ET2040 CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

(Electronic Devices)
Phiên bản (Version): 2017.1.0
1. THÔNG TIN CHUNG (General Information)
Tên học phần: Cấu kiện điện tử
(Course name) (Electronic Devices)
Mã số học phần: ET2040
(Course ID)
Khối lượng: 3(3-0-1-6)
(Course units)  Lý thuyết (Lecture): 45 tiết (Hours)
 Bài tập/BTL (Classwork/Team project): 0 tiết (Hours)
 Thí nghiệm (Laboratory): 15 tiết (Hours)
Học phần tiên quyết: Không
(Requisite course) (None)
Học phần học trước: Không
(Required course) (None)
Học phần song hành: Không
(Parallel course) (None)

2. MÔ TẢ HỌC PHẦN (Course Description)

Học phần này nhằm cung cấp cho sinh viên các kiến thức cơ bản về ký hiệu, cấu tạo, nguyên
lý làm việc, đặc tuyến, tham số chính, mô hình tương đương, công nghệ chế tạo, và một số
ứng dụng cơ bản của các loại cấu kiện điện tử gồm diode bán dẫn, transistor tiếp xúc lưỡng
cực, transistor hiệu ứng trường, vi mạch tương tự, vi mạch số, và cấu kiện quang điện tử.
(This course aims to provide students with knowledge of schematic symbol, structure, operation, characteristic
curves, important parameters, equivalent models, fabrication technology, and basic applications of electronic
devices including diode, bipolar junction transistor, field-effect transistor, analog integrated circuit, digital
integrated circuit, and optoelectronic devices.)
Học phần cũng cung cấp cho sinh viên kỹ năng khám phá và phân tích thông tin quan trọng về
cấu kiện trong tài liệu kỹ thuật do nhà sản xuất cung cấp và kỹ năng kiểm tra hoạt động cơ
bản của cấu kiện thông qua thử nghiệm thực tế.
(This course also provides students with practical skills to explore and analyze important information of
electronic devices in datasheets and skills to test the basic operation of the electronic devices by conducting
experiments.)

3. MỤC TIÊU VÀ CHUẨN ĐẦU RA CỦA HỌC PHẦN (Course Objectives and Outcomes)
Sinh viên hoàn thành học phần này sẽ có khả năng (Upon completion of the course, students will be
able to):
CĐR được phân bổ
Mục tiêu/
cho HP/ Mức độ
CĐR Mô tả mục tiêu/Chuẩn đầu ra của học phần
ITU
(Objectives/ (Description of objectives/outcomes)
(Outcomes mapping/
outcomes)
ITU level)
[1] [2] [3]
M1 Nhắc lại được các tính chất cơ bản của bán dẫn tinh 1.1.5
khiết và bán dẫn có pha tạp
(Recall basic characteristics of intrinsic and doped
semiconductors)
 CĐR được phân bổ
Mục tiêu/
cho HP/ Mức độ
CĐR Mô tả mục tiêu/Chuẩn đầu ra của học phần
ITU
(Objectives/ (Description of objectives/outcomes)
(Outcomes mapping/
outcomes)
ITU level)
M2 Mô tả được cấu tạo và giải thích được hoạt động của cấu 1.1.5, 1.2.1, 1.2.2
kiện điện tử
(Describe the structure and explain the basic operation of
electronic devices)
M2.1 Mô tả được cấu tạo của cấu kiện điện tử 1.1.5 (U);
(Describe the structure of electronic devices) 1.2.1, 1.2.2 (T)
M2.2 Giải thích được hoạt động của cấu kiện điện tử 1.1.5 (U);
(Explain the operation of electronic devices) 1.2.1, 1.2.2 (T)
M2.3 Phân tích được ảnh hưởng của các yếu tố đến hoạt động 1.1.5 (U);
(Analyze the influence of factors on the normal operation) 1.2.1, 1.2.2 (I)
M3 Phân tích được đặc tính kỹ thuật của cấu kiện điện tử 1.1.5, 1.2.1, 1.2.2,
(Analyze technical specifications of electronic devices) 2.2
M3.1 Giải thích được các đặc tuyến 1.1.5 (U);
(Explain characteristic curves) 1.2.1, 1.2.2 (T)
M3.2 Phân biệt và phân tích và được các tham số đặc trưng 1.1.5 (U);
(Distinguish and analyze important parameters) 1.2.1, 1.2.2 (T);
2.2 (I)
M3.3 Lựa chọn và áp dụng được các mô hình tương đương 1.1.5 (U);
(Select and apply models of electronic devices) 1.2.1 (T)
M4 Thiết lập được chế độ làm việc và kiểm thử được hoạt 1.1.5, 1.2.1, 1.2.2,
động của cấu kiện 2.2
(Set up operating modes and test the basic operation of electronic
devices)
M4.1 Thiết lập được các chế độ làm việc cho cấu kiện 1.1.5 (U);
(Set up the operating modes for electronic devices) 1.2.1, 1.2.2 (T)
M4.2 Tính toán được điểm làm việc và đánh giá được độ ổn định 1.1.5 (U);
(Calculate the operating point and evaluate the stability) 1.2.1, 1.2.2 (T)
M4.3 Kiểm thử được hoạt động cơ bản của cấu kiện điện tử 1.1.5 (U);
(Test the basic operation of electronic devices) 1.2.1, 1.2.2, 2.2 (T)
M5 Đưa ra được ví dụ về ứng dụng thực tế của cấu kiện 1.2.1, 1.2.2 (I)
(Give examples of actual applications of electronic devices)

