Elektronik 1

2013-2014 Güz Dönemi Elektronik I Lab.
Deney 1: Diyot Karakteristikleri

Deneyin Amacı: Silisyum diyotların karakteristiğini anlayabilmek.
Deney İçin Gerekli Elektronik Elemanlar
• Direnç
o 1 Adet 1 kΩ
o 1 Adet 1 MΩ
• Diyot
o 1N4001
Deneyde Kullanılacak Araç&Gereçler
Seri No
Dijital AVO metre
DC Güç Kaynağı
Teorik Bilgi
Günümüzdeki birçok dijital AVO metre, bir diyotun sağlam olup olmadığını belirlemek
amacı ile kullanılabilir. Eğer AVO metre ile diyot arasındaki bağlantı doğru öngerilimleme
durumunda olduğu gibi ise ölçü aleti, diyot üzerinden yaklaşık 2 mA geçtiğinde görülecek
olan voltaj değerini gösterecektir. AVO metre ile diyot arasındaki bağlantı ters öngerilimleme
durumunda olduğu gibi ise ölçü aleti üzerinde “OL” yazısı görülecektir. Eğer ölçü aletinin
diyot-test özelliği yoksa direnç ölçme kademesinden faydalanılarak diyotun sağlam oluğ
olmadığı test edilebilir. Her iki teknikte deneyimizin ilk adımında uygulanacaktır.
Silisyum veya germanyum diyotların karakteristikleri genel olarak şekil 1.1’de olduğu
gibidir. Yatay ve dikey eksenlerin ölçeklerinin farklı olduklarına dikkatinizi çekmiştir. Ters
öngerilimleme durumunda ters doyma akımı 0 V ile VZ arasında oldukça sabittir. Doğru
öngerilimleme durumunda ise diyot voltajı arttıkça akımın oldukça hızlı biçimde artmaktadır.
1
Şekil 1.1
Karakteristiği üzerindeki herhangi bir noktada bir diyotun DC veya statik direnci, o
noktadaki voltaj değerinin akım değerine bölünmesiyle belirlenir.
VD
RDC = (1.1)
ID
Diyot özel bir akımında veya gerilimindeki AC direnç ise şekil 1.2’de gösterildiği gibi o
akım veya gerilim değerine karşılık gelen noktada karakteristik eğrisine teğet çizilerek
belirlenir. Bulunan voltaj (ΔV) ve akım (ΔI) değişimlerinin oranı bize AC veya dinamik
direnci verecektir.
∆V
rD = (1.2)
∆I
Şekil 1.2
2
Yapılacak biraz işlemle AC direnç, karakteristik eğrinin dik bölgesinde aşağıdaki gibi
bulunabilir.
26 mV
rD = ohm (1.3)
ID
Diyot akımının, karakteristik eğrisinin bükülme bölgesinde ve bu bölgenin altında olduğu
durumlarda ise bir silisyum diyotun AC direnci aşağıdaki formülle ifade edilir.
 26 mV 
rD = 2 ×   ohm (1.4)
I
 D 
Deneyin Yapılışı
Kısım 1: Diyodun Test Edilmesi
Dijital AVO metrelerin diyot test kademesi diyodun sağlam olup olmadığının
belirlenmesinde kullanılabilir. Diyodun anodu ölçü aletinin kırmızı probuna, katodu ise siyah
probuna bağlandığında diyodun “eşik gerilimi” ölçü aletinin göstergesinde görülecektir.
Bağlantı ters yapıldığında ise ölçü aletinin göstergesinde “OL” yazısı görülecektir.
Şekil 1.3’te gösterilen bağlantıyı yaparak Tablo 1.1’i doldurunuz.
Şekil 1.3
Test Si
Doğru Öngerilimleme (Forward Bias)
Ters Öngerilimleme (Reverse Bias)

Tablo 1.1
3
Kısım 2: Düz Öngerilimleme Diyot Karakteristikleri

Bu kısımda bir diyodun düz belseme karakteristiğini çizebilmeye yetecek kadar veri
elde edilecektir.
a. Şekil 1.3’teki devreyi E gerilimi 0 V’u göstermek üzere kurunuz.
Şekil 1.4
b. E gerilimini artırarak direnç üzerine düşen VR geriliminin 0.1 V olmasını
sağlayınız. Bu durumda diyot üzerine düşen VD gerilimini ölçerek Tablo 1.2’ye

kaydediniz. Son olarak Tablo 1.2’de verilen denklemi kullanarak diyot üzerinden
geçen I D akımını hesaplayınız ve Tablo 1.2’ye kaydediniz.
VR (V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
VD (V)
VR
ID = (mA)
Rölçülen
VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD (V)
VR
ID = (mA)
Rölçülen
Tablo1.2
4
c. (b) adımını Tablo 1.2’deki diğer VR değerleri için tekrarlayınız.
d. Şekil 1.5 üzerine VD değerlerine karşılık gelen I D değerlerini işaretleyerek

silisyum diyodun düz öngerilimleme karakteristiğini elde ediniz.
Şekil 1.5
Kısım 3: Diyodun Ters Beslenmesi
a. Şekil 1.6’da bir diyodun ters beslenmesi gösterilmiştir. Diyodun ters doyma akımı
çok küçük olduğundan, R direnci üzerindeki gerilimin ölçülebilir boyutta
olabilmesi için büyük değerli bir direnç gerekmektedir. Şekil 1.6’daki devreyi
kurunuz.
5
Şekil 1.6
b. VR gerilimini ölçünüz. Diyodun ters doyma akımını (reverse saturation current)
I S = VR ifadesini kullanarak hesaplayınız. DMM’nin iç direncide

( Rölçülen RM )
hesaba katılmalıdır çünkü devredeki R direncinin değeri çok büyüktür. RM değeri

sizlere laboratuar sorumluları tarafından bildirilecektir.
RM = _______
(ölçülen) VR = _______
(hesaplanan) I S = _______
c. Silisyum diyot için DC direnç düzeyini R DC = (E − V R ) ifadesini kullanarak

IS
hesaplayınız.
(hesaplanan) RDC = _______

Kısım 4: DC Direnç (Statik Direnç)
a. Tablo 1.2’deki verileri kullanarak Tablo 1.3’de verilen akım değerlerine karşılık
gelen diyot voltajlarını belirleyiniz. Sonra her bir akım değeri için DC dirençleri
bulunuz.
I D (mA) VD RDC
0.2
10
Tablo 1.3
b. Diyot akımı arttığında DC direnç nasıl bir eğilim gösteriyor? Neden?

Çünkü;
6
Kısım 5: AC Direnç (Dinamik Direnç)
a. rd = ∆V ifadesini ve Tablo1.2’y’i kullanarak, I D = 9 mA için silisyum

∆I
diyodun AC direncini belirleyiniz.
(hesaplanan) rd = ______
b. rd = 26 mV ifadesini kullanarak, I D = 9 mA için silisyum diyodun AC

I D (mA)
direncini belirleyiniz.
c. (a) adımını I D = 2 mA için tekrarlayınız.
d. Denklem 1.4’ü kullanarak I D = 2 mA için silisyum diyodun AC direncini

belirleyiniz.
Kısım 6: Sıcaklık Etkileri

a. Şekil 1.4’teki devreyi tekrar kurunuz ve VR gerilimini 1 V’a ayarlayarak diyot
üzerinden 1 mA geçmesini sağlayınız. Diyodu ısıttığımızda VD geriliminin

değişimini gözlemleyiniz.
VR
b. I D = olduğuna göre diyodu ısıttığımızda diyot akımı nasıl değişir?
R
VD
c. RDiyot = olduğuna göre sıcaklık arttığında diyodun direnci nasıl değişir?
ID
7
Deney 2: Yarım ve Tam Dalga

Doğ rultucular
Deneyin Amacı: Yarım dalga ve tam dalga doğrultmayı anlayabilmek.
• Direnç
o 1 Adet 10 kΩ
o 2 Adet 2.2 kΩ
o 1 Adet 3.3 kΩ
• Kondansatör
o 2 Adet 220 µF
• Diyot
o 4 Adet 1N4001
Seri No
Dijital Multimetre
Fonksiyon Jeneratörü
Osiloskop
Teorik Bilgi
Yarım dalga ve tam dalga doğrultucu sistemlerin asıl fonksiyonu, girişindeki
sinüzoidal sinyalden DC düzeye sahip bir sinyal elde etmektir.
Şekil 2.1’deki yarım-dalga sinyal bir diyotlu bir devreden elde edilmiştir. Yarım dalga
doğrultulmuş sinyalin DC düzeyi pik değerinin %31.8’i kadar olacaktır.
8
Şekil 2.1
Şekil 2.2’de görülen tam dalga doğrultulmuş sinyalin DC düzeyi ise yarım dalga
doğrultulmuş sinyalin DC düzeyinin iki katı olacaktır yani pik değerinin %63.6’sı kadar
olacaktır.
Şekil 2.2
Büyük sinüzoidal girişler için ≫ diyot üzerine düşen eşik gerilimi ihmal
edilebilir. Buna karşın sinüzoidal işaretin pik değerinin eşik gerilimi ’den çok büyük
olmadığı durumlarda, gerilimi doğrultulmuş sinyalin DC düzeyinde önemli derecede
etkilere sahip olacaktır.
Doğrultma sistemlerinde PIV (peak inverse voltage) veya Zener kırılma voltajı
dikkatle göz önüne alınmalıdır. Tek diyotlu yarım dalga doğrultucu sistemlerde PIV değeri
uygulanan sinüzoidal sinyalin maksimum değerine eşit olmalıdır. Dört diyotlu tam dalga
doğrultucu sistemlerde de PIV değeri uygulanan sinyalin pik değerine eşit olmalıdır.
9
Kısım 1: Eşik Voltajı
Silisyum diyotlardan bir tanesini seçiniz ve eşik gerilimini bir önceki deneyde
anlatıldığı üzere DMM (Dijital AVO metre) ile belirleyiniz.
= _________
Kısım 2: Yarım Dalga Doğrultma

