現 今 積 體 電 路 的 主 要 元 件 為 MOSFET ， 其 中 又 以 N 通 道 增

強 型 MOSFET 最 常 使 用， 在 本 章 節 我 們 將 介 紹 MOSFET 的 工
作原理及偏壓方式，以便為下冊的 MOSFET 放大電路及數位電
路打好基礎！

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 金氧半場效電晶體
教學節數：9 節
本 章 節 次
6-1 金氧半場效電晶體之構造及特性
6-2 金氧半場效電晶體之特性曲線
6-3 金氧半場效電晶體之直流偏壓

學 習 目 標
• 瞭解金氧半場效電晶體之構造及特性。
• 瞭解金氧半場效電晶體之特性曲線。
• 熟悉金氧半場效電晶體之各種直流偏壓及計算。

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 250 電子學 上

6-1　金氧半場效電晶體之構造及特性
絕緣閘場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IG-FET），在構造上沒有
pn 接合面，其閘極與通道間是以二氧化矽（SiO2）隔開，因此又稱為金屬氧化物半導體
場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱 MOSFET），或簡
稱為『金氧半場效電晶體』其輸入阻抗可高達 10 10Ω ～ 10 15Ω（電晶體 BJT 的輸入阻抗約
數 kΩ），MOSFET 因輸入阻抗大，所以容易受靜電影響而感應大電流造成損害，因此在
MOSFET 元件的包裝往往會標示『禁止用手觸摸』。
MOSFET 之種類：
1. 依傳導的載子可分為：n 型（N 通道）傳導載子為電子與 p 型（P 通道）傳導載子為電洞。
2. 依操作之方式可分為：(1) 空乏型（Depletion type），簡記為 D-MOSFET
(2) 增強型（Enhancement type），簡記為 E-MOSFET。

6-1-1 空乏型 MOSFET 的結構及符號

空乏型 MOSFET 之結構，係在基體（Body）又稱為基板（Substrate）上，運用離子
布植法植入兩個高摻雜濃度的半導體，若在 N 型基體植入兩個高摻雜濃度之 P 型材質，並
於結構的表面鋪上一層二氧化矽的絕緣層，在此二氧化矽層上蝕刻開窗後，覆蓋上鋁金屬
層，並拉出兩隻接腳以作為源極（Source, S）以及汲極（Drain, D），同時在二氧化矽層上
拉出一隻接腳即為閘極（Gate, G），此結構為 N 通道的空乏型 MOSFET，如圖 6-1(a) 所示。
反之，即為 P 通道的空乏型 MOSFET，如圖 6-1(b) 所示。其中 N 通道的空乏型 MOSFET
電路符號如圖 6-2(a)(b) 所示，P 通道的空乏型 MOSFET 電路符號如圖 6-3(a)(b) 所示。

源極 閘極 汲極 鋁(金屬接點)(灰色) 源極 閘極 汲極 鋁(金屬接點)(灰色)
S G D 歐姆接觸(紅色) S G D 歐姆接觸(紅色)
二氧化矽層(粉紅色) 二氧化矽層(粉紅色)

N+ N通道 N+ P+ P通道 P+

P型基體 N型基體

B (基體) B (基體)

(a) N 通道空乏型 MOSFET (b) P 通道空乏型 MOSFET

圖 6-1　空乏型 MOSFET 的結構

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 251

(a) 標示基體的符號 (b) 簡化符號

圖 6-2　N 通道空乏型 MOSFET 的電路符號

(a) 標示基體的符號 (b) 簡化符號

圖 6-3　P 通道空乏型 MOSFET 的電路符號

註 歐姆接觸（Ohmic contact）：將金屬與高摻雜濃度的半導體接合在一起，則此接合面
的接觸電阻甚小，該接觸面是不具有整流（單向導電）的特性，因此稱為歐姆接觸。

6-1-2 增強型 MOSFET 的結構及符號

N 通道 E-MOSFET 與 P 通道 E-MOSFET 的結構分別如圖 6-4(a)(b) 所示，與空乏型
MOSFET 的最大差別在於源極與汲極之間沒有預設通道，因此體積較空乏型 MOSFET 小，
更適合且廣泛地應用在積體電路中。其符號如圖 6-5、6-6 所示。

源極 閘極 汲極 鋁(金屬接點)(灰色) 源極 閘極 汲極 鋁(金屬接點)(灰色)
S G D 歐姆接觸(紅色) S G D 歐姆接觸(紅色)
二氧化矽層(粉紅色) 二氧化矽層(粉紅色)

N+ N+ P+ P+

P型基體 N型基體

B (基體) B (基體)

(a) N 通道增強型 MOSFET (b) P 通道增強型 MOSFET

圖 6-4　增強型 MOSFET

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 252 電子學 上

(a) 標示基體的符號 (b) 簡化符號

圖 6-5　N 通道增強型 MOSFET 的電路符號

(a) 標示基體的符號 (b) 簡化符號

圖 6-6　P 通道增強型 MOSFET 的電路符號

知識補給站
基體效應（Body effect）與基體（Body）的處理方式
基體之功能如同閘極，外加不同的偏壓皆會改變通道內的空乏區大小與形狀，進而影響汲極電流的大小，
此時汲極電流的計算更加複雜，由基體所造成的效應稱為『基體效應』。
如何消除基體效應？在 MOSFET 的基體（Body）有以下兩種處理方式，
1. 分散式電路：與源極短接。
2. 積體電路：N 通道 MOSFET 將基體（Body）接至電源的最負端；而 P 通道 MOSFET 將基體（Body）
接至電源的最正端。
由於金屬氧化物半導體場效電晶體 MOSFET 的構造為對稱結構，因此源極與汲極兩者可以互相對調使用，
而在第三章介紹電晶體 BJT 的極寬 C > E >> B 結構上非對稱結構，因此絕對不可以對調使用，否則會造
成耐壓與增益下降。
但金屬氧化物半導體場效電晶體 MOSFET 在下面兩種情況，則源極與汲極兩者不得對調使用：
1. 基體與源極已經短接處理。
2. 汲極與源極兩支接腳之間已經裝設稽納二極體（Zener Diode）如圖 (a)，市售 MOSFET 大多已經內
含稽納二極體或裝設一般二極體如圖 (b)，裝設在 MOSFET 的一般二極體在此處特別稱為本體二極體
（Body Diode），兩者的目的皆是用來保護 MOSFET。

(a) 裝設稽納二極體 (b) 裝設一般二極體

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 253

6-1 隨堂練習

( ) 1. 下列何者是 N 通道增強型 MOSFET 之電路符號？

出
(A) 　(B) 　(C) 　(D) 。 之
率
( ) 2. 下列金氧半場效應電晶體（MOSFET）元件之電路符號，何者不是 N 通道型式？

用
(A) 　(B) 　(C) 　(D) 。 反
之

) 3. 圖 (1) 的電路符號是指何種元件？
V
(
(A) P 通道空乏型 MOSFET （
(B) N 通道空乏型 MOSFET
(C) P 通道增強型 MOSFET
(D) N 通道增強型 MOSFET。
圖 (1)
( ) 4. 下列電子元件中，何者是靠單一種載子來傳導電流？
(A) 雙極性電晶體　(B) 發光二極體　(C) 稽納二極體　(D) 場效電晶體。
( ) 5. N 通道增強型 MOSFET 的傳導載子為何？
(A) 電洞　(B) 電子　(C) 電子與電洞　(D) 無。

( ) 6. MOSFET 元件之結構如圖 (2) 所示，若該 MOSFET 的傳

導載子為電洞，則圖中甲區與乙區分別為何種型式的半導
體？且該 MOSFET 的形式為何？
(A) 甲區：n+ 型；乙區：p 型；空乏型 MOSFET
(B) 甲區：n+ 型；乙區：p 型；增強型 MOSFET
(C) 甲區：p+ 型；乙區：n 型；增強型 MOSFET
(D) 甲區：p+ 型；乙區：n 型；空乏型 MOSFET。
( ) 7. 下列有關 MOSFET 的敘述，何者錯誤？
(A) 空乏型 MOSFET 與增強型 MOSFET 的閘極與通道間 圖 (2)
皆是以二氧化矽隔開
(B) 空乏型 MOSFET 的製造上比增強型 MOSFET 多了實質的通道
(C) MOSFET 的英文「M」是指記憶體（Memory）
(D) MOSFET 的閘極與源極間的直流電阻接近無窮大。
( ) 8. 大型積體電路中一般使用下列何種形式的 MOSFET ？
(A) P 通道空乏型 MOSFET (B) N 通道空乏型 MOSFET
(C) P 通道增強型 MOSFET (D) N 通道增強型 MOSFET。

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 254 電子學 上

6-2　金氧半場效電晶體之特性曲線
MOSFET 是運用 VGS 所形成的電場效應，來控制汲極電流 I D 的大小，其中空乏型
MOSFET 的偏壓方式區分為增強模式與空乏模式，因此閘 - 源極的電壓（V GS）有兩種偏
壓方式：當 V GS 為順向偏壓時為增強模式，反之，當 V GS 為逆向偏壓時為空乏模式。增強
型 MOSFET 的閘 - 源極的電壓（V GS）只能接順向偏壓，即增強型 MOSFET 只能操作於
增強模式，由於 N 通道的傳導載子為電子，其移動率較高，因此操作速度快，所以實用
上以 N 通道為主。因此本章節皆以 N 通道探討其工作原理與特性曲線，茲說明如下：

6-2-1 空乏型之工作原理與特性曲線
由於空乏型 MOSFET 本身有預設通道，所以只要在汲極與源極加上適當大小的偏壓
後，即有電流產生，N 通道 MOSFET 的汲極與源極間電壓 V DS > 0；而 P 通道 MOSFET
的汲極與源極間電壓 VDS < 0。

註 不論增強型 MOSFET 或空乏型 MOSFET 的汲極類似於電晶體的集極，閘極類似於

BJT 的基極，而源極類似於 BJT 的射極，當 NPN 電晶體操作於主動區時 VCE > 0，而
PNP 電晶體 VCE < 0；由此得以類推，MOSFET 於正常偏壓時，N 通道 MOSFET 的 VDS
> 0，而 P 通道 MOSFET 的 VDS < 0。

一 未偏壓的結構
N 通道 D-MOSFET 的立體結構如圖 6-7(a) 所示，N 通道的結構如 6-7(b) 所示。當
外加偏壓時，其 N 通道的通道長度（Channel length, L）、通道寬度（Channel width, W）
以及通道高度（Channel height, H），三者皆會受到影響，若為 N 通道，則導電載子為
電子，由源極流向汲極；反之，為 P 通道則導電載子為電洞，由源極流向汲極。

源極(S)
閘極(G)
汲極(D)
N+

N
P
N+

基體(B)

(a) 立體結構圖 (b) 通道的長度、寬度以及高度示意圖

圖 6-7　N 通道空乏型 MOSFET 的立體結構圖

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 255

二 工作原理

1 空乏模式
N 通道的 D-MOSFET 的閘源極電壓 VGS < 0（負電壓），此時二氧化矽層類似
平行板電容器的極板，因靜電作用在通道內部感應正電荷，因此在 N 通道內靠近
二氧化矽層的接觸區域會產生由施體正離子所形成的空乏區。當空乏區變大，使得
通道內的高度逐漸減小，傳導的電子流亦減小，導電性隨之減小。

2 增強模式
N 通道的 D-MOSFET 的閘源極電壓 V GS > 0（正電壓），因靜電作用在通道
內部感應負電荷，造成通道的高度逐漸擴大，使得傳導的電子流增加，而導電性
隨之增加，由於 D-MOSFET 一般應用於空乏模式，因此本章節探討以空乏模式
為主。

三 空乏模式的各種工作模式

1 歐姆區（三極區）
1. VGS = 0V 且 VDS > 0V 的情況下
　　由於汲極為正電壓（高電位），且閘極與源極兩支接腳的電壓相同（等
電位），由圖 6-8(a) 所示，VGS = 0V 且 VGD < 0V，因此在通道內靠近汲極端
的電子被排除的量較多於源極端，因此在汲極端由施體正離子所形成的空乏
區較大於源極端，空乏區類似一個三角形，如圖 6-8(b) 所示，而電子流由源
極流向汲極。
　　此時因通道的高度變化很小，汲極電流 ID 與汲源極的電壓 VDS 之特性曲線
VDS
幾乎為一線性的直線，即電壓 VDS 與電流 ID 間的關係為歐姆定律（ RDS = ），
I DS
故此工作區域稱為歐姆區（ohmic region）。此時的汲極電流 ID 大小受汲極、
源極與閘極的影響，故又稱為三極區（triode region），MOSFET 如同一個電
阻器。

