11

บทที่ 2
ไดโอด
เนื้อหาในบทนี้ มีวตั ถุประสงค์เพือ่ ให้นกั ศึกษาเข้าใจโครงสร้าง หลักการทางานของไดโอด ทีส่ ร้าง
จากสารกึง่ ตัวนา โดยมีคุณสมบัตยิ อมให้กระแสหรืออิเล็กตรอนเคลื่อนทีไ่ ด้ทศิ ทางเดียว รวมทัง้ การ
ประยุกต์ใช้งาน เช่น วงจรตัดสัญญาณ วงจรทวีแรงดัน เป็ นต้น

2.1 พื้นฐานไดโอด
2.1.1 คุณสมบัตขิ องไดโอด
ไดโอดคืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่สร้างจากสารกึ่งตัวนำสองชนิดคือชนิดพีและชนิดเอ็น นำมาประกบ
กันดังแสดงในรูปที่ 2.1 มี 2 ขา คือ แอโนด (A: Anode) และแคโทด (K: Cathode) [1] โดยที่สารกึ่งตัวนำ
ที่มาใช้สร้างไดโอดเป็นได้ทั้งซิลิกอนและเยอรมันเนียม ตารางที่ 2.1 แสดงคุณสมบัติของไดโอดเมื่อได้รับไบแอส
ตรงและไบแอสกลับ
p n
id
+ vd -

(ก) โครงสร้างของไดโอด
Anode (A) Cathode (K)

+ vd -
(ข) สัญลักษณ์ของไดโอด
รูปที่ 2.1 โครงสร้างและสัญลักษณ์ของไดโอด
ตารางที่ 2.1 คุณสมบัติของไดโอดเมื่อได้รับไบแอสตรงและไบแอสกลับ
ไบแอสตรง ไบแอสกลับ
1. ไดโอดอยู่ในสภาวะนำกระแส 1. ไดโอดอยู่ในสภาวะไม่นำกระแส
2. ไดโอดมีค่าความต้านทานต่ำ 2. ไดโอดมีค่าความต้านทานสูง
3. ไดโอดมีสภาพเหมือนสวิตซ์ปิดวงจร 3. ไดโอดมีสภาพเหมือนสวิตซ์ที่เปิดวงจร
2.1.2 ไดโอดในทางอุดมคติ
ในทางอุดมคติ ไดโอดมีคุณสมบัติเหมือนกับสวิตช์ที่ปิดและเปิดวงจร เมื่อทำการไบแอสตรงและไบแอส
กลับตามลำดับ รูปที่ 2.2 แสดงการไบแอสไดโอด โดยที่รูป (ก) แสดงสวิตช์ปิดวงจรเมื่อไดโอดได้รับไบแอสตรง
และรูป (ข) แสดงสวิตช์เปิดวงจร เมื่อไดโอดได้รับไบแอสกลับ
 12

+ - - +
id id = 0

+ vd - + vd -

(ก) สวิตซ์ปิดวงจรเมื่อได้รับไบแอสตรง (ข) สวิตซ์เปิดวงจรเมื่อได้รับไบแอสกลับ

รูปที่ 2.2 การไบแอสตรงและไบแอสกลับของไดโอด

ในรูปที่ 2.3 เป็นกราฟ V- I ของไดโอดอุดมคติ ดังจะเห็นว่าไดโอดอุดมคติไม่มีแรงดันตกคร่อมและความ

ต้านทานเป็นศูนย์เมื่อไบแอสตรง มีค่ากระแสรั่วไหลเป็นศูนย์และความต้านทานเป็นอนันต์เมื่อได้รับไบแอสกลับ
iD



