Professional Documents
Culture Documents
725 Giao Trinh Ky Thuat Dien Tu p1
725 Giao Trinh Ky Thuat Dien Tu p1
725 Giao Trinh Ky Thuat Dien Tu p1
GIÁO TRÌNH
KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ
(ĐIỆN TỬ CƠ BẢN)
(GIÁO TRÌNH DÙNG CHO HỆ CAO ĐẲNG CHUYÊN NGHIỆP CÁC
NGÀNH CNKT: CƠ ĐIỆN TỬ, NHIỆT (CƠ ĐIỆN LẠNH), ĐIỆN-ĐIỆN
TỬ, ĐIỆN TỬ TRUYỀN THÔNG, TỰ ĐỘNG HÓA VÀ ĐIỀU KHIỂN
HỆ CAO ĐẲNG NGHỀ: KỸ THUẬT MÁY LẠNH VÀ ĐHKK, ĐIỆN TỬ
CÔNG NGHIỆP, KỸ THUẬT SỮA CHỮA LẮP RÁP MÁY TÍNH
HỆ TRUNG CẤP: CNKT NHIỆT (ĐIỆN LẠNH))
MỤC LỤC
CHƯƠNG 1: LINH KIỆN THỤ ĐỘNG ................................................................................ 1
1.1. CÁC ĐỊNH LUẬT CƠ BẢN ...................................................................................... 1
1.1.1. Định luật Ohm ......................................................................................................... 1
1.1.2. Định luật phân áp .................................................................................................... 1
1.1.3. Định luật phân dòng ................................................................................................ 3
1.1.4. Biến đổi tương đương giữa nguồn dòng và nguồn áp ............................................. 3
1.2. ĐIỆN TRỞ (RESISTOR) ............................................................................................ 5
1.2.1. Khái niệm ................................................................................................................ 5
1.2.2. Ký hiệu .................................................................................................................... 5
1.2.3. Đơn vị...................................................................................................................... 5
1.2.4. Các thông số kỹ thuật .............................................................................................. 5
1.2.5. Công dụng ............................................................................................................... 6
1.2.6. Phân loại và cấu tạo ................................................................................................ 6
1.2.7. Cách biểu thị giá trị điện trở ................................................................................... 7
1.2.8. Điện trở SMD (SMD-Surface Mount Devices) ...................................................... 9
1.2.9. Biến trở.................................................................................................................. 11
1.2.10. Ghép điện trở......................................................................................................... 12
1.3. TỤ ĐIỆN (CAPACITOR) ......................................................................................... 12
1.3.1. Khái niệm .............................................................................................................. 12
1.3.2. Ký hiệu .................................................................................................................. 12
1.3.3. Đơn vị.................................................................................................................... 13
1.3.4. Thông số kỹ thuật .................................................................................................. 13
1.3.5. Công dụng ............................................................................................................. 13
1.3.6. Phân loại ................................................................................................................ 13
1.3.7. Cấu tạo .................................................................................................................. 13
1.3.8. Cách ghi giá trị điện dung ..................................................................................... 15
1.3.9. Đặc tính của tụ điện .............................................................................................. 16
1.3.10. Ghép tụ điện .......................................................................................................... 16
1.4. CUỘN CẢM (INDUCTOR) .................................................................................... 17
1.4.1. Khái niệm .............................................................................................................. 17
1.4.2. Ký hiệu .................................................................................................................. 17
1.4.3. Đơn vị.................................................................................................................... 17
1.4.4. Cách ghi giá trị độ tự cảm ..................................................................................... 18
1.4.5. Đặc tính của cuộn cảm .......................................................................................... 18
1.4.6. Phân loại và cấu tạo .............................................................................................. 18
1.4.7. Ghép cuộn dây ...................................................................................................... 18
1.4.8. Công dụng ............................................................................................................. 19
CHƯƠNG 2: CHẤT BÁN DẪN VÀ DIODE ....................................................................... 25
2.1. CHẤT BÁN DẪN ..................................................................................................... 25
2.1.1. Khái niệm .............................................................................................................. 25
2.1.2. Chất bán dẫn thuần ................................................................................................ 25
2.1.3. Chất bán dẫn pha tạp ............................................................................................. 26
2.1.4. Mối nối P-N .......................................................................................................... 28
2.2. DIODE BÁN DẪN ...................................................................................................... 28
2.2.1. Cấu tạo, ký hiệu ...................................................................................................... 28
2.2.2. Nguyên lý hoạt động ............................................................................................. 29
2.2.3. Đặc tuyến Vôn - Ampe của Diode ........................................................................ 30
Trang i
Mục lục
Trang ii
Mục lục
Trang iii
Mục lục
Trang iv
Chương 1: Linh kiện thụ động
CHƯƠNG 1
LINH KIỆN THỤ ĐỘNG
1.1. CÁC ĐỊNH LUẬT CƠ BẢN
1.1.1. Định luật Ohm
Cường độ dòng điện I chạy qua một đoạn mạch có điện trở R tỉ lệ thuận với hiệu điện thế U hai
đầu đoạn đoạn mạch đó và tỉ lệ nghịch với điện trở.
I R
A B
U
Hình 1.1. Định luật Ohm
U
I (1.1)
R
Trong đó:
U là điện áp giữa 2 đầu đoạn mạch, đơn vị là volt (V)
R là điện trở của vật dẫn, đơn vị là ohm (Ω)
I là cường độ dòng điện chạy qua vật dẫn, đơn vị là ampe (A)
Lưu ý: Dòng điện được quy ước là dòng chuyển dời có hướng của các hạt mang điện tích dương
(ngược với chiều của các hạt mang điện tích âm).
Ví dụ 1.1: Tính cường độ dòng điện I trong mạch hình 1.1. Biết hiệu điện thế U=12 VDC và
R=10Ω.
Giải:
U 12
I 1.2( A)
R 10
Ví dụ: 1.2: Tính điện trở R trong mạch hình 1.1. Biết rằng dòng điện trong mạch I = 20mA và
hiệu điện thế U= 36 VDC.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
Ví dụ: 1.3: Tính điện áp U trong mạch hình 1.1. Biết rằng dòng điện trong mạch I = 20μA và
R=100kΩ.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
Trang 1
Chương 1: Linh kiện thụ động
R2U in
U out R2 I (1.3)
R1 R2
+
R1
Uin
+
R2 Uout
- -
Ví dụ 1.5: Cho đoạn mạch như hình 1.3 với Uin = 6 VDC, R1=1 kΩ, R2=10 kΩ, R3=100kΩ.
Hãy tìm Uout.
+
R1
Uin
+
R2 Uout
- -
Trang 2
Chương 1: Linh kiện thụ động
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
I1 I2
R1 R2
Ví dụ 1.7: Cho mạch như hình 1.4. Hãy tìm I1, I2. Biết rằng R1 =5.6kΩ, R2=1kΩ, I=40mA.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
Ví dụ 1.8: Cho mạch như hình 1.4. Hãy tìm I1, I2. Biết rằng R1 =39Ω, R2=22Ω, I=5A.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
1.1.4. Biến đổi tương đương giữa nguồn dòng và nguồn áp
Trong mạch điện nguồn áp có thể được biến đổi sang nguồn dòng và nguồn dòng có thể được
biến đổi sang nguồn áp.
R
V I R
Hình 1.5. Biến đổi tương đương giữa nguồn áp và nguồn dòng
Biến đổi mạch gồm một nguồn áp mắc nối tiếp với một điện trở sang mạch gồm một nguồn
dòng mắc song song với một điện trở dùng công thức của định luật Ohm.
Trang 3
Chương 1: Linh kiện thụ động
Ví dụ 1.9: Cho mạch như hình 1.6. Hãy biến đổi thành mạch tương đương gồm một nguồn dòng
mắc song song với một điện trở.
R
V 2
10V
I R
5A 2
Hình 1.7. Mạch sau biến đổi tương đương sang nguồn dòng
Ví dụ 1.10: Cho mạch gồm một nguồn áp mắc nối tiếp với một điện trở như hình 1.5. Biết
nguồn áp có giá trị là 15 VDC và điện trở R=3kΩ. Hãy biến đổi thành mạch tương đương gồm
một nguồn dòng mắc song song với một điện trở.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
Ví dụ 1.11: Cho mạch như hình 1.8. Hãy biến đổi thành mạch tương đương gồm một nguồn áp
mắc song song với một điện trở.
I R
2A 3
Trang 4
Chương 1: Linh kiện thụ động
3
6V
Hình 1.9. Mạch sau biến đổi tương đương sang nguồn áp
Ví dụ 1.12: Cho mạch hình 1.8. Biết nguồn dòng có giá trị là 1mA và điện trở R=2kΩ. Hãy
biến đổi thành mạch tương đương gồm một nguồn áp mắc nối tiếp với một điện trở.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
1.2. ĐIỆN TRỞ (RESISTOR)
1.2.1. Khái niệm
Điện trở (resistor) là một linh kiện điện tử có tác dụng hạn chế cường độ dòng điện trong mạch.
Điện trở kháng (resistance) là đại lượng vật lí đặc trưng cho tính cản trở dòng điện của vật liệu.
Điện trở kháng R của dây dẫn tỉ lệ thuận với điện trở suất và độ dài của dây dẫn, tỉ lệ nghịch
với tiết diện của dây.
l
R (1.5)
S
Trong đó:
R: điện trở của dây dẫn, tính bằng Ohm (Ω)
ӏ: chiều dài của dây dẫn, tính bằng mét (m)
S: tiết diện của dây dẫn, tính bằng mét vuông (m2)
: đại lượng đặc trưng cho sức cản điện của vật liệu dùng làm dây dẫn, gọi là điện trở suất của
dây dẫn, được tính bằng Ohm met (Ωm).
1.2.2. Ký hiệu
Ký hiệu điện trở:
Trang 5
Chương 1: Linh kiện thụ động
1/8W, 1/4W, 1/2W, 1W, 2W, 3W, 5W, 7W, 10W. Điện trở có công suất tiêu tán lớn thì có kích
thước lớn.
Dung sai của điện trở: dung sai là độ sai số của điện trở. Có 3 cấp dung sai thường dùng
là: ±0.25%,:±0.1%, ±0.5%, ±1%, ±2%, ±5%, ±10%. Những điện trở có dung sai nhỏ được
dùng trong các thiết bị đo cần có độ chính xác cao.
1.2.5. Công dụng
Điện trở là linh kiện điện tử thụ động được sử dụng trong tất cả các mạch điện tử.
1.2.6. Phân loại và cấu tạo
Phân loại dựa vào chức năng:
Điện trở có trị số không đổi.
Điện trở có trị số biến đổi được gọi là biến trở.
