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DCDC转换器设计
DCDC转换器设计
DCDC转换器设计
「DC/DC转换器设计研讨会」
一. 开关稳压器基本原理
二. 元器件设计与实际评估
三. 电源设计流程及ROHM电源IC选型
「DC/DC转换器设计研讨会」
一. 开关稳压器基本原理
1. 概述:开关稳压器分类及控制模式
1-1. 开关稳压器的种类
1-2. 降压型开关稳压器的工作原理
1-3. PWM模式和PFM模式
2. 降压型开关稳压器的工作原理
3. 电源IC的功能介绍
3-1. 过热保护/低电压误动作保护功能
3-2. 过电流保护/短路保护机能
3-3. 过电压保护功能
3-4. 预偏置工作
3-5. 时序功能
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1-1. 开关稳压器的种类 严禁转载
DC/DC转换器 开关 控制输出电压
稳压器 工作模式
非隔离型
降压
非同步整流式 PWM
升压
同步整流式 输出更 稳定
PFM
升降压 反馈控制方式
隔离型
反相
反激式 电流模式
正激式 电压模式
推挽式 磁滞
半桥/全桥
AC/DC转换器
• 用途:消费电子、工业、日本国内、海外..
非隔离型
• 输入输出条件:AC、DC、电池..
隔离型 • 性能目标:功率、效率、精度..
• 限制事项:噪音、成本、规范..
非同步整流型和同步整流型的区别
非同步(二极管)整流 同步整流
VIN VIN
S1 S1
L1 L1
VO VO
D1 C1 S2 C1
• 当S1为ON时,电流不流经D1(OFF) • 当S1为ON时,将S2设为OFF
• 当S1为OFF时,正向电流流经D1(ON) • 当S1为OFF时,将S2设为ON
• 在实际电路中,S1使用晶体管, • 电流路径与非同步型相同,但S的ON/OFF由
D1使用肖特基势垒二极管 控制电路来控制
• 效率比同步型要差 • 在实际电路中S为晶体管
• 电路比较简单 • 效率高,但需要考虑低负载时的效率
• 电路比非同步型复杂
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1-3. PWM模式和PFM模式 严禁转载
PWM(脉冲宽度调制)是频率恒定,通过
占空比调整 PWM和PFM的效率特性示意图
频率恒定,因此轻负载时 效率
开关损耗导致的效率恶化显著 PFM
频率恒定,因此噪音容易滤除 PWM
PFM(脉冲频率调制)是使ON(或OFF)时间
恒定,来调整OFF(或ON)时间
轻负载时降低频率运行,因此开关损耗降低,可
保持效率
频率不定,因此噪音滤除困难,噪音有可能进入
人耳可听到的频率范围
负载电流
PWM PFM
周期恒定,ON/OFF时间比变动 ON时间恒定,OFF时间变动=周期也变动
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2. 降压型开关稳压器的工作原理 严禁转载
① 根据基准电压判断输出电压是否为设
定电压
②开关ON
开关 ② 比设定电压低时,开关ON并从输入向
控制电路 输出提供电力。
输入电压
输出电压 ③ 此时电感器蓄积磁能。
③ ④ 输出电压比设定电压高时开关OFF。
比较电路
负载
⑤ 存储于电感器的磁能变成电流提供给
① 输出负载,再返回到电感器。
基准电压
⑥ 电感器的磁能用完且输出电压下降,
则开关再次ON。
开关
④开关OFF
控制电路
输入电压 输出电压 开关 开关
⑤ ON OFF ON OFF
比较电路
开关电流
负载
基准电压
二极管电流
电感电流
从输入侧只提取必要的功率,实现高效率。
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3-1. 过热保护/低电压误动作保护功能 严禁转载
输出
- 自动复位型
- 锁存型
0
- 自动复位型
VO VO
- 锁存型
FB
FB SCP阈值
SCPスレッショルド
t
上侧
上側 上侧
上側
MOSFET栅极
MOSFETゲート MOSFET栅极
MOSFETゲート
下侧
下側 下侧
下側
MOSFET栅极
MOSFETゲート MOSFET栅极
