Professional Documents
Culture Documents
DIODE
DIODE
DIODE
Các thiết bị và vật liệu bán dẫn tiếp tục chiếm vị trí công nghệ ưu việt vì tầm quan trọng
của chúng trong việc xây dựng các hệ thống điện tử tích hợp cho các ứng dụng rộng rãi
từ máy tính, điện thoại di động, trợ lý kỹ thuật số cá nhân, máy ảnh kỹ thuật số và hệ
thống giải trí điện tử, đến thiết bị điện tử để chẩn đoán y tế và giám sát môi trường.
Thành phần quan trọng của sự thống trị công nghệ này là những tiến bộ nhanh chóng
trong chất lượng và xử lý vật liệu - chất bán dẫn, chất dẫn điện và chất cách điện - do có
sẵn đó cung cấp công nghệ thiết bị bán dẫn kim loại - oxit - bán dẫn với các đặc điểm
quan trọng của nó là tiêu tán điện năng ở chế độ chờ không đáng kể, đầu vào tốt - cách
ly đầu ra, kiểm soát tiềm năng bề mặt và hoạt động đáng tin cậy. Tuy nhiên, để đánh giá
chất lượng vật liệu và độ tin cậy của thiết bị, điều quan trọng là phải có các kỹ thuật xác
định đặc tính điện, chính xác và dễ sử dụng, để các thông số quan trọng như mật độ
pha tạp chất, loại và tính di động của sóng mang, chất lượng giao diện , mật độ bẫy
oxit, mật độ khối bán dẫn, điện trở tiếp xúc …
1.Diode là gì
Diode là một loại linh kiện điện tử được dùng phổ thông trong tất cả các mạch, thiết bị
điện tử
Diode là một linh kiện điện tử bán dẫn chỉ cho phép dòng điện đi qua nó theo một
chiều duy nhất mà không chạy ngược lại
Diode thường có cấu tạo chung là một khối bán dẫn loại P
3. Cấu tạo
Diode là một linh kiện điện tử bán dẫn, do đó nó được chê tạo bởi hợp chất giữa silic,
photpho và bori. 3 nguyên tố này được pha tạp với nhau tạo ra lớp bán dẫn loại P và N
được tiếp xúc với nhau. Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuếch
tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào các chỗ trống, tạo ra 1 lớp ion trung hòa vê điện,
lớp ion này tạo thànhthanhaf miền cách điện giữa hai chất bán dẫn
Sự tích điện âm bên khối P và dương bên khối N hình thành một điện áp gọi là điện
áp tiếp xúc (UTX). Điện trường sinh ra bởi điện áp có hướng từ khối N đến khối P nên
cản trở chuyển động khuếch tán và như vậy sau một thời gian kể từ lúc ghép 2 khối
bán dẫn với nhau thì quá trình chuyển động khuếch tán chấm dứt và tồn tại điện áp
tiếp xúc. Lúc này ta nói tiếp xúc P-N ở trạng thái cân bằng. Điện áp tiếp xúc ở trạng
thái cân bằng khoảng 0.6V đối với diode làm bằng bán dẫn Si và khoảng 0.3V đối với
điốt diode làm bằng bán dẫn Ge.
(2) Ở biên giới hai bên mặt tiếp giáp, một số điện tử bị lỗ trống thu hút và khi chúng
tiến lại gần nhau, chúng có xu hướng kết hợp với nhau tạo thành các nguyên tử
trung hòa. Và lúc này vùng biên giới ở hai bên mặt tiếp giáp được gọi là vùng nghèo
do rất hiếm các hạt dẫn điện tự do. Vùng này không dẫn điện tốt, trừ khi điện áp tiếp
xúc được cân bằng bởi điện áp bên ngoài. Quá trình này có thể giải phóng năng
lượng dưới dạng ánh sáng (hay các bức xạ điện từ có bước sóng gần đó).
(3) Nếu đặt điện áp bên ngoài ngược với điện áp tiếp xúc, sự khuếch tán của các điện
tử và lỗ trống không bị ngăn trở bởi điện áp tiếp xúc nữa và vùng tiếp giáp dẫn điện
tốt. Nếu đặt điện áp bên ngoài cùng chiều với điện áp tiếp xúc, sự khuếch tán của
các điện tử và lỗ trống càng bị ngăn lại và vùng nghèo càng trở nên nghèo hạt dẫn
điện tự do. Nói cách khác điốt diode chỉ cho phép dòng điện qua nó khi đặt điện áp
theo một hướng nhất định.
→ Điện áp ngoài ngược chiều điện áp tiếp xúc tạo ra dòng điện. Điện áp ngoài cùng
chiều điện áp tiếp xúc ngăn dòng điện.