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(해커스) 반도체핵심면접기출 자료집
(해커스) 반도체핵심면접기출 자료집
해커스
반도체
핵심&면접기출 자료집
비전공자도
쉽고 빠른 이공계 합격!
삼성 엔지니어출신 김동민 선생님
前 삼성코닝 정밀 소재 엔지니어출신 출신(2010~2020)
1 반도체 용어정리 1
대학생이 선정한 취업강의 실제 공기업 시험 6문제 해커스 반도체 핵심&면접기출 자료집
[137주 베스트셀러1위] GSAT최신기출유형교재 / Yes24 수험서 자격증 베스트셀러 삼성 GSAT(SSAT)분야 1위(2014년 4월 3주부터, 1판부터 14판까지 주별베스트 1위 통산) [137주 베스트셀러1위] GSAT최신기출유형교재 / Yes24 수험서 자격증 베스트셀러 삼성 GSAT(SSAT)분야 1위(2014년 4월 3주부터, 1판부터 14판까지 주별베스트 1위 통산)
[4대서점 베스트셀러1위] YES24 : YES24 수험서 자격증 베스트셀러 공사 공단 수험서 분야 1위(2019년 5월 3주, 주별 베스트 기준) 교보문고 : 교보문고 취업/수험서
베스트셀러 1위(2019.01.05, 인터넷 주간 베스트 기준) 영풍문고 : 영풍문고 수험서 베스트셀러 1위(2019년 1월 1주, 주간 베스트셀러 기준) 알라딘 수험서/자격증 베스트셀러
취업/상식/적성분야 1위(2019년 1월 1주차~5월 3주차 온라인 주간집계 기준)
900 855
800
700
703 네이버검색어 트렌드 800
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네이버검색어 트렌드
600
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1위 해커스GSAT 600
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1위 해커스NCS
400 400
300 300 354 328
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294 200
100 155 142 100 163
40 17
해커스 A사 B사 C사 D사 해커스 A사 B사 C사 D사
[1위 해커스GSAT] 주요 5개 업체 간의 네이버 검색어 트렌드 검색량 비교 결과(검색어 : 업체명+GSAT, 대표 강사 및 상품, 2020.01.~2020.10.) / 소수점 이하 버림값 [1위 해커스NCS] 주요 5개 업체 간의 네이버 검색어 트렌드 검색량 비교 결과(검색어 : 업체명+NCS, 대표 강사 및 상품, 2020.01.~2020.10.) / 소수점 이하 버림값
2 해커스잡 ejob.Hackers.com 1 반도체 용어정리 3
Prologue 해커스 반도체 핵심&면접기출 자료집
4 해커스잡 ejob.Hackers.com
CONTENTS
해커스 반도체 핵심&면접기출 자료집
1 반도체 용어정리
3 반도체 제조 공정 - 8대 공정 소개
- 연마(CMP) 공정 및 세정(Cleaning) 공정
4 면접 기출문제 소개
200만이 선택한
1
해커스잡 & 해커스공기업
반도체 용어정리
ㄱ ㄹ
명칭 정의 비고 명칭 정의 비고
노
물체를 가열하기위한 장치
(Furnace)
반도체 8대 공정 중 하나인
노광 포토리소그래피(Photolithography) 공정 중 일부
(Exposure) 마스크(Mask)를 통과한 빛이 웨이퍼에
회로 패턴을 만드는 공정
ㅁ
명칭 정의 비고
ㅂ ㅇ
명칭 정의 비고 명칭 정의 비고
불순물 반도체 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)에 미량의 불순물을 옐로우 룸 반도체 8대 공정인 포토리소그래피 (Photolithography)
(Extrinsic Semiconductor) 주입(Doping)하여 특성을 향상시킨 반도체 (Yellow Room) 공정이 진행되는 노란색 조명의 공간
ㅈ ㅋ
명칭 정의 비고 명칭 정의 비고
커페시터(Capacitor)/콘덴서(Condenser)가
정전용량
전하를 축적할 수 있는 능력.