 Conducting
 State
Reverse bias 








0 vD

รูปที่ 2.3 คุณสมบัติแรงดัน–กระแสของไดโอดอุดมคติ

2.1.3 ไดโอดในทางปฏิบัติ
รูปที่ 2.4 แสดงความสัมพันธ์ระหว่างกระแส iD และแรงดัน vD ในทางปฏิบัติ จากกราฟดังกล่าว
แสดงให้เห็นว่า เมื่อไดโอดได้รับการไบแอสตรงกระแสจะไม่เพิ่มขึ้นอย่างทันทีทันใดแต่จะค่อยๆ เพิ่มขึ้น โดยที่
แรงดันไฟฟ้าที่ทำให้ไดโอดเริ่มนำกระแสเรียกว่า แรงดันคัทอิน (Cut-in voltage) ถ้าเป็นไดโอดที่ทำมาจากสาร
เยอรมันเนียม แรงดันคัทอินมีค่าเท่ากับ 0.3V ขณะที่ไดโอดทำมาจากสารซิลิกอนจะมีค่าแรงดันคัทอินเท่ากับ
0.7V ในทางตรงข้ามหากป้อนไบแอสกลับให้กับไดโอด ไดโอดนำกระแสได้น้อยมากหรือไม่นำกระแสเลย
เนื่องจากพาหะส่วนน้อยในไดโอด เราเรียกกระแสนี้ว่า กระแสอิ่มตัวย้อนกลับ (Reverse saturation
current) และถ้าป้อนไบแอสกลับนี้มากถึงค่าๆหนึ่ง อาจทำให้ไดโอดเสียหายได้ เราเรียกว่า แรงดันพังทลาย
(Breakdown voltage: VZ )
ดังนั้นในทางปฏิบัติถ้าต้องการให้ไดโอดนำกระแสโดยการไบแอสตรง จะต้องให้แบตเตอรี่ที่ต่อจากภายนอก
มีค่ามากกว่า 0.7V เป็นอย่างน้อย เพื่อให้มีค่าเกินกว่าค่าแรงดันคัตอินดังกล่าว และไดโอดจะอยู่ในสภาวะ
นำกระแสโดยจะยอมให้กระแสไหลผ่านไปในทิศทางเดียวเท่านั้น
รูปที่ 2.5 แสดงวงจรสมมูลย์ ด้วยการแทนแรงดันตกคร่อมไดโอดด้วยสัญลักษณ์แหล่งกำเนิดแรงดันไฟฟ้า
กระแสตรง VF ซึ่งจะใช้ค่าแรงดัน 0.3V สำหรับไดโอดที่ทำจากเยอรมันเนียม และ 0.7V สำหรับไดโอดที่ทำ
จากซิลิกอน
 13

iD (mA) forward − bias

region

Ge Si

I S (Si) = 0.01 μ A
VZ (Si) VZ (Ge)
vD (V)
VC (Ge) VC (Si)

I S (Ge)

Si
Ge

reverse − bias
region

รูปที่ 2.4 ความสัมพันธ์ระหว่างแรงดัน - กระแส ของไดโอดในทางปฏิบัติ

+ VF −
A K A K
- Vbias +
R IF R IF = 0

+ Vbias − - Vbias +

รูปที่ 2.5 วงจรสมมูลไดโอดในทางปฏิบัติ

2.2 การประยุกต์ใช้งาน
2.2.1 วงจรตัดสัญญาณ
วงจรตัดสัญญาณ (Clipper circuits) คือวงจรที่ทำหน้าที่ตัดรูปคลื่นสัญญาณบางส่วนออกไป เพื่อไม่ให้
แรงดันเกินที่กำหนดไว้ สำหรับป้องกันความเสียหายต่ออุปกรณ์ [2]-[4] ดังแสดงในรูปที่ 2.6

รูปที่ 2.6 ฟังก์ชันถ่ายโอนแรงดันของวงจรตัดสัญญาณ

ในรูปที่ 2.6 แสดงคุณสมบัติฟังก์ชันถ่ายโอนแรงดันของวงจรตัดสัญญาณวงจรหนึ่ง ซึ่งมีความเป็นเชิงเส้น
(อินพุตและเอาต์พุตแปรตามกันเป็นเส้นตรง) ในช่วง VO− Av  vI  VO+ Av ถ้ากำหนดให้ Av เป็นค่าความ
ชันของกราฟนี้ นั่นคือถ้า Av  1 วงจรนี้ก็จะกลายเป็น “passive limiter”, และถ้า vI  VO+ Av เอาต์พุต
 14

