BỘ CÔNG THƯƠNG

TRƯỜNG ĐẠI HỌC KINH TẾ - KỸ THUẬT CÔNG NGHIỆP

KHOA ĐIỆN TỬ

TÀI LIỆU HỌC TẬP

THÔNG TIN QUANG

Lưu hành nội bộ

1
 MỤC LỤC

LỜI NÓI ĐẦU ....................................................................................................... 5

CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG ............ 6
1.1. Lịch sử phát triển hệ thống thông tin quang .............................................. 6
1.2. Giới thiệu hệ thống thông tin quang điển hình .......................................... 8
1.2.1. Sơ đồ cơ bản của hệ thống thông tin quang......................................... 8
1.2.2. Ưu nhược điểm của hệ thống thông tin quang .................................... 9
1.3. Ứng dụng và xu hướng phát triển ............................................................ 11
1.3.1. Ứng dụng trong Viễn thông ............................................................. 11
1.3.2. Ứng dụng trong dịch vụ tổng hợp. ................................................... 11
CHƯƠNG 2: SỢI QUANG ................................................................................ 14
2.1. Một số vấn đề cơ bản về ánh sáng ........................................................... 14
2.1.1. Sóng điện từ ....................................................................................... 14
2.1.2. Quang hình......................................................................................... 16
2.1.3. Lượng tử............................................................................................ 18
2.2. Mô ta quá trình truyền ánh sáng trong sợi quang .................................. 19
2.2.1. Cấu tạo cơ bản của sợi quang .......................................................... 19
2.2.2. Khẩu độ số NA (Numerical Aperture) ............................................ 20
2.2.3. Phân loại sợi quang .......................................................................... 21
2.3. Các đặc tính truyền dẫn của sợi quang .................................................. 28
2.3.1. Suy hao .............................................................................................. 29
2.3.2. Tán sắc ............................................................................................... 33
2.3.3. Các hiệu ứng phi tuyến..................................................................... 44
2.4. Các loại sợi quang ................................................................................... 45
2.4.1. Sợi quang dịch chuyển tán sắc khác không (NZ-DSF) G.655 ....... 47
2.4.2. Sợi quang diện tích hiệu dụng lõi lớn .............................................. 48
2.4.3. Các sợi quang tán sắc âm và dương ................................................ 49
2.4.4. Sản xuất sợi quang............................................................................ 51
2.4.5. Cấu trúc cáp sợi quang ..................................................................... 59
CHƯƠNG 3: BỘ PHÁT QUANG ..................................................................... 67
3.1. Nguyên lý chung về biến đổi quang điện .............................................. 67
3.1.1. Mức năng lượng................................................................................ 67
2
 3.1.2. Các nguyên lý biến đổi quang điện ................................................. 69
3.1.3. Vùng năng lượng ............................................................................... 71
3.1.4. Nguồn quang bán dẫn ....................................................................... 72
3.2. Led (Light Emitting Diode) ..................................................................... 75
3.2.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động ........................................................ 75
3.2.2. Đặc tính P-I của Led ......................................................................... 76
3.2.3. Đặc tính phổ của Led ......................................................................... 77
3.2.4. Cấu trúc của Led ................................................................................ 78
3.3. Laser (Light Amplification By Stimulated Emission Of Radiation) .... 80
3.3.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Laser ........................................ 80
3.3.2. Hốc cộng hượng Fabry-Perot ............................................................ 81
3.3.3. Độ khuếch đại quang ......................................................................... 82
3.3.4. Đặc tính phổ của Laser Fabry-Perot .................................................. 83
3.3.5. Đặc tính của Laser ............................................................................. 84
3.4. Các đặc tính kỹ thuật của nguồn quang ................................................. 89
3.4.1. Đặc tính P-I của nguồn quang .......................................................... 89
3.4.2. Góc phát quang ................................................................................. 90
3.4.3. Hiệu suất ghép quang ....................................................................... 92
3.4.4. Độ rộng phổ ...................................................................................... 92
3.4.5. Thời gian lên ..................................................................................... 93
3.4.6. Ảnh hưởng của nhiệt độ ................................................................... 94
CHƯƠNG 4: BỘ THU QUANG ........................................................................ 98
4.1. Khái niệm cơ bản .................................................................................... 98
4.1.1. Nguyên lý chung ............................................................................... 98
4.1.2. Những thông số cơ bản của linh kiện tách sóng quang ................ 100
4.2. Linh kiện biến đổi quang - điện bán dẫn ............................................. 105
4.2.1 Photodiode P-N ................................................................................ 105
4.2.2 Photodiode PIN ................................................................................ 105
4.2.3 Photodiode APD .............................................................................. 107
4.3. Đặc tính kỹ thuật của Photodiode ........................................................ 109
4.3.1. Độ nhạy ........................................................................................... 109
4.3.2. Hiệu suất lượng tử .......................................................................... 109
4.3.3. Đáp ứng ........................................................................................... 109
4.3.4. Dải động .......................................................................................... 109
3
 4.3.5. Dòng tối .......................................................................................... 110
4.3.6. Độ ổn định ...................................................................................... 110
4.3.7.Điện áp phân cực ............................................................................. 110
CHƯƠNG 5: KHUẾCH ĐẠI QUANG ........................................................... 114
5.1. Tổng quan về khuếch đại quang ........................................................... 114
5.1.1. Giới thiệu về khuếch đại quang ..................................................... 114
5.1.2. Nguyên lý khuếch đại quang.......................................................... 115
5.1.3. Phân loại khuếch đại quang ........................................................... 116
5.1.4. Các thông số kỹ thuật của khuếch đại quang ................................ 118
5.4.5. Ứng dụng của khuếch đại quang ................................................... 120
5.2. Bộ khuếch đại quang bán dẫn (SOA) .................................................. 121
5.2.1. Cấu trúc và nguyên lý hoạt động ................................................... 121
5.2.2. Đặc tính của bộ khuếch đại.............................................................. 122
5.2.3. Nhiễu xuyên âm trong SOA ............................................................ 124
5.2.4. Ưu, khuyết điểm và ứng dụng của SOA .......................................... 125
5.3. Bộ khuếch đại quang RAMAN (RA)..................................................... 126
5.3.1. Nguyên lý hoạt động........................................................................ 126
5.2.3. Độ rộng băng tần và hệ số khuếch đại ............................................. 127
5.3.3. Ưu điểm của khuếch đại RAMAN .................................................. 128
CHƯƠNG 6: HỆ THỐNG THÔNG TIN QUANG WDM ............................ 131
6.1. Mô hình hệ thống thông tin quang WDM ........................................... 131
6.1.1. Sơ đồ khối hệ thống ......................................................................... 131
6.1.2. Các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng của hệ thống WDM ............ 133
6.1.3. Các thiết bị trong hệ thống thông tin quang .................................... 138
6.2. Thiết kế mạng thông tin quang .............................................................. 163
6.3. Một số công nghệ và xu hướng nghiên cứu trong mạng truyền tải
quang ..............................................................................................................166
6.3.1. Mạng truyền tải IP/WDM ................................................................ 166
6.3.2. Mạng truy nhập quang FTTx ........................................................... 171
6.3.3. Mạng quang chủ động AON ........................................................... 175
6.3.4. Mạng quang thụ động PON ............................................................. 176
6.3.5. Xu hướng phát triển mạng truyền tải quang .................................... 179

4
 LỜI NÓI ĐẦU
Từ khi ra đời cho đến nay thông tin quang đã trở thành hệ thống truyền dẫn
trọng yếu trên mạng lưới viễn thông. Trước đây, nhắc đến hệ thống truyền dẫn quang
thì chúng ta thường nghĩ ngay đến các hệ thống truyền dẫn với tốc độ rất cao, dung
lượng lớn đóng vai trò như các mạng đường trục của viễn thông. Nhưng giờ đây,
thông tin quang còn được phát triển nhanh chóng ở cả cấp độ mạng truy nhập. Có thể
thấy rằng để đáp ứng nhu cầu truyền tải do sự bùng nổ thông tin, hệ thống viễn thông
cần phải phát triển cả về qui mô và cấu trúc mạng.
Mạng truyền dẫn dựa trên hệ thống truyền thông sợi quang là xương sống của
mạng viễn thông. Do vậy để xây dựng được các hệ thống thông tin quang chúng ta cần
tìm hiểu đầy đủ về nó. Nhằm cung cấp cho sinh viên những kiến thức về các phần
tử cơ bản cấu thành hệ thống thông tin sợi quang, các tham số và nguyên lý vận hành
hệ thống, nhóm tác giả chúng tôi đã viết cuốn bài giảng “Thông tin quang” như là
một kênh tài liệu tham khảo bổ ích cho môn học.
Tài liệu được biên soạn dựa trên những bài giảng chọn lọc và đang được giảng dạy
nhiều năm tại khoa Điện tử, Trường Đại học Kinh Tế Kỹ Thuật Công Nghiệp
Bài giảng được biên soạn theo đúng chương trình đào tạo và các quy định về cách
trình bày của Nhà trường. Nội dung của bài giảng bao gồm 6 chương, trong mỗi chương
bao gồm các phần nội dung chủ yếu như sau:
- Mục tiêu của chương.
- Nội dung bài giảng
- Câu hỏi ôn tập chương
- Nội dung phần thảo luận
Xin cảm ơn các đồng nghiệp đã đọc và đóng góp nhiều ý kiến quý báu cho nội
dung bài giảng này.
Trong khi biên soạn, mặc dù rất cố gắng song không thể tránh khỏi những thiếu
sót nhất định, rất mong nhận được ý kiến đóng góp xây dựng tích cực của bạn đọc.

5
 CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ KỸ THUẬT THÔNG TIN QUANG

MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG

Kỹ thuật thông tin quang ngày càng sử dụng rộng rãi trong viễn thông, truyền
số liệu, truyền hình cáp, … Trong chương này chúng ta sẽ tìm hiểu sự ra đời và
phát triển của thông tin quang, cấu trúc tổng quát của hệ thống thông tin quang, các
ưu điểm và nhược điểm của cáp sợi quang, và các lĩnh vực ứng dụng công nghệ thông
tin sợi quang.
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT
1.1. Lịch sử phát triển hệ thống thông tin quang
Việc thông tin liên lạc bằng ánh sáng đã sớm xuất hiện trong sự phát triển loài
người khi con người trước đó đã liên lạc với nhau bằng cách ra dấu (Hand signal).
Liên lạc bằng cách ra dấu cũng là một dạng của thông tin quang: bởi vì không thể ra
dấu trong bóng tối. Ban ngày, mặt trời là nguồn ánh sáng cho hệ thống này (hệ thống
“Hand signal”). Thông tin được mang từ người gửi đến người nhận dựa vào sự bức
xạ mặt trời. Mắt là thiết bị thu thông điệp này, và bộ não xử lý thông điệp này.
Thông tin truyền theo kiểu này rất chậm, khoảng cách lan truyền có giới hạn, và lỗi
rất lớn.
Một hệ thống quang sau đó, có thể có đường truyền dài hơn, là tín hiệu khói
(Smoke signal). Thông điệp được gởi đi bằng cách thay đổi dạng khói phát ra từ
lửa. Mẫu khói này một lần nữa được mang đến phía thu bằng ánh sáng mặt trời. Hệ
thống này đòi hỏi một phương pháp mã hóa phải được đặt ra, mà người gởi và người
thu thông điệp phải được học nó. Điều này có thể có thể so sánh với hệ thống mã xung
(pulse codes) sử dụng trong hệ thống số (digital system) hiện đại.
Trải qua một thời gian dài từ khi con người sử dụng ánh sáng mặt trời và lửa để
làm thông tin liên lạc đến nay lịch sử của thông tin quang đã qua những bước phát
triển và hoàn thiện có thể tóm tắt bằng những mốc chính sau đây:
− Năm 1775: Paul Revere đã sử dụng ánh sáng để báo hiệu quân đội Anh từ
Boston sắp kéo tới.
− Năm 1790: Claude Chappe, kỹ sư người Pháp, đã xây dựng một hệ thống
điện báo quang (optical telegraph). Hệ thống này gồm một chuỗi các tháp với các
đèn báo hiệu trên đó. Thời đó tin tức được truyền với tín hiệu này vượt chặng đường
200 Km trong vòng 15 phút.
− Năm 1854: John Tyndall, nhà vật lý tự nhiên người Anh, đã thực hiện thành
công một thí nghiệm đáng chú ý nhất là ánh sáng có thể truyền qua một môi trường
điện môi trong suốt.

6
 − Năm 1870: cũng John Tyndall đã chứng minh được rằng ánh sáng có thể dẫn
được theo một vòi nước uốn cong dựa vào nguyên lý phản xạ toàn phần.
− Năm 1880: Alexander Graham Bell, người Mỹ, đã phát minh ra một hệ thống
thông tin ánh sáng, đó là hệ thống photophone. Ông ta đã sử dụng ánh sáng mặt
trời từ một gương phẳng mỏng đã điều chế tiếng nói để mang tiếng nói đi. Ở máy
thu, ánh sáng mặt trời đã được điều chế đập vào tế bào quang dẫn, selen, nó sẽ biến
đổi thông điệp thành dòng điện. Bộ thu máy điện thoại hoàn tất hệ thống này. Hệ
thống photophone chưa bao giờ đạt được thành công trên thương mại, mặc dù nó đã
làm việc tốt hơn, do nguồn nhiễu quá lớn làm giảm chất lượng đường truyền.
− Năm 1934: Norman R.French, kỹ sư người Mỹ, nhận được bằng sáng chế về
hệ thống thông tin quang. Phương tiện truyền dẫn của ông là thanh thủy tinh.
− Vào những năm 1950: Brian O’Brien, Harry Hopkins và Nariorger Kapany
đã phát triển sợi quang có hai lớp, bao gồm lớp lõi (Core) bên trong (ánh sáng lan
truyền trong lớp này) và lớp bọc (Cladding) bao xung quanh bên ngoài lớp lõi, nhằm
nhốt ánh sáng ở lõi. Sợi này sau đó được các nhà khoa học trên phát triển thành
Fibrescope uốn cong (một loại kính soi bằng sợi quang), một thiết bị có khả năng
truyền một hình ảnh từ đầu sợi đến cuối sợi. Tính uốn cong của fiberscope cho phép
ta quan sát một vùng mà ta không thể xem một cách bình thường được. Đến nay,
hệ thống fiberscope vẫn còn được sử dụng rộng rải, đặc biệt trong ngành y dùng
để soi bên trong cơ thể con người.
− Vào năm 1958: Charles H.Townes đã phát minh ra con Laser cho phép tăng
cường và tập trung nguồn sáng để ghép vào sợi.
− Năm 1960: Theodor H.Maiman đưa laser vào hoạt động thành công, làm tăng
dung lượng hệ thống thông tin quang rất cao.
− Năm 1966: Charles K.Kao và George Hockham thuộc phòng thí
nghiệm Standard Telecommunication của Anh thực hiện nhiều thí nghiệm để chứng
minh rằng nếu thủy tinh được chế tạo trong suốt hơn bằng cách giảm tạp chất trong
thủy tinh thì sự suy hao ánh sáng sẽ đượ giảm tối thiểu. Và họ cho rằng nếu sợi
quang được chế tạo đủ tinh khiết thì ánh sáng có thể truyền đi xa nhiều Km.
− Năm 1967: suy hao sợi quang được báo cáo là α ≈ 1000 dB/Km.
− Năm 1970: hãng Corning Glass Works đã chế tạo thành công sợi SI có suy
hao α < 20 dB/Km ở bước sóng λ = 633 nm.
− Năm 1972: loại sợi GI được chế tạo với suy hao α ≈ 4 dB/Km.
− Năm 1983: sợi SM (Single Mode) được sản xuất ở Mỹ.
− Năm 1988: Công ty NEC thiết lập một mạng đường dài mới có tốc độ 10
Gbit/s trên chiều dài 80,1 Km dùng sợi dịch tán sắc và Laser hồi tiếp phân bố.

7
 − Hiện nay, sợi quang có suy hao α ≤ 0,2 dB/Km ở bước sóng 1550 nm, và có
những loại sợi đặc biệt có suy hao thấp hơn giá trị này rất nhiều.
1.2. Giới thiệu hệ thống thông tin quang điển hình
1.2.1. Sơ đồ cơ bản của hệ thống thông tin quang

Hình 1.1. Cấu hình cơ bản của hệ thống thông tin quang
Hình 1.1 biểu thị cấu hình cơ bản của một hệ thống thông tin quang. Nói chung,
tín hiệu điện từ máy điện thoại, từ các thiết bị đầu cuối, số liệu hoặc Fax được đưa
đến bộ E/O để chuyển thành tín hiệu quang, sau đó gởi vào cáp quang. Khi truyền
qua sợi quang, công suất tín hiệu (ánh sáng) bị suy yếu dần và dạng sóng bị rộng ra.
Khi truyền tới đầu bên kia sợi quang, tín hiệu này được đưa vào bộ O/E để tạo lại tín
hiệu điện, khôi phục lại nguyên dạng như ban đầu mà máy điện thoại, số liệu và Fax
đã gửi đi.
Như vậy, cấu trúc cơ bản của một hệ thống thông tin quang có thể được mô tả
đơn giản như hình 1.2, gồm:
 Bộ phát quang.
 Bộ thu quang.
 Môi trường truyền dẫn là cáp sợi quang.

Hình 1.2. Cấu trúc cơ bản của hệ thống thông tin quang
Trên hình 1.2 chỉ mới minh họa tuyến truyền dẫn quang liên lạc theo một hướng.
Hình 1.3 minh họa tuyến truyền dẫn quang liên lạc theo hai hướng.

8
 Hình 1.3. Minh họa tuyến truyền dẫn quang theo hai hướng
Như vậy, để thực hiện truyền dẫn giữa hai điểm cần có hai sợi quang.
Nếu cự ly thông tin quá dài thì trên tuyến có thể có một hoặc nhiều trạm lặp
(Repeater). Cấu trúc đơn giản của một trạm lặp (cho một hướng truyền dẫn) được
minh họa ở hình 1.4.

Hình 1.4. Cấu trúc đơn giản của một trạm lặp quang
− Khối E/O: bộ phát quang có nhiệm vụ nhận tín hiệu điện đưa đến, biến tín
hiệu điện đó thành tín hiệu quang, và đưa tín hiệu quang này lên đường truyền (sợi
quang). Đó là chức năng chính của khối E/O ở bộ phát quang. Thường người ta gọi
khối E/O là nguồn quang. Hiện nay linh kiện được sử dụng làm nguồn quang là LED
và LASER.
− Khối O/E: khi tín hiệu quang truyền đến đầu thu, tín hiệu quang này sẽ được
thu nhận và biến trở lại thành tín hiệu điện như ở đầu phát. Đó là chức năng của khối
O/E ở bộ thu quang. Các linh kiện hiện nay được sử dụng để làm chức năng này là
PIN và APD, và chúng thường được gọi là linh kiện tách sóng quang (photo-detector).
− Trạm lặp: khi truyền trên sợi quang, công suất tín hiệu quang bị suy yếu dần
(do sợi quang có độ suy hao). Nếu cự ly thông tin quá dài thì tín hiệu quang này có
thể không đến được đầu thu hoặc đến đầu thu với công suất còn rất thấp đầu thu
không nhận biết được, lúc này ta phải sử dụng trạm lặp (hay còn gọi là trạm tiếp
vận). Chức năng chính của trạm lặp là thu nhận tín hiệu quang đã suy yếu, tái tạo
chúng trở lại thành tín hiệu điện. Sau đó sửa dạng tín hiệu điện này, khuếch đại tín
hiệu đã sửa dạng, chuyển đổi tín hiệu đã khuếch đại thành tín hiệu quang. Và cuối
cùng đưa tín hiệu quang này lên đường truyền để truyền tiếp đến đầu thu. Như vậy,
tín hiệu ở ngõ vào và ngõ ra của trạm lặp đều ở dạng quang, và trong trạm lặp có cả
khối O/E và E/O.
1.2.2. Ưu nhược điểm của hệ thống thông tin quang
a) Ưu điểm
 Suy hao thấp. Suy hao thấp cho phép khoảng cách lan truyền dài hơn. Nếu
so sánh với cáp đồng trong một mạng, khoảng cách lớn nhất đối với cáp đồng được
9
khuyến cáo là 100 m, thì đối với cáp quang khoảng cách đó là 2000 m. Một nhược
điểm cơ bản của cáp đồng là suy hao tăng theo tần số của tín hiệu. Điều này có
nghĩa là tốc độ dữ liệu cao dẫn đến tăng suy hao công suất và giảm khoảng cách
lan truyền thực tế. Đối với cáp quang thì suy hao không thay đổi theo tần số của tín
hệu.
 Dải thông rộng. Sợi quang có băng thông rộng cho phép thiết lập hệ thống
truyền dẫn số tốc độ cao. Hiện nay, băng tần của sợi quang có thể lên đến hàng THz.
 Trọng lượng nhẹ. Trọng lượng của cáp quang nhỏ hơn so với cáp đồng. Một
cáp quang có 2 sợi quang nhẹ hơn 20% đến 50% cáp Category 5 có 4 đôi. Cáp quang
có trọng lượng nhẹ hơn nên cho phép lắp đặt dễ dàng hơn
 Kích thước nhỏ. Cápsợi quang có kích thước nhỏ sẽ dễ dàng cho việc thiết
kế mạng chật hẹp về không gian lắp đặt cáp.
 Không bị can nhiễu sóng điện từ và điện công nghiệp.
 Tính an toàn. Vì sợi quang là một chất điện môi nên nó không dẫn điện.
Bảng 1.1. So sánh giữa cáp quang và cáp đồng.

Đặc tính Cáp đồng Cáp quang

Sợi đa mode Sợi đơn mode

Dải thông 100 MHz 1 GHz > 100 GHz

Cự ly truyền dẫn 100 m 200 m 40.000 m

Xuyên kênh Có Không

Trọng lượng Nặng hơn Nhẹ hơn

Kích thước Lớn hơn Nhỏ hơn

 Tính bảo mật. Sợi quang rất khó trích tín hiệu. Vì nó không bức xạ năng
lượng điện từ nên không thể bị trích để lấy trộm thông tin bằng các phương tiện
điện thông thường như sự dẫn điện bề mặt hay cảm ứng điện từ, và rất khó trích lấy
thông tin ở dạng tín hiệu quang.
 Tính linh hoạt. Các hệ thống thông tin quang đều khả dụng cho hầu hết các
dạng thông tin số liệu, thoại và video.
b) Nhược điểm
 Vấn đề biến đổi Điện-Quang. Trước khi đưa một tín hiệu thông tin điện vào
sợi quang, tín hiệu điện đó phải được biến đổi thành sóng ánh sáng.

10
  Dòn, dễ gẫy. Sợi quang sử dụng trong viễn thông được chế tạo từ thủy tinh
nên dòn và dễ gẫy. Hơn nữa kích thước sợi nhỏ nên việc hàn nối gặp nhiều khó khăn.
Muốn hàn nối cần có thiết bị chuyên dụng.
 Vấn đề sửa chữa. Các quy trình sửa chữa đòi hỏi phải có một nhóm kỹ thuật
viên có kỹ năng tốt cùng các thiết bị thích hợp.
 Vấn đề an toàn lao động. Khi hàn nối sợi quang cần để các mảnh cắt vào lọ
kín để tránh đâm vào tay, vì không có phương tiện nào có thể phát hiện mảnh thủy
tinh trong cơ thể. Ngoài ra, không được nhìn trực diện đầu sợi quang hay các khớp
nối để hở phòng ngừa có ánh sáng truyền trong sợi chiếu trực tiếp vào mắt. Ánh
sáng sử dụng trong hệ thống thông tin quang là ánh sáng hồng ngoại, mắt người
không cảm nhận được nên không thể điều tiết khi có nguồn năng lượng này, và sẽ
gây nguy hại cho mắt.
1.3. Ứng dụng và xu hướng phát triển
1.3.1. Ứng dụng trong Viễn thông
− Mạng đường trục quốc gia.
− Đường trung kế.
− Đường cáp thả biển liên quốc gia.
1.3.2. Ứng dụng trong dịch vụ tổng hợp.
 Truyền số liệu.
 Truyền hình cáp.
Dưới đây minh họa một vài ứng dụng sử dụng cáp sợi quang.
Cáp sợi quang hiện nay được sử dụng cho rất nhiều ứng dụng khác nhau. Chẳng
hạn, nhiều công ty điện thoại đang sử dụng các tuyến cáp quang để truyền thông giữa
các tổng đài, qua các thành phố, qua các nước khác nhau và qua những tuyến dài trên
biển (xem hình 1.5). Hiện nay ở một số nước đã có kế hoạch mở rộng cáp quang đến
các hộ gia đình để cung cấp các dịch vụ videophone chất lượng cao.

Hình 1.5. Kết nối các tổng đài bằng cáp sợi quang

11
 Các công ty truyền hình cáp đang triển khai các đường cáp quang để truyền tải
những tín hiệu chất lượng cao từ trung tâm đến các vị trí trung chuyển phân bố xung
quanh các thành phố (hình 1.6). Sợi quang nâng cao được chất lượng của các tín
hiệu truyền hình và làm tăng số kênh khả dụng. Trong tương lai cáp quang có thể nối
trực tiếp đến các hộ gia đình cung cấp nhiều dịch vụ mới cho người sử dụng. Những
dịch vụ dựa trên cáp quang như truyền hình tương tác, giao dịch ngân hàng tại gia,
hay làm việc từ một hệ thống văn phòng tại gia đã được đưa vào kế hoạch sử dụng
trong tương lai.

Hình 1.6. Mạng truyền hình cáp quang

Sợi quang là phương tiện lý tưởng cho truyền số liệu tốc độ cao. Tín hiệu
không bị méo bởi nhiễu từ môi trường xung quanh. Tính cách điện của sợi quang
tạo ra một giao tiếp an toàn giữa các máy tính, các thiết bị đầu cuối, và các trạm làm
việc. Rất nhiều trung tâm máy tính đang sử dụng cáp sợi quang để cung cấp các đường
truyền số liệu tốc độ cao ở các mạng LAN.
NỘI DUNG TÓM TẮT CHƯƠNG 1
Với đặc tính suy hao thấp, băng thông rộng, kích thước nhỏ, nhẹ, không bị
can nhiễu sóng điện từ và điện công nghiệp làm cho sợi quang được sử dụng trong
nhiều lĩnh vực như lĩnh vực viễn thông: viễn thông đường dài, viễn thông quốc tế
sử dụng cáp quang vượt đại dương, mạng trung kế, mạng nội hạt thuê bao; lĩnh vực
công nghiệp: đường truyền tín hiệu điều khiển tự động trong hệ thống tự động, công
nghiệp dệt; lĩnh vực y học; lĩnh vực quân sự. Sợi quang chỉ có thể truyền tín hiệu
dưới dạng ánh sáng nên các nguồn tín hiệu điện được chuyển thành ánh sáng bằng
cách sử dụng LED hoặc LASER. Quá trình này được xử lý và diễn ra ở đầu phát,
và được gọi là bộ phát quang. Tín hiệu quang này được ghép vào sợi và truyền đến
bộ thu quang. Sau khi đến đầu thu, các tín hiệu này được chuyển trở lại thành tín hiệu
điện thông qua linh kiện PIN hoặc APD. Mặc dù sợi quang có suy hao thấp nhưng

12
tín hiệu vẫn bị suy yếu, do đó đôi lúc trên hệ thống cũng cần bộ lặp quang, còn gọi
trạm tiếp vận.
Với tiềm năng về băng thông nên hệ thống truyền dẫn sợi quang đã và đang
phát triển trong hệ thống truyền dẫn số đường dài, tốc độ cao từ hàng trăm Mega
bit/s đến hàng Tera bit/s nhờ sử dụng công nghệ ghép kênh theo bước sóng quang
WDM
CÂU HỎI HƯỚNG DẪN ÔN TẬP CHƯƠNG
1.1. Trình bày cấu trúc tổng quát của một hệ thống thôngtin quang.
1.2. Nêu các ưu điểm của sợi quang.
1.3. Nêu các nhược điểm của sợi quang.
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN
1.4. Mô tả chức năng các thành phần trên hệ thống thông tin quang.
1.5. Trình bày các ứng dụng của thông tin bằng sợi quang.
1.6. Cấu trúc cơ bản của một hệ thống thông tin quang bao gồm:
a. Máy phát, máy thu và môi trường truyền dẫn.
b. Máy phát quang, máy thu quang và cáp đồng trục.
c. Máy phát quang, máy thu quang và cáp sợi quang.
d. Cả a, b, c đều đúng
1.7. Tín hiệu truyền trên sợi quang là:
a. Dòng điện
b. Điện áp
c. Ánh sáng
d. Cả a, b, c đều đúng.
1.8. Linh kiện tách sóng quang có nhiệm vụ:
a. Khuếch đại ánh sáng.
b. Biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện.
c. Biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu quang.
d. Sửa dạng tín hiệu quang
1.9. Nguồn quang có nhiệm vụ:
a. Biến đổi tín hiệu điện sang tín hiệu quang.
b. Biến đổi tín hiệu quang sang tín hiệu điện.
c. Khuếch đại ánh sáng.
d. Sửa dạng tín hiệu quang

13
 CHƯƠNG 2: SỢI QUANG
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG
Sợi quang là một môi trường thông tin đặc biệt có thể so sánh với các môi
trường khác như cáp đồng hoặc không gian tự do. Một sợi quang cung cấp một môi
trường truyền dẫn suy hao thấp trên một dãi tần số rộng lớn ít nhất là 2.5 THz, hay
cao hơn với các loại sợi quang đặc biệt, dãi thông của nó rộng hơn dải thông của
cáp đồng hay bất cứ môi trường truyền dẫn nào. Dải thông này có thể truyền hàng
trăm triệu cuộc gọi đồng thời, hoặc hàng chục triệu trang web trong một giây. Ðặc
tính suy hao thấp cho phép truyền tín hiệu ở khoảng cách dài với tốc độ cao trước
khi chúng được khuếch đại. Với hai đặc tính suy hao thấp và dải thông cao nên hệ
thống thông tin sợi quang đã được sử dụng rộng rãi ngày nay. Chúng ta bắt đầu
chương này bằng cách thảo luận các nguyên lý cơ bản của sự lan truyền ánh sáng
trong sợi quang, bắt đầu từ mô hình quang hình học đơn giản tới mô hình lý thuyết
sóng chung dựa vào phương trình Maxwell. Sau đó chúng ta phần còn lại của chương
này để tìm hiểu các cơ sở tán sắc màu và các hiện tượng phi tuyến trong sợi quang.
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT
2.1. Một số vấn đề cơ bản về ánh sáng
2.1.1. Sóng điện từ
Ánh sáng như là sóng điện từ. Hình 2.1 là hình ảnh tĩnh của một sóng điện từ.

Hình 2.1 Sóng điện từ: hình tĩnh

(a) Theo thời gian: T - chu kỳ, f = 1/T - tần số (Hz); (b) Theo không gian: λ -
bước sóng (m).
Trong môi trường không gian tự do, ánh sáng là sóng điện từ ngang (TEM).
Khái niệm ngang (transverse) có nghĩa là cả hai véc tơ - điện trường E và từ trường
H - vuông góc với phương truyền, trục z trong hình 2.1.
 Tần số: Ký hiệu: f .
- Đơn vị: Hz (Hertz), hay cps (cycle per second).
 Bước sóng:
- Ký hiệu: λ
14
 - Đơn vị: m (µm, nm).
Giữa tần số và bước sóng có mối quan hệ sau:
𝑐 𝑐
𝜆= ℎ𝑎𝑦 𝑓 = (2.1)
𝑓 𝜆
Với c là vận tốc ánh sáng trong chân không, c = 3.108 m/s.
 Khoảng cách tần số (f) và khoảng cách bước sóng (λ)
Lấy đạo hàm (2.1) theo tần số trung tâm λ0, ta thu được mối quan hệ giữa khoảng
cách tần số và khoảng cách bước sóng
𝑐
Δ𝑓 = Δ𝜆 (2.2)
𝜆2
0

 Phổ sóng điện từ:

Hình 2.2. Phổ sóng điện từ

Bảng 2.1 Các băng sóng vô tuyến
Băng tần Tần số (f) Bước sóng (λ)
VLF 3KHz ÷ 30KHz 100Km ÷ 10Km
LF 30KHz ÷ 300KHz 10Km ÷ 1Km
MF 300KHz ÷ 3MHz 1Km ÷ 100m
HF 3MHz ÷ 30MHz 100m ÷ 10m
VHF 30MHz ÷ 300MHz 10m ÷ 1m
UHF 300MHz ÷ 3GHz 1m ÷ 1dm
SHF 3GHz ÷ 30GHz 1dm ÷ 1cm
EHF 30GHz ÷ 300GHz 1cm ÷ 1mm
- Vùng ánh sáng nhìn thấy được: chiếm dải phổ từ 380 nm đến 780nm.

15
 - Vùng hồng ngoại: chia làm 3 phần:
o Vùng hồng ngoại gần: 780 nm ÷ 1400 nm.
o Vùng hồng ngoại giữa: 1,4 µm ÷ 6 µm.
o Vùng hồng ngoại xa: 6 µm ÷ 1 mm.
- Ánh sáng dùng trong thông tin quang: 800 nm ( 1600 nm (như vậy
nằm trong vùng hồng ngoại gần và một phần vùng hồng ngoại giữa).
- Ba bước sóng ánh sáng thông dụng dùng trong các hệ thống thông tin
quang được gọi là 3 cửa sổ quang:
o Cửa sổ 1: λ1 = 850nm
o Cửa sổ 2: λ2 = 1300nm
o Cửa sổ 3: λ3 = 1550nm
o Cửa sổ 4: λ4 = 1625nm
2.1.2. Quang hình
2.1.2.1. Chiết suất khúc xạ
Ánh sáng có thể xem như là một chùm tia sáng. Các tia sáng lan truyền trong
các môi trường khác nhau với vận tốc khác nhau. Có thể xem các môi trường khác
nhau cản trở sự lan truyền canh sáng bằng các lực khác nhau. Điều này được đặc trưng
bằng chiết suất khúc xạ của môi trường.
Chiết suất của một môi trường trong suốt (n) được xác định bởi tỉ số giữa vận
tốc ánh sáng lan truyền trong chân không với vận tốc của ánh sánh lan truyền trong
môi trường ấy.
𝑐
𝑛= (2.3)
𝑣
Với:
n: chiết suất của môi trường, không có đơn vị.
v: vận tốc ánh sáng trong môi trường, (m/s).
c: vận tốc ánh sáng trong chân không, (m/s).
Chiết suất của một vài môi trường thông dụng
- Không khí: n = 1,00029 ≈ 1,0.
- Nước: n = 4/3 ≈1,33.
- Thủy tinh: n = 1,48.
Vì v ≤ c nên n ≥ 1.
2.1.2.2. Phản xạ, khúc xạ, phản xạ toàn phần và định luật Snell
Ánh sáng truyền thẳng trong môi trường đồng nhất, bị phản xạ và khúc xạ tại
biên ngăn cách hai môi trường đồng nhất khác nhau.
Như vậy, ba đặc điểm cơ bản của ánh sáng là:

16
 - Truyền thẳng.
- Phản xạ.
- Khúc xạ.
Tổng quát, khi một tia sáng tới mặt ngăn cách giữa hai môi trường, tia sáng này
bị tách ra làm hai phần: một phần dội lại môi trường đầu (hiện tượng phản xạ), một
phần truyền tiếp qua môi trường hai. Tia truyền tiếp bị lệch hướng truyền so với
tia ban đầu (hiện tượng khúc xạ). Ðiều này được minh họa ở hình 2.3.

Hình 2.3 Hiện tượng phản xạ và khúc xạ ánh sáng

 Ðịnh luật phản xạ ánh sáng: được phát biểu tóm tắt như sau:
 Tia phản xạ nằm trong mặt phẳng tới.
 Góc phản xạ bằng góc tới (𝜃1 ' = 𝜃1 ).
 Ðịnh luật khúc xạ ánh sáng:
 Tia khúc xạ nằm trong mặt phẳng tới.
 Góc khúc xạ và góc tới liên hệ nhau theo công thức Snell:
𝑛1 𝑠𝑖𝑛𝜃1 = 𝑛2 𝑠𝑖𝑛𝜃2 (2.4)
 Phản xạ toàn phần
Xét hai trường hợp sau:
a) n1 < n2

Hình 2.4 Ánh sáng đi từ môi trường chiết suất nhỏ sang
môi trường chiết suất lớn
Từ phương trình (2.5) kết hợp n1 < n2 suy ra 𝜃1 > 𝜃2 (xem hình 2.4)
Như vậy, khi ánh sáng đi từ môi trường có chiết suất nhỏ sang môi trường có
chiết suất lớn hơn, tia khúc xạ lệch về phía gần pháp tuyến hay lệch xa mặt ngăn cách
giữa hai môi trường 1 và 2.
17
 b) n1>n2

Hình 2.5 Hiện tượng phản xạ toàn phần. (a): còn tia khúc xa
(b): xuất hiện tia phản xạ (tia 3)
Từ phương trình (2.4) kết hợp n1>n2 suy ra 𝜃1 < 𝜃2 (xem hình 2.5 (a)).
Như vậy, khi ánh sáng đi từ môi trường có chiết suất lớn sang môi trường có
chiết suất nhỏ hơn tia khúc xạ lệch về phía xa pháp tuyến hay lệch gần về phía mặt
ngăn cách giữa hai môi trường 1 và 2.
Cho nên khi tăng góc tới 𝜃1 = 𝜃𝑐 < 90° thì 𝜃2 = 90° (hình 2.5 (b)).
Và khi 𝜃1 > 𝜃𝑐 thì tia tới bị phản xạ hoàn toàn về môi trường 1, và được gọi là
hiện tượng phản xạ hoàn toàn (total reflection).
𝜃𝑐 được gọi là góc giới hạn (critical angle). Từ phương trình (2.4) suy ra:
𝑛2
𝑠𝑖𝑛𝜃𝑐 = (2.5)
𝑛1
2.1.3. Lượng tử
Mỗi nguyên tử chỉ có thể chiếm một số mức năng lượng rời rạc. Điều này được
diễn tả bằng sơ đồ mức năng lượng như trên hình 2.6.

Hình 2.6 Sơ đồ mức năng lượng

- Nguyên tử có khuynh hướng tồn tại ở mức năng lượng thấp nhất.
- Ðể kích thích nguyên tử nhảy lên mức năng lượng cao hơn, chúng phải được
cung cấp một năng lượng bên ngoài. Quá trình này gọi là “bơm”.

18
 - Khi nguyên tử nhảy lên mức năng lượng cao hơn, nó hấp thụ một lượng năng
lượng từ bên ngoài. Lượng này đúng bằng độ chênh lệch về năng lượng
giữa hai mức cao và thấp xảy ra việc nhảy này.
- Khi nguyên tử rơi từ mức năng lượng cao xuống một mức năng lượng thấp
hơn, nó bức xạ ra một lượng tử năng lượng điện từ gọi là photon ( Điều này
chỉ đúng đối với chuyển tiếp có bức xạ ).
- Photon là hạt cơ bản di chuyển với vận tốc ánh sáng c, và mang một lượng
tử năng lượng:
1,24
𝐸𝑝 = ℎ𝑓 ℎ𝑎𝑦 𝐸𝑝 = (𝑒𝑉 ) (2.6)
𝜆(𝜇𝑚)
trong đó h là hằng số Planck (6.6261x10-34 J.s) và f là tần số của photon.
- Ánh sáng là dòng photon. Màu sắc của nó được xác định bởi tần số photon,
f , đó cũng là bước sóng, λ, bởi vì λf = c, trong đó c là vận tốc của ánh sáng
trong chân không.
- Năng lượng của photon, EP, bằng khe (độ chênh lệch) năng lượng giữa
mức bức xạ cao và mức năng năng lượng thấp, tần số photon (bước sóng)
được xác định qua mức năng lượng của vật chất được sử dụng.
- Các mức năng lượng đã tồn tại tự nhiên; vì vậy chúng ta có thể đạt các màu
ánh sáng khác nhau bằng cách sử dụng các mức năng lượng cùng vật liệu
hoặc dùng các vật liệu khác nhau.
- Photon được hấp thụ bởi vật liệu mà các khe năng lượng của chúng đúng
bằng năng lượng photon. Ðể làm cho môi trường trong suốt, chúng ta phải
lựa chọn hoặc các photon khác, tức là ánh sáng màu sắc khác, hoặc môi
trường khác.
2.2. Mô tả quá trình truyền ánh sáng trong sợi quang
2.2.1. Cấu tạo cơ bản của sợi quang
Ứng dụng hiện tượng phản xạ toàn phần, sợi quang được chế tạo cơ bản gồm có
hai lớp:
- Lớp trong cùng có dạng hình trụ tròn, có đường kính d = 2a, làm bằng thủy
tinh có chiết suất n1, được gọi là lõi (core) sợi.
- Lớp thứ hai cũng có dạng hình trụ bao quanh lõi nên được gọi là lớp bọc
(cladding), có đường kính D = 2b, làm bằng thủy tinh hoặc plastic, có chiết
suất n2 < n1.
Cấu trúc tổng quát này được minh họa ở hình 2.7.

Hình 2.7 Cấu trúc cơ bản sợi quang, gồm lõi (core) và lớp bọc (cladding)
19
 Ánh sáng truyền từ đầu này đến đầu kia sợi quang bằng cách phản xạ toàn
phần tại mặt ngăn cách giữa lõi-lớp bọc, và được định hướng trong lõi.

Hình 2.8 Ánh sáng lan truyền trong sợi quang

2.2.2. Khẩu độ số NA (Numerical Aperture)
Sự phản xạ toàn phần sẽ xảy ra trong lõi sợi quang chỉ đối với những tia sáng
có góc tới ở đầu sợi quang nhỏ hơn θmax. Khẩu độ số của sợi quang được định nghĩa:
NA = sin θmax (2.7)
Ðối với sợi SI ta tính được:
NA= sin θmax = √𝑛1 2 − 𝑛2 2 = 𝑛1 √2∆ (2.8)
Với:
n1: chiết suất lõi sợi quang;
n2: chiết suất lớp bọc sợi quang;
𝑛1 2 −𝑛2 2
∆= : độ chênh lệch chiết suất tương đối.
2𝑛1 2

Có thể tính  đơn giản hơn như sau:

∆= (𝑛1 − 𝑛2 )⁄𝑛 𝑣ớ𝑖 𝑛 = (𝑛1 + 𝑛2 )⁄2

a. Minh họa 3 tình huống chiếu sáng vào sợi quang

b. Góc nhận ánh sáng bằng 2 θmax

c. Vùng nhận ánh sáng có hình nón

Hình 2.9. Khẩu độ số sợi quang
20
 Ví dụ 1: Một sợi quang SI có: n1 = 1,50; n2 = 1,485. Tính khẩu độ số của sợi
quang này. Giải :
Áp dụng công thức (2.8), ta có
NA = sin θmax = √𝑛1 2 − 𝑛2 2 = √1,52 − 1,4852 ≈ 0,21
Suy ra θmax ≈ 12° .
Từ đây suy ra góc tiếp nhận ánh sáng 2 θmax = 2×12° = 24° .
Ví dụ 2: Một sợi quang SI có: NA = 0,12; n2 = 1,450. Tính chiết suất lớp bọc
của sợi quang này.
Giải :
Áp dụng công thức (2.8), ta có = sin θmax = √𝑛1 2 − 𝑛2 2 = 0,12
Suy ra: 𝑛1 2 − 𝑛2 2 = 0,144
Ta tính được n1 = 0,1455.
Khẩu độ số cho ta biết điều kiện đưa ánh sáng vào sợi quang. Ðây là thông số
cơ bản ảnh hưởng đến hiệu suất ghép ánh sáng từ nguồn quang vào sợi quang.
2.2.3. Phân loại sợi quang
2.2.3.1. Sự phân bố chiết suất trong sợi quang
Chiết suất của lớp bọc không đổi và bằng n2.
Chiết suất của lõi nói chung thay đổi theo bán kính của sợi quang (tâm nằm trên
trục của lõi). Sự biến thiên chiết suất theo bán kính được viết dưới dạng tổng quát sau:
𝑟 𝑔
𝑛1 [1 − ∆ ( ) ] 𝑟≤𝑎
𝑛(𝑟 ) = { 𝑎 (2.9)
𝑛2 𝑎≤ 𝑟≤𝑏
Với:
 n1: chiết suất lớn nhất ở lõi, tức tại r = 0. Hay n(0) = n1.
 n2: chiết suất lớp bọc.
 r: khoảng cách tính từ trục sợi đến điểm tính chiết suất.
 a: bán kính lõi sợi quang.
 b: bán kính lớp bọc sợi quang.
 g: hệ số mũ. Giá trị của g quyết định dạng phân bố chiết suất của sợi quang,
g≥ 1.
- g = 1: dạng tam giác
- g = 2: dạng parabol
- g = ∞: dạng bậc thang.
2.2.3.2. Sợi chiết suất bậc SI (Step-Index)
Sợi SI là sợi đơn giản nhất. Có dạng phân bố chiết suất như sau:
𝑛 𝑟≤𝑎
𝑛(𝑟) = { 1 (2.10)
𝑛2 𝑎 ≤ 𝑟 ≤ 𝑏
21
 Hình 2.10 Dạng phân bố chiết trong lõi sợi SI.
Ánh sáng đi trong sợi SI như hình 2.11.

Hình 2.11 Minh họa ánh sáng đi trong sợi SI.

2.2.3.3. Sợi chiết suất biến đổi GI (Graded-Index)
Ở dạng này, chiết suất của lõi có dạng phân bố parabol (tương ứng g = 2).
𝑟 2
𝑛 [1 − ∆ ( ) ] 𝑟≤𝑎
𝑛(𝑟) = { 1 𝑎 (2.11)
𝑛2 𝑎≤ 𝑟≤𝑏

Hình 2.12 Dạng phân bố chiết trong lõi sợi GI.

Ánh sáng đi trong sợi GI như hình 2.13.

Hình 2.13 Minh họa ánh sáng đi trong sợi GI.

2.2.3.4. Sợi đa mode (Multi-Mode), sợi đơn mode (Single-Mode)
a) Khái niệm mode
Một mode sóng là một trạng thái truyền ổn định của ánh sáng trong sợi quang.
Khi truyền trong sợi quang, ánh sáng đi theo nhiều đường, trạng thái truyền ổn định
22
của các đường này được gọi là các mode sóng. Có thể hình dung gần đúng một
mode ứng với một tia sáng. Chúng ta dùng từ bậc (order) để chỉ các mode. Quy tắc
như sau: góc lan truyền của mode càng nhỏ thì bậc của mode càng thấp. Rõ ràng
mode lan truyền dọc theo trục trung tâm của sợi quang là mode bậc 0 và mode với
góc lan truyền là góc tới hạn là mode bậc cao nhất đối với sợi quang này. Mode bậc
0 được gọi là mode cơ bản.
b) Sợi đa mode
 Ðặc điểm của sợi đa mode là truyền đồng thời nhiều mode sóng.
 Số mode sóng truyền được trong một sợi quang phụ thuộc vào các thông số
của sợi, trong đó có tần số được chuẩn hóa V (Normalized Frequency). Tần số được
chuẩn hóa V được xác định như sau:
2𝜋
𝑉= . 𝑎. 𝑁𝐴 = 𝑘. 𝑎. 𝑁𝐴 (2.12)
𝜆
Với:
a: bán kính lõi sợi quang.
𝜆: bước sóng làm việc.
2𝜋
𝑘= (2.13)
𝜆
NA: khẩu độ số của sợi quang.
 Một cách tổng quát, số mode sóng truyền được trong sợi quang được xác
định gần đúng như sau:
𝑉2 𝑔
𝑁≈ 𝑥 (2.14)
2 𝑔+2
Với g là số mũ trong hàm chiết suất.
Từ đó suy ra:
 Số mode truyền được trong sợi SI:
𝑉2
𝑁≈ ( 𝑔 → ∞) (2.15)
2
 Số mode truyền được trong sợi GI:
𝑉2
𝑁≈ (𝑔 → 2) (2.16)
4
- Sợi đa mode có đường kính lõi và khẩu độ số lớn. Giá trị điển hình:
 Ðường kính lõi: d = 50 µm.
 Ðường kính lớp bọc: D = 125 µm.
 Gọi là sợi đa mode 50/125 µm.
 Chiết suất lõi: n1 = 1,47 (λ = 1300 nm).
 Khẩu độ số: NA = 0.2 ÷ 0.29
- Ánh sáng đi trong sợi đa mode:
23
 a. Sợi SI

b. Sợi GI
Hình 2.14. Ánh sáng đi trong sợi đa mode.
c) Sợi đơn mode
- Sợi đơn mode là sợi trong đó chỉ có một mode sóng cơ bản lan truyền.
- Theo lý thuyết, điều kiện để sợi làm viện ở chế độ đơn mode là thừa số
sóng V của sợi tại bước sóng làm việc V < Vc1 = 2,405.
- Sợi đơn mode có đường kính lõi và khẩu độ số nhỏ. Giá trị điển hình:
 Ðường kính lõi: d = 9 ÷10 µm.
 Ðường kính lớp bọc: D = 125 µm.
 Chiết suất lõi: n1 = 1,465 (λ= 1300nm).
 Khẩu độ số: NA = 0.13 ÷ 0.18.
- Ánh sáng đi trong sợi đơn mode:

Hình 2.15. Ánh sáng đi trong sợi đơn mode

d) Ba loại mode: dẫn, bức xạ và rò
Những mode mà chúng ta mô tả đến đây là những mode dẫn. Thuật ngữ dẫn cho
thấy các mode này được dẫn bởi sợi quang, có nghĩa là chúng được phản xạ toàn phần
bên trong sợi quang.
Như đã thảo luận trong phần 2.2.2 không phải tất cả ánh sáng đưa vào sợi quang
đều được phản xạ tòan phần bên trong.
Phân tích lý thuyết cho thấy sợi quang hình thành các mode không quan tâm đến
điều kiện phản xạ bên trong. Nói một cách khác, nếu trường EM bên trong sợi quang
hình thành các kiểu ổn định, một sợi quang sẽ hỗ trợ một loại bức xạ. Một nhóm mode
24
sẽ chịu phải xạ toàn phần bên trong và các mode này sẽ bị gom vào trong lõi sợi quang.
Đó chính là các mode dẫn.
Một nhóm các mode khác không bị phản xạ toàn phần bên trong và sẽ lan truyền
bên ngoài lõi sợi quang. Đó chính là các mode bức xạ. Về mặt lý thuyết, các lời giải
cho các phương trình ống dẫn sóng mô tả sự lan truyền của trường EM trong sợi quang
bao gồm cả các mode dẫn và mode bức xạ. Các mode bức xạ, ngược với các mode
dẫnm không có yêu cầu 2πxk và do đó là liên tục. Về ý nghĩa vật lý, các mode bức xạ
xuất phát từ nguồn quang được đưa vào sợi quang tại góc tới nhỏ hơn góc tới hạn.
Chúng lan truyền một phần trong lõi và một phần truyền (khúc xạ) trong lớp bọc.
Những mode lan truyền trong lớp bọc sẽ gặp giao tiếp lớp bọc-lớp phủ và sẽ phản xạ
ngược lại vào lớp bọc và có thể truyền ngược lại lớp lõi, ở đó chúng sẽ ghép với các
mode dẫn bậc cao hơn. Kết quả là suy hao công suất càng lớn cho các mode lõi.
Loại mode thứ ba gọi là mode rò. Những mode này không phải là một phần của
các lời giải của hệ phương trình Maxwell áp dụng cho ống dẫn sóng. Những mode
này thõa điều kiện 2πxk nhưng không phản xạ toàn phần. Hậu quả là, biên độ của
chúng thay đổi khi chúng lan truyền dọc theo sợi quang. Lọai trường này không hình
thành các mode có kiểu ổn định. Chúng ta vẫn xem xét các mode này bởi vì mặc dù
không ổn định theo không gian nhưng chúng ổn định về mặt thời gian. Phần lớn các
mode này biến mất nhanh chóng sau khi bị kích thích, nhưng một vài mode này có
thể lan truyền trên một khoảng cách xa.
e) Vận tốc pha và vận tốc nhóm
Trong tất cả sóng điện từ, có những điểm có pha không đổi; tức là (ωt - βz) = const.
Ðối với sóng phẳng, những điểm pha không đổi này tạo nên một bề mặt được gọi là mặt
sóng. Ðối với sóng ánh sáng đơn sắc lan truyền dọc theo ống dẫn sóng theo phương z
(trục ống dẫn sóng), những pha không đổi này di chuyển với vận tốc pha:
𝑑𝑧 𝜔
𝑣𝑝 = = (2.17)
𝑑𝑡 𝛽
Tuy nhiên, thực tế không thể tạo ra một sóng ánh sáng hoàn toàn đơn sắc và năng
lượng ánh sáng tổng quát là tổng các thành phần có các tần số khác nhau. Do đó tình
trạng tồn tại là một nhóm các sóng có tần số gần giống nhau lan truyền sao cho dạng
cuối cùng có dạng bó sóng. Bó sóng này không lan truyền ở vận tốc pha của các sóng
thành phần mà lan truyền ở vận tốc nhóm:
𝛿𝜔
𝑣𝑔 = (2.18)
𝛿𝛽
Một điều quan trọng cần được nhấn mạnh đó là tín hiệu thông tin và công suất lan
truyền tại vận tốc chứ không phải tại vân tốc pha. Cũng cần phải nhớ rằng vận tốc nhóm
là vận tốc mà công suất ánh sáng lan truyền dọc theo sợi quang trong một mode xác
định.

25
 f) Sự tập trung công suất và điều kiện ngưỡng
Điều kiện ngưỡng: xác định mode cao nhất mà sợi quang có thể hỗ trợ. Thuật ngữ
hỗ trợ ngụ ý rằng công suất của mode này được tập trung trong lõi sợi quang. Hình 2.16
minh họa điều này.