MOSFETゲート
OCP阈值
OCPスレッショルド
线圈电流
コイル電流 线圈电流
コイル電流
IC内部 IC内部
OCP信号 SCP信号
VO
OVP阈值
控制电路
OVPスレッショルド VO
FB VIN
上侧 比较电路
MOSFET栅极 负载
上側
MOSFETゲート 基准电压 OVP
下侧
MOSFET栅极 FB
下側
MOSFETゲート
IC内部
OVP信号
在输出中有残余电荷或输出中泄漏偏置的状态下启动时
直到软启动电压超过输出电压均在不导通Low-sideFET的状态下工作
支持预偏置 不支持预偏置
Vout Vout
0V 0V
在Low-sideFET导通时,流过输出的电荷量,
因此FET可能损坏
SW1
IN L OUT
SW2
Vin C
FET导通时可能因电流过大而损坏
关断 :对IC控制单元的工作进行ON/OFF。Enable引脚等。
软启动 :为防止启动时的浪涌电流,进行缓慢启动。
无软启动 有软启动
电压 电压
电流 电流
时间 时间
POWER GOOD输出:在输出电压达到规定值的时间点输出FLAG。
通知其他单元输出电压已准备完毕。
通过与Enable引脚组合可控制启动时序。
VO2
EN PG EN PG EN PG
微控制器 电源1 电源2 电源3 VO1
时间
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3-5. 时序功能 严禁转载
跟踪 :多个电源的启动时序。
电源的跟踪方式有三种。
时间 时间 时间
从低电源电压开始 各电源按不同的压摆率启动 使电源间的偏移电压
逐步施加电源电压 固定
EN VO1
电源1 Trac VO2
EN VO2 EN VO1 电源2
时序器 电源2 电源1
VO3 Trac VO3
EN 电源3
电源3
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「DC/DC转换器设计研讨会」
二. 元器件设计与实际评估
1. 输出电压设定电阻 (R7,R8)
2. 输入电容 (C2,C4)
3. 电感 (L1)
4. 输出电容 (C9,C10)
5. 软启动时间设定电容 (C7)
6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6)
7. 自举电容 (CBOOT)
8. 损耗及热设计
<基准电压单元、误差放大器单元>
<FB引脚电压>
规格值并非=电源特性(性能)的示例
输出精度是?
FB电压的误差:± 1%
电阻的公差:精度+系列近似值的选择
(电阻值并不一定和计算值一样)
如果R1=30kΩ、R2=24kΩ、VFB=0.8V,则VOUT=1.8V
但是,使用精度1%的电阻时,1.8VOUT的最大值为:
当R1为+1%、R2为-1%、VFB=0.808V时:VOUT_MAX=1.838V(+2.1%)
同样最小值为:VOUT_MIN=1.762V(-2.1%)
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2. 输入电容 (C2,C4) 严禁转载
输入电容 CIN(C2)的作用
降低输入波纹电压用(10uF)
是High side FET 导通时的输出电流 VIN BD9A300
PVIN
供给源,通过使用大容量的电容,可
降低输入波纹电压。 AVIN
设计注意事项 PGND
输入电容配置于IC最近处 R3
(C4噪音也很小,因此容易接近) AGND
C7 C6
不要求一次电源的容量
陶瓷电容的DC偏置特性 GND
输入电容的计算 (纹波电压的计算)
• 通过电容的波纹电流发热特性图和波纹电流的绝对最大额定值,判断能否作为输入电容使用
• 使用陶瓷电容时,需要注意温度及施加于电容的DC偏置
• 温度导致的电容值变化,通过使用具有X5R 及 X7R 特性的高介电常数型陶瓷电容,可获得稳定
的温度特性
• 如果陶瓷电容两端的DC偏置増加,则电容的容量下降
• 输入的电容值决定转换器的输入纹波电压
• 输入纹波电压 ΔV IN 可按下述公式计算
0.5Vrms
DC偏置特性
• 电容具有DC偏置特性,选择大小时需要考虑实际容量。
10uF、25V耐压比较
即使容量相同、耐压相同,大小
