ÇİNKO OKSİT-GRAFEN OKSİT NANOKOMPOZİT İNCE

FİLMLERİN ÜRETİMİ VE OPTİKSEL

ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI

Ayşe YILMAZ

Yüksek Lisans Tezi

Metalurji Ve Malzeme Mühendisliği Ana bilim Dalı

Danışman: Prof. Dr. Ertan EVİN

ELAZIĞ-2018
 ÖNSÖZ

Yapmış olduğum bu çalışmada, emeği geçen ve destekleyen danışmanım Prof. Dr.

Ertan EVİN’e,
Tezimin hazırlanmasında benden yardımlarını asla esirgemeyen Sn. Prof. Dr.
Fahrettin YAKUPHANOĞLU’na,
Ayrıca Nanoteknoloji Laboratuvarı’nda çalışan arkadaşlarım Dr.Ayşegül DERE
ve Mustafa İLHAN’a,
Tez çalışmalarıma sunduğu imkanlar ile tezimi M.F.17.34 nolu yüksek lisans
projesi ile destekleyen FÜBAP çalışanlarına,
Tez çalışmam sırasında her konuda bana gönülden yardım eden, destek veren,
hoşgörüsü, sevgisi ve desteğiyle hep yanımda olan sevgili eşim, hayat arkadaşım
Beyzade Bahadır Yılmaz’a,
ve
Varlığıyla bana güç veren, canım kızım Zeyneb Aryam’a
Eğer yeterse, gönülden teşekkür eder, şükranlarımı sunarım….
Ayşe YILMAZ
ELAZIĞ – 2018

II
 İÇİNDEKİLER

Sayfa No

ÖNSÖZ ................................................................................................................................ II
İÇİNDEKİLER ................................................................................................................. III
ÖZET .............................................................................................................................. VI
SUMMARY ...................................................................................................................... VII
ŞEKİLLER LİSTESİ .................................................................................................... VIII
TABLOLAR LİSTESİ ..................................................................................................... XI
SEMBOLLER LİSTESİ.................................................................................................. XII
1. GİRİŞ ............................................................................................................................... 1
1.1. Metal Oksit Bileşikleri Ve Genel Özellikleri ..................................................................... 2
1.1.1. Sodyum Oksitin Genel Özellikleri ............................................................................. 3
1.1.2. Potasyum Oksitin Genel Özellikleri ............................................................................ 4
1.1.3. Lityum Oksitin Genel Özellikleri ................................................................................ 4
1.1.4. Magnezyum Oksitin Genel Özellikleri........................................................................ 5
1.1.5. Alüminyum Oksitin Genel Özellikleri ....................................................................... 6
1.1.6. Berilyum Oksitin Genel Özellikleri ........................................................................... 6
1.1.7. Baryum Oksitin Genel Özellikleri .............................................................................. 7
1.1.8. Kalsiyum Oksitin Genel Özellikleri ........................................................................... 8
1.1.9. Demir Oksitlerin Genel Özellikleri ............................................................................ 8
1.1.10. Titanyumdioksitin Genel Özellikleri ......................................................................... 9
1.1.11. Çinko Oksitin Genel Özellikleri .............................................................................. 10
1.2. Yarı İletkenler ................................................................................................................... 11
1.2.1. N-Tipi Yarıiletkenler ................................................................................................ 12
1.2.2. P-Tipi Yarıiletkenler ................................................................................................ 13
1.2.3. Yarıiletkenlerin Genel Özellikleri ............................................................................ 13
1.2.4. Yarıiletkenlerin Elektriksel Özellikleri .................................................................... 14
1.2.5. Yarıiletkenlerin Optik Özellikleri ............................................................................ 16
1.3. Çinko Oskit (ZnO) Bileşiğinin Özellikleri ....................................................................... 18
1.3.1. Çinko Oksitin Tarihsel Gelişimi .............................................................................. 18
1.3.2. Çinko Oksitin Fiziksel Özellikleri ............................................................................ 19

III
 1.3.3. Çinko Oksitin Kimyasal Özellikleri ......................................................................... 19
1.3.4. Çinko Oksitin Kristal Yapısı .................................................................................... 20
1.3.5. Çinko Oksitin Mekanik Özellikleri .......................................................................... 21
1.3.6. Çinko Oksitin Manyetik Özellikleri ......................................................................... 22
1.3.7. Çinko Oksitin Elektriksel Özellikleri ........................................................................ 22
1.3.8. Çinko Oksitin Optik Özellikleri ............................................................................... 23
1.3.9. Çinko Oksitin Kullanım Alanları ............................................................................. 24
1.4. Karbon Esaslı Malzemeler ................................................................................................ 24
1.4.1. Grafen ....................................................................................................................... 24
1.4.1.1. Grafenin Yapısı ve Özellikleri ............................................................................. 27
1.4.1.2. Grafenin Atomik Yapısı ...................................................................................... 29
1.4.1.3. Grafenin Elektronik Özellikleri ........................................................................... 31
1.4.1.4. Grafenin Mekanik Özellikleri ............................................................................. 33
1.4.1.5. Grafenin Termal İletkenliği ................................................................................ 35
1.4.1.6. Grafenin Optik Özellikleri .................................................................................. 36
1.4.1.7. Grafenin Fiziksel Özellikleri .............................................................................. 38
1.4.1.8. Grafenin Kullanım Alanları ................................................................................ 38
1.4.2. Grafenin Sentezleme Teknikleri ve Yöntemleri ....................................................... 39
1.4.2.1. Mekanik Ayrıştırma ............................................................................................. 40
1.4.2.2. Kimyasal Buhar Depozisyonu ............................................................................. 41
1.4.2.3. Epitaksiyel Büyüme ............................................................................................. 42
1.4.2.4. Elektrokimyasal Yöntem .................................................................................... 43
1.4.2.5. Ball Milling Yöntemi .......................................................................................... 43
1.4.2.6. Hummers Yöntemi.............................................................................................. 44
1.4.3. GO ve Özellikleri ..................................................................................................... 45
1.5. İnce Film Teknolojisi........................................................................................................ 46
1.5.1. İnce Film Üretim Teknikleri..................................................................................... 47
1.5.1.1. Sol-Jel Kaplama Yöntemi ................................................................................... 48
1.5.1.1.1. Döndürerek Kaplama Yöntemi (Spin Coating) .............................................. 49
1.5.1.1.2. Daldırarak Kaplama Yöntemi ( Dip Coating) ................................................ 51
1.5.1.1.3. Püskürterek Kaplama Yöntemi (Spray Pyrolysis) ......................................... 52
2. MATERYAL VE METOD .......................................................................................... 53
2.1. Deneysel İşlemler ve Ölçüm Sonuçları ............................................................................ 53
2.1.1. Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Üretilmesi ........................................ 54

IV
 3. BULGULAR ................................................................................................................. 57
3.1. Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin X-Işını Kırınımı (XRD) Ölçüm ve
Analizleri .......................................................................................................................... 57
3.2. Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM)
Görüntüleri ve Analizleri .................................................................................................. 62
3.3. Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Optik Ölçüm Sonuçları (UV) ............. 67
4. SONUÇLAR VE TARTIŞMA ..................................................................................... 81
5. ÖNERİLER ................................................................................................................... 83
KAYNAKLAR ................................................................................................................... 84
ÖZGEÇMİŞ ....................................................................................................................... 90

V
 ÖZET

Bu tez çalışmasında, saf ZnO ve GO katkılı ZnO ince filmler sol-jel metodu ile
hazırlandı. Grafen oksit hummers metodu ile sentezlendi. Çözeltinin hazırlanmasında
başlangıç malzemesi olarak çinko asetat dehidrat kullanıldı. Çözeltiler sol-jel
yöntemiyle hazırlandı. çözeltilere farklı oranlarda GO katkılandırılarak GO katkılı ZnO
çözeltileri oluşturuldu. Hazırlanan çözeltiler döndürme kaplama metodu kullanılarak
cam altlıklar üzerine kaplandı. 5 kat kaplama yapılarak hazırlanan ince filmler 450 oC 1
saat kurutulduktan sonra ince filmlerin optik özellikleri UV-VIS spektrofometresi ile
analiz edildi. Yapısal özellikleri, x-ışınları kırınım tekniği (XRD) ile yüzey morfolojisi,
atomik kuvvet mikroskobu AFM yardımı ile incelendi. XRD sonuçlarıyla katkısız ve
GO katkılı ZnO filmlerin kristal yapısı analiz edildi. AFM sonuçları ile filmlerin yüzey
pürüzlülüğü ve çinko oksitin fiber çapı hesaplandı. Optik analiz yardımıyla filmlerin
yasak enerji aralıkları hesaplandı. Elde edilen sonuçlar GO katkılı ZnO ince filmlerin
katkılama miktarına bağlı olarak kristal ve yüzey analizlerinde değişiklikler
gözlemlendiğini ayrıca ince filmlerin optik özelliklerinin geliştirilebileceğini gösterdi.

Anahtar Kelimeler: Grafen oksit, ZnO, İnce film

VI
 SUMMARY

Fabrication Of Zinc Oxide-Graphane Oxide Nanocomposite Thin Films And

Investigation Of Their Optical Properties

In this thesis study, ZnO thin films undoped and GO doped were prepared by sol-
gel method, Graphene oxide was synthesized by hummers method. Zinc acetate
dehydrate was used as the precursor material for the preparation of the solution.The
solutions were prepared by sol-gel method.GO doped ZnO solutions were formed by
adding different ratios of GO to the solutions.The prepared solutions were coated on
glass substrate using the spin coating method.Thin films prepared by 5 coat coating
After drying at 450 oC for 1 hour, the optical properties of thin films were analyzed by
UV-VIS spectrophotometry. Structural properties were investigated by the x-ray
diffraction technique (XRD) and surface morphology with atomic force microscopy
(AFM). The crystal structure was analyzed undoped and of GO doped ZnO thin films
upon XRD results. Surface roughness of the films and fiber diameter of zinc oxide were
calculated by AFM results. Bandgap energy ranges of films were calculated by optical
analysis. The results showed that changes in crystal and surface analyzes were observed
depending on the amount of ZnO thin films with GO additive and the optical properties
of thin films could be improved.

Keywords: Graphene oxide, ZnO, thin film

VII
 ŞEKİLLER LİSTESİ

Şekil 1.1. Katkılı ve katkısız yarıiletkenlerde enerji seviyesi ......................................... 11

Şekil 1.2. N-tipi yarıiletkenlerdeki enerji band seviyeleri. N-tipi yarıiletkenin
oluşum şeması ................................................................................................ 12
Şekil 1.3. P-tipi yarıiletkenlerdeki enerji band seviyeleri. P-tipi yarıiletkenin
oluşum şeması ................................................................................................ 13
Şekil 1.4. Valans bandındaki elektron doluluk durumları ile T=0 K sıcaklıktaki
iletim bandı ve bandların enerji eksenine göre konumları ............................. 15
Şekil 1.5. a.Fotonun enerjisi, hv, yarıiletkenin enerjisinden büyük olmak
koşulu ile tek bir fotonun bir elektronu valans bandına uyarması
b.Bir boşluk ile bir elektron birleşerek enerjisi hv olan bir foton
üretmesi .......................................................................................................... 17
Şekil 1.6. ZnO’nun kristal yapısı (a) Hexagonal wurtzite kristal yapısı, (b)
Kübik çinko-blend yapısı , (c) NaCl yapısı. ................................................... 21
Şekil 1.7. ZnO’nun hexagonal wurtzite kristal yapısı .................................................... 21
Şekil 1.8. Karbon allotropları olan fulleren, karbon nanotüp, grafen, elmas ve
grafitin yapıları. .............................................................................................. 25
Şekil 1.9. Grafitin örgü yapıları ...................................................................................... 26
Şekil 1.10. Grafen yayın sayısının yıllara göre dağılımı .................................................. 28
Şekil 1.11. (a)’da 6H-SiC (0001) alttaş üzerine epitaksiyel olarak büyütülmüş
grafenin elektron kırınım deseni (b)’ de 6H-SiC (0001) alttaş üzerine
epitaksiyel olarak büyütülmüş grafenin 5x5 nm2’lik taramalı
tünelleme mikroskobu görüntüsü ................................................................... 29
Şekil 1.12. (a)Bir karbon atomu için grafenin elektron bulutunun
gösterimi.Grafenin gerçek uzayda örgü vektörlerinin tanımı
gösterilmiştir. (b). 𝑎⃗ 1 ve 𝑎⃗ 2örgünün birim vektörleridir. 𝛿⃗ 1, 𝛿⃗ 2ve
𝛿⃗ 3en yakın komşu vektörleridir. Grafenin örgü yapısının şematik
gösterimi.(c) Grafeninörgüsüne karşılık gelen Brillouin bölgesi ve
Dirac noktaları (K ve K’)Brillouin bölgesinin köşelerinde
konumlanmıştır ............................................................................................... 30
Şekil 1.13. Grafenin elektronik bant yapısı. Sağda ki şekil 6 adet Dirac
noktasından birinin yakınlaştırılmış birgörüntüsüdür..................................... 32
Şekil 1.14. Grafende kenarların yuvarlak, koltuk tipi ve zikzak türleri............................ 32
Şekil 1.15. Atomik Kuvvet Mikroskobu ile grafenin mekanik özelliklerinin
belirlenmesi .................................................................................................... 34
Şekil 1.16. Karbon allotroplarının (ultrananokristal elmas (UNCD), karbon
nanotüp (CNT),monokristal elmas (MCD), ultrakristal elmas

VIII
 (UCD), elmas benzeri karbon (DLC), amorf karbon, grafit ve grafen)
ısıl iletkenlikleri ve iletkenliği etkileyen önemli parametreler ....................... 35
Şekil 1.17. Grafende ısıl iletkenlik katsayısının tabaka sayısına bağlı olarak
ölçülen ve hesaplanan değerleri ...................................................................... 36
Şekil 1.18. Işığın Si/SiO2 alttaş üzerindeki grafen tabakasından yansıması ..................... 37
Şekil 1.19. Grafenin farklı tabaka sayılarına ait optik görüntüsü ..................................... 38
Şekil 1.20. Grafenin sentezleme teknikleri ve yöntemleri ................................................ 40
Şekil 1.21. Grafenin bant yöntemi ile elde edilmesi. ........................................................ 41
Şekil 1.22. Kimyasal buhar depozisyonu yöntemi ile grafen sentezi ............................... 41
Şekil 1.23. Epitaksiyel büyütme yöntemi ile grafen sentezi. ............................................ 42
Şekil 1.24. Grafenin epitaksiyel olarak büyütülmesi ........................................................ 42
Şekil 1.25. Grafenin elektrokimyasal yöntem ile sentezi ................................................. 43
Şekil 1.26. Ball milling yöntemi ile grafen sentezi........................................................... 44
Şekil 1.27. Grafen oksitin hummers yöntemi ile sentezi .................................................. 45
Şekil 1.28. İnce film üretim teknikleri .............................................................................. 48
Şekil 1.29. Şematik olarak sol-jel sürecinin gösterimi ...................................................... 49
Şekil 1.30. Döndürerek kaplama yöntemi. ....................................................................... 50
Şekil 1.31. Daldırarak kaplama yönteminin aşamaları ..................................................... 51
Şekil 1.32. Spray pyrolysis yöntemi cihazı ve bölümleri .................................................. 52
Şekil 2.1. Grafen oksit çözeltisi ve grafen oksit tozu. .................................................... 54
Şekil 2.2. İnce filmlerin büyütüldüğü döndürme ile kaplama cihazı .............................. 55
Şekil 3.1. Katkısız ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni..................................... 58
Şekil 3.2. %0.5 GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni........................ 58
Şekil 3.3. % 1GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni ........................... 59
Şekil 3.4. %1.5 GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni........................ 59
Şekil 3.5. % 2 GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni .......................... 60
Şekil 3.6. X-ışını kırınım spektrumlarının elde edildiği XRD cihazı. ............................ 61
Şekil 3.7. Yüzey Morfolojisini incelemede kullanılan atomik kuvvet
mikroskobu (AFM) ......................................................................................... 62
Şekil 3.8. Katkısız ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 63
Şekil 3.9. Katkısız ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 63
Şekil 3.10. %0.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 64
Şekil 3.11. %0.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 64
IX
Şekil 3.12. % 1 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 64
Şeki 3.13. % 1 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 65
Şekil 3.14. % 1.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu
AFM görüntüsü .............................................................................................. 65
Şekil 3.15. % 1.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 65
Şekil 3.16. % 2 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 66
Şeki 3.17. % 2 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM
görüntüsü ........................................................................................................ 66
Şekil 3.18. Optik ölçümler için kullanılan spektrofotometre............................................ 67
Şekil 3.19. Katkısız ZnO ince filminin soğurma eğrisi .................................................... 68
Şekil 3.20. % 0.5 GO katkılı ZnO ince filminin soğurma eğrisi ...................................... 68
Şekil 3.21. % 1 GO katkılı ZnO ince filminin soğurma eğrisi ......................................... 69
Şekil 3.22. % 1.5 GO katkılı ZnO ince filminin soğurma eğrisi ...................................... 69
Şekil 3.23. % 2 GO katkılı ZnO ince filminin soğurma eğrisi ......................................... 70
Şekil 3.24. Katkısız ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi ................................................ 71
Şekil 3.25. % 0.5 GO katkılı ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi .................................. 71
Şekil 3.26. % 1 GO katkılı ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi ..................................... 72
Şekil 3.27. % 1.5 GO katkılı ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi .................................. 72
Şekil 3.28. % 2 GO katkılı ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi ..................................... 73
Şekil 3.29. Katkısız ZnO ince filminin yansıma eğrisi ..................................................... 74
Şekil 3.30. % 0.5 GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi ....................................... 70
Şekil 3.31. % 1 GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi .......................................... 71
Şekil 3.32. % 1.5 GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi ....................................... 75
Şekil 3.33. % 2 GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi .......................................... 72
Şekil 3.34. Katkısız ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi ...................................................... 77
Şekil 3.35. %0.5 GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi ......................................... 77
Şekil 3.36. % 1 GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi ........................................... 78
Şekil 3.37. % 1.5 GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi ........................................ 78
Şekil 3.38. % 2 GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi ........................................... 79

X
 TABLOLAR LİSTESİ

Tablo 1.1. Çinko oksit bileşiğinin fiziksel özellikleri ........................................................ 19

Tablo 1.2. Karbon allotropları olan grafen, karbon nanotüp, grafit ve fullerenin
özelliklerinin kıyaslanması ............................................................................... 27
Tablo 1.3. Çeşitli malzemelerin Young katsayıları ............................................................ 34
Tablo 1.4. Grafit oksidasyonu ile grafen oksit elde etme yöntemleri ................................ 46
Tablo 1.5. Çeşitli özelliklerine göre ince filmlerin kullanım alanları ................................ 47
Tablo 1.6. Sol-jel yönteminin dezavantaj ve avantajları .................................................... 49
Tablo 1.7. Döndürerek kaplama (spin coating) yönteminin avantajları ve dezavantajları 51
Tablo 1.8. Daldırarak kaplama (dip coating) yönteminin avantaj ve dezavantajları ......... 52
Tablo 3.1. Katkısız ve GO katkılı ZnO yarıiletken numunesinin kristal özellikleri. ......... 61
Tablo 3.2. AFM’ de ölçülen filmlerin yüzey pürüzlülüğü sonuçları ................................. 63
Tablo 3.3. Katkısız ve GO katkılı ZnO numuneleri için hesaplanan Eg değerleri ............ 79

XI
SEMBOLLER LİSTESİ

Ea :Alıcı enerji seviyesi

Ec : İletim bandı minimum enerji seviyesi
Ed :Verici enerji seviyesi
Ef : Fermi seviyesi
Eg : Yasak enerji aralığı
Ev : Valans bandı maksimum enerji seviyesi
h : Planck sabiti
hυ : Foton enerjisi
J :Akım yoğunluğu
n : Elektron konsantrasyonu
p : Boşluk konsantrasyonu
α : Soğurma katsayısı
λ : Dalga boyu
μ : Mobilite
μn : Eksi yük taşıyıcıların mobilitesi
μp :Artı yük taşıyıcıların mobilitesi
σ : İletkenlik
υ : Frekans
% : Yüzde
°C : Santigrat biriminden sıcaklık

XII
1.GİRİŞ

İnce film kaplamalar son yıllarda çeşitli özellikleri ile teknolojide büyük bir önem
taşımaktadır. Örneğin elektriksel özellikleri ile piezoelektrik ve yarıiletken cihazlarda,
optik özellikleri ile yansıtıcı ve yansıtıcı olmayan kaplamalarda, hafıza disklerinde,
mekanik özellikleri ile sert kaplamalar ve mikro mekanik cihazlarda ayrıca kimyasal
özelleriyle de sensör teknolojilerinde kullanılmaktadır [1].

Çeşitli yöntemlerle ince filmleri üretmek mümkündür. Bu yöntemlerden bazıları;

kimyasal buhar depolama (CVD), sol-jel, fiziksel buhar kaplama (PVD),vakumda
buharlaştırma (VE), magnetron püskürtme, yüzeye iyon bombalama, elektrokimyasal
tortulaşma (ECD), hızlı teknik işleme (RTP) şeklindedir. Sol-jel yöntemi, alümina
silisyum, seramik, cam gibi altlıkların üzerine kaplanarak yeni özellikler kazandırmak
(kimyasal, elektronik, mekanik ve optik gibi) ve yüzey özelliklerini iyileştirmek
amacıyla kullanılan bir ince film üretim yöntemidir. Sol-jel yöntemi başlangıç
malzemesi olarak bir solün (çözelti) ve bu solü kullanarak jel elde edildiğinden dolayı
bu adı (sol-jel) almıştır. İnce film, hazırlanan solün (çözeltinin) bir altlık üzerine
döndürme (spin), daldırma (dipping) ve püskürtme (sprey) gibi yöntemlerle
kaplanmasıyla oluşturulur. Diğer ince film metotlarına kıyasla sol-jel yöntemi oldukça
basit ve ekonomik oluşu, geniş yüzey alanına uygulanabilirliği, düşük sıcaklıklarda
kristalleşmenin sağlanabilmesi, homojen ve saf kaplama yapılabilmesi ve filmin mikro
yapısının kontrol edilebilmesi gibi yönlerden oldukça avantajlıdır [1].

