JFET

N kanal P kanal

Sembol

𝑽𝑫𝑺 (sat)= 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑝 𝑉𝑝 − 𝑉𝐺𝑆

Çalışma 𝑉𝑝 < 𝑉𝐺𝑆 < 0 0 < 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑝

Şartı

Doyum 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑝 𝑉𝑆𝐷 ≥ 𝑉𝑝 − 𝑉𝐺𝑆

Şartı

Doğrusal 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑝 𝑉𝑆𝐷 < 𝑉𝑝 − 𝑉𝐺𝑆

Bölge Şartı

Kesim Şartı 𝑉𝑝 > 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑝

2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ) (1 + λ𝑉𝐷𝑆 )
𝑉𝑝
Not: λ çok küçük (yaklaşık 0) olduğunda λ𝑉𝐷𝑆 terimi ihmal
Doyum
edilir. Genelde DC analizinde ihmal edilip AC analizinde
Formüller Bölgesi kullanılır. Formül şu hale gelir:
2
𝑉𝐺𝑆
(p için de n 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
için de
geçerlidir)
Doğrusal 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐷𝑆 2
𝐼𝐷 = [𝑉𝐷𝑆 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑝 ) − ]
Bölge 𝑉𝑝 2 2

• 𝑉𝐺𝑆 = 0 iken 𝐼𝑚𝑎𝑥 akım akar

Notlar • 𝐼𝐺 = 0 (her zaman)

Dr.Öğr.Üyesi
Muhammed Kürşad UÇAR Öğrencimiz tarafından hazırlanmıştır.
Sakarya Üniversitesi Mühendislik Fakültesi
Elektrik-Elektronik Mühendisliği
 MOSFET
N kanal P kanal

E-
MOSFET

𝑉𝑇𝑁 > 0 𝑉𝑇𝑃 < 0

D-
MOSFET

𝑉𝑇𝑁 < 0 𝑉𝑇𝑃 > 0

Çalışma
𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝑁 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇𝑃
şartı

Formül: Formül:
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 [(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2 (1 + λ𝑉𝐷𝑆 )] 𝐼𝐷 = 𝐾𝑝 [(𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃 )2 (1 + λ𝑉𝑆𝐷 )]
λ = 0 ise λ = 0 ise
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2 𝐼𝐷 = 𝐾𝑝 (𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃 )2
Doyum Şart: Şart:
Bölgesi 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) 𝑉𝑆𝐷 ≥ 𝑉𝑆𝐷 (𝑠𝑎𝑡)
𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 𝑉𝑆𝐷 ≥ 𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃

Not: λ genelde DC analizinde sıfır olarak kabul edilip AC analizinde kullanılır.

Formül: Formül:
2 2
𝐼𝐷 = 𝐾𝑛 [2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 ] 𝐼𝐷 = 𝐾𝑝 [2(𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃 )𝑉𝑆𝐷 − 𝑉𝑆𝐷 ]
Doğrusal
Şart: Şart:
Bölge 𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) 𝑉𝑆𝐷 ≤ 𝑉𝑆𝐷 (𝑠𝑎𝑡)
𝑉𝐷𝑆 ≤ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 𝑉𝑆𝐷 ≤ 𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃

Geçiş
𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 𝑉𝑆𝐷 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝑆𝐺 + 𝑉𝑇𝑃
Noktası
𝜇𝑛 . 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝜇𝑛 . 𝐶𝑜𝑥 𝑊
𝐾𝑛 = . 𝐾𝑃 = .
2 𝐿 2 𝐿

K 𝐶𝑜𝑥 =
𝜀𝑜𝑥
𝑡𝑜𝑥
W: kanal genişliği 𝜀𝑜𝑥 : dielektrik sabiti
L: kanal boyu 𝑡𝑜𝑥 : Oksit tabakanın kalınlığı