Phân loại dựa vào cấu tạo:
Điện trở màng than (carbon film resistor)
Điện trở màng kim loại (metal film resistor)
Điện trở dây quấn (wire wound resistor)
Hình1.11. Cấu tạo điện trở màng than Hình 1.12. Cấu tạo điện trở màng
kim loại
Trang 6
Chương 1: Linh kiện thụ động
Nâu
1
(Brown)
Đỏ
2
(Red)
Cam
3
(Orange)
Vàng
4
(Yellow)
Xanh lục
5
(Green)
Xanh lam
6
(Blue)
Tím
7
(Violet)
Xám
8
(Grey)
Trắng
9
(White)
Đối với điện trở có 4 vòng màu, cách đọc được chỉ ra trong hình 1.15 và đơn vị đọc được Ohm.
Đối với điện trở 5 vòng màu cách đọc được chỉ ra trong hình 1.16 và đơn vị đọc được Ohm.
Lưu ý: Với những điện trở có trị số từ 10 trở xuống, nếu vòng thứ ba là:
Đen: không có số 0 thêm vào
Vàng kim: hai số ở vị trí vòng 1 và vòng 2 được chia cho 10
Bạc: hai số ở vị trí vòng 1 và vòng 2 được chia cho 100
Trang 7
Chương 1: Linh kiện thụ động
Vòng 1: số thứ nhất tương ứng với bảng
màu
Vòng 2: số thứ hai tương ứng với bảng
màu
Vòng 3: hệ số nhân (số lượng con số 0 thêm
vào)
𝑣à𝑛𝑔 5%
Vòng 4: dung sai {
𝑏ạ𝑐 10%
Hình 1.15. Cách đọc giá trị điện trở theo vòng màu với điện trở 4 vòng màu
Hình 1.16. Cách đọc giá trị điện trở theo vòng màu đối với điện trở 5 vòng màu
Ví dụ 1.13: Cho điện trở như hình 1.17, hãy tìm giá trị của nó.
Vòng 1: Đỏ →2
Vòng 2: Xanh lá →5
Vòng 3: Đỏ →00
Vòng 4: Vàng kim →± 5%
R = 2500 Ω ±5%
Trang 8
Chương 1: Linh kiện thụ động
R = 2500Ω ±5% Đỏ
Xanh lá
Đỏ
Vàng kim
Trang 9
Chương 1: Linh kiện thụ động
Trang 10
Chương 1: Linh kiện thụ động
Ví dụ 1.18:
100 = 10 × 100 ohm = 10 ohms
220 = 22 × 100 ohm = 22 ohms
Đôi khi nó được khi hẳn là 10 hay 22 để tránh hiểu nhầm là 100 = 100ohms hay 220 là 220ohms.
Điện trở nhỏ hơn 10 ohms sẽ được ghi kèm chữ R để chỉ dấu thập phân.
Ví dụ 1.19:
4R7 = 4.7 ohms
R300 = 0.30 ohms
0R22 = 0.22 ohms
0R01 = 0.01 ohms
Trường hợp điện trở dán có 4 chữ số thì 3 chữ số đầu là giá trị thực và chữ số thứ tư chính là số
mũ 10 (số số không).
Ví dụ 1.20:
1001 = 100 × 101 ohms = 1.00 kilohm
4992 = 499 × 102 ohms = 49.9 kilohm
1000 = 100 × 100 ohm = 100 ohms
Một số trường hợp điện trở lớn hơn 1000ohms thì được ký hiệu chữ K (tức Kilo ohms) và điện
trở lớn hơn 1000.000 ohms thì ký hiệu chử M (Mega ohms).Các điện trở ghi 000 hoặc 0000 là
điện trở có trị số = 0ohms.
Lưu ý: những điện trở có giá trị cỡ vài chục ohm thường chỉ có 2 chữ số, chữ số thứ 3 đã bị
lược bỏ. Những điện trở có trị số cỡ vài ohm thường có chữ "R" đứng phía sau. Ví dụ: 3R = 3
ohm.
1.2.9. Biến trở
Điện trở có trị số biến đổi được gọi tên là biến trở (VR: Variable resistor) hay triết áp (P:
Potentiometer), đó là một điện trở có thể thay đổi trị số tùy theo yêu cầu sử dụng.
Ký hiệu:
Trang 11
Chương 1: Linh kiện thụ động
R1 R2 R3
V
Trang 12
Chương 1: Linh kiện thụ động
1.3.3. Đơn vị
Đơn vị của điện dung là Farad (F). Farad là đơn vị rất lớn nên thường dùng các ước số sau:
1 micro Farad ( 𝜇F và uF) = 1/1.000.000 F = 10-6 F
1 nano Farad (nF) = 1/1.000 𝜇F = 10-9 F
1 pico Farad (pF) = 1/1.000.000 𝜇F = 10-12 F
1.3.4. Thông số kỹ thuật
Điện dung danh định là giá trị điện dung ghi trên thân tụ.
Điện áp danh định là điện áp tối đa cho phép đặt lên hai cực của tụ điện, vượt quá trị số này tụ
bị hư.
Điện trở cách điện là trị số này biểu thị chất liệu của chất điện môi và cũng là biểu thị dòng điện
rò (rỉ) qua tụ điện.
1.3.5. Công dụng
Tụ lọc nguồn, lọc nhiễu
Tụ liên lạc giữa các tầng
Cách ly dòng điện DC…
1.3.6. Phân loại
Phân loại theo chất điện môi dùng trong tụ điện:
Tụ sứ là tụ điện có điện môi làm bằng sứ
Tụ hóa là tụ điện có điện môi làm bằng dung dịch hóa học
Tụ mica là tụ điện có điện môi làm bằng mica
Tụ giấy là tụ điện có điện môi làm bằng giấy…
Phân loại dựa vào cực tính của tụ điện:
Tụ có phân cực
Tụ không phân cực
Phân loại dựa vào giá trị của tụ điện:
Tụ điện có điện dung thay đổi: tụ biến đổi, tụ tinh chỉnh
Tụ điện có điện dung cố định
1.3.7. Cấu tạo
Tụ sứ là tụ không phân cực, trị số của tụ điện vào khoảng từ vài pF đến vài chục nghìn pF
thường được sử dụng trong các mạch điện có tần số cao hoặc mạch lọc nhiễu.
Hình 1.25. Tụ sứ
Tụ hóa là tụ phân cực có cực dương được làm bằng kim loại đặc biệt được xử lý bề mặt để tạo
lớp oxit cách điện. Sau đó chất điện phân rắn hoặc không rắn (non-solid) được phủ lên mặt lớp
oxit để tạo ra cực âm. Do lớp oxit cách điện cực mỏng nên tụ hoá thường có trị số điện dung
lớn, từ hàng μF đến hàng chục ngàn μF. Trên thân tụ có ghi trị số điện dung, điện áp làm việc
ký hiệu là WV (Working Voltage) và dấu cực âm (-).
Tuy trên tụ hóa có ghi giá trị điện dung nhưng khi sử dụng cần lưu ý:
Khi dùng tụ hóa phải mắc đúng cực tính: cực dương gắn vào nơi có điện thế cao hơn
cực âm.
Không dùng tụ hóa ở mạch điện xoay chiều.
Trang 13
Chương 1: Linh kiện thụ động
Trang 14
Chương 1: Linh kiện thụ động
Trang 15
Chương 1: Linh kiện thụ động
Hình 1.31. Các giá trị của tụ điện trên thị trường
Ví dụ 1.23: Hãy xác định giá trị điện dung của tụ sau: 103J, 102J, 474J
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
Trang 16
Chương 1: Linh kiện thụ động
C1 C2 C3
V
Trang 17
Chương 1: Linh kiện thụ động
V L1 L2 L3
Trang 18
Chương 1: Linh kiện thụ động
Giá trị điện cảm tương đương được tính theo công thức:
1 1 1 1
(1.13)
L L1 L2 L3
Ví dụ 1.26: Cho mạch như hình 1.35. Xác định điện cảm tương đương biết: L1= 1 mH, L2=
3mH, L3=4mH.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
Ví dụ 1.27: Cho mạch như hình 1.36. Xác định điện cảm tương đương biết: L1= 1 mH, L2=
3mH, L3=4mH.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
1.4.8. Công dụng
Cuộn dây được dùng để lọc trong
Các mạch lọc nguồn (máy cũ)
Cuộn dây kích thích trong loa, biến áp…
Trang 19
Chương 1: Linh kiện thụ động
C. 2,2uF±10%
D. 2,2uF±15%
Câu 7: Mã ghi của tụ có điện dung 330pF là
A. 331
B. 332
C. 330
D. 333
Câu 8: Mã ghi của tụ có điện dung 1uF là:
A. 105
B. 106
C. 104
D. 103
Câu 9: Điện trở tương đương của mạch điện sau là:
30K
10K
60K
Hình 1.27
A. 30k
B. 100k
C. 9k
D. Đáp án khác
Câu 10: Điện dung tương đương của mạch điện sau là:
30uF
10uF
60uF
Hình 1.28
A. 30uF
B. 100uF
C. 9uF
D. Đáp án khác
Câu 11: Điện dung của tụ điện được đo bằng đơn vị
A. Ampe
B. Volt
C. Henry
D. Farad
Trang 20
Chương 1: Linh kiện thụ động
V R1 R2
10V 1K 10K
Hình BT1.2
1.3. Cho mạch điện sau. Hãy tính:
a. Điện trở tương đương của cả đoạn mạch
b. Dòng điện qua điện trở R1
c. Dòng điện và điện áp qua điện trở R4
d. Dòng điện và điện áp qua điện trở R3
R1 R2
1K 10K
V R3 R4
12V 1K 10K
Hình BT1.3
1.4. Cho mạch điện như hình sau. Hãy tìm:
a. Tìm điện áp và dòng điện qua điện trở 12 ohm
b. Tìm điện áp và dòng điện qua điện trở 40 ohm
12
V 10 40
30V
Hình BT1.4
1.5. Cho mạch điện như hình sau. Hãy tìm:
a. Tìm điện áp qua điện trở 3k ohm
b. Tìm điện áp qua điện trở 20k ohm
1K
3K 30mA 5K 20K
Trang 21
Chương 1: Linh kiện thụ động
Hình BT1.5
1.6. Cho mạch điện như hình sau. Hãy tính dòng điện và điện áp đi qua điện trở tải RL dùng
định lý Thevenin.
