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ＤＯＩ：１０．１３２９０ ／ ｊ．ｃｎｋｉ．ｂｄｔｊｓ．２０２２．１１．０１０

碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的高温栅偏特性

崔江１ ， 王景霖２，３ ， 陈一凡１ ， 林华１
（１． 南京航空航天大学 自动化学院， 南京　 ２１１１０６；
２． 航空工业上海航空测控技术研究所， 上海　 ２０１６０１；
３． 故障诊断与健康管理技术航空科技重点实验室， 上海　 ２０１６０１）

　 　 摘要： 针对碳化硅 （ ＳｉＣ） ＭＯＳＦＥＴ 存在的栅氧可靠性问题， 对其展开高温栅偏 （ ＨＴＧＢ）

试验研究。 以阈值电压 （ Ｖ ＴＨ ） 和体二极管通态压降 （ Ｖ ＳＤ ） 作为特征参数， 设计搭建应力及测
试试验平台， 研究 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 在高温栅偏应力下的特征参数退化特性， 并对短期恢复下特征参
数的不稳定现象以及长期恢复对特征参数的影响进行了分析。 试验结果表明， ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的
Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 均受负向和正向高温栅偏的影响， 并能够产生相反方向的参数漂移。 撤去应力后存在恢
复现象， 使电参数受可恢复部分偏移量的影响具有不稳定性， 且经过长期室温储存后仍存在进一
步的恢复。
关键词： 碳化硅 （ ＳｉＣ） ＭＯＳＦＥＴ； 高温栅偏 （ ＨＴＧＢ） ； 阈值电压； 体二极管通态压降； 恢
复现象
中图分类号： ＴＮ３０６　 　 文献标识码： Ａ　 　 文章编号： １００３ － ３５３Ｘ （２０２２） １１ － ０９１５ － ０６

Ｈｉｇｈ⁃Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ

Ｃｕｉ Ｊｉａｎｇ１ ， Ｗａｎｇ Ｊｉｎｇｌｉｎ２，３ ， Ｃｈｅｎ Ｙｉｆａｎ１ ， Ｌｉｎ Ｈｕａ１
（１． Ｃｏｌｌｅgｅ ｏｆ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｅｎgｉｎｅｅｒｉｎg， Ｎａｎｊｉｎg Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ａｅｒｏｎａｕｔｉcｓ ａｎｄ Ａｓｔｒｏｎａｕｔｉcｓ， Ｎａｎｊｉｎg ２１１１１６， Ｃｈｉｎａ；
２． ＡＶＩＣ Ｓｈａｎgｈａｉ Ａｅｒｏ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ａｎｄ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｔｅcｈｎｏｌｏgｙ Ｒｅｓｅａｒcｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ， Ｓｈａｎgｈａｉ ２０１６０１， Ｃｈｉｎａ；
３． Ａｖｉａｔｉｏｎ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｓcｉｅｎcｅ ａｎｄ Ｔｅcｈｎｏｌｏgｙ ｏｎ Ｆａｕｌｔ Ｄｉａgｎｏｓｉｓ ａｎｄ Ｈｅａｌｔｈ Ｍａｎａgｅｍｅｎｔ Ｔｅcｈｎｏｌｏgｙ，
Ｓｈａｎgｈａｉ ２０１６０１， Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ： Ｆoｃｕｓｉｎｇ oｎ ｔｈｅ ｐｒoｂｌｅｍ oｆ ｇａｔｅ oｘｉｄｅ ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ oｆ ｓｉｌｉｃoｎ ｃａｒｂｉｄｅ （ ＳｉＣ） ＭＯＳＦＥＴｓ， ｔｈｅ
ｈｉｇｈ⁃ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ （ ＨＴＧＢ） ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ｗａｓ ｃoｎｄｕｃｔｅｄ oｎ ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ． Ｔａｋｉｎｇ ｔｈｒｅｓｈoｌｄ ｖoｌ⁃
ｔａｇｅ （ Ｖ ＴＨ ） ａｎｄ ｂoｄｙ ｄｉoｄｅ oｎ⁃ｓｔａｔｅ ｖoｌｔａｇｅ ｄｒoｐ （ Ｖ ＳＤ ） ａｓ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ， ａ ｓｔｒｅｓｓ ａｎｄ ｍｅａ⁃
ｓｕｒｅｍｅｎｔ ｐｌａｔｆoｒｍ ｗａｓ ｄｅｓｉｇｎｅｄ ａｎｄ ｂｕｉｌｔ ｔo ｓｔｕｄｙ ｔｈｅ ｄｅｇｒａｄａｔｉoｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ oｆ ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｐａ⁃
ｒａｍｅｔｅｒｓ oｆ ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ ｕｎｄｅｒ ＨＴＧＢ ｓｔｒｅｓｓ． Ｔｈｅ ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ oｆ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｕｎｄｅｒ ｓｈoｒｔ⁃
ｔｅｒｍ ｒｅｃoｖｅｒｙ ａｎｄ ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ oｆ ｌoｎｇ⁃ｔｅｒｍ ｒｅｃoｖｅｒｙ oｎ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｗｅｒｅ ａｎａｌｙｚｅｄ． Ｔｈｅ ｅｘ⁃
ｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ ｒｅｓｕｌｔｓ ｓｈoｗ ｔｈａｔ Ｖ ＴＨ ａｎｄ Ｖ ＳＤ oｆ ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ ａｒｅ ｂoｔｈ ａｆｆｅｃｔｅｄ ｂｙ ｐoｓｉｔｉｖｅ ａｎｄ ｎｅｇａｔｉｖｅ ＨＴ⁃
ＧＢ， ｒｅｓｕｌｔｉｎｇ ｉｎ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｄｒｉｆｔ ｉｎ oｐｐoｓｉｔｅ ｄｉｒｅｃｔｉoｎ． Ｔｈｅ ｒｅｃoｖｅｒｙ ｐｈｅｎoｍｅｎoｎ ａｆｔｅｒ ｓｔｒｅｓｓ ｒｅｍoｖａｌ
ｍａｋｅｓ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｕｎｓｔａｂｌｅ ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ oｆ ｒｅｃoｖｅｒａｂｌｅ ｄｒｉｆｔ， ａｎｄ ｆｕｒｔｈｅｒ ｒｅｃoｖｅｒｙ
ｓｔｉｌｌ ｅｘｉｓｔｓ ａｆｔｅｒ ｌoｎｇ⁃ｔｅｒｍ ｓｔoｒａｇｅ ａｔ ｒooｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ： ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ； ｈｉｇｈ⁃ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ （ ＨＴＧＢ ） ； ｔｈｒｅｓｈoｌｄ ｖoｌｔａｇｅ； oｎ⁃ｓｔａｔｅ
ｖoｌｔａｇｅ ｄｒoｐ oｆ ｔｈｅ ｂoｄｙ ｄｉoｄｅ； ｒｅｃoｖｅｒｙ ｐｈｅｎoｍｅｎoｎ
ＥＥＡＣＣ： ２５６０Ｐ