a. Bir önceki kısımda seçtiğiniz diyodu kullanarak Şekil 2.3’teki devreyi kurunuz.
Kullandığınız direncin ölçülen değerini kaydediniz. Devreye uygulayacağınız
sinyalin frekansını 1000 Hz ve tepeden tepeye gerilimini 8 V’a ayarlayınız.
e = 4 sin wt
f = 1000 Hz
Şekil 2.3
b. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

voltajını elde ediniz ve şekil 2.4 üzerine çiziniz. Çıkış voltajı ’ı gözlemlemeden
önce AC-GND-DC anahtarı GND pozisyonunda iken çıkış geriliminin =0
olduğundan emin olunuz.
10
Şekil 2.4
c. (b) adımında bulduğunuz yarım dalga doğrultulmuş sinyalin DC düzeyini

hesaplayınız.
Hesaplanan =_______
d. çıkış geriliminin DC düzeyini bir DMM’nin DC kademesini kullanarak ölçünüz

ve ölçtüğünüz değer ile hesapladığınız değer arasındaki farkı % olarak bulunuz.
− ö"ç
% Fark= × 100
Ölçülen = _______
% Fark=___________
e. Şekil 2.3’deki diyodu ters çeviriniz ve çıkış dalga formunu osiloskop kullanarak
elde ediniz ve çıkış dalga formunu şekil 2.5 üzerine çiziniz. AC-GND-DC
anahtarının DC konumda olduğundan emin olun ve ölçümden önce anahtar GND
konumunda iken =0 olmasını sağlayınız.
11
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 2.5
f. Elde ettiğiniz dalga formunun DC düzeyini ölçünüz ve hesaplayınız.
hesaplanan ________
ölçülen ________
12
Kısım 3: Tam Dalga Doğrultma (Köprü Konfigürasyonu)

a. Şekil 2.9’da verilen tam dalga köprü tipi doğrultucuyu kurunuz. Diyotların ve
topraklamanın şekilde gösterildiği gibi yapılmasına dikkat ediniz.
e = 10 sin wt
f = 1000 Hz
Şekil 2.6
b. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

önce AC-GND-DC anahtarı GND pozisyonunda iken çıkış geriliminin 0
13
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 2.7
c. Tam dalga doğrultulmuş işaretin DC düzeyini hesaplayınız.
ℎ*+,-.,/,/ 0____________
d. DMM’nin DC kademesinde çıkış voltajını ölçünüz ve ölçtüğünüz değer ile

hesapladığınız değer arasındaki farkı % olarak bulunuz.
ö.çü.*/ = ______________
% Fark = ______________
14
g. 12 ve 13 diyotları 2.2kΩ ile değiştirerek çıkış geriliminin dalga formunu

osiloskopla ölçünüz ve şekil 2.11 üzerine çiziniz.
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 2.8
h. Şekil 2.11’deki dalga formunun DC düzeyini hesaplayınız.
ℎ*+,-.,/,/ 0____________
i. DMM’nin DC kademesinde çıkış voltajını ölçünüz ve ölçtüğünüz değer ile

hesapladığınız değer arasındaki farkı % olarak bulunuz.
ö.çü.*/ = ______________
% Fark = ______________
15
Kısım 6: Tam Dalga Doğrultulmuş Sinyalin Filtrelenmesi

a. Şekil 2.12’da gösterilen devreyi kurunuz.
e = 10 sin wt
f = 1000 Hz
Şekil 2.9
b. 45 10 6Ω değerindeki direncin üzerindeki sinyali osiloskop ile görüntüleyiniz.

Osiloskobun AC-GND-DC anahtarının DC konumundaki dalga formunu ve AC
konumundaki dalga formunu şekil 2.10 ve şekil 2.11 üzerine çiziniz.
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 2.10
16
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 2.11
c. Şekil 2.12’deki devreye 220 μ: değerindeki kondansatörü şekil 2.15’deki gibi

bağlayınız.
e = 12 sin wt
f = 1000 Hz
Şekil 2.12
17
d. 45 10 6Ω değerindeki direncin üzerindeki sinyali osiloskop ile görüntüleyiniz.

Osiloskobun AC-GND-DC anahtarının DC konumundaki dalga formunu ve AC
konumundaki dalga formunu şekil 2.13 ve şekil 2.14 üzerine çiziniz.
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 2.13
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 2.14
18
e. Osiloskobun AC-GND-DC anahtarı DC konumunda iken belirlediğiniz bir noktanın

gerilim değerinden, AC-GND-DC anahtarı AC konumunda iken aynı noktaya denk
gelen gerilim değerini çıkartınız ve bu değeri kaydediniz.. Elde ettiğimiz bu değer
bize çıkış sinyalinin ortalama değerini verecektir.
5 ;< " __________________
İkinci olarak 45 direnci üzerinden alınan periyodik sinyalin tepeden tepeye

=>?>
genliğini ölçerek periyodik sinyalin etkin (rms) değerini 5 ; = @√2
denkleminden faydalanılarak hesaplayınız.
5 ; = __________________
f. Denklem (2.1)’den faydalanarak çıkış sinyalinin dalgalılık katsayısının % değerini

bulunuz.
çC6Cş +E/F,.E/E/ ,G HE.*ş*/E/E/ *I6E/ BJ+ K*ğ*BE

%B = × 100
çC6Cş +E/F,.E/E/ MBI,.,J, K*ğ*BE
(2.1)
%B = ______________
19
g. Şekil 2.22’deki devrede 220 μ:’lık kondansatöre başka bir 220 μ: değerindeki
kondansatörü paralel bağlayarak çıkış sinyalinin dalgalılık katsayısının % değerini
bulunuz.
%B = ______________
20
21
Deney 3: Kırpıcı Devreler

Deneyin Amacı: Kırpıcı devrelerin çalışma prensibini anlayabilmek.
• Direnç
o 1 Adet 2.2 kΩ
• Diyot
o 1 Adet 1N4001
Seri No
Dijital AVO metre
Osiloskop
Teorik Bilgi
Girişine uygulanan sinyalin bir kısmını kırpmaya yarayan bu devreler genellikle bir
direnç-diyot kombinasyonundan meydana getirilir. Uygulanan voltajın kırpılan kısmının
kaydırılması için ek olarak DC gerilim kaynakları bu devrelere dahil edilebilir. Kırpıcıların
temel davranışları anlaşıldığında devre elemanlarının çeşitli pozisyonları için devrenin çıkışı
tahmin edilebilir ve daha az çaba ile devrenin analizi yüksek hassasiyet ile yapılabilir.
Silisyum diyodun eşik gerilimini bir önceki deneyde anlatıldığı üzere DMM (Dijital
Multi Metre) ile belirleyiniz.
_________
22
Kısım 2: Paralel Kırpıcılar

a. Şekil 3.1’deki kırpıcı devreyi kurunuz. Devreye uygulanacak olan 8 O kare
dalgayı 1000 Hz frekansına ayarlayınız.
Vi R
2.2 kΩ
+
+4
V
+ V P − P = 8V
T t f = 1000 Hz
T/2 VO
- E
-4 1. 5V
V
-
Şekil 3.1
b. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak 0 R I R S/2 aralığı için U
gerilimini hesaplayınız.
)*+,-.,/,/ U _____________
c. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak S/2 R I R S aralığı için U
)*+,-.,/,/ U _____________
23
d. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 3.2
e. Şekil 3.1’deki devrede DC gerilim kaynağını ters çeviriniz ve 4, Q * ’nin

ölçülen değerlerini kullanarak 0 R I R S/2 aralığı için U gerilimini hesaplayınız.
)*+,-.,/,/ U _____________
f. (f) adımında yaptığınız işlemi S/2 R I R S aralığı için tekrarlayınız.
)*+,-.,/,/ U _____________
24
g. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 3.3
Kısım 3: Paralel Kırpıcılar (Sinüzoidal Giriş)

a. Şekil 3.1’deki devreyi tekrar kurunuz ancak giriş sinyalini 8 O ve 1000 Hz
sinüzoidal sinyal uygulayınız.
b. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak 0 R I R S/2 aralığı için U
)*+,-.,/,/ U _____________
c. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak S/2 R I R S aralığı için U
)*+,-.,/,/ U _____________
25

V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 3.4
Kısım 4: Seri Kırpıcılar

V P − P = 8V
f = 1000 Hz
Şekil 3.5
26
b. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak 0 ≤ I ≤ S/2 aralığı için U
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
c. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak S/2 ≤ I ≤ S aralığı için U
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________

V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 3.6
27
e. Şekil 3.5’deki devrede DC gerilim kaynağını ters çeviriniz ve 4, Q * ’nin