(Capacitance)
절연된 도체 간 전위차를 걸어 주었을 때, 축적하는 전하량
종합반도체기업
반도체 설계 ~ 완제품 생산까지
(IDM, Integrated Device
모든 분야를 포함하는 반도체 업체
Manufacturer)
ㅍ ㅎ
명칭 정의 비고 명칭 정의 비고
200만이 선택한
해커스잡 & 해커스공기업 2
반도체 산업 기본
반도체의 정의
반도체 산업 현황 및 구성
반도체란? ‘반도체’라는 단어를 처음 들어본 사람은 없을 것이다. 그만큼 반도체는 이미 우리의 생활에 깊숙하게 부문 별 우리나라의 삼성전자와 SK하이닉스는 이 중 메모리 반도체 시장에서 높은 시장 점유율을 유지하고
들어와 있고, 2019년 기준 반도체 수출액은 95,155,861(천 달러)로 국가 총 수출액 406,104,341( 반도체 시장의 있다. 대표적인 메모리 반도체인 DRAM 시장에서는 삼성전자가 1위, SK하이닉스가 2위의 시장
천 달러) 중 23.4%를 차지할 만큼 국내 산업에서 차지하는 비중 또한 매우 높은 상황이다. 점유율을 유지하고 있으며, 그 합은 70%를 웃돌 정도로 압도적이다. 또한 NAND Flash memory
점유율
시장에서 역시 삼성전자는 시장 점유율 1위로 30% 이상의 시장 점유율을 유지하고 있으며, SK
하이닉스는 6위를 차지하고 있다. (2019년 3Q 기준)
‘전기전도도가 도체와 부도체의 중간 정도 수준인 물질’라는 정도의 대답이 일반적일 것이며, 조금 Kioxia 19.3% 19.2%
더 나아간다면 ‘열이나 빛 에너지를 가해주면 전기전도도가 높아지는 물질’ 정도의 대답이 대부분일 WDC 13.2% 14.2%
것이다.
SK Hynix 13.5% 14.1%
이러한 사전적 의미에 대한 답변이 아닌 실제 반도체의 역할에 대하여 보다 알기 쉽게 설명해 보자면
Micron 10.4% 10.2%
반도체는 사람에게 있어서 뇌에 해당하는 부분이라고 볼 수 있다. 사람에게 있어서 뇌가 수행하는
Solidigm 5.9% 5.4%
역할은 매우 다양하다. 어떠한 상황이 발생했을 때, 그 상황을 분석하고, 그에 적당한 대응 방안을
결정하는 역할을 하기도 하고, 수학 문제를 풀 때 계산을 하기도 하며, 암기 과목 공부를 하거나 어떤 Others 3.3% 3.9%
이렇듯 우리나라는 메모리 반도체 시장에서 높은 시장 점유율이 높은 반면에 시스템 반도체 위의 ‘부문 별 반도체 시장 점유율’ 내용을 읽다 보면, 생소한 단어들 또는 들어는 봤지만 정확한
시장에서의 점유율은 설계부터 생산까지 직접 생산하는 시스템 반도체와 Fabless 업체로부터 수탁 의미를 모르는 단어들이 몇 가지 보일 것이다. Fabless, Foundry와 같은 단어가 바로 이것인데, 이는
생산하는 Foundry 산업까지, 전반적으로 아직 시장 점유율이 그리 높지 않은 상태이다. 그 중 최근 반도체 산업에 대한 이해가 필요한 단어이다.
삼성전자가 지속적인 투자를 하고 있는 Foundry 산업 같은 경우 대만의 TSMC가 세계 시장 점유율
우선 반도체 산업을 크게 나누어 보면 전방 산업, 반도체 제조 산업, 후방 산업으로 나눌 수 있다. 흔히
50% 이상을 차지하며 독보적인 점유율을 유지하고 있고, 삼성전자는 16.4%로 그 뒤를 추격하고
반도체 제조 산업 (대표적으로 삼성전자, SK 하이닉스)만을 반도체 산업회사라고 생각하는 경향이
있지만, 아직 격차는 크게 벌어져 있는 상태이다. (2020년 4Q 기준)
있지만, 실제로는 장비와 재료, 그리고 반도체를 활용하여 완제품을 만드는 산업까지도 넓게 보면
반도체 산업이라고 볼 수 있다. 이처럼 반도체 생산 산업은 연계되어 있는 후방 산업에서의 일자리
창출에도 영향을 미치고 있다고 볼 수 있다.
[Foundry Market Share]
구분 21. 3Q 21. 4Q
후방산업 반도체 생산 전방산업
TSMC 53.1% 52.1%
세번째로는 Fabless 기업과 떼려야 뗄 수 없는 관계인 Foundry 기업이 있다. Foundry 기업은 Fabless
기업과는 반대로 설계는 하지 않고 오직 생산만을 하는 반도체 기업이다. 세계적으로 가장 높은
점유율을 차지하고 있는 TSMC, 그리고 삼성전자의 Foundry 사업부가 있으며, 국내에 DB HiTek
역시 Foundry 기업 중 하나이다.
마지막으로 Packaging & Test 회사가 있다. 완성된 웨이퍼를 외부환경으로 보호하고, 전기적으로
포장하는 Packaging 공정과 정상 작동 여부를 확인하는 Test를 전문적으로 하는 반도체 후공정
업체이다. 대표적으로 Amkor, 하나마이크론등의 업체가 있다.
