Elektronika

1.
MATERIALET GJYSMËPËRÇUESE
1.1 HYRJE
Dekadat e fundit karakterizohen me ndryshime shumë dramatike në industrinë
elektronike, si rezultat i miniaturizimit të komponentëve gjysmëpërçues elektronik. Sisteme të
tëra tani zhvillohen me dimensione disa mijëra herë më të vogla se një element i vetëm i
mëhershëm. Përparësitë që ka sjellë miniaturizimi i këtillë i komponentëve elektronik, kanë
mundësuar zhvillime të vrullshme në degët tjera të industrisë në përgjithësi, e posaçërisht në
telekomunikime dhe në kompjuterikë.
Kufijtë e miniaturizimit të mëtejmë të këtyre komponentëve duket se janë të determinuar

nga tre faktorë: kualiteti i materialit gjysmëpërçues, teknika e projektimit të qarqeve dhe në
kufizimet e pajisjeve përpunuese dhe të fabrikimit.
1.2 KARATERISTIKAT E PËRGJITHËSHME TË GJYSMËPËRÇUESVE

Fjala gjysmëpërçues vetvetiu përfshinë disa karakteristika të këtyre materialeve. Prefiksi
“gjysmë” zakonisht përdoret për diçka që është në mes të dy kufijve. Termi përçues përdoret për
materialet që karakterizohen me rrjedhje të ngarkesave elektrike nën veprimin e tensionit të
jashtëm.
Pra, gjysmëpërçues është materiali i cili ka përçueshmëri diku në mes të izolatorit

(përçueshmëri shumë e ulët) dhe përçuesit, si bakri, i cili ka nivel të lartë të përçueshmërisë. E
kundërta e përçueshmërisë së materialit është rezistenca e tij ndaj rrjedhjes së ngarkesave ose
rrymës.
2
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA
l
2
A= 1c m
Fig.1.1 Caktimi i rezistencës së materialit
Ekuacioni për rezistencën e materialit (në temperaturë të caktuar) është
l
R=ρ (1.1)
A
Ku R matet me oma [], l është gjatësia e mostrës, A është sipërfaqja incidente dhe 
rezistenca specifike e materialit. Nëse A=1 cm2, l=1 cm, si në Fig.1.1, atëherë R= dhe quhet
rezistenca specifike e trupit të gjysmëpërçuesit, dhe është një madhësi shumë e rëndësishme në
elektronikë.
Njësia e rezistencës specifike , e definuar kësisoj është
RA   cm2
     cm (1.2)
l cm
Për ta theksuar karakterin gjysmëpërçues të këtyre materialeve në Tab.1.1 janë dhënë

vlerat e rezistencës specifike për përçues, izolator dhe një gjysmëpërçues.
Tabela 1.1 Vlerat tipike të rezistencës specifike të materialeve të ndryshme në temperaturën e

dhomës T = 300 0K
Përçuesi Gjysmëpërçuesi Izolatori
Bakri Germaniumi Qeramika (mica)
 10-6cm  50 cm  1012cm
Në materialet gjysmëpërçuese bëjnë pjesë elementet e grupit të katërt të sistemit

periodik, e prej tyre interesim të posaçëm kanë zgjuar germaniumi (Ge) dhe silici (Si) për disa
arsye. Njëra ndër arsyet më të rëndësishme është fakti se këto elemente mund të fabrikohen në
një nivel shumë të lartë të pastërtisë (ky nivel sot arrihet deri në 1:10x1010), nivel i
3
1. Materialet gjysmëpërçuese
domosdoshëm, sepse me ndryshimin e nivelit të pastërtisë ndryshojnë vetitë elektrike të

materialit. P.sh. nëse në materialin e pastër të silicit shtohet 1:1 000 000 pjesë të papastërtisë
gjegjëse, materiali ndryshon nga përçuesi relativisht i dobët në përçues të mirë të elektricitetit.
Pra, kur të punohet me mediumin gjysmëpërçues kemi të bëjmë me spektër të ri të niveleve
krahasuese. Mundësia e ndryshimit të dukshëm të karakteristikave të materialit me këtë proces, i
cili është i njohur si “doping” (futje) është edhe një arsye tjetër për të cilën germaniumi dhe
silici kanë zgjuar shumë interesim. Arsye tjetër është se germaniumi dhe silici mund t’i
ndryshojnë karakteristikat e tyre edhe me zbatimin e nxehtësisë ose dritës – që mundëson
zbatimin e këtyre elementeve në zhvillimin e qarqeve të ndjeshme të dritës dhe të nxehtësisë.
Disa nga këto veti të posaçme të këtyre elementeve të cekura më lartë janë pasojë e
strukturës së tyre atomike. Atomet e të dy materialeve formojnë rrjet të definuar mirë, i cili në
formën natyrore është periodik. Një rrjet i këtillë i plotë quhet kristal. Te germaniumi dhe silici,
kristali ka strukturë tredimensionale të diamantit si në Fig.1.2.
Fig.1.2 Struktura kristalore e germaniumit dhe e silicit. Rrathët paraqesin atomet, vijat e plota
paraqesin lidhjet kovalente, ndërsa vijat e ndërprera formën e tetraedrit.
Karakteristikë e kristaleve të këtyre materialeve është se struktura e tyre nuk ndryshohet

dukshëm me futjen e papastërtive shtesë në procesin e dopingut.
Tani të shqyrtojmë strukturën e vet atomit dhe të shohim se si mund të veprohet në

ndryshimin e karakteristikave elektrike të materialit. Siç dihet, atomi përbëhet nga grimcat
themelore: elektroni, protoni dhe neutroni. Protoni dhe neutroni formojnë bërthamën, ndërsa
elektronet rrotullohen rreth bërthamës në orbite të caktuara. Modelet e Bohr-it të atomeve të
gjysmëpërçuesve që shfrytëzohen më së shumti, germaniumi dhe silici, janë paraqitur në Fig.1.3.
4
(a) (b)
Fig.1.3 Struktura atomike: (a) e germaniumit; (b) e silicit.
Atomi i germaniumit ka 32 elektrone orbitale ndërsa ai i silicit 14 elektrone orbitale. Në të dy

rastet, në shtresën e fundit janë nga katër elektrone (në shtresën valente) që është karakteristikë e
elementeve të grupit të katërt të sistemit periodik. Potenciali (potenciali jonizues) që nevojitet
për zhvendosjen e cilitdo nga këto katër elektrone valente është më i ulët se potenciali i
nevojshëm për cilindo elektron tjetër të strukturës atomike. Paraqitja tri-dimensionale e rrjetës
kristalore të Silicit mund të jetë e vështirë, e lodhshme dhe nganjëherë edhe konfuze, prandaj
shpesh përdorim paraqitjen e sheshtë (në dy dimensione) Fig. 1.4, duke kuptuar që ky model nuk
paraqet radhitjen hapësinore të atomeve. Në germaniumin ose silicin e pastër kristalor, 4
elektronet valente janë të rrethuara me 4 atome shoqëruese, sepse të gjitha ato kanë nga katër
elektrone valente, pra kanë atome katër-valentësh (Fig.1.4).
Fig.1.4 Lidhja kovalente e atomit të silicit.
Ky lloj i lidhjes, i formuar me bashkëlidhje të elektroneve, quhet lidhje kovalente. Edhe

pse lidhja kovalente rezulton me lidhje të fortë në mes të elektroneve valente dhe të atomit amë,
elektronet valente kanë ende mundësi të absorbojnë energji kinetike të mjaftueshme nga
rrethina, që t’i shkëpusin lidhjet kovalente dhe ta përvetësojnë gjendjen e “lirë”.
Në temperaturën T  0o K , secili elektron është në nivelin e vet energjetik më të ulët të

mundshëm, ashtu që të gjitha pozitat kovalente janë të plotësuara. Nëse në këtë material zbatohet
5
një fushë e vogël elektrike, elektronet nuk do të lëvizin, sepse janë të lidhura për atomet e tyre
amë. Prandaj në T  0o K , silici dhe germaniumi janë izolatorë, dhe ngarkesat nuk kalojnë nëpër
to.
Një veçori më rëndësi e gjysmëpërçuesve është se elektronet mund të largohen nga

lidhjet kovalente nëse marrin energji të mjaftueshme nga jashtë. Prandaj, nëse temperatura rritet,
elektronet valente do të fitojnë energji termike e cila mund të jetë e mjaftueshme për shkëputjen
e lidhjeve kovalente. Këto elektrone lëvizin nga pozita e tyre origjinale (Fig.1.5.a), dhe janë të
lira të lëvizin brenda kristalit.
Elektroni
i lirë
+ + +
Atomi me
mungesë të
elektronit
(a) (b)
Fig.1.5 (a) Shkëputja e lidhjes kovalente për T  0o K ; (b) paraqitja dy-dimenzionale e lëvizjes
së vrimës me ngarkesë pozitive
Pasi që ngarkesa e përgjithshme e materialit është neutrale, nëse elektroni me ngarkesë

negative shkëput lidhjen e vet kovalente dhe lëviz nga pozita e vet origjinale, në pozitën e tij
krijohet një “gjendje e zbrazët” me ngarkesë pozitive (Fig.1.5.a). Kjo “grimcë” me ngarkesë
pozitive quhet vrimë. Nga ana tjetër, elektroni valent nga atomi fqinjë, që ka një sasi të
energjisë, në afërsi të një gjendjeje të zbrazët mund të lëviz në atë pozitë, siç është paraqitur në
Fig. 1.5.b, duke krijuar përshtypjen se edhe ngarkesa pozitive po lëviz nëpër kristalin e
gjysmëpërçuesit. Në gjysmëpërçues, pra, dy tipe të grimcave të ngarkuara kontribuojnë në
rrymë: elektroni i lirë me ngarkesë negative dhe vrima me ngarkesë pozitive.
Veprimi termik, megjithatë vazhdon të krijojë qifte të reja elektron-vrimë në njësi të

vëllimit. Këto elektrone dhe vrima lëvizin në mënyrë të rastit nëpër strukturën e kristalit të silicit
dhe në këtë proces disa nga elektronet mund të “plotësojnë” disa nga vrimat. Ky proces quhet
rekombinim dhe rezulton në zhdukjen e disa elektroneve dhe vrimave.
Koncentrimet e elektroneve dhe vrimave, (për cm3), janë parametra të rëndësishëm në

karakteristikat e materialeve gjysmëpërçuese, sepse ato drejtpërsëdrejti ndikojnë në madhësinë e
rrymës. Një gjysmëpërçues i pastër (anglisht intrinsic) është një kristal i materialit
gjysmëpërçues i cili nuk përmban atome të materialeve tjera në kristal. Te gjysmëpërçuesi i
pastër, dendësitë (koncentrimet) e elektroneve dhe të vrimave janë të barabarta, sepse burimet e
grimcave të tilla janë vetëm elektronet dhe vrimat e gjeneruara termikisht.
6
Prandaj me ni do të shënohet koncentrimi intrinsik i bartësve të lirë të elektricitetit si

elektroneve të lira ashtu edhe vrimave të lira. Ekuacioni për këtë koncentrim është
  Eg 
 
3/ 2  2 kT
ni  BT e 
(1.3)
Ku B është një konstantë e lidhur me materialin specifik gjysmëpërçues, Eg është energjia e

barrierës (eV), T është temperatura (oK) dhe k është konstanta e Boltzmann-it (86 x 10-6 eV/oK).
Vlerat për B edhe Eg për disa materiale gjysmëpërçuese janë dhënë në tabelën 1.2. Barriera
energjetike nuk është funksion shumë i varur nga temperatura.
Tabela 1.2 Konstantet e gjysmëpërçuesve

Materiali Energjia e barrierës Eg (eV) Konstanta B (cm-3oK-3/2)
Silici (Si) 1.1 5.23 x 1015
Galium arsenidi (Ga As) 1.4 2.10 x 1014
Germaniumi (Ge) 0.66 1.66 x 1015
Energjia kinetike e nevojshme për shkëputjen e lidhjeve kovalente mund të merret nga
energjia e dritës në formë të fotoneve, ose nga energjia termike nga mediumi rrethues. Në
temperaturën e dhomës ka përafërsisht 1.5x1010 bartës të lirë të elektricitetit (elektrone të lira që
i kanë shkëputur lidhjet kovalente me ndihmën e energjisë termike të ambientit dhe po aq vrima)
në një centimetër kub të materialit të pastër të silicit.
Materiale të pastra gjysmëpërçuese janë ato materiale që janë rafinuar me kujdes për
reduktimin e papastërtive (elementeve tjera kimike) në nivel shumë të ulët – aq sa është e
mundur me teknologjitë bashkëkohore. Elektronet dhe vrimat e lira në material, të shkaktuara
nga shkaktarët e natyrshëm (drita ose nxehtësia) quhen bartës të brendshëm ose bartës vetjak të
elektricitetit. Në temperaturë të njëjtë, materiali i pastër i germaniumit do të ketë përafërsisht
2.5x1013 bartës të lirë për centimetër kub. Herësi në mes të numrit të bartësve në germanium dhe
silic është më i madh se 103 dhe tregon se germaniumi është përçues më i mirë në temperaturë të
dhomës. Por megjithatë, të dy këto materiale ende konsiderohen si përçues të dobët në gjendje të
pastër.
Ndryshimi në temperaturën e materialit gjysmëpërçues mund ta rritë dukshëm numrin e

elektroneve të lira. Nëse temperatura rritet nga zero absolute (0o K) një numër gjithnjë më i
madh i elektroneve valente absorbon energji të nevojshme termike për shkëputjen e lidhjeve
kovalente dhe kështu kontribuojnë në numrin e përgjithshëm të bartësve të lirë të elektricitetit,
siç u përshkrua më lartë. Kjo rritje e numrit të bartësve do ta rritë përçueshmërinë e materialit
aktual dhe rezulton në nivelin më të ulët të rezistencës. Pra, materialet gjysmëpërçuese si
germaniumi dhe silici manifestojnë zvogëlim të rezistencës me rritje të temperaturës dhe për
këto materiale thuhet se kanë koeficient negativ temperaturor, për dallim nga materialet
përçuese, koeficienti temperaturor i të cilëve është pozitiv. Pra te përçuesit, me rritjen e
temperaturës, rritet rezistenca e materialit.
7
Shembulli 1.1
Një pllakë gjysmëpërçuese prej Silici të pastër ka gjatësi 4mm dhe prerje tërthore drejtkëndëshe me
dimensione 50 X 80 µm. Pllaka gjendet në temperaturën 300 oK. Llogaritni intensitetin e fushës elektrike
në pllakë si dhe tensionin në skaje të pllakës, nëse nëpër pllakë kalon rrymë prej 1µA.
Zgjidhje
J I 1 I
Nga Ligji i Ohm-it në formë lokale E    
 S  S
J 106
E  6 6
 2.3 105 102  5.75 105 V / m  5.75 103 V / cm
 50 10  80 10
Ku ( Si)  2.30 10  cm

5
Tensioni në skaje të pllakës është:

U  E  L  5.75 105  4 103  2300V
Rezultati i fituar në ketë shembull tregon që një tension jashtëzakonisht i madh është i nevojshëm për të
prodhuar një rrymë shumë të vogël (1 µA). Prandaj, gjysmëpërçuesit e pastër (intrisik) nuk janë të
përshtatshëm për komponentë elektronike. Siç do të shohim në vazhdim duhet të shqyrtojmë ndonjë
metodë për ta rritur koncentrimin e bartësve të lirë të elektricitetit në gjysmëpërçues.
Shembulli 1.2
Llogaritni ndryshimin e koncentrimit intrisik në Silic, Germanium dhe Galium-Arsenid, nëse temperatura
ndryshon nga T1=3000K në T2 =3600K.
Zgjidhje
Ekuacioni për koncentrimin intrisik të bartësve të lirë të elektricitetit, si elektroneve të lira ashtu edhe
vrimave të lira nga temperatura jepet me ek. (1.3)
Raporti i koncentrimit intrisik në dy temperatura është:

Eg
 3/2 Eg  1 1 
ni (T2 ) B  T  e
3/2 2 kT2
T    
  2  e
2 2 k  T1 T2 
Eg
ni (T1 )   T1 
B  T13/2  e 2 kT1
Ku janë: k- konstanta e Boltzman-it (k = 86 x 10-6 eV/oK), ndërsa Eg ndryshon varësisht nga
gjysmëpërçuesi Tabela 1.2
3/2 1.1
n (360)  360   1 1 
a) Për Silic (Si), i   e 286106
    62
ni (300)  300   300 360 
3/2 1.4
ni (360)  360  6  1 1 
b) Për Germanium (Ge),    e 28610     16
ni (300)  300   300 360 
3/2 0.6
n (360)  360   1 1 
c) Për Galium-Arsenid (Ga-As), i   e 286106
    198
ni (300)  300   300 360 
8
1.3 NIVELET ENERGJETIKE

Në strukturën atomike të izoluar ekzistojnë nivele energjetike diskrete të shoqëruara me
elektrone orbitale siç është paraqitur në Fig.1.6.a. Secili material ka bashkësinë e vet të caktuar
të niveleve të lejuara energjetike për elektronet në strukturën e vet atomike. Sa më i largët që
është elektroni nga bërthama aq më të lartë e ka nivelin (gjendjen) energjetike. Në mes të
niveleve diskrete energjetike janë barrierat (hapësirat) në të cilat asnjë elektron nuk mund të
ndodhet. Elektroni që e lëshon atomin amë ka gjendje më të lartë energjetike se cilido elektron
tjetër në strukturën atomike. Pasi që atomet e materialit janë të vendosura afër njëra –tjetrës, për
të formuar strukturë kristalore, në mes të atomeve paraqitet një interaksion, ashtu që elektronet
në orbitë të caktuar të një atomi kanë nivele energjetike që ndryshojnë shumë pak nga nivelet
energjetike të elektroneve të orbitës së njëjtë të një atomi fqinjë. Rezultati i përgjithshëm është
zgjerimi i niveleve diskrete të gjendjeve energjetike të mundshme për elektronet valente në një
brez siç është paraqitur në Fig.1.6b.
Duhet të theksohet se ende ekzistojnë nivelet kufitare dhe gjendjet energjetike maksimale
në të cilat secili elektron nga struktura atomike mund ta gjejë veten, dhe ende mbetet një regjion
i ndaluar në mes të brezit valent dhe nivelit jonizues.
Jonizimi është mekanizmi në të cilin një elektron mund të absorboj energji të

mjaftueshme që të shkëputet nga struktura atomike dhe t’i bashkëngjitet bartësve të lirë në
brezin përçues. Në atomin amë në këtë rast mbetet një ngarkesë e paplotësuar e cila nuk mund të
lëvizë dhe paraqet jon pozitiv.
Dy brezat më të lartë energjetik janë brezi valent dhe brezi i përçueshmërisë (Fig.1.6 b). Këto
breze janë të ndara me një regjion i cili përcakton energjinë që elektronet në kristale nuk mund
të posedojnë. Ky regjion zakonisht quhet brez i ndalimit (barrierës) (angl. forbiden gap).
Për izolatorët, elektronet valente formojnë lidhje të forta ndërmjet atomeve fqinje. Këto
lidhje thyhen me vështirësi dhe për pasojë s’ka elektrone të lira (në brezin përçues) për të
participuar në përçimin e rrymës.
Lidhjet ndërmjet atomeve fqinje në gjysmëpërçues janë të dobëta, prandaj vibracionet
termike mund të thyejnë disa nga lidhjet. Kur një lidhje është thyer, një elektron injektohet prej
brezit valent në brezin e përçueshmërisë dhe bëhet i lirë. Me këtë rast është krijuar një qift
elektron-vrimë dhe elektronit i jepet energji e barabartë ose më e madhe se energjia e brezit të
ndalimit.
Kur një elektron bie prej brezit të përçueshmërisë në brezin valent në ndonjë vrimë, ndodh
procesi i rekombinimit dhe zhduket një qift elektron-vrimë.
Në përçues (p.sh metale), brezi valent dhe brezi i përçueshmërisë përputhen, kështu që
nuk ka brez të ndalimit.
9
Energjia
Niveli valent
Barriera energjetike
Niveli i
Barriera energjetike
Niveli itretë
Etj.
Etj.
Bërthama
(a)
Energjia Energjia Energjia

Elektronet
Brezi përçues
e lira
Brezi përçues
EB >5eV
EB Elektronet
valente të
lidhura për Brezi
Brezi valent valent
strukturën e
Brezi valent përçues
atomit
Brezi valent përputhen
Izolatori Gjysmëpërcuesi
Gjysmëpërçuesi Përçuesi
(b)
Fig.1.6 Nivelet energjetike: (a) nivelet diskrete në strukturën e izoluar atomike; (b)brezat
përçues dhe valent për një izolator, gjysmëpërçues dhe përçues.
Barriera energjetike te gjysmëpërçuesit tetnon të zvogëlohet me rritjen e temperaturës.

Kjo sjellje mund të kuptohet më mirë nëse marrim parasysh se hapësira ndëratomike rritet kur të
rriten amplitudat e vibracioneve atomike për shkak të rritjes së energjisë termike. Ky efekt
shprehet me ekspanzionin linear të koeficientit të materialit. Rritja e hapësirës ndëratomike
ngritë potencialin e elektroneve, që pastaj redukton madhësinë e barriers energjetike.
Varëshmëria temperaturore e barrierës energjetike është caktuar eksperimentalisht dhe

përshkruhet me shprehjen Eg si funksion të temperaturës T:
ku Eg(0), and  janë parametra të përshtatjes dhe këta parametra për germanium, silic dhe
galium arsenid janë dhënë në tablën e poshtme:
10
Tabela 1.3 Parametrat temperaturor të Ge, Si dhe GaAs

Germanium Silici GaAs
Eg(0) [eV] 0.7437 1.166 1.519
 [eV/oK] 4.77 x 10-4 4.73 x 10-4 5.41 x 10-4
 [oK] 235 636 204
Energjia shprehet në elektronvolt (eV) dhe kjo njësi matëse është e përshtatshme sepse
kjo paraqet produktin në mes të fuqisë dhe kohës
W (energjia) = P(fuqi)· t(koha)
Nga ana tjetër, fuqia është produkti në mes të tensionit dhe rrymës
P=VI
Energjia mund të shprehet si
W = V·I·t
Pasi që rryma paraqet herësin në mes të ngarkesës dhe kohës
I = Q/t ose Q = I·t
Energjia mund të shprehet si produkt në mes të ngarkesës dhe tensionit
W= QV [Joul] (1.4)
Nëse zëvendësohet ngarkesa e një elektroni dhe ndryshimi i potencialit (tensioni) prej 1V
në ek.(1.4) do të fitohet niveli energjetik prej një elektronvolti. Pasi që energjia gjithashtu matet
me xhula (Joul) dhe ngarkesa e një elektroni është e = 1,6x10-19[C], energjia do të jetë
W = Q V = (1,6x10-19C) (1 V)
1 eV = 1,6x10-19[J] (1.5)
Më parë kemi theksuar se nëse papastërti të caktuara i shtohen materialeve të pastra

(intrinsike) gjysmëpërçuese, si rezultat do të kemi gjendje energjetike të lejuara në brezin e
ndaluar dhe zvogëlim të tërësishëm të barrierës EB për të dy llojet e këtyre materialeve. Pasojë e
këtij zvogëlimi të barrierës energjetike është rritja e dendësisë së bartësve në brezin përçues me
efekt të njëjtë si me rritjen e temperaturës.
11
1.4 MATERIALET E PAPASTËRTA (EKSTRINSIKE) TË TIPIT n DHE

TË TIPIT p
Koncentrimet e elektroneve dhe vrimave në gjysmëpërçuesin e pastër janë relativisht të
vogla, prandaj nëpër to mund të kalojnë vetëm rryma të vogla. Megjithatë, këto koncentrime
mund të rriten dukshëm duke i shtuar këtyre materialeve një sasi të kontrolluar të papastërtive.
Papastërtia e dëshiruar është e tillë që kur të futet në strukturën kristalore zëvendëson një atom të
gjysmëpërçuesit, edhe pse atomi i papastërtisë nuk ka strukturë të njëjtë të elektroneve valente.
Si materiale të papastërtive kryesisht përdoren elementet e grupit të III dhe të V të sistemit
periodik të elementeve. Këto elemente papastërtie, edhe pse shtohen në numër të vogël,
zakonisht në përpjesë 1:10x106 (1 atom papastërtie në 10x106 atome silici), kanë mundësi që
dukshëm ta ndryshojnë strukturën e brezave rreth atomit dhe tërësisht t’i ndryshojnë vetitë
elektrike të materialit. Materiali gjysmëpërçues i cili i nënshtrohet këtij procesi të dopingut
quhet material ekstrinsik (i papastër). Në fabrikimin e elementeve gjysmëpërçuese rëndësi të
posaçme kanë dy materiale ekstrinsike: materiali i tipit n dhe ai i tipit p. Secili nga këto dy lloje
të materialeve do të shpjegohen më hollësisht në paragrafët e ardhshëm.
Materiali i tipit n
Për formimin e materialit të tipit n shfrytëzohen elementet e grupit të V, siç janë

antimoni, arseni dhe fosfori. Për shembull, kur një atom i antimonit (Sb) zëvendëson një atom të
silicit në strukturën kristalore, siç është paraqitur në Fig.1.7, katër elektrone valente të tij
shfrytëzohen për formimin e lidhjeve kovalente me atomet fqinje të silicit. Elektroni i tij i pestë
është relativisht i lirë në brezin e atomit të antimonit, kështu që në temperaturën e dhomës, ky
elektron ka energji të mjaftueshme termike për shkëputjen e barrierës, dhe të bëhet i lirë për të
lëvizur nëpër kristal dhe të kontribuojë në rrymën e elektroneve në gjysmëpërçues.
Elektroni i pestë
valent i antimonit
-
Atomi i antimonit
(Sb) si papastërti
Fig.1.7 Papastërtia e antimonit në materialin e tipit n
Atomi i antimonit në këtë rast quhet papastërti donor, sepse ai dhuron një elektron që
është i lirë të lëvizë. Edhe pse atomi i mbetur i antimonit ka ngarkesë të përgjithshme pozitive,
atomi është i palëvizshëm brenda kristalit dhe nuk mund të kontribuojë në rrymë por sillet si jon
pozitiv. Prandaj, kur shtohet një papastërti donor në gjysmëpërçues, krijohen vetëm elektrone të
lira pa gjenerimin e vrimave. Ky proces pra quhet procesi i dopingut, dhe ai mundëson
12
kontrollimin e koncentrimit të elektroneve të lira në një gjysmëpërçues. Gjysmëpërçuesi i cili

përmban atome donor të papastërtisë quhet gjysmëpërçues i tipit n ( për shkak të ngarkesave
negative të elektroneve të lira).
Efekti i procesit të dopingut në përçueshmërinë relative më së miri mund të përshkruhet

me diagramin e brezave energjetik të paraqitura në Fig. 1.8.
Energjia
Brezi përçues
EB= 0.05eV(Si)
EB= 0.01 eV(Ge)
EB si më parë
Niveli
Brezi valent donorëve
Fig.1.8 Efekti i papastërtive donor në brezat energjetike të strukturës
Duhet të theksohet se niveli diskret energjetik (i quajtur niveli i donorëve) paraqitet në

brezin e ndaluar me një energji të barrierës EB shumë më të vogël se barriera e vet materialit të
pastër (intrinsik). Këto elektrone të lira mblidhen në këtë nivel energjetik dhe nuk kanë kurrfarë
problemi për absorbimin e energjisë së nevojshme termike për të lëvizur në brezin përçues në
temperaturën e dhomës. Si rezultat i kësaj, niveli përçues dhe përçueshmëria e materialit rriten
dukshëm. Në temperaturë të dhomës, në material intrinsik të silicit ka përafërsisht 1 elektron të
lirë për çdo 1012 atome (1 në 109 për Ge). Nëse niveli i dopingut është 1:107, herësi 1012/107
tregon se koncentrimi i bartësve të lirë është rritur për 105. Pra, numri i ngarkesave të lira, në
këtë rast elektroneve, është dukshëm më madh se numri i vrimave të lira.
Përfundimisht, gjysmëpërçuesi i tipit n përmban:
 Elektrone dhe vrima të krijuara nga shkëputja e lidhjeve kovalente

 Elektrone të krijuara nga futja e papastërtive donore
 Jone pozitive të papastërtive donore
Materiali i tipit p
Materiali i tipit p formohet me dopingun e kristalit të pastër të germaniumit ose të silicit

me atome të papastërtive të elementeve të grupit të III, të cilat kanë tri elektrone valente
(elemente trivalentësh). Elementet që përdoren më së shpeshti për këtë qëllim janë bori, galiumi
dhe indiumi. Efekti i njërit prej këtyre elementeve, borit, në bazën e silicit është paraqitur në
Fig.1.9. Kur atomi i borit e zëvendëson një atom të silicit, tri elektronet e tij valente formojnë
lidhjen kovalente me atomet fqinje të silicit, ndërsa një pozitë në këtë brez mbetet e hapur sepse
mungon elektroni i katërt i nevojshëm për këtë lidhje. Në temperaturën e dhomës, elektronet
valente të atomeve fqinje të silicit kanë energji të mjaftueshme termike që të lëvizin në këtë
13
pozitë, duke krijuar një vrimë në atomin e vet amë të cilin e kanë braktisur. Atomi i borit tani ka
ngarkesë negative sepse ka një elektron më tepër, por nuk mund të lëviz dhe ai sillet si jon
negativ. Vrima e krijuar mund të lëviz dhe kontribuon në rrymën e vrimave.
Pasi që bori ka pranuar një elektron valent, ai quhet papastërti akceptor. Atomet
akceptor pra krijojnë vrima të lira pa gjenerimin e elektroneve. Ky proces gjithashtu quhet
doping dhe me te kontrollohet koncentrimi i vrimave në gjysmëpërçues. Gjysmëpërçuesi i cili
përmban atome akceptor të papastërtisë quhet gjysmëpërçues i tipin p, për shkak të ngarkesave
të lira pozitive.
Vrima
B +
Atomi i borit
(B) si papastërti
Fig.1.9 Papastërtia e borit në materialin e tipit p
Duhet të theksohet se tani paraqitet mungesë e një elektroni për ta kompletuar lidhjen
kovalente në strukturën e re të formuar. Zbrazëtira rezultuese quhet vrimë dhe ajo është e
shënuar më shenjën pozitive për shkak të mungesës së ngarkesës negative. Pasi që zbrazëtira
rezultuese është e gatshme gjithherë të pranoj elektron të lirë, këto papastërtitë e shtuara quhen
atome akceptor (pranues). Materiali rezultues i tipit p është elektrikisht neutral për të njëjtat
arsye si edhe materiali i tipit n.
Efekti i vrimës në përçueshmërinë e materialit është paraqitur në Fig.1.10. Në këtë rast

pra paraqitet bartje e vrimave në kah të majtë dhe e elektroneve në të djathtë, siç është paraqitur
në këtë figurë. Procesi i dopingut i cili mundëson kontrollin e koncentrimeve të elektroneve dhe
vrimave të lira, përcakton pra përçueshmërinë dhe rrymat në këto materiale.
14
Lëvizja e vrimës
Lëvizja e elektronit
Fig.1.10 Lëvizja e elektronit ndaj vrimës.
Në gjendje të pastër (intrinsike), numri i elektroneve të lira në germanium ose silic është
i barabartë me ato elektrone në brezin valent që kanë pranuar energji të mjaftueshme nga
burimet termike ose të dritës që t’i shkëpusin lidhjet kovalente. Numri i vrimave të lira është i
barabartë me numrin e elektroneve të lira sepse ato paraqesin zbrazëtirat të cilat mbesin në
strukturën e lidhjeve kovalente nga ku janë shkëputur elektronet e lira. Në materialin e tipit n,
numri i vrimave nuk ndryshon shumë nga numri i vrimave në materialin intrinsik. Rezultati
përfundimtar është se numri i elektroneve e tejkalon dukshëm numrin e vrimave. Për këtë arsye,
elektronet quhen bartës kryesor ndërsa vrimat bartës minor sepse nuk krijohen me doping, siç
është paraqitur në Fig.1.11.a. Për materialin e tipit p në Fig.1.11.b vlen e kundërta.
Kur elektroni i pestë i atomit donor lëshon atomin amë, atomi i mbetur përvetëson një
ngarkesë pozitive, prandaj joni i donorit paraqitet me shenjë pozitive. Për arsye të njëjtë, joni
negativ i akceptorit paraqitet me shenjë negative.
Jonet e donorëve Jonet e akceptorëve

Tipi n Tipi p
+
- - -+ - + + -
- + + -
+ - - -
- +
+
Bartësit - - + - + - - + - Bartësit
minor + - - - + - - - minor
+ + + + + - - - + +
- -
+ + - -
- + - - +
+ + - ++ + +
- - + + - +
+ - - +
+ +
- - + -
- + -
Bartësit kryesor Bartësit kryesor
Fig.1.11 Bartësit e elektricitetit në: (a) materialin e tipit n; (b) materialin e tipit p
Përfundimisht, gjysmëpërçuesi i tipit p përmban:
 Vrima dhe elektrone të krijuara nga shkëputja e lidhjeve kovalente

15
 Vrima të krijuara nga futja e papastërtive akceptore

 Jone negative të papastërtive akceptore
Lidhja themelore në mes të koncentrimeve të elektroneve dhe vrimave në një

gjysmëpërçues në ekuilibrin termik është e dhënë me
no po  ni2 (1.6)
ku no paraqet koncentrimin termik të elektroneve të lira, po koncentrimi termik i vrimave të lira

dhe ni koncentrimi i bartësve intrinsik.
Në temperaturën e dhomës (T=300oK),secili atom i donorit i dhuron një elektron të lirë

në gjysmëpërçues. Nëse koncentrimi i donorëve Nd është shumë më i lartë se koncentrimi
intrinsik, koncentrimi i elektroneve të lira mund të aproksimohet si
no  N d (1.7)
Atëherë nga ekuacioni (1.6), koncentrimi i vrimave është:
ni2
po  (1.8)
Nd
Ngjashëm, në temperaturë të dhomës, secili atom i akceptorit pranon një elektron valent,
duke krijuar një vrimë. Nëse koncentrimi i akceptorëve Na është shumë më i lartë se koncentrimi
intrinsik, koncentrimi i vrimave të lira mund të aproksimohet si
po  N a (1.9)
Atëherë nga ekuacioni (1.6), koncentrimi i elektroneve është
ni2
no  (1.10)
Na
Materialet e tipit n dhe p të formuara kësisoj paraqesin blloqet themelore të ndërtimit të

komponentëve gjysmëpërçuese. Më vonë do të tregohet se me bashkimin e një materiali të tipit
n me materialin e tipit p fitohet një material gjysmëpërçues me rëndësi të posaçme në sistemet
elektronike.
Në kristalet me atome donore dhe akceptore të pranishme vlen: koncentrimi i

përgjithshëm i elektroneve në brezin e përçueshmërisë, n0, dhe joneve akceptore, duhet të
jetë i barabartë koncentrimin e vrimave, p0 plus koncentrimi i joneve donore, .
Nëse nuk specifikohet ndryshe, ne mund të supozojmë që donorët dhe akceptorët janë të
jonizuar komplet. Me këtë rast vlen:
16
no  Na  p0  Nd (1.11)
Ekuacioni (1.11) mund të shkruhet si
no  p0  Nd  Na (1.12)
Ne do të definojmë diferencën Nd  Na si koncentrim neto donor NDneto = ND. Në mënyrë të

ngjashme do të definojmë edhe diferencën Na  Nd si koncentrim neto akceptor NAneto = NA.
Prandaj,
N Dneto  Na  Na (1.13)
N Aneto  Na  Nd (1.14)
Duke kombinuar ekuacionin (1.6) dhe (1.12) fitohet ekuacion kuadratik. Supozojmë për
momentin që Nd është më i madh se Na, prandaj kemi N D  N A  N D  0 dhe zgjidhjet e
ekuacionit kuadratik janë:
ND ND 4  ni2
n0   1 (1.15)
2 2 ND
ND ND 4  ni2
p0    1 (1.16)
2 2 ND
Në rastet praktike gati çdoherë vlen ND >> ni dhe shprehjet e mësipërme mund të thjeshtohen si
ni2
n0  N D   ND (1.17)
ND
ni2 ni2
dhe po   (1.18)
no N D
Në anën tjetër, nëse Na është më i madh se Nd dhe NA >> ni, atëherë
p0  N A (1.19)
ni2 ni2
no   (1.20)
po N A
17
Shembulli 1.3
Konsideroni një mostër silici që përmban 5 x 10 16 cm-3 atome të Borit dhe 9 x 1017 cm-3 atome të Arsenit.
Sa është koncentrimi i elektroneve dhe vrimave në ekuilibër termik në këtë mostër në temperaturën e
dhomës?
Është e njohur ni = 1010 cm-3.
Zgjidhje:
Meqë Bori është në grupin e III-të në sistemin periodik dhe paraqet akceptor, arseni është në grupin e V-të
në sistemin periodik dhe është donor. Prej këtu Na = 5 x 1016 cm-3 dhe Nd = 9 x 1017 cm-3.
Pasi Nd > Na shohim se kemi një koncentrim neto të donorëve ND = Nd – Na = 8.5 x 1017 cm-3
Prej këtu mostra është e tipit n, elektronet janë bartës shumicë dhe në ekuilibrin termik dhe koncentrimi n0
përafërsisht është sa ND
Pra, no = 8.5 x 1017 cm-3,
Nga Ligji i veprimit të masës llogarisim koncentrimin e bartësve pakicë.
Shembulli 1.4
Gjeni koncentrimin e papastërtive donore me të cilën duhet të pasurohet Silici në temperaturën 300 oK
ashtu që koncentrimi i elektroneve të jetë 20 herë më i madh se koncentrimi i vrimave. Është ë njohur
ni  1.13  1010 cm 3 (T=300oK)
Zgjidhje:
Nga ek. (1.6)

no po  ni2
Kondita e detyrës është që koncentrimi i elektroneve të jetë 20 herë më i madh se koncentrimi i vrimave
n0  20 p0
Prandaj, nga ligji i veprimit të masës shkruajmë:
20 p0  p0  ni2  20 p02  ni2
ni 1.13 1010
p0    0.25 1010 cm3  2.5 109 cm3
20 20
Pasi n0  20  p0  20  2.5 109 cm3  5 1010 cm3
Pasi gjysmëpërçuesi është i tipit n (donor) vlen : N D  n0  5 1010 cm3

18
1.5 RRYMAT E BARTJES (DRIFT) DHE TË DIFUZIONIT

Dy procese themelore që shkaktojnë lëvizjen e vrimave dhe të elektroneve në
gjysmëpërçues janë: (a) bartja (drift), e cili paraqet lëvizjen e shkaktuar nga fusha elektrike;
dhe (b) difuzioni, që paraqet rrjedhën e shkaktuar nga ndryshimet në koncentrim, që do të thotë
se paraqet gradientin e koncentrimit. Gradienti i tillë mund të jetë i shkaktuar nga shpërndarja
johomogjene e dopingut, ose me injektimin e një sasie të elektroneve ose vrimave në një regjion,
me metodat që do të diskutohen më vonë.
Për ta kuptuar driftin (bartjen), përvetësojmë se një fushë elektrike zbatohet në një
gjysmëpërçues. Fusha krijon një forcë e cila vepron në elektrone dhe vrima të lira, të cilat nën
veprimin e kësaj force pastaj lëvizin. Të shqyrtojmë një gjysmëpërçues të tipit n më një numër
të madh të elektroneve të lira (Fig. 1.11 a). Fusha elektrike Ee zbatuar në një kah krijon një
forcë në elektrone në kah të kundërt, për shkak të ngarkesës negative të elektroneve. Elektronet
marrin një shpejtësi të bartjes (driftit) vdn (në cm/s) e cila mund të shkruhet si
vdn  n E (1.21)
ku µn është një konstantë e quajtur lëvizshmëria e elektroneve dhe ka njësinë cm2/V-s. Për
silicin me doping të ulët, vlera tipike e µn është 1350 cm2/V-s. Lëvizshmëria mund të
paramendohet si një parametër që tregon sa mirë mund të lëviz një elektron në gjysmëpërçues.
Shenja negative në ek.(1.21) tregon se shpejtësia e bartjes së elektronit është e kundërt me atë të
fushës së zbatuar siç është paraqitur në Fig. 1.12.a. Bartja (drifti) e elektronit krijon rrymën e
bartjes (driftit) me dendësi Jn (A/cm2) e cila është
J n  envdn  en(n E )  enn E (1.22)
ku n paraqet koncentrimin e elektroneve (për cm3) dhe e është madhësia e ngarkesës elektrike të
elektronit. Rryma konvencionale e driftit ka kah të kundërt me rrjedhën e ngarkesave negative,
që do të thotë se rryma e driftit në gjysmëpërçuesin e tipit n ka kah të njëjtë si fusha e zbatuar
elektrike.
Tipi - n Tipi - p
E E
v dn e- h+ v dp
Jn Jp
(a) (b)
Fig.1.12 Fusha e zbatuar elektrike, shpejtësia e bartësve dhe dendësia e rrymës së driftit në (a)
gjysmëpërçues të tipit n dhe (b) gjysmëpërçues të tipit p
Në vazhdim ta shqyrtojmë gjysmëpërçuesin e tipit p me një numër të madh të vrimave

(Fig.1.12 b). Fusha e zbatuar elektrike me kah të caktuar krijon një forcë në vrima me kah të
njëjtë, për shkaka të ngarkesës pozitive të vrimave. Vrimat marrin një shpejtësi të bartjes vdp (në
cm/s) e cila mund të shkruhet si
19
vdp    p E (1.23)
ku µp është një konstantë e quajtur lëvizshmëria e vrimave dhe ka njësinë cm2/V-s. Për silicin
me doping të ulët, vlera tipike e µp është 480 cm2/V-s., që është gati për gjysmë më e vogël se
vlera e lëvizshmërisë së elektroneve. Shenja pozitive në ek.1.23 tregon se shpejtësia e bartjes së
vrimave ka kah të njëjtë me fushën e zbatuar elektrike siç është paraqitur në Fig. 1.11 b. Bartja e
vrimave (drifti) krijon një rrymë të bartjes me dendësi Jp (A/cm2) të dhënë me shprehjen
J p  epvdp  ep(  p E )  ep p E (1.24)
ku p paraqet koncentrimin e vrimave (për cm3) dhe e është përsëri madhësia e ngarkesës
elektrike të elektronit. Rryma konvencionale e driftit ka kah të njëjtë me rrjedhën e ngarkesave
pozitive, që do të thotë se rryma e driftit në gjysmëpërçuesin e tipit p ka gjithashtu kah të njëjtë
si fusha e zbatuar elektrike.
Pasi që gjysmëpërçuesi përmban edhe vrima edhe elektrone, dendësia e rrymës totale të
driftit është shuma e komponentës së elektroneve dhe e vrimave. Dendësia totale e rrymës së
driftit është
J  envdn E  epvdp E   E (1.25)
ku   enn  ep p (1.26)
paraqet përçueshmërinë e gjysmëpërçuesit në (Ω-cm-1). Përçueshmëria është e lidhur me

koncentrimin e elektroneve dhe vrimave. Nëse fusha elektrike është rezultat i një tensioni të
zbatuar në gjysmëpërçues, atëherë në ek.1.15 paraqitet lidhshmëria lineare në mes të rrymës dhe
tensionit dhe kjo është një formë e ligjit të Ohm-it.
Nga ek.1.26, shohim se përçueshmëria mund të ndryshojë nga tipi i theksuar n, n  p , me

doping të lartë të papastërtive donor në tipin e theksuar p, p  n , me doping të papastërtive
akceptor. Mundësia e kontrollimit të përçueshmërisë së një gjysmëpërçuesi me doping të
zgjedhur bënë të mundur fabrikimin e komponentëve elektronike të llojllojshme të cilat
sot përdoren.
Me difuzion, grimcat lëvizin nga një regjion me koncentrim të lartë në regjion me

koncentrim më të ulët. Kjo është një dukuri statistike e lidhur me teorinë kinetike. Ta
shpjegojmë kësisoj, elektronet dhe vrimat në një gjysmëpërçues janë në lëvizje të vazhdueshme,
me një shpejtësi mesatare të caktuar nga temperatura, dhe me kahe të rastit që ndërlidhen me
strukturën kristalore të atomeve. Nga statistika, mund të përvetësojmë, se në çfarëdo çasti të
veçantë, përafërsisht gjysma e grimcave në regjionin me koncentrim të lartë lëvizin nga ai
regjion në drejtim të regjionit me koncentrim më të ulët. Gjithashtu mund të përvetësojmë se, në
të njëjtën kohë, përafërsisht gjysma e grimcave nga regjioni me koncentrim më të ulët lëvizin në
drejtim të regjionit me koncentrim më të lartë. Si do që të jetë, sipas definicionit, më pak ka
grimca në regjionin me koncentrim të ulët se sa në regjionin me koncentrim të lartë. Prandaj,
rezultati përfundimtar është rrjedha e grimcave nga regjioni me koncentrim të lartë në regjionin
me koncentrim të ulët. Ky është procesi themelor i difuzionit.
20
Për shembull, ta shqyrtojmë një koncentrim të elektroneve i cili ndryshon si funksion i

distancës x, siç është paraqitur në Fig.1.13 a. Difuzioni i elektroneve nga regjioni me koncentrim
të lartë në regjionin me koncentrim të ulët krijon rrjedhën e elektroneve kahun negativ x. Pasi që
elektronet kanë ngarkesë negative, kahu konvencional i rrymës është në kahun pozitiv të boshtit
x.
n p
Difusioni i Difusioni i
elektroneve vrimave
Dendësia e rrymës Dendësia e rrymës

difuzive të elektroneve difuzive të vrimave
x x
(a) (b)
Fig.1.13 Dendësia e rrymës e shkaktuar nga gradienti i koncentrimeve: (a) difuzioni i

elektroneve dhe dendësia gjegjëse e rrymës dhe (b)difuzioni i vrimave dhe dendësia gjegjëse e
rrymës
Në Fig. 1.13 b, është paraqitur koncentrimi i vrimave në funksion të distancës. Difuzioni

i vrimave nga regjioni me koncentrim të lartë në regjion me koncentrim të ulët krijon rrjedhën e
vrimave kahun negativ x, ndërsa edhe kahu i rrymës në këtë rast është i njëjtë për shkak të
ngarkesës pozitive të vrimave.
Dendësia e rrymës totale është shuma e komponentës së rrymës së driftit dhe të

difuzionit. Për fat të mirë, në shumicën e rasteve dominon vetëm një komponentë në rrymë në
çfarëdo kohe në një regjion të dhënë të gjysmëpërçuesit.
Shembulli 1.5
Llogaritni rezistencën e pllakës gjysmëpërçuese të pastër me gjatësi l = 0,2 mm dhe prerje tërthore S = 0,01
mm2 në temperaturat:
a) T=300o oK dhe b) T=350o K,
Janë të njohura: μn (300oK) = 1430 cm2/Vs, μp(300oK) = 460 cm2/Vs,
μn(350K) = 1051 cm2/Vs, μp(350oK) = 328.7 cm2/Vs
 
kurse dhe ni 3500 K  4.862 1011 cm3 .
Zgjidhje
Rezistenca e pllakës gjysmëpërçuese llogaritet nga:
 
l 1
R , ku janë:   dhe   q  n n  p  p
S 
a) T=3000K
ni  3000 K   1.38 1010 cm3

21
Meqë gjysmëpërçuesi është i pastër atëherë vlen: n  p  ni
Prandaj, nga   q  ni   n   p 
S
  1.6 1019 1.38 1010  1430  460   4.173
cm
1
  239.6 k cm

l 0,2 101
R   239,6 103   47,93 M
S 0,01102
b)T=3500K
ni  350 0 K   4.862 1011 cm3
n  p  ni
S
Nga   q  ni   n   p   1.6 1019  4.862 1011  1051  328.7   107.3
cm
1
  9.317 k cm

l 0.2 101
R   9.317 103   1.863 M 
S 0.01102
Shembulli 1.6
Paralelopipedi prej Germaniumi (Ge) i tipit p ka gjatësi 5mm, gjerësi 2mm dhe lartësi 1mm. Të llogaritet:
(a) Koncentrimi i shtesave akceptore në paralelopiped, nëse rezistenca elektrike e tij është150 Ω.
(b) Raporti i përçueshmërisë për shkak të vrimave dhe elektroneve (p/n)
Lëvizshmëria e elektroneve dhe vrimave është 0.12m2/Vs, respektivisht 0.025m2/Vs.
Fig.1.14
22
Zgjidhje
a) Në gjysmëpërçuesin e tipit p shumicë janë vrimat. Meqë përçueshmëria  është në proporcion të drejtë
me koncentrimin e bartësve,   e  (nn  p p ) , dhe në rastin tonë p  n atëherë,  ju dedikohet
vrimave,
Pra,   ep p dhe NA  p

prandaj, NA  .
e p
l 1 l
Rezistenca e paralelepipedit do të jetë: R  
S p S
l
Prej nga, NA 
R  S  e p
5 103[m] atome
NA   4.16 1015
m2 cm 3
150[]  2 106 [m 2 ] 1.6 1019[C ]  0.025
V S
b)  p  ep p  eN A p ,  n  enn  eN D n
pi2 ni2 ni2
Nga ligji i veprimit të masës, n p  n  p
2 2 , n  Prej këtu,   e ,  p eN A  p
i i p NA n
NA
p e   p e   2A   p  2A   p
= = =
n e  ni   p
2
e  ni   n
2
ni   n
2
NA
në një gjysmëpërçues të pastër të Ge , pi = ni = 2.5 10 13 cm-3.
p
Pas zëvendësimeve përkatëse fitohet  5768 pra  p =5768  n , që është edhe plotësisht e
n
arsyeshme.
Shembulli 1.7
Në burimin e tensionit U=1.5 V është lidhur në seri rezistori R=68 dhe pllakëza e silicit të pasuruar.
Është e njohur gjatësia e pllakës l=1mm, prerja tërthore S=1mm2, koncentrimi i atomeve akceptore
NA=1016 cm-3, lëvizshmëria e vrimave p=400 cm2/Vs. Pllakëza e silicit gjendet në temperaturën
T=3000K. Llogaritni sa është rryma që jep burim i tensionit në qark.
Zgjidhje
Qarku elektrik mund të paraqitet si në vijim:
Përçueshmëria specifike e silicit është:
  q  p   p  0,64 S cm
p  N A , prandaj n << N A
Rezistenca e pllakës së silicit është:

23
l l U
Rsi      15,6 . Rryma në qark do jetë I  , pra I  17,9mA .
S  S R  Rsi
Shembulli 1.8
Rezistori R = 2kΩ dhe pllaka e silicit (me gjatësi l = 400 μm, prerje tërthore S = 8000 μm2) lidhen në seri
së bashku me burimin e tensionit E = 4.5 V. Silici është pasuruar me atome tre valente me koncentim prej
1015 cm−3. Janë të njohura: μn = 1386 cm2/Vs, μp = 452 cm2/Vs dhe T=300oK. Llogaritni fuqinë në
rezistor, pllakë të silicit si dhe fuqinë e burimit.
Zgjidhje
  q  n  n  p   p 
l 1
RSi    ,  ,
S 
 q  n   n  q  p   p    q  p   p
N A  1015 cm 3  
  p  n  
ND  0   p  N  1015 cm 3
 A
I R
mS
  q  p   p  72,32
cm
E RSi 1
  13,83 cm

l 400 104
RSi    13,83   6,914 k 
S 8000 108
Rtot  R  RSi  8,914 k

E
I  0.5048 mA
Rtot
PR  I 2  R  0.5 mW , PSi  I 2  RSi  1,762 mW , PE  E  I  2,272 mW
Shembulli 1.9
Rezistenca e një gjysmëpërçuesi të tipit n në njësi të gjatësisë është R’= 2 Ω/cm. Koncentrimi i elektroneve
në gjysmëpërçues ka vlerën n  1.25  1017 cm 3 . Nëse intensiteti i rrymës nëpër prerjen tërthore rrethore
me diametër d = 1 mm ka vlerën I = 157 mA gjeni:
a) lëvizshmërinë e elektroneve
b) përçueshmërinë specifike
c) shpejtësinë e driftit të elektroneve.
24
Zgjidhje
a) Vartësia e shpejtësisë së driftit nga fusha elektrike shprehet me vn   n  E

l R 
Rezistenca e gjysmëpërçuesit është R , ndërsa rezistenca në njësi të gjatësisë R'  
S l S
ku S paraqet syprinën e prerjes tërthore të gjysmëpërçuesit S  (d / 2)    7.85  10 cm
2 3 2
Meqë kemi të bëjmë me gjysmëpërçues të tipit n(donor),   qn n rezistenca në njësi të gjatësisë mund
1 1
të shprehet R'   dhe nga formula e fundit mund të gjejmë lëvizshmërinë e elektroneve
S qn n S
1 cm 2
n  , Prej nga  n  3184.7
qnR' S Vs
b) Përçueshmëria specifike është:
  qn n = 63,69 S/cm

I A
c) Dendësia e rrymës është J   20 Pasi J    E
S cm2
J V
E  0.314 , nga formula për shpejtësinë e driftit të elektroneve gjejmë që
 cm
vn  n  E =1000 cm/s
Shembulli 1.10
Dy pllaka me dimensione të njëjta, njëra e Si dhe tjetra e Ge janë të kyçura në qark sikur është treguar në
Fig. 1.15.a Pllakat janë të vendosura në temperaturën e dhomës dhe ampermetri i kyçur në qark tregon
rrymën 3mA = const. Nëse pllaka e Ge është e pastër, tregoni sa do të jetë intensiteti i fushës elektrike në
secilën pllakë për këto raste:
(a) Pllaka e Si është e pastër

(b) Pllaka e Si pasurohet me N A  1016 cm 3
(c) Pllaka e Si pasurohet me N D  1017 cm 3
Vlera e lëvizshmërisë nga koncentrimi i papastërtive është treguar në Fig.1.15.b, ndërsa dimensionet e
pllakave janë:a=1mm, b=2mm, c=3mm.
25
Fig. 1.15.a Fig. 1.15.b
Zgjidhje
U Ge
a) Intensiteti i fushës elektrike në pllakën e Germaniumit është E (Ge)  , UGe- është tensioni në
l
mes skajeve të pllakës së Ge.
U Ge R(Ge)  I b
E (Ge)   , ndërsa R(Ge)  Ge  prej nga intensiteti i fushës elektrike në
b b ac
Ge  I
pllakën e Ge do të jetë: E (Ge) 
ac
45   cm  3 mA V
E (Ge)   450
1 mm  3 mm m
Në mënyrë të ngjashme llogaritet edhe intensiteti i fushës elektrike në pllakën e Silicit.
3
b) Kur pllaka e Si pasurohet me N A  10 cm (akceptore) do fitohet gjysmëpërçues i papastër i tipit p,
16
natyrisht me përçueshmëri specifike më të madhe.