基金项目： 航空科学基金资助项目 （ ２０１９３３０５２００１） ； 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 （ ＮＳ２０２１０２１）

Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　 ２０２２ Ｓｅｍｉcｏｎｄｕcｔｏｒ Ｔｅcｈｎｏｌｏgｙ Ｖｏｌ．４７ Ｎｏ．１１　 　９１５

崔江　 等： 碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的高温栅偏特性
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０　 引言
功率开关 器 件 是 功 率 变 换 系 统 的 核 心 器 件，
近年来， 以 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 为 代 表 的 新 型 宽 禁 带 功
率半导体器件已经引起了人们的极大关注。 与 Ｓｉ
基器件相比， ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 具有耐高温、 耐高压、
抗辐射能力强、 开关频率高等优势， 在工作条件
严苛的航空航天领域功率变换系统中已然成为研
究热 点 ［ １－２］
。 然 而， 苛 刻 的 应 用 环 境 使 ＳｉＣ
ＭＯＳＦＥＴ 面临严峻的可靠性考验
在长期高温和栅偏应力下可能发生性能退化甚至
功能失效 ［ ４］ 。 为实现 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 安 全 高 效 的 应
用， 对其进行高温栅偏特性研究， 这将有助于了
解特征参数的退化情况， 进一步实现器件的健康
状态监测与可靠性评估， 对于保障电力系统的安
全可靠运行意义重大。
徐鹏等人 ［ ５］
评 估 了 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 在 高 温 正 栅
偏应力下 的 退 化 特 性， 对 阈 值 电 压 （ Ｖ ＴＨ ） 在 不
同电热应力下的敏感度以及不同时间周期的恢复
［ ６］
能力进行了分析。 吴维丽等人
了 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的 Ｖ ＴＨ 在高温栅偏应力下的漂移原
因， 研究了应 力 时 间 长 短 与 测 量 时 间 间 隔 对 Ｖ ＴＨ
的影响。 Ｑ． Ｍoｌｉｎ 等人 ［ ７］
研究了 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 在高
温正栅偏 应 力 下 的 栅 极 不 稳 定 性， 分 析 了 Ｖ ＴＨ 的
退化机理， 并 依 据 恢 复 现 象 提 出 分 离 Ｖ ＴＨ 永 久 退
化量的方法。
综合现有研究， 大多以 Ｖ ＴＨ 为敏感参数展开分
析。 ２０２０ 年， Ｆ. Ｙａｎｇ 等 人 ［８］ 发 现， ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ
的体效应同样受偏置温度不稳定 （ ｂｉａｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ
ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ， ＢＴＩ ） 特 性 影 响， 体 二 极 管 通 态 压 降
（ Ｖ ＳＤ ） 作为一种新的老化敏感参数逐渐引起研究
人员的关注。 本文以 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 作为主要特征参数，
设计搭建了 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的高温栅偏应力及测试试
验平台， 对器件进行了高温负向、 正向栅偏试验研
究， 分析了 ＢＴＩ 特性对特征参数的影响， 并对短期
恢复下特征参数的不稳定现象以及长期恢复对特征
参数的影响进行了分析与评估， 为 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的
可靠性研究与应用提供了一定的试验依据。
１　 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的 ＢＴＩ 特性
１. １　 ＢＴＩ 特性介绍
ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 在高温栅偏应力下会发生栅极老
　９１６　 半导体技术第 ４７ 卷第 １１ 期
化， 表现出 ＢＴＩ 特性， 该特性是 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 栅极
老化的重要体现。 器件内的 ＳｉＣ ／ ＳｉＯ ２ 界面对器件的
栅氧可靠性影响很大， 当 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 长期承受高
温和栅偏应力时， 内部载流子会被 ＳｉＣ ／ ＳｉＯ ２ 界面附
近的电荷陷阱俘获， 引起 Ｖ ＴＨ 漂移， 进而导致器件
可靠性下降， 影响长期工作性能 ［９］ 。
