EMB17A03G

 
 
Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS  30V 
RDSON (MAX.)  17mΩ 
ID  10A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 

PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT 

Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  V 

TA = 25 °C  10 
Continuous Drain Current  ID 
TA = 100 °C  7  A 

Pulsed Drain Current1  IDM  40 

Avalanche Current  IAS  12 

Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω  EAS  5 

mJ 
2
Repetitive Avalanche Energy   L = 0.05mH  EAR  2.5 

TA = 25 °C  2 
Power Dissipation  PD  W 
TA = 100 °C  0.8 

Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C 

100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 

THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT 

Junction‐to‐Case  RJC    25 

°C / W 
3
Junction‐to‐Ambient   RJA    62.5 
1
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2
Duty cycle  1％ 
3
62.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 

2012/08/15 
p.1 
 EMB17A03G
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 

PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  UNIT

MIN  TYP MAX

STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = 250A  30      V 
Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = 250A  1  1.5 3 
Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±20V      ±100 nA
Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = 24V, VGS = 0V      1  A
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      25 
On‐State Drain Current1  ID(ON)  VDS = 10V, VGS = 10V  10      A 
1
Drain‐Source On‐State Resistance   RDS(ON)  VGS = 10V, ID = 10A    14.5 17 
mΩ
VGS = 4.5V, ID = 6A    21 26 
Forward Transconductance1  gfs  VDS = 5V, ID = 10A    18   S 

DYNAMIC 
Input Capacitance  Ciss      597  
Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz    111   pF

Reverse Transfer Capacitance    Crss    96  
Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    2.0   Ω 
1,2
Total Gate Charge   Qg(VGS=10V)     14  
Qg(VGS=4.5V) VDS = 15V, VGS = 10V,    7.8   nC
1,2 ID = 10A 
Gate‐Source Charge   Qgs    1.8  
1,2
Gate‐Drain Charge   Qgd    4.7  
1,2
Turn‐On Delay Time   td(on)      11  
Rise Time1,2  tr   VDS = 15V,      16   nS
1,2
Turn‐Off Delay Time   td(off)  ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω    36  
1,2
Fall Time   tf      20  

SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 

Continuous Current  IS        2.3 

A 
3
Pulsed Current   ISM        9.2 
Forward Voltage1  VSD  IF = IS, VGS = 0V      1.2  V 
Reverse Recovery Time    trr      50   nS
Peak Reverse Recovery Current  IRM(REC)  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    30   A 
Reverse Recovery Charge  Qrr      2    nC

2012/08/15 
p.2 
 EMB17A03G
 
 
1
Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 
2
Independent of operating temperature. 
3
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB17A03G for SOP‐8 
 
   

B17
  B17A03: Device Name 
A03 ABCDEFG: Date Code 
 
ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
Outline Drawing 
 
J
 
  F
  I
G I H K
D E
 
 
 
 
B C
 
 
 
A
 
 
 
 
Dimension in mm 
Dimension  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K   

Min.  4.70  3.70  5.80  0.33   1.20 0.08 0.40 0.19 0.25 0∘   

Typ.          1.27              

Max.  5.10  4.10  6.20  0.51   1.62 0.28 0.83 0.26 0.50 8∘ 

2012/08/15 
p.3 
 EMB17A03G
 
 
 
On‐Region Characteristics On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
  40
V  = 10V
2.4
GS
6V
7V
  5V 2.2
32

Drain‐Source On‐Resistance
2.0
 

              R         ‐Normalized
I  ‐ Drain Current( A )

4.5V 1.8
  24
1.6
 

DS(ON)
16 V    = 4.5 V
GS 5.0 V
1.4
  6.0 V
D

1.2
8 7.0 V
  1.0
10 V

  0 0.8
0 1 2 3 4 5 0 8 16 24 32 40
  V   ‐ Drain Source Voltage( V )
DS I   ‐ Drain Current( A )
D

 
  On‐Resistance Variation with Temperature On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage
1.9 0.08
  I   = 10A
D
I   = 5 A
D
V   = 10V
GS 0.07
 
Drain‐Source On‐Resistance

1.6
Ω)

0.06
R        ‐ On‐Resistance( 

 
     R        ‐ Normalized

1.3 0.05
  0.04

  1.0
DS(on)

0.03
DS(ON)

T   = 125°C
  0.7
0.02
A

T   = 25°C
  0.01 A

0.4
  ‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150
0
2 4 6 8 10
T   ‐ Junction Temperature (°C)
J V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS

 
 
Body Diode Forward Voltage Variation 
  Transfer Characteristics with Source Current and Temperature
30 100
  V   = 10V
DS V    = 0V
GS

25 T   = 125° C
 
Is ‐ Reverse Drain Current( A )

A
10
25° C
T   = ‐55° C
  20 A
I  ‐ Drain Current(A)

1 25° C

  15
125° C ‐55° C
  10
0.1
D

  0.01
5
 
0
0.001
  1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )
GS
V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
SD

 
 
 
 
 

2012/08/15 
p.4 
 EMB17A03G
 
 
  Gate Charge Characteristics Capacitance Characteristics
10 1000
  I   = 10A
D
900
f  =  1MHz
V    = 0 V
GS

  8 800
V    ‐ Gate‐Source Voltage( V )

V     = 5V 700
  DS
Ciss

Capacitance( pF )
10V 600
6
  15V
500

  4 400
300
 
GS

2 200 Coss
  100 Crss
0 0
  0 4 8 12 16 0 5 10 15 20 25 30
Q   ‐ Gate Charge( nC )
g
V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )
DS

 
  100
Maximum Safe Operating Area
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
  R         Limit
Single Pulse
DS(ON)
100μs R    = 125°
θJA C/W
  10 1ms P( pk ),Peak Transient Power( W ) 40
T  = 25°
A C
10ms
 
I   ‐ Drain Current( A )

100ms
1s
30
  1
10s
  DC 20

  0.1
D

  V   = 10V
GS 10
Single Pulse
  R     = 125°C/W
JA

  T   = 25°C
A

0.01 0
  0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
V    ‐ Drain‐Source Voltage( V )
 
DS

 
Transient Thermal Response Curve
  1

  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Resistance

  0.2
    r( t ),Normalized Effective

0.1
  0.1
0.05
  0.02
Notes:
P DM

  0.01
t1
0.01 1.Duty Cycle,D =
t2
t1

t2
Single Pulse 2.R     =125°C/W
θJA

3.T  ‐  T   = P * R     (t)
J A θJA

4.R    (t)=r(t) + R
θJA θJA

0.001
‐4 ‐3 ‐2 ‐1
10 10 10 10 1 10 100 1000
t  ,Time (sec)
1

2012/08/15 
p.5