A
4 3 2
2 6
6 10
20V 25V
B
Hình BT1.6
1.7. Hãy tìm mạch tương đương Norton của đoạn mạch sau.
8 A
4
5
2A
12V
8
B
Hình BT1.7
1.8. Hãy tìm mạch tương đương Norton của đoạn mạch sau.
3 3
4A
15V 6
Hình BT1.8
1.9. Xác định vòng màu các điện trở sau:
3,9Ω±5%
10Ω±5%
560Ω±5%
6,8Ω±5%
47Ω±10%
68Ω±5%
2,2KΩ±5%
3,3KΩ±5%
10KΩ±10%
330Ω±5%
39KΩ±5%
680KΩ±5%
Trang 22
Chương 1: Linh kiện thụ động
1MΩ±10%
1,5MΩ±5%
56KΩ±5%
820Ω±5%
100KΩ±10%
27KΩ±5%
1.10. Cho biết trị số và sai số các điện trở sau:
Nâu – đen – cam – vàng kim
Đỏ - vàng – đen – vàng kim
Cam – cam – bạc – bạc
Cam – Xanh dương – vàng – bạc
Vàng – tím – vàng kim – vàng kim
Lam – xám – đỏ - bạc
Xám – đỏ - vàng – vàng kim
Trắng – nâu – cam – bạc
Nâu – lục – lục – vàng kim
Nâu – xám – vàng – bạc
1.11. Cho biết giá trị các tụ có mã ghi như sau
681J
473K
103M
224J
333K
562M
22K
10J
472M
33J
1.12. Xác định mã ghi các tụ có trị số như sau
330F±5%
220pF±1%
0,47𝜇F±10%
680nF±5%
0,1𝜇F±5%
220nF±10%
220pF±5%
3,3𝜇F±10%
33nF
1.13. Cho các điện trở có vòng màu như sau:
R1: Nâu – đen – cam – vàng kim
R2: Nâu- Xám – Vàng - Bạc.
R3: Đỏ - Đen - Đỏ - Bạc.
R4: Xám - Đen - Đỏ - Vàng kim.
a. Đọc giá trị các điện trở trên
b. Từ giá trị đã đọc. Hãy tính giá trị điện trở tương đương mạch sau:
Trang 23
Chương 1: Linh kiện thụ động
Hình BT1.9
1.14. Hãy cho biết các giá trị điện dung của tụ điện có mã lần lượt như sau:
C1: 404K.
C2: 604J.
C3: 304G.
C4: 704.
Tính giá trị điện dung tương đương mạch sau:
Hình BT1.10
1.15. Tính giá trị điện dung tương đương mạch sau:
C1: 404K.
C2: 104
Hình BT1.10
Trang 24
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
CHƯƠNG 2
CHẤT BÁN DẪN VÀ DIODE
2.1. CHẤT BÁN DẪN
2.1.1. Khái niệm
Về phương diện điện, vật chất được chia làm 3 loại:
- Chất dẫn điện (conductor) là chất có số điện tử ở lớp ngoài cùng ít hơn rất nhiều so với
số điện tử bão hòa của lớp đó.
- Chất cách điện (insulator) là chất có số điện tử ở lớp ngoài cùng bằng hoặc gần bằng
số điện tử bão hòa của lớp đó.
- Chất bán dẫn (semiconductor) là chất có số điện tử ở lớp ngoài cùng nằm khoảng giữa
hai loại trên.
Trang 25
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Trang 26
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Nếu gọi Nd là nồng độ tạp chất chứa trong một đơn vị thể tích chất bán dẫn cơ bản thì khi được
cung cấp năng lượng đầy đủ, toàn bộ các nguyên tử tạp chất đã bị ion hóa. Nồng độ điện tử tự
do do tạp chất cung cấp là:
nd N d (2.2)
Ngoài số điện tử tự do nhờ tạp chất cung cấp, chất bán dẫn cơ bản vẫn có quá trình sinh ra các
cặp điện tử - lỗ trống do tác động của nhiệt độ (hoặc ánh sáng,…) giống như bán dẫn thuần.
Vậy tổng nồng độ điện tử tự do trong chất bán dẫn loại N là:
nn N d pn (2.3)
Trong đó, pn là nồng độ lỗ trống trong bán dẫn loại N. Vì nn > pn nên bán dẫn loại N có hạt tải
dẫn điện đa số là điện tử, hạt tải dẫn điện thiểu số là lỗ trống. Có trường hợp người ta bỏ qua
vai trò của hạt tải dẫn điện thiểu số, lấy gần đúng đối với bán dẫn loại N là:
nn N d (2.4)
Chất bán dẫn tạp loại P (Positive): Chất bán dẫn có pha thêm tạp chất ở nhóm III.
Pha thêm một lượng rất ít Bore (B) vào chất bán dẫn Si, sự dẫn điện của Si tăng lên. B là chất
ở nhóm III, có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng. Ba điện tử của nguyên tử B liên kết với 3 điện tử của
ba nguyên tử Si kế cận nó. Như vậy, B còn thiếu một điện tử cho liên kết cuối cùng. Nó dễ dàng
nhận thêm một điện tử của nguyên tử gần nó có nghĩa là chỉ cần một kích thích nó (nhiệt độ,
ánh sáng) là một trong những điện tử của các mối liên kết hoàn chỉnh bên cạnh sẽ đến thế
vào mối liên kết thứ tư (mối liên kết thiếu điện tử ở trên).
Trang 27
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Ta thấy pp > np nên bán dẫn loại P có hạt tải dẫn điện đa số là lỗ trống, hạt tải dẫn điện thiểu
số là điện tử. Có trường hợp người ta bỏ qua vai trò của hạt tải dẫn điện thiểu số, lấy gần đúng
đối với bán dẫn loại P là:
p p Na (2.7)
2.1.4. Mối nối P-N
Giả sử điện tử ở tại vị trí số 1, lỗ trống ở vị trí số 2, điện tử dịch chuyển từ 1 sang 2 để lại bên
2 điện tử và bên 1 lỗ trống. Như vậy, điện tử dịch chuyển từ 1 sang 2 còn lỗ trống được xem
như dịch chuyển từ 2 sang 1. Sự dịch chuyển của lỗ trống gọi là chuyển động biểu kiến của lỗ
trống. Điều này cho ta thấy điện tử và lỗ trống chuyển động ngược chiều nhau, điện tử di chuyển
từ âm sang dương, ngược lại lỗ trống di chuyển từ dương sang âm.
Sau khi hình thành mẫu bán dẫn loại P và N, cho hai mẫu bán dẫn này tiếp xúc với nhau. Ta
được một lớp tiếp xúc P – N (mối nối P - N). Tại nơi tiếp xúc P - N có hiện tượng trao đổi điện
tích. Điện tử từ vùng N khuếch tán sang vùng P và ngược lại lỗ trống từ vùng P khuếch tán sang
vùng N. Sự dịch chuyển này tạo ra dòng thuận (dòng khuếch tán) iF có chiều từ P → N.
(a)
(b)
Hình 2.7. Cấu tạo (a) và kí hiệu (b) của diode.
Trang 28
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Ký hiệu quy ước của diode bán dẫn trong mạch điện được biểu diễn như hình 2.7 (b). Diode có
2 cực:
+ Cực A (Anode) là cực nối với lớp bán dẫn p. Cực A còn gọi là cực dương. Điện thế tại Anode
được ký hiệu là VA.
+ Cực K (Cathode) là cực nối với lớp bán dẫn n. Cực K còn gọi là cực âm. Điện thế tại Anode
được ký hiệu là VK.
Hình 2.8. Hình dạng một số diode thường (a), diode dán (b)
2.2.2. Nguyên lý hoạt động
Ta có thể cấp điện để vào 2 điện cực của diode ở một trong những trạng thái sau:
+ VA > VK (VAK > 0): diode phân cực thuận.
+ VA = VK (VAK = 0): diode không phân cực.
+ VA < VK (VAK < 0): diode phân cực nghịch.
Khi phân cực thuận cho diode, nghĩa là nối A với cực dương của nguồn, K với cực âm của
nguồn. Điện tích âm của nguồn đẩy điện tử trong N về lớp tiếp xúc. Điện tích dương của nguồn
đẩy lỗ trống trong P về lớp tiếp xúc, làm cho vùng khiếm khuyết càng hẹp lại. Khi lực đẩy đủ
lớn thì điện tử từ vùng N qua lớp tiếp xúc, sang vùng P và đến cực dương của nguồn. Lực đẩy
đủ lớn là lúc diode có VAK đạt giá trị Vγ, lúc này diode có dòng điện chạy theo chiều từ A sang
K. Vγ được gọi là điện thế ngưỡng (điện thế thềm, điện thế mở). Đối với loại Si có Vγ = 0,6 V
- 0,7 V; Ge có Vγ= 0,2 - 0.3 V.
(A) (K)
I + -
v
Hình 2.9. Mạch phân cực thuận diode
Trang 29
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Ở trạng thái phân cực nghịch, nối A với cực âm của nguồn, K với cực dương của nguồn. Điện
tích âm của nguồn sẽ hút lỗ trống của vùng P, điện tích dương của nguồn sẽ hút điện tử của
vùng N, làm cho điện tử và lỗ trống càng xa nhau hơn. Vùng nghèo càng rộng ra nên hiện tượng
tái hợp giữa điện tử và lỗ trống càng khó khăn hơn. Như vậy, sẽ không có dòng qua diode. Tuy
nhiên, ở mỗi vùng bán dẫn còn có hạt tải thiểu số nên một số rất ít điện tử và lỗ trống được tái
hợp tạo nên dòng điện nhỏ đi từ N qua P gọi là dòng nghịch (dòng rỉ, dòng rò). Dòng này rất
nhỏ cỡ vài nA. Nhiều trường hợp coi như diode không dẫn điện khi phân cực nghịch. Tăng điện
áp phân cực nghịch lên thì dòng xem như không đổi, tăng quá mức thì diode hư (bị đánh thủng).
Nếu xét dòng điện rỉ thì diode có dòng nhỏ chạy theo chiều từ K về A khi phân cực nghịch.
(A) (K)
- +
I -OA
v
Hình 2.10. Mạch phân cực nghịch diode
Khi dùng nguồn VDC điều chỉnh được và chỉnh về 0, lúc đó mạch có VA = VK = 0 hay VAK = 0
hoặc trường hợp khác VA= VK ≠ 0 nhưng VAK vẫn bằng 0. Lúc này diode không được phân
cực. Vì không có sự chênh lệch điện thế nên không có sự dịch chuyển của các hạt tải nên không
có dòng điện.
Ví dụ 2.1: Cho mạch như hình 2.11. Hãy cho biết diode nào phân cực thuận? Diode nào phân
cực nghịch?
+9V +6V
R1 R2
10k 10k
D1 D2
DIODE DIODE
a. b.