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200만이 선택한
해커스잡 & 해커스공기업 3
반도체 제조 공정
8대 공정 소개
연마(CMP) 공정 및 세정(Cleaning) 공정
반도체 8대 공정 흔히 ‘반도체 공정’이라고 하면 반도체 8대 공정을 떠올리게 된다. 웨이퍼(Wafer) 제조, 산화 비유하자면 Single crystal은 잘 포장된 고속도로와 같고, Poly Crystal은 과속방지턱이 많은 도로,
(Oxidation), 포토공정(Photolithography), 식각(Etching), 박막 증착 및 불순물 주입(Deposition & Amorphous는 오프로드 자갈길과 같다고 볼 수 있겠다. 따라서 전하 운반체의 이동 속도는 Single
Doping), 금속배선(Metallization), 검사(EDS), 포장(Packaging)이 바로 그것이다. 여기에 추가로 연마 crystal > Poly crystal > Amorphous가 된다.
(CMP), 세정(Cleaning) 공정을 추가로 하기도 하는 데, 이러한 공정들이 반도체를 만드는 대표적인
공정들이다.
[ Single Crystal]
[ Poly Crystal]
가공
[ Amorphous ]
* 단결정, Single crystal: 결정 전체가 하나의 연속적인 배열로 이루어져 있는 것을 의미
→ grain boundary라고 하는 결정 배열이 달라지는 경계면이 없음
산화공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막(SiO2)를 형성하는 공정이다. 실리콘을 산소(O2)와
라고 한다.
건식 산화는 습식 산화에 비해 산화막 형성 속도가 느리다는 단점이 있지만, 형성된 산화막의 품질이
습식 산화에 비해 더 좋다는 장점이 있으며, 이와 반대로 습식 산화는 건식 산화에 비해 산화막 형성
Post exposure
속도가 빠르다는 장점이 있지만, 형성된 산화막의 품질이 건식 산화에 비해 좋지 않다는 단점이 있는 Hard baking 현상(Developing) 노광(Exposure)
baking
방식이다.
이렇게 얻어진 산화막은 실리콘 웨이퍼를 보호하는 역할을 하기도 하고, 반도체 소자에서 절연체로
사용되기도 한다. 포토공정에서 얼마나 미세하게 패턴을 형성할 수 있는지가 반도체 공정 미세화의 핵심 중 하나이기
때문에 포토 공정은 매우 중요하고, 그에 따라 Double patterning, Immersion등 회로 미세화
기술들이 개발되어 사용 중에 있다.
[Immersion 기술]
O2
PR PR DI
or Water
H2O Quartz boat
[수평방식 Furnace]
(Etching) 때문에 내가 필요로하는 부분은 남겨두고, 불필요한 부분만을 선택적으로 제거하는 것이 굉장히
중요한 공정이다. 불필요한 부분을 제거하는 방법에 따라 화학용액을 사용하는 습식 식각(Wet
포토공정 포토공정은 간단히 설명하자면 실리콘 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 공정을 말한다. 하지만 이렇게
etching)이라고 하고, 이온이나 플라즈마(Plasma)를 이용하는 건식 식각(Dry etching)으로 구분한다.
(Photolithography) 간단하게 한 문장으로 설명하기에는 포토공정은 매우 복잡한 과정을 거치기도 하고, 반도체 전체
습식 식각은 비용이 저렴하고 속도가 빠르다는 장점이 있는 방법이지만, 미세한 패턴을 형성할 수
공정에서 차지하는 중요성이 매우 높은 공정이다.
없다는 단점이 있으며, 건식 식각은 비용적으로 불리하고 속도가 느리다는 단점은 있지만 미세한
우선 포토공정의 진행 과정을 살펴보면 가장 먼저 실리콘 웨이퍼를 HMDS 증기에 노출시켜 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있다.
포토레지스트(Photoresist, PR)와의 접착성을 높인 후 PR을 실리콘 웨이퍼에 도포한다. 그 후에
소프트 베이킹(Soft baking) 공정을 통해 PR에 포함된 용매(Solvent)를 제거한다. 소프트 베이킹이
완료된 실리콘 웨이퍼는 포토 마스크(Photo Mask)와 정렬을 맞춘 다음 노광(Exposure) 공정을 통해
실리콘 웨이퍼에 도포되어 있는 PR의 화학적 구조를 패턴에 맞추어 변형시킨다. 이후 노광 후 베이킹
(Post exposure baking)공정을 진행하고 현상(Developing) 공정을 통해 노광 공정을 통해 변형되어
있는 PR과 변형이 이루어지지 않은 PR을 선택적으로 제거하게 된다. 이후 마지막으로 하드 베이킹
(Hard baking) 공정을 진행함으로써 포토공정은 마무리가 된다
[Wet etching과 Dry etching 비교] PVD는 Thermal evaporation, Sputtering 방법이 있으며, 대체적으로 다양한 물질을 사용하여
박막을 형성할 수 있다는 장점이 있지만 Step coverage가 낮다는 단점이 있는 방법이다.
