NỘI DUNG

1 VẬT LIỆU BÁN DẪN

21.1 Khái niệm về vật liệu cách điện, Bán dẫn và dẫn điện

21.2 Cấu trúc bán dẫn và hạt dẫn trong Bán dẫn

21.3 Phân loại Bán dẫn : N, P, N+ và P, P+, P++

2 Bán dẫn : N, N+, N++

2 Bán dẫn : P, P+, P++

1.3.2 Bán dẫn loại P Ánh sáng và T
-
Lỗ trống

+
Si -+
B
Lỗ trống – Hạt dẫn
Aluminum (Al), điện tích dương
Gallium(Ga), electron -
Boron (B),
Indium (In)
Na là nồng độ
tạp chất
Acceptor
Mật độ lỗ trống
trong bán
Si Si
dẫn pp=Na
 Bán dẫn I Bán dẫn N Bán dẫn P
Tác nhân ánh sáng, Lỗ trống
nhiệt độ,…
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,… Bán dẫn loại P

Lỗ trống Lỗ trống
NP< Pp
_ _ _ _
_ _

_ _ _ IV _ _ IV _ _ _ _ IV _ _ IV _ _ _
IV IV
_ _
_ _ _ _
_ IV _ _ IV _
+ _
_ _ _ _ _
_
_ _
_ _ _ V _ _ _ _ _ _ III _ _
_ _ IV IV IV + IV
_ _
_ _ _ _
_
_ IV _ _ IV _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _ _ IV _ _ _ _ _ _ IV _ _
IV V IV III +
_ _
_ _
_ _
Electron
Electron Lỗ trống
Bán dẫn loại I
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
nI=pI Nn>pN nP<pP
 1.3.3 Bán dẫn suy biến P+, P++
Nn>pN Bán dẫn loại P++
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,… nP<pP

• Chất bán dẫn có Lỗ trống

Lỗ trống
nồng độ tạp chất _ _ _ _
_ _
lớn hơn 1020
_ _ _ IV _ _ _ _ _ IV _ _ _
nguyên tử/cm3, IV V III IV
_ _
được gọi là bàn _ _ _ _
_
_ _ _
dẫn suy biến _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _
• Chất bán dẫn suy V V IV IV III
+ III
_ _
biến có tính chất _
_
_ _ _

giống kim loại, _ _ _ _ _ _ _

dẫn _
IV
_ _ V _ _
V
_
III
_ _ III _ _
III +
• Năng lượng của _ _
_ _ _
các hạt dẫn tự do
trong bán dẫn suy Electron Lỗ trống
biến không phụ
thuộc nhiệt độ
1.3.4 Dòng điện trong Bán dẫn 2 dòng J ntr Jkt
a.Dòng điện trôi do tác động điện trường E
J ntr= -(-q)* n *Vn= qμnnE
J ptr = q *p *Vp = pμpqE
• Mật độ dòng điện trôi trong bán dẫn : Jtr= Jntr+Jptr
• Điện dẫn xuất của chất bán dẫn:
σ = q( nμn + pμp)
b. Dòng điện khuếch tán do sự chênh lệch mật độ hạt dẫn
• Do sự phân bố không đều trong thể tích gradien nồng độ các hạt dẫn
Hệ số khuếch tán như sau: Dp=φTμp ; Dn=φTμn
φT hằng số phụ thuốc nhiệt độ φT = kT/q
K hằng số Boillzman ; Q điện tích điện tử; T nhiệt độ tuyệt đối của T= 300K
φT = 0.025V = 25mV

𝑑𝑃 𝑑𝑁 𝑑𝑝 𝑑𝑛
Jkt= q +(-q) = - qDp + qDn
𝑑𝑡 𝑑𝑡 𝑑𝑥 𝑑𝑥
/Dòng trôi/ = /dòng khuếch tán / (thường ngược chiều nhau )
Dòng điện khuếch tán do chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn
từ nơi có mật độ hạt dẫn nhiều sang nơi có mật độ hạt dẫn ít
Dòng điện trôi do Chuyển động hạt dẫn dưới tác động của E
có 2 loại hạt chuyển động hai chiều ngược nhau.
n
p + pp
nN -
pp

+ - nN(x)
- np pN +
pN
- +
np

E x x
 Bán dẫn I Bán dẫn N Bán dẫn P
Tác nhân ánh sáng, Lỗ trống
nhiệt độ,…
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…

Lỗ trống Lỗ trống
_ _ _ _
_ _

_ _ _ IV _ _ IV _ _ _ _ IV _ _ IV _ _ _
IV IV
_ _
_ _ _ _
_ IV _ _ IV _
+ _
_ _ _ _ _
_
_ _
_ _ _ V _ _ _ _ _ _ III _ _
_ _ IV IV IV + IV
_ _
_ _ _ _
_
_ IV _ _ IV _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _ _ IV _ _ _ _ _ _ IV _ _
IV V IV III +
_ _
_ _
_ _
Electron
Electron Lỗ trống
Bán dẫn loại I
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
nI=pI Nn>pN nP<pP
 1.3.3 Bán dẫn suy biến N+, N++ , P+, P++
Bán dẫn loại N++
Bán dẫn loại P++
Nn>pN Tác nhân ánh sáng,
nP<pP
nhiệt độ,…

• Chất bán dẫn có Lỗ trống

Lỗ trống
nồng độ tạp chất _ _ _ _
_ _
lớn hơn 1020
_ _ _ IV _ _ _ _ _ IV _ _ _
nguyên tử/cm3, IV V III IV
_ _
được gọi là bàn _ _ _ _
_
_ _ _
dẫn suy biến _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _
• Chất bán dẫn suy V V IV IV III
+ III
_ _
biến có tính chất _
_
_ _ _

giống kim loại, _ _ _ _ _ _ _

dẫn _
IV
_ _ V _ _
V
_
III
_ _ III _ _
III +
• Năng lượng của _ _
_ _ _
các hạt dẫn tự do
trong bán dẫn suy Electron Lỗ trống
biến không phụ
thuộc nhiệt độ
Dòng điện khuếch tán do chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn
từ nơi có mật độ hạt dẫn nhiều sang nơi có mật độ hạt dẫn ít
Dòng điện trôi do Chuyển động hạt dẫn dưới tác động của E
có 2 loại hạt chuyển động hai chiều ngược nhau.
n
p + pp
nN -
pp

+ - nN(x)
- np pN +
pN
- +
np

E x x