Hình 2.11
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………
2.2.3. Đặc tuyến Vôn - Ampe của Diode
Đặc tuyến Vôn – Ampe là đồ thị biểu diễn mối quan hệ giữa điện áp và dòng điện của diode.
Đặc tuyến Vôn – Ampe của diode bán dẫn được mô tả như sau:
Trang 30
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Trang 31
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Kết quả:
+ Điện trở thuận = điện trở nghịch = 0 Ω thì diode bị đánh thủng.
+ Điện trở thuận = điện trở nghịch = ∞ thì diode bị đứt.
+ Điện trở thuận đúng nhưng điện trở nghịch giảm xuống khá nhiều thì diode bị rò, rỉ không
dùng được.
+ Điện trở thuận, điện trở nghịch đúng như bảng trên thì diode tốt.
Ví dụ 2.2. Cho đặc tuyến vôn ampe của một diode như hình vẽ. Tính điện trở tĩnh của diode
tại điểm A và điểm B.
Hình 2.13
Giải:
Sử dụng công thức ở trên ta có:
Tại điểm A:
V 0.65V
RD D 59.1k
I D 11mA
Tại điểm B:
V 0.7V
RD D 31.1k
I D 22.5mA
Điện trở động điện trở được xác định đối với tín hiệu xoay chiều theo công thức:
v 0.026
rD D (2.10)
iD ID
Ngoài ra, đối với diode lí tưởng, nếu nó được phân cực thuận thì không có điện trở và nếu nó
được phân cực nghịch thì có điện trở vô cực. Vậy diode lí tưởng được xem như công tắc (ON
hay OFF) phụ thuộc vào cực tính của điện áp đặt vào diode.
2.2.5. Mạch điện tương đương của diode
Việc tính toán học các mạch diode gặp rất nhiều khó khăn do tính phi tuyến, đặc biệt là sự xuất
hiện của các thành phần hàm mũ trong đó. Vì vậy để đơn giản, người ta đưa ra một số các sơ
đồ tuyến tính tương đương của diode. Mỗi một sơ đồ có độ chính xác khác nhau, tùy theo nhu
cầu sử dụng mà người thiết kế quyết định chọn sơ đồ nào cho phù hợp.
Trang 32
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Sơ đồ tương đương đơn giản nhất cho diode bán dẫn gọi là diode lý tưởng:
+ Khi VD > 0 thì diode cho dòng điện đi qua hoàn toàn. Diode coi như bị ngắn mạch.
+ Khi VD < 0 thì diode ngăn không cho dòng điện đi qua. Diode coi như bị hở mạch.
Hình 2.15
Giải:
Hình (a)
VD 0V
I D 5mA
Hình (b)
VD 5V
ID 0
Sơ đồ tương đương chính xác: Điện áp phân cực nhận giá trị khác 0. Khi phân cực thuận,
diode tương đương với một nguồn điện V .Thông thường Si có Vγ = 0,6 V - 0,7 V; Ge có
Vγ= 0,2 - 0.3 V.
Trang 33
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Hình 2.17
Giải:
Hình (a) Hình (c)
V D 0, 7V VD 5V
I D 4, 3mA ID 0
Hình (b) Hình (d)
VD 5V V D 0V
ID 0 ID 0
Ví dụ 2.4: Cho mạch như hình 2.17. Hãy xác định điện áp và dòng qua diode, điện áp tại Vo.
Hình 2.18
Trang 34
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
………………………
Ví dụ 2.5: Hãy xác định giá trị điện áp và dòng qua diode, giá trị điện áp tại Vo1 và Vo2.
Hình 2.19
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
………………………
Sơ đồ tương đương dạng chính xác: Một nguồn điện 1 chiều VB mắc nối tiếp với điện trở sẽ
làm cho đặc tuyến vôn ampe gần với đặc tuyến thực hơn. Giá trị của V0 nằm trong khoảng 0.3
đến 0.7 V.
VD VB I D rB (2.11)
Trang 35
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Ví dụ 2.6. Cho mạch điện như hình dưới. Tính điện áp 2 đầu điện trở RLIMIT ứng với 3 mô
hình tương đương của diode.
RLIMIT
1k
+
VBIAS - 10V
Hình 2.20
Giải:
Trường hợp 1: mô hình đơn giản
VF 0V
VBIAS
IF 10mA
RLIMIT
VRLIMIT I F RLIMIT 10V
Trường hợp 2: mô hình gần đúng
VF 0.7V
VBIAS VF
IF 9.3mA
RLIMIT
VRLIMIT I F RLIMIT 9.3V
Trường hợp 3: tính chính xác
V VF
I F BIAS 9.21mA
RLIMIT rd'
VRLIMIT I F RLIMIT 9.21V
2.2.6. Cơ chế đánh thủng trong diode
Khi điện áp ngược đặt trên mối nối P-N tăng vượt quá một giá trị nhất định dòng ngược sẽ
tăng đột ngột, c ơ c h ế đ á n h t h ủ n g x ả y r a . Cơ chế này có thể làm hư linh kiện nhưng
l ạ i có một số loại linh kiện hoạt động dựa trên cơ chế này.
Hai cơ chế đánh thủng mối nối P-N trong diode, đó là:
Cơ chế thác lũ: Khi điện áp ngược tăng, điện trường trong miền điện tích không gian tăng,
hạt dẫn thiểu số bị cuốn qua điện trường có động năng ngày càng lớn, khi chuyển động chúng
va đập với các nguyên tử làm bắn ra điện tử lớp ngoài của chúng, số điện tử tự do mới phát
sinh do va chạm này cũng được điện trường mạnh gia tốc, chúng tiếp tục đập vào các nguyên
tử mới làm bắn ra điện tử tự do. Hiện tượng này xảy ra liên tục và nhanh, khiến số hạt dẫn
trong bán dẫn tăng đột ngột, điện trở suất mối nối giảm đi, dòng qua mối nối P-N tăng đột
ngột.
Cơ chế xuyên hầm: Khi điện trường ngược tăng lên, còn cung cấp năng lượng cho các điện
tử lớp ngoài cùng của nguyên tử bán dẫn, nếu các điện tử này có năng lượng đủ lớn chúng
tách ra khỏi nguyên tử tạo thành điện tử tự do, nguyên tử bị ion hóa. Nếu điện trường ngược
đủ lớn hiện tượng ion hóa xảy ra nhiểu dẫn đến số lượng hạt dẫn trong bán dẫn tăng đột
ngột, làm cho dòng ngược tăng nhanh. Cơ chế này gọi là đánh thủng zener.
Hai cơ chế đánh thủng trên có thể được so sánh như sau:
Đánh thủng thác lũ phải có một quá trình gia tốc cho các hạt dẫn khiến chúng đạt tới tốc
độ nhất định. Đánh thủng xuyên hầm hầu như xảy ra tức thời và do điện trường cực đại trên
miền điện tích không gian quyết định.
Trang 36
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Đánh thủng thác lũ phụ thuộc vào độ rộng miền điện tích không gian, vùng này càng
rộng thì số lần va chạm càng nhiều. Đánh thủng xuyên hầm không phụ thuộc vào độ rộng miền
điện tích không gian.
Đánh thủng thác lũ có thể tăng lên khi bị kích thích làm cho hiện tượng thác lũ có thể
xảy ra sớm và mãnh liệt hơn. Vì việc tăng hạt dẫn sẽ kéo theo tăng sự ion hóa. Đánh thủng
xuyên hầm không phụ thuộc vào sự tăng kích thích.
Đánh thủng thác lũ phụ thuộc chủ yếu vào suất ion hóa (suất ion hoá được định nghĩa
là số lượng điện tử và lỗ trống được sản sinh do một hạt dẫn dưới tác động của điện trường di
chuyển một đơn vị độ dài), như vậy nhiệt độ tăng điện áp đánh thủng tăng. Đối với đánh thủng
xuyên hầm, do khi tăng nhiệt độ thì miền nhiệt điện tích không gian trở nên hẹp hơn nên tăng
khả năng xuyên hầm. Việc xuyên hầm sớm xảy ra, vì vậy tăng nhiệt độ dẫn đến điện áp đánh
thủng xuyên hầm giảm.
2.2.7. Các thông số kỹ thuật của diode
Các thông số kỹ thuật của diode thông thường được cung cấp bởi nhà chế tạo, bao gồm:
Điện áp phân cực thuận VF tại dòng và nhiệt độ chỉ định.
Dòng phân cực thuận cực đại IF tại nhiệt độ chỉ định.
Dòng bão hòa ngược IR tại điện áp và nhiệt độ chỉ định.
Điện áp phân cực nghịch đánh thủng tại nhiệt độ chỉ định.
Mức công suất tiêu tán cực đại tại nhiệt độ đặc biệt.
Điện dung của diode.
Thời gian khôi phục phân cực nghịch trr (reverse recover time)
Dãy nhiệt độ cho phép làm việc.
Tùy thuộc vào từng loại diode sử dụng, bảng dữ liệu có thể được cung cấp thêm các thông số
khác như dãy tần số làm việc, mức nhiễu, thời gian chuyển mạch, các mức điện trở ngưỡng và
các giá trị đỉnh.
Công suất tiêu tán cực đại được tính như sau:
PD max VD I D (2.12)
Trong công thức (2.12), nếu sử dụng mô hình đơn giản đối với các ứng dụng thì có thể thay thế
VD = 0,7V đối với diode loại Si.
2.3. MỘT SỐ DIODE BÁN DẪN
2.3.1. Diode chỉnh lưu
Diode chỉnh lưu được hình thành dựa trên một mối nối P-N, có tiếp xúc mặt. Do vậy diode
chỉnh lưu có khả năng chịu được dòng tải lớn và thường được sử dụng trong các mạch chỉnh
lưu.
VD
+ -
Trang 37
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
A K
P N
A K
Đặc tuyến Vôn-Ampe của LED tương tự như diode, tuy nhiên điện áp phân cực thuận (VF) của
LED cao hơn và điện áp phân cực nghịch (VBR) thấp hơn diode. Các dãy điện áp làm việc thông
thường của Led như sau:
Điện áp phân cực thuận từ +1V đến +3V (tùy theo LED).
Điện áp phân cực ngược từ -3V đến –10V.
Dòng điện phân cực thuận trung bình tiêu biểu là 10mA.
Giới hạn dòng điện cho LED:
Trong các mạch ứng dụng thực tế của LED, điện trở giới hạn dòng điện cho LED (R S) thường
được mắc mắc nối tiếp với LED. Giá trị của điện trở này phải được tính toán sao cho dòng điện
cực đại qua LED không được vượt quá dòng điện cho phép.
