2021 年 3 月 电 工 技 术 学 报 Vol.36 No.

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第 36 卷第 5 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Mar. 2021

DOI：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.200008

磁控式并联电抗器容量调节暂态过程及
其对匝间保护的影响
郑 涛 刘校销
（新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学） 北京 102206）

摘要 磁控式并联电抗器（MCSR）可实现无功功率的大范围平滑调节，但现有研究中 MCSR
容量调节暂态特性及其对保护的影响尚不清晰。因此，该文对 MCSR 容量调节过程展开研究，首
先分析了磁控式并联电抗器的稳态运行特性，引入磁饱和度概念，在此基础上，对其容量调节暂
态过程特性展开讨论。调容暂态过程中，由于心柱间磁饱和度的差异，三相控制绕组电流及控制
绕组总电流的基波分量将会增加，导致基于控制绕组总电流基波分量的匝间保护误动。为解决该
问题，根据 MCSR 调容过程中三相控制绕组电流基波分量平均值近似相等的特点，利用三相控制
绕组电流基波分量差异度，可以准确识别出容量调节过程，从而有效解决了 MCSR 容量调节过程
中匝间保护误动的问题。基于 Matlab/Simulink 的仿真及 1.5kV MCSR 样品的动模实验，验证了所
提方案的正确性。
关键词：磁控式并联电抗器 容量调节 磁饱和度 控制绕组电流 匝间保护
中图分类号：TM474

Power Regulation Transient Process of Magnetically Controlled Shunt

Reactor and Its Impact on Protection against Turn-to-Turn Faults
Zheng Tao Liu Xiaoxiao
（State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System With Renewable Energy Source
North China Electric Power University Beijing 102206 China）

Abstract Magnetically controlled shunt reactor (MCSR) can smoothly regulate its reactive power
in a large scale. However, the transient characteristic during power regulation and its impact on the
protection of MCSR have not been researched. This paper focuses on the analysis transient process of
power regulation of MCSR. Firstly, the steady-state operation characteristics of MCSR are analyzed,
where the magnetic saturation concept is introduced. On this basis, the transient process of power
regulation and its feature are discussed. During the transient process, due to the difference of magnetic
saturation between the limbs, the fundamental frequency component of the control winding current and
total control current increase, which may cause a mal-operation of protection against turn-to-turn faults
based on the fundamental frequency component of the total control current. According to the
characteristics that the fundamental frequency components of the three-phase control windings are
approximately equal during the power regulation process, the process can be identified and the possible
mal-operations can also be avoided. Based on simulation based on Matlab/Simulink and experimental
results, the correctness of the proposed scheme is verified.
Keywords：Magnetically controlled shunt reactor, power regulation, magnetic saturation angle,
control winding current, protection against turn-to-turn fault

国家自然科学基金资助项目（51677069）。
收稿日期 2020-01-07 改稿日期 2020-06-02
第 36 卷第 5 期 郑 涛等 磁控式并联电抗器容量调节暂态过程及其对匝间保护的影响 1053