1 1
 p  eN A p   eN A p pra,  p 
p e NA  p
cm 2
Nga diagrami në Fig.1.15.b lexojmë p  600 ,
VS
a 1 a
Prandaj, R(Si)= p =
b  c eN A  p b  c
E(Si) kur Si po pasurohet është:
I 1 a I
E(Si)=R(Si)  =  
a eNA p bc a
c) Kur pllaka e Si pasurohet me ND=1017atome/cm3 (donore) fitohet gjysmëpërçuesi i pastër i tipit n,

natyrisht me përçueshmëri specifike më te madhe.
26
1 1
n  e  N D  n   N 
N eN Dn
cm 2
Nga diagrami fitojmë  n  800
V s
1 a
N  ,R(Si) = N 
cm 2
bc
1.6 10 19 1017  800
V s
U ( Si) R( Si)  I I 1 a I
E(Si) =   R( Si)    
a a a eN D   n b  c a
I
E(Si) =
eN D  n  b  c
Shembulli 1.11
Rezistori i silicit me gjatësi 100m është pasuruar me atome akceptore. Sipërfaqja e prerjes tërthore e tij
është 10m2, ndërsa lëvizshmëria e vrimave është 200cm2/Vs. Në rezistor është kyçur tensioni prej 2 V
dhe rrjedh rryma prej 96 A. Rezistori gjendet në temperaturën 300oK. Gjeni:
(a) Rezistencën e rezistorit të silicit
(b) Përçueshmërinë specifike
(c) Koncentrimin e atomeve akceptore.
Zgjidhje
U 2V 2
a) R=    106  20.83k
I 96A 96
b) J = E
I U I l 96 106 100 106 S

      4.8
U S 2 10  106 
2
S L cm
c)   N A  P  e

NA =  1.5 1017 cm3
P  e
27
Shembulli 1.12
Silici është pasuruar fillimisht me 1014 atome pesë - valente në cm3. Gjeni tipin (donor apo akceptor) dhe
koncentrimin e atomeve të papastërtisë së dytë ashtu që në T=300oK përçueshmëria e siliciumit të jetë për
75% më e madhe se pas pasurimit të parë. Është e njohur: μn (300oK) = 1400 cm2/Vs, μp(300K) = 460
cm2/Vs, ni= 1,381010 cm-3). Sa është përçueshmëria pas pasurimit të dytë?
Zgjidhje:
Koncentrimi i bartësve shumicë pas pasurimit të parë është: n1  N D1  1014 cm3

Përçueshmëria ketë rast është:  1  e  n1   n = 1.6  10 19  1014  1400 (  cm) 1
Pas pasurimit të dytë përçueshmëria rritet për 75%, prandaj pasurimi i dytë bëhet prapë me atome pesë-
valente (donore)
 2   1  75% 1  1.75   1  0.0392 (  cm) 1
2
 2  e  (n1  N D 2 )  n  N D 2   n1  0.75 1014 cm3
en
Shembulli 1.13
3
Silici i pastër së pari është pasuruar me atome primese (papastërtie) me koncentrim prej 1.5  10 cm ,
15
3
kurse pas kësaj edhe njëherë me atome papastërtie prej 2  10 cm . Gjeni tipin e papastërtisë së parë
15
dhe të dytë ashtu që pas pasurimit të dytë përçueshmëria specifike të jetë maksimale.
Llogaritni përçueshmërinë specifike të pllakës së silicit pas pasurimit të dytë në temperaturën 300 oK.
Lëvizshmëria e bartësve ka vlerat: 900 cm2/Vs dhe 350 cm2/Vs
Zgjidhje
Përçueshmëria specifike do jetë maksimale nëse pasurimet janë të të njëjtit tip ashtu që papastërtitë të
mos e kompensojnë njëra tjetrën. Prandaj, përçueshmëria specifike do jetë më e madhe (maksimale) nëse
pasurohet me n1 = ND1, n2=ND2
Pas pasurimit të dytë koncentrimi i përgjithshëm(total) i donorëve është:
N tot  N1  N 2  1,5  1015  2  1015  3,5  1015 cm 3
Në temperaturën T=300oK, Ntot >> ni, prandaj
n  N tot  3,5  1015 cm 3
ni2 (1,45 1010 ) 2

p   6 10 4 cm 3 , n>>p, prandaj përçueshmëria specifike do jetë:
n 3,5 1015
   n  en n  0,504 S / cm
28
Shembulli 1.14
Numri i atomeve në silic është Nat  5 1022 atome / cm3 . Nëse Silicit i shtohen papastërti donore në
raport 1 atom papastërti në 108 atome të silicit, gjeni ndryshimin e rezistencës specifike në krahasim (me
gjysmëpërçuesin e pastër) në temperaturën e dhomës (300oK). Koncentrimi bartësve në gjysmëpërçues të
pastër është në temperaturës (300oK) është ni  1.13 1010 cm3 , kurse lëvizshmëria e elektroneve dhe
vrimave është: μn =1450 cm2/ Vs dhe μp =500 cm2/ Vs.
Zgjidhje
Në gjysmëpërçuesin e pastër, koncentrimi i elektroneve të lira është i barabartë me koncentrimin e

elektroneve të lira ( n  p  ni )
Rezistenca specifike e gjysmëpërçuesit të pastër është:
1 1
i    2.83 105 cm
 eni ( n   p)
Nga raporti i futjes së papastërtisë mund të shkruajmë:
N at
Nd  8
 5 1014 cm3
10
Pasi kemi të bëjmë me papastërti donore, atëherë vlen:
n  Nd  5 1014 cm3
ni2
Nga Ligji i veprimit të masës p  3.38 105 cm3
n
1
Pasi n >> p, mund të llogarisim që:  n   8.62 cm
enn
i
Së fundi:  32830

29
PASQYRË PYETJESH
1.1. Numëro së paku tri elemente nga sistemi periodik i elementeve të cilat shfaqin veti
gjysmëpërçuese.
1.2. Cili është materiali gjysmëpërçues aktual më i përdorur për ndërtimin e komponentëve
elektronike?
1.3. Çfarë tipi të rrjetës kristalore ka Silici?
1.4. Çka i dallon materialet gjysmëpërçuese nga materialet përçuese dhe izolatore?
1.5. Çfarë lloji të lidhjes kimike ka ndërmjet atomeve të Silicit në strukturën kristalore të tij?
1.6. Sa elektrone valente ka një gjysmëpërçues?
1.7. Pse gjysmëpërçuesit kanë më pak elektrone të lira se sa përçuesit?
1.8. Cili është kuptimi i termit intrisik?
1.9. Çka është vrima?
1.10. Definoni zonën e ndalimit te gjysmëpërçuesit dhe tregoni vartësinë e gjerësisë së zonës
së ndalimit prej temperaturës për Si dhe Ge.
1.11. A janë elektronet e lira në brezin valent apo në brezin përçues?
1.12. Cilat elektrone janë përgjegjëse për rrymën elektrike në silic?
1.13. Sa është koncentrimi i bartësve të lirë të elektricitetit në një gjysmëpërçues të pastër në

temperaturë 00K?
1.14. Cili është dallimi në mes të një atomi pesë valent dhe një atomi tre valent?
1.15. Si emërohen ndryshe atomet tre dhe pesë valente?
1.16. Çka është doping-u?
1.17. Si formohet një gjysmëpërçues i tipit n?
1.18. Si formohet një gjysmëpërçues i tipit p?
1.19. Cilët janë bartësit shumicë në një gjysmëpërçues të tipit n?
1.20. Cilët janë bartësit shumicë në një gjysmëpërçues të tipit p?
1.21. Me çfarë procesi prodhohen bartësit shumicë në një gjysmëpërçues?

30
1.22. Me çfarë procesi prodhohen bartësit pakicë në një gjysmëpërçues?
1.23. Cili është dallimi në mes gjysmëpërçuesve intrinsik dhe ekstrinsik?
1.24. Ligji i veprimit të masës.
1.25. Një gjysmëpërçues ka koncentrim të donorëve ND dhe akceptorëveNA. Cilat relacione

duhet të përdoren për të përcaktuar koncentrimet e elektroneve n dhe vrimave p?
1.26. Të përshkruhet procesi i rekombinimit të elektroneve me vrima?
1.27. A rritet apo zvogëlohet rezistenca e një gjysmëpërçuesi të papastër me rritjen e

temperaturës? Të shpjegohet shkurtimisht.
1.28. A kanë koeficient temperaturor negativ apo pozitiv materialet gjysmëpërçuese (Si dhe
Ge)?
PROBLEME
1.1 Llogaritni koncentrimin e atomeve donore me të cilat duhet të pasurohet Silici, ashtu që
në temperaturë T=300oK, koncentrimi i elektroneve të jetë dyfish më i madh se koncentrimi
i vrimave. Është e njohur ni = 1.5 x 1010 cm-3
Zgjidhja:
9 -3
ND = 9.78 _ 10 cm
1.2 Silici është pasuruar me 1015 atome të Borit. Gjeni tipin dhe koncentrimin e
papastërtisë që duhet shtuar, ashtu që koncentrimi i vrimave në 300 oK të jetë:
a) cm-3
b) cm-3
Është e njohur ni = 1.5 x 1010 cm-3
Zgjidhja:
15 -3 14 −3
NA = 10 cm b) ND = 5 _ 10 cm
1.3 . Silici i pastër së pari është pasuruar me atome akceptore me koncentrim NA = 1,5
1015 cm-3, ndërsa pas kësaj është pasuruar me atome donore ND = 1015 cm-3. Llogartini:
a) Koncentrimin e elektroneve dhe vrimave pas pasurimit të parë
b) Koncentrimin e elektroneve dhe vrimave pas pasurimit të dytë
Është e njohur T =300oK dhe ni = 1.5 x 1010 cm-3.
31
Zgjidhja:
15 -3 5 -3
a) Pas pasurimit të parë: p = 1.5_10 cm ,n = 1.27_10 cm
14 5
b) Pas pasurimit të dytë: p = 5_10 cm-3,n = 3.8_10 cm-3
1.4 Mostra e silicit është pasuruar në mënyrë uniforme me 1016atome të arsenit për cm3 dhe 5 x
1015 atome të borit për cm3. Dukë përdorur ketë informatë dhe duke supozuar ni = 1010 cm-3 në
300oK. Gjeni:
a) Llojin e gjysmëpërçuesit (n ose p)
b) Koncentrimin e bartësve shumicë
c) Koncentrimin e bartësve pakicë
Përsëritni pjesën a) dhe b) kur
d) mostra përmban 1017 cm-3Al dhe 1016cm-3Sb
e) mostra përmban 1015 cm-3 Ga dhe 5 x 1015 cm-3.
1.5 Silici i pastër së pari është pasuruar me atome papastërtie me koncentrim prej 1.5  1015 cm-3,
kurse pas kësaj edhe njëherë me atome papastërtie prej 2  1015 cm-3. Gjeni tipin e papastërtisë së
parë dhe të dytë ashtu që pas pasurimit të dytë përçueshmëria specifike të jetë minimale.
Llogaritni përçueshmërinë specifike pas pasurimit të dytë në temperaturën 300oK. Lëvizshmëria
e bartësve ka vlerat: 900 cm2/Vs dhe 350 cm2/Vs
Zgjidhja:
Nëse pasurimet e njëpasnjëshme janë të kundërta, atëherë përçueshmëria specifike do jetë
minimale.
N1  N D1 , N2  N A2 , Nneto  N A2  N D1  5  1014 cm 3 ,    p  29  10 3 S / cm
1.6 Në burimin e tensionit E = 1.2 V, në seri me të është lidhur rezistoriR = 22  dhe pllakëza e
silicit të pasuruar. Është e njohur gjatësia e kësaj pllake l = 0.1 mm, prerja tërthore S = 0.5 mm2,
koncentrimi i atomeve akceptoreNA = 1016 cm-3, lëvizshmëria e vrimave p = 390 cm2/Vs dhe
temperatura T=300oK. Llogaritni fuqinë e cila lirohet në pllakzën e silicit.
Zgjidhja: PSi  7.265 mW .
1.7 Për materialin gjysmëpërçues të silicit në temperaturën T=300oK. Supozoni që μn = 1350

cm2/Vs dhe μp = 480 cm2/Vs. Përcaktoni përçueshmërinë nëse:
a) Nd = 5 x 1016 cm-3
b) Na = 5 x 1016 cm-3
Zgjidhja:
a) 10.8 (Ωcm)-1, b) 3.84 (Ωcm)-1
1.8. Një mostër e Silicit gjendet në temperaturën T=3000K dhe është dopinguar me Nd = 8 x 1015
cm-3.
a) Llogarit n0 dhe p0
32
b) Nëse shtohen vrima dhe elektrone me koncentrime p = n =1014cm-3, përcaktoni

koncentrimin total të vrimave dhe elektroneve.
Zgjidhja:
a) n0 = 8 x 1015cm-3, p0 = 2.81 x 104 cm-3, b) n0 = 8.1 x 1015cm-3, p0 ≈ 1014cm-3
1.9 Përçueshmëria e silicit është σ = 10 (Ωcm)-1. Përcaktoni densitetin e rrymës së driftit, nëse
aplikohet intensiteti i fushës elektrike E = 15 V/cm.
Zgjidhja:
J = 150 A/cm2
1.10 Llogaritni rrezistenëcën e plllakëzes së silicit me gjatësi 10 μm dhe syprinë të sipërfaqës së

15
prerjes terthore 0.1 mm2 në temperaturën 300oK. Pllakëza është pasuruar me NA = 10 cm-3 dhe
14
ND = 9 x10 cm-3. Lëvizshmëria e bartësve është 900 dhe 350 cm2/Vs (mos e përfillni vartësinë e
lëvizshmërisë së bartësve nga temperatura).
Zgjidhja:
R(300oK) = 178.6 (Ω),
16
1.11 Silici është pasuruar në mënyrë homogjene me 10 cm-3 atome, është shtuar pasurim shtesë
prej 2 x 1016 cm-3 dhe me këtë rast rezistenca elektrike është rritur. Gjeni:
a) Tipin e papastërtisë në fillim si dhe tipin e papastërtisë shtesë

b) Rezistencën specifike në fillim dhe pas pasurimit të dytë shtesë për T=300oK.
Zgjidhja:
a) Pasurimi i parë donor, ndërsa pasurimi i dytë akceptor.

b) ρ1 = 0.508 Ωcm, ρ2 = 1.64 Ωcm
1.12 Llogaritni përçueshmërinë specifike të silicit të pasuruar me 1017cm-3 atome akceptore në

300oK. Sa do të jetë kjo përçueshmëri nëse:
a) shtohet pasurim shtesë me koncentrim të barabartë të akceptorëve;
b) shtohet pasurim shtesë me koncentrim dyfish më të madh, por donorë.
Zgjidhja:
σ = 4.98 (S/cm)
a) σ = 8.35 (S/cm)
b) σ = 8.41 (S/cm)
32
2. DIODA GJYSMËPËRÇUESE
2.1 DIODA IDEALE

Dioda është komponenti më i thjeshtë gjysmëpërçues, por luan rol shumë vital
në sistemet elektronike. Karakteristikat e diodës mund të krahasohen me ato të një
ndërprerësi (ventili) të thjeshtë. Dioda si komponentë gjysmëpërçuese zbatohet në një
brez shumë të gjerë, prej sistemeve më të thjeshta gjerë te ato më komplekset. Para se të
shqyrtohen konstruksioni dhe karakteristikat e komponentës aktuale, së pari do të
analizohet dioda ideale. Dioda ideale është komponentë me dy terminale karakteristikat
dhe simboli i së cilës janë paraqitur në Fig.2.1.a dhe b.
+ id
vd
+ - - +
0 vd
A K
id
-
Fig.2.1 Dioda ideale: (a) simboli; (b) karakteristikat tension-rrymë
Për qarqet që do të analizohen, gjatë paraqitjes së karakteristikave tension-

rrymë, ordinata do të jetë boshti i rrymës, ndërsa abshisa boshti i tensionit. Pra, dioda
do të përçoj nëse tensioni në skajet e saja (anodë A dhe katodë K) është pozitiv UAK > 0,
dhe në këtë rast rryma është e pakufizuar. Në të kundërtën, pra për tensione negative,
UAK < 0, dioda nuk përçon dhe rryma që kalon nëpër te është zero.
33
2. Dioda gjysmëpërçuese
Një ndër parametrat më të rëndësishëm të diodës është rezistenca në pikën ose

regjionin e punës. Nëse e trajtojmë regjionin e definuar me drejtimin e rrymës id dhe me
polaritetin e tensionit vd në Fig.2.1.b, caktohet vlera e rezistencës për polarizim të
drejtë, Rf, e definuar sipas ligjit të Ohm-it si
Vf 0
Rf   0
If 2,3, mA, ose cilado vlerë pozitive e rrymës
ku Vf është tensioni në diodë dhe If rryma që kalon nëpër diodë. Pra dioda ideale
paraqet lidhje të shkurtë për regjionin me polarizim të drejtë (id  0, vd = 0).
Nëse tani shqyrtojmë regjionin me tension negativ të zbatuar (kuadranti i tretë)

do të kemi
Vr 5, 20,V ose cilido tension revers

Rr   
Ir 0
ku Vr është tensioni revers në diodë dhe Ir është rryma reverse nëpër diodë. Kësisoj pra,
dioda ideale paraqet qark të hapur në regjionin e mospërcjelljes (vd < 0, id = 0).
Në përgjithësi, është relativisht thjeshtë të gjendet regjioni i punës së diodës

(regjioni përçues ose jopërçues) me shënimin e kahut të rrymës në bazë të tensionit të
zbatuar. Për kahun e rrjedhjes konvencionale të rrymës (kahja e kundërte lëvizjes së
elektroneve), nëse rryma e diodës ka kah të njëjtë me atë të shigjetës në simbolin e
diodës, dioda punon në regjionin përçues. Kjo është paraqitur në Fig.2.2.
Lidhje e
shkurtë
vd
+ - + -
A K A K
id
(a)
Qarku i hapur
vd
- + - +
A K A K
id =0
(b)
Fig.2.2 Regjionet e punës së diodës të determinuara nga polarizimi i tensionit të

zbatuar në skajet e saja: (a) regjioni përçues dhe (b) regjioni jopërçues
34
Shembulli 2.1
Qarku në Fig.2.3 përdoret si sistem sinjalizimi me dy ngjyra. Në një moment, hyrja ka njërën
prej vlerave: +3 V, 0V, -3 V. Si është statusi i dritave për secilën vlerë hyrëse? Të arsyetohet!
V
i
diodat
D1 D2
ideale
e kuqe dritat 3V e gjelbër
Fig.2.3
Zgjidhje
Kur në hyrje aplikohet tensioni + 3V atëherë D1 polarizohet drejtë dhe përçon, ndërsa D2
polarizohet revers dhe nuk përçon. Me ketë rast rryma rrjedh nëpër diodën D1 dhe ndriçon drita
e kuqe.
Kur në hyrje është 0 V asnjëra prej diodave nuk polarizohet drejtë dhe me ketë rast asnjëra nga
dritat nuk do të ndriçojë.
Kur në hyrje aplikohet tensioni - 3V atëherë D1 polarizohet revers dhe nuk përçon, ndërsa D2
polarizohet drejtë dhe përçon. Me ketë rast rryma rrjedh nëpër diodën D2 dhe ndriçon drita e
gjelbër.
2.2 KONSTRUKCIONI THEMELOR DHE KARAKTERISTIKAT E

DIODËS GJYSMËPËRÇUESE
Dioda gjysmëpërçuese formohet me bashkimin e thjeshtë të materialeve të tipit

n dhe p(të konstruktuara në bazë të njëjtë të germaniumit ose silicit) siç është paraqitur
në Fig.2.4.
Koncentrimi i
dopingut
Na
Nd
n2 ni2
n po  i pno 
p n Na Nd
x=0 x=0
(a) (b)
Fig.2.4 Kontakti pn: (a) gjeometria e thjeshtuar dhe (b) profili ideal me doping uniform
35
Regjioni i varfëruar
p + + - - + + - - n
+ - - + + - -
+ +
+ - - + + - -
x=0
Regjioni-p Regjioni-n
Potenciali
Na
Difuzioni i
vrimave Nd
vbi
Difuzioni i
elektroneve
x=0
(a) (b)
Fig.2.5 Kontakti (lidhja ) p-n pa polarizim të jashtëm
Në momentin kur dy materialet e tipave të ndryshëm bashkohen formojnë të

ashtuquajturin kontakt ose lidhje pn. Elektronet e materialit n dhe vrimat e materialit p
në regjionin e afërt me kontaktin, me difuzion për shkak të gradientit të lartë të
ngarkesave në të dyja anët, rekombinohen në mes veti dhe krijohet një regjion me
mungesë të bartësve në afërsi të kontaktit (Fig.2.5). Në këtë pjesë jonet pozitive të
materialit n dhe jonet negative të materialit p mbesin në aspektin elektrik të
paneutralizuara dhe formojnë një barrierë potenciale. Ky regjion quhet regjion i
varfëruar për shkak të mungesës së bartësve të lirë (Fig.2.5(b)). Barriera potenciale ose
tensioni që paraqitet në këtë hapësirë shprehet me
kT  N a N d  N N 
Vbi  ln  2   VT ln  a 2 d  (2.1)
e  ni   ni 
ku VT  kT / e , k = 1.3806x10-23 J/oK konstanta e Boltzmann-it, T - temperatura

absolute në oKelvin (K = 273 + oC), e = 1.6022 x 10-19 C ngarkesa e elektronit dhe Na,
Nd janë koncentrimet e akceptorëve dhe donorëve në regjionet p dhe n. Parametri VT
quhet tensioni termik, dhe në temperaturën e dhomës T = 300oK është
kT 1.3806x10-23 x300
VT    25.8 mV (2.2)
e 1.6022x10-19
Nëse në qarkun e diodës nuk ka polarizim të jashtëm, bartësit minor të

materialit n do të kalojnë në materialin p për shkak të tërheqjes nga jonet negative të
këtij materiali të cilat kanë mbetur të pakompenzuara. Në të njëjtën mënyrë edhe
bartësit minor nga materiali i tipit p (elektronet) të tërhequra nga jonet pozitive të
materialit n do të kalojnë në këtë material.
36
Bartësit kryesor në materialin e tipit n (elektronet) duhet ta kapërcejnë forcën

tërheqëse të shtresës së joneve pozitive në materialin e tipit n dhe pengesën e joneve
negative në materialin p në mënyrë që të migrojnë në regjionin neutral të materialit të
tipit p. Edhe pse numri i bartësve kryesor është mjaftë i madh në materialin e tipit n, një
numër shumë i vogël i bartësve kryesor ka energji të mjaftuar që të kaloj përmes
regjionit të varfëruar në materialin e tipit p. Në të njëjtën mënyrë bëhet edhe lëvizja e
bartësve kryesor nga materiali i tipit p (vrimave) në materialin e tipit n.
Nëse në kontaktin pn nuk është zbatuar asnjë tension i jashtëm, difuzioni i

elektroneve dhe vrimave pas një kohe duhet të ndërpritet. Kahu i fushës elektrike të
induktuar do të shkaktojë një forcë që do t’i kundërvihet difuzionit të vrimave nga
regjioni p dhe difuzionit të elektroneve nga regjioni n. Baraspesha termike arrihet kur
forca e shkaktuar nga fusha elektrike dhe “forca” e shkaktuar nga gradienti i dendësisë
plotësisht balancohen.
2.3 KONTAKTI pn ME POLARIZIM TË KUNDËRT (REVERS)
Nëse në kontaktin pn zbatohet një potencial i jashtëm prej V voltësh ashtu që

terminali pozitiv (anoda) të jetë i lidhur në materialin e tipit n dhe terminali negativ
(katoda) në materialin e tipit p, siç është paraqitur në Fig.2.6, numri i joneve pozitive të
pambuluara në regjionin e varfëruar të materialit të tipit n do të rritet për shkak se një
numër i madh i elektroneve të lira do të tërhiqet nga potenciali pozitiv i tensionit të
zbatuar.
IS- Rrjedha e bartësve minor
I = 0 - Rrjedha e bartësve kryesor
++ + + + +- + - - - - + + + + + - - - -- +
- + - ++ + - + + -
+ -- - + - +- --
+ ++ + + - - - - +
+ +
+ - -- - - - - - -
+- + - ++ - - + - - - - + +
- + - + +-++ ++
- - --
- -
- + + + + + - + + -- +
+ -- - - -- -- - - -- +
+ + -- - - - + + +
p W n
IS - + IS
VR
Fig.2.6 Kontakti pn me polarizim të kundërt (revers)
Për arsye të njëjtë do të rritet edhe numri i joneve të pambuluara negative në

materialin e tipit p. Efekti i tërësishëm është zgjerimi i regjionit të varfëruar. Ky
zgjerim i regjionit të varfëruar do të bëjë barrierë edhe më të madhe për bartësit kryesor
dhe efektivisht do ta reduktoj rrjedhën e bartësve kryesor në zero (Fig.2.6).
Ndërkaq, lëvizja e bartësve minor do të vazhdoj, sepse vrimat e lira në

materialin e tipit n, të shtyera nga potenciali pozitiv i tensionit të zbatuar, do ta
kapërcejnë barrierën në regjionin e varfëruar dhe do të kalojnë në materialin e tipit p
duke formuar njërën pjesë e rrymës. Në të njëjtën mënyrë edhe elektronet e lira, si
bartës minor në materialin e tipit p e kapërcejnë regjionin e varfëruar dhe shkojnë në
37
materialin e tipit n, duke formuar pjesën tjetër të rrymës. Rryma e këtillë, e paraqitur në
kushte të polarizimit të kundërt (revers) quhet rryma reverse e ngopjes dhe shënohet
me IS (indeksi s vjen nga anglishtja saturation). Madhësia e kësaj rryme është zakonisht
disa mikroampera, përveç për komponentët e fuqive të mëdha, ku arrin edhe në disa
miliampera. Situata e pasqyruar në Fig.2.6 pra i përgjigjet kushteve të punës së diodës
për polarizim të kundërt ose revers.
Kur fusha elektrike e jashtme rritet, rritet edhe numri i ngarkesave pozitive dhe
negative në regjionin e varfëruar, pra rritet gjerësia e hapësirës rreth kontaktit pn. Për
shkak të pranisë së ngarkesave të palëvizshme pozitive dhe negative në këtë hapësirë,
kontakti pn me polarizim revers shoqërohet me një kapacitet. Ky kapacitet i kontaktit,
ose kapaciteti i shtresës së varfëruar, mund të shkruhet në formën
1/ 2
 V 
C j  C j 0 1  R  (2.3)
 Vbi 
Ku Cj0 është kapaciteti i kontaktit për tension të zbatuar zero.
Veçoria e kontaktit pn që të shoqërohet me një kapacitet i cili mund të

ndryshohet me një tension të jashtëm (VR) është shumë e dobishme për ndërtimin e
qarqeve rezonante për akordim. Diodat e fabrikuara posaçërisht për këtë qëllim quhen
varaktor dioda dhe përdoren te oscilatorët për të cilët do të flitet më vonë.
2.4 KONTAKTI pn ME POLARIZIM TË DREJTË

Kushtet e polarizimit të drejtë të diodës vendosen me zbatimin e potencialit
pozitiv në materialin e tipit p dhe potencialit negativ në materialin e tipit n, siç është
paraqitur në Fig.2.7. Fusha e zbatuar elektrike, e induktuar nga tensioni i jashtëm VD,
është në kah të kundërt me fushën elektrike të barrierës potenciale, prandaj bartësit
kryesor elektronet nga regjioni n kalojnë në regjionin p, dhe vrimat nga regjioni p në
regjionin n. Ky proces vazhdon derisa të jetë i zbatuar tensioni VD, duke krijuar në këtë
mënyrë një rrymë në kontaktin pn.
IS
I kryesor
e
+ + + + +- + - + - - - - -
- - - ++ - + + - -
- +
- - +
+ + ++ + + + + - + -- + - - +- - - -
- --
- + - + + - - -
+ + +
+ - + + + ++ - +
- +
- + - - -
+ - +- - -
+ - + +
- - - - --
-
+
p n
ID + - ID
ID = I kryesore + Is VD
Fig.2.7 Kontakti pn me polarizim të drejtë

38
Duhet të theksohet se madhësia e rrjedhës së bartësve minor në këtë rast nuk

ndryshon, por zvogëlimi i gjerësisë së regjionit të varfëruar ka si rezultat një rrjedhë më
të madhe të bartësve kryesor nëpër kontakt. Madhësia e rrjedhës së bartësve kryesor do
të rritet eksponencialisht me rritjen e polarizimit të drejtë (shih Fig.2.8).
Duke krahasuar karakteristikat statike të diodës, të paraqitura në Fig.2.8, me ato

të diodës ideale, shihet se kjo diodë ka karakteristika shumë të ngjashme me ato të
diodës ideale, posaçërisht kur të merret parasysh shkalla josimetrike e rrymës së diodës
id për polarizim të drejtë dhe rrymës reverse të ngopjes.
id (mA)
40 -
-
30
20 -
Regjioni
me
10 -
polarizim
të drejtë
-30 -20 -10
Vd (V)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0 05 1 1.5
- 
VZ
Regjioni - 
me
polarizim - 
revers
Fig.2.8 Karakteristikat statike të diodës gjysmëpërçuese
Mund të tregohet se rryma e diodës e shprehur matematikisht në varshmëri të

temperaturës (TK) dhe të polarizimit të zbatuar (VD) është e barabartë me
 VVD 
I D  I S  e T  1 (2.4)
 
 
ku ID - rryma nëpër diodë A, VD - tensioni i diodës, me potencial pozitiv të anodës në

krahasim me katodën V, IS - rryma reverse e ngopjes, zakonisht në brezin prej 10-6 deri
në 10-5A,  konstantë empirike e njohur si koeficienti i emisionit ose faktori i
idealitetit, vlerat e të cilit ndryshojnë nga 1 për materialin e germaniumit dhe  = 2 për
silic, dhe VT tensioni termik i dhënë me shprehjen (2.2).
Duhet të theksohet se faktori eksponencial do të shkaktoj rritje të rrëpijshme të

rrymës I me rritjen e niveleve të tensionit V, prandaj dioda si komponentë me dy
terminale konsiderohet si elementi më i thjeshtë dhe më themelor jolinear, ndryshe nga
rezistori ku relacioni I-V është linear. Karakteristikat e diodave komerciale ndryshojnë
pak nga ato ideale (shih Fig.2.8), për shkak të rezistencës së trupit të materialit
39
gjysmëpërçues dhe rezistencës së kontaktit në mes të materialit gjysmëpërçues dhe

përçuesit të jashtëm metalik. Këto rezistenca do të shkaktojnë zhvendosje të lakores në
regjionin me polarizim të drejtë, siç është paraqitur me vija të ndërprera në këtë figurë.
Për të treguar se ekuacioni (2.4) me të vërtetë paraqet lakoret e Fig.2.8, të

caktojmë rrymën I për tension të polarizimit të drejtë prej 0.5 V në temperaturë të
dhomës (T = 25oC).
I S  1A  1  10 6 A
TK  TC  2730  25  273  298 0 K
11.600
k ( Si)   5800
2
k  V (5800)(0.5)
  9.732
TK 298
I  I S (e 9.732  1)  (1  10 6 )(16848  1)  16.8448  10 3 A
Pra rryma e diodës është I  16.8 mA, siç mund të shihet edhe në Fig.2.8.
Temperatura ka ndikim të theksuar në rrymën e diodës (sepse ndryshon

koncentrimin e bartësve intrinsik të rrymës) dhe kjo dukuri është përshkruar në mënyrë
shumë të qartë me faktorin TK në ekuacionin (2.4).
2.5 REGJIONI I ZENER-it

Ndryshimi i mprehtë në karakteristikat në Fig.2.8 në potencialin e shënuar me
Vz të polarizimit revers (indeksi z i përgjigjet emrit Zener) i përgjigjet efektit të
induktuar me tensionin e lartë revers të zbatuar në diodë. Kur tensioni i zbatuar bëhet
shumë negativ, mund të arrihet një pikë ku një numër i bartësve minor zhvillon
shpejtësi të mjaftueshme për të liruar bartës tjerë përmes të jonizimit. Në të vërtetë ata
ndeshen me elektrone valente dhe energjinë e vet ia përcjellin këtyre elektroneve ashtu
që iu mundësojnë që ta lëshojnë atomin amë. Këta bartës shtesë pastaj në mënyrë të
njëjtë i shkëpusin elektronet tjera valente (mungesa e të cilave pastaj në atomet amë
manifestohet si jon pozitiv) në formë të ortekut, deri sa të vendoset një rrymë e cila e
determinon regjionin e thyerjes.
Regjioni i ortekut (Vz) mund të ndodhë më afër boshtit vertikal nëse rritet niveli
i dopingut në materialet e tipit p dhe n.
Ndërkaq, me zvogëlimin e tensionit Vz në nivele shumë të ulëta, p.sh. në –5 V,

një mekanizëm tjetër i quajtur thyerja e Zener-it, do t’i kontribuoj mprehtësisë së
karakteristikës. Kjo dukuri paraqitet sepse në regjionin e kontaktit paraqitet një fushë e
fortë elektrike e cila mund t’i shkëpusë forcat lidhëse (kovalente) brenda atomit dhe të
“gjeneroj” bartës. Edhe pse mekanizmi i thyerjes së Zener-it është i rëndësishëm vetëm
40
në nivelet e ulëta të Vz, ky ndryshim i theksuar në karakteristikën reverse të diodës në

cilindo nivel quhet regjioni i Zener-it dhe diodat të cilat gjatë punës e shfrytëzojnë këtë
pjesë të vetme të karakteristikave të kontaktit p-n, quhen dioda të Zener-it. Ato më
vonë do të përshkruhen më hollësisht.
Në përgjithësi, te diodat e zakonshme, regjioni i Zener-it i përshkruar më lartë,

gjatë punës duhet të shmanget nëse nuk dëshirohet që puna e sistemit të ndryshoj
tërësisht në mënyrë të padëshiruar me ndryshimin e mprehtë të karakteristikave në
regjionin e polarizimit revers. Tensioni maksimal i cili mund të zbatohet para se të
arrihet ky regjion quhet tensioni maksimal revers i lejuar. Nëse në ndonjë zbatim
kërkohet që ky tension të jetë më i madh se tensioni maksimal revers i deklaruar për
diodën individuale, atëherë rekomandohet që disa dioda identike të lidhen në seri.
Diodat gjithashtu mund të lidhen paralel për ta rritur përçueshmërinë e rrymës më të
madhe të kërkuar.
Diodat e silicit në përgjithësi kanë tensione tension revers më të lartë, rrymë më

të madhe lëshuese dhe brez më të gjerë temperaturor se diodat e germaniumit.
Në regjionin me polarizim të drejtë, rritja e rrymës fillon në një potencial të

caktuar te dioda reale (Fig.2.8) dhe ky potencial quhet pragu i diodës ose potenciali i
kyçjes. Për dioda të silicit ky potencial është Vp = 0.7 V ndërsa për ato të germaniumit
është Vp = 0.3 V.
2.6 REZISTENCA STATIKE
Rezistenca e diodës në një pikë të caktuar të punës quhet rezistenca statike e

diodës dhe është e caktuar me shprehjen
RS 
VD
 (2.5)
ID
Fig.2.9 Karakteristika e diodës së silicit

41
Për diodën ideale në Fig.2.9 rezistenca statike, për rrymën id = 20 mA, është
 0 
VD 0
RS  
I D 20
ashtu siç është pritur, ndërsa rezistenca e diodës së silicit është
 40 
VD 0.8
RS  
I D 20 10 3
Në pikën id = 2 mA, rezistenca e diodës ideale mbetet zero, ndërsa e diodës së silicit
tani është
 250 
VD 0.5
RS  
I D 2  10 3
Rezultati tregon se rezistenca statike e diodës në regjionin e polarizimit të drejtë

zvogëlohet me kalimin në brezin e rrymave dhe tensioneve më të larta.
Në regjionin me polarizim revers në tensionin vd = -10 V, rezistenca e diodës

ideale është e pakufishme (qark i hapur ekuivalent), ashtu siç është përcaktuar me
shprehjen
VD | 10 |
RS   
ID 0
derisa rezistenca e diodës së silicit është
 10
 5 M
VD
RS  
I D  2  10 6
Kjo vlerë e rezistencës statike në shumë zbatime gjithashtu mund të konsiderohet si

qark i hapur ekuivalent (rezistencë shumë e madhe).
Pasi që të jetë caktuar rezistenca statike e diodës në një pikë të caktuar të punës,
dioda mund të zëvendësohet me element rezistiv si në Fig.2.10, dhe analiza e qarkut
pastaj mund të bëhet si çdo analizë e qarkut pa diodë.
42
RS= 40  RS= 40 
I = 20 mA I = 20 mA
+ - + -
+ 0.7 V + 0.7 V
E _ R E _ R
Fig.2.10 Zëvendësimi i diodës me rezistencën e saj statike
2.7 REZISTENCA DINAMIKE
Nga Fig.2.8 është e qartë se rezistenca statike e diodës nuk varet nga forma e
lakores së karatekteristikës në regjionin përqark pikës aktuale të punës. Por nëse në
hyrje zbatohet tensioni alternativ në vend të tensionit njëkahor, situata plotësisht
ndryshon. Hyrja e ndryshueshme do ta lëvizë pikën momentale të punës poshtë-lartë në
karakteristikë dhe do ta përcaktoj një ndryshim specifik në rrymë dhe tension, siç është
paraqitur në Fig.2.11.
Fig.2.11 Ndryshimi i tensionit dhe rrymës së diodës me ndryshimin e sinjalit në hyrje

(pjesë e karakteristikës dalëse të diodës)
Nëse nuk ka sinjal të ndryshueshëm, pika e punës është pika Q në Fig.2.9, e cila
është e caktuar me nivelin e rrymës dhe tensionit të zbatuar njëkahor (VD, ID).
43
Vija e drejtë e tërhequr si tangjentë e lakores së karakteristikës në pikën Q,, do

të definoj ndryshimet që i pësojnë rryma dhe tensioni, e të cilat do të shërbejnë për
caktimin e rezistencës dinamike për këtë regjion të karakteristikeve të diodës.
VD
rD  (2.6)
I D
Pra, sa më e pjerrët që është karakteristika, do të kemi vlerë më të vogël të VD

për ndryshim të njëjtë të ID dhe njëkohësisht rezistencë më të vogël dinamike. Kështu
që në pjesën vertikale të karakteristikës rezistenca është shumë e vogël, ndërsa në
nivelet më të ulëta të rrymës, rezistenca dinamike është shumë më e madhe.
Shembulli 2.2
Për karakteristikat e dhëna në Fig.2.12 të caktohet: (a) rezistenca dinamike për regjionin (1); (b)
rezistenca dinamike për regjionin (2) dhe (c) të krahasohen rezultatet e fituara nën (a) dhe (b).
id(mA)
30
25 2
20
15
10
5
1
0 vd(V)
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Fig.2.12 Karakteristikat e diodës
Zgjidhje
(a) Për regjionin (1), ndryshimi i tensionit dhe i rrymës në tangjenten e tërhequr është
VD  0.7  0.57  0.15 V

I D  6  1  5 mA
VD 0.15
rd 1    30 
I D 5  10 3
(b) Për regjionin (2) do të kemi

44
VD  0.9  0.88  0.02 V

I D  30  20  10 mA
VD 0.02
rd 2   2
I D 10 10 3
(c) Raporti i rezultateve të fituara nën (a) dhe (b) është
rd 1 30
  15
rd 2 2
Dihet se derivati i një funksioni në një pikë të caktuar paraqet pjerrtësinë e

tangjentes së tërhequr në atë pikë. Ekuacioni (2.4), i definuar sipas Fig.2.8, është pra në
esencë gjetja e derivatit të parë të funksionit në pikën Q (pikën e punës së diodës). Nëse
e gjejmë derivatin e funksionit të përgjithshëm (2.4), për diodën gjysmëpërçuese me
polarizim të drejtë të zbatuar në te, dhe pastaj e invertojmë rezultatin, do ta fitojmë
ekuacionin e rezistencës dinamike për atë regjion.
 kV 
I  I S  e TK  1
 
d d   kV TK 
(I )  I S  e  1
dV dV   
dI k
 (I  I S )
dV TK
Në rastin e përgjithshëm vlen I >> IS, prandaj
dI k
 I
dV TK
Nëse zëvendësohet fitohet
11.600 11.600
k   11.600
η 1
Në temperaturën e dhomës
TK  TC  273o  25o  273o  298o
ashtu që
k dI
 38.93 dhe  38.93 I
TK dV
45
Nëse kërkojmë vlerën reciproke të kësaj shprehjeje si rezistencë (R = V/I) do të

kemi
dV 0.026

dI I
(2.7)
dV 26 mV
rd  
dI I D mA
Kjo shprehje vlen për të dy llojet e diodave (të germaniumit dhe të silicit).
Rëndësia e ekuacionit (2.7) duhet të kuptohet qartë. Kjo tregon se rezistenca dinamike
mund të caktohet lehtë me zëvendësimin e thjeshtë të vlerës së rrymës së diodës në
pikën e punës në këtë ekuacion, ashtu që nuk paraqitet nevoja për karakteristika dhe
matje të saktë të prerjeve të tangjentes. Atë që duhet mbajt në mend është tensioni VT =
26 mV, i cili në të vërtetë paraqet tensionin termik të dhënë me ekuacionin e Einstein-it
kT
VT 
e
i cili, siç thamë më lartë, për temperaturë normale (të dhomës) merret rreth 25 mV.
Për shembullin 1.1 rezistenca dinamike në pikën Q, me rrymë ID = 25 mA, është

llogaritur 2 Nëse e llogarisim këtë rezistencë me ekuacionin (2.7) do të fitojmë
25  10 3 V 25  10 3
rd   1Ω
I D mA 25  10 3
Ndryshimi i rezistencës së llogaritur mund të shpjegohet me ndikimin e

rezistencës së trupit të gjysmëpërçuesit dhe rezistencës së kontakteve, siç është theksuar
më parë. Qarku ekuivalent i diodës për sinjale alternative është paraqitur në Fig.2.13.
id
rd rd
Vp Dioda ideale
_ 0 Vp vd
+
Fig.2.13 Modeli ekuivalent dinamik i diodës

46
Shembulli 2.3
Dioda në qarkun e dhënë ne Fig.2.14 është e silicit. (a) Të vizatohet modeli ekuivalent për
diodën; dhe (b) të llogaritet rryma dhe tensioni në rezistencën R.
RS= 20 
+
ID IR
+
_ VR
V=5V R = 2 k
Fig.2.14
Zgjidhje
(a) Pasi që kemi të bëjmë me tension njëkahor në hyrje të qarkut, modeli ekuivalent përbëhet nga
tensioni i pragut Vp = 0.7 V, për diodën e silicit, dhe nga rezistenca statike RS = 20 kështu që
qarku ekuivalent do të duket si në Fig.2.15a.
RS= 20 
+
ID
+
IR
_ VR
V=5V R = 2 k
-
(a)
+
ID
+
IR
_ VR
V=5V R = 2 k
-
(b)
Fig.2.15
Vlerat e rezistencave janë të tilla që R >> RS, ashtu që dioda mund të zëvendësohet vetëm me
tensionin e pragut Vp (i cili në këtë rast duhet të merret parasysh sepse paraqet 14% të vlerës së
tensionit hyrës V = 5V), prandaj qarku ekuivalent thjeshtohet me modelin në Fig.2.15.b, ku edhe
dioda ideale ( nga Fig.2.13)është marrë si lidhje e shkurtë, pasi që ka polarizim të drejtë.
47
(b) Tensioni në rezistencën R është
VR = V – Vp = 5 – 0.7 = 4.3 V
Rryma do të jetë
VR 4.3
ID  IR    2.15 mA
R 2 103
2.8 ZBATIMI I DIODAVE

Për zbatimet e diodave në disa qarqe tipike elektronike, duhet të mbahen në
mend modelet e përafërta të punuara më lartë, të cilat janë paraqitur në formë të
përmbledhur në Fig.2.15 dhe Fig.2.16.
id id id
Dioda ideale Si Ge
0 vd 0 vd 0 vd
Fig.2.15 Karakteristikat e diodës ideale dhe karakteristikat e përafërta të diodës së silicit

dhe germaniumit
Nëse në diodë zbatohet tensioni me polaritet negativ të çfarëdo madhësie, të

gjitha diodat do të sillen si qark i hapur, pra punojnë në kushte të mospërcjelljes ose
themi janë të shkyçura. Për modele të përafërta (jo edhe për ideale), tensionet me
polaritet pozitiv por më të vogël se 0.7 V për dioda të silicit dhe 0.3 V për dioda të
germaniumit, këto dioda gjithashtu do të sillen si qark i hapur.
Për diodën ideale, çdo tension pozitiv i zbatuar rezulton në gjendje të

përçueshmërisë (pra dioda paraqet lidhje të shkurtë), ndërsa për modele aproksimative,
ky tension duhet të jetë më i madh se 0.7 V për dioda të silicit dhe 0.3 V për dioda të
germaniumit.
48
vd
+ - + -
A K A K A K A K
id= 0 i d= 0 Dioda ideale id=/ 0
Dioda nuk përçon Dioda përçon
vd< 0.7 V vd> 0.7 V id=/ 0