ölçülen değerlerini kullanarak S/2 ≤ I ≤ S aralığı için U gerilimini hesaplayınız.
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
f. (e) adımında yaptığınız işlemi S/2 ≤ I ≤ S aralığı için tekrarlayınız.
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
g. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 3.7
28
29
Deney 4: Kenetleyici Devreler

Deneyin Amacı: Kırpıcı devrelerin çalışma prensibini anlayabilmek.
• Direnç
o 1 Adet 100 kΩ
• Diyot
o 1 Adet 1N4001
• Kondansatör
o 1 Adet 1 µF
Seri No
Dijital AVO metre
Osiloskop
Teorik Bilgi
Kenetleyici devreler, girişindeki alternatif sinyalin dalga formunun tepeden tepeye
karakteristiğini değiştirmeden istenilen DC düzeye ayarlayabilen yada “kenetleyebilen”
devrelerdir. Kenetleyici devreler içerdiği kondansatörden dolayı kırpıcı devrelerden kolaylıkla
ayırt edilebilirler. Basit bir kenetleyici devresi bir diyot, bir direnç ve bir kondansatörden
meydana gelir. Bazı kenetleyici devrelerinde ayrıca DC gerilim kaynağı da bulunabilir.
Kenetleyici devreleri analiz etmenin en iyi yolu devreyi adım adım çözmektir. İlk adım, giriş
sinyalinin diyodu düz beslediği zaman aralığında devreyi incelemek olmalıdır. Diyot düz
beslendiğinde, kondansatör uçlarındaki gerilim ve çıkış terminalleri incelenebilir. Analizin
geriye kalan kısmında, diyot ters beslenecek ve kondansatör üzerinde birken yükten dolayı
kondansatör uçlarında DC voltaj oluşacaktır. Dolayısıyla bu bölümde diyot açık devre gibi
davranacak ve çıkış uçlarındaki sinyal buna göre analiz edilebilecektir.
Kenetleyicilerin analizinin doğru yapılıp yapılmadığı kolaylıkla kontrol edilebilir.
Eğer çıkış sinyalinin tepeden tepeye dalga formu giriş sinyali ile aynı ise yapılan analiz
doğrudur. Bununla birlikte yapılan bu kontrol işlemi analizin tamamen doğru olduğunu
göstermez.
30
Silisyum diyodun eşik gerilimini bir önceki deneyde anlatıldığı üzere DMM (Dijital
AVO metre) ile belirleyiniz.
_________
Kısım 2: Kenetleyiciler
V P − P = 4V
f = 1000 Hz
Şekil 4.1
b. 1. Kısımda bulduğunuz değerini kullanarak ve U değerlerini diyodun düz

beslendiği bölgede hesaplayınız.
31
ℎ*+,-.,/,/ = _____________
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
c. (b) adımında bulduğunuz sonuçları kullanarak diyodun ters beslendiği bölgede U
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
d. (b) ve (c) adımlarında hesapladığınız değerleri kullanarak tahmin ettiğiniz çıkış

dalga formunu şekil 4.2 üzerine çiziniz.
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.2
e. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

32

V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.3
f. Şekil 4.1’deki devrede diyodu ters çeviriniz ve 1. Kısımda bulduğunuz değerini
kullanarak ve U değerlerini diyodun düz beslendiği bölgede hesaplayınız.
ℎ*+,-.,/,/ _____________
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
g. (f) adımında bulduğunuz sonuçları kullanarak diyodun ters beslendiği bölgede U
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
h. (f) ve (g) adımındaki sonuçları kullanarak U çıkış geriliminin dalga formunu şekil
4.4 üzerine çiziniz.
33
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.4
i. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.5
Kısım 3: DC Gerilim Kaynağı ile Kenetleyiciler
34

C
1 µF
Vi
+
+
+3 V VP− P = 6V
R
T/2
T t - f = 1000Hz 100 kΩ VO
E
-3 V
1.5 V
Şekil 4.6
b. 1. Kısımda bulduğunuz değerini kullanarak ve U değerlerini diyodun düz

beslendiği bölgede hesaplayınız.
ℎ*+,-.,/,/ _____________
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
c. (b) adımında bulduğunuz sonuçları kullanarak diyodun ters beslendiği bölgede U
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
d. (b) ve (c) adımlarında hesapladığınız değerleri kullanarak tahmin ettiğiniz çıkış

dalga formunu şekil 4.7 üzerine çiziniz.
35
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.7
e. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.8
f. Şekil 4.6’daki devrede diyodu ters çeviriniz ve 1. Kısımda bulduğunuz değerini

kullanarak ve U değerlerini diyodun düz beslendiği bölgede hesaplayınız.
36
ℎ*+,-.,/,/ = _____________
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
g. (f) adımında bulduğunuz sonuçları kullanarak diyodun ters beslendiği bölgede U
ℎ*+,-.,/,/ U = _____________
h. (f) ve (g) adımındaki sonuçları kullanarak U çıkış geriliminin dalga formunu şekil
4.9 üzerine çiziniz.
V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.9
i. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış
37

V/DIV = _________
TIME/DIV = _________
Şekil 4.10
38
39
Deney 5: Işık Yayan (LED) ve Zener

Diyotlar
Deneyin Amacı: Işık yayan ve zener diyotların karakteristiğini ve çalışma prensibini
anlayabilmek.
• Direnç
o 1 Adet 100 Ω
o 1 Adet 2.2 kΩ
o 1 Adet 3.3 kΩ
o 2 Adet 1 kΩ
• Diyot
o LED
o Zener Diyot (10 V)
Seri No
Dijital AVO metre
Osiloskop
Teorik Bilgi
Işık yayan diyotlar adından da anlaşılacağı üzere yeterince enerjilendirildiğinde
görülen ışık yayabilen diyotlardır. LED yapımında kullanılan materyallerde (GaAsP, GaP vb.)
yeteri kadar foton açığa çıkarak görülebilen ışık kaynağı oluştururlar ki bu işleme
elektrolüminesans adı verilmektedir. Elektrolüminesans elektrik enerjisi ile ışık üretimi
anlamına gelmektedir. Kırmızı, sarı veya yeşil her LED’in parlak ışık yayabilmesi için gerekli
düz öngerilimleme voltajı ve akımı farklıdır. LED’ler düz beslenebilirler ancak gerekli olan
akım ve voltaj seviyesine ulaşılmadıkça ışık yaymayacaklardır. Bu deneyde bir LED’in
karakteristikleri çizilecek ve LED’in ışık yayabilmesi için gerekli olan akım ve voltaj
değerleri belirlenecektir.
Zener diyotlar, zener kırılma bölgesinin avantajlarından yararlanabilmek için
tasarlanan p-n eklemli aygıtlardır. Bir zener diyotta ters öngerilimleme potansiyeli zener
40
kırılma bölgesine ulaştığında, ideal zener diyotlar için sabitlenmiş bir terminal voltajı ve sıfır
iç dirençten söz edilebilir. Ancak gerçek diyotlar bir miktar iç dirence sahiptirler ve bu direnç
değeri 5-20 Ω civarındadır. İç direnç zener voltajındaki değişmenin kaynağıdır. Bu deneyde
değişik yüklerde terminal voltajındaki ve dolayısıyla akım düzeylerindeki değişmeler
açıklanacaktır.
Kısım 1: LED Karakteristikleri
a. Şekil 5.1’deki devreyi kurunuz. İlk olarak güç kaynağını 0 ’a ayarlayınız.
Şekil 5.1
b. Güç kaynağını ilk ışık fark edilene kadar yavaşça artırınız. ve X gerilimlerini
DMM kullanarak ölçünüz ve kaydediniz. gerilimine karşılık gelen Y XZ

4
akımını hesaplayınız.
ö.çü.*/ ___________
ö.çü.*/ X = ___________
ℎ*+,-.,/,/ Y = ___________
c. Güç kaynağını artırmaya parlak bir ışık görününceye kadar artırmaya devam ediniz.
ve X gerilimlerini DMM kullanarak ölçünüz ve kaydediniz. gerilimine
karşılık gelen Y = XZ
4 akımını hesaplayınız.
41
ö.çü.*/ = ___________
ö.çü.*/ X = ___________
ℎ*+,-.,/,/ Y = ___________
d. Şimdi güç kaynağını tablo 5.1’deki değerlere ayarlayarak ve X gerilimlerini

DMM kullanarak ölçünüz ve tablo 5.1’e kaydediniz. gerilimine karşılık gelen
Y = XZ
4 akımını hesaplayınız.
E(V) 0 1 2 3 4 5 6
Y = XZ
4 J[
Tablo 5.1
e. Tablo 5.1’deki verileri kullanarak Y − grafiğini şekil 5.2 üzerine çiziniz.
42
Şekil 5.2
Kısım 2: Zener Diyot Karakteristikleri

a. Şekil 5.3’teki devreyi kurunuz. İlk olarak güç kaynağını 0 ’a ayarlayınız.
Şekil 5.3
43
b. Güç kaynağını (E gerilimini) tablo 5.2’de görülen değerlere ayarlayarak \ ve X
gerilimlerini DMM kullanarak ölçünüz ve tablo 5.2’e kaydediniz.