구분 Wet Etching Drt Etching
방법 Chemical Physical + Chemical CVD는 압력 정도와 사용되는 기체의 상태에 따라 APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD, ALD등으로
나뉜다. 대체적으로 Step coverage가 좋고, 박막의 두께 조절이 용이하다는 장점이 있지만, 장치가
공정 설비 Bath (대기) Chamber (진공)
복잡하고 박막을 형성할 수 있는 물질이 제한적이라는 단점이 존재한다.
낮은 비용 / 빠른 속도 Anisotropy
장점
높은 Selectivity 미세 Pattern 가능 우선 CVD 중 압력에 따른 분류인 APCVD와 LPCVD의 차이를 살펴보면 APCVD는 Atmospheric
미세 Pattern 불가 높은 비용 / 느린 속도
pressure CVD의 약자로 대기압과 동일한 상태에서 진행되는 CVD공정을 의미하고, LPCVD는
단점
오염가능 낮은 Selectivity Low Pressure CVD의 약자로 진공상태에서 진행되는 CVD공정을 의미한다. APCVD는 상대적으로
저온에서 공정 진행이 가능하고, 속도가 빠르다는 장점이 있지만 LPCVD에 비해서 Step coverage가
나쁘다는 단점이 있다.
Etching
결과 [APCVD와 LPCVD 비교]
구분 APCVD LPCVD
압력 상압 저압
온도 저온 고온
고순도 박막
간단한 장비
장점 높은 균일도
빠른 속도
좋은 Step coverage
박막 형성 및 박막 형성(Thin film deposition) 공정은 반도체 제조 공정에서 두께가 ㎛ 단위 이하인 얇은 막(Thin
단점 나쁜 Step coverage 느린속도
불순물 주입 공정 film)을 형성하는 공정으로, 얼마나 얇은 막을 얼마나 균일하게 형성할 수 있는가에 따라 반도체
미세화에 큰 영향을 주는 중요한 공정이다. 박막을 형성하는 방법에 따라 CVD(Chemical Vapor
(Deposition &
Deposition), PVD(Physical Vapor Deposition)로 나뉜다. PECVD는 Plasma Enhanced CVD의 약자로 반응성이 높은 플라즈마를 이용하여 저온에서 빠른
Doping)
속도로 증착이 가능하다는 장점이 있지만, 플라즈마에 의한 손상이 발생될 수도 있고 Step coverage
가 나쁘다는 단점이 있다.
※ Deposition 관련 용어 정리 (Step coverage, Aspect ratio, Conformal)
HDPCVD는 High Density Plasma CVD의 약자로 PECVD에 비해 높은 플라즈마 밀도를 사용하여
박막 증착과 Sputtering을 동시에 진행하는 공정이다. PECVD에 비해서도 낮은 온도에서 공정 진행이
tbott or
tside X 100 ttop 가능하며 매우 좋은 품질의 박막을 얻을 수 있지만 속도가 매우 느리다는 단점이 있는 방법이다.
· Step coverage : tside ttop
[HDP CVD 진행 개요]
h
w
· Aspect ratio: tside
h
tbott
· Conformal:
마지막으로 ALD는 Atomic Layer Deposition의 약자로 원자층 1층씩 박막을 형성하는 방법이다.
박막의 두께를 매우 정교하게 조절할 수 있고, 매우 좋은 품질의 박막을 얻어낼 수 있으며 100%의
Step coverage를 얻어낼 수 있는 방법이지만 속도가 매우 느리고, 사용 가능한 물질이 제한적이라는
단점이 있다.
[ALD 모식도]
: A 원자
* 출처: Solid state Electronic Devices by Ben G. Streetman
: B 원자
금속배선 금속배선 공정은 회로패턴을 따라서 금속으로 전기 배선을 만드는 공정이다. 금속배선 공정 또한
다음으로 Doping 공정은 반도체의 특성을 결정하기 위해 불순물을 주입하는 공정이다. 불순물 주입 (Metallization) 앞서 박막형성 공정에서 보았던 PVD, CVD 방법을 사용한다.