+ vd - + -
A K A K A K A K
id= 0 Dioda reale v=
d 0.7 V
Dioda e silicit
vd< 0.3 V vd> 0.3 V id=/ 0

+ vd - + -
A K A K A K A K
id= 0 Dioda reale v=
d 0.3 V
Fig.2.16 Gjendjet e diodës ideale dhe asaj reale në varshmëri nga polariteti i
tensionit të zbatuar
Të analizojmë nivelet e tensioneve dhe rrymave për konfiguracionin në

Fig.2.17. Pyetja e parë me rëndësi është gjendja e diodës – si do të sillet ajo: si lidhje e
shkurtë apo si qark i hapur për tensionet e zbatuara në atë konfiguracion?
Për shumicën e situatave, polariteti i diodës caktohet thjeshtë me zhvendosjen e

përkohshme të diodës nga diagrami i qarkut, dhe kahja konvencionale e rrymës do ta
përcaktoj gjendjen e diodës. Nëse kahja e rrymës (si në Fig.2.18) përputhet me
shigjetën në simbolin e diodës, dioda ka polarizim të drejtë dhe është e kyçur.
VD
+ -
+
ID IR
+
E _ R VR
Fig.2.17 Konfiguracioni serik i diodës

49
+
+ +
I ID IR
+ +
E R VR E R VR
_ _
- -
Fig.2.18 Caktimi i polaritetit të diodës
Nëse përvetësojmë se E >Vp, dioda është e kyçur dhe nga qarku ekuivalent në
Fig.2.18 për tensionin në diodë dhe rezistencë do të kemi
VD = Vp (2.5)
VR = E - Vp (2.6)
Ndërsa rryma në qark (dhe nëpër diodë) do të jetë
ID = IR = VR/R (2.7)
Shembulli 2.4
Për qarkun në Fig.2.19 të caktohen tensionet VD, VR dhe rryma ID.
+ VD -
+
ID Si IR
+
E R E=8V
_ VR R = 2.2 k
Fig.2.19
Zgjidhje
Pasi që tensioni i zbatuar shkakton rrymë, kahja e së cilës përputhet me kahjen e shigjetës së
simbolit të diodës, dioda përçon (është e kyçur), prandaj për tensionet e kërkuara do të kemi
50
VD = 0.7 V
VR = E - Vp = 8 – 0.7 = 7.3 V
ID = IR = VR/R = 7.3/2.2 x 103 = 3.32 mA
Shembulli 2.5
Të përsëritet shembulli 2.4 për diodën e invertuar.
Zgjidhje
Skema ekuivalente është paraqitur në Fig.2.20
+ VD - + VD -
+ +
ID IR I= IR= 0
+ Si D 0
+
E R VR R VR
_ E _
- -
Fig.2.20
Pasi që tensioni i zbatuar shkakton rrymë, kahja e së cilës nuk përputhet me kahun e shigjetës së
simbolit të diodës, dioda nuk përçon (është e shkyçur), prandaj rryma në qark do të jetë
ID = IR = 0
Ndërsa tensionet e kërkuara do të jenë
VD =E - VR
VR = IR R = 0
VD =E - VR = E = 8 V
51
Shembulli 2.6
Të caktohet tensiono dalës Vo dhe rryma ID për qarkun në Fig.2.21a.
Vp1_ Vp2_
Si Ge
+
+ +
+ 12 V IR
ID ID
+ IR
R Vo R VR
R = 5.6 k E _
V
V=
p1 0.7 V - -
V=
p2 o.3 V
(a) (b)
Fig.2.21
Zgjidhje
Në bazë të tensionit të zbatuar E (E = 12 > 0.7 + 0.3) shihet se rryma ka kah të njëjtë me
shigjetat e simboleve të të dy diodave, prandaj qarku ekuivalent do të duket si në Fig.2.21b.
Tensioni Vo në dalje është
Vo= E - Vp1 – Vp2 = 12 – 0.7 – 0.3 = 11 V
ID = IR = VR/R = 11/5.6 x 103 = 1.96 mA
Shembulli 2.7
Për qarkun në Fig.2.22 të caktohet rryma e diodës, tensioni në skajet e diodës së germaniumit
dhe tensioni dalës.
Si Ge
+
+ 12 V IR
ID
R Vo
R = 5.6 k
-
Fig.2.22
52
Zgjidhje
Zhvendosja e diodave nga diagrami i qarkut dhe caktimi i rrymës rezultuese është paraqitur në
Fig.2.23.
Si Ge
+
+ID IR
E _ 12 V R Vo
Fig.2.23
Kahu i rrymës përputhet me shigjetën e diodës së silicit por jo edhe me atë të germaniumit,
prandaj njëra diodë do të përçojë (ajo e silicit) ndërsa tjetra jo (ajo e germaniumit). Prandaj kemi
lidhje të shkurtë në diodën e silicit dhe qark të hapur në diodën e germaniumit. Rryma në qark
do të jetë ID = 0, siç është paraqitur në Fig.2.24.
Si Ge
I=0
+ -+ - +
VD1 VD2
+
E _ 12 V R Vo
ID
Fig.2.24
Pra rryma dhe tensionet e kërkuara do të jenë
ID = IR = 0
Vo= IR = 0 V
VD2 = E – VD1 – VR = E = 12V
VD1 = 0
Sepse dioda e silicit përcjellë rrymë prandaj rënia e tensionit në te është zero.
53
Shembulli 2.8
Për qarkun e paraqitur në Fig.2.25 të caktohet rryma në qark dhe rëniet e tensioneve në
rezistencat R1 dhe R2, dhe tensioni në dalje.
Si + V1 -
+
+ +
I
V2
R2 Vo
R1= 4.6 k  -
R2 = 2.2  -
E2
E1= 10 V -
E=
2 -5 V
Fig.2.25
Zgjidhje
Në bazë të polariteteve të burimeve E1 dhe E2, rryma ka kahun si në Fig.2.26, ndërsa modeli
ekuivalent i qarkut për diodën kyçur është paraqitur në Fig.2.27.
+
R1
+
R2 Vo
_
E1= 10 V
_
I
E2= 5 V
+
-
Fig.2.26
VD V1
- + -
+
+ +
0.7 V R1
+ V2
R2 Vo
E1= 10 V
_
I _ -
E2= 5 V
+
-
Fig.2.27
54
Nëse në konturën hyrëse të qarkut në Fig.2.27 zbatojmë ligjin e dytë të Kirchoff-it për tensione,
në kahun e rrotullimit të akrepave të orës do të kemi
E1– R1I - VD - R2I + E2 = 0
Prej nga mund të llogaritet rryma në qark si
E1  E2  VD 10  5  0.7
I   2.1 mA
R1  R2 (4.6  2.2)  10 3
Rëniet e kërkuara të tensioneve në rezistencat R1 dhe R2 do të jenë
V1 = I R1= 9.66 V
gjegjësisht
V2 = I R2= 4.62 V
Tensioni në dalje caktohet me zbatimin e këtij ligji në konturën dalëse të qarkut, pra do të kemi
-E2 + V2– Vo = 0
prej nga tensioni dalës është
Vo = V2 – E2 = - 0.38 V
Shenja minus tregon se tensioni në dalje ka polaritet kundërt me atë të paraqitur në Fig.2.27.
Shembulli 2.9
Për qarkun e paraqitur në Fig.2.28 të caktohet tensioni dalës, rryma I dhe rryma nëpër diodën e
dytë ID2.
I
+
R ID2 E = 10 V
+ ID1 Si Si
E Vo R = 0.33 k
_ D1 D2
Fig.2.28
Zgjidhje
Për tensionin e zbatuar E, burimi bënë presion për vendosjen e rrymës në secilën diodë me kah
të njëjtë, siç është paraqitur në Fig.2.29.
55
I
+
R ID2 E = 10 V
ID1 +
R = 0.33 k
+ +
E _ VD1 _ VD2 _ Vo
VD1= VD2= 0.7 V
Fig.2.29
Pasi që kahet e rrymave përputhen me shigjetat e simboleve në të dy diodat, dhe E > 0.7 V, të
dy diodat janë të kyçura. Pasi që tensioni në skaje të elementeve paralele është gjithmonë i
barabartë, do të kemi
Vo = VD1 = VD2 = 0.7 V
Rrymat gjegjëse do të jenë
E  Vo 10  0.7
I   28.18 mA
R 0.33  10 3
dhe
I 28.18
I D1  I D 2    14.09 mA
2 2
Shembulli 2.10
Në Fig.2.30 është paraqitur qarku logjik “OSE” (angl. “OR”). Të caktohet tensioni në dalje të
qarkut dhe rryma I.
Si
1
(1) E1= 10 V D1
Si
2
D2 +
(0) E2= 0 V
I
R Vo
R = 1 k
-
Fig.2.30
56
Zgjidhje
Në hyrjet e qarkut (1 dhe 2) është zbatuar vetëm një potencial E = 10 V, ndërsa terminali 2 me 0
V është në potencialin e tokës, siç është paraqitur në Fig.2.31. Dioda D1 është e kyçur pasi që në
te është zbatuar tensioni prej 10 V, ndërsa dioda D2 me 0 V të zbatuar sigurisht nuk përçon.
Duke i përvetësuar këto gjendje, qarku do të duket si në Fig.2.32.
+ -
D1
E1= 10 V
+
D2
R Vo
Fig.2.31
Hapi i ardhshëm është verifikimi i gjendjeve të përvetësuara të diodave. Së pari duhet të

caktohet tensioni dalës Vo, pasi që në te janë të lidhura katodat e diodave. Me zbatimin e ligjit të
Kirchoff-it për konturën e paraqitur në Fig.2.32, do të fitojmë
Vo = E1 - VD1 = 10 - 0.7 = 9.3 V
VD1
_
+
0.7 V D1
+ A K
- +
E1= 10 V D2
R Vo
I
-
Fig.2.32
Me katodën në potencialin + 9.3 V, dioda D2 sigurisht nuk përçon. Kahja e rrymës konfirmon
supozimin tonë se dioda D1 përçon. Tensioni në dalje është pra
Vo = 9.3 V
Ndërsa rryma
E  VD1 10  0.7
I   9.3 mA
R 1  10 3
57
Shembulli 2.11
Në Fig.2.33 është paraqitur qarku logjik “EDHE” (angl.”AND”). Të caktohet niveli i tensionit
në dalje Vo dhe rryma I. Është e njohur R = 1 kΩ.
Fig.2.33
Zgjidhje
Me potencialin pozitiv prej 10 V në anën e katodës (E1) dioda D1 nuk ka gjasa të përçoj. Dioda
D2 mund të përçoj, pasi që në katodën e saj mbretëron potenciali i ulët (E2 = 0 V). Prandaj qarku
ekuivalent duket si në Fig.2.34.
A K
D1
VD2
+ _
+
E = 10 - 0.7 +
1
V D2
V
R Vo
I +
E = 10 -
V -
Fig.2.34
Tensioni në dalje, i cili është njëkohësisht edhe tensioni që mbretëron në skajet e diodës D2, do
të jetë
Vo = VD2 = 0.7V
Ndërsa rryma I do të jetë
E  VD 2 10  0.7
I   9.3 mA
R 1103
58
Shembulli 2.12
Në Fig.2.35 gjeni rrymën I0 në degën me rezistor 2Ω.
Fig.2.35
Zgjidhje
Qarku i mësipërm mund të ekuivalentohet si më poshtë :
Fig.2.36
Ku janë:
66 66 24 4 12  2
R   3 , E   3V , R    E   4V
1 12 1 12 2 6 3 2 6
Pasi polet pozitive te baterive janë të lidhura në katodë atëherë Dioda - nuk përçon, prandaj
shihet që dioda nuk ka kurrfarë ndikimi në qark, prandaj rryma në qark dhe tensioni UAB është:
E  E2
I 1
R1  R2
E  E2
U AB  E2  R2  1
R1  R2
U AB
Rryma I0 nëpër degën me rezistor 2Ω është I 
o 2
R2 ( E1  E2 ) 1.33  (1)
E2  4
R1  R2 4.33  3.6941  1.85 A
I0  
2 2 2
59
Shembulli 2.13
Percaktoni pozitën e pikës së punës së diodës në qarkun e Fig.2.37.a nëse është e njohur
karakteristika statike e diodës Fig.2.37.b. Janë të njohura: R1 = 200  , R2 = 600, E = 2V.
R1
D R2
E
Fig.2.37.a Fig.2.37.b
Zgjidhje
Pika e punës e një diode është tensioni në skaje të diodës si dhe vlera e rrymës nëpër të. Kur
dihet karakteristika statike e diodës (karakteristika e prodhuesit), tensioni dhe rryma në diodë të
qarkut të dhënë mund të gjendet me analizë grafike.
Skema ekuivalente do të jetë si në Fig.2.38

Rek ID
Eek D VD
Fig.2.38
E
R1 E  R2
Eek    1.5 V
1

1 R1  R2
R1 R2
R  R2
Re k  1  150 
R1  R2
Nga Ligji i Dytë i Kirkofit për qarkun e thjeshtë me Eek, Rek dhe D mund të shkruajmë:
Eek  Rek  I D  VD  0  VD  Eek  Rek  I D
Ekuacioni i fundit shpreh vartësinë e tensionit në diodë nga rryma në të, dhe kjo vartësi lineare
quhet vijë e ngarkesës (drejtëz e punës).
60
Së fundi paraqesim këtë drejtëz në karakteristikën statike të diodës (lakore të cilën e jep
prodhuesi). Prerja e kësaj drejtëze me karakteristikën statike paraqet pikën e punës (0.65, 5.2) në
Fig.2.39.
Pika e punës
Fig.2.39
Shembulli 2.14
Llogaritni rrymën I në qarkun e Fig.2.40 nëse janë përdorur dy dioda të germaniumit, me të

njëjtat karakteristika dhe nëse janë të njohura Is = 1nA, T = 300 0K, R = 1 k dhe E = 10V. Të
caktohet VD1 dhe VD2.
Fig.2.40
Zgjidhje
Dioda D2 është e polarizuar revers dhe në të mund të rrjedh vetëm rryma Is = I =1 nA
Prandaj, rryma në qark është: I = ID1 = Is = 1 nA

L.II. K për këtë konturë është:
E  R  I  VD1  VD 2  0
Kur dioda është polarizuar revers (paraqet thuajse qark të hapur), tensioni në skajet e saj është
sa vlera e tensionit të furnizimit.
61
Nga shprehja për rrymën e diodës në vartësi nga tensioni
VD1
UT
I D  I s (e  1)
Mund të nxjerrim që
VD1
I s  I s (e UT
 1)  VD1  UT  ln 2
Prandaj , VD1  18 mV
Së fundi nga ligji i Dytë i Kirkofit për qarkun e mësipërm del që:
VD 2  9.82 V
Shembulli 2.15
Dioda e Ge me lidhje sipërfaqësore në temperaturën prej 125 0C, ka rrymën reverse të ngopjes Is
= 30A. Llogaritni rrymën nëpër diodë dhe rezistencën e saj dinamike kur dioda polarizohet
drejtë me tension 0.2 V dhe kur polarizohet revers me të njëjtin tension.
Fig.2.41
Zgjidhje
Ud
Rryma nëpër diodë gjendet nga relacioni i njohur: I D  I s  (e UT

 1)
Tensioni termik në ketë temperaturë do të ketë vlerën si më poshtë:

J
1.38  10-23  (273  125) 0 K
kT K 0
VT  =  0.0343V  34.3 mV
e 1.6  10 -19 C
Prej nga I D  10 mA
UT 34.34 mV
rD    3.434 
I D  I s 10 mA  30 A
62
Shembulli 2.16
Në qarkun në Fig.2.42 janë përdorë dioda me karakteristika të njëjta (kanë të barabarta Is).
Rryma e matur në diodën D1 ka vlerën I1 = 10 mA, ndërsa tensioni i matur në skaje të diodës D2
është VD2 = 0.68 V.
a) Llogaritni rrymën reversë të ngopjes së diodave (D1 dhe D2)
b) Llogaritni vlerën e rezistorit R1.
c) Fuqinë e disipacionit të secilës diodë
Janë të njohura: R2 = 1 kΩ, E = 3 V dhe UT = 0.026 V, η = 1.
Fig.2.42
Zgjidhje
a) Rryma e drejtë nëpër diodën D2 është I2, ndërsa tensioni është VD2 = 0.68 V. Nga qarku
mund të shkruajmë Ligjin e Dytë të Kirchhoff-it.
E  R2  I 2  VD 2
Fig.2.43
Prej nga
E  VD 2 3  0.68
I2    2.32 mA
R2 1000
Nga shprehja për rrymën e diodës mund të llogarisim rrymën reverse të ngopjes.
63
VD
Meqë kemi polarizim të drejtë vlen: e

UT
 1
I2 2.32 103
IS 2  VD 2
 0.68
 1.016 1014 A
UT 0.026
e e
Tensioni në diodën D1 do të shënohet me VD1, ndërsa rryma nëpër ketë degë është I1. Meqë
degët janë të lidhur në paralel, vlen:
E  VD1
E  R1  I1  VD1  R1 
I1
b) Nga shprehja për rrymën e diodës mund të gjendet VD1 :
VD1 I
I1  I S1  e  VD1  UT  ln 1  0.718V , së fundi gjejmë rezistencën R1
UT IS
E  VD1 3  0.718
R1    228.2 
I1 10 103
c) Fuqia e dispacionit në secilën diodë është:
PD1  VD1  I1  0.718 10  7.18 mW

PD 2  VD 2  I 2  0.68  2.32  1.57 mW
Shembulli 2.17
Për qarkun e treguar në Fig.2.44 diodat të konsiderohen ideale. Gjeni intensitetin e rrymës I të
shënuar në qark dhe tensionin V.
+5V
5k
I1 D2
D1
V
10 k
_5V
Fig.2.44
64
Zgjidhje
Nisemi nga Supozojmë që D1 dhe D2 janë ON. Me ketë rast rrymat nëpër dioda janë I1
respektivisht I2 dhe duhet të jenë pozitive. Në të kundërtën, supozimi i bërë është i gabuar dhe
nuk mund të pranohet si i saktë.
+5V
I 5k
0V
I2
I1 D2
D1
V
10 k
_5V
Fig.2.45
Lë të jetë I rryma nëpër rezistorin 5 kΩ.
50
Meqë D1 është ideale atëherë nga L.II. K fitojmë: I   1 mA
5
L.II. K për konturën me D1, D2, 10k dhe baterinë – 5 V është:
5
0  10k  I 2  5  0  I 2   0.5 mA
10
Së fundi nga Ligji i Parë i Kirchhoff-it për nyjën në mes diodës D1, D2 dhe rezistorit 5 kΩ
mund të gjejmë që:
I1  I  I 2  0.5 mA
Përfundim. Supozimi i bërë pranohet i saktë pasi I1 >0 dhe I2 >0 i cili është kusht themelor që
diodat të përçojnë.
Shembulli 2.15
Për qarkun elektrik me një diodë të treguar në Fig 2.46 janë të njohura elementet e qarkut.
a) Sa janë Va, Vb, VD, ID nëse V1 = 15 V, V2 = 10 V

b) Sa janë Va, Vb, VD, ID nëse V1 = 10 V, V2 = 15 V
Dioda të konsiderohet reale me tension pragu prej 0,6 V.

65
_ +
VD
R1 Va Vb R2
+V +V
1 2
10kΩ 10kΩ
ID
R3 R4
10kΩ 10kΩ
Fig.2.46
Zgjidhje
a) Kur V1 = 15 V, V2 = 10 V dioda është e shkyçur (OFF)
Va = 7.5 V, Vb = 5 V, prej nga VD = - 2.5 V dhe ID = 0 mA
b) Kur V1 = 10 V, V2 = 15 V dioda është ON

_ +
VD
R1 Va Vb R2
+V +V
1 2
ID
I1 I2
R3 R4
I3 10kΩ I4 10kΩ
Fig.2.47
Ligji i Parë i Kirchhoff-it për nyjën b është
I 2  I 4  I D  I 4  I3  I1
V2  Vb Vb Va Va  V1
    Va  12,5  Vb
10 10 10 10
15 10 1 1 1 1 1 1
  Vb      Vb      0.6    
10 10  10 10   10 10   10 10 
Vb  6.55V
15  6.55 6.55
ID    I D  0.19 mA
10 10
VD  0.6 V
66
PASQYRË PYETJESH
2.1. Çka është bashkimi pn?
2.2. Shpjegoni procesin e difuzionit që ndodh në bashkimin pn. Sa zgjatë ky

difuzion?
2.3. Çka është barriera potenciale dhe si krijohet ajo?
2.4. Pse regjioni i barrierës potenciale quhet regjion i varfëruar nga bartësit e lirë?
Sa është vlera tipike e tensionit të barrierës potenciale për një diodë silici e sa
për një diodë nga germaniumi?
2.5. Nëse bashkimi pn gjendet në dy temperatura të ndryshme (T2 > T1), atëherë a do
të zvogëlohet tensioni i barrierës apo do të rritet në temperaturën T2?
2.6. Përshkruani polarizimin e drejtë dhe revers të diodës.
2.7. Krahasoni regjionin e varfëruar (regjionin e barrierës) te polarizimi i drejtë dhe

te polarizimi revers i diodës.
2.8. Në cilat kondita të polarizimit krijohet rrymë e bartësve shumicë në diodë?
2.9. Rryma e diodës së polarizuar drejtë ndryshon në vartësi nga tensioni i

polarizimit. Tregoni a është kjo: rritje lineare, rënie lineare, rritje eksponenciale,
apo rënie eksponenciale kur tensioni polarizues rritet?
2.10. Pse dioda gjysmëpërçuese quhet komponentë elektronike jolineare?
2.11. A ndikon temperatura në karakteristikën statike të diodës? Nëse Po paraqitni

karakteristikën statike të diodës me rastin e polarizimit të drejtë në dy
temperature të ndryshme. Nëse Jo jepni arsyetimin fizik.
2.12. Si prodhohet rryma reverse në një diodë?
2.13. Shkruani relacionin volt-amper për diodë dhe shpjegoni kuptimin e secilit
anëtarë.
2.14. Paraqitni karakteristikën volt-amper të diodës ideale. Shpjegoni pse dioda ideale
mund të konsiderohet si ndërprerës.
2.15. Cili është kuptimi i vijës së ngarkesës dhe i pikës së punës së diodës?
67
2.16. Nëse bashkimi pn polarizohet revers, nëpër diodë do të rrjedhë një rrymë e
vogël që quhet rrymë reverse e ngopjes. Të shpjegohet kuptimi fizik i kësaj
rryme reverse?
2.17. Paraqitni modelin e diodës reale me pjesë lineare.
2.18. Shpjegoni efektin ortek në diodë.
2.19. Pse ndodh shpimi revers i një diode?
2.20. A varet regjioni ortekut (Vz) nga niveli i dopingut në materialet e tipit p dhe n?
2.21. Në regjionin e shpimit të diodës ndodh një proces i ndërrimit të vlerës së rrymës
nëpër të. A është kjo rrymë zero, e pakufishme apo e kufizuar në vlerën rrymës
reverse të ngopjes?
2.22. Diodat mund të përdoren edhe për ndërtimin e qarqeve logjike. Të disejnohet
qarku me dioda i cili kryen funksionin y  ( A  B)  (C  D)
2.23. Çka do të mat voltmetri nëse është vendosur në terminalet e diodës së pa

polarizuar?
2.24. Çka do të mat voltmetri nëse është vendosur në terminalet e diodës së polarizuar
drejt?
2.24. Çka do të mat voltmetri nëse është vendosur në terminalet e diodës së polarizuar
revers?
68
PROBLEME
2.1. Ne qarkun me tri dioda në Fig.2.48 është kyçur tensioni U =68 mV. Llogaritni
tensionet U1 dhe U2 nëse për rrymat reverse të ngopjes vlen: Is1 = Is2 = 10 pA
dhe Is3 =20 pA, ndërsa UT = 25 mV.
Fig.2.48
2.2. Në qarkun me dy dioda D1 dhe D2 në Fig.2.49 janë me karakteristika të

ndryshme. Janë të njohura Is1, Is2 dhe Iin. Të gjenden rrymat ID1 = f (Iin, Is1, Is2),
ID2 = f (Iin, Is1, Is2).
R1
Iin
V1
D1 D2
Fig.2.49
2.3. Dy dioda të ndryshme nga silici janë të lidhura si në Fig.2.50. Është matë rryma
e përgjithshme I = 100 mA. Rrymat inverse te ngopjes së diodave janë IS1 = 1.5
pA dhe IS2 = 3.5 pA si dhe dihet që T = 300oK dhe UT = 26 mV. Llogaritni:
a) Tensionin në dioda.,
b) Rrymën nëpër secilën diodë,
c) Fuqinë e disipacionit të secilës diodë
D1
D2
I = 100 mA
Fig.2.50
69
Zgjidhje:
a) Shënojmë I1 rrymën në diodën D1 dhe I2 rrymën në diodën D2.
Nga Ligji i parë i Kirchhoff-it vlen:
Meqë diodat janë në paralel, tensioni në skaje të tyre është i njëjtë
b)Rryma e cila rrjedh nëpër dioda është:
dhe
c) Fuqia e dispacionit në secilën diodë është:
dhe
2.4. Për qarkun e treguar në Fig.2.51 diodat të konsiderohen ideale. Gjeni

intensitetin e rrymës I të shënuar në qark dhe tensionin V.
+5V
I 10 k
D2
D1
V
5k
_5V
Fig.2.51
Zgjidhje:
D1 nuk përçon, ndërsa D2 përçon. (I1 = 0 mA, V = -5/3 V).

Vërejtje! Nëse supozohet ndryshe do konstatoni që supozimi i bërë është gabim, pasi
rryma nëpër dioda mund të dalë negative çka është në kundërshtim me kushtin bazë të
përçimit.
70
2.5. Në qarkun e treguar në Fig.2.52.a supozoni që karakteristika iD = f (VD) e diodës

është si në Fig.2.52.b. Sa është rryma në diodë iD e sa tensioni në skajet e
diodës? Udhëzim: VD = V12
1 2
6kΩ 3kΩ
ID
6V 6kΩ 2kΩ 4.5 V
Fig.2.52a
Fig.2.52. b
2.6. Duke përdorë teoremën e Thevenn-it të gjendet vlera e rrymës dhe tensionit ne
qarqet e mëposhtme Fig.2.53. Diodat konsideroni ideale!
71
+9V +9V +5V
10kΩ 10kΩ 10kΩ

I I
V
_ +
V
20kΩ 20kΩ 10kΩ 10kΩ
Fig.2.53
2.7. Të nxjerrët shprehja Booleane për V0 në vartësi nga anëtarët hyrës në Fig.2.54
(nëse diodat konsiderohen ideale).
+ 5V
10kΩ + 5V
V1 10kΩ
V2
V0
V3
V4
Fig.2.54
Zgjidhje:
Shprehja Boleane për Vo është: V0  (V1 V2 )  (V3  V4 )
2.8. Të gjendet vlera e rrymës dhe tensionit ne qarkun e mëposhtëm. Diodat

konsideroni ideale!
D1
+3V
D2
+2V V
+
D3
+1V I 1kΩ
_
72
QARQET ME DIODA
3.1 DREJTUESI I GJYSMËVALËS

Analiza e diodës tani do të zgjerohet me funksione të ndryshueshme kohore siç
janë forma valore sinusoidale dhe vala katrore. Është e qartë se shkalla e vështirësisë do
të rritet, por nëse kuptohet drejtë veprimi themelor me diodë, analiza do të jetë
përafërsisht e njëjtë dhe do ta përcjellë trajtimin e njëjtë si në rastin e sinjaleve
njëkahore.
Qarku më i thjeshtë për analizë me sinjale të ndryshueshme kohore është

paraqitur në Fig.3.1. Për këtë moment do ta shfrytëzojmë modelin ideal të diodës për
t’iu shmang komplikimeve matematikore shtesë.
vi
+ + Vm
t
vi R vo
0 T/2 T
- - vi = Vm sint 
(a) (b)
Fig.3.1 Drejtuesi i gjysmëvalës
Forma valore e sinjalit hyrës është paraqitur në Fig.3.1b. Gjatë një cikli të plotë,
të definuar me periodën T, vlera mesatare e sinjalit (shuma algjebrike e sipërfaqeve mbi
dhe nën bosht) është zero. Qarku në Fig.3.1a, i quajtur drejtues i gjysmëvalës, do të
gjeneron një formë valore në dalje, vo, e cila do të ketë një vlerë të caktuar mesatare.
Pra, në procesin e shndërrimit të sinjalit alternativ, në dalje fitohet një sinjal njëkahor (i
drejtuar), prandaj edhe qarku që e kryen këtë veprim quhet drejtues.
3. Qarqet me dioda 73
Gjatë intervalit kohor prej t = 0 deri në t = T/2, polariteti i tensionit hyrës vi

është pozitiv dhe dioda, si rezultat i veprimit të kësaj pjese të tensionit, paraqet lidhje të
shkurtë, siç është paraqitur në Fig.3.2.
+ -
+ + + +
vi i R vo vi i R vo
- - - -
Fig.3.2 Regjioni i përcjelljes së diodës (0 – T/2)
Dalja e qarkut në këtë rast është e lidhur drejtë në hyrje, kështu që tensioni në
dalje për këtë periodë (0 – T/2) është i barabartë me tensionin hyrës vo = vi.
Për periodën T/2 – T, polariteti i tensionit hyrës ndryshon dhe ky polaritet (i

kundërt) shkakton shkyçjen e diodës, që është paraqitur me lidhje të hapur në Fig.3.3.
Rezultat i shkyçjes së diodës është mungesa e rrjedhjes së ngarkesave (i = 0), prandaj
tensioni në dalje është gjithashtu zero (vo = iR = 0R = 0 V). Në Fig.3.4, për krahasim,
janë paraqitur skicat e formave valore të tensionit hyrës dhe dalës.
- +
- + - +
vi vo vi i=0 vo
i R R
+ - + -
Fig.3.3 Regjioni i mospërcjelljes së diodës (T/2 - T)
Sinjali në dalje tani ka vetëm një sipërfaqe pozitive mbi bosht, gjatë tërë periodës së
plotë të sinjalit hyrës, dhe vlera mesatare e tij është e caktuar me
T /2 T /2
1 1
Vmes 
T 
0
vi dt 
T 0
Vm sin ωt dt
1 1
Vmes  Vm ( cos ωt ) T0 / 2
Tω
74
2π
ω  2πf  - frekuenca rrethore
T
1 T 2π 2π
Vmes  Vm ( cos  T / 2  cos  0)
T 2π T T
Vm
Vmes  ( cos π  cos 0)
2π
Vm
Vmes   0.318Vm (3.1)
π
Procesi i zhvendosjes së njërës gjysmë të sinjalit hyrës, për ta vendosur nivelin njëkahor
në dalje quhet drejtim i gjysmëvalës.
Fig.3.4 Sinjali i drejtuar vetëm në një gjysmëperiodë
Shembulli 3.1
(a) Të skicohet tensioni në dalje të qarkut të paraqitur në Fig.3.5 dhe të caktohet niveli njëkahor i
këtij tensioni.
(b) Të përsëritet detyra nën (a) nëse dioda ideale zëvendësohet më diodë reale të silicit.
(c) Të caktohet tensioni revers maksimal në diodë.
vi
+ +
20 V
t
vi R = 2 k vo
0 T/2 T
- - vi = Vm sint 
(a) (b)
Fig.3.5 Qarku për shembullin 3.1
Zgjidhje
(a) Në këtë situatë dioda do të përcjellë gjatë gjysmëperiodës negative të tensionit hyrës, siç është
paraqitur në Fig.3.6, dhe tensioni në dalje, vo, do të duket si në Fig.3.6.b. Për periodën e plotë, niveli
njëkahor është
Vm
Vmes    0.318Vm  0.318  20  6.36 V
π
Shenja negative në tensionin dalës tregon se polariteti i daljes është i kundërt me atë të paraqitur në
Fig.3.5.
vi
- + 20 V
t
0 T/2 T
+ +
-20 V
vi R = 2 k vo vo
- t
-
0 T/2 T
-20 V
Fig.3.6
(b) Nëse shfrytëzohet dioda e silicit me tensionin e pragut të përçueshmërisë VP = 0.7 V, momenti i
fillimit të përcjelljes së diodës do të zhvendoset për këtë vlerë, siç është paraqitur në Fig.3.7. Kur
dioda përçon, tensioni në dalje është
76
v o  vi  V P
vi
20 V
Vp T/2 T
- + t
0
+ +
V=0.7
p V
-20 V Zhvendosja për
vi R = 2 k vo vo shkak të Vp
- - T/2 T t
0
(a) -20 V Vm - Vp
(b)
Fig.3.7 Efekti i pragut të përçueshmërisë së diodës reale
Niveli i tensionit njëkahor në dalje është
Vmes  0.318  (Vm  VP )  0.318  (20  0.7)  6.14 V
Zvogëlimi i nivelit njëkahor të tensionit dalës për shkak të tensionit të pragut të përçueshmërisë së diodës
së silicit është 0.22 V ose rreth 3.5%.
(c) Tensioni revers maksimal në diodë është parametër i rëndësishëm, dhe ai nuk guxon të jetë më i
madh se tensioni maksimal i lejuar, sepse dioda hynë në regjionin e Zener-it. Ky tension mund të
caktohet në bazë të Fig.3.8 dhe është i barabartë me
VRM  Vm  20 V
V
+ RM -
+ +
Vm vo= IR = 0
- -
Fig.3.8 Qarku ekuivalent për caktimin e tensionit maksimal revers të diodës

3.2 DREJTUESI I VALËS SË PLOTË

Niveli njëkahor i fituar nga hyrja sinusoidale mund të përmirësohet dukshëm me
shfrytëzimin e procesit të drejtimit të valës së plotë. Qarku më i njohur që kryen këtë
funksion është ura e Gretz-it dhe ky qark është paraqitur në Fig.3.9. Qarku përbëhet nga
katër dioda të lidhura në urë.
vi
+ Vm
D1 D2 t
R
vi
-
D3 vo + 0 T/2 T
D4
- vim= V sint 
(a) (b)
Fig.3.9 Drejtuesi i valës së plotë me urë
Gjatë intervalit kohor prej t = 0 deri në t = T/2, polariteti i tensionit hyrës është
si në Fig.3.10, ku janë paraqitur edhe polaritetet gjegjëse të diodave.
+
"shkyçur" "kyçur"
R
vi
- +
vo
"kyçur"
- "shkyçur"
Fig.3.10 Bllok diagrami i qarkut për gjysmëperiodën pozitive të tensionit hyrës
Diodat D2 dhe D3 përçojnë, ndërsa diodat D1 dhe D4 janë të shkyçura. Rezultati

përfundimtar është paraqitur në konfiguracionin ekuivalent në Fig.3.11. Pasi që diodat
janë ideale, tensioni në dalje është
v o  vi
78
+ vi
D1 D2 Vm
R
vi T t
-
vo + 0 T/2
i D3 D4
- vo
(a) Vm
t
0 T/2 T
(b)
Fig.3.11 Konfiguracioni ekuivalent
Për gjysmëperiodën negative të tensionit hyrës (T/2 – T), diodat D1 dhe D4

përçojnë dhe qarku ekuivalent për këtë rast është paraqitur në Fig.3.12. Kahja e rrymës
nëpër rezistencën R ka rëndësi të posaçme dhe ajo duhet të theksohet, sepse ky kah
është i njëjtë me atë në Fig.3.11, pa marrë parasysh që kahja e tensionit hyrës është e
kundërt, dhe kjo mundon që në dalje të fitohen dy pulse pozitive në dalje, siç është
paraqitur në Fig.3.12.
- vi
D1 D2 Vm
i
R
vi T t
-
vo + 0 T/2
D3 D4
+ vo
(a) Vm
t
0 T/2 T
(b)
Fig.3.12
Prandaj, gjatë një periode të plotë të sinjalit hyrës, tensioni në dalje do të duket si në
Fig.3.13.
vi
Vm
t
0 T/2 T
vo Vmesm
= 0.63 V
Vm
t
0 T/2 T
Fig.3.13
Pasi që sipërfaqja mbi bosht, për një periodë të plotë tani është e dyfishuar, në krahasim
me drejtuesin e mëparshëm, niveli njëkahor i tensionit dalës gjithashtu do të dyfishohet
dhe është
T T /2
1 2 2V
Vmes 
T0 v i dt 
T 0 Vm sin ωt dt  m  0.636Vm
π
(3.2)
Edhe në rastin e diodës së silicit, kur Vm >> 2VP, tensioni në dalje është gjithashtu i
dyfishuar dhe është
Vmes  0.636Vm
Por nëse tensioni maksimal hyrës është i krahasueshëm me pragun e përçueshmërisë së

diodave, atëherë tensioni mesatar në dalje do të jetë
Vmes  0.636  (Vm  2VP )
Në qarqe të ndryshme me dioda, vlera mesatare e tensionit në ngarkesë mund të ketë

vlerë pozitive, negative ose edhe zero.
Tensioni revers maksimal mund të caktohet nga Fig.3.14, për vlerën maksimale
pozitive të sinjalit hyrës. Për këtë kah të konturës, tensioni maksimal revers në skaje të
rezistencës R dhe njëkohësisht në skaje të diodës është
VRM  Vm
dhe vlen për diodat të cilat janë të shkyçura.

80
+ +
VRM1 D2
- R
vi i
- +
Vm +
D3
- VRM4
-
Fig.3.14
Shembulli 3.2
Të caktohet forma valore e tensionit në dalje të qarkut në Fig.3.15 dhe të llogaritet niveli
njëkahor i këtij tensioni si dhe të llogaritet tensioni maksimal revers në secilën diodë.
vi
+ 10 V
D1 D2 t
R
vi
-
vo + 0 T/2 T
R1 R2
- vim= V sint 
R = R12= R= 2 k 
(a) (b)
Fig.3.15
Zgjidhje
Për pjesën pozitive të tensionit hyrës, (0 – T/2), qarku ekuivalent do të duket si në Fig.3.16a. Për
lehtësim të analizës, qarku mund të rregullohet si në Fig.3.16b.
vi
+ +i + 10 V
D1 +
D2
1
vo i2
- R R t
vi vi - R2
- 0 T/2
vo +
R1 R1
- R2 - vim= V sint 
(a) (b) (c)
Fig.3.16
Tensioni i kërkuar në dalje të qarkut është
vo  i  R
vi
i ; R = R1 = R2
R  R1
vi
i
2R
vi v
vo  R  i
2R 2
Vm
Vmo   5V
2
Niveli njëkahor i tensionit në dalje, sipas Fig.3.16.b, është
Vmes = 0.636Vm = 3.18 V
Sepse tensioni në dalje përgjysmohet për shkak se dy dioda janë zëvendësuar me rezistencat R1
dhe R2. Tensioni revers maksimal në skaje të diodës është i barabartë me tensionin maksimal në
rezistencën R
VRM = Vmo = 5 V
82
3.3 DREJTUESI ME FILTËR KAPACITIV

Natyra pulsive e tensionit të prodhuar në dalje të drejtuesve të diskutuar më
sipër, tregon që forma valore e tensionit në dalje nuk është tension njëkahor konstant.
Shumica e qarqeve elektronike punojnë me tension njëkahor konstant. Mënyra më e
thjeshtë për të reduktuar variacionet e tensionit në dalje është vendosja e një
kondensatori në lidhje paralele me ngarkesën rezistive.
Që të shohim se qysh filtri kapacitiv punon, le të analizojmë së pari qarkun e

thjeshtë drejtues në Fig.3.17. Lë të jetë vi tensioni sinusoidal në hyrje i cili ka vlerë
maksimale Vm dhe dioda të supozohet ideale. Kur vi rritet nga vlera 0 V, kondensatori C
fillon të mbushet dhe tensioni në dalje është vo = vi. Kjo gjendje e mbushjes së
kondensatorit vazhdon derisa vi arrin vlerën maksimale Vm. Pasi tensioni në hyrje arrin
vlerën maksimale fillon të zvogëlohet dhe me ketë rast dioda polarizohet revers, sepse
tensioni në dalje do të mbetet në vlerën maksimale pasi që kondensatori C nuk ka ku të
zbrazet. Teorikisht kondensatori do ta mbajë vlerën konstante të tensionit Fig.3.17 (b)
pambarimisht gjatë. Prandaj qarku në Fig 3.17.a siguron tension njëkahor në dalje me
vlerën vo= Vm (vlera maksimale e tensionit sinusoidal në hyrje).
Fig.3.17 (a) Qarku i thjeshtë drejtues i cili ilustron veprimin e kondensatorit. (b)
Format valore në hyrje dhe dalje. Tensioni në dalje është i barabartë me vlerën
maksimale të tensionit në hyrje
Të shqyrtojmë tani situatën praktike në Fig.3.18, kur në ngarkesën me rezistencë

R është e lidhur paralel kondensatori C. Me ketë rast diodën do ta konsiderojmë reale.
Gjatë çerekut të parë të ciklit hyrës Fig.3.18 (a), dioda është polarizuar drejtë duke
lejuar që kondensatori të mbushet kur tensioni hyrës kalon vlerën 0.7 të përçimit të
diodës. Kur tensioni hyrës arrin vlerën maksimale Vm, tensioni në kondensator është
Vm-0.7 V. Kur tensioni hyrës bie nën këtë vlerë (çereku i dytë, tretë dhe katërt i ciklit
hyrës), atëherë kondensatori fillon të zbrazet Fig 3.18.b sepse dioda polarizohet revers
dhe katoda është më pozitive se anoda. Gjatë kësaj pjese të ciklit, kondensatori mund të
zbrazet vetëm nëpër rezistencën e ngarkesës R, e përcaktuar me konstanten kohore τ =
RC, e cila normalisht është me gjatë se perioda e tensionit hyrës. Konstanta më e madhe
kohore nënkupton zbrazje më të vogël të kondensatorit dhe do të jetë më e madhe sa më
e madhe të jetë vlera e kondensatorit C filtrues.
(a) Mbushja fillestare e kondensatorit (dioda është e polarizuar drejtë)

(b)
(c) Kondensatori zbrazet nëpërmjet R pasi vlera e tensionit hyrës është më e vogël se
Vm – 0.7 V (dioda polarizohet revers).
(d) Kondensatori rifillon të mbushet kur tensioni hyrës bëhet pozitiv prap dhe
polarizon drejtë diodën (Vin > VC)
Fig.3.18 Operimi i punës së drejtuesit të gjysmëvalës me filtër kapacitiv
Gjatë çerekut të parë të ciklit vijues Fig.3.18.c, dioda përsëri fillon të

polarizohet drejtë, kondensatori do të fillon të rimbushet nëse tensioni në hyrje është më
84
i lartë se tensioni në skaje te kondensatorit i cili ishte duke u zbrazur dhe gjendja do të
përsëritet. Tensioni i fituar në dalje të drejtuesit më ketë rast është njëkahor, mirëpo
asnjëherë nuk merr vlerën 0 sikurse ne rastin e drejtuesit pa filtër.
Nga diskutimet e gjertanishme u pa që kondensatori mbushet më shpejtë në

fillim të ciklit, ndërsa zbrazet shumë më ngadalë pas tensionit maksimal në kondensator
(kur dioda polarizohet revers). Ndryshimi i tensionit në kondensator si rezultat i
mbushjes dhe zbrazjes së tij quhet tension i valëzimit. Përfundimisht valëzimi është i
padëshirueshëm: sa më i vogël valëzimi – filtrimi është më i mirë Fig.3.19
Fig.3.19 (a) Valëzimi i madh (efikasitet më i vogël i filtrimit), (b) Valëzimi më i vogël
(filtrim më efektiv) - vlera e kapacitetit filtrues është më e madhe.
Të theksojmë në fund se filtri kapacitiv përdoret edhe të te gjithë drejtuesit me dioda.
3.4 KARAKTERISTIKAT E DIODËS SË ZENER-it

Diodat e fabrikuara special për punë në regjionin e thyerjes të diskutuar në
kapitullin paraprak quhen dioda të Zener-it. Dukuria që paraqitet për potencialin revers
Vz, është paraqitur në Fig.3.20. Dioda e Zener-it është e projektuar asisoj, që të
mundësohet shfrytëzimi i plotë i këtij regjioni. Në Fig.3.20.a është paraqitur
karakteristika e diodës së Zener-it dhe simboli i saj, ndërsa në Fig.3.20.b është paraqitur
karakteristika shfrytëzuese e kësaj diode. Në mes të karakteristikave të diodës së silicit
dhe asaj të Zener-it, në regjionin e polarizimit revers ekzistojnë ndryshime të
rëndësishme. Derisa dioda e silicit në këtë regjion paraqet qark të hapur ekuivalent,
dioda e Zener-it paraqet lidhje të shkurtë, në momentin kur të arrihet tensioni i caktuar i
shpimit Vz.
Zbatimi i tensionit Vz me polaritet si në Fig.3.20.b, do të shkaktojë kyçjen e

diodës në të njëjtën mënyrë si diodën e silicit tensioni me polarizim të drejtë, siç është
përshkruar në kapitullin e kaluar. Lokacioni i regjionit të Zener-it mund të kontrollohet
me anë të niveleve të ndryshme të dopingut. Rritja e dopingut, me rritjen e numrit të
papastërtive të shtuara, do ta zvogëloj potencialin e Zener-it.
i(mA)
z
iz i(mA)
+ -
vz
Simboli Regjioni me
polarizim të
drejtë
VZ
0 0 VZ vz(V)
v(V)
Regjioni me
polarizim
reverz (a) (b)
Fig 3.20 Karakteristikat e diodës së Zener-it. (a) karakteristikat punuese (b)

karakteristikat shfrytëzuese
Qarku i plotë ekuivalent i diodës së Zener-it përbëhet nga një rezistencë e vogël
dinamike dhe një bateri njëkahore të barabartë me potencialin e Zener-it, siç është
paraqitur në Fig.3.21.a. Për të gjitha zbatimet e kësaj diode në qarqe të ndryshme, ne do
ta shfrytëzojmë modelin e përafruar të paraqitur në Fig.3.21.b, për arsye se të gjitha
rezistencat e jashtme të qarqeve janë shumë më të mëdha se rezistenca ekuivalente e
kësaj diode.
+
_ vz +
_ vz
rz
(a) (b)
Fig.3.21 Qarku ekuivalent i diodës (a)modeli i plotë; (b) modeli i përafërt

86
3.5 ZBATIMET E DIODËS SË ZENER-IT
Zbatimi më i shpeshtë i diodës së Zener-it është vendosja e tensionit referent të

fiksuar, për qëllime të ndryshme, siç janë krahasimi i tensioneve referente ose
polarizimi me tension të fiksuar. Të analizojmë qarkun në Fig.3.22, të projektuar për
mbajtjen e tensionit të fiksuar Vz në ngarkesë, edhe pse tensioni hyrës Vi, ndryshon ose
ndryshon vlera e ngarkesës RN. Në këtë rast do të trajtohen dy situata: kur tensioni hyrës
është konstant ndërsa rezistenca e ngarkesës ndryshon dhe kur tensioni hyrës është i
ndryshueshëm, ndërsa rezistenca e ngarkesës është konstante. Secili nga këto raste do të
trajtohet ndaras.
3.5.1 Tensioni hyrës konstant, ngarkesa e ndryshueshme

Në qarkun në Fig.3.22, për shkak të tensionit konstant të zhvendosjes Vz, në
dalje të qarkut paraqitet një brez i caktuar i vlerave të lejuara të rezistencës së
ndryshueshme të ngarkesës (dhe gjithashtu edhe rrymës së ndryshueshme të ngarkesës)
të cilat sigurojnë që dioda e Zener-it të jetë në gjendje të kyçur. Nëse vlera e kësaj
rezistence është shumë e vogël, tensioni në ngarkesë do të jetë më i vogël se tensioni Vz,
dhe dioda do të jetë e shkyçur. Pra nën një vlerë minimale të rezistencës së ngarkesës
qarku nuk do të funksionoj.
RS
+
IN
Iz
IRS
+
Vi Vz RN
-
Fig.3.22 Qarku me tension referent në dalje
Për ta caktuar vlerën minimale të rezistencës së ngarkesës (dhe rrymën

maksimale që kalon nëpër ngarkesë) e cila mundëson kyçjen e diodës së Zener-it, dioda
për një moment zhvendoset nga qarku, siç është paraqitur në Fig.3.23.a dhe llogaritet
vlera e rezistencës RN e cila e jep tensionin në ngarkesë VN  VZ . Pra
RNVi
VN  VZ  (3.3)
RN  RS
RS RS
+ +
IN
+ IRS Iz +
+
Vi RN VN Vi RN VN
Vz
- - -
- -
(a) (b)
Fig.3.23 Qarku referent
Nga ekuacioni (3.3) fitohet vlera e kërkuar e rezistencës
RSVZ
RN min  (3.4)
Vi  VZ
Çdo vlerë e rezistencës së ngarkesës më e madhe se kjo vlerë e fituar do të

mundësoj kyçjen e diodës dhe dioda gjatë analizës së qarkut mund të zëvendësohet
burimin e vet ekuivalent VZ, si në Fig.3.23.b. Kushti i definuar me ek.(3.4) njëkohësisht
vendosë edhe vlerën maksimale të rrymës së ngarkesës
VN V
I N max   Z (3.5)
RN RN min
Pasi që dioda është në gjendje të kyçur, tensioni në rezistencën RS mbahet
konstant në vlerën
VRS  Vi  VZ (3.6)
Ndërsa rryma IRS mbetet e pandryshuar në vlerën
VRS
I RS  (3.7)
RS
Rryma nëpër diodën e Zener-it është
I Z  I RS  I N (3.8)
Dhe kjo rrymë është minimale kur IN ka vlerën maksimale, ndërsa IZ është maksimale
kur rryma e ngarkesës është minimale, sepse rryma hyrëse mbahet konstante.
Pasi që rryma e diodës IZ është e kufizuar në një vlerë maksimale të lejuar (IZM)
të cilën e deklaron prodhuesi i diodave, kjo vlerë edhe e përcakton brezin e ndryshimit
88
të vlerave të rezistencës dhe të rrymës së ngarkesës. Me zëvendësimin e vlerës së IZM në

ek.(3.8), caktohet vlera minimale e rrymës së ngarkesës si
I N min  I RS  I ZM (3.9)
Dhe për këtë vlerë të rrymës, vlera e rezistencës maksimale të ngarkesës është
VZ
RN max  (3.10)
I N min
Shembulli 3.3
Për qarkun në Fig.3.24 të caktohet: (a) brezi i ndryshimit të vlerave të rezistencës dhe rrymës së
ngarkesës, i cili do të siguroj mbajtjen e vlerës konstante të tensionit në ngarkesë prej 10 V; (b)
të caktohet fuqia maksimale që zhvillohet në diodë.
S 1 k 
R=
+
IN
Iz
IRS
+
V=
z 10 V RN
-
IzM= 32 mA
-
Fig.3.24
Zgjidhje
(a) Për caktimin e rezistencës së ngarkesës e cila do ta kyçë diodën e Zener-it, zbatojmë
ek.(3.4)
RSVZ 1103 10