Y\
E(V) \ X
= 4 ö.ç J[
XZ
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
Tablo 5.2
c. Tablo 5.2’ deki verileri kullanarak Y\ − \ grafiğini şekil 5.4 üzerine çiziniz.
44
Şekil 5.4
d. Kullandığınız zener diyodun \ zener gerilimini şekil 5.4’ten yaklaşık olarak
tayin ediniz.
F,6.,şC6 \ = ___________
∆=_
e. Y\ akımının lineer olduğu bölgede zener diyodun ortalama direncini B ] = ∆`_
denklemini kullanarak hesaplayınız.
ℎ*+,-.,/,/ 4\ = __________
f. (d) ve (e) adımlarındaki sonuçları kullanarak şekil 5.5’da verilen zener eşdeğer
devresinde gerekli değerleri yazınız.
45
a b a b
RZ
VZ
Şekil 5.5
4\ = __________ \ = ___________
Kısım 3: Zener Diyot Regülasyonu

a. Şekil 5.6’daki devreyi kurunuz. Dirençlerin ölçülen değerlerini kaydediniz.
+ VR -
IL
R +
1 kΩ
E 10 V RL VL
15 V IR IZ 1 kΩ
Zener
Şekil 5.6
b. 2. Kısımda bulduğunuz \ değerini kullanarak 5, X , Y5 , YX ve Y\ değerlerini

hesaplayınız.
ℎ*+,-.,/,/ 5 = _____________
ℎ*+,-.,/,/ X = _____________
ℎ*+,-.,/,/ YX = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y5 = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y\ = _____________
46
c. Şekil 5.6’daki devreyi enerjilendiriniz ve 5, X gerilimlerini ölçünüz. Bu değerleri

kullanarak Y5 , YX ve Y\ değerlerini hesaplayınız.
ö.çü.*/ 5 = _____________
ö.çü.*/ X = _____________
ℎ*+,-.,/,/ YX = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y5 = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y\ = _____________
d. 45 direncini 3.3 kΩ ile değiştiriniz ve (b) adımını tekrarlayınız.

ℎ*+,-.,/,/ 5 = _____________
ℎ*+,-.,/,/ X = _____________
ℎ*+,-.,/,/ YX = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y5 = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y\ = _____________
e. 45 = 3.3 6Ω iken devreyi enerjilendiriniz. 5, X gerilimlerini ölçünüz ve bu

değerleri kullanarak Y5 , YX ve Y\ değerlerini hesaplayınız.
ö.çü.*/ 5 = _____________
ö.çü.*/ X = _____________
ℎ*+,-.,/,/ YX = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y5 = _____________
ℎ*+,-.,/,/ Y\ = _____________
f. 4 ö"çü" c ve 2. Kısım (e) adımında bulduğunuz \ değerlerini kullanarak zener

diyodun “açık” olmasını sağlayacak en küçük 45 def değerini belirleyiniz.
ℎ*+,-.,/,/ 45 gc = ______________
47
g. (f) adımına dayanarak 45 direncini 2.2 kΩ seçtiğimizde zener diyot açık duruma
gelecek midir? Şekil 5.7’deki devreye 45 = 2.2 kΩ bağlayarak 5 gerilimini
ölçünüz.
ö.çü.*/ 5 = __________
48
49
Deney 6: BJT (Bipolar Junction

Transistor) Karakteristikleri
Deneyin Amacı:
1. Transistörlerin tipini, terminallerini ve hangi materyalden yapıldıklarını DMM
kullanarak belirlemek.
2. Deneysel metotlar kullanarak bir transistörün kolektör karakteristiklerini çizmek.
3. Bir transistörün alfa ve beta oranlarının değerlerini belirlemek.
• Direnç
o 1 Adet 1 kΩ
o 1 Adet 330 kΩ
o 1 Adet 5 kΩ potansiyometre
o 1 Adet 1 MΩ potansiyometre
• Transistörler
o 2N3904 veya eşdeğeri
Seri No
Dijital AVO metre
Güç Kaynağı
Teorik Bilgi
Bipolar transistörler hem silisyumdan hem de germanyumdan yapılırlar. n-tipi iki
katman arasına p-tipi katman büyütülerek yapılan transistörler npn, p-tipi iki katman arasına
n-tipi katman büyütülerek yapılan transistörlere ise pnp tipi transistörler denir. Her iki
durumda da ortadaki katman “beyz”, dıştaki katmanlar ise “kolektör” ve “emitör” olarak
adlandırılır. İşte bu yapı, uygulanacak voltajın polaritesini ve akımın yönünü belirler. Daha
sonra da görüleceği gibi emitör ucundaki ok akımın yönünü gösterir ve böylelikle bizlere
oldukça faydalı bir referans olur. Bu deneyin bir bölümünde transistörün tipinin, transistörün
yapıldığı materyalinin ve terminal uçlarının nasıl bulunacağı gösterilmektedir.
Çeşitli çalışma koşulları altında bipolar transistörlerle ilişkili akım ve gerilim
arasındaki bağıntılar transistörün performansını belirler. Bu bağıntılar transistörün
karakteristikleri olarak bilinir. Bu karakteristikler tarafından transistörün data sayfası olarak
50
yayınlanır. Bu deneyin bir amacıda bu karakteristikleri deneysel olarak ölçmek ve bu

değerleri yayınlanan değerler ile karşılşatırmaktır.
Kısım 1: Transistörlerin Tipinin, Terminallerinin Ve Materyalinin Belirlenmesi
a. Elinizdeki transistörün terminallerini şekil 6.1’de olduğu gibi 1, 2, 3 olarak
etiketleyin.
Şekil 6.1
b. AVO metreyi diyot test kademesine getiriniz.

c. AVO metrenin pozitif ucunu terminal 1’e ve negatif ucunu da terminal 2’ye
bağlayınız. Sonucu tablo 6.1’e kaydediniz.
BJT’ye bağlanacak uçlar Diyot Test Kademesi

Deney
Pozitif Negatif (veya en yüksek direnç kademesi)
adımları
c 1 2
d 2 1
e 1 3
f 3 1
g 2 3
h 3 2
Tablo 6.1
51
d. AVO metre uçlarını ters çevirin ve sonucu kaydediniz.

e. AVO metrenin pozitif ucunu terminal 1’e ve negatif ucunu da terminal 3’e
f. AVO metre uçlarını ters çevirin ve sonucu kaydediniz.
g. AVO metrenin pozitif ucunu terminal 2’ye ve negatif ucunu da terminal 3’e
h. AVO metre uçlarını ters çevirin ve sonucu kaydediniz.
i. İki terminal arasında ölçü aleti “O.L. veya çok yüksek direnç” gibi bir sonuç
gösteriyorsa polariteye bakmadan bu terminallerin hiçbirisinin “beyz”
olamayacağını söyleyebiliriz. Yukarıdaki bilgiye dayanarak “beyz” terminalini
tablo 6.2’ye kaydediniz.
Deney
adımları
i Beyz terminal
j Transistör tipi
k Kolektör terminali
k Emitör terminali
l Transistör materyali
Tablo 6.2
j. AVO metrenin negatif ucunu beyz terminaline ve pozitif ucunu da diğer

terminallerden herhangi birisine bağlayınız. Eğer AVO metre silisyum için yaklaşık
olarak 0.7 V veya germanyum için yaklaşık olarak 0.3 V veya düşük direnç değeri
gösteriyorsa transistör tipi pnp tipi transistördür. Eğer ölçü aletinden okunan değer
“O.L.” veya çok yüksek direnç değeri ise transistör npn tipi transistördür.
k. (j) adımında elde ettiğiniz transistör pnp tipi ise AVO metrenin negatif ucunu beyz
ucuna pozitif ucunu ise sırasıyla transistörün her iki ucuna da bağlayınız. Okunan
değerlerden küçük olan kolektör ucunu, diğeri ise emitör ucunu göstermektedir.
Bulduğunuz transistör uçlarını tablo 6.2’ye kaydediniz.
(j) adımında elde ettiğiniz transistör npn tipi ise AVO metrenin pozitif ucunu beyz
ucuna negatif ucunu ise sırasıyla transistörün her iki ucuna da bağlayınız. Okunan
52
değerlerden küçük olan kolektör ucunu, diğeri ise emitör ucunu göstermektedir.
Bulduğunuz transistör uçlarını tablo 6.2’ye kaydediniz.
l. 1(k) adımında okunan değerler 700 mV civarında ise transistör materyali

silisyumdur, okunan değerler 300 mV civarında ise transistör materyali
germanyumdur. Eğer AVO metrenin diyot test kademesi yoksa transistör materyali
direkt olarak tespit edilemez. Elinizdeki transistörün materyalini belirleyerek tablo
6.2’ye kaydediniz.
Kısım 2: Kolektör Karakteristikleri

a. Şekil 6.2’deki devreyi kurunuz.
Şekil 6.2
b. 1 MΩ’luk potansiyometrenin yardımıyla Xh voltajını 3.3V’a ayarlayınız. Bu
ayarlama ile Yh XhZ

4h akımını tablo 6.3’de gösterildiği gibi 10µA değerine
ayarlanmış olacak.
c. Daha sonra tablo 6.3’ün ilk satırında gösterildiği gibi i gerilimini 2V’a
ayarlamak için 5 kΩ’luk potansiyometreyi kullanınız.
53
d. X ve hi gerilimlerini ölçerek tablo 6.3’e kaydediniz.

