kim
siêu nhỏ. Micropump hoạt động và kiểm soát chất lỏng trong phạm vi micromet. Ưu
điểm của Micropump là liều lượng chính xác.
2 Cấu tạo hệ thống
Một micropump cho mục đích phân phối thuốc bao gồm buồng, bộ truyền động,
bộ khuếch tán và một loạt các kim siêu nhỏ như được mô tả trong hình dưới.
Thuốc được đưa vào buồng 2 qua bộ khuếch tán. Hoạt động của bộ vi khuếch đại chủ yếu
phụ thuộc vào bộ truyền động. Khi điện áp được đặt trên thiết bị truyền động áp điện
được đặt trên buồng 1, nó sẽ bị dịch chuyển và uốn cong xuống dưới. Điều này tạo ra áp
suất trong khoang đẩy thuốc vào khoang 2 thông qua bộ khuếch tán được kết nối với
nhau. Tương tự, bộ truyền động có mặt trên đỉnh của buồng 2 cũng được cung cấp bởi
điện áp gây ra sự lệch hướng trong đó và làm cho thuốc đi vào một dãy các kim siêu nhỏ
được kết nối với nó. Do đó, thuốc được đưa vào cơ thể bệnh nhân thông qua các kim siêu
nhỏ này với số lượng cần thiết và không gây đau đớn.
2.1 Cơ cấu chấp hành được đề xuất
Bộ truyền động là trái tim của micropump. Kỹ thuật truyền động được sử dụng ở
đây là kỹ thuật truyền động áp điện.
Có nhiều kỹ thuật truyền động khác nhau cho các thiết bị MEMS (tĩnh điện, áp
điện, quang nhiệt, từ, từ động và truyền động hóa học) . Trong bộ truyền động áp điện, bộ
truyền động áp điện bị dịch chuyển theo phương điện tử. Bằng cách này, lực cao có thể
đạt được ở điện áp thấp hơn khi kích hoạt từ tính là một quá trình phức tạp. Kích hoạt
nhiệt thường được sử dụng để kích hoạt nhiệt hai chiều đòi hỏi nhiều năng lượng hơn và
cũng nhạy cảm với nhiệt độ. Kỹ thuật điện trở Piezo không thể hòa hợp với những thay
đổi nhiệt độ của cơ thể bệnh nhân. Trong tất cả, truyền động áp điện là kỹ thuật phù hợp
nhất cho các thiết bị y tế sinh học.
2.2 Nguyên Lý hoạt động
Bộ truyền động được đặt trên cả hai khoang của hệ thống tư thế chuyên nghiệp.
Nó bao gồm một màng ngăn và một lớp áp điện. Một lớp mỏng của vật liệu áp điện được
đặt trên một màng ngăn tạo thành một bộ truyền động áp điện như thể hiện trong hình 34
50
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Tương tự như vậy, một thiết bị truyền động áp điện khác được đặt trên buồng 2.
Việc áp dụng điện áp làm cho thuốc đi vào dãy các kim siêu nhỏ được kết nối với nó.
Điều này đánh dấu việc đưa thuốc vào cơ thể bệnh nhân một cách hiệu quả (Hình 35).
51
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
20 0.1
20 0.2
20 0.3
20 0.4
Bảng 1 kích thước của bộ truyền động hình tròn[9]
Độ dày màng ngăn µm Độ dày của lớp áp điện
50 0.6
50 0.8
50 1.0
50 1.2
Bảng 2 kích thước của bộ truyền động hình chữ nhật[9]
2.3 Phương trình toán học
Sự dịch chuyển của cơ cấu chấp hành áp điện bao gồm hai lớp, màng ngăn và lớp
áp điện có thể được ước tính về mặt lý thuyết với Eq
Trong đó
C t=s
E
.E.
