Fakultet elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje

Sveu ilišta u Splitu

Dr. sc. Ivan Zulim, red. prof.

ELEKTRONIKA
Prvi dio
( predavanja )

Privremeno izdanje

samo za internu uporabu

Split, ožujak 2003.

1. VRSTA TVAR
1.1. Definicija i op a svojstva
Zbog toplinskog gibanja, sve estice vrste tvari ( vrstog tijela) titraju oko svog središnjeg
položaja, tzv. ravnotežnog položaja u kojem je rezultantna sila na promatranu esticu od
susjednih estica jednaka ništici. Kad se estica pomakne iz svoga ravnotežnog položaja na
nju po inje djelovati sila od susjednih estica koja ju vra a u prvotni ravnotežni položaj. U
tom smislu može se izre i i prirodna definicija vrstog tijela kao sustava u kojemu estice
zadržavaju stalan me usobni položaj i orijentaciju.
Osnovni kriterij razlikovanja ustrojstva takvih sustava je stupanj ure enosti. U skladu s tim
kriterijem podjela vrste tvari može se shematski prikazati kao na slici 1.1.1.

Slika 1.1.1: Podjela vrste tvari s obzirom na stupanj strukturne ure enosti.

U kristalima je ure enost dugog dosega jer su atomi, odnosno molekule u pravilnom
unutrašnjem geometrijskom rasporedu koji se periodi ki ponavlja. U monokristalu je
ure enost u cijeloj tvari, a karakterizirana je periodi kim ponavljanjem osnovnog
geometrijskog oblika s pravilnim rasporedom atoma u kristalnoj rešetci. U polikristalu postoji
ure enost u manjim podru jima koja se nazivaju zrnima. Kristalna zrna su nepravilne veli ine
i me usobno su razli ito orijentirana, a odijeljena su granicama zrna.
Zna ajka amorfnih tvari je ure enost kratkog dosega; elementarna struktura nema stalan
oblik ni veli inu, ali zadržava iste sastavne dijelove.
Na slici 1.1.2. je usporedbe radi prikazano kristalno ustrojstvo molekula kristala kvarca i
kvarcnog stakla, SiO2 . Dok su u kristalu kvarca atomi silicija i kisika raspore eni u pravilne
šesterokute (osnovni geometrijski oblik) s periodi kim ponavljanjem u cijelom kristalu, u
kvarcnom staklu nema takve pravilne ure enosti na velike razdaljine jer se osim šesterokuta
pojavljuju još peterokuti i sedmerokuti.

1
 Slika 1.1.2: Kristalno i amorfno ustrojstvo molekula SiO2 prikazano u dvije dimenzije.
Ustrojstvo osnovnog geometrijskog oblika odre eno je veli inom atoma ili molekula te
silom vezivanja. Prema vrsti sile vezivanja (kemijske veze) razlikuju se etiri skupine kristala:
kristali nemetali,
ionski kristali,
molekularni kristali
kovalentni kristali.
U poluvodi koj elektronici, s obzirom na prakti nu primjenu, mogu se istaknuti kovalentni
kristali silicij i germanij, gdje se pod pojmom kovalentni podrazumijeva kristalna veza
pomo u para valentnih elektrona izme u dva susjedna atoma, sl. 1.1.3.

Slika 1.1.3: Kristalno veza izme u atoma silicija simboli ki prikazana u dvije dimenzije.
Na kovalentnoj vezi temelji se dijamantna struktura koju imaju etverovalentni elementi kao
što je ugljik, silicij i germanij. U dijamantnoj strukturi središnji je atom okružen s etiri
susjedna atoma koji leže u vrhovima tetraedra (tijela ome enog sa etiri istostrani na trokuta),
slika 1.1.4.