e. Tablo 6.3’deki diğer i değerlerini de 5 kΩ’luk potansiyometreyi kullanarak elde
ediniz ve X ve hi gerilimlerini ölçerek tablo 6.3’e kaydediniz.
f. (b) adımından (e) adımına kadar yapılan bütün işlemleri tablo 6.3’deki bütün Xh
değerleri için tekrarlayınız.
g. Bütün verileri elde ettikten sonra Y = X Z4 denkleminden Y değerini, Yi =
Y + Yh denkleminden Yi değerini hesaplayarak tablo 6.3’e kaydediniz.

h. Tablo 6.3’deki verileri kullanarak transistörün kolektör karakteristiğini şekil 6.3
üzerine çiziniz. Bu grafik Yh akımının değişik değerleri için Y ’ye karşılık i
grafiği olacaktır.
Şekil 6.3
54
Kısım 3: α ve β’nın Değişimi

Y
a. Tablo 6.3’deki her bir satır için α ve β değerlerini hesaplayınız(l = ZY * m =
i
Y
ZY ).
h
Xh Yh μ[ i X Y J[ hi Yi J[ α β
3.3 10 2
3.3 10 4
3.3 10 6
3.3 10 8
3.3 10 10
3.3 10 12
3.3 10 14
3.3 10 16
6.6 20 2
6.6 20 4
6.6 20 6
6.6 20 8
6.6 20 10
6.6 20 12
6.6 20 14
9.9 30 2
9.9 30 4
9.9 30 6
9.9 30 8
9.9 30 10
13.2 40 2
13.2 40 4
13.2 40 6
13.2 40 8
16.5 50 2
16.5 50 4
16.5 50 6
Tablo 6.3
55
Deney 7: Bir BJT’nin Sabitlenmiş Ve

Gerilim Bö lü cü lü O1 ngerilimlenmesi
Deneyin Amacı: Sabitlenmiş ve gerilim bölücülü öngerilimleme devrelerinde çalışma
noktasını belirlemek.
• Direnç
o 1 Adet 680 Ω
o 1 Adet 1.8 kΩ
o 1 Adet 2.7 kΩ
o 1 Adet 6.8 kΩ
o 1 Adet 33 kΩ
o 1 Adet 1 MΩ
• Transistör
Seri No
Dijital AVO metre
DC Güç Kaynağı
Teorik Bilgi
Bipolar transistörler kesim, doyum ve lineer olmak üzere üç mod içerisinde
çalıştırılabilirler. Bu modların her birinde, transistörün fiziksel karakteristikleri ve transistöre
bağlanan harici devre ile çalışma noktası belirlenir. Kesim modunda emitör ucundan kolektör
ucuna doğru çok küçük bir ters yön akımı mevcuttur, bu modda transistör açık bir anahtar gibi
düşünülebilir. Doyum modunda ise kolektör ucundan emitör ucuna doğru transistörden
maksimum akım akar. Bu akımın miktarı transistöre bağlanan harici devre ile sınırlıdır. Bu
durumda transistör kapalı bir anahtar gibi düşünülebilir. Bahsedilen bu iki çalışma modu da
genellikle dijital devrelerde kullanılır.
Minimum bozulma ile yükseltme işlemi için transistör karakteristiğinin lineer bölgesi
kullanılır. Beyz-emitör uçlarına doğru besleme, beyz-kolektör uçlarının ise ters beslenmesi
ile transistörün çalışma noktası lineer bölgenin ortasına getirilebilir.
56
Bu deneyde, iki tane gerilimlendirme devresini inceleyeceğiz. Bunlar, sabit

öngerilimleme ve gerilim bölücülü öngerilimleme devreleridir. Sabit öngerilimleme devresi
diğerine oranla daha basit olmakla beraber bu devrelerde çalışma noktası sıcaklığa ve akım
kazancı β’ya bağlı olarak oldukça fazla değişim göstermektedir. Bu bir dezavantajdır çünkü
β’nın aynı tip transistörlerde bile çok fazla değişiklik göstermesi ve ortam sıcaklığının yine
aynı şekilde değişiklik gösterebileceği aşikârdır dolayısıyla çalışma noktasının sürekli olarak
değişmesi yükselteç devresinin kullanıldığı yer bakımından bir olumsuzluktur.
Gerilim bölücülü öngerilimleme devreleri bir geribesleme düzeneğine sahiptir. Bu
geribesleme düzeneği sayesinde çalışma noktası β’ya bağımlı olmaktan kurtulur. Böylelikle
transistörlerin β’sı değişse bile Q çalışma noktası sabit kalacaktır. Bu tip devreler için β’dan
bağımsız devrelerde denilmektedir.
Kısım 1: β’nın Belirlenmesi
Şekil 7.1
57
b. VBE ve VRC değerlerini ölçerek kaydediniz.
(ölçülen)VBE = _________
(ölçülen)VRC = _________
c. (1) ve (2) denklemlerini kullanarak beyz akımını ve kolektör akımını hesaplayınız.
RB direncinin değerinin çok yüksek olması nedeniyle VRB geriliminin direkt
olarak ölçülmediğine dikkat ediniz.
V RB VCC − V BE (1)
IB = =
RB RB
V RC
IC = (2)
RC
I B = _________
(hesaplanan)
I C = _________
d. 1(c)’deki sonuçları kullanarak β değerini hesaplayınız ve tablo 7.1’e kaydediniz.
Y
2N3904 transistör için β değeri gerekli olduğunda bu değeri kullanınız.(m ZY )
h
Kısım 2: Sabit Öngerilimleme Düzeneği

a. 1. Kısımda bulduğunuz β değerini kullanarak şekil 7.1’deki devrede sadece
dirençleri değerlerini ve güç kaynağı voltajını kullanarak I B ve I C akımlarını
hesaplayınız.
I B = _______
I C = _______
58
b. 2(a) adımındaki sonuçları kullanarak VB , VC , VE ve VCE gerilimlerini hesaplayınız.
(hesaplanan)VB = ________
(hesaplanan)VC = ________
(hesaplanan)VE = ________
(hesaplanan)VCE = ________
c. Şekil 7.1’deki devreye enerji veriniz ve VB , VC , VE ve VCE değerlerini ölçünüz.
(ölçülen)VB = ________
(ölçülen)VC = ________
(ölçülen)VE = ________
(ölçülen)VCE = ________
Ölçülen VCE gerilimini tablo 7.1’e kaydediniz.

d. Deneyin bundan sonraki kısmında daha yüksek β’ya sahip bir transistör için
yukarıdaki adımların tekrarı yapılacaktır. Bunu yapmamızdaki amaç değişik β
değerlerinin devrede yapacağı etkiyi görmektir. İlk olarak kullanacağımız diğer
transistörün yani 2N4401’in β’sını belirlenmeli. Basitçe 2N3904’ü devreden
çıkararak yerine 2N4401’i bağlayalım. Bunu yaparken bütün direnç değerlerini ve
güç kaynağı voltajını 1. kısımdaki değerlerle aynı bırakalım. Sonra VBE ve VRC
gerilimlerini ölçelim ve dirençlerin ölçülen değerlerini ve aynı denklemleri
kullanarak I B ve I C değerlerini hesaplayalım. Son olarak β değerini belirleyelim.
(ölçülen)VBE = _______
(ölçülen)VRC = _______
(hesaplanan) I B = _______
(hesaplanan) I C = _______
(hesaplanan) β = ________
I B , I C , β değerlerini tablo 7.1’e kaydediniz ayrıca VCE gerilimini de ölçerek tablo

7.1’e kaydediniz.
Transistör
VCE (V) I C (mA) I B (μA) β
Tipi
2N3904
2N4401
Tablo 7.1
59
e. Aşağıda verilen denklemleri kullanarak transistörlerin değişmesine karşılık her bir

nicelikteki % değişmeyi hesaplayınız. Transistörler değişse bile önemli akım ve
voltaj değerlerinin değişmeden kalması çok önemlidir. Ancak sabitlenmiş
öngerilimleme β’ya çok bağımlı olduğundan değerlerde oldukça büyük
değişmeler görülecektir. Yaptığınız hesaplamaları tablo 7.2’ye kaydediniz.
β 4401 − β 3904 I C ( 4401) − I C (3904 )

% ∆β = × 100 %∆I C = × 100
β 3904 I C ( 3904)
VCE ( 4401) − VCE (3904 ) I B ( 4401) − I B ( 3904)
% ∆VCE = × 100 %∆I B = × 100
VCE ( 3904 ) I B (3904 )
%Δβ % ∆VCE % ∆I C %∆I B
Tablo 7.2
Kısım 3: Gerilim Bölücülü Öngerilimleme

a. Şekil 7.2’deki devreyi 2N3904 transistör ile kurunuz.
Şekil 7.2
60
b. 2N3904 için 1. kısımda bulduğunuz β değerini kullanarak

V B , V E , I E , I C , VC , VCE ve I B değerlerini şekil 7.2 için hesaplayınız ve tablo 7.3’e
kaydediniz.
2N3904 VB VE IE IC VC VCE IB
Hesaplanan(3(b) adımı)
Ölçülen(3(c) adımı)
Tablo 7.3
c. Şekil 7.2’deki devreye enerji veriniz ve V B , V E , VC , VCE değerlerini ölçerek tablo
7.3’e kaydediniz. Ek olarak VR1 ve VR 2 değerlerini ölçerek I E , I C , I1 , I 2
V R1 VR2
değerlerini hesaplayınız ( I 1 = ve I 2 = ). Son olarak I 1 ve I2
R1 R2
değerlerini kullanarak I B değerini hesaplayınız. Bulduğunuz bu değerleri tablo