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 256 電子學 上

空乏區
VDS甚小
S

－
＋
G 靠近汲極(D)端的空乏區較大
D 相對的通道高度(H)變小
N+ H
N
P

電
子
流
N+
B

(a) VGS = 0V 且 VDS > 0V (b) N 通道內空乏區的變化

圖 6-8　N 通道空乏型（當 V GS = 0V 且 VDS > 0V）的通道變化

2. VGS < 0V 且 V DS > 0V（甚小）的情況下

　　如圖 6-9(a) 所示，在汲源極間的電壓 VDS 甚小的情況下，閘極對源極的電
壓 VGS 近似於閘極對汲極的電壓 VGD，即 VGS ≈ VGD 且兩者皆為負電壓，故在源
極端與汲極端的通道內所形成的空乏區高度相同，如圖 6-9(b) 所示。

VDS甚小
－

S 空乏區
VGS
＋
＋

G
－

D
空乏區(VGS 小)
N+ 空乏區(VGS 大)
N
P
電
子
流

N+
B

(a) VGS = 0V 且 VDS > 0V (b) N 通道內空乏區的變化

圖 6-9　N 通道空乏型當 V GS < 0V 且 VDS > 0V 的通道變化

　　此時在 N 通道內的空乏區高度為均勻
變化，在汲極電流 ID 與汲源極的電壓 V DS
的特性曲線幾乎為一直線，即 |V GS| 的電壓
愈 大， 則 電 阻 r DS 愈 大， 則 V DS – I D 輸 出
特 性 曲 線 的 斜 率 愈 小， 如 圖 6-10 所 示，
圖 6-10　VDS - I D 輸出特性曲線
MOSFET 如 同 一 個 壓 控 電 阻 器（Voltage
Variable Resistor, VVR）。

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 257

註 N 通道的電子所流動路徑，即為通道的長度（L），因 R = ρ 故壓控電阻 rDS 與通道


A
的長度（L）成正比而與通道的截面積（A = W × H）成反比，因此 VGS 的電壓愈大則
通道高度（H）減小，造成通道內的有效面積（A）減小，故電阻 rDS 愈大。

3. VGS < 0V 且 V DS 逐漸增加的情況下

　　如圖 6-11(a) 所示，當 VGS < 0V（保持不變）並且在不造成 N 通道發生夾
止現象時，逐漸增加 V DS > 0V 的值，由於 |V GD| > |V GS|，因此在汲極端通道內
的空乏區大於源極端的空乏區，即表示汲極端內的通道高度小於源極端內的
通道高度，空乏區有如一個梯形形狀如圖 6-11(b) 所示，所以在汲極電流 ID 與
汲源極的電壓 VDS 的特性曲線為非線性電阻且逐漸趨於平緩，如圖 6-12 所示。

－ VDS
S ＋ 空乏區
VGS
＋
－
G
D 汲極端的空乏區大於
源極端的空乏區

N+

N
P
電
子
流

N+
B

(a) VGS < 0V 且 VDS 逐漸增加 (b) 空乏區類似一個梯形的形狀

圖 6-11　N 通道空乏型（當 VGS < 0V 且 VDS 逐漸增加）的通道變化

圖 6-12　VDS – ID 輸出特性曲線

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 258 電子學 上

2 夾止區（飽和區、定電流區、線性放大區）
當汲源極電壓 VDS 逐漸增加時，電壓 |V GD| > |V GS| 即表示在汲極端所受到的
電場效應較大於源極端，使得汲極端通道內的空乏區大於源極端通道內的空乏
區，因此當 VDS 逐漸增加，造成在汲極端的通道高度降至最小時，通道便發生夾
止狀態，即進入夾止區（pinch-off region），此時的汲極電流 I D 幾乎固定不變，
因此又稱此區域稱為定電流區（constant current region）或是飽和區（saturation
region）， 該 汲 源 極 間 的 電 流 I DS 又 稱 為 夾 止 飽 和 電 流（IDS saturation current,
IDSS），該區域為 MOSFET 放大器做為線性放大的區域，故又稱為線性放大區。

註 測量夾止飽和電流 IDSS，是在 VGS = 0V 的情況下逐漸增加 VDS 的值，當汲極電流達到最

大值並保持不變的電流。

此時的汲極電流 IDS 隨著閘源極間電壓 VGS 的增加而減少，而與汲源極電壓 VDS

無關。
由半導體物理學證明，可得 N 通道或 P 通道空乏型 MOSFET 在夾止區的汲
極電流 I D 的蕭克萊方程式（Shockley equation）為：

VGS 2
I D = I DSS × (1 − ) （其中 VP：為夾止電壓）
VP
公式 6-1

註 D-MOSFET 是藉由通道內的多數載子形成通道
E-MOSFET 是吸引基體內的少數載子形成通道。

3 截止區
當 閘 源 極 的 電 壓 VGS 持 續 增 加， 則 空 乏 區 持 續
擴大，造成 N 通道內的長度與高度持續減小，直到
空乏區占滿整個通道（源極端完全被夾止），如圖
6-13 所示，使得 N 通道內沒有電子流流動，即 ID =
0。 此 時 VGS 的 電 壓 即 為 截 止 電 壓（Cutoff voltage,
圖 6-13 V DS 保 持 定 值 且
V GS(off)），因此，N 通道空乏型 MOSFET 工作於截止 V GS 逐漸增加
區的條件為 VGS ≦ V GS(off) = VP，反之，P 通道空乏型
MOSFET 工作於截止區的條件為 V GS ≧ VGS(off) = VP。

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 259

註 截止電壓 VGS(off) 等於夾止電壓 VP，兩者大小相同但意義不同，截止電壓 VGS(off) 是指當

源極端通道完全夾止，沒有電流流動（進入截止區）的閘源極電壓 VGS；而夾止電壓
VP 是指在閘源極電壓 VGS = 0V 時，逐漸增加 VDS，直到汲極端的通道內恰為夾止的瞬
間（進入飽和區）。

4 崩潰區
當汲源極電壓 V DS 持續增加至超過崩潰電壓 BVDSS，此時汲極電流 ID 的值會
隨著 V DS 的值增加而快速增加，若 V DS 再持續增加時，閘極接面將超過最大額定
值，PN 接合面發生累增崩潰，使得汲極電流 ID 快速增加而造成通道燒毀。

四 N 通道空乏型 MOSFET 的特性曲線

1 N 通道 D-MOSFET 的 VGS – ID 轉移特性曲線
圖 6-14(a) 為 N 通道 D-MOSFET 的 V GS – I D 轉移特性曲線，說明如下：

截止區 夾止區(空乏模式) 增強模式

(ID ≤ IDSS) (ID ≥ IDSS)
ID
I區 II 區 III 區
歐姆區 夾止區 崩潰區
ID
2 3 4
IDSS

VGS IDSS
ID = IDSS × (1− V )2
P

0 VDS
VP VP 1 BVDSS
VGS
0 截止區 ID = 0A

(a) VGS – ID 轉移特性曲線 (b) 在 VGS = 0V 時，VDS – ID 輸出特性曲線

圖 6-14　N 通道空乏型 MOSFET 的特性曲線

1. 第 I 區（ 截 止 區 ） ：VGS ≤ V P， 此 時 源 極 端 被 完 全 夾 止， 因 此 汲 極 電 流 ID =
0A。

2. 第 II 區（夾止區）：VP < VGS ≤ 0（負電壓），此時的汲極電流 ID 具有定電流的特性，

並且與汲源極電壓 VDS 無關，ID 隨著輸入電壓 VGS 增加而增加，可以得知 ID ≤ IDSS。

3. 第 III 區（增強工作）：VGS > 0（正電壓），此時因靜電作用在 N 通道內感應更多

的電子，N 通道持續擴大，使得汲極電流 ID 大於夾止飽和電流 IDSS，即 ID ≥ IDSS。

註 第 I 區與第 II 區皆是空乏型 N 通道 MOSFET 操作於空乏模式 ( 即 VGS < 0) 的情形下。

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 260 電子學 上

2 N 通道 D-MOSFET 的 VDS – ID 輸出特性曲線

圖 6-14(b) 為 N 通道 D-MOSFET 的 V DS – I D 輸出特性曲線，說明如下：

1. 第 1 區（截止區）：VGS ≤ VP，此時源極端被完全夾止，因此汲極電流 ID = 0A。

2. 第 2 區（歐姆區） ：V P < VGS 且 V GD > VP，此時汲極端內的通道尚未夾止，
因此在 V DS 甚小時的通道電阻 r DS 為線性電阻，而在 V DS 較大時的通道電阻 r DS
為非線性電阻，故此區域又稱為電阻區或三極區。

3. 第 3 區（夾止區） ：V P < VGS 且 V GD ≤ VP 此時在汲極端的 N 通道已經夾止，

而源極端的 N 通道尚未夾止，汲極電流 ID 具有定電流的特性，與汲源極電壓
V DS 無關，I D 隨著輸入電壓 VGS 增加而增加。

4. 第 4 區（ 崩 潰 區 ）： 當 電 源 電 壓 VDS（ 正 電 壓 ） 逐 漸 增 加 至 超 過 崩 潰 電
壓 BV DSS， 即 VDS > BVDSS， 如 圖 6-14(b) 可 以 得 知 汲 極 電 流 I D 遽 增， 此 時
MOSFET 有燒燬之虞。

五 P 通道 D-MOSFET 的特性曲線

1 P 通道 D-MOSFET 的 VGS – ID 轉移特性曲線

圖 6-15(a) 為 P 通道 D-MOSFET 的 V GS – I D 轉移特性曲線，說明如下：

增強模式 夾止區(空乏模式) 截止區

(ID ≥ IDSS) (ID ≤ IDSS)
ID
III 區 II 區 I區
崩潰區 夾止區 歐姆區
ID
2
4 3 2
IDSS

IDSS VGS
ID = IDSS × (1− V )2
P
VDS 0
BVDSS 1 VP
VP
0 VGS 截止區 ID = 0A

(a) VGS – ID 轉移特性曲線 (b) 在 VGS = 0V 時 VDS – ID 輸出特性曲線

圖 6-15　P 通道空乏型 MOSFET 的特性曲線

1. 第 I 區（截止區）：VGS ≥ VP，此時源極端被完全夾止，因此汲極電流 ID = 0A。

2. 第 II 區（夾止區）：0 ≤ VGS < VP（正電壓），此時的汲極電流 ID 具有定電流的特性，
並且與汲源極電壓 VDS 無關，ID 隨著輸入電壓 VGS 減少而增加，可以得知 ID ≤ IDSS。

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 261

3. 第 III 區（增強工作）：VGS < 0（負電壓），此時因靜電作用在 P 通道內感應更多

的電洞，P 通道持續擴大，使得汲極電流 ID 大於夾止飽和電流 IDSS，即 ID ≥ IDSS。

2 P 通道 D-MOSFET 的 VDS – ID 輸出特性曲線

圖 6-15(b) 為 P 通道 D-MOSFET 的 V DS – I D 輸出特性曲線，說明如下：

1. 第 1 區（截止區）：VGS ≥ VP，此時源極端被完全夾止，因此汲極電流 ID = 0A。

2. 第 2 區（歐姆區） ：V GS < VP 且 V GD < VP，此時汲極端內的通道尚未夾止，
因此在 V DS 甚小時的通道電阻 r DS 為線性電阻，而在 V DS 較大時的通道電阻 r DS
為非線性電阻，故此區域又稱為電阻區或三極區。

3. 第 3 區（夾止區） ：V GS < VP 且 VGD ≥ VP 此時在汲極端的 P 通道已經夾止，

而源極端的 P 通道尚未夾止，汲極電流 ID 具有定電流的特性，與汲源極電壓
VDS 無關，ID 隨著輸入電壓 VGS 減少而增加。

4. 第 4 區（ 崩 潰 區 ） ： 當 電 源 電 壓 V DS（ 負 電 壓 ） 逐 漸 增 加 至 超 過 崩 潰 電 壓
BV DSS，即 VDS < BVDSS，|V DS| > |BV DSS|，如圖 6-15(b) 可以得知汲極電流 ID 遽增，
此時 MOSFET 有燒燬之虞。