Çinko oksit (ZnO), 1980 yılından beri kullanılan yarıiletken bir malzemedir.
Tabiatta bol ve ucuza bulunabilen ZnO aynı zamanda geniş bant aralığına, yüksek optik
geçirgenliğe, iyi ışık, ısı ve elektrik iletkenliğine sahip sert katı bir yarıiletkendir. Kristal
yapısı hekzagonal wurtzide yapıdadır. Çinko oksitin elektriksel, optik ve yapısal
özellikleri çeşitli katkılarla veya ısıl işlemlerle değiştirilebilmektedir. Son yıllarda
İndiyum Tin Oksit filmler yerine bu özelliklerinden dolayı ZnO ince filmler tercih
edilmektedir. Katkısız ve katkılı ZnO ince filmler, güneş pilleri, akustik dalga cihazları,
gaz sensörü, ısı aynaları, fotoelektrik cihazlar gibi bir çok alanda kullanılmaktadır [1].
 Karbon 4A grubu elementleri içerisinde en hafifi en az metalik olanıdır ve yer
kabuğunda bulunan altıncı elementtir [2].Karbon atomlarının farklı şekillerde
bağlanmaları sonucunda, farklı özelliklere sahip yapılar oluşur. Bunlara örnek olarak
günlük hayatta çok iyi bilinen elmas ve grafitin yanı sıra karbon nanotüp, fulleren ve
grafen gibi allotropları bulunmaktadır [3] . Karbonun iki boyutlu allotropu olan grafen,
altıgen bal peteği örgüsü şeklinde sıkıca paketlenmiş sp2 hibritli karbon atomlarının düz
tek tabakası olarak bilinmektedir [4]. Sağlam ve sert bir malzeme olan grafen aynı
zamanda oldukça esnek bir yapıya sahiptir [5]. Grafen çok yüksek ısıl, elektrik
iletkenliğe ve yüksek optik geçirgenliğe sahip bir malzemedir [4]. Grafenin üst üstte
istiflenmesi ile üç boyutlu grafit oluşur [3].

Bu çalışmada, metal oksitler ve genel özellikleri, yarıiletkenler ve özellikleri,

grafenin yapısal, atomik, elektronik, mekanik, termal, optik ve fiziksel özellikleri,
grafen sentezleme teknikleri, ince film teknolojisi ve numune hazırlama teknikleri
açıklandı. Deneysel çalışmalarda XRD, AFM ve UV analizleri yapılarak, yapılan bu
analizlerden elde edilen deneysel sonuçların grafikleri çizilip, genel bir değerlendirmesi
yapılarak literatürle kıyaslandı. Öncelikle, Hummer’s metoduyla grafitten grafen oksit
elde edildi. Cam altlıklar üzerine sol-jel, döndürme (spin) yöntemiyle katkısız ve belirli
oranlarda GO katkılı ZnO ince filmler hazırlandı. Hazırlanan filmlerin optik ve yüzeysel
özellikleri XRD, AFM ve UV cihazlarıyla incelemeleri yapıldı.

1.1. Metal Oksit Bileşikleri Ve Genel Özellikleri

Bazı elementlerin oksijen ile birleşerek oluşturduğu bileşiklere oksit denir. Bazı
metallerin de oksijen ile birleşerek oluşturdukları bileşiklere ise metal oksit adı verilir.
Metallerin oksijen ile birleşmesi sonucu oluşan metal oksitlerin sulu çözeltiler baz
özelliği göstermektedir. Bundan dolayı metal oksitler bazik oksit olarak da adlandırılır.
ZnO, Na₂O, K₂O, Li₂O, MgO, BeO, BaO, CaO, FeO, Al₂O₃ gibi bileşikler metal
oksitlere örnek olarak verilebilir [6].

Bazik oksit olarak adlandırılan metal oksitler su ile tepkimeye girdiklerinde baz
oluştururlar[6].

ZnO + H₂O → Zn(OH)₂ (1.1)

Na₂O +H₂O → 2Na(OH) (1.2)

2
 K₂O + H₂O → 2K(OH) (1.3)

Bazik oksit olarak adlandırılan metal oksitler asitlerle tepkimeye girdiklerinde ise
tuz ve su oluşur [6].

Na₂O + 2HCl → 2NaCl + H₂O (1.4)

Bazı durumlar vardır ki oksitlerin sulu çözeltileri hem bazik hem de asidik özellik
gösterirler. İşte böyle hem bazik hem de asidik özellik gösteren oksitler amfoter oksit
olarak adlandırılır. ZnO (Çinko Oksit) ve Al₂O₃ (Alüminyum Oksit) birer amfoter
oksittir [6].

1.1.1. Sodyum Oksitin Genel Özellikleri

Sodyum, Sir Humphry Davy’nin kostik sodayı elektroliz etmesi sonucu 1807’de
uzun bir süre bileşikleri halinde kullanılmıştır. Ortaçağ Avrupa’sında baş ağrısı ilacı
olarak sodyum bileşiği kullanılmaktaydı. 19. Yüzyılın sonlarına doğru, sodyum
karbonat ile karbonun birlikte 1100 °C’ye ısıtılması ile kimyasal olarak sodyum elde
edilmiştir. Günümüzde, sıvı sodyum klorürün elektrolizi sonucu sodyum ticari olarak
elde edilmektedir[7].

Sodyum, (Latince adı ile natrium) Na simgesi ile gösterilip atom numarası 11 olan
yumuşak ve kaygan bir elementtir. Alkali metaller içerisinde yer alır ve bu metallerde
olduğu gibi sodyum da yumuşak, gümüşe çalan beyaz renkli, hafif ve reaktif olan bir
metaldir [8].

Sodyum metali, oksijen ile birleşmesi sonucu Na₂O (sodyum oksit) oksitini
çıkarır. [8] sodyum oksit su ile tepkimeye girdiği zaman yani metal oksitlerin sulu
çözeltileri, NaOH (sodyum hidroksit veya kostik soda) şeklinde baz özelliği gösterir [6-
8].

Na₂O + H₂O → 2Na(OH) (1.5)

Sodyum oksit, α-Na₂O, β-Na₂O,γ-Na₂O olmak üzere üç polimorfu olduğu

bilinmekle birlikte inorganik bir bileşiktir [9]. Sodyum oksit cam teknolojisinde ve
seramiklerde ağ kırıcı olarak kullanılmaktadır [8].

3
1.1.2 Potasyum Oksitin Genel Özellikleri

Potasyum, İngiliz kimyager Sir Humphry Davy’nin potasyum hidroksiti

(laboratuarda nemli havaya maruz bıraktığı kurutulmuş potas kostik) elektroliz etmesi
sonucu 1807’de Londra’daki Royal Enstitüsü’nde keşfetmiştir. Potasyum (Latince adı
ile kalium), K simgesi ile gösterilip, atom numarası 19, atom ağırlığı 39,09 g/mol ve
yoğunluğu 0,89 gr/cm³’tür [10].

Potasyum metali, oksijenle birleşmesi sonucu K₂O’i (potasyum oksit) oluşturur.

Potasyum oksit su ile tepkimeye girdiği zaman, yani metal oksitlerin sulu çözeltileri,
2K(OH) şeklinde baz özelliği gösterir [6].

K₂O + H₂O → 2K(OH) (1.6)

Potasyum oksit, IA grubunda yer alan gümüş renkli ve oldukça hafif olan
Potasyum elementinin bir bileşkesidir. Su ile temasında oldukça aktif olduğundan
kullanım alanları yaygındır. Potasyum oksit, suyun akışının gerçekleşmediği deniz ve
okyanusların oluşturdukları kapalı havzalarda bulunmaktadır. Tuz göllerinde suların
akışının gerçekleşmediği yerlerde suların buharlaşması ile birikmektedir. Potasyum
oksitin sanayide hammadde olarak kullanılmasının sebebi; hem yumuşak hem de hava
ve su ile temasında tepkimeye girmesidir. Ayrıca potasyum oksit başka elementler ile
birleşerek de endüstride hammadde olarak kullanılmaktadır. Potasyum oksit, suni
gübrelerde, sabun sanayisinde, kolay alevlenebilir olduğundan kibrit, havai fişek
yapımında, petrol sanayisinde rafinelerde, fotoğraf basımı, tıp sektöründe, cam ve
porselen sanayisinde kullanılmaktadır [11].

1.1.3. Lityum Oksitin Genel Özellikleri

Lityum 19. yy’da Johan August Arfvedson tarafından spodümen [LiAl(Si₂O₆)]

adı verilen mineralin farklı kimyasal özelliklere sahip olduğunu gözlemlemiştir. Fakat
Lityum metali 1855 yılında Robert Bunsen ve Augustus Matthienson tarafından
LiCl’nin elektroliz edilmesi sonucu elde edilmiştir. Güney Dakota’da Etta ocağı olarak
adlandırılan yerde spodümen [LiAl(Si₂O₆)] mineralinden faydalanılarak lityum yüksek
oranda üretilmiştir [12].

4
 Lityum (yunanca adı ile lithos) Li simgesi ile gösterilip, atom numarası 3, atom
ağırlığı 6,941 g/mol olup düşük yoğunluğa sahip yumuşak ve gümüşümsü beyaz bir
metaldir [12, 13].

Lityum metali, havadaki oksijen ile reaksiyona girerek Li₂O (lityum oksit)
oluşturur. Lityum oksit su ile tepkimeye girdiği zaman, yani metal oksitlerin sulu
çözeltileri, 2Li(OH) şeklinde baz özelliği gösterir [6].

Li₂O + H₂O → 2Li(OH) (1.7)

Lityum metal olarak çok kullanılmamaktadır. Ancak bileşiklerinin üretimi ve

kullanımı gün geçtikçe artmıştır. Lityum ve bileşikleri cam, seramik sanayisinde, askeri
mühimmatlarda, klima ve pil bataryalarında, tıp, kozmetik gibi birçok endüstriyel
üründe kullanılmaktadır [12].

1.1.4 Magnezyum Oksitin Genel Özellikleri

Magnezyum, Joseph Black tarafından 1755 yılında keşfedilmiştir. Daha sonra

Humphrey Davy’in magnesia ve HgO karışımını izole etmesi sonucu saf olarak 1808
yılında elde edilmiştir [14].

Magnezyum, Mg simgesi ile gösterilip, atom numarası 12, atom ağırlığı 24,30
g/mol olan ve gümüşümsü beyaz toprak alkali metaldir [14].

Magnezyum metali, havadaki oksijen ile reaksiyona girerek MgO (magnezyum

oksit) oluşturur. Magnezyum oksit su ile tepkimeye girdiği zaman, yani metal oksitlerin
sulu çözeltileri, Mg(OH)₂ şeklinde baz özelliği gösterir [6].

MgO + 2H₂O → Mg(OH)₂ (1.8)

Magnezya içerisinde %90 MgO içermektedir. Seramik bir malzemedir [15].

Doğada serbest halde bulunmadığı için MgO içeren hammaddelerden üretilir [16].
Magnezyum oksit, magnezyum klorür (MgCl₂) içeren zengin doğal minerallerden ya da
magnezyum karbonat veya magnezyum hidroksit kalsinasyonu ile üretilmektedir.
Magnezya bir refrakter malzeme, yüksek erime sıcaklığı (2800 °C), yüksek ısıl
kararlılık, yüksek fiziksel ve kimyasal kararlılığı olan bir bileşendir [15-17].

5
 MgO, refrakter sanayisinde, tarım, kimya, inşatta, çevre, tıp alanlarında
kullanılmaktadır [17].

1.1.5. Alüminyum Oksitin Genel Özellikleri

Alüminyum, Sir Humphrey Davy tarafından 1807 yılında alüminanın elektrolizi

sonucunda bir demir alüminyum alaşımı elde etmiştir. Boksit madeni 1821 yılında
Fransa’nın Les Baux kasabasında M. Pierre Berther tarafından bulunmuştur.
Danimarkalı fizikçi Christian Oersted tarafından 1825 yılında, ilk metalik alüminyum
üretilmiştir [18].

Alüminyum, Al simgesi ile gösterilip, atom numarası 13, atom ağırlığı 26,98
g/mol olan ve katı, gümüşümsü metal bir elementtir [19].

Alüminyum metali, oksijene karşı yüksek duyarlılıkta olduğundan, oksijen ile

reaksiyona girerek Al₂O₃’i (alüminyum oksit) oluşturur [15]. Alüminyum oksit su ile
tepkimeye girdiği zaman, yani metal oksitlerin sulu çözeltileri, 2Al(OH)₃ şeklinde baz
özelliği gösterir [6].

Al₂O₃ + 3 H₂O → 2Al(OH)₃ (1.9)

Alüminyum oksit, beyaz, kokusuz, katı, suda çözünmeyen, yüksek sertlik ve

dayanımı olan, piyasa adı ile alümina olarak adlandırılan bu malzeme saflık derecesine
göre pembe, beyaz ve kahverengi renkte bulunur [20]. Bunların yanı sıra Al₂O₃ yüksek
aşınma direnci, düşük ısıl genleşme, iyi kırılma tokluğu, termal iletkenlik ve
biouyumluluk özelliklerine sahiptir [15].

Alüminyum oksit endüstri, kozmetik, tıp alanının yanı sıra boya, cam ürünleri,
florasan malzemeler, katalizör, kesici alet, kompozit malzemeler, metal ürünler, kauçuk,
fırın tüpleri, parlatma malzemeleri yapımında kullanılır [21].

1.1.6. Berilyum Oksitin Genel Özellikleri

Berilyum, 1798 yılında beril ve zümrüt kristalleri arasında oksit halde Fransız
kimyager Louis-Nicolas Vaquelin tarafından ilk olarak keşfedilmiştir. Daha sonra
baryum klorürü potasyum ile indirgeyerek metal berilyumu, 1828 yılında birbirinden
bağımsız bir şekilde Friedrich Wöhler ve Antoine Bussy tarafından elde edilmiştir.

6
Ancak berilyum elementi 1950’li yıllara kadar “glusinyum” adı verilen (Yunanca
“glukus=tatlı” sözcüğünden türetilmiştir.) bir element olarak biliniyordu [10].

Berilyum, Be simgesi ile gösterilip, atom numarası 4, atom ağırlığı 9,012 g/mol
olan, esnek, hafif, sert, tatlı ancak zehirli bir alkali metaldir [10].

Berilyum metali, oksijen ile reaksiyona girerek BeO (berilyum oksit) oluşturur.
Berilyum oksit su ile tepkimeye girdiği zaman, yani metal oksitlerin sulu çözeltileri,
Be(OH)₂ şeklinde baz özelliği gösterir [6].

BeO + H₂O → Be (OH)₂ (1.10)

Berilyum oksit, molekül ağırlığı 25,01 olan, asitte çözünüp suda çözünmeyen,
yüksek bir erime noktasına sahip olan beyaz renkli amorf bir tozdur [22]. BeO iyi bir
ısıl iletkeni elektrik izolatörüdür. Ayrıca mikrodalgaları geçiren yüksek sertlikte bir
maddedir [23].

Berilyum oksit, seramik ve elektronik sanayinin yanı sıra hava ve uzay

taşıtlarında, bilgisayar parçaları yapımında, inşaat sektöründe kullanılmaktadır [24].

1.1.7. Baryum Oksitin Genel Özellikleri

Baryum, İtalya’nın Bologna Vincenzo Cascianolo bölgesinde 1600’lü yıllarında

bazı taşların gün ışığında parlamasıyla ortaya çıkmıştır. İngiliz kimyager Humphry
Davy tarafından 1808 yılında barit mineralinin elektrolizi sonucunda baryum elde
edilmiştir [10].

Baryum, Ba simgesi ile gösterilip, atom numarası 56, atom ağırlığı 137,32 g/mol,
yoğunluğu 3,51 g/cm³ olan, ağır, beyaz gri bir alkali metaldir [10].

Baryum, özellikleri bakımından diğer toprak alkali metallerinden farklıdır.

Baryum suyu ayrıştırarak hidrojen açığa çıkarır ve bunun sonucunda hidroksit oluşturur
ve bu hidroksitlerde ısıtıldığında su kaybeder ve oksit haline döner [10].

Baryum metali, oksijen ile reaksiyona girerek BaO (baryum oksit) oluşturur.
Baryum oksit su ile tepkimeye girdiği zaman, yani metal oksitlerin sulu çözeltileri,
Ba(OH)₂ şeklinde baz özelliği gösterir [6].

7
 BaO + H₂O → Ba (OH)₂ (1.11)

Baryum oksit, makine yağları için deterjan yapımında, gazların ve çözücülerin

kurutulmasında, solventlerden suyun uzaklaştırılmasında ve petrol sanayisinde
kullanılan bileşiklerdendir [10-19].

1.1.8. Kalsiyum Oksitin Genel Özellikleri

Kalsiyum, ilk olarak Berzelius ve Pontin bilim adamları tarafından civa

içerisindeki CaO’in elektrolizi ile kalsiyum amalgam 1808 yılında keşfedilmiştir. Daha
sonraki yıllarda ilk defa saf olarak Humphry Davy tarafından izole edilmiştir [25].

Kalsiyum, Ca simgesi ile gösterilip, atom numarası 20, atom ağırlığı 40,078 g/mol
olan gümüşümsü beyaz renkli metalik katı bir elementtir [25].

Kalsiyum oksit (CaO) olan ve halk dilinde sönmemiş kireç olarak adlandırılan
beyaz renkli, aşındırıcı, alkalik katı bir çeşit kimyevi bileşiktir [26]. Yüksek
sıcaklıklarda kireç taşlarını sanayide eriterek CO₂ (karbondioksit) uzaklaştırılarak elde
edilir ve su ile reaksiyona girdiğinde oksitlenir ve Ca(OH)₂ (kalsiyum hidroksit)
meydana getirir [27].

CaO + H₂O → Ca (OH)₂ (1.12)

Kalsiyum oksit inşaat sektöründe, demir ile sert endüstrisinde, cam yapımında,
yer altı madeni sektöründe, su ve baca arıtma sistemlerinde, kağıt yapımında
kullanılmaktadır [27].

1.1.9. Demir Oksitlerin Genel Özellikleri

Demirin bulunuş tarihi Sümerlere ve Mısırlılara (yaklaşık olarak M.Ö. 4000’li

yıllar) dayanmaktadır, ancak kaşifi ise bilinmemektedir [28-29]. M.Ö. 1600-M.Ö.
1200’lü yıllarda Orta Doğu’da demir kullanımı giderek artmış ve ilerleyen zamanlarda
demir Dünya’nın değişik yerlerinde değişik zamanlarında kullanımı artmış, yeni bir çağ
olan “Demir Çağı’nın” başlangıcının işareti olmuştur [28].

Demir, Fe simgesi ile gösterilip, atom numarası 26, atom ağırlığı 55,85 g/mol,
yoğunluğu 7,86 g/cm³, erime noktası 1538 °C olan metalik gri renkli katı bir elementtir
[29].

8
 Demir, oksijen ile reaksiyona girerek FeO (demir (II) oksit) veya Fe₂O₃ (demir
(III) oksit) oluşturur. Bu demir oksitlerin su ile tepkimesinde ise Fe(OH)₂ ve 2Fe(OH)₃
şeklinde baz özelliği gösterdiği gözlemlenmiştir [6].

FeO+H₂O→Fe(OH)₂ (1.13)

Fe₂O₃+H₂O→2Fe(OH)₃ (1.14)

Uygulamalarda demir oksitin önemi büyüktür ve farklı manyetik özellik ve

kimyasal bileşenlerden oluşmaktadır [30]. Bugüne kadar oksit hidroksitler ve
hidroksitler olarak on beş tane demir oksit bilinmektedir. Doğada bulk ve nanokristal
formda, demir (III) oksitler mineral hematit (α- Fe₂O₃) ve maghemit (γ-Fe₂O₃) olarak
bulunurlar. Doğada yalnızca nanokristal formda β-fazlı ve ε-fazlı Fe₂O₃’lerde nadir
olarsak bulunmaktadır. FeO (demir (II) oksit) ise wüstit mineral olarak doğada bulunur
[31].

Demir oksitler, organik ve inorganik yapıda olup, küçük partikül boyutuna sahip
kimyasal tozlardır. Demir oksit pigmentleri önemli ölçüde renklendirme özelliğine
sahiptir. Bu yüzden çok iyi boyama gücü ve yeteneğine sahiptirler [32]. Lastik, kağıt,
sermik, cam, boya, linolyum yapımında pigment olarak kullanılırlar. Bunun yanı sıra
Fe₂O₃ (demir (III) oksit) aşındırıcı olarak; elmas, değerli metal ve camların
parlatılmasında, elektrik dirençleri ve yarı iletkenlerde, mıknatıs ve manyetik bantlarda
kullanılır [19]. FeO (demir (II) oksit) ise üstün örtme gücü sayesinde kaplamalarda,
çelik yapımında, katalizörlerde, yeşil cam üretiminde, emayelerde kullanılır [32].

1.1.10. Titanyumdioksitin Genel Özellikleri

Titanyum, İngiliz kimyacı W. Gregor tarafından 1791 yılında titanyumoksiti izole

etmesi sonucu keşfedilmiştir. Yunan mitolojisindeki toprak tanrıçalarının oğulları olan
Titanlara adfen, 1793 yılında Alman kimyager M. Heinrich Klaproth tarafından bu ad
verilmiştir. 1950’li yıllarda havacılık sektöründe kullanılmaya başlanmıştır [10].
1970’lerde de n tipi TiO₂ yarı iletken elektrotu rutin fazda tek kristal olarak geliştirilmiş
ve suyun fotoelektrolizi araştırmalarında kullanılmıştır. 1990’larda birçok özelliği
araştırılmış ve 2000’lerde fotokatalist yapımında TiO₂ kullanımı üzerine çalışmalar
yoğunlaşmış olup son on beş yıldır çimento üretiminde kullanılmaktadır [33].

