ЛЕКЦІЯ 34

ПЛАН
1. Контакт двох напівпровідників з
різними типами провідності.
2. Фізичні процеси, що відбуваються в
р-п-переході та його провідність
3. Вольт-амперна характеристика p-n-
переходу, його температурні
властивості.
4. Контакт метал-напівпровідник
5. Поняття про гетеропереходи та їх
використання.
На самостійну обробку:
1.Проробити зміст лекції і відповідні розділи
у підручниках.
2. Контакт метал-напівпровідник
ЛІТЕРАТУРА
1. Савельев И.В. Курс общей физики в 3-х
томах. Учебное пособие для студентов
вузов.-М. : Наука, 1986-1988, т.3, с.224-230.
2. Кучерук І.М., Горбачук І.Т., Луцик П.П.
Загальний курс фізики. Київ. “Техніка, ”
т.1-3. 1999-2001, т.2, с. 182-164.
3. Трофимова Т.И. Краткий курс физики.
М.: Высшая школа 1990-2000, с.401-406.
4. І.Є.Лопатинський та інш. Курс фізики
(Фізика для інженерів), 2003, с.359-363.
 Електронно-дірковий перехід
(р-п-перехід)
Принцип дії більшості напівпровідникових пристроїв
грунтується на фізичних явищах, що відбуваються у
області контакту твердих тіл. При цьому переважно
використовуються контакти:
напівпровідник-напівпровідник;
метал-напівпровідник;
метал-діелектрик-напівпровідник.
Якщо перехід створюється між напівпровідниками
n-типу та p-типу, то його називають електронно-
дірковим або p-n переходом.
Перехід не можна здійснити просто механічним
з'єднанням двох напівпровідників: його створюють
або при вирощуванні кристалів, або при їх відповідній
обробці.
Наприклад, для отримання р-п-переходу на кристал
германію п-типу накладається індієва "таблетка". Ця
система нагрівається приблизно при 500 °С у вакуумі
або в атмосфері інертного газу; атоми індія
дифундують на деяку глибину в германій. Потім
розплав поволі охолоджують. Оскільки германій, що
містить індій, має діркову провідність, то на границі
розплаву, що кристалізувався, і германію п-типу
утворюється р-п-перехід.
 Фізичні процеси, що відбуваються в
р-п-переході
Електрони з п-напівпровідника, де їх концентрація вище,
будуть дифундувати в р-напівпровідник, де їх концентрація
нижче. Дифузія ж дірок відбувається у зворотному
напрямі. В п-напівпровіднику через перехід електронів
поблизу межі залишається некомпенсований позитивний
об'ємний заряд нерухомих іонізованих донорних атомів. В
р-напівпровіднику через перехід дірок поблизу межі
утворюється негативний об'ємний заряд нерухомих
іонізованих акцепторів.
Ці об'ємні заряди утворюють поблизу границі
подвійний електричний шар, поле якого,
направлене від п-області до р-області,
перешкоджає подальшому переходу електронів у
напрямі п р і дірок у напрямі р п . Якщо
концентрації донорів і акцепторів в
напівпровідниках п- і р-типу однакові, то товщина
шарів, в яких локалізуються нерухомі заряди, теж
однакова.