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閘源極電壓 VGS 與崩潰電壓 BVDSS 的關係
如右圖所示為 N 通道空乏型 MOSFET，在相同的電源電壓 VDS
的情形下，其輸入電壓 VGS 愈大，則崩潰電壓 BVDSS 愈小。

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 262 電子學 上

由上述 N 通道與 P 通道空乏型 MOSFET 的偏壓大小與各種工作區域後，我們可以整

理其相關的判別式後，彙整如表 6-1 所示，而電流關係如表 6-2 所示：

表 6-1　空乏型 MOSFET 各種工作區域的判別式

通道型式
P 通道空乏型 MOSFET N 通道空乏型 MOSFET
操作區域
截止區 VGS ≥ VP VGS ≤ VP

歐姆區（三極區）
VGD < VP (VGS – VDS < VP) VGD > VP (VGS – VDS > VP)
且 VGS < VP 且 VGS > VP
夾止區
（飽和區、定電流區、
VGD ≥ VP (VGS – VDS ≥ VP) VGD ≤ VP (VGS – VDS ≤ VP)
且 VGS < VP 且 VGS > VP
線性放大區）
崩潰區 VDS < BVDSS VDS > BVDSS

註 由表 6-1 可以得知，空乏型 MOSFET 應優先判別是否工作於截止區後，才可判斷實際工作於何區。

表 6-2　空乏型 MOSFET 各種工作區域的汲極電流方程式

通道型式
P 通道與 N 通道空乏型 MOSFET
操作區域
截止區 ID = 0A
I DSS
歐姆區（三極區） ID = [2(VGS − VP )VDS − VDS 2 ] （超過課綱故不詳加探討）
VP 2

夾止區 I D = I DSS × (1 −
VGS 2
（飽和區、定電流區、線性放大區）
)
VP

崩潰區 ID 急遽竄增（非比例關係），MOSFET 有燒燬之虞

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 263

例題 6-1 空乏型 MOSFET 之判別式

已知 N 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 V P = –4V，試求下列各圖分別操作在何種區域？

(a) (b) (c)

解 優先判斷是否操作於截止區（ V GS ≤ V P），若不是，再判斷操作於夾止區或是歐姆區。
(a) V GS = V G – V S = 2V – 3V = –1V > V P；
V GD = V G – V D = 2V – 5V = –3V > V P，操作於歐姆區。
(b) V GS = V G – V S = 4V – 9V = –5V < V P；操作於截止區。
(c) V GS = V G – V S = 1V – 3V = –2V > V P；
V GD = V G – V D = 1V – 6V = –5V < V P，操作於夾止區。

練習 1
已知 N 通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 V P = –3V，試求下列各圖分別操作在何種區域？
(A) 歐姆區、截止區、截止區 (B) 歐姆區、夾止區、截止區
(C) 截止區、歐姆區、夾止區 (D) 截止區、夾止區、歐姆區。

6V

4V

5V
(a) (b) (c)

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 264 電子學 上

例題 6-2 空乏型 MOSFET 之電流計算

有一個 N 通道空乏型 MOSFET 操作於夾止區，若 V P = –4V、I DSS = 12mA，
試求：(1) V GS = 0V；(2) V GS = –2V；(3) V GS = 2V，汲極電流 I D 分別為何？

VGS 2 0V 2
解 (1) I D = I DSS × (1 − ) = 12 mA × (1 − ) = 12 mA
VP −4 V
VGS 2 −2 V 2
(2) I D = I DSS × (1 − ) = 12 mA × (1 − ) = 3mA （ I D < I DSS 空乏模式）
VP −4 V
VGS 2
) = 27 mA （ I D > I DSS 增強模式）。
2V 2
(3) I D = I DSS × (1 − ) = 12 mA × (1 −
VP −4 V

練習 2
有一個 P 通道空乏型 MOSFET 操作於夾止區，若 V P = 4V、I DSS = 16mA，I D = 9mA，
試求 V GS 為何？　(A) 1V　(B) 3V　(C) 4V　(D) 7V。

6-2-2 增強型 MOSFET 之工作原理與特性曲線

一 工作原理
由於 E-MOSFET 本身沒有預設通道，所以在汲源極間加上電壓後，不會有電流
產生，因此增強型 MOSFET 又稱為正常截止（normally off）MOSFET，而閘源極的
偏壓方式有兩種，以下以 N 通道增強型 MOSFET 為例進行說明：

1 閘極電壓為正電壓
該正電壓因電場效應吸引基體的少數載子（電子）聚集累積在二氧化矽層下，
當自由電子的濃度大於電洞濃度時，靠近二氧化矽層下的 P 基體會形成一個 N 形
區域，此區域稱為 N 型反轉層（N-type inversion layer）。當閘極電壓夠大時，
在汲源極間開始會有電流流動，此閘極電壓稱為臨限電壓或是臨界電壓（threshold
voltage, Vt）。當外加的閘極電壓愈大，吸引的電子數愈多，所形成的 N 型反轉
層的通道高度就愈大，電流也就愈大，導電性也就相對提升。

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 265

註 1： 臨界電壓類似於二極體的切入電壓，二極體：當外加電壓大於切入電壓，才有電流產
生。而增強型 MOSFET：當 |VGS| > |Vt |，在汲源極間才有電流流動。
2： 二氧化矽層的厚度與基體濃度愈高時，則臨界電壓 Vt 愈大，對於 N 通道而言 Vt
為正值，而對於 P 通道而言，Vt 為負值，一般臨界電壓 |Vt | 的典型值約 1 ～ 3V。

2 閘極電壓為負電壓
負電壓無法感應出 N 通道，因此不會感應電流。

二 N 通道增強型 MOSFET 各種操作模式

1 歐姆區（三極區）
如 圖 6-16(a) 所 示 為 N 通 道 E-MOSFET 操 作 於 V DS 甚 小 時 的 外 加 偏 壓， 由
6-16(b) 可以得知，當閘源極電壓 VGS 逐漸增加時，在二氧化矽層下的 P 基體內
所感應的 N 通道逐漸擴大，由於 VDS 甚小，因此在 N 通道內，源極端與汲極端
所感應的通道高度幾乎一致，所以 VDS - I D 的特性曲線為一直線，此時 N 通道
E-MOSFET 類似一個壓控電阻器。

－ VDS甚小
S ＋
－ VGS
＋ G
D
P基體 VGS 較小

N+ VGS 較大
電
子
流

P
未預設通道 N+ 感應的 N 通道
B

(a) 外加偏壓 (b) 不同閘源極電壓 VGS 時所感應的通道

圖 6-16　N 通道增強型 MOSFET 的外加偏壓與感應通道

註 在 VDS 甚小的情況下：
(1) 空乏型 MOSFET：當閘源極電壓 VGS（逆向偏壓）增加，則通道高度減小、通道電
阻增加、通道的電流減小。
(2) 增強型 MOSFET：當閘源極電壓 VGS（順向偏壓）增加，則通道高度增加、通道電
阻減少、通道的電流增加。

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 266 電子學 上

2 夾止區（飽和區、定電流區、線性放大區）
當外加偏壓 VDS 逐漸增加，此時 V GS ≠ VGD 且 VGD < VGS，造成在二氧化矽層下，
靠近源極端所感應的電子數大於汲極端所感應的電子數，因此在 N 通道內，源極
端的高度大於汲極端的高度，此時 N 通道呈現一個梯字形，如圖 6-17(a) 所示。
當電壓 VGD = Vt 時，汲極端所感應的通道最小，使得通道的高度恰為夾止狀態，
此時再增加外加偏壓 VDS 的值，電流 I D 仍維持不變，如圖 6-17(b) 所示。

汲極端的通道高度
P基體

感應的 N 通道

(a) VGD < VGS（歐姆區） (b) VGD = Vt（夾止區）

6-17　N 通道增強型 MOSFET 操作於歐姆區及夾止區

由半導體物理學證明，可得 N 通道或 P 通道增強型 MOSFET 在夾止區的汲

極電流 I D 的蕭克萊方程式（Shockley equation）為：

I D = K × (VGS − Vt ) 2
公式 6-2

1 W A W ×L
式中的 K 為製程互導參數： K = × µn × Cox × ，其中 Cox = ε = ε 相
2 L d tox
關參數值定義如下：
μ n：電子的遷移率，Cox：閘極氧化層電容值，W：通道的寬度，L：通道的長度
tox：閘極氧化層的厚度。

3 截止區
N 通道 E-MOSFET，當外加的閘極電壓 VGS 小於臨界電壓 Vt（VGS ≤ V t）時，
在汲極與源極間無法感應 N 通道，使得汲源極間的電流 ID 為零，此時 N 通道增
強型 MOSFET 工作於截止區。

4 崩潰區
當汲源極電壓 VDS 超過崩潰電壓 BVDSS，此時汲極電流 ID 的值會隨著 VDS 的
值增加而快速增加。若 V DS 再持續增加時，閘極接面將超過最大額定值，PN 接合
面發生累增崩潰，使得汲極電流 I D 快速增加而造成通道燒毀。

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 267

三 N 通道 E-MOSFET 的特性曲線
1 N 通道 E-MOSFET 的 VGS – ID 轉移特性曲線
圖 6-18(a) 為 N 通道 E-MOSFET 的 V GS – I D 轉移特性曲線，說明如下：
1. 第 I 區（截止區）：VGS ≤ Vt，此時在汲極與源極間無法感應 N 通道，使得汲
源極間的電流 ID 為零，即汲極電流 I D = 0A。
2. 第 II 區（夾止區）：VGS > Vt 且 VGD ≤ V t，此時的汲極電流 ID 具有定電流的特性，
並且與汲源極電壓 VDS 無關，I D 隨著輸入電壓 VGS 增加而增加。

2 N 通道 E-MOSFET 的 VDS – ID 輸出特性曲線

圖 6-18(b) 為 N 通道 E-MOSFET 的 V DS – I D 輸出特性曲線，說明如下：

1. 第 1 區（截止區）：VGS ≤ Vt，此時無法感應 N 通道，因此汲極電流 ID = 0A。

2. 第 2 區（歐姆區）：VGS > Vt 且 VDS < VGS – Vt，即 VGD > Vt，此時汲極端內的
通道尚未夾止，因此在 V DS 甚小時的通道電阻 r DS 為線性電阻，而在 VDS 較大
時的通道電阻 r DS 為非線性電阻，故此區域又稱為電阻區。

3. 第 3 區（夾止區）：VGS > Vt > 0 且 VDS ≥ VGS – Vt，即 VGD ≤ Vt 汲極電流 ID 具

有定電流的特性，與汲源極電壓 VDS 無關，ID 隨著輸入電壓 VGS 增加而增加。

4. 第 4 區（ 崩 潰 區 ） ： 當 電 源 電 壓 V DS（ 正 電 壓 ） 逐 漸 增 加 至 超 過 崩 潰 電 壓
BV DSS，即 VDS > BVDSS，如圖 6-18(b) 可以得知汲極電流 ID 遽增，此時 N 通道
增強型 MOSFET 有燒燬之虞。

ID
截止區 夾止區
I區 II 區 歐姆區 夾止區 崩潰區
ID 2 3 4

ID = K × (VGS − Vt)2

0 VGS − Vt VDS
1 BVDSS
VGS
0 Vt 截止區 VGS < Vt 時 ID = 0A

(a) VGS - ID 轉移特性曲線 (b) VDS - ID 輸出特性曲線

圖 6-18　N 通道增強型 MOSFET 的特性曲線

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 268 電子學 上

四 P 通道 E-MOSFET 的特性曲線
1 P 通道 E-MOSFET 的 VGS – ID 轉移特性曲線
圖 6-19(a) 為 P 通道 E-MOSFET 的 VGS – I D 轉移特性曲線，說明如下：