RN min    250 Ω
Vi  VZ 50  10
Tensioni nëpër rezistencën RS është i caktuar me ek.(3.6)
VRS  Vi  VZ  50  10  40 V
Ndërsa rryma nëpër këtë rezistencë është
VRS 40
I RS    40 mA
RS 1103
Niveli minimal i rrymës së ngarkesës është i determinuar me ek.(3.9)
I N min  I RS  I ZM  40  32  8 mA
Ndërsa vlera maksimale e rezistencës së ngarkesës është
VZ 10
RN max   1.25 kΩ
I N min 8 103
Pra, për mbajtjen e tensionit konstant prej 10 V në ngarkesë, rezistenca e ngarkesës mund të
ndryshoj në brezin prej 250 Ω deri në 1.25 kΩ.
(b) Fuqia maksimale që zhvillohet në diodë është
Pmax  Vz I ZM  10  32 103  320 mË
3.5.2 Rezistenca e ngarkesës konstante, tensioni hyrës i ndryshueshëm
Qarku në (Fig.3.25) përdoret në rastet kur duhet të sigurohet tensioni fiks i

pandryshuar i ngarkesës edhe pse tensioni në hyrje ndryshon.
RS
IN
Iz
IRS
+ +
- Vz
-
Fig.3.25 Rregullatori i tensionit

90
Për vlerë konstante të rezistencës së ngarkesës RN, tensioni hyrës që nevojitet

për kyçjen e diodës është i caktuar me
RNVi
VN  VZ 
RN  RS
dhe
 R  RS VZ
Vi min  N (3.11)
RN
Vlera maksimale e tensionit hyrës Vi është e kufizuar me rrymën maksimale të

diodës së Zener-it IZM. Kjo rrymë mund të caktohet nga rryma hyrëse maksimale si
I ZM  I RS  I N
I RS max  I ZM  I N (3.12)
Rryma e ngarkesës është konstante dhe e fiksuar në vlerën Vz / RN , ndërsa IZM

paraqet vlerën maksimale të rrymës së diodës së Zener-it, prandaj vlera maksimale e
tensionit hyrës është e definuar me
Vi max  VRS max  VZ
Vi max  I RS max  RS  VZ (3.13)
Shembulli 3.4
Për qarkun në Fig.3.26, të caktohet brezi i vlerave të tensionit hyrës Vi i cili do ta mbanë të kyçur
diodën e Zener-it.
S 220 
R=
IN
Iz
IRS
+ +
- V=
z 20 V 
-
IzM= 60 mA
Fig.3.26
Zgjidhje
Tensioni minimal hyrës që mundëson kyçjen e diodës është dhënë me ek.(3.11)
Vi min 
 RN  RS VZ  1200  200   20  23.67 V
RN 1200
Rryma e ngarkesës është

VN VZ 20
IN    16.67 mA
RN RN 1200
Rryma maksimale që kalon nëpër rezistencën RS është dhënë me ek.(3.12)
I RS max  I ZM  I N  60  16.67  76.67 mA
Tensioni maksimal hyrës i dhënë me ek.(3.13) është
Vi max  I RS max  RS  VZ  (76.67 103  220)  20  36.87 V
Pra, tensioni në dalje të qarkut mbetet konstant në vlerën VZ për brezin e vlerave të tensionit
hyrës prej 23.67 V deri në 36.87 V.
Shembulli 3.5
(a) Për qarkun në Fig.3.27, të caktohet tensioni në ngarkesë VN, rryma e ngarkesës IN, rryma e
diodës së Zener-it IZ dhe rryma hyrëse IRS, nëse rezistenca e ngarkesës është RN = 180 Ω.
(b) Të përsëritet pjesa nën (a0 nëse është RN = 470 Ω.
(c) Të caktohet vlera e rezistencës së ngarkesës e cila siguron plotësimin e kushteve të fuqisë
maksimale të diodës së Zener-it.
(d) Të caktohet vlera minimale e rezistencës së ngarkesës e cila siguron kyçjen e diodës së
Zener-it.
92
S 220 
R=
+
IN
Iz
IRS
+ +
V=
z 10 V
VN
- -
Fig.3.27
Zgjidhje
(a) VN  VZ  10 V
VN VZ 10
IN     55 mA
RN RN 180
VRS Vi  VZ 20  10
I RS     45 mA
RS RS 220
I z  I RS  I N  45  55  10 mA !!!
Ky rezultat tregon se dioda, për këtë vlerë të rezistencës së ngarkesës, nuk është e kyçur, prandaj
rryma që kalon nëpër te është I Z  0 . Në këtë situatë rryma e ngarkesës është e barabartë me
rrymën hyrëse, sepse nëpër diodë nuk kalon kurrfarë rryme
Vi 20
I RS  I N    50 mA
RS  RN 220  180
Në këtë rast, tensioni në ngarkesë është
VN  RN  I N  180  50 103  9 V
(b) Për rezistencën e ngarkesës RN = 470 Ω, si edhe në rastin paraprak, tensioni do të jetë
VN  VZ  10 V
VN VZ 10
IN     21 mA,
RN RN 470
VRS Vi  VZ 20  10
I RS     45 mA
RS RS 220
I z  I RS  I N  45  21  24 mA
(c) Fuqia maksimale që zhvillohet në diodë është
PZ max  I ZM VZ  400 mË
PZ max 400 103

I ZM    40 mA
VZ 10
I N  I RS  I ZM  45  40  5 mA
VN VN 10
IN   RN    2 kΩ
RN I N 5 103
(d) Për vlerën minimale të rezistencës së ngarkesës, nëpër ngarkesë kalon rryma maksimale,
dhe pasi që tensioni është konstant do të kemi
VN  RN min  I N max , ndërsa I N max  I RS  I Z min
I Z min  0 dhe I N max  I RS
VN 10
VN  RN min  I RS , prej nga RN min    0.22 kΩ
I RS 45 103
Shembulli 3.6
Për qarkun drejtues të valës së plotë të treguar në Fig.3.28 diodat të konsiderohen reale me
tension pragu Vγ = 0.7 V. Njihen po ashtu Vsmax = 10 V.
D1
+ + +
ac Vs R Vo
-
line -
+
voltage
Vs 0
-
-
D2
Fig.3.28 Drejtuesi i valës së plotë me transformator me pikë të mesme

94
a) Të paraqitet transfero-karakteristika Vo = f (Vs)
b) Gjeni tensionin maksimal revers në diodën D1
Zgjidhje
Vs1 Vs2
ωt
Fig.3.29 Format valore të tensionit në sekondarët e transformatorit me pikë mesi
 Kur 0< Vs < Vγ , D1 nuk përçon, ndërsa D2 s’ka shans të përçon sepse është polarizuar
revers, me ketë rast Vo = 0 V
 Kur Vs > Vγ , Vo = Vs - Vγ .Në mënyrë të ngjashme edhe në pjesën negative

Vo
Vs
-0.7 0.7
Fig.3.30 Transfero- karakteristika
Tensioni maksimal i kundërt (Kur dioda D1 nuk përçon, D2 përçon - kështu që UD  -(Vs+Vs) =
- 2Vs)
UDMAX = - 2Usmax = - 20 V
Shembulli 3.7
Në qarkun e mëposhtëm drejtues dioda D të konsiderohet reale me Vγ = 0.7 V. Gjeni tensionin

VR për këto raste:
a) Vi = 1.8 V, b) Vi = 0.4 V, c) Vi = - 1.8 V, d) Vi = - 0.4 V,
e) Vi = 1.8 sin(3.14t) V
Fig.3.31
Zgjidhje
a) Kur Vi = 1.8 V , D1 dhe D2 përçojnë në ketë rast Vγ1 = Vγ2 = 0.7 V, ndërsa D3 dhe D4 nuk
përçojnë
Sipas L. II. K. për konturën e specifikuar:
Vi  V  VR  V  0  VR  Vi  2 V  1.8  2  0.7  0.4V
b) Kur Vi = 0.4 V, asnjëra prej diodave D1, D2, D3, D4 nuk përçon, prandaj VR = 0 V
c) Kur Vi = -1.8 V, përçojnë vetëm diodat D3 dhe D4, prandaj

96
Vi  V  VR  V  0 VR  Vi  2 V  (1.8)  2  0.7  0.4V
d) Kur Vi = - 0.4 V, asnjëra prej diodave nuk përçon VR = 0 V
e) Kur Vi = 1.8 sinωt ndryshon situata,
Vi
+1.8
ωt =θ
-1.8
Gjatë gj.p. pozitive përçojnë D1 dhe D2 (por vetëm kur Vi > 1.4 V ), ndërsa Gjatë gj.p. negative
përçojnë D3 dhe D4 (por vetëm kur Vi < -1.4 V ).
 Dioda D1 dhe D2 përçojnë kur Vi > 0.7 V

 Kur -0.7 < Vi < 0.7 V, Vo = 0 V
 Dioda D3 dhe D4 përçojnë kur Vi < - 0.7 V atëherë Vo= Vi
 Ndërsa kur -0.7 < Vi < 0 atëherë Vo = 0 V
Nëse ωt = θ atëherë mund të gjendet saktësisht prej cilit moment përçojnë D 1, D2 gjatë gj.p.
pozitive.
1.8 sin θ1 = 1.4
1.4
1  arcsin  510
1.8
Shembulli 3.8
Sekondari i transformatorit ka tension me vlerë efektive 12 V dhe frekuencë f = 60Hz. Në

sekondar është lidhur ura e grecit dhe diodat të konsiderohen reale me tension pragu 0.7V. Në
dalje të drejtuesit është kyçur R = 1kΩ.
a) Të paraqitet forma valore e tensionit në ngarkesë.
b) Sa është vlera maksimale e tensionit në ngarkesë
c) Sa kohë (në milisekonda) tensioni në ngarkesë do të jetë zero brenda një periode
të tensionit të sekondarit?
d) Sa është tensioni i kundërt maksimal në secilën diodë?
e) Sa është vlera mesatare e tensionit në ngarkesë
Fig.3.32 Qarku i drejtuesit të valës së plotë, (b) forma valore e tensionit ne sekondar
(tensioni hyrës i drejtuesit)
Zgjidhje
a) Forma valore e tensionit në ngarkesë Vo është treguar në Fig.3.33 (pjesa e hijezuar)
Fig.3.33 Forma valore e tensionit ne sekondar te transformatorit dhe në ngarkesë
b) Vlera maksimale e tensionit në dalje të transformatorit është 12 2  16.97 V , ndërsa vlera

maksimale e tensionit në ngarkesë është : 16.97-2(0.7) = 15.57 V
c) Për të përcaktuar kohëzgjatjen e tensionit zero në dalje të ngarkesës shkruajmë:
16.97  sin   0.7  0.7  1.4 Prej nga
1.4
sin    0.0825,   arcsin 0.0825  4.730
16.97
98
Prandaj, dalja është zero për 4  4.730  18.92 0 për një cikël të plotë, ndërsa kur shprehet në
sekonda është:
18.92 1
X  0.876m sec
360 60
d) Tensioni maksimal i kundërt gjendet nga L.II.K 16.97  0.7  Vinv  0 , prej nga Vinv-max =
16.27 V
e) Duke pas parasysh që vlera mesatare e tensionit në ngarkesë kur diodat konsiderohen ideale
2 Vmax
është Vmes  , atëherë nga forma valore nga a) shihet se Vin-max>>1.4 rreth 11 here,

atëherë mund te përafrojmë
2 Vmax
Vmes.ngarkese   1.4  9.4 V

Shembulli 3.9
Format valore për tensionet V1 dhe V2, aplikohen në qarkun me një diodë – rezistorë (Fig.3.34)
dhe janë treguar në figurë. Paraqitni Vo(t), për (0  t < 4) ms, duke supozuar se dioda është
ideale.
Fig.3.34
Zgjidhje
Qarku i mësipërm mund të ekuivalentohet:

I) 0  t  1, V1= 5 V , V2 = 0 V dioda D përçon dhe Vo(t) = V1
II 1< t < 2, V1 = 5 V , V2 = 5 V
Nëse supozojmë që D përçon (supozim jo me vend) del që rryma nëpër qark kur aplikohet Ligji
i Dytë i Kirkofit për këtë konturë do të jetë zero, pra D është « shkëputur », prandaj
Vo(t) = 5 V = V2
III) 2 < t <3 , V1 = 0 V, V2 = 5 V dioda është e polarizuar revers “shkëputet“, prandaj
Vo(t) = V2 = 5 V
IV) 3 < t < 4, V1 = 0, V2 = 0 V prandaj Vo(t) = 0 V
Shembulli 3.10
Për qarkun në Fig.3.35.a të paraqitet tensioni dalës Vo(t) për (0 < t < 5ms) duke supozuar që
dioda është ideale dhe tensioni hyrës ndryshon sipas formës grafike në Fig.3.35.b
Fig.3.35a Fig.3.35.b
100
Zgjidhje
Dioda përçon vetëm kur UAK = A-K > 0 (rasti ideal), në këtë rast iD > 0.
Nëse e mendojmë një konturë 1 dhe aplikojmë L. II. K
Vi(t) - 6
Vi(t) – (200+200) iD - 6=0 iD= >0 pra Vi(t) > 6
400
d.m.th dioda në qarkun tonë përçon në ato momente kohore kur Vi(t) > 6.
Ekuacioni i drejtëzës në Fig.3.21b që kalon nëpër pikat M (5,0) dhe N (0,10) është
Vi(t) = -2t+10
Pra, -2t+10>6 -2t>-4  t < 2 pra, në intervalin 0 < t < 2 dioda përçon.
Vi(t) - 6 1 Vi(t)  6
Me këtë rast V0 = 200i+6=200 +6 = ( Vi-6)+6 =
400 2 2
Vi (t=0)  6 16
Për t=0, V0= = = 8V
2 2
Vi(t  2)  6 6  6
Për t = 2, V0 = = =6V
2 2
Për ( 2 < t < 5 ) ms dioda nuk përçon dhe V0 = 6 V

Shembulli 3.11
Në Fig.3.36 është paraqitur limiteri pozitiv me diodë. Të paraqitet forma valore e tensionit në
ngarkesën RL të qarkut.
Fig.3.36
Zgjidhje
Qarqet me dioda quhen qarqe kufizuese ose prerëse, nëse shfrytëzohen për të prerë pjesë të
sinjalit të tensionit mbi ose nën nivele të caktuara ose për të kufizuar pjesë të sinjalit të tensionit.
Pas analizës së punës së qarkut në Fig.36 shihet se qarku kufizon ose prenë pjesën pozitive të
tensionit hyrës.
Kur tensioni hyrës është pozitiv dhe mbi + 0.7 V, dioda polarizohet drejtë dhe e përçon rrymën.
Tensioni në ngarkesë është i kufizuar në + 0.7 V, kur tensioni në hyrje është më i madh se kjo
vlerë ( Fig 3.37)
Fig.3.37
102
Kur tensioni hyrës është nën + 0.7 V, diode polarizohet revers dhe paraqet qark të hapur.
Tensioni në dalje është me formë të njëjtë sikur pjesa negative e tensionit hyrës, por amplitudën
e përcakton ndarësi i tensionit që formohet nga rezistori R1 dhe RL
 RL 
Vout  RL  i   Vin
 R1  RL 
Do konsiderojmë dy raste karakteristike:
 Nëse R1 është i vogël në krahasim me RL atëherë , mund te konsiderojmë që Vout  Vin

 Nëse R1 = RL atëherë , Vout  0.5Vin
Shembulli 3.12
Për qarkun kufizues ne Fig.3.38 të paraqitet forma valore e tensionit në dalje të qarkut.
Fig.3.38
Zgjidhje
Qarku në Fig.3.38 paraqet limiterin negativ.
Dioda përçon nëse  A  K  0.7V K   A   0.7V , pra kur dioda polarizohet drejtë
(në gjysmë periodën negative të tensionit hyrës), atëherë pika A do të mbahet në tension të
pragut (- 0.7 V), pra Vout  0.7V
Kur tensioni hyrës është më i madh se - 0.7 V dioda nuk përçon (polarizohet revers) dhe tensioni
në RL është proporcional me tensionin hyrës.
Vin
Rryma në qark është: i , ndërsa tensioni në ngarkesën RL është
R1  RL
RL
Vout  Vin
R1  RL
Kur Vin  10V (tensioni maksimal hyrës), atëherë tensioni maksimal dalës është
100
Vout ,Max  10   9.9V
110
Fig. 3.39 Forma valore e tensionit në dalje të limiterit negativ në Fig.3.38
Shembulli 3.13
Në qarkun kufizues në Fig.3.40 të paraqitet forma valore e tensionit në dalje (ngarkesë RL).
Është e njohur VB =5 V, R1 = 10 kΩ, RL = 100Ω ndërsa dioda të konsiderohet reale.
Fig.3.40
Zgjidhje
Që dioda të përçoj, atëherë tensioni në pikën A duhet të jetë më i lartë se VB + 0.7 V . Kur dioda
fillon të përçoj tensioni në pikën A kufizohet (limitohet) në vlerën vout = VB + 0.7 V, prandaj
shkruajmë:
Nëse, vi  VB  0.7  vout  VB  0.7

Nëse vi  VB  0.7  vout  vi
Forma valore e tension në dalje është paraqitur në Fig 3.41

104
.
Fig.3.41 Forma valore e tensionit në ngarkesën RL
Shembulli 3.14
Për qarkun në Fig.3.42 dioda të konsiderohet reale me: Rf = 0 Ω dhe Vγ = 0.7 V. Të paraqitet
transfer – karakteristika V0 = f (Vi). Është e njohur R = 100 Ω.
Fig.3.42
Zgjidhje
Supozojmë se Dioda përçon (është On), atëherë modeli i diodës me pjesë lineare është si më
poshtë
Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën hyrëse është:
Vi  R  I D  R f  I D  V  5  0
Pasi Rf = 0 ekuacioni i mësipërm mund të shkruhet:

Vi  V  5
ID 
R
Kur dioda përçon, atëherë rryma në të është pozitive (ID > 0), prej nga mund të llogarisim
tensionin në dalje të qarkut kufizues.
Dioda D përçon kur: Vi  V  5 , prandaj V0  V  5  5,7 V

Dioda nuk përçon (është Off) për vlerat tjera të tensionit hyrës, pra kur Vi  V  5 , me këtë rast
dioda modelohet me qark të hapur dhe tensioni në dalje është i barabartë me tensionin në hyrje të
qarkut kufizues, pra Vo  Vi
Shembulli 3.15
Për qarkun kufizues me diodë R1 =10 kΩ, R2 =100 Ω, R3 =220 Ω, dioda të konsiderohet reale me
tension pragu 0.7 V
a) Paraqitni formën valore të tensionit Vo(t), nëse në hyrje vepron tensioni si në Fig.3.43
b) llogaritni vlerën mesatare të tensionit në dalje
Fig.3.43
106
Zgjidhje
Qarku mund të ekuivalentohet si më poshtë:
12  220 100  220

VBIAS   8.25 V dhe R23   68.75 
100  220 320
Njësoj sikur në detyrën paraprake, nisemi nga supozimi se dioda përçon. Shkruhet L.II. K për
konturën hyrëse duke zëvendësuar diodën me modelin e vet real me bateri 0.7 V
Vi  R1I  0.7  Vbias  R23 I  0 prej nga
Vi  8.95
I 0
R1  R23
Meqë ka një dallim të madh në mes R1 dhe R23, ramjen e tensionit në R23 mund të mos e marrim
në konsideratë.
Prandaj,
I D është ON kur Vi  8.25V  0.7V , pra kur Vi  8.95 V  Vo  8.95 V

II D është OFF kur Vi  8.95 V  Vo  Vi
Fig.3.44 Forma valore e tensionit në dalje

Momenti kur dioda fillon të përçojë gjendet nga Vi  8.95 V

8.95
20  sin   8.95  1  arcsin  26.580 , pra  2  180 0  26.580  153.410
20
Vlera mesatare e tensionit llogaritet si në vijim:

1  1 
2
U mes  2  20  sin   d  8.95  ( 2  1 )   20  sin   d  =
2  0  
1    1
 2  20  (0.894  1)  8.95  126.83   20  (1  1)  4.24  19.81  40  2.53[V ]
2  180  2
Shembulli 3.16
Të caktohet forma valore e tensionit në dalje të qarkut të paraqitur në Fig.3.45
V=5V
+ vi
+ - + 20V
t
vi R vo 0 T/2 T
- - vim= V sint 
(a) (b)
Fig. 3.45
Zgjidhje
Përvoja nga shembujt e kaluar sugjeron se dioda do të jetë e kyçur në pjesën pozitive të tensionit
hyrës, e posaçërisht kur ia shtojmë efektin e burimit njëkahor V = 5 V. Qarku ekuivalent do të
duket si në Fig.3.46a, dhe tensioni dalës do të jetë
vo = v i + V
për pjesën negative të tensionit hyrës, gjatë tërë kohës derisa është vi  V , dioda ende përçon
dhe tensioni në dalje e përcjellë tensionin hyrës.
108
vi
20V
V=5V
t +
+ - +
0 T/2 T
vi R vo
vo vi + V = 20 +5
20V vo= 0 +5 = 5 V
- -
5V t
(a)
0 T/2 T
(b)
Fig.3.46
Për tensionin hyrës vi  V , dioda shkyçet, rryma në qark bëhet zero, dhe tensioni në dalje
është: Vo = 0
Shembulli 3.17
Të përsëritet shembulli 3.16 për tensionin hyrës të dhënë në Fig.3.47.b
V=5V vi
+ +
- + 20V
0 T t
vi R vo
T/2
-10 V
- -
(a) (b)
Fig.3.47
Zgjidhje
Gjatë periodës (0 – T/2), tensioni hyrës është konstant Vi = 20 V, dhe qarku ekuivalent është
paraqitur në Fig.3.48a. Tensioni në dalje në këtë rast është
vo = Vi + V = 25 V
Për Vi = -10 V, dioda do të shkyçet dhe qarku ekuivalent rezultues është paraqitur në Fig.3.48.b.
Pasi që dioda është e shkyçur dhe rryma në qark është id = 0, tensioni në dalje do të jetë
gjithashtu zero.
vo= id R= 0 V
Tensioni rezultues në dalje është paraqitur në Fig.3.48.c.
- + - +
+ +
V=5V V=5V
+ id -
20 V R vo 10 V R vo
- +
i=
d 0
- -
(a) (b)
vi
25V
0 T t
T/2
-10V
(c)
Fig.3.48
Shembulli 3.18
Për qarkun në Fig.3.49 të caktohet tensioni në dalje.
R vi
+ +
16V
vi 0 T t
vo
T/2
+
- - V=4V -16V
-
(a) (b)
Fig.3.49
Zgjidhje
Për tension pozitiv në hyrje, dioda ka tendencë të shkyçet. Mirëpo, për shkak të tensionit
njëkahor në anodën e saj, për deri sa është vi < V, dioda përçon dhe tensioni në dalje është
vo = V = 4 V
110
v<V=4V
i v>4V
i v<0
i
+ + + + + +
R R R
vi vo vi vo vi vo
id + + id +
- - V=4V - - V=4V - - V=4V
- - -
v=V=4V
o v=v
oi v=V=4V
o
(a) (b) (c)
vi
16V
4V t
0 T/2 T
-16V
vi
16V
4V t
0 T/2 T
(d)
Fig.3.50
Kur tensioni hyrës rritet dhe bëhet vi > V, dioda shkyçet dhe tensioni në dalje është i barabartë me
tensionin hyrës
vo = v i
Për pjesën negative të tensionit hyrës, dioda prapë paraqet lidhje të shkurtë dhe tensioni në dalje
është
vo = V = 4 V
Skemat ekuivalente dhe forma valore e tensionit dalës janë paraqitur në Fig.3.50
Shembulli 3.19
Për qarkun në Fig.3.51, le të jetë Vγ = 0.7 V dhe supozoni që tensioni hyrës variron në rangun -
10 VI + 10 V.
Duke bërë analizën e qarkut paraqitni:
a) vo në lidhje me vI , vo = f( vI)
b) iD në lidhje me vI , iD = f(vI)
Fig.3.51
Zgjidhje
Qarku mund të paraqitet/ekuivalentohet si në vijim
ID
Vi Vo
ID
6.66kΩ
3.33 V
Supozojmë që dioda D është ON, atëherë rryma në diodë është I D > 0

112
Vi  0.7  6.66  I D  3.33  0

L. II. K për konturën hyrëse është:
3V  12.1
ID  i  0 Vi  4.03V
20
Pra, D është ON kur Vi  4.03V , nga kontura e jashtme gjejmë që:
VO  6.66  I D  3.33  Vo  Vi  0.7
D është OFF, kur Vi  4.03V , nga kontura e jashtme gjejmë që: Vo  3,33V
a) Kur 10  Vi  4,04V dioda nuk përçon dhe rryma nëpër diodë është zero I D  0 A
Kur 4,04  Vi  10V Dioda përçon dhe rryma nëpër diodë është:
3Vi  12.1
ID   0,15 Vi  0, 605
20
Shembulli 3.20
Për qarkun në Fig.3.52 Paraqitni Vo në funksion të Vi për -5 V < Vi < +5 V
Fig.3.52
Zgjidhje
Supozojme se dioda D është ON, atëherë qarku ekuivalent është terguar më poshtë,
114
Ligji i Parë i Kirkofit për nyjën e qarkut në të djathtë lartë është:
I 2  I1  I D (1)
0.7
Ku I1   0.7 mA
R1
Ligji i Dytë i Kirkofit për konturën e jashtme është:
Vi  0.7
Vi  0.7  R2  I 2  0  I 2  (2)
R2
Kur (2) zëvendësohet në (1) kemi:
Vi  0.7
 0.7  I D  I D  2 Vi  2.1 (3)
R2
Kur dioda është ON atëherë rryma I D  0 , prandaj nga relacioni (3) shohim se Vi  1.05V
Pra, dioda është On kur Vi  1.05V dhe me ketë rast:
Vo  R2  I 2  Vi  0.7
Dioda është OFF (dioda modelohet me qark të hapur) kur Vi  1.05V , atëherë qarku
ekuivalent është treguar më poshtë.
Me ketë rast tensioni në dalje është:

R2
Vo  Vi  0.33 Vi
R1  R2
Karakteristika hyrëse-dalëse e qarkut është prezantuar në figurën e mëposhtme.
Shembulli 3.21
Për qarkun e dhënë në Fig.3.53 është dhënë forma valore e tensionit hyrës periodik me vlerë
maksimale Um = 18 V. Paraqitni formën valore të tensionit dalës dhe gjeni vlerën mesatare Umes.
Është e njohur E = 10 V, ndërsa dioda të konsiderohet ideale.
Fig.3.53
116
Zgjidhje
Kur aplikojmë ligjin e Kirkofit mund të shkruajmë:
u o  ui  u R
uo  E  u D
iR  iD
Në qark mund të vërejmë dy regjime të punës:
Kur ui > − E , dioda përçon dhe u D  0 , uo  E
Kur ui ≤ − E, dioda nuk përçon dhe iR  iD  0 , uR  R  iR  0 , u o  ui
Dioda shkyçet në momentin t1, kurse në momentin t2 kyçet.
Me ketë rast ui   E
Nga ngjashmëria e trekëndëshave
T 3T T
t1  
2  4 2, T  20 ms
ui t1   Um
T
t1   2,7 ms , t1  12,7 ms
2
 T
Për shkak të simetrisë t 2  T   t1    17,2 [ms]
 2
siperfaqja e kufizuar me lakoren dhe boshtin e abshises në një periodë

U mes 
kohëzgjatja e periodës
t 2  t1
 E T   U m  E 
U mes  2
T
U mes  10,8 V .
Shembulli 3.22
Për qarkun me diodë e cila konsiderohet reale me tension pragu 0.7V dhe Rf = 0Ω,
a) Gjeni formën valore të tensionit në ngarkesën R L
b) Gjeni vlerën mesatare të tensionit në ngarkesën RL
Fig.3.54
Zgjidhje
I Dioda përçon kur vi  50.7V , me ketë rast tensioni në dalje është

vo  50.7V
II Kur tensioni në hyrje vi  50.7V , atëherë Dioda nuk përqon dhe tensioni në dalje (në
ngarkesën RL) mund të merret se është përafërsisht sa tensioni në hyrje pra v o  vi
Forma valore e tensionit në ngarkesë do të jetë si më poshtë:
118
b) Vlera mesatare e tensionit në ngarkesë caktohet nga formula

 1
 200  sin  d  2   200  sin  d  (50.7)  ( 2  1 )

U mes  0
 40 [V ]
2
Ku janë :
 50.7
1  180 0  arcsin  194.680  3.397 [rad ]
200
 2  360 0  14.68  345.32 0  6[rad ]
Shembulli 3.23
Paraqitni formën valore të tensionit dalës uo dhe llogaritni vlerën mesatare të tij Umes nëse në
hyrje të qarkut vepron tensioni periodik me vlerë maksimale Um = 30 V si në Fig.3.55. Janë të
njohura E1 = 15 V, E2 = 20 V, ndërsa diodat të konsiderohen ideale.
Fig.3.55
Zgjidhje
Ligji i Kirkofit për qarkun dalës/hyrës:
u o  ui  u R
u o  E1  u1
u o   E2  u 2
iR  i1  i2
Qarku ka tre regjime të punës:
I. ui > E1, Përçon dioda D1, pasi diodat janë ideale u1  0 , u o  E1
II. ui < − E2, Përçon dioda D2, u2  0 , u o   E 2
III. −E2 ≤ ui ≤ E1, Nuk përçon asnjëra prej diodave, i1 , i2  0 , iR  0 ,

uR  R  iR  0 , gjatë këtij intervali uo  ui
Për të llogaritur vlerën mesatare të tensionit dalës duhet të dihen momentet e sakta të
kyçje/shkyçjes së diodave D1 dhe D2
Perioda e përsëritjes së tensionit hyrës/dalës është T = 6 [ms]
T T
t3  4
t1 2 2  2
 ,
u i t1  U m 
ui t3  Um
t1  1ms t 3  3,6 ms
120
T T
 t2 2
2 2 T  t4 T  4
 
u i t 2  Um u i t 4   U m
t 2  2,5 ms t 4  4,6 ms
siperfaqja e tersishme në mes lakores se tensionit dalës dhe abshisës

U mes 
perioda
U m  E1   t 2  t1  U m  E2   t 4  t 3 

U mes   2 2
T
U mes  1,042 V .
Shembulli 3.24
Për qarkun me diodë e cila konsiderohet reale me tension pragu 0.7 V dhe Rf = 0Ω,
a) Gjeni formën valore të tensionit në ngarkesën RL
b) Gjeni vlerën mesatare të tensionit në ngarkesën RL
Fig.3.56
Zgjidhje
I Dioda përçon kur vi  3.7V , me ketë rast tensioni në dalje është vo  3.7V
II vi  3.7V , atëherë Dioda nuk përçon dhe tensioni në dalje (në

Kur tensioni në hyrje
ngarkesën RL) mund të merret se është përafërsisht sa tensioni në hyrje pra vo  vi
Forma valore e tensionit në ngarkesë do të jetë si më poshtë:

b) Vlera mesatare e tensionit në ngarkesë caktohet nga formula

1 2
2   10  sin  d  (3.7)  ( 2  1 )   200  sin  d 


U mes  0
 1.55[V ]
2
Ku janë :
3.7
1  arcsin  21.716 0  0.37 [rad ]
10
 2  180  21.716  1580  2.76[rad ]
0
Shembulli 3.25
Në hyrje të qarkut me zener diodë vepron tensioni thjeshtë periodik ui = 24 sin100t [V].
Llogaritni vlerën mesatare të tensionit në dalje nëse dihen R = 330 , UZ = 12 V.
vi vo
122
Zgjidhje
Gjatë gjysmë-periodës negative të tensionit në hyrje, zener dioda përçon dhe tensioni në dalje
është i barabartë me zero. Gjatë gjysmë periodës pozitive të tensionit hyrës, zener dioda do
shpon vetëm kur tensioni në hyrje është më i madh se tensioni i shpimit të zener diodës UZ. Me
ketë rast tensioni në dalje është i barabartë me tensionin e shpimit UZ.
Përcaktimi i këndit për të cilin dioda zener hyn/del nga zona e shpimit.
U i  sin t  U Z
UZ 1
t1, 2  arcsin  arcsin
U ulm 2
t1  1  30 , t 2   2  180  1  150 .
T
1
T 0
U mes  u (t )dt
1  
   U ulm sin td t    2  1   U Z   U ulm sin td t  
1
U mes 
2  0 2 
 3,215  8  3,215  5.02 [V ]

1
U mes 
2
Shembulli 3.26
Për qarkun kufizues të Fig.është e njohur rezistenca R = 1 kΩ, ndërsa karakteristika e zener
diodave është dhënë në Fig.me vlerat e elementeve në diagram VZ = 5,4 V dhe VDT = 0,6V si dhe
rezistenca e polarizimit direkt R =10.
Gjeni formën e përgjithshme matematikore të tensionit në dalje të kufizuesit në vartësi të

tensionit në hyrje si dhe paraqitni transfero- karakteristikën e qarkut.
Zgjidhje
DZ1 direkt e polarizuar

DZ2 invers e polarizuar
Me ketë rast është:
Vi > VDT +VZ
Prandaj, kur Vi > 6 V është
V0 = VDT + VZ = 6V (rd<<R)
DZ1 invers e polarizuar

DZ2 drejtë e polarizuar
Vi < - (VDT+VZ)
Prandaj, kur Vi < 6 V është
V0 = - (VDT+VZ) = - 6 V (rd<<R)
DZ1 ,DZ2 nuk përçojnë (rryma në qark është I =0

Vi=V0
Pra, kur
-6V < Vi < 6V
Transfero- karakteristika Vo = f(Vi) është si me poshtë

124
Shembulli 3.27
Rrymat reverse te ngopjes të zener diodave prej siliciumit D 1 dhe D2 në temperaturën e dhomës
në qarkun e Fig.4.3 kanë vlerat Is1=1A, Is2=2A.
Tensionet e shpimit të dy diodave janë : VZ1= VZ2= VZ =100V, ndërsa R=1kΩ.
Llogaritni tensionet në dioda dhe rrymën në qarkun e Fig.4.3. nëse tensioni i kyçur është:
a) E=80V
b) E=110V
Zgjidhje
Karakteristika statike e diodave mund të skicohet si më poshtë.
] a) Kur E=80V, asnjëra prej diodave nuk

punon në zonën e shpimit, prandaj
I=Is1=1A.
“Sikur të rrjedh rrymë më e madhe atëherë
do të shpohej dioda D1, që është e
pamundur”.
UD
U T
Tensionet në dioda caktohen nga ID=Is(e -1),
=2 për dioda të siliciumit ky relacion vlen derisa
dioda të mos hyjë në zonën e shpimit.
UD2
2U T
ID=Is2(e -1)
UD2 UD2
I s1
-1)  1
2U T 2U T
Is1=Is2(e =e
I s2
UD2 = 2UTln1.5 = 20.27[mV] nga L.K.T E-UD1- UD2 = 0 UD1 = 79.979 [V]
b) Kur E=110V, Në fillim do të supozojmë që dioda D2 shpon. Nëse kjo diodë shpon atëherë,
tensioni në skajet e saj do të jetë 100[V], dhe rryma në qark do të jetë më e madhe se I 02. Në këto
kondita do të shpojë edhe dioda D1 dhe tensioni në skaje të saj do të jetë po ashtu 100[V]. Kjo
është e pamundur sepse tensioni i furnizimit për të dyja diodat është vetëm 110[V]. Prandaj,
supozimi i bërë është gabim.
Mund të shpojë vetëm dioda D1, me ketë rast rryma në qark është Is1 < I < Is2, tensioni në skaje
të diodave është UD1 = 100 V, ndërsa UD2 = 10 V
Shembulli 3.28
Për qarkun kufizues diodat të konsiderohen ideale!

b) Të paraqitet V0=f(t)
a) Të paraqitet transfero -karakteristika V0=f(Vi)
Intervali i punës është t Є [2,10] ms, ndërsa Vz = 21 [ V]
Dp
D3 D1
Ui
+
D2 D4
Uo
Zgjidhje
Ligji i ndryshimit të tensionit hyrës nga forma valore e tensionit e tensionit hyrës dhe ekuacionit të drejtëzës
nëpër dy pika në fig .b është
15 45
Vi (t )  t
8 4
126
Në intervalin [2,10]ms dioda Dp, D1,D2 përçojnë sepse potenciali i anodës është gjithnjë më i lartë se i
katodës.
Në momentet kohore kur Vi< 21 V atëherë DZ nuk shpon dhe tensioni dalës është sa ai hyrës , pra
nga inekuacioni
15 45
t  21
8 4
15 45
Gjejmë se në intervalin tЄ[2,5.2) ms V0 = Vi (t )  t
8 4
Në intervalin t Є [5.2 ,10]ms dioda zener ka tension të mjaftueshëm që të shpojë ,
prandaj V0 = 21V
diagrami kohor i ndryshimit të tensionit dalës është treguar më poshtë:
Shembulli 3.29
Llogaritni brezin e ndryshimit të vlerës Rsh brenda të cilit qarku në Fig.4.5 do të sigurojë tension
stabil. Janë të njohura: Ui = 22 – 25 V, RS = 18 Ω, UZ = 20 V, IZmin = 30 mA, PZ = 5 Ë. Zener
dioda të konsiderohet ideale.
Zgjidhje
U o  U Z  20 V
Nga Ligji i Parë i Kirkofit
I S  I Z  I sh ,
Nga Ligji i Dytë i Kirkofit mund të shkruajmë:
U i  U S  U Z  RS  I S  U Z
Përcaktimi i RSh-min
Me zvogëlimin e rezistencës Rsh rritet rryma të cilën shpenzuesi tërheq, në mënyrë që rryma në
Zener diodë të zvogëlohet.
Kur rryma në zener diodë IZ bie nën vlerën IZmin dioda do të dal nga regjioni i shpimit dhe më
nuk e kryen funksionin e stabilizatorit të tensionit. Me ketë rast, rezistenca e shpenzuesit bëhet
minimale.
Përveç rezistencës së shpenzuesit, rryma e Zener diodës varet edhe nga tensioni hyrës Ui. Kjo
rrymë është më e vogël sa më i vogël të jetë tensioni hyrës.
U S min U inmin  U Z
I S min    111 mA
RS RS
I shmax  I S min  I Z min  81 mA

Uo
RShmin   246 
I Shmax
Përcaktimi i RShmax
Me rritjen e rezistencës së shpenzuesit Rsh do të rritet edhe rryma neper zener diodë IZ, e me ketë
edhe fuqia e disipacionit në të. Kur fuqia në diodë arrin vlerën e vetë maksimale PZ, atëherë
nëpër diodë do të rrjedhë rrymë maksimale IZmaks, kurse rezistenca në shpenzues po ashtu do të
ketë vlerë maksimale RSh-maxs.
Përveç nga rezistenca e shpenzuesit, rryma në zener diodë varet edhe nga tensioni hyrës. Sa me e
madhe rryma është aq ma i madh edhe tensioni hyrës.
PZ  PZ max  U Z  I Z max
128
PZ max
I Z max   250 mA
UZ
I Z max  I Smaks  I Shmin
U S max U i max  U Z
I S max    277, 77 mA
RS RS
I Shmin  I S max  I Z max  27 mA

Uo
RShmax   720 
I Shmin
Shembulli 3.30
Në qarkun kufizues në Fig.4.6 paraqitni formën valore te tensionit në dalje të qarkut. Diodat janë
prej silicit dhe konsiderohen reale me tension pragu 0.7 V.
Zgjidhje
Kur 0 < Vi ≤ 5.8 [V] dioda zener me tension shpimi 5.1 V nuk mund të shpojë, prandaj tensioni
në dalje është sa në hyrje.
Kur Vi >5.8 [V], Dioda zener 3.3 [V] përçon, ndërsa dioda zener 5.1 V shpon, kështu që
tensioni në dalje është 5.8 [V]
Në mënyrë të ngjashme bëhet analiza edhe për gjysmë-periodën negative.

PASQYRË PYETJESH
3.1 Kur një tension sinusoidal me frekuencë 50 Hz aplikohet në drejtuesin e

gjysmëvalës, sa është frekuenca në dalje?
3.2 Kur një tension sinusoidal me frekuencë 50 Hz aplikohet në drejtuesin e valës së

plotë, sa është frekuenca në dalje?
3.3 Pse është i nevojshëm filtri kapacitiv në dalje të drejtuesit?
3.4 Voltmetri AC në hyrje të drejtuesit të gjysmëvalës në Fig.3.1 tregon tensionin

prej 120V. Sa tension tregon voltmetri DC nëse në dalje të drejtuesit është lidhur
filtri kapacitiv në vend të R? Dioda të konsiderohet ideale.
3.5 Nëse në dalje të drejtuesit me urë greci është lidhur një kondensator me
kapacitet C=10000μF. Të paraqitet ky drejtues dhe forma valore tensionit në
dalje me ketë rast. Diodat konsideroni reale.
3.6 Vlera efektive e tensionit alternativ në hyrje të qarkut drejtues me urë të grecit
është 220 V. Nëse në dalje të këtij drejtuesi është kyçur filtri kapacitiv C = 150
μF. Sa është vlera njëkahore e tensionit në kondensator?
3.7 Nëse vlera maksimale e tensionit në dalje të drejtuesit të valës së plotë me urë të
grecit është 20 V, sa është tensioni maksimal revers në diodë?
3.8 Nëse vlera maksimale e tensionit në dalje të drejtuesit të valës së plotë me

transformator me pikë te mesme është 20 V, sa është tensioni maksimal revers
në diodë?
3.9 Si llogaritet vlera mesatare e tensionit në dalje të drejtuesit?
3.10 A mund të jetë me vlerë negative vlera mesatare e tensionit në dalje të

drejtuesit?
3.11 Të shpjegohet kuptimi i transfero – karakteristikës.
3.12 Kur një qark me dioda quhet qark limiter (kufizues)?
3.13 A ka ndonjë dallim në mes të qarqeve limituese dhe prerëse?

130
3.14 Për të kufizuar tensionin në dalje në 5 V, kur aplikohet tension sinusoidal me

amplitudë 10 V, çfarë vlere të tensionit polarizues duhet lidhur në qark?
3.15 Për një qark kufizues me dy nivele tensioni (njëri pozitiv e tjetri negativ), a ka
mundësi që vlera mesatare e tensionit në dalje të tij të ketë vlerë negative?
3.16 Në cilin regjion të karakteristikës volt – amper punon zener dioda?
3.17 Shpjegoni shpimin e zener-it.
3.18 Definoni shpimin avalansh te diodës zener.
3.19 Diskuto qarkun e ekuivalent të zener-it.
3.20 A preferohet lidhja serike e dy diodave zener me tensione të ndryshme të

shpimit dhe kur preferohet?
3.21 Te lidhja serike e dy diodave, a janë me rëndësi vetëm tensionet e zener-it të tyre
apo edhe rrymat reverse të ngopjes?
PROBLEME
3.1 Për qarkun e mëposhtëm të paraqitet Vo(t), për (0  t  5 ms) duke supozuar që
dioda është ideale.
3.2 Të përsëritet detyra 3.1 nëse dioda është reale me V = 0.65 V dhe Rf = 25  .
3.3 Për qarkun në Fig 3.3 lë të veprojë tensioni sinusoidal me vlerë efektive 120V.
Duke supozuar diodën ideale, sa duhet të jetë vlera e rezistencës R ashtu që
tensioni maje (maksimal) i diodës të mos kalojë vlerën 50mA. Sa është tensioni
maksimal revers që do të paraqitet në diodë?
120 2
Zgjidhja: R   3.4 [k]
50
3.4 Në qarkun në figurë, dioda të konsiderohen reale me tension pragu 0.7 V. Në

hyrje të qarkut vepron tensioni me formë valore si në figurë. Paraqitni formën
valore te tensionit në dalje dhe të gjendet vlera mesatare e tij.
3.5. Në qarkun me dioda reale të treguar në figurë, tensioni hyrës vi është sinusoidal,
me amplitudë 10V dhe frekuencë 1 kHz. Duke bërë analizën e qarkut të
paraqitet forma e saktë valore e tensionit vo . Në grafik të paraqitet edhe perioda
e sakte e tensionit dalës. Sa është vlera maksimale dhe minimale e tensionit në
dalje.
132
3.6. Në qarqet kufizues të mëposhtme të paraqitet transfero-karakteristika Vo= f(Vi).

