PHOTO 공정의 이해

도포단계(PR COATING)

Adhesion PR Coating Soft Bake

E.B.R(Edge Bead Removal)

• Wafer 가장자리에 존재하는 PR을
Thinner 등을 이용하여 제거하는
공정으로써 Coating과 동시에 진행되는
것이 일반적이다.
• Edge의 PR은 Defect를 일으킬 수 있다.

<EBR 진행 모습> <EBR 완료 모습>

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도포단계(PR COATING)

Adhesion PR Coating Soft Bake

Soft Bake
• Bake는 PR이 Coating된 Wafer를
Track장비의 Oven에서 일정한 온도로
구워 내는 공정이다. 비교적 낮은 온도에
서 Bake하여 Soft Bake라고 하며, PR의
점성을 향상시켜 Wafer 표면과의 결합력
을 증가시키고, 구조를 견고하게 한다.
< Hot Plate >
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노광단계(Exposure)
노광
Pre Align 정렬(Align)
(Exposure)

Exposure

• Exposure공정은 빛과 그림자를 이용해

Pattern을 복사하는 공정이다.
• Pre Align : 진행할 공정에 맞는 Step의
마스크를 마스크 홀더(Holder)에 끼워
장비내의 마스크 위치에 정확하게 넣는
것이다.
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노광단계(Exposure)

Align

• 웨이퍼와 마스크 간에 Align 할 수 있도록

만들어진 Key를 매뉴얼(Manual, 수동) 또는
Auto(자동)로 실시한다.
• 25~35 Layer 정도의 Photo Lithography
(Mask공정) 공정을 진행해야 하며, 레티클 간
겹침이 발생하기 때문에 Align 과정은
무엇보다 중요.

<Align>
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노광단계(Exposure)

노광(Exposure) 방식
• Contact : Mask와 Wafer가 직접 접촉한
상태에서 1:1로 노광하는 방식으로
단가가 싸지만 접촉으로 인해 PR손상,
불순물 발생, Mask오염 등의 단점이 있다.
• Proximity : Mask와 Wafer 사이에 일정
간격을 유지함으로써 Contact방식의
단점을 극복했지만 빛의 회절, 발산으로
인한 원치 않는 Pattern변화를 일으키게
된다.
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노광단계(Exposure)

노광(Exposure) 방식
• Projection(투영전사) 방식
- Contact 및 Proximity 방식의 문제점 보완
- Wafer와 Mask 사이를 띄우고 Lens 를 사용하여
Image전달에 Focus개념이 중요
- 5:1, 4:1, 10:1 등 Wafer에 Mask의 Image를 축소
투영할 수 있음
- Mask 상 크기에 비해 Wafer에 전달되는 Image의
크기가 축소될수록 Mask 제작이 용이하며, Mask의 제조
오차 또한 축소 배율만큼 감소시킬 수 있음 현재는 5:1,
4:1 축소 투영 노광 장치가 보편적으로 사용됨
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노광단계(Exposure)
PHOTO 공정의 이해
노광단계(Exposure)

정렬(Align) Key
• Overlay Key
1Shot
• Align Key는 두 개의
Box로 정렬된 형태

• Layer 간 어긋난 정도는 Under Layer를 기준으로 함

• Align Key가 어긋난 경우의 예

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현상단계(Develop)

현상(Develop) 공정의 정의

• 노출 후에 마스크에 있던 패턴은 감광막으로 옮겨지게 되며, 웨이퍼 상에는

마스크 패턴에 따라 빛을 받은 부분과 받지 않은 부분이 생기게 된다.
이것을 현상액을 이용하여 선택적 으로 제거하여 패턴을 형성하는 공정이다.
• 현상액으로 1~2분(상온~150℃) 현상(Development)하면 감광액의
특성에 따라 양성이면 노광된 부분이, 음성이면 노광되지 않은 부분이 제거
됨으로써 비로서 감광원판의 패턴이 최종적으로 웨이퍼 위에 재현되는
것이다.
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현상단계(Develop)

현상(Pattern) 형성 종류

• 현상공정은 웨이퍼를 회전시키면서 현상액을 분사하는 Spin Develop 방식이

보편적이며, 현상용액에 다량의 웨이퍼를 담금으로 현상하는 침전식(Bath Type)이
있다. 회전식(Spin Spray) 방식의 분사 Nozzle에 따라 다음과 같이 분류한다.

• E2 Nozzle 방식 : 넓은 면적을 한꺼번에 뿌려 균일한 Coating이 가능한 방식이다.

• Stream Nozzle 방식 : 적당량을 분사하여 현상액의 소비를 줄이고 회전 속도로
Coating 능력을 조절한다.
• H Nozzle 방식 :E2 노즐과 Stream 노즐의 장점을 융합하여 만든 방식이다.
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현상단계(Develop)

P.E.B 현상(Develop) Hard Bake

P.E.B(Post Exposure Bake)

• 노광을 진행하면서 PR은 빛의 간섭으로 단면에 파장형태의
굴곡(Standing Wave Effect) 남기게 된다. 이를 없애기
위하여 진행하는 공정으로 Hot Plate에 웨이퍼를
100~120℃의 일정한 온도를 가열해 줌으로써 단면에
생긴 굴곡을 완만하게 해주는 역할을 한다.

• Standing Wave가 존재할 경우 DI CD의 불균일과 다음

<PEB 전> <PEB 후> 공정인 Etch 공정에 영향을 주어 Pattern 불량이 나타난다.
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현상단계(Develop)

P.E.B 현상(Develop) Hard Bake

현상(Develop)

• 노광이 끝난 웨이퍼 위에 현상용액을

분사하여 노광 시 UV Light와 반응한

부분을 선택적으로 제거시키는 공정이다.

• 현상액은 온도에 민감하여 현상속도에

영향을 미치므로 엄격한 온도관리가 필요

<Developer>