9
 Titanyum, Ti simgesi ile gösterilip, atom numarası 22, atom ağırlığı 47,9 g/mol,
erime noktası 1660 °C olup hafif, kırılgan, sert, gümüş beyaz renkte, parlak bir metaldir
[10].

Periyodik tabloda IV. grupta bulunan Ti (titanyum) elementi ile, VI. grupta
bulunan O (oksijen) elementinin birleşmesi ile TiO₂ (titanyumdioksit) bileşiği
oluşmuştur. TiO₂ bileşiği üç farklı kristal yapıya sahiptir. Bunlar; rutil, brukit ve
anatazdır. Bu kristal yapılarına bağlı olarak hem dolaylı hem de doğrudan bant yapısına
sahiptir [33]. Ayrıca TiO₂ beyaz ve tebeşirimsi bir yapıya sahiptir [34]. Korozyona karşı
dayanıklı, yüksek kırma indisine sahip, zararsız ve toksik özelliği olmayan geçiş metal
oksitlere ait bir yarı iletkendir [35].

TiO₂ sensör uygulamalarında, güneş pillerinde, tıpta ve optik dalga kılavuzu

çalışmalarında kullanılmaktadır [34]. Ayrıca boya, kağıt, kozmetik, seramik, kauçuk,
plastik, mürekkep, diş macunu gibi bir çok alanda TiO₂’in (titanyumdioksitin) kullanımı
mevcuttur [35].

1.1.11. Çinko Oksitin Genel Özellikleri

Çinko oksit, beyaz çinko, çin beyazı (çiçek beyazı) olarak adlandırılıp önceleri
boya maddesi olarak kullanılıyordu. Bakırın eritilmesiyle ortaya çıkan çinko oksit bir
yan ürün olarak bilinmekteydi. Romalıların pirinç elde etmek ve mehlem yapımında
kullandıkları çinko oksitin (Roma’da cadmia olarak adlandırılmıştır.) altına
dönüştürülebileceğini düşünmüşlerdir. Alman kimyacı Cramer 18. Yüzyılın ortalarında
metal çinkonun yanması sonucu cadmia’ı keşfetmiştir. 1781’de Fransa’da Courtois
tarafından beyaz çinko üretilmiştir, ancak 1840’dan sonra Reclaire tarafından sanayide
kullanılmaya başlanmıştır. 1850’li yıllarda yüksek ısıda fırın içinde çinkoyu, çinko koru
haline getirip, fırın dışında bu korun havadaki oksijen ile temasından çinko oksit New
Jersey’deki S. Wethrill şirketi tarafından elde edilmiştir [36].

Çinko, Zn simgesi ile gösterilip, atom numarası 30, atom ağırlığı 65,38 g/mol olan
mavimsi açık gri renkli katı bir geçiş metalidir [19].

Periyodik tabloda II. grupta bulunan Zn (çinko) elementi ile VI. grupta bulunan O
(oksijen) elementinin birleşmesi ile ZnO (çinko oksit) bileşiği oluşmuştur. ZnO n-tipi
bir yarı iletken olup, geniş yasak enerji aralığına (Eg=3,37 eV),yüksek geçirgenliğe

10
sahip, kolay katkılama işleminin yapılıp,pek çok alttaş üzerinde büyütülebilen bir
malzemedir. ZnO 3 farklı kristal yapıya sahip olup, bunlar; kübik,kübik çinko blend ve
hekzagonal wurtzite yapılardır [33].

ZnO, merhem, boya, çimento, cam, seramik, lastik, plastik, yağlayıcı gibi birçok
ürünün yapımında kullanılmıştır[17].Ayrıca foto dedektörleri, varistörler ve iletken
elektrotlar gibi bir çok alanda çinko oksit kullanılmaktadır[33-34].

1.2.Yarı İletkenler

Yarıiletkenler, iletkenliği yalıtkan ve metal arasında olan (10⁴ (ohm-m)⁻1ile 10-

4
(ohm-m)-1) malzemeleridir. Boş iletim bandı ile dolu iletim bandı arasında bulunan
enerji aralığı yarıiletkenlerde 4eV’tan küçüktür [37]. Valans yörüngelerinde 4 elektron
bulunur ve son yörüngelerindeki elektron sayısını 8’e çıkarmak isterler. Bundan dolayı
yarıiletkenler son yörüngesindeki elektronları kovalent bağ ile birleştirip ortak
kullanırlar [38]. Elektriksel özellikleri ısıl işlem uygulaması, optiksel uyarılma ve
katkılandırma gibi yöntemler kullanılarak değiştirilebilir. Yarıiletkenler bu nedenle
termistör, sensör, anahtar, transistör, diyot gibi aygıtların yapımında kullanılır [39].

Yarıiletkenler katkılandırılarak pozitif veya negatif olarak yüklenirler. Katkılama

işleminden sonra maddeler n tipi yarıiletken veya p tipi yarıiletken olarak adlandırılır
[38]. Şekil 1.1’de katkılı ve katkısız yarıiletkenlerin enerji seviyeleri gösterilmiştir.

Şekil 1.1. Katkılı ve katkısız yarıiletkenlerde enerji seviyesi [40].

11
1.2.1. N-Tipi Yarıiletkenler

Periyodik cetvelin IV A grubunda bulunan Silisyum (Si) ve Germanyum (Ge) 4

değerlik elektronuna sahip yarıiletkenlerdir. Bu yarıiletkenlere periyodik cetvelin V A
grubunda bulunan (N, P, As, Sb, Bi) 5 değerlik elektronuna sahip atomlardan biri
örneğin Fosfat (P) katkılanırsa atomun dört elektronu kovalent bağ yapar [40]. Bağ
yapamayan beşinci elektronun bağlanma enerjisi çok düşüktür. Bundan dolayı kristal
yapı içerisinde serbest elektron olarak hareket etmeye başlar ve zayıf bir bağ ile
safsızlık atomuna bağlanır [39, 40].

Dolayısı ile fazla olan bir elektronunu kristale verir ve bu elektronu kristale
verdiği için bu tür atomlara verici (donor) atomlar adı verilir. Her verici atom 1 fazlalık
elektronunu kristale kattığı için kristalde (-) yüklü taşıyıcı yoğunluğu artmış olur. Bu tip
malzemelere n-tipi yarıiletkenler denir ve bu tip yarıiletkenlerin iletimi elektronlar ile
olur. Fermi enerji seviyesi (Ef) ise iletim bandına (Ec) daha yakın olur [40]. Şekil 1.2’
de n-tipi yarıiletkenlerin enerji bant seviyeleri ve oluşum şemaları gösterilmiştir.

Ef: Fermi seviyesi Ec: İletim bandı

Ed: Verici enerji seviyesi Ev: Valans (değerlik) bandı

Şekil 1.2.N-tipi yarıiletkenlerdeki enerji band seviyeleri. N-tipi yarıiletkenin oluşum şeması [40].

12
1.2.2. P-Tipi Yarıiletkenler

Periyodik cetvelin IV A grubunda bulunan Silisyum (Si) ve Germanyum (Ge) 4

değerlik elektronuna sahip yarıiletkenlere bu defa periyodik cetvelin III A grubunda
bulunan (B, Al, Ga, In) 3 değerlikli atomlarından biri örneğin Bor (B) katkılanırsa,
oluşan kovalent bağda bir elektron eksik kalır ve bağ yapmak için Si veya Ge atomları
kristalde 1 elektron alır. Dolayısıyla eksik olan bir elektronunu kristalden aldığı için bu
tür atomlara alıcı (acceptör) atomlar denir. Her alıcı atom 1 eksik elektronunu kristalden
aldığı için kristalde (+) yüklü taşıyıcı yoğunluğu artmış olur. Bu tip malzemelere p-tipi
yarıiletkenler denir ve bu tip yarıiletkenlerin iletimi holler (boşluk) ile olur. Fermi enerji
seviyesi (Ef) ise değerlik (Valans) bandına daha yakın olur [40]. Şekil 1.3’de p-tipi
yarıiletkenlerin enerji bant seviyeleri ve oluşum şemaları gösterilmiştir.

Ef:Fermi seviyesiEc:İletim bandı

Ea:Alıcı enerji seviyesiEv:Valans (değerlik) bandı

Şekil 1.3. P-tipi yarıiletkenlerdeki enerji band seviyeleri. P-tipi yarıiletkenin oluşum şeması [40].

1.2.3. Yarıiletkenlerin Genel Özellikleri

Elektriksel özelliklerine (özdirencine) göre katı cisimler üç gruba ayrılırlar.

Bunlar; iletkenler, yarıiletkenler ve yalıtkanlar şeklindedir. Yarıiletkenler, özdirençleri
oda sıcaklığında ρ=10-2-109 ohm.cm olan malzemelerdir. Yarıiletkenlerin elektriksel

13
özellikleri katkılandırma, optiksel uyarılma ve ısıl işlem uygulaması gibi birçok yöntem
ile değiştirilebilir. Bu nedenle yarıiletken malzemeler diyot, termistör, transistör,
anahtar, sensör gibi bar çok aygıt yapımında kullanılır [1].

1.2.4. Yarıiletkenlerin Elektriksel Özellikleri

Elektrik yüklü elektronların hareket edebilmeleri ve onların gidebilecekleri enerji

düzeyinin boş olması, katılarda elektriksel iletkenliğin sağlanabilmesi için gereklidir.
Aksi durumlarda elektron hareketi gerçekleşmez. Elektron hareketi, dolu bir banda
voltaj uygulansa bile oluşmaz. Şekil 1.4’de gösterilen bu durum, iletim ve valans
bandları çeşitli konumlarında ele alınarak açıklanmıştır [41].

Şekil 1.4.a’ya bakıldığında, valans bandının tamamen dolu olmadığı ve elektronun

gidebileceği bir enerji düzeyinin bandda mevcut olduğu görülmüştür. Bu durumda
elektronun hareket etmesini engelleyen bir durum yoktur ve sıcaklık ne olursa olsun çok
küçük bir potansiyel farka bile elektriksel iletkenlik sağlanır. Bu katılar elektriksel
iletimleri çok iyi olan metallerdir [41].

Şekil 1.4.b’ye bakıldığında, bu tür katılarda iletim bandının tamamen boş ve

valans bandının da tamamen dolu olması gerekir. Ancak durum öyle değildir.
Elektronların bulunduğu enerji düzeyinden daha aşağıda boş bir enerji düzeyi var ise
kural olarak elektronlar oraya giderler. Böyle bir yapıda da valans bandının üst kısmı ile
iletim bandının alt kısmı örtüşmüştür. Bundan dolayı dolu olmasını beklediğimiz valans
bandının üst kısmındaki elektronlar, iletim bandının alt kısmındaki boşluklara geçerler.
Elektronların hareket etmeleri bu durumda mümkün olur ve elektriksel iletkenlik
sağlanmış olur. Fakat geçiş yapan elektronların sayısının az olmasından dolayı elektrik
akımını metaller kadar iyi iletemezler. Bundan dolayı yarı metal olarak adlandırılırlar
[41].

Şekil 1.4.c ve d’ye bakıldığında ise iki şekil arasındaki tek farkın, valans bandı ile
iletim bandı arasındaki yasak enerji aralığının ( Eg ) Şekil 1.4.d’de büyük, Şekil
1.4.c’de ise küçük olmasıdır. Yasak enerji aralığı için kesin bir sınır olmamakla birlikte
Eg değeri 4 eV ve daha büyük olan katılara yalıtkan, Eg değeri 3.8 eV’tan küçük olan
katılara yarı iletken denir. İletim bantlarının tamamen boş olması ve valans bandlarının
tamamen dolu olması, her iki katı içinde elektriksel iletkenliğin sağlanamayacağı

14
düşünülebilir. Ancak söz konusu olan bu durum yalıtkanlar için geçerli olsa bile, mutlak
sıfır sıcaklıktaki durumu yarıiletkenler için geçerlidir. Oda sıcaklığındaki (300 K)
durumu yarı iletkenler için farklıdır. Oda sıcaklığında (300K) iletim bandına ortamdan
Eg kadar enerjiyi alan valans bandındaki elektronlar geçebilir. Böylece hem valans
bandında hem de iletim bandında elektron hareketi gözlemlenir. Yalıtkanlarda,
yarıiletkenlerde meydana gelen bu elektron hareketini gözlemlemek mümkün değildir.
Bu şekilde band yapılarının katıların elektriksel iletkenliklerinde ne derece önemli
olduğu görülmektedir [41].

Şekil 1.4.Valans bandındaki elektron doluluk durumları ile T=0 K sıcaklıktaki iletim bandı ve bandların
enerji eksenine göre konumları [41].

Elektriksel iletkenlik band yapılarına bağlı olarak ohm kanunu ile incelenir. Ohm
kanunu;

𝐽 = 𝜎. 𝐸 , (1.15)

1 𝑒2
𝜎 = 𝜌 = 𝑛 𝑚 𝜏 = 𝑛𝜇𝑒 (1.16)
𝑒

şeklindedir. Elektronların iletkenliğe katkısı;

σn = 𝑛𝑛 𝜇𝑛 𝑒 (1.17)

ile verilirken hollerin (boşlukların) katkısı;

σp = 𝑛𝑝 𝜇𝑝 𝑒 (1.18)

15
eşitliği ile verilir. Saf bir yarıiletkende elektron ve boşluk sayısı eşittir, çünkü değerlik
bandındaki her bir boşluk ancak bir elektronun iletkenlik bandına uyarılmasıyla
oluşabilir.

Yani,
n n =n p olduğundan toplam iletkenlik;

𝜎 = 𝑛𝑛 (𝜇𝑛 + 𝜇𝑝 )𝑒 (1.19)

denklemi ile verilir [42].

1.2.5. Yarıiletkenlerin Optik Özellikleri

Üzerine foton gönderilen bir yarıiletken, fotonlar ile atomların elektronları

etkileşmesi sonucu yansıma, geçirgenlik, soğurma (absorption ) ve kırılma gibi bazı
optik olaylar meydana gelebilir. Valans bandında bulunan elektronların iletim bandına
geçişi termal yollarla sağlanabileceği gibi optik yollar ile de sağlamak mümkündür [1].

Şekil 1.5.a’ya bakıldığında fotonun enerjisi tamamen elektrona aktarılmış olup

aktarılan bu enerji sayesinde elektron iletim bandına, valans bandında bir boşluk
oluşturarak geçmiştir. Fotonun malzeme tarafından tamamen soğrulduğunu bu olay
gerçekleştiğinde söyleyebiliriz. Burada temel şart gönderilen fotonun enerjisinin en az
yarıiletkenin yasak enerjisine eşit olmasıdır [41]. Fotonun enerjisi;

E=hυ=hcλ (1.20)

eşitliği ile verilir.

Şekil 1.5.b’ye bakıldığında ise valans bandındaki boşluk ile iletim bandındaki bir
elektron birleşerek, sahip olduğu enerjiyi foton yayınımı ile dışarı verir. Bu da ışık
yayan diyotların ( LED, light-emitting diods) ve yarıiletken lazerlerin temelini oluşturur
[41].

Ancak ışık üretme kapasitesine bütün yarıiletkenler sahip değildir. Çünkü bu

özellik yarıiletkenlerin tamamen, kristal yapısındaki boşluklar ve elektronların
özellikleri, k dalga vektörü ve E enerjisi ile belirlenir. Ancak bu iki büyüklük korunursa
bir elektron ve boşluk birleşir [41].

16
 Şekil 1.5. a. Fotonun enerjisi, hv, yarıiletkenin enerjisinden büyük olmak
koşulu ile tek bir fotonun bir elektronu valans bandına uyarması b.
Bir boşluk ile bir elektron birleşerek enerjisi hv olan bir foton
üretmesi [41].

Uygun frekanstaki fotonun dalga vektörü, uygun frekanstaki foton enerji

korunumunu sağladığı için ihmal edilebilir. Bu da elektronun dalga vektörünü
etkilemez. Bunun sonucunda, ışık yayınımı boşluğun en yüksek valans enerjisi halinde
olması ve elektronun en düşük iletkenlik enerjisi halinde olması ile gerçekleşir. InSb,
InAs ve GsAs bu özellikleri gösteren bazı yarıiletkenlerdir. Bu yarıiletken malzemeler
direk yasak enerjili malzemeler olarak adlandırılmaktadırlar. Germanyum (Ge) ve
Silisyum (Si) gibi yarıiletkenler bu şartı sağlamazlar ve bundan dolayı ışık yaymazlar.
Bu yüzden Germanyum ve Silisyum yarıiletken lazerler, LED diyotlar vb. devre
elemanları yapımında kullanılmazlar [41].

17
1.3. Çinko Oksit (ZnO) Bileşiğinin Özellikleri

1.3.1. Çinko Oksitin Tarihsel Gelişimi

Çinko oksit, beyaz çinko, çin beyazı (çiçek beyazı) olarak adlandırılıp önceleri
boya maddesi olarak kullanılıyordu. Bakırın eritilmesiyle ortaya çıkan çinko oksit bir
yan ürün olarak bilinmekteydi. Romalıların pirinç elde etmek ve mehlem yapımında
kullandıkları çinko oksit’in (Roma’da cadmia olarak adlandırılmıştır) altına
dönüştürülebileceğini düşünmüşlerdir [36].

Alman kimyacı Cramer 18. yüzyılın ortalarında metal çinkonun yanması sonucu
cadmia’ı keşfetmiştir. 1781’de Fransa’da Courtois tarafından beyaz çinko üretilmiştir.
Ancak 1840’dan sonra Reclaire tarafından sanayide kullanılmaya başlanmıştır. Çinko
oksit toksit madde içermemesi ve sülfür gazından etkilenip siyahlaşmamasından dolayı
kurşun oksit’in yerini almıştır [36].

1850’li yıllarda yüksek ısıda fırın içinde çinkoyu, çinko koru haline getirip, fırın
dışında bu korun havadaki oksijenle temasından çinko oksit New Jersey’deki S.
Wethrill şirketi tarafından elde edilmiştir. Ancak çinko oksitin üretimi bu metot ile
günümüzde yaygın olarak kullanılmamaktadır [36].

18
1.3.2. Çinko Oksitin Fiziksel Özellikleri

Çinko oksitin bazı fiziksel özellikleri Tablo 1.1’de gösterilmiştir.

Tablo 1.1. Çinko oksit bileşiğinin fiziksel özellikleri [43].

Özellik Değer
Örgü yapısı Hegzagonal Wurtzite
Örgü parametreleri
a 0.32495 nm
c 0.52069 nm
u (c/a) 1,602 (ideal hcp yapıda 1.633)
Yoğunluk 5.606 g/cm3
Erime noktası 1975 °C
Statik dielektrık sabiti 8,656
Yasak enerji band aralığı 3,436 eV (0 K°), 3,20 eV (300 K°)
Molekül ağırlığı Zu=65,38 gr , 0=16 gr , ZnO=81,38 gr
Eksiton bağlanma enerjisi 60 meV
Taşıyıcı konsantrasyonu
Katkısız <106cm3
n-tipi maksimum>1020 cm-3 elektron
p-tipi maksimum<1020 cm-3 boşluk
-
e hall mobilitesi
n-Tipi yarıiletkenlerde 200 cm2/Vs
p-tipi yarıiletkenlerde 5-50 cm2/Vs
Isıl iletkenlik 25,2 W m-1 K-1
Optik geçirgenlik Yaklaşık %80-%90 optik geçirgenlik
Elektriksel direnç Yaklaşık 10-3-10-5Ωcm

1.3.3. Çinko Oksitin Kimyasal Özellikleri

ZnO beyaz çinko veya mineral zincit olarak bilinen beyaz toz halinde meydana
gelir. Mineral olarak genellikle bir miktar manganez ile diğer elementleri içerir ve rengi
sarıdan kırmızıya doğru olan renklerde görülür. Çinko oksit kristali termokromiktir,
yani sıcaklığı değiştirildiğinde maddenin rengi de değişmektedir. Bu özelliğinden dolayı
çinko oksit ısıtıldığında beyazdan sarıya döner, soğutulduğunda ise tekrar beyaza döner.
Bu renk değişimine ise yüksek sıcaklıklarda non-stokiyometrik yapının oluşması için
çok küçük miktardaki oksijen kaybı neden olmaktadır [44].

Çinko oksit amfoter bir oksittir, yani oksit ve hidroksitleri hem asidik hem de
bazik özellik taşır [40]. Hidroklorik asit gibi çoğu asitte çözünür ancak su ve alkolde
neredeyse çözünmez [44].

19
 ZnO+2HCl→ZnCl2+H2O (1.21)

ZnO bazlarda çözünerek, zinkat oluşturur [44].

ZnO+2NaOH+H2O→Na2Zn(OH)4 (1.22)

Çinko oksit yağlarda yağ asitleriyle yavaş bir şekilde reaksiyona girer. Aynı
zamanda dişçilikte malzeme olarak kullanılmak üzere ZnO, fosforik asit ile reaksiyona
girdiğinde çimento gibi ürünler elde edilmektedir [44].

Çinko oksit kararlı bir yapıya sahip olup sadece 1975 °C’de çinko buharı ve
oksijene çözünür. ZnO, Zn metali ve CO elde etmek için karbon ile reaksiyona girer
[44].

ZnO+C→Zn+CO (1.23)
Çinko oksit hidrojen sülfür ile reaksiyona girdiğinde sülfür ve su elde edilir [44].