Hình 2.16 Sự tập trung công suất như là hàm số của tần số được chuẩn hóa V
Không phải mode sóng nào cũng truyền được trong sợi quang. Mỗi mode LPnm có
một tần số cắt tương ứng, ký hiệu là Vcn. Chỉ khi tần số chuẩn hóa V của sợi quang lớn
hơn tần số cắt Vcn thì mode thứ n đó mới truyền được trong sợi quang.
Một vài trị số Vcn bậc thấp:
Vc1 = 2,405
Vc2 = 3,832
Vc3 = 5,138
Vc4 = 5,520
Vc5 = 6,380
Nhắc lại công thức (2.12) :
2𝜋
𝑉= . 𝑎. 𝑁𝐴
𝜆
Như vậy V phụ thuộc vào bước sóng. Do đó, ứng với V = Vcn sẽ có λ = λcn. λcn
được gọi là bước sóng cắt.
Bước sóng λc1 là một thông số quang trọng. Ðó là bước sóng ngắn nhất sợi làm
việc trong vùng đơn mode.
2𝜋 2𝜋
Thật vậy, sợi quang là đơn mode khi V < Vc1 = 2,405 hay . 𝑎. 𝑁𝐴 < . 𝑎. 𝑁𝐴.
𝜆 𝜆𝑐1
Suy ra: λ> λc1.
26
 Nói như vậy có nghĩa là sợi đơn mode có vùng bước sóng truyền dẫn đơn mode,
song có vùng bước sóng truyền dẫn đa mode.

Hình 2.17 Bước sóng cắt và tần số cắt

Ví dụ:
Một sợi đơn mode có các thông số: d=2a=9 µm, D=2b=125 µm, =0,002,
n1=1,46.
Nếu làm việc ở bước sóng 1300nm thì
2𝜋 2𝜋
𝑉= . 𝑎. 𝑁𝐴 = 𝑉 = . 𝑎. 𝑛1 √2Δ ≈ 2
𝜆 𝜆
Bước sóng cắt của sợi này là:
2𝜋
𝜆𝑐 = . 𝑛 √2Δ = 0,018𝜇𝑚
2,405 1
Ðiều này có nghĩa: nếu truyền ánh sáng có bước sóng lớn hơn 1,018µm thì sợi
quang làm việc ở chế độ đơn mode. Ngược lại, nếu truyền ánh sáng có bước sóng nhỏ
hơn 1,018µm thì sợi quang làm việc ở chế độ đa mode mặc dù đây là sợi đơn mode.
Thực tế bước sóng cắt phụ thuộc vào chiều dài, độ uốn cong của sợi. Sợi càng
dài, bán kính uốn cong càng nhỏ thì bước sóng cắt càng nhỏ, và ngược lại.
Công thức xác định bước sóng cắt khi biết dạng phân bố chiết suất:
2𝜋
𝜆𝑐 = . 𝑎. 𝑁𝐴 (2.19)
𝑉𝑐
Ðối với sợi SI, Vc = 2,405; đối với sợi GI, Vc = 3,518.
g) Đường kính trường mode (MFD)
Ðường kính trường mode là một thông số quang trọng của sợi đơn mode.Đối với
sợi quang SI và GI, trường trong sợi quang đơn mode có xấp xỉ dạng phân bố Gaussian.
Hình 2.17 cho thấy sự phân bố năng lượng trường sợi quang theo tọa độ bán kính
và theo bước sóng. Năng lượng trường phân bố theo hàm mũ trên tiết diện ngang của
sợi quang.
Ðường kính trường mode là tại đó biên độ trường giảm e lần (e=2,718).
Ðường kính trường mode phụ thuộc vào bước sóng. Bước sóng càng lớn trường
mode càng tăng. Ðối với sợi đơn mode SI, đường kính trường mode (p) thường lớn hơn
đường kính lõi của sợi quang, và được tính theo công thức gần đúng:

27
 Hình 2.18 Sự phân bố năng lượng trường trong sợi quang
2,6
2𝑝 ≈ 2𝑎 (2.20)
𝑉
Hoặc
𝑝 3
≈ 0,65 + 1,619. 𝑉 2 + 2,879. 𝑉 −6 (2.21)
𝑎
Ví dụ:
Sợi đơn mode có: d = 9 µm; λc = 1,22 µm.
Nếu hoạt động ở bước sóng 1,3 µm thì 2p = 10,37 µm.
Nếu hoạt động ở bước sóng 1,55 µm thì 2p = 12,36 µm.
h) Chiết suất hiệu dụng
Như chúng ta đã biết chiết suất của một môi trường là tỉ số giữa vận tốc ánh sáng
lan truyền trong chân không với vận tốc của ánh sánh lan truyền trong môi trường ấy;
tức là n = c/v. Chiết suất hiệu dụng là tỉ số giữa vận tốc trong chân không với vận tốc
lan truyền hay vận tốc dẫn (vguide).
𝑐
𝑛𝑒𝑓𝑓 = (2.22)
𝑣𝑔𝑢𝑖𝑑𝑒
2𝜋
Với vguide = ω/β theo định nghĩa. Kết hợp với công thức 𝑘 = , suy ra:
𝜆
𝑐 𝛽
𝑛𝑒𝑓𝑓 = = (2.23)
𝜔 ⁄𝛽 𝑘
Cần lưu ý rằng chiết suất hiệu dụng là khác nhau đối với các mode khác nhau.
2.3. Các đặc tính truyền dẫn của sợi quang
Có 3 yếu tố cơ bản của sợi quang ảnh hưởng đến khả năng của các hệ thống thông
tin quang, bao gồm:
 Suy hao
 Tán sắc
 Hiện tượng phi tuyến xảy ra trong sợi quang
Tuy nhiên, đối với các hệ thống khác nhau thì mức độ ảnh hưởng của các yếu tố
này cũng khác nhau. Ví dụ:

28
  Ðối với các hệ thống cự ly ngắn, dung lượng thấp thì yếu tố chủ yếu cần quan
tâm là suy hao.
 Ðối với các hệ thống tốc độ cao, cự ly tương đối lớn thì yếu tố chủ yếu cần quan
tâm là suy hao và tán sắc.
 Ðối với các hệ thống cự ly dài và dung lượng rất lớn thì ngoài 2 yếu tố trên cần
phải xem xét đến cả các hiệu ứng phi tuyến.
Trong phần này chúng ta sẽ tập trung khảo sát chi tiết các hiện tượng suy hao và
tán sắc.
2.3.1. Suy hao
2.3.1.1. Tổng quan
Suy hao trên sợi quang đóng một vai trò rất quan trọng trong việc thiết kế hệ thống,
là tham số xác định khoảng cách giữa phía phát và phía thu. Ảnh hưởng của nó có thể
được tính như sau: công suất ngõ ra Pout ở cuối sợi quang có chiều dài L có liên hệ với
công suất ngõ vào như sau :
Pout = Pin.e-αL
với α là suy hao sợi quang.

Hình 2.19 Khái niệm suy hao trong sợi quang

Thường suy hao được tính theo đơn vị là dB/Km, vì vậy suy hao αdB dB/Km có
nghĩa là tỉ số Pout trên Pin đối với L = 1 Km thỏa mãn
𝑃𝑜𝑢𝑡
10 log10 = −𝛼𝑑𝐵 hoặc 𝛼𝑑𝐵 = (10 log10 𝑒)𝛼 = 4,343𝛼
𝑃𝑖𝑛

Thường thì suy hao sợi được gán giá trị dương do đó tổng quát hệ số suy hao được
xác định bằng công thức (2.24) như sau:
10 𝑃𝑖𝑛
𝛼(𝑑𝐵/𝑘𝑚) = log ( ) (2.24)
𝐿 𝑃𝑜𝑢𝑡
Các nguyên nhân chính gây ra suy hao là: do hấp thụ, do tán xạ tuyến tính và do
uốn cong
2.3.1.2. Suy hao do hấp thụ
Bao gồm hấp thụ của bản thân vật liệu chế tạo sợi, còn gọi là tự hấp thụ, và hấp
thụ do vật liệu chế tạo sợi không tinh khiết.
 Hiện tượng tự hấp thụ

29
 Các nguyên tử của vật liệu chế tạo sợi cũng phản ứng với ánh sáng theo đặc tính
chọn lọc bước sóng. Tức là, vật liệu cơ bản chế tạo sợi quang sẽ cho ánh sáng qua tự do
trong một dải bước sóng xác định với suy hao rất nhỏ hoặc hầu như không suy hao. Còn
ở một số bước sóng nhất định sẽ có hiện tương cộng hưởng quang, quang năng bị hấp
thụ và chuyển hóa thành nhiệt năng.
Hình vẽ 2.19 biểu thị sự suy hao do tự hấp thụ trong các vùng bước sóng (các
đường hấp thụ cực tím và hấp thụ hồng ngoại).
 Hiện tượng hấp thụ do tạp chất
Nếu vật liệu chế tạo thuần túy tinh khiết thì ánh sáng truyền qua không bị suy hao.
Thực tế, vật liệu chế tạo hoàn toàn không tinh khiết, mà lẫn các ion kim loại (Fe, Cu,
Cr, ...), và đặc biệt là các ion OH- của nước (H2O).
- Sự hấp thụ của các tạp chất kim loại.
Các hệ thống thông tin quang hiện nay chủ yếu làm việc ở cửa sổ thứ 2 (λ2 = 1300
nm) và cửa sổ 3 (λ3 = 1550 nm). Nhưng ở hai cửa sổ này ánh sáng lại rất nhạy cảm với
sự không tinh khiết của vật liệu. Mức độ hấp thụ phụ thuộc vào nồng độ tạp chất và
bước sóng làm việc. Chẳng hạn, nếu nồng độ tạp chất khoảng vài phần triệu (10-6) thì α
khoảng vài dB/Km; muốn α < 1dB/Km thì nồng độ tạp chất phải là 10-8 ÷ 10-9. Và với
công nghệ chế tạo sợi hiện nay đều này không còn lo ngại nữa.
- Sự hấp thụ của ion OH-
Sự có mặt của ion OH - trong sợi quang góp phần tạo ra suy hao đáng kể. Ðặc biệt,
độ hấp thụ tăng vọt ở ba bước sóng: 950 nm, 1240 nm, và 1380 nm. Ví dụ: nếu nồng độ
ion OH - bằng 10-6 thì α ≈ 40 dB/Km. Và nồng độ cho phép của ion OH- trong chế tạo
sợi là < 10-9 (một phần tỷ).
2.3.1.3. Suy hao do tán xạ tuyến tính
Tán xạ tuyến tính trong sợi quang là do tính không đồng đều rất nhỏ của lõi sợi,
có thể là những thay đổi nhỏ trong vật liệu, tính không đồng đều về cấu trúc hoặc các
khiếm khuyết trong quá trình chế tạo sợi. Ngoài ra, do thuỷ tinh được tạo ra từ các loại
oxit như: SiO2, GeO2, P2O5 nên có thể xảy ra sự thay đổi thành phần giữa chúng. Hai
yếu tố này làm tăng sự thay đổi chiết suất, tạo ra tán xạ. Tán xạ tuyến tính làm cho năng
lượng quang từ một mốt lan truyền được truyền tuyến tính (tỉ lệ thuận với công suất
mốt) sang một mốt khác. Quá trình này làm suy hao công suất quang được truyền đi vì
công suất được truyền sang một mốt rò hay mốt bức xạ (leaky or radiation mode) là
những mốt không tiếp tục lan truyền trong lõi sợi quang mà bức xạ ra khỏi sợi. Tán xạ
tuyến tính sẽ không làm thay đổi tần số tán xạ. Tán xạ tuyến tính thường được phân
thành hai loại: tán xạ Rayleigh và tán xạ Mie.

30
 - Tán xạ Rayleigh: xảy ra do sự không đồng nhất có kích thước nhỏ hơn bước
sóng (khoảng 1/10) trong sợi quang làm cho tia sáng bị tỏa ra nhiều hướng.
Hệ số tán xạ Rayleigh được tín như sau:
8𝜋 3
𝛾𝑅 = 4 𝑛8 𝑝2 𝛽𝑐 𝐾𝑇𝐹 (2.25)
𝜆
Trong đó:
R: hệ số tán xạ Rayleigh,
λ: bước sóng quang được tính bằng mét (m),
n : chiết suất môi trường,
p: hệ số quang đàn hồi trung bình,
c: độ nén đẳng nhiệt (đơn vị là (m2/N) tại nhiệt độ TF ( đơn vị là K) quy định
(fictive temperature),
K: hằng số Boltzman.
Hệ số tán xạ Rayleigh liên hệ với hệ số suy hao truyền dẫn (transmission loss
factor) như sau:
𝐿 = 𝑒𝑥𝑝(−𝛾𝑅 𝐿) (2.26)
Với L là độ dài sợi quang (đo bằng mét).
Hệ số suy hao truyền dẫn trên một kilometre sẽ là Lkm được tính từ công thứ (2.24)
với L=1000 (mét). Do đó hệ số suy hao do tán xạ Rayleigh sẽ là:
𝛼(𝑑𝐵/𝑘𝑚) = 10 log10 (1/𝐿𝑘𝑚 ) (2.27)
Suy hao do tán xạ Rayleigh được minh họa trên hình 2.20 (đường tán xạ Rayleigh).
- Tán xạ Mie: xảy ra do sự không đồng nhất có kích thước nhỏ tương đương
với bước sóng (lớn 1/10) lan truyền trong sợi quang và chủ yếu là trong
hướng tới (hướng lan truyền). Tán xạ này có thể giảm đến mức không đáng
kể bằng các biện pháp giảm tính không đồng nhất như: loại bỏ tạp chất trong
quá trình sản xuất thủy tinh, điều khiển chặt chẽ quá trình kéo và bọc sợi
quang, tăng độ lệch chiết suất tương đối.

Hình 2.20 Suy hao bên trong sợi quang

31
 Hình 2.20 cho thấy có 3 dải bước sóng (cửa sổ) có suy hao thấp có thể sử dụng cho
thông tin quang là 0.8µm, 1.3µm và 1.55µm tương ứng với các suy hao cơ bản là 2.5,
0.4 và 0.25 dB/km (trong hệ thống thông tin quang đặc trưng, một tín hiệu có thể bị suy
hao khoảng 20-30 dB trước khi cần được khuếch đại hoặc tái tạo. Với suy hao 0.25
dB/Km, tương ứng có thể truyền một qua một đoạn dài khoảng 80-120 Km).
2.3.1.4. Suy hao do uốn cong
Suy hao của sợi quang một cách tổng quát được phân làm hai loại: suy hao bên
trong và suy hao bên ngoài. Suy hao bên trong (gồm suy hao hấp thụ, suy hao do tán xạ
mà ta đã xét ở trên) thuộc về bản chất của sợi quang do quá trình chế tạo, công nghệ chế
tạo mà ra. Suy hao bên ngoài không thuộc về bản chất của sợi, là suy hao do uốn cong
khi vận hành, sử dụng sợi trên thực tế.
Suy hao uốn cong gồm có hai loại:
- Uốn cong vi mô: là sợi bị cong nhỏ một cách ngẫu nhiên, trường hợp này
thường xảy ra khi sợi được bọc thành cáp.
- Uốn cong vĩ mô: là uốn cong có bán kính uốn cong lớn hơn hoặc tương
đương đường kính sợi.
Khi ánh sáng tới chổ sợi quang bị uốn cong, một phần ánh sáng sẽ ra ngoài lớp
bọc. Sợi bị uốn cong ít, chỉ một phần nhỏ ánh sáng lọt ra ngoài. Sợi càng bị uốn cong
suy hao càng tăng.
Do đó người ta qui định bán kính uốn cong cho phép:
3𝑛12 𝜆
𝑅𝑐 = 3
(2.28𝑎)
4𝜋(𝑛12 − 𝑛22 )2
Từ công thức trên ta thấy có thể giảm suy hao do uốn cong bằng cách:
 Thiết kế sợi quang có độ chênh lệch chiết suất lớn;
 Họat động ở bước sóng ngắn hơn có thể

Đối với sợi đơn mode , bán kính uống cong tới hạn có thể tính như sau:
20𝜆 𝜆 −3
𝑅𝑐𝑠 = 3 (2,748 − 0,996 ) (2.28𝑏)
(𝑛12 2 )2 𝜆𝑐
− 𝑛2
Nguyên nhân gây ra uốn cong: chế tạo cáp (xoắn ruột cáp), lắp đặt cáp. Khi quấn
cáp cũng như khi lắp đặt cáp, chỉ nên uốn cong sợi với bán kính R < Rc. Giá trị khuyến
cáo Rc = 30 mm ÷ 50 mm
2.3.1.5. Suy hao và dải thông
Dải thông có thể được xác định bằng Δλ hoặc Δf. Chúng liên hệ với nhau bởi
phương trình.

32
 𝑐
Δ𝑓 ≈ Δ𝜆 (2.29)
𝜆2
Phương trình này có thể rút ra từ quan hệ f = c/ λ. Xét các bước sóng 1.3 và 1.5
µm, đây là các bước sóng cơ bản của hệ thống thông tin quang ngày nay, dải thông hữu
ích có thể được tính dựa trên suy hao dB trên km trong hệ số 2, được xấp xỉ 80 nm ở
bước sóng 1.3 µm và 180 nm ở bước sóng 1.55 µm. Trong tần số quang, dải thông này
lên đến khoảng 35000 GHz. Ðây là một dải thông rất lớn, trong khi đó tốc độ bit cần
cho các ứng dụng ngày nay không vượt quá vài chục Mbps.
Dải thông hiệu dụng của sợi quang trong hầu hết các mạng đường dài ngày nay bị
giới hạn bởi dải thông bộ khuếch đại EDFA (Erbium Dope Fiber Amplifier). Dựa vào
khả năng sẵn có của bộ khuếch đại, suy hao ở bước sóng λ = 1.55 µm được chia làm ba
vùng như hình 2.19. Vùng ở giữa từ 1530-1565nm là dải C nơi mà hệ thống WDM đã
hoạt động sử dụng bộ khuếch đại EDFA thông thường (Conventional). Dải từ 1565-
1625 nm, chứa các bước sóng dài hơn trong dải C, được gọi là dải L và được sử dụng
trong các hệ thống WDM dung lượng cao ngày nay sử dụng bộ khuếch đại GSEDA
(Gain-Shifred Erbium-Doped Amplifier). Dải dưới 1530 nm, gồm những bước sóng
ngắn hơn dải C, được gọi là dải S. Bộ khuếch đại quang sợi Raman (Fiber-Raman
Amplifier) được sử dụng để khuếch đại dải này.
2.3.2. Tán sắc
2.3.2.1. Tổng quan
Trong một sợi quang, những tần số ánh sáng khác nhau và những mốt khác
nhau cần thời gian khác nhau để truyền một đoạn từ A đến B. Hiện tượng này gọi
là tán sắc và gây ra nhiều ảnh hưởng khác nhau. Nói chung, tán sắc dẫn đến sự co
giãn xung trong truyền dẫn quang, gây ra giao thoa giữa các ký tự, tăng lỗi bit ở
máy thu và dẫn đến giảm khoảng cách truyền dẫn.

Hình 2.21. Tán sắc làm độ rộng xung ngõ ra tăng

Ðộ tán sắc tổng cộng của sợi quang, ký hiệu là Dt, được xác định:

𝐷𝑡 = √(𝜏02 − 𝜏𝑖2 ) (2.30)

τ0, τi: độ rộng xung vào và xung ra, đơn vị là giây [s].
Dt: đơn vị là giây [s].
33
 Thường người ta chỉ quan tâm đến độ trải rộng xung trên một Km, và có
đơn vị là [ns/Km], hoặc [ps/Km]
Ngoài ra có đơn vị [ps/nm.Km] để đánh giá độ tán sắc chất liệu trên mỗi Km
chiều dài sợi ứng với độ rộng phổ quang là 1ns.
Có hai loại :
 Tán sắc mode: chỉ xảy ra ở sợi đa mode.
 Tán sắc sắc thể: xảy ra ở tất cả các loại sợi quang. Tán sắc sắc thể bao gồm:
 Tán sắc vật liệu;
 Tán sắc ống dẫn sóng.
 Tán sắc mode phân cực.
2.3.2.2. Tán sắc mode
Nguyên nhân:
Khi phóng ánh sáng vào sợi đa mode, năng lượng ánh sáng phân thành nhiều
mode. Mỗi mode lan truyền với vận tốc nhóm khác nhau nên thời gian lan truyền
của chúng trong sợi khác nhau. Chính sự khác nhau về thời gian lan truyền của các
mode gây ra tán sắc mode.
Xác định độ tán sắc mode của sợi đa mode SI :
Trong sợi đa mode SI, mọi tia sáng đi với cùng một vận tốc:
𝑐
𝑣=
𝑛1
Ðể xác định độ tán sắc mode trong sợi đa mode SI, ta xét độ chênh lệch thời
gian lan truyền giữa hai mode ngắn nhất và dài nhất trong sợi quang dài L (Km). Ðó
là tia 1 và tia 2 (xem hình vẽ 2.21).

Hình 2.22. Tán sắc mode trong sợi đa mode SI

Tia 1 (tia ngắn nhất) đi trùng với trục của sợi quang.
Tia 2 (tia dài nhất) là tia ứng với góc tới bằng góc tới hạn θc
 Tia 1:
Độ dài lan truyền: d1 = L
Thời gian lan truyền
34
 𝑑1 𝐿 𝐿𝑛1
𝑇1 = = = = 𝑇𝑚𝑖𝑛
𝑣 (𝑐 ⁄𝑛1 ) 𝑐
 Tia 2:
Độ dài lan truyền:
𝐿
𝑑2 =
𝑐𝑜𝑠𝜃
Thời gian lan truyền:
𝑑2 𝐿/𝑐𝑜𝑠𝜃 𝐿𝑛1
𝑇2 = = = = 𝑇𝑚𝑎𝑥
𝑣 (𝑐 ⁄𝑛1 ) 𝑐. 𝑐𝑜𝑠𝜃
Áp dụng định luật khúc xạ tại điểm A, ta có:
𝑛2
𝑠𝑖𝑛𝜃𝑐 = = 𝑐𝑜𝑠𝜃
𝑛1
Thay vào, suy ra
𝐿𝑛12
𝑇2 = 𝑇𝑚𝑎𝑥 =
𝑐𝑛2
Do đó thời gian chênh lệch giữa hai tia này là:
𝐿𝑛12 𝐿𝑛1 𝐿𝑛1 𝑛1 − 𝑛2
∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) = 𝑇𝑚𝑎𝑥 − 𝑇𝑚𝑖𝑛 = − = 𝑥 (2.31)
𝑐𝑛2 𝑐 𝑐 𝑛2
Độ chênh lệch này chính là tán sắc mode:
𝐿𝑛1
𝐷𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) = ∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) ≈ 𝑥∆ (𝑘ℎ𝑖 ∆≪ 1) (2.32)
𝑐
𝑛12 −𝑛22 𝑛1 −𝑛2
Với ≈ (𝑣ì ∆≪ 1)
2𝑛12 𝑛2

Có thể tính độ tán sắc mode theo khẩu độ số. Ta có:

𝑁𝐴 = 𝑛1 √2∆
Suy ra:
(𝑁𝐴)2
∆=
2𝑛1
Do đó:

𝐿 (𝑁𝐴)2
𝐷𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) = 𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) ≈ (2.33)
2𝑐𝑛1
Hai biểu thức gần đúng (2.32) và (2.33) thường được sử dụng để đánh giá độ
trải rộngung cực đại do tán sắc mode gây ra trong sợi đa mode SI có chiều dài L Km.
Ðộ trải rộng xung cực đại trên mỗi Km sợi được xác định bởi:
𝐷𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) 𝑛1 ∆
𝑑𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) = ≈ (2.34)
𝐿 𝑐
Hoặc
35
 (𝑁𝐴)2
𝑑𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) ≈ (2.35)
2𝑐𝑛1
Một đại lượng hữu ích nữa được quan tâm đến trong tán sắc mode đó là độ trải
rộng xung hiệu dụng σmode(SI)
Quan hệ giữa σmode(SI) và ∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) :
2
2
1 ∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼)
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) = ( ) (2.36)
3 2
Thay (2.33) vào (2.36) suy ra:
𝐿𝑛1 ∆ 𝐿 (𝑁𝐴)2
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) ≈ ≈ (2.37)
2√3𝑐 4√3𝑐𝑛1
Phương trình (2.37) cho phép xác định đáp ứng xung hiệu dụng của sợi đa mode
chiết suất nhảy bậc.
Sự khác nhau giữa σmode(SI) và ∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) :
Khi tính ∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) , giá trị ∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) là giá trị trải rộng xung lớn nhất mà tín
hiệu ngõ ra không chồng lắp lên nhau. Khi này tốc độ bit cực đại có thể đạt được là:
1
𝐵𝑇(max) = (𝑏𝑝𝑠 ) (2.38)
2∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼)
Có một cách đánh giá khác về tốc độ bit cực đại của một kênh quang. Ta
xem xung ngõ ra có dạng phân bố Gauss có độ rộng hiệu dụng là σmode(SI). Cách phân
tích này cho phép tồn tại một lượng chồng lắp xung nào đó của tín hiệu ngõ ra
nhưng vẫn đảm bảo được tỉ số SNR ở đầu thu. Khi này tốc độ bit cực đại xấp xỉ:
0.2
𝐵𝑇(max) ≈ (2.39)
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼)
Ví dụ:
Một tuyến quang 6Km dùng sợi đa mode SI, lõi có chiết suất n1 bằng 1,5, độ
chênh lệch chiết suất tương đối = 1%. Hãy xác định:
(a) Thời gian chênh lệch giữa mode nhanh nhất và mode chậm nhất .
(b) Ðộ trải rộng xung hiệu dụng do tán sắc mode trên tuyến.
(c) Tốc độ bit cực đại có thể đạt được, giả sử chỉ có tán sắc mode.
(d) Tích dải thông với chiều dài ở câu (c).
Giải:
(a) Áp dụng phương trình (2.32), độ chênh lệch thời gian giữa mode nhanh nhất
và mode chậm nhất là:
𝐿𝑛1 6. 103 [𝑚 ]. 1,5.0,01
∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) ≈ 𝑥∆= = 300[𝑛𝑠]
𝑐 3. 108
(b) Ðộ trải rộng xung hiệu dụng do tán sắc mode

36
 𝐿𝑛1 ∆ 6. 103 [𝑚 ]. 1,5.0,01
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) ≈ = = 86,7[𝑛𝑠]
2√3𝑐 2√3. 3. 108
(c) Tốc độ bit cực đại có thể đánh giá theo hai cách:
Cách 1:
Tốc độ bit cực đại với giả sử không có sự chồng lắp xung ở ngõ ra:
1 1
𝐵𝑇(max) = = = 1,7. 106 (𝑏𝑝𝑠 ) = 1,7 𝑀𝑏𝑝𝑠
2∆𝑻𝒎𝒐𝒅𝒆(𝑺𝑰) 2.300. 10−9
Cách 2:
Tính tốc độ bit cực đại bằng cách sử dụng độ trải rộng xung hiệu dụng:
0.2 0,2
𝐵𝑇(max) ≈ = −9
= 2,3. 106 (𝑏𝑝𝑠) = 2,3 𝑀𝑏𝑝𝑠
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) 86,7. 10
(d) Sử dụng tốc độ bit cực đại ở câu (c), ta có:
𝐵𝑜𝑝𝑡 𝑥𝐿 = 2,3𝑥6 = 13,8 [𝑀𝐻𝑧. 𝐾𝑚]
Ðối với sợi đa mode GI, tán sắc mode giảm đến tối thiểu. Ðộ trải rộng xung cực
đại:

𝐿𝑛1 ∆2
𝐷𝑚𝑜𝑑𝑒(𝐺𝐼) = ∆𝑇𝑚𝑜𝑑𝑒(𝐺𝐼) ≈ (2.40)
8𝑐
Ðộ trải rộng xung hiệu dụng:
𝐿𝑛1 ∆2
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝐺𝐼) = (2.41)
20√3𝑐
Lưu ý: Công thức trên thu được khi dạng phân bố chiết suất của lõi có dạng tối
ưu:
12∆
𝑔𝑜𝑝𝑡 = 2 − (2.42)
5
Nếu sợi quang có =1% thì g = 1,98: phân bố chiết suất gần với dạng parabol.
Ví dụ 2:
Hãy so sánh độ trải rộng xung hiệu dụng trên mỗi Km do tán sắc mode của sợi
đa mode chiết suất nhảy bậc trong ví dụ 1 với sợi đa mode chiết suất giảm dần có
phân bố chiết suất tối ưu có cùng chiết suất lõi n1 và .
Giải
Từ ví dụ 1, ta suy ra:
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) 86,7[𝑛𝑠]
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝑆𝐼) [𝐿 = 1𝐾𝑚] = = = 14,4[𝑛𝑠/𝑘𝑚]
𝐿 6[𝐾𝑚]
Sử dụng công thức (2.41), độ trải rộng xung hiệu dụng trên 1Km của sợi có
chiết suất giảm dần là:

37
 𝐿𝑛1 ∆2 103 . 1,5. 0,012
𝜎𝑚𝑜𝑑𝑒(𝐺𝐼) [𝐿 = 1𝐾𝑚 ] = = = 14,4[𝑛𝑠/𝑘𝑚]
20√3𝑐 20√3. 3. 108
Từ ví dụ trên ta thấy tán sắc mode của sợi GI được cải tiến đến 1000 lần. Tuy
nhiên thực tế chỉ có thể đạt được khoảng 100 lần, do khó điều khiển trên toàn sợi có
cùng một dạng phân bố. Hình 2.23 biểu diễn đặc tuyến độ trải rộng xung do tán sắc
mode theo g.

Hình 2.23. Ðộ trải rộng xung mode của sợi đa mode GI có  =1% theo g.
2.3.2.3. Tán sắc vật liệu
Nguyên nhân
Nguyên nhân gây ra tán sắc vật liệu: do sự chênh lệch các vận tốc nhóm của
các thành phần phổ khác nhau trong sợi. Nó xảy ra khi vận tốc pha của một sóng
phẳng lan truyền trong môi trường điện môi biến đổi không tuyến tính với bước sóng,
và một vật liệu được gọi là tồn tại tán sắc chất liệu khi đạo hàm bậc hai của chiết
suất theo bước sóng khác không (d2n/dλ2≠0). Ðộ trải rộng xung do tán sắc vật liệu
có thể thu được bằng cách khảo sát thời gian trễ nhóm trong sợi quang.
Vận tốc pha và vận tốc nhóm
Trong tất cả sóng điện từ, có những điểm có pha không đổi. Ðối với sóng
phẳng, những điểm pha không đổi này tạo nên một bề mặt được gọi là mặt sóng. Ðối
với sóng ánh sáng đơn sắc lan truyền dọc theo ống dẫn sóng theo phương z (trục ống
dẫn sóng), những pha không đổi này di chuyển với vận tốc pha:
𝑑𝑧 𝜔
𝑣𝑝 = = (2.43)
𝑑𝑡 𝛽
Tuy nhiên, thực tế không thể tạo ra một sóng ánh sáng hoàn toàn đơn sắc và
năng lượng ánh sáng tổng quát là tổng các thành phần có các tần số khác nhau. Do
đó tình trạng tồn tại là một nhóm các sóng có tần số gần giống nhau lan truyền sao
cho dạng cuối cùng có dạng bó sóng. Bó sóng này không lan truyền ở vận tốc pha
của các sóng thành phần mà lan truyền ở vận tốc nhóm:

38
 𝛿𝜔
𝑣𝑔 = (2.44)
𝛿𝛽
Nếu lan truyền trong một môi trường vô hạn có chiết suất n1 thì hằng số lan
truyền (có thể được viết như sau:
2𝜋 𝑛1 𝜔
𝛽 = 𝑛1 = (2.45)
𝜆 𝑐
Từ (2.43) suy ra:
𝜔 𝑐
𝑣𝑝 = = (2.46)
𝛽 𝑛1
Tương tự, từ (2.44) suy ra vận tốc nhóm:
𝛿𝜔 𝑑𝜆 𝑑𝜔
𝑣𝑔 = = 𝑥 (2.47)
𝛿𝛽 𝑑𝛽 𝑑𝜆
Thế 𝛽 từ (2.45) vào (2.47) và lưu ý:
2𝜋𝑐 𝑑𝜔 𝜔
𝜔= ⟹ =−
𝜆 𝑑𝜆 𝜆
Ta có:
𝑑 2𝜋 −1 −𝜔 −𝜔 1 𝑑𝑛1 𝑛1 −1
𝑣𝑔 = (𝑛 ) 𝑥( )= 𝑥( − 2)
𝑑𝜆 1 𝜆 𝜆 2𝜋𝜆 𝜆 𝑑𝜆 𝜆
𝑐 𝑐
𝑣𝑔 = = (2.48)
𝑑𝑛1 𝑁𝑔1
𝑛1 − 𝜆
𝑑𝜆
Với
𝑑𝑛1
𝑁𝑔1 = 𝑛1 − 𝜆 (2.49)
𝑑𝜆
Ng1 gọi là chiết suất nhóm.
Thời gian trễ nhóm (Group delay)
Thời gian lan truyền (thời gian trễ nhóm) của một xung ánh sáng lan truyền dọc
theo một đơn vị chiều dài sợi quang:
𝑑𝑛1
1 𝛿𝛽 𝑁𝑔1 𝑛1 − 𝜆 𝑑𝜆
𝜏𝑔 = = = = (2.50)
𝑣𝑔 𝛿𝜔 𝑐 𝑐
Ðối với nguồn quang có độ rộng phổ hiệu dụng σλ và có bước sóng trung
bình λ,độ trải rộng xung hiệu dụng do tán sắc có thể xác định bằng khai triển Taylor
theo λ:
𝑑𝜏𝑔 𝑑 2 𝜏𝑔
Δ𝜏𝑔 = 𝜎𝜆 [ +2 +⋯] (2.51)
𝑑𝜆 𝑑𝜆2
Bỏ qua các thành phần bậc cao, suy ra:
𝑑𝜏𝑔
Δ𝜏𝑔 = 𝜎𝜆 (2.52)
𝑑𝜆

39
 Với
𝑑𝑛1
𝑑𝜏𝑔 𝑑 𝑛1 − 𝜆 𝑑𝜆 𝜆 𝑑𝑛1 𝑑 2 𝑛1 𝑑𝑛1 𝜆 𝑑 2 𝑛1
= [ ]= [ − − ]=− (2.53)
𝑑𝜆 𝑑𝜆 𝑐 𝑐 𝑑𝜆 𝑑𝜆2 𝑑𝜆 𝑐 𝑑𝜆2

Suy ra độ trải rộng xung ánh sáng trên một đơn vị chiều dài:
𝛿𝜆 𝑑 2 𝑛1
Δ𝜏𝑔 = |𝜆 | (2.54)
𝑐 𝑑𝜆2
Nếu sợi quang dài L[Km] thì độ trải rộng xung hiệu dụng hay tán sắc chất liệu
trong sợi quang là:
𝐿𝛿𝜆 𝑑 2 𝑛1
𝜎𝑚 = 𝐿Δ𝜏𝑔 = |𝜆 | (2.55)
𝑐 𝑑𝜆2
Đặt
𝑑𝜏𝑔 𝜆 𝑑 2 𝑛1
𝑀= =− (2.56)
𝑑𝜆 𝑐 𝑑𝜆2
M được gọi là hệ số tán sắc chất liệu, có đơn vị: [ps/nm.Km].
Vậy tán sắc vật liệu có thể viết lại như sau:
𝜎𝑚 = 𝐿𝜎𝑔 |𝑀 | (2.57)
Ví dụ 3:
𝑑 2 𝑛1
Một sợi thủy tinh có tán sắc chất liệu được cho bởi: |𝜆2 | = 0,025. Hãy
𝑑𝜆2
xác định hệ soá tán sắc vật liệu M ở bước sóngλ= 0,85µm, và tính độ trải rộng xung
hiệu dụng trên mỗi Km khi nguồn quang LED phát ra bước sóng 850 nm có độ rộng
phổ hiệu dụng 𝜎𝜆 = 20nm.
Giải
Hệ số tán sắc vật liệu:
𝜆 𝑑 2 𝑛1 1 2 𝑑 2 𝑛1 0,025
𝑀 = | 2 | = |𝜆 | = = 98,1[𝑝𝑠/𝑛𝑚. 𝐾𝑚]
𝑐 𝑑𝜆 𝑐𝜆 𝑑𝜆2 3. 108 . 0,85. 10−6
Ðộ trải rộng xung hiệu dụng:
𝜎𝑚 = 𝐿𝜎𝜆 𝑀 = 20.1.98,1 = 1,96[𝑛𝑠/𝐾𝑚]
Hệ số tán sắc vật liệu là một đại lượng phụ thuộc vào vật liệu chế tạo và bước
sóng ánh sáng lan truyền trong sợi quang. Dưới đây là đồ thị biểu diễn giá trị của M
theo bước sóng của sợi silica.

40
 Hình 2.24 Hệ số tán sắc là một đại lượng phụ thuộc vào vật liệu chế tạo sợi và
bước sóng ánh sáng
Ý nghĩa vật lý của M: tán sắc vật liệu cho biết mức độ nới rộng xung của mỗi
nm bề rộng phổ nguồn quang qua mỗi Km sợi.
2.3.2.4. Tán sắc ống dẫn sóng
Ðối với sợi đơn mốt, khi nói đến tán sắc sắc thể, ngoài tán sắc vật liệu ta còn
phải xét đến tán sắc ống dẫn sóng. Khi ánh sáng được ghép vào sợi quang để
truyền đi, một phần chính truyền trong phần lõi sợi, phần nhỏ truyền trong phần
lớp vỏ với những vận tốc khác nhau do chiết suất trong phần lõi và vỏ của sợi quang
khác nhau, minh họa trên hình 2.25. Sự khác biệt vận tốc truyền ánh sáng gây nên
tán sắc ống dẫn sóng. Tán sắc ống dẫn sóng Dwg(λ) cũng là một hàm theo bước sóng
như trên hình 2.26.

Hình 2.25 Tán sắc ống dẫn sóng:

(a) Phần lõi của xung; (b) Phần lớp bọc của xung; (c) Xung tổng cộng

Hình 2.26 Tán sắc sắc thể bao gồm tán sắc vật liệu và tán sắc ống dẫn sóng
trong sợi quang
41
 Tán sắc tổng cộng
2 2
𝐷𝑡 = √𝐷𝑚𝑜𝑑𝑒 + 𝐷𝑐ℎ𝑟 (2.58)

𝐷𝑐ℎ𝑟 = 𝐷𝑚𝑎𝑡 + 𝐷𝑤𝑔 = 𝐿. Δ𝜆. |𝑀𝑚𝑎𝑡 + 𝑀𝑤𝑔 | (2.59)

Có thể thấy rõ ý nghĩa vật lý của tán sắc màu khi so sánh sự lan truyền anh
sáng qua một lăng kính như minh họa trên hình 2.27 với sự lan truyền của ánh sáng
trong sợi quang như trên hình 2.28.

Hình 2.27 Khi ánh sáng trắng truyền qua lăng kính các bước sóng khác nhau
sẽ bị uống cong với các góc khác nhau tạo thành hiện tượng cầu vòng. Đó chính là
hiện tượng tán sắc

Hình 2.28 Ánh sáng lan truyền trong sợi quang sẽ bị tán sắc như trên hình
2.26
2.3.2.5. Tán sắc phân cực mode
Mặc dù ta gọi sợi quang là đơn mốt nhưng trên thực tế nó luôn truyền 2 mốt
sóng được gọi chung cùng một tên. Các mốt này là các sóng điện từ được phân cực
tuyến tính truyền trong sợi quang trong những mặt phẳng vuông góc với nhau. Nếu
chiết suất của sợi quang là không như nhau trên phương truyền của hai mốt trên, hiện
tượng tán sắc phân cực mốt xảy ra. Minh họa trên hình 2.29. Sự khác nhau giữa các
chỉ số chiết suất gọi là khúc xạ kép hay lưỡng chiết sợi (Birefringence)

42
 Hình 2.29 Minh hoạ tán sắt phân cực mode
Trên thực tế, hằng số lan truyền của mỗi phân cực thay đổi theo chiều dài sợi
quang cho nên thời gian trễ trên mỗi đoạn sợi quang là ngẫu nhiên và có xu hướng
khử lẫn nhau. Do đó tán sắc phân cực mốt tỉ lệ tuyến tính với căn bậc 2 chiều dài sợi
quang:
Δ𝑡𝑃𝑀𝐷 = 𝐷𝑃𝑀𝐷 √𝑀 (2.60)
2.3.2.6. Mối quan hệ giữa tán sắc và dải thông
Mối quan hệ giữa dải thông với tốc độ bit
Hai mã thường dùng trong hệ thống thông tin là mã trở về không (RZ) và mã
không trở về không. Gọi B và BT lần lượt là dải thông và tốc độ của tín hiệu. Ta có:

Ðối với mã NRZ:

1
𝐵= 𝐵 (2.61)
2 𝑇
Đối với mã RZ:
𝐵 = 𝐵𝑇 (2.62)
Mối quan hệ giữa tán sắc và dải thông
Theo công thức (2.38) và (2.39) ta có thể tính được tốc độ bit cực đại có thể đạt
được.Tùy theo loại mã đường truyền theo các công thức (2.61) và (2.62) ta có thể suy
ra dải thông B.
Ðộ trải rộng xung quyết định khả năng mang thông tin của sợi quang, mà độ
trải rộng xung tỉ lệ tuyến tính với chiều dài sợi quang, tức dải thông tỉ lệ nghịch với
khoảng cách thông tin. Ðiều này dẫn đến mộ thông số hữu ích hơn đối với việc đánh
giá khả năng mang thông tin của sợi quang, đó là tích dải thông với chiều dài, ký hiệu
là BL hay BxL. Ðơn vị đo: [MHz.Km].
Ta có công thức liên hệ giữa B và BL:
𝐵 = 𝐵𝐿 . 𝐿−𝛾 (2.63)

43
 Với: L là chiều dài sợi quang;  là hằng số có giá trị 0,5÷1, phụ thuộc vào chiều
dài L. Thường  = 0,6 ÷ 0,8.
Vì độ tán sắc phụ thuộc bước sóng nên dải thông cũng phụ thuộc bước sóng.
2.3.3. Các hiệu ứng phi tuyến
Hiệu ứng quang được gọi là phi tuyến nếu các tham số của nó phụ thuộc vào cường
độ ánh sáng (công suất). Các hiện tượng phi tuyến có thể bỏ qua đối với các hệ thống
thông tin quang hoạt động ở mức công suất vừa phải (vài mW) với tốc độ bit lên
đến 2.5 Gbps. Tuy nhiên, ở tốc độ bit cao hơn như 10 Gbps và cao hơn và/hay ở mức
công suất truyền dẫn lớn, việc xét các hiệu ứng phi tuyến là rất quan trọng. Trong
các hệ thống WDM, các hiệu ứng phi tuyến có thể trở nên quan trọng thậm chí ở
công suất và tốc độ bit vừa phải.
Các hiệu ứng phi tuyến có thể chia ra làm hai loại. Loại thứ nhất phát sinh do
tác động qua lại giữa các sóng ánh sáng với các phonon (rung động phân tử) trong
môi trường silica- một trong nhiều loại hiệu ứng tán xạ mà chúng ta đã xem xét là
tán xạ Rayleigh. Hai hiệu ứng chính trong loại này là tán xạ do kích thích Brillouin
(SBS) và tán xạ do kích thích Raman (SRS).
Loại thứ hai sinh ra do sự phụ thuộc của chiết suất vào cường độ điện trường
hoạt động, tỉ lệ với bình phương biên độ điện trường. Các hiệu ứng phi tuyến quan
trọng trong loại này là hiệu ứng tự điều pha (SPM - Self-Phase Modulation), hiệu
ứng điều chế xuyên pha (CPM - Cross-Phase Modulation) và hiệu ứng trộn bốn
bước sóng (FWM - Four-Wave Mixing). Loại hiệu ứng này được gọi là hiệu ứng
Kerr.
Trong các hiệu ứng tán xạ phi tuyến, năng lượng từ một sóng ánh sáng được
chuyển sang một sóng ánh sáng khác có bước sóng dài hơn (hoặc năng lượng thấp
hơn). Năng lượng mất đi bị hấp thụ bởi các dao động phân tử hoặc các phonon (loại
phonon liên quan đến sự khác nhau giữa SBS và SRS). Sóng thứ hai được gọi là
sóng Stokes. Sóng thứ nhất có thể gọi là sóng bơm (Pump) gây ra sự khuếch đại
sóng Stokes. Khi sóng bơm truyền trong sợi quang, nó bị mất năng lượng và sóng
Stokes nhận thêm năng lượng. Trong trường hợp SBS, sóng bơm là sóng tín hiệu và
sóng Stokes là sóng không mong muốn được tạo ra do quá trình tán xạ. Trong trường
hợp SRS, sóng bơm là sóng có năng lượng cao và sóng Stokes là sóng tín hiệu
được khuếch đại từ sóng bơm.
Nói chung, các hiệu ứng tán xạ được đặc trưng bởi hệ số độ lợi g, được đo
bằng m/w (meters per watt) và độ rộng phổ Δf (đối với độ lợi tương ứng) và công
suất ngưỡng Pth của ánh sáng tới - mức công suất mà tại đó suy hao do tán xạ là 3
dB, tức là một nửa công suất trên toàn bộ độ dài sợi quang. Hệ số độ lợi là một đại
lượng chỉ cường độ của hiệu ứng phi tuyến.

44
 Trong trường hợp tự điều pha SPM, các xung truyền bị hiện tượng chirp (tần
số xung truyền đi thay đổi theo thời gian). Ðiều này làm cho hệ số chirp (chirped
factor) trở nên đáng kể ở các mức năng lượng cao. Sự có mặt của hiện tượng chirp
làm cho hiệu ứng giãn xung do tán sắc màu tăng lên. Do vậy, chirp xảy ra do SPM
(SPM induced chirp) có thể gây tăng độ giãn xung do tán sắc màu trong hệ thống.
Ðối với các hệ thống tốc độ bit cao, chirp do SPM có thể làm tăng một cách đáng
kể độ giãn xung do tán sắc màu thậm chí ở các mức công suất vừa phải. Ảnh
hưởng của SPM không chỉ phụ thuộc vào dấu tham số GVD (Group Velocity
Dispersion) mà còn phụ thuộc vào chiều dài của hệ thống.
Trong hệ thống WDM đa kênh, chirp xảy ra trong một kênh phụ thuộc vào
sự thay đổi chiết suất theo cường độ của các kênh khác. Hiệu ứng này được gọi là
hiệu ứng điều chế xuyên pha (CPM - Cross-Phase Modulation). Khi xem xét hiện
tượng chirp trong một kênh do sự thay đổi chiết suất theo cường độ của chính kênh
đó, ta gọi là hiệu ứng này SPM.
Trong các hệ thống WDM, một hiệu ứng quan trọng khác đó là hiệu ứng trộn
bốn bước sóng. Nếu hệ thống WDM bao gồm các tần số f1, f2, …, fn, hiệu ứng trộn
bốn bước sóng sinh ra các tín hiệu tại các tần số như là 2fi - fj, và fi + fj - fk. Các
tín hiệu mới này gây ra xuyên kênh (crosstalk) với các tín hiệu có sẵn hệ thống.
Xuyên kênh này ảnh hưởng đặc biệt nghiêm trọng khi khoảng cách giữa các kênh
hẹp. Việc giảm tán sắc màu làm tăng xuyên kênh gây ra bởi hiệu ứng trộn bốn bước
sóng. Vì vậy, hệ thống sử dụng sợi quang dịch chuyển tán sắc chịu ảnh hưởng của
hiệu ứng trộn bốn bước sóng nhiều hơn là hệ thống sử dụng sợi đơn mốt. Tuy nhiên
hiện tượng này có thể loại bỏ nếu duy trì một ít tán sắc màu trong sợi quang.
Nhìn chung các ảnh hưởng của các hiệu ứng phi tuyến giảm đi khi sử dụng sợi
quang có diện tích lõi hiệu dụng lớn.
2.4. Các loại sợi quang
Nhìn chung khi xem xét các yếu tố sợi quang liên quan đến khả năng của hệ
thống thông tin quang, cần phải đề cập tới ba yếu tố cơ bản nhất là suy hao, tán sắc,
và hiệu ứng phi tuyến xảy ra trong sợi. Tuy nhiên, đối với các hệ thống khác nhau
thì mức độ ảnh hưởng của các yếu tố này cũng khác nhau. Ví dụ:
 Ðối với các hệ thống cự ly ngắn, dung lượng thấp thì yếu tố chủ yếu cần quan
tâm là suy hao.
 Ðối với các hệ thống tốc độ cao, cự ly tương đối lớn thì yếu tố chủ yếu cần
quan tâm là suy hao và tán sắc.
 Ðối với các hệ thống cự ly dài và dung lượng rất lớn thì ngoài hai yếu tố trên
cần phải xem xét đến cả các hiệu ứng phi tuyến.
Sợi quang đang được sử dụng rộng rãi hiện nay trong các hệ thống hiện nay
là sợi đơn mode SMF-28, G.652. Các đặc tính truyền dẫn của sợi quang này đã được
45
mô tả trong phần 2.3. Các đường cong mô tả tán sắc và suy hao của sợi đơn mode
cho thấy rằng suy hao của sợi đạt giá trị nhỏ nhất ở vùng bước sóng 1500 nm nhưng
tán sắc có giá trị thấp nhất (bằng không) lại ở bước sóng 1300 nm. Nếu cả hai yếu
tố suy hao và tán sắc đều đạt giá trị tối ưu thì sẽ có được tuyến thông tin đơn kênh
cự ly truyền dẫn rất xa và tốc độ bit rất lớn. Để đạt được điều này, người ta điều
chỉnh các tham số cơ bản của sợi nhằm dịch chuyển tán sắc tối thiểu tới cửa sổ có
suy hao nhỏ nhất (cửa sổ 1550 nm). Tán sắc trong sợi đơn mode chủ yếu là tán sắc
vật liệu và tán sắc ống dẫn sóng. Tán sắc vật liệu của sợi tiêu chuẩn làm từ SiO2
thường có giá trị bằng 0 ps/km.nm tại bước sóng 1270 nm, nhưng nếu pha thêm một
số tạp chất như GeO2 và P2O5 vào lõi sợi thì giá trị tán sắc vật liệu sẽ dịch chuyển
về các bước sóng lớn hơn 1270 nm, nhưng lại làm tăng suy hao sợi. Như vậy, sẽ rất
khó thay đổi được tán sắc vật liệu cơ bản. Tuy nhiên, lại hoàn toàn có thể thay đổi tán
sắc dẫn sóng bằng cách sử đổi mặt cắt chỉ số chiết suất phân bặc đơn giản ở lõi sợi
thành mặt cắt chỉ số chiết suất phức tạp hơn để cho ra được giá trị tán sắc mong
muốn. Sợi quang dịch chuyển tán sắc (DSF, G.653) có tán bằng tổng bằng không
tại bước sóng gần 1550 nm được chế tạo theo nguyên lý nói trên. Hình 2.30 minh
hoạ mặt cắt chỉ số chiết suất của sợi quang DSF-G.653.

(a) (b)
Hình 2.30 Các mặt các chỉ số chiết suất
(a) Sợi đơn mode thông thường (SMF-28, G.652) (b) Sợi tán sắc dịch chuyển
(DSF, G.653)
Sợi quang DSF-G.653 chỉ phù hợp cho các hệ thống đơn kênh hoạt động ở
bước sóng 1550 nm. Các hệ thống ghép kênh theo bước sóng quang (WDM) bên
cạnh hai yếu tố suy hao và tán sắc, còn chịu ảnh hưởng của các hiệu ứng phi tuyến.
Các loại sợi quang mới cũng đã được phát triển để làm giảm ảnh hưởng của các
hiệu úng này. Dưới đây chúng ta sẽ tập trung xem xét các đặc tính nổi bật của các
loại sợi quang mới này.

46
 2.4.1. Sợi quang dịch chuyển tán sắc khác không (NZ-DSF) G.655
Mặc dù sợi quang dịch chuyển tán sắc (DSF) đã giải quyết triệt để các ảnh
hưởng do tán sắc màu gây ra ở cửa sổ bước sóng 1550 nm. Tuy nhiên, nó lại không
thích hợp để dùng trong hệ thống WDM do sự thiệt thòi nghiêm trọng về công suất
do hiệu ứng trộn bốn bước sóng và các sự phi tuyến khác gây ra. Sự thiệt thòi này sẽ
được loại bỏ nếu có một ít tán sắc màu hiện diện trong sợi do sự tương tác của các
sóng khác nhau khi lan truyền với vận tốc nhóm khác nhau. Ðiều này đã dẫn đến sự
phát triển của các loại sợi dịch chuyển tán sắc khác không (NZ - DSF). Các loại sợi
này có tán sắc màu khoảng từ 1 đến 6 ps/nm.km hoặc là -1 đến -6 ps/nm.km ở cửa
sổ 1550 nm. Ðiều này cắt giảm ảnh hưởng của các hiệu ứng phi tuyến trong khi vẫn
giữa nguyên các ưu điểm của sợi DSF. Loại sợi mới này đang được xây dựng trong
các công trình ở các tuyến dài ở Bắc Mỹ.
Chẳng hạn, sợi quang LS của Corning có bước sóng tán sắc không ở bước sóng
1560 nm và tán sắc màu nhỏ khoảng 0.092 (λ- 1560) ps/nm.km ở cửa sổ bước
sóng 1550 nm và sợi TrueWave của công nghệ Lucent Technologies
Bởi vì tất cả các sợi NZ - DSF được chế tạo có giá trị tán sắc khác không rất
nhỏ ở dải C nhưng vẫn có giá trị không ngoài dải C, nằm trong dải L hoặc dải S.
Trong những trường hợp này, một phần lớn của dải băng xung quanh bước sóng tán
sắc sẽ không dùng do hiệu ứng trộn bốn bước sóng. Sợi TeraLight của Alcatel là
một loại sợi NZ - DSF có tán sắc không ở dải bên dưới bước sóng 1440 nm và vì
vậy được sử dụng ở cả 3 dải.
Tán sắc màu ngoài việc phải có giá trị nhỏ, còn phải có độ dốc nhỏ (đối với
bước sóng). Ðộ dốc nhỏ làm giảm độ trải rộng xung do tán sắc màu tích lũy giữa
các kênh khác nhau trong một hệ thống WDM. Nếu độ trải rộng nhỏ, tức là tán sắc
màu tích lũy trên các kênh khác nhau gần như là đồng nhất, có thể bù tán sắc màu
tích lũy trên tất cả các kênh bằng một bộ bù tán sắc màu duy nhất. Phương pháp này
sẽ rẻ hơn khi sử dụng bộ bù tán sắc màu trên mỗi kênh. Ðộ dốc tán sắc màu của các
loại sợi TrueWave, TrueWave RS (độ dốc giảm) và LEAF (sẽ đề cập dưới đây)
được minh họa ở hình 2.30. Sợi TrueWave RS của Lucent được chế tạo có giá trị độ
dốc tán sắc màu nhỏ hơn khoảng 0.05 ps/nm.km2 so với các loại sợi NZ - DSF
khác có độ dốc trong khoảng 0.07 ÷ 0.4 ps/nm.km2

47
 Hình 2.31 Độ nghiên tán sắc của sợi TrueWave, sợi TrueWave RS và LEAF
2.4.2. Sợi quang diện tích hiệu dụng lõi lớn
Ảnh hưởng của sự phi tuyến có thể giảm được khi chế tạo loại sợi quang có
diện tích lõi hiệu dụng lớn. Như đã thấy rằng các sợi quang dịch chuyển tán sắc khác
không có giá trị tán sắc màu bé trong khoảng 1550 nm để tối thiểu sự ảnh hưởng của
tán sắc màu, nhưng không may, các loại sợi này lại có diện tích hiệu dụng lõi nhỏ
2
hơn. Gần đây, sợi NZ – DSF có diện tích hiệu dụng lõi lớn - trên 70 µm , đã được
Corning (LEAF) và Lucent (TrueWave XL) phát triển. Diện tích này lớn hơn nhiều
2 2
so với 50µm của sợi NZ - DSF bình thường và nhỏ hơn 85µm của sợi SMF. Do
vậy, các loại sợi này đạt được sự thỏa hiệp tốt hơn giữa tán sắc màu và sự phi tuyến
hơn là các sợi NZ - DSF bình thường. Tuy nhiên, khuyết điểm của các loại sợi này
2 2
là có độ dốc tán sắc màu lớn hơn, khoảng 0.11 ps/nm.km so với 0.07 ps/nm.km đối
2
với loại sợi NZ - DSF khác và khoảng 0.05 ps/nm.km đối với loại sợi giảm độ dốc.
Diện tích lõi hiệu dụng lớn cũng làm giảm hiệu quả của việc khuếch đại phân bố
Raman.