[ 1−V 2p ] E
, s là tuân thủ đàn hồi
[ 1−V 2p ] 11
11
t
t dp= p , t plà độ dày của lớp áp điện,t d :là độ dày lớp màng ngăn
td
u p :là hệ số poisson của lớp áp điện
52
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hiệu ứng áp điện đối nghịch được đưa ra trong phương trình.
các thiết bị vi lỏng. Nó cũng đơn giản trong quá trình chế tạo các thiết bị Microfluidic vì
các phẩm chất của nó như tính tương thích sinh học, không độc, không cháy, tính trơ với
hóa chất, khả năng xuyên quang. Nó phù hợp với các loại thuốc, dung môi hữu cơ. Ưu
điểm chính của PDMS là khả năng liên kết với các vật liệu khác và không gây độc cho tế
bào.
3 kết quả và thảo luận
3.1 Phân tích về tần số
Phương thức phân tích tần số là cần thiết để xem xét giới hạn phản hồi của bất kỳ
thiết bị nào. Nó phân tích độ dịch chuyển lớn nhất và nhỏ nhất, sự biến dạng đối với một
điện áp đầu vào nhất định
Điều này được thực hiện trong công cụ COMSOL MULTYPHYSICS. Kết quả
theo phương thức phân tích tần số cho bộ truyền động áp điện hình tròn và hình chữ nhật
là :
- Bộ truyền động tròn với các độ dày 0.1 µm, 0.2 µm, 0.3 µm, 0.4 µm trải
qua độ lệch ở tần số 60 Hz, 82 Hz, 92 Hz,102 Hz
- Bộ truyền động chữ nhật với các độ dày 0.6 µm, 0.8 µm, 1.0 µm, 1.2 µm
trải qua độ lệch ở tần số 60Hz, 82Hz,92Hz,102Hz
Kết quả này được ghi lại trong bảng và hình dưới:
Hình dạng Độ dày lớp áp điện Tần số tự nhiên
Bộ truyền động hình tròn 0.1 60
0.2 82
0.3 92
0.4 102
Bộ chuyển động hình chữ 0.6 5
nhật 0.8 11
1.0 9.6
1.2 8.3
Bảng 3 Bảng tần số tự nhiên của các cơ cấu chấp hành ở các độ dày khác nhau[9]
54
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 39 phân tích theo phương thức tần số của bộ truyền động tròn. Tần số A 60Hz. B
85Hz. C 72Hz D 98Hz. E 81Hz. F 111Hz[9]
55
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 40 Phân tích theo phương thức tần số của bộ truyền động hình chữ nhật. a 5Hz,b
30Hz, c 12Hz, d 34Hz,e 25Hz,f 45Hz[9]
3.2 MFS: Yếu tố tin cậy
Bất cứ khi nào một thiết bị được thiết kế, trước khi chế tạo, điều cần thiết là phải
kiểm tra độ tin cậy của thiết bị đó. Điều này có thể được xác thực bằng cách phân tích hệ
số an toàn tối thiểu của các cơ cấu chấp hành. Nó được định nghĩa là tỷ số giữa sức bền
của vật liệu và ứng suất lớn nhất trong bộ phận.Hệ số an toàn cao hơn 1 thì cơ cấu là an
toàn và ngược lại nếu hệ số an toán nhỏ hơn 1 thì một số bộ phận nào đó của cơ cấu đã
hoạt động quá mức.