4. TÀI LIỆU HỌC TẬP (Textbooks and References)

Giáo trình (Textbooks)
[1] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, 11th edition,
Pearson, 2013.
[2] GS. TS. Nguyễn Đức Thuận (chủ biên), Giáo trình Cấu kiện điện tử, Đại học Bách Khoa Hà
Nội, 2018.
Sách tham khảo (References)
[1] Thomas L. Floyd, Electronic Devices: Electron Flow Version, 10th edition, Pearson, 2018.
[2] Donald P. Leach, Albert P. Malvino, Goutam Saha, Digital Principles and Applications, 8th
edition, McGraw Hill, 2014.
5. CÁCH ĐÁNH GIÁ HỌC PHẦN (Course Evaluation)

Phương pháp CĐR được

Tỷ
Điểm thành phần đánh giá cụ thể Mô tả đánh giá
trọng
(Grading) (Evaluation (Description) (Evaluated
(Weights)
methods) outcomes)
[1] [2] [3] [4] [5]
A1. Điểm quá Bài thi giữa kỳ Thi viết, có thể chứa câu M1÷M5 40%
trình (*) (Mid-term exam) hỏi trắc nghiệm
(Progress grading) (Written examination, may
include multiple-choice
questions)
A2. Điểm cuối kỳ Bài thi cuối kỳ Thi viết, có thể chứa câu M1÷M5 60%
(Final-Exam grading) (Final examination) hỏi trắc nghiệm
(Written examination, may
include multiple-choice
questions)
A3. Điểm bài thí Hoàn thành bài Thí nghiệm trên lab và M2÷M4 Passed/
nghiệm thí nghiệm báo cáo Not-
(Lab grading) (Completion of Lab (Lab experiments and passed
experiments and report)
report)
* Điểm quá trình sẽ được điều chỉnh bằng cách cộng thêm điểm chuyên cần. Điểm chuyên
cần có giá trị từ –2 đến +1, theo Quy chế Đào tạo đại học hệ chính quy của Trường ĐH Bách
khoa Hà Nội.
(* Progress grades can be adjusted by adding class-attendance point in the range of -2 to +1, according to the
Regulations of Undergraduate Education of Hanoi University of Science and Technology.)