(a) (b)
Hình 2.32 (a) NZ-DSF bình thương. (b) LEAF

48
 Hình 2.33 Sự phân bố công suất trong lõi của sợi DSF và LEAF. Công
suất trong sợi LEAF được phân bố với diện tích rộng hơn
2.4.3. Các sợi quang tán sắc âm và dương
Một số sợi quang được thiết kế để có cả tán sắc màu dương và âm trong dải
1550 nm. Tán sắc màu của sợi có tán sắc màu dương và âm trong dải 1550 nm được
trình bày trong hình 2.33. Sợi có tán sắc màu dương được sử dụng cho các hệ thống
trên đất liền, còn sợi tán sắc màu âm được sử dụng cho các hệ thống dưới biển. (Ðối
với việc bù tán sắc màu thì ngược lại: sợi quang có tán sắc màu âm được sử dụng
trên đất liền, sợi có tán sắc màu dương dùng cho các hệ thống ngầm dưới biển). Cả
tán sắc màu âm và dương đều gây ra giãn xung và độ giãn xung này phụ thuộc vào
độ lớn tán sắc màu mà không phụ thuộc vào dấu của nó (khi không có mặt của sự
chirp và các sự phi tuyến). Vì vậy, tại sao lại cần các loại sợi quang có tán sắc màu
khác dấu nhau, tán sắc màu dương cho hệ thống đất liền và tán sắc màu âm cho các
hệ thống dưới biển. Ðể hiểu sự tán động này, chúng ta cần hiểu các hiện tượng phi
tuyến khác: tính bất ổn điều chế (Modulation Instability).
Ðiều này có thể giải thích như sau: Khi bị chirp dương sườn sau của xung bị
dịch đến tần số f < f0 và sườn trước của xung bị dịch đến tần số f > f0. Ðiều này
có nghĩa là phổ của tín hiệu bị giãn ra trong quá trình truyền dẫn. Khi tán sắc màu là
dương thành phần tần số cao (f > f0) sẽ lan truyền chậm hơn thành phần tần số thấp
(f < f0) nên xung bị co lại (nguyên lý của truyền dẫn soliton). SPM làm cho các
xung chirp dương. Ở các mức công suất cao, sự tác động qua lại giữa hai hiện tượng
này - tán sắc màu và chirp do SPM- dẫn đến gãy (breakup) xung rộng tương đối
(trong khoảng thời gian 100 ps, tương ứng xấp xỉ với tốc độ truyền dẫn 10 Gbps)
thành các luồng xung ngắn (khoảng vài pico giây). Hiện tượng này gọi là hiện tượng
không ổn định điều chế và dẫn đến tăng đáng kể tỉ lệ bit lỗi. Sự không ổn định điều chế
chỉ xảy ra trong sợi quang tán sắc màu dương và vì vậy, có thể tránh bằng cách sử
dụng sợi có tán sắc màu âm. Các ảnh hưởng của nó đối với sợi quang tán sắc màu
dương có thể được tối thiểu khi dùng các mức công suất thấp hơn.
Các hệ thống WDM không thể hoạt động quanh bước sóng tán sắc không của
sợi quang do ảnh hưởng nghiêm trọng của hiệu ứng trộn bốn bước sóng. Ðối với sợi
quang dịch chuyển tán sắc dương, bước sóng tán sắc không nằm dưới dải bước sóng
49
1550 nm và không nằm trong dải L. Do đó, các hệ thống sử dụng sợi quang tán sắc
màu dương có thể nâng cấp để có thể sử dụng dải L (xem hình 2.19). Tính nâng cấp
là một đặc tính quan trọng của hệ thống đất liền. Do đó, sợi quang tán sắc màu
dương thì thích hợp cho hệ thống đất liền, và mức công suất được điều khiển để sự
bất ổn điều chế là không đáng kể. Tuy nhiên, đối với các tuyến dưới biển, việc sử
dụng các mức công suất lớn hơn thì rất quan trọng do khoảng cách tuyến dài. Những
tuyến này không có khả năng nâng cấp bằng bất cứ phương pháp nào, do nó được
thả dưới đáy đại dương, vì vậy sử dụng dải L đối với những sợi này thì không có khả
năng. Do vậy, sợi quang tán sắc màu âm được dùng cho các tuyến dưới biển.
Vì sợi tán sắc màu âm dùng cho các tuyến dưới biển, tán sắc màu có thể được
bù bằng cách dùng sợi quang đơn mốt chuẩn (SMF) có tán sắc màu dương, nghĩa là
việc thay đổi tuần tự các đoạn sợi quang SMF có tán sắc màu dương và tán sắc
màu âm có thể giữ cho tán sắc màu tổng cộng thấp. Ðiều này thích hợp để sử dụng
sợi quang bù tán sắc do chúng có độ nhạy hơn đối với các hiệu ứng phi tuyến bởi vì
diện tích hiệu dụng lõi của nó thấp.
Chú ý rằng tất cả các sợi quang đã xem xét có độ dốc tán sắc màu dương, tức
là tán sắc màu tăng khi bước sóng tăng. Ðiều này chủ yếu là độ dốc tán sắc vật liệu
của sợi quang silica là dương và thường hơn hẳn độ dốc tán sắc âm của tán sắc ống
dẫn sóng (xem hình 2.26). Sợi quang có độ dốc tán sắc màu âm thì hữu dụng trong
việc bù độ dốc tán sắc màu.
Trong khi có khả năng chế tạo sợi quang tán sắc màu âm (trong dải 1550 nm)
với độ dốc âm, thì không có khả năng chế tạo sợi có tán sắc màu dương với độ dốc
âm.
Hình 2.34 tóm tắt tán sắc màu trong dải C và độ dốc tán sắc màu của tất cả các
loại đã thảo luận.

Hình 2.34 Tán sắc màu âm và dương trong dải 1550 nm

50
 2.4.4. Sản xuất sợi quang
2.4.4.1. Yêu cầu đối với sợi quang
Ðể đảm bảo những tính năng truyền dẫn ánh sáng tốt và có tuổi thọ cao, sợi
quang cần đáp ứng những yêu cầu ngặt nghèo sau:
 Về cơ: bền vững, không bị đứt, gẫy với tác động của lực kéo, lực cắt
ngang, và lực uốn cong. Không bị dãn nở quá lớn do tác động của lực kéo thường
xuyên. Tốc độ lão hoá chậm.
 Về đặc tính truyền dẫn ánh sáng:
- Vật liệu phải rất tinh khiết, không có tạp chất.
- Cấu tạo lớp bọc và lõi đều đặn, không có chỗ khuyết tật, không có chỗ
không đồng nhất.
để tránh làm tán xạ ánh sáng, sinh thêm suy hao phụ và méo xung.
2.4.4.2. Chế tạo sợi quang
Theo vật liệu chế tạo, sợi quang có thể phân loại thành:
 Sợi Silica (SiO2) (Silica fiber).
 Sợi hợp chất thủy tinh (Multi-component glass fiber).
 Sợi có lớp bọc bằng plastic (Plastic - clad fiber).
 Sợi toàn bằng plastic (All - plastic fiber).
Hầu hết sợi dùng trong viễn thông là sợi Silica.
Quá trình chế tạo sợi bao gồm hai giai đoạn chính:
 Tạo mẫu tiền chế (Preform): Mẫu tiền chế là một thanh thủy tinh có chiết suất
lõi n1, lớp bọc n2 điều chỉnh được trong quá trình chế tạo bằng cách thay đổi thành
phần và nồng độ chất phụ gia. Hay nói cách khác, mẫu tiền chế có hình dạng sợi
quang trong tương lai. Như vậy chất lượng mẫu tiền chế quyết định độ suy hao và
tán sắc của sợi quang.
 Kéo sợi (Drawing): Trong quá trình kéo sợi, nhiệt độ đốt nóng phôi, tốc độ
kéo quyết định thông số hình học và sức bền cơ học.
a. Chế tạo mẫu tiền chế
Có hai phương pháp được sử dụng để tạo mẫu tiền chế:
 Phương pháp nấu chảy thủy tinh. Trong phương pháp này được chia làm hai
phương pháp:
- Phương pháp ống, và
- Phương pháp nồi nấu đôi.
 Phương pháp đọng hơi hóa chất. Trong phương pháp này gồm có ba phương
pháp:

51
 - Ðọng hơi hóa chất bên trong IVD (Inside Vapour Deposition). Trong
phương pháp này có hai kỹ thuật: MCVD (Modified Chemical Vapour
Deposition) và PCVD (Plasma Chemical Vapour Deposition).
- Ðọng hơi hóa chất bên ngoài OVD (Outside Vapour Deposition).
- Ðọng hơi hóa chất dọc theo trục VAD (Vapour Axial Deposition).
PHƯƠNG PHÁP NẤU CHẢY THỦY TINH
Phương pháp ống
Là một trong những kỹ thuật đầu tiên sử dụng cách đây 20 năm. Một lõi thủy
tinh có độ tinh khiết cao được lồng vào ống thủy tinh khác có chiết suất thấp hơn. vấn
đề chủ yếu là tạo ra được khe hở nhỏ nhất giữa lõi và lớp bọc.

Hình 2.35 Phương pháp ống sử dụng để tạo mẫu tiền chế
Những nhược điểm của phương pháp sản xuất này:
 Khó đảm bảo được độ tinh khiết cao và không tránh được những hư hại
nhỏ.
 Chỉ dùng để sản xuất sợi đa mode SI.
 Suy hao của sợi quang chế tạo theo phương pháp này cao: 500 ÷ 1000
dB/Km.
Phương pháp nồi nấu đôi

Hình 2.36 Phương pháp nồi nấu đôi

52
 Dùng phương pháp này để chế tạo ra sợi chứ không để chế tạo phôi. Ưu điểm
đầu tiên của phương pháp này là nó tránh được các chỗ khuyết tật trên lớp phân cách
vỏ - ruột sợi mà phương pháp thanh ống gặp phải.
Trên hình giới thiệu tổng quát phương pháp này. Thủy tinh làm lớp bọc và
lõi được nấu riêng thành các chất lỏng rồi đưa vào nồi hai lớp rêing rẽ. Đầu ra nồi
đôi này có van hai lớp để kéo sợi ra. Nhờ đổ thêm thủy tinh liên tục nên trong quá
trình nấu và kéo liên tục có thể đạt được sợi rất dài. Sợi nóng được kéo qua bể phủ
chất bảo vệ trước khi được cuốn thành cuộn. Dùng phương pháp này có thể chế tạo
sợi SI và sợi GI.
Để chế tạo được sợi đơn mode có đường kính bé thì phương pháp này chưa
thực hiện được.
PHƯƠNG PHÁP ĐỌNG HƠI HÓA CHẤT

Hình 2.37 Sơ đồ quá trình đọng hơi bên trong MVCD

Vật liệu ban đầu:
- Một ống thủy tinh có độ tinh khiết cao.
- Các chất lỏng: SiCl4, GeCl4.
- Các chất khí: O2, POCl3, BCl3.
Ống thủy tinh được đốt nóng bằng nguồn cộng hưởng đến 1400oC, di chuyển
dọc theo trục ống thủy tinh. Trong lúc được đốt nóng, ống thủy tinh quay theo trục
của nó. Các nguyên liệu, ở dạng hơi, được đưa vào ống. Ở nhiệt độ này sẽ xảy ra
các phản ứng hóa học bên trong ống. Sau phản ứng các vật liệu cấu thành lớp bọc và
lõi bám vào thành ống theo từng lớp.
Các phản ứng oxy hóa:
SiCl4 + 2H2O = SiO2 + 4HCl
(gas) (gas) (rắn) (gas)

53
 SiCl4 + O2 = SiO2 + 2Cl2
(gas) (gas) (rắn) (gas)
GeCl4 + O2 = GeO2 + 2Cl2
(gas) (gas) (rắn) (gas)
Sau khi kết thúc quá trình ngưng tụ, ống được đốt nóng đến 2000oC để co lại
thành một thanh đặc, đó là mẫu tiền chế.

(a) (b)
(a) Phôi sau quá trình đọng hơi (b) Mẫu tiền chế sau khi phôi được đun ở
2000 °C
Hình 2.38 Sản phẩm sau quá trình đọng hơi
Muốn thay đổi chiết suất, người ta sử dụng thêm những chất phụ gia như:
GeO2, P2O5, B, F, trong đó GeO2 và P2O5 làm tăng chiết suất, B và F làm giảm chiết
suất
Kỹ thuật này được sử dụng rộng rãi vì cho phép tạo sợi có suy hao thấp nhất;
giảm được nồng độ OH-; thay đổi vật liệu và gas dễ dàng. Ví dụ:
 Sợi SM Silica có α = 0,2 dB/Km (λ = 1550 nm).
 Sợi Germanium PhosphoSilicate GI có suy hao:
= 2,8 dB/Km (λ = 820 nm)
𝛼 = {= 0,45 dB/Km (λ = 1300 nm)
= 0,35 dB/Km (λ = 1550 nm)
Kỹ thuật MCVD còn tạo được sợi có dải thông rất cao.
Ví dụ: sợi đa mode GI có BxL = 4,3 GHz (λ = 1250 nm);
B×L = 4,7 GHz (λ = 1290 nm).
Phương pháp đọng hơi hoá chất bên trong PVCD

Hình 2.39 Phương pháp tạo phôi PVCD

54
 Cũng là phương pháp đọng hơi hóa chất bên trong. Các nguyên liệu ở thể hơi
do một hệ thống cung cấp vào một ống thủy tinh đặt trong lò nung ở 1150oC. Quá
trình phản ứng xảy ra nhờ một vùng plasma sinh ra nhờ một bộ cộng hưởng cực ngắn.
Bộ này có thể dịch chuyển dọc theo ống. Bơm để giữ áp lực trong ống để tạo Plasma
và hút khí thừa ra. Ðường bao chiết suất rất chính xác nhờ tạo ra được hàng nghìn
lớp rất mỏng trên thành ống. Sau đó ống này được nung chảy ở 2000oC để tạo thành
phôi đặc.
Phương pháp đọng hơi hoá chất bên ngoài (OVD)

Hình 2.40 Sơ đồ quá trình đọng hơi bên ngoài (OVD)

Phương pháp này được hãng Corning Glass (Mỹ) phát triển. Vật liệu ban đầu:
 Một thanh thủy tinh tinh khiết.
 Các chất lỏng: SiCl4, TiCl4 (GeCl4).
 Các chất khí: O2, POCl3, BCl3.
Các hoá chất này được phun lên bề mặt của thanh thủy tinh, đồng thời thanh
thủy tinh quay xung quanh trục của nó.
Sau khi đã phủ đủ các lớp yêu cầu, rút thanh thủy tinh ra, còn lại phôi xốp,
rỗng. Sau đó nung phôi này đến 2000oC được một phôi trong suốt, đặc có dạng sợi
quang tương lai.
Phương pháp đọng hơi theo trục (VAD)
Đây là một phương pháp rất tốt được phát triển ở Nhật và luôn được cải tiến.
Các vật liệu tạo lõi và lớp bọc được bốc hơi và ngưng tụ vào đầu của một
thanh thủy tinh xoay tròn liên tục. Khi di chuyển thanh dọc theo trục sẽ tạo được
phôi. Sau đó kéo phôi này qua lò nung để tạo kích thước hình học đều cho phôi
sợi. Ưu điểm của phương pháp này là có tốc độ đọng hơi lớn và hiệu suất sử dụng
nguyên liệu cao tới 60-80%. Theo phương pháp này người ta chế được các loại sợi
có độ rộng băng truyền dẫn rất lớn.

55
 b. Kéo sợi
Kỹ thuật kéo sợi tự động kiểm tra đường kính
Nguyên lý kéo sợi được minh họa như ở hình 2.40

Hình 2.41 Sơ đồ nguyên lý kéo sợi tự động

Một đầu mẫu tiền chế được gắn chặc với một hệ thống đưa phôi lên xuống.
Ðầu còn lại đưa vào lò nung nhiệt độ cao (khoảng 2000OC). Ở nhiệt độ này, đầu phôi
nhũng ra như mật ong, và sợi được kéo ra ở đầu này. Sợi lần lượt đi qua các bộ phận
sau:
 Bộ kiểm tra đường kính sợi: bộ này nhằm điều chỉnh đường kính sợi được
chính xác.
 Bộ bọc lớp phủ: khi sợi còn nóng phải bọc luôn lớp phủ để tránh bụi bám vào
sợi, hơi ẩm (OH-) và các tác động gây ra vi uốn cong.
 Bộ nhuộm màu: nhằm mục đích chia sợi và hàn nối sợi sau này.
 Lò sấy: nhằm làm khô sợi.
 Máy cuốn sợi.
 Máy đo sức căng.
 Và cuối cùng được quấn vào cuộn cáp.
Sợi được kéo ra từ lò nung có đường kính ngoài đúng yêu cầu. Ðể có kích
thước hình học đều và đường bao chiết suất ổn định thì nhiệt độ phôi, tốc độ đưa
phôi xuống và tốc độ kéo phải phù hợp và ổn định.
Ưu điểm của phương pháp kéo sợi tự động kiểm tra đường kính:
 Kéo được cả ba dạng sợi (đa mode SI, đa mode GI, SM).

56
  Kích thước hình học và đường bao chiết suất khá chính xác.
 Sợi kéo được có chất lượng cao.
2.4.4.3. Các biện pháp bảo vệ sợi quang
Ðể bảo vệ sợi quang, tránh nhiều tác động do điều kiện ngoài, sợi quang còn
được bọc thêm vài lớp nữa:
 Lớp phủ, hay còn gọi là lớp vỏ thứ nhất (Primary Coating).
 Lớp vỏ thứ hai (Secondary Coating).
Hình 2.41 minh họa cấu trúc sợi quang khi đem làm sợi.

Hình 2.42 Cấu trúc sợi quang khi đem làm cáp.
Lớp phủ (Primary Coating)
Ðược bọc ngay trong quá trình kéo sợi nhằm bảo vệ sợi quang:
 Chống lại sự xâm nhập của hơi nước.
 Tránh sự trầy sướt gây nên những vết nứt.
 Giảm ảnh hưởng vi uốn cong.
Vật liệu dùng làm lớp phủ có thể là epoxyarylate, polyurethanes, ethylen -vinyl
- acetate, ...
Lớp phủ còn có chức năng loại bỏ những tia sáng khúc xạ ra ngoài lớp bọc.
Muốn vậy chiết suất của lớp phủ phải lớn hơn chiết suất lớp bọc, nếu không sẽ xảy
ra sự phản xạ toàn phần trên mặt tiếp giáp giữa lớp bọc và lớp phủ.

Hình 2.43 Mặt cắt ngang của sợi quang sau khi bọc lớp phủ.

57
 Ðộ đồng nhất, bề dày và độ đồng tâm của lớp phủ có ảnh hưởng đến chất
lượng của sợi quang. Thông thường đường kính lớp phủ là 250 μm (đối với sợi có D
= 125μm).
Lớp phủ có thể được nhuộm màu hoặc có những vòng đánh dấu. Lớp này được
tuốt bỏ khi hàn nối hoặc ghép ánh sáng
Lớp vỏ (Secondary Coating, Buffer Coating, Jacket)
Lớp vỏ có tác dụng tăng cường sức chịu đựng của sợi quang trước tác dụng cơ
học và sự thay đổi nhiệt độ. Hiện nay lớp vỏ có các dạng sau: đệm lỏng (Loose
buffer), đệm khít (Tight buffer), dạng băng dẹp (Ribbon). Mỗi dạng có ưu nhược
điểm riêng và được sử dụng trong những điều kiện khác nhau.
 Dạng ống đệm lỏng:
- Sợi quang (đã bọc lớp phủ) được đặt trong ống đệm có đường kính trong lớn
hơn kích thước sợi quang.
- Ống đệm lỏng gồm hai lớp:
 Lớp trong: có hệ số ma sát nhỏ.
 Lớp ngoài: che chở sợi quang trước ảnh hưởng của lực cơ học. và được chế tạo
từ các vật liệu polyester và polyamide.
- Với ống đệm chứa 1 sợi quang, đường kính: 1,2 ÷ 2 mm, bề dày: 0,15 ÷ 0,5
mm. Nếu ống đệm chứa nhiều sợi (2 ÷12 sợi) thì đường kính: 2,4 ÷ 3 mm.
- Với dạng ống đệm lỏng, sợi quang di chuyển tự do trong ống đệm.
- Chất nhồi phải có các tính năng sau:
 Ngăn ẩm.
 Có tính nhớt, không tác dụng hóa học với các thành phần khác của cáp.
 Không đông đặc hoặc nóng chảy ở nhiệt độ làm việc.
 Dễ tẩy sạch khi cần hàn nối.
 Khó cháy.
- Ống đệm lỏng cũng được nhuộm màu.
- Dạng ống đệm lỏng được dùng trong các đường truyền dẫn chất lượng cao
trong điều kiện môi trường thay đổi nhiều.

(a) (b)
Hình 2.44 Minh họa cấu trúc đệm lỏng
58
 (a) Ống đệm một sợi quang; (b) Ống đệm nhiều sợi quang
 Dạng đệm khít:
Ðơn giản, lớp vỏ ôm sát lớp phủ
- Phương pháp này làm giảm đường kính của lớp vỏ, nên giảm được kích thước
và trọng lượng cáp.
- Nhược điểm: sợi quang bị ảnh hưởng trực tiếp khi cáp bị kéo căng. Ðể giảm
ảnh hưởng này, ngường ta dùng thêm một lớp đệm mềm giữa lớp phủ và lớp
vỏ. Hình thức này gọi là đệm tổng hợp.
- Dạng đệm khích và đệm tổng hợp được dùng trong cáp đặt trong nhà, dùng
làm dây nhảy đầu nối các trạm đầu cuối, ....
- Ðường kính: 0,50 ÷ 1 mm.

(a) (b)
Hình 2.45 (a) Cấu trúc đệm khít, và (b) đệm tổng hợp.
 Dạng băng dẹp:
- Cấu trúc băng dẹp cũng là một dạng đệm khít nhưng vỏ bọc nhiều sợi quang
thay vì một sợi. Số sợi trong một băng có thể là 4, 8, 12 sợi.
- Nhược điểm: sợi quang bị ảnh hưởng trực tiếp khi bị kéo căng.
- Ðược sử dụng trong cáp có nhiều sợi.

Hình 2.46 Cấu trúc băng dẹp

2.4.5. Cấu trúc cáp sợi quang
Ðặc điểm, yêu cầu của cáp quang.
Cáp quang cần phải đáp ứng những yêu cầu sau:
 Không bị ảnh hưởng nhiễu điện từ.
 Không thấm nước, lọt nước.
 Chống được các ảnh hưởng: va chạm, lực kéo, lực nén, lực uốn cong, ...
 Ổn định khi nhiệt độ thay đổi.
59
  Ít bị lão hoá.
 Trọng lượng nhỏ, kích thước bé.
2.4.5.1. Phân loại cáp quang
Có thể phân loại cáp quang theo các hướng sau:theo cấu trúc, theo mục đích sử
dụng, theo điều kiện lắp đặt.
 Phân loại theo cấu trúc:
- Cáp có cấu trúc cổ điển: các sợi hoặc nhóm sợi được phân bố đối xứng
theo hướng xoay tròn đồng tâm. Loại cấu trúc này hiện nay rất phổ biến.
- Cáp có lõi trục có rãnh: Các sợi hoặc nhóm sợi được đặt trên rãnh có sẵn
trên một lõi của cáp.
- Cáp có cấu trúc băng dẹp: nhiều sợi quang được ghép trên một băng, và
nhiều băng xếp chồng lên nhau.
- Cáp có cấu trúc đặc biệt: do nhu cầu trong cáp có thể có các dây kim loại
để cấp nguồn từ xa, cảnh báo, làm đường nghiệp vụ; hoặc cáp đi trong
nhà, chỉ cần hai sợi quang là đủ,…

(a) (b) (c)

(d)
Hình 2.47 Ví dụ về các cấu trúc cáp quang
(a) Cáp có cấu trúc cổ điển.
(b) Cáp lõi trục có rãnh.
(c) Cáp có cấu trúc băng dẹp.
(d) Cáp hai sợi dùng trong nhà.
Trong thực tế, khi cần cáp nhiều sợi quang, có thể chế tạo cáp gồm nhiều
nhóm, mỗi nhóm là một cáp nhỏ của các loại cáp trên.
Số lượng sợi trong cáp có thể từ 2 sợi đến hàng nghìn sợi, tùy theo lĩnh vực
sử dụng. Ví dụ: trên mạng nội hạt thì cáp thuê bao và cáp trung kế giữa các điểm
60
chuyển mạch thì cần rất nhiều sợi quang; cáp truyền dẫn đường dài không cần có
nhiều sợi vì không phải rẽ nhánh nhiều.
Tuy nhiều sợi nhưng cáp không quá to. Ví dụ: cáp có 800 sợi: đường kính ngoài
≈ 35 mm; cáp nội hạt có 4000 sợi: đường kính ngoài ≈85 mm.
 Phân loại theo mục đích sử dụng:có thể chia ra các loại sau:
- Cáp dùng trên mạng thuê bao nội hạt, nông thôn.
- Cáp trung kế giữa các tổng dài.
- Cáp đường dài.
 Phân loại theo điều kiện lắp đặt: bao gồm các loại sau:
- Cáp chôn trực tiếp.
- Cáp đặt trong ống.
- Cáp thả dưới nước, thả biển.
- Cáp dùng trong nhà.
2.4.5.2. Cấu trúc cáp quang
Tuy rằng phân chia ra nhiều loại, song sử dụng phổ biến hiện nay là cáp quang
có cấu trúc cổ điển. Sau đây chúng ta xem xét cấu tạo cơ bản của một cáp quang có
cấu trúc cổ điển.
Cấu trúc cổ điển tổng quát gồm có: thành phần chịu lực trung tâm, sợi quang,
băng quấn, chất nhồi, lớp gia cường ngoài, vỏ cáp.

Hình 2.48 Cấu trúc tổng quát của cáp quang.

Sợi quang
Các sợi quang đã được đệm (dạng đệm lỏng, đệm khít, đệm tổng hợp, băng
dẹp) sắp xếp theo một thứ tự nhất định.
 Cách sắp xếp sợi quang
Sợi quang thường được sắp xếp theo từng lớp hoặc đơn vị.
- Cấu trúc lớp: thường dùng ở mạng đường dài.

61
 (a) (b)
Hình 2.49 Cấu trúc lớp
a) Cấu trúc một lớp. (b) Cấu trúc hai lớp.
- Cấu trúc đơn vị: có mật độ sợi cao nên phù hợp với mạng cáp nội hạt.

Hình 2.50 Cấu trúc đơn vị

 Sự xoắn ruột cáp:
Sợi quang cùng các thành phần khác (dây đồng, ống làm đầy, ...) sẽ được
bện xung quanh thành phần chịu lực trung tâm để tạo thành ruột cáp. Có các kiểu
xoắn cáp: kiểu S (xoắn thuận), kiểu Z (xoắn nghịch), và kiểu SZ (xoắn thuận
nghịch). Trong cách bện SZ phải có dây quấn xung quanh các thành phần bện để giữ
chúng do độ cứng của các thành phần bện, đặc biệt là ở chỗ đổi chiều

(a) (b) (c)

Hình 2.51 Các kiểu xoắn cáp
(a) Xoắn kiểu S (xoắn thuận).
(b) Xoắn kiểu Z (xoắn nghịch).
(c) Xoắn kiểu SZ (xoắn thuận nghịch).
Thành phần chịu lực (Thành phần gia cường)
 Nhiệm vụ của thành phần chịu lực:
62
- Giữ cho sợi quang không bị kéo căng trong quá trình lắp đặt cáp.
- Tăng khả năng chịu lực cơ học cần thiết cho cáp, đặt biệt là đảm bảo tính
ổn định nhiệt cho cáp.
- Chống lại sự xâm nhập của nước và hơi nước.
 Yêu cầu vật liệu sử dụng làm gia cường phải nhẹ, có độ mềm dẻo. Ðây
là đặc tính rất quang trọng trong quá trình kéo cáp vào ống dẫn.
 Các thành phần chịu lực: có hai dạng, đó là thành phần chịu lực trung
tâm và thành phần gia cường ngoài.
- Thành phần chịu lực trung tâm nằm ở tâm cáp (trục của cáp). Ðây là
thành phần chịu toàn bộ lực cho cáp khi lắp đặt, và không thể thiếu được.
Vật liệu chế tạo thành phần chịu lực trung tâm có thể là kim loại hoặc
phi kim loại. Kim loại thường là thép, vì thép có độ ứng suất cao, hệ số
nhiệt thấp, rẻ tiền. Nhưng phải lưu ý chống ăn mòn và phóng điện khi có
điện áp trên đó. Dùng thép làm thành phần gia cường sẽ không phù hợp
với các loại cáp có yêu cầu đòi hỏi độ mềm dẻo cao. Vật liệu phi kim
loại có thể là các sợi dẻo pha thủy tinh, sợi aramid, sợi Kevlar, hay sợi
cacbon. Cáp có thành phần chịu lực trung tâm bằng phi kim loại thường
có trọng lượng nhẹ và không bị ảnh hưởng bởi điện từ trường ngoài.
Sợi Aramid là một vật liệu nhẹ, bền chắc. Kevlar, một nhãn hiệu cụ thể
của sợi aramid, rất bền và thường được sử dụng trong các áo chống
đạn. Những cáp sợi quang phải chịu sức căng lớn thường sử dụng Kevlar
làm thành phần gia cường trung tâm. Khi được bố trí ngay bên trong vỏ
bọc cáp và bọc toàn bộ phần bên trong cáp, kevlar bảo vệ thêm cho các
sợi quang chống lại tác động của môi trường. Nó cũng có thể cung cáp
các tính chất chống đạn cho những cáp cần dùng trong các hệ thống chạy
qua khu vực có bắn súng.

Hình 2.52 Thành phầnchịu lực trung tâm cáp.

- Thành phần gia cường ngoài bao quanh ruột cáp: bổ xung thêm khả năng
chịu lực cho các phần tử gia cường khác trong ruột. Vật liệu gia cường
thường là sợi tơ aramit, bằng kim loại có dạng sợi (một lớp hoặc hai lớp)
hoặc dạng lá mỏng được dập gợn sóng hình sin.

63
 Hình 2.53 Thành phần gia cường ngoài.
Vỏ cáp
Vỏ cáp có tác dụng bảo vệ ruột cáp tránh ảnh hưởng của điều kiện bên ngoài
như: lực cơ học, tác dụng của các chất hoá học, nhiệt độ, hơi ẩm, ...Khi chọn vật liệu
làm vỏ cáp cần lưu ý đến đặc tính sau: đặc tính khí hậu, khả năng chống ẩm, tính trơ
đối với các chất hóa học, bảo đảm cho cáp có kích thước nhỏ, trọng lượng nhẹ, khó
cháy. Cũng tương tự như cáp đồng, vỏ cáp quang được chế tạo từ nhiều vật liệu
khác nhau. Các vật liệu thường được sử dụng làm vỏ cáp: PVC, PE, PUR.
Chất nhồi (Chất làm đầy)
Để ngăn nước vào ruột cáp, thì dùng chất nhờn đổ vào tất cả các khe hở trong
ruột cáp dưới áp suất lớn. Chất này có yêu cầu là không gây tác hại hóa học lên các
thành phần khác, có hệ số nở hiệt bé, không đông cứng, để không làm cáp bị dãn nở
và bị cứng quá.
NỘI DUNG TÓM TẮT CHƯƠNG 2
Hiểu được sự lan truyền của ánh sáng trong sợi quang không những giúp chúng
ta thấy rõ những ưu điểm nổi bậc của việc sử dụng cáp quang làm môi trường truyền
dẫn mà còn giúp chúng ta nắm bắt được các vấn đề cần phải giải quyết khi thiết kế hệ
thống thông tin quang tốc độ cao.
Chúng ta đã bắt đầu chương này bằng việc tìm hiểu ánh sáng lan truyền như thế
nào trong các sợi quang, và các khái niệm ban đầu về mode, sợi đa mode và đơn
mode. Bằng các sử dụng lý thuyết quang hình học đơn giản (phần 2.2) chúng ta đã
tìm ra được điều kiện để ánh sáng có thể lan truyền được trong sợi quang thông qua
khái niệm về khẩu độ số (NA).
Ánh sáng lan truyền trong sợi quang sẽ bị suy hao, tán sắc và chịu ảnh hưởng
của các hiệu ứng phi tuyến. Trong phần 2.3 chúng ta đã khảo sát chi tiết bản chất vật
lý của hiện tương suy hao và tán sắt. Chúng ta đã hiểu rõ tán sắc làm hạn chế dải
thông truyền dẫn như thế nào và nguyên nhân thúc đẩy việc sử dụng sợi quang đơn
mode. Chúng ta cũng đã thấy mặc dù tán sắc là yếu tố quan trọng nhất giới hạn chất
lượng của hệ thống ở tốc độ 2.5 Gbps và thấp hơn nữa, các hiệu ứng phi tuyến trở
nên quan trọng ở tốc độ bit cao hơn và các hệ thống đa kênh WDM. Sợi đơn mode
tiêu chuẩn (SMF-G.652) giúp chúng ta loại bỏ được tán sắc mode nhưng trong vùng
suy hao nhỏ nhất (cửa sổ 1550 nm), tán sắc màu vẫn không phải là tối thiểu. Điều
64
này dẫn tới việc chế tạo sợi quang dịch chuyển tán sắc (DFS-G.653) bảo đảm ở
bước sóng gần 1550nm không những có suy hao nhỏ nhất mà còn có tán sắc màu
bằng không.
Chúng ta dành phần cuối cùng (2.4) để tìm hiểu công nghệ chế tạo sợi quang
và cáp quang.
CÂU HỎI HƯỚNG DẪN ÔN TẬP CHƯƠNG
2.1 Cho sợi quang có chiết suất lõi là n1=1,5 và chiết suất lớp bọc là n2= 1.47.
Xác định:
a) Góc tới hạn θc tại giao tiếp lớp lõi và lớp bọc.
b) Khẩu độ số NA của sợi quang.
c) Góc tiếp nhận từ không khí vào sợi quang θa.
2.2 Độ chênh lệch chiết suất của sợi quang là Δ=1%. Chiết suất lớp lõi là n1=
1.46. Xác định:
a) Khẩu độ số NA của sợi quang.
b) Góc tới hạn tại giao tiếp lớp lõi và lớp bọc θc.
2.3 Cho sợi quang đa mode chiết suất bậc có đường kính lõi là 2a = 80 μm và
độ chênh lệch chiết suất tương đối là Δ=1.5% hoạt động ở bước sóng λ = 0.85 μm.
Xác định:
a) Tần số được chuẩn hóa V của sợi quang.
b) Số mode sóng truyền được trong sợi quang N
2.4 Cho sợi quang chiết suất biến đổi theo dạng parabol có đường kính lõi 2a =
50 μm. Sợi quang có khẩu độ số NA = 0.2. Xác định số mode sóng N có thể truyền
được trong sợi khi nó hoạt động ở bước sóng λ = 1 μm
2.5 Xác định bước sóng cắt λc để sợi quang chiết suất bậc họat động ở chế độ
đơn mode nếu sợi có chiết suất lõi n1 = 1.46, bán kính lõi a = 4.5 μm, và độ chênh
lệch chiết suất tương đối là Δ = 0.25%.
2.6 Tính bán kính lõi a của sợi quang đơn mode SI có đường kính trường mode
(MFD) bằng 11.6 μm khi tần số được chuẩn hóa V = 2.2.
2.7 Cho sợi quang đa mode có độ lệch chiết chuất tương đối Δ = 1%, chiết
suất lõi n1 = 1.5. số mode sóng truyền được trong sợi quang tại bước sóng λ = 1.3
μm là N = 1100. Tính đường kính lõi sợi 2a.
2.8 Cho tỉ số bằng số giữa công suất ngõ vào và ngõ ra trên 1 km là 2.5. Tính
công suất quang trung bình thu được trên tuyến quang dài 5 km nếu công suất quang
trung bình phát vào sợi quang là 1mW (giả sử tuyến không có bộ kết nối hoặc
connector).

65
 2.9 Cho sợi quang dài L= 8 km. Công suất đưa vào sợi quang là Pin=120 μW,
công suất quang ỡ ngõ ra là Pout=3 μW. Tính:
a) Suy hao toàn trình A (dB) của sợi quang. Giả sử không có connector hoặc
mối nối nào.
b) Hệ số suy hao của sợi quang α(dB/km).
c) Cũng dùng sợi quang tương tự như trên nhưng chiều dài là L=10km và có
mối nối trên mỗi km với suy hao mối nối là 1 dB. Tính suy hao toàn trình trong trường
hợp này.
d) Tỉ số Pin/Pout bằng số của câu (c ).
2.10 Cho công suất quang trung bình phát vào tuyến cáp sợi quang là 1.5 mW
và sợi quang có suy hao 0.5 dB/km. Tính chiều dài tối đa của tuyến mà không cần
phải sử dụng trạm lặp (giải sử các connector không có suy hao) khi mức công suất
trung bình tối thiểu cần có tại bộ tách quang là 2 μW.
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN
2.11 Cho một tuyến cáp sợi quang dài 15 km có suy hao 1.5 dB/km. Sợi quang
được kết nối trên từng kilometre bằng các connector có suy hao 0.8 dB/connector.
Tính công suất trung bình tối thiểu cần phải phát vào sợi quang để duy trì mức công
suất quang trung bình tại bộ tách quang là 0.3 μW.
2.12 Cho sợi quang đơn mode SI có chiết suất lõi là n1 = 1.49 có bán kính
uốn cong tới hạn bằng 2 mm khi được phát quang bằng ánh sáng có bước sóng λ =
1.30 μm. Tính độ lệch chiết suất tương đối Δ nếu bước sóng cắt của sợi quang là λc
= 1.15 μm.
2.13 Cho hai sợi quang có các tham số sau:
a) Sợi đa mode có chiết suất lõi n1 = 1.5, độ lệch chiết suất tương đối Δ =
3% và hoạt động ở bước sóng λ = 0.82 μm.
b) Sợi đơn mode có đường kính lõi 2a = 8 μm, chiết suất lõi n1 = 1.5, độ lệch
chiết suất tương đối Δ = 0.3% và hoạt động ở bước sóng λ = 1.55 μm.
Tính bán kính uốn cong Rc cho phép trong hai trường hợp này

66
 CHƯƠNG 3: BỘ PHÁT QUANG
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG
Bộ phát quang là một trong các thành phần quan trọng nhất của hệ thống
thông tin sợi quang. Bộ phát tín hiệu quang có chức năng chuyển đổi tín hiệu thông
tin đầu vào là tín hiệu điện thành tín hiệu quang tương ứng và ghép vào trong sợi để
truyền dẫn tín hiệu. Thành phần chủ yếu nhất của bộ phát tín hiệu quang chính là
các nguồn quang, thường được chế tạo từ vật liệu bán dẫn. Hai loại nguồn quang
bán dẫn được sử dụng chủ yếu trong các hệ thống thông tin sợi quang là diode phát
quang LED và laser bán dẫn LD nhờ những ưu điểm về kích thước nhỏ gọn, hiệu
suất phát xạ cao, độ tin cậy đảm bảo, dải bước sóng phù hợp, vùng phát xạ hẹp
tương xứng với kích thước lõi sợi và khả năng điều chế trực tiếp tại các tần số tương
đối cao. Điểm khác biệt lớn nhất giữa LED và LD đó là ánh sáng phát ra tại LED là
ánh sáng không kết hợp trong khi với LD thì đó là ánh sáng kết hợp. Về mặt cấu
tạo, cấu trúc LED không tồn tại hộp cộng hưởng.
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT
3.1. Nguyên lý chung về biến đổi quang điện
3.1.1. Mức năng lượng
Quá trình biến đổi năng lượng điện thành ánh sáng và ngược lại trong các linh
kiện biến đổi quang điện có thể được giải thích dựa trên tính chất hạt của ánh sáng và
tính chất lượng tử của vật chất.
Theo tính chất hạt của ánh sáng, ánh sáng bao gồm nhiều hạt gọi là photon.
Mỗi photon mang một năng lượng nhất định được xác định bằng công thức sau:
Eph = hf (3.1)
Trong đó, h là hằng số Plank (h= 6,625x10-34J.s); f là tần số của photon ánh
sáng.
Năng lượng của ánh sáng bằng tổng năng lượng của các photon (Nph):
Eánh sáng = Nph x Eph (3.2)
Theo tính chất lượng tử của vật chất, vật chất được cấu tạo từ các nguyên tử.
Mỗi nguyên tử gồm có một hạt nhân, mang điện tích dương, được bao quanh bởi các
điện tử (electron), mang điện tích âm. Các điện tử này quay quanh hạt nhân theo các
quỹ đạo ổn định (hình 3.1) và mang một mức năng lượng nhất định.

Hình 3.1. Mô hình một nguyên tử với các điện tử quay hạt nhân với các quỹ
đạo ổn định
67
 Các mức năng lượng này là không liên tục. Một điện tử chỉ có thể mang một
trong các mức năng lượng rời rạc này. Khi điện tử thay đổi trạng thái năng lượng
thì nó sẽ chuyển từ quỹ đạo này sang quỹ đạo khác khi quay quanh hạt nhân. Trạng
thái năng lượng của điện tử trong một nguyên tử được minh hoạ qua biểu đồ mức
năng lượng (energy level diagram) như hình 3.2.

Hình 3.2. Biểu đồ mức năng lượng (energy level diagram)

Trong biểu đồ mức năng lượng, trạng thái năng lượng thấp nhất của điện tử
được gọi là trạng thái nền (ground state) E0. Đây là trạng thái ổn định của điện tử.
Các trạng thái năng lượng cao hơn của điện tử được gọi là các trạng thái kích thích
(excited state) được biểu diễn bằng các mức năng lượng E1, E2, E3, … Các mức năng
lượng này không liên tục và cách nhau một khoảng năng lượng được gọi là dải cấm
năng lượng (energy gap) Eij = Ej – Ei (i,j = 0,1,2,3 …). Như vậy, năng lượng một
điện tử có thể là E0, E1, E2 … chứ không nằm giữa các mức năng lượng này.
Mật độ điện tử ở các trạng thái năng lượng khác nhau phụ thuộc vào nhiệt độ
và có thể được biểu diễn bằng hàm phân bố Boltzmann:
Ni = N0 × e −[E i / kBT] (3.3)
Trong đó, Ni và N0 là mật độ điện tử ở mức năng lượng Ei và mức năng lượng
nền E0, Ei là độ chênh lệch năng lượng giữa Ei và E0; kB= 1,38.10-23 (J/oK) là
hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ tuyệt đối (oK).
Lưu ý rằng phân bố này xảy ra khi “cân bằng về nhiệt”.

Hình 3.3. Phân bố mật độ điện tử theo phân bố Boltzmann khi cân bằng về
nhiệt

68
 Một số nhận xét rút ra từ hàm phân bố Boltzmann:
- Mật độ điện tử ở trạng thái năng lượng thấp cao hơn so với mật độ điện tử ở
trạng thái năng lượng cao: Ni > Nj (với i<j)
- Mật độ điện tử ở trạng thái nền là lớn nhất.
- Tại T = 0oK (nhiệt độ không tuyệt đối), tòan bộ điện tử ở trạng thái nền.
Không có điện tử ở trạng thái kích thích.
- Khi nhiệt độ tăng lên, T>0oK, các điện tử sẽ hấp thụ năng lượng do nhiệt độ
cung cấp (năng lượng nhiệt) và thay đổi trạng thái năng lượng, chuyển từ mức năng
lượng E0 lên các mức năng lượng cao hơn. Số điện tử ở các mức năng lượng kích
thích tăng lên khi nhiệt độ tăng lên.
Mật độ điện tử ở các mức năng lượng khác nhau ổn định khi cân bằng về nhiệt
vì đồng thời với quá trình hấp thụ năng lượng của điện tử (làm tăng mật độ điện tử ở
các mức năng lượng cao và giảm mật độ điện tử ở mức nền) là quá trình trở về trạng
thái năng lượng nền ban đầu của các điện tử khi ở các mức năng lượng cao. Hiện
tượng này xảy ra vì trạng thái nền là trạng thái năng lượng bền vững của điện tử.
Các điện tử khi ở các trạng thái năng lượng kích thích luôn có xu hướng chuyển về
các trạng thái năng lượng thấp hơn sau một khoảng thời gian duy trì ở trạng thái kích
thích. Khoảng thời gian này được gọi là thời gian sống (lifetime) của điện tử. Thời
gian sống thay đổi tùy theo loại vật chất, thông thường trong khoảng vài nano giây
đến vài micro giây.
Khi điện tử chuyển từ trạng thái năng lượng cao xuống trạng thái năng lượng
thấp hơn, theo định luật bảo tòan năng lượng, nó sẽ giải phóng một phần năng lượng
bằng đúng độ chênh lệch giữa hai mức năng lượng. Năng lượng được giải tỏa này
có thể ở dưới dạng nhiệt hoặc ánh sáng. Quá trình này diễn ra tự nhiên và ngẫu nhiên
vì đây là bản chất tự nhiên của vật chất.
3.1.2. Các nguyên lý biến đổi quang điện
Nguyên lý biến đổi quang điện trong thông tin quang được thực hiện dựa trên 3
hiện tượng được minh hoạ như trên hình 3.4.

(a) (b) (c)

Hình 3.4. Các hiện tượng biến đổi quang điện (a). Hấp thụ (b). Phát xạ tự
phát (c). Phát xạ kích thích

69
 Hiện tượng hấp thụ (absorption), hình 3.4.a, xảy ra khi một photon có năng
lượng hf bị hấp thụ bởi một điện tử ở trạng thái năng lượng thấp E1. Quá trình này
chỉ xảy ra khi năng lượng hf của photon bằng với độ chênh lệch năng lượng giữa
mức năng lượng cao và mức năng lượng thấp của điện tử (Eg = E2 – E1). Khi xảy
ra hiện tượng hấp thụ, điện tử sẽ nhận năng lượng từ photon và chuyển lên trạng
thái năng lượng cao.
Hiện tượng phát xạ tự phát (spontaneous emission), hình 3.4.b, xảy ra khi
một điện tử chuyển trạng thái năng lượng từ mức năng lượng cao E2 xuống mức năng
lượng thấp E1 và phát ra một năng lượng Eg= E2 – E1 dưới dạng một photon ánh
sáng. Quá trình này xảy ra một cách tự nhiên vì trạng thái năng lượng cao E2 không
phải là trạng thái năng lượng bền vững của điện tử.
Hiện tượng phát xạ kích thích (stimulated emision), hình 3.4.c, xảy ra khi
một điện tử đang ở trạng thái năng lượng cao E2 bị kích thích bởi một photon có
năng lượng hf bằng với độ chênh lệch năng lượng giữa trạng thái năng lượng cao
và trạng thái năng lượng thấp của điện tử (Eg= E2 – E1). Khi đó, điện tử sẽ chuyển
từ trạng thái năng lượng cao xuống trạng thái năng lượng thấp hơn và tạo ra một
photon có năng lượng bằng với năng lượng của photon kích thích ban đầu. Như vậy,
từ một photon ban đầu sau khi khi xảy ra hiện tượng phát xạ kích thích sẽ tạo ra
hai photon (photon ban đầu và photon mới được tạo ra). Photon mới được tạo ra có
đặc điểm: cùng tần số, cùng pha, cùng phân cực và cùng hướng truyền với photon
kích thích ban đầu. Đây là các đặc điểm của tính kết hợp (coherent) của ánh sáng.
Do vậy, ánh sáng do hiện tượng phát xạ kích thích tạo ra có tính kết hợp.
Hiện tượng phát xạ tự phát xảy ra tự nhiên do các điện tử luôn có khuynh
hướng chuyển từ trạng thái năng lượng cao xuống trạng thái ổn định có năng lượng
thấp hơn. Các photon ánh sáng do hiện tượng phát xạ tự phát tạo ra một cách ngẫu
nhiên theo thời gian và không gian. Do đó, pha, tần số, hướng truyền cũng như phân
cực của sóng ánh sáng được tạo ra cũng ngẫu nhiên. Vì vậy, ánh sáng do hiện tượng
phát xạ tự phát tạo ra không có tính kết hợp.
Hình 3.5 minh hoạ các trạng thái thay đổi năng lượng của điện tử khi xảy ra 3
hiện tượng biến đổi quang điện nêu trên.

a. Hiện tượng hấp thụ và phát xạ tự phát b. Hiện tượng phát xạ kích thích
Hình 3.5 Minh hoạ các trạng thái chuyển đổi năng lượng giữa điện tử và
photon

70
 Các linh kiện biến đổi quang điện dùng trong thông tin quang sẽ dựa vào một
trong các hiện tượng này để thực hiện quá trình biến đổi quang điện theo chức năng
của từng loại linh kiện. Ví dụ như:
 Hấp thụ là nguyên lý biến đổi tín hiệu ánh sáng thành tín hiệu điện trong các
linh kiện tách sóng quang (photodetector)
 Phát xạ tự phát là nguyên lý biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu ánh sáng
xảy ra trong LED (Light Emitting Diode). Vì vậy, ánh sáng do LED phát ra không có
tính kết hợp.
 Phát xạ kích thích là nguyên lý biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu quang
xảy ra trong Laser (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation). Hiện
tượng này cũng là nguyên lý khuếch đại tín hiệu ánh sáng xảy ra trong các bộ khuếch
đại quang (Optical Amplifier). Ánh sáng đuợc tạo ra sau Laser cũng như các bộ
khuếch đại quang có tính kết hợp.
Lưu ý rằng, trong tự nhiên, cả ba hiện tượng này xảy ra đồng thời với nhau. Quá
trình hấp thụ năng lượng photon (hiện tượng hấp thụ) và phát xạ photon (hiện tượng
phát xạ tự phát và phát xạ kích thích) cân bằng với nhau trong điều kiện cân bằng về
nhiệt (Khi đó, phân bố điện tử ở các mức năng lượng khác nhau là ổn định theo phân
bố Boltzmann). Tùy theo mục đích ứng dụng của từng loại kiện quang điện, một trong
các hiện tượng này sẽ được tập trung, làm tăng khả năng xảy ra dưới các điều kiện
ảnh hưởng bên ngoài nhằm đạt được hiệu suất cao nhất. Chi tiết về các điều kiện này
sẽ được phân tích cụ thể trong phần trình bày cấu tạo và nguyên lý hoạt động của
các linh kiện biến đổi quang điện.
3.1.3. Vùng năng lượng
Trong chất bán dẫn (cũng như trong chất rắn nói chung), các mức năng lượng
vẫn rời rạc nhưng chúng rất là gần nhau và được xem như một vùng năng lượng hơn
là một nhóm các mức năng lượng. Khái niệm này có thể được minh hoạ trong hình
3.6 khi một khoảng liên tục của vùng năng lượng khi được phóng to lên sẽ cho thấy
nó được cấu tạo bởi các mức năng lượng rời rạc nhau

Hình 3.6. Vùng năng lượng của chất bán dẫn

Trong chất bán dẫn, các điện tử phân bố trong hai vùng năng lượng tách biệt
nhau được gọi là: vùng hóa trị (valence band) và vùng dẫn (conduction band). Vùng
hóa trị là vùng năng lượng có năng lượng thấp và là vùng năng lượng bền vững của
71
điện tử. Các điện tử luôn có xu hướng chuyển về vùng hóa trị sau một khoảng thời
gian sống ở vùng dẫn. Vùng dẫn là vùng năng lượng cao hơn của các eletron. Sự
dẫn điện của chất bán dẫn được thực hiện bởi các điện tử nằm ở vùng dẫn này.
Quá trình biến đổi quang điện xảy ra trong chất bán dẫn cũng được giải thích
dựa trên ba hiện tượng: hấp thụ (absorption), phát xạ tự phát (spontaneous emission)
và phát xạ kích thích (stimulated emission) như trong biểu đồ mức năng lượng.
Nghĩa là, điều kiện để một điện tử có thể chuyển từ trạng thái năng lượng thấp (vùng
hóa trị) sang trạng thái năng lượng cao (vùng dẫn) là: năng lượng mà điện tử nhận
được phải bằng với độ chênh lệch năng lượng giữa hai vùng năng lượng hóa trị và
vùng dẫn. Nếu năng lượng được cung cấp không bằng với bất kỳ độ chênh lệch năng
lượng nào giữa hai vùng năng lượng này thì quá trình hấp thụ cũng như phát xạ kích
thích sẽ không xảy ra.
3.1.4. Nguồn quang bán dẫn
Nguồn quang là linh kiện biến đổi tín hiệu điện thành tín hiệu ánh sáng có công
suất tỷ lệ với dòng điện chạy qua nó.
Có hai loại nguồn quang được sử dụng trong thông tin quang:
 Diode phát quang LED (Light Emitting Diode)
 Laser (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
Các yêu cầu đối với một nguồn quang sử dụng trong hệ thống thông tin quang
là:
 Có kích thuớc nhỏ tương ứng với sợi quang để có thể ghép ánh sáng vào
trong sợi quang. Lý tưởng, ánh sáng ở ngõ ra của nguồn quang phải có tính định
hướng cao.
 Thu nhận tín hiệu điện ngõ vào một cách chính xác để giảm sự méo dạng và
nhiễu lên tín hiệu. Lý tưởng, nguồn quang phải tuyến tính.
 Phát ra ánh sáng có bước sóng phù hợp với vùng bước sóng mà sợi quang
có suy hao thấp và tán sắc thấp, đồng thời linh kiện thu quang hoạt động hiệu quả
tại các bước sóng này.
 Có khả năng điều chế tín hiệu một cách đơn giản (ví dụ như điều chế trực
tiếp) trên dải tần rộng trải dài từ tần số âm thanh tới dải tần gigahezt
 Hiệu suất ghép quang tốt để giảm suy hao ghép từ nguồn quang vào trong sợi
quang.
 Độ rộng phổ hẹp để giảm tán sắc trong sợi quang
 Duy trì mức công suất ngõ ra ổn định và không bị ảnh hưởng nhiều bởi các
yếu tố môi trường bên ngoài.
 Giá thành thấp và có độ tin cậy cao để cạnh tranh với các kỹ thuật truyền dẫn
khác.

