Professional Documents
Culture Documents
Chuong1 Phan1 BD PN
Chuong1 Phan1 BD PN
Chuong1 Phan1 BD PN
21.1 Khái niệm về vật liệu cách điện, Bán dẫn và dẫn điện
21.2 Cấu trúc bán dẫn và hạt dẫn trong Bán dẫn
MỤC TIÊU
-
Si -
+
Si
Si Si
1.2. Các hạt dẫn điện trong bán dẫn
- Electron q= -1.6 x 10 -19 C -
- HOLE- Vacancy q= +1.6 x 10 -19 C
+
- Ion âm -
- Ion dương +
-
Si -+
As
-Các nguyên tố
hóa trị 5 như -
electron -
Phosphorus (P),
Arsenic (As),
Antimony (Sb),
Bismuth (Bi)
Bán dẫn loại N –
Donor- có tạp
chất cho
Si Si
nd là mật độ hạt
điện tử tạp chất
trong bán dẫn loại
N - Ta có: Nd=nd
Bán dẫn I Bán dẫn N
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…
Lỗ trống Lỗ trống
_ _ _ _
Hạt_ đa số_ Electron
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
IV
_
IV
_
IV
_
IV
_
Hạt_IV thiểuIVsố Lỗ trống
_
_ IV _ _ IV _
+ _
_ _ _ _ _
_
_ _
_ _ _ V _ _ _ _ _ _ III _ _
_ _ IV IV IV + IV
_ _
_ _ _ _
_ _ _ _ _ _
Nn>pN
IV IV _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ IV _ _ _ _ _ _ IV _ _
IV V IV III +
_ _
_ _
_ _
Electron
Electron Lỗ trống
Bán dẫn loại I
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
nI=pI
Nn>pN nP<pP
Dòng điện khuếch tán do chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn
từ nơi có mật độ hạt dẫn nhiều sang nơi có mật độ hạt dẫn ít
Dòng điện trôi do Chuyển động hạt dẫn dưới tác động của E
có 2 loại hạt chuyển động hai chiều ngược nhau.
n
p + pp
nN -
pp
+ - nN(x)
- np pN +
pN
- +
np
E x x
1.3.3 Bán dẫn suy biến N+, N++
Bán dẫn loại N++ Tác nhân ánh sáng,
Nn>pN nhiệt độ,…