TRƯỜNG ĐHSPKT TP.

HCM ĐỀ THI MÔN: ĐIỆN TỬ CƠ BẢN

KHOA ĐÀO TẠO …………………………………………………………..
CHẤT LƯỢNG CAO Mã môn học: BAEL340662. Học kỳ: I. – 2014 – 2015.
Ngày thi: 15/01/2015. Thời gian: 90 phút
Đề số 1 Đề thi gồm 4 trang.
Sinh viên được sử dụng tài liệu.

PHAÀN I: TRAÉC NGHIEÄM LÖÏA CHOÏN ( 2.25 ñieåm )

1. Chuyển tiếp p_n khi chưa được phân cực
a. Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bảo hòa (có giá trị rất bé) và tồn tại một điện
trường Etx tại biên giới tiếp xúc.
b. Dòng điện chạy trong nó bằng dòng ngược bảo hòa (có giá trị rất bé) và không tồn tại điện
trường Etx tại biên giới tiếp xúc.
c. Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và điện trường Etx tại biên giới tiếp xúc cũng bằng 0.
d. Dòng điện chạy trong nó bằng 0 và tồn tại một điện trường Etx tại biên giới tiếp xúc.
2. Chuyển tiếp p-n có đặc tính
a. Dẫn điện theo một chiều
b. Dẫn điện khi được phân cực thuận và hở mạch khi bị phân cực nghịch.
c. Dẫn điện theo cả hai trường hợp phân cực thuận và nghịch.
d. Không dẫn điện

3. Điện dung trong chuyển tiếp p-n (diode) khi được phân cực ngược gồm:
a. Điện dung tiếp xúc
b. Điện dung khuếch tán
c. Điện dung phân bố
d. Cả a và b

4. Hãy cho biết transistor nào trong hình 1, là ký hiệu của E_MOSFET kênh P?
a. Hình a
b. Hình b
c. Hình c
d. Hình d Hình 1
5. Cho biết biểu thức nào là quan hệ dòng điện trong BJT?
a. IE = (β +1).IC c. IC = (β +1).IB
b. IE = (β +1).IB d. IC = (β +1).IE
6. FET là linh kiện bán dẫn........
a. được điều khiển bằng dòng điện ngõ vào. c. được điều khiển bằng điện áp ngõ vào.
b. có trở kháng vào rất thấp. d. hệ số ổn định nhiệt thấp.
7. Mạch khuếch đại trong hình 2 được phân cực kiểu gì? +VDD
a. Tự phân cực.
b. Phân áp.
RD
c. Định dòng. CD
d. Cố định điện áp. CG
VO
Vi

RG RS
CS

Hình 2

1
Số hiệu: BM1/QT-KĐ-RĐTV/00
8. Mạch khuếch đại trong hình 4, transistor được mắc theo kiểu gì?
a. CS ( Common Source) c. CG (Common Gate)
b. CD (Common Drain) d. CE (Common Emitter)
9. Trong mạch điện, một BJT (Si) có điện áp VBE=0.7V, VCE≈ 0V. BJT đang ở trạng thái nào?
a. Ngưng dẫn. c. Bảo hòa.
b. Khuếch đại. d. Không có đáp án nào đúng.
10. Mạch khuếch đại dùng BJT, có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a. CE c. CC
b. CB d. CC và CE
11. Để mở SCR
a. Phân cực thuận A và K, kích xung dương tại G
b. Phân cực thuận A và K, kích xung âm tại G
c. Phân cực nghịch A và K, kích xung dương tại G
d. Phân cực nghịch A và K, kích xung âm tại G
12. Maïch hoài tieáp aâm khoâng coù ñaëc ñieåm sau:
a. Taêng ñoä lôïi cuûa maïch khueách ñaïi
b. Oån ñònh haøm truyeàn, caûi thieän toång trôû vaøo vaø toång trôû ra
c. Môû roäng baêng thoâng
d. Giaûm meùo, giaûm nhieãu
13. Mạch khuếch đại hình 6 là mạch khuếch đại có +VCC
hồi tiếp âm
a. Điện áp nối tiếp
RC
b. Điện áp song song RB
c. Dòng điện nối tiếp
VO
d. Dòng điện song song
Vi

Hình 3
VCC
14. Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo hình 4,
là mạch khuếch đại công suất
a. TL
b. OTL R1
c. OCL C1

d. BTL Q1

15. Công suất cực đại ngõ ra được tính theo 1µF

công thức R2 + Vo -
V2
a. a. PO max  CC Vi
RL
8 RL C2
Q2
V2
b. PO max  CC 1µF
4 RL
R3
V2
c. PO max  CC
2 RL
2
VCC Hình 4
d. PO max  -VCC
RL
II. TRẮC NGHIỆM ĐIỀN KHUYẾT (2.5đ)
Cho mạch hình 5:
1. Vẽ dạng sóng ra Vo của mạch theo
dạng sóng vào Vi .
2. Tính điện áp trung bình trên

