Ozet Kitapcigi

17.
YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI – ANKARA ÜNİVERSİTESİ, 5 KASIM 2010
Genel Bilgi
1984 yılından bu yana geleneksel olarak Ankara’daki bir Üniversitemizde düzenlenen Yoğun
Madde Fiziği Ankara toplantısı başlangıçta sadece Ankara’daki Fizik bölümlerini kapsarken
zamanla artan ilgi ülkemizin çeşitli yerlerinden katılımcılara kucak açmaktadır.
Bu yıl Ankara Üniversitesinde gerçekleştirilecek olan 17. Yoğun Madde Fiziği Ankara
Toplantısında çağrılı konuşmacılar, sözlü bildiriler ve poster sunumları yer almaktadır.
Geçmiş Toplantılar
YMF 1 Katıhal Fiziği Toplantısı Hacettepe 7 Şubat 1984
Üniversitesi
YMF 2 II. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri Bilkent Üniversitesi 1992
YMF 3 III. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri Ankara Üniversitesi 1993
YMF 4 IV Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri Hacettepe 30 Kasım 1994

Üniversitesi
YMF 5 Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri V Ortadoğu Teknik 7 Mart 1997
Üniversitesi
YMF 6 Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri VI Gazi Üniversitesi 28 Kasım 1997
YMF 7 Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri VII Bilkent Üniversitesi 30 Kasım 1998
YMF 8 8. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Bilkent Üniversitesi 9 Kasım 2001
YMF 9 9. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Bilkent Üniversitesi 20 Aralık 2002
YMF 10 10. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Hacettepe 14 Kasım 2003
Üniversitesi
YMF 11 11. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Gazi Üniversitesi 3 Aralık 2004
YMF 12 12. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Ankara Üniversitesi 18 Kasım 2005
YMF 13 13. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Ortadoğu Teknik 3 Kasım 2006
Üniversitesi
YMF 14 14. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Hacettepe 2 Kasım 2007
Üniversitesi
YMF 15 15. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Bilkent Üniversitesi 7 Kasım 2008
YMF 16 16. Yoğun Madde Fiziği - Ankara Toplantısı Gazi Üniversitesi 6 Kasım 2009
17. YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI – ANKARA ÜNİVERSİTESİ, 5 KASIM 2010
Program
08:30-09:15 Kayıt
1. Oturum
Başkan Bilal Tanatar Bilkent Üni.
09:15-09:45 Ç1 İnanç Adagideli Sabancı Üni. Geometric Correlations and
Breakdown of Mesoscopic
Universality in Spin Transport
09:45-10:00 S1 Emre Ozan Polat Bilkent. Üni Geniş Alan Üzerinde Grafen Nano
Şeritlerin Üretilmesi
10:00-10:15 S2 Kenan Elibol Gazi Üni. Grafen Flake Üretim
Yöntemlerinin Geliştirilmesi
10:15-10:30 S3 Musa Mutlu Can Hacettepe Üni. Rf Püskürtüm ile ZnO İnce
Filmlerin Büyütülmesi ve W
Safsızlığının Etkisi
10:30-11:00 Çay Arası Posterler
2. Oturum
Başkan Semra İde Hacettepe Üni.
11:00-11:30 Ç2 Hande Toffoli ODTÜ NOx İndirgeme/Depolama
Sistemlerinde Alternatif Alttaş
Yapı Olarak TiO2
11:30-11:45 S4 Özer Çelik Hacettepe Üni. Magnetik Nanoakışkan
Hipertemi için Magnetik
Nanoparçacıkların Sentezi ve
Magneto-Isıl Karakterizasyonu
11:45-12:00 S5 Eyüp Duman Ankara Üni. Fe3C (Sementit)
Nanoparçacıkların Manyetik
Kararsızlığı
12:00-12:15 S6 Erçağ Pinçe Bilkent Üni. Grafin Alan Etkili Transistörlerin
Yüksek Frekans Performans
Sınırlarının İncelenmesi
12:15-12:30 S7 Aybey Moğulkoç Ankara Üni. Magnetik Alan Altındaki
Grafende Kritik-Altı Coulomb
Safsızlığının Sınırları
12:30-13:30 Öğle Yemeği Posterler
3. Oturum
Başkan Şenay Katırcıoğlu ODTÜ
13:30-14:00 Ç3 Seda Aksoy Sabancı Üni. Ni-Mn Bazlı Martensitik Heusler
Alaşımlarında Manyetik
Etkileşmeler
14:00-14:15 S8 Sezgin Aydın Gazi Üni. Varsayımsal B15 Kristalinin İlk-
Prensiplerle İncelenmesi
14:15-14:30 S9 Yeşim Moğulkoç Ankara Üni. Bazı İkili ve Üçlü Alaşımların İlk
İlkeler Yöntemi ile İncelenmesi
14:30-14:45 S10 Hidayet Çetin Bozok Üni. Grafen Tabanlı Alan Etkili
Transistörlerin Bazı Elektriksel
Özellikleri
14:45-15:00 S11 Ersen Mete Balıkesir Üni. Küçük Pt Parçacıklarının Rutil
TiO2 (110) Yüzeylerinde LSDA+U
Tasviri
15:00-15:15 S12 Gökhan Atmaca Gazi Üni. Eklem Alan Etkili Transistörlerin
Elektriksel Karakteristiklerinin
İncelenmesi
15:15-15:45 Çay Arası Posterler
4. Oturum
Başkan Atilla Aydınlı Bilkent Üni.
15:45-16:15 Ç4 Bayram Kılıç Yalova Üni. Çinko Oksit(ZnO) Nanoyapılar
Üzerinde Boya ile Duyarlı Hale
Getirilmiş Güneş Pillerinin
Üretilmesi
16:15-16:30 S13 Erol Vatansever Dokuz Eylül Metamanyetik Ising Modelinin
Üni. Kritik Manyetik Durulması
16:30-16:45 S14 Özgür Karcı Hacettepe Üni. Düşük Sıcaklık (300mK-300K),

Manyetik Kuvvet
Mikroskobu/Atomik Kuvvet
Mikroskobu Tasarımı (DS-
MKM/AKM) ve 10nın’nin
Altında MKM Çözünürlüğü
16:45-17:00 S15 Demet Çatçat Hacettepe Üni. Sıvı İçerisinde Atomik
Çözünürlükte Yüzeye Deymeyen
Atomik Kuvvet Mikroskobu
(YDM-AKM) ile Görüntü Alma
17:00-17:15 S16 Tamila Anutgan ODTÜ Hidrojenlenmiş Nanokristal
Silisyum Tabanlı İnce Film
Transistörün Sığa-Voltaj
Ölçümleriyle İncelenmesi
17:15-17:30 S17 Özgür Kelekçi Gazi Üni. InGaN Arka Bariyerli AlxGa1-
xN/AIN/GaN HEMT
Yapılarındaki İnce Filmlerin
Alaşım Oranları ve Kalınlıklarının
Nümerik optimizasyonu
17:30 Poster Ödüllerinin Açıklanması
19:00 Akşam Yemeği
ÇAĞRILI
KONUŞMACILAR
17. YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI – ANKARA ÜNİVERSİTESİ, 5 KASIM 2010 Ç1
Geometric Correlations and Breakdown of Mesoscopic Universality in Spin

Transport
İnanç Adagideli
Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, 34956,İstanbul
We construct a unified semiclassical theory of charge and spin transport in chaotic ballistic and disordered
diffusive mesoscopic systems with spin-orbit interaction. Neglecting dynamic effects of spin-orbit interaction,
we reproduce the random matrix theory results that the spin conductance fluctuates universally around zero
average. Incorporating these effects in the theory, we show that geometric correlations generate finite average
spin conductances, but that they do not affect the charge conductance to leading order. The theory, which is
confirmed by numerical transport calculations, allows us to investigate the entire range from the weak to the
previously unexplored strong spin-orbit regime, where the spin rotation time is shorter than the momentum
relaxation time.
NOx indirgeme/depolama sistemlerinde alternatif alttaş yapı olarak TiO2

Hande Toffoli
Fizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06530, Ankara
Yakıt ekonomisini verimli kılmak için tercih edilen bol oksijenli yanma 1 sonucunda atmosfere fazla
miktarda NO ve NO2 gazları (ortak adıyla NOx) salınmaktadır. Toyota 2 tarafından geliştirilen NOx
indirgeme/depolama katalizör sistemleri üç bile¸senden olu¸sur. Bu bileşenler depolama malzemesi (BaO, MgO),
indirgeme malzemesi (Pt, Rh, Pd) ve katalizörü destekleyen alttaş yapı (γ-Al2O3) olarak tanımlanabilir.
Katalizörün çalışma prensibi yanma sonucu ortaya çıkan NOx moleküllerinin depolama malzemesi
üzerinde biriktirilerek, bol oksijen eşliğinde N2 ve O2 gibi çevre açısından zararsız gazlara dönüştürülmesi
şeklinde özetlenebilir. Bu mekanizmanın verimli çalışmasına engel teşkil eden büyük sorunlardan bir tanesi SO2
zehirlenmesi diye adlandırılan ve katalizörün NO2 adsorpsiyon noktalarını kilitleyen olgudur. Bunun
önlenebilmesi için önerilen birçok çözümden biri de değişik alttaş yapıların denenmesidir.
Sunumda öncelikle yukarıda bahsedilen katalizörün özellikleri kısaca anlatılacak daha sonra TiO2
anataz (001) yüzeyinde büyütülen BaO tek katmanlarının SO2 adsorpsiyonu özellikleri üzerine yaptığımız yük
yoğunluğu fonksiyoneli 3 çalışması ve sonuçları anlatılacaktır.
Ni-Mn bazlı martensitik Heusler alaşımlarında manyetik Etkileşmeler

Seda Aksoy1, Mehmet Acet2
1
Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, 34956,İstanbul
2
Experimentalphysik, Duisburg-Essen University, 47057, Germany
Ferromanyetik Ni-Mn bazlı Heusler alaşımları, yüksek sıcaklık fazından (ostenit) düşük sıcaklık fazına
(martensit) geçerken martenzitik geçiş göstermektedirler. Bu geçiş birinci dereceden yapısal bir geçiş olup,
Heusler alaşımlarında manyetik şekil hafıza etkisi, manyetik kalorik etki gibi özelliklerin görülmesini
sağlamaktadır. Martensit manyetizasyonunun geçiş sırasında keskin düşüş göstermesi anti-ferromanyetik ya da
paramanyetik etkileşmelerin varlığı üzerine tartışmalara sebep olmuştur. Bu konuşmada Heusler alaşımlarının
manyetik özellikleri anlatıldıktan sonra martensitik geçiş civarındaki manyetik etkileşmeler, nötron polarizasyon
analizi ve ferromanyetik rezonans (FMR) deneylerinin sonuçları değerlendirilerek açıklanacaktır.
ÇİNKO OKSİT (ZnO) NANOYAPILAR ÜZERİNDE BOYA İLE DUYARLI HALE

GETİRİLMİŞ GÜNEŞ PİLLERİNİN ÜRETİLMESİ
Bayram KILIÇ1, Sebahattin TÜZEMEN2, Lianzhou WANG,3 ve Max LU3

1
Yalova Üniversitesi Mühendislik Fakültesi, Enerji Sistemleri Müh .,77100 YALOVA
2
Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 25240, ERZURUM
3
Australia Institute for Bioengineering and Nanotechnology (AIBN), The University
o f Queensland, Brisbane, QLD, 4072, Australia
Nanowires, nanorods ve nanoflowers gibi ZnO nano yapılar hidrotermal metotla FTO (F:SnO2) taban
malzemeleri üzerine büyütülmüştür. Farklı morfolojilerde ZnO nanoyapılar, ortalama 20–150 nm yarıçapında ve
1–10μm uzunluğunda elde edilmiştir. Oda sıcaklığında PL ölçümlerinden, ZnO nanowires yapıların nanorod ve
nanoflowers yapılardan farklı olarak herhangi bir derin seviye emisyon pikine sahip olmadığı gösterilmiştir.
Ultraviyole görünür soğurma spektrumu, ZnO nanoyapıların 300 nm ve 360 nm (≈4,14 eV ve 3,45eV) arasında
güçlü bir soğurma piki verdiğini göstermiştir. Raman saçılımından, ZnO nanoyapıların yaklaşık 331, 380 ve 438
cm-1de Raman kayması belirlenmiştir ve bu pik değerlerinin sırasıyla E2(M),A1 ve E2 Raman aktif modlarına
karşılık gelerek mükemmel wurtzite ZnO kristal yapıların elde edildiği ispatlanmıştır. Ayrıca, ZnO nanoyapıların
E1 modu ile ilgili olduğu bilinen 582 cm–1 de ekstra bir pik belirlenmiş ve yüksek kalitede nanokristal yapıların
varlığı gösterilmiştir. ZnO nanoyapılar büyütüldükten sonra, boya ile duyarlı hale getirilerek, güneş pillerinde
(DSSCs) geniş bant aralıklı yarıiletken fotoanot olarak kullanılmıştır. Solar enerji dönüşüm verimi ve gelen
fotonun elektrik akımına dönüşüm verimi (IPCE), ZnO nanoyapıların yüzey morfolojisine bağlı olarak
araştırılmıştır. En yüksek solar enerji dönüşüm verimi %3.1 ve IPCE %34 ile ZnO nanoflowers/N719 boya
çözeltisi/ I-/I-3 elektrolit kullanılarak elde edilmiştir. Buna ilave olarak, ZnO nanorod yapılar %1.59 solar enerji
dönüşüm verimi ve %18 IPCE sonuçlarına sahip iken, ZnO nanowires %2.1 solar enerji dönüşüm verimine ve
%25 IPCE sonuçlarına sahip olduğu gösterilmiştir.
SÖZLÜ
SUNUMLAR
17. YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI – ANKARA ÜNİVERSİTESİ, 5 KASIM 2010 S1
Geniş Alan Üzerinde Grafen Nano Şeritlerin Üretilmesi
Emre Ozan Polat1, Coşkun Kocabaş1

1
Fizik Bölümü, İleri Araştırma Laboratuvarı, Bilkent Üniversitesi, Bilkent, 06800, Ankara
Grafin, yüksek yük taşıyıcı mobilitesinden dolayı geleceğe dönük transistör üretiminde, araştırmacılar
tarafından son yıllarda büyük ilgi odağı olmuştur. Grafin, kendine has elektronik özelliklerine rağmen, elektronik
band boşluğu bulunmayan bir yarı-metaldir. Yarıiletkenlerdeki küçük band boşluğu, transistor ve diyotların
çalışması için şarttır. Grafin nano şeritler üzerindeki elektronlar yatay boyutta sınırlandırıldığı için şerit
genişliğine bağlı olarak band boşluğu oluşturabilirler. Bu çalışmada geniş alan üzerinde kimyasal buhar
biriktirme yöntemiyle büyütülmüş grafin, faz kayması litografisi yardımıyla şekillendirilmiş grafin nanoşeritler
ve bu nanoşeritler kullanılarak üretilen alan etkili transistörlerin temel elektriksel özellikleri verilecektir.
Grafen Flake Üretim Yöntemlerinin Geliştirilmesi
K. Elibol1, Ö. Kelekçi1,2, G. Atmaca1, S. B. Lişesivdin1, M. Kasap1, S. Özçelik1 ve

E. Özbay2,3
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara
2
Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara
3
Fizik Bölümü ve Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Bilkent, 06800, Ankara
Grafen, birbirlerine bal peteği düzenindeki gibi altıgenler oluşturacak şekilde bağlı karbon atomlarından oluşan
ideal iki boyutlu bir malzemedir. Yüksek elektron mobilitesine sahip olması, mekanik dayanıklılığının ve termal
iletkenliğinin yüksek olması onu benzersiz bir malzeme yapmaktadır. Bu çalışmada grafen tabakalar SiO2/Si
yüzeyi üzerinde elde edilmiştir. Mekanik olarak grafen tabaka dökme yöntemini geliştirmek için n-tipi Si
tabakaya ve banda DC-gerilim ile alttaşa sıcaklık işlemi uygulandı ve sonuçları incelendi. SiO2 yüzeyini
temizlemek için ultrasonik titreştirici cihazı kullanıldı, temizlemeden önceki ve sonraki optik mikroskop
görüntüleri kıyaslandı. Yüzeyi temizlemenin grafen tabakalara etkisi incelendi. Atomik Kuvvet Mikroskobu
(AFM) karakterizasyonu yapıldı. Mekanik olarak daha kaliteli ve daha çok miktarda tek tabaka grafen elde
etmek için bir yöntem önerildi.
Rf Püskürtüm İle ZnO İnce Filmlerin Büyütülmesi ve W Safsızlığının Etkisi

Musa Mutlu Can, Tezer Fırat, Şadan Özcan
Süperiletkenlik ve Nanoteknoloji Grubu, Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, Ankara
06800
Yapılan çalışmada, satın alınan (% 99.999 saflıkta) ve ev yapımı üretilen ZnO hedefler kullanılarak, Si (100)
alttaşlar üzerine 100W rf gücünde ve 60 dakikalık sürelerde ZnO ince filmleri depolandı. Ev yapımı hedef için
kullanılan ZnO nanoparçacıklar mekanik öğütme ile sentezlendi. Öğütme işleminde kullanılan tungsten karbit
(WC) havan ve bilyeler nedeni ile oluşan safsızlığın ZnO ince filmlerde meydana getirdiği fiziksel değişimler
irdelendi. İnce film kaplama sırasında % 30 Argon (Ar) ve % 70 oksijen (O2) kısmi basınçları uygulandı ve
büyütme sonrası 450oC sıcaklıkta ısıl işlemler gerçekleştirildi. Büyütülen filmlerin yapısal analizleri, x-ışını
kırınım metresi (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve x-ışını fotoelektron spektrometresi (XPS) ile
yapıldı. Örgüdeki safsızlıkları belirlemede ise XPS ve enerji dağıtıcı x-ışını spektrumu (EDS) verileri kullanıldı.
Öğütücü kaynaklı safsızlıkların meydan getirdiği fiziksel değişimlerin incelenmesi magnetik ve elektriksel
deneylerle yapıldı. Magnetik ölçümler titreşen örnek magnetometresi (VSM) ve elektriksel ölçümler ise sıcaklığa
bağlı van der Pauw yöntemi uygulanarak Hall gerilimi ölçümleri ile yapıldı. Yapılan bu çalışmalar, 1293±129nm
kalınlıklarında ve [0002] doğrultusunda ince filmlerin büyüdüğünü gösterildi. Ev yapımı hedeften üretilen ince
filmlerdeki W safsızlıkları nedeni ile düşük sıcaklıklarda diamagnetik davranışın yerine paramagnetik davranış
gözlendi. Elektriksel özellikler ise, W safsızlığının taşıyıcı tipini, yaprak direnç değerlerini, Hall mobilitelerini
ve taşıyıcı yoğunluklarını belirgin olarak değiştirdiği anlaşıldı. Saf haldeki ZnO filmler n-tipi davranışta
bulunurken W katkısı ile p-tipi davranışa dönüştüğü, taşıyıcı mobilitesi ve yaprak direnç değerlerinde ise belirgin
artışların olduğu gözlendi.
Magnetik Nanoakışkan Hipertermi İçin Magnetik Nanoparçacıkların

Sentezi ve Magneto-Isıl Karakterizasyonu
Özer Çelik, Şadan Özcan ve Tezer Fırat
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800, Ankara
Magnetik nanoparçacıklar hipertermi, ilaç taşınımı, magnetik rezonans görüntüleme ve biyosensör yapımı gibi
birçok biyomedikal uygulamada oldukça umut vericidir. Değişen dış magnetik alan altında, parçacıkların
mıknatıslanmasının alan doğrultusunda yönelme çabası parçacıkların bulunduğu ortamın sıcaklığında artışa
sebep vermektedir. Sıcaklıktaki bu artış hipertermi uygulamalarında kendine yer bulmaktadır. Hipertermi; kanser
tedavisinin ortam sıcaklığının artırılması ile yapılmasıdır. Sıcaklığın 42-48 0C aralığında olması normal doku
hücreleri tarafından tolere edilebilirken kanser hücrelerinin büyümesini ve kanserin ilerleyişini yavaşlatmakta
yada tamamen durmaktadır.
Yapılan bu çalışmada, seri olarak Co-ferrit (CoFe2O4) oksit nanoparçacıkları, yüksek sıcaklık ısıl-ayrıştırma
metoduyla farklı boyutlarda hazırlanmıştır. Nanoparçacıkların boyutları hazırlama parametreleri değiştirilerek
kontrol edilmiş ve faz oluşumları ile kristal yapıları spektroskopi (XRD, EDX) ve mikroskopi (TEM)
çalışmalarıyla teyit edilmiştir.
Yapılan XRD ölçümlerinden sentezlenen nanoparçacıkların spinel CoFe2O4 fazda oldukları anlaşılmaktadır.
Ortalama parçacık boyutunun küçülmesi XRD desenindeki piklerde genişleme olarak karşılık bulurken, ortalama
parçacık boyutu en şiddetli (311) pikinden hesaplanmıştır. Aynı zamanda ortalama parçacık boyutu ve
morfolojisi çekilen TEM resimleri kullanılarak imageJ-1.42q programı ile hesaplanırken (ortalama parçacık
boyutları 5.3 nm, 5.6 nm, 8.1 nm, 8.8 nm, 10.2 nm, 13.7 nm), sentezlenen nanoparçacıkların hemen hemen
küresel oldukları anlaşılmıştır. Nanoparçacıkların magnetik özellikleri titreşen örnek magnetometresi (VSM)
ölçümleri ile incelenmiştir.
Yapılan çalışma ile süperparamagnetik parçacıklar ile kararlı ferromagnetik parçacıklar arasındaki magnetik
nanoparçacıkların ısı üretim mekanizmaları üzerinde derin bir görüş kazanılmış ve parçacık özellikleri ve
elektromagnetik alan parametreleri ileriki uygulamalar açısından nasıl optimize edileceğine açıklık getirilmiştir.
Fe3C (Sementit) Nanoparçacıkların Manyetik Kararsızlığı
Eyüp Duman1,*, Mehmet Acet2, Eberhard Wassermann2

1
Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara
2Experimentalphysik, Duisburg-Essen Universitaet, 47057, Germany
Feromanyetik Fe3C (Sementit) bileşiğinin ısısal genleşme katsayısı Curie sıcaklığının altında geniş bir sıcaklık
aralığında sıcaklıktan bağımsız bir davranış gösterir. Invar denilen bu tür malzemelerde hacim kritik bir değerin
altına indirgendiğinde high-spin durumlarından low-spin durumlarına geçiş gözlenir. Fe3C için bu manyetik
geçiş X-ray magnetic circular dichroism yöntemi ile basıncın fonksiyonu olarak incelenmiştir. Fe3C’da Fe
momentinden kaynaklanan manyetik sinyalin 10 GPa civarında azalmaya başladığı ve 20 GPa civarında da
kaybolduğu gözlenmiştir.
Grafin Alan Etkili Transistörlerin Yüksek Frekans Performans Sınırlarının

İncelenmesi
Erçağ Pinçe1, Coşkun Kocabaş1
1
Fizik Bölümü, Bilkent Üniversitesi Bilkent, 06800, Ankara
Geniş alana yayılabilirliğiyle beraber yüksek alan etkili taşınımıyla Grafin yüksek frekans elektroniği alanındaki
uygulamalarda gelecek vadeden bir malzemedir. Bu çalışmada,yük safsızlığı saçılması ile sınırlandırılan
Grafin alan etkili transistörlerin kendine has yüksek frekans performans limitlerini inceledik. Grafin tabanlı alan
etkili transistörlerin çıkış ve transfer karakteristikleri, giriş yalıtkanının safsızlık konsantrasyonunun ve dielekrik
sabitinin bir fonksiyonu olarak karakterize edildi.Elde ettiğimiz sonuçlar Grafin transistörlerin radio frekansı
bandında güç kazanımı sağlayabileceğini ortaya çıkartmıştır.
Magnetik Alan Altındaki Grafende Kritik-Altı Coulumb Safsızlığının

Sınırları
A. Moğulkoç1 , B. S. Kandemir1
1
Fizik Bölümü, Ankara Üniversitesi Tandoğan, 06100, Ankara
İki boyutlu yapıların kararlı bir şekilde bulunabileceği grafenin elde edilmesiyle doğrulanmış oldu. Grafen birim
hücresinde iki farklı karbon atomu bulunduran ve elektronik yapısı, Brilloin bölgesinin iki konik noktasında
kesişen, elektron enerjisinin dalga vektörü bağımlılığının lineer olduğu bir band yapısı sergiler. Grafende yük
taşıyıcıları sıfır durgun kütleli relativistik parçacıkların hareketini taklit ederken, etkin bir ışık hızına sahip
olurlar. Bundan dolayı, grafende relativistik olmayan parçacıkları tasvir eden Schrödinger denkleminin yerine
Dirac-Weyl denklemi kullanılır. Safsızlıklar ise, bu sistemde gerek katkılama yoluyla ve gerekse de malzemenin
alttaş ile etkileşmesiyle gerçekleşebilir, ve grafende göz ardı edilemez etkilere sebep olurlar. Keza katkılanmış
grafenin Dirac noktalarının safsızlıklara karşı hassas olmasından dolayı, bu safsızlıklar grafenin elektronik
özelliklerine ihmal edilmez katkılar getirir. Son zamanlarda yapılan deneylerde, katkılanmamış grafene
potasyum atomları katkılayarak yüklü Coulomb tipi safsızlık davranışları gözlenmiştir. Bu çalışmada grafen
düzlemine dik düzgün bir magnetik alanda, Ze etkin yüküne sahip Coulmb safsızlığının, iki boyutlu ve kütleli
fermiyonların enerji spektrumuna etkisi analitik olarak incelenmiştir. Grafendeki Coulmb safsızlıklarının güçlü
çiftlenime ve uzun-erimli davranışa sahip olmasından dolayı, bu etkiler bilinen pertürbatif tekniklerle ele
alınamaz. Bu nedenle, safsızlığın olduğu bu etkileri açıklayabilmek için varyasyonel yaklaşım önerilmiştir.
Varsayımsal B15 kristalinin ilk-prensiplerle incelenmesi

Sezgin AYDIN1, Mehmet ŞİMŞEK1
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Beşevler, 06500, Ankara
Bor karbür tipi kristal yapıya sahip varsayımsal B15 kristalinin yapısal, elektronik ve mekanik özellikleri
yoğunluk fonksiyonu teorisi kapsamında ilk-prensipler yaklaşımıyla araştırıldı. Kısmi durum yoğunlukları ve
band yapısı incelendi. Hesaplanan elastik sabitleri yardımıyla mekanik kararlılığı test edildi, bulk modülü,
makaslama modülü ve Young modülü gibi mekanik özellikleri belirlendi. İlk-prensip hesaplamalarından elde
edilen bilgiler yardımıyla mikro sertliği hesaplandı. Sonuçlar alfa-bor (B12) ve bor karbür (B4C) ile
karşılaştırılarak, ayrıntılı bir analiz sunuldu.
Bazı İkili ve Üçlü Alaşımların İlk İlkeler Yöntemlerle İncelenmesi