56
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
1
∗độ bền dẻo
4
hệ số an toàn=
ứng suất tối đa
Thông qua phân tích tần số, ứng suất lớn nhất được ghi nhận. độ dẻo của bộ truyền
động được ghi nhận ở mọi điện áp. Điện áp tại đó tỷ lệ giữa độ dẻo và ứng suất tối đa
bằng một, điện áp này là điện áp ngưỡng của nó mà vượt quá mức mà các bộ truyền động
không thể tiếp nhận điện áp cao hơn và không bị lệch. Nói một cách đơn giản, các bộ
truyền động đạt đến tình trạng đánh thủng. Các cơ cấu chấp hành hoạt động dưới vùng
điện áp ngưỡng gọi là vùng hoạt động của cơ cấu chấp hành. Hình 41 và 42 mô tả ứng
suất, hệ số an toàn cho 2 cơ cấu
Hình 41 phân tích ứng suất của cơ cấu chuyền động tròn có độ dày khác nhau và biểu
diễn đồ hoạ tương ứng cảu MFS=1. A 0.1µm, b 0.2 µm, c 0.3 µm. d 0.4 µm[9]
57
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 42 phân tích ứng suất của cơ cấu chuyền động hình chữ nhật có độ dày khác nhau
và biểu diễn đồ hoạ tương ứng cảu MFS=1. A 0.6µm, b 0.8 µm, c 1.0 µm. d 1.2 µm[9]
Kết quả phân tích: ứng suất tối thiểu mà bộ truyền động tròn có thể chịu là 0,40
GPa ở độ dày 0,4 µm trong khi đối với bộ truyền động hình chữ nhật là 0,50 GPa ở độ
dày 1,2 µm.
58
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình dạng Độ dày lớp áp điện Điện áp tối đa cới hệ Chuyển vị tối đa với
(µm) số an toàn bằng 1(V) hệ số an toàn bằng
1(µm)
Hình tròn 0.1 8500 2950
0.2 5220 2840
0.3 3150 1050
0.4 2320 510
Hình chữ nhật 0.6 340 1080
0.8 265 271
1.0 260 41,7
1.2 86 118
Bảng 5 độ dịch chuyển lớn nhất với điện áp tối đa ở mức hệ số an toàn là 1[9]
Độ võng trong cơ cấu chấp hành
59
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 43 độ lệch đồng nhất. a bộ truyền động tròn có chiều dày 0.1µm, b bộ truyền động
tròn có độ dày 0.2µm, c bộ truyền động hình chữ nhật có độ dày 0.6 µm,c bộ truyền động
hình chữ nhật có độ dày 0.8µm[9]
Đồ thị điện áp so với độ dịch chuyển: độ võng tăng lên khi giảm độ dày của lớn áp điện
60
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 44 phân tích dịch chuyển của bộ truyền động tròn bằng cách thay đổi
diện áp đầu vào cho các độ dày khác nhau của lớp áp điện[9]
61
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 45 phân tích dịch chuyển của bộ truyền động tròn bằng cách thay
đổi diện áp đầu vào cho các độ dày khác nhau của lớp áp điện[9]
4 Kết luận
Trong bài báo này, một thiết bị truyền động áp điện tương thích sinh học, là một thành
phần thiết yếu của bộ vi đệm được thiết kế và được phân tích cho các hệ thống phân phối
thuốc. Cơ cấu chấp hành được xem xét ở cả hai dạng hình tròn và hình chữ nhật. Các độ
dày của lớp áp điện thay đổi để quan sát các độ lệch đều. Độ võng tối đa 2950 µm 8500
V ở tần số phương thức đầu tiên khi an toàn tối thiểu yếu tố là một. Bộ truyền động này
có thể được sử dụng trong bộ vi mạch để đưa thuốc vào cơ thể bệnh nhân dễ dàng
62
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
63
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
được đặt để ngăn các chồng điện áp bị biến dạng bởi lực tiếp tuyến do cơ cấu dẫn động
trượt cung cấp trong quá trình chuyển động. Ý tưởng thiết kế của bậc di chuyển bước
tuyến tính là đi thẳng về phía trước, có kích thước trong khoảng 65mm × 50mm × 52mm.
3. Nguyên lý hoạt động của hệ thống
Hình 46. Bậc di chuyển bước tuyến tính dựa trên hai loại thiết bị truyền động
điện áp (a) structural view (b) explosive view
Để đạt được chuyển động di chuyển bước thẳng ổn định, bốn thiết bị truyền động
điện áp được sử dụng trong bậcnày phải được kích hoạt theo đúng các tín hiệu điện áp
trình tự như trong Hình 3. Có bốn tín hiệu điều khiển, là các sóng hình thang để kích hoạt
gốm điện áp chồng (1 và 2) và gốm điện áp trượt (a và b). U1 và U2 là điện áp dẫn động
của các ngăn điện áp (bộ kẹp 1 và bộ kẹp 2), và Ua và Ub là điện áp truyền động của gốm
điện áp trượt (a và b). Như thể hiện trong Hình 3 và Hình 4, một chu kỳ chuyển động của
bậccó thể được chia thành bảy bước, và nguyên tắc chuyển động có thể được mô tả như
sau.
