HỌC PHẦN

Điện tử công suất và ứng dụng

Số tín chỉ: 04
Hệ đào tạo: Đại học
Ngành đào tạo: Công nghệ kĩ thuật Điện, Điện tử
 Tài liệu học tập và tài liệu tham khảo

TÀI LIỆU HỌC TẬP

1. Tài liệu học tập "Điện tử công suất và ứng dụng", Võ Thu Hà, Nguyễn Thị
Thành, Nguyễn Cao Cƣờng, trƣờng Đại học Kinh tế - Kỹ thuật Công nghiệp, 2018.

TÀI LIỆU THAM KHẢO

2. Điện tử công suất - Nguyễn Bính, nhà xuất bản khoa học kỹ thuật, 2013

3. Phân tích và giải mạch điện tử công suất - Phạm Quốc Hải nhà xuất bản khoa
học kỹ thuật, 2013

4. Điện tử công suất – Võ Minh Chính, nhà suất bản khoa học kỹ thuật, 2010
 MỤC TIÊU HỌC PHẦN

 Kiến thức:
Sinh viên hiểu đƣợc các mạch động lực, mạch điều khiển của
các bộ biến đổi công suất lớn như các bộ chỉnh lưu công suất lớn,
các bộ điều chỉnh điện áp, các bộ biến tần... và ứng dụng của nó
trong các hệ thống điện thông dụng của các máy sản xuất.

Kỹ năng:
Sinh viên hiểu được nguyên lý biến đổi năng lượng điện năng
của các bộ biến đổi đồng thời tính toán chọn được các thiết bị hệ
thống điện tử công suất.
 NỘI DUNG HỌC PHẦN

 Chƣơng 1. Các phần tử bán dẫn công suất cơ bản.

 Chƣơng 2. Chỉnh lƣu điều khiển

 Chƣơng 3. Bộ biến đổi điện áp xoay chiều-xoay chiều

 Chƣơng 4. Bộ biến đổi điện áp một chiều - một chiều

 Chƣơng 5. Nghịch lƣu và bộ biến đổi tần số

 Lƣu ý

Bài giảng đang trong quá trình phát triển và hoàn thiện
 NỘI DUNG BÀI GIẢNG 1
CHƢƠNG 1: CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN CÔNG SUẤT CƠ BẢN

1.1. Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển
1.2. Điot công suất
1.3. Transitor công suất, BJT
1.4. Transitor trường, Mosfet
1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT
1.6. Thyristor
1.7. Triac
1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO
1.9. IGCT
1.10. MCT
1.11. MTO
1.12. ETO
1.13. So sánh khả năng hoạt động của các linh kiện
 BÀI GIẢNG 1

CHƢƠNG 1: CÁC PHẦN TỬ BÁN DẪN

CÔNG SUẤT CƠ BẢN

 2. MỤC TIÊU BÀI GIẢNG

 Sinh viên nhận dạng được các linh kiện điện tử công suất
dùng trong các thiết bị điện điện tử.

 Trình bày được cấu tạo các loại linh kiện điện tử công suất

 Giải thích được nguyên lý làm việc các loại linh kiện.
 3. HƢỚNG DẪN HỌC TẬP

 Đọc trước “Tài liệu học tập Điện tử công suất và ứng
dụng”: phần Chương 1: Các phần tử bán dẫn công suất
cơ bản
 Đọc trước Slide bài giảng “Chương 1: Các phần tử bán
dẫn công suaats cơ bản”
 Trả lời các câu hỏi cuối bài.
 Hoàn thành các câu hỏi, bài tập cuối các phần.
 Trao đổi và thảo luận với giảng viên.
 4. NỘI DUNG CHI TIẾT
1.1. Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển
1.2. Điot công suất
1.3. Transitor công suất, BJT
1.4. Transitor trường, Mosfet
1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT
1.6. Thyristor
1.7. Triac
1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO
1.9. IGCT
1.10. MCT
1.11. MTO
1.12. ETO
1.13. So sánh khả năng hoạt động của các linh kiện
1.1. Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển

Hình 1: Điều khiển đóng/mở van

 1.2. Diot công suất

1.2.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

a. Cấu tạo
Điot (Diode) được tạo thành bằng việc ghép hai phiến bán dẫn p – n
và tạo nên một vùng chuyển tiếp (một lớp tiếp giáp) ký thiệu là J.