当 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 承受高温负栅偏应力时， 栅氧
化层界面陷阱捕获沟道中的空穴， 造成 Ｖ ＴＨ 反向漂
移； 当承受高温正栅偏应力时， 栅氧化层界面陷阱
［ ３］
， 其栅氧化层 捕获沟道中的电子， 造成 Ｖ ＴＨ 正向漂移。 前者易造
成器件误导通， 增大关断阶段的泄漏电流， 使工作
功耗增大； 后者易造成延迟导通， 使通态电阻和通
态损耗增大。
１. ２　 ＢＴＩ 特性对体效应的影响
当 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 处 于 反 向 导 通 阶 段， 电 流
（ Ｉ ＳＤ ） 从源极流入漏极， 体二极管 ｐｎ 结电压的存
在使器 件 源 极 电 压 高 于 漏 极， 导 致 Ｖ ＴＨ 下 降。 此
时， 器件开通过程如下： 当栅源电压 （ Ｖ ＧＳ ） 小于
Ｖ ＴＨ 时， 随着 Ｖ ＧＳ 由负到正逐渐增大， 沟道尚未形
从物理层面分析 成， 沟道电阻远大于体二极管电阻， Ｉ ＳＤ 仅流过体
二极管， 此时体二极管电压 Ｖ ＳＤ 基本恒定； 当 Ｖ ＧＳ
开始大于 Ｖ ＴＨ 时， 沟道开始形成， 沟道电阻随 Ｖ ＧＳ
的增大逐渐减小， 并且不再远大于体二极管电阻，
此时， 沟道电阻和体二极管电阻同时对 Ｉ ＳＤ 分流，
随着沟道电阻持续下降， 其沟道分流逐渐增加， 导
致 Ｖ ＳＤ 逐渐减小， 这种现象称为 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的体
效应 ［１０］ ； 当 Ｖ ＧＳ 增大到一定程度， Ｉ ＳＤ 基本都从沟道
流 过， 此 时 即 使 Ｖ ＧＳ 继 续 增 大， Ｖ ＳＤ 仍 基 本 保 持
恒定 ［１１］ 。
可见， ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 在反向导通阶段的 Ｖ ＴＨ 即
为 Ｖ ＳＤ 开始下降的拐点， Ｖ ＴＨ 与 Ｖ ＳＤ 之间存在耦合关
系。 当 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 发生栅极老化时， ＢＴＩ 特性使
Ｖ ＴＨ 产生漂移， 进而影响体效应下的 Ｖ ＳＤ 。 当 Ｖ ＧＳ 为
０ Ｖ 时， 体二极管电阻与沟道电阻共同对 Ｉ ＳＤ 进行
分流， 此时体效应的影响更为明显， 因此， 通过监
测栅压为 ０ Ｖ 时的 Ｖ ＳＤ ， 可以进一步表征 ＢＴＩ 特性
对器件栅极退化的影响 ［１２］ 。
２　 试验方案
２. １　 试验平台
高温栅偏试验平台的原理图及组成如图 １ 所
示， 图 １ （ ｂ） 中： ①ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 器 件， 型 号 为
２０２２ 年 １１ 月
 崔江　 等： 碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的高温栅偏特性
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Ｃ２Ｍ００８０１２０Ｄ （ ＣＲＥＥ 公 司 ） ； ② ２２０ ＶＡＣ ／ 表 １　 高温栅偏试验条件

８５０ Ｗ微电脑控温加热台， 温控范围为 ０ ～ ３００ ℃ ， Ｔａｂ. １　 Ｈｉｇｈ⁃ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ
误差为 ±１ ℃ ； ③ ＤＦ１７３１ＳＬＬ５Ａ 型 双 路 直 流 稳 压 器件 应力持续 加速恢复 老化循环
温度 ／ ℃ Ｖ ＧＳ ／ Ｖ
时间 ／ ｈ 时间 ／ ｈ
电源， 可调电 压 范 围 为 ０ ～ ３３ Ｖ， 精 度 为０. １ Ｖ； 编号 次数
Ａ１ １５０ －３０ ８ １６ ５
④ＳＳ － Ｌ３０５ＳＰＤ ＋ 型高精度直流稳压电源， 可调电
Ａ２ １５０ －３０ １ ２３ １６
流范围为 ０ ～ ５ Ａ， 精度为 ０. ０１ ｍＡ； ⑤ＴＥＳ １３１０ Ａ３ １５０ －３０ 　 ０. １７ ０ ２１
ＴＹＰＥ － Ｋ 型 测 温 仪， 温 度 测 量 范 围 为 － ５０ ～ ２５０ Ａ４ １５０ ３０ ８ １６ ５
℃ ， 测量精 度 为 ０. １ ℃ ； ⑥ ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 老 化 及 Ａ５ １５０ ３０ ６ １８ １６
Ａ６ １５０ ３０ １２ １２ ２１
测试主电路。
测量 VTH 表 ２　 高温栅偏试验中特征参数的测量条件
I 时的电流
Ｔａｂ. ２　 Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ ｏｆ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎ
微电脑控 D DS
G 方向
温加热台 电流源
G
D TES1310
VGS S ｈｉｇｈ⁃ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ
测温仪 I 测量 VSD
S 电压源
SD
时的电流 特征参数 测量条件
GND 方向
Ｖ ＴＨ θ ＝ ２５ ℃ ； Ｖ ＧＳ ＝ Ｖ ＤＳ ； Ｉ ＤＳ ＝ ５ ｍＡ
（ ａ） 试验平台原理图
Ｖ ＳＤ θ ＝ ２５ ℃ ； Ｖ ＧＳ ＝ ０ Ｖ； Ｉ ＳＤ ＝ ５０ ｍＡ