Bước 1: Ở trạng thái ban đầu, tất cả các nguồn bị ngắt, và thanh trượt được giữ chặt
bởi bộ kẹp, như trong Hình 4. Từ t1, bộ kẹp bên phải 2 (U2) bắt đầu được kích hoạt với
mức điện áp cao, làm cho nó không bị giảm áp thông qua việc dẫn động điện áp chồng.
Bộ kẹp trái 1 (U1) và kéo gốm (Ua và Ub) vẫn ở trạng thái tắt nguồn.
Bước 2: Trong t2, kéo gốm tạo ra một chuyển vị Δd thông qua lực ma sát tĩnh khi điện
áp cao được áp dụng. Các gốm điện áp khác vẫn ở trạng thái trước đây.
Bước 3: Trong t3, bộ kẹp phải 2 (U2) được tắt để kẹp thanh trượt được tải trước bởi lò
xo nén. Các thiết bị truyền động điện áp khác duy trì các trạng thái trước đó.
64
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Bước 4: Trong t4, bộ kẹp trái 1 (U1) nới lỏng với điện áp cao. Các cơ cấu dẫn động áp
điện khác vẫn giữ các trạng thái trước đó.
Bước 5: Ở t5, kéo gốm b được tác động bởi điện áp cao có độ biến dạng Δd, kéo gốm a
được ngắt điện, trở lại hình dạng ban đầu. Các gốm điện áp khác vẫn giữ trạng thái trước
đó.
Bước 6: Trong t6, bộ kẹp bên trái 1 (U1) được tắt để kẹp thanh trượt được tải trước bởi
lò xo. Các gốm điện áp khác vẫn duy trì các trạng thái trước đó.
Bước7: Trong thời gian t7, bộ kẹp phải 2 (U2) được tác động bởi điện áp cao để mở
rộng thanh trượt. Cho đến đây, một chu kỳ đầy đủ đã hoàn thành.
Trong chu trình này, vật chuyển động được quãng đường 2Δd. Sau đó, kéo gốm b
được tắt nguồn để lặp lại chu trình tiếp theo.
Hình 47. Tín hiệu điện áp đầu vào của gốm điện áp.
Từ bước (1) đến (7), bậc đi vòng có thể đạt được chuyển vị thẳng vi mô trong một
chu kỳ. Bằng cách lặp lại các hành động trên, bậccó thể tạo ra chuyển động kiểu di
chuyển bước liên tục tuyến tính với hành trình lớn và về lý thuyết, độ dịch chuyển có thể
được kéo dài vô hạn. Để đảm bảo độ chính xác và ổn định của cơ cấu chấp hành, mỗi
bước cần độc lập và được kiểm soát chính xác. Không được xảy ra hiện tượng chồng
chéo giữa các bước. Hơn nữa, chuyển động ngược lại có thể được thực hiện bằng cách
thay đổi các điện cực âm và dương và chuỗi tín hiệu điện áp.
65
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 48. Quá trình chuyển động của cơ cấu chấp hành kiểu di chuyển bước được đề xuất
trong một vòng tròn làm việc.
4. Thí nghiệm
4.1. Hệ thống thí nghiệm
Trong phần này, một nguyên mẫu của bậc điện áp di chuyển bước tuyến tính hai
bước được chế tạo, và một loạt các thực nghiệm được thực hiện để kiểm tra hiệu suất của
bậc di chuyển bước tuyến tính. Hình 10 cho thấy hệ thống thí nghiệm đã được thiết lập.