1. 第 I 區（截止區）：V GS ≥ Vt，此時在汲極與源極間無法感應 P 通道，使得汲

源極間的電流 I D 為零，即汲極電流 I D = 0A。

2. 第 II 區（夾止區）：VGS < Vt 且 V GD ≥ Vt，此時的汲極電流 ID 具有定電流的特性，

並且與汲源極電壓 VDS 無關，I D 隨著輸入電壓 |V GS | 增加而增加。

2 P 通道 E-MOSFET 的 VDS – ID 輸出特性曲線

圖 6-19(b) 為 P 通道 E-MOSFET 的 V DS – I D 輸出特性曲線，說明如下：
1. 第 1 區（截止區）：VGS ≥ Vt，此時無法感應 P 通道，因此汲極電流 ID = 0A。
2. 第 2 區（歐姆區）：V GS < Vt < 0 且 VDS > VGS – Vt，即 VGD < Vt，此時汲極端
內的通道尚未夾止，因此在 VDS 甚小時的通道電阻 rDS 為線性電阻，而在 V DS
較大時的通道電阻 r DS 為非線性電阻，故此區域又稱為電阻區。
3. 第 3 區（夾止區）：VGS < Vt < 0 且 VDS ≤ VGS – Vt，即 VGD ≥ Vt 汲極電流 I D 具
有定電流的特性，與汲源極電壓 VDS 無關，I D 隨著輸入電壓 VGS 增加而增加。
4. 第 4 區（ 崩 潰 區 ） ： 當 電 源 電 壓 V DS（ 負 電 壓 ） 逐 漸 增 加 至 超 過 崩 潰 電 壓
BV DSS 即 VDS < BVDSS， 如 圖 6-19(b) 可 以 得 知 汲 極 電 流 ID 遽 增， 此 時 P 通 道
MOSFET 有燒燬之虞。

ID
夾止區 截止區
II 區 I區 崩潰區 夾止區 歐姆區
ID = (mA) 2
4 3 2

ID = K × (VGS − Vt)2

VDS 0
BVDSS 1 VGS − Vt
VGS 0
Vt 截止區 VGS ≥ Vt 時 ID = 0A

(a) VGS – ID 轉移特性特性曲線 (b) VDS – ID 輸出特性曲線

圖 6-19　P 通道增強型 MOSFET 的特性曲線

註 空乏型 MOSFET 也具增強型 MOSFET 的特性，因此空乏型 MOSFET 的汲極電流 ID 也可以

V I DSS
I D = K × (VGS − Vt )2 表示之，故 I D = K × (VGS − Vt ) = I DSS × (1 − GS ) ，可推導出 K = 。
2 2
VP VP 2

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 269

由上述 N 通道與 P 通道增強型 MOSFET 的偏壓大小與各種工作區域後，我

們可以整理其相關的判別式後，彙整如表 6-3 所示，而電流關係如表 6-4 所示。

表 6-3　增強型 MOSFET 各種工作區域的判別式

通道型式
P 通道增強型 MOSFET N 通道增強型 MOSFET
操作區域
截止區 VGS ≥ Vt VGS ≤ Vt

歐姆區（三極區）
VGD < Vt (VGS – VDS < Vt) VGD > Vt (VGS – VDS > Vt)
且 VGS < Vt 且 VGS > Vt
夾止區
（飽和區、定電流區、
VGD ≥ Vt (VGS – VDS ≥ Vt) VGD ≤ Vt (VGS – VDS ≤ Vt)
且 VGS < Vt 且 VGS > Vt
線性放大區）
崩潰區 VDS < BVDSS VDS > BVDSS

註 由表 6-3 可以得知，增強型 MOSFET 應優先判別是否工作於截止區後，才可判斷實際工作於何區。

表 6-4　增強型 MOSFET 各種工作區域的汲極電流方程式

通道型式
P 通道與 N 通道空乏型 MOSFET
操作區域
截止區 ID = 0A
歐姆區（三極區） ID = K[2(VGS – Vt) × VDS – VDS]2（超過課綱故不詳加探討）
夾止區
（飽和區、定電流區、線性放大區） D
I = K × (VGS – Vt)2

崩潰區 ID 急遽竄增（非比例關係），MOSFET 有燒燬之虞

五 實際的 V DS – I DS 輸出特性曲線
理想的增強型 MOSFET，當汲源極電壓 VDS 增加時，汲極 I D 電流維持不變，如
圖 6-20(a) 所示為理想的 N 通道增強型 MOSFET 的 V DS – I DS 特性曲線，其特性曲線
為一水平線；而實際上，當汲源極電壓 V DS 達飽和時，汲極端的通道內產生夾止現象，
若 VDS 再增加，則汲極端的空乏區會擴大，相對造成通道的有效長度變短，使得製程
互導參數 K 增大，因此 ID 會呈現些微增加的情形，此種因 V DS 的影響，造成有效長
度的改變，此種通道長度調變（Channel Length Modulation, CLM）的現象稱為歐力
效應（Early Effect）。此時的輸出特性曲線略微上揚，如圖 6-20(b) 所示，輸出特性
曲線的漸近線，向左延伸與負 Y 軸相交於一點，此電壓為 –VA，該電壓稱為歐力電壓
（Early voltage），典型值約 100V。

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 270 電子學 上

(a) 理想的 VDS – IDS 輸出特性曲線 (b) 實際的 VDS – IDS 輸出特性曲線

圖 6-20　N 通道增強型 MOSFET 的輸出特性曲線

知識補給站
鰭式電晶體 FinFET（目前最新的半導體製程）
MOSFET 的結構自從發明以來已經將近半個世紀，當閘極的長度縮小到 20 奈米時，遇到許多問題，其中
最嚴重的問題是當閘極的長度愈小，汲極與源極間的距離也就愈近，而閘極下的氧化物也就愈薄，傳導的
載子極易產生漏電（Leakage）現象，原本由閘極電壓來控制傳導載子將顯得更加困難。因此美國加州大
學柏克萊分校的胡正明、Tsujae King-Liu、Jeffrey Boker 等三位教授發明了 - 鰭式電晶體（Fin Field Effect
Transistor，簡稱 FinFET），把原本 2D 構造的源極與汲極拉高變成立體板狀 3D 結構的 MOSFET， 現今
廣泛使用於蘋果、三星等智慧型手機的微處理器中。因此我們常以閘極的長度來代表半導體製程的進步程
度，在早期所謂的奈米製程是指通道的最小長度，然而現今隨著科技不變的進步，現今的奈米製程是指閘
極的最小長度！

圖 (a)　早期的 MOSFET（2D 控制） 圖 (b)　現今鰭式電晶體 FinFET（3D 控制）

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 271

例題 6-3 增強型 MOSFET 之判別式

已知 N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 V t = 2V，試求下列各圖分別操作在何種區域？

(a) (b) (c)

解 優先判斷是否操作於截止區（ V GS ≤ V t），若不是，再判斷操作於夾止區或是歐姆區。
(a) V GS = V G – V S = 4V – 1V = 3V > V t；
V GD = V G – V D = 4V – 5V = –1V < V t，操作於夾止區。
(b) V GS = V G – V S = 5V – 4V = 1V ≤ V t；操作於截止區。
(c) V GS = V G – V S = 5V – 1V = 4V > V t；
V GD = V G – V D = 5V – 2V = 3V > V t，操作於歐姆區。

練習 3
已知 P 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓 V t = –4V，試求下列各圖分別操作在何種區域？
(A) 歐姆區、截止區、夾止區 (B) 夾止區、截止區、歐姆區
(C) 截止區、歐姆區、夾止區 (D) 截止區、夾止區、歐姆區。

(a) (b) (c)

AC22110_CH06.indd 271 19/2/2021 18:28:52

272 電子學 上

例題 6-4 增強型 MOSFET 之電流計算

一個 N 通道增強型 MOSFET 操作於夾止區，若臨界電壓 V t = 2V、互導參數 K = 2mA/V 2，
試求：(1) V GS = 3V；(2) V GS = 4V，汲極電流 I D 分別為何？

解 (1) I D  K  (VGS  Vt ) 2  2mA/V 2  (3V  2V) 2  2mA 。

(2) I D  K  (VGS  Vt ) 2  2mA/V 2  (4V  2V) 2  8mA 。

練習 4
一個 P 通道增強型 MOSFET 操作於夾止區，若臨界電壓 Vt = –4V、互導參數 K = 2mA/V2，
試求：(1) V GS = –5V；(2) V GS = –6V，汲極電流 I D 分別為何？
(A) 1mA、4mA　(B) 2mA、6mA　(C) 2mA、8mA　(D) 3mA、9mA。

例題 6-5 增強型 MOSFET 之電壓判別

一個 N 通道增強型 MOSFET 操作於夾止區，若臨界電壓 Vt = 3V、互導參數 K = 4mA/V2，
汲極電流 I D = 16mA，試求閘源極電壓 V GS 為多少伏特？

解 I D  K  (VGS  Vt )2  4mA / V 2  (VGS  3V)2  16mA

V GS = 5V 或 1V（1V < V t 操作於截止區，為增根故不合）
因此 V GS = 5V。

練習 5
一個 P 通道增強型 MOSFET 操作於夾止區，若臨界電壓 Vt = –2V、互導參數 K = 3mA/V2，
汲極電流 I D = 12mA，試求閘源極電壓 V GS 為多少伏特？
(A) –4V　(B) –2V　(C) –1V　(D) 0V。

答
 第 6 章　金氧半場效應電晶體 273

6-2 隨堂練習

( ) 1. 金氧半場效電晶體是利用何種效應控制汲極與源極間之電流？
(A) 磁場效應　(B) 壓電效應　(C) 電場效應　(D) 霍爾效應。
( ) 2. 空 乏 型 MOSFET 若 採 用 空 乏 工 作， 且 工 作 區 域 在 輸 出 特 性 曲 線 原 點 附 近， 則 此
MOSFFET 可當作
(A) 定電流裝置　(B) 電壓控制可變電阻器　(C) 穩壓裝置　(D) 整流裝置。
( ) 3. 當 MOSFET 進入夾止區後，通道內的電流開始維持定值，主要因為通道內哪一端開
始產生夾止現象？
(A) 閘極 (B) 汲極 (C) 源極 (D) 汲極與源極。
( ) 4. 關於空乏型 MOSFET 的夾止電壓 VP 與截止電壓 VGS(off) 兩者之敘述，下列何者正確？
(A) 夾止電壓 VP 是指汲極端內通道恰為夾止時的閘源極電壓
(B) 夾止電壓 VP 是指汲極端內通道恰為夾止時的閘汲極電壓
(C) 截止電壓 VGS(off) 是指源極端恰為夾止時的閘汲極電壓
(D) 夾止電壓 VP 與截止電壓 VGS(off) 兩者大小與意義完全相同。
( ) 5. 有一個 P 通道增強型 MOSFET，其臨限電壓 Vt = –2V，假使其閘極接地而源極接至
+5V，欲使此元件操作在飽和區，則汲極之最高電壓為
(A) 7V　(B) 5V　(C) 3V　(D) 2V。
( ) 6. 增強型 MOSFET 的結構因素會造成臨界電壓 VT 值的變化，請問以下何者對其影響最大？
(A) 金屬導電層厚度 (B) 半導體層的厚度
(C) 二氧化矽的厚度 (D) 金屬導電層的材質。
( ) 7. 某 N 通道空乏型 MOSFET 之截止電壓 VGS(off) = –4V；若此 MOSFET 工作於夾止區，
閘極對源極電壓 VGS 為 0V 時，汲極電流為 12 mA，則當閘極對源極電壓為 –2V 時，
汲極電流為何？　(A)8mA　(B)6mA　(C)5mA　(D)3mA。
( ) 8. 有關金氧半場效電晶體 MOSFET 之敘述，下列何者正確？
(A) 空乏型 MOSFET 的物理結構，沒有預設通道
(B) P 型基體的增強型 MOSFET，閘 – 源極電壓（VGS）必須為正電壓才有可能感應通道
(C) N 通道增強型 MOSFET，VGS < VT 才能使汲極源極導通
(D) P 通道空乏型 MOSFET 之 VGS 值為正時，ID > IDSS。

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 274 電子學 上

6-3 　金氧半場效電晶體之直流偏壓
MOSFET 與第三章雙極性偏壓電晶體的功用與偏壓方式類似，亦有信號放大與開關
之功用，以下就偏壓組態與 MOSFET 的各種直流偏壓方式探討如下：