Giá trị của điện trở RS được tính như sau:
V (max) VF
RS out (2.13)
IF
Trong đó:
Vout(max) là điện áp đỉnh của nguồn cung cấp cho mạch.
VF là giá trị điện áp phân cực cho LED.
IF là dòng điện cho phép lớn nhất của LED (có trị số danh định khoảng từ 10mA đến
30mA).
Thông số kỹ thuật của LED:
Khoảng nhiệt độ hoạt động của LED từ - 600C đến +850C.
Công suất của LED khoảng từ vài trăm μW đến vài W.
Ứng dụng của LED:
Thông thường, LED được chia làm hai phạm vi sử dụng, đó là LED chỉ thị và LED hồng ngoại.
LED chỉ thị là các LED bức xạ ánh sáng có bước sóng nằm trong vùng ánh sáng nhìn thấy được.
LED hồng ngoại là các LED bức xạ ra ánh sáng có bước sóng nằm trong vùng sóng hồng ngoại.
Do hai vùng bức xạ khác nhau nên việc ứng dụng của các LED trong thực tế cũng rất đa dạng.
LED chỉ thị được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực quảng cáo, trong xe hơi, máy bay, trò chơi trẻ
em, âm nhạc, máy ảnh,... vì thể tích nhỏ, công suất tiêu tán thấp và thích hợp với các mạch
logic.
Trang 38
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Ví dụ 2.7: Tính điện trở hạn dòng cho LED như hình sau, cho V=12V.
Hình 2.23
Giải:
V VLED
R 1k
I LED
Ví dụ 2.8: Tính điện trở hạn dòng cho LED ở hình 2.22, cho V=9V.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………….....
Ví dụ 2.8: Cho mạch như hình 2.18. Tính R?
Hình 2.24
Giải:
V VLED
R 266 . Chọn giá trị thực tế là 270 .
3I LED
Ví dụ 2.9: Tính lại ví dụ 2.8 với trường hợp Vcc=12V.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………
2.3.3. Diode zener
Cấu tạo, kí hiệu và nguyên lý hoạt động:
Diode zener được hình thành từ mối nối P-N, vật liệu của mối nối P-N là vật liệu chịu nhiệt và
tỏa nhiệt tốt, do đó nó chịu được dòng điện ngược lớn. Diode zener hoạt động chủ yếu ở vùng
phân cực ngược và được ứng dụng trong các mạch ổn áp, tạo điện áp chuẩn. Vùng zener là vùng
có đường cong đặc tính rơi thẳng đứng tại VZ (hình 2.18).
Trang 39
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
-
Hình 2.26. Mạch điện tương đương của diode zener.
Các thông số kỹ thuật đặc trưng của diode zener:
Ngoài các thông số kỹ thuật tiêu biểu như của diode chỉnh lưu, diode zener có các thông số đặc
trưng sau đây:
Điện áp làm việc VZ
Dòng điện làm việc IZ
Dòng điện làm việc tối đa cho phép IZmax
Công suất tổn hao PZ = VZ.IZmax
Điện trở tương đương (điện trở động) tại điểm làm việc:
dV
rD Z (2.14)
dI Z
Điện trở tĩnh:
V
RD Z (2.15)
IZ
Trang 40
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Hệ số ổn định nhiệt:
1 VZ
T (2.16)
VZ T I Z const
Trong đó VZ là sự thay đổi điện áp zener phụ thuộc vào sự thay đổi nhiệt độ. Hệ số nhiệt có
thể là dương, âm và có thể bằng 0 đối với các mức zener khác nhau. Với giá trị dương cho biết
điện áp VZ trong vùng tăng theo nhiệt độ, trong khi với giá trị âm thì VZ sẽ giảm khi nhiệt độ
tăng. Diode zener thường được sử dụng trong các mạch nguồn, mạch ổn định điện áp, mạch so
sánh.
Ví dụ 2.10: Cho mạch như hình 2.26. Xác định khoảng thay đổi của Vi
RS
100Ω
RL
Vi Dz 1KΩ
Vz=9V
Pzm=300mW
Hình 2.27
Giải:
R RL
Vi min VZ 9.9V
RL
PZM
I ZM 33.3mA
VZ
VL
IL 9mA
RL
I R I L I ZM 42.3mA
Vi max 13.23V
2.4. ỨNG DỤNG CỦA DIODE
2.4.1. Chỉnh lưu
Mạch chỉnh lưu bán kỳ:
Sơ đồ nguyên lý mạch chỉnh lưu bán kỳ được trình bày trong hình 2.27(a). Nguyên lý hoạt động
của mạch được giải thích như trong hình 2.27(b) và (c). Trong khoảng thời gian [0, T/2], tín
hiệu vào vi dương nên diode D dẫn xem như ngắn mạch và mạch điện tương đương (dùng mô
hình tương đương lý tưởng) như hình 2.27(b). Trong khoảng thời gian [T/2, T], tín hiệu vào vi
âm nên diode D ngưng dẫn xem như hở mạch và mạch điện tương đương như hình 2.27(c).
Dạng sóng tín hiệu vi và vo được vẽ trong một chu kỳ có dạng như hình 2.27(d). Tín hiệu vo
chỉ có giá trị dương và giá trị trung bình của điện áp được tính như sau:
2 t 2 T 2 V
T
1 1 1
Vdc Vm sin dt Vm cos cos 0 m 0.318Vm (2.17)
T 0 T T 2 T 2 T
Trang 41
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
+
+
+
R
Vi Vo
- -
(a) Sơ đồ nguyên lý
-
+
+
+
R R
Vi Vo Vo =Vi
- - - -
(b) Dạng sóng điện áp ngõ ra trong nửa chu kỳ đầu của điện áp nguồn
-
+
-
+
R R
Vi Vo Vo = 0V
+ - - -
(c) Dạng sóng điện áp ngõ ra trong nửa chu kỳ sau của điện áp nguồn
(d) Dạng sóng điện áp ngõ ra trong một chu kỳ của điện áp nguồn
Hình 2.28. Mạch chỉnh lưu bán kỳ
Trong trường hợp diode không lý tưởng thì phải xét đến ảnh hưởng của điện áp ngưỡng
V 0,7V của diode Si đến dạng sóng tín hiệu ra khi diode phân cực thuận. Khi đó điện áp trung
bình DC ở ngõ ra được tính như sau:
Vdc 0.318(Vm V ) (2.18)
Trang 42
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Ví dụ 2.10: Cho mạch như hình vẽ. Xác định điện áp trung bình trên tải biết R=1kΩ và
Vi 5sin100 t (V ) và diode lí tưởng.
-
+
+
+
R
Vi Vo
- -
Hình 2.29
Giải:
Vdc 0.318Vm 0.318 5 1.59V
Ví dụ 2.11: Giải lại ví dụ 2.10 với trường hợp Vi 10sin100 t (V ) và Diode là Si.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………….
Mạch chỉnh lưu toàn kỳ:
Sơ đồ nguyên lý mạch chỉnh lưu toàn kỳ được trình bày trong hình 2.28(a), sử dụng 4 diode kết
nối theo cấu hình cầu. Nguyên lý hoạt động của mạch được trình bày trong các hình 2.28(b) và
(c): Trong khoảng thời gian [0,T/2], tín hiệu vào có giá trị dương làm diode D2 , D3 dẫn (xem
như ngắn mạch) còn diode D1 , D4 ngưng dẫn (xem như hở mạch). Khi đó sơ đồ mạch tương
đương và dạng sóng vào, ra có dạng như hình 2.28(b). Nếu xem các diode là lý tưởng thì điện
áp ra vo = vi. Trong khoảng thời gian [T/2, T], tín hiệu vào có cực tính âm làm cho diode D2 ,
D3 ngưng dẫn (xem như hở mạch) còn diode D1 , D4 dẫn (xem như ngắn mạch). Khi đó sơ đồ
mạch tương đương và dạng sóng vào, ra có dạng như hình 2.28(c). Dạng sóng vào và ra trong
một chu kỳ của mạch chỉnh lưu toàn kỳ được biểu diễn trong hình 2.28(d). Do dạng sóng mạch
chỉnh lưu toàn kỳ gấp đôi bán kỳ nên giá trị điện áp trung bình được tính là:
Vdc 2 0.318 Vm 0.636Vm (2.19)
Nếu các diode không được xem là lý tưởng thì phải kể đến giá trị điện áp ngưỡng V 0,7V
khi đó điện áp trung bình ngõ ra được tính như sau:
Vdc 0.636(Vm V ) (2.20)
D1 D2
Vo
Vi
R
D3 D4
-
(a) Sơ đồ nguyên lý
Trang 43
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
vi vo
Vm + Vm
R
vi
- vo +
O T t O T t
-
2 2
(b) Mạch tương đương và dạng sóng vào, ra ở bán kì dương
vi vo
- Vm
- vo +
vi
R
O T T t O T T t
+
2 Vm 2
(c) Mạch tương đương và dạng sóng vào, ra ở bán kì âm
vi vo
Vm Vm
Vdc = 0.636Vm
O T T t O T T t
2 2
(d) Dạng sóng vào và ra trong một chu kỳ của mạch chỉnh lưu toàn kỳ
Hình 2.30. Mạch chỉnh lưu toàn kỳ
Ví dụ 2.12: Cho mạch như hình vẽ. Xác định điện áp trung bình trên tải biết R=1kΩ và
Vi 2sin100 t (V ) và diode lí tưởng.
D1 D2
Vo
Vi
R
D3 D4
-
Hình 2.31
Giải:
Vdc 0.636Vm 0.636 2 1.272V
Ví dụ 2.13: Giải lại ví dụ 2.12 với trường hợp Vi 5sin100 t (V ) và Diode là Si.
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
Trang 44
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
+ Iz
+
Vz RL
Vi - -
Ví dụ 2.11: Cho mạch như hình sau. Xác định IS, IZ, IL và VL biết VZ =10V
RS
+
220Ω +
DC
Vz RL VL
VS - 330Ω
20V -
Hình 2.33
Giải:
300
ET 20 11,5V VZ
300 220
Zener on VL VZ 10V
VL
IL 33,3mA
RL
VS VL
IS 45,5mA I RS
RS
IZ IS I L 12, 2mA
Trang 45
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Ví dụ 2.11: Cho mạch như hình sau. Xác định IS, IZ, IL và VL biết VZ =10V
Hình 2.34
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………………
……………………………………………….