ของวงจรนี้จะถูกจำกัดให้มีค่าสูงสุดที่ค่า VO+ เพียงค่าเดียว ในทำนองเดียวกัน ถ้า vI  VO− Av เอาต์พุตของ

วงจรนี้จะถูกจำกัดให้มีค่าสูงสุดที่ค่า VO− เพียงค่าเดียว โดยที่ค่า VO+ และ VO− สามารถเป็นค่าเท่าไรก็ได้
สามารถเป็นค่าบวกได้ทั้งสองค่า หรือค่าลบทั้งสองค่าหรือจะเป็นค่าบวกหนึ่งค่าและอีกค่าเป็นลบก็ได้ แต่ถ้า VO−
มีค่าเข้าใกล้ลบอนันต์ (−) หรือ VO+ มีค่าเข้าใกล้บวกอนันต์ (+) เราก็จะได้วงจร limiter อีกชนิดหนึ่งที่
เรียกว่า “single limiter” (วงจรจำกัดสัญญาณค่าเดียว)
รูปที่ 2.7 (ก) แสดงวงจรตัดสัญญาณโดยใช้ไดโอดหนึ่งตัว โดยไดโอดจะไม่ทำงานเมื่อ vI  VB + Vγ ซึ่งทำ
ให้แรงดันตกคร่อมตัวต้านทาน R มีค่าเป็นศูนย์ ทำให้แรงดันเอาต์พุตมีค่าเท่ากับแรงดันอินพุตเสมอ และวงจรนี้
ไดโอดจะทำงานก็ต่อเมื่อ vI  VB + Vγ และเมื่อไดโอดทำงานรูปคลื่นเอาต์พุตก็จะถูกตัด (clipped) โดย vO มีค่า
เท่ากับ VB + Vγ โดยแสดงรูปคลื่นสัญญาณเอาต์พุตดังรูป 2.7 (ข) นอกจากนี้แล้ว ยังมีวงจรตัดสัญญาณแบบอื่นๆ
อีกซึ่งแสดงดังรูป 2.8 ในขณะรูปที่ 2.10 แสดงวงจรตัดสัญญาณแบบอนุกรม

(ก) (ข)
รูปที่ 2.7 (ก) วงจรตัดสัญญาณโดยใช้ไดโอดหนึ่งตัว (ข) สัญญาณเอาต์พุต

รูปที่ 2.8 วงจรตัดสัญญาณแบบขนาน

 15

รูปที่ 2.9 วงจรตัดสัญญาณที่ใช้ไดโอด 2 ตัว ต่อขนานกัน

(ก)

(ข)

(ค)

(ง)
รูปที่ 2.10 วงจรตัดสัญญาณแบบอนุกรมและขนาน

2.3 วงจรทวีแรงดัน
วงจรทวีแรงดัน (Voltage multiplier circuit) คือวงจรที่ทำให้แรงดันเอาต์พุตมีค่ามากกว่าแรงดันอินพุต
วงจรทวีแรงดันมีสองแบบคือแบบครึ่งคลื่นและแบบเต็มคลื่น [2], [3], [5]
2.3.1 วงจรทวีแรงดัน 2 เท่า
วงจรทวีแรงดัน 2 เท่า (Voltage double) คือวงจรที่ทำให้แรงดันเอาต์พุตเพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า
ของแรงดันอินพุต
 16

• แบบครึ่งคลื่น
รูปที่ 2.11 แสดงวงจรทวีแรงดัน 2 เท่า ประกอบด้วยตัวเก็บประจุและไดโอด อย่างละสองตัว การเพิ่ม
แรงดัน อาศัยการทำงานของตัวเก็บประจุ
C1 D2