6-3-1 偏壓組態
1 共源極放大組態
共源極放大器（Common Source, CS）如圖 6-21(a) 所示，是指源極為輸入端
與輸出端的共用接腳，而輸入信號由閘極接腳輸入，輸出信號由汲極接腳取出，
此組態具有輸入電壓與輸出電壓反相 180° 的特性，類似於雙極性電晶體共射極
偏壓組態（CE）的特性，本章節主要以共源極電路進行探討。

2 共汲極放大組態
共 汲 極 放 大 器（Common Drain, CD） 如 圖 6-21(b) 所 示， 是 指 汲 極 為 輸 入
端與輸出端的共用接腳，而輸入信號由閘極接腳輸入，而輸出信號由源極接腳
取出，此組態具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高電流增益與電壓增益略小於 1 的
特性，類似於雙極性電晶體共集極偏壓組態的特性，又稱為源極隨耦器（source
follower），由於共汲極組態的分析與共源極相同，因此不另外探討。

3 共閘極放大組態
共閘極放大器（Common Gate, CG）如圖 6-21(c) 所示，是指閘極為輸入端
與輸出端的共用接腳，而輸入信號由源極接腳輸入，輸出信號由汲極接腳取出，
此組態具有低輸入阻抗、高輸出阻抗、高電壓增益與電流增益略小於 1 的特性，
類似於雙極性電晶體共基極偏壓組態的特性。

(a) 共源極偏壓組態 (b) 共汲極偏壓組態 (c) 共閘極偏壓組態

圖 6-21　MOSFET 的偏壓組態

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 275

將上述的金氧半場效電晶體與雙極性電晶體的偏壓組態作比較，其相關特性整
理如表 6-5 所示。

表 6-5　MOSFET 與 BJT 偏壓組態之比較

放大器偏壓組態
電路特性
MOSFET BJT
輸入腳：G 輸入腳：B
1. 輸入電壓與輸出電壓反相 180°
共源極（CS） 輸出腳：D 共射極（CE） 輸出腳：C
2. 功率增益為三者中最大
共用腳：S 共用腳：E
1. 輸入阻抗大
輸入腳：G 輸入腳：B
2. 輸出阻抗小
共汲極（CD） 輸出腳：S 共集極（CC） 輸出腳：E
3. 電壓增益小（略小於 1）
共用腳：D 共用腳：C
4. 電流增益大
1. 輸入阻抗小
輸入腳：S 輸入腳：E
2. 輸出阻抗大
共閘極（CG） 輸出腳：D 共基極（CB） 輸出腳：C
3. 電壓增益大
共用腳：G 共用腳：B
4. 電流增益小（略小於 1）

6-3-2 直流負載線與直流工作點 Q
空乏型與增強型 MOSFET 的直流負載線與直流工作點，與第三章的雙極性電晶體的
求解步驟類似，且 MOSFET 操作於夾止區才具有線性放大的作用，因此我們在進行直流
分析時，皆假設 MOSFET 操作於夾止區，求解步驟如下：

1 輸入迴路
1. 由於 MOSFET 的輸入阻抗的典型值約 1010Ω ～ 1015Ω，故令閘極電流 IG ≈ 0A，
以方便求解。

 VGS 2
空乏型 MOSFET 運用公式 I D = I DSS × (1 − V )
2.  P
增強型 MOSFET 運用公式 I = K × (V − V ) 2
 D GS t

⇒ 求解閘源極電壓 V GS 與汲極電流 I D，由於汲極電流 I D 為一元二次的拋物線

方程式，因此答案有兩個，故需再藉由判別式判斷正確的答案。

2 輸出迴路
1. 運用輸出迴路方程式繪製直流負載線。
2. 共源極偏壓電路與共汲極偏壓電路（N 通道）：則直流工作點 Q 為 (VDSQ, IDQ)。
3. 共閘極偏壓電路（N 通道）：則直流工作點 Q 為 (VDGQ, IDQ)。

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 276 電子學 上

註 求解 VGS 以及 ID 常運用到數學的一元二次方程式 ax + bx + c = 0，
2

−b ± b2 − 4ac 。
則x=
2a

6-3-3 D-MOSFET 的直流偏壓電路

D-MOSFET 常見的直流偏壓方式有四種：固定偏壓電路、自給偏壓（self-bias）電路、
零偏壓（zero-bias）電路與分壓式偏壓電路，其中以分壓式偏壓電路最為重要，可以藉由
源極電阻 RS 的調整，使得閘源極電壓 V GS 為順向偏壓、逆向偏壓或是零電壓（零偏壓法），
使空乏型 MOSFET 操作於增強工作、空乏工作，或是 ID = IDSS 時，以下就 N 通道空乏型
MOSFET 各種共源極直流偏壓電路，分別進行分析：

一 固定偏壓電路
如圖 6-22 所示為 N 通道 D-MOSFET 的固定偏壓電路，工作原理是在閘極間加
入一個逆向偏壓 V GG，藉由此逆向偏壓來控制通道內空乏區的大小，進而控制汲極電
流的大小。

圖 6-22　固定偏壓電路

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 277

1 輸入迴路
運用克希荷夫電壓定律（KVL），列出方程式如下：VGG + VGS = IG × R G；
∵ I G = 0A：

VGS = –VGG
公式 6-3

VGS 2
將公式 6-3 代入汲極電流方程式 I D = I DSS × (1 − ) ，即可求出相對應的汲極
VP
電流 ID。

2 輸出迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：VDD = ID × RD + VDS，故

VDS = VDD – ID × RD
公式 6-4

由公式 6-4 中，令 ID = 0，可以求出直流負載線與 X 軸的交點為 VDD；而令

VDD
VDS = 0，可以求出直流負載線與 Y 軸的交點為 ，將此兩點連結起來，即為斜
RD
1
率為 − 的直流負載線。
RD

3 繪製直流負載線與直流工作點 Q
將上述所求解的 VGS、I D 與 VDS，標示在轉移特性曲線與輸出特性曲線，並繪
製直流負載線與直流工作點 Q，如圖 6-23(a)(b) 所示。

ID (mA) ID 1
VDD 直流負載線的斜率 m = − RD
VGS = −VGG RD
VGS = 0 V
IDSS IDSS

Q Q
VGS VGS = VGSQ
ID = IDSS × (1− V )2 IDQ IDQ
P

VGS VDS
VP VGSQ 0 VDSQ VDD

(a) 工作點與轉移特性曲線 (b) 直流負載線與直流工作點 Q

圖 6-23　固定偏壓電路的直流負載線與直流工作點 Q

AC22110_CH06.indd 277 19/2/2021 18:29:05

 278 電子學 上

例題 6-6 固定偏壓電路
如右圖所示，若 VDD = 12V、V GG = 2V、R G = 10kΩ、R D = 2kΩ、
I DSS = 12mA 且 VP = –4V，試求：(1) 汲極電流 I D；(2) 汲源極電
壓 V DS；(3) 操作區域；(4) 直流工作點 QC(V DSQ, I DQ) 分別為何？

解 假設操作於夾止區
VGS 2 −2 V 2
(1) 汲極電流 I D = I DSS × (1- ) = 12 mA × (1 − ) = 3mA
VP −4 V
(2) 汲源極電壓 VDS = VDD – ID × RD = 12V – 3mA × 2kΩ = 6V
(3) V GS = –2V > V P 且 V GD = V GS – V DS = –2V – 6V
= –8V < V P（操作於夾止區，故假設成立）
(4) 直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) = Q(6V, 3mA)。

練習 6
如 圖 6-22 所 示， 若 V DD = 16V、V GG = 1.5V、R G = 20kΩ、R D = 1.5kΩ、I DSS = 16mA 且
V P = –3V，試求直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) 為何？
(A) 8V、5mA　(B) 10V、4mA　(C) 10V、5mA　(D) 12V、3mA。

二 自給偏壓電路
如 圖 6-24 所 示 為 N 通 道 D-MOSFET VDD

的自給偏壓電路，該電路是運用汲極電流 RD ID
I D 通過源極電阻 RS 所產生的壓降（逆向偏 Vo
＋ Co
Ci IG = 0A
壓）來控制通道內空乏區的大小，達到調 Vi VDS
＋ －
整汲極電流的目的，由於該電路的逆向偏 VGS
－ 於S腳取出信號
RG
壓是由自己的壓降電阻 RS 所決定，故稱為 RS 即為共汲極組態
自給偏壓電路，該電路可省去固定偏壓電
輸入迴路 輸出迴路
路中需額外加逆向偏壓 VGG 的缺點。
圖 6-24　自給偏壓電路
1 輸入迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：IG × RG + VGS + ID × RS = 0；因 IG = 0A，故

VGS = –ID × RS
公式 6-5

AC22110_CH06.indd 278 19/2/2021 18:29:06

 第 6 章　金氧半場效應電晶體 279

VGS VGS 2
由公式 6-5 可以得知， I D  
代入汲極電流方程式 I D  I DSS  (1  ) ，
RS VP
求解一元二次方程式後，即可求出閘源極電壓 VGS 的值。

2 輸出迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：VDD = ID × RD + VDS + ID × RS，故

VDS = VDD – ID × RD – ID × RS
公式 6-6

由公式 6-6 中，令 ID = 0，可以求出直流負載線與 X 軸的交點為 VDD；而令

VDD
VDS = 0，可以求出直流負載線與 Y 軸的交點為 ，將此兩點連結起來即為
RD + RS
1
斜率為  的直流負載線。
( RD  RS )

3 繪製直流負載線與直流工作點 Q
將上述所求解的 VGS、I D 與 VDS，標示在轉移特性曲線與輸出特性曲線，並繪
製直流負載線與直流工作點 Q，如圖 6-25(a)(b) 所示。

(a) 工作點與轉移特性曲線 (b) 直流負載線與直流工作點 Q

圖 6-25　自給偏壓電路的直流負載線與直流工作點 Q

AC22111_CH06.indd 279 4/8/2021 13:20:26

 280 電子學 上

例題 6-7 自給偏壓電路
如 右 圖 所 示， 若 VDD = 12V、RG = 10kΩ、RD = 2kΩ、RS =
0.5kΩ、IDSS = 16mA 且 VP = –4V，試求：(1) 汲極電流 I D；(2)
汲源極電壓 V DS；(3) 操作區域；(4) 直流工作點 Q(V DSQ, I DQ)
分別為何？

解 假設操作於夾止區
(1) ∵ I G = 0A，故 V G = 0V
因此 V GS = V G – V S = 0 – I D × R S = –I D × R S = –0.5kΩ × I D，

將運算式重新整理為 I D = − GS … 1
V
0.5kΩ
VGS 2 V
(2) 汲極電流 I D = I DSS × (1 − ) = 16mA × (1 + GS ) 2 … 2
VP 4V

(3) 將 1 代入 2 ： −
VGS V
= 16mA × (1 + GS ) 2 ⇒ VGS 2 + 10VGS + 16 = 0
0.5kΩ 4V
V GS = –2V 或 –8V（–8V < V P 操作於截止區故不合）
VGS 2 −2 V 2
(4) 汲極電流 I D = I DSS × (1 − ) = 16mA × (1 − ) = 4 mA
VP −4 V
(5) 汲源極電壓 V DS = V DD – I D × (R D + R S) = 12V – 4mA × (2kΩ + 0.5kΩ) = 2V
(6) V GS = –2V > V P 且 V GD = V GS – V DS = –2V – 2V = –4V ≤ V P（操作於夾止區，故假
設成立）
(7) 工作點 Q(V DSQ, I DQ) = Q(2V, 4mA)。

練習 7
承上題所示，若 VDD = 16V、RG = 10kΩ、RD = 2.5kΩ、RS = 1kΩ、IDSS = 12mA 且 VP = –6V，
試求閘源極電壓 V GS 為何？
(A) –1V　(B) –2V　(C) –3V　(D) –12V。

三 零偏壓電路
如圖 6-26 所示為 N 通道空乏型 MOSFET 的
零偏壓電路，此電路在閘極端沒有外加任何偏
壓， 且 沒 有 源 極 電 阻 R S， 故 V GS = 0V。 零 偏 壓
法僅適用於空乏型 MOSFET 而不適用於增強型
MOSFET（閘源極電壓 VGS 必須大於臨界電壓 V t
才可感應通道），此電路的直流分析如下。
圖 6-26　零偏壓電路