2
Số hiệu: BM1/QT-KĐ-RĐTV/00
Hình 9
 R1(Điện áp VO (DC) ). T1
V1
+
220 Vrms Vi Si
50 Hz - +
0° 22:1 R1
Vo
1kΩ
-
Hình 5
Nếu gắn thêm một tụ lọc C1 như hình 6, T1
tụ C1=100uF, R1=1kΩ: V1
+
3. Tính điện áp trung bình trên R1 220 Vrms Vi Si +
50 Hz -
22:1 C1 R1
(Điện áp VO (DC)) = 0°
100µF 1kΩ Vo
-
Cho mạch dao động tạo sóng sin, hình 7: R1
Hình 6
4. Mạch có tần số dao động là
f=………………………………. VCC
5. Để mạch dao động thì R1 phải có giá trị là: 12V
R1= R2 U1
10kΩ

Vo
VEE
-12V
R4 C1

1kΩ 100nF
R3 C2
1kΩ 100nF

Hình 7

Cho mạch Smith Trigger hình 8 5V

6. Điện áp ngưỡng UTP= ……… và

LTP=…….. U1

7. Vẽ sóng ra và sóng vào trên cùng 1 trục tọa Vi

độ, khi sóng vào vi = 2cos1000t(V) Vo

-5V
R1

4kΩ
R2
1kΩ
Hình 8

RF
Cho mạch lọc như hình 13:
5V
8. Tìm giá trị C1 để mạch có tần số cắt là
15,9kHz. RI 3kΩ U1
9. Tìm giá trị RF thích hợp để mạch có hệ số
R1 10kΩ
khuếch đại bằng 10 lần tại dải tần cho phép
hoạt động. Vo
Vi
C1
-5V

Hình 9

3
Số hiệu: BM1/QT-KĐ-RĐTV/00
 VCC
Cho mạch như hình 10: 5V

10. Tìm yêu cầu của giá trị R1 thích hợp để R2

1kΩ
transistor Q1 dẫn bảo hòa. Biết Q1 có β=80.

R1
Q1
5V
Hình 10

Q1
PHAÀN II: BAØI TAÄP ( 5.25 ñieåm )
+ R3 +
Baøi 1(1,25 điểm): Cho maïch ổn áp như hình 11. R1
10kΩ 2kΩ
a. Hãy tính điện áp ngõ ra của mạch khi ổn áp.
Q2
Biết diode zener D1 VZ=4,7V.
Vi(DC) Vo(DC)
b. Hãy vẽ chiều và tính dòng điện tại cực C của R2
R4
Q2, biết khi có điện áp Vi(DC)=20V, mạch hoạt 2kΩ
động ở chế độ ổn áp. Các transistor trong mạch 10kΩ

là Si, Q1 có β1=40 và Q2 có β2=100. 4.7V D1

- -

Baøi 2 (2.5 điểm): Cho maïch ñieän nhö hình 12,

bieát: VCC Hình 11
14V
- Transistor laø loaïi Si, Q1 coù β=100
Yêu cầu: R3
a. Tìm ñieåm laøm vieäc cuûa transistor Q1. R2
2kΩ
C1
b. Veõ sô ñoà töông ñöông tín hieäu nhoû cuûa 120kΩ

maïch. C3 1µF +
c. Tìm Zi, Zo,AV +
Q1
1µF
d. Viết phương trình và vẽ đường tải ACLL RL
Vo
của Q1. Veõ tín hieäu ra Vo , neáu Vi R1 2kΩ
R4 C2
Vi= 100sin2000πt(mV). 20kΩ
0.5kΩ 47µF
- -

Baøi 3 (1.5 điểm): Cho maïch ñieän nhö hình 13: Hình 12
a. Vieát bieåu thöùc ñieän aùp ngoõ ra Vo theo V1, V2 và V3.
R2 12kΩ
b. Neáu V1=1mV, V2= 10sin2000πt(mV) vaø V3=1mV,
haõy tính và veõ ñieän aùp ngoõ ra Vo . 10V

c. Hãy tính lại ñieän aùp ngoõ ra Vo, neáu op-amp U1 có R1 3kΩ
điện áp offset ngoõ vaøo laø VIO=1mV, và điện áp các V1 U1
ngõ vào V1, V2, V3 của mạch có giá trị như câu b.
R3 2kΩ
Vo
V2
R4 2kΩ
-10V
V3
Hình 13
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Ghi chú: CBCT không giải thích đề thi. Bỏ 1 đề thi vào túi đựng bài thi.

Ngày 5 tháng 1 năm 2015.

TRƯỞNG NGÀNH GIẢNG VIÊN RA ĐỀ
4
Số hiệu: BM1/QT-KĐ-RĐTV/00