7.

BÖLÜM:
FET Öngerilimleme

Doç. Dr. Ersan KABALCI

1
Genel FET Öngerilimleme Devreleri

JFET
• Sabit Öngerilim Devresi
• Kendinden Öngerilim Devresi
• Gerilim Bölücü Öngerilim Devresi

Kanal Ayarlamalı MOSFET (D-MOS)

•Kendinden Öngerilim Devresi
•Gerilim Bölücü Öngerilim Devresi

Kanal Oluşturmalı MOSFET (E-MOS)

•Geri Beslemeli Yapı
•Gerilim Bölücü Öngerilim Devresi

2
 Genel Bağıntılar

Bütün FETlerde:

I G  0A
I D  IS
JFETler ve Kanal Ayarlamalı MOSFETlerde:
2
 VGS 

I D  I DSS  1  
 VP 

Kanal Oluşturmalı MOSFETlerde :

I D  k ( VGS  VT ) 2

3
 JFET

JFETlerin BJTlerden farkları;

• Giriş (VGS) ve çıkış (ID) arasında doğrusal olmayan ilişki

• JFETler gerilim kontrollü elemanlardır, BJTler ise akım kontrollüdür.

4
 Sabit Öngerilim Devresi

VDS  VDD  I D R D
VS  0V
VC  VDS
V  VGS
VGS   VGG

5
Kendinden Öngerilim Devresi

6
 Kendinden Öngerilim Hesapları
Şekilde gösterilen çevrede, VGS  I D R S dir
Bu eşitliği çözmek için:
• Bir ID < IDSS değeri seçilir ve RS direncinin değeri
kullanılır.

• Bu noktanın çizimi: ID ve VGS noktaları arasından bu

noktaya bir doğru çizilir.

• IDSS ve VP (katalogdan VP = VGSoff değeri bulunarak)

değerleri ve bunun yanı sıra ID = IDSS / 4 veID = IDSS /
2 gibi birkaç değer hesaplanarak transfer eğrisi
çizilir.
Q-noktası, ilk eğrinin transfer eğrisi ile kesiştiği
noktada belirlenir. Diğer gerilim değerlerini bulmak
için Q noktasındaki ID (IDQ) kullanılır:
VDS  VDD  I D ( R S  R D )
VS  I D R S
VD  VDS  VS  VDD  VRD
7
 Gerilim Bölücü Öngerilim Devresi

IG = 0A

BJT’de IB akımı IC akımından

etkilenir. FETlerde ise VGS
gerilimi ID akımını kontrol eder.

8
 Gerilim Bölücü Öngerilim Hesapları
VG gerilim R2 direnci üzerindeki
gerilime eşittir :

R 2 VDD
VG 
R1  R 2

Kirchhoff kanunundan:
VGS  VG  I D R S

Q noktası, transfer eğrisini kesen bir

çizginin çizilmesi ile bulunur.

9
 Gerilim Bölücü Devrede Q-noktası
1. Adım
İki noktanın belirlenmesi ile bir
çizginin çizilmesi:
•VGS = VG, ID =0
•VGS = 0, ID = VG / RS

2. Adım
IDSS, VP ve ID’nin hesaplanan
değerleri kullanılarak transfer
eğrisi çizilir.
3. Adım
Çizgi ile transfer eğrisinin
kesiştiği noktada Q-noktası
bulunur.

10
 Gerilim Bölücü Öngerilim Hesapları

Q noktasındaki ID akımının değeri kullanılarak gerilim bölücü devrenin diğer

değerleri aşağıdaki gibi hesaplanır:

VDS  VDD  I D ( R D  R S )
VD  VDD  I D R D
VS  I D R S

VDD
I R1  I R2 
R1  R 2

11
 Kanal Ayarlamalı MOSFETler (D-MOS)

D-MOS’ların öngerilim devreleri

de JFET’lerin öngerilim
devrelerin benzerdir.

Aralarındaki tek fark ise kanal

ayarlamalı MOSFETlerin pozitif
VGS ve IDSS den daha yüksek ID
akım değerlerinde de
çalışabilmesidir.

12
 Kendinden Öngerilim
1. Adım
Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi çizilir:
•VGS = VG, ID = 0
•ID = VG/RS, VGS = 0

2. Adım
IDSS, VP ve ID’nin hesaplanan değerleri
kullanılarak transfer eğrisi çizilir.

3. Adım
Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada
Q-noktası bulunur. Q noktasındaki ID
akımı kendinden öngerilimli devredeki diğer
değerlerin bulunması için kullanılır.

Burada yapılan hesaplamalar JFET devresindeki hesaplamalar ile aynıdır.

13
 Gerilim-Bölücü Öngerilim
1. Adım
Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi çizilir:
•VGS = VG, ID = 0
•ID = VG/RS, VGS = 0

2. Adım
IDSS, VP ve ID’nin hesaplanan değerleri
kullanılarak transfer eğrisi çizilir.

3. Adım
Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q-
noktası bulunur. Q noktasındaki ID akımı
gerilim bölücü devredeki diğer değerlerin
bulunması için kullanılır.

Burada yapılan hesaplamalar JFET devresindeki hesaplamalar ile aynıdır.

14
 Kanal Oluşturmalı MOSFET (E-MOS)

Kanal oluşturmalı
MOSFET’in transfer
karakteristiği JFET ve kanal
ayarlamalı Mosfet (D-
MOS)’in transfer eğrisinden
çok farklıdır.

15
 Geri Beslemeli Öngerilim Devresi

IG = 0A, VRG = 0V

Böylece VDS = VGS

ve VGS = VDD – IDRD
olarak ifade edilir.

16
 Geri Beslemeli Öngerilim Q-Noktası
1. Adım
Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi
çizilir:
•VGS = VDD, ID = 0
•ID = VDD / RD , VGS = 0

2. Adım
Katalogdaki değerler kullanılarak
transfer eğrisi çizilir.
•VGSTh , ID = 0
•VGS(on), ID(on)

3. Adım 4. Adım
Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği Q noktasındaki ID akımı devredeki diğer
noktada Q-noktası bulunur. değerlerin bulunması için kullanılır.

17
 Gerilim-Bölücü Öngerilim

VDD ve ID çizgisi ile transfer eğrisinin

kesiştiği noktada Q-noktası bulunur.
Aşağıdaki eşitlikler ile devredeki değerler
hesaplanır;

R 2 VDD
VG 
R1  R 2

VGS  VG  I D R S
VDS  VDD  I D ( R S  R D )

18
 Gerilim-Bölücü Q-Noktası
1. Adım
Aşağıdaki değerler arasında bir çizgi çizilir:
•VGS = VG = (R2VDD) / (R1 + R2), ID = 0
•ID = VG/RS , VGS = 0

2. Adım
Katalogdaki değerler kullanılarak transfer eğrisi çizilir.

•VGSTh, ID = 0
•VGS(on) , ID(on)
3. Adım
Çizgi ile transfer eğrisinin kesiştiği noktada Q-noktası bulunur.

4. Adım
Q noktasındaki ID akımı, devredeki diğer değerlerin bulunması için
kullanılır.
19
 p-Kanal FETler

p-kanal FETlerde, gerilim polariteleri ve akım yönleri n-

kanalın tam tersi olarak aynı hesaplamalar ve grafikler
kullanılır. Çizilen grafikler, n-kanaldaki grafiklerin ayna
görüntüsü ya da simetriği olarak tanımlanır.

20
 Uygulama Devreleri

• Gerilim kontrollü dirençler

• JFET voltmetreler
• Zamanlama Devreleri
• Fiber optik devreler
• MOSFET röle sürücüleri

21