UNIÓN PN SIN POLARIZACIÓN APLICADA

La unión PN se forma al unir un semiconductor tipo N con otro tipo P. En el momento de

realizar la unión los electrones de la región N se difunden hacia la región P, y los huecos de
la región P se difunden hacia la región N.

Al encontrarse electrones y huecos alrededor de la región de la unión, se recombinan

desapareciendo como portadores de carga (por eso a esta región se le llama zona de
deserción o desértica) y convirtiéndose en iones positivos y negativos (a esta zona se le
llama también región de carga espacial). Igualmente se puede decir que al difundirse
electrones y huecos hacia la región contigua dejan a sus átomos de origen ionizados con
cargas positivas y negativas. La presencia de cargas genera un campo eléctrico (o barrera
de potencial) que “rechaza” o “arrastra” en sentido contrario a los portadores que intentan
difundirse a través de la unión despúes de formado el campo.

difusión de e+ difusión de e-

rechazo de e- rechazo de e+
Existe un momento en que las corrientes de difusión de portadores mayoritarios desde la
regiones N y P hacia la unión son igualadas por las corrientes de arrastre en sentido
contrario en el interior de la zona de deserción. La unión alcanza el equilibrio y la corriente
total es cero.

El ancho de la zona de deserción y la intensidad del campo eléctrico interno o barrera de

potenial depende del nivel de dopamiento de las regiones N y P.

UNIÓN PN POLARIZADA DIRECTAMENTE

Una unión PN está polarizada directamente cuando la región de tipo P (o ánodo) posee
un potencial positivo respecto de la región tipo N (o cátodo) debido a una fuente de
voltaje externa.

Eext (a lo largo de todo el material)

Eint total = Einto - Eext

En esta condición, el campo eléctrico generado por la fuente externa tiene dirección
contraria al campo interno de la zona de deserción, siendo de éste mayor intensidad, por lo
que al hacer la suma vectorial el campo interno se reduce así como la zona de deserción, lo
que reduce el rechazo o arrastre de los portadores mayoritarios y permite su difusión a
través de la unión.

Las corrientes de polarización directa pueden ser de valores muy altos por ser de difusión
de portadores mayoritarios, dependiendo de los niveles de dopamiento de las regiones n
y p y del valor del voltaje aplicado.
 UNIÓN PN POLARIZADA INVERSAMENTE
La región P o ánodo posee un potencial negativo respecto de la región N o cátodo debido
a una fuente externa.

Eext

Etotal = Eint + Eext

En esta condición, los campos eléctricos interno y el debido a la fuente externa poseen la
misma dirección, por lo que el campo interno y la zona de deserción se amplían y no permite
las corrientes de difusión de portadores mayoritarios a través de la unión. En su defecto,
los portadores minoritarios que hay y que se generan en las regiones adyacentes a la
unión y en la propia zona de deserción sí pueden atravesarla dada la presencia del campo
eléctrico con una misma dirección a lo largo de todo el dispositivo. Por lo tanto, en
polarización inversa existen corrientes de portadores minoritarios y por generación de
pares electrón hueco en la unión, generalmente de muy bajo valor, pues la cantidad de
portadores minoritarios y generados es muy pequeña.

flujo de portadores minoritarios

La siguiente figura muestra la estructura de la unión PN, el símbolo y la figura de un diodo
real y la curva característica del mísmo. Observe que en polarización directa, una vez
alcanzado el voltaje de ruptura directa (0.3 V para el Ge y 0.7 V para el Si), la corriente se
incrementa muy rápidamente conforme se incrementa el voltaje entre sus terminales,
mientras que en polarización inversa la corriente es muy pequeña y se incrementa muy
lentamente con respecto del voltaje, hasta que se alcanza el voltaje de ruptura inversa,
donde de nuevo la corriente se incrementa muy rápidamente respecto de los incrementos
en el voltaje.

Los diodos rectificadores se construyen para tener voltajes de ruptura inversa altos (desde
50 a miles de volts), pues su función es conducir únicamente en polarización directa. Los
diodos Zener son diseñados para operar en la región de ruptura inversa, y sus voltajes de
ruptura inversa varían de unidades a cientos de volts. Las siguientes tablas muestran
ejemplos de las dos familias de diodos
La siguiente figura muestra que las corrientes en la unión PN se incrementan conforme se
incrementa la temperatura, debido al incremento de portadores por rompimiento de
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