　 　 具体试验步骤如下： ①在高温栅偏试验前测量
器件 Ａ１ ～ Ａ６ 的 Ｖ ＴＨ 、 Ｖ ＳＤ 初始值； ②对器件 Ａ１ ～ Ａ３
①
③
④ 施加 １５０ ℃ 、 － ３０ Ｖ 的高温负栅偏应力， 应力持续
②
时间分别为 ８ ｈ、 １ ｈ 和 １０ ｍｉｎ， 对器件 Ａ４ ～ Ａ６ 施
⑥
加 １５０ ℃ 、 ３０ Ｖ 的高温正栅偏应力， 应力持续时
⑤
间分别为 ８、 ６ 和 １２ ｈ； ③对器件 Ａ１ ～ Ａ６ 施加应力
结束后， 快速恢复至室温 （２５ ℃ ） ， 测量并记录特
（ ｂ） 硬件试验平台
图 １　 高温栅偏试验平台
征参数值； ④将器件 Ａ１、 Ａ２、 Ａ４ ～ Ａ６ 各自的栅源
Ｆｉｇ. １　 Ｐｌａｔｆoｒｍ ｆoｒ ｈｉｇｈ⁃ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ 极短接、 漏源极短接， 以加速恢复过程 ［１０］ ， 设置
施加应力时， 将器件紧贴于加热台表面， 并设 Ａ１、 Ａ２、 Ａ４ ～ Ａ６ 的加速恢复时间分别为 １６、 ２３、
定温度以提供高温应力环境， 采用测温仪实时监测 １６、 １８ 和 １２ ｈ， 使 得 一 个 完 整 试 验 循 环 周 期 为
器件表面温度； 将器件的漏源极短接， 通过电压源 ２４ ｈ， 加速恢复结束后， 在室温下测量并记录特征
提供栅源极偏置电压， 使器件处于栅偏压状态； 测 参数值。 器件 Ａ３ 在步骤③测量结束后不经过加速
量 Ｖ ＴＨ 时， 将器件的栅极和漏极短接， 通过电流源 恢复过程。
提供图 １ （ ａ） 中绿色箭头方向所示的漏源极测量 对器件 Ａ１、 Ａ２、 Ａ４ ～ Ａ６ 重复步骤 ２ ～ ４， 重复
电流 Ｉ ＤＳ ， 再由电流源采集并记录 Ｖ ＴＨ 值； 测量 Ｖ ＳＤ 次数分别为 ５ 次、 １６ 次、 ５ 次、 １６ 次、 ２１ 次； 器
时， 由电压源提供栅源极测量电压 Ｖ ＧＳ ， 再通过电 件 Ａ３ 重复步骤 ２ ～ ３， 重复次数为 ２１ 次。
流源产生图 １ （ ａ） 中蓝色箭头方向所示的源漏极 另外， 本文还设置了一组长期恢复试验， 对比
测量电流 Ｉ ＳＤ ， 记录此时的 Ｖ ＳＤ 值 ［１１］ 。 分析各器件在高温栅偏试验前后， 以及经过长时间
２. ２　 试验条件和流程 室温储存后的特征参数变化情况。
为了研究不同的高温栅偏条件对 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ
３　 试验结果及分析
特征参数的影响， 本文使用 ６ 个试验器件， 分别编
号 Ａ１ ～ Ａ６。 将 Ａ１ 和 Ａ４、 Ａ２ 和 Ａ５、 Ａ３ 和 Ａ６ 作 ３. １　 高温栅偏试验对 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 的影响
为 ３ 组对比试验。 表 １ 和表 ２ 分别为具体试验条件 以器件 Ａ２ 和 Ａ６ 为例， 每次循环试验前 Ｖ ＴＨ 和
和参数测量条件， 表中 Ｖ ＤＳ 为漏源电压。 Ｖ ＳＤ 的测量结果如图 ２ 所示。

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崔江　 等： 碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的高温栅偏特性
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3 1
.6 　 　 由表 ３ 可知， 各器件的 Ｖ ＴＨ 均产生 了 不 同 方
2 1
.4 向、 不同程度的漂移。 对比 Ａ１ 和 Ａ４， 单次施加应
V