6. KẾ HOẠCH GIẢNG DẠY (Teaching Plan)

6.1. Kế hoạch giảng dạy về lý thuyết và bài tập (Lecture/classwork teaching plan)

CĐR
Hoạt Bài đánh
học
Tuần Nội dung động dạy giá
phần
(Week) (Contents) và học (Evaluation
(Course
(Activities) methods)
outcomes)
[1] [2] [3] [4] [5]
1 Chương 1: Giới thiệu chung về cấu kiện điện tử M1 Giảng bài A1, A2
(Introduction to electronic devices) (Lecture)
1.1 Định nghĩa và phân loại cấu kiện điện tử
(Electronic device definition and classifications)
1.2 Xu thế phát triển của công nghệ điện tử
(Development trend of electronic technology)
Chương 2: Vật liệu bán dẫn và diode bán dẫn
(Semiconductor materials and semiconductor diodes)
2.1 Những tính chất cơ bản của vật liệu bán dẫn
(Semiconductor material characteristics)
2.2 Chất bán dẫn thuần, bán dẫn loại N, bán dẫn loại
P; và dòng điện trong chất bán dẫn (Intrinsic type,
N-type, P-type semiconductors; and current in
semiconductors)
2 2.3 Ký hiệu, cấu tạo, và nguyên lý làm việc của diode M2, M3, Đọc A1, A2,
bán dẫn (Symbol, structure, and operation of M4.1, trước tài A3
semiconductor diodes) M4.2 liệu
2.4 Đặc tuyến vôn-ampe và phương trình Shockley (Reading
(Characteristic curve and Shockley equation) before
class);
2.5 Các tham số chính của diode (Important parameters
of diodes) Giảng bài
(Lecture)
2.6 Sơ đồ tương đương của diode (Diode equivalent
models)
3 2.7 Một số ứng dụng điển hình của diode trong thực tế M2.1, Đọc A1, A2,
(Typical applications of diodes) M3.2, trước tài A3
2.8 Diode Zener và ứng dụng ổn áp (Zener diode and M5 liệu
voltage regulation application) (Reading
before
2.9 Các thông tin quan trọng về diode trong tài liệu kỹ
class);
thuật do nhà sản xuất cung cấp (Important
information in diode datasheets) Giảng bài
(Lecture)
Chương 3: Transistor tiếp xúc lưỡng cực (Bipolar
junction transistors, BJT)
3.1 Ký hiệu và cấu tạo của BJT (Symbol and structure of
BJT)
4 3.2 Nguyên lý làm việc của BJT (Operation of BJT) M2.2, Đọc A1, A2,
3.3 Hệ số α, β, và hFE (Factors alpha, beta, and hFE) M2.3, trước tài A3
M3.2 liệu
3.4 Yếu tố ảnh hưởng đến hệ số khuếch đại dòng điện
(Reading
của BJT (Factors affect the DC current gain of BJT) before
class);
Giảng bài
(Lecture)
5 3.5 Các dạng mắc mạch và các họ đặc tuyến tĩnh M3.1, Đọc A1, A2,
(Transistor configurations and characteristic curves) M4.1 trước tài A3
3.6 Đường tải một chiều và điểm làm việc tĩnh (DC liệu
load line and DC operating point) (Reading
before
class);
Giảng bài
(Lecture)
6 3.7 Các phương pháp phân cực cơ bản cho BJT: phân M4.1, Đọc A1, A2,
cực bằng dòng cố định / phân cực Base, phân cực M4.2 trước tài A3
bằng hồi tiếp Emitter / phân cực Emitter, phân cực liệu
bằng phân áp, và phân cực bằng hồi tiếp Collector (Reading
(Basic BJT bias circuits: fixed bias / Base bias, Emitter- before
feedback bias / Emitter bias, voltage-divider bias, and class);
Collector-feedback bias) Giảng bài
3.8 Hệ số ổn định S (Stability factors) (Lecture)

7 3.9 BJT ở chế độ chuyển mạch (BJT as a switch) M3.2, Đọc A1, A2
3.10 Mô hình tương đương của BJT (BJT equivalent M3.3 trước tài
models) M5 liệu
(Reading
3.11 Tham số chính, giới hạn vùng làm việc, và thông
before
tin quan trọng về BJT trong tài liệu kỹ thuật do class);
nhà sản xuất cung cấp (Parameters, limits of
operation, and important information in BJT Giảng bài
datasheets) (Lecture)
8 Chương 4: Transistor hiệu ứng trường (Field-effect M2, M3, Đọc A2, A3
transistor, FET) M4.1, trước tài
4.1 Khái niệm và phân loại transistor trường (FET M4.2 liệu
definition and classification) (Reading
before
4.2 Transistor trường JFET (Junction FET):
class);
 Ký hiệu, cấu tạo, nguyên lý làm việc, và họ đặc Giảng bài
tuyến tĩnh (Symbol, structure, operation, and (Lecture)
characteristic curves)
 Phương trình Shockley mô tả đặc tuyến ra
(Shockley equation)
9  Các tham số chính (Important parameters) Đọc A2, A3
 Phân cực và xác định điểm làm việc tĩnh trước tài
(Biasing and DC operating point) liệu
 Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của JFET (Reading
(JFET equivalent models) before
class);
Giảng bài
(Lecture)
10 4.3 Transistor trường E-MOSFET và D-MOSFET M2, Đọc A2
(Enhancement and depletion metal oxide semiconductor M3.1 trước tài
FETs): liệu
 Ký hiệu và cấu tạo (Symbol and structure) (Reading
 Nguyên lý làm việc (Operation) before
class);
 Họ đặc tuyến tĩnh (Characteristic curves)
 Phương trình Shockley mô tả đặc tuyến ra Giảng bài
(Shockley equation) (Lecture)

