ĐIỆN TỬ CƠ BẢN

CHƯƠNG I
VẬT LIỆU BÁN DẪN
1.1 Vật liệu bán dẫn
1.1.1 cấu trúc và đặt tính vật liệu bán dẫn

-Theo lý tính vậy liệu chia làm 3 dạng:

•Kim loại
•Bán dẫn Cấu trúc mạng tinh thể
• Điện môi
 - Các nguyên tố thường đứng ở các nhóm đầu và
có số điện tử lớp ngoài cùng hay là điện tử hóa
trị từ 1 đến 2 . Kim loại thường có mật độ diện
tử tự do rất lớn và là các chất dẫn điện
- Các nhóm cuối bảng thường là á kim, các
nguyên tố này ít điện tử tự do và được gọi là
chất điện môi( chất cách điện)
- Tham số của vật liệu điện điện tử là:
Điện trở xuất kí hiệu là ρ , đơn vị đo là Ω.cm
Điện dẫn suất σ đơn vị đo là Ω-1 cm-1
- Vật liệu bán dẫn là các nguyên tố nằm trong
nhóm 4 và nhóm 5 của bảng phân loại tuần
hoàn Mendeleev
- Chất bán dẫn cấu tạo từ những tinh thể có hình
dạng xác định, các nguyên tử được sắp xếp
theo một trật tự chặc chẽ tuần hoàn tạo thành
mạng tinh thể bán dẫn
- Cấu trúc năng lượng được sắp xếp theo các
mức rời rạc, sư tương tác giữa các mức năng
lượng và sự tương tac giữa các hạt nhân hình
thành các vùng năng lượng
- Tùy theo cấu trúc của vùng năng lượng ta
phân biệt các chất rắn có cấu trúc tinh thể
làm 3 loại:
1.Kim loại
2. bán dẫn
3. Điện môi
 TẦNG DẪN

VÙNG CẤM

Chất cách điện Chất dẫn điện

Tầng hóa trị Chất bán dẫn

nguyên
liên kết
tử hóa học

liên kết
hóa học

ô cơ bản trong cấu trúc mạng tinh thể

 ô cơ sở Ga và As Mạng bán dẫn thuần
ô cơ sở Be và Si
1.1.2 Các hạt dẫn điện trong bán dẫn Ánh sáng
và T

Lỗ trống

Si -+
Si

- electron

Si Si
1.1.2 Các hạt dẫn điện trong bán dẫn
- Electron q= -1.6 x 10 -19 C -

- HOLE- Vacancy q= +1.6 x 10 -19 C) +

-
- Ion âm
- Ion dương +

- Sự khác nhau và giống nhau giữa các hạt dẫn và ion ?

 1.1.3 phân loại bán dẫn
Tác nhân ánh sáng, Lỗ trống
nhiệt độ,…
Tác nhân ánh sáng,
nhiệt độ,…

Lỗ trống Lỗ trống
_ _ _ _
_ _

_ _ _ IV _ _ IV _ _ _ _ IV _ _ IV _ _ _
IV IV
_ _
_ _ _ _
_ IV _ _ IV _ _
+ _ _ _ _ _
_
_ _
_ _ _ V _ _ _ _ _ _ III _ _
_ _ IV IV IV + IV
_ _
_ _ _ _
_
_ IV _ _ IV _ _
_ _ _ _ _
_ _
_ _ _ IV _ _ _ _ _ _ IV _ _
IV V IV III +
_ _
_ _
_ _
Electron
Electron Lỗ trống
Bán dẫn loại I
Bán dẫn loại N Bán dẫn loại P
nI=pI Nn>pN nP<pP
- Các nguyên tố hóa trị 5 như Phosphorus (P),
Arsenic (As), Antimony (Sb), Bismuth (Bi) 1-
Bán dẫn loại N –Donor- tạp chất cho
nd là mật độ điện tử tạp chất trong bán dẫn
loại N - Ta có: Nd=nd
nN=nI+nd+nI+Nd>>pN+pi
c. Bán dẫn loại P
• Aluminum (Al), Gallium(Ga), Boron (B), Indium (In)
Na là nồng độ tạp chất Acceptor
Mật độ lỗ trống trong bán dẫn pp=Na
pp=pI+pp+pI+Na >>np+nI
d. Chất bán dẫn suy biến N++, P++
• Chất có nồng độ hạt dẫn không cao, được gọi là chất
không suy biến.
• Chất bán dẫn có nồng độ tạp chất lớn hơn 1020
nguyên tử/cm3, được gọi là bàn dẫn suy biến
• chất bán dẫn suy biến có tính chất giống kim loại, dẫn
• Năng lượng của các hạt dẫn tự do trong bán dẫn suy
biến không phụ thuộc nhiệt độ
1.1.4 cơ chế dẫn điện theo lý thuyết vùng năng lượng
b. Sự dẫn điện của bán dẫn
• Dòng điện trôi:
J ntr= -(-q) n Vn= qμnnE
J ptr = q pVp = pμqqE
• ta có mật độ dòng điện trôi trong bán dẫn
: Jtr= Jntr+Jptr
• Điện dẫn xuất của chất bán dẫn:
σ = q( nμp + pμp)
b. Chuyển đông khuếch tán
• Do sự phân bố không đều trong thể tích gradien nồng độ
các hạt dẫn
Ta có hệ số khuếch tán như sau:
Dp=φTμp
Dn=φTμn
φT hằng số phụ thuốc nhiệt độ
φT = kT/q
K hằng số Boillzman
Q điện tích điện tử
T nhiệt độ tuyệt đối của T= 300K
φT = 0.025V = 25mV
 Mô hình chuyển động khuếch tán của các hạt dẫn

p n
+ pp
nN -
pp

+ - nN(x)
- np pN +
np pN
- +

x x
1.1.6 Ảnh hưởng của nhiệt độ đến độ dẫn điện của vật
liệu bán dẫn
1.2 Chuyển tiếp P-N ( Junction P-N)