+ −
+ V −
C1
−
Vm D1 VC 2 C2 VO = 2Vm
+
− +

รูปที่ 2.11 วงจรทวีแรงดัน 2 เท่า แบบครึ่งคลื่น

เมื่อสัญญาณไฟฟ้ากระแสสลับจากหม้อแปลงเป็นช่วงครึ่งบวก ไดโอด D2 ได้รับไบแอสกลับ ไม่
นำกระแส ส่วนไดโอด D1 ได้รับไบแอสตรง นำกระแส ทำให้ตัวเก็บประจุ C1 เริ่มเก็บประจุจนกระทั่งแรงดัน
ตกคร่อมตัวเก็บประจุ C1 เท่ากับแรงดันจากหม้อแปลง คือ VC1 = Vm ดังแสดงในรูปที่ 2.12

C1 D2

+ + VC1 − −

Vm
I D1 C2 VO = 0 V

− +

รูปที่ 2.12 ไดโอด D1 นำกระแส ตัวเก็บประจุ C1 เก็บประจุเท่ากับ Vm

รูปที่ 2.13 เมื่อสัญญาณอินพุตเป็นช่วงลบ ไดโอด D1 หยุดนำกระแส ในขณะที่ไดโอด D2 เริ่มนำกระแส

ทำให้แรงดัน Vm จากหม้อแปลงทีต่ ่ออนุกรมกับ VC1 เป็นแรงดันรวมจ่ายให้กับตัวเก็บประจุ C2 ทำการเก็บ
ประจุมีค่าเท่ากับ VC 2 = 2Vm ดังนั้นแรงดันเอาต์พุตจึงมีค่าเป็นสองเท่าของแรงดันอินพุต VO = VC 2
C1 D2

− + V − −
C1
−
Vm D1 VC 2 C2 VO = 2Vm
I +

+ +

รูปที่ 2.13 ไดโอด D2 นำกระแส ตัวเก็บประจุ C2 เก็บประจุเท่ากับ 2Vm

• แบบเต็มคลื่น
รูปที่ 2.14 แสดงวงจรทวีแรงดัน 2 เท่า แบบเต็มคลื่น โดยที่ตัวเก็บประจุสองตัวต่ออนุกรมกันด้าน
เอาต์พุต
 17

D1
+ +

Vm
VC1 C1
−
VO = 2Vm
+
VC 2 C2
−
−

D2

รูปที่ 2.14 วงจรทวีแรงดัน 2 เท่า แบบเต็มคลื่น

พิจารณาเมื่อแรงดันอินพุตอยู่ในช่วงครึ่งบวก ทำให้ไดโอด D1 นำกระแส ไดโอด D2 หยุดนำกระแส
ตัวเก็บประจุ C1 เริ่มเก็บประจุ แรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุเท่ากับแรงดันจากหม้อแปลง นั่นคือ VC1 = Vm ดัง
แสดงในรูปที่ 2.15 (ก)
D1 D1

+ −
+ +
+ +
VC1 C1 Vm VC1 C1
Vm VO = VC1
− −
− − + VO = 2Vm

+
C2 VC 2 C2

− −

D2 D2

(ก) ไดโอด D1 นำกระแส VC1 = Vm (ข) ไดโอด D2 นำกระแส VC 2 = Vm

รูปที่ 2.15 การเก็บประจุ

เมื่อแรงดันอินพุตเป็นช่วงครึ่งลบ ทำให้ไดโอด D1 ไม่นำกระแส ในขณะที่ไดโอด D2 ได้รับไบแอสตรง

นำกระแส ตัวเก็บประจุ C2 เริ่มเก็บประจุ ได้แรงดัน VC 2 = Vm ดังแสดงการทำงานในรูปที่ 2.15 (ข) ดังนั้น
เอาต์พุตจึงมีแรงดันเป็นสองเท่า ที่เกิดจากการรวมกันระหว่างแรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุทั้งสอง