72
 Loại nguồn quang được sử dụng trong thông tin quang là các loại nguồn quang
bán dẫn vì có thể đáp ứng được các yêu cầu trên. Vì vậy, cấu tạo cũng như nguyên
lý hoạt động của nguồn quang (cũng như linh kiện thu quang) được trình bày trong
phần này là các nguồn quang bán dẫn.
Tuy nhiên, không phải chất bán dẫn nào cũng được sử dụng để chế tạo nguồn
quang trong thông tin quang. Để có thể được sử dụng trong thông tin quang, các chất
bán dẫn cần phải có dải cấm năng lượng trực tiếp và độ rộng của dải cấm năng
lượng phù hợp sao cho có thể tạo ra ánh sáng có bước sóng nằm trong vùng bước
sóng hoạt động của thông tin quang.
Khi xảy ra quá trình phát xạ ánh sáng, năng lượng của photon phát xạ bằng với
độ chênh lệch năng lượng của điện tử khi ở vùng dẫn và vùng hóa trị. Do đó, năng
lượng của photon:
Eph = hc/λ = Eg (3.4)

với Eg là độ chênh lệch năng lượng của điện tử khi ở vùng dẫn và vùng hóa trị.
Khi đó, ánh sáng được phát xạ có bước sóng:

λ = h.c/Eg (3.5)
Do mỗi loại vật liệu khác nhau sẽ có phân bố các vùng năng lượng khác nhau
nên có thể nói rằng bước sóng của ánh sáng do nguồn quang phát ra chỉ phụ thuộc
vào vật liệu chế tạo nguồn quang.
Trong thông tin quang, ánh sáng chỉ được sử dụng tại 3 cửa sổ bước sóng 850nm,
1300nm và 1550nm nên vật liệu bán dẫn được sử dụng để chế tạo nguồn quang
phải có dải cấm năng lượng giữa vùng dẫn và vùng hóa trị phù hợp với các cửa sổ
bước sóng hoạt động này.

(a) (b)
Hình 3.7. (a). Dải cấm năng lượng trực tiếp (b). Dải cấm năng lượng gián tiếp
73
 Hình 3.7. biểu diễn mối quan hệ giữa năng lượng và động lượng (hay vector
sóng) của điện tử tại vùng dẫn và vùng hóa trị của hai loại bán dẫn có dải cấm trực
tiếp (hình 3.7.a) và dải cấm gián tiếp (hình 3.7.b). Qua đó cho thấy,
 Đối với dải cấm trực tiếp, phần đáy (có năng lượng thấp) của vùng dẫn nằm
đối diện với phần đỉnh (có năng lượng cao) của vùng hóa trị. Do đó, các điện tử ở
hai vùng này có động lượng bằng nhau.
 Đối với dải cấm gián tiếp, phần đáy (có năng lượng thấp) của vùng dẫn nằm
cách xa so với phần đỉnh (có năng lượng cao) của vùng hóa trị. Do đó, các điện tử ở
hai vùng này có động lượng không bằng nhau bằng nhau.
Điều kiện để quá trình phát xạ photon xảy ra hiệu quả trong bán dẫn là khi xảy
ra phát xạ photon, động lượng (hay vector sóng) của điện tử (nằm ở vùng dẫn) phải
bằng động lượng của lỗ trống (nằm ở vùng hóa trị). Khi đó, động lượng của điện tử
được bảo tòan.
Như vậy có thể thấy rằng, điều kiện về bảo tòan động lượng khi xảy ra quá
trình biến đổi quang điện chỉ đạt được với các chất bán dẫn có dải cấm trực tiếp. Khi
đó, năng lượng được phát ra khi các điện tử chuyển từ trạng thái năng lượng cao
(vùng dẫn) sang trạng thái năng lượng thấp (vùng hóa trị) sẽ tạo ra các photon. Với
hiệu suất phát xạ ánh sáng (phát xạ tự phát và phát xạ kích thích) lớn, các chất bán
dẫn có dải cấm trực tiếp có thể tạo ra các nguồn quang có công suất phát quang lớn,
hiệu quả.
Ngược lại, đối với các chất bán dẫn có dải cấm năng lượng gián tiếp, các năng
lượng được tạo ra do quá trình chuyển trạng thái năng lượng của điện tử sẽ phát ra
dưới dạng phonon, không phát xạ (nonradiation). Năng lượng này có thể là năng
lượng nhiệt hay dao động của các phân tử.
Như vậy, chất bán dẫn được sử dụng để chế tạo nguồn quang cần phải có: dải
cấm trực tiếp và năng lượng chênh lệch giữa vùng dẫn và vùng hóa trị phải phù hợp
để có thể tạo ra bước sóng nằm trong các cửa sổ bước sóng hoạt động trong thông tin
quang.
Thực tế cho thấy rằng, các bán dẫn thông thường thuộc nhóm IV như Si,
Ge,… không thỏa hai điều kiện trên. Vật liệu bán dẫn được dùng để chế tạo nguồn
quang trong thông tin quang được tạo ra bằng cách kết hợp các vật liệu nhóm III
(Ga, Al, …) và nhóm V (As, P, In, …) như GaP, GaAsP, AlGaAs, GaAs, InP,
InGaAsP …

74
 Hình 3.8. Bước sóng ánh sáng phát xạ của một số loại bán dẫn nhóm III kết
hợp với nhóm V
Hình 3.8 cho thấy: để tạo ra nguồn quang có bước sóng 850nm người ta sử
dụng bán dẫn AlGaAs, GaAs hay InP. Bán dẫn InGaAsP được sử dụng để chế tạo
nguồn quang phát ra ánh sáng tại cửa sổ bước sóng 1300nm và 1550nm. Giá trị của
bước sóng được thay đổi bằng cách thay đổi tỷ lệ giữa các chất kết hợp trong bán dẫn
này In1-xGaxAs1-yPy.
3.2. Led (Light Emitting Diode)
3.2.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Về cơ bản, cấu tạo của LED được phát triển từ diode bán dẫn, hoạt động dựa
trên tiếp giáp pn được phân cực thuận. Quá trình phát xạ ánh sáng xảy ra trong LED
dựa trên hiện tượng phát xạ tự phát (hình 3.9). Trên thực tế, LED có cấu trúc phức
tạp hơn, gồm nhiều lớp bán dẫn để đáp ứng đồng thời các yêu cầu kỹ thuật của một
nguồn quang.

Vùng hiếm

Phát xạ tự phát

Lỗ trống
Điện tử

Hình 3.9. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của LED

Khi đặt hai lớp bán dẫn p và n kế nhau, tại lớp tiếp giáp pn, các điện tử ở bán
dẫn n sẽ khuếch tán sang bán dẫn p để kết hợp với lỗ trống. Kết quả là, tại lớp tiếp
giáp pn tạo nên một vùng có rất ít các hạt mang điện (điện tử hay lỗ trống) được gọi
là vùng hiếm (depletion region).

75
 Lưu ý rằng: p là chất bán dẫn có thừa lỗ trống (mang điện tích dương), n là
chất bán dẫn có thừa điện tử (mang điện tích âm) nhưng cả hai chất bán dẫn này đều
trung hòa về điện.
Tại vùng hiếm, bán dẫn n mất đi một số các điện tử nên mang điện tích dương,
còn bán dẫn p nhận thêm một số điện tử nên mang điện tích âm. Điều này tạo nên
một điện trường VD ngăn không cho các hạt mang điện khuếch tán qua lại giữa bán
dẫn n và p.
Khi phân cực thuận (V > VD) cho bán dẫn pn như hình 3.9, các điện tử trong
bán dẫn n sẽ vượt qua vùng tiếp giáp pn và chạy về phía cực dương của nguồn điện
(đồng thời các lỗ trống sẽ về phía cực âm của nguồn điện), tạo thành dòng điện chạy
qua bán dẫn pn. Đây là nguyên lý hoạt động của diode bán dẫn.
Trong quá trình điện tử từ bán dẫn n chạy về điện cực dương, các điện tử có thể
gặp các lỗ trống tại bán dẫn p (bán dẫn có thừa lỗ trống). Khi đó, các điện tử và lỗ
trống sẽ kết hợp với nhau tạo liên kết cộng hóa trị giữa các nguyên tử trong bán dẫn.
Xét về mặt năng lượng, khi một điện tử kết hợp với lỗ trống có nghĩa là điện tử
chuyển từ trạng thái năng lượng cao (vùng dẫn) sang trạng thái năng lượng thấp
(vùng hóa trị) giống như hiện tượng phát xạ tự phát. Khi đó, theo định luật bảo tòan
năng lượng, bán dẫn sẽ phát ra một năng lượng bằng với độ chênh lệch giữa vùng
dẫn và vùng hóa trị. Nếu chất bán dẫn được sử dụng có dải cấm năng lượng trực
tiếp thì năng lượng sẽ được phát ra dưới dạng photon ánh sáng. Đây là nguyên lý
phát xạ ánh sáng của diode phát quang LED (Light emitting diode).
3.2.2. Đặc tính P-I của Led
Nguyên lý hoạt động của LED cho thấy rằng, số photon phát xạ phụ thuộc vào
số điện tử (do dòng điện cung cấp) chạy qua vùng tiếp giáp pn, kết hợp với lỗ trống
trong lớp bán dẫn p. Tuy nhiên, cần lưu ý rằng, không phải điện tử nào đi qua lớp
bán dẫn p cũng kết hợp với lỗ trống và không phải quá trình kết hợp điện tử lỗ
trống (chuyển trạng thái năng lượng từ vùng dẫn sang vùng hóa trị) nào cũng tạo ra
photon ánh sáng. Năng lượng được tạo ra này có thể dưới dạng năng lượng nhiệt. Do
vậy, số photon được tạo ra còn phụ thuộc vào hiệu suất lượng tử nội ηint (internal
quantum efficient) của chất bán dẫn. Hiệu suất ηint được định nghĩa là tỷ số giữa số
photon được tạo ra trên số điện tử được dòng điện bơm vào LED.
𝑁𝑝ℎ
𝜂𝑖𝑛𝑡 = (3.6)
𝑁𝑒
Công suất phát quang (năng lượng ánh sáng trên một đơn vị thời gian) của
LED có thể được xác định theo số photon phát xạ như sau:
𝐸 𝑁𝑝ℎ . 𝐸𝑝ℎ 𝑁𝑒 . 𝜂𝑖𝑛𝑡 . 𝐸𝑝ℎ
𝑃= = = (3.7)
𝑡 𝑡 𝑡
Ngoài ra, ta có cường độ dòng điện chạy qua LED:
76
 𝑁𝑒 . 𝑒
𝐼= (3.8)
𝑡
Với Ne là số điện tử do dòng điện cung cấp, e là điện tích của điện tử.
Do đó, mối quan hệ P-I giữa công suất phát quang và dòng điện được xác định
như sau:
𝜂𝑖𝑛𝑡 . 𝐸𝑝ℎ
𝑃= .𝐼 (3.9)
𝑒
Trong công thức trên, Eph có đơn vị là (J). Nếu Eph được tính bằng đơn vị (eV),
thì công suất phát quang:
𝜂𝑖𝑛𝑡 . 𝐸𝑝ℎ (𝑒𝑉 )
𝑃(𝑚𝑊) = . 𝐼(𝑚𝐴) (3.10)
𝑒
Hiệu suất lượng tử nội çint phụ thuộc vào vật liệu bán dẫn được sử dụng và
cấu trúc của nguồn quang. Do đó, đối với mỗi loại nguồn quang khác nhau sẽ có
đặc tuyến P-I khác nhau. Công suất phát quang tỷ lệ thuận với dòng điện cung cấp
và trong trường hợp lý tưởng, đặc tuyến P-I thay đổi tuyến tính như hình 3.10.

Hình 3.10. Đặc tuyến P-I của LED

3.2.3. Đặc tính phổ của Led
Trong thông tin quang, ánh sáng do nguồn quang phát ra không phải tại một
bước sóng mà tại một khoảng bước sóng. Điều này dẫn đến hiện tương tán sắc sắc
thể (chromatic dispersion) làm hạn chế cự ly và dung lượng truyền dẫn của tuyến
quang. Tính chất này của nguồn quang nói chung và LED nói riêng được giải thích
như sau (hình 3.11):
 Các nguồn quang trong thông tin quang được chế tạo từ chất bán dẫn. Do đó,
các điện tử nằm trong một vùng năng lượng chứ không phải ở một mức năng lượng
 Các điện tử khi chuyển từ các các mức năng lượng Ej trong vùng dẫn xuống
mức năng lượng Ei trong vùng hoá trị sẽ tạo ra photon có bước sóng
 Do có nhiều mức năng lượng khác nhau trong các vùng năng lượng nên sẽ
có nhiều bước sóng ánh sáng được tạo ra.
 Phân bố mật độ điện tử trong vùng dẫn và vùng hoá trị không đều nhau, dẫn
đến công suất phát quang tại các bước sóng khác nhau không đều nhau
77
  Bước sóng có công suất lớn nhất được gọi là bước sóng trung tâm. Bước sóng
này thay đổi theo nhiệt độ do phân bố mật độ điện tử trong các vùng năng lượng
thay đổi theo nhiệt độ.

Hình 3.11. Nguồn quang bán dẫn phát ra ánh sáng trong một khoảng bước sóng

Hình 3.12. Đặc tính phổ của LED

Độ rộng phổ nguồn quang được định nghĩa là khoảng bước sóng ánh sáng do
nguồn quang phát ra có công suất bằng 0.5 lần công suất đỉnh (hay giảm 3 dB).
Độ rộng phổ của LED phụ thuộc vào loại vật liệu chế tạo nguồn quang. Ánh
sáng có bước sóng 1,3 µm do LED chế tạo bằng bán dẫn InGaAsP có độ rộng phổ
từ 50-60nm. LED được chế tạo bằng bán dẫn GaAs (λ=850nm) phát ra ánh sáng có
độ rộng phổ hẹp hơn 1,7 lần so với LED chế tạo bằng bán dẫn InGaAsP.
3.2.4. Cấu trúc của Led
Về cấu trúc, LED có thể được chia làm bốn loại:
- LED planar (planar LED)
- LED dome (dome LED)
- LED phát xạ mặt SLED (surface LED)
- LED phát xạ rìa ELED (edge LED)
Trong 4 loại LED này, LED planar và LED dome không được sử dụng trong
thông tin quang vì cho dù có cấu tạo đơn giản (xem hình 3.13 và 3.14) nhưng hai
loại LED này có vùng phát quang rộng, ánh sáng phát ra không có tính định hướng
78
để có thể ghép ánh sáng vào trong sợi quang một cách hiệu quả. Thay vào đó, hai
loại LED này được sử dụng trong các ứng dụng hiển thị, quang báo trong các thiết
bị điện tử, TV, đèn bảng hiệu …

Hình 3.13. Cấu trúc LED planar

Hình 3.14. Cấu trúc LED dome

LED phát xạ mặt SLED (Surface LED) là loại LED có ánh sáng được phát ra
ở phía mặt của LED. Hình 3.15 minh hoạ một loại SLED, được gọi là LED Burrus
do cấu trúc của LED được chế tạo đầu tiên bởi Burrus và Dawson. Trong cấu trúc
này, vùng phát xạ ánh sáng (vùng phát quang) của LED được giới hạn trong một
vùng hẹp bằng cách sử dụng một lớp cách điện để hạn chế vùng dẫn điện của tiếp
xúc P. Do đó, tại vùng tích cực của LED có mật độ dòng điện cao dẫn đến hiệu suất
phát quang lớn. Ánh sáng của SLED được đưa vào trong sợi quang tại phía mặt tiếp
xúc N. Tại đây, tiếp xúc N và lớp nền N được cắt bỏ đi một phần có kích thước tương
ứng với sợi quang. Bằng cách này sẽ hạn chế được sự hấp thụ photon trong lớp N và
tăng hiệu suất ghép ánh sáng vào trong sợi quang. Tuy nhiên, vẫn có một phần lớn
năng lượng ánh sáng được phát ra ngoài vùng đặt sợi quang. Do đó, hiệu suất ghép
ánh sáng vào sợi quang của SLED không cao, thấp hơn so với ELED.

Hình 3.15. Cấu trúc LED Burrus

79
 LED phát xạ cạnh ELED (Edge LED) là loại LED có ánh sáng ở phía cạnh của
LED (hình 3.16). Trong cấu trúc này, các điện cực tiếp xúc (bằng kim loại) phủ kín
mặt trên và đáy của LED. Ánh sáng phát ra trong lớp tích cực (active layer) rất mỏng.
Lớp tích cực này được làm bằng chất bán dẫn có chiết suất lớn được kẹp giữa bởi
hai lớp bán dẫn P và N có chiết suất nhỏ hơn. Cấu trúc này hình thành một ống dẫn
sóng trong ELED. Do vậy, ánh sáng phát ra ở lớp tích cực được giữ lại và lan truyền
dọc theo trong ống dẫn sóng này. Kết quả là, ánh sáng được phát ra ở hai đầu ống dẫn
sóng, tức là phát xạ ở phía cạnh của LED. Sợi quang sẽ được đặt ở một đầu của lớp
tích cực để ghép ánh sáng vào. Với đặc điểm cấu trúc như vậy, ELED có vùng phát
sáng hẹp và góc phát quang nhỏ. Do đó, hiệu suất ghép ánh sáng vào sợi quang lớn
hơn so với SLED.

Hình 3.16. LED phát xạ cạnh (ELED)

3.3. Laser (Light Amplification By Stimulated Emission Of Radiation)
3.3.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Laser
Về cơ bản, cấu tạo của laser có các đặc điểm sau:
 Cấu trúc nhiều lớp bán dẫn p, n
 Ánh sáng phát ra và được giữ trong lớp tích cực (active layer)
 Lớp tích cực rất mỏng, làm bằng vật liệu có chiết suất lớn kẹp giữa hai lớp
P và N có chiết suất nhỏ hơn. Cấu trúc này tạo thành ống dẫn sóng.
 Ánh sáng của laser phát ra ở phía cạnh, giống như LED phát xạ cạnh (ELED)
 Ở hai đầu lớp tích cực là hai lớp phản xạ với hệ số phản xạ R <1. Cấu trúc
này tạo thành hốc cộng hưởng Fabry-Perot. Ánh sáng được tạo ra và phản xạ qua lại
trong hốc cộng hưởng này. Loại laser có cấu trúc hốc cộng hưởng Fabry-Perot này
được gọi là laser Fabry-Perot (hình 3.17).
 Ánh sáng được đưa ra ngoài qua một phần được cắt nhẵn của một mặt phản
xạ.

80
 Hình 3.17. Cấu trúc của laser Fabry-Perot
Nguyên lý hoạt động của Laser dựa trên hai hiện tượng:
 Hiện tượng phát xạ kích thích: tạo ra sự khuếch đại ánh sáng trong Laser.
Khi xảy ra hiện tượng phát xạ kích thích, photon ánh sáng kích thích điện tử ở vùng
dẫn tạo ra một photon thứ hai. Hai photon này tiếp tục quá trình phát xạ kích thích
để tạo ra nhiều photon hơn nữa theo cấp số nhân. Các photon này được tạo ra có tính
kết hợp (cùng tần số, cùng pha, cùng hướng và cùng phân cực). Như vậy, ánh sáng
kết hợp được khuếch đại.
 Hiện tượng cộng hưởng của sóng ánh khi lan truyền trong laser: quá trình
chọn lọc tần số (hay bước sóng) ánh sáng. Theo đó, chỉ những sóng ánh sáng có tần
số (hay bước sóng) thỏa điều kiện về pha của hốc cộng hưởng thì mới có thể lan
truyền và cộng hưởng trong hốc cộng hưởng được. Như vậy, số sóng ánh sáng (có
bước sóng khác nhau) do laser Fabry-Perot phát xạ bị giới hạn, làm giảm độ rộng phổ
laser so với LED.
3.3.2. Hốc cộng hượng Fabry-Perot
Hốc cộng hưởng Fabry-Perot được tạo ra bằng cách mài bóng và song song hai
cạnh của lớp tích cực tạo thành hai gương phản xạ có hệ số phản xạ R1 và R2
(<100%) (hình 3.17.a). Hốc cộng hưởng quang này, giống như một bộ dao động
hơn là một bộ khuếch đại do quá trình hồi tiếp dương xảy ra khi sóng ánh sáng phản
xạ qua lại giữa hai mặt phản xạ đặt ở hai đầu hốc cộng hưởng. Khi tín hiệu quang
được phản xạ nhiều lần, khuếch đại quang xảy ra trong hốc cộng hưởng.

(a) Hốc cộng hưởng Fabry – Perot (b) Khoang cộng hưởng (c) Cộng hưởng
Hình 3.18. Hốc cộng hưởng Fabry-Perot
Một sóng ánh sáng phát xạ trong lớp tích cực có thể tồn tại và được khuếch đại
trong hốc cộng hưởng khi thỏa điều kiện về pha của sóng ánh sáng. Khi đó, sóng

81
ánh sáng phải hình thành nên sóng đứng giữa hai mặt phản xạ của hốc cộng hưởng
(hình 3.18.c). Hay nói cách khác là xảy ra cộng hưởng của sóng ánh sáng. Các sóng
đứng này chỉ tồn tại tại các tần số mà khoảng cách giữa hai mặt phản xạ bằng bội số
của nữa bước sóng:
𝐿 = 𝑞. (2𝑛 ⁄𝜆) (3.11)
Trong đó, λ là bước sóng ánh sáng, n là chiết suất của lớp tích cực, q là số nguyên
(q = 1,2,3, …)
Hay nói cách khác, sóng ánh sáng có thể tồn tại và khuếch đại được trong hốc
cộng hưởng của laser Fabry-Perot có bước sóng:
𝜆 = 𝑞. (2𝑛 ⁄𝐿 ) (3.12)
Các bước sóng này không liên tục nhau và được xác định bởi số nguyên q. Mỗi
một bước sóng này tạo nên một mode sóng do laser phát ra với khoảng cách giữa hai
mode sóng kề nhau:
Δ𝜆 = 2𝑛⁄𝐿 (3.13)
3.3.3. Độ khuếch đại quang
Xét một sóng ánh sáng phản xạ qua lại trong hốc cộng hưởng như hình 3.19.

Hình 3.19. Công suất của ánh sáng khi lan truyền và phản xạ qua lại trong
hốc cộng hưởng Fabry-Perot
Trong quá trình lan truyền trong hốc cộng hưởng, năng lượng của sóng ánh
sáng chịu những ảnh hưởng như sau:
- Suy hao xảy ra trong hốc cộng hưởng do hiện tượng hấp thụ photon, hiện
tưởng tán xạ ánh sáng…, được biểu diễn bởi hệ số suy hao α.
- Độ lợi trong hốc cộng hưởng do hiện tượng phát xạ kích thích, được biểu
diễn bởi hệ số khuếch đại g.
- Suy hao xảy ra tại hai mặt phản xạ có hệ số phản xạ R1 và R2 (R1, R2<1)
Nếu gọi P(0) là cộng suất của ánh sáng tại mặt phản xạ R1 thì cộng suất thu
được sau khi lan truyền được một chu kỳ trong hốc cộng hưởng (lan truyền dọc theo
hốc cộng hưởng, phản xạ tại mặt phản xạ R2, truyền ngược về và phản xạ tại mặt phản
xạ R1) là:
𝑃′ (0) = 𝑅1 . 𝑅2 . 𝑃(2𝐿 ) = 𝑃(0). 𝑅1 . 𝑅2 . 𝑒 (𝑔−𝛼).2𝐿 (3.14)

82
 Điều kiện để một sóng ánh sáng được khuếch đại trong hốc cộng hưởng là: độ
lợi khuếch đại phải lớn hơn tổng các suy hao khi sóng ánh sáng thực hiện một chu
kỳ phản xạ qua lại giữa hai mặt phản xạ. Nói cách khác, cộng suất ánh sáng xét tại
một điểm nào đó trong hốc cộng hưởng sau khi ánh sáng thực hiện một chu kỳ phản
xạ qua lại trong hốc cộng hưởng phải lớn công suất ánh sáng trước khi truyền
𝑃 ′ (0) ≥ 𝑃 (0) (3.15)
→ 𝑅1 . 𝑅2 . 𝑒 (𝑔−𝛼).2𝐿 ≥ 1 (3.16)
→ 𝑔 ≥ 𝛼 + (1/2𝐿). ln(1/𝑅1 . 𝑅2 ) (3.17)
Như vậy, điều kiện để ánh sáng được khuếch đại trong quá trình lan truyền và
phản xạ qua lại giữa hai hốc cộng hưởng là độ lợi do phát xạ kích thích phải lớn hơn
so với độ suy hao do hấp thụ. Điều này có nghĩa là, số photon được tạo ra do phát
xạ kích thích (và phát xạ tự phát) phải nhiều hơn số photon bị hấp thụ:
Nspontaneous + Nstimulated > Nabsorption (3.18)
Trong đó, Nabsorption là số photon bị hấp thụ, Nspontaneous và Nstimulated là số photon
được tạo ra do các hiện tượng phát xạ tự phát và phát xạ kích thích.
Điều kiện (3.18) có thể đạt được khi số điện tử ở trạng thái năng lượng cao
N2 (nằm ở vùng dẫn), phải nhiều hơn số điện tử ở trạng thái năng lượng thấp N1
(nằm ở vùng hóa trị). Điều kiện này được gọi là trạng thái nghịch đảo mật độ
(population inversion) vì ở điều kiện bình thường (ở trạng thái cân bằng về nhiệt),
mật độ của các điện tử tại các mức năng lượng khác nhau được phân bố theo hàm
phân bố Boltzmann (số điện tử ở trạng thái năng lượng thấp N1 luôn cao hơn so với
số điện tử ở trạng thái năng lượng cao N2).
Do vậy, để có thể đạt được trạng thái nghịch đảo mật độ cần phải cung cấp năng
lượng từ bên ngoài đủ lớn để làm tăng số điện tử ở trạng thái năng lượng cao. Quá
trình này được gọi là quá trình “bơm” (pumping). Tùy theo loại vật liệu chế tạo
nguồn quang hay khuếch đại quang, có nhiều phương pháp bơm khác nhau như dùng
ánh sáng, trường sóng vô tuyến tần số cao, dòng điện …Đối với laser bán dẫn, nguồn
bơm này được cung cấp dưới dạng dòng điện.
Dòng điện cung cấp cho laser càng lớn thì số điện tử ở vùng dẫn càng nhiều.
Dòng điện tối thiểu để đạt được trạng thái nghịch đảo nồng độ, điều kiện để có thể
xảy ra quá trình khuếch đại ánh sáng, được gọi là dòng ngưỡng.
Giá trị của dòng ngưỡng phụ thuộc vào tính chất khuếch đại và suy hao của
vật liệu bán dẫn và cấu trúc của hốc cộng hưởng.
3.3.4. Đặc tính phổ của Laser Fabry-Perot
Phổ của Laser Fabry-Perot là tổng hợp của phổ độ lợi khuếch đại của quá
trình phát xạ kích thích xảy ra trong lớp tích cực của laser (phụ thuộc vào loại vật liệu

83
chế tạo nguồn quang như phổ của LED) và đặc tính chọn lọc tần số của hốc cộng
hưởng.

Dải thông điều chế

Đặc tuyến khuếch đại

Hình 3.20. Phổ của Laser Fabry-Perot

Kết quả từ hình 3.20 cho thấy, ánh sáng ở ngõ ra của laser chỉ giới hạn trong
các mode nằm trong độ rộng phổ của đường cong khuếch đại. Ngoài ra, theo định
nghĩa độ rộng phổ (3dB) của nguồn quang, chỉ các mode sóng nằm trong giới hạn
3dB mới cần được quan tâm.
Do các tần số cộng hưởng (các mode sóng) có giá trị phụ thuộc vào chiều dài
L của hốc cộng hưởng (điều kiện 3.12) nằm theo trục dọc (longitudinal axis) của
hốc cộng hưởng của laser nên các mode này đựợc gọi là các mode dọc (longitudinal
mode). Phổ của ánh sáng do laser Fabry-Perot phát ra có nhiều mode nên loại
laser này được gọi là laser đa mode MLM (Multi Longitudinal Mode).
3.3.5. Đặc tính của Laser
3.3.5.1. Phương trình tốc độ của Laser
Sự thay đổi theo thời gian của mật độ điện tử n (1/m3) và mật độ photon s
(1/m3) trong laser được biểu diễn bởi hệ các phương trình tốc độ (rate equations) sau:
𝑑𝑛 𝐽 𝑛
= − − 𝐷𝑛𝑠 (3.19)
𝑑𝑡 𝑒𝑑 𝜏𝑠𝑝
𝑑𝑠 𝜉𝑛 𝑠
= 𝐷𝑛𝑠 + − (3.20)
𝑑𝑡 𝜏𝑠𝑝 𝜏𝑝ℎ
Phương trình (3.18) cho thấy những yếu tố ảnh hưởng đến mật độ điện tử trong
vùng tích cực của laser như sau:
 Mật độ điện tử tăng khi có nhiều điện tử (do dòng điện cung cấp) được bơm
vào vùng tích cực. Quá trình này được biểu diễn bằng biểu thức (J/ed) với J(A/m2)
84
là mật độ dòng điện, e = 1,6 x 10-19 (C) là điện tích của điện tử, d là độ dày của vùng
tích cực.
 Mật độ điện tử giảm khi có nhiều điện tử tái hợp với lỗ trống (chuyển trạng
thái năng lượng từ vùng dẫn xuống vùng hóa trị). Quá trình này xảy ra do hiện tượng
phát xạ tự phát, biểu diễn bằng biểu thức (n/𝜏𝑠𝑝 ) với 𝜏𝑠𝑝 là thời gian sống của điện
tử (khi xảy ra hiện tượng phát xạ tự phát) và hiện tượng phát xạ kích thích, được
biểu diễn bằng biểu thức (Dns) với D là hằng số biểu diễn cho khả năng phát xạ kích
thích, cũng như độ lợi khuếch đại g, trong laser.
𝑣𝑔 𝑐 𝑔
𝐷= = ( ). (3.21)
𝑛 𝑛𝑟𝑖 𝑛
với v là vận tốc ánh sáng tryền trong lớp tích cực có chiết suất nri.
Qua đó cho thấy, khả năng phát xạ kích thích (tạo ra độ lợi trong laser) trong
laser phụ thuộc vào loại bán dẫn, mật độ điện tử và photon trong vùng tích cực.
Phương trình (3.20) cho thấy những yếu tố ảnh hưởng đến mật độ photon trong
vùng tích cực của laser như sau:
 Mật độ photon ở trạng thái phát xạ laser (lasing mode) tăng khi có nhiều
photon phát xạ do hiện tượng phát xạ kích thích. Quá trình nay biểu diễn bởi biểu thức
(Dns).
 Mật độ photon cũng lên một lượng nhỏ do hiện tượng phát xạ tự phát. Quá
𝜉𝑛
trình nay biểu diễn bởi biểu thức ( ). Trong đó hệ số 𝜉 rất nhỏ cho thấy rằng có rất
𝜏𝑠𝑝

ít photon phát xạ tự phát di chuyển cùng hướng với các photon phát xạ kích thích
trong vùng tích cực.
 Mật độ photon giảm do sự hấp thụ xảy ra trong vùng tích cực và do ánh sáng
𝑠
phát xạ ra ngoài laser. Quá trình này biểu diễn bởi biểu thức (− ) với 𝜏𝑝ℎ là thời
𝜏𝑝ℎ

gian sống của photon tức là thời gian tồn tại của photon trong vùng tích cực.
Với phương trình tốc độ, nhiều tính chất và đáp ứng của laser theo thời gian
có thể được xác định. Bằng cách thay đổi các giá trị của (dn/dt) và (ds/dt) trong hệ
phương trình (3.19) và (3.20) ta có được tính chất của laser ở trạng thái tĩnh (steady-
state) và ở trạng thái động (dynamic-state) khi dòng điện kích thích thay đổi theo thời
gian.
3.3.5.2. Trạng thái tĩnh của Laser
Trạng thái tĩnh của laser được xác định khi mật độ điện tử và mật độ photon
trong lớp tích cực không thay đổi theo thời gian dn/dt=0 và ds/dt=0. Bằng cách này,
ta có thể xác định được điều kiện ngưỡng (dòng ngưỡng Ith) và mối quan hệ giữa
dòng địện kích thích I và công suất phát quang của laser khi I > Ith.
Tại trạng thái nguỡng, ta có dn/dt=0 và ds/dt=0, J=Jth, n=nth, s∼0. Hệ phương
trình tốc độ có thể được viết lại như sau:
85
 𝐽𝑡ℎ 𝑛𝑡ℎ
= (3.22)
𝑒𝑑 𝜏𝑠𝑝
1
𝑛𝑡ℎ = (3.23)
𝐷. 𝜏𝑠𝑝
Từ phương trình (3.21) ta có:
𝑣𝑔𝑡ℎ
𝑛𝑡ℎ = (3.24)
𝐷
Từ phương trình (3.23) và (3.24) suy ra:
1
= 𝑣𝑔𝑡ℎ (3.25)
𝜏𝑠𝑝
Từ phương trình (3.22), (3.23) và (3.25) suy ra:
𝐽𝑡ℎ 𝑣𝑔𝑡ℎ 𝑣Γ𝛼
= = (3.26)
𝑒𝑑 𝐷. 𝜏𝑠𝑝 𝐷. 𝜏𝑠𝑝
𝑒𝑑𝑣Γ𝛼
→ 𝐽𝑡ℎ = (3.27)
𝐷. 𝜏𝑠𝑝
Với Γ là hệ số giam (confinement factor) của laser biểu diễn cho việc các
photon được giam giữ trong vùng tích cực (làm tăng hiệu suất phát xạ kích thích). Γ
phụ thuộc vào cấu trúc của laser. α là hệ số suy hao của vật liệu bán dẫn
Ta thấy, trong phương trình (3.27) trên, Jth phụ thuộc vào chiều dài của vùng
tích cực d, vận tốc truyền ánh sáng trong hốc cộng hưởng v=c/nri, hệ số giam Γ, hệ
số phát xạ kích thích D, thời gian sống của điện tử 𝜏𝑠𝑝 là các hệ số phụ thuộc vào vật
liệu bán dẫn, cấu tạo và cấu trúc của laser. Do đó, mật độ dòng điện ngưỡng có thể
được xác định bằng công thức đơn giản sau:
𝛼
𝐽𝑡ℎ = (3.28)
𝛽
𝑒𝑑𝑣Γ
Với 𝛽 = là hệ số phụ thuộc vào cấu trúc của laser. 𝛽 có giá trị thay đổi
𝐷.𝜏𝑠𝑝

từ 3x10-3 (cm/A) đến 1.5x10-2 (cm/A) tùy theo loại laser.

Một lưu ý quan trọng là, khi hoạt động ở chế độ trên mức ngưỡng (I>Ith), mật
độ điện tử ở trạng thái tĩnh ở vùng dẫn, n, bằng với mật độ điện tử ở mức ngưỡng,
nth. Nguyên do là vì khi dòng điện kích thích tăng, mật độ điện tử ở vùng dẫn tăng
sẽ làm tăng sự phát xạ kích thích. Khi đó, các photon ở vùng dẫn sẽ bị kích thích và
chuyển trạng thái năng lượng từ vùng dẫn sang vùng hóa trị, tạo ra các photon ánh
sáng. Kết quả là, dòng điện kích thích tăng sẽ tăng công suất phát quang nhưng
không làm tăng mật độ điện tử ở vùng dẫn. Hiện tượng này được gọi là clamping.
Với lưu ý trên, mối quan hệ giữa dòng điện kích thích và công suất phát quang
ở trạng thái tĩnh khi I>Ith có thể được xác định từ các phương trình tốc độ với dn/dt=0.
Kết quả là:

86
 1 𝐽 − 𝐽𝑡ℎ 𝜏𝑝ℎ (𝐽 − 𝐽𝑡ℎ )
𝑠= . =
𝐷𝑛𝑡ℎ 𝑒𝑑 𝑒𝑑
Kết quả trên cho thấy, số photon được tạo ra ở chế độ phát xạ laser (I>Ith) tỷ lệ
thuận với độ chênh lệch giữa mật độ dòng điện kích thích và mật độ dòng điện tại
mức ngưỡng. Mối quan hệ này là tuyến tính.
3.3.5.3. Trạng thái động của Laser
Trạng thái động của laser xảy ra khi dòng điện kích thích thay đổi theo thời
gian. Hoạt động điều chế tín hiệu nhỏ (dòng điện kích thích nằm trong khoảng tuyến
tính của đặc tuyến P-I của laser) là trường hợp laser hoạt động ở trạng thái này. Khi
đó, mật độ điên tử và mật độ photon trong vùng tích cực được biểu diễn dưới dạng:
𝑛 = 𝑛0 + 𝛿𝑛 (𝑡 ) (3.29)
𝑠 = 𝑠0 + 𝛿𝑠 (𝑡 ) (3.30)
với n0 và s0 là mật độ điện tử và mật độ photon ở trạng thái tĩnh, δn(t) và δs(t)
được tạo ra khi điều chế dòng điện kích thích.
Khi đó, phương trình tốc độ trở thành phương trình vi phân bậc hai biểu diễn
dao động tắt dần của δn(t):

𝑑 2 (𝛿𝑛) 𝑑(𝛿𝑛)
+ 2𝜒 + 𝜔𝑟 2 𝛿𝑛 (3.31)
𝑑𝑡 2 𝑑𝑡
1/2
với χ = Dn0 + 1/τsp là hệ số tắt dần của laser, ωr = D.(nth.s0) là tần số dao động
tắt dần, nth là mật độ điện tử tại mức ngưỡng.
Giải phương trình vi phân bậc hai (3.31), ta có kết quả:
𝜔1 1
𝛿𝑛(𝑡 ) = exp(−𝜒𝑡 ) . 𝑠𝑖𝑛𝜔1 𝑡 ≈ (𝑛𝑡ℎ . 𝑠0 )2 . exp(−𝜒𝑡 ) . 𝑠𝑖𝑛𝜔1 𝑡 (3.32)
𝐷
với 𝜔1 = (𝜔𝑟 2 − 𝜒 2 )1/2 và giá trị gần đúng ω1 ≈ ωr được áp dụng
Sự biến đổi của mật độ điện tử theo thời gian 𝛿s(t) cũng được xác định theo cách
tương tự.
Hình 3.21 biểu diễn mật độ điện tử và mật độ photon thay đổi theo thời gian khi
dòng điện được điều chế dạng số lấy từ các kết quả của phương trình tốc độ. Kết quả
cho thấy, mật độ điện tử và mật độ photon thay đổi như dao động tắt dần. Do tỷ lệ
với mật độ photon, công suất ánh sáng phát xạ cũng có đáp ứng tương tự như vậy
nhưng với tỷ lệ khác.

87
 Hình 3.21. Đáp ứng của mật độ dòng điện và mật độ photon khi dòng điện
được điều chế dạng số
Kết quả từ hình 3.21 cho thấy rằng:
- Có một khoảng thời gian trễ trước khi laser bắt đầu phát xạ ánh sáng sau khi
xung điều chế được thực hiện (khoảng 1,5ns trong hình 3.21)
- Dao động tắt dần kéo dài khoảng 8ns trước khi mật độ photon đạt trạng thái ổn
định.
Hiện tượng thời gian trễ và dao động tắt dần trên là không thể tránh khỏi đối
với laser nhưng có thể được hạn chế bằng cách dùng dòng phân cực DC, Ib. Thời
gian trễ td đựoc xác định bằng công thức sau:
𝐼𝑝
𝑡𝑑 = 𝜏. 𝑙𝑛 [ ] (3.33)
𝐼𝑝 + 𝐼𝑏 − 𝐼𝑡ℎ
Với τ là thời gian sống của điện tử, Ip là cường độ dòng điện điều chế.
3.3.5.4. Đặc tính điều chế của Laser
Có hai phương pháp điều chế tín hiệu sử dụng laser: điều chế số và điều chế
tương tự. Trong điều chế số, mức logic 0 và mức logic 1 được biểu diễn bởi chu kỳ
tối và sáng của tín hiệu quang. Để đạt được điều này, dòng điện kích thích sẽ thay
đổi theo tín hiệu thông tin từ giá trị dưới mức ngưỡng đến giá trị trên mức ngưỡng
(hình 3.22.a). Trong kỹ thuật điều chế tương tự, dòng điện kích thích thay đổi trong
khoảng tuyến tính của đặc tuyến P-I để tránh làm méo dạng tín hiệu quang ở ngõ ra
(hình 3.22.b). Điều này đạt được bằng cách sử dụng dòng phân cực DC, Ib, cùng với
dòng tín hiệu điện.

88
 Hình 3.22. (a). Điều chế tín hiệu số và (b). Điều chế tín hiệu tương tự
Một cách lý tưởng, tín hiệu quang ở ngõ ra của laser phải có dạng giống và
thay đổi tức thời theo thời gian với tín hiệu điện ở ngõ vào. Tuy nhiên, trên thực tế,
luôn có thời gian trễ để tín hiệu quang đáp ứng với dòng điện ngõ vào và tín hiệu bị
méo dạng do đặc tính động của laser như đã trình bày trong phần trên. Điều này làm
hạn chế tốc độ điều chế (hay tốc độ bit) của tín hiệu khi sử dụng dòng tín hiệu điện
điều chế trực tiếp laser (kỹ thuật điều chế theo cường độ IM (Intensity
Modulation)).
Đặc tính động của laser (phần 3.3.5.3) cho thấy rằng khi sử dụng kỹ thuật điều
chế theo cường độ IM, giới hạn trên của tốc độ điều chế của laser được xác định
bởi tần số dao động tắt dần:
𝐷𝑠0 1 𝑣𝑔𝑠0
𝜔𝑟 = 𝐷2 . 𝑛𝑡ℎ . 𝑠0 = = (3.34)
𝜏𝑝ℎ 𝜏𝑝ℎ 𝑛
Do s0/n là hiệu suất lượng tử nội, phương trình (3.34) cho thấy rằng ωr phụ
thuộc vào thời gian sống của photon và phụ thuộc vào độ lợi (cũng như công suất)
của laser. Do đó, phương trình (3.34) có thể viết lại như sau:
𝑀𝑃
𝜔𝑟 = (3.35)
𝜏𝑝ℎ
Với M là hằng số, P là công suất phát quang của laser.
Phương trình (3.35) cho thấy rằng, tần số điều chế càng cao khi công suất phát
quang của laser càng lớn và thời gian sống của photon càng ngắn.
3.4. Các đặc tính kỹ thuật của nguồn quang
3.4.1. Đặc tính P-I của nguồn quang
Công suất phát quang là công suất tổng cộng mà nguồn quang phát ra. Công
suất phát quang của nguồn quang thay đổi theo dòng điện kích thích và được biểu
diễn bằng đặc tuyến P-I.

89
 Hình 3.23. Đặc tuyến P-I của 3 loại nguồn quang: SLED, ELED và Laser.
Đặc tuyến P-I của 3 loại nguồn quang SLED, ELED và Laser trên hình 3.22 cho
thấy:
 Laser chỉ hoạt động ở chế độ phát xạ kích thích khi dòng điện kích thích lớn
hơn dòng điện ngưỡng Ith.
 So với LED, Laser có công suất phát quang lớn hơn với cùng một dòng điện
kích thích (với điều kiện I>Ith).
 SLED có công suất phát quang lớn hơn ELED với cùng một dòng điện kích
thích. Tuy nhiên, điều này chưa quyết định ánh sáng truyền trong sợi quang do loại
nguồn quang nào phát ra thì lớn hơn vì còn phụ thuộc vào hiệu suất ghép quang.
Yêu cầu đối với một nguồn quang lý tưởng là đặc tuyến P-I phải là đường
thẳng, tức là công suất phát quang và dòng điện kích thích phải có quan hệ tuyến
tính. Khi đó, tín hiệu ánh sáng do nguồn quang được tạo ra không bị méo dạng so
với tín hiệu điện. Tuy nhiên, trên thực tế sự tuyến tính trong đặc tuyến P-I chỉ xảy ra
tương đối trong một khoảng dòng điện kích thích.
3.4.2. Góc phát quang
Công suất ánh sáng do nguồn quang phát ra cực đại ở trục phát và giảm dần
theo góc hợp với trục. Góc phát quang được xác định ở mức công suất quang giảm
một nữa (3dB) so với mức cực đại (hình 3.24)

90
 Hình 3.24: Góc phát quang của SLED, ELED và Laser
Hình 3.24 cho thấy, SLED phát ra ánh sáng có dạng Lambertian, nghĩa là phân
bố công suất phát quang có dạng:
P = P0. cosθ
với θ là góc giữa hướng quan sát và trục vuông góc với mặt phát xạ. Như vậy,
một nữa mức công suất đỉnh đạt được với θ=60o. Mặt bao của góc phát quang của
SLED có dạng hình nón 120o.
Góc phát quang của ELED chỉ có dạng Lambertian theo hướng song song với
lớp tích cực (2θ=120o). Ở hướng vuông góc với lớp tích cực, góc phát quang giảm đi
chỉ còn 30o. Như vậy, góc phát quang của ELED nhỏ hơn so với SLED.
Ánh sáng laser phát ra không có dạng Lambertian. Thay vào đó, mặt bao góc
phát quang của Laser có mặt nón có đáy hình elip với:
- Góc theo phương ngang với lớp tích cực: 10o
- Góc theo phương vuông góc với lớp tích cực: 30o
So với LED, Laser có góc phát quang nhỏ, đồng thời công suất phát quang lớn,
do đó mật độ năng lượng ánh sáng do laser phát ra lớn rất nhiều so với LED. Năng
lượng ánh sáng được tập trung. Vì vậy, cường độ ánh sáng do laser phát ra rất mạnh
có thể gây hại mắt. Do đó, các cảnh báo nguy hiểm của ánh sáng laser phải được
thực hiện tại các thiết bị quang có nguồn phát laser.

91
 3.4.3. Hiệu suất ghép quang
Hiệu suất ghép quang là tỷ số giữa công suất quang ghép vào sợi quang Popt trên
công suất phát quang của nguồn quang Ps
𝑃𝑜𝑝𝑡
𝜂= (3.36)
𝑃𝑠
Hiệu suất ghép quang phụ thuộc vào:
- Kích thước vùng phát quang
- Góc phát quang của nguồn quang
- Góc thu nhận (hay NA) của sợi quang
- Vị trí tương đối giữa nguồn quang và sợi quang
- Bước sóng ánh sáng

Hình 3.25. Ghép ánh sáng từ nguồn quang vào trong sợi quang
Hiệu suất ghép quang của một số loại nguồn quang:
- SLED: 1-5%
- ELED: 5-15%
- Laser: + 60% đối với sợi quang đơn mode (SMF)
+ 90% đối với sợi quang đa mode (MMF)
So sánh hiệu suất ghép quang giữa SLED và ELED, ta thấy rằng, dù SLED có
công suất phát quang lớn hơn so với ELED nhưng do hiệu suất ghép quang thấp
nên công suất ánh sáng thực sự có ích (công suất ánh sáng truyền trong sợi quang)
thấp hơn so với ELED.
3.4.4. Độ rộng phổ
Nguồn quang phát ra công suất cực đại ở bước sóng trung tâm và giảm dần về
hai phía. Độ rộng phổ là khoảng bước sóng mà công suất quang không nhỏ hơn
phân nữa mức công suất đỉnh.
Độ rộng phổ của nguồn quang là một nguyên nhân gây nên tán sắc trong sợi
quang, nhất là đối với các sợi quang đơn mode. Tán sắc lớn sẽ làm hạn chế cự ly và
tốc độ bit truyền của tín hiệu quang trong sợi quang. Do đó, yêu cầu về nguồn quang
laser đơn tần (single frequency laser) có độ rộng phổ hẹp là rất cần thiết để tăng chất
lượng của hệ thống thông tin quang.

92
 Với độ rộng phổ lớn (50-60nm), LED thường chỉ được sử dụng trong các hệ
thống truyền dẫn quang sử dụng sợi quang đa mode, cự ly truyền dẫn ngắn và tốc độ
bit truyền thấp.
Với đặc tính của một laser đa mode MLM có độ rộng phổ từ 2-4nm, laser Fabry
Perot được sử dụng trong các hệ thống truyền dẫn quang SDH, sử dụng sợi quang
SMF (G.652), truyền tại bước sóng 1310nm. Do tại bước sóng 1310nm, tán sắc sắc
thể đơn vị của sợi quang SMF bằng không nên yêu cầu về độ rộng phổ của nguồn
quang không nghiêm ngặt lắm. Tuy nhiên, khi truyền ánh sáng tại bước sóng
1550nm (có suy hao thấp nhất đối với sợi quang bằng thủy tinh) tán sắc sắc thể của
sợi SMF khá lớn (20ps/nm.km), tín hiệu quang phát ra từ nguồn quang phải đơn
mode và có độ độ rộng phổ rất hẹp. Ngoài ra, trong trong các hệ thống ghép kênh
đa bước sóng WDM, với khoảng cách các kênh 50GHz (ITU G.694) độ rộng phổ
yêu cầu đối với một nguồn quang phải nhỏ hơn 0.1nm. Laser Fabry-Perot không
đáp ứng được các yêu cầu này. Do đó, trong các hệ thống truyền dẫn quang có cự
ly dài và dung lượng truyền lớn hiện nay, người ta không sử dụng laser Fabry-
Perot. Thay vào đó là các nguồn quang bán dẫn đơn mode (SLM – Single
Longitudinal Mode) có độ rộng phổ nhỏ như laser hồi tiếp phân bố (DFB), laser hốc
cộng hưởng ghép …
3.4.5. Thời gian lên
Thời gian lên là thời gian để công suất quang ở ngõ ra của nguồn quang tăng
từ 10% đến 90% mức công suất ổn định khi có xung dòng điện kích thích nguồn
quang.

Công suất tương đối

1
0.9

t
0.1
tr

Hình 3.26: Thời gian lên (rise time) của nguồn quang
Thời gian lên ảnh hưởng đến tốc độ bit của tín hiệu điều chế. Muốn điều chế ở
tốc độ bit càng cao thì nguồn quang phải có thời gian chuyển càng nhanh. Thời
gian chuyển của Laser (không quá 1 ns) rất nhanh so với LED (2–50 ns tùy loại).
Do đó, laser thường được sử dụng làm nguồn quang trong các hệ thống thông tin
quang tốc độ cao.

93
 3.4.6. Ảnh hưởng của nhiệt độ
Khi nhiệt độ thay đổi, chất lượng của nguồn quang bị ảnh hưởng. Nó làm thay
đổi các tính chất của nguồn quang như bước sóng phát quang và công suất phát
quang. Ảnh hưởng của nhiệt độ xảy nhiều hơn với laser hơn là LED.
Bước sóng phát quang thay đổi khi nhiệt độ thay đổi. Đối với laser đơn mode,
độ dịch chuyển mode thay đổi trong khoảng 0.05 - 0.08 nm/oK - > ảnh hưởng lớn
đến hệ thống truyền dẫn quang ghép kênh phân chia theo bước sóng (WDM) khi
các laser đơn mode được sử dụng làm nguồn quang.
Dòng ngưỡng của Laser thay đổi khi nhiệt độ thay đổi (hình 3.27). Khi nhiệt
độ tăng, giá trị của dòng ngưỡng tăng. Do đó, nếu dòng điện phân cực cho laser
không đổi, khi nhiệt độ tăng, công suất phát quang của laser giảm (theo đặc tuyến P-
I của laser). Laser có thể không hoạt động được nếu dòng điện cung cấp nhỏ hơn
dòng điện ngưỡng tăng lên do nhiệt độ tăng.