Yeşim Moğulkoç1, Yasemin Öztekin Çiftci2 ve Kemal Çolakoğlu2
1
Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi Tandoğan, 06100, Ankara
2
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar, 06500, Ankara
Bu çalışmada nadir toprak elementlerinden Neodmiyum ve periyodik tablonun 16. grubunda yer alan Tellür
içeren bazı ikili ve üçlü bileşiklerin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özellikleri ilk ilkeler yöntemler
kullanılarak incelenmiştir. Tüm hesaplamalar ab-initio kuantum mekanik simülasyonu hesaplamalarında düzlem
dalga baz setleri üzerinde pseudo potansiyel ve PAW metodu kullanan kompleks bir yazılım olan VASP (Vienna
Ab Initio Simulation Package) paket programı kullanılarak yapılmıştır. Young modülü, Shear modülü, Zener
anizotropi faktörü ve Poisson oranı hesaplanmıştır. Ayrıca elastik sabitleri kullanılarak aynı zamanda Debye
sıcaklıkları, erime sıcaklıkları ve ses hızları hesaplanmıştır. Termodinamik özellikleri olarak; yarı harmonik
Debye modeli kullanılarak hacmin basınçla değişimi incelenmiştir ve bazı termodinamik özelliklerin basınçla ve
sıcaklıkla değişimi incelenmiştir. Elektronik özellikleri olarak; bant yapıları hesaplanmıştır ve bant ile uyumlu
durum yoğunluğu eğrileri çizilmiştir.
Grafen Tabanlı Alan Etkili Transistörlerin Bazı Elektriksel Özellikleri
B. Boyarbay1, M. Öztürk2, S. Sonuşen3, H. Çetin2, M. Dede4 A. Oral3, E.Ayyıldız1

1
Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri
2
Fizik Bölümü, Bozok Üniversitesi, Yozgat
3
Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, İstanbul
4
Nanomagnetic Instruments Ltd., Ankara
e-mail: cetinhidayet@hotmail.com
Seloteyp yöntemi kullanılarak mekanik ayrıştırmayla grafen tabakalar elde edilmiş ve bu tabakalar 300 nm
kalınlıkta olan SiO2 alttaş üzerine transfer edilmiştir. Grafen tabaka kalınlığı Raman Spektrumları ile karakterize
edilmiştir. Elektriksel ölçümlerin alınması için gereken desenleme optik litografiyle yapılmıştır ve elektriksel
kontaklar Cr/Au buharlaştırılarak elde edilmiştir. Üretilen tek atom tabakalı transitörlerin elektriksel
karakteristikleri atmosfer ortamında ve yüksek vakum altında incelenmiş, grafenin elektriksel özelliklerinin
atmosfer ortamına duyarlı olduğu gözlenmiştir.
Küçük Pt parçacıklarının rutil TiO2(110) yüzeylerinde LSDAU tasviri

Ersen Mete1,*, Veysel Çelik1, Hatice Ünal1 ve Şinasi Ellialtıoğlu2
1
Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, 10145, Balıkesir
2
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06530, Ankara
Ptn (n=1–4) topaklarının stokiyometrik, kısmen indirgenmiş ve rekonstruktif rutil TiO2(110) yüzeylerine
bağlanma geometrileri ve elektronik özellikleri, d–d yerinde Coulomb etkileşimi ile düzeltilmiş yoğunluk
fonksiyoneli kuramı ile sistematik olarak çalışıldı. Ptn/TiO2(110) sistemlerinin, özellikle stoykiometrik olmayan
hallerde, elektronik yapısı standart DFT ile doğru şekilde tasvir edilemiyor. Bunun sebebi d elektronlarının
korelasyon enerjilerinin standart DFT tarafından düzgün biçimde ele alınmamasıdır. Özellikle, indirgenmiş
yüzeylerdeki safsızlık elektronik durumlarını deneysel verilerle tutarlı olacak şekilde elde etmek için DFTU
hesabı yaptık. Bu şekilde standart DFT ile metalik davranışlı öngörülen bu sistemler için kabul edilebilir
elektronik yapılar elde ettik. Küçük Pt topaklarının yüzeyde tutunma şekillerinin büyük oranda titanya desteğin
stoykiometrisine bağlı olduğu görüldü. 11 yüzeylerde Pt–O koordinasyonu dominant iken indirgenmiş
yüzeylerde Pt–Ti etkileşimi baskın hale geliyor. Pt topakları yüzeyde yerel deformasyonlara sebep oluyor ve
böylece hem titanya desteğin band kenarlarını değiştiriyor hem de yasak enerji aralığına topak büyüklüğü ile
orantılı sayıda safsızlık durumları getiriyor. Bu yüzden stoykiometrik ve kısmen indirgenmiş yüzeylerde Pt
topakları ciddi şekilde band daralmasına sebep oluyor. Bununla birlikte, 12 rekonstrüktif yüzeylerde Ptn–alttaş
etkileşimi, kısmi reoksidasyon nedeniyle, band aralığı genişlemesine yol açıyor. Burada çalışılan hiçbir
Ptn/TiO2(110) sisteminde, hatta dört platinli yüzeylerde bile, metalizasyon olmayacağı bulundu.
Eklem Alan Etkili Transistörlerin Elektriksel Karakteristiklerinin

İncelenmesi
G. Atmaca, K. Elibol, P. Taşlı, S. B. Lişesivdin ve M. Kasap
Eklem alan etkili transistörler, MOSFET’lerin ticari olarak kullanılmaya başlanması ile beraber uygulama
alanlarında rekabetçi özelliğini kaybederken gerek IGFET’lere karşı gerek de MOSFET’lere karşı avantajları ile
önemli karakteristiklere sahip bir yarıiletken aygıtlardır. Bu çalışma içerisinde eklem alan etkili transistörlerin
yapısı ve elektriksel karakteristikleri teorisi üzerinde durulurken Si tabanlı eklem alan etkili transistörlerin
elektriksel karakteristikleri TiberCAD aracılığıyla incelendi ve diğer yarıiletken aygıtlarla olan kıyaslamaları
yapıldı.
Metamanyetik Ising Modelinin Kritik Manyetik Durulması

Gül Gülpınar1, Erol Vatansever1
1
Fizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, 35180, İzmir
Salınımlı bir dış alan etkisi altındaki spin 1/2 Metamanyetik Ising modeli denge istatistik mekaniği ve tersinmez
termodinamik kuramını birleştiren bir yöntemle incelenmiştir. Bu yöntemle elde edilen kinetik denklemlerin
stasyoner çözümlerinden yararlanılarak dinamik toplam ve sekmeli (staggered) duygunluk ifadeleri ortalama
alan yaklaşımı altında elde edilmiştir. Daha sonra sayısal çözümlerden yararlanılarak dinamik manyetik
duygunlukların sıcaklıkla değişimleri farklı frekanslar için sunulmuştur.
Düşük Sıcaklık (300mK-300K), Manyetik Kuvvet Mikroskobu/Atomik

Kuvvet Mikroskobu Tasarımı (DS-MKM/AKM) ve 10nm’nin Altında
MKM Çözünürlüğü
Özgür Karcı1,2, Münir Dede1, Ahmet Oral3
1
NanoManyetik Bilimsel Cihazlar Ltd. Şti., Hacettepe Teknokent, ArGe3, No:24, Beytepe, 06800, Ankara
2
Hacettepe Üniversitesi, Nanoteknoloji ve Nanotıp ABD, Beytepe, 06800, Ankara
3
Sabancı Üniversitesi, MDBF, Tuzla, 34956, İstanbul
Oda sıcaklığı (300K), ile 300mK arasındaki geniş bir sıcaklık aralığında çalıştırılmak üzere tasarlanan bir
Manyetik Kuvvet Mikroskobu/Atomik Kuvvet Mikroskobu(MKM/AKM) tasarımı sunulmaktadır.
Geliştirdiğimiz özel tasarım ile, düşük sıcaklık kuvvet mikroskoplarında karşılaşılan yay-fiber hizalaması
kendiliğinden yapılmakta ve kullanıcı müdahalesi gerekmemektedir. Bu amaçla, Nanosensors firmasının
geliştirmiş olduğu Si tabanlı hizalama çipleri ve buna uygun yaylar kullanılmış ve özel bir hizalama/yay tutucu
geliştirilmiştir. Bu yöntemle, yay çıkarılıp takıldığında 1-2µm pozisyonlama hassasiyeti ile fiberin aynı hizasına
gelmektedir. Bu şekilde elde edilen hizalama, 300K ile 300mK arasındaki çok geniş bir sıcaklık aralığında,
minimize edilen termal kaymalara rağmen korunmaktadır.
Tasarımı yapılan mikroskop, 23.6mm çapında ve 200mm uzunluğunda olup ebatları oldukça küçüktür. Bu
ebatlar, iç çapı 1’’ seviyesinde olan bir çok kriyostat sistemine, He3 sistemine veya Dilution Refrigerator
sistemine kolayca adapte edilebilmesini sağlamaktadır. Mikroskop eş merkezli iki piezo tüpten oluşmakta ve
içteki tüp tarayıcı olarak kullanılmaktadır. Dıştaki piezo bir kaydırak mekanizması ile örneği yaya yaklaştırmak
amaçlı kullanılmıştır. Örnek, 3mm çapında bir hareket limitine sahiptir ve dışarıdaki piezo tarafından xy
düzleminde hareket ettirilmektedir. Örnek tutucunun arkasına yerleştirilen kapasitif bir sensor ile örnek hareketi
~3µm hassasiyetle kontrol edilebilmektedir. Mikroskop 4K de, >16µm x16µm tarama kabiliyetine sahiptir.
DS-MKM/AFM sisteminde, yaydaki sapmaları ölçmek için bir interferometre sistemi geliştirilmiştir. Geliştirilen
sistemin gürültü değerleri 300K de, <25fm/√Hz ve 77K de ise <12fm/√Hz’den daha iyi seviyededir. Şu an
gürültü Shot Noise ile sınırlıdır. Bu gürültü seviyesi ile <10 nm’den daha iyi çözünürlükte MKM çözünürlüğü
elde etmek mümkün olmuştur (Şekil 1). Geliştirdiğimiz mikroskop ayrıca diğer AKM modları olan, Taramalı
Direnç Ölçüm Mikroskobu, Elektrik Kuvvet Mikroskobu modları ile I&V ve F&d spectroscopy imkanı da
sunmaktadır.
(a) (b)
Şekil 1: 77K’de (a) ölçülen ve hesaplanan gürültü seviyesi, (b) 394Gbpsi Hard disk MKM görüntüsü
1
email:ozgur.karci@nanomagnetics-inst.com
Sıvı İçerisinde Atomik Çözünürlükte Yüzeye Değmeyen Atomik Kuvvet

Mikroskobu (YD-AKM) ile Görüntü Alma
Ümit Çelik1, Demet Çatçat2,3, H. Özgür Özer4, Ahmet Oral5
1
Malzeme Mühendisliği, İstanbul Teknik Üniversitesi, Maslak,34469, İstanbul
2
NanoManyetik Bilimsel Cihazlar, Beytepe, 06800, Ankara
3
Nanoteknoloji ve Nanotıp ABD., Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06800, Ankara
4
Fizik Mühendisliği Bölümü, İstanbul Teknik Üniversitesi, Maslak,34469, İstanbul
5
Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakultesi, Sabancı Üniversitesi, Tuzla, 34956, İstanbul
[*demet.catcat@nanomagnetics-inst.com]
Sıvı içerisinde gerçek atomik çözünürlük elde edilebilen ve ‘yüzeye-değmeyen’ modda çalışabilen bir Atomik
Kuvvet Mikroskobu tasarlayarak imal edilmiştir. Sıvı içerisinde YD-AKM görüntüleme tekniği, malzemelerin
yüzey moleküllerini atomik çözünürlükte görüntülenmesine imkan verir.
Deneylerde NanoManyetik Bilimsel Cihazlar’a[1] ait Yüksek Çözünürlük Atomik Kuvvet Mikroskobu
kullanılmıştır. Kapalı hücre icerisine şırınga ve peristaltik pompalar ile sıvı giriş ve çıkışlarına imkan verecek
mikro tüpler eklenmiştir. Sensör tutucu akustik olarak titreştirilecek şekilde dizayn edilmiş ve bu özelliği ile
mikroskobun yanlış rezonans eğrilerine kilitlenmesi engellenmiştir [2]. Lazer kaynağı olarak RF module
edilebilinen 635nm dalga boyunda lazer tercih edilmiştir. RF modulasyonu optik geribildirim ve girişim
gürültülerinin düşürülmesinde etkilidir. Tasarladığımız mikroskop sisteminde lazer sapma gürültü yoğunluğu
Şekil 1a. ve Şekil 1b.’de görüldüğü gibi havada 20 fm/√Hz sıvıda 25 fm/√Hz kaydedilmiştir. Elektronik
çıkışından ölçülen frekans gürültüsü sıvıda yaklaşık olarak 1Hzpp kaydedilmiştir. Sistemimizin hassasiyeti sıvı
içerisinde mika yüzeyinin görüntüsü alınarak Şekil 1d.’de gösterilmektedir. ( f = +50Hz, A=0.9nm, k=32N/m &
Q ~11).
(a) (b) (c) (d)

Şekil 1. Sensörün (a) havada ve (b) sıvıda termal gürültü spektrumu. Kırmızı çizgiler termal Brownian harketin
deneysel verilerini, mavi çizgiler teorik hesaplanan verilerini göstermektedir. (c) Sensör tutucunun şekli, (d) PBS
çözeltisi içerisinde taranan temiz mika yüzeyinin atomik çözünürlükte görüntüsü.
[1] High Resolution AFM/MFM, NanoMagnetics Instruments Ltd. Oxford, UK. www.nanomagnetics-inst.com
[2] H. Asakawa & T. Fukuma, “Spurious-free cantilever excitation in liquid by piezoactuator with flexure drive
mechanism”, Rev. Sci. Instrum. 80, 103703(2009)
[3] T. Fukuma et. al. “Development of low noise cantilever deflection sensor for multienvironment frequency-
modulation atomic force microscopy, , Review of Scientific Instruments 76,053704(2005)
Hidrojenlenmiş Nanokristal Silisyum Tabanlı İnce Film Transistörün

Sığa-Voltaj Ölçümleriyle İncelenmesi
Tamila (Aliyeva) Anutgan, Mustafa Anutgan, İsmail Atılgan, Bayram Katırcıoğlu
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi Çankaya, 06531, Ankara
Hidrojenlenmiş amorf silisyum (a-Si:H) ince film transistorün (TFT) geçit voltaj baskısı altındaki kararsızlığı ve
aktif bölge taşıyıcı mobilitesinin düşüklüğü önemli sorunlardır. Bu sorunlar, ışıyan diyotlu görüntüleme
panellerindeki aktif matris örgüsünün ve çevre devresinin oluşturulmasını zorlaştırmaktadır. Son zamanlarda, a-
Si:H yerine daha yüksek mobilitesi ve kararlılığından dolayı TFT’nin aktif tabakası olarak nanokristal silisyum
(nc-Si:H) kullanımı yaygınlaşmaktadır. Burada, nc-Si:H tabanlı alt-geçit elektrotlu TFT, plazma destekli
kimyasal buhar biriktirme tekniği (PECVD) ile düşük taban sıcaklıklarında (amorf silisyum nitrür (a-SiNx:H)
için 250 ˚C, nc-Si:H için ise 200 ˚C) üretildi ve aktif tabaka yönünden önceki bir çalışmada [1] optimize edildi.
Elde edilen nc-Si:H TFT ve ondan aşındırma yoluyla türetilen metal-yalıtkan-nc-Si:H (MIAS) yapıları 106-10-2
Hz frekans (F) aralığında alınan sığa-voltaj (C-V) ölçümleri ile incelendi. TFT yapısındaki iletken nc-Si:H
tabakası sayesinde etkin kapasitör alanının savak/kaynak elektrotun dışına yayıldığı belirlendi. Bu yayılma, C-V
ve C-F eğrilerinin davranışlarını büyük ölçüde karmaşık hale getirmektedir. TFT yapısının C-F eğrilerini göz
önünde bulundurarak, yayılma mekanizması önerilen eşdeğer devre yardımıyla açıklanmaya çalışıldı. Paralel
olarak, eşdeğer devre modelleri ile MIAS yapısının C-F eğrilerine oturtma yapıldı. Bunun sonucunda, hem nc-
Si:H bünyesindeki iletim mekanizması, hem de a-SiNx:H/nc-Si:H arayüzündeki kusur yoğunluğu ve bu
yoğunluğun enerji dağılımı belirlendi. Ayrıca, oda sıcaklığında eksi kutuplu düşük geçiş voltajı altında,
deşiklerin yığılması 102-10-2 Hz aralığında dışarıdan taşıyıcı aktarmaksızın (ör. optik yolla) ölçülebildi.
[1] Tamila Aliyeva Anutgan, Mustafa Anutgan, Ismail Atilgan, Bayram Katircioglu, Large area uniformity of
plasma grown hydrogenated nanocrystalline silicon and its application in TFTs. J. Non-Cryst. Solids 356
(2010) 1102-1108.
InGaN arka bariyerli AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT yapılarındaki ince

filmlerin alaşım oranları ve kalınlıklarının nümerik optimizasyonu
Ö. Kelekçi1,2, S. B. Lişesivdin1, M. Kasap1, S. Özçelik1 ve E. Özbay2,3

1
2
Bilkent Üniversitesi, Nanoteknoloji Araştırma Merkezi-NANOTAM, Bilkent, 06800, Ankara
3
Fizik Bölümü ve Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Bilkent, 06800, Ankara
AlxGa1-xN/AlN/GaN tabanlı HEMT yapılarındaki 2 boyutlu elektron gazının (2-BEG) kanalda daha iyi
sınırlandırılması, elektron mobilitesinin ve yoğunluğunun artırılması amacıyla InGaN arka bariyer yapıları
kullanılmaya başlanmıştır. Bu çalışmada, InxGa1-xN arka bariyer katmanının alaşım oranı (x), kalınlığı ve
2-BEG’e etkisi olabilecek diğer katmanların kalınlıkları nümerik olarak optimize edilmiştir. Yapıdaki
katmanların alaşım oranı ve kalınlıkları sistematik olarak değiştirilerek bant yapısına ve taşıyıcı yoğunluğuna
olan etkileri incelenmiştir. Önerilen yapılar için 1-boyutta lineer olmayan, bağlaşık Schrödinger-Poisson
denklemleri iteratif olarak nextnano3 programı yardımıyla çözümlenmiştir. Yapıdaki katmanların oluşturduğu
gerilmelerin rahatlama (relaxation) limitleri hesaplanarak kritik kalınlıklar belirlenmiştir. Deneysel çalışmalarda
kullanılmak üzere optimizasyonu yapılan iki farklı yapı önerilmiş, taşıyıcı yoğunluğu ve mobilite üzerindeki
olası etkiler tartışılmıştır.
POSTER
SUNUMLARI
17. YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI – ANKARA ÜNİVERSİTESİ, 5 KASIM 2010 P1
Kübik Co2MnX (X=Al,Ga,Si,Ge) Heusler Alaşımlarının Yapısal, Manyetik,

Elektronik, Elastik ve Fonon Özelliklerinin Hesaplanması
Abdullah Candan1, Şule Uğur1, Gökay Uğur1 ve Recai Ellialtıoğlu2†
1
2
Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, Beytepe, 06800, Ankara
L21 yapıdaki Co2MnX (X=Al,Ga,Si,Ge) Heusler alaşımlarının yapısal, manyetik, elektronik, elastik ve fonon
özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında düzlem dalga, sanki-potansiyel ve lineer tepki metotlarıyla
incelendi. Alaşımların örgü sabitleri, toplam manyetik momentleri, yığın modülleri ve ikinci mertebeden elastik
sabitleri hesaplandı, ve literatürdeki diğer deneysel ve teorik sonuçlarla karşılaştırıldı. Elektronik bant yapıları ile
kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri aşağı-spin ve yukarı-spin durumlar için çizildi ve daha önceki
çalışmalarla uyum içinde olduğu görüldü. Son olarak tüm alaşımların L21 yapısı için fonon frekansları ve fonon
durum yoğunlukları ilk defa bu çalışmada hesaplandı ve temel simetri yönleri boyunca çizildi.
Katı Amonyakta Termodinamik Nicelikler Arasındaki Bağıntılar
H. Yurtseven ve M. Koça
ODTÜ Fizik Bölümü, 06531 Ankara
Bu çalışma, katı amonyakta ısısal genleşme ve eşsıcaklıklı sıkıştırılabilirlik arasındaki bağıntıyı verir. Bu katı
sistemde öz ısı ve ısısal genleşme arasındaki bağıntı da elde edilmiştir. Literatürden 123 GPa (300 K)’a dek
çeşitli basınçlarda hacim verisi bu bağıntılar için kullanılmıştır. eğimi doğrusal bağıntılardan
çıkarılmıştır ve bu değer katı amonyağın P – T faz diyagramında elde edilen deneysel değerle karşılaştırılabilir.
CoAl Alaşımının Elastik ve Termodinamik Özelliklerinin Hesaplanması†

Ahmet İyigör1, Şule Uğur1, Gökay Uğur1 ve Recai Ellialtıoğlu2
1
2
CoAl ikili alaşımının CsCl (B2) yapısının elastik (yığın modülü, ikinci dereceden elastik sabitleri) ve
termodinamik (Debye sıcaklığı, ısı sığası ve entropinin sıcaklığa göre değişimi) özellikleri yoğunluk fonksiyonel
teorisi içinde genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GGA) ve yerel yoğunluk yaklaşımı (LDA) kullanılarak
hesaplandı. Alaşımın fonon dağılım eğrileri lineer-tepki yaklaşımında çizildi. Akustik ve optik fonon frekansları
arasında band aralığı olduğu görüldü. Band aralığı GGA için 42.02 cm-1 ve LDA için 36.16 cm-1 olarak
hesaplandı. İkinci mertebeden elastik sabitleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak enerji ilişkisinden ve
küçük dalga vektörleri için fonon dağılım eğrisinden olmak üzere iki farklı yolla elde edildi. Her iki yöntemle
hesaplanan elastik sabitler daha önceki diğer çalışmalarla karşılaştırıldı.
Co2ScAl Heusler Alaşımının L21 Yapıda Elektronik Özelliklerinin

Hesaplanması
Ahmet İyigör1, Şule Uğur1, Gökay Uğur1 ve Recai Ellialtıoğlu2†
1
2
Bu çalışmada L21 yapıdaki Co2ScAl alaşımının aşağı- spin ve yukarı-spin durumlar için elektronik bant yapısı,
kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GGA) kullanılarak incelendi.
Alaşımın örgü sabiti 5.959 Å ve toplam manyetik momenti sıfır olarak hesaplandı ve daha önce literatürde teorik
olarak yapılan çalışma ile birebir uyumlu olduğu bulundu. Ayrıca temel simetri yönleri boyunca çizdirilen
elektronik bant yapı grafiklerinden bu alaşımın iletken özelliği gösterdiği anlaşıldı.
Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği İle Hazırlanan Co3O4 Filmlerinin

Üretimi ve İncelenmesi
B. ERDOĞAN*, İ. AKYÜZ, F.ATAY
banuerdogan86@mynet.com
*Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Eskişehir, Türkiye
Kobalt oksit, bir çok endüstriyel uygulaması olan geçiş metal oksit malzemelerden biridir. Kobaltın, CoO ve
Co3O4 olmak üzere iki kararlı oksit bileşiği vardır. Bu oksitlerin ince filmleri, oksijen sensörü, seçici soğurucu,
koruyucu tabakalar, renklendirici ve katalizör gibi alanlarda bir çok uygulama potansiyeline sahiptir. Bu
çalışmada, Co3O4 ince filmlerini üretmek için basit ve ekonomik bir teknik olan ve geniş yüzeylere çöktürme
imkânı sağlayan ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılmıştır. Filmler mikroskop cam tabanlar üzerine
25 dakika süre ile 300 ± 5° C’de çöktürülmüştür ve deney sonrası filmler püskürtme odacığından çıkarılmadan 1
saat süre ile ısıl işleme tabi tutulmuştur. Filmlerin elde edilmesinde kobalt kaynağı olarak CoCl2 (0,1M)
kullanılmıştır. X-ışınları kırınımı analizi ile filmlerin Co3O4 fazında polikristal yapıda oluştuğu ve tane
boyutunun 33,4nm olduğu belirlenmiştir. Filmlerin soğurma ve geçirgenlik spektrumları UV spektrofotometre
cihazı kullanılarak alınmıştır. Filmlerin soğurma spektrumları ve optik metot kullanılarak bant aralıkları
hesaplanmış ve 1,44 eV ve 2,07 eV olmak üzere iki farklı bant aralığı değeri belirlenmiştir. Filmlerin kalınlıkları
ve optik sabitleri (kırılma indisi ve sönüm katsayısı) Spektroskopik Elipsometre cihazı ve yüzey topografileri ile
pürüzlülük değerleri ise Atomik Kuvvet Mikroskobu (AKM) ile incelenmiştir. Filmlerin özdirençlerini
hesaplamak için dört uç tekniği kullanılmış ve filmlerin özdirenç değerleri 3,11×10-1 Ω.cm olarak bulunmuştur.
SiOxNy Arayüzey Tabakalı p-Si Schottky Engel Diyotlarının Admittans

Ölçümleriyle Ara-yüzey Hal Yoğunluk Dağılımlarının Belirlenmesi
B. BOYARBAY *, A. AKKAYA*, H. ÇETİN **, K. YILDIZLI *** ve E. AYYILDIZ *
* Erciyes Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 38039 Kayseri, Türkiye, bboyarbay@erciyes.edu.tr
**Bozok Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi,Fizik Bölümü, 66100 Yozgat, Türkiye, cetinhidayet@hotmail.com
*** Ondokuz Mayıs Üniversitesi, ,Mühendislik Fakültesi, Makine Mühendisliği Bölümü,
Samsun, Türkiye, kyildizli@omu.edu.tr
Kimyasal olarak temizlenmiş p-Si altlık üzerine plazma nitrürleme yöntemi ile ince bir silisyum oksinitrit
tabakası büyütülerek metal-arayüzey tabakası-yarıiletken (MAY) Schottky engel diyotlar oluşturulmuştur.
Diyotların akım-gerilim karakteristiği (I-V) termoiyonik emisyon mekanizmasına göre analiz edilerek diyotun
engel yüksekliği ve idealite faktörü sırasıyla 0.61±0.02 eV ve 2.17±0.04 olarak bulunmuştur. Diyotların
arayüzey hal yoğunluk dağılımları geniş bir frekans aralığında (200 Hz-2 MHz) kapasite-frekans (C-f)
ölçümlerinden hesaplanmıştır. Ayrıca C-f karakteristiklerinden elde edilen arayüzey hal yoğunluk dağılımları I-V
ölçümlerinden elde edilen dağılımlarla karşılaştırılmıştır.
PrBi Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik, Titreşimsel ve Termodinamik