방법에 따라 Diffusion 방식과 Ion implantation 방식으로 구분된다. 금속배선 공정에서 중요한 점은 형성된 금속 배선이 기판과 잘 붙어 있을 수 있는지 (기판과의
공정
점착성), 전기저항이 낮아서 배선을 통과하는 데 전력이 많이 소모가 되지는 앉는지 (낮은 전기저항),
열적/화학적으로 안정한지 (안정성), 불필요한 부분을 쉽게 제거할 수 있는지 (Etching 용이성), 쉽게
[Diffusion 방식과 Ion implantation 방식 비교] 끊어지거나 파손되지는 않는지 (신뢰성)이 매우 중요하게 고려된다.
-Dopant 농도 조절 용이
- Junction 깊이 조절 가능
Single crtstal Si의 lattice
-높은 균일성
장점 손상없이 doping 가능
- 순도 높은 Dopant
-저온공정 검사(EDS) EDS 공정은 Electrical Die Sorting의 약자로 웨이퍼 레벨에서 반도체 칩의 불량 여부를 확인하는
-Mask 투과 주입도 가능 공정 공정을 말한다. 이때 EDS 공정을 통해 불량 칩이 판명이 되고, Repair가 가능한 칩이라면 Repair
-Dopant 농도 조절 난해 공정을 거쳐서 정상 제품으로 만들어지게 되고, Repair가 불가능한 칩이라면 그대로 불량 처리가
Single crystal Si의 lattice 손상
단점 - Junction 깊이 조절 난해 된다. 그에 따라 EDS 공정에서 최종 공정 수율(Yield)를 확인할 수 있게 된다.
→ 800~1000˚C 열처리
포장(Packaging) 포장 공정은 웨이퍼 위에 완성된 반도체 칩을 잘라서 포장하는 공정을 말한다. 외부 환경으로부터
공정 보호받을 수 있도록 리드프레임위에 설치하고 전기적으로 연결하는 작업을 한다. 이때, 리드프레임은
Si Si
반도체 칩과 실리콘 기판 사이 전기신호를 전달하고, 외부의 습기나 충격 등으로부터 칩을 보호 및
지지해 주는 골격 역할을 한다.
[ Diffusion ] [ Ion Implantation ]
CMP 공정은 Chemical Mechanical Polishing의 약자로 표면을 평탄화 하거나 깎아내는 공정을
의미한다. 이름에서 알 수 있다시피, 화학적인 방법과 기계적인 방법을 동시에 활용하는 공정이고, 8
대 공정에 속하지는 않지만 포토공정과 연계되어 반도체 미세화에 영향을 미치는 공정이다.
압
력
Wafer
Slurry Carrier
Wafer
Pad
Conditioner
Pad
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4
해커스잡 & 해커스공기업
반도체 면접 기출 문제
답변 Key point!
E(전자 궤도 에너지)
Energy band의 형성 원리부터 시작해서 Energy band gap의 형성 원리까지 연결된 설명을 하는 것이 가장 중요하다.
답변 Keyword
최 외각 전자, 전자의 Energy level, 파울리의 배타원리, Energy band, Energy band gap, Valance band, Conduction band Conduction band
답변 Guide Band gap
3P
우선 Energy band를 정의해 보면 Energy band는 단 원자가 아니라 원자가 집단을 이룸에 따라서 형성되는 Energy level
을 의미합니다. Si의 경우 최 외각 전자가 4개인 14족 원소이고, 최 외각 전자는 각각 3S 오비탈에 2개, 3P 오티발에 2
개가 위치해 있으며, 3번째 전자 껍질에는 4개의 state가 존재하고 있습니다. 하지만 파울리의 배타 원리에 의해 Si 원자가 Valance band
3S
가까워지게 되면 같은 Energy level에 전자가 존재할 수 없게 되고, 무수히 많은 원자가 가까워지게 되면 더 이상 줄로
나뉘어진 Energy level이 아니라 band 형태를 띄게 되고, 이것이 바로 Energy band입니다.
2S
r(원자간거리)
Conduction band
Conduction band
Conduction band
Si로 돌아가 보면 Si는 최 외각 전자 4개가 3S 오비탈과 3P 오비탈에 2개씩 존재하고 3P 오비탈에는 4개의 state가
존재하고 있는 상태입니다. 하지만 원자간 거리가 점점 가까워지게 되면 3S 오비탈과 3P 오비탈이 Overlap 되게 되고, Overlap Eg : 0.27 ~ 3.6 eV Eg : > 4.0 eV
거리가 더 가까워지게 되면 다시 나뉘어지게 됩니다. 이 때, 공유결합이 형성되어 있는 전자들은 Energy 적으로 안정적이기
Valance band
때문에 Energy level 이 낮은 아래쪽 부분 Valance band에 모이게 되고, 비어있는 state 들은 Energy 적으로 불안정하기 Valance band
때문에 Energy level이 높은 위쪽 부분 Conduction band에 모이게 됩니다. 이렇게 해서 형성된 것이 바로 Si의 Energy Valance band
band structure입니다. 이 때 Conduction band와 Valance band 사이의 Energy gap을 Band gap energy 라고 합니다. 이
Band gap energy를 기준으로 도체와 부도체, 그리고 반도체를 구분할 수 있습니다. Doping 불가능 Doping 가능 Doping 불가능
답변 Key point!