2
Slika 1.1.4: Dijamantna (tetraedarska) struktura.

3
1.2. Elektri na svojstva kristala
S obzirom na elektri nu provodnost ili otpornost, kristali se mogu podijeliti u tri skupine:
kovine (vodi i), poluvodi i i izolatori. Na sobnoj temperaturi elektri na otpornost za kovine
je reda veli ine 10-8 m, za izolatore dosiže vrijednost od 1014 m, a za poluvodi e
vrijednost za je u granicama od 10-5 do 104 m. Razlika u elektri nim svojstvima izme u
kovina, elementarnih poluvodi a i izolatora proistje e iz ustrojstva energijskih vrpci.
Struktura energijskih vrpci istih poluvodi a sli na je onima u izolatoru, slika 1.2.1. a) i b), a
razlika je u udaljenosti izme u vodljive i valentne vrpce, tj. u širini energijskoga procjepa
(zabranjene vrpce). Na niskim temperaturama valentna vrpca je potpuno popunjena
elektronima, a vodljiva prazna, zbog ega je elektri na vodljivost onemogu ena. O širini
zabranjene vrpce ovisi na kojoj e temperaturi nastati elektron-šupljina parovi, a time i
gibanje naboja pod djelovanjem elektri nog polja. U kovinama I skupine najgornja energijska
vrpca nije potpuno zaposjednuta elektronima (slika 1.2.1c). Za II skupinu elemenata, tako er
kovina, svojstveno je preklapanje dviju najgornjih energijskih vrpci, ime je opet postignuta
djelomi na zaposjednutost dopuštenih energijskih stanja elektronima (slika 1.2.1d). Upravo to
omogu ava struju elektrona i pri malim iznosima priklju enoga elektri nog polja.

Slika 1.2.1: Energijska ustrojstva za:

a) izolator,
b) poluvodi ,
c) kovinu s dopuštenom energijskom vrpcom djelomi no popunjenom
elektronima (npr. Na),
d) kovinu gdje dolazi do preklapanja energijskih vrpci; niža energijska
vrpca potpuno popunjena elektronima (npr. Mg).

4
2. POLUVODI I
2.1. Intrinsi ni poluvodi i
Poluvodi koji ne sadrži atome drugih elemenata naziva se intrinsi ni ( isti) poluvodi .
Takav poluvodi je prakti ki nemogu e proizvesti pa se umjesto idealizirane (teorijske)
definicije eš e izri e realnija definicija: intrinsi ni poluvodi je kristal u kojem jedan strani
atom dolazi na 109 atoma elementarnog poluvodi a.
Na temperaturi apsolutne ništice isti poluvodi ima svojstva izolatora jer nema slobodnih
nosilaca naboja; valentna vrpca je popunjena, a vodljiva vrpca je prazna. Za poluvodi e
energijski procijep ima relativno mali iznos (EG 1 eV za silicij), tako da se ve pri sobnim
temperaturama, zbog toplinske pobude, neki elektroni mogu prebaciti iz valentne vrpce u
vodljivu. U vo enju struje u poluvodi ima sudjeluju negativni elektroni i pozitivne šupljine.
Prazna stanja u valentnoj vrpci su šupljine, slika 2.1.1.

Slika 2.1.1: Raspodjela nosilaca naboja u istom poluvodi u.

Slika 2.1.2: Struje elektrona i šupljina u kristalu silicija.

Pri odre enoj temperaturi postoji vjerojatnost slabljenja valentnih veza te prebacivanja
elektrona iz valentne veze u prostor izme u atoma. Ti elektroni imaju ve u energije od onih u
valentnoj vezi, mogu sudjelovati u vo enju struje pa se nazivaju vodljivim elektronima (zbog
djelovanja vanjskog elektri nog polja elektroni dobivaju energiju i prelaze u viša energijska
stanja). Iznos dobivene energije je vrlo malen, te je prijelaz mogu samo s nižeg u više
energijsko stanje unutar jedne energijske vrpce. Ti prijelazi se odvijaju se u energijskim