Özelliklerinin ab-initio Yöntem ile İncelenmesi
Belgin Koçak, Yasemin Öztekin Çiftçi, Kemal Çolakoğlu
PrBi bileşiğinin yapısal, elektronik, elastik, titreşimsel ve termodinamik özellikleri genelleştirilmiş gradyent
yaklaşımı altında (GGA) yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) kullanılarak incelendi. Bileşiğin yapısal
özellikleri(örgü parametreleri, bulk modülü, bulk modülünün birinci türevi) NaCl (B1), CsCl (B2), ZnS (B3),
WC (Bh) ve CuAu (L1o) kristal yapılarında hesaplandı. Hesaplamalarda NaCl(B1) yapının diğer yapılardan daha
kararlı olduğu ve elde edilen yapısal parametrelerin literatürdeki çalışmalarla uyum içerisinde olduğu görüldü.
Bileşiğin bant yapısı, elastik sabitleri (Cij), Zener anizotropi faktörü, Poisson oranı, Young ve Shear modülü,
fonon dispersiyon eğrisi ve durum yoğunluğu hesaplandı. Ayrıca, yarı-harmonik debye yaklaşımı kullanılarak
bileşiğin bazı termodinamik özelliklerinin basınç ve sıcaklıkla ilişkisi başarılı bir şekilde tahmin edildi.
0.5 ML P TUTUNMUŞ Si (001) – (1x2) YÜZEYİNİN ELEKTRONİK

YAPISI ÜZERİNE HİDROJENİN ETKİSİ
Z.AYDUĞAN1, Ç.KADEROĞLU1, M.ÇAKMAK2 ve B.ALKAN1

1
2
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar 06500, Ankara
Bu çalışmada, hidrojensiz ve hidrojenle pasivize edilmiş P/Si (001)–(1x2) yüzeyinin atomik ve elektronik
özellikleri, 0.5 ML (Mono Layer) için, sanki-potansiyel ve Yoğunluk Fonksiyonel Teorisine (DFT) dayalı ab-
initio hesaplamaları ile incelendi. Kararlı bağlanma noktasını belirlerken, her iki durum için de aşağıdaki
modeller ele alındı:
a) Mixed P-Si Dimer Yapı (P’nin bir alt tabakaya difüz etmediği durum)
b) Intermixed P-Si Dimer Yapı (P’nin bir alt tabakaya difüz ettiği durum)
H’nin olmadığı durumda, “Mixed P-Si Dimer Yapı”nın “Intermixed Yapı”ya göre yaklaşık 0.72eV/dimer daha
enerjitik bulundu. Bu kararlı geometriye karşı gelen elektronik bant yapısı incelendiğinde, yüzeyin, temel bant
aralığında biri işgal edilmemiş(C1), ikisi işgal edilmiş (S1 ve S2) olmak üzere üç tane yüzey durumuna sahip
olduğu görüldü. Bu yüzey durumlarının doğasını anlamak için K noktasındaki toplam ve kısmi elektronik yük
yoğunlukları çizildi. C1 durumunun, üst tabakadaki Si ve P atomlarının px orbitallerinden kaynaklanan p
karakterinde olduğu; S1 ve S2 durumlarının ise sırası ile, P ve Si atomlarının pz orbitallerinden kaynaklanan -
antibağ (*) karakterine sahip olduğu olduğu bulundu. Ayrıca, yapılan hesaplamalarda yapının 0.18 eV enerji
aralığı ile yarıiletken bir davranış sergilediği belirlendi.
P/Si(001)-(1x2) yüzeyi H ile pasivize edildiğinde, “Intermix P-Si Dimer Yapı”nın Mixed P-Si Dimer Yapı”ya
göre yaklaşık olarak 0.30 eV/dimer daha enerjitik olduğu görüldü. Bu kararlı duruma karşı gelen elektronik yapı
ele alındığında, yüzeyin bant aralığı ile yarıiletken davranış sergilediği ve temel bant aralığında değerlik
bandının üstünde C1 ile gösterilen işgal edilmemiş yalnızca bir yüzey durumuna sahip olduğu belirlendi. İşgal
edilmemiş C1 durumu, Si-dimerinde yerelleşmiş py orbitallerinin p bağından gelmektedir. Eğer P/Si(001)–(1x2)
yüzeyinin elektronik bant yapısı ile H/P/Si(001)–(1x2) yüzeyinin elektronik bant yapısını karşılaştırırsak, H
atomunun yüzeye tutunmasının etkisi ile iki işgal edilmiş durumun, S1 ve S2, pasivize edilirken işgal edilmemiş
C1 durumu iletkenlik bandına doğru kaydığı görüldü.
Sonuç olarak, Si(001)–(1x2) yüzeyinin dimer bağlarının hidrojen atomu ile doyurulması P/Si(001)–(1x2)
yüzeyinin reaktifliği azaltılmıştır.
ReN2 Bileşiğinin İlk İlkeler Yöntemiyle Yapısal, Elektronik, Elastik ve

Termodinamik Özelliklerinin İncelenmesi
Canan Bülbül1, Yasemin Çiftci1, Kemal Çolakoğlu1 ve Cansu Çoban2
1
2
Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi Çağış, 10000, Balıkesir
Ab initio hesaplamaları, ReN2’nin Fluorite (Fm3m), Pyrite( Pa 3 ), Rutile(P42/mnm) Anatase (I41/amd) kristal
yapılarının yapısal, elektronik, elastik, titreşimsel ve termodinamik özelliklerini bulmak için genelleştirilmiş-
gradyan yaklaşımı çerçevesinde yoğunluk fonksiyonu teorisini kullanarak analiz edildi. Hesaplanan yapısal
parametrelerin (örgü sabiti, bulk modülü ve bulk modülünün türevi) diğer teoretik parametrelerle uyum
içerisinde olduğu bulundu. ReN2’nin termodinamik özelliklerini quasi-harmonik Debye modelini kullanarak
uyguladık. Ek olarak, hacim, bulk modülü, termal genleşme katsayısı ve ısı kapasitesindeki sıcaklık ve basınçla
gerçekleşen değişimler geniş bir aralıkta hesaplandı.
Rutil TiO2 Yüzeyi Üzerinde İçi Platin Katkılanmış

Karbon Nanotüp Tutunması
Ceren TAYRAN1, Mehmet ÇAKMAK1 ve Şinasi ELLİALTIOĞLU2
1
2
Rutil TiO2(110)-(1×2) için önerilen “added-row model” yüzeyi üzerine tutunmuş (3,3) ve (6,6) koltuk tipli
karbon nanotüpler (CNT) tarafından sarılı tek bir Platin (Pt) atomik zincirinin yapısal ve elektronik özellikleri
yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio yöntemle incelendi. CNT merkezi boyunca uzanan Pt atomik
zincirini sarmak için, (3,3) CNT’nin uygun olmadığı ancak (6,6) CNT’nin daha ideal olduğu gözlendi. Buna
göre, Rutil TiO2(110)-(1×2) yüzeyi üzerine tutunan (6,6) CNT tarafından sarılmış Pt zincirinin elektronik bant
yapısı ve yüzey durumlarının orbital doğası karakterize edildi.
SmMn2-xTxGe2 (T: Fe ve Co; x=0.05 ve 0.10, 0.15) ALAŞIMLARININ

MANYETODİRENÇ VE ÇEŞİTLİ YARIDENEYSEL YÖNTEMLERLE
MANYETOKALORİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ
Çiğdem Güliz Sevgül, İlker Dinçer ve Yalçın Elerman
1987 yılında 100 kadar ülkenin imzaladığı Montreal Protokolü ile CFC türü soğutucu akışkanların kullanımının
yasaklanmasıyla araştırılmaya başlanan alternatif soğutma teknolojilerinden birisi, manyetokalorik etki
(MKE)’ye dayanan manyetik soğutmadır [1]. Hacim merkezli tetragonal ThCr2Si2-tipi (Uzay Grubu I4/mmm)
tabakalı yapıda kristallenen Fe ve Co katkılı SmMn2Ge2 alaşımlarının manyetokalorik özellikleri sıcaklığa ve
alana bağlı mıknatıslanma ölçümleri ile incelenmiştir. Manyetik entropi değişiminin eşısıl mıknatıslanma verileri
kullanılarak hesaplanmasında en çok kullanılan yöntem Maxwell bağıntısıdır. Ancak sıcaklığa ve manyetik alana
bağlı mıknatıslanma verilerini elde etmek için uzun süren ölçümlere ihtiyaç vardır. Bu yüzden fiziksel bir temele
dayalı yeni yöntemler geliştirilerek ve deneysel veriler kullanılarak manyetik entropi değişimi
hesaplanabilmektedir. Bu nedenle alaşımların manyetokalorik özelliklerini belirleyen manyetik entropi
değişiminin hesaplanmasında Maxwell bağıntısı ve Maxwell-Classius Clapeyron eşitliğinin yanı sıra Landau
teorisi ve Ortalama Alan teorisi de kullanılmıştır.
İncelenen alaşımların hepsi, sıcaklık azalırken paramanyetik, tabaka içi antiferromanyetik, ferromanyetik,
antiferromanyetik ve tekrar ferromanyetik özellik göstermektedir. Bu alaşımlar, gösterdikleri çoklu faz
geçişlerinden dolayı teknolojik olarak önemlidir. Maxwell bağıntısından hesaplanan manyetik entropi
değişiminin en büyük değerleri SmMn1.85Fe0.15Ge2 alaşımı için 52 K’de -7.74 J/kg.K, 205 K’de 1.83 J/kg.K ve
322 K’de -2.06 J/kg.K olarak bulunmuştur. Bütün yöntemlerden hesaplanan ΔSm’ler genel olarak birbiriyle
uyumludur. İncelenen tüm alaşımlarda hem normal hem ters manyetokalorik etki gözlenmiştir.
SmMn1.90Fe0.10Ge2 ve SmMn1.95Co0.05Ge2 alaşımlarının manyetodirenç özellikleri sıfır alanda yapılan sıcaklığa
bağlı direnç ölçümleri ile incelenmiş ve direnç eğrilerinin ferromanyetik kısmının Tn yasasına uyduğu
görülmüştür. n değerleri Fe’li alaşım için 1.53 ve Co’lı alaşım için 1.62 olarak bulunmuştur. Manyetodirenç
değerleri ise SmMn1.90Fe0.10Ge2 ve SmMn1.95Co0.05Ge2 alaşımları için TSm sıcaklığında %20 ve %12, TN
sıcaklığında ise %11 ve %4 olarak belirlenmiştir.
Kaynaklar
1. E. Yuzuak et al. Chin. Phys. B 19 (2010) 037502.
BeB2 bileşiğinin titreşimsel özelliklerinin

ab inito yöntemle incelenmesi
Engin Deligöz1, Kemal Çolakoğlu2, Hacı Özışık1, ve Yasemin Çiftçi2
1
Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi, 68100, Aksaray
2
Bu çalışmada, BeB2 bileşiğinin P6/mmm (örgü grubu 191) yapısının titreşimsel ve termodinamiksel özellikleri
ab-initio hesaplama yöntemi ile incelendi. Hesaplamalar, SIESTA programı ile genelleştirilmiş eğim yaklaşımı
göre oluşturulan değiş-tokuş korelasyon fonksiyoneli ile gerçekleştirildi. Hesaplanan örgü sabitleri kullanılarak
yük yoğunluğu, fonon dispersiyon ve durum yoğunluğu eğrileri çizilerek gamma noktasındaki modlarda
atomların hareketi incelendi ve sonuçlar tartışıldı. Hesaplanan fonon dispersiyon eğrisinde negatif mod
bulunmaması, bu yapının dinamiksel olarak kararlı olduğunu gösterdi. Ayrıca serbest enerji, iç enerji, ısı
kapasitesi ve entropinin sıcaklık ile değişimi incelendi. Elde edilen sonuçların deneysel ve teorik çalışmalar ile
uyumlu olduğu görüldü.
ZnO:Co İnce Filmlerinin Üretilmesi ve Fotolüminesans Özellikleri

Barbaros DEMİRSELÇUK1, Emrah SARICA1, Emre GÜR2 ve Vildan BİLGİN1
1
Fizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17100, Çanakkale
2
Fizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, 25240, Erzurum
II-VI grubu bileşiklerinden ve saydam iletken oksit ailesi üyesi ve direkt bant geçişli yarıiletken malzeme olan
ZnO, düşük elektriksel özdirenç ve yüksek optiksel geçirgenliği ve geniş bant aralığı (3,3 eV) gibi
özelliklerinden dolayı geniş bir endüstriyel uygulama alanına sahiptir. Son zamanlarda Co, Fe, Ni, Cr gibi geçiş
elementleri ile katkılanmış ZnO ince filmler, gösterdikleri ferromanyetik özelliklerinden dolayı spintronik
uygulamalar için gelecek vaadetmektedir. Bu çalışmada katkısız ve farklı katkı oranlarında (%4 ve %6) Co
katkılı ZnO filmler Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği kullanılarak 275±5 oC sıcaklıkta cam tabanlar
üzerine çöktürülmüştür. Çöktürülen filmlerin ışınım özelliklerini incelemek amacıyla oda sıcaklığında alınan
fotolüminesans ölçümleri sonucunda, 390 nm civarında bant kenarı yakınlarındaki geçişlerden kaynaklanan
ışınım ve 490 nm civarında, kusurlardan kaynaklanan geniş derin seviye ışıması görülmüştür. Co katkısı ile
görülen bu derin seviye ışımasının daha kısa dalga boylarına kaydığı görülmüştür. Filmlerin tavlanması ile
katkısız ve %4 Co katkılı filmlerin ışınım şiddetlerinde azalma gözlenirken %6 Co katkılı filmlerin tavlanması
sonucu ışınım şiddetinin arttığı gözlemlenmiştir.
3,4-Dihidro-3-okso-6-kloro-2H-1,4-benzoksazin-2-asetat Molekülünün
Yapısal İncelenmesi
Ersin TEMEL1, Betül TEKİNER GÜLBAŞ2, Esin AKI2, İlkay YILDIZ2, İsmail YALÇIN2, Orhan
BÜYÜKGÜNGÖR1
1
Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 55139, Kurupelit/Samsun
2
Ankara Üniversitesi, Eczacılık Fakültesi, Farmasötik Kimya Anabilim Dalı, 06100, Tandoğan/Ankara
etemel@omu.edu.tr
Bu çalışmada; 3,4-dihidro-3-okso-6-kloro-2H-1,4-benzoksazin-2-asetat, C12H12NO4Cl bileşiğine ait yapısal

özellikler X-ışını tek kristal kırınımı metodu ile incelenmiştir. Kristal, monoklinik C 2/c uzay grubunda olup
birim hücre parametreleri a=29.2638(15)Å, b=4.9282(2)Å, c=18.3822(11)Å ve β=107.717(4)⁰ dir. Paketlenme,
moleküller arası N-H···O ve C-H···O tipi hidrojen bağları ile sağlanmaktadır.
Çok Filamanlı MgB2 Şeritlerin Üretimi ve Süperiletkenlik Özellikleri
Ersin Yücel* ve İbrahim Belenli
Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi, 14280, Bolu
Bu çalışmada, 6 ve 7 filamanlı MgB2/Fe/Cu süperiletken şeritler, bakır kılıf kullanılarak ex-situ powder in tube
(PIT) yöntemi ile üretilmiştir. MgB2/Fe/Cu süperiletken şeritlere, 900oC sıcaklıkta yüksek saflıktaki argon (Ar)
gazı atmosferinde 2 saat ısıl işlem uygulanmıştır. Mikroyapısal incelemeler, X-ışını kırınımı (XRD), taramalı
elektron mikroskobu (SEM), elektron dağılım spektroskopisi (EDS) ve optik mikroskop ile yapılmıştır. XRD
ölçümlerinden numunelerin örgü parametreleri a ve c belirlenmiştir. Isıl işlem uygulanmış şeritlerin kritik
sıcaklık ve kritik akım ölçümleri yapılmıştır. Manyetik ölçümler, quantum design fiziksel özellik ölçüm sistemi
(PPMS) ile yapılmıştır.
MgB2 Şeritlerde Aşırı Haddeleme ve Isıl İşlem Kombinasyonlarının

Süperiletkenlik Özelliklerine Etkisinin İncelenmesi
Bu çalışmada, İtalyan Columbus Superconductors firması tarafından powder in tube (PIT) yöntemi kullanılarak
üretilen metal kılıflı çok filamanlı şeritler incelenmiştir. Firmadan temin edilen çok filamanlı MgB2 şeritler aşırı
haddeleme uygulanarak veya uygulanmaksızın ısıl işleme tabi tutulmuştur. Bu şekilde ısıl işlemin etkisi
incelenmiştir. Diğer yandan ısıl işlem uygulanmaksızın şeritlerin birkaç parçası temin edildiği şekliyle
incelenirken birkaç parçası da aşırı haddeleme uygulanarak incelenmiştir. Farklı aşamalardan geçirilen şeritlerin
kritik sıcaklık ve kritik akım ölçümleri yapılmıştır. Şeritlerin mikroyapı incelemeleri X-ışını kırınımı (XRD),
taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve optik mikroskop ile yapılmıştır.
MgB2 Süperiletken Tel Üretimi ve Manyetik Özellikleri
Bu çalışmada, tek filamanlı MgB2 süperiletken teller, gümüş kılıf kullanılarak ex-situ powder in tube (PIT)
yöntemi ile üretilmiştir. MgB2/Ag süperiletken tellere, 550oC sıcaklıkta yüksek saflıktaki argon (Ar) gazı
atmosferinde 20 dakika ısıl işlem yapılmıştır. Mikroyapısal incelemeler, X-ışını kırınımı (XRD), taramalı
elektron mikroskobu (SEM) ve optik mikroskop ile yapılmıştır. Manyetik ölçümler, süperiletken kuantum
girişim cihazı (SQUID) ve titreşimli örnek magnetometresi (VSM) ile yapılmıştır. MgB2/Ag telin, 1 Tesla
manyetik alan altında ve 4.2 Kelvin sıcaklıktaki kritik akım yoğunluğu 2.20x104 A/cm2 olarak ölçülmüştür.
Püskürtme Yöntemi ile Hazırlanan Al Katkılı ve Katkısız ZnO İnce

Filmlerin Yapısal ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi
Figen Özyurt Kuş1, Tansu Ersoy2, Tülay Serin3 ve Necmi Serin3
1
Hacettepe Meslek Yüsekokulu, Hacettepe Üniversitesi Beytepe, 06800, Ankara
2
Fizik Mühendisliği Bölümü, İstanbul Teknik Üniversitesi Maslak, 34469, İstanbul
3
Bu çalışmanın amacı farklı alttabaka sıcaklıklarında püskürtme yöntemiyle hazırlanmış ZnO ince filmlerin
elektriksel ve yapısal özelliklerinin incelenmesidir. Bu amaçla 18x26 mm boyutlarında camlar üzerinde farklı
alttabaka sıcaklıklarında (350 C - 500 C, T=50C) katkısız ve farklı katkı oranlarında alüminyum katkılı
çinko oksit ince filmler üretilmiştir. Filmlerin X-ışını kırınım yöntemiyle kristal yapıları incelenmiş, grain
boyutları ve örgü parametreleri (c=5.2Å) hesaplanmıştır. İki nokta yöntemiyle filmlerin elektriksel iletkenlikleri
bulunmuş ve iletkenliğin alttabaka sıcaklığı ile 350C - 450 C aralığında sıcaklıkla artarken 500 C’de azaldığı
gözlenmiştir.
Farklı Kalınlıklarda Sol-Jel Daldırma Yöntemiyle Hazırlanan

p-CuO/i-ZnO/n-ATO Heteroyapılarının Elektriksel Özelliklerinin
İncelenmesi
Figen Özyurt Kuş1, Tülay Serin2 ve Necmi Serin2
1
Hacettepe Meslek Yüksekokulu, Hacettepe Üniversitesi Beytepe, 06800, Ankara
2
Bu çalışmada farklı kalınlıklarda sol-jel daldırma yöntemiyle hazırlanan p-CuO/i-ZnO/n-ATO heteroyapılarının

elektriksel özelliklerinin incelenmesi amaçlanmıştır. 1x25x75mm boyutlarında mikroskop camları üzerine
büyütülen p-CuO/i-ZnO/n-ATO heteroyapılarının elektriksel özellikleri akım-gerilim (I-V), kapasite-gerilim (C-
V) ve kapasite-frekans (C-f) ölçümleri kullanılarak incelenmiş, bu yapıların akım-gerilim belirtkenlerinin diyot
özelliği gösterdiği gözlenmiştir. I-V ölçümlerinden ileri beslem engel potansiyelleri, doğrultma çarpanları ve
diyot ideallik faktörleri; C-V ölçümlerinden engel potansiyelleri, alıcı yoğunlukları; C-f ölçümlerinden yapıların
arayüzey durum yoğunlukları hesaplanmıştır. Bu ölçüm ve hesaplamalardan bu yapılarda akım-iletim
mekanizması çok adımlı tünelleme olarak belirlenmiştir.
Amonyum Nitrat Eriyiği Tekniğiyle Üretilen BaFe12O19 Mıknatısının

Mekanik Özelliklerinin İncelenmesi
Şükrü Yıldız1, Fikret Yılmaz1, Uğur Topal2, Orhan Uzun1ve Uğur Kölemen1
1
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, 60240, Ankara
2
Ulusal Metroloji Enstitüsü, TUBİTAK,41470, Kocaeli
Sert manyetik hegzagonal ferritler arasında özellikle baryum ferrit (BaFe12O19), kalıcı mıknatıslarda, manyetik
kaydedici araçlarda, manyetik bantlarda, floopy disklerde, manyeto-optik malzemelerde ve mikrodalga
filtrelerinde yoğun olarak tercih edilmektedir. Bu malzeme grubu, pek çok uygulama sahasında büyük önem
gerektiren, yüksek manyetik anizotropi, yüksek koersiviti ve manyetik doyum özelliklerine sahip olmasının
yanında önemli derecede de kimyasal kararlılık sergilemektedir.
Baryum ferritlerin üretiminde sıklıkla geleneksel seramik üretim metotları tercih edilmektedir. Topal ve ark.
(2004) ise çoğunlukla süperiletken seramik malzemelerin üretiminde kullanılan amonyum nitrat eriyiği (ANE)
tekniğini, ilk kez baryum ferrit üretiminde kullanarak, bu malzemelerin yapısal ve manyetik özelliklerini
iyileştirme açısından önemli sonuçlar elde etmişlerdir. Öte yandan pratik uygulamalar açısından, söz konusu
malzemelerin hacimsel formlardaki mekanik özelliklerinin tespit edilmesi ve elde edilen sonuçların geleneksel
yöntemlerle üretilen karşıtlarıyla mukayese edilmesi büyük önem arz etmektedir. Bu amaçla, ANE tekniğiyle
üretildikten sonra farklı sıcaklıklarda (850, 1000 ve 1100 oC) kalsinasyon yapılan BaFe12O19 malzemesinin bazı
mekaniksel özellikleri (sertlik, elastik modülü ve kırılma tokluğu) nanoçentik ve Vickers sertliği yöntemleri ile
incelenerek elde edilen sonuçlar literatürdeki bulgularla karşılaştırılmıştır. 1000 oC kalsinasyon yapılan
malzemenin diğerlerine göre daha iyi mekanik özellikler gösterdiği görülmüştür.
İki Boyutlu Kare Dielektrik Örgülü Fotonik Kristallerde

Simetrinin Azaltılmasının Bant Yapısına Etkisi
Fulya Bağcı, Barış Akaoğlu
Fotonik kristallerde oluşturulan fotonik bant aralıkları ne kadar genişse ilerlemeye yasaklı olan frekans aralığı o
kadar geniş ve bant aralığı merkezindeki frekansın kristal içine sızma olasılığı o ölçüde düşüktür. TE ve TM
kutuplu fotonik bant aralıklarının üst üste bindiği bölgelerde oluşan “tam” bant aralıklarında elektromanyetik
dalgaların ilerlemesi kutuplanma doğrultusundan bağımsız olarak yasaklıdır. Dolayısıyla, “tam” bant
aralıklarının genişletilmesi TE ve TM tiplerinde kutuplanmış ışımaları birlikte yapan çoğu iki boyutlu fotonik
kristal tabakalı lazerler ve optik dalgaklavuzları için önemlidir. Silikon dielektrik ortamdaki hava delikli kare
örgünün fotonik bant yapı diyagramı, ikinci ve üçüncü TM bantlarının Brillouin bölgesinin M noktasında
dejenere olduğunu ve yüksek doluluk oranlarında (büyük delik çaplarında) “tam” bant aralığı oluşumunu
engellediğini göstermektedir. Bu çalışmada iki boyutlu dairesel hava delikli dielektrik yapılı kare örgü için
fotonik bant yapıları düzlemsel dalga açılımı (plane wave expansion) yöntemi ile hesaplanmış ve “tam” bant
aralığının genişletilmesinde simetrinin etkisi araştırılmıştır. Silikon tabanlı kare örgü merkezine küçük yarıçaplı
dairesel veya küçük kenar uzunluklu karesel hava delikleri yerleştirilerek yapıdaki simetri azaltılmıştır. Yapılan
hesaplamalarda hava deliklerinin yarıçapı kare örgü noktalarındaki deliklerin yarıçapının 0.1-0.2 katı arasında
alındığında “tam” bant aralığında bir miktar genişleme gözlemlenmiştir. Farklı doluluk oranlarında yarıçap
oranının değiştirilmesi ise “tam” bant aralığını aksine daraltmıştır. Bu bulgular merkezde karesel hava deliği
bulunan yapı için elde edilen sonuçlar ile karşılaştırılmıştır. Birim hücre doluluk oranının ve simetriyi kıran
elemanın büyüklük ve şeklinin “tam” bant aralığını genişletmede etkili olduğu tespit edilmiştir.
(Z)-1-((4-Fenilamino)feniliamino)metilen)naftalen-2(1H)-on molekülünün
Deneysel ve Kuramsal Analiz Çalışması
Gökhan ALPASLAN1, Mustafa Macit1, Ahmet ERDÖNMEZ1 ve Orhan Büyükgüngör1
1
19 Mayis Üniversitesi, Fizik Bölümü, , Samsun
2
19 Mayis Üniversitesi, Kimya Bölümü, , Samsun,
gokhana@omu.edu.tr
Başlıktaki molekülün (C23H18N2O), kristal yapısı X-ışınları analizi yöntemiyle belirlendi (Şekil 1). Kristal, Pna21
uzay grubunda ortorombik yapıda olup; a =13.0688(8)Å, b = 22.5362(13) Å, c = 6.0975(3)Å, Z = 4 özelliklerine
sahiptir. Molekülün ab initio hesaplamaları yoğunluk fonksiyonel teorisi (YFK) ve Hartree-Fock (HF) yöntemi
ile 6-31G(d,p) baz seti kullanılarak Gaussian 03W (Gaussian 03W, 2004) paket programı ile yapılmıştır. Bu
hesaplamalar sonucun da YFK/B3LYP ve HF yöntemleriyle elde edilen sonuçların molekülümüzle uyum içinde
olduğu görülmüştür. Ayrıca molekülümüz için, moleküler elektrostatik potansiyel haritası (MEP), HOMO-
LUMO enerjileri hesaplanmış ve incelenmiştir.
Şekil 1
Frisch, M. J., et al. (2004). GAUSSIAN03 Revision E.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT 06492, USA
Fe3Si Heusler Alaşımının Yapısal, Manyetik ve Elektronik Özellikleri

