Лекція№4

Теми : Біполярні транзистори.Транзистор як активний чотириполюсник.

Транзистор у режимі ключа.

Мета:
Навчальна: розкрити значення біполярних транзисторів у електроніці,
вивчити принцип дії біполярних транзисторів, навчитися визначати
параметри та складати схеми вмикання.
Компетентність: здатність використовувати професійно-профільовані
знання, уміння та навички обслуговування суднового електронного
обладнання
План
1. Будова, принцип дії, призначення та види біполярних транзисторів.
2. Режими роботи біполярних транзисторів.
3. Схеми вмикання в статичному та динамічному режимах.
4. Головні параметри

БУДОВА, ПРИНЦИП ДІЇ, ПРИЗНАЧЕННЯ ТА ВИДИ

БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ

Транзистори є напівпровідниковими приладами, які складаються з двох

електронно-діркових переходів, виконаних на одному кристалі.
В транзисторі є три області: емітера, бази та колектора. Перехід, який
утвориться на межі областей емітер - база, називається емітерним, а на межі
база - колектор – колекторним. (Надалі з метою стислості емітерний та
колекторний p-n переходи будуть називатися просто переходами).
Провідність бази може бути як електронною, так і дірковою; відповідно
розрізняють транзистори зі структурами p-n-p та n-p-n (Рис. 6.1, а).
Принцип роботи транзисторів обох типів однаковий, відмінність полягає
тільки в тому, що у транзисторі зі структурою p-n-p основний струм, який
протікає через базу, створюється дірками,  які інжектуються з емітера, а в
транзисторі n-p-n — електронами. У підсилювальному режимі роботи
транзистора емітерний перехід зміщують у прямому напрямку, колекторний
— у зворотному (Рис. 6.1, а).
На Рис. 6.1, б показані умовні графічні позначення транзисторів. Емітер
зображується у виді стрілки, яка вказує прямий напрямок струму емітерного
переходу.
Якби емітерний та колекторний переходи знаходилися на великій
відстані один від одного, тобто товщина бази була б значно більшою за
дифузійну довжину, то носії, інжектовані емітером, не доходили б до
колектора, а рекомбінували в базі. Така система з двох p-n переходів вела б
себе як два взаємно незв'язаних напівпровідникових діоди. Причому вольт-
амперна характеристика емітерного переходу становила би пряму, а
колекторного — зворотну гілку характеристики діода.

 
Рис. 6.1. Схематичне зображення транзисторів
типів n-p-n та p-n-p (а), розподіл концентрації основних носіїв уздовж
структури транзистора в рівноважному стані (б) та умовне графічне
позначення транзисторів (в)
Особливість транзистора полягає у взаємному впливі переходів один на
одного. Для ефективного впливу емітерного переходу на колекторний
необхідно виконання наступних основних вимог:
 Товщина бази транзистора повинна бути набагато меншою за
дифузійну довжину вільного пробігу інжектованих у неї
носіїв,  .
 База повинна мати концентрацію основних носіїв набагато меншу за
концентрацію основних носіїв в області емітера. На Рис. 6.1, в показаний
розподіл концентрації основних носіїв для рівноважного стану уздовж
структури транзистора, що має різкі межі між областями. (Концентрацію
основних носіїв в області колектора зазвичай роблять трохи меншою, аніж в
області емітера.)
 Площа колекторного переходу повинна бути в кілька разів більшою за
площу емітерного переходу.
Необхідність виконання цих вимог при створенні транзисторів буде
пояснена надалі.
На Рис. 6.2, а показаний транзистор структури p-n-p з під'єднаними до
нього джерелами живлення, а на Рис. 6.2, б наведений розподіл потенціалу
уздовж структури транзистора (штрих - пунктирною лінією — без напруг
живлення, з напругами живлення — суцільною). Для простоти міркувань
емітерний та колекторний переходи вважаються нескінченно тонкими.
При під’єднанні колекторної напруги   відбувається зворотне
зміщення колекторного переходу та в колекторному колі з'являється слабкий
струм (як у напівпровідниковому діоді, увімкненому в зворотному
напрямку). Надалі цей струм буде називатися некерованим струмом
колектора та позначатися  .
При під’єднанні емітерної напруги   відбувається пряме зміщення
емітерного переходу та в емітерному колі з'являється струм емітера  , який,
в основному, визначається струмом дифузії.
Струм дифузії емітера має дві складові: електронну   та діркову 
:  .
Підійшовши до зворотно зміщеного колекторного переходу, дірки
зовсім вільно (як неосновні носії) переходять з бази в колектор, збільшуючи
тим самим струм колектора. Оскільки дірки переходять з бази в колектор
безперешкодно, їх концентрація на межі бази з колекторним переходом
виявляється рівною нулеві.
Деяка кількість дірок при своєму русі в базі встигає рекомбінувати з
електронами провідності, викликаючи тим самим додатковий приплив
електронів у базу з зовнішнього кола. Це обумовлює розподіл діркової
складової струму емітера:
,
де   — рекомбінаційна складова струму емітера, яка збігається за
напрямком з   (замикається через коло бази);   — частина струму емітера,
яка замикається через колекторне коло (Рис. 6.2, а).
Як було сказано раніше, при виготовленні транзистора базу роблять
тонкою та збідненою основними носіями, а площу колекторного переходу - у
кілька разів більшою за площу емітерного. При цьому, як показано на Рис.
6.3, в колектор попадає переважна більшість інжектованих дірок, які
рухаються під дією дифузії в напрямку зменшення своєї концентрації.
    