5
stanjima na dnu vodljive (struja elektrona) i pri vrhu valentne vrpce (struja šupljina), slika
2.1.2. Koliko elektrona prije e u vodljivu vrpcu toliko šupljina ima u valentnoj, slika 2.1.1.
Termi kom pobudom u istom poluvodi u nastaje ravnotežna gusto a elektrona n0 u
vodljivoj vrpci i šupljina p0 u valentnoj. Te gusto e su jednake pa su ozna ene zajedni kom
oznakom za istu (intinsi nu) gusto u (koncentraciju):
n 0 = p0 = ni (2.1.1)
Broj vodljivih elektrona u energijskom intervalu dE dobije se množenjem gusto e energijskih
stanja C(E) s vjerojatnoš u zaposjednu a fFD(E) tih stanja. Ukupan broj valentnih elektrona
može se odrediti s pomo u integrala:
E C'

n 0 = f FD ( E ) C ( E) dE (2.1.2)
EC

s granicama integracije po ukupnoj širini vodljive vrpce (slika 2.1.1). Gusto a kvantnih stanja
C(E) u vodljivoj vrpci odre ena je izrazom:
3
1
2 mC 2
C ( E) = 4 E - EC (2.1.3)
2
h2
u kojemu je mC efektivna masa elektrona, a h Planckova konstanta.
Efektivna masa, za razliku od mase slobodnog elektrona, nema stalnu vrijednost i ovisi o
energiji elektrona te o energijskoj vrpci u kojoj se elektron nalazi.
Funkcija fFD(E) je Fermi-Diracova vjerojatnost kojom se iskazuje zaposjednu e kvantnih
stanja pri temperaturi T:
1
f FD ( E) = (2.1.4)
1+ exp (E - E fi ) / kT
gdje je Efi Fermijeva energija u istom poluvodi u, k je Boltzmannova konstanta, a umnožak
k T = ET je energijski temperaturni ekvivalent. T je oznaka za termodinami ku temperaturu u
stupnjevima Kelvina.
Pri temperaturi T = 0K i E Efi sukladno izrazu (2.1.4), Fermi-Diracova vjerojatnost
iznosi fFD(E) = 1. Za E Efi je fFD(E) = 0 što zna i da su pri temperaturi T = 0 K sve
dopuštene energijske razine popunjene. Na temperaturi T > 0K vjerojatna je zaposjednutost
energijskih razina E > Efi na ra un termi ke pobude elektrona s razina ispod Ef. Iz slike 2.1.3.
vidi se da koliko opadne vjerojatnost zaposjednu a energijskih razina npr. E - Efi = -0.2 eV
toliko naraste vjerojatnost zaposjednu a razina E - Efi = +0.2 eV. Stoga se Fermijeva energija
Efi definira kao razina s vjerojatnoš u zaposjednu a fFD(E) = 0.5 [16].

6
 Slika 2.1.3: Fermi-Diracova funkcija vjerojatnosti zaposjednu a kvantnih stanja.

Ako se za Boltzmannovu konstantu uvrsti njena vrijednost, (prilog 1.)

k = 1.381 10-23 JK-1 = 8.620 10-5 eVK-1,
gdje je
19 19 19 19
1eV 1602
. 10 C 1V 1602
. 10 AsV 1602
. 10 Ws = 1602
. 10 J ,

dobiva se prakti an izraz za ra unanje energije ET:

eV T eV
E T = 8.620 10 -5 T= . (2.1.5)
K 11605 K
Pri sobnoj temperaturi (T = 300 K), ET = 0.0259 eV.
Uvrštavanjem (2.1.3) i (2.1.4) u (2.1.2) dobiva se izraz za ravnotežnu gusto u slobodnih
elektrona u vodljivoj vrpci kao funkcija energije E:
3 1
E 'C
2 mC 2 E - EC 2
ni = n0 = 4 dE (2.1.6)
EC
h2 1 + exp E - E fi / kT