Điot có 2 điện cực:

- Điện cực nối ra từ bán dẫn loại p được gọi là Anot (Anode), ký
hiệu là A,
- Điện cực còn lại nối ra từ bán dẫn n được gọi là katot (Kathode
hoặc Cathode) và ký hiệu là K.
 1.2. Diot công suất

1.2.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

b. Nguyên lý hoạt động

 Điốt dẫn dòng :

UAK> 0 có dòng điện IAK#0
 Điốt không dẫn dòng:
UAK< 0 không có dòng IAK
 1.2. Diot công suất

1.2.2. Đặc tính Vôn - Ampe

Đặc tính Vôn – ampe (V-A) của điot là mối quan hệ giữa dòng điện và
điện áp trên điot iD (uD), thể hiện bằng đồ thị hình 1.2.
 1.2. Diot công suất

1.2.2. Đặc tính Vôn - Ampe

Đặc tính gồm hai phần:
• Đặc tính thuận: Trong góc phần tư thứ I, tương ứng với uAK > 0.
• Đặc tính ngƣợc: Trong góc phần tư thứ III, tương ứng uAK < 0.
 1.2. Diot công suất

1.2.3. Các tham số cơ bản

 Iđm – dòng điện định mức
 U – sụt áp thuận; Sụt áp của diod trong khoảng (0,7 - 2)V
 P – tổn hao công suất; P = U.I (đến hàng kW)
 Tcp- nhiệt độ làm việc cho phép; Tại lớp tiếp giáp khoảng 2000C
 UN - điện áp ngược; Trong khoảng (50 - 4000)V
 Irò – dòng điện rò, hàng trăm mA
 1.2. Diot công suất
Hình ảnh một số Điot công suất trong thực tế
 CÂU HỎI SINH VIÊN TRẢ LỜI

1. Các linh kiện bán dẫn (các van bán dẫn) điện tử công suất
có mấy trạng thái? Đặc điểm của các trạng thái đó?
2. Theo khả năng điều khiển của van bán dẫn chia thành bao
nhiêu loại? đặc điểm mỗi loại? ví dụ?
3. Cấu tạo và ký hiệu điot?
4. Điều kiện khóa/mở van điốt? Tại sao điốt là van không
điều khiển?
5. Đặc tính Vôn – Ampe là gì? Đặc điểm của đặc tính Vôn –
Ampe của điốt?
6. Các tham số cơ bản của Điốt cần chú ý?
1.1. Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển
1.2. Điot công suất
1.3. Transitor công suất, BJT
1.4. Transitor trường, Mosfet
1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT
1.6. Thyristor
1.7. Triac
1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO
1.9. IGCT
1.10. MCT
1.11. MTO
1.12. ETO
1.13. So sánh khả năng hoạt động của các linh kiện
 1.3. Transitor công suất, BJT

1.3.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

a. Cấu tạo
Tranzitor lưỡng cực BJT (Bipolar Junction Tranzitor)

Cấu tạo và ký hiệu BJT

 1.3. Transitor công suất, BJT

1.3.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

b. Nguyên lý hoạt động
 1.3. Transitor công suất, BJT

1.3.2. Đặc tính V-A

 1.4. Transitor trường, MOSFET

1.4.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Transistor trƣờng , MOSFET (Metal Oxide-Semiconductor Field-Effect Tranzitor) có
cấu trúc bán dẫn cho phép điều khiển bằng điện áp với dòng điều khiển cực nhỏ

Cấu tạo và ký hiệu MOSFET

 1.4. Transitor trường, MOSFET

1.4.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

 1.4. Transitor trường, MOSFET

1.4.2. Đặc tính V-A

1.4. Transitor trường, MOSFET
 1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT

1.5.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

oIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Là linh kiện kết hợp giữa đặc tính tác động
nhanh và công suất lớn của Transistor với điện thế điều khiển lớn ở cực cổng của MOSFET:

Cấu tạo và ký hiệu IGBT

 1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT

1.5.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Cấu tạo IGBT

 1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT

1.5.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

 1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT

1.5.2. Đặc tính V-A

1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT
 CÂU HỎI SINH VIÊN TRẢ LỜI