NAND Flash memory의 구조와 Write와 Read 동작, 그리고 Erase 동작의 원리를 설명하는 것이 가장 중요하다.
답변 Keyword
Tunneling Oxide, Floating gate(플로팅 게이트), Charge trap layer, Threshold voltage (Vth), MOSFET
답변 Guide
NAND Flash memory의 구동원리에 대해 설명을 하기 위해서는 먼저 구조에 대해 설명을 할 필요가 있습니다. NAND Flash
memory는 기본적으로 MOSFET 소자와 유사한 구조를 가지고 있지만 SiO2 절연체와 Substrate 사이에 Tunneling oxide
와 Floating gate 또는 Charge trap layer 라고 하는 전하 저장 공간이 존재하고 있는 것이 특징입니다.
job.Hackers.com
P-channel 소자로 가정하고 설명을 해 보면 Gate에 충분한 (+)전압이 인가되면 원래는 Source와 Drain 사이에 Channel
public.Hackers.com
이 형성되고, Drain에 전압을 가해주면 Source에서 Drain으로 전류가 흐르게 되는 일반적인 MOSFET의 동작과는 다르게
Tunneling oxide와 전하 저장 공간의 존재에 따라서 일부 전자들이 Tunneling oxide를 통과하여 전하 저장 공간에 갇히게
됩니다. 이렇게 전하가 갇히는 현상을 Write 동작이라고 합니다. 일정량의 전하가 전하 저장 공간에 갇히게 되므로 소자의
Threshold voltage가 변화하게 되고, 그 차이에 따라 Data가 있다/없다 를 판단하게 되는 것 입니다. Data가 있는지
없는지는 Threshold voltage를 측정하여 알 수 있는데, 이것을 Read 동작이라고 합니다. 마지막으로 Data를 지우는
Erase 동작은 Gate에 충분한 (-)전하를 인가하게 되면 전하 저장 공간에 저장되어 있던 전자들이 Tunneling oxide를 통해
빠져나가가게 되고, 초기의 상태로 돌아가게 됩니다. 이것을 Erase 동작이라고 합니다.
200만이 선택한
5
해커스잡 & 해커스공기업
합격후기
취업 선배들의 합격후기
③ 합격자의 추천 강의
우선, 취준 관련 인강 프리패스를 해커스잡으로 선택한 이유로는 저번 첫 시즌을 준비하면서부터
취린이였기때문에, 영어로도 유명한 해커스 스피킹 인강+서류 및 기업분석+GSAT 적성 + 면접 팁
“명제 부분은 복지훈 선생님이 알려주신 팁을 사용 까지 취준생이 필요한 모든 강의가 들어있었기에 해커스잡을 수강하였습니다.그중에서도 gsat인강과
영어스피킹 인강 관련은 거의 다 들었을 정도로 굉장히 많은 도움을 받을 수 있었습니다.
한 후로 거의 틀린 적이 없었습니다.”
④ 취업 선배로서 전하고픈 말
제가 면접에서 가장 걱정된 부분은 직무면접이였습니다. 아무래도 주위에 석사나
중고신입분들이 많았기때문에 실무경험에서 다른 지원자분들에 비해 경쟁력이 부족하지 않을까
걱정했습니다. 결과적으로는, 직무 관련 여러 현장교육을 들었던 것이 좋게 발휘되었던 것 같습니다.
관련 직무에선 필요하지만 학교 내에서 배우지 못한 부분들 혹은 부족하다고 느낀 부분들을
주도적으로 찾아서 외부에서라도 찾아배우려고 노력하였다 라는 뉘앙스로 분위기를 이끌었고, 그
점이 좋게 보였던 것 같습니다.학부생이시라면, 학교 내에서만 배우는 것에서 멈추시지마시고 직무
관련 교육이나 공모전(꼭 수상작이 아니여도 괜찮은 것 같습니다) 을 통해 관심을 보여주면 좋을 것
같아요! :-)
취업 준비 기간 및 ① 서류 준비 방법
방법 제 경험 정리를 하고 난 후, 해커스 기업 분석과 자소서 작성 팁을 보며 큰 틀을 잡아가고자
하였습니다. 추가로, 다트라는 사이트에서 기업 보고서를 보며 기업의 현 상황과 진행 사업을
찾아보았습니다.