0 引言 生较大的不平衡，从而导致总控电流基波分量产生，
引起总控电流基波分量匝间保护误动。文献[19]提
为实现可再生能源逐步替代传统能源的目标，
出通过提高定值来躲过合闸等暂态过程影响，但将
近年来，我国大力发展风能、太阳能等可再生能源，
降低总控电流基波分量匝间保护的灵敏度。文献[20]
然而，风能、太阳能等时空分布特性和不确定性将导
通过引入分相控制绕组电流基波分量与总控电流基
致电力系统运行方式发生巨大改变，无功功率、电压
波分量构成比值，构建总控电流基波分量匝间保护
控制难度增大 [1] 。磁控式并联电抗器（Magnetically
辅助判据，防止合闸引起的匝间保护误动；文献[21]
Controlled Shunt Reactor, MCSR）是解决上述问题的
通过计算控制绕组电流波形的自相关系数识别
有效手段，可以根据系统需要，平滑地调整无功功
MCSR 的合闸过程，上述两种方案既能保证匝间保
率，且注入电网的谐波含量较小，具有良好的应用
护的灵敏度，又可躲过合闸暂态过程的影响。
前景 [2-3] 。2013 年，我国在新疆与西北主网联网的第
二通道中的青海鱼卡站，投运了国内也是世界首台 MCSR 容量大范围调节与预励磁合闸有相似之
处，也可能引起每相 MCSR 两心柱间磁场的不平衡，
电压等级为 750kV、额定容量为 330Mvar 的磁控式
从而导致总控电流基波分量匝间保护误动。然而，
并联电抗器，有效解决了西北地区风电消纳能力不
如上所述，容量大范围调节暂态特性尚不明确，目
足的问题，在一定程度上缓解了“西电东送”过程
前已有的总控电流基波分量匝间保护方案并未考虑
中长距离输电的无功、电压控制难题 [4] 。
容量调节暂态过程的影响。本文以 750kV 磁控式并
MCSR 通过调节控制绕组中直流电流的大小改
联电抗器为研究对象，首先介绍了其结构及基本工
变铁心的饱和程度，进而实现电抗值和容量的平滑
作原理，对其稳态特性及容量大范围调节的暂态特
调节。目前针对 MCSR 容量调节的研究，主要围绕
性展开研究；然后，重点分析容量调节暂态过程对
提升 MCSR 励磁控制系统性能而展开。文献[5-6]
总控电流基波分量匝间保护的影响，并提出了基于
分析了 MCSR 响应速度受限的原因，提出了提高
三相控制绕 组 电 流 基 波 分 量 差 异 度 的 容 量 调 节 过
直流控制电压、利用放电电容等措施来改善 MCSR
程识别判据；最后，通过仿真及动模实验验证了容
调容过程中的快速性。文献[7]基于传统 PI 控制理
量调节暂态特性及所提保护方案的正确性。
论设计了控制系统传递函数，分析了 MCSR 在负
荷突变后的稳态电压保持能力和动态调节性能。文 1 磁控式并联电抗器稳态与暂态特性
献[8-9]分析了 MCSR 励磁调节控制对系统工频过电
磁控式并联电抗器由磁放大器发展而来，通过
压、操作过电压、潜供电流及恢复电压的影响。由
调节控制回路的直流励磁改变铁心的工作点，从而
此可见，已有的对于 MCSR 容量调节的研究，重点
达到平滑调节无功输出的目的 [22] 。
在于励磁控制策略，并未对容量调节过程中 MCSR
1.1 MCSR 的结构及工作原理
的暂态特性进行深入分析。
图 1 为单相 MCSR 的铁心结构及绕组联结方式
MCSR 本体绕组联结方式复杂，匝间故障发生
概率较高且难以识别，一旦发生故障，不仅会威胁
到本体的安全稳定运行，更有可能影响所连接电网
的无功平衡和电压稳定，因此，对 MCSR 匝间保护
的性能要求较高 [10-16] 。针对匝间故障，一般采用零、
负序功率方向保护方案，电流分量均取自网侧绕组
近中性点电流互感器 [17]，当控制绕组发生匝间故障
时，三相三角形联结的补偿绕组分流了大部分零序
电流，导致零序功率方向灵敏度不足。为解决零、
负序功率方向保护灵敏度不足这一问题，文献[18]
提出了一种基于控制绕组总电流（下文简称为“总
控电流”）基波分量的匝间保护（下文简称为“总控
电流基波分量匝间保护”），能灵敏地动作于控制绕 图1 单相 MCSR 的铁心结构及绕组联结方式
组匝间故障。然而，已有相关研究注意到，MCSR 预 Fig.1 Structure and winding connection of
励磁合闸过程中，每相分裂的左、右心柱磁场会产 single-phase MCSR
1054 电 工 技 术 学 报 2021 年 3 月