Có thể thấy rằng hệ thống chủ yếu bao gồm máy tính cá nhân, bo mạch thu thập dữ liệu
NI (NI-PCI-6229), nguyên mẫu bậc, cảm biến mã hóa tuyến tính và bộ khuếch đại công
suất. Bậc đề xuất được cố định trên nền cách ly rung động. Cảm biến mã hóa tuyến tính
được sử dụng để đo độ dịch chuyển của thanh trượt là RGH24, với độ phân giải 10 nm.
Các chồng áp điện và kéo gốm áp điện là PSt150 / 10 × 10/20 của công ty
Piezomechanik và CSAP03 của công ty Noliac, tương ứng. Dựa trên LabVIEW, bo mạch
mô-đun trình điều khiển DAQ cho phép thẻ thu thập dữ liệu NI tạo ra bốn tín hiệu điện áp
tương tự được kết nối với bộ khuếch đại công suất thông qua tấm đầu cuối NI. Sau đó, bộ
khuếch đại công suất khuếch đại tín hiệu điện áp đầu vào để dẫn động thiết bị truyền
động. Bộ cảm biến mã hóa tuyến tính theo dõi và đo thanh trượt trong thời gian thực.
66
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 50. Dịch chuyển đầu ra dưới các điện áp dẫn động khác nhau.
4.3. Tần số dẫn
67
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Tần số dẫn là một yếu tố quan trọng có liên quan đến vận tốc của giai đoạn. Kết quả
đầu ra được thể hiện trong Hình 12, trong đó điện áp đặt vào kéo gốm là 200 V với tần số
biến thiên từ 1 Hz đến 90 Hz. Theo phương pháp bình phương nhỏ nhất, đường cong
quan hệ giữa vận tốc và tần số truyền động là vừa hợp. Khi tần số tăng, vận tốc đầu tiên
tăng, đạt vận tốc cực đại 28,1 μm / s ở tần số 30 Hz như hình 13 rồi giảm. Về lý thuyết,
vận tốc tối đa có thể tăng lên khoảng 45 μm / s khi điện áp truyền động của kéo gốm áp
điện đạt 320V.
Mối quan hệ giữa vận tốc và tần số truyền động có tuyến tính tốt khi tần số nhỏ hơn
30 Hz. Mối quan hệ này có thể được mô tả gần đúng như sau.
v = 0.95 f +0.62 .
Tuy nhiên, vận tốc giảm khi tần số lái xe cao hơn 30 Hz. Điều này có thể do chuyển
động đi của kéo gốm tạo ra trượt và chồng tại các bước đệm khi tần số dẫn cao.
Hình 51. Mối quan hệ giữa vận tốc và tần số chuyển động
68
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Trong thiết kế của bậc điện áp di chuyển bước tuyến tính, khả năng chịu tải cũng là
một tham số hiệu suất chính vì nó có thể ảnh hưởng đến ứng dụng của hệ thống. Theo
Mục 3.1.2 và Mục 3.2 đã đề cập ở trên, có thể biết rằng vật liệu tiếp xúc giữa thanh trượt
và kéo gốm áp điện ảnh hưởng đến khả năng chịu tải của bậc thông qua hệ số ma sát.
Trong loại giấy này, người ta dán một lớp kính cường lực lên bề mặt kéo gốm áp địên để
tăng hệ số ma sát của bề mặt tiếp xúc. Một trọng lượng tiêu chuẩn được thêm vào mặt sau
của thanh trượt thông qua một sợi dây để tạo ra một tải đã biết có khối lượng thay đổi từ
0,049 N đến 4,9 N. Một tín hiệu có điện áp 200 V và tần số 1Hz được đưa vào hệ thống
thí nghiệm để kiểm tra khả năng chịu tải của bậc. Theo mô hình động lực học, hàm lý
thuyết giữa khả năng chịu tải của bậcvà tải trọng có thể nhận được như sau:
ms ẍ 1 ( t )=F pzt 1−F load =f v ẋ 1 ( t )−¿
Hình 53. Hệ thống thí nghiệm kiểm tra tải đầu ra.