2.3.2 วงจรทวีแรงดัน 3 เท่า

วงจรทวีแรงดัน 3 เท่า (Voltage Tripler) ประกอบด้วยตัวเก็บประจุและไดโอดอย่างละ 3 ตัว ต่อกันดัง
แสดงรูปที่ 2.16 โดยมีหลักการทำงาน เมื่ออินพุตเป็นบวก ไดโอด D1 นำกระแส ตัวเก็บประจุ C1 เก็บประจุ มี
ค่าแรงดันเท่ากับ VC1 = Vm ช่วงเวลาถัดมาสัญญาณอินพุตเป็นช่วงลบ ทำให้ไดโอด D1 ไม่นำกระแส ในขณะที่
ไดโอด D2 นำกระแส ทำให้แรงดันอินพุต Vm จากหม้อแปลงรวมกับ VC1 เป็นแรงดันจ่ายให้กับตัวเก็บประจุ
C2 ดังนั้นตัวเก็บประจุ C2 ทำการเก็บประจุ ทำให้แรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุ C2 มีค่าเท่ากับ VC 2 = 2Vm
 18

VO = 3Vm
+ VC1 − + VC 3 −

+ C1 C3

Vm D1 D2 D3

− C2

+ VC 2 −

รูปที่ 2.16 วงจรทวีแรงดัน 3 เท่า

เมื่อแรงดันอินพุตเป็นช่วงครึ่งบวกอีกครั้ง ทำให้ไดโอด D3 นำกระแส ส่วนไดโอด D1 และไดโอด D2 ไม่

นำกระแส ทำให้แรงดันอินพุต Vm จากหม้อแปลงรวมกับ VC1 และ VC 2 เป็นแรงดันจ่ายให้กับตัวเก็บประจุ
C3 ดังนั้น ตัวเก็บประจุ C3 เริ่มเก็บประจุทันที แรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุ C3 มีค่าเท่ากับ VC 3 = 2Vm และ
แรงดันเอาต์พุตมีค่าเท่ากับ VO = 3Vm

2.3.3 วงจรทวีแรงดัน 4 เท่า

วงจรทวีแรงดัน 4 เท่า (Voltage quadrupled) ชนิดครึ่งคลื่น แสดงดังรูปที่ 2.17 เมื่อแรงดันอินพุตเป็น
บวก ไดโอด D1 นำกระแส ตัวเก็บประจุ C1 เริ่มเก็บประจุ ได้แรงดันตกคร่อม C1 เท่ากับ VC1 = Vm
ช่วงเวลาถัดมาแรงดันอินพุตเป็นลบ ทำให้ไดโอด D1 หยุดนำกระแส ในขณะที่ไดโอด D2 นำกระแส ทำ
ให้แรงดัน Vm จากหม้อแปลงรวมกับ VC1 เป็นแรงดันจ่ายให้กับตัวเก็บประจุ C2 ดังนั้น ตัวเก็บประจุ C2
เริ่มเก็บประจุ ทำให้ได้แรงดันตกคร่อม นั่นคือ VC 2 = Vm + VC1 = 2Vm
ช่วงเวลาถัดมา เมื่อแรงดันอินพุตเป็นบวกอีกครั้ง ทำให้ไดโอด D3 นำกระแส ส่วนไดโอด D1 และ D2
หยุดนำกระแส ทำให้แรงดัน Vm จากหม้อแปลงรวมกับ VC1 และ VC 2 เป็นแรงดันจ่ายให้กับตัวเก็บประจุ C3
ทำให้ตัวเก็บประจุ C3 เริ่มเก็บประจุทันที แรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุ C3 คือ VC 3 = Vm − VC1 + 2Vm = 2Vm

