BÀI TẬP CHƯƠNG 4

Họ tên: Hoàng Minh Sơn

MSSV: 20193081
Mã lớp: 133345

1. Khái niệm fan-out: là số lượng đầu vào cổng được điều khiển bởi đầu ra của
một cổng logic đơn khác. Trong hầu hết các thiết kế, cổng logic được kết nối để
tạo thành các mạch phức tạp hơn.

2. Mạch tạo trở kháng cao:

3. IC 74373, 74374, 74244, 74245:
4. Đọc chương 9, 10 sách Intel
5. Bài tập slide 72 chương 4 (dùng cổng NAND để giải mã địa chỉ):
6. Phân biệt 8086 và 8088:
STT 8086 8088
1 16 bit địa chỉ dữ liệu 8 bit địa chỉ dữ liệu
2 512KB 1M x 8 Memory banks
3 Chân M/ IO Chân IO/ M
4 Chân 34: BHE Chân 34: SSO
5 Đọc ghi 8 hoặc 16 bit cùng lúc Đọc ghi 8 bit cùng lúc
6 Có 6 byte hàng đợi lệnh Có 4 byte hàng đợi lệnh
7 Dòng tối đa 360 mA Dòng tối đa 340 mA
 8 Điện áp được đo ở dòng 2.5 mA Điện áp được đo ở dòng 2.0 mA

7. Bộ nhớ Flash:
7.1. Định nghĩa: bộ nhớ flash là một loại bộ nhớ máy tính kiểu bộ nhớ điện tĩnh,
có thể bị xóa và lập trình lại. Về mặt kỹ thuật, bộ nhớ flash được hiểu là một kiểu
chip EEPROM (có tên tiếng anh là Electrically Erasable Programmable ROM).
7.2. Tác dụng:

i. Ghi, đọc, xóa theo phương điện, hoàn toàn không dùng phương pháp cơ
nên kích thước nhỏ, gọn nhẹ và dễ dàng di động
ii. Dung lượng nhớ rất lớn, chỉ thua dung lượng của bộ nhớ ổ cứng
iii. Bộ nhớ tiêu thị rất ít điện do với bất kỳ bộ nhớ nào khác cùng dung
lượng
iv. Đây là bộ nhớ không tự xóa. Dữ liệu có thể được lưu trữ trong cổng nổi
lâu đến 15-20 năm nên có thế nhớ được lâu với số năm tương ứng. Tuy
thời gian không lâu bằng bộ nhớ quang hay bộ nhớ từ, nhưng như vậy
cũng đủ cho những mục đích thông thường.

7.3. Phân loại:

- Flash NOR (đọc ghi theo từng từ/byte)
- Flash NAND (đọc ghi theo từng khối/trang nhớ)