Uz uvjet E - Efi 3 k T može se zanemariti jedinica u nazivniku izraza za fFD(E), pa Fermi-

Diracova funkcija vjerojatnosti prelazi u klasi nu Maxwell-Boltzmannovu vjerojatnost:
E fi - E
f FD (E) exp (2.1.7)
k T
Gornja se granica integrala (2.1.6) može zamijeniti s grani nom vrijednoš u EC' zbog
eksponencijalnog opadanja funkcije fFD(E).
Uvo enjem približnog izraza (2.1.7) u (2.1.6) dobiva se:
3
1
E - E fi 2 mC 2
n i = n 0 = exp 4 E - EC 2 dE . (2.1.8)
EC
k T h2

Nakon supstitucije x = (E - EC)/k T i promjene granica integracije od 0 do , izraz (2.1.8)

poprima oblik

7
 3
1
2 mC k T 2 E C - E fi
ni = n 0 = 4 exp x 2 exp( x ) dx (2.1.9)
h2 k T 0

u kojem je:
1
x 2 exp( x ) dx = . (2.1.10)
0
2
Za ravnotežnu gusto u n0 kona no se može pisati izraz:
3
2 mC k T 2 E C - E fi
ni = n0 = 2 exp , (2.1.11)
h2 k T
ili u skra enom obliku
E C - E fi
n i = n 0 = N C exp , (2.1.12)
k T
gdje je
3
2 mC k T 2
NC = 2 (2.1.13)
h2
oznaka za efektivnu gusto u kvantnih stanja u vodljivoj vrpci.
Vjerojatnost nalaženja šupljina na energijskoj razini E je 1 - fFD(E), a to je vjerojatnost
nepostojanja elektrona u valentnoj vrpci i jednaka je:
1
1- f FD ( E ) = (2.1.14)
1+ exp E fi - E / k T

Gusto a šupljina u valentnoj vrpci dana je integralom:

3 1
-E 'V
2 mV 2 EV - E 2
pi = p0 = 4 dE , (2.1.15)
EV
h2 1+ exp E fi - E / k T
koji se može riješiti primjenom postupka jednakom onom za odre ivanje gusto e n0. Nakon
integracije funkcije (2.1.15) dobiva se formula
E fi - E V
p i = p 0 = N V exp (2.1.16)
k T
u kojoj je
3
2 mV k T 2
NV = 2 (2.1.17)
h2
izraz za efektivnu gusto u kvantnih stanja, a mV oznaka za efektivnu masu šupljina, u
valentnoj vrpci.
Raspodjela elektrona i šupljina po energijama u istom poluvodi u prikazana je na slici
2.1.4.

8
 Slika 2.1.4: Gusto a elektrona i šupljina u istom poluvodi u.
Iz uvjeta n0 = p0 može se odrediti položaj Fermijeve razine u odnosu prema rubu valentne EV
i vodljive EC vrpce:
E C - E fi E -E
N C exp - = N V exp - fi V . (2.1.18)
k T k T
Iz (2.1.18) proizlazi izraz za Fermijevu razinu u istom poluvodi u:
EC + EV k T N
E fi = + ln V . (2.1.19)
2 2 NC
Ako se Efi promatra u odnosu prema EC, izraz (2.1.19) može se pisati kao:
EC - EV k T N
E C - E fi = + ln C (2.1.20)
2 2 NV
ili kao
EC - EV 3 m
E C - E fi = + k T ln C . (2.1.21)
2 4 mV
Fermijeva se razina u istom poluvodi u nalazi približno na sredini zabranjene vrpce, slika
2.1.5.

Slika 2.1.5: Položaj Fermijeve energije u istom poluvodi u.