图，主铁心分裂为 p、q 两个心柱。匝数为 Nw 的两 -Bd；叠加交流磁场后，p、q 心柱分别在交流磁场的

个网侧分支绕组同极性串联，端口接入电网；匝数 正、负半周进入饱和区（图中阴影部分），且两心
为 N k 的两个控制侧分支绕组反极性串联，端口并 柱进入饱和区的电角度相等。将一周期内铁心进入
联直流控制电源 U k；匝数为 Nb 的两个补偿侧分支 饱和区的电角度定义为磁饱和度 β( β ∈ [ 0, 2π ] )，根
绕组同极性串联。通过调节控制绕组电流 ik 的大小， 据文献[25]及图 3 所示的计算示意图，可得到 p、q
可以控制 p、q 心柱的直流励磁及其饱和程度，进 心柱磁饱和度 βp、 βq 的表达式为
而控制电抗器的等效电抗值大小和工作容量，直流 Bs − Bd
励磁越大，铁心越饱和，磁导越小，MCSR 的等效 β p = β q = 2 arccos （ 1）
Bm
电抗越小，在相同电网电压下输出的无功功率越大。
式中，Bm 为交流磁感应强度幅值；Bd 为直流磁感应
i w 、i b 分别为网侧绕组、补偿绕组电流，Φ p、Φ q 分
强度大小； Bs 为铁心饱和点处的磁感应强度。
别为左、右心柱主磁通，u m 为网侧绕组两端并联的
交流励磁电压 [23] 。
超/特高压 MCSR 是由三个独立的单相 MCSR
构成三相电抗器组，三相 MCSR 电气主接线图如图
2 所示。网侧绕组三相为星形联结，中性点直接接
地；每相两分支控制绕组反极性串联构成控制支路，
三相控制支路并联于直流母线间，由外接励磁电源
通过整流变压器给整流桥供电，ikA 、ikB、ikC 分别为
三相控制绕组电流，izk 为控制绕组总电流，u k 为控 图3 铁心 B-H 曲线及磁饱和度计算示意图
制电压；补偿绕组三相为三角形联结，角外连接滤 Fig.3 B-H curve and magnetic saturation calculation
波器支路 [24]。
在 [- π， π]内， p 、 q 心柱的磁场强度 H p、 H q 分
别为 [26]

H p ( ωt ) =
⎧0 其他
⎪
⎪ ⎛ βp ⎞ （2）
⎨ Bm ⎜ sin (ωt ) − cos ⎟
⎪ ⎝ 2 ⎠ π − βp π + βp
＜ωt＜
⎪ μ 2 2
⎩ 0

H q ( ωt ) =
⎧0 其他
⎪
⎪ ⎛ βq ⎞ （3）
⎨ Bm ⎜ sin (ωt ) + cos ⎟
⎪ ⎝ 2 ⎠ −π − βq −π + βq
＜ωt＜
⎪ μ 2 2
⎩ 0

在正常运行时，补偿绕组只起到滤波的作用，
图2 三相超/特高压 MCSR 电气主接线图
为简化分析，可忽略补偿绕组电流。根据安培环路
Fig.2 Structure diagram of three-phase EHV/UHV MCSR
定理，p、q 心柱磁场强度与网侧绕组电流 iw、控制
1.2 MCSR 稳态特性 绕组电流 ik 的关系为
为便于分析，将 MCSR 的铁心磁化曲线简化为
⎧⎪ H p (ωt ) l = N w iw (ωt ) + N k ik (ωt )
双折线模型，如图 3 所示。图 3 中，B、H 分别为铁 ⎨ （4）
心磁感应强度及磁场强度，p、q 心柱磁感应强度分 ⎪⎩ H q (ωt ) l = N w iw (ωt ) − N k ik (ωt )

别为 Bp、Bq，μ 0 为真空磁导率，铁心在饱和区的磁 式中，l 为铁心柱 p、q 的磁路长度。

导率近似于真空磁导率。正常运行时，p、q 心柱的 根据式（2）~式（4），可得到控制绕组电流在
直流磁感应强度大小相等、方向相反，即图中 Bd 、 [-π，π]区间内的表达式为
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l H p (ωt ) − H q (ωt ) 性串联，由直流励磁产生的每相 p、q 心柱直流磁感