ІОНИ 𝐸внутр ІОНИ

Рівні Фермі вирівнюються за рахунок переходу
електронів з більш високих зайнятих рівнів n-
напівпровідника на більш низькі вільні p-
напівпровідника. Системи рівнів перестроюються
так, щоб хімічний потенціал вирівнявся. Виникає
𝝁𝒑 −𝝁𝒏
контактна різниця потенціалів ∆𝝋к =
𝒆
За відсутності зовнішнього електричного поля та за умови
динамічної рівноваги у кристалі напівпровідника
встановлюється спільний рівень Фермі для обох областей
провідності.
Але оскільки у напівпровіднику p-типу рівень Фермі
зміщується до стелі валентної зони, то на ширині p–n-
переходу діаграма енергетичних зон викривляється та
∆𝑊
утворюється потенціальний бар’єр : ∆𝜑𝑟 =
𝑞
де ∆𝑊 – енергетичний бар’єр, який необхідно
подолати електрону в області n , щоб він зміг перейти
у область p , або для дірки в області p , щоб вона
могла перейти в область n .
Висота потенціального бар’еру залежить від
концентрації домішок, оскільки при її зміні рівень
Фермі, зміщується від середини забороненої зони до її
верхньої або нижньої межі.
 Провідність p-n-переходу
Товщина шару p-n-переходу в напівпровідниках
складає приблизно 10-6 – 10-7 м, а контактна
різниця потенціалів – десяті частини вольта. Носії
струму здатні подолати таку різницю потенціалів
лише за температури в декілька тисяч градусів,
тобто за звичайних температур рівноважний
контактний шар є замикаючим (характеризується
підвищеним опором).
ІОНИ 𝐸внутр ІОНИ
Опір замикаючого шару можна змінити з
допомогою зовнішньою електричного поля. Якщо
прикладене до p-n-переходу зовнішнє електричне
поле напрямлене від n-напівпровідника до р-
напівпровідника, тобто співпадає з полем
контактного шару, то воно викликає рух
електронів в n-напівпровіднику і дірок в p-
напівпровіднику від межі p-n-переходу в
протилежні сторони. В результаті замикаючий шар
розшириться і його опір зросте.
𝐸внутр

𝐸зовн
Напрям зовнішнього поля, що розширює
замикаючий шар, називається замикаючим
(зворотним). В цьому напрямі електричний
струм через p-n-перехід практично не
проходить. Струм в замикаючому шарі у
замикаючому напрямі утворюється лише за
рахунок неосновних носіїв струму (електронів в
р-напівпровіднику і дірок в n-напівпровіднику).

𝐸внутр

𝐸зовн
В даному випадку напруженість електричного поля
джерела буде напрямлена в той самий бік, що й
напруженість потенціального барєру; висота
потенціального барєру зростає, а струм дифузії
основних носіїв практично стає рівним нулю. Через
посилення гальмівної дії сумарного електричного поля
на основні носії струму ширина запірного шару
збільшується, опір різко зростає
Тепер через р–n-перехід буде протікати дуже
маленький струм, зумовлений дією на основні
носії заряду різних іонізуючих факторів,
переважно теплового характеру. Процес
закидання неосновних носіїв заряду називається
екстракцією. Цей струм має дрейфову природу та
називається зворотним струмом р–n-переходу.
Якщо прикладене до p-n-переходу зовнішнє
електричне поле напрямлене протилежно до поля
контактного шару, то воно викликає рух електронів в
n-напівпровіднику і дірок в р-напівпровіднику до
границі p-n-переходу назустріч один одному. В цій
області вони рекомбінують, товщина контактного шару
і його опір зменшуються. Отже, в цьому напрямі
електричний струм проходить крізь p-n-перехід в
напрямі від р-напівпровідника до n-напівпровідника;
цей напрям називається пропускним (прямим).
𝐸внутр