Dioda të konsiderohet reale me tension pragu 0.7 V
(a) (b)
3.7 Për qarkun kufizues në figurë janë të njohura R1 = 10 kΩ, R2 = 100 Ω, R3 =

220 Ω, ndërsa dioda të konsiderohet reale (Vp =0.7 V).
a) Duke bërë analizën e qarkut, të paraqitet forma valore e tensionit në
dalje
b) Të gjendet vlera mesatare e tensionit ne dalje.
3.8. Në qarkun e Fig.3.8 vepron tensioni hyrës sipas ligjit grafik. Të paraqitet V0=
f(t) në intervalin [0,5] ms
3.9 Gjeni vlerën mesatare për secilën nga format valore të mëposhtme.
3.10 Për qarkun kufizues të treguar me poshtë diodat D1 dhe D2 të konsiderohen reale
me tension pragu 0.7[V].
a) Duke bërë analizën e qarkut të vërtetohet se nuk ka mundësi që dy diodat të

përçojnë njëkohësisht.
b) Të paraqitet transfero-karakteristika e saktë Vo= f (Vi) për (-20 V < Vi < 20 V)

134
3.11 Në qarkun me tre dioda zener të treguar në Fig.3.11 te gjenden tensionet në

skajet e secilës diodë. Janë të njohura Vz1 = 8V, Is1 = 3 uA; Vz2 = 3V, Is2 = 2 uA;
Vz3 = 4V, Is2 = 1uA. Diodat të konsiderohen ideale.
3.12 Të paraqitet karakteristika grafike rrymë- tension për një diodë zener me tension
të shpimit 10V.
3.13 Nga datatsheet e prodhuesit shihet që 1N4733 VZ = 5V, IZT = 49mA, IZK = 1mA.
Kur tensioni hyrës rritet prej 5V në 10 V me shkallë prej 1V si dhe rezistenca
ndërron nga 100Ω në 200Ω me shkallë prej 20Ω për çdo shkallë rritje te
tensionit, atëherë tensioni dalës:
a) nuk ndërron b) do të rritet c) do të zvogëlohet
3.14 Nëse dioda zener në qarkun e mëposhtëm konsiderohet ideale me tension shpimi
VZ = 12V, atëherë me rastin e largimit të rezistencës RL nga qarku:
a) rryma në zener diodë rritet, tensioni në skaje të saj zvogëlohet
b) rryma në zener diodë rritet, tensioni në skaje të saj mbetet konstante
c) rryma në zener diodë zvogëlohet, tensioni në skaje të saj mbetet
konstant
d) rryma në zener diodë zvogëlohet, tensioni në skaje të saj zvogëlohet
e) rryma në zener diodë është zero, tensioni në skaje të saj sa tensioni i
baterisë
f) tensioni në skaje të sajë është 12V
g) tensioni në skaje të sajë nuk ndryshon
3.15 Për rregullatorin e tensionit të paraqitur në figurë janë të njohur të gjithë

parametrat e qarkut. Llogaritni rrymat në të gjitha degët e qarkut si dhe fuqinë
në zener diodë PZ.
`
3.16 Të perseritet detyra 3.15,nëse rezistenca 10 kΩ zëvëndësohet me 1 kΩ.
3.17 Për qarkun kufizues të tensionit me zener diodë (det. 3.15) në vend të burimit të
tensionit njëkahorë është vendosur burimi thjeshtë-periodik ui  10  sin t .
a) Në cilin interval kohorë dioda zener shpon (e mban tension stabil)?
b) Paraqitni formën valore të tensionit në ngarkesë(R2) dhe gjeni Vmes
c) Paraqitni formën valore të rrymës I1 në degën me burim tensioni.
d) Paraqitni formën e saktë valore të rrymës I2 .
3.18 Për qarkun kufizues me dy zener dioda si në Fig.8 paraqitni formën valore të
tensionit në dalje dhe llogaritni vlerën mesatare te tensionit dalës. Dihen: ui =
100sinωt, UZ1 = UZ2 = 50 V
136
3.19 Në qarkun kufizues në Fig.3.19 paraqitni formën valore te tensionit në dalje të

qarkut.
3.20 Në seri janë lidhur tri dioda zener me tensione të shpimit Vz1 = 10V, Vz2 = 3.6V
dhe Vz3 = 3.6V si dhe një rezistor R = 100Ω. E tërë kjo lidhje në baterinë 15V.
Rrymat inverse të diodave janë Is1 = 1 μA , Is2 = 2 μA dhe Is3 = 1,5 μA . Sa janë
tensionet në skaje të diodave e sa rryma nëpër qark?
3.21 Në qarkun në Fig.3.21 supozoni diodat ideale.
a) Paraqitni karakteristikën përcjellëse v0 = f(vi) në rangun -10 ≤ vi

≤+10V b) Paraqitni i1 në lidhje me të njëjtën rang të hyrjes nën a)
3.22. Duke bërë analizën e punës së qarkut, të paraqitet transfero karakteristika e

saktë ( jo e përafërt) Vo = f (Vi) për -5 V < Vi < 5 V. Dioda të konsiderohet
reale me tension pragu 0,7 V
3.23. Duke bërë analizën e punës së qarkut, të paraqitet Vo = f (Vi)

(25p)
3.24. Duke bërë analizën e punës së qarkut, të paraqitet Vo = f (Vi)

4.Transistorët bipolar me kontakt 65
4.TRANSISTORËT BIPOLAR ME KONTAKT
4.0 HYRJE
Në kapitullin e fundit pamë se karakteristikat drejtuese tension-rrymë të diodës,
janë shumë të dobishme në qarqet elektronike ndërprerëse dhe te qarqet për përpunimin e
formës valore të sinjaleve. Ndërkaq, diodat nuk janë në gjendje të përforcojnë
(amplifikojnë) rrymë ose tension. Komponenta elektronike e cila ka aftësi të përforcimit të
tensionit ose të rrymës, në bashkëveprim me elementet tjera të qarkut, është transistori, i
cili është komponentë me tri terminale.
Transistori bipolar, i cili do të shtjellohet në këtë kapitull, është njëri nga dy tipat
kryesor të transistorëve me të cilin ka filluar revolucioni elektronik në vitet 1950 dhe
1960. Tipi i dytë i transistorit, transistori me efekt të fushës ose FET-i (nga anglishtja
Filed-Effect Transistor), i ka parapri revolucionit të dytë në elektronikë, në vitet 1970 dhe
1980. Këto dy tipe të komponentëve paraqesin bazën e mikroelektronikës moderne. Secila
prej këtyre komponentëve ka rëndësinë e vet dhe ka përparësitë e veta për zbatime
specifike.
Në fillim të kapitullit do të analizohet struktura fizike dhe funksionimi i transistorit

bipolar me kontakt. Në mënyrë më detale është punuar analiza statike e qarqeve me këta
transistorë, dhe është diskutuar se si ky tip i transistorit mund të shfrytëzohet në zbatime të
ndryshme si ndërprerës, në qarqe digjitale dhe si amplifikator linear te qarqet analoge.
Edhe pse mund të duket se në këtë kapitull i është dhënë shumë hapësirë qarqeve
diskrete, qëllimi parimor i këtij kapitulli është që lexuesin ta bëjë familjar me
karakteristikat e transistorit dhe t’i aftësojë për analizë dhe dizajnim të shpejtë të kushteve
njëkahore të qarqeve me transistor bipolar, sepse kjo është bazë për qarqet e integruara të
cilat do të diskutohen më vonë.
Myzafere Limani, Qamil Kabashi ELEKTRONIKA 66
4.1 BAZAT E TRANSISTORIT BIPOLAR ME KONTAKT

Transistori bipolar me kontakt BJT (nga anglishtja Bipolar Junction Transistor),
ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe përmban dy kontakte pn. Një
kontakt i vetëm pn i ka dy mode të punës- për polarizim të drejtë dhe revers. Transistori
bipolar me dy kontakte pn, ka pra katër mode të punës, varësisht nga kushtet e polarizimit
të secilit kontakt. Me tri regjione të ndara, transistori bipolar është komponentë me tri
terminale, dhe parimi themelor i punës së transistorit është që me tensionin në mes të dy
terminaleve të kontrollohet rryma nëpër terminalin e tretë.
Për ta shpjeguar punën e transistorit, do të fillohet me përshkrimin e strukturës

themelore dhe përshkrimin kualitativ të veprimit të tij, duke i shfrytëzuar konceptet bazike
mbi kontaktin pn të cilat janë paraqitur në kapitujt paraprak. Por, këto dy kontakte pn janë
mjaftë afër njëra tjetrës, ashtu që ka ndërveprim në mes tyre, prandaj puna e transistorit
plotësisht ndryshon nga puna e dy diodave të vendosura në opozitë.
Rryma në transistor është pasojë e rrjedhës së vrimave dhe elektroneve të lira,

prandaj edhe quhen transistor bipolar, për dallim nga transistori FET i cili është unipolar
sepse në te rrymën e formon rrjedha e vetëm njërit lloj të bartësve të elektricitetit.
4.1.1 Struktura e transistorit

Në Fig.4.1 është paraqitur bllok diagram i thjeshtuar i strukturës themelore dhe
simbolet e të dy tipave të transistorit bipolar: npn dhe pnp. Transistori bipolar npn
përbëhet nga një regjion i hollë p i vendosur në mes të dy regjioneve n. Në anën tjetër,
transistori bipolar pnp ka një shtresë të ngushtë të regjionit n në mes të dy shtresave të tipit
p. Tri regjionet dhe lidhjet e tyre terminale quhen emiteri (emiter), baza (base) dhe
kolektori (collector). Puna e komponentës varet nga dy kontaktet pn të vendosura afër
njëra tjetrës, prandaj baza duhet të jetë shumë e ngushtë, në brezin prej disa dhjetëra
mikrometra (10-6m).
Kolektori Kolektori
C C
IC IC
n p
Baza IB Baza IB
p n
B
n p
IE IE
E E
Emiteri Emiteri
(a) (b)
Fig.4.1 Struktura themelore dhe simboli i transistorit bipolar: (a) tipi npn dhe (b) tipi pnp
Struktura aktuale e transistorit bipolar është dukshëm më e komplikuar se ajo e

paraqitur në Fig.4.1, sepse regjionet e emiterit dhe kolektorit nuk kanë zakonisht gjeometri
të njëjtë, elektrikisht janë asimetrike dhe nuk kanë koncentrim të njëjtë të dopingut të
jopastërtive. Për shembull, koncentrimi i dopingut të jopastërtive në emiter, bazë dhe
kolektor mund të jetë i rendit 1019, 1017, dhe 1015 cm-3. Por, edhe pse bllok diagramet në
Fig.4.1 janë shumë të thjeshtuara, ato janë të dobishme për paraqitjen e karakteristikave
themelore të transistorit. Në Fig.4.2 është paraqitur prerja teknologjike e transistorit
bipolar diskret dhe atij të integruar.
Transistori diskret
Kontakti i emiterit Kontakti i bazës
emiteri baza
kolektori
Kontakti i kolektorit
Transistori i integruar
Kontakti i emiterit Kontakti i bazës Kontakti i kolektorit
emiteri baza kolektori
Difuzioni izolues p+
Rrjedha izoluese n
Substrati p+ Shtresa nënkolektor n+
Fig.4.2 Prerja teknologjike e transistorit bipolar diskret dhe atij të integruar
4.1.2 Transistori npn: modi aktiv i punës
Pasi që transistori ka dy kontakte pn, në këtë komponentë mund të zbatohen katër

kombinime të mundshme të polarizimit, varësisht nga zbatimi polarizimit të drejtë ose
revers në secilin kontakt. Për shembull, nëse transistori shfrytëzohet si komponentë
amplifikuese, kontakti bazë-emiter (B-E) është i polarizuar drejtë ndërsa kontakti bazë-
kolektor (B-C) ka polarizim revers, dhe konfiguracioni i tillë quhet modi aktiv i punës ose
regjioni aktiv.
Në Fig.4.3 është paraqitur transistori npn i idealizuar me polarizim në modin aktiv

të punës. Pasi që kontakti B-E ka polarizim të drejtë, elektronet nga emiteri futen përmes
këtij kontakti në brendi të bazës, duke krijuar një rritje të koncentrimit të bartësve minor
në bazë. Kontakti tjetër B-C ka polarizim revers, prandaj koncentrimi i elektroneve në skaj
të këtij kontakti është përafërsisht zero.
Kontakti Kontakti
B-E B-C
{
iE n p n iC
E Injektimi
i
C
elektroneve
_
RE VBE + RC
iB B
- + - +
VBB VCC
Fig.4.3 Transistori npn i idealizuar me polarizim në modin aktiv të punës
Koncentrimi i elektroneve në regjionin e bazës është paraqitur në Fig.4.4. Për

shkak të gradientit të lartë të këtij koncentrimi, elektronet e futura nga emiteri difuzohen
nëpër bazë në regjionin e ngarkesës hapësinore të kontaktit B-C, prej nga fusha elektrike i
shtyn ato në regjionin e kolektorit. Qëllimi është që një numër sa më i madh i elektroneve
të arrijë në kolektor pa u rekombinuar me vrimat, si bartës kryesor në bazë. Fig.4.3 paraqet
rastin ideal në të cilin nuk ndodhë rekombinimi, prandaj koncentrimi i elektroneve është
funksion linear i distancës nëpër bazë. Por, në praktikë gjithmonë disa bartës
rekombinohen në bazë, prandaj koncentrimi i elektroneve do të devijoj nga lakorja ideale
lineare, siç është paraqitur në figurë me vija të ndërprera. Për minimizimin e efektit të
rekombinimit, gjerësia e regjionit neutral të bazës duhet të jetë e vogël në krahasim me
gjatësinë e difuzionit të bartësve minor.
E(n) B(p) C(n)

Injektimi
i elektroneve Ideale (lineare)
n(x)
Me
rekombinim
Gjërsia e bazës
neutrale
Fig.4.4 Koncentrimi i elektroneve në regjionin e bazës
Rryma e emiterit Pasi që kontakti B-E ka polarizim të drejtë, pritet që rryma

nëpër këtë kontakt të jetë një funksion eksponencial i tensionit B-E, ashtu siç ishte rryma e
diodës funksion eksponencial i tensionit të drejtë të zbatuar në skaje të diodës. Prandaj
rryma në terminalin e emiterit mund të shkruhet si
iE  I S evBE /VT  1  I S evBE /VT (1)

ku aproksimimi me mospërfilljen e anëtarit (-1) zakonisht vlen pasi që vBE >> VT në

shumicën e rasteve, ku parametri VT është tensioni termik. Në këtë rast është përvetësuar
se koeficienti i emisionit është 1, siç është diskutuar te rasti i diodës ideale. Rrjedha e
elektroneve është prej emiterit kah baza dhe është e kundërt nga kahja konvencionale e
rrymës. Rryma konvencionale e emiterit pra është prej terminalit të emiterit.
Konstanta IS, përfshinë parametrat elektrik të kontaktit dhe njëherit është në

proporcion të drejtë me sipërfaqen aktive të prerjes tërthore të B-E. Prandaj nëse dy
transistorë janë identik, përpos që njëri ka sipërfaqen dy herë më të madhe se tjetri, atëherë
rrymat e tyre të emiterëve do të ndryshojnë për faktorin dy për tension të njëjtë të zbatuar
në B-E. Vlerat tipike të IS janë prej 10-12 deri në10-15 A, por te disa transistorë special
mund të ndryshojnë jashtë këtij brezi të vlerave.
Rryma e kolektorit Pasi që koncentrimi i dopingut në emiter është shumë më i

lartë se në regjionin e bazës, pjesa kryesore e rrymës së kolektorit është pasojë e injektimit
të elektroneve nga emiteri në bazë. Numri i elektroneve të këtilla të injektuara që
mbërrijnë në kolektor, paraqet komponentën kryesore të rrymës së kolektorit.
Numri i elektroneve që mbërrijnë në kolektor në njësi të kohës është proporcional

me numrin e elektroneve të injektuara në bazë, i cili, në anën tjetër është funksion i
tensionit B-E. Pra, përafërsisht mund të thuhet se rryma e kolektorit është proporcionale
me e vBE / VT dhe nuk varet nga tensioni revers i kontaktit C-B. Prandaj, kjo komponentë i
ngjet burimit të rrymës konstante. Rryma e kolektorit është e kontrolluar nga tensioni B-E,
me fjalë të tjera, rryma në njërin terminal (kolektor) është e kontrolluar nga tensioni në dy
terminalet tjera. Ky lloj i kontrollit është veprimi themelor i transistorit.
Rryma e kolektorit është proporcionale me rrymën e emiterit, prandaj këtë rrymë

mund ta shkruajmë si
iC   F iE  I S e vBE / VT (2)
ku F është një konstantë me vlerë afër 1, por gjithmonë më të vogël se 1. Ky parametër

quhet amplifikimi i rrymës për bazë të përbashkët. Arsyeja e një emërtimi të tillë do të
bëhet e qartë më vonë.
Në kolektor realisht paraqitet edhe një rrymë e vogël reverse siq është paraqitur në
Fig.4.5, e cila është pasojë e rrjedhës së vrimave minore nga kolektori në emiter (sikurse te
dioda e polarizuar revers). Kjo rrymë është proporcionale me tensionin B-C. Prandaj
shprehja e plotë për rrymën e kolektorit është:
iC   F iE  I S evBE /VT  I SC evBC /VT
Kjo komponent e rrymës quhet rryma reverse e ngopjes së koletorit dhe shënohet me ICBO .
Vlera e kësaj rryme është zakonisht shumë më e vogël se komponenta kryesore e rrymës
dhe zokonisht nuk përfillet. Vetëm në rastet e ndryshimeve të theksuara të temperaturës,
duhet t’i kushtohet kujdes rritjes së padëshiruar të kësaj rryme.
Rryma e bazës Pasi që kontakti B-E ka polarizim të drejtë, vrimat nga baza
rrjedhin përmes kontaktit B-E në emiter. Pasi që vrimat nuk i kontribuojnë rrymës së
kolektorit, ato nuk janë pjesë e veprimit të transistorit. Rrjedha e vrimave formon një pjesë
të rrymës së bazës. Kjo komponentë është gjithashtu funksion eksponencial i tensionit B-

E, për shkak të polarizimit të drejtë të këtij kontakti, prandaj mund të shkruhet
iB1  e vBE / VT (3)
Disa elektrone rekombinohen me bartësit kryesor, vrimat, në bazë. Elektronet të cilat

rekombinohen duhet të zëvendësohen përmes terminalit të bazës. Rrjedha e elektroneve të
tilla paraqet komponentin e dytë të rrymës së bazës.
n p n
elektronet
E C
vrimat
iE vrimat iC
iB1 i B
2
iB
B
Fig.4.5 Rrjedha e rrymave të elektroneve dhe vrimave në transistorin e tipit npn
Kjo “rrymë e rekombinimit” është në proporcion të drejtë me numrin e elektroneve

të injektuara nga emiteri, e nga na tjetër është funksion eksponencial i tensionit B-E,
prandaj mund të shkruhet
iB 2  e vBE / VT (4)
Në Fig.4.5 është paraqitur rrjedha e elektroneve dhe vrimave në një transistor

bipolar të tipit npn, si dhe rrymat e terminaleve. Koncentrimi i elektroneve në emiterin e
tipit n është shumë më i lartë se koncentrimi i vrimave në bazën e tipit p, prandaj edhe
numri i elektroneve të injektuara në bazë do të jetë shumë më i madh se numri i vrimave të
injektuara në emiter. Kjo do të thotë se komponenti iB1 e rrymës së bazës do të jetë shumë
më e vogël se rryma e kolektorit. E nëse edhe gjerësia e bazës është e vogël, atëherë numri
i elektroneve që rekombinohen në bazë do të jetë i vogël, dhe komponenti iB2 e rrymës së
bazës do të jetë gjithashtu shumë më e vogël se rryma e kolektorit.
4.1.3 Amplifikimi i rrymës për emiter të përbashkët
Në transistor, shpejtësia e rrjedhës së elektroneve dhe rryma rezultuese e kolektorit

janë funksione eksponenciale të tensionit B-E, siç është edhe rryma e bazës. Kjo do të
thotë se rryma e kolektorit dhe rryma e bazës kanë lidhshmëri lineare, prandaj mund të
shkruhet
iC
 F (5)
iB
ose
F IS v
iB  e Be / VT
(6)
F
Parametri është përforcimi i rrymës për emiter të përbashkët dhe ai paraqet

parametrin kyç të transistorit bipolar. Në këtë situatë të idealizuar,  konsiderohet të jetë
konstante për cilindo transistor të dhënë. Vlera e  është zakonisht në brezin prej 50 <  >
300, por mund të jetë më i madh ose më i vogël për komponent special.
C
iC
RB n + RC
B
p vCE
+
vBE n
_ -
E
+
+
VBB
iE - VCC
-
Fig.4.6 Qarku me transistor npn
Në Fig.4.6 është paraqitur një transistor bipolar npn në qark. Për shkak se emiteri
është lidhja e përbashkët, ky qark quhet konfiguracioni me emiter të përbashkët. Kur
transistori është i polarizuar në modin e drejtë aktiv, kontakti B-E ka polarizim të drejtë,
ndërsa kontakti B-C polarizim revers. Si te dioda, tensioni B-E duhet të jetë i barabartë me
tensionin e pragut të përçueshmërisë së kontaktit. Pasi që
VCC  vCE  iC RC      
tensioni i burimit duhet të jetë mjaftë i lartë që ta mbajë kontaktin B-C me polarizim
revers. Rryma e bazës vendoset me VBB dhe RB, dhe rryma rezultuese e kolektorit është
iC   iB (8)
Nëse është VB = 0, kontakti B-E do të ketë tension zero të zbatuar, prandaj iB = 0, që

implikon se edhe iC = 0. Ky kusht quhet kushti i shkyçjes.
Nëse transistori bipolar trajtohet si një nyje e vetme, atëherë, sipas ligjit të
Kirchhoff-it, do të kemi
iE  iB  iC (9)
Nëse transistori është i polarizuar në modin e drejtë aktiv, atëherë

iC   iB (10)
Me zëvendësimin e ek.( 10) në ek.(9), do të fitohet ndërlidhja në mes të rrymës së emiterit

dhe bazës si
iE  (1   ) iB (11)
Nëse rrymën e bazës nga ek.(10) e zëvendësojmë në ek.(11), fitohet ndërlidhja në mes të
rrymës së kolektorit dhe emiterit si
  
iC   iE (12)
1  
Nga ek. (2), kemi pas iC   F iE , ashtu që
F
F  (13)
1 F
Parametri F quhet përforcimi i rrymës për bazë të përbashkët dhe gjithmonë është
pak më i vogël se 1. Mund të vërejmë se nëse F = 100, atëherë F = 0.99, pra F është
vërtetë ka vlerë afër 1. Nga ek.(13) mund të nxjerrët përforcimi i rrymës për emiter të
përbashkët në varshmëri të përforcimit të rrymës për bazë të përbashkët
F
F  (14)
1 F
4.1.4 Transistori pnp: modi aktiv i punës

Komponenti komplementar i transistorit npn është transistori pnp, rrjedha e
rrymave të elektroneve dhe vrimave për të cilin është paraqitur në Fig.4.7. Pasi që kontakti
B-E ka polarizim të drejtë, emiteri i tipit p është pozitiv ndaj bazës së tipit n, vrimat
difuzohen përmes bazës dhe zhvendosen kah kolektori. Rryma e kolektorit është rezultat i
rrjedhës së këtyre vrimave. Duhet të theksohet se polarizimet e kontakteve tani janë të
kundërta në krahasim me polarizimet te transistori i tipin npn.
p n p
vrimat
E C
RE elektronet RC
B iB
VBB VCC
Fig.4.7 Rrjedha e rrymave të elektroneve dhe vrimave në transistorin e tipit pnp
Përsëri, pasi që kontakti B-E ka polarizim të drejtë, pritet që rryma nëpër këtë
kontakt të jetë një funksion eksponencial i tensionit B-E. Duke i respektuar kahet e rrymës
së emiterit dhe tensionin e polarizimit, rryma e emiterit mund të shkruhet
iE  I S evEB /VT  1  I S evEB /VT (15)
Rryma e kolektorit është një funksion eksponencial i tensionit E-B, dhe kahja e saj
është prej terminalit të kolektorit, që është e kundërt me atë te komponenti npn. Kjo rrymë
mund të shkruhet si
iC   F iE  I S evEB / VT (16)
Ku F përsëri paraqet përforcimin i rrymës për bazë të përbashkët. Edhe këtu paraqitet
rryma reverse e ngopjes së kolektorit ICBO, të cilën tani e formojnë elektronet minore që
rrjedhin nga kolektori në bazë për shkak të polarizimint revers të kontaktit C-B.
Rryma e bazës është shuma e dy komponentëve. Komponenti i parë vjen nga

elektronet që rrjedhin nga baza në emiter, si rezultat i polarizimit të drejtë të kontaktit E-B.
Komponenti i dytë vjen nga rrjedha e elektroneve nga burimi në bazë për zëvendësimin e
elektroneve të humbura për shkak të rekombimit me vrima në bazë. Kahja e rrymës së
bazës është nga terminal i bazës, dhe kjo rrymë është gjithashtu funksion eksponencial i
tensionit E-B
F IS v
iB  e EB / VT
(17)
F
Parametri është përforcimi i rrymës për emiter të përbashkët për tipin pnp të transistorit.
Transistori si komponentë me tri terminale dalëse mund të lidhet në tri

konfiguracione themelore në qark: (1) në konfiguracion me emiter të përbashkët; (2) në
konfiguracion me bazë të përbashkët dhe (3) në konfiguracion me kolektor të përbashkët.
Për secilën nga këto konfiguracione veç e veç do të bëhet fjalë në kapitujt në vijim.
Në Fig.4.8 janë paraqitur konfiguracionet e transistorit me emiter të përbashkët me

transistor npn, Fig.4.8a, me transistor pnp Fig.4.8b dhe me transistor pnp por me tension
pozitiv të furnizimit, Fig.4.8c.
Fig.4.8 Konfiguracioni me emiter të përbashkët: (a) me transistor të tipit pnp transistor të tipit npn, (b) me
transistor të tipit pnp me polarizim pozitiv
Në Fig.4.9 janë paraqitur karakteristikat tipike dalëse tension-rrymë të transistorit

bipolar në konfiguracion me emiter të përbashkët. Te këto lakore, rryma e kolektorët është
paraqitur në funksion të tensionit kolektor-emiter, për vlera të ndryshme konstante të
rrymës së bazës. Te puna e transistorit mund të dallohen tri mode (regjime) të punës: (1)
Modi i bllokimit, kur rryma e bazës është e barabartë me zero dhe transistori nuk përcjellë,
pra është i bllokuar; (2) modi aktiv, ku ekziston varëshmëria lineare e rrymës së kolektorit
dhe bazës dhe (3) modi i ngopjes, kur transistori shkon në ngopje dhe më nuk ka
varshmëri lineare në mes të rrymave të transitorit. Gjatë zbatimit të transistorit bipolar me
kontakt në qarqet amplifikuese, transistori gjithmonë duhet të punoj në modin aktiv të
punës, sepse në të kundërtën do të fuste deformime jolineare për shkak të karakteristikave
jolineare në modet tjera të punës. Kur transistori punon si ndërprerës, në qarqet logjike,
atëherë ai punon në dy modet e skajshme, në atë të bllokimit dhe të ngopjes.
Modi aktiv
Modi i ngopjes
Modi i bllokimit
Fig.4.9 Karakteristikat dalëse tension-rrymë të transistorit në konfiguracion me emiter të përbashkët
Këto lakore janë gjeneruar për qarkun me emiter të përbashkët nga fig.4.8. në këtë
qark, burimi VBB polarizon drejtë kontaktin B-E dhe kontrollon rrymën e bazës iB. Tensioni
C-E mund të ndryshohet me ndryshimin e burimit VCC.
4.2 ANALIZA DC (njëkahore) E QARQEVE ME TRANSISTOR
Analiza dhe projektimi i polarizimit njëkahor të qarqeve me transistor është pjesë e

rëndësishme e projektimit të amplifikatorëve. Për këtë qëllim mund të shfrytëzohet modeli
i linearizuar i kontaktit pn. Së pari do të analizohet qarku me emiter të përbashkët dhe do
të definohet drejtëza e punës për atë qark. Pastaj do të analizohen konfiguracionet tjera të
qarqeve me transistor. Pasi që transistori duhet të punoj modin aktiv të punës, edhe analiza
do të përqendrohet në këtë mod të punës së transistorit.
4.2.1 Qarku me emiter të përbashkët
Njëri nga konfiguracionet themelore të qarkut me transistor është i ashtuquajturi

qarku me emiter të përbashkët i paraqitur në Fig.4.10 (a) dhe qarku ekuivalent njëkahor
në Fig.4.10 (b). Do të përvetësohet se kontakti B-E ka polarizim të drejtë, ashtu që rënia e
tensionit në këtë kontakt është tensioni i kyçjes VBE(on). Kur transistori është i polarizuar
në modin aktiv, rryma e kolektorit paraqitet si burim i varur i rrymës që është funksion i
rrymës së bazës. Në këtë rast nuk është përfillur rryma reverse e kontaktit C-E.
Fig.4.10 (a) Qarku me emiter të përbashkët; (b) skema ekuivalente njëkahore.
Rryma e bazës është
VBB  VBE (on)

IB 
RB
Pra është e qartë se VBB > VBE(on), që do të thotë se IB > 0. Kur është
VBB  VBE (on) , transistori është i shkyçur dhe IB = 0.
Për pjesën kolektor-emiter të qarkut, mund të shkruajmë
IC   I B
dhe VCC  IC RC  VCE
ose VCE  VCC  IC RC
Në ekuacionin e fundit gjithashtu kemi përvetësuar se VCE  VBE (on) , që do të thotë se

kontakti B-C ka polarizim revers dhe transistori është në modin aktiv të punës.
4.2.2 Drejtëza e punës dhe modet e punës
Drejtëza e punës mund të ndihmojë për vizuelizimin e karakteristikave të qarkut të

transistorit. Për qarkun me emiter të përbashkët në Fig.4.10(a), mund të përdoret metoda
grafike për analizën e konturës B-E si dhe C-E të qarkut. Në Fig.4.11(a) janë paraqitur
karakteristikat e linearizuara për kontaktin B-E dhe drejtëza hyrëse e punës. Kjo drejtëz
është fituar nga ekuacioni ligjit të dytë të Kirchoff-it për konturën B-E
VBB VBE
IB  
RB RB
Edhe drejtëza e punës edhe rryma e bazës në pikën e qetë të punës mund të
ndryshohen me ndryshimin e VBB ose RB. Kjo drejtëz e punës është e njëjtë me drejtëzën e
punës te karakteristikat e diodës.
Modi aktiv
Ngopja
Drejtëza e punës
Rryma e bazës
dhe tensioni B-E
Pika Q
Karakteristika e Drejtëza e punës

kontaktit B-E
Bllokimi (prerja)
Fig.4.11 (a) K karakteristikat B-E dhe drejtëza hyrëse e punës dhe (b) karakteristikat dalëse dhe drejtëza e
punës C-E
Për konturën C-E, ekuacioni i ligjit të dytë të Kirchoff –it mund të shkruhet si
VCE  VCC  IC RC
ose në formën
VCC V
IC   CE
RC RC
Ekuacioni i fundit paraqet ekuacionin e drejtëzës së punës, dhe tregon raportin

linear në mes të rrymës së kolektorit dhe tensionit kolektor-emiter. Pasi që jemi duke
trajtuar analizën njëkahore (dc) të qarkut të transistorit, ky ekuacion paraqet drejtëzën
njëkahore (dc) të punës së transistorit.
Në Fig.4.11(b) janë paraqitur karakteristikat dalëse të transistori në konfiguracion

me emiter të përbashkët dhe drejtëza e punës. Dy pikat fundore të drejtëzës së punës
V
gjenden në rastin e parë kur IC  0 dhe VCE  VCC , dhe pastaj kur VCE  0 dhe I C  CC .
RC
Pika e qetë e punës, ose pika Q, e transistorit caktohet me rrymën njëkahore (dc) të
kolektorit dhe tensioni kolektor-emiter. Pika Q është pikëprerja e drejtëzës së punës dhe
lakores IC (VCE ) që i përgjigjet rrymës së bazës në atë pikë.
Nëse tensioni i furnizimit në qarkun e bazës është më i vogël se tensioni i kyçjes,

VBB  VBE (on) , rrymat do të jenë I B  IC  0 dhe transistori do të jetë në modin e
bllokimit (prerjes). Në këtë mod rrymat e transistorit janë zero.
Me rritjen e tensionit VBB, rryma e bazës rritet dhe pika Q lëviz përpjetë në
drejtëzën e punës. Me rritjen e mëtutjeshme të rrymës IB, arrihet pika në të cilën rryma IC
më nuk mund të rritet. Në këtë pikë transistori polarizohet në modin e ngopjes. Kjo do të
thotë se transistori shkon në ngopje. Kontakti B-C bëhet me polarizim të drejtë, dhe raporti
në mes të rrymës së kolektorit dhe bazës më nuk është linear. Tensioni C-E i transistorit në
ngopje VCE(sat), (nga anglishtja saturation–ngopja), është më i vogël se tensioni i prerjes
B-E. Tensioni i polarizimit të drejtë të B-C është gjithmonë më i vogël se tensioni i
polarizimit të drejtë të kontaktit B-E, prandaj tensioni C-E në ngopje është një vlerë e
vogël pozitive. Vlerat tipike të VCE(sat) janë në brezin prej 0.1 deri 0.3 V.
4.2.3 Polarizimi i transistorit bipolar
Qarku në Fig.4.12(a) është njëri prej qarqeve më të thjeshta të transistorit. Ky qark

ka vetëm një burim njëkahor të furnizimit, dhe pika e qetë e punës vendoset përmes
rezistencës RB. Kapaciteti kuplimit CC vepron si qark i hapur për sinjale njëkahore dhe
kështu e izolon sinjalin e burimit nga rryma njëkahore e bazës. Nëse frekuenca i sinjalit
hyrës është mjaftë e madhe, burimi i sinjalit mund të kyçet në bazë përmes të CC
pothuajse pa humbje (kapaciteti vepron si lidhje e shkurtë). Në Fig. 4.12(b) është paraqitur
qarku ekuivalent për sinjale njëkahore; vlerat e pikës Q janë të shënuara me një indeks
shtesë Q.
Fig.4.12 (a) Qarku me emiter të përbashkët me një rezistencë të vetme të polarizimit në bazë dhe
(b) qarku ekuivalent njëkahor.
Edhe pse polarizimi i qarkut të transistorit është realizuara thjeshtë vetëm me një
burim, ky polarizim nuk është i përshtatshëm për qarqe të integruara sepse kërkohen vlera
të larta të rezistencës RB ( të rendit mega oma), dhe nuk mund të realizohen në qarqe të
integruara.
Në Fig.4.13(a) është paraqitur shembulli klasik i polarizimit të transistorit. Në këtë

rast rezistenca RB është zëvendësuar me një çift të rezistencave R1 dhe R2. sinjali
alternative (ac) edhe më tutje është i kyçur përmes kapacitetit të kuplimit CC në bazën e
transistorit.
Fig.4.13 Qarku me emiter të përbashkët me ndarës të tensionit për polarizim në qarkun e bazës
dhe (b) qarku ekuivalent njëkahor me qark ekuivalent të Thevenin-it.
Qarku më së lehti mund të analizohet duke formuar qarkun ekuivalent të

Thevenin-it për konturën e bazës. Kapaciteti i kuplimit vepron si qark i hapur për sinjal
njëkahor. Tensioni ekuivalent i Thevenin-it është
VT  [ R2 /( R1  R2 )]VCC
dhe rezistenca ekuivalente e Thevenin-it është
RT  R1 R2
ku simboli tregon kombinimin paralel të rezistencave. Në Fig.4.13(b) është paraqitur

qarku ekuivalent njëkahor.
Me zbatimin e ligjit të dytë të Kirchoff –it nëpër konturën B-E, fitohet
VT  I BQ RT  VBE (on)  I EQ RE
Nëse transistori është i polarizuar në modin aktiv, atëherë
I EQ  (1   ) I BQ
dhe rryma e bazës është
VT  VBE (on)
I BQ 
RT  (1   ) RE
Rryma e kolektorit është
 [VT  VBE (on)]

I CQ   I BQ 
RT  (1   ) RE
Qarku i ndarësit të tensionit R1 dhe R2 mund ta polarizojë transistorin në modin

aktiv me vlera të rendit të ulët kilooma, për dallim nga qarku me një rezistencë të vetme që
kërkonte rezistencë të rendit megaoma. Prandaj ky qark i polarizimit pothuajse përdoret
më së shpeshti edhe në qarqet e integruara.
4.3 Amplifikatori linear me transistor bipolar

Transistori është zemra e amplifikatorit. Transistorët bipolar tradicionalisht
shfrytëzohen në qarqet e amplifikatorëve për shkak se kanë përforcim (amplifikim)
relativisht të lartë.
Trajtimin e fillojmë me qarkun e njëjtë të cilin e diskutuam në paragrafin e kaluar.

Fig.4.14(a) paraqet atë qark, në Fig.4.14(b) janë paraqitur karakteristikat përcjellëse të
tensionit që janë nxjerrë më parë.
Pika Q në bllokim
Pika Q për regjionin aktiv

Pika Q
Pika Q në ngopje
Fig.4.14 (a) qarku themelor i amplifikatorit me transistor; (b) karakteristikat përcjellëse
Kur qarku shfrytëzohet si amplifikues (përforcues), transistori duhet të jetë i

polarizuar me tension njëkahor në pikën e qetë të punës Q, siç është paraqitur në figurë,
ashtu që transistori të jetë i polarizuar në regjionin aktiv të punës. Kjo analizë ka qenë në
fokus në kapitullin e kaluar. Nëse tensionit hyrës njëkahor VBB i superponohet një sinjal i
ndryshueshëm në kohë (p.sh. sinusoidal), sinjali në dalje do të ndryshojë përgjatë lakores
përcjellëse duke krijuar tension dalës të ndryshueshëm me kohën. Nëse tensioni i
ndryshueshëm në dalje është proporcional dhe më i madh se tensioni hyrës, qarku është
amplifikator linear. Nga figura shihet se nëse transistori nuk është në regjionin aktiv të
punës (i polarizuar ose në bllokim ose në ngopje), tensioni dalës nuk do t’i përcjellë
ndryshimet e tensionit hyrës. Prandaj më nuk do të jetë amplifikator linear.
5.3.1 Analiza grafike dhe qarku ekuivalent AC (alternativ)
Në Fig.4.15(a) është paraqitur qarku i njëjtë i amplifikatorit por tani i është shtuar
burimi njëkahor në seri me burimin e sinjalit sinusoidal. (Ky qark nuk është praktik dhe
nuk mund të ndërtohet në laborator sepse rryma njëkahore rrjedhë nëpër burimin e sinjalit
sinusoidal, por, megjithatë është shumë i përshtatshëm për ilustrimin e veprimit themelor
të qarkut dhe mekanizmin e amplifikimit).
Fig.4.15 (a) Qarku me emitter të përbashkët me burim të sinjalit të ndryshueshëm kohor në seri me burim
njëkahor; (b) karakteristikat e transistorit, drejtëza njëkahore dhe ndryshimet sinusoidale të rrymës së bazës,
rrymës së kolektorit dhe tensionit kolektor-emiter
Në Fig.4.15(b) janë paraqitur karakteristikat e transistorit, drejtëza njëkahore e

punës dhe pika Q. Burimi i sinjalit sinusoidal, vs, do të krijojë rrymë të bazës të
ndryshueshme në kohë (ac) e cila i superponohet rrymës njëkahore të bazës në pikën Q,
siç është paraqitur në figurë. Rryma e bazës do të induktojë një rrymë të kolektorit të
ndryshueshme e cila gjithashtu i superponohet rrymës njëkahore të kolektorit në këtë pikë.
Rryma ac e kolektorit atëherë krijon tension të ndryshueshëm në kohë në rezistencën RC, i
cili indukton tension kolektor-emiter gjithashtu ac. Tensioni kolektor-emiter ac, ose
tensioni dalës, në përgjithësi, do të jetë më i madh se tensioni hyrës sinusoidal, prandaj
qarku ka realizuar amplifikim të sinjalit, pra qarku është amplifikator.
Pasi që amplifikatori është linear dhe mund të zbatohet metoda e superponimit,

analiza njëkahore (dc) dhe ajo alternative (ac) e qarkut mund të bëhet ndaras. Për të fituar
amplifikator linear, rrymat dhe tensionet ac duhet të jenë mjaftë të vogla që ta mbajnë
varshmërinë lineare në mes të sinjaleve ac. Për plotësimin e këtij kushti, sinjalet e
ndryshueshme në kohë përvetësohet se janë sinjale të vogla, që do të thotë se amplitudat e
sinjaleve ac janë mjaftë të vogla që t’i mbajnë relacionet lineare.
Sinjali alternativ në hyrje të qarkut gjeneron komponentën alternative të rrymës së

bazës dhe tensionit bazë-emiter. Në Fig.4.16 është paraqitur varëshmëria eksponenciale e
rrymës së bazës nga tensioni bazë-emiter. Nëse amplitudat e sinjalit alternativ, që
superponohet në pikën e qetë të punës, janë mjaftë të vogla, atëherë mund të nxjerrën
relacione lineare në mes të këtyre dy madhësive, të cilat i përgjigjen pjerrtësisë së
tangjentes së lakores në atë pikë.
Pjerrtësia
Koha
Koha
Fig.4.16 Rryma e bazës në varshmëri nga tensioni bazë-emiter me sinjalin sinusoidal të

superponuar
Relacioni në mes të rrymës së bazës dhe tensionit bazë-emiter mund të shkruhet si
 vBE 
IS  
iB   e T 
V
1  F
Nëse tensioni bazë-emiter i përmban të dy komponentët (dc dhe ac) ai mund të

shkruhet si vBE  VBEQ  vbe , prandaj
 VBEQ  vbe   VBEQ   vbe 

IS   IS  
VT   V 
iB   e 
  e e  T 
VT
1  F 1  F
 VBEQ 
IS  
VT 
ku VBEQ është tensioni i kyçjes VBE(on). Anëtari  e paraqet rrymën e bazës në
1  F
pikën e qetë të punës, prandaj mund të shkruhet
 vbe 
 V 
iB  I BQ  e  T 
Rryma e bazës e shprehur në këtë formë, nuk mund të shkruhet si një rrymë ac e
superponuar në vlerën dc të pikës së punës. Por nëse vbe VT , atëherë anëtari
eksponencial mund të zbërthehet në seri të Taylor-it, dhe të merret vetëm anëtari linear.
Ky përafrim paraqet atë se çka nënkuptohet me sinjal të vogël. Pastaj do të fitohet
vbe I
iB  I BQ  (1  )  I BQ  BQ  vbe  I BQ  ib
VT VT
ku ib është rryma sinusoidale e bazës e dhënë me
I 
ib   BQ   vbe
 VT 
Rryma sinusoidale (ac) e bazës linearisht varet nga tensioni bazë-emiter. Nisur nga
koncepti i sinjalit të vogël, të gjitha sinjalet sinusoidale të paraqitura në Fig.4.15(b) do të
kenë varshmëri lineare dhe janë të superponuara në vlerat njëkahore (dc). Prandaj mund të
shkruajmë
iB  I BQ  ib
iC  ICQ  ic
vCE  VCEQ  vce
dhe
vBE  VBEQ  vbe
Nëse burimi i sinjalit, vS, është zero, atëherë nga konturat bazë-emiter dhe kolektor –
emiter mund të shkruajmë
VBB  I BQ RB  VBEQ
dhe
VCC  ICQ RC  VCEQ

Kur të merren parasysh edhe sinjalet sinusoidale këto ekuacione bëhen
VBB  vS  iB RB  vBE
ose
VBB  vS  ( I BQ  ib ) RB  (VBEQ  vbe )
Me rregullimin e anëtarëve do të kemi
VBB  I BQ RB  VBEQ  ib RB  vbe  vS
prandaj mund të shkruhet

vS  ib RB  vbe
që paraqet ekuacionin e konturës së bazës për të gjithë anëtarët dc të barabartë me zero.

Ekuacioni i konturës kolektor emiter është
VCC  IC RC  vCE  ( ICQ  ic ) RC  (VCEQ  vce )
ose
VCC  ICQ RB  VCEQ  ic RC  vce
Për sinjale ac, kur të gjithë anëtarët dc barazohen me zero, do të fitojmë
ic RC  vce  0
Këto ekuacione mund të fitohen drejtpërdrejtë me barazimin e të gjitha komponentëve dc

me zero, ashtu që burimet e tensionit dc bëhen lidhje të shkurta, ndërsa ato të rrymës qarqe
të hapura. Këto rezultate janë konsekuencë e zbatimit të metodës së superponimit në
qarkun linear. Në Fig.4.17 është paraqitur qarku ekuivalent ac i transistorit bipolar ku të
gjitha rrymat dhe tensionet janë sinjale alternative.
Fig.4.17 (a) Qarku i amplifikatorit në konfiguracion me emiter të përbashkët me transistor

npn; (b) qarku ekuivalent ac
7. AMPLIFIKATORËT THEMELOR ME TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) 99
7. AMPLIFIKATORËT THEMELOR ME TRANSISTOR

BIPOLAR (BJT)
7.0 HYRJE
Në kapitullin 5 është analizuar mënyra e veprimit të transistorit bipolar me kontakt
dhe puna e qarqeve që përmbajnë këta komponentë, për tensione njëkahore. Në këtë kapitull
do të analizohet shfrytëzimi i transistorit bipolar në qarqet e amplifikatorëve linear.
Do të analizohen vetitë e tre amplifikatorëve themelor me një transistor ose një stad
(shkallë). Këto tri qarqe janë: amplifikatori në konfiguracion me emiter të përbashkët, me
kolektor të përbashkët dhe me bazë të përbashkët. Këto konfiguracione formojnë blloqet
themelore ndërtuese për amplifikatorë më kompleks, të cilët do të përpunohen në kapitujt në
vijim.
Por para se të analizohen qarqet e amplifikatorëve të lartpërmendur, do të nxjerrën

qarqet ekuivalente të transistorit bipolar për sinjale të vogla dhe frekuenca të ulëta. Që do të
thotë se puna e transistorit do të jetë në regjionin aktiv dhe se në frekuenca të ulëta nuk do të
merren parasysh kapacitetet parazitare të kontakteve pn.
7.1 QARKU EKUIVALENT I TRANSISTORIT BIPOLAR PËR

SINJALE TË VOGLA
Në kapitullin 5. kemi zhvilluar skemën ekuivalente të qarkut për sinjale

alternative. Tani duhet ta zhvillojmë skemën ekuivalente për sinjale të vogla të vet
transistorit. Do t’i zhvillojmë dy modele kryesore të transistorit bipolar: modelin hibrid – π
dhe modelin me parametra –h.
100 ELEKTRONIKA I
7.1.1 Qarku ekuivalent hibrid – π i transistorit bipolar për sinjale të vogla

Modeli hibrid –π është një model i qarkut ekuivalent të transistorit bipolar i cili është
lidhur ngushtë me fizikalitetin e transistorit. Transistorin bipolar mund ta trajtojmë si një
qark dypolar si në Fig.7.1.
ic C
ib +
B
+ vce
vbe
- -
E
Fig.7.1 Transistori bipolar si qark dypolar
Një element të qarkut ekuivalent të modelit hibrid–π është përshkruar më parë. Në

Fig.7.2 është paraqitur rryma e bazës në funksion të tensionit bazë-emiter me një tension të
vogël sinusoidal të superponuar në pikën Q.
Pjerrtësia
Koha
Koha
Fig.7.2 Rryma e bazës në varshmëri nga tensioni bazë-emiter me sinjalin sinusoidal

të superponuar
Pasi që sinjalet sinusoidale janë të vogla, pjerrtësia e lakores së rrymës në pikën Q

mund të trajtohet si konstantë që ka njësinë e përçueshmërisë. Vlera reciproke e kësaj
përçueshmërie paraqet rezistencën e definuar si rπ. Prandaj rrymën e bazës mund ta lidhim
me tensionin e hyrjes me shprehjen
vbe  ib r (7.1)
ku 1/rπ është e barabartë me pjerrtësinë e lakores iB – uBE, siç shihet në Fig.7.2. Atëherë këtë
rezistencë mund ta gjejmë nga
1 i   IS  v 
 B   exp  BE   (7.2)
r vBE Q
vBE 1    VT   Q
ose
1 1  IS v  I BQ
  exp  BE   (7.3)
r VT 1    VT   Q VT
atëherë
vBE V V
 r  T  T (7.4)
iB I BQ I CQ
Rezistenca rπ quhet rezistenca hyrëse bazë-emiter ose rezistenca e difuzionit dhe

është funksion i parametrave të pikës së punës Q.
Tani i shqyrtojmë karakteristikat e terminaleve dalëse të transistorit (Fig.5.11b).

Nëse konsiderojmë se rryma e kolektorit është e pavarur nga tensioni kolektor-emiter dhe se
kjo rrymë është vetëm funksion i tensionit bazë-emiter, mund të shkruajmë
iC
iC   vBE (7.5)
vBe Q
ose
iC
iC   vBE (7.6)
vBe Q
Nga ana tjetër rryma iC, nga kapitulli 5., mund të shkruhet si
v 
iC   I S exp  BE  (7.7)
 VT 
Atëherë
iC 1 v  I CQ
   I S exp  BE   (7.8)
vBe Q
VT  VT  Q VT
v 
Anëtari  I S exp  BE  paraqet rrymën e kolektorit në pikën Q. Anëtari ICQ/VT paraqet
 VT 
përçueshmëri. Pasi që kjo përçueshmëri lidh rrymën e kolektorit dhe tensionin B-E,
parametri quhet transkonduktansa (përçueshmëria kalimtare) dhe shprehet me
I CQ
gm  (7.9)
VT
Transkonduktansa është gjithashtu funksion i parametrave të pikës së punës dhe

është proporcionale me rrymën e polarizimit njëkahor.
Duke i shfrytëzuar këta parametra të ri, mund ta zhvillojmë qarkun e thjeshtuar

ekuivalent për transistorin bipolar me modelin hibrid -, siç është paraqitur në Fig.7.3.
102 ELEKTRONIKA I
ib(Ib) ic(Ic)
B C
+ +
gmvbe
r
(gmVbe)
vbe(Vbe) vce(Vce)
ie(Ie)
- -
E
Fig.7.3 Qarku i thjeshtuar ekuivalent i transistorin bipolar npn me modelin hibrid -.
Ky qark ekuivalent mund ta zëvendësoj transistorin në Fig.7.4(a). Në qarkun

ekuivalent, përveç vlerave momentale, në kllapa janë dhënë edhe vlerat efektive të rrymave
dhe tensioneve. Ky qark ekuivalent mund të insertohet në qarkun e amplifikatorit si në
Fig.7.4(b).
(a)
RB B ic C
+ + +
ib
r
vI + E gmvbe
- vbe vce RC vO
- -
(b)
Fig.7.4(a) Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët; (b) skema ekuivalente
Qarku ekuivalent i daljes mund të zhvillohet edhe në një formë tjetër. Ne mund ta
vendosim korrelacionin në mes të rrymës së kolektorit për sinjale të vogla dhe rrymës së
bazës. Pra mund të shkruhet
iC
iC   iB (7.10)
iB
Q
ose
iC
iC   iB (7.11)
iB
Q
ku
iC
 (7.12)
iB
Q
Dhe ky parametër quhet rritja ose përforcimi i rrymës për emiter të përbashkët. Prandaj
mund të shkruhet
iC   iB (7.13)
Në skemën ekuivalente të transistorit bipolar në Fig.7.5 është shfrytëzuar ky

parametër. Ky qark gjithashtu mund të insertohet në qarkun ekuivalenti në Fig.7.4.
ib(Ib) ic(Ic)
B C
+ +
r ib
(b)
vbe(Vbe) vce(Vce)
ie(Ie)
- -
E
Fig.7.5 Skema ekuivalente e transistorit bipolar për sinjale të vogla me përforcim të

rrymës
Këtu do të diskutojmë pak lidhjen në mes të F dhe dallimi ne mes këtyre dy

termeve është ilustruar në Fig.7.6. Termi F është herësi në mes të rrymës njëkahore (dc) të
kolektorit dhe rrymës njëkahore të bazës. Ndërsa termi është herësi në mes të ndryshimit
të rritjes së rrymës së kolektorit dhe ndryshimit të rritjes së rrymës së bazës. Te transistori
bipolar idealkëta dy terma janë identik.
Gjatë derivimit të rdhe gm është supozuar varëshmëria ideale eksponenciale në mes

të rrymës dhe tensionit bazë-emiter, dhe se F nuk varet nga ndryshimi i rrymës së
kolektorit. Prandaj nëse shumëzojmë rdhe gm do të gjejmë
104 ELEKTRONIKA I
 V   I CQ 
r g m   F T
 I CQ      F   (7.14)
   VT 
Në përgjithësi tani e tutje do të konsiderojmë se këto dy terme janë ekuivalente.