2.4.3. Mạch nguồn DC
Khối nguồn là khối biến đổi năng lượng xoay chiều AC thành năng lượng một chiều DC để
cung cấp nguồn phân cực cho các mạch điện tử. Ngõ vào của khối nguồn chính là nguồn xoay
chiều thường được lấy từ lưới điện quốc gia 220V/50Hz. Một bộ nguồn DC cơ bản gồm các
khối sau:
Maïch Maïch
220V/50 Bieán chænh Maï c h oån aùp Taûi
Hz aùp loï c
löu2.35. Sơ đồ khối bộ nguồn
Hình
Biến áp: hạ áp từ lưới điện 220V/50Hz xuống mức điện áp cần thiết cho điện áp DC được
chuyển đổi tương ứng ngõ ra.
Mạch chỉnh lưu: biến đổi dòng AC thành DC, là khối chính của khối nguồn.
Mạch lọc: có chức năng làm giảm độ gợn sóng của mạch chỉnh lưu.
Mạch ổn áp: có nhiệm vụ ổn định điện áp ngõ ra khi điện áp ngõ vào thay đổi, bảo vệ tải và
bảo vệ nguồn khi tải có sự cố.
Điện áp ngõ ra của mạch chỉnh lưu và mạch lọc không chỉ có điện áp DC mà còn có thành
phần điện áp AC biến thiên gọi là điện áp gợn sóng.
Độ gợn sóng là là tỉ số hiệu dụng của điện áp gợn sóng với trị trung bình của điện áp chỉnh
lưu được xác định qua công thức:
V (rms)
r% r 100% (2.21)
Vdc
Một mạch chỉnh lưu và lọc lí tưởng là có độ gợn sóng bằng 0%.
Trang 46
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
D1
9 2A Bridge
230V 1 IC 1 3
T1
AC IN 7805
0
2
C1 C2 5V
230V Pri C3 DC OUT
0-9V Sec 470uF 0.01uF 0.01uF
2A Transformer 50V
TIP 2955
Trang 47
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
C1 C2
C3
2200u 100n 1
GND 220u
2 VI VO 3 -12VDC
7912
Hình 2.37. Mạch nguồn đôi ±12VDC
2.4.4. Mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế kiểu Latour
Giả sử tại A là bán kì dương, D1 dẫn điện, D2 ngưng dẫn, dòng điện qua D1 nạp vào tụ C1
một hiệu điện thế là U2. Bán kì kế tiếp tại A là bán kì âm, D1 ngưng dẫn, D2 dẫn điện, dòng
điện qua D2 nạp vào tụ C2 một lượng điện thế VDC. Như vậy cả chu kì điện xoay chiều vào,
điện thế một chiều ở ngõ ra gồm hiệu điện thế giữa hai đầu tụ C1 cộng với hiệu điện thế giữa
hai đầu tụ C2 được nạp ở tụ C3. Nó chính là 2VDC cấp điện cho tải.
D1
C1
VAC
Vo = 2VDC
C3
C2
D2
Hình 2.38. Mạch chỉnh lưu nhân đôi điện áp kiểu Latour
2.4.5. Mạch ghim
Mạch ghim là mạch điện tử có chức năng hạn chế tín hiệu không cho vượt quá một ngưỡng nào
đó. Có hai loại mạch ghim: mạch ghim trên và mạch ghim dưới.
Mạch ghim trên là mạch điện hạn chế không cho điện áp lớn hơn một ngưỡng nào đó, tức là
khi điện áp lớn hơn ngưỡng đó, điện áp sẽ bị cắt.
Mạch ghim dưới là mạch điện hạn chế không cho điện áp nhỏ hơn một giá trị nào đó, tức là khi
điện áp nhỏ hơn ngưỡng đó, điện áp sẽ bị cắt.
Trang 48
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Trang 49
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Trang 50
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Trang 51
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
D. I D I S (eVD /VT 1)
Câu 10. Chuyển tiếp p-n khi bị phân cực ngược
A. Vùng tiếp xúc bị thu hẹp lại và điện trường trong vùng tiếp xúc giảm so với lúc chưa có
điện trường ngoài.
B. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc giảm so với lúc
chưa có điện trường ngoài.
C. Vùng tiếp xúc được mở rộng ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với lúc
chưa có điện trường ngoài.
D. Vùng tiếp xúc được thu hẹp ra và điện trường trong vùng tiếp xúc tăng so với
lúc chưa có điện trường ngoài.
Câu 11. Vùng tiếp xúc trong chuyển tiếp p-n có đặc điểm
A. Không tồn tại các hạt mang điện tự do.
B. Không tồn tại các ion tạp chất.
C. Có các ion tạp chất mang điện tích dương phía bên bán dẫn N v à các ion tạp chất âm
phía bên bán dẫn P.
D. Cả a và c.
Câu 12. Chất bán dẫn tạp chất dạng p là chất bán dẫn
A. Thuần có pha thêm tạp chất
B. Thuần có pha thêm tạp chất là nguyên tố có hóa trị V.
C. Có hạt tải đa số là lỗ trống tự do.
D. Có các hạt mang điện tự do là lỗ trống và điện tử.
Câu 13. Điện trở trong diode có đặc tính
A. Tuyến tính
B. Phi tuyến
C. Không tồn tại
D. Vô cùng lớn
Câu 14. Diode zener có đặc điểm
A. Hoạt động ở chế độ phân cực ngược.
B. Dẫn điện khi được phân cực thuận và khi phân cực ngược.
C. Dẫn điện khi được phân cực thuận với điện áp ngưỡng Vγ và khi phân cực ngược với
điện áp Vz.
D. Hoạt động ở chế độ phân cực thuận.
Câu 15. Các thông số sau thông số nào là không phải là thông số giới hạn của diode
A. PIV
B. IDmax
C. PDmax
D. Vγ
Câu 16. Cấu trúc của diode chỉnh lưu gồm
A. Một chuyển tiếp p-n và tiếp xúc của hai bán dẫn này là tiếp xúc mặt.
B. Một chuyển tiếp p-n và tiếp xúc của hai bán dẫn này là tiếp xúc điểm.
C. Một chuyển tiếp p-n.
D. Hai chuyển tiếp p-n.
Câu 17. Kí hiệu của Diode Zener là
Trang 52
Mối nối P-N
A K
A. LED
B. SCR
C. Triac
D. Zener
+12V ID Vo
Si Ge
5.6kΩ
Hình BT2.5
2.6 Xác định VD (điện áp trên diode), Vr và ID trong mạch điện hình BT2.6.
+6V ID
Si
1kΩ Vr
Hình BT2.6
+10V 4.7kΩ ID Vo
Si
1kΩ Vr
-10V
Hình BT2.7
Trang 53
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
ID 3.9kΩ
-5V Vo
ID
Si
4.7kΩ Si
+5V
Hình BT2.8a Hình BT2.8b
2.9 Xác định V01 và V02 trong các hình BT2.9a và BT2.9b.
I2
5.6kΩ
ID
Hình BT2.10
2.11 Xác định Vo và I trong các hình BT2.11a và BT2.11b.
+16V
10V
Si Si
Ge Si
Vo
Vo 5.6kΩ
1kΩ I
Si
I
+4V
Hình BT2.11a Hình BT2.11b
Trang 54
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
Hình BT2.12
2.13 Xác định Vo và ID trong mạch hình BT2.13.
+16V
3.3kΩ 3.3kΩ
Si Si
ID
Vo
1kΩ
Hình BT2.13
2.14 Cho mạch điện như hình BT2.14.
Si
Vi
Vi Vo
Si
1kΩ
10V
Hình BT2.14
a. Xác định Vo khi cả 2 nguồn Vi đều bằng 0V.
b. Xác định Vo khi cả 2 nguồn Vi đều bằng 10V.
Trang 55
Chương 2: Chất bán dẫn và Diode
0V Vo 0V Vo
Si Si
1kΩ 2.2kΩ
-10V
Hình BT2.15a Hình BT2.15b
2.16 Cho mạch điện như hình BT2.16. Biết Vi = 20V, Vz = 10V, RS = 220Ω
RS IL
Is Iz
Vi RL VL
Hình BT2.16
a. Xác định VL, IL, IZ và IS nếu RL=300Ω.
b. Xác định giá trị của RL sao cho diode zener hoạt động không quá công suất (Pzmax = 400mW).
c. Xác định giá trị tối thiểu của RL để zener có thể hoạt động được (Izmin= 1 mA).
2.17 Cho mạch như hình BT2.16, biết Vi = 20V, Vz = 10V, RS = 2.2k Ω.
a. Xác định RL và IL để VL = 10V.
b. Xác định giá trị của RL để có được công suất cực đại PZmax = 400m
Trang 56
Chương 3: Transistor lưỡng cực
CHƯƠNG 3
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC
3.1. TỔNG QUAN VỀ BJT
Transistor lưỡng cực (Bipolar Junction Transistor: BJT) là một loại linh kiện bán dẫn ba cực có
khả năng khuếch đại tín hiệu hoặc hoạt động như một công tắc, rất thông dụng trong ngành điện
tử. Transistor lưỡng cực gồm hai loại là transistor NPN và transistor PNP.
N P N
P N P
Hình 3.1. Cấu tạo BJT (a) BJT loại NPN (b) BJT loại PNP
B-Base: Cực nền C-Collector: Cực thu E-Emitter: Cực phát
Hình 3.2. Ký hiệu BJT (a) BJT loại NPN (b) BJT loại PNP
Chú ý: Ký hiệu mũi tên ở cực E để chỉ chiều thực tế dòng điện IE.
Trang 57
Chương 3: Transistor lưỡng cực
Trang 58
Chương 3: Transistor lưỡng cực
+
-
+
-
_
+
-
+
(b) pnp
Hình 3.4. Mạch phân cực cho transistor (a) NPN (b) PNP
Mối quan hệ các dòng điện trong transistor lưỡng cực tuân theo luật Kirchhoff về dòng điện:
I E I B I C hoặc I C I E I B hoặc I B I E I C
IC
Hệ số khuếch đại dòng DC của transistor là tỷ số của dòng IC chia cho dòng IB: DC ; hệ
IB
số DC là hệ số hFE được cho trong bảng tra thông số kỹ thuật của transistor.
IC
Hệ số khuếch tán dòng điện là tỷ số giữa dòng điện IC và dòng điện IE: DC
IE
Trang 59
Chương 3: Transistor lưỡng cực
+
-
+
-
Trang 60
Chương 3: Transistor lưỡng cực
+
-
Trang 61
Chương 3: Transistor lưỡng cực
Trang 62
Chương 3: Transistor lưỡng cực
Hình 3.11. Hệ số khuếch đại dòng điện DC thay đổi theo IC và nhiệt độ
3.3.2. Điện áp giới hạn
Điện áp giới hạn là các điện áp ngược tối đa cho phép đặt vào hai cực của BJT. Nếu các điện
áp này vượt quá giới hạn thì BJT sẽ bị hư.