𝐸зовн
Зменшення результучої напруженості призводить до зниження
висоти потенціального бар’єру та до збільшення кількості
основних носіїв, що дифундують через межу розділу у сусідню
область, які і створюють прямий p–n-перехіду. При цьому
внаслідок зменшення гальмівної дії поля потенціального бар’єру
на основні носії, ширина запірного шару зменшується, а також
зменшується опір. При збільшенні зовнішньої напруги прямий
струм p–n-переходу зростає. Основні носії після переходу межі
розділу стають неосновними в протилежній області
напівпровідника і рекомбінують з основними носіями цієї
області.
 Доки підключене зовнішнє джерело, струм через перехід
підтримується неперервним надходженням електронів з
зовнішнього кола у n-область і переходоім їх їз p-області у
зовнішнє коло, внаслідок чого підтримується концентрація дірок
у p-області.
Введення носіїв заряду через p–n-перехід при зниженні висоти
потенціального бар’єру в область напівпровідника, де ці носії є
неосновними, називають інжекцією носіїв заряду.
При протіканні прямого струму з діркової області в електронну
інжектуються дірки, а з електронної і діркову – електрони
Таким чином, напрям ввімкнення джерела
впливає на ширину запірного шару і може як
збільшувати, так і зменшувати його ширину,
потенціальний бар’єр і опір. Отже, p-n-перехід
має односторонню (вентильну) провідність.
 Вольт-амперна характеристика
p-n - переходу
Вольт-амперна характеристика визначає
залежність струму через p-n перехід від величини
і полярності прикладеної напруги. Аналітичний
вираз для струму через p-n перехід має вигляд
𝒆𝑼
𝑰= 𝑰𝟎 𝒆𝒌𝑻 −𝟏
Тут позначено: 𝑰𝟎 - зворотний струм насичення
p-n переходу, який визначається фізичними
властивостями напівпровідникового матеріалу,
U – напруга прикладена до p-n переходу
Вольт-амперна характеристика p-n переходу має
вигляд :
Із даної формули випливає , що при зростанні напруги
U (пряма напруга), струм різко зростає. При зворотних
напругах показник експоненти від’ємний, тому при
збільшенні зворотних напруги величина
𝒆𝑼
− 1
𝒆 𝒌𝑻 = 𝒆𝑼 ≪ 1, і 𝑰 = −𝑰𝟎 , тобто зворотний струм в
𝒆𝒌𝑻
певних межах є практично постійною величиною
(порядку мкА). Подальше збільшення зворотної
напруги призводить до пробою p-n переходу, при
якому зворотний струм різко зростає.
Властивості p-n переходів лежать в основі роботи
напівпровідникових приладів для випрямлення
змінного струму, перетворення частот, тощо.
Властивості p-n переходу істотно залежать від
температури. При підвищенні температури зростає
генерація носіїв заряду – електронів і дірок, тобто
збільшується концентрація неосновних носіїв
заряду і власна провідність напівпровідника.
При підвищенні температури прямий і зворотний
струми зростають і p-n перехід втрачає свою
основну властивість односторонню провідність.