Hình 3.27. Dòng điện ngưỡng Ith của laser thay đổi khi nhiệt độ thay đổi
Sự phụ thuộc vào nhiệt độ của mật độ dòng điện ngưỡng có thể được biểu diễn
gần đúng như sau:
𝐽𝑡ℎ ∞𝑒𝑥𝑝 (𝑇⁄𝑇 ) (3.37)
0
Trong đó, T là nhiệt độ tuyệt đối của linh kiện, T0 là hệ số nhiệt độ nguỡng
cho biết ảnh hưởng của nhiệt đối với dòng ngưỡng. T0 sự phụ thuộc vào chất lượng
của laser, cấu trúc của laser và loại vật liệu chế tạo.
Đối với laser được chế tạo bởi AlGaAs, T0 nằm trong khoảng từ 120 -190oK,
Đối với laser được chế tạo bởi InGaAsP, T0 nằm trong khoảng từ 40 - 75oK,
Ví dụ: So sánh tỷ số mật độ dòng điện ngưỡng tại 20oC và 80oC đối với laser
AlGaAs có To = 160oK và laser InGaAsP có To = 55oK
Áp dụng công thức (3.37) ta có:
Đối với laser AlGaAs:

94
 Jth (200C) ∝ exp (293/160) = 6,24
Jth (800C) ∝ exp (353/160) = 9,08
Vậy tỷ số mật độ dòng điện ngưỡng 20oC và 80oC là:
Jth (800C)/Jth (200C) = 9,08/6,24 = 1,46
Đối với laser InGaAsP:
Jth (200C) ∝ exp (293/55) = 205,88
Jth (800C) ∝ exp (353/55) = 612,89
Vậy tỷ số mật độ dòng điện ngưỡng 20oC và 80oC là:
Jth (800C)/Jth (200C) = 612,89/205,88 = 2,98
So sánh hai trường hợp ta thấy, nhiệt độ ảnh hưởng nhiều đối với các laser
được chế tạo bằng InGaAsP (đuợc sử dụng trong các laser phát ra ánh sáng có bước
sóng dài nằm trong hai cửa sổ bước sóng 1300nm và 1550nm) so với các laser được
chế tạo bằng AlGaAs (đuợc sử dụng trong các laser phát ra ánh sáng nằm trong cửa
sổ bước sóng 850nm).
Do vậy, cần phải ổn định nhiệt cho Laser. Trong thực tế, laser thường được
chế tạo dưới dạng module, bao gồm các thành phần ổn định nhiệt cho Laser.
NỘI DUNG TÓM TẮT CHƯƠNG 3
1. Nguyên lý chung về biến đổi quang điện
Nguyên lý biến đổi quang điện trong thông tin quang được thực hiện dựa trên 3
hiện tượng
- Hiện tượng hấp thụ (absorption), xảy ra khi một photon có năng lượng
hf bị hấp thụ bởi một điện tử ở trạng thái năng lượng thấp E1. Quá trình
này chỉ xảy ra khi năng lượng hf của photon bằng với độ chênh lệch
năng lượng giữa mức năng lượng cao và mức năng lượng thấp của điện
tử (Eg = E2 – E1). Khi xảy ra hiện tượng hấp thụ, điện tử sẽ nhận năng
lượng từ photon và chuyển lên trạng thái năng lượng cao.
- Hiện tượng phát xạ tự phát (spontaneous emission), xảy ra khi một
điện tử chuyển trạng thái năng lượng từ mức năng lượng cao E2 xuống
mức năng lượng thấp E1 và phát ra một năng lượng Eg= E2 – E1 dưới
dạng một photon ánh sáng. Quá trình này xảy ra một cách tự nhiên vì
trạng thái năng lượng cao E2 không phải là trạng thái năng lượng bền
vững của điện tử.
- Hiện tượng phát xạ kích thích (stimulated emision), xảy ra khi một
điện tử đang ở trạng thái năng lượng cao E2 bị kích thích bởi một photon
có năng lượng hf bằng với độ chênh lệch năng lượng giữa trạng thái
năng lượng cao và trạng thái năng lượng thấp của điện tử (Eg= E2 – E1).
95
 Khi đó, điện tử sẽ chuyển từ trạng thái năng lượng cao xuống trạng thái
năng lượng thấp hơn và tạo ra một photon có năng lượng bằng với năng
lượng của photon kích thích ban đầu. Như vậy, từ một photon ban đầu
sau khi khi xảy ra hiện tượng phát xạ kích thích sẽ tạo ra hai photon
(photon ban đầu và photon mới được tạo ra). Photon mới được tạo ra
có đặc điểm: cùng tần số, cùng pha, cùng phân cực và cùng hướng truyền
với photon kích thích ban đầu.
2. Led
- Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Led:
Về cơ bản, cấu tạo của LED được phát triển từ diode bán dẫn, hoạt động
dựa trên tiếp giáp pn được phân cực thuận. Quá trình phát xạ ánh sáng
xảy ra trong LED dựa trên hiện tượng phát xạ tự phát
3. Laser
Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Laser:
Về cơ bản, cấu tạo của laser có các đặc điểm sau:
- Cấu trúc nhiều lớp bán dẫn p, n
- Ánh sáng phát ra và được giữ trong lớp tích cực (active layer)
- Lớp tích cực rất mỏng, làm bằng vật liệu có chiết suất lớn kẹp giữa hai lớp
P và N có chiết suất nhỏ hơn. Cấu trúc này tạo thành ống dẫn sóng.
- Ánh sáng của laser phát ra ở phía cạnh, giống như LED phát xạ cạnh (ELED)
- Ở hai đầu lớp tích cực là hai lớp phản xạ với hệ số phản xạ R <1. Cấu trúc
này tạo thành hốc cộng hưởng Fabry-Perot. Ánh sáng được tạo ra và phản xạ qua
lại trong hốc cộng hưởng này.
- Ánh sáng được đưa ra ngoài qua một phần được cắt nhẵn của một mặt phản
xạ.
Nguyên lý hoạt động của Laser dựa trên hai hiện tượng:
- Hiện tượng phát xạ kích thích
- Hiện tượng cộng hưởng của sóng ánh khi lan truyền trong laser:
CÂU HỎI HƯỚNG DẪN ÔN TẬP CHƯƠNG
3.1. Trình bày khái niệm về mức năng lượng và vùng năng lượng?
3.2. Trong thông tin quang, quá trình biến đổi ánh sáng thành dòng điện đuợc
thực hiện dựa trên hiện tượng gì?
3.3. Ánh sáng kết hợp là gì? Loại nguồn quang nào có thể phát ra ánh sáng kết
hợp?
3.4. Hiện tượng phát xạ kích thích là gì? Điều kiện để xảy ra hiện tượng này?
3.5. Độ rộng phổ nguồn quang là gì? Độ rộng phổ nguồn quang ảnh hưởng
như thế nào đến chất lượng của hệ thống thông tin quang?

96
 NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN
3.6. Tại sao ánh sáng do nguồn quang phát ra trong thông tin quang không phải
tại một bước sóng mà trong một khỏang bước sóng?
3.7. Trình bày cấu tạo và nguyên lý họat động của LED?
3.8. Trình bày cấu tạo và nguyên lý họat động của laser Fabry-Perot?
3.9. Tại sao nguồn quang bán dẫn được sử dụng trong thông tin quang?
3.10. Điều kiện để một laser có thể họat động được ở chế độ phát xạ laser?
3.11. Trình bày ảnh hưởng của nhiệt độ đối với chất lượng của laser?
3.12. So sánh cấu tạo và đặc tính kỹ thuật của kỹ thuật điều chế ngòai và điều
chế trực tiếp?

97
 CHƯƠNG 4: BỘ THU QUANG
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG
Bộ thu có chức năng nhận tín hiệu quang, chuyến tín hiệu quang thành điện, xử
lý và khôi phục dạng tín hiệu. Trong chương này sẽ trình này cấu trúc tổng quát
của bộ thu quang, khảo sát nhiễu trong bộ thu quang, và đánh giá chất lượng của
hệ thống quang.
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT
4.1. Khái niệm cơ bản
4.1.1. Nguyên lý chung
Các linh kiện thu quang có nhiệm vụ đón nhận bức xạ quang (hay năng lượng
photon) và chuyển đổi thành tín hiệu điện. Chúng được chia thành hai nhóm:
Nhóm 1: Năng lượng photon đầu tiên được biến đổi thành nhiệt, sau đó mới biến
đổi nhiệt thành điện. Nguyên lý này hầu như không được ứng dụng trong viễn thông.
Nhóm 2: Biến đổi trực tiếp từ năng photon sang điện, được gọi là linh kiện
tách quang lượng tử gọi tắc là linh kiện tách sóng quang.
Linh kiện tách sóng quang được chia làm hai loại (theo cơ chế): hiệu ứng
quang ngoại (external photoelectric effect) và hiệu ứng quang nội (internal
photoelectric effect).
- Hiệu ứng quang ngoại: nghĩa là các điện tử được phóng thích ra khỏi bề
mặt kim loại bằng cách hấp thụ năng lượng từ luồng photon tới.
Photodiode chân không và đèn nhân quang điện (photo-multiplier tube)
dựa vào hiệu ứng này.
- Hiệu ứng quang nội: là quá trình tạo ra các hạt mang điện tự do (điện tử
và lỗ trống) từ các mối nối bán dẫn bằng việc hấp thụ các photon tới. Có
3 linh kiện sử dụng hiện tượng này: photodiode mối nối PN,
photodiode PIN và photodiode thác lũ ADP (Avalanch PhotoDiode).
Ngoài ra còn có phototransistor, nhưng phototransistor có thời gian đáp
ứng chậm nên ít được sử dụng. Nếu có chỉ xuất hiện trong các hệ thống
có cự ly ngắn và tốc độ chậm.
Các linh kiện tách sóng quang hoạt động theo nguyên tắc: mối nối P-N phân cực
ngược.
Khi có năng lượng photon E = hf chiếu vào. Năng lượng này bị hấp thụ và
một electron sẽ vượt qua vùng cấm đi từ vùng hóa trị lên vùng dẫn. Electron này bây
giờ là dạng tự do. Và để lại ở vùng hóa trị một lỗ trống cũng ở dạng tự do. Electron
này sẽ di chuyển xuống vùng hiếm và lỗ trống sẽ di chuyển lên vùng hiếm. Sự di
chuyển này gây nên dòng chảy ở mạch ngoài.

98
 a. Diode được phân cực ngược b. Mỗi nối P-N

c. Sơ đồ mức năng lượng

Hình 4.1. Mối nối P-N phân cực ngược
Mô hình vật lý đơn giản mô tả hoạt động của một photodiode

Hình 4.2. Mô hình vật lý của một photodiode

Số lượng hạt mang điện tạo ra phụ thuộc vào năng lượng photon tới nên quy
luật biến thiên của Iph do cường độ ánh sáng quyết định.

99
 4.1.2. Những thông số cơ bản của linh kiện tách sóng quang
4.1.2.1. Hiệu suất lượng tử
Hiệu suất lượng tử được định nghĩa bằng tỉ số giữa số lượng điện tử được tạo
ra với số photon tới.
𝑠ố 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛 đượ𝑐 𝑡ạ𝑜 𝑟𝑎 𝑛𝑒
𝜂= = (4.1)
𝑠ố 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛 𝑡ớ𝑖 𝑛𝑝
Từ đó suy ra:
𝑟𝑒
𝜂= (4.2)
𝑟𝑝
re: tốc độ photon tới (đơn vị: số photon/ giây)
re: tốc độ electron tương ứng (đơn vị: số electron/ giây)
Một trong những nhân tố chính xác định hiệu số lượng tử là hệ số hấp thụ α0
(absorption coefficient) của vật liệu bán dẫn sử dụng cho photodetector.
Ở một bước sóng xác định, dòng photon Ip được tạo ra bởi ánh sáng tới với
công suất P0 được xác định bởi:
𝑃0 𝑒(1 − 𝑟)
𝐼𝑝 = [1 − 𝑒 −𝛼0 𝑑 ] (4.3)
ℎ𝑓
e: điện tích electron
r: hệ số phản xạ Fresnel ở mặt bán dẫn – không khí
d: độ rộng vùng hấp thụ
Tổng quát, η < 1, vì không phải toàn bộ photon tới được hấp thụ để tạo ra cặp
electron – lỗ trống. η thường được biểu diễn ở dạng phần trăm. Tức là nếu η = 75%,
điều này tương ứng với 75 electron được tạo ra trên 100 photon tới. Cuối cùng, hiệu
suất lượng tử là một hàm bước sóng của photon và do đó khi nói η phải kèm theo
bước sóng.
4.1.2.2. Đáp ứng (Responsivity)
Biểu thức hiệu suất lượng tử không liên quan đến năng lượng photon. Do đó
đáp ứng R thường được sử dụng hơn khi biểu thị đặc trưng chỉ tiêu một
photodetector. Đáp ứng được định nghĩa như sau:
𝐼𝑝
𝑅 = (𝐴/𝑊) (4.4)
𝑃0
Ip: dòng photon ngõ ra, đơn vị là Ampere (A)
P0: công suất quang tới, đơn vị là W
Đáp ứng là một thông số hữu ích, nó cho biết đặc trưng chuyển đổi của detector
(tức là dòng photon trên một đơn vị công suất tới)
Ta biểu diễn R theo η:

100
Ta có: Eg = hf
Do đó tốc độ photon tới rp được xác định:
𝑃0
𝑟𝑝 = (4.5)
ℎ𝑓
P0: công suất quang tới
hf: năng lượng photon
Từ phương trình (4.2) suy ra:
𝑟𝑒 = 𝜂𝑟𝑝 (4.6)
Thay phương trình (4.5) vào (4.6) ta được:
𝑃0
𝑟𝑒 = 𝜂 (4.7)
ℎ𝑓
Do đó dòng photon ra là:
𝜂𝑃0 𝑒
𝐼𝑝 = (4.8)
ℎ𝑓
Do đó phương trình (4.4) được viết lại:
𝐼𝑝 𝜂𝑒
𝑅= = (4.9)
𝑃0 ℎ𝑓
Ta có quan hệ:
𝐶0
𝑓= (4.10)
𝜆
Suy ra:
𝜂𝑒𝜆
𝑅= (4.11)
ℎ𝐶0
Hay:
𝜂𝜆
𝑅= (4.12)
1,24
nếu λ: µm thì R: A/W
-34
h = 6,62.10 Js: hằng số Planck
Nhận xét:
Từ phương trình (4.9) ta thấy R tỷ lệ với η ở một bước sóng cụ thể.

101
 λc: bước sóng cắt (long wavelength cut-off)
Hình 4.3 Đồ thị biểu diễn giữa R và λ của phhotodiode Si
Ví dụ 1
11 11
Khi 3.10 photon có bước sóng 0,85µm tới photodiode, trung bình có 1,2.10
electron được tạo ra. Hãy xác định hiệu suất lượng tử và đáp ứng của photodiode ở
bước sóng 0,85µm.
Giải
𝑛𝑒 1,2. 1011
𝜂= = = 0,4
𝑛𝑝 3. 1011
Như vậy hiệu suất lượng tử của phtodiode ở bước sóng 0,85µm là 40%.
𝜂𝜆 0,4.0,85
𝑅= = = 0,274(𝐴/𝑊)
1,24 1,24
Vậy đáp ứng của phtodiode ở bước sóng 0,85µm là 0,274A/W.
Ví dụ 2
-19
Một photodiode có η = 65% khi các photon có năng lượng 1,5.10 J tới nó.
(a) Photodiode này đang hoạt động ở bước sóng nào?
(b) Tính chất quang tới cần thiết để đạt được dòng photon 2,5 µA khi
photodiode hoạt động ở điều kiện trên.
Giải
(a) Ta có:
ℎ𝐶0
𝐸 = ℎ𝑓 =
𝜆
ℎ𝐶0 6,626. 10−34 . 3. 108
→𝜆= = = 1,32𝜇𝑚
𝐸 1,5. 10−19
Suy ra: photodiode này đang hoạt động ở bước sóng λ = 1,32µm
(b) Ta có
𝐼𝑝 𝜂𝑒 0,65.1,602. 10−19
𝑅= = = = 0,694(𝐴/𝑊)
𝑃0 ℎ𝑓 1,5. 10−19
102
 𝐼𝑝 2,5
→ 𝑃0 = = = 3,6𝜇𝑊
𝑅 0,694
Vậy công suất quang tới đòi hỏi là 3,6µW
Quá trình hấp thụ bên trong mà năng lượng photon tới lớn hơn hoặc bằng Eg
của vật liệu sử dụng để chế tạo photodetector. Do đó
ℎ𝐶0
≥ 𝐸𝑔 (4.13)
𝜆
Suy ra:
ℎ𝐶0
𝜆≤ (4.14)
𝐸𝑔
Đặt
ℎ𝐶0
𝜆𝑐 = (4.15)
𝐸𝑔
λc được gọi là điểm cắt của bước sóng dài (long wavelength cut off point)
Phương trình (4.15) cho phép tính toán bước sóng dài nhất của ánh sáng cho
phép các detector tách sóng quang.
Ví dụ 3
GaAs có Eg = 1,43eV ở 300oK. Hãy xác định ëc
Giải
ℎ𝐶0 1,24
𝜆𝑐 = = = 0,867𝜇𝑚
𝐸𝑔 1,43
Như vậy, photodetector GaAs sẽ không làm việc ở các bước sóng λ >λc =
0,867µm
4.1.2.3. Độ nhạy (Sensitivity)
Độ nhạy là mức công suất quang nhỏ nhất yêu cầu ở đầu thu để đạt được mức
chất lượng cho trước. Thường mức chất lượng có thể là S/N hoặc BER.
Độ nhạy thường ký hiệu là S, có đơn vị đo là dBm.
-9
Ví dụ một máy thu quang có độ nhạy S = -25dBm với BER = 10 có nghĩa là
mức công suất quang cần thiết đến bộ thu phải lớn hơn hoặc bằng -25dBm (chẳng
hạn -20dBm) thì máy thu mới có thể thu và hoạt động với mức chất lượng BER =
-9
10 . Nếu tín hiệu có mức công suất đến máy thu nhỏ hơn -25dBm (chẳng hạn -
-9
30dBm) thì máy thu cũng có thể nhận được nhưng không đảm bảo BER = 10 , BER
-6
có thể lớn hơn như BER = 10 .

103
 4.1.2.4. Dải động (Dynamic Range)
Dải động của một linh kiện thu quang là khoảng chênh lệch giữa mức công
suất cao nhất và mức công suất thấp nhất mà linh kiện có thể thu nhận được trong
một giới hạn tỷ số lỗi nhất định.
Dải động của một linh kiện thu quang được minh họa ở hình 4.4.

Hình 4.4 Linh kiện thu quang hoạt động trong vùng tuyến tính của dải động.
Trong những tuyến truyền dẫn quang cự ly gần có thể dùng thêm bộ suy
hao quang (optical attenuator) để giới hạn mức công suất thu quang trong phạm vi
dải động của linh kiện thu quang.
4.1.2.5. Nhiễu
Trong hệ tống thu quang,nhiễu thường được thể hiện dưới dạng dòng, gọi là
dòng nhiễu. Các nguồn nhiễu:
a. Nhiễu nhiệt
Nhiễu nhiệt là nhiễu gây ra do điện trở tải của diode thu quang cũng như trở
kháng đầu vào của bộ tiền khuếch đại.
Nhiễu nhiệt It phụ thuộc vào nhiệt độ, bề rộng băng nhiễu và điện trở tải theo
công thức:
4. 𝐾. 𝑇
〈𝐼𝑡2 〉 = .𝐵 (4.16)
𝑅
-23
K = 1,38.10 J/oK: hằng số Boltzman
T: nhiệt độ tuyệt đối, oK
B: bề rộng băng, Hz
R: điện trở tải, Ω
b. Nhiễu lượng tử
Nhiễu lượng tử sinh ra do sự biến động ngẫu nhiên năng lượng của các photon
đập vào diode thu quang. Dòng nhiễu lượng tử được xác định theo biểu thức sau:
〈𝐼𝑞2 〉 = 2. 𝑒. 𝑅. 𝑃0 . 𝐵 = 2. 𝑒. 𝐼𝑝 . 𝐵 (4.17)
c. Nhiễu dòng tối

104
 Khi chưa có công suất quang đưa tới photodetector nhưng vẫn có một lượng
dòng điện nhỏ chảy trong mạch. Dòng này được gọi là dòng tối. Nó phân phối đến
nhiễu toàn hệ thống và cho sự dao động ngẫu nhiên. Nhiễu do dòng tối được xác
định:
〈𝐼𝑑2 〉 = 2. 𝑒. 𝐼𝑑 . 𝐵

Id: dòng tối

e: điện tích của electron.
4.2. Linh kiện biến đổi quang - điện bán dẫn
Linh kiện biến đổi quang điện thường được gọi là photodiode hay photodetector
thực hiện chức năng biến đổi công suất quang vào thành dòng điện ngõ ra.
4.2.1 Photodiode P-N
Photodiodde P-N là mối nối P-N hoạt động ở chế độ dòng phân cực ngược,
được minh họa như hình 4.5. Ánh sáng tới phải lọt vào vùng hiếm của mối nối P-
N. Ánh sáng này sẽ được hấp thụ trong vùng hiếm và phân phối năng lượng cho vật
liệu. Nếu năng lượng hấp thụ đủ lớn, một cặp điển tử -lỗ trống được tạo ra. Sự phân
cực ngược mối nối P-N tạo ra một điện trường lớn trên vùng hiếm, điện trường này
sẽ làm cho cặp điện tử-lỗ trống này di chuyển ra khỏi vùng hiếm và ra mạch ngoài
tạo thành dòng điện. Dòng điện này say khi qua điện trở tải RL để chuyển thành điện
ápVout. Tín hiệu này sẽ được qua các tần tiếp theo để xử lý.
Số lượng cặp điện tử-lỗ trống được tạo ra trong một giây phụ thuộc tuyến tính
với công suất trường ánh sáng tới, do đó cường độ dòng điện ở mạch ngoài tỉ lệ với
công suất ánh sáng tới.

Hình 4.5 Sơ đồ photodiode P-N

4.2.2 Photodiode PIN
Cấu tạo của diode PIN gồm ba lớp bán dẫn, trong đó lớp I (Intrinsic) là lớp bán
dẫn không pha tạp chất hoặc pha tạp chất rất ít nên không có điện tử tự do nên có

105
diện trở rất lớn. Và lớp này nằm giữa hai lớp P và N. Lớp I đóng vai trò giống vùng
hiếm trong mối nối P-N nhưng có chiều dài lớn hơn nhằm tăng hiệu suất hấp thụ
photon tới.

Hình 4.6 Cấu trúc PIN gồm ba lớp: “P-type” - “I-Intrinsic” - “N-type”
Bởi vì lớp I rất rộng nên xác suất tiếp nhận photon ở lớp này cao hơn và do đó
sự hấp thụ photon ở lớp này nhiều hơn so với hai lớp P và N. Như vậy khi lớp I càng
dày thì hiệu suất lượng tử càng cao. Tuy nhiên khi đó thời gian trôi của điện tử lớn
nên làm giảm khả năng hoạt động tốc độ cao của PIN.

Hình 4.7 Sự phân bố năng lượng điện trường trong các lớp bán dẫn của PIN
Cấu tạo bên trong của PIN:

Hình 4.8 Cấu tạo bên trong của PIN

Khả năng thâm nhập ánh sáng phụ thuộc vào bề dày lớp P. Ánh sáng có bước
sóng càng dài càng dễ thâm nhập vào bán dẫn.

106
 4.2.3 Photodiode APD
APD là bộ tách sóng mối nối bán dẫn, có độ lợi nội (internal gain) và độ lợi
nội này làm tăng đáp ứng so với PN photodiode hay PIN photodiode.
Người ta chế tạo ADP gồm bốn lớp: P+ π P N+

Hình 4.9 Cấu trúc bán dẫn của APD

- P+ N+ là hai lớp bán dẫn có nồng độ tạp chất cao, nên điện trở của hai
vùng này nhỏ, do đó áp rơi rất nhỏ.
- π là vùng có nồng độ tạp chất rất ít và gần như tinh khiết. Nó giống như
lớp I của PIN. Hầu như tất cả các photon bị hấp thu trong vùng này, và
tạo ra các cặp lỗ trống - điện tử tự do.

Hình 4.10 Sự phân bố năng lượng điện trường trong các lớp bán dẫn
Sự nhân dòng theo cơ chế thác lũ diễn ra như sau:
- Dưới tác dụng của nguồn phân cực ngược, sự phân bố cường độ điện
trường trong các lớp bán dẫn như hình 4.16. Trong đó trường vùng tiếp
giáp PN+ cao nhất, quá trình nhân điện tử xảy ra ở vùng này. Vùng này
còn được gọi là vùng “thác lũ”.
- Khi có ánh sáng chiếu vào, các photon bị hấp thụ trong lớp π, tạo các cặp
e-p (electron-lỗ trống). Dưới sự định hướng của điện trường ngoài, các lỗ
trống di chuyển về phía P+ (nối cực âm của nguồn) còn các điện tử di
chuyển về phía tiếp giáp PN+. Điện trường cao trong vùng tiếp giáp PN+
sẽ tăng tốc cho điện tử. Khi những điện tử này đập vào các nguyên tử
tinh thể bàn dẫn tạo ra thêm các cặp điện tử và lỗ trống mới. Những hạt
107
 mang điện mới này được gọi là những hạt mang điện thứ cấp (secondary
charge). Những hạt mang điện thứ cấp này bản thân nó được tăng tốc và
tạo ra nhiều hạn mang điện thứ cấp khác. Quá trình cứ tiếp diễn và số
lượng hạt mang điện được tạo ra rất nhiều. Quá trình này được gọi là
quá trình nhân thác lũ.
Lực tăng tốc phải đủ mạnh, và đạt được điều này khi áp phân cực ngược lớn,
có khi lên đến vài trăm volt. Với áp phân cực ngược vd, hệ số nhân thác lũ tương ứng
với vd gần bằng:
1
𝑀= (4.24)
1 − (𝑣𝑑 /𝑉𝐵𝑅 )𝑛
Với VBR là áp đánh thủng phân cực ngược của diode. VBR = 20 ÷ 500V
n là thông số được xác định theo thực nghiệm n >1.
Dòng được tạo ra của ADP với hệ số nhân M (M còn được gọi là độ lợi):
𝑀𝜂𝑒𝑃0 𝑀𝜂𝑒𝜆𝑃0
𝐼𝑝 = = (4.25)
ℎ𝑓 ℎ𝐶0
hệ suất lượng tử khi M = 1.
Từ đây suy ra:
𝐼𝑝 𝑀𝜂𝑒𝜆 𝑀𝜂𝑒
𝑅= = = (4.26)
𝑃0 ℎ𝐶0 ℎ𝑓
Giá trị điển hình của R = 20 ÷ 80 A/W
M của ADP phụ thuộc vào nhiệt độ, thường M giảm khi nhiệt độ tăng
Đồng thời M cũng thay đổi khi áp phân cực ngược thay đổi.

Hình 4.11 Hệ số nhân M thay đổi theo nhiệt độ và áp phân cực ngược
Nguyên nhân: đường đi trung bình tự do giữa những lần va chạm sẽ nhỏ hơn
khi nhiệt độ cao hơn. Những hạt mang điện không có cơ hội đạt được vận tốc cao cần
thiết để tạo ra những hạt thứ cấp.

108
 4.3. Đặc tính kỹ thuật của Photodiode
4.3.1. Độ nhạy
Độ nhạy đã được định nghĩa ở mục trên. Theo nguyên lý hoạt động của PIN
và APD thì ADP nhạy hơn PIN. Độ nhạy của ADP lớn hơn PIN từ 5 đến 15 dB.
Tuy nhiên nếu dùng PIN-FET thì độ nhạy của PIN-FET và ADP là xấp xỉ
nhau. Bảng dưới đây trình bày độ nhạy của một số linh kiện ở các bước sóng hoạt
động:
Loại
Vật liệu λ(nm) S(dBm)
photodiode
Si 800÷900 -55
ADP Ge 1300÷1550 -54
InGaAs 1300÷1550 -57
Si 800÷900 -50
PIN-FET
InGaAs 1300÷1550 -54
4.3.2. Hiệu suất lượng tử
Theo định nghĩa hiệu suất lượng tử thì đại lượng này thường có giá trị nhỏ
hơn 1. Tuy nhiên, trong APD có cơ chế thác lũ, vì vậy hiệu suất lượng tử của APD
được nhân lên M lần.
PIN ADP
η Mη
4.3.3. Đáp ứng
Vì có cơ chế thác lũ trong APD nên đáp ứng R của APD rất cao, và cao hơn
đáp ứng của PIN hàng trăm lần.
PIN ADP
𝐼𝑝 𝜂𝑒𝜆 𝜂𝑒 𝐼𝑝 𝑀𝜂𝑒𝜆 𝑀𝜂𝑒
𝑅= = = 𝑅= = =
𝑃0 ℎ𝐶0 ℎ𝑓 𝑃0 ℎ𝐶0 ℎ𝑓
Giá trị điển hình: Giá trị điển hình:
R= 0,5÷0,7 A/W R= 20÷80 A/W
4.3.4. Dải động
Dải đông của ADP rộng hơn PIN. Cụ thể: đoạn tuyến tính của ADP có mức
công suất quang thay đổi từ vài phần nW đến vài µW (tức dải động thay đổi với hệ
số >1000), còn PIN có dải động với hệ số  100.

109
 4.3.5. Dòng tối
Dòng tối là nhiễu do linh kiên kiện tách sóng quang tạo ra. Do APD có cơ chế
nhân thác lũ nên dòng tối của APD cũng được nhân lên. Vì vậy dòng nhiễu của APD
lớn hơn so với PIN rất nhiều.
PIN ADP
- Id có đổi từ vài phần
nA đến vài trăm nA
- Si có dòng tối nhỏ nhất, - Id lớn hơn
InGaAs lớn nhơn và Ge có
Id max
4.3.6. Độ ổn định
Vì hệ số nhân thác lũ của APD phụ thuộc vào nhiệt độ và điện áp phân cực
ngược nên độ ổn định của APD kén hơn PIN rất nhiều.
PIN ADP
- Hệ số nhân M thay đổi
- Ít nhạy với nhiệt độ theo nhiệt độ và áp phân
cực ngược
4.3.7. Điện áp phân cực
Để APD có thể hoạt động được thì ápphân cực ngược cho APD rất cao.
PIN ADP
- Áp phân cực thấp - Áp phân cực cao, lên đến
thường ≤ 20V vài trăm volt
NỘI DUNG TÓM TẮT CHƯƠNG 4
1. Photodiode P-N
Photodiodde P-N là mối nối P-N hoạt động ở chế độ dòng phân cực ngược,
được. Ánh sáng tới phải lọt vào vùng hiếm của mối nối P-N. Ánh sáng này sẽ được
hấp thụ trong vùng hiếm và phân phối năng lượng cho vật liệu. Nếu năng lượng hấp
thụ đủ lớn, một cặp điển tử -lỗ trống được tạo ra. Sự phân cực ngược mối nối P-N
tạo ra một điện trường lớn trên vùng hiếm, điện trường này sẽ làm cho cặp điện tử-
lỗ trống này di chuyển ra khỏi vùng hiếm và ra mạch ngoài tạo thành dòng điện.
2. Photodiode PIN
Cấu tạo của diode PIN gồm ba lớp bán dẫn, trong đó lớp I (Intrinsic) là lớp bán
dẫn không pha tạp chất hoặc pha tạp chất rất ít nên không có điện tử tự do nên có
diện trở rất lớn. Và lớp này nằm giữa hai lớp P và N. Lớp I đóng vai trò giống vùng
hiếm trong mối nối P-N nhưng có chiều dài lớn hơn nhằm tăng hiệu suất hấp thụ

110
photon tới. Bởi vì lớp I rất rộng nên xác suất tiếp nhận photon ở lớp này cao hơn và
do đó sự hấp thụ photon ở lớp này nhiều hơn so với hai lớp P và N.
3. Photodiode APD
APD là bộ tách sóng mối nối bán dẫn, có độ lợi nội (internal gain) và độ lợi
nội này làm tăng đáp ứng so với PN photodiode hay PIN photodiode.
Người ta chế tạo ADP gồm bốn lớp: P+ π P N+
- P+ N+ là hai lớp bán dẫn có nồng độ tạp chất cao, nên điện trở của hai
vùng này nhỏ, do đó áp rơi rất nhỏ.
- π là vùng có nồng độ tạp chất rất ít và gần như tinh khiết. Nó giống như
lớp I của PIN. Hầu như tất cả các photon bị hấp thu trong vùng này, và
tạo ra các cặp lỗ trống - điện tử tự do.
Sự nhân dòng theo cơ chế thác lũ diễn ra như sau:
Khi có ánh sáng chiếu vào, các photon bị hấp thụ trong lớp π, tạo các cặp e-p
(electron-lỗ trống). Dưới sự định hướng của điện trường ngoài, các lỗ trống di chuyển
về phía P+ (nối cực âm của nguồn) còn các điện tử di chuyển về phía tiếp giáp PN+.
Điện trường cao trong vùng tiếp giáp PN+ sẽ tăng tốc cho điện tử. Khi những điện
tử này đập vào các nguyên tử tinh thể bàn dẫn tạo ra thêm các cặp điện tử và lỗ trống
mới. Những hạt mang điện mới này được gọi là những hạt mang điện thứ cấp
(secondary charge). Những hạt mang điện thứ cấp này bản thân nó được tăng tốc và
tạo ra nhiều hạn mang điện thứ cấp khác. Quá trình cứ tiếp diễn và số lượng hạt
mang điện được tạo ra rất nhiều. Quá trình này được gọi là quá trình nhân thác lũ.
4. Đặc tính kỹ thuật của Photodiode
- Độ nhạy
- Hiệu suất lượng tử
𝑠ố 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛 đượ𝑐 𝑡ạ𝑜 𝑟𝑎 𝑛𝑒
𝜂= =
𝑠ố 𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛 𝑡ớ𝑖 𝑛𝑝
PIN ADP
η Mη
- Đáp ứng
PIN ADP
𝐼𝑝 𝜂𝑒𝜆 𝜂𝑒 𝐼𝑝 𝑀𝜂𝑒𝜆 𝑀𝜂𝑒
𝑅= = = 𝑅= = =
𝑃0 ℎ𝐶0 ℎ𝑓 𝑃0 ℎ𝐶0 ℎ𝑓
Giá trị điển hình: Giá trị điển hình:
R= 0,5÷0,7 A/W R= 20÷80 A/W

111
 - Dòng tối
- Độ ổn định
- Điện áp phân cực
CÂU HỎI HƯỚNG DẪN ÔN TẬP CHƯƠNG
4.1. Photodiode PIN trung bình tạo ra 1 cặp lỗ trống – electron trên 3 photon
tới ở bước sóng 0,8μm. Giả sử tất cả các electron này đều nhu nhận được. Tính:
(a) Hiệu suất lượng tử của linh kiện;
(b) Năng lượng vùng cấm cực đại có thể của PIN;
(c) Dòng photon trung bình ở ngõ ra khi thu được công suất quang 10-7W.
4.2. Một photodiode p-n có hiệu suất lượng tử 50% ở bước sóng 0,9μm.
Tính:
(a) Đáp ứng của linh kiện ở bước sóng 0,9μm;
(b) Công suất quang đã thu được nếu dòng photon trung bình là 10-6A.
(c) Số photon thu được tương ứng với bước sóng này.
4.3. Khi 800 photon/s tới photodiode PIN đang hoạt động ở bước 1,3μm,
chúng tạo ra trung bình 550 electron/s. Tính đáp ứng của linh kiện.
4.4. Một APD có hệ số nhân thác lũ là 20 hoạt động ở bước sóng 1,5μm.
Tính hiệu suất lượng tử và dòng photon ngõ ra của APD nếu đáp ứng của linh kiện
ở bước sóng này là 0,6A/W và 1010 photon/s ở bước sóng này tới linh kiện.
4.5. Cho trước các thông số của APD. Tính hệ số nhân thác lũ.
Công suất quang thu được ở bước sóng 1,35μm = 0,2 μW
Dòng photon ngõ ra (sau khi có độ lợi của cơ chế nhân thác lũ) = 4,9 μA
Hiệu suất lượng tử ở bước sóng 1,35μm = 40%
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN
4.6. Một APD có hiệu suất lượng tử 45% ở 0,85μW. Khi thử nghiệm phát
xạ ở bước sóng này, nó tạo ra dòng photon 10μA (sau độ lới thác lũ) với hệ số nhân
250. Tính công suất quang thu được của linh kiện. Có bao nhiêu photon đến trong
một giây?
4.7. Một photodiode silicon có đáp ứng 0,5 A/W ở bước sóng 850nm.
Xác định công suất quang tối thiểu cần thiết tới photodidoe ở bước sóng này để duy
trì BER = 10-7, giả sử t1n hiệu nhị phân là lý tưởng và có tốc độ 35Mbit/s.
4.8. Một photodiode PIN silicon có hiệu suất lượng tử 65% ở bước sóng
800nm. Xác định:
(a) dòng photon trung bình khi công suất quang 5μW có bước sóng 800nm
tới bộ tách sóng;

112
 (b) dòng nhiễu lượng tử hiệu dụng rms với băng thông sau bộ tách sóng là
20MHz;
(c) SNR theo dB khi dòng photon trung bình là dòng tín hiệu.
4.9. Photodiode ở bài 4.8 có điện dung 8pF. Tính:
(a) điện trở tải tối thiểu tương ứng với băng thông sau bộ tách sóng là 20MHz;
(b) dòng nhiễu nhiệt hiệu dụng rms trong điện trở trên ở nhiệt độ 250C;
(c) SNR (theo dB) khi dòng tối của photodiode là 1 nA.
4.10. Photodiode ở bài tập 4.8 và 4.9 được sử dụng ở bộ thu với bộ khuếch
đại có hệ số nhiễu 2dB và điện dung ngõ vào là 7pF. Xác định:
(a) Điện trở ngõ vào cực đại của bộ khuếch đại để duy trì băng thông sau bộ
tách sóng là 20MHz (không có cân bằng);
(b) Công suất quang tối thiểu cần thiết tới bộ thu để được SNR = 50dB.

113
 CHƯƠNG 5: KHUẾCH ĐẠI QUANG
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG
Chương này tìm hiểu nguyên lý hoạt động của các loại khuếch đại quang, tính
năng và các ứng dụng của chúng trong mạng truyền dẫn quang.
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT
5.1. Tổng quan về khuếch đại quang
5.1.1. Giới thiệu về khuếch đại quang
Suy hao của sợi quang là nguyên nhân giới hạn cự ly truyền của các hệ thống
thông tin quang. Đối với các hệ thống truyền dẫn quang cự ly dài, giới hạn về suy hao
được khắc phục bằng cách sử dụng các trạm lặp quang điện (optoelectronic repeater).
Trong các trạm lặp quang điện này (xem hình 5.1), quá trình khuếch đại tín hiệu quang
được thực hiện qua nhiều bước. Đầu tiên, tín hiệu quang sẽ được biến đổi thành dòng
điện bởi các bộ thu quang (optical receiver) sử dụng linh kiện tách sóng quang như
PIN hay APD. Dòng quang điện thu được sẽ được tái tạo lại dạng xung, định thời và
khuếch đại bởi các mạch phục hồi tín hiệu và mạch khuếch đại. Sau đó, tín hiệu điện
sẽ được biến đổi thành tín hiệu quang thông qua các nguồn quang trong bộ phát quang
(optical transmitter) và được truyền đi trong sợi quang. Như vậy, quá trình khuếch
đại tín hiệu được thực hiện trên miền điện.

Hình 5.1 Cấu trúc của một trạm lặp quang điện (optoelectronic repeater)
Các trạm lặp quang điện đã được sử dụng phổ biến trong các hệ thống truyền
dẫn quang một bước sóng như hệ thống truyền dẫn quang SDH. Tuy nhiên, khi sử
dụng cho các hệ thống truyền dẫn quang đa bước sóng như hệ thống WDM, rất nhiều
trạm lặp quang điện cần được sử dụng để khuếch đại và tái tạo các kênh quang có
bước sóng khác nhau. Điều này làm tăng độ phức tạp cũng như tăng giá thành của hệ
thống truyền dẫn quang WDM.

114
 Một giải pháp có thể khắc phục các nhược điểm trên của trạm lặp quang điện,
đó là sử dụng các bộ khuếch đại quang (Optical Amplifier). Trong các bộ khuếch đại
quang này, tín hiệu ánh sáng được khuếch đại trực tiếp trong miền quang mà không
thông qua việc biến đổi sang miền điện. So với các trạm lặp, các bộ khuếch đại quang
có các ưu điểm sau:
- Khuếch đại trực tiếp tín hiệu quang, không có mạch tái tạo thời gian hay mạch
phục hồi (bộ biến đổi E/O hoặc O/E). Do đó khuếch đại quang sẽ trở nên linh hoạt hơn.
- Không phụ thuộc vào tốc độ bit và phương thức điều chế tín hiệu nên nâng cấp
hệ thống đơn giản hơn.
- Khuếch đại nhiều tín hiệu có bước sóng khác nhau cùng truyền trên một sợi
quang.
5.1.2. Nguyên lý khuếch đại quang
Nguyên lý khuếch đại quang trong các bộ khuếch đại quang được thực hiện dựa
trên hiện tượng phát xạ kích thích và không có sự cộng hưởng xảy ra trong quá trình
khuếch đại
Hiện tượng phát xạ kích thích (stimulated emission) là một trong ba hiện tượng
biến đổi quang điện được ứng dụng trong thông tin quang. Các hiện tượng này được
minh họa trên hình 5.2.

(a) (b) (c)

Hình 5.2 Các hiện tượng biến đổi quang điện (a) Hấp thụ (b). Phát xạ tự phát
(c). Phát xạ kích thích
Hiện tượng phát xạ kích thích, hình 5.2.c, xảy ra khi một điện tử đang ở trạng
thái năng lượng cao E2 bị kích thích bởi một photon có năng lượng hv12 bằng với độ
chênh lệch năng lượng giữa trạng thái năng lượng cao và trạng thái năng lượng thấp
của điện tử (Eg= E2 – E1). Khi đó, điện tử sẽ chuyển từ trạng thái năng lượng cao
xuống trạng thái năng lượng thấp hơn và tạo ra một photon có năng lượng bằng với
năng lượng của photon kích thích ban đầu. Như vậy, từ một photon ban đầu sau khi
khi xảy ra hiện tượng phát xạ kích thích sẽ tạo ra hai photon (photon ban đầu và photon
mới được tạo ra) có cùng phương truyền, cùng phân cực, cùng pha và cùng tần số (tính
kết hợp, coherent, của ánh sáng). Hay nói cách khác, quá trình khuếch đại ánh sáng
được thực hiện. Hiện tượng này được ứng dụng trong các bộ khuếch đại quang bán
dẫn (OSA) và khuếch đại quang sợi (OFA).

115
 Hiện tượng phát xạ kích thích cũng được ứng dụng trong việc chế tạo laser. Tuy
nhiên, điểm khác biệt chính giữa laser và các bộ khuếch đại quang là trong các bộ
khuếch đại quang không xảy hiện tượng hồi tiếp và cộng hưởng. Vì nếu xảy ra quá trình
hồi tiếp và cộng hưởng như trong laser, bộ khuếch đại quang sẽ tạo ra các ánh sáng kết
hợp của riêng nó cho dù không có tín hiệu quang ở ngõ vào. Nguồn ánh sáng này
được xem là nhiễu xảy ra trong bộ khuếch đại. Do vậy, khuếch đại quang có thể làm
tăng công suất tín hiệu ánh sáng được đưa vào ngõ vào bộ khuếch đại nhưng không
tạo ra tín hiệu quang kết hợp của riêng nó ở ngõ ra.
Hiện tượng hấp thụ (absorption), hình 5.2(a), xảy ra khi một photon có năng lượng
hf12 bị hấp thụ bởi một điện tử ở trạng thái năng lượng thấp. Quá trình này chỉ xảy ra
khi năng lượng hf12 của photon bằng với độ chênh lệch năng lượng giữa trạng thái
năng lượng cao và trạng thái năng lượng thấp của điện tử (Eg = E2 – E1). Khi xảy ra
hiện tượng hấp thụ, điện tử sẽ nhận năng lượng từ photon và chuyển lên trạng thái
năng lượng cao. Hay nói cách khác, hiện tượng hấp thụ là nguyên nhân gây suy hao
cho tín hiệu quang khi đi qua bộ khuếch đại quang. Quá trình này xảy ra đồng thời với
hai hiện tượng phát xạ tự phát và phát xạ kích thích trong môi trường tích cực
(active medium) của bộ khuếch đại.
Hiện tượng phát xạ tự phát (spontaneous emission), hình 5.2(b), xảy ra khi một
điện tử chuyển trạng thái năng lượng từ mức năng lượng cao E2 xuống mức năng lượng
thấp E1 và phát ra một năng lượng Eg= E2 – E1 dưới dạng một photon ánh sáng. Quá
trình này xảy ra một cách tự nhiên vì trạng thái năng lượng cao E2 không phải là trạng
thái năng lượng bền vững của điện tử. Sau một khoảng thời gian được gọi là thời gian
sống (life time) của điện tử ở mức năng lượng cao, các điện tử sẽ tự động chuyển về
trạng thái năng lượng thấp hơn (trạng thái năng lượng bền vững). Tùy theo loại vật
liệu khác nhau, thời gian sống của điện tử sẽ khác nhau.
Cho dù hiện tượng phát xạ tự phát tạo ra photon ánh sáng, nhưng trong khuếch
đại quang, phát xạ tự phát không tạo ra độ lợi khuếch đại. Nguyên nhân là do hiện tượng
này xảy ra một cách tự phát không phụ thuộc vào tín hiệu ánh sáng đưa vào bộ khuếch
đại. Nếu không có ánh sáng tín hiệu đưa vào, vẫn có năng lượng ánh sáng được tạo ra
ở ngõ ra của bộ khuếch đại. Ngoài ra, ánh sáng do phát xạ tự phát tạo ra không có tính
kết hợp như hiện tượng phát xạ kích thích. Do vậy, phát xạ tự phát được xem là nguyên
nhân chính gây nhiễu trong các bộ khuếch đại quang.
5.1.3. Phân loại khuếch đại quang
Tổng quát, cấu tạo của một bộ khuếch đại quang có thể được biểu diễn như hình
5.3.

116
 Hình 5.3 Mô hình tổng quát của một bộ khuếch đại quang
Trong một bộ khuếch đại quang, quá trình khuếch đại ánh sáng được diễn ra
trong trong một môi trường được gọi vùng tích cực (active medium). Các tín hiệu
quang được khuếch đại trong vùng tích cực với độ lợi lớn hay nhỏ tùy thuộc vào năng
lượng được cung cấp từ một nguồn bên ngoài gọi chung là nguồn bơm (Pump Source).
Các nguồn bơm này có tính chất như thế nào tùy thuộc vào loại khuếch đại quang hay
nói cách khác phụ thuộc vào cấu tạo của vùng tích cực. Tùy theo cấu tạo của vùng tích
cực, có thể chia khuếch đại quang thành hai loại chính:
Khuếch đại quang bán dẫn SOA (Optical Semiconductor Amplifier):
- Vùng tích cực được cấu tạo bằng vật liệu bán dẫn.
- Cấu trúc của vùng tích cực của SOA tương tự như vùng tích cực của laser bán
dẫn. Điểm khác biệt chính giữa SOA và laser là SOA hoạt động ở trạng thái dưới
mức ngưỡng phát xạ.
- Nguồn cung cấp năng lượng để khuếch đại tín hiệu quang là dòng điện Khuếch
đại quang sợi OFA (Optical Fiber Amplifier):
- Vùng tích cực là sợi quang được pha đất hiếm. Do đó, OFA còn được gọi là
DFA (Doped-Fiber Amplifier)
- Nguồn bơm là năng lượng ánh sáng được cung cấp bởi các laser có bước sóng
phát quang nhỏ hơn bước sóng của tín hiệu cần khuếch đại.
- Tùy theo loại đất hiếm được pha trong lõi của sợi quang, bước sóng bơm của
nguồn bơm và vùng ánh sáng được khuếch đại của OFA sẽ thay đổi. Một số loại OFA
tiêu biểu:
+ EDFA (Erbium-Doped Fiber Amplifier): 1530nm – 1565nm
+ PDFA (Praseodymium-Doped Fiber Amplifier): 1280nm – 1340nm
+ TDFA (Thulium-Doped Fiber Amplifier): 1440nm -1520nm
+ NDFA (Neodymium-Doped Fiber Amplifier): 900nm, 1065nm hoặc 1400nm
Trong các loại OFA này, EDFA được sử dụng phổ biến hiện nay vì có nhiều ưu
điểm về đặc tính kỹ thuật so với SOA và có vùng ánh sáng khuếch đại (1530nm-
1565nm) thích hợp với dải tần hoạt động của hệ thống ghép kênh theo bước sóng mật
độ cao DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing).
117
 Cả hai loại khuếch đại quang SOA và EDFA đều hoạt động dựa trên hiện tượng
phát xạ kích thích. Ngoài ra, một loại khuếch đại quang khác cũng được sử dụng nhiều
trong các hệ thống WDM hiện nay là khuếch đại Raman. Loại khuếch đại này cũng sử
dụng sợi quang làm vùng tích cực để khuếch đại ánh sáng. Tuy nhiên, nguyên lý khuếch
đại của khuếch đại Raman dựa trên ảnh hưởng phi tuyến của sợi quang (hiện tượng tán
xạ Raman được kích thích SRS, Stimulated Raman Scattering) hơn là hiện tượng phát
xạ kích thích.
5.1.4. Các thông số kỹ thuật của khuếch đại quang
5.1.4.1. Độ lợi (Gain)
Độ lợi của một bộ khuếch đại quang là tỷ số giữa công suất quang ở ngõ ra chia
cho công suất quang ở ngõ vào.
𝑃𝑜𝑢𝑡
𝐺= (5.1)
𝑃𝑖𝑛
𝑃𝑜𝑢𝑡
𝐺 (𝑑𝐵 ) = 10 log ( ) (5.2)
𝑃𝑖𝑛
Trong đó:
G: Độ lợi tín hiệu của bộ khuếch đại quang
Pin, Pout: công suất tín hiệu ánh sáng ở ngõ vào và ngõ ra của bộ khuếch đại quang
(mW).
Độ lợi là một thông số quan trọng của bộ khuếch đại. Nó đặc trưng cho khả năng
khuếch đại công suất ánh sáng của bộ khuếch đại. Tuy vậy, độ lợi của một bộ khuếch
đại bị giới hạn bởi các cơ chế bão hòa độ lợi. Điều này làm giới hạn công suất quang ra
cực đại của bộ khuếch đại.
5.1.4.2. Băng thông độ lợi (Gain Bandwidth)
Độ lợi của bộ khuếch đại quang không bằng nhau cho tất cả các tần số của tín
hiệu quang vào. Nếu đo độ lợi G của các tín hiệu quang với các tần số khác nhau, một
đáp ứng tần số quang của bộ khuếch đại G(f) sẽ đạt được. Đây chính là phổ độ lợi của
bộ khuếch đại quang.
Băng thông độ lợi của bộ khuếch đại quang Bo được xác định bởi điểm -3dB so
với độ lợi đỉnh của bộ khuếch đại. Giá trị Bo xác định băng thông của các tín hiệu có
thể được truyền bởi một bộ khuếch đại quang. Do đó, ảnh hưởng đến hoạt động của
các hệ thống thông tin quang khi sử dụng chúng như các bộ lặp hay bộ tiền khuếch đại.
5.1.4.3. Công suất ngõ ra bão hòa
Khi hoạt động ở chế độ tín hiệu nhỏ, công suất quang ở ngõ ra sẽ tăng tuyến tính
với công suất quang ở ngõ vào theo hệ số độ lợi G: Pout = G.Pin. Tuy nhiên, công suất
ngõ ra không thể tăng mãi được. Bằng thực nghiệm, người ta thấy rằng trong tất cả các
bộ khuếch đại quang, khi công suất ngõ vào Pin tăng đến một mức nào đó, độ lợi G

118
bắt đầu giảm. Kết quả là công suất ở ngõ ra không còn tăng tuyến tính với tính hiệu
ngõ ra nữa mà đạt trạng thái bảo hòa. Sự thay đổi của tín hiệu quang ngõ ra so với công
suất quang ngõ vào ở được minh họa trong hình 5.4.a.