    Рис. 6.3. Розріз сплавного
площинного транзистора типу p- n-p,
Рис. 6.2. Розподіл струмів у виготовленого на основі германію
транзисторі (а), потенціалу уздовж (Стрілками показані шляхи дірок, які
структури транзистора (б) та   рухаються під дією дифузії в напрямку
нерівноважних неосновних носіїв у базі зменшення концентрації)
при різних струмах емітера (в)  
Перший закон Кірхгофа стосовно транзистора дає рівність:
,
де згідно Рис. 6.2, а:  ;  ;  , у
результаті одержуємо  .
Поряд з   часто використовують статичний (інтегральний) коефіцієнт
передачі струму бази

.
РЕЖИМИ РОБОТИ БІПОЛЯРНИХ ТРАНЗИСТОРІВ
Залежно від того, який електрод є спільним для вхідного та вихідного
кіл, розрізняють три схеми увімкнення транзистора: із спільною базою
(скорочено будемо позначати СБ, Рис. 6.4, а), із спільним емітером (СЕ,
Рис. 6.4, б) та із спільним колектором (СК, Рис. 6.4, в).

   

     
а)   б)   в)
Рис. 6.4. Основні схеми увімкнення транзистора
а - із спільною базою (СБ); б - із спільним емітером (СЕ); в - із спільним колектором
(СК).
 Згідно першого закону Кірхгофа, як було зазначено раніше, струм
емітера в транзисторі розподіляється між базою та колектором.
Якщо струм емітера зросте на величину   (наприклад, через
збільшення напруги емітера при впливі напруги вхідного сигналу  ), то,
відповідно, зростуть і інші струми. Для нового стану отримаємо рівність:
.
Віднявши від неї рівність, що описує перший закон Кірхгофа,
отримаємо:
.
Збільшення струму бази, як і сам струм бази, відносно малі, тому
.
Транзистори характеризують (диференційним) коефіцієнтом прямої
передачі за струмом, який визначається як відношення приросту вихідного
струму до приросту вхідного струму, що його спричинив, при постійній
напрузі у вихідному колі. Для схеми СБ вихідний струм — це струм
колекторного кола, а вхідний — струм емітерного кола.
Тому коефіцієнт прямої передачі за струмом для схеми СБ

, при  .
В підсилювальному режимі в схемі СБ статичний коефіцієнт передачі за
струмом транзистора та   приблизно однакові, тобто
.
Приріст колекторного струму можна визначити, використовуючи
формулу:
.
Приріст струму бази — це різниця приростів струмів емітера та
колектора:
.
Підставивши замість   вираз, отримаємо:
.
Отже,  .
В схемі СЕ вихідним струмом є струм колектора, а вхідним - струм бази,
тому коефіцієнт прямої передачі за струмом в схемі СЕ

.
Легко виразити   через  :
 , оскільки  .
Як видно, для збільшення   необхідно значення   робити по
можливості близьким до одиниці.