11  Tham số chính (Important parameters) M3.2, Đọc A2

 Phân cực và xác định điểm làm việc tĩnh M3.3, trước tài
(Biasing and DC operating point) M4.1, liệu
 Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của M4.2 (Reading
MOSFET (MOSFET equivalent models) before
class);
4.4 Các thông tin quan trọng về FET trong tài liệu kỹ
thuật do nhà sản xuất cung cấp (Important Giảng bài
information in FET datasheets) (Lecture)

12 Chương 5: Vi mạch tương tự (Analog integrated M2, Đọc A2, A3

circuits) M3.1, trước tài
5.1 Vi mạch khuếch đại thuật toán – KĐTT M3.3, liệu
(Operational amplifiers – Op-amps): M4.1 (Reading
before
 Giới thiệu về KĐTT (Introduction to Op-amps) class);
 Ký hiệu, cấu tạo, và nguyên lý làm việc
(Symbol, structure, and operation) Giảng bài
(Lecture)
 Mô hình tương đương ở tần số thấp (Op-amp
equivalent models)
 Các dạng mắc tín hiệu đầu vào đối với KĐTT
(Op-amp input modes)
 Đặc tuyến truyền đạt điện áp và đáp ứng tần số
(Voltage transfer curves and frequency response)
13  Các tham số một chiều và xoay chiều (DC and M3.2, Đọc A2, A3
AC parameters) M4.1, trước tài
 Mạch khuếch đại vòng đóng (Closed-loop M4.2, liệu
amplifiers) M5 (Reading
 KĐTT ở chế độ so sánh điện áp tương tự (Op- before
amp as an analog comparator) class);
 5.2 Vi mạch khuếch đại vi sai: cấu tạo, nguyên lý làm Giảng bài
việc, và tham số (Differential amplifiers: structure, (Lecture)
operation, and parameters)
5.3 Vi mạch khuếch đại đo: cấu tạo, nguyên lý làm
việc, và tham số (Instrumentation amplifiers:
structure, operation, and parameters)
14 Chương 6: Vi mạch số (Digital integrated circuits) M2, Đọc A2, A3
6.1 Giới thiệu và phân loại IC số (Introduction to digital M3.2 trước tài
ICs and their classifications) liệu
(Reading
6.2 Các đặc trưng cơ bản của IC số (Basic
before
characteristics of digital ICs)
class);
6.3 Vi mạch số họ TTL (Transistor-transistor logic Giảng bài
family):
(Lecture)
 Phân loại, cấu tạo, nguyên lý làm việc
(Classifications, structure, and operation)
 Giản đồ mức logic, mức chống nhiễu, nguyên
tắc tải, và các tham số khác (Logic voltage level,
noise margin, sinking and sourcing, and other
parameters)
15 6.4 Vi mạch số họ CMOS (CMOS logic family): M2, Đọc A2, A3
 Cấu tạo và nguyên lý làm việc của NMOS, M3.2, trước tài
PMOS, và CMOS (Structure and operation of M4.1, liệu
NMOS, PMOS, and CMOS families) M5 (Reading
before
 Giản đồ mức logic, mức chống nhiễu, nguyên
class);
tắc tải, và các tham số khác (Logic voltage level,
noise margin, sinking and sourcing, and other Giảng bài
parameters) (Lecture)
6.5 Giao tiếp giữa các họ logic (Logic families
interfacing):
 Tính tương thích giữa các mức logic (Logic
level compatibility)
 Giao tiếp giữa các loại IC số: TTL-TTL,
CMOS-CMOS, TTL-CMOS, CMOS-TTL, và
các phương pháp đảm bảo tương thích giữa các
họ IC số (Interfacing: TTL-TTL, CMOS-CMOS,
TTL-CMOS, CMOS-TTL; and general interfacing
solutions)
Chương 7: Cấu kiện quang điện tử (Optoelectronic
devices)
7.1 Giới thiệu chung và phân loại (Introduction to
optoelectronic devices and their classifications)
7.2 Điện trở quang, diode quang, và transistor quang:
cấu tạo, nguyên lý làm việc, và tham số
(Photoresistor, photodiode, and phototransistor:
structure, operation, and parameters)
7.3 Diode phát quang: cấu tạo, nguyên lý làm việc, và
tham số (Light emitting diode: structure, operation,
and parameters)
7.4 Pin mặt trời: cấu tạo, nguyên lý làm việc, và tham
số (Solar cell: structure, operation, and parameters)