ik (ωt ) = =
Nk 2 应强度 Bpdφ 、Bqdφ 大小相等、极性相反，如式（10）
⎧0 其他 所示。由此可见，p、q 心柱工作点在调容过程中将
⎪ 以相同的变化规律缓慢向目标工作点偏移，但始终
⎪ ⎡ β ⎤
Bm ⎢sin (ωt ) − cos p ⎥
⎪ l ⎣ 2⎦ π − βp π + βp 关于原点对称。
⎪ ⋅ ＜ ωt＜
⎨ 2Nk μ0 2 2
⎪ ⎧⎪ Bpdϕ = μ p N k ikϕ ( t )
⎪ ⎡ β ⎤ ⎨ （10）
Bm ⎢sin (ωt ) + cos q ⎥ ⎪⎩ Bqdϕ = − μq N k ikϕ ( t )
⎪ l ⎣ 2⎦ −π − βq −π + βq
⎪− ⋅ ＜ωt＜
⎩ 2Nk μ0 2 2 对于同一相 MCSR 的 p、q 心柱来说，虽然直
（5） 流励磁下工作点始终对称，但是叠加交流励磁后，
将式（5）利用傅里叶级数展开，可以得到控制 同一周期内进入饱和区的时间相差 T/2，那么 p、q
绕组电流基波分量幅值如式（6）所示。根据式（6）， 心柱磁饱和度势必会产生一定的差异。根据式（7），
正常稳态运行条件下，p、q 心柱磁饱和度相等，因 同相两心柱间磁饱和度的差异将导致控制绕组电流
此控制绕组电流基波分量幅值为 0。 基波分量升高，并且工作点偏移的速度越快，两心
l Bm 柱磁饱和度差异越大，控制绕组电流基波分量越高。
I k (1) = ⎡( β p − β q ) − ( sin β p − sin β q ) ⎤ （6）
2 N k μ0 π ⎣ ⎦ 根据式（1）可得磁饱和度 β 变化率与控制绕组
电流的变化率之间的关系为
对于三相 MCSR，其每一相的稳态特性均与单
Rk
相 MCSR 相同，三相控制绕组电流基波分量幅值为 dβ 2 μ0 N k Δuk − Leq ( t −t0 )
= e （11）
dt Bm2 − ( Bs − Bd ) Rk
2
l Bm
I kϕ (1) = ⎡( β pϕ − β qϕ ) − ( sin β pϕ − sin β qϕ ) ⎤ （7）
2 N k μ0 π ⎣ ⎦
式中，由于每相两心柱磁饱和度变化率相同，忽略
式中，φ 代表 A、B、C 三相。 下标 p、q 及 φ。
1.3 MCSR 容量调节暂态特性 根据式（11）可以得出，容量调节暂态过程中，
MCSR 的容量调节通过改变控制绕组励磁系统 铁心磁饱和度的变化率与控制电压变化量 Δu k 成正
整流桥的晶闸管触发延迟角实现，触发延迟角变化 比。对于不同的容量调节过程，初始容量相同条件
引起控制电压 uk 改变，导致心柱中直流磁场发生变 下，目标容量与初始容量差距越大，在调容初始时
化，进而心柱磁饱和度改变，最终达到 MCSR 容量 刻铁心磁饱和度变化率越大，导致两心柱磁饱和度
[27]
调节的目标 。假设调容前 MCSR 的控制电压为 u k1， 差异越大，控制绕组电流基波分量越高。随着容量
调容命令发出后，控制电压变为 u k2，变化量为 Δuk= 调节过程的进行，当前容量与目标容量越来越接近，
uk2-uk1。控制侧回路调容过程中的动态方程可写成 磁饱和度变化率逐渐减小，控制绕组电流基波分量
di
( Lk + Lmϕ ) dktϕ + Rk ikϕ = uk2 （8） 逐渐减小。总控电流为三相控制绕组电流之和，因
此容量调节过程中总控电流也有基波分量产生，其
式中，Rk、Lk 分别为每相控制绕组等效电阻及等效 变化规律与每相控制绕组电流基波分量相同。
漏感，三相的控制绕组等效电阻及漏感近似相等；
2 MCSR 容量调节过程仿真分析
Lmφ 为每相铁心的等效励磁电感；ikφ 为每相控制绕
组电流。 利 用 五 段 磁 路 分 解 方 法 [28-29] ， 基 于 西 北 电 网
t0 为容量调节开始时刻，调容瞬间，控制绕组 750kV MCSR 实际参数，在 Matlab/Simulink 平台搭
电流为 ikφ (t0)=u k1/Rk，因此可得到调容过程中控制绕 建了如附图 1 所示的三相 MCSR 仿真模型，模型主
组电流变化为 要参数见附表 1。
目前，已投运的 750kV MCSR 的容量调节响应
uk1 uk2 ⎛ − k ( t − t0 ) ⎞
Rk R
− ( t − t0 )
ikϕ ( t ) =e ⎜ 1 − e Leq ⎟
Leqϕ
+ （9） 速度为：总控电流由 1 000A（25%额定容量对应的
Rk Rk ⎜ ⎟
⎝ ⎠ 总控电流）升至 4 000A（100%额定容量对应的总控
式中，Leqφ 为回路等效电感，Leqφ =Lk+Lmφ 。 电流）时，响应时间约为 1.79~1.89s[3] 。以 25%额定
由于 MCSR 控制侧两分支绕组联结方式为反极 容量至 100%额定容量的容量调节过程为例，分析容
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量大范围调节的暂态过程。图 4 为仿真模型在该调 图 。 容 量 调 节 暂 态 过 程 中 ， 同 一 周 期 内 （ 60.22~

