Professional Documents
Culture Documents
Giảm nguy cơ sự cố sứ xuyên máy biến áp
Giảm nguy cơ sự cố sứ xuyên máy biến áp
Bảng 1: Tóm tắt nguyên nhân chính có thể của các sự cố sứ xuyên : 2001-2014.
Dựa vào bảng 1 và H.5 trên đây, có thể kết luận rằng số lượng lớn các sự cố ghi nhận là có
liên quan đến cách điện chính (27% tổng số sự cố). Tuy nhiên, tỉ lệ này kỳ vọng là lớn hơn
nữa do một tỉ lệ đáng kể (37,5%) được ghi nhận là “không xác định /không biết” . Lý do mà
chúng được xếp vào loại “không xác định /không biết” có thể được giải thích bởi thực tế là
không có phân tích tổn thương chi tiết được tiến hành. Hơn nữa, vài tình huống sự cố cho
thấy hư hỏng trên bộ phận là quá thảm khốc đến mức không thể phân tích tại hiện trường
được.
H. 6: Phân loại nguyên nhân chính của sự cố sứ xuyên: 2001 - 2014.
KHẢO CỨU THÔNG LỆ BẢO DƯỠNG
Trong thời gian khảo sát, quan sát thấy rằng các điện lực thành viên có một số kỹ thuật chẩn
đoán on-line và off-line tại chỗ trong hệ thống của họ để giám sát tình trạng sứ xuyên. Nhóm
công tác tập hợp những thông lệ khác nhau này nhằm đơn giản hóa “công thức” thực tiễn tốt
nhất và thời khoảng tối ưu nhất cho từng loại thực hành bảo dưỡng. Bảng 2 tóm tắt các kỹ
thuật chẩn đóan khác nhau giữa các thành viên và cho thấy những kỹ thuật này biến động
rộng phụ thuộc vào việc các sứ xuyên được lắp đặt riêng lẻ hay cùng với nhau và tùy vào
ứng dụng của chúng.
TẦN SUẤT
VẤN ĐỀ KỸ THUẬT CHẨN ĐOÁN Điều kiện
EGAT TNB PLN
R(6
Tiếp xúc kém Quét hồng ngoại On-line R(6 thg) R(1 thg)
thg)
Rỉ dầu
Nhiễm bẩn
R(2
Quan sát On-line R (1 tuần) R(1 tuần)
Vỡ sứ thg)
Tổn hại cơ
học…
OIP RIP
Đánh thủng cục Đánh thủng cục
bộ bộ
Điện dung tản Điện dung tản
C1
Nhiệt Nhiệt độ :
độ :0,025%/K 0,04%/K
Bảng 3: Ảnh hưởng của các tham số đo lường đối với sứ xuyên loại OIP & RIP.
TỔNG QUAN VỀ HƯỚNG DẪN BẢO TRÌ
Phân tích biểu đồ trong H.6 dứơi đây dựa trên một bộ số liệu tổng cộng 4.517 phép đo hê số
công suất (PF) . PF(C1) từ 3 tổ chức thành viên cho thấy PF(C1) trung bình tổng thể khoảng
0,31% với OIP và 0,33% với RIP. Nhưng cần chú ý rằng các phép đo từ PLN có độ lệch đáng
kể so với trung bình chung. Vài số liệu mà PF>10% không được đưa vào phân tích này do số
liệu đó xem là không thực tế.
H. 7: Phân tích Biểu đồ dữ liệu đo lường cho sứ xuyên tại TNB, EGAT & PLN.
Những giá trị tại những nhóm khác nhau dựa trên phân tích biểu đồ trên đây (thể hiện trong
Bảng 4 và H.8) chỉ ra rằng tốc độ xuống cấp tăng đến ≤5% tại xấp xỉ 92% số lượng sứ . Điều
này phù hợp với các giới hạn của IEEE và tốc độ tăng đáng kể xấp xỉ ≤ 0.7% ở 98% số
lượng sứ là phù hợp với giới hạn của IEC.
Bảng 4: PF (C1) tại các nhóm xác suất khác nhau đối với sứ xuyên loại OIP & RIP.
Với kết luận này , các tổ chức thành viên nhất trí rằng giá trị PF ứng với cỡ 90% số lượng sứ
xuyên sẽ được lấy như là “giới hạn tốt” cho sứ đang vận hành cũng như sứ mới . “các giới
hạn lưu ý” ứng với giá trị PF nằm trong khoảng 95% đến 98% số sứ . Nằm ngoài giới hạn ở
mức 98% , một sứ xuyên được xem như ở tình trạng kém và cần chú ý khẩn cấp để tránh sự
cố. Các thành viên cũng đã cân nhắc và quyết định rằng một giá trị PF tuyệt đối của sứ xuyên
thế nào thì phụ thuộc vào thiết kế và vật liệu. Như vậy, việc đánh giá sứ xuyên dựa trên các
giá trị tuyệt đối có lẽ không phải là chỉ định tốt trong mọi trường hợp. Họ cũng nhất trí rằng
một thay đổi nào đó khác với giá trị lúc nghiệm thu vận hành hoặc đường cơ sở, đều cần
quan tâm xem xét và có ngay biện pháp khẩn thiết. Thông tin này sau đó được sử dụng như
là cơ sở để rà soát lại tiêu chuẩn bảo trì hiện hành đang áp dụng tại các thành viên và xây
dựng thành tiêu chuẩn cho các trạng thái : mới, đang bảo hành và đang vận hành của sứ
xuyên.
H. 8: PF(C1) tại các nhóm tỉ lệ số lượng khác nhau đối với sứ xuyên OIP & RIP của JMMC.
3 Giá trị điện dung C2 Không có giới hạn Lưu số liệu để tham chiếu về sau
Bảng 5: Hướng dẫn diễn giải kết quả thí nghiệm (nghiệm thu mới).
ΔT với
môi Tình trạng của đấu nối hoặc Tap
a trường < 40 0K thử nghiệm :
Kẹp dây, (*) ở tải + Xử lý ngay nếu kém;
đầu cosse Max + Giám sát thường xuyên hơn và
xử lý nếu diễn biến xấu ;
ΔT giữa
< 10 0K (*) tính =(Imax/I tải)2 x ΔT đo
các pha
được (thông lệ tại PLN)
Tap thử nghiệm, (**) EGAT thực hành việc quét
b chân sứ và chụp đầu < 10 0K hồng ngoại tại nắp che Tap thử
sứ (**)/ môi trường nghiệm và đầu sứ, xem là biện
pháp hữu hiệu phát hiện nhiệt cục
Thân / bề mặt sứ (so bộ
c < 5 0K
giữa các pha)
PF(C2) (không qui đổi Không tăng hay gỉam đáng kể Đối với RIP, không cần
5 dùng hệ số hiệu chỉnh .
nhiệt độ) giá trị giữa các pha
Hà Công minh - TP. Điều Độ - nguồn: tạp chí INMR-Canada- tháng 1-2019