Gökay Uğur1, Ahmet İyigör1, Şule Uğur1 ve Recai Ellialtıoğlu2†
1
2
Kübik yapıdaki Fe3Si Heusler alaşımının yapısal, manyetik ve elektronik özellikleri yoğunluk fonksiyonel
teorisi kapsamında genelleştirilmiş eğim yaklaşımı (GGA) kullanılarak incelendi. Alaşımın örgü sabiti ve
toplam manyetik momenti hesaplanarak diğer çalışmalarla karşılaştırıldı. Temel simetri yönleri boyunca
elektronik bant yapısı, kısmi ve toplam durum yoğunluğu eğrileri aşağı-spin ve yukarı-spin durumlar için çizildi
ve metalik özellik gösterdiği bulundu.
MgCe bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Titreşimsel Özellikleri

üzerinde ab initio Hesaplamaları
Gökhan SÜRÜCÜ1, Kemal ÇOLAKOĞLU1, Engin DELİGÖZ2, Hacı ÖZIŞIK2, Sema SEYİS1
1) Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Gazi Üniversitesi, 06100, Ankara

2) Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Aksaray Üniversitesi, 68100, Aksaray
Bu çalışmada, VASP paket programı yardımı ile ab initio yöntemi kullanılarak MgCe (B1, B2, B32, B20 ve Ba
yapıda) kristalinin bulk özellikleri üzerine teorik hesaplamalar yapıldı. İlgili yapıların örgü sabiti, bulk modulü
ve bulk modülünün birinci türevi (Murnaghan hal denklemine fit edilerek) hesaplandı. Enerjitik olarak kararlı
yapı gösteren Ba fazının elektronik, elastik ve titreşimsel özellikler incelendi. Bulunan sonuçlar mevcut deneysel
ve teorik çalışmalarla karşılaştırıldı.
Kimyasal Yöntemle Büyütülen Bakır Oksit İnce Filmlerin Yapısal, Optiksel

Ve Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi
S. GÜRAKAR, T. SERİN ve N. SERİN
Bakır Oksit (Cu2O) ince filmler, cam alttabakalar üzerinde kimyasal yöntemle iki farklı kalınlıkta büyütülmüştür.
Büyütülen filmler 200 °C’de 1 saat tavlanmıştır. Filmlerin yapısal özellikleri X-ışınları kırınım (XRD) yöntemi
ile incelenmiştir. XRD spektrumundan filmlerin kübik Cu2O yapıda ve polikristal olarak büyüdüğü
belirlenmiştir. Bragg Yasası kullanılarak Cu2O’in örgü sabiti a; 4.30 Å olarak bulunmuştur. Scherrer formülü
yardımıyla XRD spektrumundan filmlerin kristalit boyutu 130 Å olarak hesaplanmıştır. Farklı kalınlıkta
kaplanan Cu2O ince filmlerin optiksel geçirgenlik spektrumu 425-825 nm dalga boyu aralığında ölçülmüştür ve
geçirgenliğin kalınlık arttıkça belirgin bir şekilde azaldığı gözlenmiştir. Filmlerin geçirgenlik spektrumundan
yararlanılarak yasak enerji bant aralıkları, 10 katlı film için 2.4 eV ve 20 katlı film için 2.1eV olarak
bulunmuştur. Kalınlık arttıkça yasak enerji bant aralığının azaldığı görülmektedir. Cu2O filmlerin elektriksel
iletkenliklerinin sıcaklıkla değişimi incelenerek aktivasyon enerjileri Arrhenius çiziminden yararlanılarak
bulunmuştur. Aktivasyon enerjisinin değeri iki kalınlık için de 0.54 eV tur ve değişmemiştir.
Role of Annealing Environment and Partial Pressure on Structure and

Optical Performance of TiO2 Thin Film Fabricated by rf Sputter Method
G. Yildirim1, Y. Zalaoglu2, S. Bal1, M. Akdogan1, C. Terzioglu1 and A.Varilci1
1
Abant Izzet Baysal University, Department of Physics, Material Science Laboratory, 14280 BOLU TURKEY
2
OsmaniyeKorkut Ata University, Department of Physics, 80000 OSMANİYE TURKEY
Influences of the different annealing ambient (in air, 1 bar, 2 bar, 3 bar and 4 bar oxygen partial pressure) on the
titanium dioxide (TiO2) thin films deposited on soda lime glass by standard radio frequency (rf) magnetron
reactive sputtering method at 100 watt were investigated by means of X–ray diffractometer (XRD), ultra violet
spectrometer (UV–vis), and Scanning Electron Microscopy (SEM). It was found that either optical properties or
energy band gaps of the films enhanced with increase in the oxygen partial pressure up to 3 bar. The energy band
gaps of the films (except for the film annealed in 4 bar oxygen partial pressure) became larger than the film
annealed in atmospheric pressure. The best transmission was observed for the thin film annealed in 3 bar oxygen
partial pressure. Moreover, not only was grain–like structure found to be more dominant than dot–like structure
but also growth of anatase phase was observed instead of that of the rutile phase with increasing oxygen partial
pressure up to 3 bar.

1
Corresponding author. Tel.: +90 374 2542749; fax: +90 374 2534642.
E-mail address: yildirim_g@ibu.edu.tr (G.Yildirim)

Investigation of Magnetic Field Angle Dependence of Resistance,

Upper Critical Field and Critical Current Density in DC Sputtered Bi-2223
Thin Film
G. Yildirim2, S. Altintas1, S. Bal1, Y. Zalaoglu2, M. Akdogan1, C. Terzioglu1 and A.Varilci1
1
2
We measured resistivity and transport critical current density, Jc, as a function of dc magnetic field and the angle
() between the surface of the film and the magnetic field on ex-situ annealed, c-axis oriented Bi-2223 thin films
fabricated by dc sputtering method. Upper critical field, Hc2, was determined from the resistivity versus the
applied magnetic field graph. It was observed that critical temperature (Tc), Hc2 and Jc of the films strongly
depend on the direction and strength of the field. Tc of the film without magnetic field was noted to be about 102
K. Tc was found to be lower to 90 K (85 K) for the applied field perpendicular (parallel) to c-axis of the film. Hc2
value at 65 K was determined to be 1.92 T (0.38 T) at =0° (=90°). Moreover, Jc was found to be 3000 A/cm2 at
4.2 K under zero field; however, it abruptly decreased to 1982 A/cm2 at 10 mT. We also tried to provide a
theoretical analysis of the obtained results in the frame work of intrinsic pinning theory of superconductors.
Microstructural properties of the produced films were reinvestigated by x-ray diffractometer (XRD) and
scanning electron microscopy (SEM). XRD patterns indicate that the c-axis oriented films are based on the
prominent (00l) peaks. SEM images show needle-like grain structures dominate the surface morphology of the
films.

2
E-mail address: yildirim_g@ibu.edu.tr (G.Yildirim)

NaAs Bileşiğinin Yapısal, Elektronik ve Elastik Özellikleri

Havva B. Özışık1,2, Kemal Çolakoğlu1, Hacı Özışık2, Engin Deligöz2 ve Yasemin Ö. Çiftci1
1
2
Fizik Bölümü, Aksaray Üniversitesi Kampüs, 68100, Aksaray
Bu çalışmada ab initio yöntemleri kullanılarak, NaAs bileşiğinin sentezlenen fazları (LiAs, NaP) için elastik ve
elektronik özellikleri incelendi. Tüm hesaplamalarda VASP program paketi (Perdew-Burke-Enzerhof
(PBE)/GGA) kullanıldı. İlgili yapıların örgü sabiti, bulk modulü, bulk modülünün birinci türevi (Murnaghan hal
denklemine fit edilerek) ve formation enerjisi hesaplandı; literatür değeri ile uyum içinde olduğu görüldü. Stres-
strain yöntemi kullanılarak hesaplanan elastik sabitlerinin ilgili fazlar için mekaniksel kararlılık şartlarını
sağladığı görüldü. 3.9 GPa basınç altında NaAs bileşiğinin NaP yapıdan LiAs yapıya geçtiği gözlendi.
Elektronik band yapıları ve durumlar yoğunluğu (DOS) hesaplamalarımıza göre, bu yapıların yarıiletken
davranışa sahip olduğu bulundu.
Cu1-XAgxInSe2 İnce Filmlerinin Yapısal, Elektriksel ve Optiksel

Özelliklerinin
x İçeriğine Bağlı Olarak İncelenmesi
H. H. Güllü1, M. Parlak1 ve Ç. Erçelebi1
1
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06531, Ankara
Bu çalışmada, CuInSe2 bileşiğinde gümüş (Ag) katkısının ve bu elementin bakır (Cu) ile yer değişimi etkilerinin
incelenmesi için elektron demeti buharlaştırma tekniği ile büyütülmüş Cu1-xAgxInSe2 dört elementli bileşiği
üzerine yoğunlaşılmıştır. Bu bileşikler aygıt üretiminde önemli bir faktör olan yüksek soğurma katsayıları, ve
sırasıyla ~1.05 ve ~1.24 eV olan doğrudan band aralıkları sayesinde fotovoltaik hücrelerde en yaygın kullanılan
malzemelerdendir. Dört elementli bileşik olmasıyla Cu1-xAgxInSe2, x içeriğine bağlı olarak yapı, elekritrik ve
optik özelliklerinin büyük çeşitlilik göstereceği ve bununda kullanım için uygun hale getirilebileceği
beklenmektedir. Yaygın olarak, polikristal ince filmler güneş pili yapılarında büyük ilgi sahibidirler. Yüksek
difüzyon katsayısına sahip olmasından dolayı Cu atomlarının yapıda Ag atomları ile yer değiştirmesinin ince
film yapılarında ve yapısal, elektriksel ve optiksel özellikleri üzerinde önemli etkisinin olduğu belirlenmiştir.
Genel olarak, bu çalışmada 3 farklı katyon oranı, Cu/(Cu+Ag), üzerine çalışma yapılmış ve x değerinin (Ag
içeriği) değişimi ile tavlamaya bağlı olarak yapıdaki Ag davranışı ve Cu - Ag geçişinin etkileri analiz edilmiştir.
Curie Sıcaklığına Yakın Artan Sıcaklıklarda Landau-Lifshitz-Bloch

Denkleminin Simülasyonu ile Manyetizasyon Dinamiğinin İncelenmesi
Ufuk, Kılıç*1; Ahmet, Salayev1; İbrahim, Çinar1; Bruce D., Terris2; Özhan, Özatay1
1. Fizik Bölümü, Boğaziçi Üniversitesi, İstanbul, Türkiye.

2. Hitachi Global Storage Technologies, San Jose Research Center, San Jose, CA, United States.
Curie sıcaklığına yakın sıcaklıklarda özellikle ısı yardımıyla bilgi depolamadaki kullanabilirliğinden dolayı
güçlü dikey manyetik anisotropiye sahip materyallerdeki manyetizasyonun davranışı, önem kazanmaktadır. Son
yıllarda, yüksek sıcaklık etkisi altında manyetizasyon dinamiğindeki değişimler, Landau-Lifshitz-Bloch (LLB)
denklemi kullanılarak tanımlanmaktadır [1]. Aynı zamanda, bu durum deneysel sonuçlarla da uyum
göstermektedir[2]. LLB denklemindeki, sıcaklığa bağlı parametreler olan boyuna “αıı” ve enine sönüm “αtr”
parametreleri, Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) denklemindeki deneysel Gilbert sönüm sabiti “α” ile yer
değiştirmiştir[3]. Böylelikle, etkin manyetik alan olarak nitelendirilen “Heff” in değeri sabit tutularak temel
anlamda LLB denkleminin macrospin üzerindeki etkisi tam anlamıyla incelenmiştir. Elde edilen veriler etkin
manyetik alanın sıcaklığa bağlı diğer bileşenlerinin de göz önünde bulundurularak oluşturulan simülasyon
sonuçlarıyla örtüşmektedir [1]. Bu çalışmada kuvetli değiş tokuş kuplaj özelliğine sahip manyetik çok katlı ince
filmlerinin (örneğin CoNi/Pd çok katlı filmi) manyetizasyon dinamiği, makrospin-LLB hareket denklemi
kullanılarak incelenmektir. Bu tip malzemelerin yüksek anisotropi alanları(1 -2 Tesla)[2] ve değiş tokuş
kuplajlarının oluşma uzunluğunun birkaç 10 nm[4] seviyesinde olması, onlara pattern media bilgi depolama ve
ısı yardımıyla bilgi depolama teknikleri için kullanılabilecek malzemelerden biri olma şansı tanınmaktadır. Şekil
1 LLB model testinde Co (Tc≈1394,2 0K) için elde edilen ilk sonuçları göstermektedir. Literatürde bulunan
çalışmalarla uyumlu, sıcaklıkla artan bir sönüm gözlemlenmiştir. Elektron ve örgü ısı sığalarındaki farklılık için
2-Sıcaklık[2] modelini kullanılmaktadır, ayrıca ileriki çalışmalarımızda ısıtıcı sinyal kullanıldığı zaman
manyetizasyondaki başlangıç minimum değerini gözlemlemeyi amaçlıyoruz. Co ve CoNi/Pd çok katlı filmlerini
kullanacağımız araştırmada makrospin dinamiğinin LLB- modeli ile LLG- modelinin sonuçlarını
karşılaştıracağız.
Şekil 1: Üç farklı sıcaklık değeri için artan sönüm olayını gösteren Magnetizasyon - Zaman grafiği
Referanslar:
[1]Chubikalo-Fasenko,U. Nowak,R.W. Chantrel and D. Garanin Physical Review B 74 094436 (2006).
[2] U. Atxitia,O. Chubykalo-Fasenko,N. Kazantseva, U. Nowak and R.W. Chantrell, D. Hinzke Applied Physics
Letters 91 232507, (2007).
[3] D.A.Garanin Physical Review B Volume 55 Number 5 (1997).
[4] Ozatay O. et al. Applied Physics Letters 95 (172502) (2009).
Ni46.8Cu2.5Mn36.5Sn14.3 ALAŞIMININ MANYETİK VE ISISAL

ÖZELLİKLERİNİN AC ALINGANLIK VE ISI SIĞASI ÖLÇÜMLERİ
İLE İNCELENMESİ
İlker Dinçer ve Yalçın Elerman
Ferromanyetik şekil hafıza alaşımları hem şekil hafıza hem de ferromanyetik özellik gösteren alaşımlardır.
Ni2MnGa tabanlı alaşımlarda büyük manyetik alan zorlamalı zorlanma gözlendiğinden beri ferromanyetik şekil
hafıza alaşımları üzerine yapılan bilimsel araştırmalar büyük oranda artış göstermiştir. Bu alaşımların şekil
hafıza özelliği martensitik geçiş olarak isimlendirilen birinci derece difüzyonsuz yapısal faz geçişi ile ilgilidir.
Ga tabanlı Heusler alaşımları dışında, Ni50Mn50-xZx (Z:In, Sn ve Sb) alaşımlarında da ferromanyetik şekil hafıza
etkisi gözlenmiştir. Bu alaşımlarda gözlenen birinci derece faz geçişi, sıcaklık azalırken yüksek simetrili kübik
fazdan, düşük simetrili martensit faza olmaktadır. Bu alaşımlar gösterdikleri martensit geçişten dolayı yüksek
entropi değişimine sahip oldukları için manyetokalorik malzemesi olarak manyetik soğutma teknolojisinde
büyük önem kazanmışlardır [1].
Ni46.8Cu2.5Mn36.5Sn14.3 alaşımı, yüksek saflıktaki saf elementler kullanılarak ark ergitme fırınında elde edilmiştir.
Alaşımın homojenliğini sağlamak için 950 C’de bir hafta ısıl işlem uygulanmıştır. Isıl işlem sonrası alaşımın
kompozisyonu EDX analizi ile belirlenmiştir. Alaşımın manyetik ve martensitik geçiş sıcaklıkları 2-350 K
sıcaklık aralığından yapılan AC alınganlık ölçümü ile belirlenmiştir. χAC(T) eğrisinden, alaşımın Curie sıcaklığı
322 K, martensit başlangıç sıcaklığı MS=195K, martesit bitiş sıcaklığı Mf=181 K, austenit başlangıç sıcaklığı
AS=199 K ve austenit bitiş sıcaklığı Af=213 K olarak belirlenmiştir. Alaşımın ısısal özelliklerini belirlemek için
4-340 K arasında sıcaklık artarken yapılan ısı sığası ölçümleri belirlenmiştir. Sıfır manyetik alanda yapılan ısı
sığası ölçümüne göre, alaşımın C(T) eğrisi 195 K’de doruk değere sahiptir ve bu değer alaşımın martensit geçiş
sıcaklığını tanımlamaktadır. Ayrıca C(T) eğrisinde 322 K’de bir anormallik gözlenmiştir. Gözlenen bu
anormallik, alaşımın Curie sıcaklığını tanımlamaktadır. Alaşımın alçak sıcaklıklardaki ısı sığası verileri
kullanılarak Fermi düzeyindeki durum yoğunluğu N(EF) ve Debye sıcaklığı θD değerleri 1.32 states/eV.atom ve
297 K olarak hesaplanmıştır [2].
Kaynaklar
1. I. Dincer et al. J. Alloys Comp. 506 (2010) 508.
2. I. Dincer et al. Solid State Commun. Gönderildi.
Teşekkür: Bu çalışma Ankara Üniversitesi BAP tarafından 08B4343005 numaralı proje çerçevesinde
desteklenmektedir.
İkibantlı süperiletkenlerde vortex dinamiğinin sayısal modellenmesi

İ.N. ASKERZADE1,2, R.T. ASKERBEYLİ2
1.Ankara Üniversitesi, Bilgisayar mühendisliği bölümü,iasker@science.ankara.edu.tr

2. Azerbaycan Milli Bilimler Akademisi, Fizik Enstitütü, Bakü,Azerbaycan
Son yıllarda bazı süperiletken malzemelerde (MgB2, manyetik olmayan borokarbidler Y(Lu)Ni2 B2C ve
oxipniktidelerde-FeAs bazlı yeni süperiletken bileşikler) iki düzlenme parametresinin olduğu anlaşılmıştır. Buna
uygun olarak ikibantlı Ginzburg-Landau teorisi genelleştirilmiş [1,2] ve stasioner hal için bazı analitik
çözümler elde edilmiştir. Tek-bantlı Ginzburg-Landau denklemlerinin sayısal çözümleri ve vortex dinamiği
problemleri [3] çalışmasında yapılmıştır.
Bu çalışmada variasyon yöntemi ile stasiner olmayan iki-bantlı Ginzburg-Landau denklemleri elde
edilmiştir:
1 2 d 2 x2 d 2 x2
1  ( 2  4 )1  1 (T )1   2  1 ( 2  4 ) 2  113  0 ,
t 4m1 dx ls dx ls
2 2 d 2 x 2 d 2 x2
2  ( 2  4 )2  2 (T )2  1  1 ( 2  4 )1  2 32  0 .
t 4m2 dx ls dx ls
Sınır şartları aşağıdaki gibidir:

 
1 2iA 2iA 
 ( ) 1 1( )2  n0 ,
4m1 0 0
 
1 2iA 2iA 
 ( )2 1( )1  n 0,
4m2 0 0
    
(n  A)  n  H 0  n
Vortex dinamiğinin araştırılması için bu denklemlerin sayısal yöntemle çözümlenmişdir. Dış manyetik alana
dik yönde yerleştirilmiş ince tabaka için iki-bantlı Ginzburg-Landau denklemleri geliştirilmiş Euler yöntemi ile
çözülmüş ve vortex örgüsünün yapısının kvazi-hexagonal olduğu belirlenmiştir.
Kaynaklar
[1] I. N. Askerzade et al , Supercond. Sci. Technol. 15, L13(2002).

[2] I. N. Askerzade, Physics Uspekhi 49, 1003 (2006).
[3] Q. Du et al, SIAM J. Appl. Math., 53, 689(1993).
Ab-initio Yöntemlerle InTe-Bileşiğinin İncelenmesi

İrem Öner1, Kemal Çolakoğlu1, Hacı Özışık2, Havva B. Özışık1,2 , Gökhan Sürücü1
1
2
Bu çalışmada InTe bileşiğinin NaCl (B1), CsCl (B2) ve TlSe (B37) fazlarındaki yapısal, elastik, elektronik ve
termodinamik özellikleri sunulmuştur. Tüm hesaplamalarda Vienna Ab-initio Simülasyon Paketi (VASP) / PAW
Metodu / Genelleştirilmiş Gradyan Yaklaşımı (GGA) kullanılmıştır. Stres-strain yöntemiyle elastik sabitleri
incelendiğinde B37 fazının enerjitik ve mekanik olarak kararlı olduğu ve 4.6 GPa basınç altında B1 fazına geçiş
yaptığı gözlenmiştir. Elektronik hesaplamalar, bant yapısının yarıiletken karakter sergilediğini göstermiştir. Elde
edilen sonuçların diğer teorik ve deneysel çalışmalarla uyum içinde olduğu görülmüştür.
GaN Tabanlı MESFET Yapıların 2-boyutta Elektriksel Karakteristikleri
K. Elibol, G. Atmaca, P. Taşlı, S. B. Lişesivdin ve M. Kasap
Geniş band aralığına sahip GaN tabanlı metal yarıiletken alan etkili transistörler (İng. MESFET), yüksek sıcaklık
ve yüksek güç uygulamalarında yüksek performans gösteren aygıtlardır. GaN MESFET’lerin düşük kapasitansı,
yüksek elektron hareketliliği gibi avantajları vardır. Ayrıca yapılarının basit olması üretiminde ve maliyetinde
kolaylıklar sağlar. Bu çalışmada GaN tabanlı MESFET’lerin farklı geçit uzuluklarında ve farklı bariyer
kalınlıklarında 2-boyutlu Schrödinger-Poisson eşitlikleri çözüldü. Drift-Diffusion simülasyonu ile bunların akım-
gerilim karakteristikleri ve geçiş iletkenliği üzerindeki etkileri araştırıldı. Farklı geçit(G) ve savak(D) gerilimleri
için 2-boyutta transfer karakteristikleri incelendi.
(E)-4-Metoksi-2-{[4-(Fenilamino)fenilimino]metil}fenol Yapısının X-Işınları

Yöntemiyle Aydınlatılması
Zeynep Keleşoğlu 1 *, Orhan Büyükgüngör 1, Çiğdem Albayrak 2, Mustafa Odabaşoğlu 3
1
Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Samsun
2
Fizik Eğitimi, Sinop Üniversitesi, Sinop
3
Kimya Programı, Denizli Meslek Yüksek Okulu, Pamukkale Üniversitesi, Denizli
Kapalı formülü C20H18N2O2 olan molekül C=N bağı ve metoksi grubu konumlanışına göre E konfigurasyonu
sergilemektedir. X-ışınları analizi, molekülün güçlü O-H…N molekül içi hidrojen bağı ile enol-imin formu
benimsemiştir. O1-H1…N1 molekül içi hidrojen bağı S(6) halka motifi oluşturmaktadır. Moleküldeki her bir
benzen halkası için HOMA endeksleri hesaplanmıştır. Bu endeksler hidroksi grubunun bağlı olduğu halka için
0,976, sırasıyla diğer benzen halkaları için ise 0,984 ve 0,971 olarak elde edilmiştir. Bu sonuç salisilaldehit
türevi Schiff bazlarının enol-imin formlarında her benzen halkasının aromatik olduğunu destekler. A(C1-C6) ve
B(C8-C13) aromatik halkalar arasındaki dihedral açı 18,38(9)° ve B(C8-C13) ile C(C14-C19) arasındaki
dihedral açı ise 41,98(7)° olarak elde edilmiştir. Düzlemsel olmayan bu molekülün fotokromik özellik gösterme
eğiliminde olduğu söylenebilir. Molekül üç boyutlu uzayda güçlü moleküller arası N2-H22…O1i (simetri kodu;
(i): x, 3/2-y, z-1/2) hidrojen bağı ile zincir oluşturarak, b doğrultusunda istiflenmektedir.

Wurtzite ve zincblende kristal yapılardaki GaN için elektron iletiminin

Monte Carlo yöntemiyle incelenmesi
Mustafa Akarsu1, Senem Aydoğu2, Seniye Karakaya1 ve Ömer Özbaş1
1
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik, Eskişehir
2
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampus, Kütahya
GaN yarıiletken bileşiğinde elektron iletimi Monte Carlo yöntemiyle wurtzite ve zincblende kristal yapılar için
incelenmiştir. Elektron sürüklenme hızı elektrik alanın bir fonksiyonu olarak farklı dislokasyon yoğunluklarında
hesaplanmıştır. Hesaplamalar non-parabolik etkin kütle enerjisi kullanılarak ve iyonize safsızlık, akustik fonon,
polar optik fonon, vadiler arası, dislokasyon saçılmaları dahil edilerek yapılmıştır. Dislokasyon yoğunluğunun
elektron iletimi üzerindeki etkileri incelenmiştir. Düşük elektrik alan mobilitesi dislokasyon yoğunluğunun bir
fonksiyonu olarak wurtzite ve zincblende kristal yapılar için hesaplanmıştır. Hem düşük hem de yüksek elektrik
alan için hesaplamalar yapılmış ve literatürdeki sonuçlarla kıyaslanmıştır. GaN yarıiletken bileşiğinde kristal
simetrisinin elektron iletimini etkilediği görülmüştür.
BN nanotüpün TiO2 rutil (12) yüzeyine tutunması:

yapısal ve elektronik özellikler
Merve Biçen1, Mehmet Çakmak1, ve Şinasi Ellialtıoğlu2
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara
2
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 06531 Ankara
mervebicen@gazi.edu.tr
Günümüzün gelişen teknolojisinde büyük ilgi gören nano boyuttaki yapıların başlıcalarından olan nanotüplerin
geleceğin elektronik aygıtlarında tel veya kontak materyali olarak kullanılması hedefinin yanı sıra fotokimyasal
veya katalitik aygıtlarda kullanılabilmesi de ilgi çeken özelliklerinden olmuştur. Bu aktiviteler için makul olan
metal oksitlerin ilk sıralarında yer alan, oldukça düzgün ve kararlı yüzeylere – en kararlısı rutil (110) – sahip
olan TiO2’dir. Nanotüp olarak ise geniş yasak enerji aralığına sahip ve yüksek sıcaklıklara dayanabilir olması
sebebiyle büyük ilgi gören BN nanotüpleri bu çalışmada ele aldık. Rutil (110)-12 yüzeyinin stokiyometrik ve
added-row formları ve bu yüzeylere BN nanotüpün kimyasal bağlanması ab initio yöntemlerle incelenmiş ve
gerekli hesaplamalar yapılmıştır. Stokiyometrik yüzey yarıiletken olup Egap değeri 1.69 eV iken, yeniden-
yapılanmış yüzey olarak en yaygın kabul gören 12 bazında eklenen “Ti2O3” sıralarının oluşturduğu “added-
row” modeli ise basit DFT yaklaşımı sonucunda metaliktir. Öncelikli olarak stokiyometrik yüzey üzerine tek
duvarlı BN(3,3) nanotüpün normal ve rotasyonel konumda yerleştirilerek bu yüzeye tutunması incelenmiş ve
stokiyometrik yüzeyin son sıra oksijenleri söküldüğünde, sırasıyla, 1.72 ve 1.55 eV’lik bağlanma enerjileri ile
tutunduğu gözlenmiştir. Benzer hesaplamalar added-row yüzeye tek duvarlı BN(3,3) nanotüpün tutunması için
yapıldığında, BN nanotüpün bu yüzeye tutunmadığı, ancak bu yüzeyin son sırasındaki oksijenlerin sökülmesi ile
indirgenmiş yeni yüzeye, indirgenmiş stokiyometrik yüzeyde olduğu gibi benzer enerjilerle tutunabildiği
görülmüştür. Çalışmaların ilerleyen safhalarında sisteme özgü enerji bant yapısı, enerji aralığında tüp ile yüzeyin
etkileşmesinden kaynaklanan yeni bantlara ait durum yoğunluğu ve ilgili yük yoğunluğu hesaplanacaktır.
Anahtar Kelimeler: BN nanotüp, titanya yüzeyleri
Bu çalışma TÜBİTAK–TBAG 107T560 nolu proje ile desteklenmektedir.