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 281

1 輸入迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：IG × R G + VGS = 0；因 I G = 0A，
VGS 2
故 V GS = 0V，將 VGS = 0V 代入蕭克萊方程式 I D = I DSS × (1 − ) ，即可求出汲極
VP
電流 I D = IDSS。

2 輸出迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：VDD = ID × RD + VDS，故

VDS = VDD – ID × RD
公式 6-7

由公式 6-7 中，令 ID = 0，可以求出直流負載線與 X 軸的交點為 VDD；而令

VDD
VDS = 0，可以求出直流負載線與 Y 軸的交點為 ，將此兩點連結起來，即為斜
RD
1
率為 − 的直流負載線。
RD

3 繪製直流負載線與直流工作點 Q
將上述所求解的 VGS、I D 與 VDS，標示在轉移特性曲線與輸出特性曲線，並繪
製直流負載線與直流工作點 Q，如圖 6-27(a)(b) 所示。

(a) 工作點與轉移特性曲線 (b) 直流負載線與直流工作點 Q

圖 6-27　零偏壓電路的直流負載線與直流工作點 Q

AC22110_CH06.indd 281 19/2/2021 18:29:18

 282 電子學 上

例題 6-8 零偏壓電路
如 右 圖 所 示， 若 V DD = 14V、R G = 2kΩ、R D = 2kΩ、
I DSS = 3mA 且 V P = –6V，試求：
(1) 汲極電流 I D；(2) 汲源極電壓 V DS；(3) 操作區域；
(4) 直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) 分別為何？
解 假設操作於夾止區
(1) ∵ I G = 0A，故 V G = 0V 且 V S = 0V
故 V GS = V G – V S = 0V
(2) 汲極電流
V 0V 2
I D = I DSS × (1 − GS ) 2 = 3mA × (1 − ) = 3mA
VP −6V
(3) 汲源極電壓 V DS = V DD – I D × R D = 14V – 3mA × 2kΩ = 8V
(4) VGS = 0V > VP 且 VGD = VGS – VDS = 0V – 8V = –8V < VP（操作於夾止區，故假設成立）
(5) 直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) = Q(8V, 3mA)

練習 8
承上題所示，若 V DD = 10V、R G = 2kΩ、R D = 1.5kΩ、I DSS = 4mA 且 V P = –4V，試求直流
工作點 Q(V DSQ, I DQ) 為何？
(A) Q(4V, 4mA)　(B) Q(5.5V, 3mA)　(C) Q(7V, 2mA)　(D) Q(8.5V, 1mA)。

四 分壓式偏壓電路
如圖 6-28 所示，電源電壓 VDD 經電阻 R1 與 R2 分壓後，加在閘極的偏壓電路，
故稱為分壓式偏壓電路，其中源極電阻 R S 類似 BJT 射極回授偏壓法中的射極電阻
RE，具有穩定直流工作點的作用，將圖 6-28 化簡為戴維寧等效電路，如圖 6-29 所示，
相關直流分析如下：

VDD

RD ID
Co
Vo
＋
Ci IG = 0A VDS
Vi
＋ －
VGS
Rth = R1//R2 － 於S腳取出信號
RS 即為共汲極組態
R2 ＋
Vth = VDD ×
R1 + R2 －
輸入迴路 輸出迴路

圖 6-28　分壓式偏壓電路 圖 6-29　化簡後的戴維寧等效電路

AC22110_CH06.indd 282 19/2/2021 18:29:22

 第 6 章　金氧半場效應電晶體 283

1 化為戴維寧等效電路
R2
由圖 6-29 可以得知，戴維寧等效電壓 Vth = VDD × ，而戴維寧等效電阻
R1 + R2
Rth = R1 // R2，由於閘極輸入電流 IG ≈ 0A，因此戴維寧等效電阻 Rth 的電壓降甚小可略。

2 輸入迴路
運 用 克 希 荷 夫 電 壓 定 律， 列 出 方 程 式 如 下：Vth = IG × Rth + VGS + ID × RS；
∵ I G ≈ 0A，故：

VGS = Vth – ID × RS
公式 6-8

VGS − Vth VGS 2

由公式 6-8 可以得知 I D = − ，代入汲極電流方程式 I D = I DSS × (1 − )
RS VP
，解一元二次方程式後，即可求出閘源極電壓 VGS。

3 輸出迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：VDD = ID × RD + VDS + ID × RS，故

VDS = VDD – ID × RD – ID × RS
公式 6-9

4 繪製直流負載線與直流工作點 Q
將上述所求解的 VGS、I D 與 VDS，標示在轉移特性曲線與輸出特性曲線，並繪
製直流負載線與直流工作點 Q，如圖 6-30(a)(b) 所示。

ID (mA) ID
VGS 2
ID = IDSS × (1− )
VP
VGS = 0 V
IDSS IDSS
VGS = Vth − ID × RS
VDD 1
增根(去除) (RD + RS) 直流負載線的斜率 m = − RD + RS
Q IDQ IDQ Q
VGS = VGSQ
VGS VDS
VP VGSQ 0 Vth VDSQ VDD

(a) 工作點與轉移特性曲線 (b) 直流負載線與直流工作點 Q

圖 6-30　分壓式偏壓電路的直流負載線與直流工作點 Q

AC22110_CH06.indd 283 19/2/2021 18:29:25

 284 電子學 上

例題 6-9 D-MOSFET 分壓式偏壓電路

如下圖所示，若 V DD = 15V、R 1 = 150kΩ、R 2 = 100kΩ、R D = 2kΩ、R S = 16kΩ、I DSS = 2mA
且 V P = –4V，試求：(1) 汲極電流 I D；(2) 汲源極電壓 V DS；(3) 操作區域；(4) 直流工作點
Q(V DSQ, I DQ) 分別為何？

　 　

解 ∵ I G = 0A，故 V G = 6V，並假設操作於夾止區

(1) 輸入迴路： VGS = 6V − I D × 16kΩ ⇒ I D = − …1

(VGS − 6V )
16kΩ
VGS 2 V
(2) 輸出迴路： I D = I DSS × (1 − ) ⇒ I D = 2 mA × (1 + GS ) 2 … 2
VP 4

將 1 代入 2 可得 −
(VGS − 6V ) V
= 2 mA × (1 + GS ) 2 ⇒ (VGS + 2 V )( 2VGS + 13V ) = 0
16kΩ 4
V GS = –2V 或 –6.5V（–6.5V < V P 操作於截止區故不合）
VGS 2
(3) 汲極電流 I D = I DSS × (1 −
2V 2
) ⇒ I D = 2mA × (1 − ) = 0.5mA
VP 4V
(4) 汲源極電壓 V DS = V DD – I D × (R D + R S) = 15V – 0.5mA × (2kΩ + 16kΩ) = 6V
(5) V GS = –2V > V P 且 V GD = V G – V D = 6V – 14V = –8V < V P（操作於夾止區）
(6) 工作點 Q(V DSQ, I DQ) = Q(6V, 0.5mA)

練習 9
承上題所示，若 V DD = 15V、R 1 = 200kΩ、R 2 = 100kΩ、R D = 3kΩ、R S = 7kΩ、I DSS = 4mA
且 V P = –4V，試求直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) 為何？
(A) Q(5V, 2mA)　(B) Q(5V, 1mA)　(C) Q(4V, 4mA)　(D) Q(4V, 1mA)。

AC22110_CH06.indd 284 19/2/2021 18:29:30

 第 6 章　金氧半場效應電晶體 285

例題 6-10 E-MOSFET 分壓式偏壓電路

如下圖所示，若 VDD = 18V、R1 = 600kΩ、R2 = 300kΩ、RD = 2kΩ、RS = 1.5kΩ、K = 2mA/V2 且 Vi
= 2V，試求：(1) 汲極電流 ID；(2) 汲源極電壓 VDS；(3) 操作區域；(4) 直流工作點 Q(VDSQ, IDQ)
分別為何？

18 V
VDD
ID 2k Ω
Co
ID
RD Vo
R1 Co ＋
Vo 　 Ci IG = 0A
　 Vi VDS
＋
Ci ＋ －
VDS VGS
Vi
＋ － 200k Ω －
VGS
R2
－ ＋ 1.5k Ω
RS 6V
－

解 ∵ I G = 0A，故 V G = 6V，並假設操作於夾止區

(1) 輸入迴路： VGS  6V  I D  1.5k  I D   …1

(VGS  6V)
1.5k
(2) 輸出迴路： I D = K × (V GS ‒ Vi) 2 = 2mA/V 2 × (V GS ‒ 2V) 2… 2

將 1 代入 2 可得 
(VGS  6V)
 2mA  (VGS  2V) 2  (VGS  3V)(3VGS  2V)  0
1.5k

V GS = 3V 或 V （ V < Vi 操作於截止區故不合）
2 2
3 3
汲極電流 I D = K × (V GS ‒ Vi) = 2mA/V × (3V ‒ 2V) = 2mA
2 2 2
(3)
(4) 汲源極電壓 V DS = V DD – I D × (R D + R S) = 18V – 2mA × (2kΩ + 1.5kΩ) = 11V
(5) V GS = 3V > Vi 且 V GD = V G – V D = 6V – 14V = –8V < V（操作於夾止區，假設成立）
i

(6) 工作點 Q(V DSQ , I DQ ) = Q(11V, 2mA)

練習 10
承上題所示，若 V DD = 12V、R 1 = 100kΩ、R 2 = 50kΩ、R D = 6kΩ、R S = 1kΩ、K = 1mA/V 2
且 Vi = 2V，試求直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) 為何？
(A) Q(5V, 1mA)　(B) Q(6V, 1mA)　(C) Q(5V, 2.5mA)　(D) Q(6V, 1mA)。

答
 286 電子學 上

6-3-4 E-MOSFET 的直流偏壓電路

E-MOSFET 的閘源極電壓 VGS 必須大於臨界電壓 V t，才有辦法感應通道並產生汲極
電流，因此增強型 MOSFET 無法採用自給偏壓法（自給偏壓法的 V GS 為逆向偏壓），而
常見的直流偏壓方式有三種：固定偏壓電路、分壓式偏壓電路與汲極回授偏壓電路，其中
汲極回授偏壓法所產生的 VGS = V DD – I D × RD 必定為正電壓，因此不適用於 D-MOSFET，
而分壓式偏壓電路的分析與 D-MOSFET 的分析類似，因此不再贅述。以下僅對固定偏壓
電路及汲極回授偏壓電路進行分析：

一 固定偏壓電路
如圖 6-31 所示為 N 通道 E-MOSFET 的固定
偏壓電路，工作原理是在閘極間加入一個順向偏
壓 V GG，且 VGG 需大於臨界電壓 V t，才有辦法感
應 N 通道產生汲極電流 I D，電路分析如下：

1 輸入迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如
圖 6-31　固定偏壓法
下：VGG = IG × RG + VGS；∵ I G = 0A，故

VGS = VGG
公式 6-10

將公式 6-10 代入汲極電流方程式 ID = K × (VGS – Vt) 2，即可求出相對應的汲

極電流 I D。

2 輸出迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：VDD = ID × RD + VDS，故

VDS = VDD – ID × RD
公式 6-11

由公式 6-11 中，令 ID = 0，可以求出直流負載線與 X 軸的交點為 VDD；而令

VDD
VDS = 0，可以求出直流負載線與 Y 軸的交點為 ，將此兩點連結起來即為斜率
RD
1
為− 的直流負載線。
RD

AC22110_CH06.indd 286 19/2/2021 18:29:35

 第 6 章　金氧半場效應電晶體 287

3 繪製直流負載線與直流工作點 Q
將上述所求解的 VGS、I D 與 VDS，標示在轉移特性曲線與輸出特性曲線，並繪
製直流負載線與直流工作點 Q，如圖 6-32(a)(b) 所示。

ID ID
1
VDD 直流負載線的斜率 m = − RD
RD
VGS = VGG

Q Q
IDQ ID = K × (VGS −Vt)2 IDQ VGS = VGSQ

VGS VDS
Vt VGSQ VDSQ VDD

(a) 工作點與轉移特性曲線 (b) 直流負載線與直流工作點 Q

圖 6-32　固定偏壓電路的直流負載線與直流工作點 Q

例題 6-11 固定偏壓電路
如下圖所示，若 V DD = 10V、V GG = 4V、R G = 10kΩ、
R D = 3kΩ、K = 2mA/V 2 且 Vt = 3V，試求：
(1) 汲極電流 I D；(2) 汲源極電壓 V DS；(3) 操作區域；
(4) 直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) 分別為何？