节过程中输出无功功率的变化，调容在 60s 开始， 60.24s），p、q 心柱和三相铁心的励磁电流幅值不同，
容量调节响应时间约 1.7~1.8s，和实际工程接近。 磁饱和度有所差异，而到达稳态后（63.00~ 63.02s），
p、q 心柱间及三相之间的差异均消失。
图 6 和图 7 分别为调容过程中总控电流和控制
绕组电流波形及基波分量幅值, 其中基波分量幅值
由全波傅里叶算法得到。由图 6 可以看出，在容量
升高过程中，总控电流逐渐增大。调容初始阶段，
总控电流基波分量幅值升高，最大可达到 25.54A，
且随着调容的进行逐渐减小。由图 7 可以看出，升
高容量时，控制绕组电流增大且脉动幅度增大，分
图4 MCSR 25% ~ 100%容量调节过程无功功率变化 相控制绕组电流基波分量幅值受幅值变化的交流分
Fig.4 Reactive power of MCSR during power regulation
from 25% to 100% of rated capacity
p、q 心柱的等效励磁电流为在两心柱中建立磁
场所需的电流，其幅值可反映心柱饱和程度及差异。
根据文献[30]磁控式并联电抗器 p、q 心柱的等效励
磁电流计算式，可利用网侧、控制、补偿绕组电流
计算每相两心柱等效励磁电流。图 5 为 25% ~ 100%
容量调节过程中 p、q 心柱的等效励磁电流及其放大

图6 25%~100%容量调节过程初始阶段总控电流及其
基波分量幅值
Fig.6 Waveforms of total control current and its
fundamental component in the process of 25%~100%
power regulation

图5 25%~100%容量调节过程中的等效励磁电流及其
放大图
Fig.5 Equivalent excitation currents and their enlarged
view in the process of power regulation from 25% of rated
capacity to 100% of rated capacity
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控电流基波分量匝间保护定值只须躲过正常运行时
由于系统不平衡或者设备制作误差等原因引起的最
大不平衡电流。根据文献[18]，总控电流基波分量幅
值整定值一般设置为 15 ~ 20A，本文选取 15A 的定
值，验证容量调节过程对总控电流基波分量匝间保
护的影响。
容量调节过程中，心柱间磁饱和度的差异将导
致三相控制绕组电流及总控电流基波分量幅值增
大，若超过 15A 则有可能导致总控电流基波分量匝
间保护误动。根据 1.3 节的理论分析，当初始容量
和目标容量不同时，总控电流基波分量以及每相控
制绕组电流基波分量平均值将不同。为验证上述分
析的正确性，并衡量不同容量调节过程对总控电流
图7 25%~100%容量调节过程初始阶段控制绕组电流 基波分量匝间保护的影响，进行了多组 MCSR 容量
瞬时值及其基波分量幅值 调节过程的仿真测试，仿真结果见表 1。表 1 中 I zk1
Fig.7 Three-phase control winding currents and their 为总控电流基波分量幅值， I kA1、I kB1、I kC1 为分相控
fundamental components in the process of power regulation 制绕组电流基波分量幅值的滑动窗口平均值，表 1 中
from 25% of rated capacity to 100% of rated capacity 均为上述分量在调容后产生的最大值。
量影响，将会产生波动，通过求解其滑动窗口平均 表1 不同容量调节过程的仿真结果
值，即可消除波动的影响，如图 7 中实线所示。控 Tab.1 Simulation results during different power
制绕组电流基波分量平均值在调容开始后立即增大， regulation prcesses
随后逐渐减小，且三相控制绕组电流基波分量幅值 容量调节过程 总控电流及分相控制绕组电流 总控电流基波
的滑动窗口平均值近似相等。 （起始容量~ 基波分量幅值及平均值/A 分量保护动作
目标容量） I zk1 I kA1 I kB1 I kC1 情况(Y or N)
3 MCSR 容量调节对匝间保护的影响及 10%~100% 25.07 9.22 9.22 9.23 Y
解决措施 100%~10% 47.56 15.66 15.62 15.67 Y