Megjithatë duhet të mbahet parasysh se këto terme mund të ndryshojnë prej një komponenti
në tjetrin dhe se  ndryshon me rrymën e kolektorit. Ky ndryshim me rrymën e kolektorit
zakonisht specifikohet në të dhënat e prodhuesit për transistorët specifik.
Modi i ngopjes
Modi aktiv
iC { IC
Q
IBQ
} iB
V CE
Modi i bllokimit Q
Fig.7.6 Karakteristikat e transistorit ku janë paraqitur definicionet e F dhe 
Përforcimi i tensionit për sinjale të vogla, Av  Vo / VI , është i definuar si herësi në

mes të tensionit të sinjalit në dalje dhe tensionit të sinjalit në hyrje. Rryma e gjeneratorit të
varur të tensionit gmVbe rrjedhë përmes RC, duke krijuar tension negativ kolektor-emiter, ose
VO  Vce  ( gmVbe ) RC (7.15)
dhe nga pjesa e hyrjes së qarkut do të gjejmë
 r 
Vbe     VI (7.16)
 r  RB 
Përforcimi i tensionit për sinjale të vogla është
VO  r 
Av   ( g m RC )     (7.17)
VI  r  RB 
Gjatë analizës së gjertanishme të qarkut ekuivalent për sinjale të vogla, ne kemi

supozuar se rryma e kolektorit nuk varet nga tensioni kolektor-emiter, që nuk është
plotësisht e saktë. Sepse kjo rrymë varet në disa raste nga ky tension (efekti Early) sipas
relacionit
 v    vCE 
iC   I S exp  BE    1   (7.18)
  VT    VA 
ku VA është tensioni i Early-it. Pasojë e këtij efekti është ekzistenca e një rezistence
ekuivalente në dalje të transistorit e definuar si
vCE
ro  (7.19)
iC
Q
Duke i shfrytëzuar ekuacionet e fundit mund të shkruajmë
1 i  
   vBE    vCE 
 I CQ
 C   I S exp     1    (7.20)
ro vCE vCE
Q

   VT    VA 
 VA
atëherë
VA
ro  (7.21)
I CQ
dhe quhet rezistenca dalëse e transistorit për sinjale të vogla. Kjo rezistencë mund të
paramendohet si një rezistencë ekuivalente e Norton-it e lidhur paralel me gjeneratorin e
varur të rrymës. Në Fig.7.7(a) dhe (b) janë paraqitur qarqet e modifikuara të transistorit
bipolar me rezistencën dalëse.
Ib Ic Ib Ic
B C B C
+ + + + + +
Vbe V r b ro vce Vbe V r gmV ro vce
- - E - - - E -
(a) (b)
Fig.7.7 Modeli i zgjeruar i transistorit bipolar për sinjale të vogla (a) me parametrin e përforcimit
të rrymës dhe (b) me parametrin e transkonduktansës
Modeli hibrid-i transistorit bipolarështë emërtuar sipas natyrës së parametrave.

Katër parametrat e qarkut ekuivalent të paraqitura në Fig.7.7(a) dhe (b) janë: rezistenca
hyrëse r (), përforcimi i rrymës  (pa dimension), rezistenca dalëse ro () dhe
transkonduktansa gm (-1).
Deri tani kemi analizuar vetëm qarqet me transistor bipolar npn. Por, analiza e njëjtë
themelore dhe qarqet ekuivalente zbatohen edhe te transistorët pnp. Në Fig.7.8(a) është
paraqitur qarku i cili përmban një transistor pnp. Këtu përsëri mund të vërehet ndërrimi i
106 ELEKTRONIKA I
kaheve të rrymave dhe polaritetit të tensioneve në krahasim me qarkun me transistor npn.

Fig.7.8(b) paraqet qarkun ekuivalent alternativ (ac), ku burimet e tensioneve njëkahore janë
zëvendësuar me lidhje të shkurta, dhe të gjitha rrymat dhe tensionet e treguara janë vetëm
komponentët sinusoidal.
-VC
RC
ic
RB - vo RB - vo
+ vEC vec
+
- -
vEB + veb + RC
+ vI + vI ib
- -
-
+ VBB
(a) (b)
Fig.7.8 (a) Qarku me emiter të përbashkët me transistor pnp; (b) qarku gjegjës ekuivalent
Transistori në Fig.7.9(b) mund të zëvendësohet me njërën nga qarqet ekuivalente

hibride- siç është paraqitur në Fig.7.9. Qarku ekuivalent hibrid- i transistorit pnp është i
njëjtë me atë të komponentit npn, përveç që përsëri të gjitha kahet e rrymave dhe polaritetet
tensioneve janë të kundërta. Parametrat hibrid- caktohen duke shfrytëzuar ekuacionet njëjta
si për komponentin npn.
Ib Ic Ib Ic
C B C
B - - -
- - -
V r gm V vce
Vbe V r b ro vce Vbe ro
+ + E + + + E +
(a) (b)
Fig.7.9 Modeli hibrid- i transistorit pnp me (a) parametrin e përforcimit të rrymës dhe (b)me
parametrin e transkonduktansës
Nëse modelin hibrid të transistorit pnp e zëvendësojmë në Fig.7.9(b), fitojmë qarkun

ekuivalent për sinjale të vogla të paraqitur në Fig.7.10. Tensioni dalës është dhënë me
shprehjen
Vo  ( gmV )(ro RC ) (7.22)
Tensioni Vp mund të shprehet përmes tensionit hyrës VI si
VI r
V   (7.23)
RB  r
RB Ic
Vo
Ib -
VI + r gm V ro RC
- V
Fig.7.10 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla me transistor pnp me emiter të

përbashkët
Amplifikimi (përforcimi) i tensionit për sinjale të vogla është
VO  g m r 
AV   (ro RC )  (ro RC ) (7.24)
VI RB  r RB  r
Shprehja për përforcimin e tensionit për sinjale të vogla për qarkun i cili përmban
transistor bipolar pnp është plotësisht e njëjtë me atë të qarkut me transistor npn. Nëse
kihen parasysh kahet rrymave dhe polaritetet e tensioneve, amplifikimi i tensionit edhe në
këtë rast ka parashenjën negative që tregon shfazim për 180o në mes të sinjalit hyrës dhe
dalës.
7.1.2 Qarku ekuivalent i transistorit bipolar për sinjale të vogla me

parametra hibrid – h
Një model tjetër i qarkut ekuivalent të transistorit bipolar për sinjale të vogla, i cili
zbatohet më shpesh, shfrytëzon parametrat –h, të cilët lidhin rrymat dhe tensionet e
terminaleve të qarkut dypolar. Këta parametra zakonisht i japin prodhuesit e transistorëve në
tabelën e të dhënave dhe janë të përshtatshëm sepse mund të caktohen eksperimentalisht në
frekuenca të ulëta.
ib hie ic
B
ib +
+
C
+
vce
+
vbe vbe hrevce +
- hfeib 1/hoe vce
- - - E -
(a) (b)
Fig.7.11 (a) Transistori me emiter të përbashkët dhe (b) modeli me parametra – h i

transistorit bipolar me emiter të përbashkët
Në Fig.7.11(a) janë paraqitur rrymat dhe tensionet e terminaleve të transistorit në

konfiguracion me emiter të përbashkët. Nëse supozojmë se transistori është i polarizuar në
pikën e punës Q në regjionin aktiv, varësitë lineare në mes të rrymave dhe tensioneve të
terminaleve për sinjale të vogla mund të shkruhen si
108 ELEKTRONIKA I
Vbe  hie Ib  hreVce (7.25(a))
I c  h fe Ib  hoeVce (7.25(b))
Këto janë ekuacionet definuese të parametrave –h për emiter të përbashkët, ku

indekset janë: i për hyrje (angl. input), r për revers, f për përparmë (angl. forward) o për
dalje (angl. output) dhe e për emiter të përbashkët. Këto ekuacione mund të shfrytëzohen për
gjenerimin e qarkut ekuivalent për sinjale të vogla me parametra –h, siç është paraqitur në
Fig.7.11(b). Ekuacioni 7.25(a) paraqet ligjin e Kirchhoff-it për tensione (ligji i dytë i
Kirchhoff-it) në hyrje, dhe rezistenca hie është në seri me burimin e varur të tensionit hreVce.
Ekuacioni 7.25(b) paraqet ligjin e Kirchhoff-it për rryma (ligji i parë i Kirchhoff-it) në dalje
dhe përçueshmëria hoe është paralel me burimin e varur të rrymës hfeIb.
Pasi që edhe parametrat hibrid- edhe parametrat-h mund të shfrytëzohen për

modelimin e karakteristikave të transistorit të njëjtë, këta parametra nuk janë të pavarur në
mes veti. Relacionet në mes të parametrave hibrid- dhe parametrave –h mund të nxjerrën
nga qarku ekuivalent në Fig.7.8(b). Rezistenca hyrëse për sinjale të vogla hie, nga ekuacioni
7. 25(a) mund të shkruhet si
V
hie  be Vce 0 (7.26)
Ib
ku tensioni i vogël C-E mbahet zero. Me tensioni C-E të barabartë me zero, qarku nga
Fig.7.8(b) mund të transformohet në qarkun në Fig.7.12. Nga kjo figurë shihet se
hie  r (7.27)
Parametri hfe është përforcimi i rrymës për sinjale të vogla. Nga ekuacioni 7.25(b),
ku parametër mund të shkruhet si
Ic
h fe  Vce  0 (7.28)
Ib
B C
Ib + Ic
Vbe +
V r gmV ro
-
-
E
Fig.7.12 Qarku ekuivalent me lidhje të shkurtë në dalje
Pasi që tensioni kolektor–emiter është përsëri zero, nga Fig.7.12 rryma e kolektorit është
I c  gmV (7.29)
dhe
V  Ib r (7.30)
prandaj parametri hfe është
Ic
h fe  Vce  0  g m r   (7.31)
Ib
Pra, në frekuenca të ulëta, përforcimi i rrymës për sinjale të vogla në shumicën e rasteve
është i barabartë me .
Parametri hre quhet herësi i riveprimit të tensionit, dhe mund të shkruhet si
Vbe
hre  Ib  0 (7.32)
Vce
Pasi që rryma e sinjalit të bazës është zero, qarku nga Fig.7.8(b) transformohet në qarkun në
Fig.7.13, nga i cili mund të shihet se
Vbe  0 (7.33)
Prandaj
Vbe
hre  Ib 0 0 (7.34)
Vce
dhe ky parametër praktikisht është zero dhe zakonisht mund të mos përfillet.
Parametri i katërt është admitanca dalëse për sinjale të vogla hoe. Nga ekuacioni
7.25(b) mund të shkruhet
Ic
hoe  Ib 0 (7.35)
Vce
B C
Ib =0 + Ic
r gmV +
V ro -
Vce
-
Fig.7.13 Qarku ekuivalent hibrid- me qark të hapur në hyrje
Pasi që sinjali i rrymës së bazës në hyrje është përsëri zero, ekuacioni i ligjit të Kichhoff-it
për rrymë në nyjën dalëse jep
Vce
I c  g mV  (7.36)
ro
110 ELEKTRONIKA I
Pasi që anëtari i parë në shprehjen e fundit është zero, parametri hoe është
Ic 1
hoe  Ib  0  (7.37)
Vce ro
Parametrat-h për transistorin pnp definohen në mënyrën e njëjtë si ato për

komponentin npn. Gjithashtu edhe skema ekuivalente për sinjale të vogla për transistorin
pnp me parametra-h është identike me atë të komponentit npn, përveç që kahet e rrymave
dhe polaritetet e tensioneve janë të kundërta.
Në vazhdim janë dhënë të dhënat për një transistor në formën standarde që i japin
prodhuesit e komponentëve elektronik.
Fig.7.14 Tabela e të dhënave themelore për transistorin bipolar 2N2222 të prodhuesit

National Semiconductor
112 ELEKTRONIKA I
Fig. 7.15 Vazhdim i Fig. 7.14

7.2 KONFIGURACIONET THEMELORE TË AMPLIFIKATORIT ME

TRANSISTOR
Siç u diskutua në kapitujt paraprak, transistori është komponent me tri terminale. Tri
konfiguracionet themelore të amplifikatorit me një transistor mund të formohen varësisht
nga ajo se cili nga terminalet e transistorit është shfrytëzuar për tokëzim të sinjalit. Këto
konfiguracione themelore quhen me emiter të përbashkët, me kolektor të përbashkët dhe
me bazë të përbashkët. Se cili konfiguracion ose amplifikator do të shfrytëzohet në
zbatime të veçanta, varet se a është sinjali hyrës tension apo rrymë dhe nga tensioni i
dëshiruar në dalje që gjithashtu mund të jetë tension ose rrymë.
RS
+
vS _ iS RS
(a) (b)
Fig.7.16 Burimi i sinjalit hyrës i modeluar si (a) qark ekuivalent i Thevenin-it dhe (b) qark
ekuivalent i Norton-it
Tabela 7.1 Qarqet ekuivalente

Tipi Qarku ekuivalent Vetitë përforcuese
Amplifikator i tensionit Ro io Tensioni dalës
proporcional me
+ + tensionin hyrës
vi + Avovi vo
Ri _
- -
Amplifikator i rrymës ii io Rryma dalëse

proporcionale me
+ rrymën hyrëse
Ri Aisii Ro vo
Amplifikator i io Rryma dalëse

transkonduktansës proporcionale me
+ + tesnionin hyrës
vi Ri GmSvi Ro vo
- -
Amplifikator i Tesnioni dalës

ii Ro io
transrezistencës proporcional me
+ rrymën hyrëse
Ri + Rmoii vo
_
-
114 ELEKTRONIKA I
Burimi i sinjalit në hyrje mund të modelohet si qark ekuivalent i Thevenin-it ose i

Norton-it. Në Fig.7.16(a) është paraqitur burimi ekuivalent i Thevenin-it i cili mund të
paraqet sinjal të tensionit, si p.sh. dalja e mikrofonit. Burimi i tensionit vS paraqet tensionin e
gjeneruar nga mikrofoni. Rezistenca RS quhet rezistenca dalëse e burimit dhe merret
parasysh në ndryshimin e tensionit në dalje kur burimi furnizon me rrymë. Fig.17.16(b)
paraqet burimin ekuivalent të Norton-it i cili është sinjal i rrymës, si p.sh. dalja e një
fotodiode. Burimi i rrymës iS paraqet rrymën e gjeneruar nga fotodiode dhe rezistenca RS
është rezistenca dalëse e burimit të sinjalit.
Secili nga tre amplifikatorët themelor me transistor mund të modelohet si qark me dy

porta si në njërën nga katër konfiguracionet të paraqitura në Tabelën 7.1. ne do t’i
përcaktojmë parametrat e përforcimit si Avo, Aio, Gmo dhe Rmo, për secilin nga tri llojet e
amplifikatorëve me transistor. Këta parametra janë të rëndësishëm sepse ata caktojnë
amplifikimin e amplifikatorit. Ndërkaq, do të shohim se edhe rezistenca hyrëse dhe dalëse Ri
dhe Ro janë gjithashtu të rëndësishme në projektimin e këtyre amplifikatorëve.
RS Ro
+ +
vS +_ vi Ri + Avovi vo RL
_
- -
Qarku ekuivalent i Qarku ekuivalent i Qarku ekuivalent i

mikrofonit amplifikatorit ngarkesës
Fig.7.17 Qarku ekuivalent i paraamplifikatorit
Nëse dëshirojmë të projektojmë amplifikator të tensionit (paraamplifikator) ashtu që

p.sh të amplifikohet tensioni i daljes së mikrofonit, qarku i përgjithshëm ekuivalent mund të
dukej si Fig.17.17. Tensioni në hyrje të amplifikatorit është i dhënë me
Ri
vin   vS (7.38)
Ri  RS
Në përgjithësi, ne do të dëshironim që tensioni hyrës i amplifikatorit të jetë sa është e

mundur më afër vlerës së tensionit të burimit vS. Kjo do të thotë, nga ekuacioni i fundit, se
duhet të projektohet amplifikatori i tillë që rezistenca hyrëse Ri të jetë shumë më e madhe se
rezistenca dalëse e burimit të sinjalit RS. (Rezistenca dalëse e burimit ideal të tensionit është
zero, por nuk është zero për shumicën e burimeve praktike të tensionit) për të siguruar një
përforcim të caktuar të tensionit, amplifikatori duhet të ketë një parametër të përforcimit Avo
me vlerë të gjegjëse.
Tensioni dalës që i do dorëzohet ngarkesës (ku ngarkesa mund të jetë stadi i dytë i
amplifikatorit të fuqisë) është
RL
vo   Avovin (7.39)
RL  Ro
Është e dëshirueshme që tensioni dalës në ngarkesë të jetë i barabartë me tensionin

ekuivalent të Thevenin-it të gjeneruar nga amplifikatori. Kjo do të thotë se na duhet
Ro RL për amplifikator të tensionit. Prandaj për amplifikator të tensionit rezistenca dalëse
duhet të jetë shumë e vogël.
Për amplifikator të rrymës, kërkohet që të jetë Ri RS dhe Ro RL . Duhet të

theksohet se këtu do të shfrytëzohen qarqet me dy porta nga tabela 7.1 për modelimin e
amplifikatorëve me një transistor. Por, këto qarqe ekuivalente gjithashtu shfrytëzohen për
modelimin e qarqeve me shumë transistorë.
7.3 AMPLIFIKATORI NË KONFIGURACIN ME EMITER TË

PËRBASHKËT
Në këtë seksion do të analizohet amplifikatori i parë nga tre amplifikatorët themelor

– qarku me emiter të përbashkët. Gjatë analizës do të shfrytëzohet qarku ekuivalent i
transistorit të cilin e kemi zhvilluar më parë. Në përgjithësi, do të shfrytëzohet modeli
hibrid-si më i përshtatshëm.
7.3.1 Qarku themelor i amplifikatorit me emiter të përbashkët
Në Fig.7.18 është paraqitur qarku themelor me emiter të përbashkët me polarizim me

ndarës të tensionit.
Fig.7.18 Qarku themelor me emiter të përbashkët me polarizim me ndarës të tensionit dhe

me një kapacitet të kuplimit
116 ELEKTRONIKA I
Nga figura shihet se emiteri është përtokësuar prej nga edhe vjen emri me emiter të
përbashkët. Sinjali nga burimi i sinjalit është lidhur në bazë përmes kapacitetit të kuplimit
CC, i cili siguron izolim për komponentët njëkahore në mes amplifikatorit dhe burimit të
sinjalit. Polarizimi njëkahor i transistorit është siguruar me R1 dhe R2, dhe ky polarizim nuk
trazohet kur burimi i sinjalit lidhet përmes kapacitetit në amplifikator.
Nëse sinjali i burimit është tension sinusoidal me frekuencë f, atëherë moduli i

impedancës së kapacitetit është ZC  [1/ 2 fCC ] . P.sh. nëse është CC =10 F dhe f = 2 kHz,
do të kemi
1 1
ZC    8      
2 fCC 2 (2 x10 )(10 x106 )
3
Moduli i kësaj impedance është më i vogël se rezistenca ekuivalente e Thevenin-it

në terminalet e kapacitetit, e cila në këtë rast është R1 R2 r . Prandaj mund të përvetësojmë
se kapaciteti, në esencë, paraqet lidhje të shkurtë për sinjalet me frekuencë më të lartë se 2
kHz. Ne gjithashtu nuk kemi përfillur asnjë efekt brenda transistorit. Me këto përvetësime,
në këtë kapitull do të supozojmë se frekuenca e sinjalit është mjaftë e lartë ashtu që çfarëdo
kapaciteti i kuplimit do të veprojë si lidhje e shkurtë, dhe është gjithashtu nga ana tjetër
mjaftë e ulët që kapacitetet e brendshme të transistorit të mos përfillen. Frekuencat e tilla
janë frekuencat e mesme ose thjeshtë frekuencat në brezin e mesëm frekuence të
amplifikatorit. Qarku ekuivalent për sinjale të vogla kur kapaciteti i kuplimit paraqet lidhje
të shkurtë është paraqitur në Fig.7.19.
Ri ib Ro
B C
RS +
+
vS R1 R2 v r
- gmv r Rc
- E
Burimi i
sinjalit
Amplifikatori
Fig.7.19 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla, kur kapaciteti i kuplimit paraqet lidhje të
shkurtë
Shenbulli 7.1
Për qarkun në Fig.7.18 të caktohet përforcimi i tensionit për sinjale të vogla. Të përvetsohet se
parametrat e transistorit janë: VBE(on) = 0.7 V dhe VA = 100 V.
Zgjidhje
Së pari duhet t kryhet analiza njëkahore (dc) për caktimin e vlerave të pikës Q. Qarku ekuivalent për
analizën njëkahore është paraqitur në Fig.7.20, prej nga caktohen tensioni ekuivalent i Thevenin-t
dhe rezistenca ekuivalente si
R2 R1R2
VBB  VCC dhe RB 
R1  R2 R1  R2
IC
Rc Rc
R1 IB

+
+ + VCE +
_ VCC VBE _ VCC
R1 R2 - -
R2
VBB +
_
Fig.7.20 Skema ekuivalente për analizën njëkahore
Tensioni VCE caktohet nga kontura në dalje të qarkut dhe është
VCEQ  VCC  Rc ICQ
Rryma e kolektorit në pikën e qetë të punës Q është
ICQ   I BQ
Rryma e bazës caktohet nga kontura në hyrje të qarkut si
VBB  VBE
I BQ 
RB
Me zëvendësimin e vlerave të dhëna numerike fitohen këto vlera për koordinatat e pikës Q
ICQ  0.95 mA dhe VCEQ  6.3 V
që tregojnë se transistori është polarizuar në brezin aktiv të punës.
Pasi të jetë caktuar pika e punës së transistorit, për analizën e qarkut për kushte alternative (ac) duhet
të caktohet skema ekuivalente me parametrat gjegjës. Do ta zbatojmë modelin hibrid -, parametrat e
të cilit janë
VT  (0.026)(100)
r    2.74 k
I CQ 0.95
I CQ 0.95
 gm    36.5 ma/V
VT 0.026
dhe
VA 100
ro   105 k
I CQ 0.95
 Duke konsideruar se CC vepron si lidhje e shkurtë dhe se burimet njëkahore VBB dhe VCC gjithashtu
paraqesin lidhje të shkurta, qarku ekuivalent për sinjale të vogla do të duket si n 7.21.
118 ELEKTRONIKA I
Ri ib Ro
B C
RS = 0.5 kΩ +
vS + RB
- v r gmv ro Rc
= 0.5 kΩ
- E
Burimi i
sinjalit
Amplifikatori
Fig.7.21 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla
Tensioni në dalje është
vo  ( gmV )(ro RC )
Rryma e varur g mv rrjedhë përmes lidhjes paralele të ro dhe RC, por në kah që krijon tension negativ
në dalje. Tensioni v mund të shprehet përmes tensionit hyrës si
 R1 R2 r 
v   v
 R1 R2 r  RS  S
 
Përforcimi i tensionit për sinjale të vogla është
vo  R1 R2 r 
Av    gm   (r R )
vS  R1 R2 r  RS  o C
 
ose
 5.9 2.74 
Av  (36.5)  (105 6)  163
 5.9 2.74  0.5 
 
Gjithashtu mund t; llogaritet edhe rezistenca hyr;se e amplifikatorit. Nga Fig.7.21 shihet se ajo është
Ri  R1 R2 r  5.9 2.74  1.87 k
 Rezistenca dalëse Ro gjendet duke e barazuar me zero burimin e pavarur vS. Në këtë rast nuk ka
ngacmim në pjesën hyrëse të qarkut, prandaj v  0 , që implikon se edhe g mv  0 (qark i hapur).
Rezistenca dalëse e shikuar nga terminalet e daljes atëherë është
Ro  ro RC  105 6  5.68 k

7.3.2 Qarku me rezistencë të emiterit

Për qarkun në Fig.20, rezistencat e polarizimit R1 dhe R2 me tensionin VCC krijojnë
rrymën e bazës prej 9.5 µA dhe rrymën e kolektorit prej 0.95 mA, kur tensioni i kyçjes B-E
është supozuar të jetë 0.7 V. Nëse transistori në qark zëvendësohet me një tjetër me
parametra pak të ndryshëm, ashtu që tensioni B-E i kyçjes të jetë 0.6 V në vend se 0.7 V,
atëherë rryma rezultuese e bazës është 26 µA, që mjafton ta qojë transistorin në ngopje.
Prandaj, ky qark nuk është praktik sepse lehtë i ndryshojnë kushtet njëkahore të punës. Për
ta përmirësuar këtë të metë, për realizimin e polarizimit lidhet edhe një rezistencë në qarkun
e emiterit si në Fig.7.22. Rezistenca në qarkun e emiterit vendoset për stabilizimin e
kushteve njëkahore të punës nga ndryshimi i variacioneve të tensionit njëkahor VCC, të
parametrave të transistorit si dhe temperaturës.
Fig.7.22 Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët me rezistencë të emiterit
Me supozimin se CC paraqet lidhje të shkurtë, në Fig.7.23 është paraqitur skema

ekuivalente hibride -për sinjale të vogla, ku nuk është marrë parasysh rezistenca dalëse e
transistorit ro. Tensioni dalës është
vo  ( ib ) RC
Për gjetjen e përforcimit për sinjale të vogla, më e përshtatshme është të caktohet së

pari rezistenca hyrëse. Rezistenca Rib është rezistenca hyrëse e shikuar nga baza e
transistorit. Për konturën e bazës mund të shkruhet ky ekuacion
vin  ib r  (ib   ib ) RE
Rezistenca Rib e definuar si
vin
Rib   r  (1   ) RE
ib
120 ELEKTRONIKA I
Fig.7.23 Qarku ekuivalent me një rezistencë të emiterit
Te konfiguracioni me emiter të përbashkët me rezistencë të emiterit, rezistenca hyrëse për

sinjale të vogla shikuar nga baza e transistorit është rplus rezistenca e emiterit e shumëzuar
me faktorin (1+Ky efekt quhet rregulla e reflektimit (pasqyrimit) të rezistencës. Këtë
rezultat do ta shfrytëzojmë më tutje gjatë analizave pa derivim.
Rezistenca hyrëse e amplifikatorit është
Ri  R1 R2 Rib
Përsëri mund të shprehet vin përmes ndarësit të tensionit si
 Ri 
vin     vS
 Ri  RS 
Duke kombinuar ekuacionet e fundit gjejmë se përforcimi i tensionit për sinjale të vogla
është
vo (  ib ) RC v   1 
Av      RC  in    
vS vS  Rb   vS 
ose
  RC  Ri 
Av   
r  (1   ) RE  Ri  RS 
Nga ky ekuacion shohim se, nëse Ri RS dhe (1   ) RE r , atëherë përforcimi për

sinjale të vogla është përafërsisht
  RC R
Av   C
(1   ) RE RE
Nga shprehjet për përforcimin e tensionit shihet se ky përforcim tani më pak varet
nga  se në rastin kur nuk kishim rezistencë të emiterit, që do të thotë se do të ketë
ndryshime të vogla në amplifikimin e tensionit me ndryshimin e faktorit të amplifikimit

transistorit por kjo përparësi shkon në llogari të amplifikimit më të vogël.
7.3.3 Qarku me kapacitet të urëzimit të emiterit
Ka raste kur rezistenca e emiterit duhet të jetë shumë e madhe për nevoja të
projektimit të kushteve njëkahore, por kjo e degradon dukshëm përforcimin e tensionit për
sinjale të vogla. Prandaj për evitimin e humbjeve të panevojshme të sinjaleve alternative,
rezistenca e emiterit pjesërisht ose në tërësi mund të urëzohet me një kapacitet siç është
paraqitur në Fig.7.24 . Rezistencat RE1 dhe RE2 janë faktorë për kushtet njëkahore të punës së
transistorit, por vetëm RE1 është pjesë e qarkut ekuivalent për sinjale alternative, sepse RE2
është i lidhur shkurt në masë përmes kapacitetit CE.
V+=+5 V
RC
RS
CC
RB
RE1
RE2 CE
V-= -5 V
Fig.7.24 Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët me kapacitet të emiterit për urëzim

të rezistencës së emiterit
7.4 ANALIZA E DREJTËZËS ALTERNATIVE TË PUNËS

Drejtëza njëkahore e punës (dc) tregon mënyrën e vizuelizimit të lidhjes në mes të
pikës së punës Q dhe karakteristikave të transistorit. Kur në qarkun e transistorit janë të
lidhura edhe kapacitetet, do të kemi drejtëz të re efektive të punës, e cila quhet drejtëza
alternative e punës (ac). Kjo drejtëz ndihmon në vizuelizimin e lidhjes në mes të përgjigjes
së qarkut për sinjale të vogla dhe karakteristikave të transistorit. Regjioni i punës për sinjale
alternative tani është në drejtëzën alternative.
7.4.1 Drejtëza alternative e punës

122 ELEKTRONIKA I
Qarku në Fig.7.25 ka rezistenca të emiterit dhe kapacitet të urëzimit të emiterit.

Drejtëza njëkahore e punës gjendet me ligjin e Kirchhoff-it për tensione në konturën C-E si
V   IC RC  VCE  I E ( RE1  RE 2 )  V 
V+=+5 V
RC
RS
CC
RB
RE1
RE2 CE
V-= -5 V
Fig.7.25 Qarku i amplifikatorit me emiter të përbashkët me kapacitet të emiterit për urëzim

të rezistencës së emiterit
Nëse marrim parasysh se I E  [(1   ) /  ]IC , ekuacioni i fundit mund të shkruhet si
  1   
VCE  (V   V  )  I C  RC    ( RE1  RE 2 ) 
    
dhe paraqet ekuacionin e drejtëzës njëkahore të punës e cila është paraqitur në Fig.7.26 me
kushtin që  1.
1
Drejtëza njëkahore e punës, pjerrtësia 
RC  RE1  RE 2
1
Drejtëza alternative e punës, pjerrtësia 
RC  RE1
Koha
Koha
Koha
Fig.7.26 Drejtëza njëkahore dhe alternative e punës për amplifikatorin me emiter të

përbashkët
Për analizën e qarkut për sinjale të vogla do të përdoret skema ekuivalente e

paraqitur në Fig.7.27 , ku impedansat e kapaciteteve janë trajtuar si lidhje të shkurta dhe
janë lidhur shkurtë burimet e tensioneve njëkahore të furnizimit.
RS +
+ vo
+
v
_ ce
ic
+ vbe _
vS _
ib
ie RE1 RC
Për këtë qark, ekuacioni i ligjit të Kirchhoff-it për tensione në konturën C-E jep
ic RC  vce  ie RE1  0
Ose, nëse merret se ic  ie , atëherë
vce  ic ( RC  RE1 )
Ky ekuacion paraqet drejtëzën alternative të punës. Pjerrtësia e kësaj drejtëze është
1
Pjerrtësia 
RC  RE1
Drejtëza alternative e punës është paraqitur gjithashtu në Fig.7.26. Kur vce  ic  0 ,

qarku është në pikën e qetë të punës Q. Kur janë prezentë edhe sinjalet alternative, pika e
punës devijon rreth kësaj pike në drejtëzën alternative.
Pjerrtësia e drejtëzës alternative të punës ndryshon nga ajo e drejtëzës njëkahore

sepse rezistenca e emiteri është lidhur shkurtë për sinjale të vogla. Në këtë rast tensioni C-E
dhe rryma e kolektorit janë vetëm funksione të RC dhe RE1.
Kur në hyrje të amplifikatorit zbatohet tensioni simetrik sinusoidal, në dalje do të

gjenerohet tension sinusoidal simetrik për derisa veprimi i amplifikatorit mbetet linear. Me
drejtëzën alternative të punës caktohet zhvendosja maksimale simetrike e daljes. Nëse
dalja e tejkalon këtë zhvendosje, një pjesë e sinjalit në dalje do të prehet dhe do të paraqitet
shtrembërimi i sinjalit.
7.5 AMPLIFIKATORI ME KOLEKTOR TË PËRBASHKËT (EMITTER-

FOLLOWER)
Tipi i dytë i amplifikatorit me transistor është qarku me kolektor të përbashkët. Një

shembull i këtij qarku është paraqitur në Fig.7.28 . Nga figura mund të shihet se sinjali dalës
merret nga emiteri dhe kolektori është i kyçur direkt në VCC. Pasi që tensioni i burimit VCC
124 ELEKTRONIKA I
lidhet në masë te qarku ekuivalent alternativ, qarku quhet me kolektor të përbashkët. Por ky
qark shumë shpesh quhet edhe emitter follower. Arsyen për këtë do ta shohim nga analiza
në vazhdim.
Fig.7.28 Qarku i amplifikatorit me kolektor të përbashkët
7.5.1 Amplifikimi i tensionit

Analiza njëkahore është plotësisht e njëjtë siç e kemi parë më parë, prandaj do të
ndalemi vetë te analiza për sinjale të vogla alternative dhe do të përdoret modeli hibrid- .
me supozimin se CC vepron si lidhje e shkurtë, në Fig.7.29 është paraqitur skema
ekuivalente e qarkut nga Fig.7.28 për sinjale të vogla. Terminali i kolektorit është në masë
dhe rezistenca dalëse e transistorit ro është paralel me burimin e varur të rrymës.
Fig.7.29 Qarku ekuivalent i amplifikatorit me kolektor të përbashkët për sinjale të vogla
Në Fig.7.30 është dhënë qarku i njëjtë ekuivalent i aranzhuar asisoj që të masat e

sinjaleve janë lidhur në pikë të njëjtë.
Ri Rib Ro
RS B r E
+ + v

- io ie
vo
+ ii ib
vS _ vin ib ro RE
R1 R2
- C
Fig.7.30 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla e amplifikatorit me kolektor të përbashkët
Nga qarku i fundit shihet se
io  (1   )ib
ashtu që tensioni dalës mund të shkruhet si
vo  ib (1   )(ro RE )
Nëse shkruajmë ligjin e Kirchhoff-it për konturën B-E do të fitohet
vin  ib [r  (1   )(ro RE )]
ose
vin
Rib   r  (1   )(ro RE )
ib
Gjithashtu mund të shkruhet
 Ri 
vin     vS
 Ri  RS 
ku Ri  R1 R2 Rib .
Amplifikimi i tensionit gjendet me kombinimin e ekuacioneve të fundit si
vo (1   )(ro RE )  Ri 
Av    
vS r  (1   )(ro RE )  Ri  RS 
Nëse analizohet shprehja për amplifikimin e tensionit shohim se ky amplifikim është

diç më e vogël se 1 dhe se është pozitiv. Kjo do të thotë se sinjali i tensionit dalës në emiter
është në fazë me sinjalin e tensionit hyrës, prandaj edhe ky amplifikator quhet edhe emitter
follower. Tensioni në dalje është pothuajse i njëjtë me tensionin hyrës. Në shikim të parë,
amplifikatori i këtillë me përforcim të tensionit rreth 1 duket se nuk paraqet ndonjë vlerë të
posaçme. Por, karakteristikat e rezistencës hyrëse dhe dalëse e bëjnë këtë qark
jashtëzakonisht të dobishëm në shumë zbatime, siç do të tregohet në seksionin në vijim.
126 ELEKTRONIKA I
7.5.2 Impedanca hyrëse dhe dalëse
Impedanca hyrëse, ose rezistenca hyrëse për sinjale të vogla, e amplifikatorit me

kolektor të përbashkët caktohet në mënyrë të njëjtë si për qarkun me emiter të përbashkët.
Për qarkun nga 7.30, rezistenca hyrëse e shikuar nga baza është shënuar me Rib dhe është
paraqitur në Fig.7.30, dhe kjo rezistencë është e barabartë me
Rib  r  (1   )(ro RE )
Pasi që rryma e emiteri është (1+) herë rryma e bazës, impedanca efektive në
emiter është e shumëzuar me (1+). Efekti i njëjtë është vërejtur edhe kur është lidhur
rezistenca në emiter te qarku me emiter të përbashkët. Ky shumëzim me (1+) edhe në këtë
rast quhet rregulla e pasqyrimit të rezistencës.
Qarku në Fig.7.31 mund të shfrytëzohet për gjetjen e rezistencës dalëse të

amplifikatorit me kolektor të përbashkët i shikuar nga terminalet e daljes. Burimi i pavarur i
tensionit barazohet me zero ( vS  0 ), që do të thotë se vs vepron si lidhje e shkurtë. Në
terminalet dalëse zbatohet një tension test vx dhe rryma rezultuese është ix. Rezistenca
dalëse, Ro, është e definuar si
vx
Ro 
ix
Ro
RS B r E
+ v

- ix
gmv ro RE +
_ vx
R1 R2
C
Fig.7.31 Qarku ekuivalent i amplifikatorit me kolektor të përbashkët për llogaritjen e

rezistencës dalëse
Në këtë rast tensioni v nuk është zero, por është funksion i sinjalit vx. Gjatë kësaj analize
duhet të merret edhe burimi i varur i rrymës gmv. Nëse mblidhen rrymat në nyjën e daljes,
do të kemi
vx v vx
ix  gmv   x 
RE ro r  R1 R2 RS
Tensioni v mund të shprehet përmes tensionit vx si
 r 
v    v
 r  R R R  x
  1 2 S 
Rryma ix është
 g m r  v v vx
ix   v  x  x 
 r  R R R  x R ro r  R1 R2 RS
  1 2 S  E
Nëse rikujtohemi se gm r   , do të gjejmë
ix 1 1  1 1
    
vx Ro r  R1 R2 RS RE ro
ose
 r  R1 R2 RS 
Ro     RE ro
 1  
Ekuacioni i fundit tregon se rezistenca dalëse e shikuar nga terminalet e daljes është
rezistenca efektive në emiter, RE ro , paralel me rezistencën e emiterit shikuar nga ana e
hyrjes së qarkut. Nga ana tjetër, rezistenca nga ana e emiterit është rezistenca e tërësishme e
qarkut të bazës e pjesëtuar me (1+). Ky rezultat është shumë i rëndësishëm dhe është e
kundërta e rregullit të pasqyrimit të rezistencës shikuar nga baza.
Impedanca hyrëse e amplifikatorit me kolektor të përbashkët e shikuar nga ana e

bazës është dukshëm më e madhe se qarkut me emiter të përbashkët për shkak të faktorit
(1+). Kjo është një përparësi e qarkut me kolektor të përbashkët. Ndërkaq, në këtë rast
rezistenca hyrëse e shikuar nga burimi i sinjalit, dominohet nga rezistencat e polarizimit R1
dhe R2. Për tu siguruar rezistenca e lartë hyrëse e qarkut me kolektor të përbashkët gjatë
projektimit rezistencat e polarizimit duhet të merren me vlera sa më të mëdha.
Amplifikatori me kolektor të përbashkët ndonjëherë quhet edhe transformator i

impedancës, sepse impedanca hyrëse është e lartë, ndërsa ajo dalëse e ulët. Rezistenca
shumë e ulët dalëse bënë që ky amplifikator të sillet si një burim ideal i tensionit. Për këtë
arsye amplifikatori me kolektor të përbashkët shpesh përdoret si stad dalës i amplifikatorëve
shumë stadesh.
7.5.3 Amplifikimi i rrymës

Amplifikimi i rrymës për sinjale të vogla te amplifikatori me kolektor të përbashkët
mund të caktohet duke shfrytëzuar rezistencën hyrëse dhe konceptin e ndarësit të rrymës.
Amplifikimi i rrymës, nga Fig.7.32 është
ie
Ai 
ii
ku ie dhe ii janë rryma dalëse gjegjësisht ajo hyrëse.

128 ELEKTRONIKA I
Ri Rib Ro
RS B r E
+ + v

- io ie
vo
+ ii ib
vS _ vin ib ro RE
R1 R2
- C
Fig.7.32 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla e amplifikatorit me kolektor të përbashkët
Duke shfrytëzuar ekuacionin e ndarësit të rrymës, rryma e bazës mund të shprehet

përmes rrymës së hyrjes si
 R1 R2 
ib  
 R R  R  i
i
 1 2 ib 
Pasi që gmv   ib , atëherë
 R1 R2 
io  (1   )ib  (1   ) 
 R R  R  i
i
 1 2 ib 
Nëse rryma e ngarkesës shprehet përmes rrymës së daljes fitohet
 ro 
ie    io
 ro  RE 
Me kombinimin e dy ekuacioneve të fundit fitohet amplifikimi i rrymës për sinjale të vogla

si
ie  R1 R2   ro 
Ai   (1   ) 
 R R  R   r  R 
ii  1 2 ib   o E 
Nëse është R1 R2 Rib dhe ro RE , atëherë
Ai  (1   )
Pra, amplifikimi i rrymës te ky konfiguracion i amplifikatorit është i njëjtë me amplifikimin

e rrymës të vet transistorit.
Derisa amplifikimi i tensionit te amplifikatori me kolektor të përbashkët është më i

vogël se 1, amplifikimi i rrymës është më i madh se 1. Por, te ky qark amplifikimi i fuqisë
është i vogël.
Edhe pse te amplifikatori me emiter të përbashkët nuk është llogaritur në mënyrë

eksplicite amplifikimi i rrymës, kjo analizë është e njëjtë si te qarku me kolektor të
përbashkët dhe në përgjithësi është më lartë se 1.
7.6 AMPLIFIKATORI ME BAZË TË PËRBASHKËT
Qarku i tretë i amplifikatorit është qarku me bazë të përbashkët. Për ta caktuar

amplifikimin e tensionit dhe të rrymës si dhe rezistencës hyrëse dhe dalëse, do të
shfrytëzohet qarku i njëjtë ekuivalent me modelin hibrid- i transistorit që është shfrytëzuar
në rastet paraprake. Analiza njëkahore e qarkut me bazë të përbashkët është e njëjtë me atë
të qarkut me emiter të përbashkët.
7.6.1 Amplifikimi i rrymës dhe i tensionit për sinjale të vogla

Në Fig.7.33 është paraqitur qarku me bazë të përbashkët, ky baza është e lidhur në
masë dhe sinjali hyrës zbatohet në emiter. Ngarkesa është e lidhur në dalje të qarkut përmes
kapacitetit të kuplimit CC2.
Fig.7.33 Qarku themelor me bazë të përbashkët
Fig.7.34 (a) modeli i thjeshtuar i transistorit npn dhe (b) qarku ekuivalent për sinjale të
vogla i amplifikatorit me bazë të përbashkët
Në Fig.7.34(a) është paraqitur përsëri modeli hibrid-i transistorit npn, ku rezistenca

dalëse transistorit ro është konsideruar të jetë e pafundme. Në Fig.7.34(b) është paraqitur
qarku ekuivalent i amplifikatorit me bazë të përbashkët me modelin hibrid- të transistorit.
Për shkak të konfiguracionit me bazë të përbashkët, modeli hibrid- në qarkun ekuivalent
mund të duket pak i çuditshëm.
Tensioni dalës është
vo  ( gmv )( RC RL )
130 ELEKTRONIKA I
Nga ligji i Kirchhoff-it për rryma në nyjën e emiterit fitohet
v v vS  (v )
g mv    0
r RE RS
Pasi që gmv   ib , atëherë
1  1 1  vS
v    
 r RE RS  RS
dhe
vS  r  
v     RE RS 
RS  1    
Duke e zëvendësuar ekuacionin e fundit në shprehjen për tensionin dalës, amplifikimi i

tensionit fitohet si
vo  R R   r  
Av    g m  C L     RE RS 
vS  RS   1    
Mund të tregohet se kur RS i afrohet zeros, amplifikimi i tensionit bëhet
Av  gm ( RC RL )
Fig.7.34(b) mund të shfrytëzohet gjithashtu edhe për caktimin e amplifikimit të rrymës të

definuar si Ai  io / ii . Sipas ligjit të Kirchhoff-it për rryma në nyjën e emiterit do të kemi
v v
ii   g m v    0
r RE
Prej nga fitohet tensioni v si
 r  
v  ii    RE 
 1    
Rryma e ngarkesës është e dhënë me
 RC 
io  ( g m v )  
 RC  RL 
Duke i kombinuar dy ekuacionet e fundit, fitohet shprehja për amplifikimin e rrymës në

formën
i  RC   r  
Ai  o  g m     RE 
ii  RC  RL   1    
Nëse e marrim rastin kufitar kur RE merr vlerë të pafundme dhe RL i afrohet vlerës zero,
atëherë amplifikimi i rrymës bëhet amplifikimi i rrymës për lidhje të shkurtë i dhënë me
g m r 
Aio   
1  1 
ku është amplifikimi i rrymës së transistorit me bazë të përbashkët
Nga ekuacionet e nxjerra për amplifikimin e tensionit dhe të rrymës përfundohet se

amplifikimi i tensionit është më i madh se 1 ndërsa amplifikimi i rrymës më i vogël se 1.
Zbatimet qarkut me bazë të përbashkët kanë përparësi në karakteristikat e rezistencës
hyrëse dhe dalëse.

Në Fig.7.35 është paraqitur qarku ekuivalent i konfiguracionit me bazë të përbashkët
i shikuar nga ana e emiterit. Në këtë qark, vetëm për lehtësim të analizës, e kemi investuar
polaritetin e tensionit vi cili pastaj e ndryshon edhe kahun e burimit të varur të rrymës.
Rie
ii E C
+
ib gm v  RL
v r RC
B
-
Fig.7.35 Qarku ekuivalent për llogaritje të rezistencës hyrëse
Rezistenca hyrëse e shikuar nga emiteri është
v
Rie 
ii
Sipas ligjit të Kirchhoff-it për rryma në hyrje do të kemi
v 1  
ii  ib  g m v   g m v  v  
r  r 
prandaj
v r
Rie     re
ii 1  
132 ELEKTRONIKA I
Rezistenca e shikuar nga emiteri, me bazë të përtokëzuar, zakonisht definohet si re dhe është
mjaftë e vogël, siç është treguar te analiza e qarkut me emiter të përbashkët. Nëse sinjali
hyrës është burim i rrymës, atëherë është e dëshirueshme rezistenca e vogël hyrëse.
C Ro
RS E
- ix
RE gmv +
v r RC _ vx
+ B
Fig.7.36 Qarku ekuivalent për llogaritje të rezistencës dalëse të amplifikatorit me bazë të

përbashkët
Në Fig.7.36 është paraqitur qarku ekuivalent për llogaritjen e rezistencës dalëse.