解 假設操作於夾止區
∵ I G = 0A，故 V G = V GG = 4V，
因此 V GS = V G – V S = 4V – 0V = 4V
(1) 汲極電流 ID = K × (VGS – Vt)2 = 2mA/V2 × (4V – 3V)2 = 2mA
(2) 汲源極電壓 V DS = V DD – I D × R D = 10V – 2mA × 3kΩ = 4V
(3) V GS = 4V > V t 且 V GD = V GS – V DS = 4V – 4V = 0V < V（操作於夾止區，
t 故假設成立 )
(4) 工作點 Q(V DSQ, I DQ) = Q(4V, 2mA)

練習 11
承上題所示，若 VDD = 12V、VGG = 3V、RG = 40kΩ、RD = 2.5kΩ、K = 4mA/V 2 且 Vt = 2V，
試求直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) 為何？
(A) Q(5V, 2.8mA)　(B) Q(4V, 3.2mA)　(C) Q(3V, 3.6mA)　(D) Q(2V, 4mA)。

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 288 電子學 上

二 汲極回授偏壓電路
汲極回授偏壓電路如圖 6-33 所示，該電路
的 汲 極 電 阻 RD 類 似 BJT 的 集 極 回 授 偏 壓 電 路
中 的 集 極 電 阻， 具 有 穩 定 直 流 工 作 點 的 作 用。
電路由汲極提供一個負回授的路徑至閘極，當
MOSFET 的特性參數改變時，可能造成汲極電
流 I D 增加，此時汲極電壓 V D 下降，而使得汲極
電流 ID 減小，有穩定汲極電流 ID 的特性，其回
圖 6-33　汲極回授偏壓電路
授過程如下：

I D ↑， VD = (VDD – I D × RD) ↓， VG = VD = VGS ↓，I D = K × (VGS – Vt) ↓

負回授（自動調整穩定作用）

1 輸入迴路
由於 IG = 0A，因此由圖 6-33 可以得知 VG = VD，故 VGS = VDS，可以列出方程
式如下：VDD = ID × RD + VDS = ID × RD + VGS，∵ IG = 0A，因此 VGS = VDD – ID × RD。

VDD − VGS
ID =
RD
公式 6-12

將公式 6-12 代入汲極電流方程式 ID = K × (VGS – Vt) 2，即可求出相對應的汲

源極電壓 V GS。

2 輸出迴路
運用克希荷夫電壓定律，列出方程式如下：VDD = ID × RD + VDS，故

VDS = VDD – ID × RD
公式 6-13

由公式 6-13 中，令 I D = 0，可以求出直流負載線與 X 軸的交點為 VDD；而令

VDD
V DS = 0，可以求出直流負載線與 Y 軸的交點為 ，將此兩點連結起來即為斜率
RD
1
為− 的直流負載線。
RD

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 289

3 繪製直流負載線與直流工作點 Q
將上述所求解的 VGS、I D 與 VDS，標示在轉移特性曲線與輸出特性曲線，並繪
製直流負載線與直流工作點 Q，如圖 6-34(a)(b) 所示。

(a) 工作點與轉移特性曲線 (b) 直流負載線與直流工作點 Q

圖 6-34　汲極回授偏壓電路的直流負載線與直流工作點 Q

註 空乏型 MOSFET 欲使輸出波形有線性放大的作用，無法採用汲極回授法，對 N 通道

空乏型 MOSFET 而言，其 VGD > VP，P 通道空乏型 MOSFET 而言，其 VGD < VP，皆操
作於歐姆區（三極區），因此不具線性放大作用。

知識補給站
中央處理器（CPU）
在智慧型手機裡的電子面板就是採用以 MOSFET 為主體的超大型積體電路，
隨著半導體產業的科技日新月異，在早期以 MOSFET 為主體的高科技電子
產品，逐漸被鰭式電晶體 FinFET 所取代，而未來 CPU 所發展的趨勢便是融
入 AI 人工智慧，右圖為國內 CPU 設計大廠 - 聯發科技股份有限公司所設計
的智慧型手機處理器 Helio 系列。
Helio P60 處理器

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 290 電子學 上

例題 6-12 汲極回授偏壓電路
如下圖所示之電路，若 MOSFET 的臨界電壓 V t 為 1V，且飽和區電流 I D = K (V GS – V t ) 2，
其 中 K = 1mA/V 2， 則 當 V DD = 5V、R D = 3kΩ， 試 求：(1) 汲 極 電 流 I D；(2) 汲 源 極 電 壓
V DS；(3) 操作區域；(4) 直流工作點 Q(V DSQ, I DQ) 分別為何？

解 ∵ I G = 0A，故 VG = VD ⇒ VGS = VDS ，並假設操作於夾止區

VDD − VDS VDD − VGS 5V − VGS
(1) 汲極電流表示式 I D = = = …1
RD RD 3kΩ
(2) 汲極電流方程式 I D = K × (V GS – V t) 2 = 1mA/V 2 × (V GS – 1V) 2… 2

(3) 將 1 代入 2 可得
5V − VGS
= 1mA / V 2 × (VGS − 1V ) 2
3kΩ

3VGS 2 − 5VGS − 2 = 0 ⇒ VGS = 2 V 或 − V （ − V <Vt 操作於截止區，故不合）

1 1
3 3
(4) 汲極電流 I D = K × (V GS – V t) 2 = 1mA/V 2 × (2V – 1V) 2 = 1mA
(5) 汲源極電壓 V DS = V GS = V DD – I D × R D = 5V – 1mA × 3kΩ = 2V
(6) 工作點 Q(V DSQ, I DQ) = Q(2V, 1mA)

練習 12
承上題所示，若 MOSFET 的臨界電壓 V t 為 2V，且飽和區電流 I D = K (V GS – V t) 2，其中
K = 2mA/V 2，則當 V DD = 10V、R D = 3.5kΩ，試求汲源極電壓 V DS 為何？
6
(A) V 　(B) 1V　(C) 3V　(D) 4V。
7
答

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 291

三 增強型 MOSFET 的直流偏壓電路

由空乏型 MOSFET 以及增強型 MOSFET 的相關偏壓組態的分析與計算後，可
以將各種型式 MOSFET 的偏壓方式比較如表 6-6 所示：

表 6-6　MOSFET 各種偏壓組態
MOSFET 型式
空乏型 MOSFET 增強型 MOSFET
偏壓方式
固定偏壓法 ○ ○
自給偏壓法 ○ ×
零偏壓法 ○ ×
分壓式偏壓法 ○ ○
汲極回授偏壓法 × ○

6-3-5 BJT 與 MOSFET 兩者特性之比較

經由第三章 BJT 與本章 MOSFET 的說明及分析後，兩者各有優缺點，整理如表 6-7
所示。

表 6-7　BJT 與 MOSFET 之特性、優缺點與用途

元件
BJT MOSFET
特性與用途
製程 繁瑣（體積大） 容易（體積小，用於 VLSI 以上級別的電路）
非對稱結構 對稱結構
結構
（射極與集極不可以對調使用） （源極與汲極可對調使用）
傳導載子 雙載子（電子與電洞） 單載子（視通道而定）
電流控制型元件 電壓控制型元件
控制方式
（IB 控制 IC） （VGS 控制 ID）
輸入阻抗 小（數 kΩ） 大（10 Ω ～ 10 Ω）
10 15

差（β 為正溫度係數） 好（K 與 ID 為負溫度係數）

熱穩度
（集極電流 IC 隨溫度增加而增加） （汲極電流 ID 隨溫度增加而減小）
抵補電壓
有 無
（offset voltage）
雜訊能力 差 優
歐力效應 基極寬度調變 通道長度調變
增益頻寬積 大 小
頻率響應 優 差
操作速度 快 慢
偏壓方式 每種偏壓方式皆適用 有所限制
開關電路 操作於飽和區（ON）與截止區（OFF） 操作於歐姆區（ON）與截止區（OFF）

AC22110_CH06.indd 291 19/2/2021 18:29:48

 292 電子學 上

6-3 隨堂練習

( ) 1. 場效應電晶體的放大電路中，何種組態的輸出電壓與輸入電壓反相 180° ？
(A) 共閘極　(B) 共汲極　(C) 共源極　(D) 共集極。
( ) 2. 場效應電晶體的放大電路中，何種偏壓組態具有高輸入阻抗以及低輸出阻抗的特性？
(A) 共閘極　(B) 共汲極　(C) 共源極　(D) 共集極。
( ) 3. D-MOSFET 不適合用於下列何種偏壓法？
(A) 自給偏壓法　(B) 分壓式偏壓法　(C) 零偏壓法　(D) 汲極回授偏壓法。
( ) 4. E-MOSFET 不適合用於下列何種偏壓法？
(A) 固定偏壓法　(B) 分壓式偏壓法　(C) 自給偏壓法　(D) 汲極回授偏壓法。
( ) 5. 金氧半場效電晶體（MOSFET）與雙極性電晶體（BJT）之特性比較，下列敘述何者
錯誤？
(A) MOSFET 之輸入阻抗比 BJT 高 (B) MOSFET 之增益頻寬積通常比 BJT 高
(C) MOSFET 之熱穩定性比 BJT 佳 (D) MOSFET 之抗雜訊能力比 BJT 佳。
( ) 6. 如圖 (1) 所示電路，已知 E-MOSFET 的臨界電壓 VT = 3V，則電壓 VDS 為多少？
(A) 0V　(B) 4V　(C) 8V　(D) 12V。
( ) 7. 如圖 (2) 所示之電路，E-MOSFET 之臨限電壓（threshold voltage）為 2V，閘源極電
壓 VGS = 4V 時之汲極電流 ID = 1mA，若汲源極電壓 VDS = 6V，則電阻 RD 約為何？
(A) 2MΩ　(B) 1.5MΩ　(C) 2kΩ　(D) 1.5kΩ。
( ) 8. 如圖 (3) 所示電路，場效電晶體之參數為：臨界電壓（threshold voltage）VT = 2.0V，
K = 2mA/V2。求源極電壓 VS 為何？
(A) 8V　(B) 4V　(C) 3V　(D) 2V。

圖 (1) 圖 (2) 圖 (3)

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 293

重點掃描 6
6-1 1. MOSFET 之種類：
(1) 依傳導的載子可分為：n 型（N 通道）與 p 型（P 通道）。
(2) 依操作之方式可分為： 1 空乏型（Depletion type），簡記為 D-MOSFET
2 增強型（Enhancement type），簡記為 E-MOSFET。
2. 空乏型 MOSFET 有預設通道；增強型 MOSFET 沒有預設通道。
6-2 3. MOSFET 的導電載子與偏壓關係表：
特性 導電載子
MOSFFET 的型式 （多數載子）
V GS VDS

負電壓（空乏模式）
N 通道 電子 正電壓
正電壓（增強模式）
空乏型 MOSFET
正電壓（空乏模式）
P 通道 電洞 負電壓
負電壓（增強模式）
N 通道 電子 正電壓 正電壓
增強型 MOSFET
P 通道 電洞 負電壓 負電壓

4. D-MOSFFET 的各項特性：
通道型式
P 通道 D-MOSFET N 通道 D-MOSFET
操作區域與特性曲線
截止區 VGS ≥ VP VGS ≤ VP

歐姆區（三極區）
VGD < VP (VGS – VDS < VP) VGD > VP (VGS – VDS > VP)
且 VGS < VP 且 VGS > VP
夾止區
（飽和區、定電流區、
VGD ≥ VP (VGS – VDS ≥ VP) VGD ≤ VP (VGS – VDS ≤ VP)
且 VGS < VP 且 VGS > VP
　線性放大區）
崩潰區 VDS < BVDSS VDS > BVDSS

ID (mA) ID (mA)