由第 1.3 节及第 2 节分析可知，调容暂态过程中， 25%~100% 25.54 8.97 8.98 8.97 Y

心柱间磁饱和度的差异将导致总控电流基波分量幅 100%~25% 41.80 13.77 13.73 13.78 Y

值增大。本节重点分析 MCSR 容量调节对总控电流基 70%~100% 17.10 5.63 5.62 5.61 Y

波分量匝间保护方案的影响，并提出解决措施。 100%~70% 20.75 6.85 6.83 6.84 Y

3.1 容量调节对匝间保护的影响 10%~70% 13.99 5.19 5.18 5.18 N

由于磁控式并联电抗器的特殊性，其配置的电 70%~10% 21.90 7.22 7.21 7.22 Y

流差动主保护一般为绕组差动保护，利用网侧绕组 25%~70% 12.79 4.52 1 4.52 4.52 N

首端、末端 CT 所测量得到的电流，不反映绕组匝 70%~25% 17.18 5.66 5.66 5.66 Y

间故障。MCSR 在正常运行条件下，每相 p、q 心柱 由表 1 可知，相同起始容量下，起始容量与目

的磁饱和度相同，因此控制绕组电流及总控电流基 标容量的差异越大，直流分量在容量调节起始阶段
波分量幅值为 0；若有匝间故障发生于某一心柱上 变化率越大，心柱之间不平衡度越大，总控电流及
控制绕组，由于 p、q 心柱绕组匝数不平衡，将会产 分相控制绕组的基波分量越大，基于总控电流基波
生大小不等的感应电动势，进而导致该相控制绕组 分量的匝间保护发生误动的概率越高。若采取提高
电流及总控电流的基波分量幅值均不为 0。依据上 整定值的方式躲过容量调节的影响，势必造成总控
述特征，文献[18]提出了基于总控电流基波分量的 电流基波分量匝间保护在弱故障下灵敏度降低，甚
控制绕组匝间保护方案，在判断总控电流基波分量 至有可能发生拒动。此外，根据第 2 节分析，总控
大于整定值并满足辅助判据后，立即发出跳闸指令， 电流基波分量将随着容量调节过程的持续逐渐衰
将 MCSR 退出运行。为保证匝间保护的灵敏度，总 减，但是由于衰减速度较慢，若利用设置延时的手
1058 电 工 技 术 学 报 2021 年 3 月