피드백을 해주셔서 그 피드백을 해주신 내용에 따라 재밌게 면접을 볼 수 있었으며, 이 모습을 면접관님들이 좋게 봐주셨던 것 같습니다. 비록 한달 4번의
짧은 수업 기간이었지만 정말 많은 것을 배울 수 있었고, 제가 한 번에 갈 수 있었던 것은 물론 개인의
집에서 복습하며 연습을 계속했습니다." 역량도 살짝 있겠지만, 운이 많이 작용했던 것 같습니다. 좋은 선생님을 만나 좋은 가르침을 받은
덕분에 제가 합격할 수 있었던 것 같습니다!!
수강생과
조은희 선생님
실제 카톡내용
취업 준비 기간 및 ① 발로 뛰는 노력
방법 화학과다보니 반도체 관련수업은 전무했고 학교 또한 평범했습니다. 제가 어필했던 것은 반도체를
배우기 위해 끊임없이 공부했고 코엑스나 기술세미나, 지인회사를 통해 제가 이것저것 찾아보았던
것을 어필했습니다. 면접관님들도 이런 모습을 정말 기특하게 보셨고, 제가 수년간 아르바이트를
했던 것도 어필했더니 좋게 보셨던 것 같습니다. 가장 중요한건 아무리 반도체와 관련이 없는 과라도
스스로 찾아보고 공부하려는 자세입니다. 또한 가고 싶은 회사에 대한 경험을 만들어 놓는 것도
중요하다고 생각합니다. 저는 삼성전자에서 주최하는 체험의 장을 통해 회사를 직접가보고 밥도
먹으면서 회사의 전체적인 분위기등을 파악할 수 있었고, ASML에서 주최하는 기술세미나를 참석해
제가 이 회사에 정말 관심이 있다 라는 것을 보여주었습니다.
“NCS가 성적이 오르는 시험인가 의심을 가졌던 저에 제가 가장 큰 도움을 받았던 과목이었습니다. 워낙 수리영역이 약하여 김소원 선생님 강의를 정말
열심히 들었습니다. 수리계산 문제들을 빠르게 풀수 있는 스킬들을 배우고 직접 문제에 적용하는
게 희망을 주셨던 선생님께 감사드리는 마음에 후기 연습까지 할 수 있어 정말 많은 도움이 됐습니다. 무엇보다 자료해석! 저는 자료해석 문제를 풀때
시간도 오래 걸리고 오답률도 높아서 정말 많은 걱정을 하는 과목이었습니다. 하지만 2달간 선생님을
를 남겨봅니다.” 믿고 스터디원들과 열심히 한 결과 가장 많은 점수상승을 했던 과목이 아닌가 싶습니다. 이제는
가장 자신 있는 과목이 자료해석이 될 정도가 되었습니다. 또한 문제를 풀때 A,B,C군으로 나눠서
문제를 풀며 시간 조절을 하며, 저만의 약점을 찾을 수 있게 되었던 것 또한 많은 도움이 되었습니다.
자료해석이 약하시거나 시간이 부족하신 분들께 꼭 추천해 드리고 싶은 과목입니다.
③ 핵심 합격 노하우
서류, 필기는 통과했지만 면접에서 탈락한 경험이 꽤 있었어요. 그래서 필사적으로 조은희
선생님께서 진행하는 면접 강의를 듣게 됐습니다. 수업을 들으면서 답변내용의 퀄리티보다 중요한건
" 답변내용의 퀄리티보다 중요한건 면접관과의 자연 면접관과의 자연스러운 대화라는 걸 깨달았어요. 수업 때 처음으로 찍어 본 모의면접영상에 나오는
제 모습을 보고 적잖은 충격을 받았어요. 면접관과 소통하는게 아니라 일방적으로 로봇처럼 내뱉고
스러운 대화라는 걸 깨달았어요." 있더라구요. 선생님께서 태도를 체크해주신 덕분에 자세, 미소, 말 빠르기, 목소리 톤과 크기를 교정할
수 있었어요. 올해 최종합격한 이유는 임원님들과 대화하듯이 편안하게 면접을 본 게 가장 크다고
자신할 수 있습니다.
수강생과
조은희 선생님
실제 카톡내용
합격스펙 전공 : 법학과
학점 : 3점대
자격증 : AFPK, 외환전문역1종, 은행텔러
대외활동 : 한국무역보험공사 인턴
취업 준비 기간 및 ① 서류전형 합격 노하우
방법 어떤 기업이든지 자소서 문항마다 금융공기업 인턴 경험부터 카드사 아르바이트 경험, 상호금융기관
창구 근무한 경험까지 경험을 녹여서 썼어요. 학교든 회사든 조직에서 나는 어떤 사람이고, 그 속에서
어떤 성공을 해봤는지, 실수를 통해서 무엇을 배웠는지 얻었는지 진솔하게 작성했습니다.