+ VC1 − + VC 3 −

+ C1 C3

Vm D1 D2 D3 D4

− C2 C4

+ VC 2 − + VC 4 −
VO = 4Vm

รูปที่ 2.17 วงจรทวีแรงดัน 4 เท่า

เมื่อแรงดันอินพุตเป็นลบอีกครั้ง ทำให้ไดโอด D4 นำกระแส ในขณะที่ไดโอด D1 , D2 และ D3 หยุด

นำกระแส ทำให้แรงดันอินพุต Vm จากหม้อแปลงรวมกับ VC1 ,VC 2 และ VC 3 เป็นแรงดันจ่ายให้กับตัวเก็บ
ประจุ C4 ทำให้ตัวเก็บประจุ C4 เริ่มเก็บประจุ แรงดันตกคร่อม C4 มีค่าเท่ากับ VC 4 = 2Vm ในขณะที่
แรงดันเอาต์พุตของวงจร คือ แรงดันตกคร่อมตัวเก็บประจุ C2 และ C4 มีค่าเท่ากับ VO = 4Vm
 19

2.4 ซีเนอร์ไดโอด
ซีเนอร์ไดโอด (Zener diode) คือไดโอดชนิดหนึ่ง ในกรณีที่ได้รับไบแอสตรง มันจะมีคุณสมบัติเหมือน
ไดโอดปกติทั่วไป แต่เมื่อซีเนอร์ไดโอดถูกไบแอสกลับด้วยแรงดันสูงจนถึงระดับแรงดันพังทลายแบบซีเนอร์ VZ
มันจะนำกระแสไฟฟ้าได้ในทันที รูปที่ 2.18 เสดงความสัมพันธ์ระหว่างกระแสกับแรงดันของซีเนอร์ไดโอด การ
สร้างระดับแรงดันพังทลายซีเนอร์ให้กับไดโอดนั้น สามารถทำได้โดยการเติมสารเจือปนเข้าไปในเนื้อสารกึ่งตัวนำ
ในปริมาณที่มากกว่าการสร้างไดโอดปกติทั่วไป แต่เป็นปริมาณที่เหมาะสมกับการกำหนดค่าระดับแรงดันซี
เนอร์ต้องการ เช่น ถ้าหากต้องการสร้างไดโอดให้มีค่าแรงดันพังทลายแบบซีเนอร์ต่ำ ก็เติมสารเจือปนเข้าไปใน
เนื้อสารกึ่งตัวนำด้วยปริมาณที่สูง หรือในทางกลับกัน ถ้าหากต้องการสร้างให้ไดโอดมีค่าแรงดันพังทลายแบบซี
เนอร์สูงขึ้น ก็เติมสารเจือปนเข้าไปในเนื้อสารกึ่งตัวนำด้วยปริมาณที่ต่ำลง
อย่างไรก็ดี ในการสร้างไดโอดให้มีระดับแรงดันพังทลายแบบซีเนอร์สูงขึ้นนั้น สามารถทำได้โดยการลด
ปริมาณการเติมสารเจือปน แต่ในทางปฏิบัติ จะพบปรากฏการณ์พังทลายแบบถล่มร่วมกับการเกิดปรากฏการณ์
พลังทลายแบบซีเนอร์ และจะยิ่งพบการพังทลายแบบถล่มสูงขึ้น เมื่อลดปริมาณการเติมสารเจือปนลง เนื่องจาก
เวลาใช้งานจริงต้องการแรงดันไบอัสย้อนกลับสูงขึ้น ซึ่งโดยปกติ การควบคุมปรากฏการณ์พังทลายแบบซีเนอร์
สามารถกระทำได้ง่ายกว่าการควบคุมปรากฏการณ์พังทลายแบบถล่ม
I