1. Cấu tạo và ký hiệu BJT? Điều kiện khóa và điều

kiện mở BJT?
2. Cấu tạo và ký hiệu MOSFET? Điều kiện khóa và
điều kiện mở MOSFET?
3. Cấu tạo và ký hiệu IGBT? Điều kiện khóa và điều
kiện mở IGBT?
6. Đặc điểm chung của các van Transistor công
suất?
1.1. Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển
1.2. Điot công suất
1.3. Transitor công suất, BJT
1.4. Transitor trường, Mosfet
1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT
1.6. Thyristor
1.7. Triac
1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO
1.9. IGCT
1.10. MCT
1.11. MTO
1.12. ETO
1.13. So sánh khả năng hoạt động của các linh kiện
 1.6. Thyristor

1.6.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Cấu tạo và ký hiệu thyristor

 1.6. Thyristor

1.6.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

J1 J2 J3
A K
p1 n1 p2 n2

 Cấu tạo từ 4 chất bán dẫn đặt liên tiếp nhau.

 Nếu đặt điện áp ngoài vào các tiếp giáp trên có một lớp tiếp giáp
ngược.
 UAK > 0 có J2 ngược
UAK < 0 có J1 và J3 ngược
Cả hai trường hợp này không có dòng điện.
 Muốn có dòng điện chạy qua cần có dòng điều khiển( xóa đi
một lớp tiếp giáp nào đó)
 1.6. Thyristor

1.6.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

J1 J2 J3 iAK

A p1 n1 p2 n2 K

iGK
G
1.6. Thyristor
 1.6. Thyristor

1.6.2. Đặc tính V-A

Đặc tính gồm hai phần:

- Đặc tính thuận: Trong góc phần tƣ thứ I, tƣơng ứng với uAK > 0.

- Đặc tính ngược: Trong góc phần tƣ thứ III, tƣơng ứng uAK < 0.
1.6. Thyristor
1.6. Thyristor
 1.7. Triac

1.7.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

TRIAC (viết tắt của TRiode for Alternating Current) là phần tử bán dẫn gồm
năm lớp bán dẫn, tạo nên cấu trúc p-n-p-n như ở thyristor theo cả hai chiều
giữa các cực T1 và T2, do đó có thể dẫn dòng theo cả hai chiều giữa T1 và T2.
TRIAC có thể coi tương đương với hai thyristor đấu song song song ngược.
Để điều khiển Triac ta chỉ cần cấp xung cho chân G của Triac.

Cấu tạo và ký hiệu Triac

 1.7. Triac

1.7.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Đối với triac người ta không dùng thuật ngữ anot và katot. Mà dùng
thuật ngữ “đầu nối” A1 và A2 . Về hình dáng bề ngoài, triac giống một
thyristor => phải căn cứ vào mã hiệu để phân biệt.

Dòng điện chạy từ A2 sang A1

Dòng điện chạy từ A1 sang A2

 1.7. Triac

1.7.2. Đặc tính V-A

Đặc tính vôn - ampe của triac bao gồm hai đoạn đặc tính đối xứng nhau và nằm ở
góc phần tư thứ thứ I và thứ III, mỗi đoạn đều giống như đặc tính nhánh thuận của
một thyristor và được biểu diễn như trên dưới:

Đường đặc tính V-A của Triac

 1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO

Những thyristor điều khiển khóa được bằng tín hiệu điều khiển còn được gọi là
thyristor hai tác động hay thyristor điều khiển hoàn toàn (GTO – Gate Turn Off),
là các thyristor có khả năng điều khiển mở và khóa được bằng tín hiệu điều khiển
cấp vào cực G. Sử dụng loại thyristor này có thể chủ động cả thời điểm mở và
khóa nhờ tín hiệu điều khiển.

Cấu tạo và ký hiệu GTO

 1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO

GTO là một linh kiện có 4 lớp bán dẫn PNPN như SCR. Cấu tạo và ký hiệu được
mô tả như sau:

Cấu tạo và ký hiệu GTO

 1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO

Tuy có ký hiệu khác với Thyristor nhưng các tính chất thì tương tự. Sự khác biệt cơ
bản cũng là sự tiến bộ của GTO so với Thyristor là có thể mở hoặc tắt GTO chỉ bằng
một cổng (mở GTO bằng cách đưa xung dương vào cực cổng và tắt GTO bằng cách
đưa xung âm vào cực cổng).

