GlobalWafers Japan Confidential

レポート︓結晶成⻑技術について
Report about crystal growth technology

課題1
Report1

シリコン結晶に酸素が取り込まれるメカニズムについて説明してください。
Please explain mechanisms in which oxygen is incorporated into silicon crystal

課題2
Report2

酸素濃度を変化させるための引上げ条件を挙げてください。
それらの引上げ条件によりどのような作用で酸素濃度が上がる/下がるのか
理由を記載してください。
Please list up items of pulling condition to change oxygen concentration in silicon crystal,
and describe the reasons why oxygen increases/ decreases.

参考文献 Reference
シリコンの科学 1996 REALIZE INC.
シリコン 結晶成⻑とウェーハ加⼯ 1994 阿部 孝夫 培風館
半導体シリコン結晶⼯学 1993 志村 史夫 丸善
バルク結晶成⻑技術 1994 干川圭吾 培風館
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レポート︓AI開発について
Report about AI technology

課題3
Report3
シリコン結晶中の酸素濃度予測モデルを構築する上で、機械学習モデルの⼊⼒変数には
どのような項目を⼊れると予測精度が⾼くなると思いますか︖
酸素濃度に影響すると思う結晶成⻑パラメータを6個（それ以上でも可）挙げてください。
What kind of input parameters do you need to use as input parameters of machine learning
model for accurately predicting oxygen concentration in CZ-Si crystal?
Please list up 6 (or more) kinds of crystal growth parameters to affect oxygen concentration.

課題4
Report4
Siウェーハ製造プロセスへのAI活用について、どのような点が難しそうだと感じました
か︖そのように感じた理由も含めて、記載してください。
What did you think about difficulties on using AI in the Si wafer manufacturing process?
Please describe your thougths and its reasons.

参考文献 References
K. Kutsukake, Y. Nagai, T. Horikawa, and H. Banba, Appl. Phys. Express 13, 125502 (2020).
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アンケート
▼実施前アンケート（自己紹介シート） ▼実施後アンケート
https://forms.office.com/r/12z3FCnnLu https://forms.office.com/r/ct83eahLye