Tổng kết học phần (Summary and Revision)

 6.2. Kế hoạch giảng dạy thí nghiệm (Lab teaching plan)
CĐR
Bài đánh
học Hoạt động dạy và
Tuần Nội dung giá
phần học
(Week) (Contents) (Evaluation
(Course (Activities)
methods)
outcomes)
[1] [2] [3] [4] [5]
1 Đo đặc tuyến của diode (Measuring the M2, Đọc trước tài liệu; A3
characteristic curves of diodes) M3.1, (Reading before
- Đo đặc tuyến vôn-ampe của diode chỉnh M3.2, class)
lưu (Measuring the V-I characteristic curve M4 Giảng bài và
of a rectifier diode) hướng dẫn thực
- Đo đặc tuyến vôn-ampe của diode ổn áp hành trên các mô-
(Measuring the V-I characteristic curve of a đun và thiết bị đo
Zener diode) kiểm
- Đo đặc tuyến tần số của diode chỉnh lưu (Lecture and
(Measuring the frequency response of a experimental
rectifier diode) guidance on module
and evaluation
device)
2 Đo đặc tuyến và tham số của BJT (Measuring M2, Đọc trước tài liệu; A3
the characteristic curves and parameters of a M3.1, (Reading before
BJT) M3.2, class)
- Đo đặc tuyến collector của BJT M4 Giảng bài và
(Measuring the collector characteristic hướng dẫn thực
curves of a BJT) hành trên các mô-
- Đo tham số tín hiệu nhỏ của BJT đun và thiết bị đo
(Measuring small-signal parameters of a kiểm
BJT)
(Lecture and
Hoặc (Or) experimental
Đo đặc tuyến và tham số của JFET guidance on module
(Measuring the characteristic curves and and evaluation
parameters of a JFET) device)
- Đo đặc tuyến máng và đặc tuyến truyền
đạt của JFET (Measuring the drain
characteristic curves and universal transfer
characteristic curve of a JFET)
- Đo tham số tín hiệu nhỏ của JFET
(Measuring small-signal parameters of a
JFET)
3 Khảo sát đặc tuyến biên độ và đặc tuyến tần M3.1, Đọc trước tài liệu; A3
số của IC khuếch đại thuật toán (Measuring M3.2, (Reading before
the voltage transfer curve and frequency M4 class)
response of an Op-amp) Giảng bài và
Hoặc (Or) hướng dẫn thực
Đo tham số hoạt động của cổng logic gồm hành trên các mô-
điện áp, dòng điện, và trễ cổng (Measuring đun và thiết bị đo
operating parameters of logic gates including kiểm
voltage, current, and propagation delay) (Lecture and
experimental
guidance on module
and evaluation
device)
7. QUY ĐỊNH CỦA HỌC PHẦN (Course Requirement)

Không (None)

8. NGÀY PHÊ DUYỆT (Approved Date): …………………..

Chủ tịch Hội đồng Nhóm xây dựng đề cương

9. QUÁ TRÌNH CẬP NHẬT (Update Reference)

Ngày
Lần
tháng Áp dụng từ
cập Nội dung điều chỉnh Ghi chú
được phê kỳ/khóa
nhật
duyệt
1 ……………
2 ……………

10. NỘI DUNG CẬP NHẬT SO VỚI ĐỀ CƯƠNG TRƯỚC ĐÓ

 Cách đánh giá học phần:
+ Thay đổi tỷ lệ điểm giữa các thành phần từ (30% quá trình + 70% cuối kỳ) thành (40%
quá trình + 60% cuối kỳ).
 Bài thí nghiệm:
+ Bổ sung thêm tùy chọn đo đặc tuyến và tham số của JFET vào bài thí nghiệm số 2, và
tùy chọn đo tham số hoạt động của cổng logic vào bài thí nghiệm số 3.