Prema izrazu (2.1.21) može se zaklju iti da se Fermijeva razina Efi u istom poluvodi u nalazi
to no na sredini zabranjene vrpce jedino na temperaturi apsolutne ništice. Pri temperaturi
razli itoj od apsolutne ništice Fermijeva razina može biti na sredini zabranjene vrpce uz uvjet
istovrijednosti efektivnih masa elektrona i šupljina, mC = mV. Za silicij je mV nešto ve e od

9
mC 12 , pa je Fermijeva razina pomaknuta od sredine zabranjene vrpce prema rubu vodljive
3 m
vrpce za mali iznos energije k T ln V (npr. pri T=300K taj iznos je 0.01eV).
4 mC

2.2. Zakon termodinami ke ravnoteže

Umnožak ravnotežnih gusto a vodljivih elektrona i šupljina u istom je poluvodi u na nekoj
temperaturi stalan i jednak kvadratu intrinsi ne gusto e:
EC - EV EG
n 0 p 0 = n i2 = N V N C exp = N V N C exp . (2.2.1)
ET ET

Umnožak n0 p0 u jednadžbi (2.2.1) odre uje brzinu poništavanja parova elektron-šupljina, a

desna strana te jednadžbe je brzina stvaranja parova. Stoga se sukladno jednadžbi (2.2.1)
zakon termodinami ke ravnoteže može formulirati kao:
brzina poništavanja parova elektron-šupljina, proporcionalna umnošku gusto e elektrona
i šupljina, jednaka je brzini stvaranja parova elektron-šupljina, koja je odre ena širinom
zabranjene energijske vrpce i temperaturom.
Ako se u (2.2.1) uvrste izrazi za efektivne gusto e kvantnih stanja NC i NV, dobiva se oblik
kojim je u cijelosti iskazana ovisnost intrinsi ne gusto e o temperaturi:
3 3
3
2 k m0 2 mC T mV T 4 EG T
ni = 2 T 2 exp . (2.2.2)
h2 m02 2 ET T
m0 je masa elektrona u mirovanju, a mC(T) i mV(T) su efektivne mase elektrona i šupljina
nazna ene kao funkcije temperature. Širina zabranjene vrpce EG(T) je tako er funkcija
temperature, kao i energijski temperaturni ekvivalent ET(T) = k T. U podru ju sobnih
temperatura promjene efektivnih masa elektrona i šupljina su relativno malene za silicij, pa se
može ra unati s tabli nim vrijednostima odre enima pri temperaturi T = 300 K (tablica
2.2.1.).
mC mV
m0 m0
1.18 0.81

Tablica 2.2.1: Vrijednosti efektivnih masa elektrona i šupljina za silicij normirane na

vrijednost mase mirovanja pri T = 300 K.

2.3. Širina zabranjene vrpce

U energijskom dijagramu poluvodi a podru je izme u valentne i vodljive vrpce energija
naziva se energijski procjep ili zabranjena vrpca, slika 2.3.1:

Slika 2.3.1: Energijski dijagram za isti poluvodi .

10
O širini zabranjene vrpce ovise mnoga svojstva materijala. Za poluvodi ona iznosi
E G 1eV . Pri temperaturi apsolutne ništice EG ima najve i iznos i lagano opada s porastom
temperature. U stru noj se literaturi može na i nekoliko empirijskih izraza pomo u kojih se
može odrediti širina zabranjene vrpce na nekoj temperaturi. Za silicij su odre ena dva
empirijska izraza, za dva razli ita temperaturna podru ja 3 :
E G T = 1.170 -1.059 10 -5 T - 6.05 10 -7 T 2 za T 170 K (2.3.1)
E G T = 1.1785 -9.025 10 -5 T - 3.05 10 -7 T 2 za T 170 K . (2.3.2)

2.5. Ekstrinsi ni poluvodi

Dodavanjem atoma drugih elemenata (primjesa) intrinsi nom ( istom) poluvodi u nastaje
ekstrinsi no (primjesno) poluvodi ko ustrojstvo kojemu su elektri na svojstva odre ena
brojem atoma primjesa. Element kojemu se dodaju primjese (mati ni element) je
etverovalentni silicij ili germanij dok primjese mogu biti peterovalentni elementi (dušik,
fosfor, arsen, antimon) ili trovalentni elementi (bor, aluminij, galij, indij). Primjese se unose u
mati ni element odgovaraju im tehnološkim postupkom.