ZnO+H2S→ZnS+H2O (1.24)

1.3.4. Çinko Oksitin Kristal Yapısı

II-VI grubu ikili bileşik yarıiletkenlerin bir çoğu ya kübik zinc-blend (cubic-zinc-
blende) ya da hekzagonal vürtzit (hexagoanl wurtzite) sıkı paket yapıda kristalleşirler.
Her anyonu bir dörtyüzlü yapının (tetrahedron) köşelerinde bulunan 4 katyonla çevrili
hexagonal wurtzite sıkı paket yapıdadır. Bu tetrahedral koordinasyon sp3kovalent
bağlamanın bir sonucu olsa da, bu tür malzemeler önemli bir iyonik karaktere
sahiptirler. Zn atomlarının kristal yapı içerisinde ara yerlere girmesi ile bant aralığında
ve oksijen boşluklarında donor seviyeler oluşur. Örgü içerisinde Zn atomunun olması
gereken yerde Oksijen atomunun olması, Zn boşlukları ve ara yerlere giren Oksijen
atomları ise akseptör seviyesinin oluşmasına neden olur. ZnO’nun iyonikliği kovalent
ve iyonik yarı iletkenlerin ortasında sınırda bulunan II-VI grubu yarıiletkenlerdir.
ZnO’nun kristal hali genellikle, hexagonal wurtzite, çinko-blend ve NaCl (sodyum
klorür) yapıdadır. Normal koşullarda kararlı olarak, hexagonal wurtzite kristal yapıdadır
(Şekil 1.6.a.). Fakat ZnO kübik çinko-blend yapısı dengeli olarak kübik kristal altlıklar
üzerinde elde edilebilir (Şekil 1.6.b.) ve yine NaCl (sodyum klorür) yapısı ancak düzenli
yüksek basınç altında elde edilebilir (Şekil 1.6.c.) [43].

20
Şekil 1.6. ZnO’nun kristal yapısı (a) Hexagonal wurtzite kristal yapısı, (b) Kübik çinko-blend yapısı , (c)
NaCl yapısı [43].

ZnO hexagonal birim hücresi a=3,25 A° ve c=5,21 A° olmak üzere iki örgü
sabitleri ile birlikte wurtzite kristal yapısında her Zn atomu birinci kabukta 4 Oksijenle,
ikinci kabukta 12 Zn atomu ile çevrilmiştir. Ayrıca ince filmlerde ZnO’nun tanecik
boyutları 50-300 A° arasında değiştiği ve bulk wurtzite yapısını koruduğu
gözlemlenmiştir [43].Şekil 1.7’ de çinko oksitin kristal yapısı gösterilmiştir.

Şekil 1.7.ZnO’nun hexagonal wurtzite kristal yapısı [43].

1.3.5.Çinko Oksitin Mekanik Özellikleri

Bir malzemenin mekanik özelliklerini bilmek için o malzemenin Young ve bulk

(yığın) modülü, sertlik, katılık, piezoelektrik sabitleri, güç verimi gibi özelliklerini
bilmek gerekir [39].Çinko oksit yumuşak bir malzeme olup, mohs skalasında yaklaşık
olarak 4,5 sertliktedir. III-V grubu yarıiletkenlerin elastik sabitleri ile, ZnO’nun elastik
sabitleri kıyaslandığında ZnO’in daha küçük olduğu gözlemlenmiştir. Çinko oksit’i
seramikler için faydalı olmasının sebebi; yüksek ısı kapasitesi, düşük ısısal genleşme ve

21
yüksek erime sıcaklığıdır. Tetrahedral yapıda bağlanmış yarıiletkenler arasında ZnO en
yüksek piezoelektrik tensöre sahip olduğu gözlenmiştir. Bu özellik ile çinko oksit
teknolojik olarak büyük bir elektromekaniksel kuplaj gerektiren bir çok piezoelektrik
uygulamalarında kullanılabilmektedir [44].

1.3.6.Çinko Oksitin Manyetik Özellikleri

Çinko oksit’in ferromanyetik özellik için umut vaad eden bir meteryal olduğu
tespit edilmiştir. ZnO’te mangan’ı katkı maddesi olarak kullanılarak, oda sıcaklığında
boşluk aracılığı ile ferromanyetik düzenleme teorik olarak bulunmuştur. ZnO ince
filmlerde deneysel olarak Sharma et.al. tarafından rapor edilmiştir. Ayrıca çinko oksit’e
ferromanyetizma Fe ve Co katkı maddesi olarak kullanılarak da tespiti yapılmıştır. Kısa
dalga boylu manyeto-optik cihazlarda ZnO mükemmel bir malzeme olarak göz önüne
alınmaktadır. Bu tarz çalışmalarda nano kabloların nano boyutta spin tabanlı cihazlarda
manyetik ZnO kullanımı mümkün kılacaktır [45].

1.3.7.Çinko Oksitin Elektriksel Özellikleri

Saf ZnO renksiz ve geçirgen olup, ZnO oda sıcaklığında yaklaşık 3,3 eV yasak
enerji aralığına sahip bir malzemedir. Yüksek yasak enerji aralığına sahip olmasından
dolayıdaha düşük elektronik gürültü, daha yüksek kırılma voltajı, büyük elektrik
alanlara dayanma kabiliyeti, yüksek sıcaklık ve yüksek güç operasyonları gibi
avantajlara sahiptir. ZnO farklı metal oksitler ile alaşım yapılarak bant aralığını başka
bir değere (̴ 3-4 eV )ayarlanabilir [44].

Bütün yarıiletken oksit filmler ve ZnO, bilinçli katkılanmadan genellikle n-tipi

iletkenliğe sahiptirler [40-44].Stokiyometrik sapmadan dolayı bu filmler yüksek
iletkenliğe sahiptirler. Bu filmlerdeki iletkenlik elektronları, kimyasal indirgenme ile
oluşan verici seviyeleri, fazla metal iyonları ve oksijen boşlukları ile sağlanır. İletkenlik
yapılan katkılandırma ile artırılır [40].

ZnO’nun kontrollü bir şekilde p-tipi katkılama işlemi oldukça zordur. Bunun
nedeni çok miktardaki n-tipi safsızlıklarla dengelenmesinden veya p-tipi katkılayıcıların
düşük çözünürlüğünden kaynaklanmaktadır. İşte bu şekildeki p-tipi katkılamadaki
sınırlamalar, ZnO’nun opto elektronik ve elektronik uygulamalarını sınırlamaktadır
[44].

22
 ZnO’nun elektriksel iletkenliği örgü arası boşluklarda bulunan Zn fazlalığı veya
oksijen boşlukları gibi iç kusurlar ve farklı katkı malzemesi katkılandırılarak ZnO’da
oluşan dış kusurlardan kaynaklanmaktadır [40].

ZnO elektriksel özellikleri açısından oda sıcaklığında 3,3 eV geniş bant aralığına
sahip, II-VI grup n-tipi yarıiletken bileşiklerden olup yüksek elektriksel iletkenliğe,10-3-
10+5Ωcm arasında elektriksel dirence ve görünür bölgede yaklaşık %80-%90 arasında
bir optik geçirgenliğe sahiptir [40].

1.3.8.Çinko Oksitin Optik Özellikleri

Çinko oksit iyi bir şeffaf yarıiletken malzemedir [41].Son zamanlarda merak
uyandıran bu malzemelerin kaplanması nispeten ucuzdur ve keskin bir UV soğurma
bölgesine sahiptirler [46].Ayrıca çinko oksit nanoyapıların fotonik cihaz uygulamaları
için kendine özgü optik özellikleri yoğun bir şekilde çalışılmıştır. Çinko oksit nano
çubukların fotolüminans spekturumuna bakıldığında uyarımlı salınım yaptığı
gözlenmiştir. Yapılan çalışmalarda yeşil-sarı emisyon bandı, 380 nm’de banttan banda
geçişten kaynaklanan kuvvetli emisyon piki ve O (oksijen) boşluklarından dolayı
gözlenmiştir. ZnO’nun hacim yapısı bu sonuçlar ile tutarlıdır [41].

Çinko oksit nano kabloların UV emisyonu için umut verici materyal olduğunu
fotolüminans spekturumu göstermektedir. Bundan dolayı çinko oksit’in UV lazer
özelliği önemli bir araştırma konusu olmuştur [45].

ZnO nano çubuk büyük kırıcılık indisi (̴ 2.0) ve silindirimsi geometrisinden dolayı
doğal bir optik dalga kılavuzu adayıdır ve oda sıcaklığındaki UV lazerleri elde etmek
için ZnO nano çubuk dizileri ümit verici bir materyaldir. Yüksek kristal kalitesinin daha
düşük eşik değerleri sağlayacağı ve 40 kW\cm2 ̴ 10 Kw\cm2eşik gücünde lazerler rapor
edilmiştir. ZnO nano yapıların opto elektronik ve entegre devrelerini de kullanacak
potansiyele sahip olduğu, son yapılan araştırmalar tarafından gösterilmektedir [41].

ZnO ince filmler iletken, 0,4–2 µm dalga boyu arasında şeffaf ve IR-yansıtıcı
kaplamalar için uygulamalarda araştırılmaktadır. Çinko oksit ince filmlerin katkılı ve
katkısız hallerinin optik özellikleri bir çok araştırmacı tarafından araştırılmıştır. ZnO
ince filmlerin geçirgenliği %85 civarındadır [46].

23
1.3.9.Çinko Oksitin Kullanım Alanları

Endüstride ve birçok araştırma çalışmalarında saydam ve iletken ince filmlerin

kullanım alanlarının oldukça geniş olmasından dolayı bu alanlarda çalışmalar
yoğunlaşmıştır. Çinko oksit ve çinko oksit esaslı ince filmlerin benzer özellik gösterdiği
tespit edilmiş ve bu malzemelerin maliyeti düşürüp farklı bir alternatif malzeme olarak
benzer uygulama alanlarında kullanılabileceği görülmüştür [36].

Güneş pilleri, güneş ısı kolektörleri ve gaz sensörleri gibi elektronik cihazların
kızılötesinde yüksek yansıtıcılık ve güneş spektromunda yüksek oranda saydam
malzeme olduklarından dolayı kaplamaların bu elektronik cihazlarda çok yaygın olarak
kullanım alanlarına sahip olması bu malzemelerin yapısal özellikleri ve film
oluşturmalarına ilişkin araştırmalarda oldukça çekici kılmaktadır [36].

Çinko oksit yaygın olarak yapıştırıcılar, boya malzemeleri, melhemler,

yağlayıcılar, lastikler, seramikler, plastikler, sızdırmazlık maddeleri, cam, çimento, diş
dolgu malzemesi, kauçuk, Zn besin kaynaklı yiyecekler, pigmentler, piller vb. gibi
birçok ürünün katkı maddesi olarak kullanılmaktadır [17-40].

Çinko oksit mühendislikte sıvı kristal ekranlardaki trasparan elektrotlarda geniş

band aralığı, oda sıcaklığında yüksek lüminesans özelliği yüksek geçirgenlik ve elektron
mobilitesine sahip olduğundan dolayı ve ayrıca enerji depolama özelliği ile de ısı
koruyucu pencerelerde kullanılır [40].

1.4. Karbon Esaslı Malzemeler

1.4.1. Grafen

Simgesi C, atom ağırlığı 12,011 g/mol, 6 elektronlu, tüm canlıların ana maddesi
olarak bilinen karbon, periyodik çizelgenin 4A grubunda yer alır [2-3]. Karbon 4A
grubu elementleri içerisinde en hafifi en az metalik olanıdır ve yer kabuğunda bulunan
6. elementtir [2]. Karbon atomlarının farklı şekillerde bağlanmaları sonucunda, farklı
özelliklere sahip yapılar oluşur. Bunlara örnek olarak günlük hayatta çok iyi bilinen
elmas ve grafitin (kurşun kalem) yanı sıra karbon nanotüp, fulleren ve grafen gibi farklı
allotropları bulunmaktadır. Karbonlar sadece kendi aralarında kovalent bağla bağlanıp
elektron sayısına göre 3 farklı şekilde (sp, sp2, sp3) bağlanma gösterirler. Karbonun

24
farklı allotroplarından olan elmas ve grafit 3 boyutlu (3D), grafen 2 boyutlu (2D) ve
nanoyapı olarak adlandırılan karbon nanotüpler 1 boyutlu (1D) ve fulleren 0 boyutlu
(0D)’dur [3].Şekil 1.8’de karbon allotroplarının yapıları gösterilmiştir.

Şekil 1.8. Karbon allotropları olan fulleren, karbon nanotüp, grafen, elmas ve grafitin yapıları [3].

Karbon atomları sp3 hibritleşmesi şeklinde bağlanarak her karbon atomunun

çevresinde bulunan 4 karbon atomuyla düzgün dörtyüzlü geometri oluşturarak karbonun
üç boyutlu (3D) allotropu olan elması meydana getirir. Elmas ortaklaşa bağlarla
bağlanması ve karbon-karbon bağının yüksek dayanıklılığından dolayı bilinen en sert
maddedir. Düşük elektrik iletkenliğine sahip olup endüstriyel aletlerde ve birçok ziynet
eşyalarında kullanılmaktadır [3].

Karbonun üç boyutlu allotroplarından olan grafit, 1789’da Grekçe’deki

“graphein” kelimesinden Abraham Gottlob Werner tarafından türetilmiştir [2]. Grafit,
grafen tabakalarının üst üste gelerek aralarında zayıf Van der Walls etkileşimi ile
bağlanması sonucu oluşur. Bu etkileşim oldukça zayıftır. Bu nedenle yassı levhalar
şeklinde oluşan bu tabakalar birbiri üzerinde kolaylıkla kayabilmektedir [3]. Grafiti
oluşturan karbon atomları sp2 hibritleşmesi şeklinde, altıgen (hekzagonal) tabakalar
birbirine 0,142 nm uzunluktaki bağlarla bağlanmışlardır. İki düzlem arası uzaklık 0,335
nm’dir [2].Şekil 1.9’da grafitin örgü yapıları gösterilmiştir.

25
 Şekil 1.9. Grafitin örgü yapıları [2].

Yumuşak bir malzeme olan grafit kağıt üzerine sürtülünce zayıf bağlar kırılır ve
kağıda yayılan grafit tabakaları kağıt üzerinde yazı izlerini oluşturur. Çok iyi bir iletken
olan grafit aynı zamanda yüksek sıcaklıklara dayanabilen ve sıcaklığı arttırıldıkça
mekanik özelliği arttığı bilinen tek malzemedir. Bu özelliğinden dolayı grafit elektrot
yapımında kullanılmaktadır [3].

Karbonun başka bir allotropu olan fulleren, 1984’te Richard Smalley ve

arkadaşları tarafından grafiti lazer ile buharlaştırıp karbonu top şeklinde kafesler
oluşturduğu ilk kez bulunmuştur. Bulunan bu karbon topları 1985 yılında Harold Kroto,
Richard Smalley ve arkadaşları tarafından izole edilerek fulleren keşfedilmiştir. Bu
keşiflerinden dolayı R. Smalley ve arkadaşları kimya alanında 1996’da Nobel ödülüne
layık görülmüşlerdir (Kroto et al. 1985). Silindirik, içi boş ve halkasal yapıda olan
fullerenler düzlemsel olarak altı karbon atomunun birbiriyle bağlanması sonucu oluşur.
Futbol topu görünümüne sahip olan fullerenlerin en küçük boyutu C60’tır. Karbon
atomlarının uzun zincirler oluşturup bağ yapımında kullanılmayan 2 elektronu ile 4
valans elektronu arasındaki enerji farkının fazla olmasından dolayı, fullerenin farklı
fiziksel ve kimyasal özelliklere sahip olması karbonun sadece bağlanma değişikliğinden
kaynaklanmaktadır. Aynı zamanda geniş bir uygulama alanına sahip olan fulleren
basınca karşı dayanıklı ve yalıtkandır [3].

Karbonun diğer bir allotropu ise ilk olarak 1991 yılında ortaya çıkan nanotüplerdir
(Iijima et al. 1991). Karbon nanotüp yapı Şekil 1.8’de gösterilmiş olup grafen yapısının

26
bir silindirik şekilde sarılması ve uçlarının ise küresel bir silindir kapağı ile
kapatılmasıyla elde edilir. Karbon nanotüplerin kendine has elektriksel iletkenliğe sahip
olmaları, bilinen en dayanıklı fiber olması, hafif olması ve yüksek elastik yapıya sahip
olmasının yanı sıra atomların dizilişine göre elektriksel özellikleri de değişmektedir.
Bundan dolayı karbon nanotüpler en çok çalışılan malzemeler arasında bulunmaktadır
[3].

Bir diğer karbon allotropu ise bilimde oldukça ilgi uyandıran grafendir. Grafenin
temel yapısı kullanılarak farklı dizilimleri ile fulleren, karbon nanotüp ve grafit gibi en
çok bilinen malzemeleri geliştirilebilmektedir. Grafen tabakalarının üst üste istiflenmesi
ile üç boyutlu grafit, küresel halde yuvarlanması ile sıfır boyutlu fulleren ve silindir
şeklinde katlandığında ise bir boyutlu karbon nanotüpler oluşmaktadır. Karbon
allotroplarının özelliklerinin kıyaslanması Tablo1.2’de verilmiştir [3].

Tablo 1.2. Karbon allotropları olan grafen, karbon nanotüp, grafit ve fullerenin özelliklerinin
kıyaslanması [3].

Karbon
Özellik Grafen Grafit Fulleren
Nanotüp
Yüzey alanı(m2/g) 2.630 1.315 10 5
Termal >3.000 (çok
5.000 3.000 0,4
iletkenlik(W/mK) duvarlı knt)
15.000 SiO
Mobility
üzerinde 200.000 100.000 13.000 0,56
(cm2/Vs)
serbest halde
Young modülü(TPa) 1 0,64 1,06 0,01

Optik geçirgenlik(%) 97,7 - - -

1.4.1.1. Grafenin Yapısı ve Özellikleri

Grafene duyulan ilgi oldukça geç olsa da 1946 yılında grafenin elektronik
özellikleri araştırılmaya başlanmıştır. Wallace ilk grafen çalışmalarından birin
yapmıştır. Wallace “tek katmanlı yapı” dediği grafen çalışmasında grafenin enerji-band
yapısını incelemiş ve bu çalışmasını üç boyutlu grafitin elektronik özelliklerini
anlamaya çalışmakta kullanmıştır (Wallace et al.1947). 1960’lı yıllarda grafen ile ilgili
deneysel çalışmalar başlamış ve katkılanmış grafenin düzlem içi elektriksel
iletkenliklerinin grafite göre çok daha yüksek olduğu keşfedilmiştir. 1960 yılında

27
Hanns-Peter Boehm tarafından tek tabaka karbon anlamına gelen grafen terimi
verilmiştir. Grafen maddesi ilk olarak 2004 yılında, Manchester Üniversitesi’nden
Andre Geim ve Konstantin Novoselov isimli iki bilim adamının 17 atom kalınlığında
saf grafen tabakasını izole etmesi şeklinde keşfedilmiştir. A. Geim ve K. Novoselov
çifti selobant yöntemi kullanarak grafitten küçük bir parça grafen katmanını kaldırarak
onlarca yıldır süren grafenin varlığına dair tartışmaları bitirmiştir [4]. 2010 yılında bu
iki bilim insanı Nobel ödülü almıştır. Grafen yayın sayısının yıllara göre dağılımı Şekil
1.10’da gösterilmiştir [2].

Şekil 1.10. Grafen yayın sayısının yıllara göre dağılımı [2].

Karbonun iki boyutlu allotropu olan grafen, altıgen bal peteği örgüsü şeklinde
sıkıca paketlenmiş sp2 hibritli karbon atomlarının düz tek tabakası olarak
tanımlanmaktadır [4]. Grafende sp2 hibritleşmesi 2s, 2px, 2py orbitallerinin
birleşmesiyle oluşur ve bu orbitaller 120 ° derecelik açı ile bir çizgi boyunca
yönlendirilir ve böylece grafenin altıgen örgü yapısı meydana gelmiş olur [47]. Grafeni
oluşturan her bi karbon atomu, komşu diğer üç karbon atomu ile bağ yapar ve bu
karbon-karbon bağ uzaklığı 1,42 Angstromdur. Literatürde bu bağlar σ bağları olarak
adlandırılır ve bu bağlar oldukça kuvvetlidir. Bundan dolayı dünyada en sağlam
malzemelerden birisi olarak grafen gösterilebilir. Grafen tabakalarının üst üste
gelmesiyle meydana gelen grafitte iki grafen tabakası arasındaki mesafe ise yaklaşık
3,35 Angstromdur ve tek atom kalınlığındaki grafen tabakası başka bir grafen
tabakasına zayıf Van der Walls kuvveti ile bağlıdır. Bu nedenle bu tabakaları

28
birbirinden ayırmak oldukça kolaydır. Bu duruma verilecek en güzel örnek, günümüzde
de çok kullanılan kurşun kalemi kağıda sürtünce kurşun kalemin içeriğini oluşturan
grafit katmanları arasındaki bu zayıf bağlar kırılır ve kağıda yayılan grafen ve grafit
tabakalar yazı izlerini oluşturur. Sağlam ve sert bir malzeme olan grafen aynı zamanda
oldukça esnek bir yapıya da sahiptir [5].

Grafene olan ilgi her geçen gün daha da artmaktadır. Bu ilginin nedeni atomik
kalınlıktaki bu malzemenin sahip olduğu mükemmel mekanik, ısıl, optik, elektronik ve
elektrokimyasal özelliklerdir. Grafen çok yüksek ısıl ve elektrik iletkenliğine ve yüksek
optik geçirgenliğe sahiptir. Atomik kalınlıkta olması nedeniyle evrendeki en ince ve
bilinen en yüksek mekanik dayanıma, kimyasal kararlılık, mükemmel termal iletkenlik,
büyük ve sipesifik yüzey alanına sahip bir malzemedir [4].

1.4.1.2. Grafenin Atomik Yapısı

Grafenin kristal yapısı yüksek çözünürlük Roman ve Rayleigh mikroskobi

yöntemi ile incelenmiş ve grafenin bal peteği örgüsündeki şekli ispatlanmıştır
[48].Aşağıdaki Şekil 1.11.a’ da epitaksiyel olarak SiC alttaşı üzerinde büyütülmüş
grafenin elektron kırınım deseni ve Şekil 1.11.b’de ise yine aynı alttaş üzerinde
büyütülmüş grafenin taramalı tünelleme mikroskobu görüntüsü gösterilmektedir [49].