Cấu tạo và ký hiệu GTO

 CÂU HỎI SINH VIÊN TRẢ LỜI

1. Cấu tạo và ký hiệu Thyristor? Điều kiện khóa và

điều kiện mở Thyristor?
2. Cấu tạo và ký hiệu Triac? Điều kiện khóa và điều
kiện mở Triac?
3. Cấu tạo và ký hiệu GTO? Điều kiện khóa và điều
kiện mở GTO?
1.1. Phân loại linh kiện bán dẫn theo khả năng điều khiển
1.2. Điot công suất
1.3. Transitor công suất, BJT
1.4. Transitor trường, Mosfet
1.5. Transitor có cực điều khiển cách ly, IGBT
1.6. Thyristor
1.7. Triac
1.8. Thyristor điều khiển hoàn toàn, GTO
1.9. IGCT
1.10. MCT
1.11. MTO
1.12. ETO
1.13. So sánh khả năng hoạt động của các linh kiện
 1.9. IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)

1.9.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Sự cải tiến công nghệ chế tạo GTO thyristor đã dẫn đến phát minh công nghệ IGCT.
IGCT – Integrated Gate - Commutated Thyristor là một dạng phát triển
của GTO với khả năng kéo xung dòng điện lớn bằng dòng định mức dẫn qua
Cathode về mạch cổng trong 1 để đảm bảo ngắt nhanh dòng điện. C
Cấu trúc của GCT và mạch tương đương của nó giống như của GTO.
IGCT là linh kiện gồm GCT và có thêm một số phần tử hỗ trợ, bao gồm cả board
mạch điều khiển và có thể gồm cả diode ngược.

Cấu tạo và ký hiệu IGCT

 1.9. IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)

1.9.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Để kích đóng IGCT, xung dòng điện được đưa vào cổng kích làm đóng
IGCT tương tự như trường hợp GTO.
Để kích ngắt IGCT, mối nối PN base-emitter được phân cực ngược bằng
cách cung cấp điện áp nguồn ngược chiều. Điều này làm triệt tiêu dòng điện
qua Cathode vì toàn bộ dòng điện đi qua Cathode sẽ được đẩy sang mạch
cổng với tốc độ rất nhanh và biến IGCT trở thành một Transistor PNP.
 1.9. IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)

1.9.2. Khả năng chịu tải

Ƣu điểm chính của IGCT thể hiện ở các mặt sau:

 Khả năng chịu áp khóa cao đến 6kV (dự kiến sẽ tăng lên đến 10kV)
với độ tin cậy cao
 Tổn hao thấp khi dẫn điện bởi có khả năng dẫn như thyristor
 Khả năng giới hạn dòng ngắn mạch sử dụng mạch bảo vệ chứa
cuộn kháng hạn chế di/dt (turn on snubber)
 Giá thành thấp do tận dụng công nghệ silicon với mức tích hợp
năng lượng cao.
Các thiết bị sử dụng IGCT có công suất thay đổi trong khoảng 0,3 đến 5MW cho
các ứng dụng truyền động điện nói chung, đến 5MW cho thiết bị ổn định điện áp
(Dynamic Voltage Restorer), nguồn dự phòng (Dynamic UPS) và máy cắt, đến
20MW đối với các truyền động đặc biệt, 25MW đối với mạch siêu dẫn từ SMES
(Supermagnetic Energy Storage) và 100MW cho thiết bị truyền tải điện (interties).
 1.10. MCT (MOS – Controlled Thyristor)

1.10.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

MCT – Mos – Controlled Thyristor có cấu tạo kết hợp công
nghệ của Thyristor với ưu điểm tổn hao dẫn điện thấp và khả
năng chịu áp cao của MOSFET với khả năng đóng ngắt nhanh.

Ký hiệu MCT

Cấu tạo MCT

 1.10. MCT (MOS – Controlled Thyristor)

1.10.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Để kích dẫn MCT, xung điện áp âm được đưa vào giữa cổng Gate – Anode
Để ngắt MCT, điện áp cổng Gate – Anode chuyển sang giá trị dương.

Ký hiệu MCT

Cấu tạo MCT

 1.10. MCT (MOS – Controlled Thyristor)

1.10.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Để kích dẫn MCT, xung điện áp âm được đưa vào giữa cổng Gate – Anode
Để ngắt MCT, điện áp cổng Gate – Anode chuyển sang giá trị dương.