2.5.1. Poluvodi n-tipa

Dodavanjem peterovalentne primjese mati nom elementu nastaje n-tip poluvodi a. etiri
elektrona mati nog elementa i etiri elektrona primjesnog tvore etiri kovalentne veze. Na T
= 0 K peti elektron ostaje vezan uz svoj atom zbog privla ne sile svoje jezgre. Energija ove
veze znatno je slabija od kovalentne pa se pri T 0 K ovaj elektron lako oslobodi iz atoma.
Na T = 0 K na prikazu energijskih vrpci, sl. 2.5.1.1, taj elektron se nalazi na energijskoj razini
ED znatno višoj od energije valentnih elektrona, dok je na višim temperaturama (T 0 K),
zbog toplinske pobude na energijskim razinama na dnu vodljive vrpce. Zbog toga što
peterovalentna primjesa daje elektrone u vodljivu vrpcu koji se mogu slobodno gibati kroz
kristal, naziva se donor. U raspodjelu energija unosi se dodatna energijska razina u zabranjenu
vrpcu, tzv. donorska razina ED u blizini dna vodljive vrpce, slika 2.5.1.1.

Slika 2.5.1.1: Energijski dijagram za n-tip poluvodi a pri temperaturi T = 300K

kada su svi donori ionizirani.

2.5.2. Poluvodi p-tipa

Dodavanjem trovalentnih primjesa (akceptora) etverovalentnom mati nom elementu nastaje
p-tip poluvodi a. Trovalentnoj primjesi nedostaje jedan elektron za tvorbu etvrte kovalentne
veze, pa se ona tvori elektronom iz valentne vrpce etverovalentnoga mati nog elementa.

11
Trovalentni atom postaje negativni ion, a u valentnoj vrpci atoma mati noga elementa nastaje
šupljina. Akceptorske primjese unose dodatnu akceptorsku energijsku razinu E A u zabranjenu
vrpcu koja se nalazi u blizini valentne vrpce, slika 2.5.2.1.

Slika 2.5.2.1: Energijski dijagram za p-tip poluvodi a pri temperaturi T = 300K

kad su svi akceptori ionizirani.

2.5.3. Degenerirani poluvodi

Pri gusto ama primjesa u poluvodi ima približno iznad 1017cm-3 udaljenosti izme u atoma
primjese nisu više tako velike te se diskretne energijske razine donora, odnosno akceptora
cijepaju u vrpce energija. Tako se diskretna donorska razina ED cijepa u vrpce energija širine
ED, slika 2.5.3.1.

Slika 2.5.3.1: Donorski pojas energijske širine ED u degeneriranom poluvodi u.

Energija ionizacije EI je smanjena u odnosu prema nedegeneriranom poluvodi u, a pokusom
je utvr eno da pri gusto ama donora približno 1.8 1018cm-3 energija ionizacije u potpunosti
nestaje.
Pojava cijepanja diskretnih razina u vrpcu energija popra ena je i suženjem zabranjene
energijske vrpce u odnosu prema širini procjepa nedegeneriranog poluvodi a. Za umjereno
visoke gusto e primjesa ( 1019cm-3) suženje zabranjene vrpce može se odrediti prema
teorijskoj relaciji koju su izveli Lanyon i Tuft 1 :
3 q3 N
EG (2.5.3.1)
16 k T
u kojoj je N gusto a primjesa (donorskih ili akceptorskih), a permitivnost poluvodi a
(silicija).
Za gusto e primjese iznad približno 1020cm-3 suženje EG više ne ovisi o temperaturi pa se
može primijeniti izraz:
1
N 6
EG 0.62 eV . (2.5.3.2)
10 20
Osim navedenih relacija za odre ivanje suženja zabranjene vrpce u stru noj literaturi mogu se
na i i izrazi izvedeni na osnovi druga ijih pretpostavki i drugog teorijskog pristupa. Tako su

