TRANZYSTORY

Kaszlikowski Szymon
2Ta

Tranzystory:
a) Bipolarne:
Budowa tranzystorów bipolarnych poniekąd przypomina budowę diod półprzewodnikowych, z
tą różnicą, że w tranzystorach znajdują się dwie warstwy zaporowe. Tranzystory wykonywane są
zazwyczaj z półprzewodnika opartego na: krzemie, germanie lub arsenku-galu. Ładunek w bipolarnym
tranzystorze przepływa przez dwie różne warstwy półprzewodnika. Trójnik ten posiada następujące
oznaczenia złącz:

C – Kolektor. (Biegun dodatni)

B – Baza. (Niewielki prąd przyłożony do bazy znacznie wpływa na zmianę prądu między C a E)

E – Emiter. (Biegun ujemny)

*Dla tranzystora PNP polaryzacja oraz kier. przepływu ładunków jest odwrotna.

Własność tranzystora w postaci zwiększania prądu między kolektorem a emiterem po podaniu

prądu na bazę, pozwala na wykożystywanie go w licznych urządzeniach i układach elektronicznych.
Najczęściej używany jest on przy wzmacniaczach sygnału audio, mikrokontrolerach czy procesorach,
gdzie do poprawnego działania niezbędne jest wzmocnienie sygnału wyjściowego.
 Każdy tranzystor bipolarny posiada kilka układów pracy (sposób, w jaki do tranzystora
wprowadzamy i jak odbieramy z niego sygnał) :

- WSPÓLNY EMITER - Wejście sygnału znajduje się między bazą a emiterem, a wyjście między
kolektorem a emiterem. Układ ten pozwala na znaczne wzmocnienie prądu i napięcia. Sygnał (faza)
wyjściowy ulegnie jednak odwróceniu.

-WSPÓLNY KOLEKTOR – Układ ten nie wzmacnia napięcia.

-WSPÓLNA BAZA – Układ stosuje się głównie przy dużych częstotliwościach.

b) Unipolarne:

- JFET- Tranzystor ten dookoła półprzewodnika jednego typu posiada obwolutę wykonaną z
półprzewodnika przeciwnego typu. W przeciwieństwie do tranzystorów bipolarnych, gdy między
drenem a źródłem podamy napięcie, prąd popłynie przez kanał, nawet gdy bramka będzie zasilona tym
samym napięciem lub nie będzie zasilona wcale. Polaryzacja bramki zaporowo spowoduje
zmniejszenie się prądu płynącego przez kanał. Przy zastosowaniu wystarczająco wysokiego napięcia
„odcięcia” jesteśmy w stanie całkowicie odciąć prąd płynący między drenem a źródłem.
Trójnik ten posiada następujące oznaczenia złącz:

D – Dren

G – Bramka (przechowuje ładunek)

S - Źródło
- MOSFET- Brama w układzie mosfet izolowana jest od kanału głównego i wykonuje się ją zazwyczaj
z tlenku krzemu. Gdy kanał w tranzystorze jest wzbogacany wówczas mówimy o kanale normalnie
zamkniętym, gdy jest zubożany móiwmy o normalnie otwartym.