Küçük Ni Topakların Yapısı ve Bağlanma Enerjisi

Meryem Evecen ve Mehmet Çakmak1
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar, 06500, Ankara, Ankara
NiN (N=2-20) küçük topaklarının bağlanma enerjileri ve yapıları yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT)
kullanılarak bulunmuş ve litaratürden elde edilen Monte Carlo metot sonuçlarıyla karşılaştırılmıştır [1]. Belli
geometrik yapıların taban durumu belirlenmiştir. Topakların bağıl kararlılıklarının bir ölçüsü olan birinci fark
enerji (Δ1En) ve ikinci fark enerji (Δ2En) değerlerine bakılmıştır. Birinci fark enerji ve ikinci fark enerji
grafiklerinden sihirli sayılar belirlenmiştir (4, 6 ve 13). Bağlanma enerjisinin atom sayısının artması ile katı
yapının bağ enerjisine (nikel kristali için Ebağ=-4,44 eV/atom [2]) doğru düştüğü görülmüştür.
[1]. Wilson, N.T., Bailey, M.S. ve Johnston, R.L. “Atom ordering in cuboctahedral Ni–Al nanoalloys”,
Inorganica Chimica Acta, 359: 3649-3658 (2006).
[2]. Kittel, C., “Introduction to solid state physics”, 7th edition,”, Wiley, New York, 1
32, 121-125 (1996).
ELEKTRİK ALANIN PARABOLİK SINIRLANDIRILMIŞ KÜRESEL

KUANTUM NOKTADA BAĞLANMA ENERJİSİ VE OPTİK
ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİSİ
Muharrem Kırak1, Sait Yılmaz1
1
Fizik Bölümü, Bozok Üniversitesi , 66100, Yozgat
Kuantum noktalar, elektronlarının serbest hareketlerinin üç boyutta sınırlandırılması ile oluşan bazen de yapay
atomlar olarak da adlandırılan yapılardır. Bu yapılar, kuantum mekaniğinin uygulandığı yapılar teknolojinin
gelişmesi ile birçok alanda kullanılmaya başlanmıştır. Kuantum noktalar üzerine gerek deneysel gerekse teorik
olarak çalışmalar halen devam etmektedir.
Bu çalışma ile uygulanan dış elektrik alanın taban durum, birinci ve ikinci uyarılmış durum bağlanma enerjisi ve
1s-1p ve 1p-1d geçişleri için toplam, birinci ve üçüncü mertebe soğurma katsayıları gibi lineer ve lineer olmayan
optik özellikler üzerine etkisi incelendi. Hesaplamalar, etkin kütle yaklaşıklığında varyasyon metodu kullanılarak
araştırılmıştır. İncelenen optik özelliklerin elektrik alana oldukça güçlü bir şekilde bağlı olduğu görülmüştür.
Karbon Nanotüp Esaslı Tekstiller: Topoloji ve Mekanik

İbrahim Mutlay1,2
1
Kimya Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi Tandoğan, 06100, Ankara
2
Grafen Kimya Sanayi, KA-CL İş Merkezi İvedik OSB, 06370, Ankara
Karbon nanotüpler sıradışı özellikleriyle nanoteknolojinin en önemli malzemesi olarak kabul edilmektedir. Öyle
ki nanobilimin devrimsel keşiflerinin birçoğunda karbon nanotüp esaslı sistemler kullanılmaktadır. Ancak ~100
GPa çekme mukavemeti ve 1 TPa Young modülü halinde kendini gösteren çarpıcı mekanik özellikleriyle karbon
nanotüplerin özellikle kompozit malzemeler, yüksek başarımlı tekstiller gibi alanlarda başarılı olacağı
beklenmektedir. Gerçekten de karbon nanotüplerden üretilen lifler, bilinen tüm liflerin üstünde mekanik başarım
özellikleri göstermiştir [1]. Benzer biçimde karbon nanotüp-polivinil alkol nanokompozit liflerde 600 J/g ile
insanoğlunun bugüne kadar herhangi bir malzeme için gözlediği en yüksek tokluk değeri kaydedilmiştir [2].
Olağanüstü bir teknolojik potansiyele sahip olduğu açıkça görülebilecek karbon nanotüp tekstillerin nano-/mezo-
yapısı ile mekanik özelliklerinin arasındaki ilişkilerin tayin edilmesi uygulamada büyük önem arz etmektedir. Bu
çalışmada da karbon nanotüplerden üretilmiş lif, iplik ve bezayağı (1x1 düz) örgüsündeki dokuma kumaş için
çok-ölçekli topolojik ve mekanik bir model kurulmuştur. Karbon nanotüp topolojisi yönlenmiş ortonormal
çerçevelerdeki ≥ 2 mertebeli eğriler olarak kabul edilmiştir. Bu topolojik öge ve uygun simetri bağıntıları
kullanılarak sarmal topolojide iplikler ve ark birimlerinden dokuma kumaş örgüsüne ulaşılmıştır (Şekil 1a-b).
Karbon nanotüp liflerin Young modülü sürekli zincir yaklaşımı kullanılarak modellenmiş (Şekil 1c); eğilme,
burulma, uzama davranışını ve lifler-arası etkileşimleri birarada veren çok ölçekli bir Hamiltonyan terimi
dokuma kumaş için önerilmiştir.
Şekil 1. Karbon nanotüp tekstillerin topolojisi (a-b) ve ipliklerin Young modülü (c).
Kaynaklar
[1] Krzysztof Koziol, Juan Vilatela, Anna Moisala, Marcelo Motta, Philip Cunniff, Michael Sennett, Alan
Windle, High-Performance Carbon Nanotube Fiber, Science 318, 1892 (2007)
[2] http://www.utdallas.edu/~scollins/Vladimir%20Conf.pdf Erisim Tarihi: 16/08/2010
Navier-Stokes Denklemlerinin Temel İlkelerden Türetimi

İbrahim Mutlay1,2
1
Kimya Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi Tandoğan, 06100, Ankara
2
Grafen Kimya Sanayi, KA-CL İş Merkezi İvedik OSB, 06370, Ankara
Akışkan dinamiklerini açıklayan Navier-Stokes denklemleri madde, momentum ve enerji korunum bağıntılarını
içeren bir nonlineer kısmi diferansiyel denklem sistemidir. Astrofiziksel akışkanlardan aerodinamiğe, atmosferik
olaylardan kimyasal süreçlere kadar çevremizdeki tüm akış olgularını tarif etmek için kullanılan bu model
olağanüstü bir öneme sahiptir. Navier-Stokes denklemleri esas alınarak geliştirilmiş yazılımlar günümüzde uzay-
havacılık, otomotiv ve kimya sanayilerinde sistem tasarımlarında yaygın bir biçimde kullanılmaktadır. Yanısıra
kozmoloji ve yüksek enerji fiziğinde son yıllarda inanılmaz bir ilerleme gösteren hidrodinamik modeller Navier-
Stokes denklemlerine dayanmaktadır. Konuya o denli değer verilmektedir ki Clay Mathematics Institute,
“Millennium Prize Problems” listesine Navier-Stokes denklemlerinin 3B uzayda çözümünün geliştirilmesini
sorununu eklemiştir. Navier-Stokes denklemlerinin matematiksel yapısı üzerine ciddi bir literatür mevcutsa da
kuvantum mekaniksel kökenleri üzerine yeterli araştırma bulunmamaktadır. Bu bakımdan Navier-Stokes
denklemlerinin atomik ilkelerden yeniden türetilmesi denklemin fiziksel yorumu ve olası çözüm özellikleri
açısından büyük önem arz eder.
Bu çalışmada Navier-Stokes denklemleri, enerji yitimli kuvantum madde alanlarından yola çıkılarak
türetilmiştir. Akışkan hareketi enion (anyon) alanlarındaki soliton titreşimleri halinde modellenerek sistemi
tanımlayan nonlineer Schrödinger denklemi ve Hamiltonyan terimi ortaya konmuştur. Dalga fonksiyonunda
Madelung dönüşümü Ψ=ρ1/2exp(iΦ) ve ölçek parametresinin uygulanması ile Schrödinger denklemi Navier-
Stokes denklemlerine çevrilmiştir. Elde edilen çok-ölçekli Navier-Stokes denklemlerinin 1B solitonik çözümleri
yapılarak fiziksel davranışı ve matematiksel özellikleri irdelenmiştir. Bulguların nanobilim, mikroakışkanıllar
vb. alanlardaki uygulamalarının yanında akışkanlar dinamiğinin genelleştirilmiş bir kuramına yönelik ciddi
ipuçları içerdiği gözlemlenmiştir.
Polihidridokarbinden elde edilen elmas-benzeri karbon filmin

mekanik ve morfolojik özellikleri
Orhan UZUN1, Necati BAŞMAN1, Uğur KÖLEMEN1, Cemil ALKAN2, Fikret YILMAZ1
1
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Taşlıçiftlik Kampüsü,60240, Tokat
2
Kimya Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Taşlıçiftlik Kampüsü, 60240,Tokat
Isıl işlemle elmas ya da elmas-benzeri karbona dönüştürülebilen polikarbinler seramiğe dönüştürülebilen

polimerik malzeme grubunun en önemli üyelerinden birisidir. Polihidridokarbin çözülebilirliği, yüksek elmas
verimliliği ve yüksek elmas ya da elmas-benzeri karbon kalitesi ile polikarbinlerin en çok aranılan üyesidir. Bu
polimer organik çözücülerde çözülebilir olması sayesinde istenilen kalınlık ve şekilde bir altlık veya bir yüzey
üzerine kaplanabilir. Bu çalışmada polihidridokarbin polimeri elektrokimyasal yöntemle sentezlendi [1].
Polimer, tetrahidrofuranda çözüldükten sonra daldırarak kaplama yöntemiyle silisyum altlık üzerine kaplandı.
Kaplanan film argon atmosferinde 1000 0C ısıl işleme tabi tutuldu. Elde edilen filmin Raman spektroskopisi ve
nanoçentme analizleri yapıldı. Ayrıca filmin yüzey morfolojisi atomik kuvvet mikroskobu ile incelendi. Yapılan
analizler, sentezlenen filmin elmas-benzeri karbon film olduğunu ortaya koymuştur.
Kaynak
[1] Y. Nur, M. W. Pitcher, S. Seyyidoğlu ve L. Toppare., Facile Synthesis of Poly(hydridocarbyne): A Precursor
to Diamond and Diamondlike Ceramics., Journal of Macromolecular Science, Part A: Pure and Applied
Chemistry (2008) 45,358-363.
Al2La Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik, Termodinamik ve

Titreşimsel Özellikleri Üzerinde Ab initio Hesaplamaları
N. Kahveci, Y. Ö. Çiftçi, K. Çolakoğlu
Gazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Ankara, Türkiye
C15 tip (uzay grup 227) Cu2Mg yapıdaki Al2La bileşiğinin yapısal, elastik, elektronik, termodinamik ve
titreşimsel özelliklerini derin bir şekilde anlamak için potpaw-GGA yaklaşımlı ab initio yoğunluk fonksiyonu
teorisi kullanıldı. Program olarak VASP paket programı kullanıldı. Ele aldığımız yapının termodinamik
özellikleri quasi-harmonik debye modeli yardımı ile incelendi. Al2La bileşiğinin C15 yapıdaki örgü sabiti, bulk
modülü ve bulk modülünün türevi Murnaghan hal denklemine fit edilerek hesaplandı. İkinci dereceden elastik
sabitleri, young modülü, zener anizotropi faktörü, poisson oranı, izotropik(shear) kesme modülü gibi temel
fiziksel parametreler sunuldu. Ayrıca hacim, bulk modülü, termal açılım katsayısı, ısı kapasitesi, entropi, debye
sıcaklığı ve Grüneisen parametresi gibi bazı termodinamik niceliklerin farklı sıcaklık ve basınçla değişimleri
elde edildi. Elde edilen sonuçlar mevcut diğer teorik ve deneysel sonuçlarla kıyaslandı ve genellikle iyi uyum
gözlendi.
İridyum Oksit Filmlerinin Üretimi ve Bazı Fiziksel Özelliklerinin

İncelenmesi
O. Gençyılmaz, F. Atay ve İ. Akyüz
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26480 Eskisehir, Türkiye
İridyum oksit sensörler, katalizörler, elektro-kromik aygıtlar, optiksel bilgi depolama ve esnek ince film
transistörler gibi bir çok uygulama da kullanım alanı olan bir malzemedir. Bu çalışmada, teknolojideki kullanım
alanlarını incelemek ve geliştirmek amacıyla iridyum oksit ince filmleri ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği
(UKP) ile 320±5 ºC sıcaklığındaki cam tabanlar üzerine depolanmıştır. Ayrıca üretim sonrası filmler püskürtme
odacığında 450 ºC sıcaklıkta 1 saat süreyle bekletilmiştir. Filmlerin kristal yapılarını belirlemek için X-ışını
kırınım desenleri alınmıştır. UV spektrofotometre cihazı ile geçirgenlik ve soğurma spektrumları alınmıştır ve
optik metot kullanılarak yasak enerji aralıkları hesaplanmıştır. Filmlerin kalınlıkları ve optik sabitleri (kırılma
indisi ve sönüm katsayısı) spektroskopik elipsometri tekniği ile belirlenmiştir. Üretilen filmlerin üç boyutta
yüzey görüntülerini incelemek ve yüzey pürüzlülüklerini belirlemek amacıyla atomik kuvvet mikroskobu (AFM)
kullanılmıştır. İridyum oksit filmlerinin elektriksel özdirençleri dört uç tekniği kullanılarak belirlenmiştir.
Trans-bis(acesülfamato-O)diakuadietanolbakır(II)
Onur Şahin1, Hasan İçbudak2 ve Orhan Büyükgüngör1
1
Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Kurupelit, 55139, Samsun
2
Kimya Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Kurupelit,, 55139, Samsun
Bu çalışmada; trans-bis(acesülfamato-O)diakuadietanolbakır(II), [Cu(C4H4NO4S)2(C2H6O)2(H2O)2], (I),

bileşiğine ait yapısal özellikler incelenmiştir. Yapıda, simetri merkezine yerleşmiş olan CuII iyonu, acesülfamato
ligantlarına ait iki O atomu, akua ligantlarına ait iki O atomu ve etanol ligantlarına ait iki O atomunun
oluşturduğu çevreyle bozulmuş oktahedral koordinasyon sergilemektedir. Yapıda moleküller arası O-H···N, O-
H···O ve C-H···O hidrojen bağları bulunmaktadır. Moleküller arası O-H···N ve C-H···O hidrojen bağları [100] ve
[010] doğrultuları boyunca C(6) zincirleri oluşturmaktadır. Bu zincirlerin iki boyutta tekrarlanmasıyla merkezi-
simetrik R22(12), R22(16) ve R22(20) halkaları meydana gelmektedir.
Erbiyum Katkılı Eklem Diyotun I-V Karakteristiği

O. Kartaloğlu, G. Atmaca, K. Elibol ve S. B. Lişesivdin
P-N eklem diyot en eski yarı iletken devre elemanlarındandır. PN diyot için teori 1949 yılında Shockley
tarafından geliştirildi ve bu teori iki kutuplu eklem transistorün icat edilmesinde kullanıldı. PN eklemi en yaygın
olarak elektronik alanında kullanılmıştır. Aynı zamanda pek çok cihaz için önemli bir temel yapı taşı olarak
hizmet vermektedir. Bu çalışmada erbiyum katkılı eklem diyotun TiberCAD aracılığıyla simülasyonu yapıldı ve
I-V karakteristiği çıkarıldı.
Harmonik olmayan Josephson eklemleri bazında faz kubiti

Mehmet Canturk1, Iman N. Askerzade2
1
Bilişim Sistemleri Mühendisliği Bölümü, Atılım Üniversitesi İncek, 06863, Ankara
2
Bilgisayar Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi Tandoğan,, 06100, Ankara
Son yıllarda Josephson eklemi bazında çok sayıda faz kubitleri önerilmiştir. Bu tip kubitlerin tek ve çift
superiletken ilmekli eklemlemleri mevcuttur. Harmonik Josephson eklemlerinde akı-faz bağıntısı
I  I c sin  şeklindedir. Yüksek sıcaklık superiletkenleri bazında yapılan Josephson eklemlerinin akı-faz
I  I sin   I sin 2
c1 c2 I
bağıntısı ise şu şekildedir: . Mikroskobik teori c2 ’nin sıcaklık ve eklemin kalınlığına
bağlı olduğunu göstermektedir. Bu çalışmada tek eklemli faz kubitin enerji yelpazesinin ikinci harmoniğin
genliğine olan ilişkisi araştırılmıştır. Enerji temel bandının yarılmasının temel parametrelerle ( E j / E c :
Josephson enerjisinin Coulomb enerjisine olan orantısı, ve I c2 / I c1 anharmonizm parametresi) olan bağıntıları
sayısal yöntemlerle araştırılmıştır. Elde edilen sonuçlar faz kubitlerinin çalışma rejiminin belirlenmesinde
önemlidir.
Kaynakça:
1. N. V. Klenov, V. K. Kornev ve N.F. Pedersen, Physica C 435 (2006) , 114
2. G. Vendin, V.S. Shumeiko, Low Temperature Physics 33 (2007) , 957
3. M. Canturk, E. Kurt, I. N. Askerzade, COMPEL: The international journal for computation and mathematics
in electrical and electronic engineering (Accepted August 2010).
CuxZn1-xO Filmlerinin Sol Jel Spin Kaplama Yöntemiyle Elde Edilmesi ve

Yapısal Karakterizasyonu
Dilek Duygu DOĞAN, Yasemin ÇAĞLAR, Saliha ILICAN, Müjdat ÇAĞLAR
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi, 26470, Eskişehir
Optik ve elektriksel özelliklerinden dolayı metal oksit yarıiletken filmler son yıllarda yoğun bir şekilde
çalışılmakta ve oldukça ilgi çekmektedir. Metal oksit yarıiletkenlerden biri olan geniş bant aralığına sahip ZnO
filmleri özellikle optoelektronik cihazlarda, güneş pillerinde kullanılmak için uygun bir materyaldir. Diğer
önemli metal oksit materyallerinden biri de dar optik bant aralığına sahip olan CuO filmleri olup, gaz sensörü
gibi katalitik uygulamalar ile fotovoltaik cihazlarda kullanılmaktadır. Bu çalışmada, CuxZn1-xO filmleri sol jel
spin kaplama yöntemi kullanılarak, cam alttaşlar üzerinde elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin kristalografik
özellikleri ve morfolojik yapısı incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden filmlerin kristal boyutu, yapılanma
katsayısı ve örgü sabitleri hesaplanmıştır. Bakır konsantrasyonunun artışıyla kristal yapının hekzagonal wurtzite
yapıdan monoklinik yapıya değiştiği belirlenmiştir. Filmlerin morfolojik karakterizasyonu Taramalı Elektron
Mikroskobundan (FESEM) araştırılmıştır.
Teşekkür:
Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu 061039 ile 081029 nolu projeleri
tarafından desteklenmiştir.
İki Farklı Tek İyon Anizotropisi İçeren Spin-1ve Spin-2 Karışık Ising
Modelinin Kritik Durulma Davranışı
Gül Gülpınar1, Mehmet Ağartıoğlu, Erol Vatansever1
1
Fizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, 35160, İzmir
Bu çalışmada farklı kristal alan etkileşimleri içeren spin-1 ve spin-2 karışık Ising ferromanyetik sisteminin denge
yakınındaki durulma davranışı, denge kritik fenomoloji teorisi ile Onsager tersinmez termodinamik kuramının
birleşiminden oluşan bir yöntemle incelenmiştir. İlk olarak, sistemin denge davranışı ortalama alan yaklaşımı
altında incelendi. Daha sonra sistemin küçük dış bir alanla dengeden uzaklaştırıldığı kabul edilerek, düzen
parametrelerinin zamanla değişimini veren kinetik denklemler doğrusal yanıt kuramı kullanılarak elde edildi.
Son olarak seküler matris kullanılarak iki farklı durulma zamanının kritik nokta yakınında sıcaklıkla değişimi
elde edildi.
TiO2(110) rekonstrüksiyon modellerinin DFTU analizi

Hatice Ünal1,*, Veysel Çelik1, Ersen Mete1, ve Şinasi Ellialtıoğlu2
1
Fizik Bölümü, Balıkesir Üniversitesi, 10145, Balıkesir
2
Kompleks geçiş metal oksitlerinin yapısını ve özelliklerini incelemek için prototip model sistemler
olarak görülen TiO2 ve yüzeyleri hetero-kataliz ve fotovoltaik uygulamaları için büyük ilgi
çekmektedir. Rutil TiO2'nin en stabil kesiti olan (110) periyodik (11) yüzeyinin tavlanması
neticesinde yüzey oksijenlerinin kısmen ayrılmasıyla indirgenerek üzerinde [001] doğrultusunda zincir
yapıların oluştuğu ve yüzeyi (12) rekonstrüksiyona yönelttiği gözlenmiştir. Bu rekonstrüktif
oluşumların deneysel olarak üç boyutlu gözlenebilmesi ve nasıl bir yapıya sahip olduğunu belirlemek
günümüz teknolojisiyle çok zordur. Bu çalışmada TiO2(110) yüzeyi üzerinde oluştuğu deneysel olarak
gözlenen ve farklı çalışmalarca desteklenen Onishi–Iwasawa [1] ile Park ve arkadaşlarının [2]
önerdikleri iki model incelenmiştir. Bu iki ayrı (12) rekonstrüksiyonun elektronik özellikleri,
genelleştirilmiş gradyen yaklaşımında (GGA), projektörce zenginleştirilmiş dalga (PAW) metodu ile
yoğunluk fonksiyoneli kuramı (DFT) çerçevesinde hesaplandı. Standart DFT hesapları ile her iki (12)
yüzeyde, deneysel olarak iletim bandının 0.7–0.9 eV aşağısında gözelenen, Ti kusur durumlarının yeri
hatalı bir şekilde iletim bandı içinde elde edilmektedir. Bu şekilde standart DFT tarafından TiO2(110)-
(12) yüzeyinin metalik olarak öngörülmesinin başlıca sebebi yüksek korelasyonlu Ti 3d
elektronalarına ait korelasyon enerjisinin yaklaşımdan kaynaklı yetersizliğidir. Yüzey oksijeni
yokluğundan kaynaklanan Ti kusur durumunu band aralığındaki deneysel gözlenen yerinde bulmak
için kuvvetli korelasyona sahip Ti 3d-elektronları arasında Hubbard U tipi mahallinde (on-site)
Coulomb etkileşimi ampirik olarak eklenmiştir. Bu yöntem, ayrıca, standart DFT’ye kıyasla band
aralıklarını dikkate değer oranda düzeltmektedir. Bu şekilde elektronik yapıları deneyle tutarlı olacak
biçimde düzeltilen Park ve Onishi–Iwasawa modelleri termodinamik stabiliteleri bakımından tartışıldı.
[1] H. Onishi and Y. Iwasawa, Surf. Sci. Lett. 313, 783 (1994).
[2] K. T. Park, M. Pan, V. Meunier, and E. W. Plummer, Phys. Rev. B 75, 245415 (2007).
TlInSe2 Zincir Yapılı Kristallerde Tuzak Merkezi Parametrelerinin

Isıluyarılmış Akım Ölçümleri ile Belirlenmesi
T. Yıldırım1, M. Işık2, N. Hasanli3 ve H. Özkan3
1
Fizik Bölümü, Nevşehir Üniversitesi, Nevşehir
2
Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü, Atılım Üniversitesi, Ankara
3
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Ankara
Katkılanmamış TlInSe2 kristallerinde ısıluyarılmış akım ölçümleri gerçekleştirildi. Araştırmalar 10-260 K

sıcaklık aralığında 0.3 Ks-1 ısıtma hızı ile yapıldı. Verilerin analizi 6 ve 57 meV enerji seviyelerinde iki eşik
merkezinin varlığını gösterdi. Tuzakların aktivasyon enerjileri çeşitli analiz yöntemleri kullanarak hesaplandı ve
bu yöntemlerin birbiri ile uyumlu olduğu görüldü. Tuzakların konsantrasyonları (2.8 × 1013 ve 3.4 × 1012 cm−3)
ve yakalama kesit alanları (4.1 × 10-28 ve 2.9 × 10-26 cm2) gözlemlenen her iki tepe için hesaplandı. Deneysel
sonuçlar ile yavaş geri tuzaklanmaya dayalı teorik öngörülerin uyumlu olması bu tuzak seviyelerinde geri
tuzaklanmanın ihmal edilebilir olduğunu gösterdi.
Rutil TiO2(110)-(12) yüzeyine GaN nanotüp tutunmasının

yapısal ve elektronik özellikleri
Nihan Akın1, Mehmet Çakmak1, ve Şinasi Ellialtıoğlu2
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500, Ankara
2
Rutil TiO2(110) yüzeyinin ve bu yüzey üzerinde (3,3) koltuk tipi tek-duvarlı GaN nanotüp tutunmasının,
yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio hesaplamaları, VASP kodu kullanılarak araştırılmıştır.
Çalışma kapsamında, stokiyometrik yüzeyin yanı sıra indirgenmiş (köprü oksijenleri sökülmüş) yüzey ile
yeniden-yapılanmış yüzey olarak kabul edilen added-row yüzeyi de ele alınmış ve kararlı bir yapısı olan (3,3)
koltuk tipi tek-duvarlı GaN nanotüpün, her üç yüzeyde tutunması incelenmiştir. Yapılan hesaplamalarda,
stokiyometrik yüzeye 1.48 eV bağlanma enerjisi ile tutunan (3,3) koltuk tipi tek-duvarlı GaN nanotüp, 30o
döndürülerek yüzey üzerine yerleştirildiği durumda ise 1.66 eV bağlanma enerjisi ile tutunmuştur. Aynı
nanotüpün, added-row yüzeye 0.90 eV bağlanma enerjisi ile tutunduğu ve yine yüzey üzerinde 30o
döndürüldüğünde ise 1.13 eV bağlanma enerjisi ile tutunduğu hesaplanmıştır. Diğer taraftan, indirgenmiş yüzey
üzerinde nanotüpün tutunması için ise en fazla 1.62 eV değerinde bir bağlanma enerjisi bulunmuştur. Son olarak,
added-row yüzeyi oluşturan Ti2O3 sırası üzerindeki köprü oksijenleri sökülmüş yüzey üzerinde tutunma
incelendiğinde ise 3.00 eV gibi yüksek bir bağlanma enerjisi değerine ulaşılmıştır. Ayrıca, yüzey bandlarının
balk band aralığına düşenleri belirlenip, orbital yapıları kısmi durum yoğunluklarına dayanılarak incelenmiş ve
elektronik yük yoğunlukları hesapları yapılmıştır.
Bu çalışma TÜBİTAK–TBAG 107T560 nolu proje ile desteklenmiştir.