69
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 54. Vận tốc của bậc các tải ngoài khác nhau.
5. Kết luận
Một bậc áp điện di chuyển trượt tuyến tính hai bước cho ra độ phân giải cao và có
khả năng tự khóa đã được đề xuất và phân tích. Lò xo nén được sử dụng để đạt được
chức năng tự khóa và khả năng chịu tải lớn. Mô hình lý thuyết của giai đoạn đề xuất được
xây dựng để tính toán dịch chuyển đầu ra của cơ cấu kẹp và thanh trượt về mặt lý thuyết.
Các kết quả lý thuyết và mô phỏng được so sánh để xác minh độ chính xác của mô hình.
Một nguyên mẫu là Chúng tôi tuyên bố rằng chúng tôi không có lợi ích tài chính hoặc
mối quan hệ cá nhân cạnh tranh nào có thể ảnh hưởng đến công việc được báo cáo trong
bài báo này. chế tạo và tiến hành một loạt các thí nghiệm để kiểm tra hiệu suất công việc
của mẫu thử nghiệm và xác minh thêm tính đúng đắn của mô hình và tính khả thi của giai
đoạn đề xuất. Theo kết quả thử nghiệm, chuyển động tối đa của sân khấu trong một bước
là 0,86 μm với điện áp 200 V và tần số 1 Hz, nhỏ hơn một chút so với giá trị mô phỏng
(0,93 μm). Giai đoạn đề xuất đạt được tốc độ đầu ra tối đa 28,1 μm / s ở 30 Hz, lực đầu ra
tối đa 4,9 N ở 1 Hz với điện áp ổ đĩa 200 V và độ phân giải 30 nm khi điện áp ổ đĩa là
13,5 V. Các hoạt động trong tương lai sẽ tập trung vào việc cải thiện hiệu suất đầu ra của
bậc thông qua việc sử dụng bộ khuếch đại công suất cao hơn và điều khiển vòng kín của
bậc để loại bỏ ảnh hưởng của tính trễ phi tuyến của gốm điện áp.
70
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
71
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
72
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 56: Nguyên lý chuyển động của cơ cấu uốn hình chiếc ô
Hình 2 mô tả nguyên lý hoạt động của cơ cấu uốn hình chiếc ô. M là điểm tiếp xúc
của cơ cấu uốn hình chiếc ô và thanh trượt. A, B, C, D, E, H là bản lề uốn tròn, N là điểm
tiếp xúc của ngăn xếp và đoạn EH. Khi ngăn xếp nhận được cấp điện và giãn ra thì cơ cấu
hình chiếc ô bị biến dạng và điểm M sẽ di chuyển đến vị trí M’ làm cho con trượt chuyển
động do có ma sát. Cơ cấu hình chiếc ô được thiết kế đối xứng, do đó thanh trượt sẽ di
chuyển ngược lại khi ngăn xếp kia được cấp điện.
73
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 57: Nguyên lý hoạt động của bộ truyền động áp điện tuyến tính hình chiếc ô được
đề xuất
Hình 3 minh họa nguyên lý hoạt động của thiết bị truyền động hình chiếc ô được
đề xuất. Ban đầu, tất cả các bộ phận được lắp ráp như hình 3.1. Quá trình chuyển động
của bộ truyền động áp điện hình răng cưa được chia thành 2 bước. Bước 1, điện thế hình
răng cưa tăng dần từ a đến b. Ngăn xếp PZT giãn ra từ từ khiến cơ cấu hình ô bị biến
dạng và làm cho thanh trượt di chuyển. Bước 2, điện áp giảm mạnh từ b xuống c, ngăn
xếp PZT lùi lại một cách nhanh chóng và cơ chế hình chiếc ô sẽ lùi lại tương ứng. Tuy
nhiên, thanh trượt gần như đứng yên do lực quán tính, nghĩa là thanh trượt đã di chuyển
một khoảng ΔS theo phương x so với vị trí ban đầu. Lặp lại chu trình trên sẽ thu được
một hành trình làm việc lớn. Hướng chuyển động được thay đổi bằng cách sử dụng ngăn
xếp PZT khác.