Ký hiệu MCT

Cấu tạo MCT

 1.10. MCT (MOS – Controlled Thyristor)

1.10.2. Khả năng chịu tải

 MCT được áp dụng cho các trường hợp yêu cầu điện trở và độ tự
cảm nhỏ với khả năng chịu được gai dòng điện lớn và di/dt cao.
MCT có khả năng chịu được độ tăng dòng điện 1.400kA/sμ và giá trị
dòng đỉnh 14kA, tính qui đổi trên diện tích là 40kA/cm2 đối với xung
dòng điện. Các MCT được chế tạo ở dạng tích hợp ví dụ gồm 4 đến
6 linh kiện (ThinPak).

 MCT được sử dụng làm thiết bị phóng nạp điện cho máy bay, xe ô
tô, tàu thủy, nguồn cung cấp, ti vi. MCT cũng được sử dụng làm
công tắc chuyển mạch mềm (Soft switching) trong các mạch dao
động cộng hưởng (Auxiliary Resonant Commutated Pole). Khả năng
chịu di/dt cao và gai dòng lớn còn mở ra hướng phát triển dùng
MCT chế tạo các máy cắt với ưu điểm gọn nhẹ, giá thành hạ và đáp
ứng nhanh so với các máy cắt bán dẫn hiện tại. MCT dạng tích hợp
(ThinPak) còn được sử dụng trong các hệ truyền động máy kéo
trong giao thông vận tải
 1.11. MTO (MOS-Turn Off Thyristor)

1.11.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Linh kiện MTO thyristor được phát triển bởi hãng SPCO (Silicon Power
Coperation) trên cơ sở công nghệ GTO và MOSFET.
Cấu trúc MTO gồm 4 lớp và hai cổng điều khiển - một cổng điều khiển kích
đóng và một cổng điều khiển kích ngắt. Tại hai cổng này, lớp kim loại được
ghép trên lớp p.
 1.11. MTO (MOS-Turn Off Thyristor)

1.11.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Để dẫn dòng qua MTO một xung kích đóng bằng xung dòng điện trong
khoảng thời gian 5-10µs vào cổng “turn on” -G1, tương tự như khi kích
GTO. Xung dòng này sẽ cung cấp dòng điện vào lớp đệm của Transistor
NPN Q1 mà dòng qua Collector của nó sẽ cung cấp dòng đệm cho
Transistor NPN Q2 và quá trình tái sinh diễn ra sau đó tạo thành trạng thái
dẫn điện của MTO

Để ngắt dòng qua MTO, một xung điện áp

khỏang 15V cần đưa vào cổng “turn off” - G2,
tương tự như khi ngắt MCT.
 1.11. MTO (MOS-Turn Off Thyristor)

1.11.2. Khả năng chịu tải

 MTO thích hợp sử dụng cho các truyền động công suất lớn,
điện áp cao (>3kV cho đến 10kV), dòng điện lớn hơn 4000A,
độ sụt áp thấp (thấp hơn so với IGBT) và cho công suất tải
trong phạm vi 1MVA đến 20MVA do khả năng điều khiển đơn
giản và chịu được áp khóa lớn.
 MTO có thể sử dụng cho các thiết bị điều khiển công suất
trong hệ thống điện (FACTS Controller) làm việc trên nguyên
lý điều chế độ rộng xung PWM. Các nguồn điện dự phòng
công suất lớn (UPS) cũng là một hướng áp dụng của MTO.
Khả năng điều khiển cắt nhanh và dễ dàng của MTO làm cho
nó có thể ứng dụng thuận lợi làm các thiết bị cắt dòng điện DC
và dòng điện AC.
 1.12. ETO (Emitter-Turn Off Thyristor)

1.12.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động

Giống như MTO, ETO được phát triển trên cơ sở kết hợp các công nghệ
của GTO và MOSFET. ETO được phát minh bởi Trung tâm điện tử công
suất Virginia (Virginia Power Electronics Center) hợp tác với hãng SPCO

Ký hiệu và mạch tƣơng đƣơng ETO

 1.12. ETO (Emitter-Turn Off Thyristor)

ETO có hai cổng điều khiển: một cổng của riêng GTO được sử dụng để đóng
nó và cổng thứ hai là cổng kích vào cổng MOSFET nối tiếp để ngắt ETO.

Khi áp đặt một điện thế để kích ngắt ETO lên cổng n-MOSFET, n-MOSFET bị
tắt và nó đẩy toàn bộ dòng điện đang dẫn qua mạch cathode (lớp Emitter N
của transistor NPN trong cấu tạo GTO) sang mạch cổng kích của ETO với sự
hỗ trợ của MOSFET T2. Do đó, quá trình tái sinh trong linh kiện kết thúc làm
linh kiện bị ngắt.