Теоретична ВАХ

Реальна ВАХ
Дифузійний струм

Дрейфовий струм
Тепловий пробій

Лавинний
пробій Тунельний
пробій
 Види пробоїв p–n-переходу
Можливі оборотні не необоротні пробої. Оборотний
пробій – це пробій, після якого p–n-перехід
зберігає працездатність. Необоротний пробій
призводить до руйнування структури
напівпровідника.
Існують чотири типи пробоїв: лавинний,
тунельний, тепловий та поверхневий.
Лавинний та туннельний пробої об’єднують назвою
електричний пробій, який є оборотним.
До необоротних відносяться тепловий та
поверхневий.
Лавинний пробій можливий у напівпровідниках зі
значною товщиною р–n-переходу, утвореними
слаболегованими напівпровідниками. При цьому
ширина збідненого шару набагато більша
дифузійної довжини носіів заряду. Пробій
відбувається під дією сильного електричного поля
з напруженістю 𝐸~ 8 − 12 ∙ 106 В/м. Під дією
тепла утворюються неосновні носії, які під дією
електричного поля можуть розігнатися настільки,
що при зіткненні з атомом напівпровідника здатні
іонізувати його. Утворені при цьому носії також
почнуть розганятися і, таким чином, процес
зростатиме лавиноподібно. При цьому
відбувається різке зростання зворотного струму
при майже незмінній зворотній напрузі.
Тунельний пробій відбувається у дуже тонких р–n-
переходах, що можливо при дуже високій концентрації
домішок 𝑛~1019 см−3 , малій ширині переходу ~0,01 мкм та
при невеликих значеннях зворотньої напруги, при яких
виникає значний градієнт електричного поля. Висока
напруга збільшує енергію валентних електронів та
призводить до їх тунельного проникнення крізь тонкий
енергетичний бар’єр. При цьому енергія носіїв
залишається незмінною. Для туннельного пробою
характерним є різке зростання зворотнього струму при
майже незмінній зворотній напрузі.
Якщо зворотній струм при обох видах електричного
пробою не перевищить максимально допустимого
значення, при якому відбувається перегрів та руйнування
кристалічної структури, то вони можуть бути оборотними і
відбуватися багаторазово.
Тепловим називається пробій р–n-переходу,
зумовлений зростанням кількості носіїв заряду при
збільшенні температури кристалу. Зі збільшенням
зворотних напруги та струму зростає теплова
потужність, що виділяється у р–n-переході і, як
наслідок , температура кристалічної структури.
Під дією тепла посилюються коливання атомів та
зменшується зв’язок валентних електронів з ними
– збільшується генерація носіїв заряду.
Якщо електрична потужність в р–n-переході
перевищить максимально допустиме значення, то
процес термогенерації лавиноподібно зростає і у
кристалі відбувається необоротна перебудова
структури - р-n-перехід руйнується.
Розподіл напруженості електричного поля р–n-
переході може суттєво змінити заряди, які
знаходяться на поверхні. Поверхневий заряд може
призвести до збільшення чи зменшення товщини
переходу, у результаті чого на поверхні переходу
може відбутися пробій при напруженості поля,
меншій від тієї, при якій відбувається пробій у
товщі напівпровідникового кристалу. Це явище
носить назву поверхневого пробою.
Суттєву роль у виникненні цього виду пробою
відіграють діелектричні властивості середовища,
що межує з поверхнею напівпровідника. Для
зменшення ймовірності поверхневого пробою
застосовують спеціальні захисні покриття з
високою діелектричною проникністю.
 Теоретична ВАХ