4. Thí nghiệm, kết quả và đánh giá
4.1. Hệ thống thí nghiệm
Hệ thống thí nghiệm gồm một máy tính cá nhân (PC), bộ tạo tín hiệu (9400, Tabor
Electronics), nguyên mẫu của thiết bị truyền động hình ô và cảm biến laser. Trong quá
74
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
trình thí nghiêm, tín hiệu điện hình răng cưa được tạo bởi bộ tạo tín hiệu và được khuếch
đại lên. Sau đó tín hiệu điện áp được đặt lên ngăn xếp. Cảm biến laser phát hiện thông tin
dịch chuyển trong khi thanh trượt đang di chuyển. Thông tín dịch chuyển được hiển thị
trên màn hình PC.
Hình 7b cho thấy mối quan hệ của độ dịch chuyển bước và điện áp đầu vào. Bước
dịch chuyển ΔL tăng dần từ 0,495 µm đến 1,412 µm khi điện áp đầu vào tăng từ 30 V đến
120 V. Hệ số tương quan R 2 = 0,9762 chỉ ra rằng hệ thống hoạt động ổn định. Dịch
chuyển bước có thể tuyến tính hóa bởi hàm số: ΔL=0.0107 U +0.1909
75
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 59: Mối quan hệ giữa điện áp đầu vào và độ dịch chuyển
Hình 8 cho thấy mối quan hệ giữa tần số đầu vào và chuyển vị bước khi U = 120
V. Sự dịch chuyển bước dao động từ 1,12 µm đến 1,52 µm khi f = 100Hz và giảm xuống
0,882 µm khi f = 200Hz. Sau đó bước dịch chuyển đạt cực đại 2,481 µm tại f = 400Hz và
giảm xuống 0,019 µm khi f = 1300Hz. Điều này là do khi f quá lớn, ngăn xếp PZT không
kịp kéo hết chiều dài. Nguyên mẫu không thể giữ ổn định khi tần số đầu vào vượt quá
400Hz và U =120 V.
76
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
Hình 60: Mối quan hệ giữa tần số đầu vào và độ dịch chuyển bước khi U= 120V.
Hình 61: Mối quan hệ giữa độ dịch chuyển bước và tải trong trường hợp U =120 V và f =
1Hz
Trong quá trình thử nghiệm, một loạt trọng lượng tiêu chuẩn được đặt lên thanh
trượt. Hình 9 cho thấy chuyển vị bước giảm tuyến tính khi tăng tải trọng. Hệ số tương
quan R2 =0,9432 cho thấy hệ thống ổn định. Chuyển vị bước được biểu thị bằng hàm số:
77
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
ΔL=−0,0041 m+ 1,1213. Nếu tải m > 220 thì nguyên mẫu không thể hoạt động ổn định
được.
5. Kết luận
Nghiên cứu này cho thấy rằng bộ truyền động áp điện tuyến tính hình ô là khả thi
và có thể đạt được hành trình lớn và độ chính xác cao. Kết quả dịch chuyển cho thấy độ
dịch chuyển bước nhỏ nhất là 0,495 µm khi điện áp U = 30 V và f = 1Hz, tải tối đa là m =
220 g; độ dịch chuyển bước lớn nhất là 2,481 µm khi f = 400 Hz và U = 120 V, tốc độ
cực đại đạt 992,4 µm/s.
Chúng tôi đề xuất làm giảm hệ số ma sát của cơ cấu hình ô và thanh trượt để tăng
hiệu suất bằng cách làm tăng độ bóng của thanh trượt.
78
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
79
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
80
MicroRobotics GVHD: TS. Nguyễn Xuân Hạ
81