7.3’e kaydediniz.
d. 3(c) adımında bulduğunuz VCE , I B , I C değerlerini ve 1. kısımda bulduğunuz β
değerini tablo 7.4’e kaydediniz.
e. 2N3904’ü 2N4401 ile değiştirerek 3(c) adımındaki işlemleri tekrarlayınız.
Bulduğunuz VCE , I B , I C değerlerini ve 1. kısımda bulduğunuz β değerini tablo
7.4’e kaydediniz.
Transistör
VCE (V) I C (mA) I B (μA) β
Tipi
2N3904
2N4401
Tablo 7.4
f. β , I B , I C ve VCE değerlerindeki % değişmeyi hesaplayarak tablo 7.5’e

kaydediniz.
%Δβ % ∆VCE % ∆I C %∆I B
61
Tablo 7.5
Deney 8: BJT’lerin Emitö r

O1 ngerilimlenmesi ve Kolektö r
Geribeslemeli O1 ngerilimlenmesi
Deneyin Amacı: Emitör öngerilimleme ve kolektör geribeslemeli öngerilimleme devrelerinde
çalışma noktasını belirlemek.
• Direnç
o 2 Adet 2.2 kΩ
o 1 Adet 3 kΩ
o 1 Adet 390 kΩ
o 1 Adet 1 MΩ
• Transistör
Seri No
Dijital AVO metre
DC Güç Kaynağı
Teorik Bilgi
Emitör öngerilimlemeli devre bir ya da iki güç kaynağı kullanılarak yapılabilir. Her iki
konfigürasyonda sabit öngerilimleme devresinden daha kararlı olarak çalışır. Daha da açık
ifade edecek olursak eğer β × RE , RB ’den çok daha büyük ise emitör akımının transistörün β
VCC − VBE
değerinden bağımsız olacağı açıktır( I B = ve I E = ( β + 1) I B ). Dolayısıyla
RB + ( β + 1) RE
emitör öngerilimli bir devrede transistörü değiştirirsek, I C ve VCE değerlerindeki değişim çok
küçük olacaktır.
Eğer kolektör geribeslemeli öngerilimleme devresi ile sabit öngerilimleme devresini
karşılaştıracak olursak beyz direncinin güç kaynağına değil kolektör ucuna bağlandığını
görürüz. Böylelikle kolektör geribeslemeli devrede beyz direnci üzerine düşen voltajın
62
kolektör voltajının bir fonksiyonu olduğu görülür. Bu devrelerde negatif geribeslemeli

devrelerin çalışma prensibi anlaşılmaktadır. Örneğin I C akımındaki herhangi bir artma
eğilimi sonucunda VC geriliminin değeri düşecek dolayısıyla da I B akımının değeri I C

akımını dengelemeye yönelik azalacaktır. Sonuç olarak ortaya transistör parametrelerine daha
az bağımlı tasarım çıkacaktır.
Kısım 1: β’nın Belirlenmesi
Şekil 8.1
b. VB ve VRC değerlerini ölçerek kaydediniz.
(ölçülen)VB = _________
(ölçülen)VRC = _________
63
c. (1) ve (2) denklemlerini kullanarak beyz akımını ve kolektör akımını hesaplayınız.

RB direncinin değerinin çok yüksek olması nedeniyle VRB geriliminin direkt
olarak ölçülmediğine dikkat ediniz.
VCC − V B (1)
IB =
RB
V RC
IC = (2)
RC
I B = _________
I C = _________
d. 1(c)’deki sonuçları kullanarak β değerini hesaplayınız ve tablo 8.2’ye kaydediniz.

2N3904 transistör için β değeri gerekli olduğunda bu değeri kullanınız.
( hesaplanan ) β = ________
Kısım 2: Emitör Öngerilimleme Düzeneği

a. 1. Kısımda bulduğunuz β değerini kullanarak şekil 8.1’deki devrede sadece
dirençlerin değerlerini ve güç kaynağı voltajını kullanarak I B ve I C akımlarını
hesaplayınız.
I B = _______
I C = _______
64
b. 2(a) adımındaki sonuçları kullanarak V B , VC , V E , V BE ve VCE gerilimlerini

hesaplayınız ve tablo 8.1’e kaydediniz.
(hesaplanan )V B = ________
(hesaplanan )VC = ________
(hesaplanan )V E = ________
(hesaplanan )V BE = ________
(hesaplanan )VCE = ________
Hesaplanan Değerler
Transistör Tipi VB (V ) VC (V ) VE (V ) VCE (V ) VBE (V ) I B ( µA) I C (mA)
2N3904
2N4401
Tablo 8.1
c. Şekil 8.1’deki devreye enerji veriniz ve V B , VC , V E , V BE ve VCE değerlerini ölçünüz

ve ölçülen değerleri tablo 8.2’ye kaydediniz.
(ölçülen)V B = ________
(ölçülen)VC = ________
(ölçülen)V E = ________
(ölçülen)V BE = ________
(ölçülen)VCE = ________
65
Ölçülen Değerler
(ölçülen değerlerden)
Transistör
VB (V ) VC (V ) VE (V ) VCE (V ) VBE (V ) I B ( µA) I C (mA) β
Tipi
2N3904
2N4401
Tablo 8.2
d. Şekil 8.1’deki devrede 2N3904 yerine 2N4401’i takınız. VB ve VRC değerlerini
ölçerek kaydediniz. Daha sonra direnç değerlerinden faydalanarak I B ve I C akım

değerlerini hesaplayınız. Son olarak bu transistör için β değerini hesaplayınız.
Hesapladığınız I B , I C ve β değerlerini tablo 8.2’ye kaydediniz.
(ölçülen)V B = _________
(ölçülen)V RC = _________
e. 2N4401 için şekil 8.1’deki devrenin teorik analizini yapınız. Bu analizde,

V B , VC , V E , V BE , VCE , I B , I C değerlerini hesaplayarak tablo 8.1’e kaydediniz.
f. 2N4401 için şekil 8.1’deki devreye enerji veriniz. V B , VC , V E , V BE ve VCE

değerlerini ölçünüz ve ölçülen değerleri tablo 8.2’ye kaydediniz.
66
g. Aşağıda verilen denklemleri kullanarak transistörlerin değişmesine karşılık her bir

nicelikteki % değişmeyi hesaplayınız. Yaptığınız hesaplamaları tablo 8.3’e
kaydediniz.
β 4401 − β 3904 I C ( 4401) − I C ( 3904)

% ∆β = × 100 %∆I C = × 100
β 3904 I C (3904 )
VCE ( 4401) − VCE (3904 ) I B ( 4401) − I B (3904 )
% ∆VCE = × 100 %∆I B = × 100
VCE ( 3904 ) I B (3904 )
%Δβ % ∆VCE % ∆I C %∆I B
Tablo 8.3
Kısım 3: Kolektör Geribeslemeli Öngerilimleme ( RE = 0Ω )

Şekil 8.2
67
b. 2N3904 için 1. kısımda bulduğunuz β değerini kullanarak VB , I C , VC , VCE ve I B

değerlerini şekil 8.2 için hesaplayınız ve tablo 8.4’e kaydediniz.
Transistör Tipi VB (V ) VC (V ) VCE (V ) I B ( µA) I C (mA)
2N3904
2N4401
Tablo 8.4
c. Şekil 8.2’deki devreye enerji veriniz ve V B , VC , VCE değerlerini ölçerek tablo 8.5’e
kaydediniz. Dirençlerin değerlerinden faydalanarak Yh ve Y değerlerini de
hesaplayarak tablo 8.5’e kaydediniz. Son olarak β değerini hesaplayınız ve tablo
8.5’e kaydediniz.
Transistör
VB (V ) VC (V ) VCE (V ) I B ( µA) I C (mA) β
Tipi
2N3904
2N4401
Tablo 8.5
d. Şekil 8.2’deki devrede 2N3904 yerine 2N4401 takınız ve h, , i , Yh *Y

değerlerini hesaplayarak tablo 8.4’e kaydediniz.
e. 2N4401 transistörlü devreye enerjiyi veriniz. V B , VC , VCE değerlerini ölçerek
tablo 8.5’e kaydediniz. Transistörlerin ölçülen değerlerinden faydalanarak Yh ve

Y değerlerini de hesaplayarak tablo 8.5’e kaydediniz. Son olarak β değerini
68
f. Yh , Y , i * m değerlerindeki % değişmeyi hesaplayarak sonuçları tablo 8.6’ya

kaydediniz.
%Δβ % ∆VCE % ∆I C %∆I B
Tablo 8.6
Kısım 4: Kolektör Geribeslemeli Öngerilimleme ( RE ≠ 0Ω )

Şekil 8.3
b. 1. kısımdan elde ettiğiniz β değerini kullanarak h, , i , Yh , Y * Yi değerlerini

hesaplayınız ve tablo 8.7’ye kaydediniz.
69
Transistör
VB (V ) VC (V ) VE (V ) VCE (V ) I B ( µA) I E (mA) I C (mA)
Tipi
2N3904
2N4401
Tablo 8.7
c. Şekil 8.3’deki devreye enerji veriniz ve h, , i * i değerlerini ölçerek tablo