Şekil 1.11.(a)’da 6H-SiC (0001) alttaş üzerine epitaksiyel olarak büyütülmüş grafenin elektron kırınım
deseni (b)’ de 6H-SiC (0001) alttaş üzerine epitaksiyel olarak büyütülmüş grafenin 5x5
nm2’lik taramalı tünelleme mikroskobu görüntüsü [49].

Grafen bal peteği örgü yapısına sahip olup iki tane iç içe geçmiş üçgen şeklinde
alt örgüden oluşur. Bu alt örgünün atomları, diğer bir örgünün merkezinde konumlanır

29
ve böylece grafen birim hücresinde iki tane karbon atomundan oluşur. Ayrıca bu yapı
120°’lik bir ters simetriye sahiptir. Grafeni oluşturan bu karbon atomlarının her biri bir
tane s ve üç tane p orbitaline sahiptirler. Bu orbitallerden s ve iki tane p orbitali kovalent
bağ oluşturarak yapının sağlamlığından sorumlu olurlar. Geriye kalan bir tane p orbitali
ise ters simetriden yoksun ve molekül yapıya diktir. Ayrıca bu son p orbitali
melezleşerek π (değerlik) ve π* (iletim) bantlarını oluşturur. Grafen ilginç elektronik
özelliklere boşta kalan bu p orbitali ile sahip olur ve grafitteki farklı grafen tabakaları
zayıf Van der Walls bağlarını oluşturarak birbirine bağlanmasını sağlar [50].

Grafenin örgü yapısının şematik hali aşağıdaki Şekil 1.12’de gösterilmiştir [5].

Şekil 1.12. (a)Bir karbon atomu için grafenin elektron bulutunun gösterimi. Grafenin gerçek uzayda örgü
vektörlerinin tanımı gösterilmiştir. (b). 𝑎⃗ 1 ve 𝑎⃗ 2örgünün birim vektörleridir. 𝛿⃗ 1, 𝛿⃗ 2ve 𝛿⃗ 3en yakın
komşu vektörleridir. Grafenin örgü yapısının şematik gösterimi.(c) Grafenin örgüsüne karşılık gelen
Brillouin bölgesi ve Dirac noktaları (K ve K’)Brillouin bölgesinin köşelerinde konumlanmıştır [5].

Grafenin örgü öteleme vektörleri,

a1 
a
2
3, 3, 0  a2 
a
2

3,  3, 0  (1.25)

Grafenin ters örgü vektörleri,

2 2
b1 
3

1, 3, 0  b2 
3

1,  3, 0  (1.26)

Şeklindedir ve bu denklemlerde verilenler, grafenin birim hücresindeki iki karbon

atomu arasındaki mesafedir. Brillouin bölgesi K ve K’ ile gösterilmiş olup, grafenin
taşıma özellikleri bakımından ayrı bir öneme sahiptir. K ve K’ noktalarının konumları,

30
  2 2   2 2 
K  , , 0 K   ,  , 0 (1.27)
 3a 3 3a   3a 3 3a 

Şeklindedir ve bu noktalar Dirac noktaları olarak da adlandırılmaktadır [5].

1.4.1.3. Grafenin Elektronik Özellikleri

Teorik ve deneysel açıdan grafen, sıfır band aralığına sahip olmasından dolayı
mükemmele yakın bir elektronik iletken malzemedir [51]. Ayrıca grafenin elektriksel
alan etkisi sergilemesi bu malzemeye olan ilgiyi arttırmıştır. Elektriksel alan etkisine
sahip olması grafenin bir transistör olarak kullanılacağı anlamına gelmektedir [52].

Grafen sentezi her ne kadar yakın bir geçmişte gerçekleşmiş olsa da elektronik
özelliklerinin araştırılması ile ilgili çalışmalar 1947 yılına dayanmaktadır. Wallace, o
yıllarda sıkı-bağ yaklaşımını kullanarak, grafitin elektronik enerji bantlarının yapısını ve
Brillouin bölgelerini araştırmış ve araştırmasına da “tek bir altıgen katman” diye
belirttiği grafen yapısını ele alarak başlamıştır [49].

Grafende hem elektronlar hem de deşikler taşıyıcı olabilir. Geçit gerilimini

değiştirerek bir grafen alan etkili transistor de taşıyıcı tipi kontrol edilebilir. Grafende
Şekil 1.13’de de görüldüğü gibi valans ve iletim bantları huniye benzemektedir [51].
Wallace tarafından hesaplanan π valans ve π* iletim bantları Dirac veya nötr noktası
diye adlandırılan altı noktaya temas eder [5]. Dirac noktalarında, hem deşiklerin hem de
elektronların sayısı eşittir fakat taşıyıcıların yükleri zıt olduğundan dolayı, bu noktalar
yüksüzdür. Bundan dolayı bu noktalarda iletim minimum değerini alır ve bu yüzden
Dirac noktaları minimum iletim noktası olarak da adlandırılır [51].

31
Şekil 1.13. Grafenin elektronik bant yapısı. Sağda ki şekil 6 adet Dirac noktasından birinin
yakınlaştırılmış bir görüntüsüdür [5].

Enerji dağılım ilişkisi grafende Dirac noktalarının yakınında lineerdir. Bu

özellikte grafene oldukça yüksek mobilite ve kütlesizlik özellikleri kazandırmıştır.
Yapılan bir çalışma ile (Bolotin et al. 2008) yoğunluğu yaklaşık olarak 2x1011 cm-2
sahip askıda bırakılmış tek katmanlı grafenin mobilitesi 200,000 cm2V-1s-1 olarak
bulunmuştur [53].

Diğer bir dikkat çeken özellik ise grafen ve grafenin yapısı üzerindeki kenar
durumlarıdır. İdeal bir grafen sonlu olduğundan dolayı, grafenin elektronik özellikleri
üzerinde kenar durumları oldukça etkilidir (Neto vd. 2009). Olası iki kenar türü olan
koltuk-tipi (mavi) ve zikzak (kırmızı) ve bu iki türün kombinasyonundan oluşan
yuvarlak delik kenarı Şekil 1.14’de gösterilmiştir [47].

Şekil 1.14. Grafende kenarların yuvarlak, koltuk tipi ve zikzak türleri [47].

32
 Yoğun madde fiziği alanında bir grafenin kenarına ilişkin elektronik durumlar çok
çalışılan konulardandır (SonI vd.2006, SonII vd. 2006, Han vd. 2007, Yang vd. 2007,
Moghaddam vd. 2007).

Spin polarize kenarlar olarak kendini gösteren zikzak kenarlı grafen yapılar
yarıiletken olabilir ve bu özellik grafenin elektrik ve manyetik özelliklerini etkiler (Jung
2009).

Grafenin üstün elektriksel özellikleri ele alındığında, gelecek nesil elektronik

devreler için bir potansiyel malzeme olduğu görülmüştür [5].

1.4.1.4. Grafenin Mekanik Özellikleri

Grafende karbon-karbon bağları arasında güçlü kovalent bağlar olduğundan

dolayı grafen tabakaları olağanüstü mekanik özelliklere sahiptir [51]. Ancak klasik
mekanik testler ile grafenin mekanik özelliklerini belirlemek mümkün değildir. Bir
malzemenin mekanik özelliklerini belirlemek için iki parametre gereklidir. Bunlardan
birincisi elastik modülü diğer bir parametre ise kopma gerilimidir [53]. Grafen
tabakalarının üst üste dizilmesi ile grafiti oluşturan bu tabakalar arasında zayıf Van der
Walls bağı bulunmaktadır. Bundan dolayı grafit yapısına küçük bir kuvvet
uygulandığında grafen tabakaları birbiri üzerinden kayarak grafit yapısını bozabilir [51].

Kendi içinde dalgalı bir yapıya sahip olan grafen, bu sayede esneklik özellik
kazanmış ve bu yapı grafenin mekanik özelliklerine katkı sağlamıştır. Grafenin hem iki
boyutlu olması hem de dalgalı bir yapıya sahip olmasından dolayı yüzey alanı oldukça
fazladır [54].

Malzemelerin mekanik özelliklerinin bilinmesi, aygıt kontrolünde ve nanografen

yapıların tasarlanmasında çok önemlidir [51]. Bu nedenle, birçok araştırmacı tek tabaka
grafenin üretilmesinin ardında özellikle mekanik özelliklerinin belirlenmesi için Atomik
Kuvvet Mikroskobu ile çalışmalara başlamıştır [51-53]. Yapılan bir çalışmada grafenin
gerçek gerilmesi 130 GPa, elastik modülü 1 TPa ve grafenin kopmadan %25
esneyebileceği ölçülmüştür. Grafenin mekanik özelliklerinin sıcaklığa ve boyutuna
bağlı olarak değişiklik gösterdiği gözlemlenmiştir. AFM ile grafenin mekanik
özelliklerinin belirlenmesinin şematik gösterimi Şekil 1.15’te gösterilmiştir[53].

33
 Şekil 1.15. Atomik Kuvvet Mikroskobu ile grafenin mekanik özelliklerinin belirlenmesi [53].

Grafenin karboksil, epoksi, hidroksil grupları içeren formu olan grafen oksitin de
Atomik Kuvvet Mikroskubu (AFM) ile mekanik özellikleri belirlenmektedir. İki ve üç
tabakalı grafen oksitin elastik modülü Suk et al. 2010, tarafından yapılan çalışmada
sırasıyla yaklaşık 223,9 GPa ve 229 GPa olarak ölçülmüştür [53].Tablo 1.3’te çeşitli
malzemelerin young katsayıları verilmiştir.

Tablo 1.3. Çeşitli malzemelerin Young katsayıları [ 51].

Malzeme Young Katsayısı (GPa)

Lastik (Küçük gerinimli) 0,01-0,1
Teflon 0,5
Naylon 3-7
Meşe odunu (Damarlı yüzey boyunca) 11
Yüksek kuvvetli beton (Yüksek basınç altında) 30
Alüminyum alaşımı 69
Cam 65-90
Titanyum (Ti) 105-120
Bakır (Cu) 110-130
Silisyum (Si) 150
Dövme demir ve çelik 190-210
Tungsten (W) 400-410
Silisyum karbür (SiC) 450
Elmas 1050-1200
Tek duvarlı karbon nanotüp (SWNT) 1000
Grafit / Grafen (Düzlem içinde) 1000

34
1.4.1.5. Grafenin Termal İletkenliği

Bir malzemenin ısıyı iletme yeteneğine termal iletkenlik (K) denir ve termal
iletkenlik Fourier Kanunu ile hesaplanır. Termal iletkenlik katılarda genellikle akustik
fononlar ile sağlanırken metallerde yüksek konsantrasyonlarda serbest elektronlar (Ke)
ile sağlanır. Karbon malzemelerin termal iletkenliği ise fononlar (Kp) ile gerçekleşir.
Grafen ve elmasın termal iletkenliği ̴ 2000 WmK-1‘ken amorf karbonun termal
iletkenliği ̴ 0,01WmK-1‘dir [53]. Yığın haldeki en iyi ısıl iletkenlik oda sıcaklığında ̴
3000-3500 WmK-1olup karbon nanotüplerin ısıl iletkenliğidir. Karbon temelli
malzemelerin ısıl iletkenlikleri ve bunları etkileyen parametreler Şekil 1.16’da şematik
olarak gösterilmiştir [55].

Şekil 1.16. Karbon allotroplarının (ultrananokristal elmas (UNCD), karbon nanotüp (CNT), monokristal
elmas (MCD), ultrakristal elmas (UCD), elmas benzeri karbon (DLC), amorf karbon, grafit ve grafen) ısıl
iletkenlikleri ve iletkenliği etkileyen önemli parametreler [55].

Grafenin termal iletkenliği tabaka sayısı artışı ile değişmekte olup tabaka sayısı
arttıkça grafenin termal iletkenliği azalmaktadır. Şekil 1.17‘de grafenin tabaka sayısına
bağlı olarak termal iletkenliğindeki değişim gösterilmiştir [55].

35
 Şekil 1.17. Grafende ısıl iletkenlik katsayısının tabaka sayısına bağlı olarak ölçülen ve hesaplanan
değerleri [55].

1.4.1.6. Grafenin Optik Özellikleri

Grafenin inanılmaz derecede dayanıklı ve iletken olmasının yanı sıra oldukça

yüksek ışık geçirgenliği nedeniyle çalışmak için çok cazip bir malzemedir. Fotonlar
grafenin içinden ince olduğu için kolaylıkla geçebilmektedir. Ayrıca şaşırtıcı derecede
grafen tek bir atom kalınlığında olmasına rağmen, yüksek soğurma miktarına sahiptir
[51]. İdeal grafen kalınlığının değeri 0,34 nm’dir. Grafeninbu kalınlık değerine
bakıldığında optik mikroskopta zor görülebileceği düşünülmüştür. Grafen tabakalarının
görülebildiğine dair yapılan ilk çalışmalarda, görülebilirlik kesin bir şekilde dielektrik
tabakanın kalınlığına bağlanmış, hatta dielektrik tabaka kalınlığı 300 nm yerine 315 nm
(yani %5’lik bir farkla bile) seçildiğinde tek tabaka grafenin görülemeyeceği ileri
sürülmüştü. Fakat Singapore Üniversitesi’nden G. Teo ve ark. 2008 yılında yaptıkları
çalışmayla bu durumun böyle olmadığını hem deneysel hem de teorik olarak
kanıtlamışlardır. Yaptıkları deneylerinde farklı kalınlıkta dielektrik katlı altlıkların
üzerinde tek tabak grafenin görülebileceğini kanıtladırlar [52].

36
 Şekil 1.18. Işığın Si/SiO2 alttaş üzerindeki grafen tabakasından yansıması [52].

Grafenin görülebilmesinin esas nedeni, alanın yüzeyi ile alandan depolanan

kontrast farklılığındandır. Tek tabaka grafenin çoğu metal ve yarıiletkenlerin üzerinde
de görülebildiğini yaptığı deneysel gözlemlerde ortaya koymuştur [5].

Grafenin kendine özgü yapısı ve yüksek ışık geçirgenliğine sahip olmasından

dolayı tek tabaka grafenin ışık geçirgenliğinin %97,7 olduğu gözlenmiştir [55].Grafen
üzerine gelen beyaz ışığın %2,3’ü bir tek tabak grafen tarafından soğurulur [5]. Tek bir
karbon atomu kalınlığındaki grafen göz önüne alındığında bu soğurma değeri oldukça
dikkat çekicidir [55]. Şekil 1.18’de ışığın Si/SiO2 alttaş üzerindeki grafen tabakasından
yansıması gösterilmiştir.

Işığın emilimi tabaka sayısının artmasıyla, giderek artar ve her bir tabakanın
emilimini, Fresnel denklemleri kullanılarak ışık geçirgenliği (T) elde edilmiştir [5].

T=(1+πα/2)-2≈1-πα≈0.977 (1.28)

Burada α ince yapı sabitidir (α ≈ 1/137). Tabaka sayısın artması grafenin

görülebilirliğini daha da arttırmaktadır. Grafenin içerisindeki elektron-boşluk çifti,
grafenin yüzey üzerindeki ışığın emilimi ile oluşmaktadır. Bu elektron ve boşluklar bir
dış alan uygulandığı zaman ayrılarak foto akımı oluşturmaktadır. Benzer bir davranışta
bir iç alan uygulandığında oluşmaktadır. Grafenin bir diğer özelliği de foto ışıldanım
yapmasıdır ve grafenin ışıldanım yapması, uygun bir band aralığında mümkündür
[5].Şekil 1.19’da grafenin farklı tabaka sayılarına ait optik görüntüsü gösterilmiştir.

37
 Şekil 1.19. Grafenin farklı tabaka sayılarına ait optik görüntüsü [5].

Grafenin elektriksel ve optiksel özelliklerinin birleşmesi ile optoelektronik ve

fotonik uygulamalar için yeni bir yol açılmıştır. Grafenin bu özellikleri sayesinde
dokunmatik ekran, fotodedektör, optik sınırlayıcılar ve ışık yayan devreler gibi
devrelerde kullanılması mümkündür [52].

1.4.1.7. Grafenin Fiziksel Özellikleri

Grafenin fiziksel özellikleri incelendiğinde; Dalgalı bir yapıya sahiptir. İki

boyutlu düzlemsel bir halde durabilmesi için fonksiyonelliğe ve substrata (alt zemin)
ihtiyaç duyar. Herhangi bir döndürme işlemi yapılmadan karbon nanotüpler kadar güçlü
elektronik özelliklere sahiptir. Ayrıca daha az hacimsel yer kaplar. Kullanımları karbon
atomlarının küçüklüğünden dolayı avantajlıdır. Kristal yapısı düzenlidir. Kimyasal
olarak bakıldığında çok reaktif değildir. Yüksek transparanlık, termal iletkenlik ve
gerilme direncine sahiptir [2].

1.4.1.8. Grafenin Kullanım Alanları

Grafenin uygulama alanları arasında; şeffaf iletken elektrotlar, hidrojen

depolama aygıtları, kompozit malzemeler, kapasitörler (elektrik depolayan
ultrakapasitörler), transistörler, sensörler, bataryalar (şarj ömrü uzun pil malzemeleri),
ısı transfer malzemeleri, yakıt hücreleri, entegre devre elemanı tasarımı, adsorbent,
karbon nanotüp ve fulleren yapımında, led ve oled ekranlar sayılabilir [2].Grafen

38
materyallerinin fonksiyonellik kazandırıp geliştirilmesi ile kompozit alandaki kullanımı
hızla artış göstermektedir [3].

Grafenin ilk uygulama alanı olarak akla gelen uygulanası grafen kullanılarak elde
edilmiş olan transistörlerdir. Dr.K.Novoselov ve Andre Geim en fazla elli atom
genişliğinde ve bir atom kalınlığındaki grafen transistörü geliştirdiler. Grafenin Alan
Etkili Transistör (FET, Feild Effect Transistor) yapımında,dik yöndeki elektrik alana
verdiği tepkiden dolayı kullanılması uygundur [4].Günümüzde yapılan silikon
transistörlere göre grafen transistörlerin daha hızlı olacağı ön görülmüştür [50].

Grafen, sağlam olduğu kadar iyi de elektrik tutmakta ve bu özelliğinden dolayı pil
teknolojisinde devrim yaratması beklenmektedir. İnanılmaz derecede şarj ömrünü
uzatacağı düşünülmektedir. Normal pillerden daha güçlü elektrik depoları olan
ultrakapasitörleri, grafen tabanlı olarak imal edilmiş ve üretilen ultrakapasitörlerin
normal bir ultrakapasitörün iki katı kapasiteye sahip olduğu gözlemlenmiştir. Kang ve
grubu grafen temelli kimyasal sensörler için, dönüşümlü ve kare dalga voltametri
tekniklerini kullanarak mükemmel elektrokatalitik aktivite gösterdiğini ve grafen
modifiye elektrotun elektrokimyasal davranışını incelemişlerdir. Grafen geniş yüzey
alanına sahip olmasından dolayı biyosensörler için uygun bir elektrot malzeme ve
sensör gibi bir çok uygulama alanına sahiptir [4].

Grafen aynı zamanda mükemmel elektriksel iletkenliğinden dolayı elektriksel ve

elektronik cihazlarda metal iletkenlerin yerini alabileceği düşünülmektedir. Ayrıca
biyolojik (küçük ve verimli biyosensör) uygulamalarda vücuttaki iyonik sıvılarda yapısı
bozulmadığı için umut vaat etmektedir [3].

1.4.2. Grafenin Sentezleme Teknikleri ve Yöntemleri

Tek katmanlı grafenin sentezlenmesiyle ilgili ilk deneyler, grafitten yola çıkılarak
1975 yılında tek kristal platinin (Pt) yüzeyi üzerinden karbonun ayrıştırılmasıyla
gerçekleştirilmiştir (Lang 1975). Ancak uygulama başarısızlıkla sonuçlanınca çalışmaya
devam edilmemiştir. Grafen sentezi için çalışmalar uzun bir aradan sonra 1999 yılında
tekrar başlamıştır (Rokuta et al. 1999; Shioyama 2001). 2004 yılında mekanik
ayrıştırma yöntemi ile ilk grafen sentezi gerçekleştirilmiştir (Novoselov et al. 2004;
Novoselov et al. 2005). Endüstriyel ve akademik olarak bir çok grafen sentez yöntemi

39
geliştirilmiş ve geliştirilmeye de devam ediliyor [4]. Grafenin sentezleme teknikleri ve
yöntemleri Şekil 1.20’de gösterilmiştir.

Şekil 1.20. Grafenin sentezleme teknikleri ve yöntemleri [3].

1.4.2.1. Mekanik Ayrıştırma

Grafen tabakalarının zayıf Van der Walls bağları ile bağlanmasıyla grafit yapısı
oluşmaktadır. Grafen Van der Walls bağlarının kopmasıyla elde edilir. Mekanik
ayrıştırma yöntemi ile elde edilen grafen Geim ve Novoselov tarafından, grafitin
üzerine yapıştırıcı bandı (selo bant) yapıştırıp çekerek ve bu işlemi çok sayıda tekrar
ederek tabaka sayısını azaltma yoluna gidilmiştir [4]. Optik mikroskop altında
incelenmek üzere bant vasıtasıyla ayrılan tabakalar SiO2/Si alttaş üzerine alınmıştır ve
bu yöntem sayesinde 100 µm boyutlarında yüksek nitelikli grafen elde edilmiştir [52].
Mekanik ayrıştırma yöntemi ile elde edilen grafen düşük maliyette, özel ekipman
ihtiyacı olmadan sentezlenmesi, uygulaması kolay ve geçirgenlik için SiO2 ile en iyi
kalınlığın ayarlanması gibi avantajları bulunmaktadır. Ancak hassas ve zaman alıcı
olması, kullanılan banttan numune kirliliği, düşük verim ve büyük ölçekli üretim için
uygun olmaması gibi dezavantajlara da sahiptir. Toplu üretim için uygun olmayan bu
yöntem hala laboratuarlarda kullanılmaktadır. Şekil 1.21’de bu yöntemin uygulanışı
gösterilmektedir [4].