不同实际容量也有很大不同
例)用于12V输入时
3225 3225 → 7.5uF
3216 → 4.2uF
3216 2012 → 2.0uF
1608 → 1.5uF
2012
1608
SW端子
電圧 HG ON
LG ON
t
缓和的电流变化=纹波电压
22μF 0.1μF
IHG IO
1000
t 100
在输入线中电流的 急剧的电流变化=噪音 10
变化段有两种
IO
Z[ohm]
ILG 1
0.1
t
0.01
缓和的电流变化=纹波电压 IO 0.001
在输出线中电流的 IL
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
变化段仅一种
frequency[MHz]
t
影响纹波的范围 影响开关噪音的范围
降压转换的基本工作
• Fig. 1 表示开关元件 Q1 处于ON的状态
• 当Q1为ON时,电流从输入 V IN 经线圈 L充电到输出滤波电容CO ,供给输出电流 IO
• 此时线圈 L 中的电流产生磁场,电能转换为磁能被积蓄起来
• Fig. 2 表示开关元件 Q1 处于OFF的状态
• 当Q1为OFF 时,二极管D1为ON,L中积蓄的能量释放到输出端
• 同步整流时,将D1更换为开关元件(晶体管)
电感的选型步骤
• 计算所需的电感量L
• 计算流经电感的最大电流(输出电流+1/2纹波电流)
• 通过计算的L值(或近似),选择电感饱和电流计算的最大电流以上的电感
• 在短路和瞬态状态下,可能流过高于计算最大值的电流,因此,也有以最大开关电流为标准
进行选型的方法
电感量的计算
※ r 为输出电流纹波比: (适当的初始值:0.3~
0.4)
※ ΔIL 为电感纹波:
电感的最大电流计算
ILPEAK →
-VOUT
VIN-VOUT 倾斜度:
倾斜度: L
L
※ 通过公式可知,ILPEAK 为ΔIL 的
1/2加上IOUT的值
电感的选型例
输入电压:VIN = 5V
输出电压:VOUT = 1.8V
输出电流:IOUT = 3A (VIN − VO ) × VO
L=
输出电流波纹比:r = 0.3 VIN × fSW × L
开关频率:f SW = 1MHz
(5 – 1.8) x 1.8
・・・・・根据公式: = 1.280 [μH]
5 x 1000000 x 0.3 x 3
0.3 x 3
・・・・・根据公式: 3 + = 3.45 [A]
2
=IOUT+
(VIN−VOUT)×VOUT
〔A〕・・・根据公式: 1.8 x (5 – 1.8)
3+ = 3.45 [A]
2×VIN×fSW×L 2 x 5 x 1000000 x (1.28x 10-6)
根据结果: 从饱和电流3.45A以上的1.5μH的电感开始选型
使电感量变化时的电感电流
• 如果使L值变小,则可获得直流叠加电流
• 如果L值较小,波峰电流将增加,因此需要更多的直流叠加容许电流
• 如果L值过大,则相位补偿可能恶化
使用铁氧体电感时的直流叠加特性
L值
1.5
1
0.47uH
0.5
1uH
⊿IL/A
‡™IL / A
0
-0.5 2.2uH
-1
-1.5
负载电流 • Vin=5V、Vo=2.5V、Iout=0A
开关频率(fsw)=1MHz
电感的磁饱和电流波形例
额定范围使用例 磁饱和电流波形例
BD9A300MUV(Vin=3.3V,Vout=1.0V)
100
内置FETOn电阻损耗
90
DC/DC控制损耗
Efficiency[%]
80
内置FET驱动损耗
70 Iload 2A时的损耗贡献率
噪音[mm]
60 A社 7.6×7.6×3.0
C社 7.3×6.8×3.2
D社 7.4×6.5×3.0
50 A社 7.0×6.6×3.0
B社 6.0×6.0×2.8
40
0.001 0.01 0.1 1 10
Iload[A]
BOOT
C8
VOUT
SW
L1
C9 C10
R7
FB
R8
输出电容的计算
• 输出电容选型的重要元素是额定电压、额定纹波电流及ESR(等效串联电阻)
• 施加于电容的电压及纹波电流需要在最大额定值以下
• ESR和电感电流一样是决定输出纹波电压的重要元素
• 输出电容中的纹波电流为Fig. 2 的 I CO 所示的三角波,其有效值按下述公式计算