forward current
Breakdown
voltage,Vz
V

รูปที่ 2.18 ความสัมพันธ์ของกระแส–แรงดันของซีเนอร์ไดโอด

จากลักษณะสมบัติของซีเนอร์ไดโอดดังที่ได้กล่าวมาในหัวข้อที่แล้ว สามารถประยุกต์ปรากฏการณ์ซีเนอร์ไป
สร้างเป็นอุปกรณ์ซีเนอร์ไดโอด เพื่อใช้สำหรับเป็นอุปกรณ์รักษาระดับแรงดันไฟฟ้าให้คงที่ หรือใช้เป็น
ตัวกำหนดระดับแรงดันอ้างอิง (Reference voltage) ให้แก่วงจรอิเล็กทรอนิกส์ในส่วนต่างๆ เช่น วงจรจ่าย
กำลังไฟฟ้าแบบรักษาแรงดัน (Voltage regulated power supply) เป็นต้น ซึ่งวงจรสร้างระดับแรงดันอ้างอิง
โดยใช้ซีเนอร์ไดโอดอย่างง่าย สามารถจัดวงจรให้ซีเนอร์ไดโอดทำงานร่วมกับตัวต้านทานเพียงตัวเดียว ดังแสดง
วงจรตามรูปที่ 2.19
ทั้งนี้ ในการออกแบบวงจรสร้างระดับแรงดันอ้างอิง จะต้องกำหนดให้แรงดัน VCC มีค่าสูงกว่า Vref โดย
สูงเพียงพอที่จะสามารถจ่ายแรงดัน Vref ออกมาได้อย่างมีเสถียรภาพ แต่ไม่ควรมีค่าสูงมากเกินไป จนทำให้เกิด
ความสูญเสียกำลังไฟฟ้าในวงจรโดยไม่จำเป็น สำหรับตัวต้านทาน RZ ถูกใช้เป็นตัวจำกัดกระแสไฟฟ้าที่จะให้ไหล
 20

ผ่านซีเนอร์ ไดโอด เพื่อไม่ให้มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านซีเนอร์ไดโอดมากเกินไป จนอาจทำให้ซีเนอร์ไดโอดเกิดความ

เสียหายได้
VCC

RZ

K Vref

ZD

รูปที่ 2.19 วงจรใช้งานพื้นฐานของซีเนอร์ไดโอด

2.5 เอกสารอ้างอิง
1. Electronics tutorials. PN Junction Diode (Online). Available : https://www.electronics-
tutorials.ws/diode/diode_3.html [10 January 2562].
2. พันธ์ศักดิ์ พุฒิมานิตพงศ์ (2543). ทฤษฎีวงจรอิเล็กทรอนิกส์ เล่ม 1 . กรุงเทพ : ซีเอ็ดยูเคชั่น.
3. สุรชัย สุขสกุลชัย (2546). วิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์. ภาควิชาครุศาสตร์ไฟฟ้า สถาบันเทคโนโลยีพระจอม
เกล้าธนบุรี.
4. DAENotes. Clipper circuits. Available : https://www.daenotes.com/electronics/digital-
electronics/clipper-circuits [10 January 2562].
5. Electronics tutorials. Voltage Multiplier. Available : https://www.electronics-
tutorials.ws/blog/voltage-multiplier-circuit.html [10 January 2562].
6. RABIYYA KHAN. Zener Diode Basic Operation and Applications. Available :
https://www.digikey.com/en/maker/blogs/zener-diode-basic-operation-and-applications
[10 January 2562].

2.6 คำถามท้ายบท
1. อธิบายหลักการทำงานของไดโอด พร้อมแสดงกราฟคุณสมบัติกระแสและแรงดัน
2. อธิบายการทำงานของวงจรตัดสัญญาณ พร้อมแสดงตัวอย่างการออกแบบ เมื่อต้องการแรงดันเอาต์พุตต่างๆ
3. บอกความแตกต่าง ข้อดีและข้อเสียของวงจรทวีแรงดัน 2 เท่า กับ 3 เท่า
4. ยกตัวอย่างการประยุกต์ใช้ไดโอด 5 ตัวอย่าง
5. แสดงการประยุกต์ใช้ซีเนอร์ไดโอดในวงจรรักษาระดับแรงดัน