Burimi i pavarur i tensionit vS është barazuar me zero dhe kjo implikon që v  0 . Sipas
ligjit të Kirchhoff-it për rryma në emiter gjendet
v v v
g m v    0
r RE RS i
Pasi që v  0 , rezistenca dalëse e shikuar nga terminalet e daljes është
Ro  RC
Pasi që kemi supozuar se ro ka vlerë të pafundme, rezistenca dalëse e shikuar nga

terminali i kolektorit është e pafundme, që do të thotë se qarku me bazë të përbashkët sillet
si një burim ideal i rrymës, dhe ky qark është shumë i dobishëm kur sinjali hyrës është
rrymë.
84 ELEKTRONIKA I
6. TRANSISTORI ME EFEKT TË FUSHËS – FET

6.0 HYRJE
Transistori me efektet të fushës ose FET transistori (nga anglishtja Field-Effect

Transistor) është lloji i dytë i transistorëve të rëndësishëm, me të cilët do të njihemi në këtë
kapitull. Ekzistojnë dy lloje të përgjithshme të FET-ëve: MOSFET (nga anglishtja Metal-Oxide-
Semiconductor FET) dhe JFET (Junction FET). MOSFET –i i ka parapri revolucionit të dytë në
elektronikë në vitet 1970-a dhe 1980-a, kur me zhvillimin e mikroprocesorit është mundësuar
zhvillimi i kompjuterëve personal të fuqishëm dhe të sofistifikuar. MOSFET –i mund të
prodhohet me dimensione shumë të vogla, ashtu që mund të realizohen qarqe të integruara me
dendësi shumë të lartë (VLSI).
Kapitulli do të fillojë me analizën e strukturës fizike dhe veprimit të MOSFET –it. Pastaj
do të nxjerrën karakteristikat rrymë-tension të qarkut dhe pastaj do të trajtohet dc analiza e
qarqeve me MOSFET.
6.1 STRUKTURA E MOSFET-it
Në Fig. 6.1(a) është paraqitur prerja tërthore e thjeshtuar e një MOSFET-i. Te ky

transistor kemi tri regjione: atë të gate-it (portës), të source-i (burimit) dhe të drain-it (rrjedhës),
të cilat formojnë tri terminalet dalëse të transistorit të quajtura sipas këtyre regjioneve. Rryma te
MOSFET –i është rezultat i rrjedhës së ngarkesave në regjionin e kanalit.
85
S
Metali
G
D
Source (S) Gate (G) Drain (D)
Oksidi (SiO2) Oksidi (SiO2)
Metali
(trashësia = tox)
Regjioni i
source--it
Regjioni i
kanalit
Supstrati i tipit p Supstrati i tipit p
(trupi) (trupi)
Regjioni i
kanalit
B B
Regjioni i drain-it
(a) (b)
Fig. 6.1(a) Prerja e MOSFET –it n-kanalesh; (b) MOSFET –ti n-kanalesh ku shihet trashësia e
mbushjes së e gate-it me oksid
Gjatësia e kanalit L dhe gjerësia W janë të janë të rendit 1m, që tregon për dimensionet e
transistorit. Trashësia e shtresës së oksidit, tox, është zakonisht e rendit 400 angstrem ose më e
vogël. Në Fig. 6.1(b) është paraqitur prerja më e detalizuar e MOSFET –it të fabrikuar brenda
konfiguracionit të qarkut të integruar. Edhe pse struktura aktuale e një MOSFET –i mund të jetë
dukshëm më e komplikuar, kjo paraqitje e thjeshtuar mund të shfrytëzohet për nxjerrjen e
karakteristikave themelore të transistorit.
Nëse tensioni i polarizimit të gejtit është zero, terminalet e sursit dhe drejnit janë të ndara
me regjionin p të substratit siç është paraqitur në Fig. 6.2 (a). Kjo situatë është ekuivalente me dy
dioda të lidhura në opozitë, Fig. 6.2 (b). Rryma në këtë rast është zero.
Oksidi
Supstrati
Supstratii i tipit p S D
tipit
(a) (b)
Fig. 6.2 (a) Prerja e MOSFET –it n-kanalesh pa polarizim, para formimit të shtresës inverse të
elektroneve; (b) ekuivalenti me dy dioda në opozitë në mes të sursit dhe drejnit
86 ELEKTRONIKA I
Nëse në gejt zbatohet një tension pozitiv mjaftë i lartë, në shtresën në mes të
gjysmëpërçuesit dhe oksidit formohet një shtresë inverse e elektroneve dhe kjo shtresë i ‘lidhë’
sursin e tipit n dhe drejnin e tipit n siç është paraqitur në Fig. 6.3(b). Pas formimit të kësaj shtrese
në mes të këtyre terminaleve mund të gjenerohet rryma. Pasi që bartësit në shtresën inverse janë
elektronet, kjo komponentë quhet MOSFET –i n-kanalesh.
Kur zbatohet një tension drejn-surs, ngarkesat nga terminali i sursit rrjedhin përmes
kanalit deri në drejn, që do të thotë se rryma hynë ne drejn dhe buron nga sursi. Madhësia e
rrymës është funksion i sasisë së ngarkesave në shtresën inverse të kanalit, e në anën tjetër, kjo
varet nga tensioni i zbatuar në gejt. Pasi që terminali i gejtit është i ndarë nga kanali me një
izolator të oksidit, nuk ka rrjedhje të rrymës së gejtit. Ngjashëm, pasi që kanali dhe substrati janë
të ndarë me regjionin e ngarkesave hapësinore, nuk ka as rrjedhje të rrymës nëpër substrat.
(i vogël)
vGS<VTN
iD=0
Kanali i indukuar n
Supstrati i tipit p
(trupi) Supstrati i tipit p
(a) (b)
Fig. 6.3 (a) Prerja e MOSFET –it n-kanalesh me polarizim të vogël të gejtit, para formimit të
shtresës inverse të elektroneve; (b) pas formimit të shtresës inverse të elektroneve.
Nëse tensioni i zbatuar në terminalin e gejtit është më i vogël se një tension i quajtur
tensioni i pragut VTN, nuk ka rrymë të drejnit Fig. 6.3(a). Nëse zbatohet tension në terminalin e
sursit, dhe tensioni i gejtit është më i madh se tensioni i pragut atëherë paraqitet rryma e drejnit
iD. Nëse vlerat e këtij tensioni janë të vogla, karakteristikat e transistorit janë lineare siç është
paraqitur në Fig. 6.4.
87
Fig. 6.4 Karakteristikat e MOSFET –it për vlera të vogla të tensionit vDS.
Në Fig. 6.5(a) është paraqitur situata kur vDS rritet. Me rritjen e tensionit, rënia e tensionit
nëpër oksid në afërsi të terminalit të drejnit zvogëlohet, që do të thotë se edhe dendësia e
ngarkesave inverse afër drejnit gjithashtu zvogëlohet. Kjo shkakton zvogëlimin e përçueshmërisë
së kanalit te drejni dhe zvogëlimin e pjerrtësisë së lakores së rrymës siç është paraqitur në Fig.
6.5(c).
Nëse vDS rritet deri në pikën ku diferenca e potencialit në oksid te drejni bëhet VTN,
dendësia e ngarkesave të induktuara te drejni bëhet zero (Fig. 6.5(b)). Për këtë kusht, pjerrtësia e
lakores së rrymës është zero. Mund të shkruhet
vGS  vDS  VTN
ose
vDS (sat )  vGS  VTN
ku vDS(sat) është tensioni drejn-surs që shkakton dendësi zero të ngarkesave në terminalin e

drejnit.
88 ELEKTRONIKA I
vDS > vDS(sat)
n-kanali n-kanali
Supstrati i tipit p Supstrati i tipit p
(a) (b)
Trioda Ngopja
Karakteristika lakohet Rryma shkon në ngopje

sepse reziztenca e kanalit sepse kanali puthitet me
rritet vDS. shtreën e oksidit në skaj të
drejnit, dhe vDS më nuk
ndikon në kanal.
Karakteristika e drejtë me
pjerrtësi proporcionale me
(vGS - VT)
(c)
Fig. 6.5 (a) Veprimi i MOSFET–it me rritjen e tensionit vDS; (b) për vlera të tensionit
vDS>vDS(sat) dhe (c) rryma e drejnit në funksion të tensionit vDS
Kur tensioni drejn-surs bëhet më i madh se tensioni i ngopjes, pika ku kanali ngushtohet
në tërësi lëviz kah terminali i sursit. Në këtë rast elektronet hyjnë në kanal nga sursi, udhëtojnë
nëpër kanal kah drejni, dhe pastaj në pikën ku kanali bëhet zero, injektohet në regjionin e
ngarkesave hapësinore, prej nga i tërheq fusha elektrike e kontaktit të drejnit. Të MOSFET –i
ideal rryma e drejnit është konstante në regjionin e ngopjes, siç quhet ku regjion i punës.
Nëse ndryshohet tensioni i zbatuar gejt-surs, lakorja e rrymë iD ndryshon në funksion të

vDS. Prandaj mund të gjenerohet familja e lakoreve të karakteristikave dalëse të MOSFET –it siç
është paraqitur në Fig. 6.6.
89
Regjioni i
triodës Regjioni i ngopjes
(prerjes)
Fig. 6.6 Familja e lakoreve të rrymës së drejnit te MOSFET –i n-kanalesh
Përveç MOSFET të tipit n-kanalesh ekziston edhe MOSFET –i tipit p- kanalesh, te i cili substrati
dhe terminalet e sursit dhe të drejnit janë të kundërta me atë n-kanalesh. Prandaj edhe tensionet e
polarizimit dhe kahet e rrymave janë të kundërta te ky tip i MOSFET –it. Në Fig. 6.7 janë dhënë
simbolet e këtyre dy tipave të MOSFET –ëve.
(b)
(a)
Fig. 6.7 Simbolet e MOSFET it konvencional dhe kur është baza është e lidhur me sursin: (a)
MOSFET i n-kanalesh dhe (b) MOSFET –i p-kanalesh
90 ELEKTRONIKA I
6.2 ANALIZA DC E QARQEVE ME MOSFET

Si edhe te transistorët bipolar, polarizimi i MOSFET –ëve është pjesë e rëndësishme e
projektimit të amplifikatorëve. Në qarqet e paraqitura në këtë kapitull janë shfrytëzuar rezistencat
të lidhura me transistorët MOSFET. Në qarqet reale të integruara me MOSFET, rezistencat në
përgjithësi janë të zëvendësuara me MOSFET–a tjerë, ashtu që qarku në tërësi është i kompozuar
me komponentë MOSFET.
6.2.1 Qarku me surs të përbashkët
Konfiguracioni me surs të përbashkët është ndër konfiguracionet themelore të qarqeve

me MOSFET –a. Në Fig. 6.8(a) është paraqitur një shembull i këtij tipi të qarkut me MOSFET të
tipit n-kanalesh. Terminali i sursit është i përtokësuar dhe është i përbashkët për pjesën hyrëse
dhe dalëse të qarkut. Kapaciteti i kuplimit CC vepron si qark i hapur për sinjale dc, ndërsa lidh
shkurtë tensionet ac në gejt të MOSFET –it. Qarku ekuivalent dc është paraqitur në Fig. 6.8(b).
Pasi që rryma e gejtit është zero, tensioni në gejt është dhënë me ndarësin potencial, i cili mund të
shkruhet si
 R2 
VG  VGS   VDD
 R1  R2 
CC
VG
+
vi -
(b)
Fig. 6.8(a) Qarku me N-MOSFET në konfiguracion me surs të përbashkët; (b) skema
ekuivalente për sinjale dc
Duke përvetësuar se tensioni VGS është më i madh se tensioni i pragut VTN, dhe transistori
është i polarizuar në regjionin e ngopjes, rryma e drejnit është
I D  Kn (VGS  VTN )2
91
Tensioni drejn-surs është
VDS  VDD  I D RD
Nëse VDS > VDS(sat) = VGS - VTN, atëherë transistori është i polarizuar në regjionin e ngopjes ,
ashtu siç supozuam në fillim, dhe analiza është korrekte.
Fig. 6.9 Qarku me P-MOSFET në konfiguracion me surs të përbashkët.
Në Fig. 6.79. është paraqitur qarku në konfiguracion me surs të përbashkët me MOSFET

p- kanalesh. Terminali i sursit është i lidhur në +VDD, dhe ky terminal lidhet në masë në qarkun
ekuivalent ac, prandaj është qark në konfiguracion me surs të përbashkët.
Analiza dc është e njëjtë si për qarkun me MOSFET n-kanalesh. Tensioni i gejtit është
 R2 
VG    VDD
 R1  R2 
dhe tensioni surs-gejt është
VSG  VDD  VG
Nëse supozojmë se VGS < VTP, ose VGS > VTP , dhe se transistori është i polarizuar në regjionin e
ngopjes, rryma e drejnit është e dhënë me
I D  K p (VSG  VTP )2
dhe tensioni surs-drejn është

92 ELEKTRONIKA I
VSD  VDD  I D RD
Nëse VSD > VSD (sat) = VSG + VTP, atëherë transistori është i polarizuar në regjionin e ngopjes ,
ashtu si\/ supozuam. Ndërkaq, nëse VSD < VSD (sat), transistori është i polarizuar në regjionin e
jongopjes.
6.2.2 Drejtëza e punës dhe modet e punës
Drejtëza e punës paraqet ndihmë të madhe në vizuelizimin e regjionit në të cilin është i

polarizuar MOSFET –i. Ta shqyrtojmë qarkun me surs të përbashkët të paraqitur në Fig. 6.10.
Nëse shkruajmë ekuacionin e ligjit të dytë të Kirchhoff-it për konturën drejn-surs, i cili paraqet
ekuacionin e drejtëzës së punës, shohim se ka varshmëri lineare në mes të rrymës së drejnit dhe
tensionit drejn-surs.
Fig. 6.10 Qarku me surs të përbashkët
Në Fig. 6.11 janë dhënë karakteristikat për transistorin në qarkun nga Fig. 6.8. Drejtëza e
punës është dhënë me
VDS  VDD  I D RD  5  I D (20)

93
Regjioni i
jongopjes
Pika e zhvendosjes
Pika-Q
Regjioni i ngopjes
Prerja
Fig. 6.11 Karakteristikat e transistorit, lakoret vDS(sat), drejtëza e punës dhe pika Q për qarkun në
Fig. 6.8
ose
VDD VDS 5 VDS
ID     (mA)
RD RD 20 20
dhe kjo drejtëz gjithashtu është vizatuar në figurë. Dy pikat fundore të drejtëzës së punës janë
caktuar si zakonisht: nëse I D  0 , atëherë VDS  5 V; nëse VDS  0 , atëherë
I D  5 / 20  0.25 mA. Pika Q e transistorit është e dhënë me rrymën njëkahore të drejnit dhe
tensionin drejn-surs, dhe gjithmonë gjendet në drejtëzën e punës, siç është paraqitur në figurë.
Nëse tensioni gejt-surs është më i vogël se VTN, rryma e drejnit është zero dhe transistori
është i shkyçur (prerja). Me rritjen e tensionit gejt-surs vetëm pak mbi vlerën VTN, transistori
kyçet dhe është i polarizuar në regjionin e ngopjes. Me rritjen e mëtutjeshme të VGS, pika Q lëvizë
përpjetë në drejtëzën e punës. Pika e zhvendosjes është kufiri në mes të regjionit të ngopjes dhe
jongopjes dhe është e definuar si pika ku VDS = VDS(sat) = VGS - VTN. Kur VGS rritet mbi vlerën e
pikës së zhvendosjes, transistori polarizohet në regjionin e jongopjes.
6.2.3 Amplifikatori i sinjaleve të vogla me MOSFET

MOSFET –i, i lidhur me elemente tjera në qark, mund të amplifikojë sinjale të vogla të
ndryshueshme në kohë. Në Fig. 6.12 është paraqitur amplifikatori për sinjale të vogla me
MOSFET, i cili është në konfiguracion me surs të përbashkët. Sinjali sinusoidal kyçet në gejt
përmes kondensatorit të kuplimit. Në Fig. 6.12(b) janë paraqitur karakteristikat e transistorit dhe
drejtëza e punës. Drejtëza e punës është caktuar për vi = 0.
94 ELEKTRONIKA I
Fig. 6.12 (a) Qarku me N-MOSFET me surs të përbashkët me sinjal alternativ në gejt dhe (b)
karakteristikat e transistorit, drejtëza e punës dhe sinjali sinusoidal i superponuar.
Pika e qetë e punës Q në drejtëzën e punës mund të caktohet me projektimin e herësit të

rezistencave të polarizimit R1 dhe R2. Nëse marrim se vi  Vi sin t , tensioni gejt-surs do të ketë
sinjal sinusoidal të superponuar në vlerën njëkahore të pikës së qetë. Me ndryshimin e tensionit
gejt-surs gjatë kohës, pika Q do të lëviz poshtë-lart në drejtëz, siç është paraqitur në figurë.
Pika e punës, duke lëvizur poshtë-lart në drejtëzën e punës, pasqyron ndryshimet

sinusoidale në rrymën e drejnit dhe në tensionin drejn-surs. Ndryshimet e tensionit dalës mund të
jenë më të mëdha se ndryshimet e tensionit të sinjalit hyrës, që do të thotë se sinjali hyrës është
amplifikuar. Përforcimi aktual i sinjalit varet nga parametrat e transistorit si dhe nga vlerat e
elementeve të qarkut.
6.3 TRANSISTORI FET ME KONTAKT (JFET)

Dy kategoritë e përgjithshme të transistorëve FET me kontakt (JFET) janë FET-i me
kontakt (anglisht Junction Field-Effect Transistor) dhe FET-i me metal-gjysmëpërçues
(anglisht Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor - MESFET) i cili fabrikohet me barrierë
Schottky.
Rryma te JFET-i kalon përmes regjionit gjysmëpërçues i njohur si kanali, me kontakte

omike në të dy skajet. Veprimi themelor i transistorit është modulimi i përçueshmërisë së kanalit
me një fushë elektrike perpendikulare në kanal. Pasi që fusha elektrike moduluese është e
95
induktuar në regjionin e ngarkesave hapësinore të kontaktit pn me polarizim revers, fusha është

funksion i tensionit të gejtit. Modulimi i përçueshmërisë së kanalit me tensionin e gejtit e
modulon rrymën e kanalit.
JFET-at janë zhvilluar para MOSFET –ëve, por zbatimi dhe shfrytëzimi i MOSFET –ëve
është dukshëm më i madh se i JFET-ëve. Një prej arsyeve është fakti se tensionet e zbatuara në
gejt dhe drejn të MOSFET –it kanë polaritet të njëjtë, ndërsa tensionet e zbatuara te JFET-i duhet
të kenë polaritete të kundërta. Pasi që FET-i shfrytëzohet vetëm në disa zbatime të specializuara,
shqyrtimi i tyre do të jetë i shkurtë.
6.3.1 Veprim i JFET -it
Në Fig. 6.13 është dhënë prerja tërthore e thjeshtuar e një JFET-i. Në regjionin n të kanalit
në mes të dy regjioneve p, elektronet, si bartës kryesor, rrjedhin nga terminali i sursit në drejn,
prandaj JFET –i quhet komponentë e bartësve kryesor. Dy terminalet e gejtit janë të lidhur, ashtu
që formojnë një terminal të vetëm, siç është paraqitur në Fig. 6.13.
Gate (gejti)
p+
Source (sursi) e- Drain (drejni)
e- n
e-
p+
iD
Gate (gejti)
+ +v
v - DS
- GS
Fig. 6.13 Prerja tërthore e JFET –it
Te JFET –i p-kanalesh, regjionet p dhe n janë të kundërta në krahasim me ato te

komponenti n-kanalesh, dhe vrimat rrjedhin nëpër kanal nga sursi në drejn. Kahet e rrymave dhe
polaritetet e tensioneve te JFET –i p-kanalesh janë të kundërta me ato te komponenti n-kanalesh.
Gjithashtu JFET –i p-kanalesh është në përgjithësi komponentë e frekuencave më të ulëta se
JFET –i n-kanalesh, sepse lëvizshmëria e vrimave është më e vogël se lëvizshmëria e
elektroneve.
96 ELEKTRONIKA I
vGS = 0 vGS = -V1
p+ p+
+ vDS + vDS
iD iD
p+ p+
vGS = 0 vGS = -V1

(a) (b)
vGS = -V2
iD v = 0
GS
p+
vGS = -V1
+ vDS
iD
p+
vGS = -V2
vGS = -V2 vDS

(c) (d)
Fig. 6.14 Regjionet e ngarkesës hapësinore në mes të gejtit dhe kanalit dhe karakteristikat rrymë-
tension për tension të vogël vDS dhe për: (a) tension zero në gejt, (b) tension të vogël të
polarizimit revers të gejtit, dhe (c) tensionin e gejtit për të cilin arrihet pinçofi
Në Fig. 6.14(a) është paraqitur JFET –i n-kanalesh me tension zero të aplikuar në gejt.
Nëse sursi është në potencialin e masës, dhe nëse në drejn zbatohet një tension i vogël pozitiv,
rryma e drejnit paraqitet në mes të terminaleve surs dhe drejn. Pasi që kanali vepron esencialisht
si rezistencë, karakteristika iD në funksion të vDS për vlera të vogla të vDS është përafërsisht
lineare, siç është paraqitur në Fig. 6.14(d).
Nëse në gejt të JFET –it zbatohet ndonjë tension, përçueshmëria e kanalit ndryshon. Nëse
në gejt zbatohet tension negativ, te JFET –ti n-kanalesh, kontakti pn në mes të gejtit dhe kanalit
polarizohet revers. Regjioni i ngarkesave hapësinore zgjerohet, regjioni i kanalit ngushtohet,
rezistenca e kanalit rritet , dhe pjerrtësia e lakores iD zvogëlohet (Fig. 6.14(d)). Nëse tensioni
negativ i gejtit rritet, mund të arrihet kushti i paraqitur në Fig. 6.14(c). regjioni i ngarkesave
hapësinore plotësisht e mbush regjionin e kanalit. Ky kusht është i njohur si pinçofi (anglisht
pinchoff – puthitja). Pasi që regjioni i varfëruar izolon terminalet e sursit dhe drejnit, rryma e
drejnit në pinçof është praktikisht zero.
Shqyrtojmë tani situatën në të cilën tensioni i gejtit është zero, ndërsa ndryshon tensioni i
drejnit si në Fig. 6.15(a). Me rritjen e tensionit (pozitiv), kontakti pn gejt-kanal polarizohet revers
në afërsi të terminalit të drejnit dhe regjioni i ngarkesave hapësinore zgjerohet duke u shtrirë më
tepër në kanal. Kanali vepron si rezistencë, dhe kjo rezistencë rritet me zgjerimin e gjerësisë së
kanalit, ashtu që zvogëlohet pjerrtësia e rrymës iD, siç është paraqitur në Fig. 6.15(d). Rezistenca
efektive e kanalit tani ndryshon përgjatë kanalit, dhe pasi që rryma e kanalit duhet të jetë
konstante, rënia e tensionit nëpër kanal bëhet e varur nga pozita.
97
vGS = 0 vGS = 0
p+ p+
+ vDS ++ vDS
iD iD
p+ p+
vGS = 0 vGS = 0
(a) (b)
vGS = 0
p+
iD
+++vDS
iD
p+ Regjioni i
ngopjes
vGS = 0 vDS(sat) vDS
(c) (d)
Fig. 6.15 Regjionet e ngarkesës hapësinore në mes të gejtit dhe kanalit dhe karakteristikat rrymë-
tension për tension zero të gejtit dhe për: (a) tension të vogël të drejnit, (b) tension më të lartë të
drejnit, dhe (c) tensionin e drejnit për të cilin arrihet pinçofi në terminalin e drejnit
Nëse tensioni i drejnit rritet edhe më tutje, mund të paraqitet puthitja e regjioneve të
ngarkesave hapësinore si në Fig. 6.13(c). ku kusht është i njohur si pinçofi në terminal të drejnit.
Çdo rritje e mëtutjeshme e tensionit të drejnit nuk do ta rrisë më rrymën e drejnit, siç është
paraqitur në karakteristikën iD – vDS në Fig. 6.13(d). Tensioni i drejnit në pinçof është vDS(sat).
Për vDS > vDS(sat), transistori polarizohet në regjionin e ngopjes, dhe rryma e drejnit nuk varet nga
vDS.
6.3.2 Karakteristikat rrymë-tension
Simbolet së bashku me kahet e rrymës dhe polaritetin e tensioneve për të dy llojet e JFET
–ëve janë dhënë në Fig. 6.16(a) dhe (b). Karakteristikat ideale rrymë-tension, për transistorin në
regjionin e ngopjes, mund të përshkruhen me
2
 v 
iD  I DSS 1  GS 
 VP 
ku IDSS është rryma e ngopjes kur është vGS  0 dhe VP është tensioni i pinçofit (puthitjes).
98 ELEKTRONIKA I
D S
-
iD vGS
+ + +
G vDS G vSD
+ - -
vGS
iD
- S D
(a) (b)
Fig. 6.16 Simbolet për: (a) JFET n-kanalesh dhe (b) JFET p-kanalesh
Karakteristikat rrymë-tension për JFET –in n-kanalesh dhe JFET –in p-kanalesh janë
paraqitur në Fig. 6.17(a) respektivisht Fig. 6.17(b). Duhet të theksohet se tensioni i pinçofit VP
për JFET –in n-kanalesh është negativ dhe tensioni vGS është zakonisht negativ, prandaj herësi
vGS/VP është pozitiv. Ngjashëm, tensioni VP për JFET –in p-kanalesh është pozitiv dhe tensioni
vGS duhet të jetë pozitiv, prandaj edhe herësi vGS/VP është pozitiv.
Fig. 6.17 Karakteristikat rrymë-tension për JFET –in (a) n-kanalesh; dhe (b) JFET –in p-kanalesh
8. AMPLIFIKATORËT THEMELOR ME TRANSISTOR FET 133
8. AMPLIFIKATORËT THEMELOR ME TRANSISTOR

ME EFEKT TË FUSHËS (FET)
8.0 HYRJE
Në kapitullin 6 është analizuar mënyra e veprimit të transistorit FET dhe puna
e qarqeve që përmbajnë këta komponentë, për tensione njëkahore. Në këtë kapitull do
të analizohet shfrytëzimi i transistorit FET në qarqet e amplifikatorëve linear, edhe
pse shfrytëzimi kryesor i këtyre transistorëve është në zbatimet digjitale, ata gjithashtu
shfrytëzohen edhe në qarqet e amplifikatorëve linear.
Edhe te qarqet e amplifikatorëve me transistor FET ekzistojnë tri

konfiguracione themelore: me surs të përbashkët, me drejn të përbashkët (source-
follower) dhe me gejt të përbashkët. Këto tri konfiguracione formojnë blloqet
ndërtuese për amplifikatorë më kompleks. Në vazhdim do të shqyrtohen
karakteristikat e secilit konfiguracion dhe do të tregohet se si këto veçori shfrytëzohen
në zbatime të ndryshme. Pasi që qarqet e amplifikatorëve me transistor FET në
teknikën e integruar zakonisht shfrytëzojnë MOSFET-a si ngarkesë në vend të
rezistencave për shkak të dimensioneve të tyre të vogla, këtu do të theksohen
karakteristikat e qarqeve me MOSFET.
8.1 ANALIZA GRAFIKE, DREJTËZAT E PUNËS DHE

PARAMETRAT E MODELIT PËR SINJALE TË VOGLA
Në Fig.8.1 është paraqitur një qark me NMOS me surs të përbashkët me një

burim të tensionit të ndryshueshëm kohor në seri me burimin njëkahor. Në Fig.8.2
janë paraqitur karakteristikat e transistorit, drejtëza njëkahore dhe pika e punës Q. Për
varshmëri lineare të tensionit dalës nga tensioni hyrës, transistori duhet të jetë i
polarizuar në regjionin e ngopjes.
134 ELEKTRONIKA I
Fig.8.1 Qarku me NMOS me surs të përbashkët me një burim të tensionit të

ndryshueshëm kohor në seri me burimin njëkahor
Koha
Koha
Koha
Fig.8.2 Karakteristikat e transistorit me surs të përbashkët, drejtëza njëkahore e

punës dhe ndryshimet sinusoidale të tensionit gejt-surs, rrymës së drejnit dhe
të tensionit drejn-surs
Në Fig.8.2 janë paraqitur gjithashtu variacionet sinusoidale të tensionit gejt-

surs, të rrymës së drejnit dhe të tensionit drejn-surs si rezultat i burimit sinusoidal vi.
Tensioni i tërësishëm gejt-surs është shuma e VGSQ dhe vi. Me ndryshimin e vi
ndryshon edhe vlera momentale e vGS, dhe pika e polarizimit lëviz lartë-poshtë në
drejtëzën e punës.
8.1.1 Parametrat e transistorit për sinjale të vogla
Tensioni momental gejt-surs është
vGS  VGSQ  vi  VGSQ  vgs (8.1)
ku VGSQ paraqet komponentin njëkahor, ndërsa vgs është komponenti alternativ. Rryma
momentale e drejnit është
iD  Kn (vGS  VTN )2 (8.2)
Me zëvendësimin e ekuacionit (8.1) në (8.2) fitohet
iD  Kn [VGSQ  vgs  VTN ]2  Kn [(VGSQ  VTN )  vgs ]2 (8.3)
ose
iD  Kn (VGSQ  VTN )2  2Kn (VGSQ  VTN )vgs  Knvgs2 (8.4)
Anëtari i parë në ekuacioni (8.4) është rryma njëkahore e drejnit ose rryma e
pikës së qetë të punës Q, IDQ, anëtari i dytë është komponenti i ndryshueshëm kohor i
rrymës së drejnit i cili është proporcional me tensionin vgs dhe anëtari i tretë është
proporcional me katrorin tensionit të sinjalit. Për sinjal sinusoidal hyrës, anëtari me
katror prodhon harmonikë të padëshiruar, ose shtrembërime (distorzione) jolineare në
tensionin dalës. Për t’i minimizuar këta harmonikë, kërkohet që
vgs 2(VGSQ  VTN ) (8.5)
që do të thotë se anëtari i tretë në ekuacionin (8.4) do të jetë shumë më i vogël se

anëtari i dytë. Ekuacioni (8.4) paraqet kushtin për sinjale të vogla i cili duhet të
plotësohet te amplifikatorët linear. Nëse anëtari vgs2 nuk përfillet, mund të shkruhet
iD  I DQ  id (8.6)
Përsëri, sinjali i vogël implikon varshmëri lineare, ashtu që rryma e tërësishme mund
të ndahet në komponentin njëkahor dhe atë alternativ. Komponenti alternativ i rrymës
së drejnit është i dhëne me
id  2Kn (VGSQ  VTN )vgs (8.7)
Rryma e drejnit për sinjale të vogla është e lidhur me tensionin gejt-surs

përmes transkonduktansës gm. Kjo lidhje është
id
gm   2 K n (VGSQ  VTN ) (8.8)
vgs
136 ELEKTRONIKA I
Transkonduktansa është koeficienti që lidhë rrymën dalëse dhe tensionin hyrës dhe
mund të paramendohet si përforcim i transistorit. Ky parametër mund të fitohet
gjithashtu edhe nga derivati
id
gm   2K n (VGSQ  VTN ) (8.9)
vgs vGS VGSQ const .
që mund të shkruhet si
gm  2 K n I DQ (8.10)
Siç shihet nga ekuacioni(8.8), transkonduktansa është proporcionale me

parametrin e përçueshmërisë Kn, i cili nga ana tjetër është funksion i herësit gjerësi-
gjatësi. Prandaj me rritjen e gjerësisë së transistorit rritet transkonduktansa ose
përforcimi i transistorit.
Nga Fig.8.1 shihet se tensioni dalës është
vDS  vo  VDD  iD RD (8.11)
Duke shfrytëzuar ekuacionin (8.5) fitohet
vo  VDD  ( I DQ  id ) RD  (VDD  I DQ RD )  id RD (8.12)
Tensioni dalës është gjithashtu kombinim i vlerave njëkahore dhe alternative. Sinjali i
ndryshueshëm kohor në dalje është tensioni i ndryshueshëm drejn-surs, ose
vo  vds  id RD (8.13)
Gjithashtu nga ekuacionet (8.6) dhe (8.7) kemi
ig  gmvgs (8.14)
Qarku ekuivalent alternativ i paraqitur në Fig.8.4 është zhvilluar duke i lidhur shkurtë
burimet njëkahore.
vo
id
+
+ vgS RD
vi _ -
Fig.8.4 Qarku ekuivalent alternative i amplifikatorit me surs të përbashkët me

transistor NMOS
Pasi që është fituar qarku ekuivalent alternativ, duhet të zhvillohet edhe

modeli ekuivalent i vet transistorit për sinjale të vogla. Në fillim do të supozojmë se
frekuenca e sinjalit është mjaftë e ulët ashtu që mund të neglizhohet çfarëdo kapaciteti
në terminalin e gejtit, ashtu që ai mund të konsiderohet qark i hapur ose rezistencë e
pafundme. Në Fig.8.5 është paraqitur modeli ekuivalent për sinjale të vogla i
komponentit NMOS.
D
G D
G +
id + +
vds id
+ gmvgs vds
vgs vgs
- - - -
S S
(a) (b)
Fig.8.5 (a) Transistori NMOS në konfiguracion me surs të përbashkët dhe (b) modeli
ekuivalent i tij për sinjale të vogla
Ky model ekuivalent mund të zgjerohet duke marrë parasysh rezistencën e

fundme në dalje të MOSFET-it të polarizuar në regjionin e ngopjes. Ky efekt është
pasojë e pjerrtësisë së lakores iD ndaj vDS.
Dihet se
iD  Kn [(vGS  VTN )2  (1  vDS )] (8.15)
ku λ paraqet parametrin e modulimit të gjatësisë së kanalit dhe është madhësi pozitive.

Rezistenca dalëse për sinjale të vogla është
1 i
 D (8.16)
r o vDS vGS VGSQ const .
ose
ro  [ Kn (vGS  VTN )2 ]1  [ I DQ ]1 (8.17)
Edhe kjo rezistencë është funksion i parametrave të pikës Q.
Modeli i zgjeruar i MOSFET-it n-kanalesh është paraqitur në Fig.8.6. Duhet

të theksohet se qarku ekuivalent është amplifikator i transkonduktansës sepse sinjali
në hyrje është tension, ndërsa ai në dalje është rrymë. Ky qark ekuivalent tani mund të
insertohet në qarkun ekuivalent të amplifikatorit në Fig.8.4 dhe fitohet qarku në
Fig.8.7.
138 ELEKTRONIKA I
G D
+ +
id
vgs gmvgs ro vds
- -
S
Fig.8.6 Modeli i zgjeruar i transistorit NMOS
+ +
+
_
vi vgs gmvgs ro RD vds
- -
Fig.8.7 Qarku ekuivalent i amplifikatorit me surs të përbashkët për sinjale të vogla
Nga Fig.8.7, tensioni në dalje është
vo   gmvgs (ro RD ) (8.18)
dhe pasi që vgs  vi
Amplifikimi i tensionit për sinjale të vogla është
vo
Av    g m (ro RD ) (8.19)
vi
Analiza e njëjtë dhe qarku i njëjtë zbatohet edhe te transistori MOSFET p-

kanalesh. Në Fig.8.8(a) është paraqitur qarku me PMOS, ku duhet t’i kushtohet kujdes
vendosjes së tensionit të furnizimit VDD dhe kahut të rrymave dhe polaritetit të
tensioneve, në krahasim me qarkun e amplifikatorit me NMOS. Në Fig.8.8(b) është
paraqitur qarku ekuivalent alternativ me burime të tensioneve njëkahore të lidhura
shkurtë.
VDD
vSG + vSG +
+ +
- vSD - vSD
vi + - -
_
vo + vo
+ vi _
- iD RD iD RD
(a) (b)
Fig.8.8 (a) Amplifikatori me surs të përbashkët me PMOS dhe (b) qarku gjegjës
ekuivalent për sinjale të vogla
Në qarkun në Fig.8.8(b), transistori mund të zëvendësohet me modelin

ekuivalent nga Fig.8.8.9 dhe, qarku ekuivalent përfundimtar për amplifikatorin me
MOSFET p-kanalesh është paraqitur në Fig.8.10.
G D
- id -
vsg gm vsg ro vsd
+ +
Fig.8.9 Modeli ekuivalent i PMOS-it për sinjale të vogla
G D
vo
-
+
vi _ vsg gm vsg ro RD
+
S
Fig.8.10 Qarku ekuivalent i amplifikatorit me surs të përbashkët me transistori

PMOS
Tensioni i kontrollit vsg është
vsg  vi (8.20)
dhe amplifikimi i tensionit është
vo
Av    g m (ro RD ) (8.21)
vi
Kjo shprehje për amplifikim të tensionit i amplifikatorit me MOSFET p-

kanalesh është plotësisht e njëjtë me atë të amplifikatorit me MOSFET n-kanalesh.
Shenja negative tregon se sinjali në dalje është i shfazuar për 180o me sinjalin në hyrje
për të dy qarqet.
140 ELEKTRONIKA I
8.2 KONFIGURACIONET THEMELORE TË

AMPLIFIKATORIT ME TRANSISTOR FET
Siç kemi parë, MOSFET-i është komponent me tri terminale, prandaj edhe në
këtë rast mund të formohen tri konfiguracione themelore të amplifikatorëve
njëstadesh me këta transistorë. Këto tri konfiguracione, varësisht se cili prej
terminaleve është përtokësuar, quhen me surs të përbashkët, me drejn të
përbashkët (sorce-follower) dhe me gejt të përbashkët, ngjashëm si te
amplifikatorët me transistor bipolar.
8.2.1 Amplifikatori me surs të përbashkët

Në Fig.8.11 është paraqitur konfiguracioni themelor i amplifikatorit në
konfiguracion me surs të përbashkët. Polarizimi i transistorit në regjionin e ngopjes
është siguruar me rezistencat R1 dhe R2 dhe është supozuar se frekuenca e sinjalit
është mjaftë e lartë, ashtu që kapaciteti i kuplimit mund të trajtohet si lidhje e shkurtë.
Fig.8.11 Qarku me surs të përbashkët me ndarës të tensionit dhe me kapacitet

të kuplimit
vo
vi vgs gmvgs vds
Fig.8.12 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla kur kondensatori i kuplimit është marrë
lidhje e shkurtë
Në Fig.8.12 është paraqitur qarku ekuivalent për sinjale të vogla. Pasi që sursi
është në potencial të tokës, tensioni në dalje është
(8.22)
Tensioni në hyrje gejt-surs është
(8.23)
prandaj amplifikimi i tensionit për sinjale të vogla është
(8.24)
Rryma e drejnit gjithashtu mund të lidhet me tensioni drejn-surs si vds  id RD .
Pika e zhvendosjes
1
Drejtëza njëkahore, pjerrtësia  
RD
Fig.8.13 Drejtëza njëkahore dhe pika e zhvendosjes që ndanë regjionin e ngopjes dhe
atë të jongopjes
Në Fig.8.13 është paraqitur drejtëza njëkahore e punës, pika e zhvendosjes dhe

pika e qetë e punës Q, e cila gjendet në regjionin e ngopjes. Për të siguruar tension
maksimal dalës simetrik dhe të mbahet transistori i polarizuar në regjionin e ngopjes,
pika Q duhet të vendoset në mes të regjionit të ngopjes. Në të njëjtën kohë, sinjali
hyrës duhet të jetë mjaftë i vogël që amplifikatori të mbahet linear.
142 ELEKTRONIKA I
Rezistencat hyrëse dhe dalëse mund të caktohen nga Fig.8.12. Rezistenca në

hyrje të amplifikatorit është Ri  R1 R2 . Pasi që rezistenca hyrëse për frekuenca të
ulëta në gejtin e transistorit është e pafundme, rezistenca hyrëse e qarkut është
funksion vetëm i rezistencave të polarizimit. Rezistenca dalëse, e shikuar nga
terminalet e daljes, gjendet kur burimi i pavarur i tensionit vi barazohet me zero, që do
të thotë vgs  0 . Rezistenca dalëse në atë rast është Ro  RD ro
8.2.2 Amplifikatori me surs të përbashkët rezistencë të sursit

Rezistenca në qarkun e sursit vendoset për stabilizimin e pikës së punës Q
ndaj variacioneve të parametrave të transistorit (Fig.8.14). Nëse p.sh. vlera e
parametrit të përçueshmërisë ndryshon nga një transistor në tjetrin, pika Q nuk do të
ndryshon aq shumë nëse në qark është e vendosur një rezistencë në qarkun e sursit.
Nga ana tjetër, kjo rezistencë gjithashtu do ta reduktojë amplifikimin e sinjalit. Efekti
i njëjtë është vërejtur edhe në qarqet me BJT kur është vendosur rezistenca e emiterit.
Fig.8.14 Qarku i amplifikatorit me surs të përbashkët me rezistencë të sursit dhe me

furnizim të tensionit pozitiv e negativ
Qarku në Fig.8.14 është një shembull kur substrati është i lidhur në tensionin
negativ të furnizimit, ashtu që trupi dhe substrati nuk janë në potencial të njëjtë.
Prandaj në këtë rast merret parasysh efekti i trupit të cilin ne nuk e kemi përfillur. Por
sidoqoftë, ne edhe në analizat e mëtutjeshme këtë efekt nuk do ta përfillim sepse është
shumë i vogël.
8.2.3 Amplifikatori me kapacitet të urëzimit të sursit

Për zvogëlimin e humbjeve në amplifikimin e sinjaleve të vogla, rezistenca e
sursit urëzohet me një kapacitet të urëzimit, e gjatë kësaj ruhet stabiliteti i pikës Q,
sepse për sinjale njëkahore ky kapacitet paraqet qark të hapur. Stabiliteti i pikës Q
mund të rritet edhe më shumë nëse rezistenca e sursit zëvendësohet me një burim të
rrymës konstante, siç është paraqitur në Fig.8.15. Nëse supozohet se frekuenca e
sinjalit është mjaftë e lartë ashtu që kapaciteti të veprojë si lidhje e shkurtë, sursi i
transistorit do të mbahet në potencial të masës.
Fig.8.15 Amplifikatori me surs të përbashkët me kapacitet të urëzimit të rezistencës së

sursit
8.3 AMPLIFIKATORI NË KONFIGURACION ME DREJN TË

PËRBASHKËT
Tipi i dytë i amplifikatorit me MOSFET që do të analizohet është qarku me
drejn të përbashkët. Një shembull i këtij qarku është paraqitur në Fig.8.16. Siç po
shihet nga figura, sinjali dalës merret nga sursi në krahasim me masën dhe drejni i
transistorit është i lidhur drejtë në burimin e furnizimit VDD. Pasi që VDD lidhet
shkurtë në masë në qarkun ekuivalent alternativ, kemi drejnin e përtokëzuar, prej nga
edhe emërtohet qarku. Emri më i shpeshtë i këtij konfiguracioni është surs follover
(source follower), sepse i përgjigjet karakteristikave të qarkut, siç do të shihet në
vazhdim.
144 ELEKTRONIKA I
Fig.8.16 Amplifikatori me drejn të përbashkët
8.3.1 Amplifikimi i tensionit për sinjale të vogla

Analiza njëkahore e qarkut është plotësisht e njëjtë si në rastin paraprak,
prandaj do të ndalemi vetëm në analizën e sinjaleve të vogla alternative. Qarku
ekuivalent i sinjaleve të vogla, me supozimin se kapaciteti i kuplimit vepron si lidhje
e shkurtë, është paraqitur në Fig.8.17(a). Drejni është në potencialin e masës, dhe
rezistenca e transistorit ro është paralel me burimin e varur të rrymës. Në Fig.8.17(b)
është qarku i njëjtë ekuivalent, por me masat e lidhura ne një pikë të përbashkët.
vin
vin
vgs gmvgs vgs vo
vi vo vi gmvgs
(a) (b)
Fig.8.17 (a) Qarku ekuivalent për sinjale të vogla i amplifikatorit me NMOS dhe
(b) qarku i njëjtë ku të gjitha masat e sinjaleve janë të lidhura në një pikë të
përbashkët
Tensioni në dalje është
(8.25)
Nëse shkruajmë ligjin e dytë të Kirchhoff-it prej hyrjes në dalje do të fitojmë
(8.26)
Prandaj, tensioni gejt-surs është
Ekuacioni i fundit është shkruar në formën e ekuacionit të një ndarësi të tensionit, në

të cilin komponenti nga terminalet gejt-surs shikohet si një rezistencë me vlerë 1/gm.
Tensioni vin i shprehur përmes tensionit të burimit në hyrje është
(8.27)
ku Ri  R1 R2 paraqet rezistencën hyrëse të amplifikatorit.
Në bazë të ekuacioneve të shtruara më lartë, amplifikimi i tensionit për sinjale

të vogla është
(8.28)
ose
(8.29)
ku përsëri amplifikimi është paraqitur në formë të ekuacionit të ndarësit të tensionit.

Nëse vrojtohet me kujdes ekuacioni i fundit, shihet se madhësia e amplifikimit të
tensionit është gjithmonë më e vogël se një. Ky rezultat është konsistent me rezultatet
e qarkut të amplifikatorit me kolektor të përbashkët me BJT.
146 ELEKTRONIKA I

Rezistenca hyrëse, ashtu siç është definuar në Fig.8.17(b), është në esencë,
rezistenca ekuivalente e Thevenin-it e rezistencave të polarizimit. Edhe pse rezistenca
hyrëse në gejt të MOSFET-it është e pafundme, rezistencat e polarizimit të hyrjes
shkaktojnë efekt në ngarkesë. Efekti i njëjtë është vërejtur edhe te qarku me surs të
përbashkët.
Për ta llogaritur rezistencën e daljes, burimi i pavarur i sinjalit barazohet me

zero, zbatohet një tension testues në terminalet e daljes dhe matet rryma testuese. Në
Fig.8.18 është paraqitur qarku për llogaritjen e rezistencës dalëse të amplifikatorit me
drejn të përbashkët nga Fig.8.16. Vendosim vi  0 dhe zbatojmë një tension testues
vx. Pasi që nuk ka kapacitete në qark, impedanca dalëse është thjeshtë një rezistencë
dalëse e definuar si
(8.30)
vgs
ix
gmvgs vx
Fig.8.18 Qarku ekuivalent për caktimin e rezistencës dalëse
Duke shkruar shkruar ligjin e parë të Kirchhoff-it terminalin e sursit në dalje do të

fitojmë
(8.31)
Pasi që në pjesë hyrëse të qarkut nuk ka rrymë, shihet se është vgs  vx , prandaj do të
kemi
(8.32)
Ose
(8.33)
Rezistenca dalëse e amplifikatorit është atëherë
(8.34)
Nga Fig.8.18 mund shihet se rezistenca dalëse e komponentit është 1/gm, ashtu që
ekuacioni i rezistencës së qarkut ka mund të shkruhet drejtpërsëdrejti. Ky rezultat do
të thotë gjithashtu se rezistenca e shikuar nga terminali i sursit (nëse nuk përfillet ro)
është 1/gm, siç u theksua edhe më parë.
8.4 AMPLIFIKATORI NË KONFIGURACION ME GEJT TË

PËRBASHKËT
Konfiguracioni i tretë i amplifikatorit është qarku me gejt të përbashkët. Për

caktimin e amplifikimit të tensionit, rrymës dhe impedancave hyrëse dhe dalëse do të
shfrytëzohet qarku i njëjtë ekuivalent i sinjaleve të vogla i cili është shfrytëzuar edhe
më parë. Analiza njëkahore e qarkut me gejt të përbashkët është plotësisht e njëjtë me
atë të qarqeve paraprake me MOSFET.
8.4.1 Amplifikimi i tensionit dhe amplifikimi i rrymës për sinjale të

vogla
Në konfiguracionin me gejt të përbashkët, sinjali hyrës zbatohet në terminalin
e sursit dhe gejti është i lidhur në masë. Qarku me gejt të përbashkët që është
paraqitur në Fig.8.19 është polarizuar me burim të rrymës konstante IQ. Rezistenca e
gejtit RG parandalon grumbullimin e ngarkesës statike në terminalin e gejtit, dhe
kapaciteti CG siguron lidhjen e gejtit në potencial të masës. Kapaciteti i kuplimit CC1
lidh sinjalin në surs, ndërsa kapaciteti i kuplimit CC2 lidhe tensionin e daljes në
rezistencën e ngarkesë RL.
Fig.8.19 Amplifikatori në konfiguracion me gejt të përbashkët

148 ELEKTRONIKA I
Qarku ekuivalent për sinjale të vogla është paraqitur në Fig.8.20. Rezistenca e

transistorit për sinjale të vogla ro është supozuar të jetë e pafundme. Tensioni dalës
është
(8.35)
gmvgs
vo
vgs
vi
Fig.8.20 Qarku ekuivalent për sinjale të vogla i amplifikatorit me gejt të përbashkët
Duke shkruar ekuacionin e ligjit të dytë të Kirchhoff-it në hyrje do të fitojmë
(8.36)
ku vi  ii RSi  vgs . Tensioni gejt-surs, atëherë mund të shkruhet si
(8.37)
Amplifikimi i tensionit për sinjale të vogla, gjendet si
(8.38)
Pasi që amplifikimi i tensionit është pozitiv, sinjalet hyrëse dhe dalëse janë në fazë.
gmvgs
ii vgs io
Fig.8.21 Qarku ekuivalent i amplifikatorit me gejt të përbashkët me burim ekuivalent

të Norton-it
Në shumë raste, sinjali në hyrje të qarkut me gejt të përbashkët, është rrymë.

Në Fig.8.21 është paraqitur qarku ekuivalent për sinjale të vogla i amplifikatorit me
gejt të përbashkët me burim ekuivalent të Norton-it si burim të sinjalit. Prandaj në
këtë rast mund të llogaritet edhe amplifikimi i rrymës. Rryma në dalje mund të
shkruhet si
(8.39)
Në hyrje do të kemi
(8.40)
ose
(8.41)
Amplifikimi i rrymës në këtë rast është
(8.42)
Mund të ceket se, nëse është RD  RL dhe gm RSi  1 , atëherë amplifikimi i

rrymës është në esencë një sikur që ishte edhe te qarku me transistor bipolar me bazë
të përbashkët.