• 输出波纹电压为电感电流的波纹电流流入输出电容,通过静电容量、ESR、ESL产生的合成
波形,按下述公式计算
V IN(MAX) :最大输入电压 (V)
ΔI L :电感纹波电流 (A)
CO :输出电容 (F)
L:电感值 (H)
f SW :开关频率 (Hz)
ESR:输出电容的等效串联电阻 (Ω)
ESL:输出电容的等效串联电感值 (H)
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4. 输出电容 (C9,C10) 严禁转载
额定电压
SW
AC电压特性(n=3) 测量条件120Hz
Vout
开关DC/DC的输出电压纹波为几mV~几十mV
陶瓷电容的容量值依存于DC电压特性、温度特性、以及前项的尺寸,
在开关DC/DC中,还需要注意AC电压特性。
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4. 输出电容 (C9,C10) 严禁转载
<电感的计算> <输出波纹电压的计算>
(VIN − VO) × VO 1
×fSW)
⊿IL = △ VPRL =△ IL × (RESR+ 8×C
VIN × fSW × L OUT
<关于△IL > <关于△VPRL >
※以黑线为基准进行说明 ※以黑线为基准进行说明
使L值减半则VPRL加倍
使L值减半则⊿IL加倍
使fsw加倍则⊿IL减半 使COUT加倍则VRPL减半
使fsw加倍则VRPL减半
△IL
△VRPL
<电感的计算>
例:当选择r = 1时
※使输出电流设定为2A。
<连续模式> <轻负载模式>
ILmax=2A
ILmax=2A
Io=0A
Io=0A
ILmin=-2A
如果⊿IL较大则输出波纹电压增大,开关周期延长,开关损耗降低。
0A以下产生损耗,因此需要探讨效率是否适当。 针对输出设定电压,需要探讨波纹量是否适当。
ILMIN=4A
ILMIN=3.8A
Io=2A
Io=1.9A Io=2A以下为轻负载模式
ILMIN=0A IO=0A
Io=2A时上述损耗消失。⊿IL为4A,因此需要确认OCP设定是否
Io=2A时将切换到连续模式,因此需要探讨负载响应是否适当。
为4A以下。
<电感的计算>
例:当选择r=0.1时
※使输出电流设定为2A。
<连续模式> <轻负载模式>
Ilmax=0.2A
ILmax=0.2A
Io=0A
Io=0A
ILmin=-0.2A
⊿IL较小,因此需要探讨输出波纹电压是否适当。 如果⊿IL较小则输出电压波纹变小,开关周期变短,开关
损耗増加。需要探讨输出波纹电压是否适当。
ILMIN=0.4A
ILMIN=0.38A
Io=0.2A
Io=0.19A 0.2A以下为轻负载模式
ILMIN=0A
IO=0A
Io=0.2A时上述损耗消失。⊿IL较小,因此需要探讨输出波纹电 Io=0.2A时将以快速输出电流切换到连续模式,因此需要探讨
压是否适当(确认2次跳动等是否没问题)。 效率是否适当。
Iin
使用大容量输出电容的失败案例
Vin
CO Vo
<通常的启动>
启动时通过给输出电容充电使输出电压上升,
Iin
因此会流过比通常工作时还大的Iin。
启动时间分固定式和可变式,
但启动时间越短所产生的电流越大。
Vo
<使用大容量Co时>
过电流检测
過電流検出
使用大容量Co时,会流过更多的Iin,因此可
Iin
能检测出过电流。
此时的运行因IC的控制方式而不同,
Vo 左图是启动时间变慢的情况。
可能引起输出停止等启动不良问题。
当数据表中未记载输出电容的最大值、给Co设定了推荐电容以上的容量时,最好仔
细咨询一下
AVIN
软启动时间的设计 (设计值=3msec)
C2 C4 MODE
Enable EN
CSS = TSS × ISS / VFB SS
ITH
TSS :软启动时间
CSS :软启动时间引脚连接电容
VFB :FB引脚电压0.8V(Typ) PGND
ISS :软启动引脚电流源1.8μA(Typ) R3
AGND
C7 C6
CSS = 3m × 1.8μ / 0.8 = 6.75nF = 6.8nF
设计注意事项
由于是高阻抗线,请注意噪音
对于时序要求严格的整机,设计时需要考虑IC的波动、电容公差的最差条件
SS
■ ITH引脚
ITH
ITH引脚与误差放大器的输出端相连接,