8.8’e kaydediniz. Ek olarak Yh , Y * Yi değerlerini hesaplayarak tablo 8.8’e
kaydediniz.
Transistör
VB (V ) VC (V ) VE (V ) VCE (V ) I B ( µA) I E (mA) I C (mA) β
Tipi
2N3904
2N4401
Tablo 8.8
d. Şekil 8.3’deki devrede 2N3904 yerine 2N4401 takınız ve h, , i , Yh , Y * Yi

değerlerini hesaplayarak tablo 8.7’ye kaydediniz.
e. 2N4401 transistörlü devreye enerjiyi veriniz. V B , VC , V E , VCE değerlerini ölçerek
tablo 8.8’e kaydediniz. Dirençlerin ölçülen değerlerinden faydalanarak Yh , Y ve Yi
değerlerini de hesaplayarak tablo 8.8’e kaydediniz. Son olarak β değerini
f. Yh , Y , i * m değerlerindeki % değişmeyi hesaplayarak sonuçları tablo 8.9’a
kaydediniz.
%Δβ % ∆VCE % ∆I C %∆I B
Tablo 8.9
70
71
Deney 9: Ortak Emiter’li Transistö r

Yü kselteci
Deneyin Amacı: Ortak emitter’li bir yükselteçteki AC ve DC gerilimlerin ölçülmesi. Yüklü

ve yüksüz işlemler için gerilim yükseltiminin (Av), giriş empedansının (Zi) ve çıkış
empedansının (Zo) değerlerinin ölçülmesi.
Deneyde Kullanılacak Elemanlar

• Direnç
o 1 Adet 200 Ω
o 1 Adet 800 Ω
o 1 Adet 1kΩ
o 2 Adet 3 kΩ
o 1 Adet 19 kΩ
• Kapasitör
o 2 Adet 15 µF
o 1 Adet 100 µF
• Transistör
o 1 Adet NPN (2N3904, 2N2219 veya eşdeğeri genel amaçlı transistör)
Deneyde Kullanılan Araç&Gereçler

Seri No
DC Güç Kaynağı
Fonksiyon Üreteci
Osiloskop
Dijital Multimetre
Teorik Bilgi
Ortak emitter’li (CE) transistör yükselteci düzeneği yaygın olarak kullanılmaktadır. Bu
düzenek yüksek gerilim kazancı (tipik olarak on’lar veya yüz’lerle ifade edilir) ve orta
seviyede giriş ve çıkış empedansı sağlar. AC sinyal gerilim kazancı aşağıdaki gibi ifade edilir:
72
Burada Vove Vi rms, pik ya da pik-pik değerleri olabilir. Giriş empedansı, Zi, yükseltece aittir
(giriş sinyali tarafından görülen). Çıkış empedansı, Zo, yükten yükseltecin çıkışına
bakıldığında görülen değerdir.
Gerilim ayırıcı DC bias düzeneğinde (Şekil 9.1), transistör betanın tam değeri bilinmese de
tüm DC bias gerilimleri yaklaşık olarak belirlenebilir. Transistörün AC dinamik direnci re
aşağıdaki formülden hesaplanabilir;
(9.1)
AC Gerilim Kazancı: Yüksüz bir CE yükseltecinin AC gerilim kazancı şu şekilde bulunur;
RE bir kapasitörle baypas edilirse yukarıdaki denklemde RE = 0 alınır.
(9.2)
AC Giriş Empedansı: AC giriş empedansı şu şekilde hesaplanır;
RE bir kapasitörle baypas edilirse yukarıdaki denklemde RE = 0 alınır.
(9.3)
AC Çıkış Empedansı: AC çıkış empedansı aşağıdaki formülden hesaplanır;
(9.4)
73
Kısım 1: Ortak Emitter DC Bias
a. Her bir direncin ölçülen değerlerini Şekil 9.1’e yerleştirin.
Şekil 9.1
b. Şekil 9.1’deki devre için aşağıda verilen değerleri hesaplayınız.
(hesaplanan) VB = _______________
(hesaplanan) VE = _______________
(hesaplanan) Vc = _______________
(hesaplanan) IE =________________
(9.1) denklemini kullanarak re’yi hesaplayın.
74
(hesaplanan) re = _______________
c. Şekil 9.1’deki devreyi kurun. VCC = 30V’a ayarlayın. Devrenin DC biasını aşağıdaki
ölçümleri yapmak suretiyle kontrol edin.
(hesaplanan) VB = _______________
(hesaplanan) VE = _______________
(hesaplanan) VC = _______________
Bu değerlerin 1b’de hesaplananlarla uyumlu olup olmadığını kontrol edin. Aşağıdaki
formülü kullanarak DC emitter akımını hesaplayın;
IE = _______________
AC dinamik direncini hesaplayın.
re = ______________
re’yi b basamağında hesaplanan değerle karşılaştır.
75
Kısım 2: Ortak Emitter AC Gerilim Kazancı

a. (9.2) denklemini kullanarak baypas edilmiş bir emitter için yükselteç gerilim
kazancını hesaplayın.
(hesaplanan) Av= _______________

b. f = 1kHz’de Vsig= 15 mV (pik) olan bir AC giriş sinyali uygulayın. Herhangi bir
distorsiyon olmadığından emin olmak için çıkış dalga formunu osiloskoptan
gözlemleyiniz (eğer varsa, giriş sinyalini azaltın veya DC biasını kontrol edin).
Osiloskop ya da DMM yardımıyla gözlemlenen AC çıkış gerilimini (Vo) ölçün.
VCC (+30 V)
RC
R1
800 Ω Vo
19 kΩ
+
Vi C2
15 µF
+
C1
+
Sinyal +
15 µF
+ Osiloskop
Üreteci CE
R2 RE 100 µF
3 kΩ 200 Ω
Şekil 9.2
(ölçülen) Vo= _____________
76
Ölçülen değerleri kullanarak devrenin yüksüz gerilim kazancını hesaplayın.
Av = ______________
Av‘nin a’da hesaplanan değeriyle burada ölçtüğünüz değeri karşılaştırın.
c. Şekil 9.2’deki yükselteci bağlayın. f = 1kHz frekansta Vsig = 15 mV (pik)’luk giriş
gerilimi için Şekil 9.5’teki şablona Vsig ve Vo’nun dalga formlarını çizin.
Şekil 9.3
Kısım 3:AC Giriş Empedansı, Zi

a. (9.3) denklemini kullanarak Zi’yi hesaplayın.
(hesaplanan) Zi = _______________
b. Zi‘yi ölçmek için, Rx = 1kΩ olan bir giriş ölçüm direncini Şekil 9.2’de görüldüğü
gibi bağlayın. Vsig = 15 mV(pik) olan bir giriş uygulayın. Distorsiyon olmadığından
77
emin olmak için çıkış dalga formunu osiloskoptan gözlemleyin (gerekirse giriş
genliğini değiştirin). Vi’yi ölçün.
VCC (+30 V)
RC
R1
800 Ω Vo
19 kΩ
+
VSig RX Vi C2
15 µF
+
C1
+
Sinyal + 15 µF
+ Osiloskop
Üreteci CE
R2 RE 100 µF
3 kΩ 200 Ω
Şekil 9.4
(ölçülen) Vi = ______________
Aşağıdaki formülden Vi için çözüm yapıldığında
bulunan
olur.
Zi = _______________
Zi’nin a’da hesaplanan değeriyle burada ölçülen değerini karşılaştırın.
Kısım 4: Çıkış empedansı, Zo

a. 9.4 denklemini kullanarak Zo’yu hesaplayın.
(hesaplanan) Zo = ________________
78
b. Giriş ölçüm direnci Rx’i kaldırın. Vsig = 15 mV’luk (pik) bir giriş gerilimine
karşılık gelen çıkış gerilimi Vo’yu ölçün.
(Ölçülen) Vo (yüksüz) = Vo = _______________
Şimdi de RL = 3kΩ’luk Şekil 9.4’teki gibi bağlayın ve VL’yi ölçün.
VCC (+30 V)
RC
R1
800 Ω VL
19 kΩ
+
Vi C2
15 µF
+
C1
+
Sinyal + 15 µF
+ Osiloskop
CE RL
Üreteci
R2 RE 100 µF
3 kΩ 200 Ω
Şekil 9.5
(Ölçülen) Vo (yüklü) = VL = _______________

Çıkış empedansı
formülünden
çekilerek bulunabilir.
Zo = ________________
Zo’nun a’da hesaplanan değeriyle burada ölçülen değerini karşılaştırın.
79
Deney 10: Ortak Base ve Emitter-

I4zleyici (Ortak kollektö rlü ) Transistö r
Yü kselteçleri
Deneyin Amacı: Ortak base ve emitter-izleyici (ortak kollektörlü) yükselteçlerde DC ve AC
gerilimlerin ölçülmesi. Gerilim yükseltimi (Av), Giriş empedansı (Zi) ve Çıkış empedansı (Zo)
değerlerinin ölçülmesi.
Deneyde Kullanılacak Elemanlar
• Direnç
o 1 Adet 100 Ω
o 1 Adet 1 kΩ
o 2 Adet 3 kΩ
o 2 Adet 10 kΩ
o 1 Adet 33 kΩ
o 1 Adet 100 kΩ
• Kapasitör
o 2 Adet 15 µF
o 1 Adet 100 µF
• Transistör
o 1 Adet NPN (2N3904, 2N2219 veya eşdeğeri genel amaçlı transistör)
Deneyde Kullanılan Araç&Gereçler
Seri No
DC Güç Kaynağı
Fonksiyon Üreteci
Osiloskop
Dijital Multimetre
80
Teorik Bilgi
Ortak tabanlı transistör yükselteci düzeneği esasen yüksek frekanslı işlemlerde
kullanılır. Düşük girişlerde yüksek gerilim kazancı ve orta düzeyde çıkış empedansı sağlar.
10.1
AC Giriş Empedansı: AC giriş empedansı aşağıdaki formülden hesaplanır;