40
 Şekil 1.21. Grafenin bant yöntemi ile elde edilmesi [4].

1.4.2.2. Kimyasal Buhar Depozisyonu

Kimyasal buhar depozisyonu (CVD, Chemical vapour deposition) tekniği

kullanılarak düzlemsel birkaç katmanlı grafen sentezleme çalışması ile ilgili ilk yayın
2006 yılında Somani ve arkadaşları tarafından çıkarılmıştır. Bu yöntemde, alttaş olarak
bakır, nikel ve paladyum gibi geçiş metalleri kullanılır ( Li et al. 2009). Tavlama
fırınında alttaş olarak kullanılan metalin tavlama işlemi gerçekleştirilir. Daha sonra
hidrojen ve metan gazı geçirilerek yüksek sıcaklıkta (900 °C ile 1100 °C) hidrojenin
katalizlenmesiyle metan gazı ayrıştırılmış ve metalin yüzeyinde grafen oluşturulmuştur.
Bu teknik ile yüksek kalite ve fazla miktarda üretim mümkündür. Bu yöntemin
uygulanışı Şekil 1.22’de Cu alttaş yüzeyinde CVD tekniği ile grafenin büyümesi
şematik olarak gösterilmiştir [4].

Şekil 1.22. Kimyasal buhar depozisyonu yöntemi ile grafen sentezi [4].

41
1.4.2.3. Epitaksiyel Büyüme

Grafen sentez yöntemlerinden birisi de tek kristal SiC’ün grafitlenmesi ve metal

alttaşlar üzerinde büyütülmesi esasına dayanır (Lİ et al. 2009). Bu yöntemde Ru, Ni ve
Cu gibi bazı geçiş metalleri alttaş olarak kullanılır. Alttaş metal yüzeyinde silisyum
karbonun yüksek sıcaklıklarda ısıtılması ile silisyum atomlarının buharlaşması sonucu
kalan karbon atomları kendi aralarında grafen oluşturur [3]. Şekil 1.23’de SiC’den
grafen elde edilmesi temsili olarak gösterilmiştir.

Şekil1.23. Epitaksiyel büyütme yöntemi ile grafen sentezi [56].

Bu yöntem sayesinde genel olarak yüksek kalitede grafen üretimi mümkündür.

Ticari olarak SiC alttaş mevcuttur, ancak ticari uygulamalar için pahalıdır. Epitaksiyel
büyütme yöntemi morfolojisi ve adsorpsiyon enerjisinin kontrol edilme zorluğu ve
yüksek sıcaklık gerektirmesinden dolayı dezavantajlıdır [4].Şekil 1.24’te grafenin
epitaksiyel olarak büyütülmesi gösterilmiştir.

Şekil 1.24. Grafenin epitaksiyel olarak büyütülmesi [4].

42
1.4.2.4. Elektrokimyasal Yöntem

Elektrokimyasal yöntemler grafen sentezi için en umut verici yöntemlerdendir [4].

Sentez sırasında toksit çözücüler kullanılmadığından maliyeti düşük ve çevre dostudur.
Grafen sentezinde elektrokimyasal olarak iki yöntem uygulanır. Birincisi; iki elektrotlu
hücrede grafitin anot olarak kullanılarak, yükseltgemesi ve ayrıştırılması ile grafen oksit
(GO) eldesidir (Luo et al. 2008; Vlachova et al. 2015). Bir diğer yöntem ise üç
elektrotlu hücrede elektrokimyasal olarak katkılama ve ayrışma olmak üzere iki
basamak üzerinden gerçekleşir. Öncelikle katkılama işleminde; oksidasyon potansiyeli
altında çeşitli iyonların grafen katmanları arasına girmesi sağlanır. Daha sonra
ayrıştırma işleminde ise, indirgenme potansiyeli altında grafit tabakaları arasına girmiş
moleküllerin katmanları ayırması ile grafen sentezi gerçekleşmiş olur (Alanyalıoğlu et
al. 2012). Şekil 1.25’te grafenin elektrokimyasal yöntem ile sentezi gösterilmiştir.

Şekil 1.25. Grafenin elektrokimyasal yöntem ile sentezi [3].

1.4.2.5. Ball Milling Yöntemi

Bilyalı değirmende (ball milling), yerleştirilen karışımlar toplarla yüksek enerjili

çarpışmaya tabi tutulup öğütülüp, küçük parçalara ayrılır. Bu yöntem Benjamin ve
arkadaşları tarafından 1960 yılında Uluslararası Nickel Company’de geliştirilmiştir. Bu
cihaz kendi ekseni etrafında dönen içi boş silindirik bir cihazdır. Bilyalı değirmen,
öğütülecek malzeme ve öğütme topları ile doldurulup öğütme kısmı içerisinde yatay bir
eksenle döner. Maden cevheri, taşlama türü, boya malzemeleri, seramik hammaddeleri
ve kimyasalları öğütmede kullanılan silindirik bir cihazdır [4]. Taş, paslanmaz çelik ve

43
seramik gibi malzemeler kullanılarak bilyalı değirmenler yapılabilmektedir ve kuru ve
yaş olarak da çalıştırılabilir. Grafen sentezinde, toz grafit bilyalı değirmene doldurulur
ve öğütme işlemi gerçekleştirilir. Öğütme işlemi bittikten sonra elde edilen karışım
uygun bir çözücü içerisine alınıp grafitin çöktürülmesiyle grafen elde edilmiş olur
[3].Şekil 1.26’da ball milling yöntemi ile grafen sentezi gösterilmiştir.

Şekil 1.26. Ball milling yöntemi ile grafen sentezi [3].

1.4.2.6. Hummers Yöntemi

İlk sentezleme yöntemi grafen izole edildikten sonra, kimyasal olarak grafitin
grafit oksite yükseltgenip daha sonra kuvvetli bir indirgeyici ile grafene indirgenmesiyle
sentezlenmiştir. 1859 yılında ilk olarak Brodie tarafından GO hazırlanmıştır (Brodie
1960) ve ardından Stavdenmaier grafen oksit üzerinde değişiklik yapmıştır
(Stavdenmaier 1898). Hummers ve ark. 1957 yılında bugünde yaygın olarak kullanılan
metodu bulmuştur [45]. Hummers metodunda ilk aşamada toz grafite buz banyosu
içerisinde H2SO4, K2S2O8 ve P2O5 ilave edilip belli bir sıcaklıkta bekletildikten sonra
elde edilen ürün yıkama ve filtreleme işleminden sonra kurutma işlemi yapılır. Böylece
ön-okside olmuş grafit elde edilmiştir. Daha sonra buz banyosu içerisinde bulunan ön-
okside olmuş grafite KMnO4 ve H2SO4 yavaşça ilave edilerek oksidasyon işlemi
tamamlanmış olur. Ardından karışıma yavaşça diyonize su ve H2O2, karışım sıcaklığı 40
°C’yi geçmeyecek şekilde eklenerek karışım 2 saat boyunca karıştırılır. Bu sürede
çözeltinin rengi siyahtan kahverengiye döner. Çözeltideki safsızlıkları ve metal iyonları
44
uzaklaştırmak için HCl ile yıkama işlemi yapılır. Son olarak metal safsızlıkları
gidermek için 3 hafta diyalize konur. Toz halindeki grafit oksit filtreleme işleminden
sonra kurutularak elde edilir. Grafit tabakaları oksitlendiğinde tabakalar arası açılır ve
açılan bu tabakalar sonikasyon işlemi ile birbirinden ayrılır. Bu sayede Şekil 1.27’de
gösterildiği gibi GOtabakaları elde edilmektedir [3].

Şekil 1.27. Grafen oksitin hummers yöntemi ile sentezi [3].

1.4.3. GO ve Özellikleri

Grafenin aksine yapısında değişik oranlarda hidrojen, oksijen ve karbon

bulunduran grafen oksit, 19.yy başlarından bu yana Brodie, Staundenmaier, Offeman ve
Hummers yöntemleri ile elde edilmiştir [3]. Grafen oksit (GO) yapısı, grafenin yoğun
bir şekilde güçlü oksitleyicilerle oksitlenmiş halidir. Grafen oksitin hem kenar tarafı
hem de temel yapısı, kovalent olarak bağlı oksijenli fonksiyonel gruplarla, epoksi veya
hidroksit grup, esas olarak karbonil ve karboksil grup olarak bilinmektedir. GO
tabakalarının yaklaşık 1,1 ± 0,3 nm kalınlığında olduğu belirlenmiştir. Oksijenli doğası
nedeniyle GO esas olarak yalıtkan (insulator) bir malzeme görevi görür. Yani yalıtkan

45
bir malzeme olmasıyla birlikte efeftik enerji bant aralığı elementel yapı ile
değişebilmektedir [57]. Grafit oksidasyonu ile GO elde etme yöntemleri Tablo 1.4’de
gösterilmiştir.

Tablo 1.4.Grafit oksidasyonu ile grafen oksit elde etme yöntemleri [58].

Metod Brodie Staudenmaier Hummers Modifiye Hummers

NaNO3 Ön oksidasvon:
KCIO3
HNO3 H2SO4 K2S2O8P2O5H2SO4
Oksidantlar HNO3
KClO3 KMnO4 Oksidasyon:
H2SO4
KMnO4H2SO4

Reaksiyon Ön oksidasyon: 6 saat

3-4güıı 1-2 gün 2 saat
süresi Oksidasyon: 2 saat
C-O oranı 2.16 1.85 2.25 1,3

Grafen oksit (GO) yapısında bulunan oksijenli fonksiyonel gruplardan dolayı

birçok materyal ile kolaylıkla kimyasal veya fiziksel etkileşime girebilmektedir. Çeşitli
metal nanotüpler, boyar maddeler, metal oksitler grafen oksit ile kolayca etkileşime
giren materyaller arasında sayılabilir. Bu sebeple kompozit bir materyal hazırlamak GO
ile oldukça kolaydır. GO’nun bu avantajının yanı sıra düşük iletkenliğe sahip olması da
büyük bir dezavantaj oluşturmaktadır. Eğer GO esaslı kompozit malzeme bir
elektrokimyasal sistemde kullanılacaksa iletken olması gerekmektedir. Bunun içinde
GO’i iletken hale getirmek için çeşitli, indirgenme yöntemleri kullanılır ve böylece
iletken bir yapı oluşmuş olur. Bu yapı indirgenmiş GO olarak adlandırılır [56].

1.5. İnce Film Teknolojisi

İnce film, altlıklar üzerine kalınlıkları 100 A° ile birkaç µm arasında değişebilen
kaplamalardır. İnce film hazırlanması, kaplama parçacıkları olan atom veya
moleküllerin, kaplanacakları yüzeye tek tek dizilmesi ile olur [59]. Ayrıca ince film
kaplaması hacimli malzemelerin yüzeyine yapıldığında bu malzemelerin tek başına
sahip olamadığı ve sağlayamadığı bir çok özelliklerden dolayı elektrik, optik, manyetik,
mekaniksel ve kimyasal alanları ilgilendiren endüstrilerde ileri teknoloji malzemesi
olarak kullanılmaktadırlar ve bahsedilen bu kullanım alanları Tablo 1.5’de verilmiştir
[43].

46
Tablo 1.5. Çeşitli özelliklerine göre ince filmlerin kullanım alanları [43].

Optiksel Elektriksel Manyetik

 Yansıtıcı / yansıtıcı olmayan  Yalıtkan ve iletken  Hafıza disklerinde
 tabaka malzemelerde
 Girişim (ışık) filtrelerinde  Yarıiletken
 Dekorasyon (renk, parlaklık v.b) aygıtlarda
 Compact disk (CDs)  Dielektrik
 Güneş pili uygulamalarında malzemelerde
Kimyasal Mekaniksel
 Alaşımlarda veya difüzyon  Sürtünme ile ilgili kaplamalarda
olayını engellemede  Sertlik, yapıştırıcı
 Oksidasyon veya korozyona  Mikro mekanik
karşı korumada  Çinko plakaların yapımında
 Gaz/sıvı sensörlerinde  Çatı kaplama malzemelerinde
 Boya, kauçuk, plastik  Lastik sanayinde
 Kozmetik, sabun, yazıcı
mürekkebi
 İlaç üretimi

1.5.1. İnce Film Üretim Teknikleri

İnce film kaplama teknikleri genellikle, optikte, mikro-elektronikte, biyomedikal

uygulamalarda, paketleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. İnce
filmlerin kullanım alanlarından olan optik, manyetik, elektrik, mekanik ve kimyasal
alanların geliştirilmesiyle birlikte ince film kaplama tekniği de bu sayede uygulama
alanı bulmuştur. İnce filmler nasıl kaplandığına ve kaplanacak yüzeyin istenilen
özelliklerine göre nasıl geliştirileceği seçilmektedir. Kaplamanın özellikleri, kaplamanın
hangi malzeme ile yapıldığına ve kaplama yapılacak olan malzeme arasındaki
etkileşimlere bağlıdır. İnce film üretiminde kullanılan tekniklerin bazıları Şekil 1.28’de
gösterilmiştir [40].

47
 Şekil 1.28. İnce film üretim teknikleri [40].

1.5.1.1. Sol-Jel Kaplama Yöntemi

Başlangıç malzemesi olarak çözelti (sol) ve bu solu kullanarak jelleştirme işlemi

gerçekleştiği için ‘sol-jel’ adını almıştır [37]. Seramik ve cam malzemeler üretmek için
sol-jel yöntemi oldukça kullanışlı bir yöntemdir. Sol-jel yönteminde genellikle sistem
sıvı fazdan (sol) katı faza (jel) geçiş yapar. Bu yöntemle bir çok cam malzeme ve
seramik üretmek mümkündür. Bunlar; ince film kaplamalar, küresel biçimli ve oldukça
saf tozlar, seramik fiberler gibi malzemelerdir [60]. Sol-jel yönteminde ilk işlem alkol
bazlı çözeltiler içerisinde metal organik bileşiklerin çözünmesi ile öncü çözeltinin
hidrolize edilmesidir. Ardından polimerleşme sonucunda oluşan çözelti dehidrolize
edilir. Daha sonra elde edilen çözelti ince film üretiminde kullanılan altlıklar üzerinde
daldırma, döndürme veya sprey tekniği ile kaplanır. Bu yöntemlerden herhangi biri ile
elde edilmiş olan amorf film genellikle 500-800°C arasında tavlanarak kristalleşir ve

48
yoğunlaştırılır. Böylelikle homojen filmler elde edilmiş olur [37]. Şekil 1.29’da sol-jel
süreci gösterilmiştir.

Şekil 1.29. Şematik olarak sol-jel sürecinin gösterimi [60].

Sol-jel yöntemi diğer film kaplama yöntemleri ile kıyaslandığında avantajları ve

dezavantajları Tablo 1.6’da gösterilmiştir [37].

Tablo 1.6. Sol-jel yönteminin dezavantaj ve avantajları [37].

AVANTAJLAR DEZAVANTAJLAR
Kaplanan filmin mikro yapısının kolaylıkla kontrol Malzeme maliyeti fazladır.
edilmesine olanak sağlar.
Gerekli alet ve malzeme çok basittir Filmlerde karbon çökeltisi kalır.
Kaplanan malzemenin her yerinde aynı kalınlık Kullanılan malzeme sağlığa zararlı olabilir
elde edilebilir
Saf kaplama elde edilebilir İşleme şuasında malzeme kaybı fazladır
Düşük işleme ısısı gerektirir
Hava kirliliğine sebep olmaz
Enerji tasarrufu sağlar.
Hazırlanan oltamla etkileşmede bulunmaz.
Yeni malzemelerin bulunabilmesi için uygun bir
yöntemdir.
Gözenekli yapı oluşur.
Her türlü geometriye sahip malzemeye uygulanabilir.

Sol-jel kaplama yöntemi 3’e ayrılır;

1-Döndürerek kaplama (spin coating)

2-Daldırarak kaplama (dip coating)
3-Püskürterek kaplama (spray pyrosis)[40].

1.5.1.1.1. Döndürerek Kaplama Yöntemi (Spin Coating)

Döndürerek kaplama yöntemi, az eğilimli alttaşlar veya tabaka üzerine ince film
üretmek için kullanılan bir yöntemdir [40]. Spin kaplama yöntemi üç adımdan oluşur.

49
Birinci adım; hazırlanan solüsyon bir cam altlık üzerine damlatılır. İkinci adım;
çözeltinin altlık üzerine yayılması için yüksek hızlı döndürme yapılır ve böylece fazla
çözücünün kaplanan altlık yüzeyinden uzaklaştırılması sağlanır. Üçüncü adım ise; altlık
yüzeyindeki solüsyonun buharlaşması için kurutma işlemi yapılır ve böylelikle kaplama
işlemi tamamlanmış olur. Döndürerek kaplama yöntemi Şekil 1.30’da gösterilmiştir
[43].

Şekil 1.30. Döndürerek kaplama yöntemi [43].

Kaplamanın ilk aşamasında, yüzeye bir miktar sıvı damlatılır. İkinci aşama olan
döndürmede ise, sıvı merkezkaç kuvveti nedeni ile yüzeyin dışına doğru akar.
Döndürme sonunda, fazla olan sıvı taşıyıcı yüzeyinden taşarak yüzeyi terk eder. Film
kalınlığının azalması ile yüzeyden taşan sıvının miktarı azalmış olur. Bu olayın nedeni
filmin incelmesi ile akışkanlığa karşı olan direncin büyümesi olarak açıklanabilir. En
önemli aşama olan buharlaşma adımında, cam altlık üzerinde buharlaşmanın etkisiyle
fazla çözelti yüzeyden uzaklaştırılır ve film son halini alır. Bu aşamalar bittiğinde tek
tabaka bir ince film oluşmuş olur. Eğer çok tabakalı ince film elde etmek isteniyorsa bu
aşamalar birkaç kez daha tekrar edilir [43].

Döndürerek kaplama (spin coating) yönteminin avantaj ve dezavantajları Tablo

1.7’de gösterilmiştir [61].

50
Tablo 1.7.Döndürerek kaplama (spin coating) yönteminin avantajları ve dezavantajları [61].

AVANTAJLAR
Vakumda buharlaştırma ve sıçratarak kaplama
cihazlarına göre cihazları çok daha ucuzdur.
Büyük altlıklar bile az bir miktar sol ile
Sol kaybı az olur.
kaplanabilir.
Çok hızlı bir tekniktir, zamandan kazanç sağlar.
Çok katmanlı uygulamalar için idealdir.
Ticari ekipmanlarının bütün tüllerini edinmek
mümkündür.
DEZAVANTAJLAR
Sadece simetrik taşıyıcılar için verimli bir yöntemdir.
Temiz tutulması kolay değildir.
Ancak düz numuneler kaplamak için kullanılabilir.
Büyük taşıyıcıları homojen kaplaması zordur.
Çözücünün hızlı buharlaşması durumunda homojen
kaplamalar elde edilemez, geç buharlaşan çözücü ise
malzemeyi çözmeyebilir.

1.5.1.1.2. Daldırarak Kaplama Yöntemi ( Dip Coating)

Sol-jel kaplama yöntemlerinin en önemlilerinden birisi de dip coating yöntemidir.

Bu yöntemde, bir cam taşıyıcı hazırlana sol içerisine belirli bir hızla daldırılıp daha
sonra aynı hızla geri çekilmesiyle oluşan film kaplama yöntemidir. Bu yöntemle cam
altlık sol’e daldırılıp çıkarılarak kaplama yapıldığı sırada film kalınlığı zamanla
değişmez. Dip coating yöntemi beş aşamada gerçekleşir. Bunlar; daldırma, yukarı
çekme, kaplama, süzülme ve buharlaşmadır. Şekil 1.31’de daldırarak kaplama yöntemi
aşamaları gösterilmiştir [43].

Şekil 1.31. Daldırarak kaplama yönteminin aşamaları [40].

Daldırarak kaplama (dip coating) yönteminin avantaj ve dezavantajları Tablo

1.8’te gösterilmiştir [61].

51
Tablo 1.8.Daldırarak kaplama (dip coating) yönteminin avantaj ve dezavantajları [61].
AVANTAJLAR DEZAVANTAJLAR
Her şekilde ve boyutta numunenin kaplanması Büyük altlıklar için çok fazla çözelti gerekmesi
mümkündür.
Düzgün yüzey elde edilir ve kalınlık kontrol edilebilir. Altlısın her iki tarafından kaplanması dolayısıyla
tek taraflı kaplama istendiğinde maskeleme
gerektirmesi
Katkı miktarını minimum düzeyde tutmak kolaydır. Çok katmanlı sistemler için köselerin
kontaminasyonu dolayısıyla çok iyi bir yöntem
olmaması
Maliyeti ucuzdur,
Çözücü veya çözelti özelliklerine çok duyarlı değildir.
Fazla miktarda numune aynı anda kaplanabilir.
Kontrollü atmosferde çalışılabilir,
Çok katmanlı kaplamalar yapmak mümkündür.
Kontaminasyon minimum seviyede tutulabilir.

1.5.1.1.3. Püskürterek Kaplama Yöntemi (Spray Pyrolysis)

Spray pyrolysis yöntemi, büyük ölçekli kaplamaların seri üretimi için uzun
yıllardır endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. Basit ve maliyeti düşük bir
yöntemdir [43]. Püskürterek kaplama yönteminde hazırlanan solüsyon sıcak tabakaya
püskürtülür. Tabakaya çarpan sprey damlacıkları çözünen madde tabaka üzerinde
yoğunlaşır ve bu sırada solvent buharlaşır. Bu şekilde yapılan işlemden bir süre sonra
ince filmin yüzeyde oluştuğu gözlemlenir [60]. Şekil 1.32’de püskürtme yöntemi cihazı
ve bölümleri gösterilmiştir.