V
VTH/

VSD/
力时间和加速恢复时间均相同， 重复相同试验次数
后， Ａ１ 的 Ｖ ＴＨ 漂移量远大于 Ａ４； 对比 Ａ２ 和 Ａ５，
1 1
.2

0 100 200 300 400

1
.0
0 100 200 300 400
Ａ２ 单次施加应力时间短、 加速恢复时间长， 重复
时间/ h 时间/ h 相同试验次数后， 两个器件 Ｖ ＴＨ 的变化量也存在明
（ ａ） Ａ２， Ｖ ＴＨ 　 　 　 　 　 　 　 　 （ ｂ） Ａ２， Ｖ ＳＤ
1.
8 显差异； 对比 Ａ３ 和 Ａ６， 对 Ａ３ 即使仅施加 １０ ｍｉｎ
3
.0 的高温负栅偏应力， 也能使 Ｖ ＴＨ 产生明显漂移， 而
1.
7
对 Ａ６ 施加高温正栅偏应力时间长达 １２ ｈ， 两个器
V
VSD/

2
.8
V
VTH/

1.
6
件重复相同试验次数后， Ｖ ＴＨ 漂移量较为接近。 结
果表明， ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的 Ｖ ＴＨ 在高温负向和正向栅
2
.6 1.
5

2
.4
0 100 200 300 400 500
1.
4
0 100 200 300 400 500
极偏置下的变化差异较大， 表现出对高温负栅偏应
时间/ h 时间/ h 力具有较高的敏感度， 而对高温正栅偏应力的敏感
（ ｃ） Ａ６， Ｖ ＴＨ 　 　 　 　 　 　 　 　 （ ｄ） Ａ６， Ｖ ＳＤ 度较低， 这个现象与文献 ［５ － ６， １１， １３］ 的试验
图 ２　 高温栅偏试验中器件电参数的退化情况
结论一致。
Ｆｉｇ. ２　 Ｄｅｇｒａｄａｔｉoｎ oｆ ｄｅｖｉｃｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎ ｈｉｇｈ⁃
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ ＭＯＳＦＥＴ 阈值电压 Ｖ ＴＨ 的通用公式 ［１３］ 为
可见， 在高温负栅偏应力下， Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 均明显 ｑＮ ｉｔ ｑＮ oｔ
Ｖ ＴＨ ＝ Ｖ ＴＨ（０） ＋ － （１）
减小， 多次重复试验后， Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 表现出明显的负 Ｃ oｘ Ｃ oｘ
向漂移趋势。 在经过多次高温正栅偏应力作用后， 式 中 ： Ｖ ＴＨ（ ０） 为 阈 值 电 压 初 值 ； Ｃ oｘ 为 栅 氧 电 容 ；
Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 总体上有增大趋势， 但测量结果呈现出较 Ｎ ｉｔ 为 栅 极 应 力 产 生 的 界 面 陷 阱 浓 度 ； Ｎ oｔ 为 栅 极
明显的波动变化。 应力产生 的 栅 氧 化 层 内 的 陷 阱 浓 度； ｑ 为 单 位
表 ３ 和表 ４ 分别列出了器件 Ａ１ ～ Ａ６ 在高温栅 面 积 的 栅 氧 化 层 电 荷 。 当 应 力 变 化 导 致 Ｎ oｔ 和
偏试验前后 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 的变化情况。 Ｎ ｉｔ 变 化 时 ， 其 阈 值 电 压 相 对 两 种 浓 度 的 变 化 分
表 ３　 高温栅偏试验前后各器件的 Ｖ ＴＨ 对比 别为
Ｔａｂ. ３　 Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ Ｖ ＴＨ ｆｏｒ ｅａｃｈ ｄｅｖｉｃｅ ｂｅｆｏｒｅ ａｎｄ ａｆｔｅｒ ｈｉｇｈ⁃ ∂Ｖ ＴＨ
＝ － ｑ ／ Ｃ oｘ （２）
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ∂Ｎ oｔ
Ｖ ＴＨ ／ Ｖ
相对变化量 ／ ％
∂Ｖ ＴＨ
器件编号
＝ ｑ ／ Ｃ oｘ （３）
∂Ｎ ｉｔ
试验前 试验后
Ａ１ ２. ５４４ ２ ０. ０７１ ６ ９７. １９
Ａ２ ２. ５７８ ８ ０. ４５０ ６ ８２. ５３ 这说明， 当施加一定负栅偏应力时， 会导致阈值电
Ａ３ ２. ６１４ ５ １. ９２６ ７ ２６. ３０ 压减小； 当施加一定正栅偏应力时， 阈值电压会
Ａ４ ２. ３５６ ９ ２. ５８１ ５ ９. ５３
增大。
Ａ５ ２. １４７ ２ ２. ３５９ ３ ９. ８７
Ａ６ ２. ３８５ ２ ２. ９２９ ８ ２２. ８３ 另外， 根据文献 ［ ５， １４］ 的一些试验研究，
温度是阈值电压变化的重要因素， 温度越高， 载流
表 ４　 高温栅偏试验前后各器件的 Ｖ ＳＤ 对比
子浓度增加， 阈值电压的下降也越显著。 因此， 在
Ｔａｂ. ４　 Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ ｏｆ Ｖ ＳＤ ｆｏｒ ｅａｃｈ ｄｅｖｉｃｅ ｂｅｆｏｒｅ ａｎｄ ａｆｔｅｒ ｈｉｇｈ⁃
本试验中， 叠加了高温 （１５０ ℃ ） 的因素且施加了
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇａｔｅ ｂｉａｓ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ
Ｖ ＳＤ ／ Ｖ
较大电场应力的条件下 （ ｜ Ｖ ＧＳ ｜ ＝ ３０ Ｖ） ， 负栅偏
器件编号 相对变化量 ／ ％
试验前 试验后 应力时导致的阈值电压变化更为显著一些。
Ａ１ １. ４７６ ５ ０. ６５２ ０ ５５. ８４ 表 ４ 说明 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的 Ｖ ＳＤ 在高温和栅偏压
Ａ２ １. ５３１ ６ ０. １４５ ３ ２５. ２２
应力下表现出与 Ｖ ＴＨ 相似的退化规律。
Ａ３ １. ５２６ ２ １. ３３７ ５ １２. ３６
Ａ４ １. ４５０ ７ １. ５４６ ６ ６. ６１ ３. ２　 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 的短期恢复不稳定现象
Ａ５ １. ３９６ １ １. ４９０ ４ ６. ７５ 以 Ａ２ 为例， 观察 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 撤去高温栅偏
Ａ６ １. ４５５ ２ １. ６５９ ５ １４. ０３
应力后电参数的变化情况。 以施加应力前， 撤去应