10.2
AC Çıkış Empedansı: AC çıkış empedansı

10.3
ile bulunur.
Ortak kollektörlü veya emitter izleyici transistör yükselteci düzeneği esasen empedans eşleme
işleminde kullanılır. 1’e yakın gerilim kazancı ile yüksek giriş ve düşük çıkış empedansı
sağlar.
AC Gerilim kazancı: Ortak kollektörlü bir yükseltecin AC gerilim kazancı aşağıdaki
formülden hesaplanabilir;
10.4
AC Giriş Empedansı: AC giriş empedansı şu şekilde bulunur;

10.5
AC Çıkış Empedansı: AC çıkış empedansı ise

10.6
‘dir.
81
Kısım 1: Ortak Tabanlı DC Bias
a. Şekil 10.1’deki devre için DC bias değerlerini hesaplayın. Hesaplanan değerleri aşağıya
kaydedin.
Şekil 10.1
(hesaplanan) VB = _______________
(hesaplanan) VE = _______________
(hesaplanan) Vc = _______________
(hesaplanan) IE =________________
formülünü kullanarak re’yi hesaplayın.
(hesaplanan) re =________________
82
b. Şekil 10.1’deki devreyi kurun. VCC = 30V’a ayarlayın. Aşağıdaki değerleri ölçerek
devrenin DC ön gerilimini kontrol edin.
(ölçülen) VB = _______________
(ölçülen) VE = _______________
(ölçülen) Vc = _______________
Aşağıdaki formülü kullanarak DC emitter akımını belirleyin.
IE = _______________
AC dinamik direnci, re’yi belirleyin.
re = ______________
Kısım 2: Ortak Tabanlı AC Gerilim Kazancı

a. (10.1) denklemini kullanarak Şekil 10.2’deki ortak tabanlı yükseltecin AC gerilim
kazancını hesaplayın.
(hesaplanan) Av = ______________
b. Vsig = 50 mV (rms) olan bir AC giriş sinyali uygulayın. Elde edilen AC çıkış gerilimini
(Vo) ölçün.
83
Şekil 10.2
(ölçülen) Vo = _____________
Devrenin AC gerilim kazancını belirleyin.
Av = _____________
84
Kısım 3: Emitter-izleyici (EF) DC bias

a. Şekil 10.3’teki EF devresi için DC bias değerlerini hesaplayın. Hesaplanan değerleri
aşağıya kaydedin.
Şekil 10.3
(hesaplanan) VB = _____________
(hesaplanan) VE = _____________
(hesaplanan) VC = _____________
(hesaplanan) IE = _____________
re = 26(mV)/IE(mA) eşitliğini kullanarak re’yi hesaplayın.
(hesaplanan) re = _____________
b. Şekil 10.4’teki devreyi oluşturun. VCC’yi 30V’a ayarlayın. Aşağıdaki değerleri ölçerek
devrenin DC biasını kontrol edin.
(ölçülen) VB = _____________
(ölçülen) VE = _____________
(ölçülen) VC = _____________
85
Aşağıdaki formülden IE’yi bulun.
IE = _____________
Aşağıdaki formülü kullanarak re’nin değerini bulun.
re = _____________
Kısım 4: Emitter-izleyici (EF) AC gerilim kazancı

a. 10.4 denklemini kullanarak bir EF yükseltecinin AC gerilim kazancını hesaplayın.
(hesaplanan) Av = ____________
b. Vsig = 1 V (rms)’luk bir AC giriş sinyali uygulayın ve AC çıkış gerilimini (Vo) ölçün.
Şekil 10.4
86
(ölçülen) Vo = _____________
Devrenin AC gerilim kazancını bulun.
(ölçülen) Av = _____________
87

Elektronik 1

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronik 1

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

2013-2014 Güz Dönemi Elektronik I Lab.

Deney 1: Diyot Karakteristikleri

Doğru Öngerilimleme (Forward Bias)

Ters Öngerilimleme (Reverse Bias)

Kısım 2: Düz Öngerilimleme Diyot Karakteristikleri

b. E gerilimini artırarak direnç üzerine düşen VR geriliminin 0.1 V olmasını

sağlayınız. Bu durumda diyot üzerine düşen VD gerilimini ölçerek Tablo 1.2’ye

c. (b) adımını Tablo 1.2’deki diğer VR değerleri için tekrarlayınız.

d. Şekil 1.5 üzerine VD değerlerine karşılık gelen I D değerlerini işaretleyerek

b. VR gerilimini ölçünüz. Diyodun ters doyma akımını (reverse saturation current)

I S = VR ifadesini kullanarak hesaplayınız. DMM’nin iç direncide

hesaba katılmalıdır çünkü devredeki R direncinin değeri çok büyüktür. RM değeri

c. Silisyum diyot için DC direnç düzeyini R DC = (E − V R ) ifadesini kullanarak

(hesaplanan) RDC = _______

b. Diyot akımı arttığında DC direnç nasıl bir eğilim gösteriyor? Neden?

Kısım 5: AC Direnç (Dinamik Direnç)

a. rd = ∆V ifadesini ve Tablo1.2’y’i kullanarak, I D = 9 mA için silisyum

b. rd = 26 mV ifadesini kullanarak, I D = 9 mA için silisyum diyodun AC

c. (a) adımını I D = 2 mA için tekrarlayınız.

d. Denklem 1.4’ü kullanarak I D = 2 mA için silisyum diyodun AC direncini

Kısım 6: Sıcaklık Etkileri

üzerinden 1 mA geçmesini sağlayınız. Diyodu ısıttığımızda VD geriliminin

Deney 2: Yarım ve Tam Dalga

Kısım 2: Yarım Dalga Doğrultma

b. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

c. (b) adımında bulduğunuz yarım dalga doğrultulmuş sinyalin DC düzeyini

d. çıkış geriliminin DC düzeyini bir DMM’nin DC kademesini kullanarak ölçünüz

Kısım 3: Tam Dalga Doğrultma (Köprü Konfigürasyonu)

b. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

c. Tam dalga doğrultulmuş işaretin DC düzeyini hesaplayınız.

d. DMM’nin DC kademesinde çıkış voltajını ölçünüz ve ölçtüğünüz değer ile

g. 12 ve 13 diyotları 2.2kΩ ile değiştirerek çıkış geriliminin dalga formunu

h. Şekil 2.11’deki dalga formunun DC düzeyini hesaplayınız.

i. DMM’nin DC kademesinde çıkış voltajını ölçünüz ve ölçtüğünüz değer ile

Kısım 6: Tam Dalga Doğrultulmuş Sinyalin Filtrelenmesi

b. 45 10 6Ω değerindeki direncin üzerindeki sinyali osiloskop ile görüntüleyiniz.

c. Şekil 2.12’deki devreye 220 μ: değerindeki kondansatörü şekil 2.15’deki gibi

d. 45 10 6Ω değerindeki direncin üzerindeki sinyali osiloskop ile görüntüleyiniz.

e. Osiloskobun AC-GND-DC anahtarı DC konumunda iken belirlediğiniz bir noktanın

5 ;< " __________________

İkinci olarak 45 direnci üzerinden alınan periyodik sinyalin tepeden tepeye

denkleminden faydalanılarak hesaplayınız.

f. Denklem (2.1)’den faydalanarak çıkış sinyalinin dalgalılık katsayısının % değerini

çC6Cş +E/F,.E/E/ ,G HE.*ş*/E/E/ *I6E/ BJ+ K*ğ*BE

Deney 3: Kırpıcı Devreler

Kısım 2: Paralel Kırpıcılar

b. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak 0 R I R S/2 aralığı için U

c. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak S/2 R I R S aralığı için U

d. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

e. Şekil 3.1’deki devrede DC gerilim kaynağını ters çeviriniz ve 4, Q * ’nin

f. (f) adımında yaptığınız işlemi S/2 R I R S aralığı için tekrarlayınız.

g. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

Kısım 3: Paralel Kırpıcılar (Sinüzoidal Giriş)

c. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak S/2 R I R S aralığı için U

d. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

Kısım 4: Seri Kırpıcılar

b. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak 0 ≤ I ≤ S/2 aralığı için U

c. 4, Q * ’nin ölçülen değerlerini kullanarak S/2 ≤ I ≤ S aralığı için U

d. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

e. Şekil 3.5’deki devrede DC gerilim kaynağını ters çeviriniz ve 4, Q * ’nin

f. (e) adımında yaptığınız işlemi S/2 ≤ I ≤ S aralığı için tekrarlayınız.

g. Osiloskobun kullandığınız kanalının AC-GND-DC anahtarı DC konumda iken çıkış

Deney 4: Kenetleyici Devreler

çC6Cş +E/F,.E/E/ ,G HE.ş/E/E/ I6E/ BJ+ Kğ*BE