CaIn Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik ve Termodinamik

Özelliklerinin Ab-initio Yöntemle İncelenmesi
Merve Özayman1, Yasemin Öztekin Çiftci1, Kemal Çolakoğlu1 ve Engin Deligöz2
1
2
Bu çalışmada, CaIn bileşiğinin yapısal, elektronik, elastik ve termodinamik özelliklerinin belirlenmesinde etkin
bir yöntem olan yoğunluk fonksiyoneli teorisi (DFT) ve düzlem dalga pseudo potansiyeline dayanan ab-initio
kod olarak VASP (Vienna ab simulation package) paket programı kullanılarak hesaplamalar yapıldı. Değiş
tokuş korelasyonu potansiyeli olarak genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) kullanıldı. Toplam enerji
hesaplamalarında iyonlar ve elektronlar arasındaki etkileşmeleri tanımlamak için VASP tarafından sağlanan
belirginleştiren düzlem dalga (projected augmented plane-wave- PAW) metodu kullanıldı. CsCl (B2) ve NaTl
(B32) fazında yapı parametreleri araştırıldı. Aynı zamanda quasi-harmonic Debye modeli kullanılarak
termodinamik özellikler belirlendi. Hacim, bulk modülü, termal genleşme katsayısı, ısı kapasitesi ve Debye
sıcaklığının basınç ve sıcaklıkla değişimi 0-13 GPa basınç ve 0-1800 K sıcaklık aralıklarında incelendi.
Bulduğumuz sonuçların diğer teorik ve deneysel çalışmalarla uyum içinde olduğu gözlemlendi.
Pr (Praseodymium) katkılanmış Bi-2212 süperiletkeninin mekanik

özelliklerinin incelenmesi
Elif AŞIKUZUN1, Özgür ÖZTÜRK1, Gürcan YILDIRIM2, Özlem YILDIZ1 ve Cabir TERZİOĞLU2
1
Fizik Bölümü, Kastamonu Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 37200, Kastamonu
2
Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi, 14280, Bolu
Yüksek sıcaklık süperiletkenlerinin mekanik özelliklerinin karakterize edilmesi, bu malzemelerin mühendislik ve

teknolojik uygulamalarında kullanımı açısından oldukça önemlidir. Zira bu malzemeler çoğunlukla seramik
oldukları için özellikle kablo yapımında kırılganlıklarının tespit edilmesi kullanılabilirliği açısından oldukça
önemlidir. Bu çalışmada, Pr katkılı Bi-2212 süperiletkenleri katıhal tepkime yöntemi kullanılarak ve 840oC’ de
50 saat ısıl işleme tabi tutularak üretildi. Bu üretilen Pr katkılı süperiletken numuneleri kıyaslayabilmek için
katkısız Bi-2212 süperiletkenleri de aynı şartlarda hazırlandı. Üretilen bu numunelerin süperiletkenlik
özelliklerini belirlemek için DC özdirenç, mekanik özelliklerini belirlemek için mikrosertlik, kristal yapı
özelliklerinin ve örgü parametrelerinin tespiti için de SEM (Taramalı Elektron Mikroskobu) ve XRD (X-ışınları
kırınımı) ölçümleri yapıldı. Bu çalışmada daha çok Pr katkısının Bi-2212 süperiletkeninin mekanik özelliklerine
nasıl bir katkı yaptığı üzerinde durulmuştur. Vickers mikrosertliği, elastik modülü, gerilme ve kırılma dayanımı
gibi bazı mekanik özellikler katkılı ve katkısız numuneler için hem yüke bağlı hem de yükten bağımsız olarak
hesaplanmıştır. Yapılan bu ölçümler sonucunda Tconset değerinin Pr katkısı arttıkça arttığı, Tcoffset değerinin ise
katkı arttıkça azaldığı, mikrosertlik değerlerinin ise Pr katkısı arttıkça azaldığı gözlenmiştir.
Sıvı kristal bir filmin optik özelliklerinin incelenmesi*

R. Karapınar, S. Özev
Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi , 65080 Van
Bu çalışmada yüzey etkinlik işlemi uygulanarak moleküllerin tek-eksenli yönelime sahip oldukları planar
nematik sıvı kristal filmlerin yapımı gerçekleştirildi. Bu tür filmlerin ışık geçirgenlikleri ve uygulanan dış
elektrik alana karşı tepkileri optik bir sistem yardımıyla incelendi. Sıvı kristal filmlerdeki yönelim durumları ve
mikroskobik desenler polarize bir mikroskop yardımıyla incelendi. Filmin levha yüzeylerindeki moleküller
yönelim doğrultuları arasında 90˚lik bir dönmenin bulunduğu bükümlü moleküler yönelim durumu için bükülme
açısı değerleri mikroskop altında çapraz polarizör sistemi ile belirlendi. Bu tür yapısal özelliğe sahip film
yüzeyindeki moleküllerin bağlanma enerjileri hesaplandı.
* Bu çalışma Yüzüncü Yıl Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Başkanlığı tarafından desteklenmiştir.
Blume-Emery-Griffiths Modeli için Dinamik Kuadrupol Alınganlık*

Rıza Erdem1, Gül Gülpınar2
1
Fizik Bölümü, Akdeniz Üniversitesi, Dumlupınar Bulvarı, 07058, Antalya
2
Fizik Bölümü, Dokuz Eylül Üniversitesi, Buca, 35160, İzmir
Bilineer ( J ), bikuadratik ( K ) ve krital alan ( D ) etkileşmeli spin-1 Ising sistemi (ya da Blume-Emery-
Griffiths Modeli) [1, 2] için dinamik kuadrupol alınganlık ifadesi (  Q ) denge istatistik teori ve tersinmez
termodinamik teori [3] yardımıyla türetildi. Q ’nin reel bileşeni (   ) ve sanal bileşeninin (  Q  ) sıcaklığa
Q
ve kristal alan etkileşmesinin salınım frekansına (  ) bağımlılığı araştırıldı.  Q ve  Q  ’nin statik limit
durumu (   0 ) ve dinamik özellikleri (   0 ) tartışıldı.
*Çalışmanın bir kesimi TÜBİTAK tarafından desteklenmiştir (No: 106T579)
[1] W. Hoston, A. N. Berker, Phys. Rev. Lett. 67 (1991) 1027

[2] R. Erdem, C. Ekiz, M. Keskin, Phys. Stat. Sol. (b) (2003) 220
[3] L. Onsager, Phys. Rev. 37, 405 (1931); Phys. Rev. 38, 2265 (1931).
Nanoyapılı ZnO filminin

fiziksel özellikleri üzerine bor katkısının etkisi
Saliha ILICAN1, Müjdat ÇAĞLAR1, Fahrettin YAKUPHANOĞLU2, Yasemin ÇAĞLAR1
1
Fizik Bölümü, Anadolu Üniversitesi, 26470, Eskişehir
2
Fizik Bölümü, Fırat Üniversitesi, 23169, Elazığ
Bu çalışmada, katkısız, %1 ve %5 Bor katkılı ZnO filmleri indiyum kalay oksit kaplı (ITO) cam alttaşlar üzerine
sol jel spin kaplama metodu kullanılarak elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin kristal yapısı X-ışını kırınım
(XRD) desenlerinden incelenmiştir. XRD sonuçlarından, katkısız ZnO filminin (002) tercihli yöneliminde,
polikristal ve hekzagonal yapıda olduğu ve Bor katkısının filmin kristalografik yapısını bozduğu gözlenmiştir.
Filmlerin morfolojik karakterizasyonu Taramalı Elektron Mikroskobundan (FESEM) araştırılmıştır. FESEM
fotoğraflarından, ZnO filminin yüzeysel morfolojisinin bor katkısıyla değiştiği ve taneciklerin bor katkısıyla
küçüldüğü belirlenmiştir. Elde edilen filmlerin 80-460K sıcaklık aralığında, sıcaklığa bağlı optik absorpsiyon
ölçümlerinden yararlanılarak, optik bant aralıkları hesaplanmıştır. Sıcaklık arttıkça filmlerin optik bant aralığının
düştüğü belirlenmiştir. Katkısız ZnO filminin optik bant aralığının sıcaklıkla değişiminden Varshni parametreleri
de hesaplanmıştır.
Teşekkür:
Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu 061039 ile 081029 nolu ve Ulusal
Bor Araştırma Enstitüsü BOREN-2009.Ç0226 nolu projeleri tarafından desteklenmiştir.
MgO Yarıiletken Filmlerin Üretilmesi

ve Bazı Fiziksel Özelliklerinin İncelenmesi
Sema Kurtaran, Meryem Polat, Salih Köse, İdris Akyüz, Ferhunde Atay
Eskisehir Osmangazi Üniversitesi,Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü,Eskisehir
Magnezyum oksit, geniş bant aralığı, bir çok malzeme ile iyi örgü uyumu ve düşük kırılma indisi değerleri ile bir
çok optik ve elektronik uygulamada kullanım potansiyeli olan bir malzemedir. MgO kaplamalar, yüksek
sıcaklık süperiletken ve epitaksiyel optik dalga kılavuzu filmlerde uygun tampon malzeme olarak
kullanılmaktadır. Ayrıca ince film aygıtların tasarımında uygun taban malzeme seçimi, filmlerin yapısal ve
morfolojik özellikleri üzerinde önemli bir etkiye sahiptir. MgO, uygun örgü parametreleri ile, bu tip uygulamalar
için de umut vadeden bir malzemedir. Bu çalışmada, teknolojik uygulamalarda kullanılabilecek MgO filmeri,
basit ve ekonomik bir teknik olan Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği ile 325±5°C taban sıcaklığında
mikroskop cam tabanlar üzerine elde edilmiştir. Üretilen filmler daha sonra 500 °C sıcaklıkta 2 saat süre ile ısıl
tavlama işlemine tabi tutulmuş ve filmlerin optik, elektrik ve yüzey özellikleri üzerine tavlama işleminin etkisi
araştırılmıştır. Tüm filmlerin geçirgenlik ve soğurma spektrumları, kırılma indisleri, optik sabitleri (n ve k) ve
kalınlık değerleri spektroskopik elipsometre ve UV spektrofotometre cihazları kullanılarak belirlenmiştir. Optik
metot kullanılarak ham filmin yasak enerji aralığı 3.64 eV ve ısıl işleme tabi tutulan filmin yasak enerji aralığı
3.63 eV olarak belirlenmiştir. Ayrıca filmlerin üç boyutta yüzey görüntülerini incelemek ve yüzey
pürüzlülüklerini belirlemek amacıyla atomik kuvvet mikroskobu (AFM) görüntüleri alınmıştır. MgO filmlerinin
özdirençleri dört uç tekniği kullanılarak belirlenmiştir.
Gd-Si-Ge-In alasiminin manyetoyapısal ve manyetokalorik özelliklerinin

incelenmesi
Semih Ener1, Seda Aksoy2, Ercüment Yüzüak3, Mehmet Acet4 ve Yalcin Elerman3
1
Physik-Department E13, Technische Universität München, D-85747, Gaching Germany
2
Sabanci Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Tuzla 34956, İstanbul
3
Ankara Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi, Fizik Mühendisligi Bölümü, Tandogan, 06100 Ankara
4
Fachbereich Physik, Experimentalphysik, Universität Duisburg-Essen, D-47048, Duisburg Germany
Gd5(Si1-xGax)4 alaşımları (GSG) oda sıcaklığı yakınlarında yapısal geçiş ve manyetik geçiş sergilemektedirler.
Bu yapısal geçişler sıcaklık değişimi ile gözlenebileceği gibi aynı zamanda uygulanabilecek dış manyetik alan
ile de tetiklenebilmektedir. Saf GSG alaşımlarına yapılan küçük katkılamalar ile yapısal ve manyetik geçiş
sıcaklıklarının değiştirilebileceği bilinmektedir. Bu çalışmada 5-2-2 kompozisyonuna yakın GSG alaşımına
küçük miktarda In katkılanmasının (GSG-In) manyeto-yapısal geçiş ve manyeto-kalorik özellikler üzerine etkisi
incelenmiştir. GSG-In örneği uygulanan dış manyetik alana bağlı olarak yapısal geçiş sıcaklığını tesla başına 6K
değiştirebilmektedir. Bu geçiş sıcaklığında meydana gelen kayma literatürdeki Heuslar alaşımlarında
gözlemlenen “martensite arrest” benzeri bir özelliktir. Ayrıca GSG-In örneğinin manyetik özellikler detaylı
olarak incelenmiştir. Sıcaklığa bağlı mıknatıslanma ölçümlerinde yapısal geçişin manyetik düzenlinim üzerine
etkisi açık bir şekilde görülmektedir. Yapısal geçişin manyetizma ve manyetik soğutma özerine etkisinin daha iyi
anlaşılabilmesi için manyetik alana bağlı mıknatıslanma ölçümleri gerçekleştirilmiş ve bu ölçümlerden sıcaklığa
bağlı olarak malzeme içerisindeki manyetik entropi değişimi değerleri hesaplanmıştır. Hem artan hem de azalan
manyetik alan ölçümleri sonucunda entropi değişiminde histerisis gözlemlenmiştir. İki Tesla’ya kadar uygulanan
manyetik alan değişimlerinde, manyetik entropi değişiminde tek pik gözlemlenmekte iken ,yapısal geçişteki
kaymaya bağlı olarak üç ve daha büyük manyetik alan değişimlerinde manyetik entropi değişimi
hesaplamalarında ikinci pikler gözlemlenmiştir. Manyeto-yapısal geçişinde etkisi ile gözlemlenen en yüksek
manyetik entropi değişimi değeri GSG-In örneği için -17.3 J kg-1K-1 dir. Bu çalışma sonucunda küçük
katkılamalar ile manyetokalorik özelliklerin etkili bir şekilde değiştirilebileceği görülmüş ve yapısal geçişin
manyetik soğutma üzerindeki etkisi incelenmiştir.
Üretim Tekniği ve Be Miktarının Cu-12Al-XBe (X:0.4,0.5) Alaşımlarında

Şekil Hatırlama Özellikleri Üzerine Etkisi
O. UZUN1, S.ERGEN*1, F.YILMAZ1, N. BAŞMAN1 ve U. KÖLEMEN
1
Fizik Bölümü, Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen-Edebiyat Fakültesi,60240,Tokat
Şekil bellekli alaşımlar (ŞBA), uygun ısıl ve mekanik işleme maruz kaldığında, önceki şekil veya boyutuna geri
dönebilme yeteneğine sahip metalik malzemelerdir. Düşük maliyetleri, kolay üretilebilirlikleri ve daha geniş
potansiyel dönüşüm sıcaklıkları dolayısıyla Cu-temelli şekil hafızalı alaşımlar, Ni-Ti alaşımları ile birlikte halen
endüstride en çok kullanılan iki alaşım grubunu oluşturmaktadır. Ancak, kaba taneli mikroyapıları Cu-temelli
alaşımların pratikteki kullanımlarını sınırlayan faktörlerin başında gelmektedir. Yapılan çalışmalarda, tane
boyutu ve kimyasal kompozisyonun Cu temelli ŞBA’ların özelliklerini belirleyen iki temel faktör olduğu ve
özellikle kaba tane boyutunun büyük martensit boyutuna neden olarak zayıf şekil bellek kapasitesine yol açtığı
bildirilmiştir [1]. Sunulan bu çalışmada, iki farklı oranda seçilen (Cu-ağ%12Al-ağ%XBe (X: 0.4 ve 0.5)
alaşımları hem geleneksel döküm yöntemi hem de hızlı katılaştırma tekniği (eriyik eğirme; melt-spining) ile
üretilerek soğuma hızı ve alaşımlardaki Be miktarının şekil bellek özelliği üzerine etkisi araştırıldı.
Alaşımların optik mikroskop (OM) ve taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile yapılan mikroyapı analizlerinde,
geleneksel yöntemle üretilmiş ingot karşıtlarına kıyasla şerit formundaki hızlı katılaştırılmış alaşımların daha
homojen bir mikroyapıya sahip olduğu gözlendi. Numunelerin X-Işını kırınımı analizlerinde, hızlı katılaştırılmış
şeritlerin aksine ingot alaşımların şekil bellek etkisini azaltan çökelme fazlarına sahip olduğu görüldü.
Alaşımların diferansiyel termal kalorimetre (DSC) ile yapılan ısıl analizlerinde, sadece şerit formundaki
numunelerde ostenit dönüşüm pikleri gözlendi. Böylelikle, hızlı katılaştırılmış alaşımların belirgin bir şekil
hatırlama özelliğine sahip olduğu tespit edildi. Sonuç olarak, hızlı katılaştırma tekniğinin alaşımın şekil
hatırlama özelliğini iyileştirdiği, artan Be miktarının ise alaşımın dönüşüm sıcaklığını azalttığı kanaatine varıldı.
Kaynaklar
1. Sure G. N., Brown L. C., 1984. Metall. Trans A, 15, 1613.
Bu çalışma, Gaziosmanpaşa Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Birimince (Proje No: 2009/54)
desteklenmiştir.
Kobalt Katkılı ZnO Bileşiğinin Yapısal ve Optik Özelliklerine Taban

Sıcaklığının Etkisi
Senem Aydoğu1, M. Burak Çoban1, Gökhan Çabuk1
1
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya
Co (kobalt) katkılı ZnO ince filmleri cam tabanlar üzerine kimyasal püskürtme (spray pyrolysis) yöntemi ile
üretilmiştir. Zn(1-x)CoxO katkılama oranı x = 0.05 de sabit tutularak, taban sıcaklığı 400o C ile 450 oC
sıcaklıklarına değiştirilmiştir. Elde edilen ince filmler x – ışınına maruz tutularak yapısal ve UV spektrometresi
ile optik özellikleri incelenmiştir. Böylece, taban sıcaklığının değişiminin Zn1-xCoxO (x = 0.05) bileşiğinin
yapısal ve optik özelliklerine etkisi incelenmiştir.
InAs: İteratif Metod ile Hall Mobilitesi Üzerine Dislokasyon Saçılmasının

Etkisi
S. Aydoğu1, M. Akarsu2, Ömer Özbaş2
1
Fizik Bölümü, Dumlupınar Üniversitesi, Merkez Kampüs, Kütahya
2
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Meşelik Kampüsü,Eskişehir
InAs yarıiletken bileşiğinin Hall mobilitesi iterative metod kullanılarak Boltzmann Taşınım denkleminin
çözülmesi ile hesaplanmıştır. InAs bileşiğinin mobilitesinin 30 – 600 K sıcaklık aralığında değişimi
incelenmiştir. Mobilite hesaplarında akustik deformasyon potansiyel saçılması, akustik piezoelektrik saçılması,
iyonize safsızlık saçılması, polar optik fonon saçılması ve dislokasyon saçılması göz önüne alınmıştır. InAs
bileşiği mobilite üzerine dislokasyon yoğunluğunun etkili olduğu yoğunluk aralığı belirledi. Böylece dislokasyon
yoğunluğu 108 – 2x1010 cm–2 aralığında alınarak, InAs bileşiğin mobilitesine etkisi incelenmiştir.
Magnetic Field Angle Dependence of Resistance and Activation

Energy in DC Sputtered Bi–2223 Thin Film
S. Bal3, G. Yildirim1, Y. Zalaoglu2, M. Akdogan1, C. Terzioglu1 and A.Varilci1
1
2
We analyzed not only the influences of the dc magnetic field and the angle () on critical temperature (Tc) and
activation energies but the quality of the Bi(Pb)SrCaCuO (Bi–2223) thin film fabricated on magnesium oxide
(MgO) single crystal substrate by standard radio frequency (r.f.) magnetron reactive sputtering method at 100
watt by means of He gas contact crycooler and superconducting coil magnet. The resistance measurements were
carried out with regard to the change of magnetic field (up to 3 Tesla) and the change of the angle (from 0 to 90°
with 15° steps). Tc was found to decrease with increasing both field and angle with respect to the film direction.
In addition the activation energies were calculated from the resistivity curves obtained at seven different fields
up to 3 T in the range of temperature from 50 to 120 °C. Moreover, microstructural properties of the produced
film were determined to be 900 nm in thickness, 897 nm in average roughness and 963 nm in rms roughness by
using atomic force microscopy (AFM). The height asymmetry was also pointed out by quantitative surface
roughness parameters such as surface skewness (1.635) and kurtosis (3.107) roughness.

3
E-mail address: svg_bal@mynet.com.tr (S. Bal)
ScS ve ScSe Bileşiklerinin Yapısal ve Elektronik Özelliklerinin Yoğunluk

Fonksiyonu Teorisi ile İncelenmesi
Sezgin Baş1 ve Fethi Soyalp1
1
Fizik Bölümü, Yüzüncü Yıl Üniversitesi, Eğitim Fakültesi 65080, Van
ScSe ve ScTe bileşiklerinin yapısal ve elektronik özellikleri Yoğunluk Fonksiyonu Teorisi (YFT) altında
Genelleştirilmiş Eğim Yaklaşımı(GEY) Pseudo-potansiyel yaklaşımı kullanılarak araştırıldı. 40 Ryd’lik kesme
enerjisinde örgü sabitleri, hacim modülleri ve hacim modüllerinin basınca göre birinci türevleri hesaplandı.
Teorik olarak hesaplanan örgü sabiti kullanılarak bu malzemelerin yüksek simetri yönleri boyunca elektronik
bant yapıları ve durum yoğunluklarının eğrileri çizildi.
4-Benzoyil-5-fenil-1-p-methoksifenil-1H-pyrazol-3-karboksilik asit metanol

çözücülü Moleküler Yapı İçin Teorik ve Deneysel Yaklaşım
Sibel Demira, Muharrem Dinçer a, Elif Korkusuzb ve İsmail Yıldırımb
a
Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, 55139 Samsun
b
Kimya Bölümü, Erciyes Üniversitesi, 38039 Kayseri
4-benzoyil-5-fenil-1-p-metoksifenil-1H-pyrazole-3-karboksilik asit (C24H18N2O4), başlıklı bileşik, 4-

methoksifenilhidrazin ile birlikte 4-benzoyil-5-fenil-2,3-dihidro-2,3-furandion reaksiyonundan hazırlanmış ve
IR, 1H-NMR, 13C-NMR, X-ışını kırınımı (XRD) ve elemental analizi karakterize edilmiştir. Bu bileşik a=
10.9369 Å, b= 8.6306 Å, c= 23.7823 Å ve β= 102.461o ile P 21\c monoklinik uzay grubunda kristallenmiştir.
Ayrıca X-ışını kırınımından elde edilen geometrik yapı, taban durumundaki moleküler yapının, titreşim
frekansları ve 1H ve 13C kimyasal kayma değerleri 6-31G(d) baz seti kullanılarak Hartree-Fock (HF) ve
yoğunluk fonksiyonel (B3LYP) metodları kullanılarak hesaplatılmıştır. Optimize edilmiş moleküler yapının
sonuçları deneysel sonuçlarla karşılaştırılmıştır. Ek olarak, bileşiğin moleküler elektrostatik potansiyeli (MEP)
ve sınır moleküler orbitaleri de (FMO) B3LYP/ 6-31G(d) ve PBEPBE/ 6-31G(d) metodu ile sırasıyla
hesaplatılmıştır.
Trans-bis(acesülfamato-N)tetraakuakadmiyum(II)
Zarife Sibel Şahin1, Hasan İçbudak2 ve Şamil Işık1
1
Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Kurupelit, 55139, Samsun
2
Kimya Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi Kurupelit,, 55139,Samsun
Bu çalışmada; trans-bis(acesülfamato-N)tetraakuakadmiyum(II), [Cd(C4H4NO4S)2(H2O)4], (I), bileşiğine ait

yapısal özellikler incelenmiştir. Yapıda, simetri merkezine yerleşmiş olan CdII iyonu, acesulfamato ligantlarına
ait iki O atomu ve akua ligantlarına ait dört O atomunun oluşturduğu çevreyle bozulmuş oktahedral
koordinasyon sergilemektedir. Yapıda bir tane O-H···N molekül içi hidrojen bağı, dört tane O-H···O ve bir tane
C-H···O moleküller arası hidrojen bağları mevcuttur. Moleküller arası O-H···O hidrojen bağları ve [001]
doğrultuları boyunca C(6) zincirleri oluşturmaktadır. Bu zincirlerin üç boyutta tekrarlanmasıyla (6), (12) ve
(16) halkaları meydana gelmektedir.

