K.

G TECH 2SA1943
PNP三重扩散型大功率三极管
PNP Triple Diffused Power Transisitor
特性
FEATURES

与2SC5200互补
Complementary to 2SA1943
高集电极-发射极击穿电压:BVCEO= -230V（最小）
High Breakdown Voltage:BVCEO=-230V(min)

TO-3PL

产品订购信息
产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装
Ordering Number Package Print Number Free Packing
2SA1943-TCL-R-O TO-3PL 2SA1943 RoHS 料管 Tube

2SA1943 - TCL - R - O
檔次 RANK
绿色包装Green Package：R:RoHS

封装外形Package：TCL:TO-3PL；

产品型号Number

港京科技有限公司
K.GEL TECHNOLOGY CO.,LTD 2021.09.09 V1.1
1
K.G TECH 2SA1943
绝对最大额定值 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
项目 符号 数值 单位
Parameter Symbol Rating Unit
集电极、基极击穿电压 VCBO -230 V
Collector-Base Voltage
集电极、发射极击穿电压 VCEO -230 V
Collector-Emitter Voltage
发射极、基极击穿电压 VEBO -5 V
Emitter-Base Voltage
集电极额定电流 IC -15 A
Collector Current -Continuous
集电极耗散功率 PC 150 W
Collector Power Dissipation
最高结温 TJ 150 ℃
Junction Temperature
贮存温度 Tstg -55~150 ℃
Storage Temperature Range

电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

项目 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
Parameter Symbol Test conditions Min Type Max. Unit
集电极、发射极击穿电压
V(BR)CEO IC=-50mA,IB=0 -230 V
Collector-Emitter breakdown voltage
集电极漏电流
ICBO VCB=-230V,IE =0 -5.0 μA
Collector cut-off current
发射极漏电流
IEBO VEB=-5V,IC=0 -5.0 μA
Emitter cut-off current
直流电流增益 hFE(1) VCE=-5V,IC=-1.0A 55 160
DC current gain hFE(2) VCE=-5V,IC=-7.0A 35 60
集电极、发射极饱和压降
VCE(sat) IC=-8.0A,IB=-0.8A -1.5 -3.0 V
Collector-Emitter saturation voltage
基极、发射极开启电压
VBE(on) VCE=-5.0V,IC=-7.0A -1.0 -1.5 V
Base-Emitter On voltage
增益带宽积
fT VCE =-5V,IC=-1.0A 30 MHz
Current Gain Bandwidth Product
输出电容
Cob VCB =-10V,IE=0,f=1.0MHz 360 pF
Output Capacitance

放大分档HFE CLASSIFICATION
分类 Type 2SA1943-R 訂製品 2SA1943-O標準品

范围 Range 55-110 80-160

打印名 Marking 2SA1943 2SA1943

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电参数曲线图 Electrical Characteristic Curve

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封装外形尺寸图 PACKAGE OTLINE
TO-3PL 单位 UNIT：mm

B C
Q E

U
N
A
R

W F
K

D
J
G H

Symbol Min (mm) Max(mm) Symbol Min (mm) Max(mm)

A 25.45 26.45 P 2.55 2.95
B 19.85 20.25 Q 2.80 3.20
C 4.50 5.50 R 2.10 2.30
D 1.10 1.30 U 3.85 4.05
E 2.80 3.20 W 2.90 3.20
F 2.30 2.60
G 10.80 11.00
H 3.10 3.30
J 0.50 0.70
K 20.00 21.00
N 4.05 4.25

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防静电注意事项 ELECTROSTATIC DISCHARGE CAUTION
These devices have limited built-in ESD protection. The leads should be shorted together or

the device placed in conductive foam during storage handing to prevent electrostatic damage

to the device.

产品的内置ESD防护有限。产品存储时，应做好静电防护，以防静电对电路造成损坏。

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