VCEO: Điện áp đánh thủng giữa cực C và cực E khi cực B để hở.
VCBO: Điện áp đánh thủng giữa cực C và cực B khi cực E để hở.
VEBO: Điện áp đánh thủng giữa cực E và cực B khi cực C để hở.
Ví dụ: Cho bảng thông số kỹ thuật của 2SC1815 như sau:
Bảng 3.1 - Thông số kỹ thuật của Transitor 2SC1815
Trang 63
Chương 3: Transistor lưỡng cực
Mỗi BJT đều có một công suất giới hạn được gọi là công suất tiêu tán tối đa P CMax (Maximum
Dissipation Power). Nếu công suất sinh ra trên BJT lớn hơn công suất này thì BJT sẽ bị hư.
Ví dụ: Công suất hoạt động của 2SC1815 là 400 mW.
3.4. PHÂN CỰC CHO BJT
Do BJT là loại linh kiện tích cực. Vì vậy, khi sử dụng BJT ta phải phân cực (bias) cho nó. Phân
cực cho BJT là việc đặt các điện áp một chiều và các điện trở vào các cực của BJT để BJT làm
việc ở các trạng thái mong muốn. Để phân cực cho transistor hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
tiếp giáp BE phân cực thuận (điện thế miền bán dẫn loại P cao hơn điện thế ở miền bán dẫn loại
N) và tiếp giáp BC phân cực nghịch (điện thế miền bán dẫn loại P thấp hơn điện thế ở miền bán
dẫn loại N).
Khi phân tích phân cực, cần thực hiện theo các bước sau:
- Xác định và vẽ đường tải một chiều (DCLL: Direct Current Load Line).
- Xác định dòng điện IB.
- Xác định điểm tĩnh Q (VCEQ; ICQ).
- Nhận xét trạng thái hoạt động của mạch.
- Xác định các dòng điện và các điện áp khác.
3.4.1. Phân cực bằng hai nguồn riêng
Sơ đồ nguyên lý: Mạch phân cực BJT bằng hai nguồn riêng trên hình 3.12
Trang 64
Chương 3: Transistor lưỡng cực
IC
VCC
IC(sat )
RC
I B I BQ
ICQ Q
VCE off VCC
VCEQ VCE
Hình 3.13. Đường tải một chiều (DCLL)
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q): điểm tĩnh là giao điểm của đường đặc tuyến ngõ ra và đường
tải một chiều, để xác định điểm làm việc tĩnh trước hết ta cần xác định dòng điện IB.
Áp dụng định luật Kirchhoff về áp cho vòng BE ta có:
VBB = IBRB + VBE
V BB V BE
IB
RB
Điểm làm việc tĩnh (Q): I CQ I B và VCEQ VCC I CQ RC
Xác định các điện áp khác:
Điện áp cực E: VE = 0;
Điện áp cực B: VB= VE + VBE hoặc VB = VBB -IBRB
Điện áp cực C: VC = VE + VCE hoặc VC = VCC - ICRC
Ví dụ 3.3: Xác định đường tải một chiều và điểm làm việc tĩnh của mạch điện sau, biết transistor
có 150 .
Hình 3.14. Mạch phân cực bằng hai nguồn riêng (Ví dụ 3.3)
Giải:
V BB V BE 5V 0, 7V
IB 0, 43mA
RB 10k
Trang 65
Chương 3: Transistor lưỡng cực
IC IB 150.0,43mA 43mA
VCE VCC I C RC 10V 43mA .0,1k 5, 7V
100
43
0 5,7 10
Hình 3.15. Đường tải một chiều (DCLL) cho ví dụ 3.3
Xác định các điện áp khác:
Điện áp cực E: VE = 0;
Điện áp cực B: VB= VE + VBE = 0.7V
Điện áp cực C: VC = VE + VCE = 5.7V
Ví dụ 3.4
Xác định đường tải một chiều, điểm làm việc tĩnh và các điện áp VE, VB, VC của mạch điện sau,
biết transistor có 150 .
+
_
+
_
Hình 3.16. Mạch phân cực bằng hai nguồn riêng (Ví dụ 3.4)
Giải:
VBB VBE
IB 0.041mA
RB ( 1) R E
IC I B 6.15mA
IE I C 6.15mA
VCE VCC I C RC I E RE 5, 23V
Trang 66
Chương 3: Transistor lưỡng cực
RC
IC
RB
IB Output
Q1
Input
+0.7 V
IE
VBE
Trang 67
Chương 3: Transistor lưỡng cực
IC
VCC
IC(sat )
RC
I B I BQ
ICQ Q
VCE off VCC
VCEQ VCE
Hình 3.19. Đường tải một chiều cho mạch phân cực nguồn chung.
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q): điểm tĩnh là giao điểm của đường đặc tuyến ngõ ra và
đường tải một chiều, để xác định điểm làm việc tĩnh trước hết ta cần xác định dòng điện IB.
Áp dụng định luật Kirchhoff về áp cho vòng BE ta có:
VCC = IBRB + VBE
VCC V BE
IB
RB
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q):
I CQ I B và VCEQ VCC I CQ RC
Xác định các điện áp khác:
Điện áp cực E: VE = 0;
Điện áp cực B: VB= VE + VBE Hoặc VB = VCC -IBRB
Điện áp cực C: VC = VE + VCE
Hoặc VC = VCC - ICRC
Ví dụ 3.5:
Xác định đường tải một chiều, điểm làm việc tĩnh và các điện áp VE, VB, VC của mạch điện sau:
Trang 68
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VCE off
VCC 12V ; I C sat
5,45mA
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q)
VCC VBE 12V 0, 7V
IB 47 A
RB 240k
I CQ I B 50 x 47 A 2350 A 2, 35mA
VCEQ VCC ICQ RC 6,83V
C IC
RB
B
-V
EE
100k IB IE +
12V
E
1k RE
Hình 3.22. Mạch phân cực nguồn chung dùng Transistor PNP (Ví dụ 3.6)
Giải:
Xác định DCLL:
VEC off VEE 12V ; IC sat 12mA
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q)
VEE VEB 12V 0,7V
IB 56 A
RB ( 1) RE 201k
ICQ I B 100 47 A 4700 A 4,7mA
Trang 69
Chương 3: Transistor lưỡng cực
RB RC
IC
IB
IE RE
Trang 70
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VCC
Điểm bão hoà được xác định khi VCE (sat) = 0 nên IC (sat) =
RC R E
IC
VCC
IC(sat )
RC RE
I B I BQ
ICQ Q
VCE off VCC
VCEQ VCE
Hình 3.25. Đường tải một chiều
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q): Điểm tĩnh là giao điểm của đường đặc tuyến ngõ ra và
đường tải một chiều, để xác định điểm làm việc tĩnh trước hết ta cần xác định dòng điện IB.
Áp dụng định luật Kirchhoff về áp cho vòng BE ta có:
VCC = IBRB + VBE + IERE
Và I E IC I B IB IB 1 IB
VCC V BE
IB
RB 1 RE
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q):
I CQ I B và VCEQ VCC I CQ ( RC RE )
Xác định các điện áp khác:
Điện áp cực E: VE = IERE;
Điện áp cực B: VB= VE + VBE Hoặc VB = VCC -IBRB
Điện áp cực C: VC = VE + VCE
Hoặc VC = VCC - ICRC
Ví dụ 3.7: Xác định đường tải một chiều và điểm làm việc tĩnh của mạch điện sau:
Trang 71
Chương 3: Transistor lưỡng cực
Giải:
Xác định DCLL:
VCE off VCC 20V ;
VCC
IC sat
6, 67 mA
RC RE
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q)
VCC VBE 20V 0, 7V
IB 40.10 6 A 40 A
RB 1 RE 430k 51.1k
I CQ IB 50.40 A 2000 A 2mA
VCEQ VCC I CQ RC RE 20V 2mA 2k 1k 14V
IC (mA)
6,67
I B 40A
Q
2
VCE (V)
14 20
Hình 3.27. Đường tải một chiều (ví dụ 3.7)
Xác định các điện áp khác:
Điện áp cực E: VE = IERE = 4,4V
Điện áp cực B: VB= VE + VBE = 5,1V
Điện áp cực C: VC = VE + VCE = 18,4V
Ví dụ 3.8 Xác định đường tải một chiều và điểm làm việc tĩnh của mạch điện sau:
220 RC
C IC
RB
B
β = 100 -V
EE
100k IB IE +
12V
E
1k RE
Trang 72
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VEC off
VEE 12V ;
VEE
IC sat
9,8mA
RC RE
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q)
VCC VEB 12V 0, 7V
IB 46 A
RB 1 RE 100k 101.1k
ICQ I B 100.46 A 4,6mA
VECQ VEE I CQ RC RE 12V 4, 6mA 1k 0, 22k 6,39V
IC RC
I1 R1
IB
I2 R2
IE RE
Trang 73
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VCC
Điểm bão hoà được xác định khi VCE (sat) =0 nên IC (sat) =
RC R E
IC
VCC
IC(sat )
RC RE
I B I BQ
ICQ Q
VCE off VCC
VCEQ VCE
Hình 3.31. Đường tải một chiều cho mạch phân cực chia áp
Xác định điểm làm việc tĩnh (Q): Điểm tĩnh là giao điểm của đường đặc tuyến ngõ ra và
đường tải một chiều, để xác định điểm làm việc tĩnh trước hết ta cần xác định dòng điện IB.