Lazer Biriktirme (PLD) ile üretilen ZnO İnce Filmlerin X-ışınları ile
Yapısal ve UV ile
Optik Parametrelerinin İncelenmesi
Songül FiAT1, Derya BAHAR1, Naya KORALLİ2,
Güven ÇANKAYA1 ve Michael KOMPİTSAS3
1
Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240 Tokat, TÜRKİYE
2
School of Mechanical Engineering, National Technical University of Athens, Iroon Polytechniou 9 Zografu,
15780 Atina, YUNANİSTAN
3
National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Institute, 11635 Atina, YUNANİSTAN
Hegzagonal sıkı paket yapıdaki Çinko oksit (ZnO) yasak band aralığı yaklaşık 3.3 eV olan ve elektromanyetik
spektrumun geniş bir bölümünde yüksek geçirgenliğe sahip yarıiletken malzemedir. Çinko oksit ucuzluğu,
sağlığa zararlı olmaması ve diğer şeffaf iletken malzemelere alternatif olma potansiyelinden dolayı son yıllarda
yaygın olarak çalışılmaktadır. Bizim Lazer Biriktirme (Pulsed Laser Deposition, PLD) ile ürettiğimiz 200 nm
kalınlığındaki ZnO ince filmleri %99.9 saflıktaki Zn hedef kullanılarak ve 248 nm excimer lazer ışığı
düşürülerek 300◦C sıcaklığındaki alttaş soda cam üzerine depozit edilmiştir. Ürettiğimiz ince filmler 10 ve 15 Pa
olarak iki farklı oksijen basıncı altında üretilmiştir. Daha sonar filmlerin X-ray ve UV ölçümleri incelenmiştir.
Her iki basınç değerinde de yasak enerji aralığı, optik geçirgenlik, yansıma indisleri, film kalınlıkları ve yapısal
olarak X-ray desenlerine bakılmış olup grafiklerinden FWHM ile tane boyutları incelenmiştir.
CuIn(1-x)Gax(SeyTe(1-y))2 Beşli Kalkoprit Yapının Birleşme Oranlarının

Değişimine Göre Yasak Band aralığı Derinlik Profilinin Belirlenmesi
Songül FiAT1, Ioanna FASAKİ2 , Emin BACAKSIZ3, George MOUSDIS4
Güven ÇANKAYA1 ve Michael KOMPİTSAS4
1
Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240 Tokat, TÜRKİYE
2
School of Chemical Engineering, National Technical University of Athens, Iroon Polytechniou 9 Zografu, 15780
Atina, YUNANİSTAN
3
Karadeniz Teknik Üniveristesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080 Trabzon, TÜRKİYE
4
National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical Chemistry Institute, 11635 Atina, YUNANİSTAN
Bu çalışmada beşli kalkoprit CuIn(1-x)Gax(SeyTe(1-y))2 (CIGSeTe) yapılar için Ga/(Ga+In) ve Se/(Se+Te)

oranlarına göre yasak band aralığı (Eg) tayininde kullanılan basit bir model tanıtıldı. Bu da CIGSeTe bileşiğinin
değişim oranına bağlı elastik geri tepki analizi ile doğruluğu tespit edilmiştir. Materyalimize uygulanarak Eg
dönüşümü yapılıp profili incelendi. Elde ettiğimiz CuInSeTe, CuInGaSe, CuGaSeTe ve CuInGaTe dörtlü
bileşiklerinin Eg değerleri, teorik değerleri ile doğrulanarak 0-1 aralığında 0.1 er adımlarla aldığımız farklı x ve y
katkı oranları ile CuIn(1-x)Gax(SeyTe(1-y))2 bileşiğimiz için optik sapma sabitlerini dikkate alarak bir Eg profili
belirlemiş olduk ve bu değişim oranlarına değişim grafiğini elde ettik.
L21 Yapıdaki Ni2FeIn Heusler Bileşiğinin Titreşim Özelliklerinin

†
Hesaplanması
Şule Uğur1, Gökay Uğur1 ve Recai Ellialtıoğlu2
1
2
Bu çalışmada, kübik L21 yapıdaki Ni2FeIn Heusler bileşiğinin fonon dağılım eğrileri yoğunluk fonksiyonel
teorisi kullanılarak hesaplandı. Yedi farklı yüksek simetri bölgesinde hesaplanan fonon frekanslarından, akustik
fonon frekanslarının hemen hemen çoğu bölgede negatif olduğu gözlendi ve sıfır sıcaklıkta ve L21 yapıda bu
bileşiğin kararsız olduğu sonucuna varıldı. Ayrıca fonon frekanslarının toplam ve kısmi durum yoğunluğu
eğrileri çizdirildi. 3.6 THz civarındaki optik fonon frekanslarının daha çok In atomlarının titreşiminden
kaynaklandığı görüldü.
1,2,4,5-Benzentetrakarboksilik Asit, Nikotinamit ve Bakır(II) İçeren Bir

Boyutlu Koordinasyon Polimerinin Sentezi, Yapısal, Spektroskopik ve
Kuramsal Yöntemlerle İncelenmesi
Tuğba AK1 ve Hümeyra PAŞAOĞLU1
1
Fizik Bölümü, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Kurupelit, 55139, Samsun
[Cu(H2O)2(H2btec)2(nda)2]n.2nH2O (H4btec=1,2,4,5-benzentetrakarboksilik asit, nda=nikotinamit) bir boyutlu

polimer sentezlendi ve yapısı X-ışını kırınımıyla belirlenmiştir. Bileşik, triklinik uzay grubunda
kristallenmektedir. Birim hücre parametreleri a=8.1271(4), b=8.6700(4), c=11.0273(5) Å, α= 70.478(4)˚,
β=79.790(5)˚, γ=77.737(4)˚ V=710.85(6) Å3 ve Z=1 şeklindedir. Kristal yapıda bakır(II) iyonu tek-dişli iki
1,2,4,5-benzentetrakaboksilik asit ligantı, iki nikotinamit ligantı ve iki su molekülü ile bağlanarak oktahedral bir
koordinasyon geometrisi oluşturmaktadır. Oktahedral yapının taban düzlemini 1,2,4,5-benzentetrakarboksilik
asitin oksijen atomları ile su molekülünün oksijen atomları, eksensel konumlarını ise nikotinamitin azot atomları
oluşturmaktadır. Kristal paketlenme N−H···O tipi hidrojen bağları ile sağlanmaktadır.
[Cu(H2O)2(H2btec)2(nda)2]n. 2nH2O kompleksinin yapısı ayrıca IR spektroskopisi ve kuramsal yöntemlerle de
incelenmiştir. Sonuçlar karşılaştırmalı olarak verilmektedir.
Liquid Properties of CuPt3 Alloy

Ü. Bayhan1, S. Özdemir Kart2
1
Fizik Bölümü, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi Örtülü Yerleşkesi, 15100, Burdur
2
Fizik Bölümü, Pamukkale Üniversitesi Kötekli Yerleşkesi, 20100, Ankara
The rapid solidification of Cu-Pt alloys is studied with the constant-pressure and constant-temperature (NPT)
Molecular Dynamics tecnique to obtain an atomic description of glassy metal form in the alloy Quantum Sutton-
Chen (Q-SC) potential for Cu, Pt and CuPt3 binary alloy system is applied in the simulation. We present some
thermodynamic and structural results from simulation of such glasses of CuPt3 composition. The structural
properties analysed by means of pair distribution function and volume as a function of temperature and
concentration at various rates to see whether the CuPt3 alloy goes into glass formation or it crystallzes.
Keywords: Molecular Dynamics, metallic glassy alloy.

Nanoyapılı n-ZnO/p-Si Heteroeklem Diyotunun Fabrikasyonu:

I-V ve C-V Karakteristiklerinin Sıcaklığa Bağlılığı
Seval AKSOY, Yasemin ÇAĞLAR, Saliha ILICAN, Müjdat ÇAĞLAR
Fizik Bölümü, Fen Fakültesi, Anadolu Üniversitesi,26470 Eskişehir
Bileşik yarıiletkenlerden üretilen metal–yarıiletken yapılar birçok araştırma grubu tarafından çalışılmaktadır.
Araştırmaların bir bölümü yeni yarıiletken malzemelerin hazırlanması yönünde gelişirken, bir bölümü de bu
yarıiletkenlerin elektronik ve optik özelliklerinin belirlenmesi ve bu özelliklerden faydalanılarak yeni metal–
yarıiletken devre elamanları geliştirmeyi amaçlar. Bu çalışmada, n-ZnO/p-Si diyotunun elektriksel özellikleri
akım–voltaj (I–V) ve kapasitans–voltaj (C–V) karakteristikleri kullanılarak araştırıldı. 0.5 M çinko asetat dihidrat
(Zn(CH3COO)2.2H2O) çözeltisi kullanılarak sol–jel spin kaplama yöntemiyle ZnO filmi p-Si alttaş üzerine elde
edildi. Elde edilen ZnO filminin yapısal ve morfolojik karakterizasyonu X-ışını difraksiyonu (XRD) ve taramalı
elektron mikroskobu (FESEM) ile araştırıldı. XRD ölçümlerinden ZnO filminin polikristal olduğu ve (0 0 2)
yönelimine sahip olduğu belirlendi ve ortalama kristal boyutu 30 nm olarak bulundu. FESEM fotoğraflarından
da nanoyapılı taneciklerin yüzeye homojen olarak dağıldığı görüldü. n-ZnO/p-Si heteroeklem diyotunun akım-
voltaj (I–V) ölçümlerinden yararlanarak 296K–453K sıcaklık aralığında, idealite faktörü (n), potansiyel engel
yüksekliği (Φb) ve seri direnç (Rs) gibi temel elektriksel parametreleri hesaplandı. Sıcaklığın artmasıyla idealite
faktörünün düştüğü, potansiyel engel yüksekliğinin ise arttığı gözlendi. Oluşturulan diyotun ışığa duyarlılığını
incelemek için farklı aydınlatma şiddetlerinde I–V karakteristikleri de incelendi. Ayrıca oda sıcaklığında alınan
C–V ölçümlerinden de potansiyel engel yüksekliği ve Vbi (kesme gerilimi) değerleri de hesaplanarak I–V
ölçümleri ile kıyaslandı.
Teşekkür
Bu çalışma, Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu tarafından 061039, 081029. ve
1001F05 nolu projeleri ile desteklenmiştir.
(E)-2-((2-(Hidroksimetil)fenilimino)metil)benzen-1,4-diol, Molekülünün
Deneysel ve Kuramsal Analiz Çalışması
Yelda BİNGÖL ALPASLAN1, Ayşen ALAMAN AĞAR2, Nazan OCAK İSKELELİ3
Emin ÖZTEKİN1
1
19 Mayis Üniversitesi, Fizik Bölümü, Samsun
2
19 Mayis Üniversitesi, Kimya Bölümü, Samsun,
3
19 Mayis Üniversitesi, Fen Bilgisi Eğitimi, Samsun
 ybingol@omu.edu.tr
Başlıktaki molekülün (C14H13NO3), kristal yapısı X-ışınları analizi yöntemiyle belirlenmiştir (Şekil 1). Kristal, 'P
21 21 21' uzay grubunda ortorombik yapıda olup; a=4.6356 (17) Å, b=13.9188 (7) Å, c=18.7000 (7) Å, Z = 4
özelliklerine sahiptir. Bileşiğin moleküler enerjisini minimum yapan optimize geometriler; Gaussian 03 paket
programı (Frisch et al.,1998) ile AM1, PM3 yarı deneysel ve YFK/B3LYP/6-31G(d) hesaplamaları ile ve Mopac
2007 programı (Mopac, 2007) ile PM6 yarı deneysel hesaplamaları ile elde edilmiştir. Bu hesaplamalar sonucun
da YFK/B3LYP ve yarı deneysel yöntemleriyle elde edilen sonuçların molekülümüzle uyum içinde olduğu
görülmüştür. Bileşiğin optimize geometrileri ile X-ışını kırınımı yöntemi ile elde edilmiş olan geometrileri,
Hyperchem 8.0 (Hypercube, 2007) programı ile çakıştırılarak optimize geometriler ile deneysel geometri
uyuşumuna bakılmıştır. Bileşiğin en kararlı konformasyonda sahip olduğu elektriksel özellikleri belirleyebilmek
için her bir atom üzerindeki Mulliken yük dağılımları hesaplanmış ve moleküler enerji potansiyel haritası
çizilmiştir. C14H13NO3 bileşiğinin enerji değerleri ve dipol moment değeri verilmiştir. HOMO ve LUMO
enerjileri ve kimyasal sertlik gibi bazı fiziksel özellikleri YFK/B3LYP/6-31G(d) yöntemi ile hesaplanmıştır.
1. Frisch, M. J., et al. (2004). GAUSSIAN03 Revision E.01. Gaussian, Inc., Wallingford CT 06492, USA
2.Mopac, 2007. www.openmopac.net.
3. Hypercube, I., 2007. Hyperchem Release 8.0.4 for Windows Molecular Modelling. Hypercube
Educational Publications, USA, 222-300.
AgGa(Se2-xSx) İnce Filmlerin Yapısal, elektriksel ve Optiksel özellikleri

Hakan Karaağaç1, Mehmet Parlak1
1
Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi , 06531, Ankara
Bu çalışmada AgGa(Se2-xSx) ince filmleri 0≤x≤2 aralığında oluşturulup yapısal, elektriksel ve optiksel
özellikleri incelenmiştir.
AgGa(Se0.5S0.5)2 ince filmler ısısal buharlaştırma yöntemi kullanılarak hazırlandı. Yapı analizi sonucunda
ısıtılmamış örneklerin amorf yapıda olduğu ve 450 oC’deki tavlama sıcaklığında çoklu-kristal yapısına geçtiği
saptandı. Enerji dağılımlı X-ışını analizi (EDXA) ve X-ışını fotoelektron spektroskopisi (XPS) ölçümleri
gerçekleştirilerek içerik elementlerin stokometrisi ve segregasyon mekanizmaları hakkındaki detaylı bilgi elde
edildi.
AgGaSe2 ince filmleri saçtırmalı kaplama yöntemleri kullanılarak üretildi. Tavlanmanın kaplanan filmlerin
yapısal ve morfolojik, elktriksel ve optiksel özellikleri üzerine etkisini belirlemek adına sırasıyla XRD, taramalı
electron mikroskobu (SEM), iletkenlik, Hall, geçirgenlik ve yansıma ölçümleri gerçekleştirildi. XRD ölçümleri
tek-fazlı AgGaSe2 yapısının 600 oC’deki tavlama sıcaklığında oluştuğunu gösterdi. Geçirgenlik ve foto-iletkenlik
ölçümlerin ikisinden de kristal-alan ve spin-yörünge bölünme seviyeleri saptandı.
AgGaS2 ince filmleri AgGaS2 tek kristal toz ve ekstra ara gümüş (Ag) katmanların iki kaynaklı ısısal
buharlaştırma yöntemi ile kaplanmasıyla hazırlandı. Ag katmanının kalınlığını sistematik optimizasyonu sonucu
AgGaS2 istenilen stokoyometriye yakın bir oranda elde edildi. Yapısal, elektriksel ve optik özelliklerin ortaya
çıkartılması için sistematik bir çalışma gerçekleştirildi. XRD sonucları yapıda tek-faz AgGaS2 nin 700 oC’deki
tavlama sıcaklığında geliştiğini ortaya koydu.
TEK DUVARLI CADMİYUM OKSİT NANOTÜPLERİN ELEKTRONİK

VE OPTİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ
Simge YILMAZ1, Kemal ÇOLAKOĞLU1
1
Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, 06500 Ankara
simgeyilmaz@gazi.edu.tr
Koltuk (n,n; n=3-9) ve zikzak (n,0; n=3-12) tek duvarlı CdO nanotüplerin elektronik ve optik özellikleri ab-inito
yöntemlerle VASP paket programı kullanılarak hesaplandı. Yapısal optimizasyon sürecinden sonra, zikzak ve
koltuk tipi TDCdO nanotüplerde atomlar arası bağ uzunluğu, bağ açısının tüp yarıçapına göre değişimleri
incelendi. Zikzak ve koltuk TDCdO nanotüplerin band yapıları ve durum yoğunlukları çizildi. Optik
özelliklerinden dielektrik fonksiyonları; tüp eksenine paralel (E//z) ve dik (E  z) elektrik alan polarizasyonları
hesaplandı. Statik dielektrik sabitinin  (o) ’ın ve kayıp enerji fonksiyonunun (E//z) ve (E  z) her iki
durumunun da tüp yarıçapına göre değişimi incelendi. Bu hesaplanan özelliklerin tüp kiralitesinden ve
yarıçapından bağımsız olduğu görüldü. Bu sonuçlar mevcut teorik çalışmalarla karşılaştırıldı.
Güneş Pili Yapılarında Soğurucu Katman Olarak Kullanılan CIGS

Filmlerin Saçtırmalı Kaplama Yöntemiyle Üç Aşamada Üretilmesi ve
Karakterizasyonu
İdris CANDAN, Mehmet PARLAK ve Çiğdem ERÇELEBİ
Fizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06531, Ankara
Güneş pili yapılarında yaygın bir şekilde soğurucu katman olarak kullanılan CIGS yarıiletken ince filmler
saçtırmalı kaplama (sputtering) yöntemiyle üç aşamada üretildi. Birinci aşamada cam alttaş üzerine belli bir
kalınlıkta GaSe hedeften RF sputtering yöntemiyle kaplandı. İkinci aşamada Bakır (Cu) hedeften ara katman
olarak DC sputtering yöntemiyle kaplandı. Son aşamada ise RF sputtering yöntemi kullanılarak InSe hedeften
kaplandı. Üretilen yarıiletken ince filmlerin yapısal özellikleri önce üretim sıcaklığında daha sonra farklı
sıcaklıklarda ve sürelerde ısısal işlem uygulanarak X-ışını Kırınımı (XRD) ve Enerji Dağılımlı X-ışını Analizi
(EDXA) yöntemleri kullanılarak incelendi. Filmlerin optik özellikleri 325-900 nm aralığında geçirgenlik
ölçümleri ve ışıksal tepki (photoresponse) yöntemleri kullanılarak oda sıcaklığında incelendi. Elde edilen veriler
incelenerek optik yasak enerji aralıkları hesaplandı. Üretilen filmlerin elektriksel özellikleri, 100-400 K
aralığında sıcaklık bağımlı iletkenlik, Hall etkisi ve fotoiletkenlik ölçümleri yapılarak karakterize edildi.
Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky Diyotlarda Akım-Gerilim

Karakteristiklerinin Düşük Sıcaklıklarda İncelenmesi
S. Bengi, M. M. Bülbül
Au/PVA/n-Si (MIS) Schottky diyotların akım-gerilim (I-V) karakteristikleri 80- 300K düşük sıcaklık aralığında
incelendi. Bu ölçümler kullanılarak termiyonik emisyon teorisine (TE) göre; idealite faktörü (n), sıfır beslem
engel yüksekliği ( ), seri direnç (Rs) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) gibi temel elektriksel parametreler
hesaplandı. Nss ve Cheung fonksiyonları kullanılarak elde edilen Rs değerleri sıcaklığa önemli ölçüde bağlı olup,
artan sıcaklıkla azalmaktadır. Artan sıcaklıkla Rs değerlerinin azalması yüksek sıcaklıklarda serbest taşıyıcı
yoğunluğunun artmasından kaynaklanmaktadır. Arayüzey durum yoğunluğunun deneysel değerleri sırasıyla 80K
de 7.81 1012 eV-1 cm-2, 300K de ise 4.64 1012 eV-1cm-2 olarak bulundu. Sıcaklık etkisiyle arayüzey durumlarında
meydana gelen bu değişim yarıiletken-metal arayüzeyindeki moleküllerin termal olarak yeniden yapılanıp
düzenlenmesine atfedildi. Ara yüzey durumlarının yoğunluğu yasak enerji aralığının ortasından valans bandının
üstüne doğru üstel olarak artmaktadır.
Eşik Dalgaboyu Yönteminin CdS Filmlerin Optik Bant Aralığı

Hesaplamalarına Uygulanması
Ebru Güngör1 ve Tayyar Güngör1
1
Fizik Bölümü, Fen-Edebiyat Fakültesi, Mehmet Akif Ersoy Üniversitesi, Örtülü Yerleşkesi 15100, Burdur
CdS, yarıiletken teknolojisi için üzerinde oldukça yoğun çalışılan önemli bir malzemedir. Üstelik son yıllarda
farklı hazırlama tekniklerine ve gereksinime bağlı olarak ortaya çıkan nanoyapılarıyla da dikkat çekmektedir. Bu
çalışmada kullanılan CdS filmler kimyasal püskürtme tekniği (ultrasonic spray pyrolysis) ile, CdCl2 ve thiourea
kaynak malzemeleri kullanılarak hazırlanan başlangıç çözeltisinin 250-400 C arasında değişen farklı alttaş
sıcaklıklarındaki cam alttaşlar üzerine püskürtülmesi ile elde edilmiştir. CdS filmlerin optiksel karakterizasyonu
için 190-800 nm dalgaboyu aralığında UV-VIS bölgesindeki optik geçirgenlik spektrumları incelenmiştir.
Klasik biçimde, malzemenin optik band aralık değerleri, optik soğurma spektrumu ve/veya optik geçirgenlik
spektrumlarının kullanıldığı karmaşık yöntemlerle (Swanepoel, PUMA vb.) hesaplanabilmektedir. Bu yöntem;
optik soğurma katsayısının (α), foton enerjisi (hv) ile değişiminin belirlenmesi temelinde CdS gibi direkt band
aralığına sahip yarıiletkenlerin (n=1/2), Tauc ifadesi ( α=A(hv-Eg)n/hv) üzerinden değerlendirilir. Bu çalışmada
kullanılan CdS filmlerin optik band aralıkları ise, farklı ve daha hızlı bir yöntemle hesaplanmıştır. Bu kapsamda,
eşik dalgaboyu (inflection wavelength) yöntemi ile optik band aralığının; optik geçirgenlik spektrumunun
dalgaboyuna göre ikinci türevinin işaret değiştirdiği dalgaboyu (inf) değeri yardımı ile doğrudan
hesaplanabildiği gösterilmiştir. Sonuç olarak, her iki yöntem ile elde edilen optik band aralığı değerlerinin (2,43-
2,46 eV) birbiri ile uyumlu olduğu gözlenmiştir.
Deneysel ve Kuantum Kimyasal Hesaplamalar ile N-[4-(3-Metil-3-fenil-

siklobutil)-tiyazol-2-yl]-N’-(1H-pirol-2-ylmethilen)-hidrazin Bileşiğinin
Moleküler ve Kristal Yapısı, Spektroskopik Özellikleri
Çiğdem Yüksektepe 1 *, Hanife Saraçoğlu 2, Nezihe Çalışkan 1, Ibrahim Yilmaz 3, Alaaddin
Cukurovali 4
1
Fizik Bölümü, Çankırı Karatekin Üniversitesi, Ballıca, 18100, Çankırı
2
Fizik Eğitimi, Ondokuz Mayıs Üniversitesi, Kurupelit, 55139, Samsun
3
Kimya Bölümü, Karamanoğlu Mehmetbey Üniversitesi, 70100, Karaman
4
Kimya Bölümü, Fırat Üniversitesi, 23119, Elazığ
Kapalı formülü (C19H20N4S) olan bileşik, 1H NMR, 13C NMR, IR ve UV-vis spektroskopi, elemental analiz ve
tek kristal X-ışını kırınımı yöntemleri kullanılarak sentezlenmiş ve karakterize edilmiştir. Bileşik triklinik P-1
uzay grubunda kristalize olmuştur. Kristal yapı moleküller arası N–H...N hidrojen bağı ile dengelenmiştir.
Optimize moleküler geometri, titreşim frekansları, atomik yük dağılımı ve taban durumda bileşiğin toplam
enerjisi ab initio metodu kullanılarak hesaplatılmıştır. Hesaplamalarda, Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi (B3LYP)
ve 6-311G(d, p) ve 6-31G(d, p) baz setleri seçilmiştir. Hesaplatılan frekanslar ve geometrik parametreler,
karşılık gelen deneysel datayla oldukça uyumludur. Bu hesaplamaların yanı sıra bileşiğin moleküler elektrostatik
potansiyeli ve termodinamik parametreleri de teorik metotlarla hesaplatılmıştır.
Role of Gd Addition on Magnetic and Structural Properties of

Bi1.8Pb0.35Sr1.9Ca2.1Cu3GdxOy Superconductors
Y. Zalaoglu4, G. Yildirim2, S. Bal2, M. Akdogan2, C. Terzioglu2 and A.Varilci2
1
2
The role of Gd addition on magnetic and structural properties in Bi1.8Pb0.35Sr1.9Ca2.1Cu3GdxOy bulk

superconductors with x = 0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5 was investigated by means of home made ac susceptibility
system (for various ac fields ranging from 270 to 1352 A/m applied to the samples with 1000 Hz in the
frequency) and scanning electron microscopy (for surface morphologies and microstructures). Critical onset and
peak temperatures were qualitatively estimated from the ac susceptibility curves. The intergrain critical current
densities were theoretically calculated from the ac susceptibility versus temperature plots by Bean model. The
results show that translation temperatures and critical current densities were found to decrease with increasing
field and Gd addition. Moreover, characteristic lengths associated with pinning force and the sizes of pinning
center were noted to coincide with each other. For the structural properties, surface morphology and grain
connectivity of the samples were obtained to degrade from SEM investigations.

4
E-mail address: yzalaoglu@osmaniye.edu.tr (Y. Zalaoglu)

Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniğiyle Elde Edilen In Katkılı CdS

Filmlerinin Bazı Elektriksel, Optiksel ve Yüzeysel Özelliklerinin
İncelenmesi
Gülşah GÜRBÜZ1, Meryem POLAT1 ve Salih KÖSE1
1
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Eskişehir
gulsahulas@hotmail.com,merpolat@ogu.edu.tr,skose@ogu.edu.tr
Ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği(UKPT) ile In katkılanan CdS filmleri’nin bazı fiziksel ve yüzeysel
özellikleri incelenmiştir. Elde edilen filmlerin özdirenç değerleri dört uç tekniği kullanılarak (3,42-16,8) x104
Ω.cm optik metod ile yasak enerji aralıkları 2,42-2,56 eV olarak hesaplanmıştır. AFM ile filmlerin pürüzlülük
değerleri belirlenmiştir.Sıcak uç tekniği ile filmlerin elektriksel iletkenliklerinin n-tipi olduğu ve spektroskopik
elipsometre ile de filmlerin kalınlığı,kırılma indisi(n) ve sönüm katsayısı( k) değerleri belirlenmiştir.
Cu / CuS / n-Si /Au-Sb Sandviç Yapısının Elektriksel Karakteristiklerinin

Tavlama Sıcaklığına Bağlılığı
B. GÜZELDİR1, M. SAĞLAM1 ve A. ATEŞ1
1
Fizik Bölümü, Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, 25240, Erzurum
Bu çalışmada, 400µm kalınlıklı, 1-10 Ω-cm özdirençli n-Si yarıiletkeni kullanıldı. Gerekli kimyasal temizleme
0
işlemleri yapıldıktan sonra n-Si vakum ortamına alınarak mat yüzeyine Au-Sb alaşımı buharlaştırılıp 420 C’de
3 dakika tavlanarak omik kontak elde edildi. n-Si’un parlak yüzeyi üzerine Successive Ionic Layer Adsorption
and Reaction (SILAR) metodu yardımıyla CuS ince filmi büyütüldü. Elde edilen ince filmlerin üzerinde kontak
alanını belirlemek için 1 milimetre çaplı maskeler kullanılarak Cu metali buharlaştırıldı ve böylece Cu / CuS / n-
Si /Au-Sb yapısı elde edildi. Daha sonra oda sıcaklığında akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri
alındı. Termal tavlamanın etkisini araştırmak için, bu yapı sırasıyla 500C’den başlanarak 4000 C ‘ye kadar 3
dakika süreyle termal tavlama işlemine maruz bırakıldı. Her bir termal tavlama sıcaklığından sonra alınan I-V ve
C-V ölçümlerinden yararlanarak yapının bazı karakteristik parametreleri hesaplandı. Artan tavlama sıcaklığına
bağlı olarak bu karakteristik parametrelerde önemli ölçüde değişim olmadığı tespit edildi.
Teşekkür:
Bu çalışma, TÜBİTAK tarafından TBAG-108T500 numaralı proje ile desteklenmektedir. Verdiği destekten
dolayı TÜBİTAK’a teşekkür ederiz.
CuxZn1-xS İnce Filmlerinin Yapısal, Optik ve Elektriksel Özelliklerinin

İncelenmesi
M. Ali Yıldırıma, Yunus Akaltunb, Aytunç Ateşc, Recep POLATa
a
Erzincan Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzincan
b
Erzincan Üniversitesi, Meslek Yüksek Okulu, Erzincan
c
Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum,
Bu çalışmada CuxZs1-xS ince filmleri, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği
kullanılarak oda sıcaklığında cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü. CuxZs1-xS ince filmleri için 0.1M CuCl2,
0.1M ZnCl2 ve 0.05M Na2S çözeltileri kullanıldı. XRD ve SEM ölçümleri yardımıyla filmlerin polikristal yapıda
olduğu ve katkı oranının artması ile taban malzeme yüzeyinde homojenliğin arttığı gözlendi. Oda sıcaklığında
optik soğurma ölçümleri alınarak tavlama sıcaklığının ve katkı oranının (x) filmlerin optik özellikleri üzerinde
etkisi incelendi. CuxZn1-xS filmlerinin yasak enerji aralığının tavlama sıcaklığı ve katkı oranının artması ile
azaldığı belirlendi. İki nokta prop metodu yardımıyla ışık şiddetinin ve katkı oranının filmlerin elektriksel
özellikleri üzerinde etkisi incelendi. Katkı oranının artmasıyla film iletkenliğinin arttığı belirlendi.
Teşekkür:
Bu çalışma, Erzincan Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri tarafından desteklenmektedir (Proje No: BAP2
0004).
SILAR Tekniği İle Büyütülen ZnSe İnce Filminin Yapısal, Optik ve