Për dallim nga amplifikatorët me surs të përbashkët dhe me drejn të
përbashkët, qarku me gejt të përbashkët ka rezistencë të ultë hyrëse për shkak të
transistorit. Ndërkaq, nëse sinjali hyrëse është rrymë, impedanca e ulët hyrëse është
një përparësi. Rezistenca hyrëse është e definuar si
(8.43)
Pasi që është ii   gm vgs , rezistenca hyrëse është
(8.44)
Ky rezultat ishte fituar edhe më parë.
Rezistenca dalëse mund të gjendet kur tensioni i sinjalit hyrës barazohet me

zero. Nga Fig.8.20 mund të shihet se vgs   g m vgs RSi , që do të thotë se vgs  0 .
Rezistenca dalëse, e shikuar nga ana e rezistencës e ngarkesës, pra është
(8.45)
180
9. QARQET AMPLIFIKUESE ME SHUMË STADE
9.0 HYRJE
Në shumicën e rasteve në zbatimet praktike, amplifikatori me një transistor të vetëm nuk
mund t’i plotësojë specifikat e kombinuara të faktorit të dhënë të amplifikimit, rezistencës
hyrëse dhe rezistencës dalëse, dhe të gjërësisë së brezit frekuencor. Për shembull, mund të
ndodhë që amplifikimi i kërkuar i tensionit nuk mund të fitohet me qark me një transistor të tipit
JBT ose MOSFET, pa marrë parasysh faktorin e amplifikimit të transistorit aktual. Prandaj më
shumë qarqe të amplifikatorëve me një transistor mund të lidhen në seri ose kaskadë, siç është
paraqitur në Fig.9.1. në këtë konfiguracion dalja e stadit të parë është lidhur si hyrje për stadin e
dytë, dalja e stadit të dytë është hyrja e stadit të tretë. Ndërlidhja e këtillë mund të realizohet me
numër më të madh të stadeve derisa nuk të sigurohet amplifikimi i dëshiruar në zbatime të
caktuara. Kjo bëhet ose për ta rritur amplifikimin e gjithmbarshëm të tensionit, ose për të
siguruar amplifikim të tensionit më të lartë se 1 me një rezistencë shumë të ulët dalëse, ose për të
siguruar reziztencë të madhe në hyrje. Amplifikimi i tërësishëm i tensionit ose rrymës nuk është
thjeshtë produkti i faktorëve individual të amplifikimit. Për shembull amplifikimi i stadit 1 është
funksion i rezistencës hyrëse të stadit 2. Me fjalë të tjera, efektet e ngarkesës duhet të merren
parasysh.
+ +
Stadi 1 Stadi 2 Stadi 3 v
vs
AV1 AV2 AV3
- -o
Ri1 Ro1 Ri2 Ro2 Ri3 Ro3
Fig.9.1 Amplifikatori i përgjithësuar me shumë stade
Amplifikimi i tërësishëm i tensionit i amplifikatorit me shumë stade, nëse nuk përfillen

efektet e ngarkesës, është prodhimi i amplifikimit të stadeve individuale
181
9. Qarqet amplifikuese me shumë stade
Av  Av1  Av 2  Av3
Reziatenca hyrëse është rezizstenca e stadit të parë
Ri  Ri1
Rezistenca dalëse e stadit të parë është rezistenca hyrëse për stadin e dytë, nërsa rezzistenca
dalëse e amplifikatorit është rezistenca dalëse e stadit t fundit
Ro  Ro3
Edhepse ka shumë lloje të amplifikatorëve me shumë stade, ne do të analozojmë vetëm disa
amplifikatorë më tipik që shrytëzohen më së shpeshti edhe në qarqet e inegruara.
11.1 AMPLIFIKATORËT NË KASKADË

Kur amplifikimi i kërkuar nga një amplifikator e tejkalon amplifikimin e mundur të një
transistori të vetëm, dy ose më shumë transistorë mund të lidhen në kaskadë. Kjo do të thotë se
një pjesë e daljes së stadit të parë shfrytëzohet si hyrje e stadit të dytë e kështu me radhë. Lidhja
në kaskadë e dy amplifikatorëve me emiter të përbashkët është paraqitur në Fig. 9.2. Natyrisht
që në kaskadë mund të lidhen edhe amplifikatorë të tipave të ndryshëm (për shembull çifti me
emiter të përbashkët dhe me kolektor të përbashkët).
VCC
Rc1 Cc2 Rc2 Cc3
Cc1
iL
T1 T2
RB1 RB2
RL
ri
ii VBB1 Re1 Re2
Ce1 VBB2 Ce2
Fig.9.2 Amplifikatori kaskadik me emiter të përbashkët
Me anë të analizës njëkahore nga kapitulli 4, mund të tregohet se transistorët janë të

polarizuar në brezin aktiv të punës. Në Fig.9.3 është paraqitur qarku ekuivalent për sinjale të
vogla, ku të gjitha kapacitetet janë marrë si lidhje e shkurtë, kapacitetet parazitare të
transistorëve si qark i hapur dhe rezistenca dalëse e transistorit ro e pafundme.
182
R’B1 R’B2
B1 C1 B2 C2
T1
ib1 ib2 iL
gm1v gm2v
r r RL
ri Rc1
RB2 Rc2
ii RB1
E1 E2
Fig. 9.3 Skema ekuivalente për sinjale të vogla e konfiguracionit në kaskadë
Amplifikimi i tërësishëm i rrymës, Ai  iL / ii , mund të llogaritet me zbatimin suksesiv të

parimit të ndarjes së rrymës. Nëse kihet parasysh se hie=r, hfe=gmrdhe raportet në mes të
rezistencave
hie1  RB1 ri  RB' 1

hie 2  Rc1 RB 2  RB' 2 (9.1)
RL  Rc1
atëherë, amplifikimi maksimal i rrymës fitohet kur të plotësohet kushti (9.1). Për këtë rast
i L  i L  ib 2  ib1 
Ai        (h fe 2 )(h fe1 )(1)  h fe1h fe 2 (9.2)
ii  ib 2  ib1  ii 
Për N stade identike në të lidhura në kaskadë, amplifikimi maksimal teorik i rrymës do të jetë
  h fe 
iL N
Ai  (9.3)
ii
Nga Fig.9.3 mund shihet se amplifikimi aktual i rrymës është
iL  iL  ib 2  ib1 
Ai       
ii  ib 2  ib1  ii 
 h fe 2 Rc 2  h fe1 R 'B 2  RB' 1  (9.4)
   ' 
 c2
R  R L  R ' B2  hie 2  B1
R  hie1 
Inekuacionet (9.1) nuk plotësohen gjithmonë, prandaj amplifikimi i rrymës i dhënë me

shprehjen (9.4) është shpesh dukshëm më i vogël se maksimumi teorik.
Rezistenca hyrëse e e tërë amplifikatorit është rezistenca hyrëse e stadit të parë, e që në

këtë rast është e barabartë me
183
Ri  Ri1  RB1 r 1
Rezistenca dalëse është e barabartë me reziztencën dalëse të stadit të fundit, pra stadit të dytë,
dhe në këtë rast është
Ro  Ro 2  RC 2
9.2 AMPLIFIKATORËT KASKODIK

Te amplifikatori kaskodik, i cili është paraqitur në Fig.9.4, stadi me emiter të përbashkët
përcjellët me një stad me bazë të përbashkët. Ky konfiguracion ka disa karakteristika të
dëshirueshme në frekuencat e larta. Në këtë konfiguracion ngarkesa në stadin me emiter të
përbashkët, i cili e siguron amplifikimin, është stadi me bazë të përbashkët, i cili ka impedancë
shumë të ulët hyrëse siq e kemi theksuar në kapitullin 7. Kësisoj efekti i kapaciteteve parazitare
të shprehuar përmes efektit të Miller-it në masë të konsiderueshme reduktohet. Ky konfiguracion
është i përshtatshëm për teknikat e integruara të realizimit të qarqeve dhe përdoret shumë
shpesh nga ana e projektuesve.
VCC
R3 RL
iC2 +
vL
T2 -
I2
Cb R2
Rc
iC1
T1
ii R1 Re Ce
Fig.9.4 Amplifikatori kaskodik
Në Fig.9.5 është paraqitur qarku ekuivalent për sinjale të vogla, me parametra h, sepse
për analizë të këtij konfiguracioni është më përshtatshëm.
184
B1 C1 Rc E2 C2
T1
ie2 +
ib1
R1 R2 hie1 RL vL
hfe1ib1 hib2
ii hfb2ie2
-
E1 B2
Fig.9.5 Qarku ekuivalente për sinjale të vogla
Te ky konfiguracion i amplifikatorit në zbatimet e rëndomta nuk është me rëndësi as

amplifikimi i tensionit as ai i rrymës, por amplifikimi përcjellës (transfer gain) i cili definohet si
AT  vL / vi . Gjithmonë duhet pasur parasysh se hie = rdhehfe = gmrNga figura mund të
gjendet
vL  vL  ie 2  ib1   R1 R2 
AT        h fb 2 RL (h fe1 ) 
 (9.5)
ii  ie 2  ib1  ii  h
 ie1  R1 R2 
Kur të plotësohet kushti hie1  R1 R 2 amplifikimi përcjellës i amplifikatorit bëhet
AT  h fe1RL (9.6)
Kësisoj amplifikimi i këtij qarku është përafërsisht i njëjtë me amplifikimin e një stadi
me emiter të përbashkët. Përparësia e konfiguracionit kaskodik vjen në shprehje në frekuenca të
larta, ku kapaciteti i pranishëm në mes të bazës dhe kolektorit dukshëm e redukton amplifikimin.
Zbatimi i lidhjes kaskodik dukshëm e redukton efektin e këtij kapaciteti dhe si rezultat fitohet
një amplifikator me brez më të gjerë dhe me amplifikim më të lartë se ai me një stadë të vetë me
emiter të përbashkët.
9.3 KONFIGURACIONI I DARLINGTON-IT

Në këtë konfiguracion të amplifikatorit N transistorë lidhen asisoj që qarku rezultues të
sillet si një transistor i vetëm, amplifikimi i rrymës tek i cili i afrohet vlerës h feN . Ky qark shpesh
përdoret te amplifikatorët e integruar me lidhje të drejtpërdrejtë.
185
VCC
R2 Rc Cc
iB1
iC1
iC2
iL
T1
iE1=iB2 T2
R1 iE2
RL
ii
Re
Ce
Zi
Fig.9.6 Amplifikatori i Darlington-it
Në Fig.9.6 është paraqitur një amplifikator i këtillë me dy stade. Puna e këtij

amplifikatori mund të shpjegohet si në vijim: rritja e rrymës në hyrje ii shkakton rritjen e rrymës
së bazës iB1. Rryma e emiterit iE1( = iB2) rritet, dhe si rezultat ka rritjen e rrymës iE2 (dhe iC2)
përafërsisht për hfe1hfe2. Nëse rezistenca e ngarkesës RL është shumë më e vogël se RC, atëherë
amplifikimi i rrymës është përafërsisht hfe1hfe2.
Qarku ekuivalent për sinjale të vogla për amplifikatorin e Darlington-it fitohet duke bërë
pasqyrimin e qarkut të bazës së T1 në qarkun e emiterit, dhe qarkun e emiterit të T2 në qarkun e
bazës, siç është paraqitur në Fig.9.7, Fig.9.8 dhe Fig.9.9.
RB  R1 R2 B1 E1 B2 C1
ib1 hie1 iL
hfe1ib1
RB hie2 hfe2ib2
ib2 Rc RL
ii
E2

186
B2 C1 C2 B2 C1 C2
hfe1ib1 ib2
hie2
ib2
hfe2ib2 hie2 hfe1ib1 hfe1ib1 hfe2ib2
E2 E2
Fig.9.8 Pasqyrimi i qarkut të emiterit të T2 në qarkun e bazës së tij
B1 hib1 E1= B2 C1 C2
iL
(1  h fe1 )ib1  ib 2 (1  h fe1 )ib1  ib 2
RB ib2
hie2 RL
(h fe1  1)ii (h fe1  1) hfe2ib2 Rc
E2
Fig.9.9 Qarku ekuivalent i amplifikatorit të Darlington-it
Amplifikimi i rrymës i këtij amplifikatori i llogaritur nga Fig.1.9 është
iL  iL  ib 2 
Ai      
ii  ib 2  ibi 
 Rc   RB  (9.7)
   fe 2 
( h ) 
 Rc  RL   RB / h f e1  hib1  hie 2 
hie1 h
ku hib1   ie1 (9.8)
1  h fe1 h fe1
Rrymat e emiterëve janë
ie 2  h fe 2ib 2  h fe 2ie1 (9.9)
Prandaj
hie 2  hib1 (9.10)
Amplifikimi i rrymës pra është
iL  Rc  RB 
Ai   h fe1h fe 2    (9.11)
ii  Rc  RL  1  2hie1RB 
187
Nëse rezistenca e kolektorit RC është shumë më e madhe se rezistenca e ngarkesës RL dhe

nëse RB është shumë më e madhe se 2hie, RL  Re , hie1  RB , atëherë mund të fitohet
amplifikimi maksimal i rrymës i cili është
iL
Ai   h fe1h fe 2 (9.12)
ii
dhe ky shpesh nuk mund të arrihet në praktikë për shkak dobësimit si rezultat i vlerave praktike
të RB (dobësimi i shkaktuar RC është zakonisht i vogël). Nëse N stade lidhen në konfiguracion të
këtillë, amplifikimi i rrymës do të jetë përafërsisht i barabartë me
iL
Ai   h feN
ii
Konfiguracioni i Darlington-it mund të thuhet se është një amplifikator me emiter të

përbashkët të cilit i paraprinë një emitter-follower (konfiguracioni me kolektor të përbashkët),
prandaj impedanca hyrëse e shikuar nga baza e T1 është
Z i  hie1  h fe1hie 2  2hie1 (9.13)
9.4 AMPLIFIKATORI DIFERNCIAL

Konfiguracioni i amplifikatorit diferencial është jashtëzakonisht i rëndësishëm sepse ai
shfrytëzohet si bllok themelor i ndërtimit të shumë amplifikatorëve linear në qarqe të integruara.
Amplifikatori themelor diferencial është paraqitur në Fig.9.10. Më poshtë do të tregohet se
rryma e ngarkesës (edhe tensioni i ngarkesës pra) është proporcionale me diferencën në mes të
dy sinjaleve hyrëse. Qarku do të analizohet në fillim me supozimin se ekziston simetria e plotë,
do të thotë se transistorët dhe qarqet e jashtme të bazave janë identike.
+VCC
Rc Rc Cc
iB1
T1 T2
iL +
iE1 iE2
RL vL
i1 Rb i2
Rb
Re
-
-VEE
Fig.9.10 Amplifikatori themelor diferencial
Dobishmëria e amplifikatorit diferencial qëndron në veprimin e këtij amplifikatori kur në

te zbatohen sinjale të vogla. Prandaj për ta analizuar këtë, është nxjerrë qarku ekuivalent i
188
paraqitur në Fig.9.11, ku është kryer pasqyrimi i burimeve në qarkun e emiterit. Për ta shpjeguar
punën e qarkut, ai do të analizohet duke shfrytëzuar teknikën e cila e thekson faktin se dalja e
amplifikatorit është përafërsisht proporcionale me diferencën e rrymave i2– i1, dhe prej nga
mund derivohen kushtet për projektim optimal të amplifikatorit diferencial.
B1 hib1 E1 E2 hib2 B2 ic 2  hfb 2 ie 2  ie 2 C2

iL
ie1 ie2
hfe1 i1
Rb Re Rb Rc R L
hfe1 hfe 2 hfe2 i2
Fig.9.11 Skema ekuivalente për sinjale të vogla
Analizën do ta fillojmë duke shprehur rrymat hyrëse përmes komponentëve të modit të

përbashkët dhe të modit diferencial.
i
i i
2 2
i1 i0 i2
Fig.9.12 Zbërthimi i rrymave hyrëse
Interpretimi grafik i këtij procesi është paraqitur në Fig.9.12, prej nga rrymat i1 dhe i2
mund të shprehen si
i
i 2  i0  (9.14)
2
dhe
i
i1  i0  (9.15)
2
Ku
i  i2  i1 (9.16)
dhe
i1  i2
i0  (9.17)
2
Ekuacionet (9.16) dhe (9.17) si dhe Fig.9.12 ilustrojnë faktin se i1 dhe i2 mund të paraqiten
përmes rrymës mesatare i0, e cila quhet rryma e modit të përbashkët, dhe rrymës së diferencës
i, e cila quhet rryma e modit diferencial.
189
Nëse në Fig.9.11, burimet e rrymës hfe1i1 dhe hfe2i2 shndërrohen në burime të tensionit
dhe rrymat i1 dhe i2 shprehen përmes i0 dhe i. Fig.9.1 mund të rregullohet si në Fig.9.13.
Qarku është më tej i thjeshtuar duke supozuar se transistorët T1 dhe T2 janë identik prandaj
h fe1  h fe 2 . Transistorët parapolarizohen ashtu që t’i kenë rrymat e emiterëve të njëjta, prandaj
vlen hib1  hib 2 .
Qarku i emiterit në Fig.9.13 është plotësisht simetrik, përveç rrymave hyrëse. Prandaj
nëse vendosim i1  i2  i0 atëherë i  0 dhe burimet hyrëse janë të barabarta.
Rb Rb
 i 
h fe hib hib h fe Rb  i0  
B1 E1 E2 B2  2 C2
iL
ie1 ie2
+ +
Re - Rc RL
-  i 
Rb  i0   ie 2
 2
Fig.9.13 Qarku ekuivalent i thjeshtuar i amplifikatorit diferencial
Për shkak të simetrisë së qarkut vlenë ie1  ie 2 . Ngjashëm, nëse i2  i1 , atëherë
i / 2  i2 dhe i0  0 . Për këtë kusht rrymat e emiterëve janë të barabarta, ie 2  ie1 . Duke
shfrytëzuar këto dy kushte dhe metodën e superponimit, do ta gjejmë rrymën ie2 dhe njëherazi
edhe iL. Kjo do të bëhet duke llogaritur së pari rrymën e emiterit të shkaktuar nga rryma e modit
të përbashkët i0, e pastaj po këtë rrymë të shkaktuar nga rryma e modit diferencial i. Rryma
totale e emiterit, sipas metodës së superponimit, është ie2  ie 2c  ie 2d , ku anëtari ie2c është për
shkak të rrymës i0, ndërsa anëtari ie2d është për shkak të rrymës i.
Rb Rb
Rb
h fe B1 hib E1 E2 hib B2 h fe hib h fe
ie1c =ie2c ie2c ie2c

+ + + + +
Ri ve Rb i0 ve Rb i0
- b0 Re - 2Re -
- -
(a) (b)
Fig.9.14 Qarku ekuivalent për llogaritjen e komponentit të rrymës së emiterit ie2c
Qarku i paraqitur në Fig.9.14.(a) shfrytëzohet për llogaritjen e komponentit ie2c të

shkaktuar nga rryma e modit të përbashkët i0, kur rryma diferenciale është Δi = 0. Për shkak të
simetrisë së qarkut do të kemi ie1c  ie 2c , dhe rënia e tensionit në rezistencën Re është
ve  Re (2ie 2c ) (9.18)
190
Për ta llogaritur rrymën ie2c, qarku mund të reduktohet në qarkun e paraqitur në Fig.9.14.(b),
dhe rryma e emiterit për mod të përbashkët është
Rbi0
ie 2c  (9.19)
2 Re  hib  Rb / h fe
Për komponentin e rrymës diferenciale Δi, komponenti i përbashkët është i0  0 , qarku

ekuivalent është paraqitur në Fig.9.15.(a). Pasi që është ie1d  ie 2d , rënia e tensionit në
rezistencën Re është
ve  Re (ie 2d  ie1d )  0 (9.20)
Rb Rb
Rb
hfe B1 hib E1 E2 hib B2 hfe hib hfe
ie1d= -ie2d ie2d ie2d

+ i
v+ i + ve +
+ i
R
R e Re Rb
- b 2 - 2 - - - b 2
(a) (b)
Fig.9.15 Qarku ekuivalent për llogaritjen e komponentit të rrymës së emiterit ie2d
Prandaj Re mund të zëvendësohet me lidhje të shkurtë dhe qarku i reduktuar ekuivalent

është paraqitur në Fig.9.15.(b). Rryma e modit diferencial është
Rb i
ie 2 d  (9.21)
2(hib  Rb / h fe )
Rryma e tërësishme e emiterit gjendet duke mbledhur rezultatet e (9.20) dhe (9.21).
Rb i0 Rb i
ie 2  ie 2c  ie 2d   (9.22)
2Re  hib  Rb / h fe 2(hib  Rb / h fe )
Rryma e ngarkesës iL mund të llogaritet tani nga qarku dalës i paraqitur në Fig.9.13,
prandaj
 Rc   Rc  Rb 
iL  ie 2      i0 
Rc  RL  Rc  RL   2 Re  hib  Rb / h fe 
  (9.23)
Rb
 i
 2(h  R / h ) 
 ib b fe 
Amplifikimi i rrymës mund të definohet në dy pjesë: si amplifikimi i rrymës për modin e

përbashkët Ac për shkak të i0 , që është
191
  Rc   Rb 
Ac      (9.24)
 Rc  RL   2 Re  hib  Rb / h fe 
dhe amplifikimi i rrymës për modin diferencial Ad për shkak të i
  Rc  Rb 
Ad      (9.25)
 Rc  RL   2(hib  Rb / h fe ) 
Prandaj rryma e ngarkesës është
iL  Ac i0  Ad i (9.26)
11.4.1 Herësi i shtypjes së komponentit të përbashkët

Te amplifikatori diferencial ideal, rryma e ngarkesës është proporcionale me Δi, dhe nuk
varet nga rryma e modit të përbashkët i0. Prandaj, te një amplifikator diferencial ideal Ac  0 .
Ky kusht nuk mund të realizohet në praktikë, sepse për ta bërë Ac  0 , Re duhet të jetë pakufi
( Re   ). Për ta vlerësuar shmangien e amlifikatorit riferencial real nga ideali përdoret një
madhësi që quhet herësi i shtypjes (ndrydhjes) së modit të përbashkët (anglisht Common
Mode Rejection Ratio) i cili shënohet me CMRR. Herësi i shtypjes së modit të përbashkët
definohet si herësi në mes të amplifikimit të modit diferencial dhe amplifikimit të modit të
përbashkët
Ad 2 Re  hib  Rb / h fe
CMRR   (9.27)
Ac 2(hib  Rb / h fe )
Në praktikë, zakonisht plotësohet kushti
Rb
2 Re   hib (9.28)
h fe
prandaj
Re
CMRR  (9.29)
hib  Rb / h fe
Për ta ilustruar rëndësinë e madhësisë CMRR po shqyrtojmë rastin kur i2  10.5 µA dhe
i1  9.5 µA. Atëherë i0  10 µA dhe i  1 µA. Rryma e ngarkesës është
192
 A i   10 
iL  Ad i 1  d 0   Ad i 1   (9.30)
 Ac i   CMRR 
Për të qenë rryma e ngarkesës proporcionale me i, CMRR duhet të jetë shumë më i madh se
10. Në përgjithësi, CMRR duhet të zgjedhet asisoj që të jetë
i0
CMRR (9.31)
i
nëse duam që rryma e ngarkesës të jetë proporcionale mei.

193
10. Amplifikatori operacional
10. APLIFIKATORI OPERACIONAL
10.1. HYRJE
Emërtimi amplifikator operacional (AO) fillimisht është përdorë për një amplifikator i cili
me lehtësi mund të modifikohet nga elementet e jashtme të qarkut për kryerjen e operacioneve
matematikore (mbledhja, zbritja, integrimi, diferencimi, etj.) te zbatimet e kompjuterëve analog.
Megjithatë, me përparimin e teknologjisë së gjysmëpërçuesëve, amplifikatorët operacional janë bërë
shumë të besueshëm, të miniatizuar, stabil ndaj ndryshimeve të temperaturës, dhe me performanca
të parashikueshme; sot ata trajtohen si blloqe themelore për ndërtimin e amplifikatorëve, filtrave
aktiv, gjeneratorëve të funksioneve dhe qarqeve komutuese. Simboli i AO është paraqitur në
Fig.10.1(a).
Fig.10.1 Simboli i AO
Amplifikatori operacional është qark elektronik që amplifikon diferencën në mes të dy

sinjaleve të hyrjes ( 𝑣𝑑 = 𝑣1 − 𝑣2 ) duke siguruar amplifikim të tensionit
194
𝑣
𝐴𝑜𝑑 = 𝑣𝑜 (10.1)
𝑑
Amplifikatori operacional ka dy terminale hyrëse, hyrja invertuese (-) dhe joinvertuese (+),
dhe një terminal dalës. Shumica e AO operojnë me dy burime njëkahore, një pozitiv dhe tjetri
negativ, edhepse disa kanë nje burim të vetëm Fig.10.1(b). Zakonisht terminalet e furnizimit nuk
paraqiten në simbol për thjeshtësi, por nënkuptohet se duhet të jenë aty.
Në Fig.10.1, terminali 1 është hyrja invertuese (e shënuar me shenjën minus te amplifikatori

aktual); sinjali v1 është i amplifikuar në ampliudë dhe paraqitet në dalje me fazë të invertuar.
Terminali 2 është hyrja joinvertuese (e shënuar me shenjën plus); dalja e qarkut kur të vepron v2 ka
fazë të njejtë me hyrjen.
10.2. AMPLIFIKATORI OPERACIONAL IDEAL DHE PRAKTIK
Për ilustrimin e AO le të shqyrtojmë së pari karakteristikat ideale të tij. AO praktik, natyrisht

do të shmanget nga këto standarde ideale, por është shumë më lehtë të kuptohet dhe analizohet
qarku nga një këndëvështrim ideal.
Te amplifikatori opreacional ideal, amplifikimi i tensionit në hyrje është negativ dhe pa kufi
i madh ( Aod   ) dhe amplifikatori ka brez frekuencor të pakufizuar. Për të siguruar këtë, stadi
hyrës i amplifikatorit operacional është një amplifikator diferencial i cili është analizuar në
kapitullin e kaluar. Stadi i amplifikatorit diferencial pasohet nga një konfiguracion i Darlington-it
ose amplifikator kaskadik, për të siguruar amplifikim shumë të madh.
Impedanca hyrëse në mes të terminaleve 1 dhe 2 duhet të jetë gjithashtu pakufi e madhe,
ashtu që rryma hyrëse është zero ( Zi   ) dhe nuk ngarkon burimin në hyrje. Kjo impedancë e
madhe sigurohet gjithashtu me amplifikatorin diferencial në hyrje të AO. Impedanca dalëse është
zero ( Z o  0 ), që do të thotë se tensioni dalës nuk varet nga ngarkesa. Për të siguruar këtë, si
stadë dalës te amplifikatori operacional shfrytëzohet një amplifikator në konfiguracion me kolektor
të përbashkët (ose drejn të përbashkët), karakteristikë e të cilit është reziztenca shumë e ulët dalëse.
Nëse AO ndërtohet me transistor bipolar, AO ideal ka gjithashtu e tensionin e menjanimit në hyrje
Voffset = 0 dhe rrymën hyrëse njëkahore të polarizimit IB=0. Në Fig.10.2 është paraqitur skema
ekuivalente e AO ideal (a) dhe karakteristika përcjellëse e tij (b).
193
Fig.10.2 Amplifikatori operacional ideal (a) Qarku ekuivalent i amplifikatori operacional ideal; (b)
karakteristika përcjellëse
Këto karakteristika të amplifikatorit operacional ideal shërbejnë si standarde për vlerësimin

e mirësisë së amplifikatorit operacional praktik (real) i cili realizohet në qark të integruar IC
(Integrated Circuit). Edhepse parametrat e AO praktik i afrohen vlerave që mund të trajtohen si
idelae në shumë raste, komponenta ideale kur nuk mund të fabrikohet. Çdo komponente ka
kufizimet e veta dhe AO nuk bënë përjashtim. AO ka kufizime edhe të rrymës edhe të tensionit.
Tensioni prej majës-në-maje (peak-to-peak), për shembull, zakonisht është i kufizuar në diç më pak
se tensionet e dy burimeve të furnizimit. Rryma dalëse është gjithashtu e kufizuar me restrikcionet e
brendshme si disipacioni i fuqisë dhe lloji i komponenteve.
Karakteristikate një AO praktik janë aplifikim shumë i lartë i tensionit, impedancë shumë e
lartë hyrëse dhe impedancë shumë e ulët dalëse. Te AO real, madhësia e amplifikimit të tensionit të
lakut të hapur sillet në brezin prej 104 deri 107. Madhësia maksimale e tensionit në dalje të AO
quhet tensioni i ngopjes, dhe ky tension është përafërsisht 2V më i vogël se tensioni i furnizimit. Me
fjalë të tjera, amplifikatori është linear përgjatë brezit
− 𝑉𝐶𝐶 − 2V < 𝑣𝑜 < 𝑉𝐶𝐶 − 2V
dhe skema ekuivalente e AO praktik është paraqitur në Fig.10.3.
Fig.10.3 Skema ekuivalente e AO praktik

194
Te AO praktik duhet të merren parasysh gjithëmonë edhe tensioni i menjanimit në hyrje

(input offset voltige), dhe zhurma e gjeneruar brenda AO.
Tensioni i mënjanimit në hyrje AO ideal prodhon zero volt në dalje për zero volt në hyrje. Te AO
praktik ndërkaq paraqitet një tension i vogël njëkahor në dalje, Vo (gabimit), edhe kur nuk është
zbatuar tension diferencial në hyrje. Shkaktar i kësaj është zakonisht mospërputhja e tensioneve
bazë-emiter te stadi hyrës i amplifikatorit diferencial të AO.
Rryma hyrëse e polarizimit nëse AO ndërtohet me transistor bipolar, terminalet hyrëse të

amplifikatorit diferencial janë bazat e transistorëve, prandaj rrymat hyrëse janë rrymat e bazës.
Rryma hyrëse polarizimit është rryma njëkahore e kërkuar për veprimin e duhur të stadit të parë.
Zhurma është një sinjal i padëshiruar që ndikon në kualitetin e sinjalit të dëshiruar. Sot, dizajnerët e
qarqeve shfrytëzojnë tensione më të vogla me saktësi të lartë, prandaj kërkohen komponente me
zhurmë të ulët. Të gjitha qarqet gjenerojnë zhurmë; AO nuk bëjnë përjashtim, por sasia e zhurmës
mund të minimizohet.
Bllok-diagrami i brendshëm i AO AO tipik ndërtohet nga tri tipe themelore të qarqeve

amplifikuese; amplifikatori diferencial, amplifikatori i tensionit (kaskadik ose Darlington) dhe
amplifikatori me kolektor të përbashkët (emiter follower) ose me source të përbashkët 9source
follower). Disa AO mund të kenë më shumë se një stadë të amplifikimit të tensionit për të siguruar
amplifikim shumë të lartë. Bllok-skema themelore e brendshme e një AO është paraqitur në
Fig.10.4.
Amplifikatori VO
Amplifikatori Amplifikatori me kolektror
Vi (source) te
diferencial i tensionit
perbashket
Fig.10.4 Bllok-skema themelore e brendshme e një AO

193
Fig.10.5 Skema e AO 741 në nivel të Komponentëve: burimet e rrymës (kuqe); amlifikatori

diferencial (kaltër); amplifikatori me shumë stade (magenta); qarku për zhvendosjen e nivelit të
tensionit (gjelbër); stadi dalës (cian).
Në Tabelën 10.1 janë paraqitur krahasimet e vlerave të parametrave të zgjedhur për disa tipe
të AO që mund të gjenden në treg. Siq mund të shihet nga tabela, ekziston një diferencë e madhe në
specifikacione të caktuara. Të gjitha dizajnimet përfshijnë kompromise të caktuara, në mënuyrë që
të fitohet optimizimi i një parametri, shpesh duhet të sakrifikohet ndonjë parameter tjetër. Shumica
e AO që gjenden në treg kanë tri veti themelore: mbrojtje nga lidhja e shkurtë, nga shkëputja e
tensionit në dalje dhe anulimi i mënjanimit (offset) në hyrje.
194
Tabela 10.1
10.3 QARKU EKUIVALENT I AO

Edhe për AO mund ta nxjerrim një skemë ekuivalente e cila vlenë për regjionin linear të
punës, e cila do të na ndihmon që t’i zgjidhim qarqet e ndryshme me AO. AO mund të
paramendohet sin jë katërpolar (“kuti e zezë”) që ka dy hyrje dhe një dalje si në Fig.10.6.
Hyrja invertuese
-
Dalja
Kutia e zezë
Hyrja joinvertuese
+
Fig.10.6 Bllok diagrami i AO

193
AO gjithashtu mund të paraqitet si një burim i varur i tensionit (V=AvVi) si në Fig.10.6, që ka

një impedanceë hyrëse Zi dhe një impedance dalëse ZO. Impedanca hyrëse është aq e lartë sa që nuk
mund të kaloj rrymë në mes të terminaleve në hyrje (fig.10.7).
V-
ZO
+ Dalja
Zi -
A vV i
V+
Fig.10.7 Qarku ekuivalent i AO
Qarku i AO mund të analizohet duke shfrutëzuar Ligjin e parë të Kirchhoff-it të zbatuar në

nyje, dhe Ligjin e dytë të Kirchhoff-it të zbatuar në kontura. Në figurën e poshtme është paraqitur
amplifikatori invertues, të cilin do ta analizojmë edhe më vonë, përmes të cilit do të spjegohet
skema ekuivalente e AO.
Fig.10.8
Nyja (1) paraqet nyjen më të rëndësishme të qarkut. Në këtë nyjë përvehtësohet se një rrymë
del nga terminali invertues dhe përmes Ri shkon në masë, dhe rryma tjetër rikthehet nga dalja në
hyrjen invertuese përmes rezistorit Rf. Rryma e tretë i- hynë në terminalin invertues por kjo rrymë
është gjiyhëmonë e barabartë me zero. Këtu duhët pasur parasysh dy supozime të rëndësishme për
AO:
i- = i+ = 0
V+ = V-
Nëse këto supozime vlejnë për AO, atëherë mund ta nxjerrim një skeme ekuivalente që vlenë për
brezin linear të punës dhe kjo është paraqitur në Fig.10.9.
194
Fig.10.9 Skema ekuivalente e AO
Bazuar në këtë skemë ekuivalente, tani mund të caktohen rrymat dhe tensioni në dalje të
qarkut. Në nyjen (1) tensioni do të jetë V1=0 dhe kjo nyje do të sillet si masa virtuele, ndërsa
terminalet hyrëse do të paraqesin lidhje të shkurtë virtuele. Rryma që hynë në AO do të jetë
gjithashtu i=0. Prandaj sipas Ligjit të parë të Kirchhoff-it për (1) do të kemi
Vi
Ii  I f 
R1
Nëse zbatohet Ligji i dytë i Kirchhoff-it në konturën në dalje (duke marrë parasysh lidhjen e shkurtë
virtuele në mes të terminaleve në hyrje) fitohet
R2
V0  0  R2 I f   Vi
R1
Pra skema e thjeshtuar ekuivalente na mundëson që me lehtësi të caktohen rrymat dhe tensionet
duke zbatuar ligjet e Kirchhoff-it, dhe këtë do ta shfrytëzojmë për analizën e të gjitha qarqeve me
AO.
10.4 ZBATIMET E AMPLIFIKATORIT OPERACIONAL
Amplifikatori diferencial (i diferencës)
Shembulli i parë që do të analizojmë është amplifikatori diferencial (i diferencës) të cilin si

të tillë e kemi analizuar detajisht të realizuar në formë diskrete. Në Fig.10.10 është paraqitur
amplifikatori diferencial i realizuar me amplifikator oprecional.
193
Fig.10.10 Amplifikatori diferencial (i diferencës)
Qarku i paraqitur llogaritë diferencen e dy tensioneve të shumëzuar me një faktor të amplifikimit.

Tensioni në dalje është:
(𝑅𝑓 +𝑅1 )𝑅𝑔 𝑅 𝑅𝑓 +𝑅1 𝑅𝑓
𝑉𝑜 = 𝑉2 − 𝑅𝑓 𝑉1 = 𝑉2 ∙ 𝑉1
(𝑅𝑔 +𝑅2 )𝑅1 1 𝑅1 𝑅1
Ose i shprehur si funksion i modit të përbashkët në hyrje Vc dhe modit të diferencës Vd
𝑉1 +𝑉2
𝑉𝑐 = ; 𝑉𝑑 = 𝑉2 − 𝑉1
2
Tensioni në daljë është:

𝑅 𝑅1 /𝑅𝑓 −𝑅2 /𝑅𝑔 1+(𝑅2 /𝑅𝑔 +𝑅1 /𝑅𝑓 )/2
𝑉𝑜 𝑅1 = 𝑉𝑐 + 𝑉𝑑
𝑓 (1+𝑅2 /𝑅𝑔 ) 1+𝑅2 /𝑅𝑔
Që të sigurohet që ky qark në dalje do të prodhojë një sinjal proporcional me diferencen e sinjaleve

në terminalet hyrëse, koeficienti i anëtarit VC (amplifikimi i modit të përbashkët) duhet të jetë zero,
ose
𝑅1 /𝑅𝑓 = 𝑅2 /𝑅𝑔
Me këtë kusht të plotësuar, shtypja e herësit të modit të përbashkët (CMRR) e këtij qarku ësjtë
pakufi e madhe, dhe tensioni në dalje do të jetë:
𝑅𝑓 𝑅
𝑉𝑜 = 𝑉𝑑 = 𝑅𝑓 (𝑉2 − 𝑉1 )
𝑅1 1
𝑅
Ku shprehja e thjeshtë 𝑅𝑓 paraqet amplifikikin e lakut të mbyllur të amplifikatorit diferencial.
1
194
Amplifikatori invertues
Amplifikatori invertues është rast special i amplifikatorit diferencial te i cili hyrja
joinvertuese e qarkut V2 është e lidhur në masë, dhe hyrja invertuese V1 këtu është shënuar me Vi.
Qarku i amplifikatorit joinvertues është paraqitur në Fig.10.11, dhe bazuar në te, amplifikimi i lakut
𝑅
të mbyllur është 𝑅2 , prandaj tensioni në dalje është:
1
𝑅
𝑉𝑜 = − 𝑅2 𝑉𝑖
1
Fig.10.11 Amplifikatori invertues
Nëse marrim parasysh vetitë e AO dhe skemën ekuivalente të tij, tensioni në dalje mund të llogaritet
nga skema e paraqitur në Fig.10.12.
Fig.10.12
Rryma në hyrje është:
𝑉
𝐼1 = 𝑅 𝑖
1
Nga ana tjetër, për shkak se AO ka rezistencë pakufi të madhe në hyrje dhe V-=V+=0, rryma e njejtë
kalon edhe në rezistencën R2
𝑉
𝐼1 = 𝐼2 = 𝑅 𝑖
1
193
Tensioni në dalje mund të llogaritet me zbatimin e Ligjit të dytë të Kirchhoff-it në dalje të qarkut:
𝑅
𝑉𝑜 = 0 − 𝑅2 𝐼2 = − 𝑅2 𝑉𝑖
1
Amplifikatori joinvertues
Fig.10.13 Amplifikatori joinvertues
Amplifikatori joinvertues është gjithashtu rast special i amplifikatorit diferencial, te i cili

hyrja inveruese është e lidhur në masë dhe hyrja joinvertuese është shënuar me Vi. Nëse i
referohemi qarkut të mëparshëm, duke shfrytëzuar teknikën e masës virtuele, rryma në hyrje është:
Vi
I1  
R1
Rryma në dalje të qarkut është:
Vi  Vo
I2 
R2
Këto dy rryma janë të barabarta
I1  I 2
Prandaj tensioni në dalje është:
𝑉 𝑅
𝑉𝑜 = 𝑉𝑖 + 𝐼2 𝑅2 = 𝑉𝑖 + 𝑅 𝑖 𝑅2 = 𝑉𝑖 1 + 𝑅2
1 1
Përcjellësi i tensionit (Amplifikatori ndarës njësi)
Qarku i paraqitur në Fig.10.14 shfrytëzohet si amplifikator ndarës (buffer) me amplifikim 1,

prandaj edhe quhet përcjellësi i tensionit dhe shërben për ndërlidhjen e dy stadeve të ndryshme për
eliminimin e efekteve të ngarkesës (p.sh. duke lidhur qarkun me impedancë të lartë të burimit me
qarkun me impedacë të ulët hyrëse).
194
Fig.10.14 Përcjellësi i tensionit
𝑉𝑜 = 𝑉𝑖
Dhe impedanca hyrëse:
𝑍𝑖 = ∞
Në qarqet reale, impedanca hyrëse diferenciale e vet amplifikatorit operacional është prej 1 MΩ deri
1 TΩ.
Mbledhësi (sumatori)
Në Fig.10.15.a është paraqitur qarku i cili kryen mbledhjen e sinjaleve të zbatuara në hyrjen
invertuese. Në Fig.10.15.b janë paraqitur rrymat dhe tensionet në qark. Pra, tesioni në dalje të
qarkut është proporcional me shumën e tensioneve në hyrje.
Fig.10.15 (a) Qarku i mbledhësit (sumatorit) me amplifikator operacional; (b) rrymat dhe tensionet
në qarkun e mbledhësit
Analizën e qarkut mund ta bëjmë me metodën e superponimit, duke analizuar veprimin e

tensioneve në hyrje një nga një. Rryma në dalje në këtë rast do të jetë e barabartë me shumën e
rrymave kur veprojnë tensionet gjegjëse në hyrje.
193
Le të marrim se V2  V3  0 , pra në hyrje vepron vetëm tensioni V1. Qarku që i përgjigjet

këtij rasti është paraqitur në Fig.10.16.
Fig.10.16 Rrymat dhe tensionet në qarkun e mbledhësit kur vepron vetëm V1
Duke u bazuar në teknikën e masës virtuele, rryma I1 do të jetë e barabartë me rrymën IF:
V1
I1   IF
R1
Rrymat I2 dhe I3 janë zero, prandaj tensioni në dalje është:
R 
V0 (V1 )   I1RF    F V1
 R1 
Ngjashëm, veprojmë edhe me tensionet tjera, dhe me metodën e superpononimit gjendet tensioni në
dalje të sumatorit si:
R R R 
VO    F V1  F V2  F V3 
 R1 R2 R3 
Nëse 𝑅1 = 𝑅2 = 𝑅3 = 𝑅, atëherë tensioni në dalje vërtetë është proporcional me shumën e

tensioneve në hyrje dhe konstanta e proporcionalitetit është 𝑅𝐹 /𝑅.
RF
VO   V1  V2  V3 
R
194
Shndërruesi i rrymës në tension

Në Fig.10.17 është paraqitur qarku i cili gjeneratorin e rrymës e shndërron në gjenerator të
tensionit. Për shkak të lidhjes së shkurtë virtuele (V1 = 0), rezistenca në hyrje të qarkut do të jetë:
V1
Ri   0
I1
Fig.10.17 Shndërruesi i rrymës në tension
Rrymat janë të barabarta:
I1  I 2  I S
Tensioni në dalje të qarkut, i cili është proporcional me rrymën në hyrje, është:
VO   I 2 RF   I S RF
Shndërruesi i tensionit në rrymë
Në Fig.10.18 është paraqitur qarku i cili gjeneratorin e tensionit e shndërron në gjenerator të

rrymës. Për shkak të lidhjes së shkurtë virtuele, tensionet V1, V2 dhe VL do të jenë të barabarta:
V1  V2  VL  I L Z L dhe I1  I 2
193
Fig.10.18 Shndërruesi i tensionit në rrymë
Nga kontura në hyrje fitohet:
Vi  I L Z L
I1 
R1
dhe nga kontura në dalje
I L Z L  V0
I2 
RF
Mbledhja e rrymave në terminalin joinvertues na jep:
I1  I 2  I L  I 4
VO  I L Z L I Z
 IL  L L
R3 R2
RF  I L Z L  Vi  I Z
Ose  IL  L L
R1 R3 R2
prej nga mund të caktohet rryma e ngarkesës (në dalje të qarkut) si:
R Z Z   R 
I L  F L  1  L   Vi  F 
 R1 R3 R2   R1 R3 
RF 1
Nëse plotësohet kushti  , rryma në dalje të qarkut është:
R1R3 R2
194
 R  Vi
I L  Vi  F 
 R1 R3  R2
Rryma në dalje është proporcionale me tensionin në hyrje Vi.
Integratori
Në Fig.10.19 është paraqitur qarku i cili kryen operacionin matematikor të integrimit. Qarku
i integratorit zakonisht përdoret te kompjuterët analog, konverorët anaog-digjital dhe te qaraet për
gjenerimin e formave valore.
Fig.10.19 Integratori
Ky qark kryen integrimin e tensionit Vi gjatë intervalit të caktuar kohor t0 < t < t1 . Tensioni në dalje
është i barabartë me tensionin në skaje të kondezatorit:
𝑉𝑜 = 𝑉𝐶
Tensioni i kondenzatorit është:

1
𝑉𝐶 = − 𝐶 𝐼𝐶 𝑡 𝑑𝑡
Pasi që rryma nëpër kondezatorin C është e barabartë me rrymën në reziztencën R,
𝑉𝑖
𝐼𝐶 = 𝐼𝑅 =
𝑅
tesioni në dalje është:

1
𝑉𝑜 = − 𝑅𝐶 𝑉𝑖 𝑡 𝑑𝑡
Nëse kondezatori ka qenë paraprakisht i mbushur në një vlerë njëkahore, tensioni i daljes bëhet:
1
𝑉𝑜 = − 𝑅𝐶 𝑉𝑖 𝑡 𝑑𝑡 + 𝑉𝑐 (𝑡 = 0)
Pra shihet se tensioni në dalje është integrali i tensionit në hyrje.

193
Diferenciatori
Në Fig.10.20 është paraqitur qarku i cili kryen operacionin matematikor të diferencimit.

Qarku ka ngjajshmëri të madhe me qarkun paraprak, kët vetëm i kanë ndërruar vendet kondenzatori
dhe rezistenca.
Fig.10.20 Diferenciatori
Tensioni në dalje është i barabartë me
𝑉0 = −𝐼𝑅 𝑅
Dhe pasi që
𝑉𝑖 𝑑𝑉𝑖 (𝑡)
𝐼𝐶 = 𝐼𝑅 = =𝐶
𝑅 𝑑𝑡
𝑑𝑉𝑖 (𝑡)
𝑉𝑜 = −𝑅𝐶 𝑑𝑡
Ku Vi dhe Vo janë funksione të kohës.
Konvertori i impedancës negative
Qarku i paraqitur në Fig.10.21 krijon një rezistencë me vlerë negative për çfarëdo sinjal
gjeneratori në hyrje.
194
Fig.10.21 Konvertori i impedancës negative
Në këtë rast, herësi në mes të tensionit në hyrje dhe rrymës në hyrje (pra rezistenca hyrëse) është e
dhënë me shprehjen:
𝑅
𝑅𝑖 = −𝑅3 𝑅1
2
Në parim rezistencat mund të jenë edhe komponente tjera që mund të përshkruhen me një
impedancë.
Amplifikatori logaritmik
Nëse në qarkun në Fig.10.22 amplifikatori operacional konsiderohet ideal, hyrja invertuese
është në lidhje të shkurtë virtuele.
Fig.10.22 Amplifikatori logaritmik
Rryma kalon nga burimi në rezistencë (dhe përmes diodes në dalje, pasi që rryma në hyrje të AO
është zero) dhe kjo rrymë është:
𝑉𝑖
= 𝐼𝑅 = 𝐼𝐷
𝑅
ku ID është rryma e diodes. Siç dihet rryma e diodes është e barabartë me:
193
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉 𝑇 − 1
Nëse tensioni është më i madh se zero (polarizimi i drejtë i diodes), kjo rrymë mund të përafrohet
me shprehjen:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝑠 𝑒 𝑉 𝑇
Tensioni në dalje është tension ii kundërt me tensionin e diodes, do të fitohet:
𝑉𝑖
𝑉𝑜 = 𝑉𝐷 = −𝑉𝑇 ln 𝐼𝑆 𝑅
Pra tensioni në dalje të qarkut është proporcional me logaritmin e tensionit në hyrje.
Amplifikatori eksponencial
Nëse në qarkun në Fig.10.23 amplifikatori operacional konsiderohet ideal, hyrja invertuese
është në lidhje të shkurtë virtuele, kështu që rryma nëpër diode është e dhënë me:
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉 𝑇 − 1
Ku IS paraqet rrymën reverze të ngopjes, ndërsa VT është tensioni termik për një temperature të
dhënë.
Fig.10.23 Diferenciatori
Nëse tensioni është pozitiv, rryma e diodes mund të përafrohet me shprehjen:

𝑉𝐷
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇
Për shkak të lidhjes së shkurtë virtuele në mes së hyrjes invertuese dhe joinvertuese, rryma nëpër
diodë ID është e barabartë me rrymën IR në reziztencën R:
194
𝑉𝐷
𝐼𝑅 = 𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉 𝑇

𝑉𝐷
𝑉𝑜 = −𝑅𝐼𝑅 = −𝑅𝐼𝑠 𝑒 𝑉 𝑇
Pasi që tensioni i diodes VD është i barabartë me tensionin e hyrjes Vi, tensioni në dalje është:
𝑉𝐷
𝑉𝑜 = −𝑅𝐼𝑠 𝑒 𝑉 𝑇
Shprehja e fundit tregon se tensioni në dalje të qarkut të amplifikatorit eksponencial është funkcion
eksponencial proporcional me tensionin në hyrje.

Elektronika

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronika

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

1.

Kufijtë e miniaturizimit të mëtejmë të këtyre komponentëve duket se janë të determinuar

1.2 KARATERISTIKAT E PËRGJITHËSHME TË GJYSMËPËRÇUESVE

Pra, gjysmëpërçues është materiali i cili ka përçueshmëri diku në mes të izolatorit

Fig.1.1 Caktimi i rezistencës së materialit

Ekuacioni për rezistencën e materialit (në temperaturë të caktuar) është

Njësia e rezistencës specifike , e definuar kësisoj është

Për ta theksuar karakterin gjysmëpërçues të këtyre materialeve në Tab.1.1 janë dhënë

Tabela 1.1 Vlerat tipike të rezistencës specifike të materialeve të ndryshme në temperaturën e

Përçuesi Gjysmëpërçuesi Izolatori

Bakri Germaniumi Qeramika (mica)

 10-6cm  50 cm  1012cm

Në materialet gjysmëpërçuese bëjnë pjesë elementet e grupit të katërt të sistemit

domosdoshëm, sepse me ndryshimin e nivelit të pastërtisë ndryshojnë vetitë elektrike të

Karakteristikë e kristaleve të këtyre materialeve është se struktura e tyre nuk ndryshohet

Tani të shqyrtojmë strukturën e vet atomit dhe të shohim se si mund të veprohet në

Atomi i germaniumit ka 32 elektrone orbitale ndërsa ai i silicit 14 elektrone orbitale. Në të dy

Fig.1.4 Lidhja kovalente e atomit të silicit.

Ky lloj i lidhjes, i formuar me bashkëlidhje të elektroneve, quhet lidhje kovalente. Edhe

Në temperaturën T  0o K , secili elektron është në nivelin e vet energjetik më të ulët të

Një veçori më rëndësi e gjysmëpërçuesve është se elektronet mund të largohen nga

Pasi që ngarkesa e përgjithshme e materialit është neutrale, nëse elektroni me ngarkesë

Veprimi termik, megjithatë vazhdon të krijojë qifte të reja elektron-vrimë në njësi të

Koncentrimet e elektroneve dhe vrimave, (për cm3), janë parametra të rëndësishëm në

Prandaj me ni do të shënohet koncentrimi intrinsik i bartësve të lirë të elektricitetit si

Ku B është një konstantë e lidhur me materialin specifik gjysmëpërçues, Eg është energjia e

Tabela 1.2 Konstantet e gjysmëpërçuesve

Ndryshimi në temperaturën e materialit gjysmëpërçues mund ta rritë dukshëm numrin e

Ku ( Si)  2.30 10  cm

Tensioni në skaje të pllakës është:

Raporti i koncentrimit intrisik në dy temperatura është:

1.3 NIVELET ENERGJETIKE

Jonizimi është mekanizmi në të cilin një elektron mund të absorboj energji të

Energjia Energjia Energjia

Barriera energjetike te gjysmëpërçuesit tetnon të zvogëlohet me rritjen e temperaturës.

Varëshmëria temperaturore e barrierës energjetike është caktuar eksperimentalisht dhe

Tabela 1.3 Parametrat temperaturor të Ge, Si dhe GaAs

W (energjia) = P(fuqi)· t(koha)

Energjia mund të shprehet si

Pasi që rryma paraqet herësin në mes të ngarkesës dhe kohës

I = Q/t ose Q = I·t

Energjia mund të shprehet si produkt në mes të ngarkesës dhe tensionit

Më parë kemi theksuar se nëse papastërti të caktuara i shtohen materialeve të pastra

1.4 MATERIALET E PAPASTËRTA (EKSTRINSIKE) TË TIPIT n DHE

Për formimin e materialit të tipit n shfrytëzohen elementet e grupit të V, siç janë

Fig.1.7 Papastërtia e antimonit në materialin e tipit n

kontrollimin e koncentrimit të elektroneve të lira në një gjysmëpërçues. Gjysmëpërçuesi i cili

Efekti i procesit të dopingut në përçueshmërinë relative më së miri mund të përshkruhet

Fig.1.8 Efekti i papastërtive donor në brezat energjetike të strukturës

Duhet të theksohet se niveli diskret energjetik (i quajtur niveli i donorëve) paraqitet në

Përfundimisht, gjysmëpërçuesi i tipit n përmban:

 Elektrone dhe vrima të krijuara nga shkëputja e lidhjeve kovalente

Materiali i tipit p formohet me dopingun e kristalit të pastër të germaniumit ose të silicit

Fig.1.9 Papastërtia e borit në materialin e tipit p

Efekti i vrimës në përçueshmërinë e materialit është paraqitur në Fig.1.10. Në këtë rast

Fig.1.10 Lëvizja e elektronit ndaj vrimës.

Jonet e donorëve Jonet e akceptorëve

Bartësit kryesor Bartësit kryesor

Përfundimisht, gjysmëpërçuesi i tipit p përmban:

 Vrima dhe elektrone të krijuara nga shkëputja e lidhjeve kovalente

 Vrima të krijuara nga futja e papastërtive akceptore

Lidhja themelore në mes të koncentrimeve të elektroneve dhe vrimave në një

ku no paraqet koncentrimin termik të elektroneve të lira, po koncentrimi termik i vrimave të lira

Në temperaturën e dhomës (T=300oK),secili atom i donorit i dhuron një elektron të lirë