为了同时实现开关稳压器的反馈环路的
稳定性和响应性能,通过电阻和电容 PGND
进行调整。 R3
AGND
C7 C6
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div]
负载响应特性 频率特性
⊿Vout=+20.0mV 相位余量 53.9deg
-21.6mV 过零 83.18kHz
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6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) 严禁转载
■ R3(RITH) 选型
C6(CITH) 选型
𝐶𝑂𝑈𝑇 ×𝑉𝑂𝑈𝑇
𝐶𝐼𝑇𝐻 = [𝐹]
𝑅𝐼𝑇𝐻×𝐼𝑂𝑈𝑇
44μ x 1.8
= = 2870p [F]
9.2k x 3
IOUT : 最大输出电流(3A)
负载变动的急剧程度和输出电压的响应特性
在负载电流的上升/下降时间(tr/tf)较短(急剧)条件下,输出电
压的变动较大
需要根据实际使用的负载变动速度进行探讨。
负载响应不满足要求时,应该探讨其他控制方式、频率、外部参数。
波形上:Vout
波形下: Iout
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6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) 严禁转载
fp1
R小⇒零点向高频段转移
R3 大 ⇒增益持续下降直到更高频段
fz2
R3 typ ⇒过零在低频段发生
根据R3的值,
R3の値により
零点的频段移动
ゼロの帯域が ⇒相位余量増加,但响应变慢
移動する R3 小
Phase(deg)
Gain(dB)
零点:6.5kHz
零点:19kHz
fp1
R大⇒零点向低频段转移
R3 大 ⇒增益在低频段产生衰退
fz2
R3 typ ⇒过零在高频段发生
根据R3的值,
R3の値により
零点的频段移动
ゼロの帯域が ⇒相位余量下降,但响应变快
移動する R3 小
Phase(deg)
Gain(dB)
零点:6.5kHz 零点:2.1kHz
负载响应和频率特性
BD9A300MUV 推荐参数
ITH引脚 R3=9.1kΩ、C6=2700pF
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div]
负载响应特性 频率特性
相位余量 53.9deg
⊿Vout=21.6mV
过零 83.18kHz
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6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) 严禁转载
负载响应和频率特性 降低R3电阻使频段变窄,负载响应恶化
BD9A300MUV → 运行本身没问题,
ITH引脚 R3=3kΩ、C6=2700pF 但相位余量过大
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div
]
负载响应特性 频率特性
⊿Vout=36.0mV 相位余量 63.92deg
过零 33.11kHz
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6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) 严禁转载
增加R3电阻使频段变宽,负载响应变好,
负载响应和频率特性 但电压变动时产生振铃现象。
BD9A300MUV
→ 相位余量小。因产品波动可能会发生异
ITH引脚 R3=27kΩ、C6=2700pF 常振荡。
Vout(ac)
[20mV/div]
Iout
[100mA/div]
负载响应特性 频率特性
相位余量 17.81deg
⊿Vout=15.2mV
过零 158.49kHz
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6. 相位补偿电阻、电容 (R3,C6) 严禁转载
负载响应和频率特性
如果进一步增加R3电阻...