段躲过容量调节对匝间保护的影响，势必对保护速
动性不利。此外，匝间故障发展速度较快，较长的
延时将会影响设备安全，因此需从其他角度出发使
匝间保护躲过容量调节的影响，例如增加辅助判据，
改进总控电流基波分量匝间保护，使其具有识别容
量调节过程的功能。根据理论分析及表 1 所示的仿
真结果，三相控制绕组电流基波分量平均值近似相
等，与 MCSR 预励磁合闸以及匝间故障场景下的情
况不同，针对总控电流基波分量匝间保护方案的改
进可根据该特点制定。
3.2 MCSR 容量调节识别判据
根据 3.1 节的分析，容量调节过程中控制绕组
电流及总控电流的基波分量幅值增大，可能引起总
控电流基波分量匝间保护误动。而调容过程中，三
相控制绕组电流基波分量平均值近似相等，为准确
识别容量调节状态，可通过衡量控制绕组电流基波
分量三相差异度 F div ，构建式（12）所示的容量调
节识别判据，区分 MCSR 的容量调节过程和其他
工况。 图8 保护方案流程
Fig. 8 Flow chart of protection scheme
I kA1 − I kB1 + I kA1 − I kC1 + I kB1 − I kC1
Fdiv = ≤ Fdiv _ set 考虑容量调节暂态过程识别的改进保护方案
(
max I kA1 , I kB1 , I kC1 ) 具体流程如下：根据采样值实时计算总控电流的
（12） 基波分量幅值及分相控制绕组电流基波分量滑动
式中， I kA1、I kB1、I kC1 为利用全波傅里叶算法计算得 窗口平均值，若总控电流基波分量幅值大于整定
到三相控制绕组电流基波分量的幅值后，为避免计 值，进一步计算三相控制绕组电流基波分量差异
算结果波动的影响，进一步求取得到的滑动窗口平 度；若差异度小于整定值，则认为是容量调节过程，
( )
均值； max I kA1 , I kB1 , I kC1 表示 I kA1、I kB1、I kC1 中的最 保护返回；若不满足式（12）的调容识别判据，则
大值。式（12）中，分子表征三相之间的差异，分 根据文献[20]提出的匝间故障识别方案，进一步区
母的作用为将差异度标准化，使得差异度门槛值的 分匝间故障与预励磁合闸工况，若满足匝间故障
整定不受模型额定参数影响。各个工况下 Fdiv 的取 判据，则保护跳闸，MCSR 退出运行，否则返回采
值范围分析如下： 样步骤。
（1）匝间故障发生时，故障相控制绕组有基波
4 仿真与实验验证
分量产生，而非故障相分流得到的基波分量几乎可
以忽略，因此 Fdiv≈2。 为验证本文所提方案的正确性，本节将分别从
（2）容量调节过程中，三相 p、q 心柱饱和度差 仿真和动模实验方面进行分析。本文进行了不同容
距不大，因此三相控制绕组基波分量极为接近， 量调节过程、不同程度匝间故障以及以不同合闸角
Fdiv≈0。 预励磁合闸等场景下的仿真，通过计算得到的三相
（3）预励磁合闸时，至少两相控制绕组电流中 控制绕组基波分量差异度可以验证本文方案；利用
产生基波分量，差异度取值分散性较大，但都远大 1.5kV 磁控式并联电抗器进行了匝间故障、预励磁
于 0。 合闸以及容量调节过程实验，由于实验条件受限，
由此可见，为区分容量调节工况及其他工况， 无法像仿真一样进行同一工况下大量不同场景的实
考虑三相系统不平衡或设备制造误差，将门槛值 验，本节只选取每一工况下的代表性场景进行分析。
Fdiv_set 设置为 0.1。考虑容量调节影响后的改进匝间 4.1 仿真验证
保护方案流程如图 8 所示。 附表 2 为不同容量阶跃调节，70%、100%额定
第 36 卷第 5 期 郑 涛等 磁控式并联电抗器容量调节暂态过程及其对匝间保护的影响
容量运行下，A 相网侧、控制绕组发生 5%、10%匝
间故障，以及不同合闸角度下 10%预励磁合闸的三
相控制绕组电流基波分量差异度。由附表 2 可以得
到：容量调节场景下差异度接近于 0；匝间故障场
景下，差异度在 2 附近；预励磁合闸场景下，三相
差异度明显大于 0。可见，利用容量调节识别判据
可以准确识别出 MCSR 的容量调节过程。
4.2 动模实验验证
电压等级为 1.5kV 的磁控式并联电抗器的参数
见附表 3。下面主要分析 MCSR 10%容量运行下 B 相
控制绕组发生 20%匝间故障、MCSR 10%~100%容
量调节过程、100%预励磁合闸三种场景下的动模实
验结果。由于本文所提方案主要关注各个工况下的
三相控制绕组电流及总控电流，因此这里只具体分
析三相控制绕组电流及总控电流波形。
由于参数不同，1.5kV MCSR 控制绕组额定电
流仅为 3.28A，总控电流额定值为 9.84A，而 750kV
控制绕组及总控电流额定值分别为 1 314A、3 942A。
因此总控电流基波分量匝间保护整定值不同，按
照等比例缩减，1.5kV MCSR 总控电流基波分量保
护方案门槛值应设定为 0.037 4A。由于 F div 计算过
程中进行了标准化，因此 1.5kV MCSR 三相控制
绕组电流基波分量差异度门槛值依然设定为 0.1。
上述三种场景下的总控电流及控制绕组电流录
波如附图 2 所示，将录波结果利用快速傅里叶变换
（Fast Fourier Transform, FFT）进行谐波分析得到各
个场景下的谐波分析结果如附图 3 所示，图中基波
分量用阴影标出。可以得出：①匝间故障场景下，
故障后总控电流基波分量为 0.570 1A，B 相（故障
相）控制绕组电流基波分量为 0.559 6A，A、C 相
（非故障相）控制绕组电流基波分量分别为 0.010 7A、
0.011 0A， 三 相 控 制 绕 组 电 流 基 波 分 量 差 异 度 为
Fdiv≈1.962＞0.1，接近 2；②容量调节过程中，总控
电流基波分量最大值为 0.453 4A，A、B、C 相控制
绕 组 电 流 基 波 分 量 分 别 为 0.152 1A、 0.152 5A、
0.154A，可以得到该场景下三相控制绕组电流基波
分量差异度为 Fdiv≈0.025＜0.1，接近 0；③预励磁
合闸时，总控电流基波分量最大值为 1.466A，A、
B、C 相控制绕组电流基波分量分别为 0.255 8A、
0.488 8A、0.263 8A，可以得到该场景下三相控制绕
组电流基波分量差异度为 Fdiv≈0.953＞0.1。
由动模试验结果可以得到，容量调节过程中，
总控电流中基波分量增大，将会使得总控电流基波
1059
分量匝间保护误动，然而三相控制绕组电流基波分
量近似相等，差异度小于门槛值 0.1，因此可以通过
图 8 所示的保护方案流程识别出容量调节过程，避
免保护误动，提高了总控电流基波分量匝间保护的
可靠性。
5 结论
本文围绕超/特高压磁控式并联电抗器的容量
调节暂态特性及对本体保护的影响展开研究。首先
对 MCSR 正常运行稳态特性进行分析，引入磁饱
和度概念，并得出控制绕组电流表达式。在此基础
上，对 MCSR 调容暂态过程进行分析，得出了以下
结论：
1）容量调节过程中，同相两心柱进入饱和区的
时间具有一定分散性，导致暂态过程中心柱间磁饱
和度产生差异。调容暂态过程结束后，MCSR 过渡到
另一个稳态，心柱间磁饱和度差异消失，恢复平衡。
2）调容暂态过程中，同相 p、q 心柱间的磁饱
和度差异使得控制绕组电流及总控电流产生基波分
量，从而可能导致总控电流基波分量匝间保护误动。
根据调容过程中，三相控制绕组电流基波分量有效
值近似相等，而在匝间故障、预励磁合闸场景下，
三相控制绕组电流基波分量有明显差异的特征，构
建了基于三相控制绕组电流基波分量差异度的
MCSR 容量大范围调节识别判据，有效解决了上述
问题。
附 录
附图 1 三相 MCSR 仿真模型
App.Fig. 1 Simulation model of three-phase MCSR
1060 电 工 技 术 学 报 2021 年 3 月