Для   коефіцієнт   якщо  , то  .

В схемі з СК вихідним струмом є струм емітера, а вхідним — струм
бази. Коефіцієнт прямої передачі за струмом схеми з СК приблизно рівний   
та визначається за формулою

.
На практиці часто використовують приблизні рівності

 та  , які справедливі за умови  .

Знаючи параметри   та  ,  можна визначити струми  ,   та  :

,  .
СХЕМИ ВМИКАННЯ В СТАТИЧНОМУ ТА ДИНАМІЧНОМУ
РЕЖИМАХ
Режим транзистора в будь-якій схемі увімкнення визначається струмами
та напругами на вході та виході схеми. Взаємна залежність між цими
величинами описується характеристиками транзистора. Для отримання
статичної характеристики одну з чотирьох величин вибирають як аргумент
(незалежна змінна), іншу — як функцію (залежна змінна). З двох величин, що
залишилися, одну фіксують (підтримують постійною), іншу — залишають
вільною (величина змінюється в залежності від аргументу, але в
характеристиці ці зміни не відображаються). Задаючи різні значення
фіксованій величині, одержують сімейство статичних характеристик
транзистора.
На Рис. 6.5, а зображена принципова схема для зняття статичних
характеристик зі спільною базою. (Полярність джерел живлення
встановлюється залежно від типу транзистора p-n-p чи n-p-n.)
Вхідні (або емітерні) статичні характеристики транзистора з СБ —
це залежність  , при  . Вони показані на Рис. 6.6, а.
  

   
а)   б)
Рис. 6.5. Схеми для зняття характеристик транзистора
а — із спільною базою; б — із спільним емітером.

Вхідна статична характеристика при   (нульова) подібна до

звичайної характеристики напівпровідникового діода, увімкненого у
прямому напрямку.
Статичні характеристики транзистора з СЕ знімаються за допомогою
схеми, зображеної на Рис. 6.5, б.

   
а)   б)
Рис. 6.8. Сімейство вхідних (а) та вихідних (б) характеристик транзистора в
схемі зі спільним емітером
Вхідні (або базові) статичні характеристики транзистора з
СЕ становлять залежність:  , при  .
Вид цих характеристик показаний на Рис. 6.8, а. Вхідним струмом
транзистора при даній схемі увімкнення є струм бази. Оскільки емітер у
схемі заземлений (з'єднаний із точкою нульового потенціалу), то напруги   
та   визначаються відносно емітера, тобто  ,  .
Нульова вхідна характеристика (при   та  ) — це сумарна
характеристика емітерного та колекторного переходів, з'єднаних паралельно
та підключених до джерела живлення в прямому напрямку (Рис. 6.9, а). На
рисунку видно, що у випадку, коли  , а  , то  . Ця позитивна
напруга, прикладена до колекторного переходу, створює в колекторному колі
струм, який за напрямком протилежний звичайному струмові колектора. В
цьому випадку струм колектора негативний, а струм бази це сума
.
Варто звернути увагу на те, що замикання та розмикання колектора
згідно Рис. 6.9, б не може спричинити істотної зміни струму бази, який, в
основному, визначається відносно великим опором  . Тому при замиканні
колектора на емітер (якщо  ) відбувається тільки розподіл практично
незмінного струму бази між колекторним та емітерним колами
(зазвичай  ).
Із сказаного випливає, що в транзистора з СЕ нульова вхідна
характеристика ( ) майже збігається з характеристикою, знятою
при   (на Рис. 6.8, а показана пунктирною лінією).
При невеликій негативній напрузі на колекторі (Рис. 6.9, в),
коли   (відповідно  ), струм колектора змінює свій напрямок на
звичайний ( ) і струм бази стає різницевим:  .