필기시험은 NCS 기본서로 준비했고, 금융경제경영상식은 제가 비전공자라 경제신문을 읽으면서
글을 해독하듯이 공부했습니다.
② 면접 질문 및 후기
KEB하나은행 최종면접, NH농협은행 최종면접에 응시했습니다.
“(합격이유는)저만의 경험을 비장의 무기로 만들었 스터디도 해봤지만, 사실 같은 입장인 취준생들끼리 하는 것이기에 딱히 도움된다는 느낌은 받지
못했습니다. 쌤 수업 후, 일단 자신감을 얻게 되었습니다. 다른 사람도 아니고 면접 전문가인
기 때문입니다. 면접 답변은 선생님의 가르침 대로 쌤의 칭찬은 아 나 쫌 잘하는구나 하는 자신감을 심어주었고, 실제 면접에서도 당당하게 임할 수
있었습니다. 그동안은 답변에 대한 답을 찾기 위해 노력했던 것 같습니다. 하지만 이제는 답이 아닌
따르기 위해 노력했습니다. " 나의 생각, 나의 느낌, 나의 경험을 이야기 할 수 있게 되었습니다. 저는 이게 정말 합격 포인트일거라
생각합니다. 누구나 할 수 있는 이야기가 아닌 같은 질문이라도 나만의 이야기를 할 수 있기
때문입니다. 아마 쌤을 만나지 않았더라면, 이번에 면접의 문턱에서 좌절하지 않았을까 생각합니다.
면접을 위해서 선생님을 만났지만, 이 모든 취업 과정을 거치면서 저는 좀 더 성장했고, 바라보는
시야 역시 넓어진 것 같습니다.ㅎㅎ 쌤은 정말 저의 은인입니다.
혹시 면접으로 어려워하는 사람들 있으면 무조건 쌤 추천해줄꺼예요!!!!
혹시 커리어의 변화가 생겨 다시 면접을 보는 일이 생긴다면… 또 쌤 수업 들을거예요..
수강생과
합격스펙 전공 : 법학과
조은희 선생님
학점 : 3점대
자격증 : AFPK, 외환전문역1종, 은행텔러
실제 카톡내용
대외활동 : 한국무역보험공사 인턴
취업 준비 기간 및 ① 합격 노하우
방법 왜 은행원인지, 나의 어떤 점이 은행에 맞는지를 설명하기 위해 노력했습니다.
그러한 설명들은 다른 대기업에선 쓸 수 없을 만큼 은행에 최적화 시켰습니다. 시중 은행 말고는
쓸 수도 없는 경험들이기에 조금은 무모하고 불안하기도 했지만, 흔들리기 보단 저 자신을 믿고
여기서도 안된다면 또 다른 방법들을 찾아 추가하자는 마음으로 임했습니다. 이러한 노력 덕분에
실제로 우리은행, 신한은행 면접에서 저의 전략대로 질문 방향들을 이끌 수 있었습니다.
만약 몇번의 도전에도 은행의 합격 문턱을 넘지 못하신다면. 저는 방법을 바꿔야 한다고 생각합니다.
2년간 단 한번도 서류를 넘지 못했던 제가 올해 최종합격까지 한번에 이룰 수 있었던 것은, 저만의
경험을 비장의 무기로 만들었기 때문입니다. 면접 답변은 선생님의 가르침 대로 따르기 위해
노력했습니다.
그동안은 그럴싸한 답변을 만들기에 급급했다면, 이번에는 나의 경험, 나의 생각들을 구체적으로
전달하기 위해 노력했습니다.
선생님께서 이미 표정은 좋다고 말씀해주셨기 때문에, 답변을 할 때가 아닌, 가만히 있을 때에도 웃는
인상을 갖기 위해 인터넷에서 미소 연습을 보고 찾아서 연습했습니다. 200만의 선택 해커스잡
또한, 선생님께서 예상질문에 대한 답변을 수정 해주실 때 마다 다른 질문들도 쌤처럼 답변하기 위해 우리은행 합격생의
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노력했습니다.
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빠르게 자소서를 교정해주신다는 점은 굉장히 큰 도움이 되었습니다. * 비매품/ 300%반 수강 시 제공
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베스트/주간 베스트/주간 집계 기준), [188주] Yes24 수험서 자격증 베스트셀러 삼성 GSAT(SSAT)분야 1위(2014년 4월 3주부터, 1판부터 16판까지 주별베스트 1위 통산)
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