VCC
RC
RE
Trang 74
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VE V B V BE
xác định ICQ theo công thức I CQ IE
RE RE
Xác định các điện áp khác:
Điện áp cực E: VE =IERE;
Điện áp cực B: VB= VE + VBE
Điện áp cực C: VC = VE + VCE Hoặc VC = VCC - ICRC
Ví dụ 3.9: Xác định đường tải một chiều và điểm làm việc tĩnh của mạch sau:
22V
39k 10k
10uF
V
CE β = 100
10uF
3,9k
1,5k 50uF
Trang 75
Chương 3: Transistor lưỡng cực
IC (mA)
1,91
I B 8, 4A
Q
0,84
VCE (V)
12,34 22
Hình 3.34. Đường tải một chiều cho ví dụ 3.9
Xác định các điện áp khác:
Điện áp cực E: VE = IERE = 1,26V
Điện áp cực B: VB= VE + VBE = 1,96V
Điện áp cực C: VC = VE + VCE = 13,6V
Ví dụ 3.10: Xác định đường tải một chiều và điểm làm việc tĩnh của mạch sau:
12V
E
B β = 200
VEC
C
15k R B1
RC 1k
Trang 76
Chương 3: Transistor lưỡng cực
ICQ IB 3mA
VECQ VEE ICQ RC RE 12V 3mA 1k 0, 22k 8,34V
(mA)
9,8
I B = 0,17mA
3
IC I B
RC
RB
IB IC
vo
VCE
vi VBE
Trang 77
Chương 3: Transistor lưỡng cực
12V
RC 2,2k
RB
330k
100
Hình 3.38. Mạch phân cực hồi tiếp từ cực C (Ví dụ 3.11)
Giải:
Áp dụng định luật Kirchhoff II cho mạch vòng BE ta có:
VCC I C I B RC I B RB V BE
VCC VBE 12V 0, 7V
IB 20, 4 A
RB ( 1) RC 330k 101 2, 2k
IC I B 100.20, 4 A 2,04mA
VCE VCC IC RC 12V 2,04 2, 2 7,51(V )
VE = 0
VB = VE + VBE = 0,7V
VC = VCE = 7,51V
Ví dụ 3.12: Cho mạch điện sau, xác định IB, IC, VCE, VB, VC, VE
10V
RC 4,7k
RB
250k
90
RE 1,2k
Hình 3.39. Mạch phân cực hồi tiếp từ cực C (Ví dụ 3.12)
Trang 78
Chương 3: Transistor lưỡng cực
Giải:
VCC V BE 10V 0, 7V
IB 11, 9 A
RB RC R E 250k 90 4, 7k 1, 2k
IC IB 90.11, 9 A 1, 07mA
VCE VCC I C RC R E 10V 1, 07mA 4, 7k 1, 2k 3, 69V
VE = IE.RE = 1,07mA.1,2kΩ = 1,28V
VB = VE + VBE = 1,98V
VC = VE + VCE = 4,97V
3.5. BJT LÀM VIỆC TRONG CHẾ ĐỘ CHUYỂN MẠCH
Trong các mạch điều khiển xung, mạch số, mạch logic, transistor làm việc như một
một khóa điện tử, hoạt động ở 2 trạng thái: khi transistor dẫn bão hòa hoạt động như khóa
đóng, transistor tắt hoạt động như khóa mở.
RC RC RC RC I C(sat)
IC I C(sat)
IB
0V IB = 0 C VBB C
+
RB RB
E -
E
10V
VCC
RC
1k
IB
V IN
VOUT
RB
Trang 79
Chương 3: Transistor lưỡng cực
Giải:
a) Xác định VOUT khi VIN =0V
b) Xác định IB (min) khi transistor hoạt động bão hòa biết 200
c) Xác định RB (max) để transistor bão hòa biết VIN=5V
Giải:
a) Khi VIN=0V thì transistor tắt
Vout VCE off VCC 10V
b) Khi transistor hoạt động bão hòa thì:
VCC VCE ( sat ) 10V
I C ( sat ) 10mA
RC 1k
I C sat 10mA
I B (min) 50 A
200
c) Xác định RB (max) khi VIN=5V:
V IN V BE
IB I B (min)
RB
V IN V BE 5V 0, 7V 4, 3V
RB 86000 86k
I B (min) 50 A 50.10 6 A
Ví dụ 3.14 Cho mạch sau, biết transistor có 50 , VCC = 12V và RB = 10kΩ. Xác định RC và
biên độ của VIN để LED sáng bình thường
10V
VCC
RC
ON ON IB
VIN
1s RB
OFF
Trang 80
Chương 3: Transistor lưỡng cực
R1 RC
vo
vi Zo
R2 RE
Zi
Hình 3.44. Mạch khuếch đại mắc E chung
Mạch tương đương tín hiệu nhỏ:
Trang 81
Chương 3: Transistor lưỡng cực
ib ic
B C
RC
R1 / /R 2 re i b
vi vo
E
Zi Zo
R1 RC 1k
22k
Vo
200
Vi
Zo
R2 RE
6,8k 560
Z
i
Trang 82
Chương 3: Transistor lưỡng cực
R2 6, 8k
VB VTH VCC 12V 2, 83V
R1 R2 6, 8k 22k
VE V B 0, 7V 2,13V
VE
2,13V
IE 3, 8mA
RE560
VT 25mV 25mV
Điện trở động: re 6, 6
I EQ I EQ 3, 8mA
Tổng trở ngõ vào:
Z i 22k / /6, 8k / /200.6, 6 0, 87k
Tổng trở ngõ ra:
Z o RC 1k
Độ lợi áp:
RC 1k
Av 151
re 6, 6
Ví dụ 3.16 Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau
22V
VCC
R1 RC 6,8k
56k 10uF
Vo
10uF
90
Vi
Zo
R2 RE
8,2k 1,5k 20uF
Z
i
Hình 3.47. Mạch khuếch đại E chung cho ví dụ 3.16
Giải:
Ta có I EQ 1,4mA
26mV 26mV
re 18, 6
I EQ 1, 4mA
re 90.18, 6 1, 67k
RB R1 / / R2 7,15k
Zi RB / / re 1, 35k
Zo RC 6, 8k
Trang 83
Chương 3: Transistor lưỡng cực
RC 6, 8k
Av 365, 6
re 18, 6
Ví dụ 3.17: Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau:
12V
VCC
R1 5,6k
RC
82k 10uF
Vo
10uF C2
Vi Zo RL
C1
1k
R2 RE C3
22k 1,2k 10uF
Z
i
Hình 3.48. Mạch khuếch đại E chung cho ví dụ 3.17
Giải:
Zi R B / / re 17, 3k / /2k 1, 8k
Zo RC 5k 6
RC / / R L
Av 42
re
Zi
Ai Av . 77
RL
Ví dụ 3.18: Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau:
10V
VCC
R1 2,2k
RC
47k 10uF
Vo
10uF C2
150 RL
C1
Zo
10k
600 RS
R2 RE 470
10k C3
Vi 100uF
Trang 84
Chương 3: Transistor lưỡng cực
R1 2,2k
RC
47k
R2 RE 470
10k
Trang 85
Chương 3: Transistor lưỡng cực
25mV
re' 12,5; re' 1,87k
IE
( R1 / / R2 / / re' ) RS
vi .ib . re'
R1 / / R2 / / re '
v0 iC .RC'
vo iC .RC' RC' R1 / / R2 / / re'
Av ' . 219
vi ( R1 / / R2 / / re' ) RS re ( R1 / / R2 / / re' ) RS
.ib . re'
R1 / / R2 / / re'
25
.re' . 833
I EQ
3.6.3. Mạch khuếch đại tín hiệu ngỏ mắc cực thu chung (CC)
Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc cực thu chung (CC) cho độ lợi áp xấp xỉ bằng 1, trở
kháng ngõ vào nhỏ. Tín hiệu vào mạch khuếch đại được nối vào cực nền thông qua tụ liên lạc
ngõ vào C1, tín hiệu ngõ ra trên tải được lấy trên cực tải qua tụ liên lạc C2.
10V
VCC
RC
R1 Vout
i
C2
Vi
C1
R2 RE RL
Trang 86
Chương 3: Transistor lưỡng cực
R1 18k
1uF
2N3904 10uF
Vi
C1 Vout
3V rms C2
R2 RE RL 470
51k
470
Trang 87
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VCC
R1 RC C3
Vout
C1
RL
Vi
C2
R2 RE
Hình 3.54. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ mắc B chung.
Vout Rc'
Độ lợi áp của mạch Av với Rc' RC / / RL
Vin re
Trở kháng ngõ vào Z in RE / / re re
Trở kháng ngõ ra Zout = RC
Độ lợi dòng của mạch Ai
Ví dụ 3.20:
Xác định tổng trở vào, tổng trở ngõ ra và độ lợi áp của mạch sau, biết transistor có 250
VCC
2,2k
R1 56k R
C C3 1uF
Vout
C 1 1uF
2N3904
RL
100uF
i 10k
C2
R2 C RE 1k
12k
Trang 88
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VE VB 0, 7V 1, 06V
VE 1, 06V
IE 1, 06mA
RE 1k
VT 25mV 25mV
Điện trở động: re 24
I EQ I EQ 1, 06mA
Tổng trở ngõ vào:
Z i re 24
Tổng trở ngõ ra:
Z o RC 2, 2k
Độ lợi áp:
RC / / R L 2, 2k / /10k 1, 8k
Av 75
re 24 24
Trang 89
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VO
Câu 12: Khi hở tụ C3 thì giá trị độ lợi áp Av :
Vi
A. Tăng B. Giảm C. Không đổi
Câu 13: Khi hở tụ C3 thì tổng trở ngõ vào Zi:
A. Không đổi B. Giảm C. Tăng
VO
Câu 14: Khi không có tải RL thì giá trị độ lợi áp Av :
Vi
A. Không đổi B. Tăng C. Giảm
Câu 15: Khi không có tải RL thì tổng trở ngõ ra Zo:
A. Tăng B. Giảm C. Không đổi
Cho mạch điện sau, biết BJT loại Si và có β=150 trả lời các câu từ 16 đến 26
Trang 90
Chương 3: Transistor lưỡng cực
VO
Câu 24: Khi không có tải RL, độ lợi áp của mạch Av là:
Vi
A. -70 B. 70 C. -140 D. 140
Câu 25: Khi tụ C3 bị hở thì tổng trở ngõ vào:
A. Giảm B. Tăng C. Không đổi
Câu 26: Khi tụ C3 bị hở thì tổng trở ngõ ra:
A. Không đổi B. Tăng C. Giảm
Trang 91
Chương 3: Transistor lưỡng cực
3.9 Cho mạch điện như hình sau. Xác định RC, RE, RB, VCE và VB
Trang 92
Chương 3: Transistor lưỡng cực
3.11 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IBQ, ICQ, VCEQ, VE, VC, VB.
3.12 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IC, VE, VB và R1
3.13 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IC, VE, VCE, VB, VCC và R1
3.14 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IB, IC và VC
Trang 93
Chương 3: Transistor lưỡng cực
3.15 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định IC và VCE
3.16 Cho mạch điện trong hình sau. Xác định VE, IC, VC,VCE, IB và β
3.17 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av
3.18 Cho mạch điện như hình sau. Biết Av=-160. Xác định VCC
Trang 94
Chương 3: Transistor lưỡng cực
3.19 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av
3.20 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av
3.21 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av
Trang 95
Chương 3: Transistor lưỡng cực
3.22 Cho mạch điện như hình sau. Xác định Zi, Zo, và Av
3.23 Cho mạch điện sau, biết BJT loại Si và có β=200 trả lời các câu từ 36 đến 50
+9V
RC
RB
2kΩ C2
630kΩ
Ii +
C1 IO
RL VO
3kΩ
Vi -
Zo
Zi RE
C3 1kΩ
Trang 96