     
а) б) в)
Рис. 6.9. Транзистор з СЕ при короткому замиканні колектора з емітером (а),
розподіл струму бази при замиканні колектора з емітером (б); струми транзистора
з СЕ при  , коли   (в).
Із сказаного випливає, що в транзистора з СЕ нульова вхідна
характеристика ( ) майже збігається з характеристикою, знятою
при   (на Рис. 6.8, а показана пунктирною лінією).
При невеликій негативній напрузі на колекторі (Рис. 6.9, в),
коли   (відповідно  ), струм колектора змінює свій напрямок на
звичайний ( ) і струм бази стає різницевим:  .
Для цього, зазвичай, буває достатньою напруга  . Оскільки при
даній напрузі струм бази різко зменшується (із сумарного стає різницевим),
то відповідна вхідна характеристика розташовується значно нижче нульової.
При подальшому збільшенні (за модулем) колекторної напруги, (наприклад,
до  ) вхідна характеристика незначно зміщується вправо. В
довідниках переважно наводяться дві вхідні статичні характеристики:
нульова та характеристика, знята при  . Всі інші характеристики,
зняті при  , незначно відрізняються від останньої та практично
зливаються з нею.
 Вихідні статичні характеристики транзистора з СЕ становлять
залежність  , при  . Вид цих характеристик показаний на
Рис. 6.8, б.
Нульова вихідна характеристика проходить через початок координат та
в робочій області   розташовується на рівні, приблизно рівному  .
Вихідні статичні характеристики при   у робочій області
розташовуються над нульовою на відповідному рівні та у порівнянні з
вихідними статичними характеристиками транзистора з СБ мають приблизно
в   раз більший нахил і різкіше виражене згущення при значних струмах
бази.
Вихідні статичні характеристики перетинають вісь ординат у
крапках  . При цьому величина   виявляється тим більшою, чим
більший струм  , оскільки збільшення   досягається за рахунок
збільшення  , що відповідно збільшує (за модулем) і струм колектора, який
протікає в зворотному напрямку (Рис. 6.9, а). Початкова ділянка вихідних
характеристик транзистора в схемі з СЕ, де  , поки не має практичного
значення і тому в довідниках не наводиться.
При зміні полярності напруги на базі ( ) можна встановити струм
бази  . У цьому випадку  , а  . Подальше збільшення
напруги на базі вже не може спричиняти зменшення (тобто зміну)
колекторного струму, тому як у схемі транзистора з СБ, так і в схемі з СЕ   
є некерованим струмом колекторного кола.
На Рис. 6.10 показана приблизна залежність   при  .
ГОЛОВНІ ПАРАМЕТРИ
Конструкція та технологія сучасних транзисторів настільки різноманітні,
що провести чітке розмежування за технологічними та конструктивними
ознаками дуже важко, оскільки при виготовленні одного типу транзисторів у
даний час часто використовуються різні технологічні операції.
Умовно всі типи транзисторів можна розділити на дві великі групи: з
рівномірним та нерівномірним розподілом домішок у базі.
До першої групи можна віднести сплавні, поверхнево-
бар'єрні та мікросплавні транзистори, до другого — різні типи дифузійних
транзисторів.
Сплавним транзистор називається тому, що p-n переходи в ньому
одержують методом сплавлення. Наприклад, для
одержання p-n-р транзистора в германієву пластину, яка володіє
електронною провідністю, вплавляють із протилежних сторін індієві
електроди (Рис. 6.3).
Методом сплавлення виготовляються транзистори з допустимою
потужністю розсіювання від 0,01 до 30 Вт та граничною частотою до 30 Мгц.
При виготовленні поверхнево-бар'єрних та мікросплавних
транзисторів у якості однієї з технологічних операцій застосовується
електролітичне травлення, за допомогою якого в тонкій пластинці германія
n-типу виконуються заглиблення. Як електроліт використовується розчин,