IDSS VGS VGS IDSS

轉移特性曲線 ID = IDSS × (1− V )2
P
ID = IDSS × (1− V )2
P

VGS VGS
VP VP

AC22110_CH06.indd 293 19/2/2021 18:29:51

 294 電子學 上

5. D-MOSFET 各種工作區域的汲極電流方程式：
通道型式
D-MOSFET
操作區域
截止區 ID = 0A
I DSS
歐姆區（三極區） ID  [2(VGS  VP )VDS  VDS 2 ] （超過課綱，故不詳加探討）
VP 2

夾止區 V
I D  I DSS  (1  GS )2
（飽和區、定電流區、線性放大區） VP

崩潰區 ID 急遽竄增（非比例關係），MOSFET 有燒燬之虞

6. D-MOSFET 操作於空乏模式時，I D < I DSS；操作於增強模式時，I D > I DSS。
7. E-MOSFET 的各項特性
通道型式
P 通道 E-MOSFET N 通道 E-MOSFET
操作區域與特性曲線
截止區 VGS ≥ Vt VGS ≤ Vt

歐姆區（三極區）
VGD < Vt (VGS – VDS < Vt) VGD > Vt (VGS – VDS > Vt)
且 VGS < Vt 且 VGS > Vt
夾止區 VGD ≥ Vt (VGS – VDS ≥ Vt) VGD ≤ Vt (VGS – VDS ≤ Vt)
（飽和區、定電流區、線性放大區） 且 VGS < Vt 且 VGS > Vt
崩潰區 VDS < BVDSS VDS > BVDSS
ID (mA) ID (mA)

轉移特性曲線 ID = K × (VGS −Vt)2 ID = K × (VGS −Vt)2

VGS VGS
Vt Vt

8. E-MOSFET 各種工作區域的汲極電流方程式
通道型式
P 通道與 N 通道 E-MOSFET
操作區域
截止區 ID = 0A
歐姆區（三極區） ID = K [2(VGS – Vt) × VDS – VDS]2（超過課綱，故不詳加探討）
夾止區
（飽和區、定電流區、線性放大區） D
I = K × (VGS – Vt)2

崩潰區 ID 急遽竄增（非比例關係），MOSFET 有燒燬之虞

6-3 9.
MOSFET 型式
D-MOSFET E-MOSFET
偏壓方式
固定偏壓法 ○ ○
自給偏壓法 ○ ×
分壓式偏壓法 ○ ○
零偏壓法 ○ ×
汲極回授偏壓法 × ○

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 第 6 章　金氧半場效應電晶體 295

課後習題
6
一、選擇題
6-1 ( ) 1. 有關 MOSFET 的敘述，下列何者正確？
(A) 利用電磁場效應控制汲極電流 ID
(B) 又稱為絕緣閘場效電晶體 IG-FET
(C) 為雙載子元件
(D) N 通道 MOSFET 的主要載子為電子。

( ) 2. MOSFET 需操作在何種區域，才有線性放大的作用？
(A) 三極區　(B) 飽和區　(C) 截止區　(D) 崩潰區。

( ) 3. 欲使 N 通道 D-MOSFET 操作於增強模式，則閘源極電壓 VGS 以及汲源極電壓

VDS 的偏壓方式為何？
(A) VGS > 0；VDS > 0 (B) VGS < 0；VDS < 0
(C) VGS > 0；VDS < 0 (D) VGS < 0；VDS > 0。

( ) 4. 有一 N 通道空乏型 MOSFET 的 IDSS = 8mA，VGS(off) = –4V，則在 VGS = 0V 的情

況下 ID 為何？
(A)8mA　(B)10mA　(C)12mA　(D)16mA。

( ) 5. 增強型 MOSFET 的通道如何形成？

(A) 基板表面的多數載子因電場作用形成通道
(B) 基板表面的少數載子因電場作用形成通道
(C) 運用擴散技術在二氧化矽層下形成通道
(D) 運用離子布植法在二氧化矽層下形成通道。

( ) 6. 欲使 N 通道 E-MOSFET 導通，其 VGS 應為

(A) VGS > Vt 的正電壓 (B) VGS > Vt 的負電壓
(C) VGS < Vt 的正電壓 (D) VGS < Vt 的負電壓。

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296 電子學 上

( ) 7.
如圖 (1) 所示，金氧半場效電晶體 MOSFET 的電路，
若臨界電壓 |Vt| < 5V，其轉換特性曲線為何？

(A) 　(B)

圖 (1)
(C) 　(D) 。

( ) 8.
有關 E-MOSFET 的敘述，下列何者錯誤？
(A) N 基體的增強型 MOSFET，當 VGS < Vt 可以產生汲極電流
(B) P 基體的增強型 MOSFET，當 VGS > Vt 在汲源極間可以感應 P 型反轉層
(C) N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 Vt 為正電壓
(D) VGS = 0 無法感應通道。

( ) 9.
有一 P 通道 E-MOSFET，其臨界電壓為 –0.2V，若 VD = 2V，VS = 5V，
VG = 1.2V，則該 P 通道增強型 MOSFET 操作於何種工作區域？
(A) 截止區　(B) 飽和區　(C) 歐姆區　(D) 崩潰區。

( ) 10. 如圖 (2) 所示，該 MOSFET 的 VP = –4V 與 IDSS = 12mA，試求 VDS 為何？

(A) 3V　(B) 4V　(C) 6V　(D) 8V。

圖 (2) 圖 (3)

( ) 11. 如 圖 (3) 所 示 之 MOSFET 電 路， 若 VDD = 15V，ID = 2mA，RD = 5kΩ，RS =

1kΩ，RG = 1MΩ，則 VD 與 VGS 分別為何？
(A) –5V，–2V　(B) –5V，2V　(C) 5V，–2V　(D )5V，2V。
 第 6 章　金氧半場效應電晶體 297

( ) 12. 如圖 (4) 所示，MOSFET 的 VP = –4V 與 IDSS = 12mA，試求 VDS 為何？

(A) 10V　(B) 13V　(C) 18.5V　(D) 25V。

圖 (4) 圖 (5)

( ) 13. 如圖 (5) 所示該 MOSFET 操作於夾止區，已知 IDSS = 4mA、VGS(off) = –4V，且

汲極電流 ID = 1mA，則源極電阻 RS 為何？
(A) 1kΩ　(B) 2kΩ　(C) 3kΩ　(D) 4kΩ。

( ) 14. 如圖 (6) 所示之電路，假設 VGS = –1V，VDS = 5V，ID = 7mA，試求 RD 值約為多少？

(A) 1kΩ　(B) 1.5kΩ　(C) 2kΩ　(D) 2.5kΩ。

圖 (6) 圖 (7)

( ) 15. 如圖 (7) 所示為 MOSFET 的偏壓電路與輸出特性曲線，下列何者正確？

(A) RD = 0.5kΩ　(B) VDSQ = 4.5V　(C) VDD = 15V　(D) RS = 0.75kΩ。

AC22110_CH06.indd 297 19/2/2021 18:30:00

 298 電子學 上

( ) 16. 如圖 (8) 所示，VDD = 16V、RS = 0.6kΩ、RD = 2kΩ、IDSS = 20mA 且 VP = –6V，

則下列何者正確？
(A) ID = 4mA　(B) VGS = –3V　(C) VD = 8V　(D) VS = –3V。

圖 (8) 圖 (9)

( ) 17. 如圖 (9) 所示電路，已知 K = 0.75mA/V2，Vt = 2V，

ID = 3mA，求電阻 RS 為何？
(A) 1kΩ　(B) 1.5kΩ　(C) 2kΩ　(D) 2.5kΩ。

( ) 18. 如圖 (10) 所示為偏壓電路與輸出特性曲線，且當 VGS > 2V 時，開始有 ID 產生，

則下列何者正確？
(A) K = 2.5mA/V2　(B) VDSQ = 3V　(C) RD = 500Ω　(D) VDD = 8V。

　　

圖 (10)

AC22110_CH06.indd 298 19/2/2021 18:30:02

 第 6 章　金氧半場效應電晶體 299

( ) 19. 如圖 (11)(a) 與圖 (11)(b) 所示皆為共源極組態，試問圖 (11)(a) 與圖 (11)(b) 分

別為何種通道形式與偏壓方式的轉移特性曲線？
(A) N 通道空乏型 MOSFET 自給偏壓電路；P 通道增強型 MOSFET 自給偏壓電路
(B) N 通道空乏型 MOSFET 零偏壓電路；N 通道增強型 MOSFET 汲極回授偏壓電路
(C) P 通道增強型 MOSFET 自給偏壓電路；N 通道空乏型 MOSFET 分壓式偏壓電路
(D) N 通道空乏型 MOSFET 自給偏壓電路；N 通道增強型 MOSFET 汲極回授偏壓電路。

(a) (b)

圖 (11)

二、計算題

6-3 1. 如 圖 (12) 所 示， 若 E-MOSFET 的 臨 界 電 壓 |V t | = 1V；D-MOSFET 的 夾 止 電 壓

|V P| = 2V，若 V G1 = V G2 = V G 時可使兩個 MOSFET 皆工作於夾止區，則電壓 V G 的
範圍為何？

2. 如 圖 (13) 所 示，D-MOSFET 的 V P = –4V，I DSS = 16mA， 若 V GS = –2V， 試 求：

(1) 源極電阻 R S；(2) 使 D-MOSFET 工作在飽和區的 V DD 最小值。

3. 如 圖 (14) 所 示， 如 圖 D-MOSFET 偏 壓 電 路， 其 V GS(off) = –4V，I DSS = 12mA，

若該電路已進入定電流區，試求：(1) V GS；(2) I D；(3) R D 的最大值。

　　

圖 (12) 圖 (13) 圖 (14)

AC22110_CH06.indd 299 2021/3/24 上午 11:53:35

 300 電子學 上

4. 如 圖 (15) 為 P 通 道 E-MOSFET 的 分 壓 式 偏 壓 電 路， 若 K = 2mA/V 2 且 Vt =

–2V，試求：(1) V GS；(2) 直流工作點 Q(V SDQ, I DQ)。

5. 如 圖 (16) 為 P 通 道 E-MOSFET 的 汲 極 回 授 式 偏 壓 電 路， 若 K = 2mA/V2 且 Vt =

–2V，試求：(1) V GS；(2) 直流工作點 Q(V SDQ, I DQ)；(3) I D。

10 V

2MΩ

3M Ω
1k Ω

圖 (15) 圖 (16)

AC22110_CH06.indd 300 2021/3/24 上午 11:53:51

 301

圖表資料來源 附 錄
圖 1-1 http://physik.uibk.ac.at/museum/en/details/tubes/braun.html
圖 1-2 https://kknews.cc/zh-tw/other/j4o9l6l.html
圖 1-3 https://www.timetoast.com/timelines/radio-history-jada-gray
圖 1-4 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 1-5 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 1-6 https://kknews.cc/zh-tw/news/rp94yxo.html
圖 1-7 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 1-8 華人百科 https://www.itsfun.com.tw/Intel+4004/wiki-1737296-9233176
圖 1-9 商用圖庫 https://tw.123rf.com/、工業技術研究院
圖 1-10 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 1-12 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 1-13 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 2-47 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 2-49 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 2-51 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
P84 知識補給站 商用圖庫 https://tw.123rf.com/
圖 3-1(a) https://tw.element14.com/on-semiconductor/2n3906tf/transistor-pnp-40v-to-92/
dp/1704728?st=2n3906tf
圖 3-1(b) 貿澤電子 https://www.mouser.tw/ProductDetail/Infineon-Technologies
搜尋製造商編號 :2N4235PBFREE
圖 3-1(c) 貿澤電子 https://www.mouser.tw/ProductDetail/Infineon-Technologies
搜尋製造商編號 : IRF540NPBF
P230 知識補給站 http://www.sunwe.com.tw/doorcontrol61.htm
P289 知識補給站 https://agirls.aotter.net/post/53037

AC22110_附錄.indd 301 2021/3/24 上午 11:54:34

NOTE
書 名
電子學 上
書 號 AC22112
版 次 110年8月初版
111年8月初版二刷
適用學校 技術型高級中等學校電機與電子群
審定字號 技審字第110038號
編 著 者 曹哲愷 、 黃育泰
校 閱 鄧宇超
責任編輯 雨晴文化 游淇文
校對次數 8次
版面構成 楊蕙慈
封面設計 楊蕙慈

出 版 者 紅動創新股份有限公司
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