　９１８　 半导体技术第 ４７ 卷第 １１ 期 ２０２２ 年 １１ 月

 崔江　 等： 碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的高温栅偏特性
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力快速恢复至室温后， 以及加速恢复阶段结束后 器件的退化情况。

（ 即下一次循环试验前） 这 ３ 个时间节点为序列， ３. ３　 长期恢复对 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 的影响
Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 的测量结果如图 ３ 所示。 图中绿色虚线标 在实际工况中， 当器件经过长时间高温栅极偏
出器件在每个试验周期加速恢复结束后电参数的变 置后， 可能存在室温长期储存的情况。 本文将前述
化情况， 图中黑点为恢复至室温 （ 恢复时间约为 试验后的各器件引脚悬空， 放置室温中恢复超过
１ ｈ） 之后的参数变化情况， 反映了器件在重复应 ９６ ｈ 后进行电参数测量 ［１５］ ， 观察撤去应力后 Ｖ ＴＨ 和
力作用下电参数的退化规律。 Ｖ ＳＤ 的长期恢复情况， 结果如图 ４ 所示。
3
3.
5 高温栅偏试验前
高温栅偏试验后
3.
0 超过 96h长时间室温储存后
2.
5

V
VTH/
2.
0
2
1.
5
V
VTH/

1.
0
0.
5
1 0
A1 A2 A3 A4 A5 A6
器件编号

（ ａ） Ｖ ＴＨ
0
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
264
288
312
336
360
384

2.
0 高温栅偏试验前
时间/
h 高温栅偏试验后
超过 96h长时间室温储存后
1.
5
（ ａ） Ｖ ＴＨ （ 测量条件： θ ＝ ２５ ℃ ， Ｖ ＧＳ ＝ Ｖ ＤＳ ， Ｉ ＤＳ ＝ ５ ｍＡ）
V
VSD/

1.
0
1.
6
0.
5
1.
4
0
A1 A2 A3 A4 A5 A6
器件编号
V
VSD/

1.
2
（ ｂ） Ｖ ＳＤ
1.
0 图 ４　 长期恢复试验的电参数测量结果
Ｆｉｇ. ４　 Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｒｅｓｕｌｔｓ oｆ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎ ｌoｎｇ⁃
0.
8 ｔｅｒｍ ｒｅｃoｖｅｒｙ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ
可见， Ａ１ ～ Ａ３ 在高温负栅偏试验后， ＶＴＨ 和 ＶＳＤ
0
24
48
72
96
120
144
168
192
216
240
264
288
312
336
360
384