Ký hiệu và mạch tƣơng đƣơng ETO

 1.12. ETO (Emitter-Turn Off Thyristor)

ETO về cơ bản gồm GTO có trang bị thêm linh kiện phụ dạng MOSFET, nó
giúp ngắt GTO nhanh và vì vậy giảm đáng kể tổn hao mạch cổng. Với đặc
điểm như vậy, chi phí mạch kích và mạch bảo vệ giảm đáng kể, đồng thời
nâng cao khả năng công suất của GTO.

Ký hiệu và mạch tƣơng đƣơng ETO

 1.12. ETO (Emitter-Turn Off Thyristor)

ETO về cơ bản gồm GTO có trang bị thêm linh kiện phụ dạng MOSFET, nó
giúp ngắt GTO nhanh và vì vậy giảm đáng kể tổn hao mạch cổng. Với đặc
điểm như vậy, chi phí mạch kích và mạch bảo vệ giảm đáng kể, đồng thời
nâng cao khả năng công suất của GTO.

Ký hiệu và mạch tƣơng đƣơng ETO

1.13. So sánh hoạt động của các linh kiện
 1.13. Câu hỏi và bài tập

 1. Nêu các đặc tính cơ bản của phần tử bán dẫn công suất?
 2. Phân biệt vấn đề điều khiển van bán dẫn giữa Thyristor
với GTO?
 3. Phân biệt vấn đề điều khiển van bán dẫn giữa MOSFET
và IGBT với BJT?
 4. Phân biệt vấn đề điều khiển van bán dẫn giữa IGCT với
MCT?
 5. Phân biệt vấn đề điều khiển van bán dẫn giữa MTO với
ETO?
 6. Phân tích hoạt động của các linh kiện bán dẫn công suất
theo hai khía cạnh công suất mang tải và tốc độ đóng ngắt?
 Chƣơng 1: Các linh kiện bán
dẫn công suất cơ bản

Nhóm van bán điều Nhóm van điều khiển

Nhóm van không khiển hoàn toàn
điều khiển
Điốt Thyristor, Triac, GTO,MCT, BJT, MOSFET,IGBT
IGCT
 CHUẨN BỊ BÀI HỌC SAU

 Đọc trƣớc : “Chƣơng 2: Chỉnh lƣu có điều khiển” trong Tài

liệu học tập và Bài giảng Slide

 Trả lời các câu hỏi sau:

1. Chỉnh lưu là gì? Cấu trúc chung của bộ Chỉnh lưu có điều
khiển? Phân loại? Ứng dụng bộ Chỉnh lưu trong thực tế như thế
nào?
2. Sơ đồ nối dây chỉnh lưu hình tia và nguyên lý hoạt động chung
của các sơ đồ chỉnh lưu hình tia?
3. Sơ đồ nối dây chỉnh lưu hình cầu và nguyên lý hoạt động chung
của các sơ đồ chỉnh lưu hình cầu?
4. Hiện tượng trùng dẫn? Đặc điểm điện áp và dòng điện trên tải
khi mạch xảy ra hiện tượng trùng dẫn?
5. Nêu tên các sơ đồ Chỉnh lưu thông dụng?
 CHUẨN BỊ BÀI HỌC SAU

 Đọc trƣớc : “Chƣơng 2: Chỉnh lƣu có điều khiển”

trong Tài liệu học tập.
 Trả lời các câu hỏi sau:
1. Chỉnh lưu là gì? Cấu trúc chung của bộ Chỉnh lưu có điều khiển? Phân
loại? Ứng dụng bộ Chỉnh lưu trong thực tế như thế nào?
2. Sơ đồ nối dây chỉnh lưu hình tia và nguyên lý hoạt động chung của các sơ
đồ chỉnh lưu hình tia?
3. Sơ đồ nối dây chỉnh lưu hình cầu và nguyên lý hoạt động chung của các
sơ đồ chỉnh lưu hình cầu?
4. Hiện tượng trùng dẫn? Đặc điểm điện áp và dòng điện trên tải khi mạch
xảy ra hiện tượng trùng dẫn?
5. Nêu tên các sơ đồ Chỉnh lưu thông dụng?
Xin chân thành cảm ơn các Thầy
Cô và các bạn đã lắng nghe!