Реальна ВАХ
Дифузійний струм

Дрейфовий струм
Тепловий пробій

Лавинний
пробій Тунельний
пробій
 Контакт метал-напівпровідник
виникає у місці дотику напівпровідникового
кристалу n- або р-типу провідності з металами.
Процеси, що при цьому відбуваються, визначаються
співвідношенням робіт виходу електрона з металу та з
напівпровідника. Під роботою виходу маємо на увазі
енергію, необхідну для переносу електрона з рівня
Фермі на енергетичний рівень вільного електрона.
Чим меншою є робота виходу, тим більша кількість
електронів може вийти з даного тіла.
В результаті дифузії электронів та перерозподілу
зарядів порушується електрична нейтральність
прилеглих до межі розділу областей, виникає
контактне електричне поле та контактна різниця
𝑨м −𝑨н/п
потенціалів: 𝝋конт =
𝒒
Перехідний шар, у якому існує контактне
електричне поле при «метал –напівпровідник»,
називається переходом Шотткі, на честь
німецького вченого В. Шотткі, який першим
отримав основні математичні співвідношення для
електричних характеристик таких переходів.
Контактне електричне поле на переході Шотткі
зосереджене практично у напівпровіднику, оскільки
концентрація носіїв заряду в металах значно більша,
ніж у напівпровіднику. Перерозподіл електронів у
металі відбувається у дуже тонкому шарі, товщина
якого порівняна з міжатомними відстанями.
В залежності від типу провідності напівпровідника та
співвідношення робіт виходу у кристалі можуть
виникати збіднений, інверсний або збагачений
носіями електричних зарядів шари.
1) Ам < Ан/п , напівпровідник n-типу.
В данному випадку буде переважати вихід електронів
з металу в напівпровідник, тому у шарі
напівпровідника біля межі розділу
накопичуватимуться основні носі заряду (електрони),
і цей шар стає збагаченим, тобто таким, що має
підвищену концентрацію електронів. Опір цього шару
буде малим при будь-якій полярності прикладеної
напруги, внаслідок чого такий перехід не має
випрямляючих властивостей. Інакше його називають
невипрямляючим переходом
2) Ам > Ан/п , напівпровідник p-типу
В цьому випадку буде переважати вихід
електронів з напівпровідника у метал, при цьому
на межі розділу також утворюється область,
збагачена основними носіями струму (дірками),
що має малий опір.
Такий перехід також не має випрямляючих
властивостей
3) Ам > Ан/п , напівпровідник n-типу
За таких умов електрони будуть переходити головним
чином з напівпровідника у метал. У напівпровіднику
утвориться область, збіднена основними носіями
заряду, причому ця область матиме великий опір. У
ній утвориться порівняно високий потенціальний
бар’єр, висота якого буде суттєво залежати від
полярності прикладеної напруги. Якщо Ам ≫ Ан/п , то
можливе утворення інверсного шару (p-типу). Такий
контакт має випрямляючі
властивості.
4) Ам < Ан/п , напівпровідник p-типу
Контакт, утворений за таких умов, має випрямляючі
властивості, так само, як і в попередньому випадку.
Особливістю контакту «металл – напівпровідник» є те, що
висота потенціального барєру для електронів та дірок є
різною, внаслідок чого контакти при певних умовах можуть
бути неінжектуючими, тобто при протіканні через них
прямого струму у напівпровідникову область не будуть
інжектуватися неосновні носії. Це дуже важливо для
високочастотних та імпульсних напівпровідникових
пристроїв.
 Гетеропереходи
На відміну від p-n переходу, утвореного в
результаті контакту напівпровідників з однаковою
шириною забороненої зони (гомоперехід),
гетеропереходом називається p-n перехід,
утворений в результаті контакту напівпровідників
з різною шириною забороненої зони.
Для отримання гетеропереходів високої якості
необхідно, щоб у матеріалів, що утворюють
перехід, з великою точністю співпадали два
параметри: температурний коефіцієнт
розширення та стала кристалічної гратки, що
обмежує вибір матеріалів для гетеропереходів.
Найбільш дослідженими в даний час є наступні
пари: германий – арсенід галлію (Ge - GaAs ),
арсенід галлію – фосфід індію (GaAs - InP ),
арсенід галлію – арсенід індію (GaAs - InAs ),
германій – кремній (Ge - Si ).
Кожний з напівпровідників, що утворюють
гетероперехід, може мати різний тип
електропровідності. Тому для кожної пари
напівпровідників можливо здійснити чотири типи
гетероструктур: p1 - n2 ; n1 - n2 ; n1 - p2 и p1 - p2 .
При утворенні гетеропереходу через різні
значення робіт виходу відбувається перерозподіл
носіїв заряду у приконтактній області та
вирівнювання рівнів Фермі внаслідок встановлення
термодинамічної рівноваги.
Інші енергетичні рівні та зони повинні відповідно зігнутися,
тобто у гетеропереході виникають дифузійне поле і
контактна різниця потенціалів. При цьому енергетична
стеля верхньої вільної зони повинна бути неперервною.
Енергетичний рівень стелі верхньої вільної зони є
енергетичним рівнем стелі зони провідності, оскільки
енергетичні зони перекривають одна одну. Ширина
енергетичних зон різних напівповідників різна, тому на
межі розділу зазвичай утворюється розрив дна провідності.
Внаслідок цього висота потенціальних бар’єрів для
електронів і дірок виявляється різною. Це є
особливістю гетеропереходів, що зумовлює їх
специфічні властивості на відміну від p–n-переходів,
які формуються у монокристалі одного
напівпровідника.
Якщо поблизу границі розділу виникають збіднені
основними носіями шари, то основна частина
зовнішньої напруги буде спадати на збіднений шарах.
Висота потенціального бар’єру для основних носіїв
буде змінюватися: зменшуватися при полярності
зовнішньої напруги, протилежній полярності
контактної різниці потенціалів, та збільшуватися при
співпаданні їх напрямків.
Таким чином, гетеропереходи можуть мати
випрямляючі властивості.