时间/
h
与初始值相比均产生不同程度且较为明显的减小，
经长时间室温储存后， 存在进一步恢复， 但恢复程
（ ｂ） Ｖ ＳＤ （ 测量条件： θ ＝ ２５ ℃ ， Ｖ ＧＳ ＝ ０ Ｖ， Ｉ ＳＤ ＝ ５０ ｍＡ）
图 ３　 器件 Ａ２ 的 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 测量点折线图 度有限， 与初始值相比仍有差距， 可以认为已经产
Ｆｉｇ. ３　 Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｐoｉｎｔ ｃｈａｒｔｓ oｆ Ｖ ＴＨ ａｎｄ Ｖ ＳＤ ｆoｒ Ａ２ 生了不可逆的退化。 Ａ４ ～ Ａ６ 在高温正栅偏试验后，
可见， 撤去高温负栅偏应力并快速恢复至室温 ＶＴＨ 和 ＶＳＤ 均有一定程度的增大， 但与 Ａ１ ～ Ａ３ 相比变
后， 测得 Ａ２ 的 Ｖ ＴＨ 明显减小， 加速恢复后， Ｖ ＴＨ 有 化并不明显， 经长时间室温储存后， 也存在进一步
一定程度回升， Ｖ ＳＤ 除个别测量点外， 变化规律与 恢复， 并且不同器件间的恢复情况存在差异。 由结
Ｖ ＴＨ 基本相同， 说明在撤去高温负栅偏应力后， Ｖ ＴＨ 果可知， 高温负栅偏应力对 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的影响更
和 Ｖ ＳＤ 均存在明显恢复。 在恢复阶段， 电参数同时 大， 器件较难恢复到初始水平； 而高温正栅偏应力
受永久老化量和可恢复部分偏移量影响， 参数大小 对器件的影响较小， 并且短期试验产生的影响在长
具有不稳定性， 易造成较大的测量误差。 此外， 观 期的恢复过程中仍存在较大的恢复空间。
察其他同型号器件撤去高温正栅偏应力后的电参数
４　 结论
变化情况， 发现结果存在较大的波动变化， 电参数
大小具有很强的不稳定性和时间依赖性。 经过一段 本文针对功率变换系统中的宽禁带功率半导体
时间的加速恢复过程可以降低不稳定的可恢复量的 器件 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ， 设计搭建了高温栅偏应力与测
影响， 有助于提高测量的准确性， 较大程度地反映 试试验平台， 研究了在不同的高温负向 ／ 正向栅极

Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　 ２０２２ Ｓｅｍｉcｏｎｄｕcｔｏｒ Ｔｅcｈｎｏｌｏgｙ Ｖｏｌ．４７ Ｎｏ．１１　 　９１９

崔江　 等： 碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 的高温栅偏特性
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偏置应力条件下， ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的阈值电压 Ｖ ＴＨ 和 测方法研究 ［ Ｊ］ ． 固体电子学研究与进展， ２０２１， ４１

体二极管通态压降 Ｖ ＳＤ 的退化规律， 并对撤去应力 （４） ： ３１３－３１８．

后电参数的短期恢复不稳定现象以及长期室温恢复 ［７］ ＭＯＬＩＮ Ｑ， ＫＡＮＯＵＮ Ｍ， ＲＡＹＮＡＵＤ Ｃ， ｅｔ ａｌ． Ｍｅａ⁃

ｓｕｒｅｍｅｎｔ ａｎｄ ａｎａｌｙｓｉｓ oｆ ＳｉＣ⁃ＭＯＳＦＥＴ ｔｈｒｅｓｈoｌｄ ｖoｌｔａｇｅ
对 电 参 数 的 影 响 进 行 了 分 析 与 评 估， 为 ＳｉＣ
ｓｈｉｆｔ ［ Ｊ ］ ． Ｍｉｃｒoｅｌｅｃｔｒoｎｉｃｓ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ， ２０１８， ８８ ／ ８９ ／
ＭＯＳＦＥＴ 的可靠性研究与应用提供了依据和基础。
９０： ６５６－６６０．
试验结果如下。
［８］ ＹＡＮＧ Ｆ， ＵＧＵＲ Ｅ， ＡＫＩＮ Ｂ． Ｅｖａｌｕａｔｉoｎ oｆ ａｇｉｎｇ′ ｓ
①ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 受高温负向 ／ 正向 ｅｆｆｅｃｔ oｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ⁃ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎ
栅极偏置应力的影响， 会发生负向 ／ 正向漂移， 在 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ ［ Ｊ］ ． ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉoｎｓ oｎ Ｐoｗｅｒ Ｅｌｅｃ⁃
施加相同电应力时， 高温负向栅偏能够获得更显著 ｔｒoｎｉｃｓ， ２０２０， ３５ （６） ： ６３１５－６３３１．
的参数敏感度， 相关的机理解释有待于进一步的深 ［９］ 周郁明， 穆世路， 蒋保国， 等． ＳｉＣ ／ ＳｉＯ２ 界面态电荷
入研究和验证。 对 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 短路特性影响的研究 ［ Ｊ］ ． 电子科技
②撤去应力后， Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 存在恢复现象， 电参 大学学报， ２０１９， ４８ （６） ： ９４７－９５３．

数同时受永久老化量和可恢复部分偏移量的影响， ［１０］ ＯＲＴＩＺ ＧＯＮＺÁＬＥＺ Ｊ， ＡＬＡＴＩＳＥ Ｏ． Ｂｉａｓ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ

ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄ ｃoｎｄｉｔｉoｎ ｍoｎｉｔoｒｉｎｇ ｉｎ ＳｉＣ ｐoｗｅｒ ＭＯＳ⁃
具有不稳定性， 通过一段时间的加速恢复可以降低
ＦＥＴｓ ［ Ｊ］ ． Ｍｉｃｒoｅｌｅｃｔｒoｎｉｃｓ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ， ２０１８， ８８ ／ ８９ ／
不稳定的可恢复量的影响。
９０： ５５７－５６２．
③长期室温储存后， Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 存在进一步恢复
［１１］ 孟鹤立， 邓二平， 应晓亮， 等． 基于体效应的 ＳｉＣ
的现象， 并且高温负栅偏应力对 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的影 ＭＯＳＦＥＴ 器件栅极老化监测方法研究 ［ Ｊ］ ． 中国电
响更大， 器件较难恢复到初始水平。 机工程学报， ２０２１， ４１ （３） ： １０８４－１０９３．
④ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的 Ｖ ＴＨ 和 Ｖ ＳＤ 均能较好地反映器 ［１２］ ＯＲＴＩＺ ＧＯＮＺÁＬＥＺ Ｊ， ＡＬＡＴＩＳＥ Ｏ． Ａ ｎoｖｅｌ ｎoｎ⁃ｉｎｔｒｕ⁃
件的 ＢＴＩ 特性， 与栅极老化具有良好的相关性， 可 ｓｉｖｅ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆoｒ ＢＴＩ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉoｎ ｉｎ ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴｓ
用于 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 的 后 续 健 康 状 态 监 测 与 可 靠 性 ［ Ｊ］ ． ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉoｎｓ oｎ Ｐoｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒoｎｉｃｓ， ２０１９，
评估。 ３４ （６） ： ５７３７－５７４７．
［１３］ ＫＡＲＫＩ Ｕ， ＰＥＮＧ Ｆ Ｚ． Ｅｆｆｅｃｔ oｆ ｇａｔｅ⁃oｘｉｄｅ ｄｅｇｒａｄａｔｉoｎ
oｎ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ oｆ ｐoｗｅｒ ＭＯＳＦＥＴｓ ［ Ｊ］ ． ＩＥＥＥ
参考文献：
Ｔｒａｎｓａｃｔｉoｎｓ oｎ Ｐoｗｅｒ Ｅｌｅｃｔｒoｎｉｃｓ， ２０１８， ３３ （ １２ ） ：
［１］ 盛况， 任娜， 徐弘毅． 碳化硅功率器件技术综述与展
１０７６４－１０７７３．
望 ［ Ｊ ］ ． 中 国 电 机 工 程 学 报， ２０２０， ４０ （ ６ ） ：
［１４］ 顾朝桥， 郭红霞， 潘霄宇， 等． 不同应力下碳化硅
１７４１－１７５３．
场效应 晶 体 管 器 件 总 剂 量 效 应 及 退 火 特 性 研 究
［ ２］ ＰＥＲＤＩＫＡＫＩＳ Ｗ， ＳＣＯＴＴ Ｍ Ｊ， ＹＯＳＴ Ｋ Ｊ， ｅｔ ａｌ． Ｃoｍ⁃
［ Ｊ ］ ． 物 理 学 报， ２０２１， ７０ （ １６ ） ： １６６１０１⁃１ －
ｐａｒｉｓoｎ oｆ Ｓｉ ａｎｄ ＳｉＣ ＥＭＩ ａｎｄ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｉｎ ａ ｔｗo⁃ｌｅｖｅｌ
１６６１０１⁃９．
ａｅｒoｓｐａｃｅ ｍoｔoｒ ｄｒｉｖｅ ａｐｐｌｉｃａｔｉoｎ ［ Ｊ ］ ． ＩＥＥＥ
［１５］ ＪＥＤＥＣ． Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ， ｂｉａｓ， ａｎｄ oｐｅｒａｔｉｎｇ ｌｉｆｅ：
Ｔｒａｎｓａｃｔｉoｎｓ oｎ Ｔｒａｎｓｐoｒｔａｔｉoｎ Ｅｌｅｃｔｒｉｆｉｃａｔｉoｎ， ２０２０， ６
ＪＥＳＤ２２⁃Ａ１０８Ｃ ［ Ｓ ］ ． Ａｒｌｉｎｇｔoｎ： ＪＥＤＥＣ Ｓoｌｉｄ Ｓｔａｔｅ
（４） ： １４０１－１４１１．
Ｔｅｃｈｎoｌoｇｙ Ａｓｓoｃｉａｔｉoｎ， ２００５．
［３］ 崔江， 陈一凡， 范士颖， 等． 基于神经网络的 ＳｉＣ 功
（ 收稿日期： ２０２２－０７－２６）
率管 导 通 电 阻 估 测 技 术 研 究 ［ Ｊ］ ． 航 空 科 学 技 术，
２０２１， ３２ （９） ： ８１－８６．
［４］ 钱照明， 张军明， 盛况． 电力电子器件及其应用的现 作者简介：
状和发展 ［ Ｊ］ ． 中国电机工程学报， ２０１４， ３４ （２９） ： 崔江 （ １９７７—） ， 男， 山 东 临 朐 人， 博

５１４９－５１６１． 士， 副教授， 主要研究方向为航空电子器件故

［５］ 徐鹏， 邹琦， 谢宗奎， 等． 碳化硅 ＭＯＳＦＥＴ 器件高温 障诊断与电子系统健康监测。

栅偏特性 的 试 验 分 析 ［ Ｊ］ ． 半 导 体 技 术， ２０１８， ４３
（１０） ： ７５２－７５９．
［６］ 吴维丽， 刘奥， 郭锐． ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ 阈值电压漂移评

　９２０　 半导体技术第 ４７ 卷第 １１ 期 ２０２２ 年 １１ 月