Elektriksel Özelliklerinin İncelenmesi
Yunus Akaltuna, M. Ali Yıldırımb, Aytunç Ateşc, Muhammet Yıldırımc
a
Erzincan Üniversitesi, Meslek Yüksek Okulu, Erzincan
b
Erzincan Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzincan
c
Atatürk Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Erzurum,
ZnSe ince filmi, Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) tekniği kullanılarak oda sıcaklığında
cam taban malzemeleri üzerine büyütüldü. ZnSe ince filmi için 0,1M ZnCl2 ve 0,13 Na2SeSO3 çözeltileri
kullanıldı. XRD ve SEM ölçümleri yardımıyla ZnSe ince filminin polikristal yapıda ve taban malzeme
yüzeyinde yoğun bir tabakalaşmanın olduğu belirlendi. 10-300 K sıcaklık aralığında sıcaklığa bağlı optik
soğurma ölçümleri alınarak filmin yasak enerji değerinin 2,76-2,69 eV aralığında değiştiği gözlendi. 300-500 K
sıcaklık aralığında 10 K adımlarla özdirenç ölçümleri alındı ve yüksek sıcaklıklarda aktivasyon enerjisi 0,49 eV
ve düşük sıcaklıklarda 0,28 eV olarak bulundu.
Schottky Diyotlarda Kapasite- Gerilim (C-V) ve Kapasite-frekans (C-f)

Ölçümleri İçin VEE PRO™ ile Agilent E4980A LCR Metre’nin
Programlanması
A. AKKAYA, B.BOYARBAY*, H.ÇETİN**, E.AYYILDIZ*
Erciyes Üniversitesi, Kayseri, Türkiye, abdullahakkaya@live.ru

*Erciyes Üniversitesi, Kayseri, Türkiye
**Bozok Üniversitesi, Yozgat, Türkiye
Kapasite-gerilim (C-V) ve Kapasite-frekans (C-f) ölçümleri elektron ve hollerden arınmış ama iyonize donör ve
tuzak seviyeleri içeren metal-yarıiletken eklemler (Schottky engeli) p-n eklemleri, MOSFET (Metal Oksit Alan
Etkili Transistörler) ’ler ya da iki kutuplu eklem transistörler (HBT), eklem alan etkili transistörler (JFET), ince
film transistörler (TFT), fotodiyotlar ve karbon nanotüpler gibi malzemelerin ve cihazların karakterizasyonu için
kullanılan referans tekniklerdendir. Deplasyon ya da tükenme bölgesi bir kapasitör gibi davranır. Engel
yüksekliği, idealite faktörü, oksit kalınlığı gibi diyotların karakteristik parametrelerinin belirlenebilir. Bunun
yanı sıra ekleme uygulanan gerilim deplasyon tabakasının genişliğini değiştirir bu nedenle de katkımla profili ve
elektriksel olarak aktif kusur yoğunluğu gibi yarıiletkenin iç karakteristikleri hakkında bilgi edinilebilir.
Arayüzey enerji seviyeleri, düşük frekanslarda ölçüm için kullanılan sinyali takip edebilirken, yüksek
frekanslarda takip edememektedir. Yani, düşük frekanslarda yapılan kapasite ölçümleri hem tüketim bölgesi
kapasitesini hem de arayüzey yüklerinden dolayı olan kapasiteyi içerirken, yüksek frekanslarda arayüzey enerji
seviyelerinin etkileri ortadan kalmaktadır. Bu iki ölçüm arasındaki fark, uygun yöntemlerle değerlendirildiğinde
arayüzey enerji seviyesi dağılımı ortaya çıkarılabilir.
Bu çalışmada C-V ve C-f ölçümleri için 20Hz-2MHz frekans aralığına sahip, ±40V besleme gerilimi
sağlayabilen (Opsiyon 001 ile birlikte) Agilent E4980A LCR Metre tercih edilmiş ve VEE PRO (Visual
Engineering Environment Program) programı kullanılarak USB arayüz bağlantısı aracılığıyla LCR metreyi
ölçüm için komüte edecek yazılımlar (Ölçüm Panelleri) geliştirilmiş ve “SecLaS (Semiconductor Labratory
Software.)” adını verdiğimiz bir ana program altında toplanmıştır. Program aracılığıyla; bir besleme gerilimi
aralığında (±40V), sabit frekansta C-V ölçümü, bir frekans aralığında (20Hz-2MHz) sabit besleme altında C-f
ölçümü gerçekleştirebilmekte, veriler anlık olarak grafik üzerinde izlenebilmekte ve kaydedilebilmektedir.
Kimyasal Püskürtme Tekniği ile Üretilen ZnO Filmlerinin

Karakterizasyonu
Müge SÖYLEYİCİ, Ferhunde ATAY ve İdris AKYÜZ
Fizik Bölümü, Eskişehir Osmangazi Üniversitesi, 26100, Eskişehir

MSoyleyici@ogu.edu.tr
ZnO Filmleri, saydam elektrotlar, piezoelektrik aygıtlar gibi pek çok potansiyel uygulamalara sahiptir ve
heterokeklem güneş pillerinde pencere materyali olarak kullanılmaktadır. Bu çalışmada ZnO filmleri 300± 5 °C
taban sıcaklığında mikroskop cam tabanlar üzerine kimyasal püskürtme sistemi kullanılarak üretilmiştir. Filmler
400°C ve 600°C sıcaklıklarında 1 saat ısıl olarak tavlanmış ve ZnO filmlerinin fiziksel özellikleri üzerine
tavlama sıcaklığının etkisi araştırılmıştır. UV spektrofotometre cihazı ile absorbans spektrumları 350-800 nm
dalgaboyu aralığında alınmıştır ve optik metot kullanılarak bant aralıkları belirlenmiştir. Filmlerin kristal
yapıları ve tercihli yönelimleri X-ışını kırınım desenleri ile araştırılmıştır. Ayrıca filmlerin tanecik boyutları,
örgü sabitleri ve marogerilmeleri hesaplanmıştır. Filmlerin kalınlıkları, sönüm katsayıları ve kırılma indisleri
spektroskopik elipsometri tekniği ile Cauchy-Urbach modeli kullanılarak belirlenmiştir. Filmlerin yüzey
görüntüleri ve pürüzlülükleri atomik kuvvet mikroskobu ile incelenmiştir. Bu veriler ışığında tüm fiziksel
özellikleri yorumlanarak filmlerin yarıiletken teknolojisinde ve fotovoltaik uygulamalarda kullanım potansiyeli
araştırılmıştır.

TaN2 Bileşiğinin Teoriksel Çalışması: Yapısal, Elektronik, Elastik ve

Termodinamik Özellikler
Ahmet Hakan Ergün1, Yasemin Çiftci1, Kemal Çolakoğlu1 ve Engin Deligöz2
1
2
Bu çalışmada, TaN2 bileşiğinin yapısal, elastik, elektronik ve termodinamik özellikleri ilk ilkeler yöntemiyle
yoğunluk fonksiyonu teorisinin genelleştirilmiş gradyent yaklaşımı (GGA) kullanılarak hesaplandı. Fluorite(C1),
Pyrite(C2), Cuprite(C3), Rutile(C4) kristal yapıları için örgü parametreleri, bulk modülü, bulk modülün türevi,
oluşum entalpisi, elastik sabitleri hesabı yapıldı. Elde ettiğimiz örgü parametreleri ve elastik sabitleri daha
önceki deneysel ve teorik çalışmalarda elde edilen değerlerle kıyaslanarak uyumlulukları gözlendi. Hacim, bulk
modülü, ısıl genleşme katsayısı, debye sıcaklığı, ısı kapasitesi gibi özelliklerin basınç ve sıcaklık altında quasi
harmonik debye modeline göre ilişkileri incelendi.

GaAs Tabanlı Bir MOSFET Yapının 2-Boyutta Akım – Gerilim

Karakteristiklerinin İncelenmesi
Abdullah Fatih KULOĞLU, Sefer Bora LİŞESİVDİN ve Mehmet KASAP
GaAs metal – oksit – yarıiletken alan etkili transistör (MOSFET) yıllardır büyük ilgi çekmektedir. GaAs tabanlı
aygıtlar, yüksek hız ve yüksek güç uygulamaları için Si tabanlı aygıtlara göre potansiyel olarak büyük
avantajlara sahiptirler. GaAs içindeki elektron hareketliliği, Si içindeki elektron hareketliliğinden yaklaşık 5 kat
daha büyüktür. Ayrıca daha yüksek kırılma alanına sahiptir. Bu çalışmada GaAs tabanlı bir MOSFET yapının 2-
boyutlu Schrödinger - Poisson eşitlikleri çözülerek akım - gerilim karakteristiği, transfer karakteristiği, geçiş
iletkenliği ve elektron yoğunluğu incelendi.
Fe ve Ni Manyetik Nanoparçacıkların Manyetik Özelliklerinin İncelenmesi
Onur Tozkoparan*, Oğuz Yıldırım, Melike Arslan, Eyüp Duman, Yalçın Elerman
Nano boyuttaki parçacıkların manyetik özelliklerinin araştırılması, manyetik malzemeler için büyük önem
taşımaktadır. Manyetik nanoparçacıklar, ferro akışkanlarda, etkin element olarak kayıt şeritlerinde, manyetik
kayıt ortamlarında, biomedikal malzemelerde ve nanokristal malzeme olarak kullanılmaktadır.
Bu çalışmada manyetik nanoparçacıklar olarak, birbirinden farklı boyutlardaki Fe ve Ni nanoparçacıkları çeşitli
yöntemlerle incelenmiştir.
Nanoparçacıklarının boyutları X-ışını toz kırınım metresi ve Atomik Kuvvet Mikroskobu ölçümlerinden
bulunmuştur.Manyetik nanoparçacıkların manyetik özelliklerinin ölçümü NT-MDT Solver Pro-M Manyetik
Kuvvet Mikroskobu yardımıyla gerçekleştirilmiştir.Manyetik Kuvvet Mikroskobunda kullanılan Cr/Co
kaplamalı uç ile manyetik nanoparçacıklar arasındaki manyetik etkileşme kuvveti F=-6m1m2/z4 (z,uç ile örnek
arasındaki uzaklık) olarak alınmıştır.Manyetik uç ile manyetik nanoparçacıklar arasındaki etkileşmeye bağlı
olarak ölçülen faz değişimi,etkileşme kuvvetinin gradyentine bağlı olarak şu şekilde tanımlanmıştır,
ΔΦ=(Q/k)(dF/dz) (Q,kalite faktörü; k,yay sabiti).Kullanılan manyetik uç için Q=232, k=5.5N/m, w0=133kHz
olarak alınmıştır.Atomik Kuvvet Mikroskobu ölçümlerinden manyetik nanoparçacıkların büyüklükleri Fe ve Ni
için 100nm ile 150nm arasında bulunmuştur.
Manyetik nanoparçacıkların manyetik özellikleri manyetik alana ve sıcaklığa bağlı mıknatıslanma ölçümlerinden
gidilerek bulunmuştur. Bu ölçümlerden Fe manyetik nanoparçacığı için Ms=134 emu/g, MR=21,338 emu/g,
Hc=414 Oe bulunmuştur. Ni nanoparçacığı için Ms=48 emu/g, MR=16,3 emu/g, Hc=500 Oe bulunmuştur.
Manyetik Kuvvet Mikroskobu ölçümleri manyetik alana bağlı olarak -500Oe ile 500 Oe aralığında
gerçekleştirilmiş. ΔΦ değerlerinin manyetik alanla arttığı gözlenmiştir.
a) b)
a)
Şekil.1 Fe nanoparçacıkları (a)Topografi görüntüsü, (b)Manyetik faz görüntüsü
*onur_tozkoparan@hotmail.com
KAYNAKLAR
1)M.Raşa, B. W. M. Kuipers and A. P. Philipse, J.Coll.250, 303-315 (2002)
2) Thao Thi Hien Pham, Cuong Cao, Sang Jun Sim, J. Mag. and Mag. Mat. 320 , 2008) 2049–2055
AlGaAs Alaşımlarının Bantlararası-geçiş Enerjilerinin Elipsometrik

Yöntemle Belirlenmesi
Saime Şebnem Çetin1, Süleyman Özçelik1 ve Tofig Mammadov1,2
1
2
Fizik Enstitiüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü
Katı kaynaklı moleküler demet büyütme (MBE) tekniği kullanılarak, farklı kompozisyonlara sahip AlGaAs
yarıiletken alaşımları SI-GaAs (100) alttaş üzerine büyütüldü. Numunelerin alüminyum alaşım oranı, oda
sıcaklığı fotolüminesans (PL) ölçümleri sonucu elde edilen emisyon pik enerji pozisyonları değerlendirilerek
belirlendi. AlGaAs yapılarının bantlararası-geçiş kenarlarının kritik nokta enerjileri ( E0 , E1 ve E1  1 ), 0.5-5 eV
aralığında spektroskopik elipsometre (SE) ölçümleri ile belirlendi. Bu amaçla dielektrik fonksiyonunun reel
kısmının ikinci türev spektrumları “standart kritik nokta çizgi-şekli” eşitliklerine en küçük kareler yöntemi ile fit
edildi. Alüminyum kompozisyonunun artması ile kritik nokta enerji değerlerinin arttığı kırılma indislerinin ise
azaldığı gözlendi.
25 1500
n‐AlGaAs (b) (c)
20 GaAs Tampon T. 1000
SI‐GaAs Alttaş i
500
15
d2r/dE2
0
10

-500
5
-1000
r
(a) 0
-1500
-5 -2000
0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5
Foton Enerjisi (eV) Foton Enerjisi (eV)
Şekil. (a) GaAs’ın enerji bant yapısı ve bantlararası-geçişlere ait kritik noktalar, (b) dielektrik fonksiyonunun reel ve
sanal kısmı ve (c) dielektrik fonksiyonunun ikinci türevinin foton enerjisine göre değişimi

Dizin
Soyad İsim Özet no

Acet M. Ç3,S5,P59
Adagideli İ. Ç1
Ağar A. A. P73
Ağartıoğlu M. P49
Ak T. P70
Akaltun Y. P84,P84
Akaoğlu B. P21
Akarsu M. P36,P62
Akdoğan M. P26,P27,P63,P80
Akı E. P14
Akın N. P52
Akkaya A. P6,P85
Aksoy Seda Ç3,P59
Aksoy Seval P72
Akyüz İ. P5,P44,P58,P86
Albayrak Ç. P35
Alkan B. P8
Alkan C. P42
Alpaslan G. P22
Alpaslan Y. B. P73
Altıntaş S. P27
Anutgan M. S16
Anutgan T. S16
Arslan M. P89
Askerbeyli R. T. P32
Askerzade İ. N. P32,P47
Aşıkuzun E. P54
Atay F. P5,P44,P58,P86
Ateş A. P82,P83,P84
Atılgan İ. S16
Atmaca G. S2,S12,P34,P46
Aydın S. S8
Aydoğu S. P36,P61,P62
Ayduğan Z. P8
Ayyıldız E S10,P6,P85
Bacaksız E. P68
Bağcı F. P21
Bahar D. P67
Bal S. P26,P27,P63,P80
Baş S. P64
Başman N. P42,P60
Bayhan Ü. P71
Belenli İ. P15,P16,P17
Bengi S. P77
Biçen M. P37
Bilgin V. P13
Boyarbay B. S10,P6,P85
Bülbül C. P9
Bülbül M. M. P77
Büyükgüngör O. P14,P22,P35,P44
Can M. M. S3
Candan A. P1
Candan İ. P76
Cantürk M. P47
Çabuk G. P61
Çağlar M. P48,P57,P72
Çağlar Y. P48,P57,P72
Çakmak M. P8,P10,P37,P38,P52
Çalışkan N. P79
Çankaya G. P67,P68
Çatçat D. S15
Çelik Ö. S4
Çelik Ü. S15
Çelik V. S11,P50
Çetin H. S10,P6,P85
Çetin S. Ş. P90
Çınar İ. P30
Çiftci Y. Ö. S9,P7,P9,P12,P28,P43,P53,P87
Çoban C. P9
Çoban M. B. P61
Çolakoğlu K. S9,P7,P9,P12,P24,P28,P33,P43,P53,P75,P87
Çukurovalı A. P79
Dede M. S10,S14
Deligöz E. P12,P24,P28,P53,P87
Demir S. P65
Demirselçuk B. P13
Dinçer İ. P11,P31
Dinçer M. P65
Doğan D. D. P48
Duman E. S5,P89
Elerman Y. P11,P31,P59,P89
Elibol K. S2,S12,P34,P46
Ellialtıoğlu R. P1,P3,P4,P23,P69
Ellialtıoğlu Ş. S11,P10,P37,P50,P52
Ener S. P59
Erçelebi Ç. P29,P76
Erdem R. P56
Erdoğan B. P5
Erdönmez A. P22
Ergen S. P60
Ergün A. H P87
Ersoy T. P18
Evecen M. P38
Fasaki I. P68
Fırat T. S3,S4
Fiat S. P67,P68
Gençyılmaz O. P44
Güllü H. H. P29
Gülpınar G. S13,P49,P56
Güngör E. P78
Güngör T. P78
Gür E. P13
Gürakar S. P25
Gürbüz G. P81
Güzeldir B. P82
Hasanli N. P51
Ilıcan S. P48,P57,P72
Işık M. P51
Işık Ş. P66
İçbudak H. P45,P66
İskeleli N. O. P73
İyigör A. P3,P4,P23
Kaderoğlu Ç P8
Kahveci N. P43
Kandemir B. S. S7
Karaağaç H. P74
Karakaya S. P36
Karapınar R. P55
Karcı Ö. S14
Kart S. Ö. P71
Kartaloğlu O. P46
Kasap M. S2,S12,S17,P34,P88
Katırcıoğlu B. S16
Kelekçi Ö. S2,S17
Keleşoğlu Z. P35
Kılıç B. Ç4
Kılıç U. P30
Kırak M. P39
Kocabaş C. S1,S6
Koça M. P2
Koçak B. P7
Kompitsas M. P67,P68
Koralli N. P67
Korkusuz E. P65
Kölemen U. P20,P42,P60
Köse S. P58,P81
Kuloğlu A. F. P88
Kurtaran S. P58
Kuş F. Ö. P18,P19
Lişesivdin S. B. S2,S12,S17,P34,P46,P88
Lu M. Ç4
Macit M. P22
Mammadov T. P90
Mete E. S11,P50
Moğulkoç A. S7
Moğulkoç Y. S9
Mousdis G. P68
Mutlay İ. P40,P41
Odabaşoğlu M. P35
Oral A. S10,S14,S15
Öner İ. P33,
Özatay Ö. P30
Özayman M. P53
Özbaş Ö. P36,P62
Özbay E. S2,S17
Özcan Ş. S3,S4
Özçelik S. S2,S17,P90
Özer Ö. H. S15
Özev S. P55
Özışık H. P12,P24,P28,P33
Özışık H. B. P28,P33
Özkan H. P51
Özlem Y. P54
Öztekin E. P73
Öztürk M. S10
Öztürk Ö. P54
Parlak M. P29,P76
Parlak M. P74
Paşaoğlu H. P70
Pinçe E. S6
Polat E. O. S1
Polat M. P58,P81
Polat R. P83
Sağlam M. P82
Salayev A. P30
Saraçoğlu H. P79
Sarıca E. P13
Serin N. P18,P19,P25
Serin T. P18,P19,P25
Sevgül Ç. G. P11
Seyis S. P24
Sonuşen S. S10
Soyalp F. P64
Söyleyici M. P86
Sürücü G. P24,P33
Şahin O. P45
Şahin Z. S. P66
Şimşek M. S8
Taşlı P. S12,P34
Tayran C. P10
Tekiner B. P14
Temel E. P14
Terris B. D. P30
Terzioğlu C. P26,P27,P54,P63,P80
Toffoli H. Ç2
Topal U. P20
Tozkoparan O. P89
Tüzemen S. Ç4
Uğur G. P1,P3,P4,P23,P69
Uğur Ş. P1,P3,P4,P23,P69
Uzun O. P20,P42,P60
Ünal H. S11,P50
Varilci A. P26,P27,P63,P80
Vatansever E. S13,P49
Wang L. Ç4
Wassermann E. S5
Yakuphanoğulları F. P57
Yalçın İ. P14
Yıldırım G. P26,P27,P54,P63,P80
Yıldırım İ P65
Yıldırım M. P84
Yıldırım M. A. P83,P84
Yıldırım O. P89
Yıldırım T. P51
Yıldız E. P14
Yıldız Ş. P20
Yıldızlı K. P6
Yılmaz F. P20,P42,P60
Yılmaz İ. P79
Yılmaz Sait P39
Yılmaz Simge P75
Yurtseven H. P2
Yücel E. P15,P16,P17
Yüksektepe Ç. P79
Yüzüak E. P59
Zalaoğlu Y. P26,P27,P63,P80

Ozet Kitapcigi

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Ozet Kitapcigi

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

17.

YOĞUN MADDE FİZİĞİ ANKARA TOPLANTISI – ANKARA ÜNİVERSİTESİ, 5 KASIM 2010

YMF 4 IV Yoğun Madde Fiziği - Ankara Seminerleri Hacettepe 30 Kasım 1994

16:30-16:45 S14 Özgür Karcı Hacettepe Üni. Düşük Sıcaklık (300mK-300K),

Geometric Correlations and Breakdown of Mesoscopic Universality in Spin

Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, Sabancı Üniversitesi, 34956,İstanbul

NOx indirgeme/depolama sistemlerinde alternatif alttaş yapı olarak TiO2

Fizik Bölümü, Ortadoğu Teknik Üniversitesi, 06530, Ankara

Ni-Mn bazlı martensitik Heusler alaşımlarında manyetik Etkileşmeler

ÇİNKO OKSİT (ZnO) NANOYAPILAR ÜZERİNDE BOYA İLE DUYARLI HALE

Bayram KILIÇ1, Sebahattin TÜZEMEN2, Lianzhou WANG,3 ve Max LU3

Geniş Alan Üzerinde Grafen Nano Şeritlerin Üretilmesi

Emre Ozan Polat1, Coşkun Kocabaş1

Grafen Flake Üretim Yöntemlerinin Geliştirilmesi

K. Elibol1, Ö. Kelekçi1,2, G. Atmaca1, S. B. Lişesivdin1, M. Kasap1, S. Özçelik1 ve

Rf Püskürtüm İle ZnO İnce Filmlerin Büyütülmesi ve W Safsızlığının Etkisi

Magnetik Nanoakışkan Hipertermi İçin Magnetik Nanoparçacıkların

Fizik Mühendisliği Bölümü, Hacettepe Üniversitesi, 06800, Ankara

Fe3C (Sementit) Nanoparçacıkların Manyetik Kararsızlığı

Eyüp Duman1,*, Mehmet Acet2, Eberhard Wassermann2

Grafin Alan Etkili Transistörlerin Yüksek Frekans Performans Sınırlarının

Magnetik Alan Altındaki Grafende Kritik-Altı Coulumb Safsızlığının

Varsayımsal B15 kristalinin ilk-prensiplerle incelenmesi

Bazı İkili ve Üçlü Alaşımların İlk İlkeler Yöntemlerle İncelenmesi

Grafen Tabanlı Alan Etkili Transistörlerin Bazı Elektriksel Özellikleri

B. Boyarbay1, M. Öztürk2, S. Sonuşen3, H. Çetin2, M. Dede4 A. Oral3, E.Ayyıldız1

Küçük Pt parçacıklarının rutil TiO2(110) yüzeylerinde LSDAU tasviri

Eklem Alan Etkili Transistörlerin Elektriksel Karakteristiklerinin

Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi Teknikokullar, 06500, Ankara

Metamanyetik Ising Modelinin Kritik Manyetik Durulması

Düşük Sıcaklık (300mK-300K), Manyetik Kuvvet Mikroskobu/Atomik

Sıvı İçerisinde Atomik Çözünürlükte Yüzeye Değmeyen Atomik Kuvvet

(a) (b) (c) (d)

Hidrojenlenmiş Nanokristal Silisyum Tabanlı İnce Film Transistörün

Fizik Bölümü, Orta Doğu Teknik Üniversitesi Çankaya, 06531, Ankara

InGaN arka bariyerli AlxGa1-xN/AlN/GaN HEMT yapılarındaki ince

Ö. Kelekçi1,2, S. B. Lişesivdin1, M. Kasap1, S. Özçelik1 ve E. Özbay2,3

Kübik Co2MnX (X=Al,Ga,Si,Ge) Heusler Alaşımlarının Yapısal, Manyetik,

Katı Amonyakta Termodinamik Nicelikler Arasındaki Bağıntılar

ODTÜ Fizik Bölümü, 06531 Ankara

CoAl Alaşımının Elastik ve Termodinamik Özelliklerinin Hesaplanması†

Co2ScAl Heusler Alaşımının L21 Yapıda Elektronik Özelliklerinin

Ultrasonik Kimyasal Püskürtme Tekniği İle Hazırlanan Co3O4 Filmlerinin

SiOxNy Arayüzey Tabakalı p-Si Schottky Engel Diyotlarının Admittans

PrBi Bileşiğinin Yapısal, Elektronik, Elastik, Titreşimsel ve Termodinamik

Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara

0.5 ML P TUTUNMUŞ Si (001) – (1x2) YÜZEYİNİN ELEKTRONİK

Z.AYDUĞAN1, Ç.KADEROĞLU1, M.ÇAKMAK2 ve B.ALKAN1

ReN2 Bileşiğinin İlk İlkeler Yöntemiyle Yapısal, Elektronik, Elastik ve

Rutil TiO2 Yüzeyi Üzerinde İçi Platin Katkılanmış

SmMn2-xTxGe2 (T: Fe ve Co; x=0.05 ve 0.10, 0.15) ALAŞIMLARININ

Fizik Mühendisliği Bölümü, Ankara Üniversitesi, Tandoğan, 06100, Ankara

BeB2 bileşiğinin titreşimsel özelliklerinin

ZnO:Co İnce Filmlerinin Üretilmesi ve Fotolüminesans Özellikleri

Bu çalışmada; 3,4-dihidro-3-okso-6-kloro-2H-1,4-benzoksazin-2-asetat, C12H12NO4Cl bileşiğine ait yapısal

Çok Filamanlı MgB2 Şeritlerin Üretimi ve Süperiletkenlik Özellikleri

Ersin Yücel* ve İbrahim Belenli

Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi, 14280, Bolu

MgB2 Şeritlerde Aşırı Haddeleme ve Isıl İşlem Kombinasyonlarının

Ersin Yücel* ve İbrahim Belenli

Fizik Bölümü, Abant İzzet Baysal Üniversitesi, 14280, Bolu

MgB2 Süperiletken Tel Üretimi ve Manyetik Özellikleri

Ersin Yücel* ve İbrahim Belenli