Şekil 1.32. Spray pyrolysis yöntemi cihazı ve bölümleri [40]

52
2. MATERYAL VE METOD

Hummer’s yöntemi kullanılarak grafen oksit üretilmiş ve üretilen grafen oksit

tozu ZnO çözelti içerisine %0.5, 1, 1.5, 2 oranlarında katkılanarak ince filmler
hazırlanmıştır. Sol-jel yöntemi kullanılarak ince filmler elde edilmiş olup, mikroskop
camı üzerine hazırlanan filmlerin kristal yapıları, optiksel ve yüzey morfolojik
özellikleri incelenmiş ve elde edilen verilerden yararlanılarak çeşitli parametreler
hesaplanmıştır.

2.1. Deneysel İşlemler ve Ölçüm Sonuçları

Bu çalışmada katkısız ve GO katkılı ZnO numuneleri sol-jel metodu ile

üretilmiştir. Katkısız ZnO çözeltisinin hazırlanması işlemi;

a) De-iyonize su ile yıkanıp, kuruması sağlanan deney şişeleri içerisine 10 ml 2-

metoksietanol ve 0.5 M Çinko asetat dihidrat konulup manyetik karıştırıcıda
500 rpm hızda 60 °C’de 15-20 dakika karıştırıldı.
b) Karışma işlemi bittikten sonra oluşan yeni karışımın renginin beyaz olduğu
gözlemlendi.
c) Karışımın içine 0,3 ml Ethanolamine çözeltisi eklenerek, tekrar manyetik
karıştırıcı ile 500 rpm hızda 60°C’de 2 saat ve ultrasonik karıştırıcıda da 1 saat
karıştırıldı.
d) Karşım işlemi bittikten sonra beyaz renk olan karışımın renginin şeffaf olduğu
gözlemlendi.

GO tozunun hazırlanması işlemi;

a) 1 gr grafit tozu temizlenen beher içine konuldu.

b) Grafit tozuna 0,5 gr NaNO3 ve 23 ml H2SO4 eklenerek yarım saat buz
banyosunda bekletildikten sonra çözelti manyetik karıştırıcıda karıştırılırken 3
gr KMnO4 çözelti içerisine yavaş yavaş eklenerek 40°C’de 2 saat karıştırıldı.
c) Manyetik karıştırıcıdaki çözeltiye 100 ml su eklenerek 1 saat daha karıştırıldı.
d) Daha sonra 2 ml H2O2 eklenerek 2 saat karıştırıldı ve elde edilen çözeltinin
inorganik anyonları ve diğer safsızlıkları çıkarmak için çözelti rengi koyu
 kahverengiden açık sarı renge ulaşana yani pH≈7 olana kadar bir dizi yıkama
işlemi gerçekleştirildi.
e) Bu işlemlerden sonra 100 ml su eklenerek pH≈7 olduğunda çözelti süzgeç
kağıdı yardımıyla süzülerek elde edilen malzeme 24 saat boyunca 50 °C’de
kurutularak, Grafen oksit tozu elde edildi. Şekil 2.1’de garfen oksit çözeltisi
ve tozu gösterilmiştir.

Şekil 2.1. Grafen oksit çözeltisi ve grafen oksit tozu.

2.1.1. Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Üretilmesi

Katkısız ve GO katkılı ZnO kullanılarak sol-jel yöntemi ile elde edilen jellerin
mikroskop camı üzerine kaplanması döndürme yöntemi ile yapıldı.

Bu jellerden film oluşturmadan önce altlık olarak kullanılacak mikroskop camları

aşağıda belirtilen işlem sırasına göre kimyasal olarak temizlendi. Tüm kimyasal
temizleme işlemleri ultrasonik tankında saf su kullanılarak belirli sürelerde ultrasonik
banyo içerisinde gerçekleştirildi. Mikroskop camlarının temizleme işlemi;

a) Belirli boyutlarda kesilen mikroskop camları büyük bir beher içerisine alındı
ve her bir beherin içerisine yaklaşıkolarak 40 ml Etanol konularak ultrasonik
karıştırıcıda 10 dakika karıştırıldı.

54
 b) Ardından beherlerdeki Etanol boşaltılarak beherlere yaklaşık 40 ml De-
iyonize su doldurularak ultrasonik karıştırıcıda 10 dakika karıştırıldı.
c) Beherlerdeki De-iyonize su boşaltılarak beherlere yaklaşık 40 ml Aseton
koyarak ultrasonik karıştırıcıda 10 dakika karıştırıldı.
d) Son olarak beherlerdeki Aseton boşaltılarak beherlere yaklaşık 40 ml De-
iyonize koyularak ultrasonik karıştırıcıda 10 dakika karıştırıldı.
e) Bu kimyasal temizleme işlemleri tamamlandıktan sonra mikroskop camları
Azot gazı ile kurutuldu.

Şekil 2.2. İnce filmlerin büyütüldüğü döndürme ile kaplama cihazı

Bu şekilde kimyasal temizleme işlemi tamamlandıktan sonra katkısız ve GO

katkılı filmlerin hazırlanmasına geçildi. ZnO içerisine %0.5, 1, 1.5, 2 oranlarında GO
katkısı yapıldı ve bu karışımlar 5 saat manyetik karıştırıcıda,5 saatte ultrasonik
karıştırıcıda karıştırıldı. Hazırlamış olduğumuz jel’ler mikroskop camı üzerine
damlatılıp Şekil 2.2’de görülen döndürme ile kaplama cihazı üzerine yerleştirildi.
Homojen bir film oluşturmak için cam yüzeyine eşit şekilde çözeltiler damlatıldı. Her
bir kaplama işlemi 1000 rpm hızda 30 saniye sürede yapıldı. Ayarlanan süredeki dönme
işlemi bittikten sonra önceden 300°C’ye ayarlanmış manyetik ısıtıcı üzerinde
kurutulmak üzere filmler konularak 15 dakika bekletildi ve her biri 2 dakika soğumaya
bırakıldı. Daha sonra aynı işlemler tekrarlandı. Tekrarlama işlemi 5 kat olana kadar
devam etti.Tüm numuneler için aynı şartlarda filmler yapıldı. Elde edilen filmler

55
önceden 420 °C’ye ayarlanmış fırında 1 saat tavlandı ve katkısız ve GO katkılı ZnO
filmler elde edildi.

56
3. BULGULAR

3.1. Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin X-Işını Kırınımı (XRD) Ölçüm
ve Analizleri

X-ışını kırınımı, kristal malzemelerin karekterizasyonu için kullanılan önemli bir

yöntemdir. Bu yöntemle malzemelerin kristal yönelimleri, kristal dizilişe sahip olup
olmadığı, ortalama tanecik büyüklükleri, atomlar arasındaki boşluklar ve kristal
kusurları gibi bir çok bilgiye ulaşılabilir [1].

İnce filmlerin kristal yapıları X-ışını difraksiyon analizi ile yapıldı. Elde ettiğimiz
katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerin kristal yapıları hakkında X-ışını difraksiyon
desenlerinin pik şiddetleri, yarı pik şiddetleri ve temel sayım şiddetine bakılarak bilgi
edinilmiştir. Malzemelerin iyi bir kristalleşme seviyesine sahip olması için X-ışını
kırınım spektrumu, şiddeti minimum olan bir zemin üzerinde bulunan yüksek şiddetli ve
yarı pik genişlikleri dar olan piklere sahip olması gerekir. Eğer bu şart sağlanmıyorsa
yani yarı pik genişlikleri geniş ve pik şiddetleri düşük ise kristalleşme seviyesinin iyi
olmadığı söylenebilir. Spektrum üzerinde temel sayım kristalleşme şiddetinin yüksek
olması düşük şiddete sahip pikleri görüntülemeyecek hale getirir. Bu çalışmada elde
edilen katkısız ZnO ince filminin X-ışını kırınım desenlerinde, piklerin üzerinde
parantez içerisinde ilgili düzlemlerin miller indisleri belirtilmiştir.

Katkısız ve GO katkılı ince filmlerin X-ışını kırınım spektrumları Şekil 3.1-3.5’te

verilmiştir.
 400

(100)
ZnO

300
Şiddet (sayım)

200

100

10 20 30 40 50 60 70 80 90

2 derece

Şekil 3.1. Katkısız ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni

(002)

%0.5 GO+ZnO
600

500
Şiddet (sayım)

400

300

200

100

10 20 30 40 50 60 70 80 90
o
2 (derece)

Şekil 3.2. %0.5 GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni

58
 (002)
%1 GO+ZnO
600

Şiddet (sayım) 500

400

300

200

100

10 20 30 40 50 60 70 80 90
2o (derece)

Şekil 3.3. % 1GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni
(002)

%1.5 GO+ZnO
500
Şiddet (sayım)

400

300

200

100

10 20 30 40 50 60 70 80 90

 derece)

Şekil 3.4. %1.5 GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni

59
 (002)
%2 GO+ZnO
600

500
Şiddet (sayım)

400

300

200

100

10 20 30 40 50 60 70 80 90
o
2 (derece)

Şekil 3.5. % 2 GO katkılı ZnO ince filminin X-ışınları kırınım deseni

Şekil 3.1-3.5’de katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerin X-ışınları kırınım

desenleri gösterilmiştir. İnce filmlerin literatürdeki gibi istenilen düzeyde pik
vermemesi, hazırlanan filmlerin amorf cam malzeme üzerinde büyütülmesinden
kaynaklandığı düşünülmüştür. Malzemelerin nano boyutta olduğu görülmüştür. Amorf
yapının altlıklardan kaynaklandığı düşünülmektedir.

ZnO’nun X-ışını spektrumlarında tercihli yönelimlerinin, literatürde ZnO ile ilgili

yapılan çalışmaların hemen hemen hepsinde (100),(002) ve (101) oldukları gözlenmiştir
(Delaunay ve ark., 2007). Katkısız ZnO yarıiletken numuneye ait X-ışını kırınım deseni
Şekil 3.1’te görülmektedir. Bu numunedeki kristal atomlarının en yüksek pik şiddeti
(100) düzlemine ait olduğu görülmüştür.%0.5, 1, 1.5, 2 oranlarında GO katkılı ZnO
yarıiletkenlerine ait X-ışını kırınım desenleri Şekil 2.4-2.7’de görülmektedir. Bu
numunelerdeki kristal atomlarının en yüksek pik şiddeti ise (002) düzlemine ait olduğu
görülmüştür.

Düzlemlerin aynı olması kristal yapılarında katkı miktarına bağlı olarak değişimin
olmadığını gösterir. Şiddetlerin farklı olması ise katkılanan malzemenin ZnO içerisine
iyice nüfus ettiğinin bir göstergesidir.

60
 X-ışını kırınım deseninden ZnO numunesinin hegzagonal yapıda olduğu
belirlenmiş olup, ZnO bileşiğine ait pikler tespit edilmiştir.
Bu tez çalışmasında, üretilen katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin X-ışını
kırınım spektrumları Bruker marka D8 Advance model X-ışınları kırınım cihazında
1,5406 Å dalga boylu CuKα ışını kullanılarak 10° ≤ 2θ ≤ 90° sınır değerlerinde
incelenmiştir (Şekil 3.6).

Şekil 3.6.X-ışını kırınım spektrumlarının elde edildiği XRD cihazı.

Her numunenin kristal özelliklerine ait 2θ açıları, pik şiddetleri, kristal yapıları ve
düzlemlerin miller indisleri Tablo 3.1’de verilmiştir.

Tablo 3.1. Katkısız ve GO katkılı ZnO yarıiletken numunesinin kristal özellikleri.

Pik şiddeti
2 θ (°) Kristal yapısı h k l
(sayım)
Katkısız ZnO 31,40 350 Hegzagonal 1 0 0
% 0.5 GO katkılı ZnO 34,18 590 Hegzagonal 0 0 2
% 1 GO katkılı ZnO 34,17 560 Hegzagonal 0 0 2
% 1.5 GO katkılı ZnO 34,07 450 Hegzagonal 0 0 2
% 2 GO katkılı ZnO 34,05 590 Hegzagonal 0 0 2

61
3.2. Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Atomik Kuvvet Mikroskobu
(AFM) Görüntüleri ve Analizleri

AFM’nin yüzey morfolojisini angstrom (A) mertebesinden 100 mikrona (µm)

kadar ölçebilen bir sistemdir. İnce film kaplamalar, alaşımlar, polimerler, seramikler,
camlar, sentetik ve biyolojik örnekleri, metaller ve yarıiletkenlerin yüzey özelliklerini
inceleme avantajı sağlar. AFM’nin mikroskop olarak en önemli avantajı ise, özel bir
işlem uygulanmadan numunelerin her ortamda ve doğrudan görüntülenebilmesidir [1].
Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM) ile görüntü esaslı veriler elde etmek için
numunelerin kristal yüzeylerine uygulanan işlemler sonucu değişen yüzey morfolojisi
araştırılmış ve yüzey analizleri yapılmıştır.
Bu tez çalışmasında üretilen katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin yapısal
özelliklerini incelemek amacıyla AFM görüntüleri PARK SYSTEM marka XE-100E
model Atomik Kuvvet Mikroskobu ile çekilmiştir. (Şekil 3.7)

Şekil 3.7.Yüzey Morfolojisini incelemede kullanılan atomik kuvvet mikroskobu (AFM)

İnce filmlerin oluşum aşamalarının yapısal özellikleri incelenmiştir. Hazırlanan

numunelerin 40µmx40µm boyutlarında görüntüleri alınmıştır. Şekil 3.8-3.17’da Atomik
Kuvvet Mikroskobu yardımıyla ölçülen ince film numunelerin yapısal özelliklerine ait
yüzey topografyasını gösteren 2 ve 3 boyutlu resimler verilmiştir.

62
Tablo 3.2.AFM’ de ölçülen filmlerin yüzey pürüzlülüğü sonuçları
Numune Yüzey Pürüzlülüğü (nm)
Katkısız ZnO 52,23 nm
% 0.5 GO katkılı ZnO 55,40 nm
% 1 GO katkılı ZnO 26,99 nm
% 1.5 GO katkılı ZnO 38,62 nm
% 2 GO katkılı ZnO 58,69 nm

Tablo 3.2’de gösterildiği gibi mikroskop camı üzerine yapılan,katkısız ve GO

katkılı ZnO ince filmlerin Atomik Kuvvet Mikroskob görüntülerinden elde edilen

Şekil 3.8. Katkısız ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM görüntüsü

Şekil 3.9. Katkısız ZnO numunesinin40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM görüntüsü

63
Şekil 3.10. %0.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM görüntüsü

Şekil 3.11. %0.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM görüntüsü

Şekil 3.12. % 1 GO katkılı ZnO numunesinin40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM görüntüsü

64
 Şeki 3.13. % 1 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM görüntüsü

Şekil 3.14. % 1.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM görüntüsü

Şekil 3.15. % 1.5 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM görüntüsü

65
 Şekil 3.16. % 2 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 2 boyutlu AFM görüntüsü

Şeki 3.17. % 2 GO katkılı ZnO numunesinin 40 µm x 40 µm 3 boyutlu AFM görüntüsü

sonuçlarda katkılandırmanın genel olarak yüzey pürüzlülüğünü arttırdığı,%1 ve %1.5

GO katkısında yüzey pürüzlülüğünün azaldığı görülmüştür ve yüzey pürüzlülüğü nano
boyutta ölçülmüştür.Katkısız ZnO ince filminin AFM görüntüsü incelendiğinde küçük
tanelerin birbiriyle birleşmesinden fiberlerin oluştuğu söylenebilir ve ayrıca fiber yapıda
olan katkısız ZnO ince filminin ölçülen fiber çapı 0,50 µm olarak bulunmuştur.

66
3.3.Katkısız ve GO Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Optik Ölçüm Sonuçları (UV)

Sol-jel yöntemi ile elde edilen katkısız ve % 0.5, 1, 1.5, 2 oranlarında GO katkılı
ZnO ince filmleri hazırlandı. Hazırlanan ince filmlerin UV ölçümleri Şekil 3.18’de
görülen UV3600 SHIMADZU UV-VIS-NIR Spektrofotometre cihazı ile yapıldı.

Şekil 3.18.Optik ölçümler için kullanılan spektrofotometre

Hazırlanan numunelerin optik analizleri 200-1000 nm dalga boyu aralığında

alındı.UV ölçümleri sonucunda elde edilen veriler kullanılarak ince filmlerin
soğurma,geçirgenlik,yansıma ve yasak enerji aralığı (Eg) grafikleri çizildi.
Şekil 3.19-3.23’de katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin soğurma
spektrumları verilmiştir. İnce filmlerin soğurma spektrumlarına bakıldığında 400 nm
dalga boyuna yakın kısımlarda soğurmada sürekli bir artış gözlenmektedir. Buda valans
bandı ile iletim bandı arasındaki optik geçişe karşılık gelmektedir.400 nm dalga
boyundan sonraki kısımlarda ise soğurma bir denge değerine ulaşmaktadır. Bu nedenle
yarıiletken materyal 400 nm’den küçük dalga boylarında kuvvetli soğurma,400 nm’den
büyük dalga boylarında ise soğurma yapamadığından hemen hemen geçirgen özellik
göstermektedir.

67
 4
ZnO

Soğurma 3

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.19.Katkısız ZnO ince filminin soğurma eğrisi

4
%0.5 GO+ZnO

3
Soğurma

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.20.% 0.5GO katkılı ZnO ince filminin soğurma eğrisi

68
 %1 GO+ZnO
4

3
Soğurma

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.21.% 1 GO katkılıZnO ince filminin soğurma eğrisi

%1.5 GO+ZnO
4

3
Soğurma

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.22.% 1.5GO katkılıZnO ince filminin soğurma eğrisi

69
 %2 GO+ZnO
4

3
Soğurma

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.23.% 2 GO katkılıZnO ince filminin soğurma eğrisi

Şekil 3.24-3.28’de katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin geçirgenlik

spektrumları verilmiştir.İnce filmlerin geçirgenlik spektrumlarına bakıldığında 400-450
nm arasındaki dalga boylarında keskin bir soğurma kıyısı görülmektedir.Filmlerin
büyük bir çoğunluğu görünür bölgede %80’nin üzerinde geçirgenlik
göstermiştir.Literatürde yapılan birçok çalışmada gerek katkılı gerekse katkısız ZnO
ince filmi için benzer sonuçlara ulaşılmıştır. Bu bakımdan ZnO iyi bir saydam iletkendir
[62].
Katkısız ve GO katkılı ZnO filmleri için dalga boyu 1000 nm’den başlayıp 300
nm’ye kadar azalmıştır. Bu da fotonların enerjilerinin yarıiletken materyalin enerji band
aralığına denk veya daha fazla olduğu durumlarda ve bunun sonucu olarak valans
iletken bandları arasında elektron transferinin gerçekleşmesiyle materyalin daha
fazlaabsorplama yaptığını göstermektedir. Filmlerin optik geçirgenlik ölçümlerinde
oluşan dalgalanmalar ise hava ile ZnO ince film ve ZnO ince filmle altlık ara
yüzeylerinde oluşan yansımaların girişimi sonucu olduğu düşünülmektedir. Şekil 3.24-
3.28’ de görüldüğü gibi ince filmlerin optik geçirgenliği büyük değerlerde başlayıp çok
hızlı bir düşüş göstermiştir.

70
 100
ZnO

80
Geçirgenlik (%)

60

40

20

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.24.Katkısız ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi

100
%0.5 GO+ZnO

80
Geçirgenlik (%)

60

40

20

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu (nm)

Şekil 3.25.% 0.5GO katkılı ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi

71
 100
%1 GO+ZnO

80
Geçirgenlik (%)

60

40

20

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.26.% 1 GO katkılı ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi

100
%1.5 GO+ZnO

80
Geçirgenlik (%)

60

40

20

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.27.% 1.5GO katkılı ZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi

72
 100
%2 GO+ZnO

80
Geçirgenlik (%)

60

40

20

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.28.% 2 GO katkılıZnO ince filminin geçirgenlik eğrisi

Şekil 3.29-3.33’de katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin yansıma

spektrumları verilmiştir. İnce filmlerin yansıma spektrumlarına bakıldığında 300 nm
dalga boyu civarında en yüksek pik elde edilmiştir. Yansıma GO’nın katkı miktarı ile
değişmektedir. Buda filmlerin yasak enerji aralığının GO katkısı ile değiştiğini
göstermektedir.
Yansıma kısa dalga boylarına kaydıkça artmıştır. Bunun sebebinin fotonların
enerjisinin artışından dolayı, fotonların elektronlar, atomlar veya kristal molekülleriyle
daha fazla etkileştikleri ve geri yansıdıkları düşünülmektedir.

73
 15
ZnO

10
Yansıma

0
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.29. Katkısız ZnO ince filminin yansıma eğrisi

%0.5 GO+ZnO

4
Yansıma

200 400 600 800 1000

Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.30. % 0.5 GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi

74
 %1 GO+ZnO

2.5
Yansıma

2.0

1.5
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.31. % 1 GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi

3.5
%1.5 GO+ZnO

3.0
Yansıma

2.5

2.0

1.5
200 400 600 800 1000
Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.32. % 1.5GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi

75
 3.0
%2 GO+ZnO

Yansıma

2.5

2.0

200 400 600 800 1000

Dalga Boyu(nm)

Şekil 3.33.% 2 GO katkılı ZnO ince filminin yansıma eğrisi

Şekil 3.34-3.38’da katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin αhν2-hν eğrileri

çizilmiştir. İnce filmlerin yasak enerji aralığı,

(αhν)1/n = A(hν-Eg) (3.1)

denkleminden ve αhν2-hν grafiğinin lineer kısmının hν’ yü, (αhν)1/n=0’da kestiği

noktalardan faydalanarak hesaplandı [5-62].Burada n optik soğurma sürecini tanımlayan
bir indis ve A ise geçiş olasılığına bağlı bir sabittir. Böylelikle hν’ye karşı (αhν)1/n
grafiği bu parametreler dikkate alınarak çizilir. Doğrudan ve dolaylı bant geçişine sahip
malzemelerde n sayısına bakılır. Dolaylı bant geçişine sahip malzemelerde n sayısı 2
değerini alırken, doğrudan bant geçişine sahip malzemelerin n sayısı ½ değerini alır
[5].Hesaplanmış olan Eg değerleri Tablo 3.3’deverilmiştir.