(a) (b)
Hình 5.4 a) Công suất ngõ ra theo công suất ngõ vào b) Độ lợi khuếch đại theo
công suất quang ngõ ra
Hình 5.4-b biểu diễn sự biến đổi của độ lợi tín hiệu G theo công suất quang ngõ
ra Pout. Công suất ở ngõ ra tại điểm độ lợi giảm đi 3 dB được gọi là công suất ra bảo
hòa Psat, out.
Công suất ra bảo hòa Psat, out của một bộ khuếch đại quang cho biết công suất
ngõ ra lớn nhất mà bộ khuếch đại quang đó có thể hoạt động được. Thông thường, một
bộ khuếch đại quang có độ lợi cao sẽ có công suất ra bão hòa cao bởi vì sự nghịch đảo
nồng độ cao có thể được duy trì trong một dải công suất vào và ra rộng.
5.1.4.4. Hệ số nhiễu (Noise Figure)
Giống như các bộ khuếch đại điện, các bộ khuếch đại quang đều tạo ra nhiễu.
Nguồn nhiễu chính trong các bộ khuếch đại quang là do phát xạ tự phát. Vì sự phát xạ
tự phát là các sự kiện ngẫu nhiên, pha của các photon phát xạ tự phát cũng ngẫu nhiên.
Nếu photon phát xạ tự phát có hướng gần với hướng truyền của các photon tín hiệu,
chúng sẽ tương tác với các photon tín hiệu gây nên sự dao động về pha và biên độ.
Bên cạnh đó, năng lượng do phát xạ tự phát tạo ra cũng sẽ được khuếch đại khi chúng
truyền qua bộ khuếch đại về phía ngõ ra. Do đó, tại ngõ ra của bộ khuếch đại công suất
quang thu được Pout bao gồm cả công suất tín hiệu được khuếch đại và công suất
nhiễu phát xạ tự phát được khuếch đại ASE (Amplified Spontaneous Emission).
𝑃𝑜𝑢𝑡 = 𝐺. 𝑃𝑖𝑛 + 𝑃𝐴𝑆𝐸 (5.3)
Ảnh hưởng của nhiễu đối với bộ khuếch quang được biểu diễn bởi hệ số nhiễu NF
(Noise Figure), mô tả sự suy giảm tỷ số tín hiệu trên nhiễu SNR (Signal to Noise Ratio)
do nhiễu của bộ khuếch đại thêm vào. Hệ số NF được cho bởi công thức sau:
𝑆𝑁𝑅𝑖𝑛
𝑁𝐹 = (5.4)
𝑆𝑁𝑅𝑜𝑢𝑡
Trong đó, SNRin, SNRout là tỷ số tín hiệu trên nhiễu tại ngõ vào và ngõ ra của
bộ khuếch đại
119
 Hệ số nhiễu NF của bộ khuếch đại càng nhỏ thì càng tốt. Giá trị nhỏ nhất của
NF có thể đạt được là 3dB. Những bộ khuếch đại thỏa mãn hệ số nhiễu tối thiếu này
được gọi là đang hoạt động ở giới hạn lượng tử.
Ngoài bốn thông số kỹ thuật chính được nêu ở trên, các bộ khuếch đại quang
còn được đánh giá dựa trên các thông số sau:
- Độ nhạy phân cực (Polarization sensitivity) là sự phụ thuộc của độ lợi của bộ
khuếch đại vào phân cực của tín hiệu
- Ảnh hưởng của nhiệt độ đối với độ lợi và băng thông độ lợi
- Xuyên nhiễu (crosstalk)
5.4.5. Ứng dụng của khuếch đại quang
Khuếch đại quang được ứng dụng trong các các hệ thống truyền dẫn quang như
các bộ khuếch đại nhằm làm tăng công suất của tín hiệu quang trên đường truyền, khắc
phục suy hao do sợi quang và các mối hàn, nối xảy ra trên đường truyền. Tùy theo vị
trí lắp đặt, các bộ khuếch đại trên tuyến truyền dẫn quang được chia làm ba loại:
Khuếch đại công suất (Booster Amplifier): là bộ khuếch đại quang được đặt ngay
sau thiết bị phát nhằm mục đích làm tăng công suất tín hiệu quang đến mức cao nhất
để làm cho khoảng cách truyền cực đại. Yêu cầu của các bộ khuếch đại công suất là
tạo ra công suất đầu ra cực đại chứ không phải độ lợi cực đại vì công suất tín hiệu ngõ
vào lớn.
Khuếch đại đường dây (In-line Amplifier): là các bộ khuếch đại quang được đặt
trên tuyến quang nhằm mục đích bù mất mát công suất gây ra bởi suy hao sợi, suy hao
do kết nối và suy hao do việc phân phối tín hiệu quang trong mạng. Các bộ khuếch đại
đường dây có thể được lắp đặt nối tiếp nhau trên đường truyền để gia tăng khoảng
cách lắp đặt. Tuy nhiên, việc lắp đặt nối tiếp các bộ khuếch đại quang sẽ làm giảm hệ
số SNR ảnh hưởng đến chất lượng của hệ thống truyền dẫn quang. Yêu cầu của bộ
khuếch đại đường dây là độ ổn định trên toàn bộ dải thông của hệ thống WDM, giữ
nhiễu ở mức cực tiểu và thực hiện việc trao đổi tốt tín hiệu quang với sợi quang truyền
dẫn.
Tiền khuếch đại (Preamplifier): là các bộ khuếch đại quang được đặt ngay trước
thiết bị thu quang nhằm khuếch đại tín hiệu ngay trước khi tín hiệu được đưa vào thiết
bị. Điều này làm giảm yêu nghiêm ngặt của độ nhạy thiết bị thu và cho phép hệ thống
truyền dẫn quang hoạt động với tốc độ bit cao hơn. Do vị trí lắp đặt, các bộ tiền khuếch
đại hoạt động với công suất tín hiệu vào yếu và mức nhiễu ở đầu thu cao. Do vậy, yêu
cầu của một bộ tiền khuếch đại là độ nhạy lớn, độ lợi lớn và nhiễu thấp.
Ngoài các ứng dụng chính làm các bộ khuếch đại trên đường truyền quang, các bộ
khuếch đại quang SOA và OFA còn được sử dụng trong các bộ chuyển đổi bước sóng.
Việc chuyến đổi bước sóng được thực hiện dựa trên hiện tượng bảo hòa độ lợi và hiện

120
tượng trộn bốn bước sóng FWM (Four-Wave Mixing) xảy ra trong các bộ khuếch đại
quang.
5.2. Bộ khuếch đại quang bán dẫn (SOA)
5.2.1. Cấu trúc và nguyên lý hoạt động
Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của khuếch đại quang bán dẫn SOA
(Semiconductor Optical Amplifier) tương tự như laser bán dẫn. Nghĩa là cũng dựa vào
hệ thống hai dải năng lượng của chất bán dẫn và các quá trình biến đổi quang điện:
hấp thụ (absorption), phát xạ tự phát (spontaneous emission) và phát xạ kích thích
(stimulated emission). Trong đó, tín hiệu quang được khuếch đại dựa trên hiện tượng
phát xạ kích thích xảy ra trong vùng tích cực của SOA. Vùng tích cực này được đặt
giữa hai lớp bán dẫn loại n va p (xem hình 5.5). Nguồn bơm bên ngoài được cung
cấp bởi dòng điện phân cực.

Hình 5.5 Cấu trúc của một bộ khuếch đại quang bán dẫn SOA
Do có cấu trúc và nguyên lý hoạt động tương tự với laser bán dẫn nên SOA còn
được gọi là khuếch đại laser bán dẫn SLA (Semiconductor Laser Amplifier).
Sự khác nhau chính giữa SOA và laser bán dẫn là SOA hoạt động dưới mức
ngưỡng dao động. Điều kiện này xảy ra khi dòng điện phân cực Ibias < dòng điện
ngưỡng Ith của laser hoặc/và hệ số phản xạ của hai mặt phản xạ của vùng tích cực nhỏ.
Khi đó, quá trình phản xạ, cộng hưởng và tự phát xạ ánh sáng sẽ không xảy ra.
SOA có thể được phân thành hai loại chính dựa vào hệ số phản xạ của hai mặt
phản xạ của lớp tích cực. Loại thứ nhất, khuếch đại Fabry-Perot FPA (Fabry-Perot
Amplifier) có hệ số phản xạ cao (có thể lên tới 32%). Cấu trúc của FPA cũng tương
tự như laser Fabry-Perot nhưng hoạt động với dòng phân cực Ibias<Ith. Với cấu trúc
hốc cộng hưởng có hệ số phản xạ cao, quá trình hồi tiếp, chọn lọc tần số xảy ra. Kết
quả là, FPA có độ lợi cao nhưng phổ độ lợi khuếch đại nhấp nhô, không đều. Điều này
làm giảm băng thông khuếch đại của FPA.
Để khắc phục hạn chế trên của FPA, hai lớp chống phản xạ AR (anti-reflection)
có hệ số phản xạ R = 0, được đặt tại hai đầu của vùng tích cực để không cho quá trình

121
phản xạ xảy ra bên trong bộ khuếch đại. Khi đó, tín hiệu vào SOA sẽ được khuếch đại
khi chỉ đi qua một lần (được gọi là single pass) xuyên qua vùng tích cực của bộ khuếch
đại mà không có hồi tiếp về. Đây là cấu trúc của loại SOA thứ hai: khuếch đại sóng
chạy TWA (Traveling Wave Amplifier). Trên thực tế, hệ số phản xạ ở hai đầu của vùng
tích cực của TWA không hoàn toàn bằng 0 mà có giá trị rất nhỏ từ 0.1% đến 0.01%.
5.2.2. Đặc tính của bộ khuếch đại
Xét một bộ khuếch đại FPA có hệ số phản xạ công suất ở hai mặt phản xạ của lớp
tích cực là R1 và R2 như hình 5.5. Bộ khuếch đại này cũng có thể TWA nếu cho R1
= R2 = 0. Do đó, quá trình phân tích sau, đều có thể áp dụng cho FPA và TWA.
Bỏ qua suy hao khi ánh sáng truyền qua mỗi mặt phản xạ, ta có hệ số xuyên qua
của công suất ánh sáng đi qua mỗi mặt phản xạ tương ứng là (1-R1) và (1-R2).
Tương ứng, ta có hệ phản xạ và hệ số xuyên qua của cường độ điện trường tại
hai mặt phản xạ là √𝑅1 , √𝑅2 và 𝑡1 = √1 − 𝑅1 , 𝑡2 = √1 − 𝑅2
Gọi Gs là rằng độ lợi đơn thông (single-pass gain) của SOA khi tín hiệu quang đi
qua vùng tích cực mà không có sự hồi tiếp (hệ số phản xạ R= 0). Ta có:
𝑃𝑜𝑢𝑡
𝐺𝑠 = = 𝑒𝑥𝑝[(Γ𝑔 − 𝛼)𝐿] (5.5)
𝑃𝑖𝑛
Trong đó:
g: độ lợi trên một đơn vị chiều dài của vùng tích cực α: suy hao trên một đơn vị
chiều dài của vùng tích cực
Γ: hệ số tập trung (confinement factor) biểu diễn mức độ tập trung của luồng ánh
sáng bên trong vùng tích cực
L: chiều dài của vùng tích cực
Pin, Pout: công suất tín hiệu ở ngõ vào và ngõ ra của bộ khuếch đại

Hình 5.6 Quá trình khuếch đại tín hiệu xảy ra trong FPA
Quá trình khuếch đại tín hiệu ánh sáng trong FPA (xem hình 5.6) có thể được dẫn
giải như sau:
122
 Điện trường của tín hiệu quang vào Ei được đưa vào hốc cộng hưởng của FPA
có chiều dài L tại mặt phản xạ R1. Sau khi xuyên qua mặt phản xạ R1, tín hiệu ban đầu
sẽ được khuếch đại bởi vùng tích cực và đạt cường độ 𝑡1 √𝐺𝑠 𝐸𝑖 𝑒 −𝑗𝑘𝐿 tại mặt phản xạ
R2 (k là hệ số truyền dẫn của môi truờng khuếch đại). Tại đây, một phần năng lượng
ánh sáng sẽ truyền ra ngoài với cường độ 𝑡1 𝑡2 √𝐺𝑠 𝐸𝑖 𝑒 −𝑗𝑘𝐿 . Phần còn lại sẽ phản
xạ ngược trở lại về phía R1 với cường độ 𝑡1 √𝐺𝑠 √𝑅2 𝐸𝑖 𝑒 −𝑗𝑘𝐿 . Tại R1, điện
trường thu được là 𝑡1 √𝐺𝑠 √𝑅2 𝐸𝑖 𝑒 −2𝑗𝑘𝐿 . Tương tự như tại R2, một phần điện trường
𝑡1 𝐺𝑠 √𝑅1 𝑅2 𝐸𝑖 𝑒 −2𝑗𝑘𝐿 . sẽ phản xạ ngược về phía R2, phần còn lại sẽ đi ra ngoài hốc
cộng hưởng. Sau khi đi qua khoảng cách L của vùng tích cực, tín hiệu thu được tại R1
đạt giá trị 𝑡1 𝐺𝑠 √𝐺𝑠 √𝑅1 𝑅2 𝐸𝑖 𝑒 −3𝑗𝑘𝐿 . Quá trình phản xạ và truyền xuyên qua mặt phản xạ
R2 tiếp tục diễn ra. Phần tín hiệu xuyên qua có điện trường 𝑡1 𝑡2 𝐺𝑠 √𝐺𝑠 √𝑅1 𝑅2 𝐸𝑖 𝑒 −3𝑗𝑘𝐿 .
Phần còn lại sẽ phản xạ ngược về phía R1. Cứ như vậy quá trình phản xạ trong vùng
tích cực tiếp tục tiếp diễn.
Điện trường tổng cộng thu được tại ngõ ra của bộ khuếch đại sẽ bằng tổng của
các thành phần điện trường đi xuyên qua R2. Nếu giả sử rằng thời gian truyền trong
hốc cộng hưởng nhỏ hơn chu kỳ của điện trường tới Ei, ta có điện trường thu được tại
ngõ ra:
+∞
𝑚
𝐸0 = 𝐸𝑖 𝑒 −𝑗𝑘𝑙 𝑡1 𝑡2 ∑ (√𝑅1 𝑅2 𝐺𝑠 ) 𝑒 −2𝑚𝑗𝑘𝐿 (5.6)
𝑚=0
Với |√𝑅1 𝑅2 𝐺𝑠 < 1|, biểu thức (2.6) có thể biến đổi thành
√𝐺𝑠 𝑡1 𝑡2 𝑒 −𝑗𝑘𝐿
𝐸0 = 𝐸𝑖 (5.7)
1 − √𝑅1 𝑅2 𝐺𝑠 𝑒 −2𝑗𝑘𝐿
Hàm truyền công suất của bộ khuếch đại FPA
𝐸0 2 (1 − 𝑅1 )(1 − 𝑅2 )𝐺𝑠 (𝜔)
𝐺𝐹𝑃𝐴 (𝜔) = | | = 2 (5.8)
𝐸𝑖 (1 − √𝑅 𝑅 𝐺 ) + 4√𝑅 𝑅 𝐺 𝑠𝑖𝑛2 𝑘𝐿
1 2 𝑠 1 2 𝑠
𝜔 (𝜔−𝜔0 )
Do 𝑠𝑖𝑛2 (𝑘𝐿) = 𝑠𝑖𝑛2 ( 𝐿) = 𝑠𝑖𝑛2 ( 𝐿) v ớ i v l à v ậ n t ố c c h i ế u
𝑣 𝑣
s á n g t r o n g m ô i t r ư ờ n g ω là tần số góc đang xét, ω0 là tần số góc cộng hưởng
mà tại đó độ lợi đạt giá trị lớn nhất. Biểu thức (5.8) được viết lại như sau:
𝐸0 2 (1 − 𝑅1 )(1 − 𝑅2 )𝐺𝑠 (𝜔)
𝐺𝐹𝑃𝐴 (𝜔) = | | = (5.9)
𝐸𝑖 2
2
(𝜔 − 𝜔0 )
(1 − √𝑅1 𝑅2 𝐺𝑠 ) + 4√𝑅1 𝑅2 𝐺𝑠 𝑠𝑖𝑛 ( 𝐿)
𝑣
Nếu hệ số phản xạ của hai mặt phản xạ của FPA bằng nhau R1=R2=R, biểu thức
(5.9) trở thành:
𝐸0 2 (1 − 𝑅)2 𝐺𝑠 (𝜔)
𝐺𝐹𝑃𝐴 (𝜔) = | | = (5.10)
𝐸𝑖 (𝜔 − 𝜔0 )
(1 − 𝑅. 𝐺𝑠 )2 + 4𝑅𝐺𝑠 𝑠𝑖𝑛2 ( 𝐿)
𝑣

123
 Hình 5.7 biểu diễn độ lợi G(f) của FPA thay đổi theo tần số với 3 giá trị khác nhau
của hệ số phản xạ R=0.3, R=0.03 và R=0.
Giả sử độ lợi đơn thông Gs, tương ứng với R=0 (TWA), có dạng Gauss. Khi hệ số
phản xạ của hai lớp phản xạ của vùng tích cực lớn R=0.3, độ lợi G(ω) không bằng
phẳng theo tần số mà có dạng gợn sóng lớn do chức năng lọc tần số của hốc cộng hưởng.
Tại các tần số cộng hưởng ω=(2πfN)/(2L) với N là số nguyên, độ lợi của FPA
đạt giá trị cực đại. Giữa các tần số công hưởng, độ lợi của FPA giảm nhanh chóng. Do
đó, băng thông độ lợi (được xác định tại vị trí -3dB so với độ lợi đỉnh) của FPA nhỏ so
với băng thông độ lợi của TWA. Vì vậy, FPA không thích hợp với các ứng dụng khuếch
đại trong hệ thống thông tin quang.

Hình 5.7 Độ lợi của FPA thay đổi theo tần số với R = 0.3; R=0.03 và R=0
Khi hệ số phản xạ R=0.03, G(ω) tiến gần tới Gs nhưng vẫn còn gợn sóng nhỏ.
Độ gợn sóng này có thể được loại bỏ bằng cách giảm hệ số phản xạ hơn nữa để bộ
khuếch đại trở thành TWA.
5.2.3. Nhiễu xuyên âm trong SOA
Nhiễu xuyên âm xảy ra khi các tín hiệu quang khác nhau được khuếch đại đồng
thời trong cùng một bộ khuếch đại. Có hai loại nhiễu xuyên âm xảy ra trong SOA:
nhiễu xuyên kênh (interchannel crosstalk) và bảo hòa độ lợi (cross saturation).
Nhiễu xuyên kênh xảy ra là do hiệu ứng trộn bốn bước sóng FWM (Four Wave
Mixing).

Hình 5.8 Ảnh hưởng của nhiễu xuyên kênh trong SOA khi khuếch đại hai tín hiệu

124
 Nhiễu xuyên kênh gây nên do hiện tượng bảo hòa độ lợi xảy ra trong SOA được
minh họa trên hình 5.8. Xem xét đầu vào bộ SOA là tổng của hai tín hiệu quang ở các
bước sóng khác nhau. Giả thiết rằng cả 2 bước sóng nằm trong băng thông của SOA.
Sự có mặt của tín hiệu thứ hai sẽ làm suy giảm mật độ điện tử ở vùng năng lượng cao
do quá trình bức xạ kích thích làm dẫn đến sự nghịch đảo nồng độ được quan sát ở tín
hiệu thứ nhất giảm xuống. Do đó, tín hiệu thứ nhất sẽ không được khuếch đại giống
như tín hiệu thứ hai, và nếu mật độ điện tử ở vùng năng lượng cao không đủ lớn thì tín
hiệu thứ nhất có thể bị hấp thụ. Quá trình này xảy ra đồng thời đối với cả hai tín hiệu.
Do đó, trên hình 5.8 ta thấy, khi mức 1 của hai tín hiệu 1 và 2 xảy ra đồng thời, độ lợi
của mỗi tín hiệu sẽ nhỏ hơn so với bình thường.
Hiện tượng xuyên âm phụ thuộc vào thời gian sống của điện tử ở trạng thái năng
lượng cao. Nếu thời gian sống đủ lớn so với tốc độ dao động của công suất trong các
tín hiệu vào, các điện tử không thể chuyển từ trạng thái năng lượng cao xuống trạng thái
năng lượng thấp do sự dao động này. Do đó, không có xuyên âm xảy ra.
Đối với các SOA, thời gian sống này ở mức ns. Do đó, các điện tử dễ dàng phản
ứng lại sự dao động trong công suất của các tín hiệu được điều chế ở tốc độ Gb/s, dẫn
đến một sự suy yếu hệ thống chính do xuyên âm. Ngược lại, thời gian sống phát xạ tự
phát trong EDFA là khoảng 10ms. Do đó, xuyên âm chỉ có mặt nếu tốc độ điều chế
của các tín hiệu vào ít hơn vài kiloHertz, điều này thường ít gặp trong thực tế. Do đó,
EDFA phù hợp hơn khi được sử dụng trong các hệ thống WDM hơn SOA.
5.2.4. Ưu, khuyết điểm và ứng dụng của SOA
Ưu điểm:
- Đô lợi cao (25-30dB).
- Kích thước nhỏ, có thể tích hợp với các linh kiện quang bán dẫn khác.
- Dải thông lớn, có thể lên tới 100 nm, rộng hơn so với EDFA.
- Có thể thực hiện khuếch đại tín hiệu ở cả hai cửa sổ ánh sáng 1300nm và 1550
nm. Khuyết điểm:
- Công suất ra bảo hòa thấp (khoảng 5mW) hạn chế khả năng của SOA khi được
sử dụng làm bộ khuếch đại công suất.
- Hệ số nhiễu cao (5-7 dB) ảnh hưởng đến chất lượng của SOA khi được sử dụng
làm bộ tiền khuếch đại và khuếch đại đường dây.
- Phụ thuộc vào phân cực của tín hiệu quang tới
- Nhiễu xuyên kênh lớn do các hiệu ứng phi tuyến: hiệu ứng trộn 4 bước sóng
FWM (four wave mixing) và hiệu ứng bảo hòa độ lợi chéo (cross-gain saturation)
- Phổ độ lợi có dạng gợn sóng do sự không hoàn hảo của lớp chống phản xạ tạo
- Kém ổn định do độ lợi chịu ảnh hưởng của nhiệt độ
Ứng dụng:
125
 Với các đặc tính kỹ thuật trên, SOA có nhiều khuyết điểm so với EDFA khi
được dùng làm khuếch đại quang. Do đó, cho dù SOA được nghiên cứu và chế tạo
từ trước EDFA, nhưng SOA không được sử dụng làm bộ khuếch đại quang trong hệ
thống WDM cũng như các hệ thống truyền dẫn quang khác hiện nay. Thay vào đó, dựa
trên các hiệu ứng phi tuyến đáp ứng nhanh của SOA, SOA được dùng trong các ứng
dụng khác của hệ thống thông tin quang như: bộ biến đổi bước sóng (wavelength
convertor), phục hồi xung clock (clock recovery) và các ứng dụng xử lý tín hiệu quang
(optical signal processing applications).
5.3. Bộ khuếch đại quang RAMAN (RA)
5.3.1. Nguyên lý hoạt động
Khuếch đại Raman dựa trên hiện tượng tán xạ Raman kích thích (Stimulated
Raman Scattering). Tán xạ Raman kích thích là hiện tượng một nguyên tử hấp thụ
năng lượng của một photon, sau đó tạo ra một photon có năng lượng khác. Vì vậy, tán
xạ Raman kích thích được định nghĩa là hiện tượng photon thứ cấp được sinh ra do kích
thích từ nguồn bên ngoài.
Để có khuếch đại Raman thì phải tạo ra sự nghịch đảo nồng độ. Điều này đạt
được bằng cách cung cấp năng lượng cho các nguyên tử của sợi quang từ một laser
bơm có bước sóng thấp hơn bước sóng của tín hiệu. Khi đó, các nguyên tử của sợi
quang sẽ hấp thụ năng lượng bơm có năng lượng cao (bước sóng ngắn) và chuyển lên
mức năng lượng cao hơn. Khi có tín hiệu đến, nó sẽ kích thích các nguyên tử đang ở
mức năng lượng cao chuyển sang trạng thái năng lượng thấp hơn và giải phóng ra một
năng lượng dưới dạng photon ánh sáng có cùng bước sóng (dài hơn bước sóng bơm)
và cùng pha với tín hiệu đến. Do đó, tín hiệu đã được khuếch đại (xem hình 5.9).

Hình 5.9 Sơ đồ chuyển năng lượng trong khuếch đại Raman

Dựa trên giản đồ năng lượng trên, tần số ánh sáng bơm fbơm và tần số ánh
sáng được khuếch đại fkhuếch đại được xác định như sau:
fbơm = (E3 – E1)/h (5.11)
fkhuếch đại = (E2 – E1)/h (5.12)
126
 Trong đó: h là hằng số Plank; E1, E2, E3 là năng lượng của các trạng thái
năng lượng cao (transition state), trạng thái năng lượng trung gian (vibration state) và
trạng thái năng lượng thấp (ground state) của các nguyên tử trong sợi quang.
Không giống như nguyên lý khuếch đại của EDFA, khuếch đại Raman không cần
một sợi quang riêng và đặc biệt (pha trộn ion Er3+). Trong khuếch đại Raman, tín hiệu
quang được khuếch đại dọc theo toàn bộ chiều dài của sợi quang silic bình thường.
Cấu trúc của một bộ khuếch đại Raman được minh họa trong hình 5.10.

Hình 5.10 Cấu trúc của bộ khuếch đại Raman

Sợi quang: là nơi xảy ra quá trình khuếch đại. Sợi quang này cũng là sợi quang
truyền tín hiệu như sợi SMF, DSF, …Trong khuếch đại quang không cần sử dụng sợi
quang đặc biệt (pha ion Erbium) như bộ khuếch đại EFDA.
Bộ ghép (Coupler): dùng để ghép bước sóng tín hiệu vào với sóng bơm.
Laser bơm (Pump laser): dùng để cung cấp năng lượng cho các nguyên tử của
sợi quang chuyển lên trạng thái kích thích, giúp tạo ra sự nghịch đảo nồng độ.
Bộ cách ly (Isolator): đặt ở hai đầu của bộ khuếch đại quang để ngăn chặn tín
hiệu phản xạ ở hai đầu bộ khuếch đại. Đồng thời nó cũng giúp loại trừ nhiễu ASE theo
hướng ngược về phía đầu vào có thể gây ảnh hưởng đến tín hiệu đầu vào.
5.2.3. Độ rộng băng tần và hệ số khuếch đại
Hình 5.11 biểu diễn sự thay đổi của độ lợi khuếch đại Raman theo độ chênh
lệch bước sóng giữa tín hiệu và nguồn bơm. Qua đó cho thấy, hệ số khuếch đại Raman
tăng hầu như tuyến tính với độ chênh lệch bước sóng giữa tín hiệu và nguồn bơm
(wavelength offset), đạt giá trị đỉnh tại 100 nm và giảm nhanh chóng sau đó. Trong hình
cũng cho thấy, băng thông độ lợi của khuếch đại Raman có thể đạt được từ 45-50nm.

Hình 5.11 Hệ số độ lợi Raman thay đổi theo độ chênh lệch bước sóng của tín
hiệu và nguồn bơm (wavelength offset)
127
 Nếu dải tần của các tín hiệu cần khuếch đại Raman lớn hơn băng thông độ lợi của
khuếch đại Raman (giả sử 40nm), cần phải sử dụng nhiều nguồn bơm khác nhau.
Mỗi nguồn bơm có bước sóng cách nhau khoảng 40nm (bằng với băng thông độ lợi).
Khi đó, dải tần lớn của các tín hiệu có thể được khuếch đại một cách hiệu quả (xem
hình 5.12-a). Tuy nhiên, do đặc tính khuếch đại của khuếch đại Raman và do khoảng
của các bước sóng bơm, băng thông độ lợi tổng cộng có dạng gợn sóng như hình 5.12-
b.
Với ưu điểm băng thông độ lợi lớn, khuếch đại Raman được quan tâm đến trong
các ứng dụng thông tin quang. Tuy nhiên hiệu suất độ lợi của khuếch đại Raman không
cao. Để đạt được hệ số khuếch đại lớn, cần phải sử dụng công suất bơm tương đối cao.

(a) (b)
Hình 5.12 (a)Với khoảng cách các nguồn bơm 40nm, các kênh nằm trong dải
tần rộng được khuếch đại; (b) Gợn độ lợi do khuếch đại Raman và do khoảng
cách cách nguồn bơm
5.3.3. Ưu điểm của khuếch đại RAMAN
So với các loại khuếch đại quang khác, khuếch đại Raman có những ưu điểm sau:
- Tạp âm nhiễu thấp
- Cấu trúc đơn giản, không cần sợi đặc biệt.
- Dễ chọn băng tần.
- Có thể đạt được băng thông rộng nhờ kết hợp vài laser bơm.
Tuy nhiên, bên cạnh những ưu điểm đó bộ khuếch đại Raman cũng có những
nhược điểm như sau:
- Xuyên âm giữa các kênh tín hiệu do hiện tượng tán xạ Raman kích thích SRS.
Đây là một trong các hiệu hứng phi tuyến của sợi quang có thể gây ảnh hưởng đến
chất lượng của hệ thống ghép kênh theo bước sóng WDM.
- Hệ số khuếch đại thấp.
- Hiệu suất khuếch đại thấp hơn so với EDFA: khuếch đại Raman cần một công
suất bơm lớn hơn để đạt cùng một giá trị độ lợi.

128
 NỘI DUNG TÓM TẮT CHƯƠNG 5
1. Nguyên lý khuếch đại quang
Nguyên lý khuếch đại quang trong các bộ khuếch đại quang được thực hiện dựa
trên hiện tượng phát xạ kích thích và không có sự cộng hưởng xảy ra trong quá trình
khuếch đại
2. Bộ khuếch đại quang bán dẫn (SOA)
Cấu trúc và nguyên lý hoạt động của khuếch đại quang bán dẫn SOA
(Semiconductor Optical Amplifier) tương tự như laser bán dẫn. Nghĩa là cũng dựa vào
hệ thống hai dải năng lượng của chất bán dẫn và các quá trình biến đổi quang điện:
hấp thụ (absorption), phát xạ tự phát (spontaneous emission) và phát xạ kích thích
(stimulated emission). Trong đó, tín hiệu quang được khuếch đại dựa trên hiện tượng
phát xạ kích thích xảy ra trong vùng tích cực của SOA. Vùng tích cực này được đặt
giữa hai lớp bán dẫn loại n va p. Nguồn bơm bên ngoài được cung cấp bởi dòng điện
phân cực.
3. Bộ khuếch đại quang Raman (RA)
Khuếch đại Raman dựa trên hiện tượng tán xạ Raman kích thích (Stimulated
Raman Scattering). Tán xạ Raman kích thích là hiện tượng một nguyên tử hấp thụ
năng lượng của một photon, sau đó tạo ra một photon có năng lượng khác. Vì vậy, tán
xạ Raman kích thích được định nghĩa là hiện tượng photon thứ cấp được sinh ra do kích
thích từ nguồn bên ngoài.
CÂU HỎI HƯỚNG DẪN ÔN TẬP CHƯƠNG
5.1. Trình bày cấu trúc và nêu nhiệm vụ của một trạm lặp quang điện?
5.2. Phân tích những ưu điểm của khuếch đại quang so với trạm lặp quang
điện? Từ đó hãy cho biết ứng dụng của khuếch đại quang và trạm lặp quang điện trong
hệ thống thông tin quang?
5.3. Trình bày cấu tạo tổng quát và nguyên lý hoạt động của một bộ khuếch
đại quang?
5.4. Hãy so sánh nhiệm vụ và các yêu cầu kỹ thuật của khuếch đại công
suất, khuếch đại đường dây và tiền khuếch đại?
5.5. Hãy trình bày nhiệm vụ của bộ tiền khuếch đại trong hệ thống truyền dẫn
quang? Các vấn đề cần quan tâm khi thiết kế một bộ tiền khuếch đại?
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN
5.6. Trình bày cấu tạo và nguyên lý hoạt động của khuếch đại Fabry-Perot
(FPA) và khuếch đại sóng chạy (TWA)?
5.7. So sánh cấu tạo và nguyên lý hoạt động của khuếch đại quang bán dẫn
(SOA) và laser Fabry-Perot?

129
 5.8. Tại sao khuếch đại Fabry-Perot (FPA) không được sử dụng làm khuếch
đại quang trong hệ thống thông tin quang?2.11. Trình bày các nguyên nhân gây nên
nhiễu xuyên âm (crosstalk) trong SOA? Nhiễu xuyên âm này có ảnh hưởng như thế
nào đến chất lượng của hệ thống truyền dẫn quang WDM khi sử dụng SOA làm bộ
khuếch đại?
5.9. Dựa vào giản đồ phân bố năng lượng của ion Er3+, trình bày quá trình
khuếch đại tín hiệu quang?
5.10. Công suất ra bão hòa (saturation output power) là gì? Thông số này có
ảnh hưởng như thế nào đến chất lượng của hệ thống truyền dẫn quang?

130
 CHƯƠNG 6: HỆ THỐNG THÔNG TIN QUANG WDM
MỤC TIÊU CỦA CHƯƠNG
Trong chương này chúng ta sẽ tìm hiểu về hệ thống thông tin quang WDM, cụ
thể sẽ nghiên cứu:
- Nguyên lý ghép kênh phân chia theo bước sóng quang (WDM).
- Các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng của hệ thống WDM do sự lan truyền
của tín hiệu WDM trong sợi quang, trong đó tập trung vào việc tìm hiểu các hiện
ứng phi tuyến.
- Các linh kiện, phần tử trong mạng WDM.
NỘI DUNG BÀI GIẢNG LÝ THUYẾT
6.1. Mô hình hệ thống thông tin quang WDM
6.1.1. Sơ đồ khối hệ thống
Ghép kênh theo bước sóng WDM (Wavelength Devision Multiplexing): là công
nghệ “trong một sợi quang đồng thời truyền dẫn nhiều bước sóng tín hiệu quang”. Ở
đầu phát, nhiều tín hiệu quang có bước sóng khác nhau được tổ hợp lại (ghép kênh) để
truyền đi trên một sợi quang. Ở đầu thu, tín hiệu tổ hợp đó được phân giải ra (tách kênh),
khôi phục lại tín hiệu gốc rồi đưa vào các đầu cuối khác nhau.

Hình 6.1. Sơ đồ chức năng của WDM

Để đảm bảo việc truyền nhận nhiều bước sóng trên một sợi quang, hệ thống WDM
phải thực hiện các chức năng sau:
Phát tín hiệu: Trong hệ thống WDM, nguồn quang được dùng là laser. Yêu cầu
đối với nguồn phát laser là phải có độ rộng phổ hẹp, bước sóng phát ra ổn định, độ rộng
phổ nằm trong giứi hạn cho phép.
Ghép/tách tín hiệu: Ghép tín hiệu là sự kết hợp một số nguồn sáng khác nhau thành
một luồng ánh sáng tổng hợp để truyền qua sợi quang. Tách tín hiệu là sự phân chia
luồng ánh sáng tổng hợp đó thành các tín hiệu ánh sáng riêng rẽ tại mỗi cổng đầu ra bộ
tách. Có các bộ tách ghép tín hiệu WDM như: bộ lọc màng mỏng điện môi, cách tử
Bragg sợi, cách tử nhiễu xạ, linh kiện quang tổ hợp AWG,…Khi xét đến các bộ
tách/ghép WDM, ta phải xét các tham số như: khoảng cách giữa các kênh, độ rộng băng

131
tần của các kênh bước sóng, bước sóng trung tâm của kênh, mức xuyên âm giữa các
kênh, suy hao xen,…
Truyền dẫn tín hiệu: Quá trình truyền dẫn tín hiệu trong sợi quang chịu sử ảnh
hưởng của nhiều yếu tố: suy hao, tán sắc, các hiệu ứng phi tuyến, vấn đề liên quan đến
khuếch đại…
Khuếch đại tín hiệu: Hệ thống WDM hiện tại chủ yếu sử dụng bộ khuếch đại quang
sợi EDFA, khuếch đại Raman. Khi dùng bộ khuếch đại EDFA phải đảm bảo các yêu
cầu: Độ lợi khuếch đại đồng đều đối với tất cả các kênh bước sóng; Sự thay đổi số lượng
kênh bước sóng làm việc không được gây ảnh hưởng đến mức công suất đầu ra của các
kênh; Có khả năng phát hiện sự chênh lệch mức công suất đầu vào để điều chỉnh lại hệ
số khuếch đại.
Thu tín hiệu: Thu tín hiệu trong các hệ thống WDM cũng sử dụng các bộ thu quang
như trong hệ thống thông tin quang thông thường: PIN, APD.
 Dựa trên hướng truyền dẫn, người ta chia thành hai chế độ truyền dẫn trong
WDM.
- Hệ thống ghép bước sóng đơn hướng:
Hệ thống đơn hướng chỉ truyền theo một chiều trên sợi quang. Do vậy để truyền
thông tin giữa hai điểm cần hai sợi quang.

λ1 λ1,λ2….λN λ1
Tx1 Rx1
MUX & DEMUX

MUX & DEMUX

λ2 λ2
O
Tx2 R R Rx2
A
E E
D
λN G G λN
M

TxN RxN

λ1,λ2….λN

Hình 6.2. Hệ thống ghép bước sóng đơn hướng

- Hệ thống ghép bước sóng song hướng:
Hệ thống ghép bước sóng song hướng sử dụng một sợi quang cho hai hướng truyền
dẫn:

132
 λ1 λ1,λ2….λN λ1
Tx1 Rx1

MUX & DEMUX

MUX & DEMUX

λ2 λ2
Tx2 R R
OA Rx2
E E
G DM
λN G λN

TxN RxN

λ'1,λ’2….λ’N

Hình 6.3. Hệ thống ghép bước sóng song hướng

 Ưu, nhược điểm của WDM
Ưu điểm:
- Tăng băng thông truyền trên sợi quang số lần tương ứng số bước sóng được ghép
vào để truyền trên một sợi quang.
- Tính trong suốt: Do công nghệ WDM thuộc kiến trúc lớp mạng vật lý nên nó có
thể hỗ trợ các định dạng số liệu và thoại như: ATM, Gigabit Ethernet, chuyển mạch
kênh, IP ...
- Khả năng mở rộng: Những tiến bộ trong công nghệ WDM hứa hẹn tăng băng
thông truyền trên sợi quang lên đến hàng Tbps, đáp ứng nhu cầu mở rộng mạng ở nhiều
cấp độ khác nhau.
- Hiện tại, chỉ có duy nhất công nghệ WDM là cho phép xây dựng mô hình mạng
truyền tải quang OTN (Optical Transport Network) giúp truyền tải trong suốt nhiều loại
hình dịch vụ, quản lý mạng hiệu quả, định tuyến linh động ...
Nhược điểm:
- Vẫn chưa khai thác hết băng tần hoạt động có thể của sợi quang (chỉ mới tận dụng
được băng C (1530÷1565nm) và băng L (1565÷1625nm)).
- Quá trình khai thác, bảo dưỡng phức tạp hơn gấp nhiều lần.
6.1.2. Các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng của hệ thống WDM
Có các yếu tố cơ bản của sợi quang ảnh hưởng đến khả năng của các hệ thống
thông tin quang, bao gồm:
- Suy hao
- Tán sắc
- Hiện tượng phi tuyến xảy ra trong sợi quang
- Số kênh bước sóng
- Độ rộng phổ của nguồn phát

133
 Tuy nhiên, đối với các hệ thống khác nhau thì mức độ ảnh hưởng của các yếu tố
này cũng khác nhau. Ví dụ:
- Ðối với các hệ thống cự ly ngắn, dung lượng thấp thì yếu tố chủ yếu cần quan
tâm là suy hao.
- Ðối với các hệ thống tốc độ cao, cự ly tương đối lớn thì yếu tố chủ yếu cần quan
tâm là suy hao và tán sắc.
- Ðối với các hệ thống cự ly dài và dung lượng rất lớn thì ngoài 2 yếu tố trên cần
phải xem xét đến cả các hiệu ứng phi tuyến.
6.1.2.1. Hiện tượng phi tuyến xảy ra trong sợi quang
Hiệu ứng quang được gọi là phi tuyến nếu các tham số của nó phụ thuộc vào
cường độ ánh sáng (công suất).
Các hiệu ứng phi tuyến có thể chia ra làm 2 loại. Loại thứ nhất phát sinh do tác
động qua lại giữa các sóng ánh sáng với các phonon (rung động phân tử) trong môi
trường silica- một trong nhiều loại hiệu ứng tán xạ mà chúng ta đã xem xét là tán xạ
Rayleigh. Hai hiệu ứng chính trong loại này là tán xạ do kích thích Brillouin (SBS) và
tán xạ do kích thích Raman (SRS).
Loại thứ hai sinh ra do sự phụ thuộc của chiết suất vào cường độ điện trường hoạt
động, tỉ lệ với bình phương biên độ điện trường. Các hiệu ứng phi tuyến quan trọng
trong loại này là hiệu ứng tự điều pha (SPM - Self-Phase Modulation), hiệu ứng điều
chế xuyên pha (CPM - Cross-Phase Modulation) và hiệu ứng trộn 4 bước sóng (FWM
- Four-Wave Mixing).
a. Hiệu ứng tán xạ Brillouin kích thích
Trong trường hợp SBS, các phonon liên quan đến sự tác động tán xạ là các
phonon âm học và sự tương tác này xảy ra trên dải tần hẹp Δf = 20 MHz ở bước sóng
1550 nm. Sóng bơm và sóng Stokes truyền theo hai hướng ngược nhau. Do đó, SBS
không gây ra bất kỳ tác động qua lại nào giữa các bước sóng khác nhau khi mà khoảng
cách bước sóng lớn hơn 20 MHz (là trường hợp đặc trưng cho WDM). Tuy nhiên, SBS
cũng có thể tạo nên sự méo khá quan trọng trong một kênh đơn lẻ. SBS tạo ra độ lợi
theo hướng ngược lại với hướng lan truyền tín hiệu, nói cách khác là hướng về phía
nguồn. Vì vậy, nó làm suy giảm tín hiệu được truyền cũng như tạo ra một tín hiệu có
cường độ mạnh về hướng phát, nên phải dùng một bộ cách ly để bảo vệ.
b. Hiệu ứng tán xạ Raman kích thích
Nếu đưa vào trong sợi quang hai hay nhiều tín hiệu có bước sóng khác nhau thì
SRS gây ra sự chuyển năng lượng từ các kênh có bước sóng thấp sang các kênh có
bước sóng cao hơn (xem hình 6.4). Sự chuyển năng lượng từ kênh tín hiệu có bước
sóng thấp sang kênh tín hiệu có bước sóng cao là một hiệu ứng cơ bản làm cơ sở cho
khuếch đại quang và laser. Năng lượng của photon ở bước sóng  là hc/ với h là

134
hằng số Planck (6.63x10-34 Js). Do đó, photon của bứơc sóng thấp có năng lượng cao
hơn. Sự chuyển năng lượng từ tín hiệu bước sóng thấp sang tín hiệu bước sóng cao
tương ứng với sự sinh ra các photon năng lượng thấp từ các photon năng lượng cao hơn.

Hình 6.4. Ảnh hưởng của SRS

Không giống như SBS, SRS là một hiệu ứng băng rộng. Hình 6.5 cho thấy độ
lợi là một hàm của khoảng cách bước sóng. Giá trị đỉnh của hệ số độ lợi g xấp xỉ 6x10-
R
14 m/W ở bước sóng 1550 nm nhỏ hơn nhiều so với độ lợi của SBS. Tuy nhiên, các
kênh cách nhau đến 15 THz (125 nm) sẽ bị tác động của SRS. SRS gây ảnh hưởng trên
cả hướng truyền và hướng ngược lại.

Hình 6.5. Hệ số độ lợi SRS là hàm của khoảng cách kênh

c. Hiệu ứng trộn 4 bước sóng
Trong hệ thống WDM sử dụng các tần số góc  1….n, sự phụ thuộc của chiết
suất vào cường độ (công suất) không chỉ gây ra sự dịch pha trong mỗi kênh mà còn
sinh ra tần số mới như là 2i-j và i+j-k. Hiện tượng này gọi là hiện tượng trộn
bốn bước sóng (FWM_Four-wave Mixing)

135
 Hình 6.6. Hiệu ứng trộn bốn bước sóng
6.1.2.2.Số kênh bước sóng
Một trong những vấn đề quan trọng là hệ thống sử dụng bao nhiêu kênh bước sóng
và số kênh cực đại hệ thống có thể sử dụng được. Số kênh bước sóng sử dụng phụ
thuộc vào:
 Khả năng của công nghệ đối với các thành phần quang như:
 Khả năng băng tần của sợi quang.
 Khả năng tách/ghép các kênh bước sóng.
 Khoảng cách giữa các kênh gồm các yếu tố sau:
 Tốc độ truyền dẫn của từng kênh.
 Quỹ công suất quang.
 Ảnh hưởng của hiệu ứng phi tuyến.
 Độ rộng phổ của nguồn phát.
 Khả năng tách/ghép của hệ thống WDM.
Mặc dù cửa sổ truyền dẫn tại vùng bước sóng 1550 nm có độ rộng khoảng
100 nm, nhưng do dải khuếch đại của các bộ khuếch đại quang chỉ có độ rộng khoảng
35 nm (theo quy định của ITU - T thì dải khuếch đại này là từ bước sóng 1530 nm đến
1565 nm đối với băng C; hoặc băng L từ 1570 nm đến 1603 nm) nên trong thực tế,
các hệ thống DWDM không thể tận dụng hết băng tần của sợi quang.
Gọi  là khoảng cách giữa các kênh bước sóng thì tương ứng ta có:
f c. /  2
Như vậy, tại bước sóng λ = 1550 nm, với  = 35 nm thì f = 4,37.1012 Hz. Giả
sử tốc độ truyền dẫn của mỗi kênh bước sóng là 2.5Gbps thì theo định nghĩa
Nyquist, phổ cơ sở của tín hiệu là 2 x 2,5 = 5Gbps thì số kênh bước sóng cực đại
có thể đạt được N = f /5 = 874 kênh trong dải băng tần khuếch đại quang. Đây là
số kênh tính theo lý thuyết, tuy nhiên, với mật độ kênh càng lớn thì đòi hỏi các thành
phần quang trên tuyến phải có chất lượng càng cao. Để tránh xuyên âm giữa các kênh
136
này cần có bộ phát ổn định và một bộ lọc quang có khả năng chọn lọc bước sóng cao.
Bất kỳ sự dịch tần nào của nguồn phát cũng có thể làm dãn phổ sang kênh lân cận.
Dựa vào khả năng công nghệ hiện nay, ITU - T đưa ra quy định về khoảng
cách giữa các kênh bước sóng là 100 GHz (0,8 nm) hoặc 50 GHz (0,4 nm) với chuẩn
tần số là 193,1 THz.
6.1.2.3. Độ rộng phổ nguồn phát
Việc chọn độ rộng phổ của nguồn phát nhằm đảm bảo cho các kênh bước sóng
hoạt động một cách độc lập nhau, nói khác đi là tránh hiện tượng chồng phổ ở phía
thu giữa các kênh lân cận. Khoảng cách giữa những kênh này phụ thuộc vào đặc tính
của các thiết bị như MUX/DEMUX, bộ lọc, độ dung sai cũng như mức độ ổn định của
các thiết bị này.
Về bản chất, việc ghép các bước sóng khác nhau trên cùng một sợi quang là
dựa trên nguyên tắc ghép kênh theo tần số. Các kênh khác nhau làm việc ở các kênh
tần số khác nhau trong cùng băng thông của sợi quang. Theo lý thuyết, băng thông
của sợi quang rất rộng nên số lượng kênh bước sóng ghép được rất lớn (ở cả 2 cửa
sổ truyền dẫn). Tuy nhiên, trong thực tế, các hệ thống WDM thường đi liền với các bộ
khuếch đại quang sợi và làm việc chỉ ở cửa sổ bước sóng 1550 nm. Vì vậy, băng tần
của sợi quang bị giới hạn bởi băng tần của bộ khuếch đại. Như vậy, một vấn đề đặt
ra khi ghép là khoảng cách giữa các bước sóng phải thỏa mãn được yêu cầu tránh cộng
phổ của các kênh lân cận ở phía thu. Khoảng cách này phụ thuộc vào đặc tính phổ
của nguồn phát và các ảnh hưởng khác nhau trên đường truyền như tán sắc sợi, hiệu
ứng phi tuyến…
Một cách lý tưởng, có thể xem hệ thống DWDM như là sự xếp chồng của các
hệ thống truyền dẫn đơn kênh khi khoảng cách giữa các kênh bước sóng đủ lớn và
công suất phát hợp lý. Mối quan hệ giữa phổ công suất phía thu với phổ công suất
nguồn phát được thể hiện bởi tham số đặc trưng cho giãn phổ, kí hiệu , băng tần
tín hiệu B và bù tán sắc D. Nếu gọi ε là hệ số đặc trưng cho sự tương tác giữa nguồn
phát và sợi quang, ta có biểu thức:
ε = B.D.RMS
Trong đó: B là độ rộng băng tần tín hiệu truyền dẫn.
D là độ tán sắc tương ứng khoảng cách truyền dẫn
RMS là độ giãn rộng phổ.
Như vậy: Ghép kênh quang phân chia theo bước sóng là một giải pháp rất hiệu quả
trong việc tăng dung lượng truyền dẫn. Kỹ thuật này là biện pháp rất khả thi khi triển
khai mạng thuê bao quang đối với mạng nội hạt. Việc sử dụng các bộ ghép kênh quang
theo bước sóng trên mạng đường trục cho phép rẽ nhánh các tuyến đang khai thác ở
những điểm khó khăn về mặt cấp nguồn vì bộ ghép bước sóng không cần đến nguồn

137
điện, nâng cấp dung lượng tuyến đang khai thác hoặc thiết kế mới. Nhưng ở kỹ thuật
này còn có những hạn chế cần khắc phục như: suy hao, xuyên kênh, hiệu ứng phi tuyến
tán sắc.
6.1.3. Các thiết bị trong hệ thống thông tin quang
6.1.3.1. Bộ ghép/tách tín hiệu (Coupler)
Bộ ghép/tách tín hiệu (Coupler) là thiết bị quang dùng để kết hợp các tín hiệu
truyền đến từ các sợi quang khác nhau. Nếu coupler chỉ cho phép ánh sáng truyền qua
nó theo một chiều, ta gọi là coupler có hướng (directional coupler). Nếu nó cho phép
ánh sáng đi theo 2 chiều, ta gọi là coupler song hướng (bidirectional coupler).
Coupler thông dụng nhất là coupler FBT (Fused Binconical Taper). Coupler này
được chế tạo bằng cách đặt 2 sợi quang cạnh nhau, sau đó vừa nung chảy để chúng
kết hợp với nhau vừa kéo dãn ra để tạo thành một vùng ghép (coupling region). Một
coupler 2 x 2 đặc trưng bởi tỉ số ghép α (0<α<1). α là tỉ lệ công suất ánh sáng ngõ
vào 1 đến ngõ ra 1 so với tổng công suất ánh sáng vào ngõ vào 1. Phần tỉ lệ 1-α công
suất ánh sáng còn lại của ngõ vào 1 sẽ được truyền đến ngõ ra 2. Hình 6.7 là một
coupler FBT 2 x 2 có hướng.

Hình 6.7 Cấu tạo coupler FBT 2 x 2

Coupler có thể là chọn lựa bước sóng (wavelength selective) hay không phụ
thuộc vào bước sóng, tương ứng với α phụ thuộc hay không phụ thuộc vào bước sóng.
Trường hợp α=1/2, coupler được dùng để chia công suất tín hiệu ngõ vào thành
hai phần bằng nhau ở hai ngõ ra. Coupler trong trường hợp này được gọi là coupler 3
dB.
Coupler hình sao nxn có thể được tạo bằng cách kết nối các coupler 3dB như
trên hình 6.8.

Hình 6.8 Coupler hình sao với 8 ngõ vào và 8 ngõ ra được hình thành từ các
coupler 3dB. Công suất từ một ngõ vào được chia đều cho các ngõ ra
138
 Coupler là linh kiện quang linh hoạt và có thể cho nhiều ứng dụng khác nhau: Bộ
coupler với tỉ số ghép α ≈ 1 được dùng để trích một phần nhỏ tín hiệu quang, phục vụ
cho mục đích giám sát.
Coupler còn là bộ phận cơ bản để tạo nên các thành phần quang khác, chẳng hạn
như: các bộ chuyển mạch tĩnh, các bộ điều chế, bộ giao thoa Mach-Zehnder MZI...
MZI có thể được chế tạo hoạt động như bộ lọc, MUX/DEMUX, chuyển mạch và bộ
chuyển đổi bước sóng.
Thực hiện ghép/tách bước sóng trên sợi quang. Nhờ điều chỉnh chiều dài ghép
thích hợp khi chế tạo, coupler 2 x 2 ghép 50:50 phân bố công suất ánh sáng từ một
đầu vào ra làm 2 phần bằng nhau ở 2 ngõ ra. Coupler này còn được gọi là coupler 3
dB, ứng dụng phổ biến nhất. Từ coupler 3 dB, có thể tạo nên bộ coupler n x n ghép n
tín hiệu khác nhau vào một sợi quang.
6.1.3.2. Bộ isolator/circulator
Coupler và phần lớn các linh kiện quang thụ động khác là các thiết bị thuận
ngược (reciprocal) theo nghĩa thiết bị sẽ hoạt động cùng một kiểu nếu đảo ngõ vào và
ngõ ra với nhau. Isolator là thiết bị không thuận ngược (nonreciprocal). Nó chỉ truyền
ánh sáng qua nó theo một chiều và ngăn không cho truyền theo chiều ngược lại. Nó
được dùng tại đầu ra của các thiết bị quang (bộ khuếch đại, nguồn phát laser) để ngăn
quá trình phản xạ ngược trở lại các thiết bị đó, gây nhiễu và hư hại thiết bị. Hai tham
số chính của Isolator là suy hao xen và độ cách ly.
Circulator cũng thực hiện chức năng tương tự như bộ Isolator nhưng nó thường
có nhiều cổng, thường là 3 hoặc 4 cửa. Chính vì sự tương đồng giữa hai loại thiết bị,
ta sẽ chỉ trình bày hoạt động của bộ Isolator mà thôi.

(a) (b) (c)

Hình 6.9 (a) Sơ đồ khối của bộ Circulator 3 cửa. (b) Sơ đồ khối của bộ
Circulator 4 cửa. (c) Sơ đồ khối của bộ Isolator.
Trạng thái phân cực của ánh sáng truyền trong sợi quang được định nghĩa là
chiều phân cực của vector cường độ trường E nằm trên mặt phẳng vuông góc với
phương truyền ánh sáng trong sợi. Ta gọi là phân cực ngang và phân cực dọc. Quá trình
truyền ánh sáng trong sợi quang là sự kết hợp tuyến tính truyền các sóng phân cực ngang
và phân cực dọc.

139
 Mô hình đơn giản của bộ Isolator được minh họa như trong hình 6.10 (a). Giả sử
ánh sáng truyền là phân cực dọc, truyền đến bộ phân cực (Polarizer), bộ này thực hiện
chức năng chỉ cho sóng phân cực dọc đi qua, không cho sóng phân cực ngang đi qua.
Sau bộ phân cực là bộ quay pha Faraday, thực hiện quay pha 45o theo chiều kim đồng
hồ không phân biệt chiều ánh sáng đến.
Tiếp theo là bộ phân cực, bộ này thực hiện chức năng chỉ cho sóng phân cực 45o
đi qua. Như vậy, bộ Isolator ta xét chỉ cho phép sóng phân cực dọc đi qua theo
chiều từ trái sang phải. Trong trường hợp sóng phản xạ theo chiều ngược lại, nếu
sóng qua được bộ phân cực thứ hai, qua tiếp theo bộ quay pha Faraday, thì cũng
không thể qua được bộ phân cực thứ nhất (do lúc này sóng phân cực ngang).