BD9A300MUV
→ 变为异常振荡状态
ITH引脚 R3=43kΩ、C6=2700pF
Vout(ac)
[10mV/div]
Iout
[100mA/div]
VREG PGND
R3 FB
AGND
BOOT C7 C6 R8
内 Vin
部
电 N Vin
源
SW
VREG VREG
N BOOT
SW
■ 元器件的选型条件
-只要 CBOOT的容量比High side NMOS的Cin(Cgd+Cgs) 对于Cgd-Cgs,CBOOT适当时
小,就会因电荷不足导致施加于Vgs的电压不足,
无法完全ON。
- 当CBOOT的容量过大时,因内部电源的能力
BOOT电压的提升变慢,暂时电压不足,
无法充分驱动High side NMOS。
VREG
对于Cgd-Cgs,CBOOT过小时
BOOT
Vin
内 Cgd CBOOT
部
电 N
源
对于Cgd-Cgs,CBOOT过大时
Cgs
VREG SW
●θJA :从结温Tj到环境温度Ta的热阻(通过多个热路散热)
●ψJT :从结温Tj到封装顶部中心温度TT的热特性参数(封装顶部以外也有热传导、散热) 严禁转载
封装顶部中心温度:TT 周围环境温度:
Ta
θJA 热传导
热阻(低)
ΨJT 热阻(高)
封装(MOLD)
空气的热传导、辐射
封装(LEAD) 结温:Tj
芯片
铜箔
PCB
(FR4)
封装(ISLAND) ※该图为HTSOP-J8示意图
θJC-BOT
封装顶部温度:TC-TOP
θJC-TOP
结温:Tj 封装底部温度:TC-BOT 冷却板
※ ΨJT是表示结温Tj和封装顶部中心温度TT的温度差的热特性参数,
与以往ROHM的θJC同义。
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8. 损耗及热设计 严禁转载
一、损耗計算
PIC = VIN × ICC , IC静态损耗
2
PRON = R ON × IO × DON ,H-MOS导通损耗
2
PL = R L × IO ,电感损耗
二、 热设计
在热设计中遵循的大前提是:芯片结温Tj不超过最大允许Tjmax(150℃等)
芯片结温Tj通常可通过以下2点进行预估。
① 由周围温度Ta求得使用以下公式。
② 在实际使用状态下由IC封装上面中心温度TT求得。
140
通常θJA和ΨJT一般在规格书中都有给出,
120
100
根据不同板材、板层数、板的面积、以及芯片 θJA (℃/W) θJA
封装,其热阻值θJA和ΨJT不同,两种方式
80
60
计算出的TJ较为接近,注意测试温度方法的准
40
确。相比较而言,实际测试芯片封装表面的温
度估算结温较为准确 20 ΨJT
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
表層銅箔面積 (mm2)
负载瞬态响应评估电路的示例
Iout Ihigh
Vo
Ilow
Co
GND Vo
Vo
Ihigh+Ilow
Iout Ilow
通过示波器进行的输出电压观察
NG例 使用电路板连接器的示例
Ch1:SW(20V/div)
Ch3:Vo(200mV/div)(AC
)
正确测量波纹需要使用 使用引线电阻的测量插头制作方法
专用插头
缠在裸露的探头上,
去掉不要的地方
可用引线电阻和镀锌铁丝制作插头
以替代专用插头。
用镊子的头部将其弯曲,
去掉不要的地方
波形上:开关波形
波形下:电感电流波形
L:1.5uH、Vin=5V、Vout=1.8V、Iout=500mA
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「DC/DC转换器设计研讨会」
三. 电源设计流程及ROHM电源IC选型
1. 电源设计的流程
2. ROHM电源IC选型
DC/DC设计步骤
① 确定要求的规格
→1)输入电压 2)输出电压 3)负载电流 4)效率(有无轻负载模式) 5)瞬态响应 ・・・
② IC选型
→选定满足要求规格的控制方式和功能
③ 外围元器件选型
→线圈、输入输出电容、设定电压电阻、相位补偿 ・・・
④ 创建布局
→创建PCB板信息
⑤ 试制、评估
→PCB板制作、安装、性能评估
⑥ 量产设计、评估、出货检验
IC产品阵容表
BD9x Family Lineup
○ - Current Mode Control ◎ - On-time Control ▼ - Light Load Mode △ - Nonsynchronous Maximum Rating ROHM’s single output buck DC/DC converters
provide a power supply solution that satisfies your
8.0 ◎ BD9F800MUX 30V
specification requirements based on a matrix of input
voltage and output current. In the product name of
○ BD9C601EFJ 20V
6.0
BD9x Family, the numeric value “9” following “BD”
◎ BD9B600MUV ▼
represents the “buck” topology, the subsequent
○ BD9A600MUV ▼
alphabet represents the maximum rated input voltage
○ BD9C501EFJ 20V and the subsequent numeric value represents the
5.0
◎ BD9B500MUV ▼ output current.