76
 14
ZnO

12

10
h (ev/cm) Eg=3.37
8

1 2 3 4
h (eV)

Şekil 3.34.Katkısız ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi

14
%0.5 GO+ZnO

12

10
h (ev/cm)

Eg=3.26
6

0
1 2 3 4
h (eV)

Şekil 3.35.%0.5GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi

77
 14
%1 GO+ZnO

12

10
h(ev/cm)

Eg=3.26
6

0
1 2 3 4
h (eV)

Şekil 3.36.% 1 GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi

14
%1.5 GO+ZnO

12

10
h (ev/cm)

Eg=3.26
6

0
1 2 3 4
h (eV)

Şekil 3.37.% 1.5GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi

78
 14
%2 GO+ZnO

12

10
h (ev/cm)

8
Eg=3.25

0
1 2 3 4
h (eV)
Şekil 3.38.% 2 GO katkılı ZnO ince filminin αhν2-hν eğrisi

Farklı oranlarda GO katkılanmasına rağmen yasak enerji aralığının birbirine yakın

olduğu görülmüştür. Tablo 3.3’de grafiklerden hesaplanan yasak enerji değerleri
verilmiştir. Tablodaki Eg değerlerine bakılırsa, yasak enerji aralığı değerinin 3,37 eV ile
3,25 eV aralığında olduğu görülmüştür.

Tablo3.3.Katkısız ve GO katkılı ZnO numuneleri için hesaplanan Eg değerleri

Numune Eg(eV)
Katkısız ZnO 3,37 eV
% 0.5 GO katkılı ZnO 3,26 eV
% 1 GO katkılı ZnO 3,26 eV
% 1.5 GO katkılı ZnO 3,26 eV
% 2 GO katkılı ZnO 3,25 eV

79
 Filmlerin yasak enerji aralıkları incelendiğinde üretim aşamasında farklı çözeltiler
kullanılmasına rağmen yasak enerji aralıklarının birbirine yakın olduğu görüldü. En
düşük yasak enerji aralığına %2 GO katkılı ince filmin sahip olduğu gözlenmiştir. Buda
%2 GO katkılı ince filmin optimum özelliğe sahip olduğunu göstermiştir. Hesaplanan
yasak enerji aralıkları literatürle uyum içerisindedir [62].

80
4.SONUÇLAR VE TARTIŞMA

Bu çalışmada sol-jel yöntemi kullanılarak katkısız ve belirli oranlarda GO katkılı

ZnO ince filmler hazırlanmıştır. Elde edilen filmlerin kristal yapısı ve yüzey
morfolojisi, x-ışınları kırınım tekniği (XRD) ve atomik kuvvet mikroskobu (AFM)
yardımıyla, filmlerin optik analizleri ise UV ölçümleri sonucunda elde edilen veriler
kullanılarak bulunmuştur.
Katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin x-ışını kırınım desenleri
incelendiğinde ince filmlerin istenilen düzeyde pik vermemesi hazırlanan filmlerin
amorf cam malzeme üzerinde büyütülmesinden kaynaklanmaktadır. ZnO’nun x-ışını
spektrumlarında tercihli yönelimlerinin, literatürde ZnO ile ilgili çalışmalarda
(100),(002)ve(101) oldukları gözlenmiştir [62].Katkısız ZnO yarıiletken numuneye ait
x-ışını kırınım desenine bakıldığında atomların en yüksek pik şiddeti (100) düzlemine
ait olduğu görülmüştür.% 0.5, 1, 1.5, 2 oranlarında GO katkılı ZnO yarıiletken
numunelerine ait x-ışını kırınım desenine bakıldığında ise atomların en yüksek pik
şiddetinin (002) düzlemine ait olduğu gözlemlenmiştir. XRD sonuçlarına bakılarak ZnO
numunesinin hekzagonal yapıda olduğu ve malzemelerin nano yapıya sahip olduğu
belirlenmiştir. Düzlemlerin aynı olması kristal yapılarında katkı miktarına bağlı olarak
değişimin olmadığını gösterir. Şiddetlerin farklı olması ise katkılanan malzemenin ZnO
içerisine iyice nüfus ettiğinin bir göstergesidir.
Katkısız ve GO katkılı ZnO ince filmlerinin Atomik Kuvvet Mikroskob
görüntülerinden elde edilen sonuçlarda katkılandırmanın genel olarak yüzey
pürüzlülüğünü arttırdığı, %1 ve %1.5 GO katkısında yüzey pürüzlülüğünün azaldığı
görülmüştür ve yüzey pürüzlülüğü nano boyutta ölçülmüştür. Katkısız ZnO ince
filminin AFM görüntüsü incelendiğinde küçük tanelerin birbiriyle birleşmesinden
fiberlerin oluştuğu söylenebilir ve ayrıca fiber yapıda olan katkısız ZnO ince filminin
ölçülen fiber çapı 0,50 µm olarak bulunmuştur.
Hazırlanan katkısız ve GO katkılı ince filmlerin UV ölçümleri yapılarak soğurma,
geçirgenlik, yansıma ve yasak enerji aralığı grafikleri çizildi. Sol-jel yöntemi ile elde
edilen yarıiletken numunelerin oda sıcaklığında temel soğuma spektrumları 200-1000
nm tarama bölgesinde elde edilmiştir. İnce filmlerin soğurma spektrumlarına
bakıldığında 400 nm dalga boyuna yakın kısımlarda soğurmada sürekli bir artış
gözlenmektedir.400 nm dalga boyundan sonraki kısımlarda ise soğurma bir denge
değerine ulaşmaktadır. Bu nedenle yarıiletken materyal 400 nm’den küçük dalga
boylarında kuvvetli soğurma,400 nm’den büyük dalga boylarında ise soğurma
yapamadığından hemen hemen geçirgen özellik göstermektedir. Filmlerin geçirgenlik
spektrumlarına bakıldığında 400-450 nmarasındaki dalga boylarında keskin bir soğurma
kıyısı görülmektedir. Filmlerin büyük bir çoğunluğu görünür bölgede %80’nin üzerinde
geçirgenlik göstermiştir. Yansıma, numune yüzeyinden yansıyan ışının şiddetinin
numune üzerine gelen ışının şiddetine oranıdır. Çizilen yansıma-dalga boyu
spektrumlarında genel olarak yansıma 300 nm dalga boyu civarında en büyük pikini
göstermektedir. Yansıma grafen oksitin katkı miktarı ile değişmektedir. Buda filmlerin
yasak enerji aralığının GO katkısı ile değiştiğini doğrulamaktadır. Katkısız ve GO
katkılı yarıiletken numunelerin yasak enerji aralığı,(αhν)1/n = A(hν-Eg) denkleminden
ve αhν2-hν grafiğinin lineer kısmının hν’yü, (αhν)1/n=0’da kestiği noktalardan
faydalanarak hesaplanmıştır. Burada n optik soğurma sürecini tanımlayan bir indis ve A
ise geçiş olasılığına bağlı bir sabittir. Böylelikle hν’ye karşı (αhν)1/ngrafiği bu
parametreler dikkate alınarak çizilir. Doğrudan ve dolaylı bant geçişine sahip
malzemelerde n sayısına bakılır. Dolaylı bant geçişine sahip malzemelerde n sayısı 2
değerini alırken, doğrudan bant geçişine sahip malzemelerin n sayısı ½ değerini alır.
Elde edilen grafiklerde n yerine ½ konulduğunda en iyi lineerlik belirlenmiştir. Böylece
yarıiletken numunelerin doğrudan band geçişine sahip olduğu belirlenmiştir.
Hesaplanan yasak enerji aralıklarının 3,25 eV ile 3,37 eV aralığında olduğu
bulunmuştur. ZnO içerisine yapılan tüm katkılama materyallerinin yasak enerji aralığını
değiştirdiğini gözlemlenmiştir.

82
5. ÖNERİLER

 Sol-jel yöntemi ile jel hazırlama aşamalarında süre, sıcaklık, film kalınlığı,
kaplamadaki döndürme hızı ve ısıl işlem sıcaklığı gibi bir çok parametre
değiştirilerek farklı özellikteki numuneler elde edilebilir.
 Elde edilen farklı numunelerin yapısal, optik, elektrik ölçümleri alınıp kıyaslama
yapılabilir.
 Hazırlanan numuneler için katkı oranları değiştirilip farklı katkı oranlarının
vereceği tepkiler ölçülüp kıyaslanabilir.
 Altlık olarak mikroskop camı dışında farklı altlıklar kullanılarak filmin altlık
üzerinde büyüme şeklinin ve yapısının göstereceği değişiklikler araştırılabilir.
 Hazırlanan numuneler için farklı maddeler katkılandırılarak ölçümler alınıp
kıyaslama yapılabilir.
 İnce film oluşturmanın yanı sıra toz şeklindeki numuneler hazırlanıp bu
numunelerin vereceği tepkiler ölçülüp kıyaslama yapılabilir.
KAYNAKLAR

[1] Polat, E.G.,2009.Sol-Jel Yöntemi İle Bakır ve Kalay Katkılı ZnO İnce Filmlerin
Üretilmesi, Optik ve Mikroyapısal Karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Gebze
Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü, Gebze.

[2] Sevinç, B.,2015.İletken Polimer-Nanopartikül Kompozitlerinin Sentezi ve

Karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Niğde Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Niğde.

[3] Aksu, Z.,2017.Farklı Boyar Maddelerle Katkılanmış Grafen Kompozit Kağıt

Elekrotların Hazırlanması ve Amperometrik Sensör Uygulamaları, Yüksek Lisans Tezi,
Atatürk Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[4] Öztürk, A.,2015.İki Elektrotlu Hücrelerde Grafen/SDS Süspansiyonlarının

Hazırlanması, Karakterizasyonu ve Grafen İnce Filmlerinin Elektrokatalitik
Uygulamaları, Yüksek Lisans Tezi, Atatürk Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[5] Dere, A.,2014.Grafen Esaslı Fotodedektörlerin Üretilmesi ve Elektriksel

Özelliklerinin Karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Fırat Ünv. Fen Bilimleri
Enstitüsü, Elazığ.

[6] http://bilgiyelpazesi.com/egitim_ogretim/oksitler_oksitlerin_ozellikleri

[7] http://www.diyadinnet.com/sodyum

[8] http://www.sodyum.gen.tr/sodyum_oksit

[9] Kavaklıoğlu, K.B., 2013.TeO2-Na2O İkili Sisteminin Camlaşma Davranışının ve

Faz Dengelerinin İncelenmesi, Yüksek Lisan Tezi, İstanbul Teknik Ünv. Fen Bilimleri
Enstitüsü, İstanbul.

[10] http://www.makaleler.com/potasyum_oksit/berilyum_oksit/baryum_oksit/

[11] http://www.potasyum.gen.tr/potasyum_oksit

[12] http://www.mta.gov.tr/lityum
[13] http://www.kimyakulubu.com/lityum

[14] http://www.frmtr.com/magnezyum

[15]http://www.aves.erciyes.edu.tr/mbm_301_seramikler_dersnotları/magnezyum/alümin
yum

[16] http://player.slideplayer.biz.tr/magnezyum

[17] http://hasansecen.files.wordpress.com/magnezyum

[18] Alper, G.,2003.Alüminyum Sürekli Döküm Yöntemi İle Üretilmiş 5052-5182

Alüminyum Alaşımlarının Şekillendirilebilirlik Kabiliyetlerinin Belirlenmesi, Yüksek
lisans Tezi, İstanbul Teknik Ünv.Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul.

[19] http://www.nkfu.com/alüminyum/baryum_oksit/demir_oksit/çinko

[20] http://www.solemtuzkimya.com/alüminyum

[21] Yanık, F.,2014.Al2O3(aluminyum oksit) Nanopartiküllerinin Triticum Aestivum

L.(buğday) Kökleri Üzerinde Morfolojik, Sitotoksik ve Genotoksik Etkileri, Yüksek
Lisans Tezi, Marmara Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul.

[22] http://tr.swewe.net/word/berilyum_oksit

[23] http://www.fensinif.com/berilyum_oksit

[24] http://www.dersimiz.com/berilyum_oksit

[25] http://www.kimyaevi.org/kalsiyum

[26] http://www.kalsiyum.org/kalsiyum_oksit

[27] http://www.asit.gen.tr/kalsiyum_oksit

[28] http://www.bilgifili.com/demir

[29] http://www.odevnotu.com/demir

85
[30] Gündoğdu, M.,2016.Demir Oksit Nanopartiküller İle Metal İyonlarının Sulardan
Uzaklaştırılması, Önderiştirilmesi ve Tayini, Doktora tezi, Hacettepe Ünv. Fen Bilimleri
Enstitüsü, Ankara.

[31] Sarıtaş, S.,2017. Zn, Ni ve Co Katkılı Demir Oksit İnce Filmlerinin Yapısal,
Elektriksel ve Manyetik Özelliklerinin İncelenmesi, Doktora Tezi, Atatürk Ünv. Fen
Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[32] Anonim., http://www.turkcoat.com/Demir_oksitler

[33] Aksoy, S.,2017.Sol Jel Spin Kaplama Yöntemiyle Elde Edilen Nano Yapılı Metal
Oksit Filmlerinin Fiziksel Karakterizasyonu, Doktora Tezi, Anadolu Ünv. Fen Bilimleri
Enstitüsü, Eskişehir.

[34] Taşaltın, C.,2013.Zn, Ti, Sn Oksit Yapılarının SAW Transduser İle Gaz Algılama
Özelliklerinin İncelenmesi, Sensör Verilerinin Analizi, Doktora Tezi, Gebze Yüksek
Teknoloji Enstitüsü, Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü, Gebze.

[35] Kalay, M.,2014.Biyoseramik ve Organik Malzeme Esaslı Şekil Hatırlamalı

Malzemelerin Üretilmesi, Yüksek Lisans Tezi, Fırat Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü,
Elazığ.

[36] Demirci, B.,2006.İndiyum Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Bazı Fiziksel Özellikleri,
Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Eskişehir.

[37] Şener, D.,2006.Sol-gel Yöntemiyle Hazırlanan Metal Oksit İnce Filmlerin

Elektriksel, Yapısal ve Optiksel Özelliklerinin İncelenmesi, Yüksek Lisans Tezi,
Ankara Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.

[38] Şahin, E.,2017.Ekran Baskı Yöntemi İle Metal Oksit Gaz Sensörü Fabrikasyonu,
Yüksek lisans Tezi, Atatürk Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[39] Keskenler, E.F., 2012. Sol-jel Yöntemiyle Büyütülen ZnO İnce Filmlerinin Optik,
Yapısal ve Morfolojik Özelliklerinin İncelenmesi, Doktora Tezi, Atatürk Ünv. Fen
Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

86
[40] Şahin, D., 2012.Sol-Jel Yöntemiyle Elde Edilen Na Katkılı ZnO İnce Filmlerin
Yapısal, Elektriksel ve Optik Özelliklerinin İncelenmesi, Yüksek Lisans Tezi,
Gaziosmanpaşa Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Tokat.

[41] Çavaş, M., 2011.Nano Yapılı Metal Oksit Yarıiletkenler Kullanılarak Foto
Diyotların Üretilmesi, Doktora Tezi, Fırat Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Elazığ.

[42] Diyarbakır, B., 2011.Sol-Jel Yöntemi İle Büyütülen Katkısız ve Ni Katkılı ZnO
Yarıiletkenlerinin Yapısal ve Optiksel Özellikleri, Yüksek Lisans Tezi, Atatürk Ünv.
Fen Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[43] Babür, G., 2012.Sol-Jel Yöntemiyle Elde Edilen Bor Katkılı ZnO İnce Filmlerin
Yapısal, Optiksel ve Elektriksel Özellerinin İncelenmesi, Yüksek Lisans Tezi,
Gaziosmanpaşa Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Tokat.

[44] Yazal, A., 2014.Sol-Jel Metodu İle Hazırlanan Dy/Al-Ka Katkılı ZnO Filmlerin
Spin Coating (Döndürmeli Kaplama) İle Kaplaması, Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Ünv.
Fen Bilimleri Enstitüsü, Eskişehir.

[45] Bilgen , Y., 2008. Sol-Jel Yöntemiyle Üretilen Nanokristal ZnO:Ga İnce
Filmlerinin Optik ve Mikroyapısal Özelliklerinin İncelenmesi, Yüksek Lisans Tezi,
Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü, Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü, Gebze.

[46] Sarar, İ., 2008.Katkılı ve Katkısız Çinko Oksit (ZnO) İnce Filmlerin
Hazırlanması ve Karakterizasyonu, Doktora Tezi, İstanbul Teknik Ünv. Fen Bilimleri
Enstitüsü, İstanbul.

[47] Akay, D., 2016.Grafen Tabanlı Nano Yapılarda Topolojik Etkiler, Doktora Tezi;
Ankara Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.

[48] Anonim., http://www.wikipedia.org/wiki/Grafen Erişim Tarihi:15.11.2016

[49] Kuloğlu, A.F., 2012. Kenarları Paladyum İle Sonlandırılmış Grafen Nanoşeritlerin
Elektronik Özelliklerinin İncelenmesi, Yüksek Lisans Tezi, Gazi Ünv.Fen Bilimleri
Enstitüsü, Ankara.
[50] Kozal, B., 2012. Karbon Tabanlı Petek Örgülerin Elektronik Özellikleri, Doktora
Tezi, Ankara Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.

87
[51] Elibol, K., 2012. Grafit Soyma Ve Epitaksiyel Yöntemlerle Elde Edilmiş
Grafenlerde Manyeto iletim Ve Yüzey Özellikleri İncelemeleri, Yüksek Lisans Tezi,
Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.

[52] Öztürk, M., 2011. Grafen Transistörlerin Elektriksel Parametrelerinin

Belirlenmesi, Yüksek Lisans Tezi, Bozok Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Yozgat.

[53] Özcan, Ş., 2015.Kimyasal Yöntemlerle Grafen ve Grafen Oksit Üretimi ve Li-
Hava Pil Uygulamaları, Yüksek Lisans Tezi, Sakarya Ünv.Fen Bilimleri Enstitüsü,
Sakarya.

[54] Kılıç, B., 2012.İndirgenmiş Grafen Oksite Tutturulmuş Paladyum

Nanopartikülleri: Hazırlanması, Tanımlanması ve Amonyak Boranın
Dehidrojenlenmesinde Katalitik Etkinliği, Yüksek Lisans Tezi, Atatürk Ünv. Fen
Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[55] Çıplak, Z., 2013.Grafen Temelli Polianilin Gümüş Nanotanecik

Nanokompozitlerinin Sentez ve Karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Ankara
Ünv.Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara.

[56] Dağcı, K., 2015.Poli (Pyronin Y) İnce Filmlerinin ve Müstakil Grafen / Poli
(Pyronin Y) /Gümüş Nanopartikül Elektrotların Hazırlanması, Karakterizasyonu ve
Nitritin Amperometrik Tayininde Kullanılması, Doktora Tezi, Atatürk Ünv. Fen
Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[57] Aydın, M.G., 2016.Ag/Grafen Oksit-Polimer/p-Si Schottky Diyotların Elektriksel

ve Elektriksel Karakteristiklerin İncelenmesi, Yüksek Lisans Tezi, Kahramanmaraş
Sütçü İmam Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü, Kahramanmaraş.

[58] Urhan, B.K., 2015. PbO-İndirgenmiş Grafen Oksit Nanokompozitlerinin

Elektrokimyasal Sentezi ve Karakterizasyonu, Yüksek Lisans Tezi, Atatürk Ünv. Fen
Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[59] Aksoy, S., 2006.Kalay Katkılı ZnO İnce Filmlerinin Bazı Fiziksel Özellikleri,
Yüksek Lisans Tezi, Anadolu Ünv.Fen Bilimleri Enstitüsü, Eskişehir.

88
[60] Korkmaz, E., 2011.ZnO ve CdO İkili Yarıiletken Bileşiklerin Sılar ve Sol-Jel
Teknikleriyle Büyütülmesi ve Yapısal Analizleri, Yüksek Lisans Tezi, Atatürk Ünv.
Fen Bilimleri Enstitüsü, Erzurum.

[61] Özdemir, M.C., 2014.Termokromik Özellik Gösteren Vanadyum Oksit Esaslı

İnce Film Kaplamaların Sol-Jel Yöntemi İle Hazırlanması ve Karakterizasyonu, Yüksek
Lisans Tezi, İstanbul Teknik Ünv.Fen Bilimleri Enstitüsü, İstanbul.

[62] Aydın, H., 2013. ZnO Esaslı Nanoyapılı Yarıiletken İnce Filmlerin Büyütülmesi
ve Gaz Sensörlerinin Üretilmesi, Doktora Tezi, Fırat Ünv. Fen Bilimleri Enstitüsü,
Elazığ.

89
 ÖZGEÇMİŞ

Kişisel Bilgiler:
Adı : Ayşe
Soyadı : Yılmaz
Doğum Tarihi : 07.11.1990
Doğum Yeri : Elazığ
Uyruğu : T.C
Medeni Hali : Evli
e-posta:ayseyilmaz559@gmail.com (0507 009 63 83)

Eğitim Bilgileri:

İlköğretim : 1997-2001 24 Kasım İlköğretim Okulu

Ortaöğretim : 2002-2004 24 Kasım İlköğretim Okulu
Lise : 2005-2007 Bedrettin Demirel Lisesi
Lisans : 2008-2011 Fırat Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü
Ön Lisans : 2009-2011 Anadolu Üniversitesi Hukuk Fakültesi Adalet Bölümü
Yüksek Lisans : 2012- 2018 Fırat Üniversitesi, Mühendislik Fakültesi Metalurji ve
Malzeme Mühendisliği