(a)

(b)
Hình 6.10 (a) Cấu tạo bộ Isolator khi ánh sáng vào phân cực dọc. (b) Cấu tạo
bộ Isolator khi ánh sáng vào phân cực bất kỳ.
Trên thực tế thì sóng truyền trong sợi quang luôn là sự kết hợp tuyến tính của
các trạng thái phân cực ngang và dọc nên thiết kế bộ Isolator phức tạp hơn. Mô hình
thu nhỏ được trình bày trong hình 6.10 (b).
Ánh sáng truyền trong sợi quang với trạng thái phân cực bất kì được đưa đến bộ
tách/ghép trạng thái phân cực SWP (Spatial Walk-off Polarizer), tách thành hai dòng
tín hiệu phân cực dọc và ngang theo hai đường độc lập nhau. Tiếp theo, đến bộ quay
pha Faraday, quay pha 45o theo chiều kim đồng hồ. Mặt phẳng λ/2 (Half-wave plate)
thực hiện quay pha 45o theo chiều kim đồng hồ đối với tín hiệu truyền từ trái sang phải,
quay pha 45o theo chiều ngược kim đồng hồ theo chiều truyền ngược lại. Cuối cùng,
tín hiệu ở hai nhánh được kết hợp lại nhờ bộ SWP thứ hai. Nếu theo chiều ngược lại,

140
 hai bộ SWP sẽ khử lẫn nhau. Ánh sáng truyền qua bộ SWP thứ hai, qua bộ quay pha
Faraday sẽ không thể kết hợp lại được tại bộ SWP thứ nhất như minh họa trên hình
(6.10).
Bộ Isolator và Circulator có những ứng dụng sau:
- Bộ Isolator thường đứng trước đầu ra bộ khuếch đại quang hoặc nguồn phát laser
để ngăn ánh sáng phản xạ ngược trở lại thiết bị gây nhiễu và có thể làm hư thiết bị.
- Bộ Circulator được dùng như một bộ phận để chế tạo phần tử xen rớt quang
OADM.
6.1.3.3. Bộ lọc quang
 Tổng quan
Thuật ngữ "bộ lọc quang" là một thuật ngữ rộng lớn, bao gồm bất kỳ cấu trúc nào
phân biệt được các thành phần tần số khác nhau của một tín hiệu đến và xử lý chúng
theo những cách khác nhau.
Bộ lọc quang còn được định nghĩa là thiết bị chỉ cho phép một kênh bước sóng đi
qua, khóa đối với tất cả các kênh bước sóng khác. Nguyên lý cơ bản nhất của bộ lọc là
sự giao thoa giữa các tín hiệu, bước sóng hoạt động của bộ lọc sẽ được cộng pha nhiều
lần khi đi qua nó, các kênh bước sóng khác, ngược lại, sẽ bị triệt tiêu về pha.
Tuỳ thuộc vào khả năng điều chỉnh kênh bước sóng hoạt động, người ta chia
bộ lọc quang làm hai loại: bộ lọc quang cố định (fixed filter) và bộ lọc quang điều
chỉnh được (tunable filter).
- Bộ lọc quang cố định là các bộ lọc về nguyên lý nó loại bỏ tất cả các bước sóng,
chỉ cho phép giữ lại một bước sóng cố định đã được xác định trước (lý tưởng).
- Bộ lọc điều chỉnh được là các bộ lọc có thể thay đổi bước sóng cho qua tùy theo
yêu cầu. Đây là loại bộ lọc có khả năng chọn lựa bưóc sóng truyền qua nó.
1, 1,…, N m (1≤m≤N)
1, 1,…, N k (1≤k≤N) …. Bộ lọc điều
Bộ lọc k
. chỉnh được

(a) (b)
Hình 6.11. Sơ đồ khối của bộ lọc
(a) Bộ lọc cố định bước sóng k, (b) Bộ lọc có thể điều chỉnh bước sóng
trong khoảng 
Với bộ lọc quang cố định, thực tế được thiết kế để cho phép một dải các bước sóng
ánh sáng truyền qua và ngăn chặn tất cả các bước sóng còn lại:
 Long pass: chỉ cho các tia sáng có bước sóng lớn đi qua.
 Short pass: chỉ cho các tia sáng có bước sóng nhỏ đi qua.
141
  Band pass: chỉ cho các tia sáng có bước sóng trong một dải nhất định đi qua.
 Các thông số của bộ lọc

1540.56
Hình 6.12. (a) Các thông số đặc trưng của bộ lọc (b) Độ gợn sóng của bộ lọc
Hình 6.12 minh họa các đặc tính đặc trưng cho một bộ lọc:
 Bước sóng trung tâm: phải là bước sóng tuân theo tiêu chuẩn ITU-T
 Ðộ rộng băng thông (Pass Bandwidth): là độ rộng của hàm truyền đạt tại mức
suy hao xen cách đỉnh 0.5 dB. Trong một số trường hợp, người ta còn có thể xét băng
thông đi qua 1 dB, 3 dB. Ðặc tính này rất quan trọng vì laser trong trường hợp không
lí tưởng chỉ phát tín hiệu có bước sóng dao động nhất định so với bước sóng trung tâm
được qui định theo chuẩn ITU-T.
 Ðộ rộng băng chặn (Stop Bandwidth): là độ rộng của hàm truyền đạt tại mức
suy hao xen cách đỉnh 20 dB. Dải chặn của bộ lọc phải càng nhỏ càng tốt để tránh hiện
tượng xuyên nhiễu giữa các kênh.
 Ðộ cách li (Isolation): để chỉ công suất của một kênh bước sóng xuyên nhiễu
sang các kênh bước sóng lân cận.
 Ðộ gợn sóng (Ripple): là độ chênh lệch đỉnh-đỉnh trong phạm vi một kênh bước
sóng.
 Hệ số sử dụng băng thông BUF (Bandwidth-utilization Factor): là tỉ số của
độ rộng kênh truyền LW (Linewidth) của ánh sáng được truyền đi so với ánh sáng
phản xạ tại một mức suy hao xác định. Bộ lọc lí tưởng phải có BUF = 1. Trên thực tế,
khi IL = -25 dB thì BUF ≈ 0.4.
Nếu bộ lọc thuộc loại có thể điều chỉnh bước sóng được, nó còn có thêm các đặc
tính nữa như là:
 Khoảng điều chỉnh bước sóng động: là khoảng bước sóng mà trong phạm vi
hoạt động của bộ lọc.
 Số kênh bước sóng có thể xử lý: là tỉ lệ khoảng điều chỉnh bước sóng động
trên khoảng cách giữa các kênh bước sóng.

142
  Thời gian điều chỉnh: Thời gian điều chỉnh giữa các kênh bước sóng hoạt động
khác nhau.
 Tỉ lệ nén biên SSR (Sidelobe Suppression Ratio): là khoảng cách giữa giá trị
công suất đỉnh so với giá trị công suất lớn nhất ở biên.
 Ðộ phân giải: là độ dịch bước sóng nhỏ nhất bộ lọc có thể nhận biết được.
 Yêu cầu đối với bộ lọc
Hiện nay, có rất nhiều công nghệ chế tạo bộ lọc. Tuy nhiên, yêu cầu chung đối
với tất cả các công nghệ là:
 Bộ lọc tốt phải có giá trị suy hao xen IL thấp.
 Bộ lọc phải không phụ thuộc nhiều vào trạng thái phân cực của tín hiệu đưa vào.
 Dải thông hoạt động của bộ lọc phải không nhạy cảm với sự thay đổi nhiệt độ
của môi trường. Bộ lọc phải đảm bảo trong khoảng nhiệt độ hoạt động (thường là
khoảng 100o C), độ dịch dải thông hoạt động phải không vượt quá khoảng cách giữa
hai kênh bước sóng hoạt động gần nhất.
 Khi ứng dụng ghép nối tiếp nhiều bộ lọc trong hệ thống WDM, băng thông
hoạt động sẽ bị thu hẹp lại. Ðể hạn chế tối đa điều này, các bộ lọc phải có hàm truyền
đạt trong khoảng bước sóng hoạt động là bằng phẳng.
 Hàm truyền đạt của bộ lọc phải có độ dốc lớn để tránh giao nhau ở phần vạt của
hai bước sóng lân cận, gây xuyên nhiễu giữa các kênh, hàm truyền đạt có sườn càng
dốc thì bộ lọc có chất lượng càng cao, độ gợn sóng của hàm truyền đạt càng thấp tức là
đỉnh của nó càng phẳng thì chất lượng bộ lọc càng cao.
 Giảm chi phí sản xuất. Vấn đề này lại phụ thuộc vào công nghệ chế tạo. Tuy
nhiên, khi vấn đề này đặt lên hàng đầu thì ta sẽ có hai lựa chọn. Thứ nhất là dùng công
nghệ ống dẫn sóng, cho phép sản xuất trên những vi mạch tích hợp quang (bù lại hoạt
động phụ thuộc vào trạng thái phân cực của sóng quang). Thứ hai là dùng công nghệ
sản xuất các thiết bị thuần quang, tuy khó khăn trong tích hợp mạch nhưng có nhiều
ưu điểm là: không phụ thuộc vào trạng thái phân cực của sóng quang, ghép sóng từ
sợi quang vào thiết bị dễ dàng.
 Các loại bộ lọc quang
a. Bộ lọc Fabry - Perot
Định nghĩa
Một bộ lọc Fabry-Perot là một hốc được cấu tạo bởi hai gương có độ phản xạ cao
đặt song song với nhau. Bộ lọc này còn được gọi là giao thoa kế Farby-Perot. Chùm ánh
sáng vào bộ lọc đi vào gương thứ nhất theo góc vuông góc với bề mặt gương thứ nhất.
Đầu ra của bộ lọc là chùm sáng đi ra khỏi gương thứ 2.
Nguyên lý hoạt động

143
 Sóng đi vào
Các sóng truyền qua
gương 2 đều cộng
đồng pha với nhau

Phản xạ qua lại giữa

hai gương của
khoang cộng hưởng
Hình 6.13. Nguyên lý hoạt động của bộ lọc Fabry – Perot
Các sóng ánh sáng có đi ra khỏi bộ lọc Fabry-Perot được cộng đồng pha với nhau.
Các bước sóng này được gọi là bước sóng cộng hưởng của bộ lọc và phải thoả mãn công
thức [6.1]:
2.l = N.N (6.1)
Trong đó l: chiều dài khoang cộng hưởng Fabry-Perot
N: số nguyên tương ứng với N
Suy ra, khoảng cách giữa 2 kênh bước sóng liên tiếp là
𝜆𝑁+1 − 𝜆𝑁 = 𝜆2𝑥 /2𝑙 (6.2)
Trong đó: x là bước sóng đỉnh của bộ lọc trong môi trường có chiết suất nx và
x = /nx với  là bước sóng ánh sáng trong chân không.
Hàm truyền đạt công suất của bộ lọc Fabry-Perot được xác định là:
𝐴 2
(1 − )
𝑇 (𝑓 ) = 1−𝑅 (6.3)
𝐹𝑃 2
2 √𝑅
1+( sin(2𝜋𝑓𝜏))
1−𝑅
Công thức (6.3) có thể biểu diễn theo bước sóng như sau:
𝐴 2
(1 − )
(
𝑇 𝑓 = ) 1 − 𝑅 (6.4)
𝐹𝑃 2
2 √𝑅
1+( sin(2𝜋𝑛𝑙/𝜆))
1−𝑅
Trong đó: A là suy hao do hấp thụ của gương
R là độ phản xạ của gương, được tính là tỉ số công suất sóng phản xạ so với sóng
đến.
l là chiều dài của khoang cộng hưởng.
 = nl/c với c là vận tốc ánh sáng.
Ta thấy rằng 𝑇𝐹𝑃 (𝜆) là hàm tuần hoàn theo λ, chu kì của nó được định nghĩa là
khoảng phổ tự do FSR (Free Spectral Range):

144
 FSR = c/2nl (6.5)
Băng thông 3dB của bộ lọc Fabry-Perot tại mỗi đỉnh của hàm truyền đạt công suất
được kí hiệu là FWHM. Khi suy hao trong bộ lọc bỏ qua A=0 , FWHM được tính từ
công thức:
𝑐 1−𝑅
𝐹𝑊𝐻𝑀 = ( ) (6.6)
2𝜋𝑙𝑛 √𝑅
Thông số đặc trưng cho bộ lọc là độ mịn F (Finesse), được định nghĩa như sau:
𝐹𝑆𝑅 √𝑅
𝐹= =𝜋 (6.7)
𝐹𝑊𝐻𝑀 1−𝑅
Hình 6.14 là hàm truyền đạt của bộ lọc Fabry-Perot khi A = 0, R = 0.75, 0.9 và
0.99. Ta có thể thấy rằng R càng lớn thì khả năng chống xuyên nhiễu giữa các kênh của
bộ lọc càng giảm.

Hình 6.14. Hàm truyền đạt công suất của bộ lọc Fabry-Perot.
b. Bộ lọc Fabry-Perot điều chỉnh được
Từ công thức (6.1) xác định bước sóng hoạt động của bộ lọc Fabry-Perot, ta thấy
có thể thay đổi bước sóng hoạt động bằng cách thay đổi chiết suất n của khoang
cộng hưởng hoặc thay đổi chiều dài l của khoang. Thay đổi chiều dài l bằng cách áp
giữa mặt trên và mặt dưới của khoang một cặp điện cực làm bằng gốm. Thay đổi điện
áp giữa hai điện cực sẽ làm thay đổi chiều dài của khoang. Tuy nhiên, khi di chuyển
hai gương, vấn đề giữ cho hai gương song song nhau rất khó thực hiện. Do vậy, cơ chế
này không đạt được tính chính xác cao. Cơ chế thực hiện được minh họa như trên hình
6.14.
Một phương pháp khác là thay đổi n bằng cách dùng tinh thể lỏng điện-từ lấp
đầy khoang cộng hưởng. Chiết suất của tinh thể lỏng điện-từ sẽ thay đổi khi có dòng

145
điện đi qua. Phương pháp này cũng có nhược điểm là các chất tinh thể lỏng điện-từ
thường dễ biến động theo nhiệt độ.

Cơ chế giữ cho 2

gương của bộ lọc
song song

Điện cực gốm

l
0
Sợi quang Sợi quang

Điện cực gốm

Hình 6.15. Dùng điện cực để thay đổi bước sóng hoạt động của bộ lọc Fabry-
Perot
Ứng dụng của bộ lọc Fabry-Perot
Bộ lọc Fabry-Perot cũng là thiết bị thuần quang nên khả năng ứng dụng khá
phong phú. Tuy nhiên, khả năng vượt trội so với các thiết bị lọc kiểu khác là hệ số
F của bộ lọc Fabry-Perot khá lớn (đến 2000), cộng với khả năng điều chỉnh bước
sóng linh động nên thường dùng trong phòng thí nghiệm để kiểm tra, đo lường các
thiết bị quang khác.
c. Bộ lọc Mach - Zehnder
Ðịnh nghĩa
Bộ lọc Mach-Zehnder là một loại giao thoa kế. Sóng đi vào bộ lọc được phân
thành nhiều đường khác nhau, sau đó cho giao thoa với nhau. MZI thường được sản
xuất dựa trên các mạch tích hợp quang và thường gồm các couple 3 dB được nối với
nhau bằng các đường có các độ dài khác nhau (hình 6.16).

146
 Hình 6.16. Các kiểu bộ lọc Mach-Zehnder
(a) Bộ lọc MZI được tạo thành bằng cách kết nối các coupler định hướng 3dB.
(b) Sơ đồ khối của MZI. ΔL là độ lệch về đường đi giữa hai nhánh. (c) Sơ đồ khối
của MZI bốn tầng sử dụng các bước sóng khác nhau ở mỗi tầng.
Nguyên lý hoạt động
Trên hình 6.16, giả sử tín hiệu đi vào ngõ số 1, sau bộ coupler đầu tiên, công suất
được chia đều ở hai ngõ ra nhưng có độ lệch pha π/2. Ðộ lệch về đường đi ΔL làm cho
độ lệch pha tăng thêm βΔL ở nhánh dưới. Tại coupler thứ hai, tính hiệu ở nhánh dưới đi
vào nhánh trên và lại trễ hơn nhánh trên là π/2. Ðộ lệch pha tương đối tổng cộng ở nhánh
trên là π/2+βΔL +π/2. Tương tự tín hiệu từ nhánh trên đi vào nhánh dưới ở nhánh dưới
thì độ lệch pha tương đối tổng cộng là π/2+βΔL -π/2=βΔL. Nếu βΔL=kπ với k là lẻ thì
các tín hiệu ở ngõ ra thứ nhất được cộng đồng pha còn ở ngõ ra thứ hai sẽ triệt tiêu lẫn
nhau do ngược pha. Do đó tín hiệu sẽ được truyền vào từ ngõ vào thứ nhất ra ngõ ra thứ
nhất. Nếu k chẵn thì tín hiệu sẽ truyền từ ngõ vào thứ nhất đến ngõ ra thứ hai.
Hàm truyền đạt công suất trong trường hợp chỉ có ngõ vào 1 là tích cực:
𝐹𝑆𝑅 𝑇11 (𝑓) 𝑠𝑖𝑛2 (𝛽Δ𝐿/2)
𝐹= ( )=( ) (6.8)
Δ𝑓 𝑇12 (𝑓) 𝑐𝑜𝑠 2 (𝛽Δ𝐿/2)
Trên thực tế, để tăng độ dốc của hàm truyền đạt công suất, bộ lọc Mach-Zehnder
thường được mắc nối tiếp với nhau. Tuy nhiên, nếu mắc nối tiếp nhiều bộ lọc sẽ dẫn đến
suy hao thêm vào tăng.
Bộ lọc Mach-Zehnder có thể điều chỉnh được
Bộ lọc Mach-Zenhder có thể điều chỉnh được có cấu trúc đối xứng giữa hai nhánh
trên và nhánh dưới của ống dẫn sóng. Ðiều chỉnh bước sóng hoạt động bằng cách điều
chỉnh chiết suất tương đối của một nhánh. Phương pháp thay đổi chiết suất tương đối có
147
thể là dùng nhiệt hoặc tạo ống dẫn sóng bằng các chất điện-từ (chẳng hạn như LiNbO3),
sau đó áp điện áp lên để làm thay đổi chiết suất tương đối của chất đó.
Ứng dụng của bộ lọc Mach-Zehnder
Bộ lọc Mach-Zehnder thường được ứng dụng để chế tạo các bộ ghép/tách kênh.
Xét trường hợp MZI đơn. Với ΔL cố định, ngõ vào 1 tích cực, MZI sẽ đóng vai trò là
bộ tách kênh 1x2 nếu các bước sóng được chọn trùng với các đỉnh của hàm truyền đạt.
Cụ thể nếu β=2πneff/λ thì bư c sóng ngõ vào λi phải được chọn sao cho neffΔL/λi=mi/2
với mi là số nguyên dương. Nếu mi là lẻ thì λi sẽ xuất hiện ở ngõ ra thứ nhất vì hàm
truyền đạt công suất trong trường hợp này là sin2(miπ/2) =1, còn nếu mi là chẵn thì λi sẽ
xuất hiện ở ngõ ra thứ hai vì hàm truyền đạt công suất trong trường hợp này là
cos2(miπ/2) =1. Vì MZI là thiết bị thuận nghịch nên khi các ngõ vào và ra đổi chỗ cho
nhau nó sẽ là một bộ ghép kênh 2x1. Ðể có bộ tách kênh 1xn với n là lũy thừa của 2 cần
nối chuỗi (n-1) MZI (hình 1.6.c). Tuy nhiên so với TFMF thì chuỗi MZI có chất lượng
kém hơn: dải thông không phẳng và vùng chuyển tiếp không dốc.
d. Bộ lọc cách tử
Định nghĩa
Cách tử Bragg kiểu sợi quang là một đoạn sợi quang nhạy với ánh sáng, được chế
tạo bằng cách dùng tia cực tím UV (Ultra-violet) chiếu vào để làm thay đổi một cách
tuần hoàn chiết suất bên trong lõi. Sự thay đổi chiết suất trong lõi sợi chỉ cần rất nhỏ
(khoảng 10-4) cũng đã đủ tạo ra cách tử Bragg. Bộ lọc cách tử Bragg kiểu sợi quang
được phân làm hai loại: cách tử chu kì ngắn và cách tử chu kì dài. Cách tử chu kì ngắn
có chu kì cách tử tương đương với bước sóng hoạt động (khoảng 5μm). Trong khi đó
cách tử chu kì dài có chu kì cách tử lớn hơn nhiều lần so với bước sóng hoạt động
(khoảng vài trăm μm đến vài mm). Bộ lọc Bragg kiểu sợi quang cũng có thể là bộ lọc
cố định hoặc bộ lọc điều chỉnh được.
Nguyên lý hoạt động
Bộ lọc cách tử chu kì ngắn
Bằng cách tạo sự thay đổi tuần hoàn chiết suất trong lõi sợi quang. Quá trình truyền
sóng trong sợi quang qua những miền chiết suất khác nhau khi đó trở nên nghiệm đúng
đối với điều kiện Bragg. Khi truyền trong sợi quang đã được cách tử Bragg hoá, chỉ có
bước sóng  = B sẽ được phản xạ trở lại và cộng pha với nhau, cộng pha với sóng tới,
làm tăng cường độ sóng phản xạ. Các bước sóng khác sẽ truyền xuyên qua hoặc phản
xạ trở lại không đáng kể do triệt pha với nhau. Bước sóng Bragg λB của bộ lọc được tính
từ công thức:
𝜆𝐵 = 2. 𝑛𝑒𝑓𝑓 . Λ (6.9)
Trong đó : neff là chiết suất hiệu dụng của lõi sợi, Λ là chu kỳ cách tử Bragg.
Bộ lọc cách tử chu kì dài

148
 Nguyên lý hoạt động của bộ lọc Bragg kiểu sợi quang chu kì dài có khác so với
loại chu kì ngắn. Trong loại cách tử chu kì ngắn mà ta đã xét ở trên, khi bước sóng truyền
trong lõi sợi là λB, sóng phản xạ trở về sẽ được ghép cộng pha với nhau và cộng pha
với sóng tới. Tất cả quá trình đó chỉ diễn ra trong lõi sợi quang. Ðối với cách tử chu kì
dài, sóng truyền trong phần lớp phủ ngoài lõi sợi theo chiều đi sẽ được ghép cộng pha
với sóng truyền trong phần lõi sợi ở cùng chiều. Ðiều kiện để có sự ghép cộng pha giữa
phần mode sóng truyền trong lõi và phần mode sóng truyền trong lớp vỏ là:
𝑝 2𝜋
𝛽 − 𝛽𝑐𝑙 = (6.10)
Λ
Trong đó : là hệ số pha của mode sóng truyền trong lõi
𝑝
𝛽𝑐𝑙 : là hệ số pha của mode sóng bậc p truyền trong lớp vỏ.
Thường thì hiệu số giữa hai hằng số lan truyền này rất nhỏ nên Λ sẽ trở nên rất
lớn để việc ghép năng lượng có thể xảy ra. Giá trị này thường vào khoảng vài trăm
micrometers. (Lưu ý đối với cách tử sợi Bragg hiệu số giữa hằng số lan truyền của mode
tới và mode phản xạ là rất lớn nên chu kỳ cách tử Λ sẽ rất nhỏ). Do ta có mối liên hệ
giữa hệ số pha và chiết suất tương đối:
2𝜋𝑛𝑒𝑓𝑓
𝛽= (6.11)
𝜆
Kết hợp phương trình (1.10) và (1.11), ta có:
𝑝
𝜆 = Λ(𝑛𝑒𝑓𝑓 − 𝑛𝑒𝑓𝑓 ) (6.12)
𝑝
Như vậy khi biết được neff, 𝑛𝑒𝑓𝑓 (chiết suất hiệu dụng của mode sóng bậc p) ta có
thể chế tạo một cách tử giá trị Λ một cách hợp lí sao cho việc ghép năng lượng xảy ra ở
ngoài dải bước sóng mong muốn. Cách tử trong trường hợp này hoạt động như một bộ
suy hao theo bước sóng.
Bộ lọc Bragg kiểu sợi quang có thể điều chỉnh được
Từ công thức (1.9) và (1.12), ta thấy ta chỉ cần thay đổi chu kì cách tử Λ là có thể
thay đổi bước sóng hoạt động của bộ lọc Bragg kiểu sợi quang. Trên thực tế, để thay đổi
chu kì cách tử người ta thường dùng hai cách: dùng nhiệt hoặc dùng sức căng. Sự thay
đổi bước sóng hoạt động của bộ lọc được xác định là một hàm theo chiều dài cách tử
(L) và nhiệt độ (T):
Δ𝜆 = 0.8(Δ𝐿/𝐿) + 8. 10−6 /Δ𝑇 (6.13)
Ứng dụng của bộ lọc cách tử Bragg kiểu sợi quang
Cách tử Bragg kiểu sợi quang là thiết bị thuần quang nên có những ưu điểm của
họ thiết bị này như: suy hao thấp, dễ phối ghép tín hiệu từ sợi quang vào thiết bị, không
nhạy với sự phân cực, hệ số nhiệt thấp. Nhờ các đặc tính đó cho nhiều ứng dụng khác
nhau:

149
  Tạo nguồn laser bằng cách ghép 2 bộ lọc cách tử Bragg sợi quang cùng bước
sóng hoạt động với nhau để tạo thành hốc cộng hưởng, rồi dùng một nguồn laser phát
bước sóng liên tục cho chiếu vào. Nguồn laser tạo bằng phương pháp này còn có thể
điều chỉnh để sóng ra ở chế độ mode-locked.
 Ổn định bước sóng: tận dụng tính chọn lọc chính xác bước sóng của bộ lọc Bragg
kiểu sợi để ổn định sóng bơm bước sóng 980 nm. Dùng kết hợp với hai coupler như
minh họa trên hình 6.17 (a). Mạch hồi tiếp so sánh giữa sóng qua bộ lọc và sóng không
qua bộ lọc để điều chỉnh trở lại nguồn laser DBR.
 Bù tán sắc bằng cách dùng cách tử chu kì giảm dần (Chirped Grating). Khi ánh
sáng vào sợi quang kiểu này, những bước sóng khác nhau sẽ phản xạ ở những điểm khác
nhau, đường đi khác nhau, dẫn đến bù được tán sắc nếu cấu hình thích hợp. Minh họa
trên hình 6.17 (b).
 Là thành phần quan trọng trong việc chế tạo các bộ xen/rớt, kết hợp với bộ
Circulator. Minh họa trên hình 6.17 (c).
Bộ lọc cách tử Bragg chu kì dài có thể đóng vai trò như các bộ lọc băng (băng gồm
nhiều kênh bước sóng) rất hiệu quả, ứng dụng để cân bằng độ lợi khi dùng bộ khuyếch
đại EDFA.

90%
DBR 1
10% 2
(2 < 1)
(b)
Mạch ĐK
50%
50%

điện tử

Cách tử Bragg

Mạch 1, 2, 3

1 , 2 ,  3 1 , 3 1 , 2 ,  3
hồi tiếp
Cách tử Bragg Coupler

2 2

(a) (c)
Hình 6.17. Một số ứng dụng của bộ lọc cách tử Bragg kiểu sợi quang
(a) Ứng dụng tạo nguồn phát laser. (b) Bù tán sắc bằng cách dùng cách tử
chu kỳ giảm dần. (c) Thành phần cấu tạo bộ xen/rớt kênh bước sóng.
150
 e. Bộ lọc đa khoang màng mỏng điện môi (TFMF)
Bộ lọc màng mỏng TFF (Thin-film Filter cũng là một dạng của giao thao kế Fabry-
Perot trong đó các gương bao quang hốc cộng hưởng được hiện thực bằng nhiều lớp
màng mỏng điện môi có thể phản xạ được. Bộ lọc này là bộ lọc dải thông chỉ cho một
bước sóng nhất định đi qua và phản xạ tất cả các bước sóng còn lại.
Bộ lọc đa khoang màng mỏng điện môi (TFMF) gồm nhiều hốc cộng hưởng cách
nhau bằng các màng mỏng điện môi phản xạ như trong hình 6.18(a). Số hốc cộng
hưởngcàng nhiều thì hàm truyền đạt công suất có đỉnh càng phẳng trong dải thông và
có độ dốc càng đứng (hình 6.18.b).

Hình 6.18. Bộ lọc đa khoang màng mỏng TFMF (Thin-film Multicavity Filter)
(a) Cấu tạo bộ lọc gồm có 3 khoang cộng hưởng. (b) Hàm truyền đạt công suất
đối với các trường hợp gồm: một, hai, ba khoang cộng hưởng
Ứng dụng của bộ lọc TFMF
Bộ lọc TFMF có nhiều ưu điểm như: hàm truyền đạt có đỉnh bằng phẳng, độ dốc
cao, thiết bị hoạt động ổn định với nhiệt độ, suy hao thấp và ít bị ảnh hưởng bởi sự thay
đổi trạng thái phân cực của tín hiệu nên hiện nay bộ lọc loại này được ứng dụng rộng
rãi. Một ứng dụng tiêu biểu nhất là tạo bộ tách bước sóng (DEMUX), thực hiện với 8
bước sóng, như minh họa trên hình 6.19.

Hình 6.19. Bộ lọc ghép/tách kênh được tạo từ các bộ lọc màng mỏng điện môi
151
 f. Bộ lọc cách tử ống dẫn sóng sóng ma trận (AWG)
Định nghĩa
AWG là trường hợp tổng quát của bộ lọc giao thoa Mach-Zehnder (hình 1.6). Bộ
lọc này bao gồm hai bộ coupler nhiều cổng multiport coupler được kết nối với nhau
bằng một ma trận ống dẫn sóng (array of waveguides). AWG có thể được xem như là
một thiết bị ở đó một tín hiệu được nhân bản lên thành một loạt các tín hiệu với các độ
lệch pha tương đối khác nhau rộng được cộng lại với nhau.
AWG có thể được sử dụng như là bộ ghép/tách kênh 1xn. So với chuỗi MZI, AWG
có tổn hao thấp, dải thông phẳng, và dễ dàng được sản xuất dựa trên các mạch quang tổ
hợp (integrated optic substrate). AWG còn có thể được sử dụng như là một bộ đấu chéo
bước sóng (wavelength crossconnect). Tuy nhiên bộ kết nối chéo trong trường hợp này
không có khả năng tự định tuyến (xem hình 6.21).

Ma trận ống dẫn sóng Các ống dẫn sóng

Các ống dẫn sóng
ngõ ra
ngõ vào Coupler
Coupler
Ngõ ra
Ngõ vào

Hình 6.20. Cách tử ống dẫn sóng ma trận

𝜆11 , 𝜆12 , 𝜆13 , 𝜆14

Cách tử ống 𝜆11 , 𝜆22 , 𝜆33 , 𝜆44
𝜆12 , 𝜆22 , 𝜆23 , 𝜆24
dẫn sóng 𝜆14 , 𝜆12 , 𝜆23 , 𝜆34
𝜆13 , 𝜆32 , 𝜆33 , 𝜆34
ma trận 𝜆13 , 𝜆42 , 𝜆13 , 𝜆24
𝜆14 , 𝜆42 , 𝜆43 , 𝜆44
𝜆12 , 𝜆32 , 𝜆43 , 𝜆14

Hình 6.21. Mẫu bộ kết nối chéo được tạo từ AWG

Nguyên lý hoạt động
Xem xét AWG trên hình 6.20. Số ngõ vào và ngõ ra của AWG là n. Coupler thứ
nhất có kích thước là nxm, còn coupler thứ hai có kích thước là mxn. Hai coupler này
được nối với nhau bằng m ống dẫn sóng, được gọi là các ống dẫn sóng dạng ma trận.
Ðộ dài của các ống dẫn sóng được chọn sau cho độ lệch về chiều dài giữa hai ống dẫn
sóng kế cận là ΔL. Coupler đầu tiên chia tín hiệu thành m phần. Ðộ lệch pha giữa các
phần này phụ thuộc vào khoảng cách mà tín hiệu từ ngõ vào đến một ống dẫn sóng.
Kí hiệu dikin là độ lệch về đường đi (tương đối với bất kỳ một ống dẫn sóng ngõ
vào nào và bất kỳ một ống dẫn sóng ma trận nào) giữa ống dẫn sóng ngõ vào i và ống
dẫn sóng ma trận k. Giả sử rằng ống dẫn sóng ma trận k có độ dài đường dẫn lớn hơn
ống dẫn sóng k-1 một khoảng ΔL. Tương tự kí hiệu dkjout là độ lệch về đường đi (tương

152
đối với bất kỳ một ống dẫn sóng ma trận nào và bất kỳ một ống dẫn sóng ngõ ra nào)
giữa ống dẫn sóng ma trận k và ống dẫn sóng ngõ ra j. Khi đó pha tương đối của các tín
hiệu từ ngõ vào i đến ngõ ra j đi qua m đường khác nhau được cho bởi:
2𝜋 𝑖𝑛 𝑜𝑢𝑡
𝜙𝑖𝑗𝑘 = (𝑛1 𝑑𝑖𝑘 + 𝑛2 𝑘Δ𝐿 + 𝑛1 𝑑𝑘𝑗 ) , 𝑘 = 1, … , 𝑚 (6.14)
𝜆
Ở đây n1 là chiết suất khúc xạ của các coupler ngõ vào và ngõ ra, n2 là chiết suất
khúc xạ của các ống dẫn sóng ma trận. Từ ngõ vào i, những bước sóng  làm cho ijk
khác nhau một bội số của 2 thì sẽ được cộng đồng pha tại ngõ ra j.
Giả sử các coupler ngõ vào và ngõ ra được thiết kế sao cho:
𝑖𝑛
𝑑𝑖𝑘 = 𝑑𝑖𝑖𝑛 + 𝑘𝛿𝑖𝑖𝑛
𝑜𝑢𝑡
𝑑𝑖𝑘 = 𝑑𝑖𝑜𝑢𝑡 + 𝑘𝛿𝑖𝑜𝑢𝑡 (6.15)
thì pha tương đối của các tín hiệu có thể viết lại như sau:
2𝜋 2𝜋𝑘
𝜙𝑖𝑗𝑘 = (𝑛1 𝑑𝑖𝑖𝑛 + 𝑛1 𝑑𝑗𝑜𝑢𝑡 ) + (𝑛1 𝛿𝑖𝑖𝑛 + 𝑛2 Δ𝐿 + 𝑛1 𝛿𝑖𝑜𝑢𝑡 ),
𝜆 𝜆
𝑘 = 1, . . , 𝑚 (6.16)
Cấu trúc này được gọi là cấu trúc vòng Rowland (hình 6.22).
Nếu bước sóng λ ở ngõ vào i thoả điều kiện:
𝑛1 𝛿𝑖𝑖𝑛 + 𝑛2 Δ𝐿 + 𝑛1 𝛿𝑖𝑜𝑢𝑡 = 𝑝𝜆 (6.17)
Với p là một số nguyên dương thì sẽ được cộng đồng pha ở ngõ ra j.

Hình 6.22. Vòng Rowland dùng để tạo các coupler cho AWG
Ðối với trường hợp AWG sử dụng như một bộ tách kênh thì tất cả các bư c sóng
được đưa đến cùng một ngõ vào i. Do đó nếu các bư c sóng λ1,λ2,...,λn của hệ thống
WDM thỏa điều kiện:
𝑛1 𝛿𝑖𝑖𝑛 + 𝑛2 Δ𝐿 + 𝑛1 𝛿𝑖𝑜𝑢𝑡 = 𝑝𝜆𝑗 (6.18)
cho một p nào đó thì các bước sóng này sẽ được tách bởi AWG. Lưu ý 𝛿𝑖𝑖𝑛 và ΔL
cần thiết để xác định chính xác tổ hợp các bước sóng được phân kênh, khoảng cách tối
thiểu giữa các bước sóng không phụ thuộc vào hai tham số đó mà chủ yếu phụ thuộc
vào 𝛿𝑖𝑜𝑢𝑡 .

153
 g. Bộ lọc quang - âm điều chỉnh được (AOTF)
Định nghĩa
Bộ lọc quang - âm AOTF (Acousto-Optic Tunable) là tiêu biểu cho họ thiết bị mà
công nghệ chế tạo kết hợp giữa âm thanh và ánh sáng. Dùng sóng âm thanh để tạo cách
tử Bragg trong ống dẫn sóng, các cách tử này thực hiện chức năng lựa chọn bước sóng.
Trong điều kiện công nghệ hiện tại, bộ lọc AOTF là một trong những thiết bị duy nhất
có khả năng điều chỉnh để lựa chọn nhiều bước sóng cùng một lúc. Khả năng này giúp
cho bộ lọc là linh kiện chủ chốt chế tạo các bộ kết nối chéo bước sóng.
Nguyên lý hoạt động

Bộ chuyển đổi
sóng âm học Sóng âm học
TE Bộ phân TM
Ngõ vào cực Ngõ ra

Hình 6.23. Một AOTF đơn giản

Xem ví dụ của một AOTF trên hình 6.23. AOTF là một ống dẫn sóng được tạo
thành từ vật liệu khúc xạ kép và chỉ hỗ trợ các mode TE và TM bậc thấp nhất (ví dụ
làm bằng Ti trên nền LiNbO3). Giả sử năng lượng ánh sáng ngõ vào là TE mode. Bộ
phân cực ngõ vào (input polarizer) chỉ chọn năng lượng ánh sáng trong mode TM được
bố trí ở hai đầu cuối của ống dẫn sóng.
Bộ tạo sóng âm (Acoustic transducer) tạo ra sóng âm bề mặt SAW (Surface
Acoustic Wave) lan truyền dọc theo hoặc ngược chiều với hướng truyền dẫn của ánh
sáng. Kết quả của sự lan truyền này là mật độ của môi trường thay đổi một cách tuần
hoàn. Chu kỳ của sự thay đổi mật độ này bằng với bước sóng của sóng âm. Sự thay đổi
mật độ một cách tuần hoàn này đóng vai trò như là một cách tử Bragg.
Nếu các hệ số chiết suất nTE và nTM của các mode TE và TM thỏa điều kiện Bragg:
𝑛 𝑇𝑀 𝑛 𝑇𝐸 1
= ± (6.19)
𝜆 𝜆 Λ
thì ánh sáng sẽ được ghép từ một mode này đến một mode khác. Năng lượng ánh
sáng trong một dải phổ hẹp xung quanh bư c sóng λ thỏa điều kiện phản xạ Bragg sẽ bị
chuyển đổi từ TE sang TM mode. Như vậy thiết bị này đóng vai trò như một bộ lọc băng
hẹp khi ở ngõ vào chỉ có năng lượng ánh sáng trong mode TE và ở ngõ ra chỉ có năng
lượng ánh sáng trong mode TM là được chọn (xem hình 6.24).
Trong LiNbO3, mode TE và TM có độ chênh lệch về chiết suất Δn=0.07. Ðiều
kiện phản xạ Bragg có thể viết lại:
𝜆 = Λ(Δ𝑛) (6.20)

154
 Hình 6.24. Bộ lọc quang - âm có thể điều chỉnh được AOTF (Acousto-optic
Tunable Filter)
Với một bước sóng âm học Λ thích hợp AOTF có thể chọn ra bước sóng λ phù
hợp. Ví dụ để chọn được bước sóng λ=1550nm với Δn = 0.07 thì bước sóng âm học vào
khoảng Λ = 22 μm. Vận tốc âm thanh trong LiNbO3 là 3.75 km/s do đó tần số RF sẽ là
khoảng 170 MHz. Bộ AOTF trên hình 6.23 là thiết bị phụ thuộc vào phân cực. Hình
6.24 là AOTF không phụ thuộc vào phân cực.
Hàm truyền đạt công suất
𝑠𝑖𝑛2 ((𝜋/2)√1 + (2Δ𝜆/Δ)2 )
𝑇 (𝜆 ) = (6.21)
1 + (2Δ𝜆/Δ)2
Với Δλ = λ- λ0 với λ0 là bước sóng thỏa điều kiện Bragg.
Δ = 𝜆20 /𝑙Δ𝑛 số đo độ rộng dải thông của bộ lọc với l là chiều dài của bộ lọc.
Hàm truyền đạt được vẽ trên hình 6.25. Như vậy l quyết định độ rộng của dải
thông. Có thể chứng minh được FWHM ≈ 0.8Δ. Như vậy bộ lọc càng dài dải thông càng
hẹp. Tuy nhiên lưu ý rằng tốc độ hiệu chỉnh cũng tỉ lệ thuận với l vì tốc độ này được xác
định bởi thời gian cần thiết để sóng âm truyền qua hết chiều dài của bộ lọc.

Hình 6.25. Hàm truyền đạt công suất của bộ lọc AOTF
155
 Ứng dụng của bộ lọc AOTF
AOTF là bộ kết nối chéo bước sóng. Nếu cấp cho AOTF nhiều sóng âm học đồng
thời thì nhiều bước sóng quang có thể thõa điều kiện Bragg đồng thời. Do đó với một
AOTF có thể thực hiện việc hoán đổi các bước sóng giữa hai cổng một cách đồng thời
(hình 6.26.b). Như vậy AOTF có thể thực hiện việc định tuyến bước sóng động dễ dàng
bằng thay đổi bước sóng âm học. Tuy nhiên AOTF khó có ứng dụng nhiều trên thực tế
vì nhiễu xuyên kênh lớn đồng thời để có khoảng cách kênh hẹp cho DWDM thì AOTF
phải có chiều dài lớn nên khó sản xuất.

𝜆11 , 𝜆12 , 𝜆13 , 𝜆14 𝜆12 , 𝜆12 , 𝜆13 , 𝜆24

2
𝜆11 , 𝜆12 𝜆12 , 𝜆12 𝜆2 , 𝜆22 , 𝜆2 , Bộ𝜆2 lọc quang𝜆âm , 𝜆22 , 𝜆2 , 𝜆2
⬚ ⬚ Bộ lọc quang âm
𝜆⬚
1 ⬚2 điều chỉnh được
𝜆12 , 𝜆22 điều chỉnh được 1 , 𝜆2
⬚ ⬚ ⬚ ⬚
𝜆11 , 𝜆22 , 𝜆23 , 𝜆14
𝜆12 , 𝜆22 , 𝜆23 , 𝜆24
RF1 𝜆2 ,4 𝜆22 , 𝜆2 , 𝜆2
RF1, RF
𝜆2 , 𝜆22 , 𝜆2 , 𝜆2
(a) (b)
Hình 6.26. Bộ kết nối chéo bước sóng được tạo từ các bộ lọc AOTF
6.1.3.4. Bộ ghép/tách kênh bước sóng
Bộ ghép/tách kênh bước sóng, cùng với bộ kết nối chéo quang, là thiết bị quan
trọng nhất cấu thành nên hệ thống WDM. Khi dùng kết hợp với bộ kết nối chéo
quang OXC (Optical Crossconnect) sẽ hình thành nên mạng truyền tải quang, có khả
năng truyền tải đồng thời và trong suốt mọi loại hình dịch vụ, mà công nghệ hiện nay
đang hướng tới. Tuy nhiên, trong khi thiết bị và công nghệ chuyển mạch quang nhìn
chung vẫn còn đang ở mức nghiên cứu tại các phòng thí nghiệm thì các thiết ghép/tách
kênh bước sóng đã được thương mại hoá rộng rãi. Về công nghệ chế tạo, công nghệ
chế tạo bộ lọc và công nghệ chế tạo bộ tách/ghép kênh hoàn toàn giống nhau. Chỉ
khác là bộ lọc thường chỉ có một bước sóng hoạt động, còn bộ tách/ghép kênh hoạt
động trên nhiều kênh bước sóng liên tục. Bộ lọc chính là phần tử cơ bản cấu tạo nên
bộ ghép/tách kênh nên phần này ta sẽ không đi sâu vào công nghệ chế tạo nữa.
Ðịnh nghĩa
Nguyên lý hoạt động của bộ MUX/DEMUX cũng tương tự như bộ Coupler. Tuy
nhiên, bộ Coupler/Splitter thực hiện ghép tách tín hiệu có cùng bước sóng, còn bộ
MUX/DEMUX thực hiện ghép tách tín hiệu ở các bước sóng khác nhau. Sơ đồ khối bộ
MUX/DEMUX cho trong hình 6.27 (a) và (b).
Ðặc tính
Bộ MUX/DEMUX thường được mô tả theo những thông số sau:
- Suy hao xen (Insertion Loss): đã mô tả ở phần coupler.

156
 - Số lượng kênh xử lý: là số lượng kênh bước sóng ở đầu vào và đầu ra của bộ
ghép/tách kênh. Thông số này đặc trưng cho dung lượng của thiết bị.
- Bước sóng trung tâm: Các bước sóng trung tâm phải tuân theo chuẩn của ITU-
T để đảm bảo vấn đề tương thích.
- Băng thông: là độ rộng phổ (linewidth) của kênh bước sóng trên thực tế.
Băng thông thường được tính là độ rộng của hàm truyền đạt công suất ở các mức cách
đỉnh 1dB, 3dB, 20dB.
- Giá trị lớn nhất suy hao xen: được tính là khoảng cách nhỏ nhất giữa đỉnh của
hàm truyền đạt công suất của một kênh bước sóng nào đó so với mức IL=0 (dB) (minh
họa trên 6.27 (c)).
- Ðộ chênh lệch suy hao xen vào giữa các kênh: được tính là hiệu của giá trị lớn
nhất và nhỏ nhất suy hao xen vào giữa các kênh bước sóng.

(c)
Hình 6.27 Bộ tách/ghép kênh bước sóng quang. (a) Sơ đồ khối bộ ghép kênh
bước sóng (MUX). (b) Sơ đồ khối bộ tách kênh bước sóng (DEMUX). (c) Các thông
số đặc trưng của bộ MUX/DEMUX.
6.1.3.5. Bộ chuyển mạch quang
Các bộ chuyển mạch đơn (Single Switch)
Theo chức năng, các bộ chuyển mạch đơn thường được chia làm hai loại:
on/off và chuyển tiếp (passing). Bộ chuyển mạch on/off (1x1) sẽ cho phép/hoặc
không cho phép tín hiệu ánh sáng đi qua (hình 6.28(a)). Chuyển mạch chuyển tiếp
1x2 hướng tín hiệu ánh sáng từ sợi quang thứ nhất sang sợi quang thứ hai hoặc sang
sợi quang thứ ba. Cấu hình chuyển mạch 1x2 trong hình 6.28(b) là cấu hình chuyển
mạch đơn giản nhất. Các bộ chuyển mạch chuyển tiếp 1xN đơn mang tính thương mại
cao. Bộ chuyển mạch chuyển tiếp 2x2 có thể kết nối hai sợi quang này với hai sợi
quang khác. Bộ chuyển mạch chuyển tiếp 2x2 có thể có hai trạng thái: trạng thái kết nối
thẳng (bypass/bar) và trạng thái kết nối chéo (cross/inserted) (hình 6.28(c)). Thuật ngữ
157
không nghẽn dùng để chỉ một bộ chuyển mạch có thể kết nối bất kỳ ngõ vào đến bất
kỳ ngõ ra. Hình 6.28(d) trình bày bộ chuyển mạch 2x2 có nghẽn vì bộ chuyển mạch
này chỉ có thể kết nối từ sợi quang 1 đến sợi quang 4.

(a)

(b)

(c)

(d)
Hình 6.28 Các loại cấu hình chuyển mạch quang: (a) chuyển mạch On/Off
(1x1); (b) chuyển mạch chuyển tiếp (1x2) (không nghẽn); (d) chuyển mạch 2x2 có
nghẽn.
Nhiều ví dụ đơn giản về các ứng dụng của bộ chuyển mạch khẳng định tầm
quan trọng của các bộ chuyển mạch trong hệ thống thông tin sợi quang như sau:

- Các chuyển mạch on/off được dùng làm các đầu phát và đầu thu cách ly trong
thiết bị đo thử. Bộ chuyển mạch 1x2 cho phép lựa chọn kênh và được dùng cho chuyển
mạch bảo vệ (để định hướng lại lưu lượng khi sợi quang bị đứt).
- Các chuyển mạch 1xN được dùng để kiểm tra và đo các linh kiện quang, kiểm
tra từ xa các hệ thống thông tin sợi quang.
- Các chuyển mạch 2x2 được dùng để kết nối thẳng nút trong các mạng quang.
Chuyển mạch 2x2 thường được ứng dụng trong các mạng FDDI. Khi một trạm nào đó
bị hư hỏng hoặc bị mất nguồn, bộ chuyển mạch sẽ tự động thay đổi sang trạng thái
nghẽn, do đó đảm bảo luồng lưu lượng không bị ảnh hưởng khi nút bị hư hỏng.
Một số tham số chính quy định đặc tính của các bộ chuyển mạch:
- Tỉ số tắt mở (extinction ratio): thể hiện đặc tính của bộ chuyển mạch on/off.
Ðây là tỉ số giữa năng lượng ánh sáng khi chuyển mạch ở trạng thái on và năng lượng
ánh sáng khi chuyển mạch ở trạng thái off. Giá trị này càng cao càng tốt, thường nằm
trong khoảng từ 45 đến 50 dB.
158
 - Suy hao xen (insertion loss): là đơn vị đo công suất suy hao do bộ chuyển
mạch gây ra thường có giá trị khoảng 0.5 dB.
- Nhiễu xuyên âm (crosstalk): tỉ số giữa công suất ngõ ra được tạo ra bởi ngõ
vào mong muốn và công suất ngõ ra được tạo ra bởi ngõ vào không mong muốn. Giá
trị này càng cao càng tốt, thường khoảng 80 dB.
- Thời gian chuyển mạch (switching time): là tham số rất quan trọng. Khi sử
dụng các bộ lọc hiệu chỉnh được, thời gian chuyển mạch yêu cầu phụ thuộc vào các
ứng dụng của chuyển mạch. Ðối với các mạng chuyển mạch kênh ngày nay, thời
gian chuyển mạch khoảng cỡ μs, thậm chí cỡ ms, nhưng đối với các mạng quang
chuyển mạch gói, thời gian chuyển mạch chỉ khoảng vài ns, thậm chí khoảng ρs. Các
bộ chuyển mạch đơn quang-cơ học và quang-nhiệt có thời gian chuyển mạch nằm trong
khoảng từ 2 đến 20 ms, trong khi các bộ chuyển mạch đơn quang-điện có thời gian
chuyển mạch cỡ ns.
Các khối chuyển mạch quang lớn (multistage/large optical switch)
Các khối chuyển mạch quang với số lượng cổng từ vài trăm đến vài ngàn
đang được nghiên cứu cho hệ thống mạng quang thế hệ tiếp theo. Khi thiết kế các
khối chuyển mạch quang lớn, cần quan tâm đến các vấn đề sau:
Số lượng của các phần tử chuyển mạch cần thiết: các bộ chuyển mạch lớn được
tạo thành từ các phần tử chuyển mạch theo nhiều cách khác nhau, như sẽ trình bày bên
dưới. Chi phí và độ phức tạp của khối chuyển mạch phụ thuộc vào số phần tử chuyển
mạch được yêu cầu, cách đóng gói, ghép nối, phương pháp chế tạo và điều khiển.
Tính đồng nhất của suy hao: các bộ chuyển mạch có thể tạo ra suy hao khác
nhau cho từng kết nối khác nhau của ngõ vào và ngõ ra. Khối chuyển mạch càng lớn
thì sự khác nhau về suy hao càng nhiều. Ðánh giá tính đồng nhất của suy hao bằng
cách xem xét số phần tử chuyển mạch tối thiểu và tối đa trên đường dẫn quang đối
với từng kết nối ngõ vào/ra khác nhau.
Số điểm nối chéo trong khối chuyển mạch: thông số này đặc biệt quan trọng
trong việc chế tạo các khối chuyển mạch quang. Một số khối chuyển mạch quang
được tích hợp từ nhiều bộ chuyển mạch trên một mạch duy nhất. Không giống như
trong các mạch điện tích hợp (IC), ở đó, các kết nối giữa nhiều linh kiện khác nhau có
thể nằm trên nhiều lớp, trong các mạch quang tích hợp, tất cả các kết nối đều được
tạo ra trên một lớp duy nhất bằng các ống dẫn sóng. Nếu các đường dẫn của hai ống
dẫn sóng cắt nhau (tạo ra điểm nối chéo) thì sẽ xảy ra các hiệu ứng không mong muốn
như suy hao công suất và hiện tượng nhiễu xuyên âm. Ðể hiện tượng suy hao công
suất và nhiễu xuyên âm không gây ảnh hưởng đến khối chuyển mạch thì phải tối
thiểu hóa hoặc hạn chế hoàn toàn các điểm cắt nhau này.