○ BD9C401EFJ 20V
◎ BD9D321EFJ ▼ 20V
◎ BD9D320EFJ 20V ○ BD9G341AEFJ △ 80V
3.0 ○ BD9C301FJ / BD9C301FJ-LB 20V
Topology
SW=570kHz
9 : Buck Serial No.
◎ BD9B300MUV / BD9B301MUV-LB ▼ ○ BD9E302EFJ ▼ 30V
SW=300kHz 8 : Boost, Buck-Boost, 00, 01, 02, ・・・
○ BD9A300MUV / BD9A301MUV-LB ▼ ○ BD9E303EFJ-LB 40V Inverting
SW=570kHz
○ BD9E301EFJ-LB 40V Output Current
2.5 SW=1MHz Maximum Rated Input
○ BD9E300EFJ-LB 40V
Voltage and Control Mode 1 : ≤ 1A
2.0 ◎ BD9B200MUV ▼
2 : ≤ 2A
A : ≤ 7V Current Mode 3 : ≤ 3A
1.2 ○ BD9E151NUX △ 30V B : ≤ 7V On-time 4 : ≤ 4A
SW=570kHz C : ≤ 20V Current Mode ・
○ BD9E102FJ ▼ 30V D : ≤ 20V On-time ・
SW=570kHz
1.0 ◎ BD9B100MUV ▼ ○ BD9E101FJ-LB 40V
E : ≤ 40V Current Mode A:≤ 10A
SW=1MHz F : ≤ 40V On-time ・
○ BD9A100MUV / BD9A101MUV-LB ▼ ○ BD9E100FJ-LB 40V G : ≤ 80V Current Mode Z : Controller
0.5 ○ BD9G101G △ 45V
3.3 5.0 12 24 48 Note: There are some part numbers that do not conform with this rule
(VIN× 0.075) to
BD9C501EFJ 20V 0.5 IN× 0.7)
(VIN×(V0.075) ≥ 0.8V HTSOP-J8
5.0 ○ 2.9V BD91364BMUU PGD, Adj.SS, Remote sense 1.7 0.8 to (VIN× 0.8) VQFN20U4040M
○ BD9B500MUV PGD, Adj.SS 1.0 / 2.0 0.8 to (VIN× 0.8) T.B.D. (QFN)
▲ 4.75V BD9327EFJ / -LB 20V Adj.SS 0.38 0.9 to (VIN× 0.9) HTSOP-J8
0.8 to (VIN× 0.5)
4.0 ◎ BD95841MUV PGD 0.5 to 0.8 (VIN× 0.5) ≤ 5.5V VQFN016V3030
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
© 2017 ROHM Semiconductor (shenzhen) Co.,Ltd. *1 Limitations apply according to input/output voltage
P. 57
3.2 Lineup of Buck Converters (Integrated Switch FET) 严禁转载
- PWM mode ○ - On-time control - Maximum rating PGD – Power good
- Light-load efficiency ◎ - H3RegTM control ▲ - Non-synchronous Adj.SS – Adjustable soft start SW Freq.