- - + - +
+
- + - +
+ - + -
+ - -
- - + - + +

- -
N +
+ -
P
+ +
+
-
-
- - + - + +
- + -
+
- -
+ - + +
 - - + - +
+
+ - +
+ - + -
+ - -
- - + - + +

- -
N +
+ -
P
+ +
+
-
-
- - + - + +
- + -
+
- -
+ - + +

Cấu trúc lớp chuyển tiếp P-N

 n,p nN - a. Sự phân bốmật độ của các
+ pp
hạt dẫn trong vùng chuyển
pN + - np
a. tiếp.
X
b.Đồ thị điện tích của các ion
Q
trên bề mặt tiếp xúc.
c. phân bố điện thế của
b.
chuyển tiếp P-N :
X
(1) : điện thế phân cực thuận
V
(2) : điện thế tiếp xúc
(1) (3) : điện thế phân cực
Vtx
t nghịch
c.
Vtx - |V| Vtx + |V|

(2)
(3)
 ID
Iomax

VBD
Is 0,7 VD
B

Đặc tuyến V-I của chuyển tiếp P-N

- Bề dày của vùng nghèo ở trạng thái cân bằng tỉ lệ
nghịch với nồng độ tạp chất trong hai khối bán dẫn:
l0 = ln + lp = √(2ɛɛ0/q) .Vtx(1/NA + 1/ND)
Trong đó:
ɛ0: Hằng số điện môi trog chân không = 9.10-14 F/cm
ɛ : Hằng số điện môi tường đối của chất bán dẫn
I0 : Bề dày của vùng nghèo thường rất bé khoảng 10-5
đến 10-4 cm
1.2.2 Phần cực nghịch cho chuyển tiếp P-N (VD <0)
VD =Vtx + |VDng| (VDng là điện áp ngược )
 ln
- + + + - - + +
+ -
+ + + - - -
- + + - - - + - _
+ -
+ + + + - -
- + - + + - - - - +
-
N+ +
+
P+ -
+ + - - - --
- + + + + - - -
+
- Điện áp ở hai cực của bán dẫn P, N sẽ hút các hạt dẫn
thiểu số trong vùng nghèo và ngoài vùng nghèo làm
tăng dòng điện trôi ở mạch ngoài, trị số dòng này rất
nhỏ đạt tới giá trị bão hòa Is (dòng bão hòa –
saturation) Is < 10-6A
- Tăng điện áp phân cực nghịch VDng tại điểm B,
chuyển tiếp P-N bị đánh thủng hình thành dòng đánh
thủng cùng chiều với dòng điện nghịch Is, là đoạn BR
trên đặc tuyến V-I. Dòng đánh thủng này làm chuyển
tiếp P-N bị phá hủy nên không sử dụng, trừ một vài
chuyển tiếp P-N như chuyển tiếp của cá bán dẫn suy
biến.
1.2.3 Phân cực thuận cho chuyển tiếp P-N

ln
- - + + - - +
++ - -
+ + - -
- +- + + - - - +- +- +
- - - + + - - + + +
- - +- + + - - - - ++
+
N+
- -
+ + - - + -
-- +
- - - + + - - +
P
 n,p nN - a. Sự phân bố mật độ của
+ pp
np
các hạt dẫn trong vùng
pN chuyển tiếp
a.
b. Đồ thị điện tích của các
Q X ion trên bề mặt tiếp xúc
c. Phân bố điện thế của
b.
chuyển tiếp P-N, điện thế
X
tiếp xúc, phân cực thuận

t Vtx
c.
Vtx -|V|
 - Khi đó dòng tổng hợp qua chuyển tiếp P-N sẽ là :
ID = Ith – Ing = Is [1-e (-VD/ηVT) ]
Trong đó
• Is : dòng điện bão hòa
• Ith (Idiffustion) : dòng điện thuận
• Ing (Idrift) : dòng điện ngược
• η: hằng số phụ thuộc vào vật liệu: 1=< η=<2
• kT: hiệu điện thế nhiệt
• VT=(kTk)/q
• Tk: nhiệt độ Kelvin Tk = Tc +273
• q: điện tích. q = 1,6 . 10-19 C
• k: hằng số Boltzman, k = 1,38 .10-23 J/K
- khi tăng điện áp thuận lân cao dòng chuyển tiếp tăng nhanh và
khi tăng tới giá trị xác định thí gây hiện tượng đánh thủng.

I R3
R2 R1

VBR

0
0,7V V
B

R4

Đồ thị đặc tuyến V-I của chuyển tiếp P-N

1.2.4 hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp P-N
1.2.4 hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp P-N

I R3 R0 RI
R2

VBR V
0 A 0.7V
B

R4

Đặc tuyến V-I của chuyển tiếp có vùng Zener

1.3 Chuyển tiếp P-N SHOTTKY