159
 Các đặc tính nghẽn: về chức năng, có thể chia khối chuyển mạch thành hai loại:
nghẽn và không nghẽn. Khối chuyển mạch gọi là không nghẽn khi một cổng ngõ vào
nào đó đang rỗi có thể kết nối với bất kỳ ngõ ra nào cũng đang rỗi. Vì thế, một
khối chuyển mạch không nghẽn có khả năng thực hiện mọi kết nối từ ngõ vào đến
ngõ ra. Nếu trong khối chuyển mạch có một số kết nối không thể thực hiện được, thì
khối chuyển mạch này được gọi xem là có nghẽn. Phần lớn các ứng dụng đều yêu cầu
chuyển mạch không nghẽn. Với chuyển mạch không nghẽn có thể phân thành hai loại
là: chuyển mạch không nghẽn theo nghĩa rộng (wide-sense nonblocking), và chuyển
mạch không nghẽn theo nghĩa hẹp (strict-sense non-blocking). Theo nghĩa rộng, bất
kỳ ngõ vào nào chưa được sử dụng cũng có thể kết nối với bất kỳ ngõ ra nào cũng
chưa được sử dụng mà không cần phải định tuyến lại các kết nối đang tồn tại; khối
chuyển mạch dạng này sử dụng các thuật toán định tuyến đặc trưng để định tuyến cho
các kết nối hiện có sao cho đảm bảo không xảy ra nghẽn cho các kết nối tiếp sau đó.
Theo nghĩa hẹp, bất kỳ ngõ vào nào chưa được sử dụng cũng được kết nối với bất kỳ
ngõ ra nào cũng chưa được sử dụng mà không cần quan tâm đến trạng thái của các kết
nối trước đó trong khối chuyển mạch.
Một khối chuyển mạch không nghẽn yêu cầu việc định tuyến lại cho các kết nối
để đảm bảo thuộc tính không nghẽn được gọi là khối chuyển mạch không nghẽn
sắp xếp lại (rearrangeably non-blocking switch). Việc định tuyến lại các kết nối có
thể hoặc không thể được chấp nhận còn tùy thuộc vào ứng dụng vì chắc chắn các kết
nối sẽ bị ngắt trong một khoảng thời gian nào đó khi chúng được chuyển mạch sang
đường dẫn khác. So với các cấu trúc chuyển mạch không nghẽn theo nghĩa rộng, ưu
điểm của các cấu trúc chuyển mạch không nghẽn sắp xếp lại là sử dụng càng ít các bộ
chuyển mạch nhỏ thì kích thước của khối chuyển mạch càng lớn. Tuy nhiên, khi các
cấu trúc không nghẽn sắp xếp lại sử dụng càng ít bộ chuyển mạch nhỏ thì thuật toán
điều khiển để thiết lập kết nối của chúng càng phức tạp, nhưng nói chung với công
nghệ vi xử lý áp dụng trong khối chuyển mạch ngày nay, thì đây là vấn đề nhỏ, không
quan trọng. Nhược điểm lớn nhất của các khối chuyển mạch không nghẽn sắp xếp lại
là không thể phục vụ cho các ứng dụng không cho phép ngắt các kết nối đang tồn tại,
thậm chí trong khoảng thời gian cực ngắn khi cần thiết lập một kết nối mới.
Rõ ràng, khi thiết kế một khối chuyển mạch dung lượng lớn thì không thể cùng
lúc đạt được sự tối ưu đối với tất cả các thông số kể trên. Tuỳ thuộc vào ứng dụng của
khối chuyển mạch trên thực tế một thông số có thể được ưu tiên hơn các thông số khác.
6.1.3.6. Bộ chuyển đổi bước sóng
Bộ chuyển đổi bước sóng là thiết bị chuyển đổi tín hiệu có bước sóng này ở
đầu vào ra thành tín hiệu có bước sóng khác ở đầu ra. Ðối với hệ thống WDM, bộ
chuyển đổi bước sóng cho nhiều ứng dụng hữu ích khác nhau:

160
 Tín hiệu có thể đi vào mạng với bước sóng không thích hợp khi truyền trong mạng
WDM. Chẳng hạn như hiện nay các thiết bị WDM trên thế giới đa số đều chỉ có khả
năng hoạt động trên các bước sóng thuộc băng C và băng L, nhưng tín hiệu SDH hoạt
động với bước sóng 1310 nm có thể truyền trên hệ thống WDM nhờ các bộ chuyển
đổi bước sóng đặt ở biên giới giữa mạng WDM và mạng SDH, chuyển đổi tín hiệu
từ bước sóng 1310 nm sang tín hiệu tương thích với bước sóng theo qui định ITU-T
hoạt động ở vùng 1550 nm.
Bộ chuyển đổi khi được trang bị trong các cấu hình nút mạng WDM giúp sử
dụng tài nguyên bước sóng hiệu quả hơn, linh động hơn.
Có bốn phương pháp chế tạo bộ chuyển đổi bước sóng: phương pháp quang-điện,
phương pháp cửa quang, phương pháp giao thoa và phương pháp trộn bước sóng.
Phương pháp trộn bước sóng là phương pháp toàn quang, hoạt động hoàn toàn không
dựa vào tín hiệu điện, tuy nhiên hiện tại công nghệ chế tạo theo phương pháp này vẫn
chưa đủ hoàn thiện để có thể thương mại hoá.
Tạo bằng phương pháp quang-điện
Ðây là phương pháp chế tạo bộ chuyển đổi bước sóng đơn giản và phổ biến nhất
hiện nay. Tín hiệu đầu vào trước hết được chuyển sang dạng tín hiệu điện, tái tạo lại và
sau đó được một bộ phát laser phát bước sóng khác. Thường các bộ chuyển đổi bước
sóng đầu vào biến đổi-đầu ra cố định dùng phương pháp chế tạo này. Tính trong suốt
của thiết bị loại này phụ thuộc vào kiểu tái tạo (regeneration) cuả thiết bị đối với tín
hiệu:
Tái tạo 1R: đầu thu đơn giản chỉ chuyển đổi tín hiệu đầu vào từ dạng năng lượng
các hạt photon ánh sáng sang các hạt điện tử, sau đó các hạt điện tử được khuếch đại
bởi một bộ khuếch đại tương tự RF (Radio Frequency) và phát ra tia laser với bước sóng
thích hợp.
Tái tạo 2R: phương pháp tái tạo này chỉ áp dụng được khi tín hiệu đầu vào là tín
hiệu số. Tín hiệu được sửa lại dáng xung (reshaped) nhờ cho đi qua cổng logic, không
thực hiện đồng bộ lại tín hiệu (retimed) nên phương pháp chế tạo này dễ làm nảy sinh
hiện tượng Jitter.
Tái tạo 3R: thực hiện đồng thời việc sửa dáng xung và đồng bộ lại cho tín hiệu.
Phương pháp này giúp xoá bỏ những ảnh hưởng đến dạng của tín hiệu do các yếu tố
như: phi tuyến tính, tán sắc trong sợi quang, nhiễu của bộ khuếch đại… Tuy nhiên, để
đồng bộ lại tín hiệu mỗi bộ chuyển đổi bước sóng chỉ hoạt động tương ứng với một
luồng tín hiệu số có tốc độ bit nhất định, giảm tính trong suốt của thiết bị.

161
 (a)

(b)

(c)
Hình 6.29 Các loại chuyển đổi bước sóng quang điện: (a) 1R; (b) 2R; (c) 3R
Chế tạo bằng phương pháp cửa quang

Hình 6.30 Nguyên lý hoạt động của bộ chuyển đổi bước sóng chế tạo theo
phương pháp cửa quang.
Phương pháp chế tạo các bộ chuyển đổi bước sóng dùng phương pháp cửa quang
tận dụng tính chất của một số thiết bị quang có đặc tính đầu ra thay đổi theo cường độ
tín hiệu. Sự thay đổi này được chuyển đến tín hiệu chưa được điều chế, gọi là tín hiệu
dò (probe signal) cấu hình cho đi xuyên qua thiết bị. Tại đầu ra, tín hiệu dò mang thông
tin chứa trong tín hiệu đầu vào. Các thiết bị chế tạo theo phương pháp này thường
thuộc dạng đầu vào thay đổi-đầu ra cố định, hoặc đầu vào thay đổi-đầu ra thay đổi tuỳ
theo tín hiệu dò là cố định hoặc có thể điều chỉnh bước sóng không. Kĩ thuật chính
của phương pháp này là điều chế chéo độ lợi CGM (Cross-Gain Modulation), tận dụng
162
hiệu ứng phi tuyến trong một bộ khuếch đại quang bán dẫn SOA, tận dụng tính chất
của SOA là có độ lợi thay đổi theo cường độ tín hiệu đi vào. Nguyên lý hoạt động
của một thiết bị SOA được cấu hình làm bộ chuyển đổi bước sóng được minh hoạ như
trên hình 6.30.
Chế tạo bằng phương pháp giao thoa
Kĩ thuật chính của phương pháp này chính là điều chế chéo pha. Khi cường độ
sóng mang trong bộ khuếch đại thay đổi cùng với tín hiệu đầu vào, nó làm thay đổi
chiết suất của môi trường độ lợi, dẫn đến thay đổi pha của tín hiệu dò. Hiện tượng điều
chế pha kiểu này có thể chuyển sang điều chế biên độ bằng cách dùng bộ lọc Mach-
Zehnder. Trong đó, cả hai nhánh của bộ lọc Mach-Zehnder đều có cùng chiều dài, mỗi
nhánh dùng kết hợp thêm với một bộ khuyếch đại SOA. Tại đầu vào của bộ lọc Mach-
Zehnder dùng bộ Coupler tách tín hiệu đi theo hai nhánh của bộ lọc theo tỉ lệ không
đều nhau. Do cường độ tín hiệu đi trên mỗi nhánh không đều nhau nên khi đi qua các
bộ SOA sẽ bị dịch pha các lượng không giống nhau. Theo nguyên lý hoạt động của
MZI, sự lệch pha giữa hai tín hiệu này được chuyển đến một tín hiệu điều chế biên
độ ở đầu ra truyền với bước sóng khác.
Chế tạo bằng phương pháp trộn bước sóng
Phương pháp chế tạo này dựa trên hiện tượng trộn bốn bước sóng, trong đó
nếu có ba bước sóng f1, f2, f3 cùng truyền trong sợi quang thì theo hiện tượng phi
tuyến tính sẽ xuất hiện sóng ảnh hưởng do hiệu ứng phi tuyến tính được tính là:
f1+f2-f3. Ứng dụng cho bộ chuyển đổi bước sóng khi f1 = f2 và sau đó cho qua bộ
khuếch đại SOA. Giả sử sóng vào kí hiệu là fs và sóng dò là fp, bộ khuếch đại SOA
được cấu hình sao cho một trong hai bước sóng sinh do hiện tượng FWM 2fp-fs và
2fs-fp nằm trong băng thông hoạt động của tín hiệu, khi đó ta đã thực hiện được chức
năng chuyển đổi bước sóng. Ưu điểm của phương pháp chế tạo này là tính trong suốt
đối với các định dạng tín hiệu, nghĩa là có thể hoạt động với nhiều tốc độ bit khác
nhau. Tuy nhiên, nhược điểm là khi khoảng cách giữa bước sóng tín hiệu fs và bước
sóng dò fp tăng thì hiệu quả chuyển đổi bước sóng sẽ giảm.
6.2. Thiết kế mạng thông tin quang
Các hệ thống thông tin quang được ứng dụng có hiệu quả nhất trong lĩnh vực
truyền dẫn số. Do vậy trong tính toán, thiết kế ta xem xét hệ thống truyền dẫn số IM-
DD (Intensity Modulation-Direct Detection) thì những điều kiện bắt buộc về kỹ thuật
và tính kinh tế đóng một vai trò quan trong trong tất cả các tuyến thông tin sợi quang.
Người thiết kế phải chọn cẩn thận từng công đoạn để đảm bảo sao cho cả hệ thống trong
suốt thời gian phục vụ đều hoạt động tốt.
Như đã biết, hệ thống thông tin quang phổ biến hiện nay là hệ thống IM-DD
điểm-điểm. Để thiết kế tuyến ta cần quan tâm đến: Thiết bị phát quang, thiết bị thu

163
quang, sợi dẫn quang và các yếu tố ảnh hưởng đến nó chẳng hạn như mối hàn và các
bộ connector.
Mục đích của việc thiết kế tuyến là phải đạt được các yêu cầu sau:
- Cự ly truyền dẫn theo yêu cầu.
- Tốc độ truyền dẫn.
- Tỷ số lỗi bit BER.
Để đảm bảo cho việc thiết kế tuyến đạt được các yêu cầu đó cần phải chọn các
thành phần của tuyến:
- Sợi quang đơn mode hay đa mode.
- Kích thước lõi sợi.
- Chỉ số chiết suất mặt cắt lõi.
- Băng tần hoặc tán sắc.
- Suy hao của sợi.
- Khẩu độ hay bán kính trường mode.
Nguồn phát là LD hay LED
- Bước sóng phát.
- Độ rộng phổ.
- Công suất phát.
- Vùng phát xạ có hiệu quả.
Thiết bị thu quang sử dụng PIN hay APD
- Hệ số chuyển đổi.
- Bước sóng làm việc.
- Tốc độ làm việc.
- Độ nhạy thu.
Các bước thiết kế:
1. Chọn bước sóng làm việc của tuyến
Chọn bước sóng làm việc của tuyến có liên quan đến rất nhiều tham số khác của
tuyến. Có ba vùng cửa sổ để có thể lựa chọn khi thết kế là 850nm, 1300nm, 1550nm.
Nghiên cứu về cáp quang đã cho thấy rằng, cáp quang có đặc tính tốt hơn ở
vùng bước sóng dài. Khi tổn hao truyền dẫn và tán sắc là các nhân tố quyết định để xác
định được chiều dài của tuyến.
Bước sóng ngắn thường dùng để sử dụng ở những hệ thống thông tin họat động
với tốc độ thấp. Trong vùng bước sóng dài, các hệ thống họat động ở bước sóng
1550nm cho mức suy hao thấp nhưng lại có mức tán xạ lớn hơn 1300nm, ở tuyến trên,
do chiều dài của tuyến là 100km nên ta cho bước sóng làm việc của tuyến là 1550nm
để có mức suy hao thấp.

164
 2. Lựa chọn thành phần thiết bị hoạt động ở bước sóng này
Theo sự trình bày ở phần lý thuyết sợi quang được phân thành 3 loại: đơn mode,
đa mode chỉ số bước, đa mode chỉ số lớp. Loại sợi đơn mode có đặc tính tổn hao và tần
số rất tốt cho nên loại này được sử dụng phổ biến cho đường dài, dung lượng truyền
dẫn cao đời hỏi băng thông rộng và tổn hao thấp.
3. Chọn thiết bị thoả mãn yêu cầu đặt ra
 Các giá trị của các thành phần
Thiết bị phát quang:
Tham số Giá trị
Bước sóng làm việc 1300nm hay 1550nm
Dải sóng làm việc ± 50nm
Công suất ra LED: -32 đến 15dBm
LD: -12 đến 7dBm
Thời gian lên LED: 3ns(max) LD: <1ns

Độ rộng phổ LED: 30 đến 100nm

Cáp sợi quang:

LD: 1 đến 2nm
Tham số Giá trị
Độ rộng băng thông 1km cáp sợi quang 100 đến 2500Mhz
Suy hao của sợi(sh) MM<2dB/km
SM tại 1300nm:0.36dB/km SM tại
1550nm:0.22dB/km

Hệ số tán sắc(D) MM<6ps/nm.km

SM tại 1300nm <3,5 ps/nm.km SM tại
1550nm <18 ps/nm.km

Thiết bị thu:
Tham số Giá trị
Độ nhạy(S) PIN: -43 đến 27,1 dBm APD: -41,5 đến
29,6 dBm

Hiệu suất 60%-90%

Dòng id , i L ≈1nA

Suy hao do hàn nối và bộ nối:

165
 Tham số Giá trị
Suy hao mối hàn 0,3 db(max)
Suy hao bộ nối 0,5 db(max)
Khi tạo tổ hợp các thành phần trong tuyến phải tuân theo các quy tắc sau:
- LED không được sử dụng với sợi quang đơn mode
- LED không được sử dụng với điốt quang APD
- LD không được sử dụng với sợi đa mode
- LD đơn mode dùng với APD
LDDM: Laser đơn mode
DAMO: Sợi quang đa mode
DMTT: Sợi quang đơn mode thông thường
DMDC: Sợi quang đơn mode dịch chuyển
Do đó các tổ hợp có thể có là:
1. LED-DAMO-PIN
2. LD-DMTT-APD
3. LD-DMDC-PIN
4. LD-DMTT-PIN
5. LD-DMDC-APD
6. LDDM-DMTT-APD
7. LDDM-DMDC-APD
6.3. Một số công nghệ và xu hướng nghiên cứu trong mạng truyền tải quang
6.3.1. Mạng truyền tải IP/WDM
Mạng IP/WDM được thiết kế để truyền dẫn lưu lượng IP trong một mạng quang,
cho phép WDM tận dụng tối đa khả năng kết nối IP và dung lượng băng thông cực lớn
của WDM.
Kết hợp IP và WDM có nghĩa là, ở trong mặt phẳng dữ liệu ta có thể yêu cầu các
tài nguyên mạng chuyển tiếp lưu lượng IP một cách hiệu quả; còn trong mặt phẳng
điều khiển ta có thể xây dựng một mặt phẳng điều khiển đồng bộ. IP/WDM cũng
đánh địa chỉ tất cả các mức trung gian của các mạng quang intra-, inter-WDM và các
mạng IP.
Kiến trúc tổng quát mạng IP/WDM
Kiến trúc tổng quát của các mạng quang IP over WDM (Internet quang) được
mô tả như hình 6.31. Hình 6.31 thể hiện nhiều mạng quang tồn tại trong miền quang,
trong đó giao diện ENNI (External Network-to-Network Interface) được sử dụng để
166
báo hiệu giữa các mạng quang với nhau. Một mạng quang riêng lẻ bao gồm các mạng
quang nhỏ hơn và báo hiệu giữa chúng sử dụng giao diện INNI (Internal Network-
to-Network Interface). Và một mạng quang nhỏ hơn đó gồm nhiều nút mạng quang
(các bộ OXC) được nối với nhau bởi sợi quang. Các mạng khách hàng như IP, ATM,
SONET giao tiếp với mạng quang thông qua giao diện UNI (User-to-Network Interface).
Các kỹ thuật chuyển mạch quang quyết định loại dịch vụ mà mạng quang có thể cung
cấp cho các mạng khách hàng.

Hình 6.31. Kiến trúc tổng quát của mạng IP over WDM
Các kiểu kiến trúc của mạng IP/WDM
Như ta đã biết IP đã trở thành một lớp không thể thiếu trong các máy tính và mạng
truyền thông. Nhiệm vụ quan trọng là tìm ra kết quả của việc truyền tải lưu lượng IP
trong mạng IP/WDM.
a) IP over point-to-point WDM
Theo kiểu kiến trúc này, mạng WDM cho phép liên kết quang điểm – điểm
được sử dụng để cung cấp, phục vụ cho việc truyền tải lưu lượng IP. Các thiết của
mạng WDM như OADM không tạo thành một mạng lưới riêng. Thay vào đó, họ cung
cấp một lớp liên kết vật lý giữa các bộ định tuyến IP. SONET có thể sử dụng làm
khung truyền trên các kênh WDM. Các gói tin IP được đóng gói trong khung SONET
sử dụng hệ thống Packet-over-SONET. Nhiều bộ định tuyến IP và các nhà cung cấp
thiết bị, sản phẩm WDM ngày nay có thể hỗ trợ tích cực cho mạng IP over point-to-

167
point. Hệ thống mạng IP over point-to-point WDM hiện nay đã triển khai một cách rộng
rãi trong các mạng đường dài và các mạng đa truy cập.

Hình 6.32. IP over point-to-point WDM

Đối với IP over point-to-point WDM, tôpô mạng được cố định và tất cả cấu hình
mạng là tĩnh. Như vậy việc quản lý hệ thống mạng thường tập trung và tương tác giữa
các lớp IP và WDM là tối thiểu.
b) IP over reconfigurable WDM
IP over reconfigurable WDM là kiểu kiến trúc thiết lập lại cấu hình mạng
IP/WDM. Đối với kiểu kiến trúc này thì các giao diện định tuyến từ bộ định tuyến
IP được kết nối đến giao diện chủ của mạng WDM. Hình 6.33 minh họa kiểu kiến
trúc của mạng IP over reconfigurable WDM. Trong kiểu kiến trúc này, mạng WDM
được kết nối chéo và giao diện của bộ ghép kênh xen/rẽ tự kết nối với nhau tạo thành
mạng WDM là các liên kết sợi đa bước sóng. Do đó, bản thân mạng WDM là một
dạng tôpô vật lý và tôpô dạng đường đi ánh sáng. Tôpô vật lý WDM bao gồm các Nes
được kết nối với nhau bằng sợi quang Nes, tôpô dạng đường đi ánh sáng được hình
thành từ sự kết nối của các kênh bước sóng. Cấu hình WDM là một công nghệ chuyển
mạch để thiết lập nên các kênh bước sóng và làm đứt đoạn các kết nối kể trên duy trì
trong một giai đoạn cụ thể nào đó. Điều quan trọng là phải chỉ ra được rằng lưu lượng
IP chuyển đổi và bước sóng chuyển đổi không cùng hoạt động trong một lớp
của mạng IP over reconfigurable WDM. Điều này có thể tạo ra một mạng phủ kín.
Đường đi của ánh sáng trong mạng IP over reconfigurable WDM được thiết kế
sao cho phù hợp với các tôpô IP. Bằng cách tích hợp cấu hình các bộ kết nối chéo, khi
đó một giao diện của bộ định tuyến có thể được kết nối với bất kỳ giao diện của bộ
định tuyến nào tại một bộ định tuyến bất kỳ. Kết quả là, các bộ định tuyến lân cận cũng

168
có cấu hình giao diện theo kiểu kiến trúc này. Điều này đi đến kết luận rằng các mạng
vật lý có thể hỗ trợ một số tôpô ảo chịu sự ràng buộc của cùng một tài nguyên mạng.

Hình 6.33. IP over reconfigurable WDM

c) IP over Swiched WDM
Trong kiểu kiến trúc này, mạng WDM trực tiếp hỗ trợ khả năng chuyển đổi cho
mỗi gói, trái ngược với việc chỉ đơn giản là cung cấp đường đi ánh sáng tại ngõ vào và
ngõ ra. Như vậy, nó cho phép chia sẻ nhiều kết cấu nhỏ hơn cấu hình WDM. Các
phương pháp tiếp cận WDM đã được đề xuất bao gồm:
- Optical Burst Switching (OBS): chuyển mạch nhóm quang
- Optical Label Switching (OLS): chuyển mạch nhãn quang
- Optical Packet Routing (OPR) : định tuyến gói quang.
OBS và OLS sử dụng mô hình chuyển đổi gói nhanh/chậm (fat-
packet/flow), đó là sự khác nhau so với việc định tuyến các gói tin IP thông thường.
Chính bản thân IPv4 tự định tuyến dựa trên một điểm đến nhất định. IP đã giới thiệu
mạng MPLS như là một dịch vụ giá trị gia tăng để chuyển đổi thành các dòng ứng
dụng. OLS cũng tương tự như MPLS nhưng thông thường nó không hỗ trợ địa chỉ IP
đích dựa trên việc chuyển tiếp gói tin. Nói cách khác, OBS và OLS (tức là các thiết bị
chuyển mạch lõi) không hiểu các tiêu đề gói tin IP và do đó không thể chuyển tiếp gói
tin IP. Ngoài ra, thực tế thì OBS và OLS thường đưa ra lưu lượng trung bình một cách
chi tiết thay vì chia nhỏ lưu lượng như hiện tại trong gói tin IP.
OPR đại diện cho việc truyền dẫn quang của định tuyến IP truyền thống, nó có
thể hỗ trợ đầy đử các chức năng IP. Kể từ khi việc nghiên cứu, tìm hiểu về logic
quang học và công nghệ dữ liệu đệm quang còn chưa phát triển thì khi chuyển sang hệ
thống WDM có các bộ đệm điển hình hơn. Mặc dù, những dự án liên quan đến chuyển

169
mạch gói quang được đưa ra để cố gắng thiết kế các bộ đệm quang, nhưng những
mẫu thiết kế này còn rất phức tạp. Vì vậy hầu hết các nghiên cứu hệ thống WDM
chuyển sang thiết kế một bộ đệm mẫu. Dòng quang trễ được sử dụng để mô phỏng
các bộ đệm. Những dòng quang trễ này lại ít nhiều phức tạp hơn so với bộ nhớ truy
cập ngẫu nhiên.
Tương tự như vậy, hệ thống WDM dựa trên quá trình xử lý điện tử của mào
đầu gói tin để điều khiển, kiểm soát hoạt động hệ thống. Ta có thể hiểu rằng, OPR
không phát triển bằng OBS và OLS. Ngoài các bộ đệm quang, các yếu tố ảnh hưởng
đến tính thương mại của OPR bao gồm tốc độ chuyển đổi, độ tin cậy và sự suy giảm
của tín hiệu cần chuyển đổi.
Hình 6.34 cho chúng ta thấy mô hình mạng IP over Switched WDM. OBS và
OLS được mô tả như OLSR. Điểm khác biệt chính giữa OBS và OLS là OBS sử dụng
chuyển mạch gói nhanh còn OLS sử dụng chuyển mạch gói chậm. Thông thường OBS
sử dụng việc suy giảm của các bước sóng để mang thông tin điều khiển, ví dụ như
mào đầu dòng. Như đã chỉ ra trên hình vẽ, OLSR thường triển khai trong một nhóm.
Trong một nhóm, OLSR kế tiếp sẽ yêu cầu hoàn thành việc thực hiện giao thức IP. Các
OLSR kế tiếp cũng cung cấp các bộ đệm điện tử để đến các gói tin IP và có thể phải
chờ trong trường hợp thiết lập LSP động.

Hình 6.34. IP over Switched WDM

OLSRs được kết nối với nhau bằng sợi hỗ trợ nhiều kênh bước sóng. OLSRs
chỉ có thể được triển khai như các bộ định tuyến IP điện trừ khi OPR có một số giao
diện (tức là có nhiều hơn số giao diện bộ định tuyến IP thông thường). Trong thực

170
tế, việc tiết kiệm giao diện là một trong những trình điều khiển chính phía sau OPR
trên một bộ định tuyến IP điện.
Ba kiểu kiến trúc trình bày ở trên có liên quan khác nhau đến việc quản lý phần
cứng, phần mềm và điều khiển. Kiến trúc IP over point-to-point WDM sẽ dần được
thay thế bằng kiến trúc IP over Reconfigurable WDM. Kể từ kiến trúc thứ hai có thể
cung cấp nhiều tính năng hơn so với kiến trúc đầu tiên. Mặt khác, kiến trúc thứ hai có
tính linh hoạt hơn. Thông qua phần mềm thiết kế cho phép kiểm soát mạng và kỹ thuật
lưu lượng một cách cẩn thận, kiến trúc thứ hai có thể sử dụng nhiều hơn nguồn tài
nguyên mạng và giảm chi phí hoạt động hơn kiểu kiến trúc đầu tiên.
6.3.2. Mạng truy nhập quang FTTx
Định nghĩa
FTTx (Fiber To The x) là một kiến trúc mạng trong đó sợi quang được kéo từ
các thiết bị chuyển mạch của nhà cung cấp dịch vụ đến các thuê bao. Trong đó, sợi
quang có hoặc không được sử dụng trong tất cả các kết nối từ nhà cung cấp đến khách
hàng. “x” được hiểu là một ký hiệu đại diện cho các loại hình mạng khác nhau như
FTTH, FTTC, FTTB, FTTN... Do đó nó có thể thay thế cơ sở hạ tầng cáp đồng hiện
tại như dây điện thoại, cáp đồng trục. Đây là một kiến trúc mạng tương đối mới và
đang phát triển nhanh chóng bằng cách cung cấp băng thông lớn hơn cho người dùng.
Hiện nay, công nghệ cáp quang có thể cung cấp đường truyền cân bằng lên tới tốc độ
100 Mbps.
Phân loại
Phân loại theo chiều dài cáp quang

Hình 6.35. Phân loại mạng FTTx theo chiều dài cáp quang

171
 Một cách tổng quan ta có thể nhìn thấy rõ sự phân loại hệ thống mạng FTTx
thông qua hình 6.35. Như trong định nghĩa ta có các loại FTTH, FTTB, FTTC,
FTTN… Điểm khác nhau của các loại hình này là do chiều dài cáp quang từ thiết bị
đầu cuối của ISP (OLT) đến các user. Nếu từ OLT đến ONU (thiết bị đầu cuối phía
user) hoàn toàn là cáp quang thì người ta gọi là FTTH/FTTB.
- FTTH (Fiber To The Home): cáp quang chạy đến tận nhà thuê bao.
- FTTB (Fiber To The Building): giống như FTTH nhưng ở đây là kéo đến các
tòa nhà cao tầng.
- FTTC (Fiber To The Curb): cáp quang đến một khu vực dân cư. Lúc đó từ
ONU đến thuê bao có thể sử dụng cáp đồng. Trong mô hình này, thiết bị đầu
cuối phía người sử dụng được bố trí trong các cabin trên đường phố, dây nối
tới các thuê bao vẫn là cáp đồng. FTTC cho phép san sẻ giá thành của một
ONU cho một số thuê bao do đó nó có thể hạ thấp được giá thành lắp đặt ban
đầu.
Ngoài ra còn có một số loại hình khác như là FTTE (Fiber To The Exchange),
FTTN (Fiber To The Node)…
Phân loại theo cấu hình
Cấu hình Point to Point: là kết nối điểm – điểm, có một kết nối thẳng từ nhà
cung cấp dịch vụ đến khách hàng, mỗi sợi quang sẽ kết nối tới chỉ một khách hàng,
nên cấu hình mạng tương đối đơn giản đồng thời do băng thông không bị chia sẻ,
tốc độ đường truyền có thể lên rất cao. Quá trình truyền dẫn trên cấu trúc P2P cũng
rất an toàn do toàn bộ quá trình được thực hiện chỉ trên một đường truyền vật lý, chỉ
có các đầu cuối là phát và thu dữ liệu, không bị lẫn với các khách hàng khác. Tuy
nhiên, cấu trúc này khó có thể phát triển cho quy mô rộng bởi giá thành đầu tư cho
một khách hàng rất cao, hệ thống sẽ trở lên rất cồng kềnh, khó khăn trong vận hành
và bảo dưỡng khi số lượng khách hàng tăng lên.
Cấu hình Point to Multipoints: kết nối điểm – đa điểm, một kết nối từ nhà
cung cấp dịch vụ đến nhiều khách hàng thông qua bộ chia splitter. Trong hệ thống
này mỗi đường quang đi từ nhà cung cấp dịch vụ được chia sẻ sử dụng chung cho
một số khách hàng. Sẽ có một đường quang đi đến một nhóm khách hàng ở gần
nhau về mặt địa lý, tại đây đường quang dùng chung này sẽ được chia tách thành
các đường quang riêng biệt đi đến từng khách hàng. Điều này làm giảm chi phí lắp
đặt đường cáp quang và tránh cho hệ thống khi phát triển khỏi cồng kềnh.
Ưu điểm
Công nghệ FTTx sử dụng cáp quang nên nó có rất nhiều ưu điểm của hệ
thống quang nói chung.
Dung lượng lớn: Các sợi quang có khả năng truyền những lượng lớn thông tin.
Với công nghệ hiện nay trên hai sợi quang có thể truyền được đồng thời 60.000 cuộc
172
đàm thoại. Một cáp sợi quang (có đường kính > 2cm) có thể chứa được khoảng
200 sợi quang, dung lượng đường truyền lên tới 6.000.000 cuộc đàm thoại.
Tính cách điện: Cáp sợi quang làm bằng chất điện môi thích hợp không chứa vật
dẫn điện và có thể cho phép cách điện hoàn toàn cho nhiều ứng dụng. Nó có thể loại
bỏ được nhiễu gây bởi các dòng điện chạy vòng dưới đất hay những trường hợp nguy
hiểm gây bởi sự phóng điện trên các đường dây thông tin như sét hay những trục
trặc về điện.
Tính bảo mật: Sợi quang cung cấp độ bảo mật thông tin cao. Một sợi quang
không thể bị trích để lấy trộm thông tin bằng các phương tiện điện thông thường
như sự dẫn điện trên bề mặt hay cảm ứng điện từ, và rất khó trích để lấy thông tin ở
dạng tín hiệu quang.
Độ tin cậy cao và dễ bảo dưỡng: Do không chịu ảnh hưởng của hiện tượng
fading và do có tuổi thọ cao nên yêu cầu về bảo dưỡng đối với hệ thống quang là ít
hơn so với các hệ thống khác.
Tính linh hoạt: Các hệ thống thông tin quang đều khả dụng cho hầu hết các
dạng thông tin số liệu, thoại và video. Các hệ thống này đều có thể tương thích với
các chuẩn RS.232, RS422, V.35, Ethernet, E1/T1, E2/T2, E3/T3, SONET/SDH,
thoại 2/4 dây.
Tính mở rộng: Các hệ thống sợi quang được thiết kế thích hợp có thể dễ
dàng được mở rộng khi cần thiết. Một hệ thống dùng cho tốc độ số liệu thấp, ví dụ
E1/T1 (2,048 Mbps/1,544 Mbps) có thể được nâng cấp trở thành một hệ thống tốc
độ số liệu cao hơn bằng cách thay đổi các thiết bị điện tử. Hệ thống cáp sợi quang
có thế vẫn được giữ nguyên như cũ.
Sự tái tạo tín hiệu: Công nghệ ngày nay cho phép thực hiện những đường
truyền thông bằng cáp quang dài trên 70 km trước khi cần tái tạo tín hiệu, khoảng
cách này còn có thể tăng lên tới 150 km nhờ sử dụng các bộ khuếch đại laser.
Ngoài những ưu điểm trên của sợi quang nói chung, công nghệ FTTx còn có một
số ưu điểm khác. Với công nghệ FTTH, nhà cung cấp dịch vụ có thể cung cấp tốc độ
download lên đến 10 Gbps, nhanh gấp 200 lần so với ADSL 2+. Tốc độ truyền
dẫn với ADSL là không cân bằng, có tốc độ tải lên luôn nhỏ hơn tốc độ tải xuống.
Còn FTTH cho phép cân bằng, tốc độ tải lên và tải xuống như nhau và cho phép tối
đa là 10 Gbps, có thể phục vụ cùng một lúc cho hàng trăm máy tính. Tốc độ đi
Internet cam kết tối thiểu của FTTx ≥ 256 Kbps.
Bảng 6.1 So sánh giữa FTTx và ADSL

173
 Môi trường truyền tín hiệu Cáp đồng Cáp quang

Độ ổn định Dễ bị suy hao do Không bị ảnh hưởng

điện từ, thời tiết,
chiều dài cáp…

Bảo mật Độ bảo mật thấp, Độ bảo mật cao, không

dễ bị đánh cắp tín thể đánh cắp tín hiệu
hiệu đường dây trên đường truyền

Tốc độ truyền dẫn Bất đối xứng : Cho phép cân bằng :
(Upload và download ) Download > Upload Upload = download
Tốc độ tối đa là 20 Tốc độ tối đa là 10 Gbps
Mbps
Yếu tố so sánh ADSL FTTx
Khả năng đáp ứng dịch Không phù hợp vì Rất phù hợp vì tốc độ rất
vụ băng rộng : Hosting tốc độ thấp cao và có thể tùy biến tốc
server riêng, VPN, hội độ.

nghị truyền hình

Nhược điểm
Mạng quang nói chung và công nghệ FTTx nói riêng có rất nhiều ưu điểm
nhưng không tránh khỏi những nhược điểm. Mặc dù sợi quang rất rẻ nhưng chi phí
cho lắp đặt, bảo dưỡng, thiết bị đầu cuối lại lớn. Hơn thế nữa, do thiết bị đầu cuối
còn khá đắt cho nên không phải lúc nào hệ thống mạng FTTx cũng phù hợp. Đối
với những ứng dụng thông thường, không đòi hỏi băng thông lớn như lướt Web,
check mail… thì cáp đồng vẫn được tin dùng. Do đó càng ngày người ta càng cần
phải đầu tư nghiên cứu để giảm các chi phí đó.
Ứng dụng của FTTx
Những tính năng vượt trội của FTTx cho phép sử dụng các dịch vụ thoại,
truyền hình, internet từ một nhà cung cấp duy nhất với một đường dây thuê bao duy
nhất. Điều đó tạo nên sự thuận tiện không chỉ trong việc nhỏ gọn về thiết bị, đường
dây, chi phí mà điều quan trọng là nó mang lại chất lượng đường truyền tốt nhất.
Công nghệ đáp ứng điều đó được triển khai trên nền mạng FTTx chính là IPTV.
IPTV (Internet Protocol TV) là dịch vụ truyền hình qua kết nối băng rộng dựa
trên giao thức Internet. Đây là một trong các dịch vụ Triple - play mà các nhà khai
thác dịch vụ viễn thông đang giới thiệu trên phạm vi toàn thế giới. Hiểu một cách
đơn giản, Triple - play là một loại hình dịch vụ tích hợp 3 trong 1: dịch vụ thoại,

174
dữ liệu và video được tích hợp trên nền IP (tiền thân là từ hạ tầng truyền hình cáp).
IPTV đã và đang phát triển với tốc độ rất nhanh. Theo Telecom Asia, số thuê bao
IPTV ở riêng khu vực châu Á - Thái Bình Dương sẽ gia tăng 75% mỗi năm, đạt 34,9
triệu thuê bao và doanh thu 7 tỷ USD vào năm 2011. Tại Việt Nam, IPTV đã trở nên
khá gần gũi đối với người sử dụng Internet tại Việt Nam. Các nhà cung cấp như FPT,
VNPT, SPT, VTC đã đưa IPTV, VoD... ra thị trường nhưng ở phạm vi và quy mô nhỏ.
Các loại hình dịch vụ đòi hỏi tốc độ truyền cao, độ bảo mật tốt như truyền hình
hội nghị, Hosting server riêng, VPN cũng được các nhà cung cấp dịch vụ tập trung
khai thác. Ngoài ra còn rất nhiều dịch vụ khác như check mail, lướt web, chat, game
online, xem phim, nghe nhạc trực tuyến, học trực tuyến…
6.3.3. Mạng quang chủ động AON
AON có cấu trúc “point to point” (điểm - điểm), trong đó kết nối giữa khách hàng
và CO thông qua thiết bị đầu cuối ONT là một kết nối trực tiếp trên một sợi quang.
Những yêu cầu kết nối từ phía khách hàng thông qua sự định tuyến của các router,
switch, multiplexer tại CO sẽ đi ra mạng dịch vụ bên ngoài. AON sử dụng bước sóng
1550nm để truyền tín hiệu hướng xuống (từ CO đến phía khách hàng) và 1310nm để
truyền tín hiệu cho hướng lên (từ phía khách hàng đến CO). Một cấu trúc của AON đơn
giản được thể hiện trong hình 6.36.

Hình 6.36. Cấu trúc AON

Một nhược điểm rất lớn của mạng quang chủ động chính là ở thiết bị chuyển
mạch. Với công nghệ hiện tại, thiết bị chuyển mạch bắt buộc phải chuyển tín hiệu
quang thành tín hiệu điện để phân tích thông tin rồi tiếp tục chuyển ngược lại để truyền
đi, điều này sẽ làm giảm tốc độ truyền dẫn tối đa có thể trong hệ thống FTTx. Ngoài ra
do đây là những chuyển mạch có tốc độ cao nên các thiết bị này có chi phí đầu tư lớn,
không phù hợp với việc triển khai đại trà cho mạng truy cập.
Việc cùng lúc xử lí các yêu cầu truy nhập hướng lên của người dùng ra mạng dịch
vụ bên ngoài cũng như việc phân tích để chuyển luồng dữ liệu từ các dịch vụ đến người
dùng có thể gây quá tải trong xử lí hoặc xung đột tại OLT của CO. Để tránh xung đột
tín hiệu ở đoạn phân chia từ nhà cung cấp tới người dùng, cần phải sử dụng một thiết
bị điện có tính chất “đệm” cho quá trình này. Từ năm 2007, một loại mạng cáp quang
phổ biến đã nảy sinh là Ethernet tích cực (Active Ethernet). Đó chính là bước đi đầu
tiên cho sự phát triển của chuẩn 802.3ah nằm trong hệ thống chuẩn 802.3 được

175
gọi là Ethernet in First Mile (EFM). Mạng Ethernet tích cực này sử dụng chuyển
mạch Ethernet quang để phân phối tín hiệu cho người sử dụng. Nhờ đó, cả phía nhà
cung cấp và khách hàng đã tham gia vào một kiến trúc mạng chuyển mạch Ethernet.
Các Ethernet Switch sẽ giúp giảm xung đột do xử lí tín hiệu tại CO, nó cần cấp
nguồn để hoạt động. Việc chuyển mạch tại đây dựa trên lớp 2 và lớp 3 của cấu trúc
khung Ethernet. Mạng AON như vừa nói có thể được miêu tả trong hình 6.37.

Hình 6.37. Cấu trúc AON Ethernet

6.3.4. Mạng quang thụ động PON
PON – Passive Optical Network, hay còn được gọi là mạng quang thụ động, một
trong những công nghệ được sử dụng trong FTTH. Như đã nói ở trên,trong PON tất cả
các thành phần quang chủ động (active) giữa tổng đài CO (Central Office) và người sử
dụng sẽ không còn tồn tại mà thay vào đó là các thiết bị quang thụ động (passive), để
điều hướng lưu lượng trên mạng dựa trên việc phân tách năng lượng của các bước sóng
quang học tới các điểm đầu cuối trên đường truyền. PON là công nghệ truy nhập phân
chia theo thời gian (TDMA), các user với yêu cầu truy nhập của mình được phân biệt
bằng các khe thời gian. Cấu trúc một mạng truy nhập FTTH dựa trên công nghệ PON
có thể được trình bày trong hình 6.38.

Hình 6.38. Cấu trúc mạng FTTH dựa trên công nghệ PON
176
 Các thành phần trong mạng FTTH trên công nghệ PON gồm có:
OLT (Optical Line Termination)
- Đặt ở trung tâm chuyển mạch (CO – Central Office) có nhiệm vụ giao tiếp
với các mạng dịch vụ và kết nối các yêu cầu truy nhập của người dùng ra
các mạng này.
- Có hai chức năng chính: truyền dữ liệu từ mạng dịch vụ và phân phối cho
user. Đồng thời sẽ ghép kênh các dữ liệu user trước khi gửi ra các mạng
dịch vụ.
- Dung lượng mà 1 ONT có thể phục vụ được dựa trên số card hướng xuống
của mỗi ONT. Nếu mỗi ONT có X card, mỗi card có Y port, và tỉ lệ Splitter
là 1:N thì số thuê bao (số kết nối giữa ONT và OLT) được tính:
Số thuê bao = X x Y x N
- Ví dụ: P-OLT 7432 của hãng Alcatel có 14 card hướng xuống, mỗi card
có 4 port, tỉ lệ Splitter là 1:64 thì số ONT có thể phục vụ lên đến:
14 x 4 x 64=3584 ONT
ONT (Optical Network Termination)
- Đặt cuối đường dây, trước thiết bị người dùng đóng vai trò như “người thông
dịch” cho các dữ liệu cũng như các các yêu cầu truy nhập từ phía người dùng
chuyển lên.
- Gồm có các loại:
 SFU ONT: là thiết bị đặt ở bên ngoài nhà thuê bao, dùng cho các hộ gia đình
nhỏ. Có hai giao tiếp chính là giao tiếp POTS cho điện thoại và giao tiếp
10/100 bT Ethernet.
 MDU ONT: phục vụ cho khu dân cư, các tòa nhà, chung cư với nhiều yêu cầu
về dịch vụ. Nó sẽ cung cấp nhiều giao tiếp hơn 1 SFU ONT và hỗ trợ giao tiếp
dịch vụ nhiều hơn.
 B-ONT: các ONT loại B thường được cung cấp cho các doanh nghiệp hoặc một
cụm các doanh nghiệp loại nhỏ. Nó có khả năng giao tiếp dịch vụ triple – play
(voice, data, video).
- Nếu nhìn trên phương diện vật lí, ONT có nhiệm vụ chuyển đổi quang-điện tín
hiệu từ nhà cung cấp dịch vụ xuống khách hàng và ngược lại. Tuy nhiên, bước
sóng hướng lên và hướng xuống khác nhau mà tín hiệu chỉ được truyền trên
môt sợi quang duy nhất nên tại ONT, xen giữa quá trình chuyển đổi quang điện
sẽ có quá trình tách/ghép bước sóng mà cụ thể là bước sóng 1310 nm và 1490
nm. Quá trình ấy có thể được diễn giải trong hình 6.39.

177
 Hình 6.39. Nguyên lí thu/phát ONT
VGW (Voice Gateway): giao tiếp giữa PON tới mạng PSTN/TDM.
V-ONT (the Voice ONT): nhận và khuếch đại/khôi phục tín hiệu video từ
mạng Video/Audio.
EMS (The Element Management Systems): giao tiếp từ các mạng khác đến
mạng lõi SBC.
ODN (Optical Distribution Network): mạng phân phối quang, là tập hợp
nhiều splitter được sắp xếp theo kiểuCây, Bus, Ring…tùy theo mục đích phục vụ
của nhà cung cấp dịch vụ. (Hình 6.40)
Kiến trúc thường được sử dụng hiện nay là cấu trúc hình cây, như hình 6.41.

a. Kiến trúc hình cây (sử dụng bộ 1:N) c. Kiến trúc vòng ring (sử dụng bộ ghép 2x2)

b. Kiến trúc bus (sử dụng bộ ghép 1:2) d. Kiến trúc hình cây với một trung kế thừa
(sử dụng bộ chia 2:N)
Hình 6.40. Các kiểu kiến trúc của PON

178
 Hình 6.41. Vùng ODN
Với AON như đã nói ở trên, chiều dài của đoạn này có thể lên tới 70 Km. Tuy
nhiên với FTTH dựa trên công nghệ PON nói chung, khoảng cách này hỗ trợ tối đa 20
Km.
Trong vùng ODN, hai thành phần kết nối quan trọng nhất dĩ nhiên là sợi quang và
Spliter.
Splitter: có thể hiểu đây là thành phần quan trọng trong mạng quang thụ động giúp
giảm thiểu số lượng sợi quang sử dụng trong truyền dẫn. Một sợi quang từ CO sẽ nối
tới splitter và đầu ra cung cấp cho nhiều kết nối. Có nhiều tỷ lệ chia cho splitter như
1:2; 1:4; 1:16; 1:32; 1:64. Tuy nhiên trong mạng PON hai tỷ lệ thường được sử dụng là
1:32 và 1:64.
6.3.5. Xu hướng phát triển mạng truyền tải quang
Với khả năng cung cấp một cách hiệu quả và kinh tế nhiều loại dịch vụ khác nhau
trên cùng một nền tảng mạng truy cập, đơn giản hóa hệ thống và giảm giá thành cũng
như diện tích các trạm trung tâm, các mạng truy nhập quang thụ động PON (Passive
optical network) đang được triển khai và ứng dụng trên toàn thế giới để cung cấp các
dịch vụ băng rộng đến tận nhà thuê bao. Hình 3 thể hiện sự tiến hóa của các công nghệ
mạng quang thụ động và tốc độ truy nhập quang. Hai công nghệ truy nhập quang thụ
động ban đầu dựa trên công nghệ ATM đã được ứng dụng và triển khai rộng rãi là A-
PON và B-PON. Các mạng A-PON/B-PON này được chuẩn hóa bởi ITU-T cung cấp
tốc độ tối đa 622 Mbps trên mạng quang thụ động. Tuy nhiên, khi yêu cầu truy nhập với
băng thông cao hơn đối với Ethernet và video được đề ra, các hệ thống A-PON/B-PON
dường như không thể đáp ứng được yêu cầu tối đa lượng băng thông có trên mạng quang
thụ động cho mỗi người dùng.
Để đáp ứng nhu cầu truy cập tốc độ Gigabit, IEEE và ITU-T song song chuẩn hóa
hai công nghệ truy nhập quang thụ động tốc độ Gigabit tương ứng là EPON và GPON.
Tổ chức IEEE đã tiến hành nghiên cứu và đề xuất tiêu chuẩn mới cho công nghệ PON

179
là mạng quang thụ động Ethernet (EPON). EPON dựa theo tiêu chuẩn IEEE 802.3ah và
sử dụng cơ chế đóng gói theo khung Ethernet để cung cấp tốc độ truy nhập đối xứng 1
Gbit/s cho đường lên và đường xuống (còn gọi là GE-PON hoặc 1G-EPON). Trong khi
đó, tiếp nối quá trình chuẩn hóa cho các hệ thống mạng truy nhập quang thụ động băng
rộng B-PON (họ khuyến nghị ITU-T G.983), ITU-T đã đưa ra công nghệ truy nhập
mạng quang thụ động tốc độ Gigabit G-PON trong họ khuyến nghị ITU-T G.984 với
tốc độ đường lên và đường xuống tương ứng là 1.25 và 2.5 Gbps. Hai công nghệ này
hiện nay đang cạnh tranh trực tiếp với nhau trong các mạng truy nhập quang thụ động
PON cung cấp các dịch vụ FTTx. Công nghệ GPON được triển khai rộng rãi ở các nước
Bắc Mỹ và Châu Âu, trong khi EPON thì lại chiếm ưu thế và được phát triển rộng khắp
ở Nhật, Hàn và Trung quốc.
Trong thời gian tới, để đáp ứng nhu cầu về chất lượng và băng thông ngày càng
cao của các ứng dụng và dịch vụ hướng video, dung lượng của mạng truy nhập quang
thụ động thế hệ kế tiếp (NG-PON) cần tiếp tục được mở rộng nhằm đáp ứng các dịch
vụ hướng video và tích hợp đa dịch vụ trên một nền tảng truy nhập chung. Quá trình
phát triển công nghệ NG-PON dự kiến chia thành hai bước. Ở bước đầu tiên, nhằm mở
rộng tốc độ truy nhập đường lên và đường xuống trong EPON hiện nay lên mức 10 Gbps
trong khi vẫn đảm bảo khả năng tương thích ngược với các thiết bị EPON đã được triển
khai, tổ chức chuẩn hóa IEEE đã tiến hành phát triển và chuẩn hóa công nghệ mạng truy
nhập quang thụ động Ethernet 10 Gigabit (10G-EPON). Theo đó, 10G-EPON là chuẩn
công nghệ mạng truy nhập quang thụ động Ethernet kế tiếp của công nghệ EPON hiện
nay với khả năng hỗ trợ hai loại tốc độ: đối xứng với 10 Gbps đường lên và đường
xuống; và không đối xứng với 10 Gbps đường xuống và 1 Gbps đường lên.
Bên cạnh đó, ITU-T Q2/15 cũng đã và đang thực hiện quá trình chuẩn hóa các
mạng quang thụ động tốc độ Gigabit thế hệ kế tiếp (NG-PON) trong họ các khuyến nghị
ITU-T G.987 với tên gọi là mạng quang thụ động tốc độ 10 Gigabit (XG-PON). Tương
tự như giải pháp 10G-EPON, XG-PON cũng bao gồm hai hệ thống chuẩn hóa: XG-PON
không đối xứng với tốc độ đường xuống 10 Gbit/s và tốc độ đường lên là 2.5 Gbit/s (gọi
tắt là XG-PON1) và XG-PON đối xứng với tốc độ đường lên và đường xuống đều là 10
Gbit/s (còn gọi là XG-PON2). Đồng thời các tính năng của tiêu chuẩn công nghệ XG-
PON của ITU-T cũng có khả năng cho phép các nhà cung cấp dịch vụ chuyển hóa dễ
dàng hệ thống truy cập quang GPON hiện tại lên mạng truy nhập quang thụ động tốc độ
10 Gigabit XG-PON bằng cách sử dụng chung cơ sở hạ tầng mạng cáp sợi quang ODN
đã triển khai và cũng cho phép hai hệ thống này (GPON và XG-PON) hoạt động kết hợp
trên cùng một cơ sở hạ tầng mạng bằng cách sử dụng kỹ thuật ghép kênh theo bước
sóng.
Trong tương lai, công nghệ WDM-PON có thể được bổ sung thêm kỹ thuật TDM
tốc độ cao là bước kế tiếp trong sự tiến hóa của các mạng truy nhập quang thụ động thế
hệ kế tiếp. Các hệ thống WDM-PON đang được nghiên cứu và phát triển với kỳ vọng
180
có thể cung cấp tốc độ truy cập, tỉ lệ chia và tầm với tối đa cho phép cao hơn nhiều so
với các kiến trúc EPON và GPON. Ngoài ra, WDM cũng hứa hẹn khả năng hỗ trợ chức
năng bảo vệ cũng như hỗ trợ các cấu hình mạng phân phối sợi quang ODN khác nhau
chứ không chỉ giới hạn ở cấu trúc hình sao hoặc hình cây. Việc sử dụng WDM-PON
cho phép các ứng dụng băng rộng mới trên một cơ sở hạ tầng và cho phép sự tiến hóa
của các mạng vùng đô thị tiến đến truy nhập hợp nhất và cùng một cơ sở hạ tầng mạng
phân phối quang.
Tiến trình quang hóa mạng truyền tải đang diễn ra không chỉ ở mạng lõi và mạng
đô thị lớn mà còn đồng thời được thúc đẩy ở các hệ thống mạng truy cập. Trong khi các
mạng lõi đang hướng đến hiện thực hóa tốc độ truyền dẫn nối tiếp quang 100 Gbps cho
công nghệ 100G OTN thì công nghệ truy nhập quang thụ động tốc độ 10 Gbps (10G-
EPON/XG-PON) cũng đã và đang được chuẩn hóa cho các hệ thống truy nhập băng
rộng. Dung lượng và tốc độ của truyền tải quang vẫn đang tiếp tục không ngừng được
cải tiến nhằm hướng đến mục tiêu xây dựng mạng truyền tải với dung lượng cực lớn,
tốc độ cực cao và tiêu hao ít năng lượng đáp ứng sự bùng phát của nhu cầu dịch vụ
hướng video trong tương lai gần.
NỘI DUNG TÓM TẮT CHƯƠNG 6
1. Mô hình hệ thống thông tin quang WDM
Ghép kênh theo bước sóng WDM (Wavelength Devision Multiplexing): là công
nghệ “trong một sợi quang đồng thời truyền dẫn nhiều bước sóng tín hiệu quang”. Ở
đầu phát, nhiều tín hiệu quang có bước sóng khác nhau được tổ hợp lại (ghép kênh) để
truyền đi trên một sợi quang. Ở đầu thu, tín hiệu tổ hợp đó được phân giải ra (tách kênh),
khôi phục lại tín hiệu gốc rồi đưa vào các đầu cuối khác nhau.

Sơ đồ chức năng của WDM

2. Các thiết bị trong hệ thống thông tin quang
- Bộ tách/ ghép tín hiệu (Coupler)
- Bộ isolator/ circulator
- Bộ lọc quang
- Bộ ghép/ tách kênh bước sóng
- Bộ chuyển mạch quang
- Bộ chuyển đổi bước sóng

181
 3. Thiết kế hệ thống thông tin quang
Các bước thiết kế:
- Chọn bước sóng làm việc của tuyến
- Lựa chọn thành phần thiết bị hoạt động ở bước sóng này
- Chọn thiết bị thoả mãn yêu cầu đặt ra
4. Các công nghệ truyền tải quang
- Mạng truyền tại IP/WDM
- Mạng truy nhập quang FTTx
- Mạng quang chủ động AON
- Mạng quang bị đông PON
CÂU HỎI HƯỚNG DẪN ÔN TẬP CHƯƠNG
6.1. Mô hình hệ thống thông tin quang WDM?
6.2. Các yếu tố ảnh hưởng đến chất lượng hệ thống WDM?
6.3. Các thiết bị trong hệ thống WDM?
6.4. Các bước thiết kế hệ thống thông tin quang?
6.5. Tổng quan về các mạng truyền tải quang?
NỘI DUNG PHẦN THẢO LUẬN
6.6. Tìm hiểu về mạng truyền tải quang coherent?
6.7. Tìm hiểu công nghệ truyền sóng vô tuyến qua sợi quang (RoF)?

TÀI LIỆU THAM KHẢO

1. Vũ Văn San, Hệ thống thông tin quang Tập 1, NXB Bưu Điện, 2008.
2. Vũ Văn San, Hệ thống thông tin quang Tập 2, NXB Bưu Điện, 2008.

182