Struktur Devais

dan Cara Kerja BJT

24/09/2019

©2012 Mervin T Hutabarat

Struktur Devais BJT npn
Disederhanakan

Mode Junction Emitor-Basis Junction Kolektor-Basis

Cut-off Reverse (mundur) Reverse (mundur)
Aktif Forward (maju) Reverse (mundur)
Saturasi Forward (maju) Forward (maju)
Struktur Devais BJT pnp

Mode Junction Emitor-Basis Junction Kolektor-Basis

Cut-off Reverse (mundur) Reverse (mundur)
Aktif Forward (maju) Reverse (mundur)
Saturasi Forward (maju) Forward (maju)
Prinsip Kerja Mode Aktif npn
Profil Konsentrasi Pembawa
Muatan Minor
Aliran Arus
 Pembawa muatan  Arus Kolektor
minoritas
iC  I S evBE /VT
n p (0)  n p e vBE / VT arus saturasi IS-nya
 Arus difusi I S  AE qDn nP 0 / W
dnp ( x) dengan nP0  ni2 / N A
I n  AE qDn
dx
AE qDn ni2
 n p ( 0)  IS 
I n  AE qDn    N AW
 W 
24/09/2019
Aliran Arus
 Arus Basis  Arus emitor
iC iE  iC  iB
iB 

 1
iE  iC
sehingga 
 IS  vBE / VT  1 v
iB   e iE  ISe / VT

BE

 
atau


iC  iE  iE iE 
IS
evBE /VT
24/09/2019  1 
Model Sinyal Besar Aktif npn
Contoh 6.1
 Transistor dengan
IS 10-15A dan  100
terhubung seperti pada
gambar. Bila transistor
dalam mode aktif
tentukan VBE dan VCE
Contoh 6.1
 Dari arus basis BJT
IB
VBE  VT ln
Is / 
10 10 6
VBE  25 ln 15  690 mV
10 / 100
dioda dalam mode aktif
 Dari rangkaian
VCE  VCC  I C RC

I C  I B  100 10 10 6  10 3 A

VCC  VBE 5  0,69
VCE  5  1 3  2V RB    431k
IB 10 5
24/09/2019
Struktur Transistor Planar
Ringkasan Hubungan Arus
Tegangan Mode Aktif

iC  I S evBE /VT iC  iE iB  1   iE

 IS
iC  vBE / VT iC  iB iE
iB    e iB 
    1

iE 
iCI
 S
 vBE / VT  iE    1iB
e 1
  


 1

24/09/2019
Karakteristik iC-vCB Arus IE
Konstan

iC  I S evBE /VT  I SCevBC /VT

IS
iB  evBE /VT  I SC evBC /VT

Model Sinyal Besar Saturasi

iC
 forced   VCEsat  VBE  VBC  0,1 s.d 0,3V
iB saturasi
Prinsip Kerja Mode Aktif pnp
Model Sinyal Besar Aktif pnp