rectification (MHz) VOUT (V) Package
3.3V 5V 12V 24V
▲ 4.75V BD9326EFJ / -LB 20V Adj.SS 0.38 0.9 to (VIN× 0.9) HTSOP-J8
(VIN× 0.0855) to
BD9E301EFJ-LB 36V 40V 0.57 (VIN× (VIN× 0.7)
0.0855) ≥ 1.0V HTSOP-J8
2.5
(VIN× 0.15) to (VIN× 0.7)
BD9E300EFJ-LB 36V 40V 1.0
(VIN× 0.15) ≥ 1.0V
HTSOP-J8
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
© 2017 ROHM Semiconductor (shenzhen) Co.,Ltd. *1 Limitations apply according to input/output voltage
P. 58
3.3 Lineup of Buck Converters (Integrated Switch FET) 严禁转载
- PWM mode ○ - On-time control - Maximum rating PGD – Power good
- Light-load efficiency ◎ - H3RegTM control ▲ - Non-synchronous Adj.SS – Adjustable soft start SW Freq.
rectification (MHz) VOUT (V) Package
3.3V 5V 12V 24V
HTSOP-J8
BD9130EFJ/NV 1.0 1.0 to 2.5 *1
SON008V5060
2.3 2.5
2.3 2.52.7
2.73.03.03.53.54.04.0 4.5 4.55.5 5.56.0 6.0 7.0 7.5 14 1514 1815
7.0 7.5 18
28 3228 32
42 5642 76 56 76 Input voltage (V)
© 2017 ROHM Semiconductor (shenzhen) Co.,Ltd. *1 Limitations apply according to input/output voltage
P. 59
3.4 Lineup of Buck Controllers (Integrated Switch FET) 严禁转载
- PWM mode ○ - On-time control - Maximum rating PGD – Power good
- Light-load efficiency ◎ - H3RegTM control ▲ - Non-synchronous Adj.SS – Adjustable soft start SW Freq.
rectification (MHz) VOUT (V) Package
3.3V 5V 12V 24V
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
■(0.05-0.5MHz) 10V BD9611MUV 60V Adj.SS 0.05 to 0.5 1.0 to (VIN× 0.8) VQFN020V4040
Dual ▲ 3.6V BD9848FV 35V 36V Adj.SS 0.1 to 1.5 Ch1: 1.0 to VIN *1 SSOP-B20
Ch2: 1.0 to VIN *1
▲ 3.6V BD9845FV 35V 36V Adj.SS 0.1 to 1.5 1.0 to V IN *1 SSOP-B14
◎ BD95601MUV-LB 25V 28V PGD, Adj.SS 0.2 to 0.5 0.75 to 2.0 VQFN020V4040
2.3 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 7.0 7.5 14 15 18 28 32 42 56 76 Input voltage (V)
© 2017 ROHM Semiconductor (shenzhen) Co.,Ltd. *1 Limitations apply according to input/output voltage P. 61
3.7 Lineup of Boost/Buck-boost/SEPIC and
Inverting Converters and Controllers 严禁转载
- PWM mode ▲ - Non-synchronous rectificationPGD – Power good
Buck-boost
- Light-load efficiency - Maximum rating Adj.SS – Adjustable soft start
Inversing
1cell Li-Ion 2cell Li-Ion
SEPIC
Boost
Control SW Freq.
VOUT (V) Package
Controller (External Switch)
Dual ▲ 3.6V BA9743AFV 35V 36V Adj.SS ✔ - - ✔ Voltage 10 to 800 2.505 to *1 SSOP-B16
▲ 4.2V BD9306AFVM 20V Soft Start ✔ - - - Voltage 100 to 800 VIN to (VIN/0.3) MSOP8
2000 BD8306MUV Soft Start ✔ ✔ - - Voltage 300 to 2000 1.8 to 5.2 VQFN016V3030
BU33DV7NUX Soft Start, Input pass through ✔ - - - Current 600 3.3 VSON010V3030
300
BU34DV7NUX Soft Start, Input pass through ✔ - - - Current 600 3.4 VSON010V3030
1.75 1.8 2.1 2.5 2.7 3.0 3.5 4.0 4.5 5.5 6.0 11 12 14 18 28 36 42 Input voltage (V)
谢谢您的垂听!
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