附表 1 三相 MCSR 仿真模型的额定参数 （续）

App.Tab.1 Rated parameters of the three-phase MCSR 运行场景 三相控制绕组基波分量差异度 F div
simulation model 0°合闸 0.812

参 数 数 值 10%预励磁 30°合闸 2.015

额定容量/Mvar 3×110 合闸 60°合闸 1.319

额定电压/kV 800 90°合闸 1.961

额定电流/A 281 网侧系统额定电压/kV 750

一次绕组
每相绕组电阻/Ω 2.077 6 网侧系统等值电感/H 0.183 78

每相绕组漏感/H 0.918 46 表3 1.5kV MCSR 物理模型的额定参数

额定电压/kV 41.86 Tab.3 Rated parameters of the1.5kV MCSR

额定电流/ A 1 314 参 数 数 值
控制绕组
每相每柱直流电阻/Ω 0.034 额定容量/kvar 1.52

0.030 6 一次绕组额定电压/kV 1.5

每相每柱直流漏感/H
一次绕组额定电流/A 0.585
额定电压/kV 40.5
控制绕组额定电压/kV 134/ 3
额定电流/A 135
补偿绕组 控制绕组额定电流/A 3.28
每相绕组电阻/Ω 0.016
每相每柱直流电阻/Ω 0.94
每相绕组漏感/H 0.007
补偿绕组额定电压/ V 76
补偿绕组额定电流/A 20
附表 2 容量调节及匝间故障下三相控制绕组电流基波
网-控短路阻抗百分比（%） 77.5
分量差异度
控-补短路阻抗百分比（%） 34.5
App.Tab.2 Three-phase control winding frequency
网-补短路阻抗百分比（%） 23
component difference during power regulation and turn-to-
turn fault conditions
运行场景 三相控制绕组基波分量差异度 F div

10%~100% 0.002

100%~10% 0.007

25%~100% 0.003

100%~25% 0.007

容量 70%~100% 0.009

阶跃调节 100%~70% 0.005

10%~70% 0.003

70%~10% 0.003

25%~70% 0.002

70%~25% 0.002

5%网侧 2.000

70%容量运行 5%控制 1.930

下匝间故障 10%网侧 1.996

10%控制 1.932

5%网侧 1.993

100%容量运行下 5%控制 1.993

匝间故障
附图 2 总控电流及控制绕组电流录波图
10%网侧 1.945
App.Fig.2 Recordings of total control current and control
10%控制 1.960
winding currents
第 36 卷第 5 期 郑 涛等 磁控式并联电抗器容量调节暂态过程及其对匝间保护的影响 1061

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