що містить солі індію. Коли товщина бази досягає заданих розмірів,
полярність електродів відносно бази змінюється на зворотну і в заглибленнях
осаджується індій. В об’ємі під контактами утвориться поверхневий перехід
(бар'єр), який і дав назву цьому типу приладів.
Для мікросплавних транзисторів після осадження індію проводиться
додаткова операція сплавлення. Цим методом вдається одержати транзистори
з товщиною бази 3-5 мкм та граничною частотою 50-70 МГц. Однак ці
прилади є малопотужними, допустима потужність розсіювання для них не
перевищує декількох десятків міліват, максимальна колекторна напруга
складає 10-15 В.
Дифузійними транзистори називаються тому, що для
одержання p-n переходів використовується метод дифузії домішки в
пластину кристала. При цьому методі домішка у відповідних областях
транзистора розподіляється нерівномірно. Нерівномірний розподіл домішок у
базі створює електричне поле, яке прискорює рух носіїв від емітера до
колектора та поряд із дифузійним струмом у базі з'являється дрейфовий
струм, обумовлений наявністю поля. З цієї причини дифузійні транзистори
іноді називають дрейфовими.
В даний час існує декілька технологічно різних методів отримання
дифузійних транзисторів, причому дуже часто відмінність у технології
спричиняє і різні електричні характеристики приладу.
Найпрогресивнішою на даний момент
є планарна технологія (Рис. 6.38). Вона
дозволяє на одному і тому самому устаткуванні
виготовляти різні за параметрами типи
транзисторів. Межі переходів планарних
транзисторів захищені оксидною плівкою, що  
забезпечує високу стабільність параметрів Рис. 6.38. Структура
транзисторів та вищу надійність. Для одержання планарного транзистора.
виводів на поверхню емітера та бази
напилюється тонкий шар металу, до якого методом термокомпресії
приєднують тонкі провідники, які використовуються як виводи.
Колекторною областю кристал припаюється до кристалотримача, а потім
монтується в корпусі.
Незалежно від технології виготовлення всі сучасні транзистори можна
класифікувати за потужністю на транзистори малої, середньої та великої
потужності та за частотою на транзистори низької, середньої, високої та
надвисокої частоти.
Біполярні транзистори, що випускаються в даний час, можна
класифікувати за наступними ознаками:
 за матеріалом: германієві і кремнієві;
 за видом провідності областей: типу р-n-р і n-p-n;
 за потужністю: малої (РМАХ  0,3 Вт), середньої (0,3 Вт < РМАХ 
1,5 Вт) і великої потужності (РМАХ  1,5 Вт);
 за частотою: низькочастотні, середньочастотні, високочасто-
тні і понадвисокочастотні.
На Рис. 6.39 наведено загальний вигляд основних типів біполярних
транзисторів.

 
Рис. 6.39. Загальний вигляд деяких типів біполярних транзисторів
КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ
1. Поясніть призначення та принцип дії біполярних транзисторів.
2. Поясніть, за якими ознаками класифікують біполярні транзистори?
3. Назвіть основні типи біполярних транзисторів та наведіть їх умовне
графічне позначення.
4. Назвіть та наведіть схеми вмикання біполярних транзисторів.
5. Наведіть вольт-амперні характеристики біполярного транзистора при
вмиканні за схемою із спільною базою, із спільним емітером.
РЕКОМЕНДОВАНА ЛІТЕРАТУРА
1. Гершунський Б.С. Основи електроніки і мікроелектроніки. – К.,1999. –
234 с.
2. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Електроніка і мікро схемотехніка.-
Київ.: Каравела, 2006. – 384 с.
3. Карасик В.М. Великі інтегральні схеми у ОТ. – М., 1996. – 256 с.
4. Касаткін А.С. Основи електроніки. – М., 1992. – 321 с.
5. Сисоєв В.М. Основи радіоелектроніки. – Київ, 2009. – 196 с.
6. Жеребцов І.П. Основи електроніки. – М.: Вища школа, 1990. – 248 с.