12
polaze i od eksperimentalnih rezultata Slotboom i De Graaff 2 dobili izraz koji se može
primijeniti za n tip silicija s gusto ama donora do 1021cm-3:

N N
E G0 E1 ln ln 2 0.5 (2.5.3.3)
N1 N1

u kojemu je:
E1 = 9 m eV
N1 = 1019 cm-3
N = gusto a primjesa.

2.5.4. Odre ivanje gusto e elektrona i šupljina

Ako poluvodi nije degeneriran, za odre ivanje ravnotežnih gusto a vodljivih elektrona n0 i
šupljina p0 mogu se upotrijebiti izrazi izvedeni za isti poluvodi , ali se uvodi oznaka E f za
Fermijevu razinu umjesto oznake Efi:
EC - E f
n 0 = N C exp , (2.5.4.1)
k T
Ef - E V
p 0 = N V exp , (2.5.4.2)
k T
odnosno
NC
E C - E f = k T ln , (2.5.4.3)
n0

NV
E f - E V = k T ln . (2.5.4.4)
p0
Dijeljenjem jednadžbe (2.5.4.1) s jednadžbom za intrinsi nu gusto u (2.1.12) dobiva se izraz
za gusto u slobodnih elektrona u ovisnosti o intrinsi noj gusto i i razlici Fermijevih razina
ekstrinsi nog i intrinsi nog poluvodi a:
E f E fi
n0 n i exp . (2.5.4.5)
k T
Iz (2.5.4.5) i zakona o termodinami koj ravnoteži može se odrediti ravnotežna gusto a p0:
E fi E f
p0 n i exp . (2.5.4.6)
k T
Umnožak ravnotežnih gusto a n0 i p0 jednak je kvadratu intrinsi ne gusto e i ne ovisi o
Fermijevoj energiji:
EC - EV
n 0 p 0 = n 2i = N C N V exp , (2.5.4.7)
k T
što zna i da pri nekoj temperaturi jedna od ravnotežnih gusto a raste dok druga pada da bi
njihov umnožak ostao stalan.

13
U ravnotežnom stanju svaki poluvodi ima jednak iznos pozitivnog i negativnog naboja
(zakon elektri ne neutralnosti):
N D + p0 = N A + n 0 . (2.5.4.8)
Za n-tip poluvodi a, uz uvjet NA = 0, izraz (2.5.4.8) poprima oblik:
n 0 = N D + p0 . (2.5.4.9)
2
n i
Uz zamjenu p 0 = dobiva se:
n0
ND N 2D + 4 n 2i
n0 = + . (2.5.4.10)
2 2
n 2i
Ako je N 2D >> 4 n 2i , tada je n0 ND i p 0 = .
ND
U n-tipu poluvodi a elektroni su ve inski (glavni ili majoritetni), a šupljine manjinski
(sporedni ili minoritetni) nosioci naboja. U skladu sa zakonom o termodinami koj ravnoteži,
gusto a šupljina opada s porastom gusto e elektrona (potiskivanje manjinskih nosilaca).
Položaj Fermijeve razine u odnosu prema dnu vodljive vrpce odre en je izrazom:
NC
E C - E f = k T ln , (2.5.4.11)
ND
prema kojemu je u dijagramu energija za n-tip poluvodi a položaj Fermijeve energije blizu
dna vodljive vrpce, slika 2.5.4.1., jer je NC 1019 cm-3, a ND 1016 cm-3.

Slika 2.5.4.1: Fermijeva razina u n-tipu poluvodi a.

Za p-tip poluvodi a, uz uvjet ND = 0, izraz (2.5.4.8) poprima oblik:
p0 = NA + n0 . (2.5.4.12)

n 2i
Uz zamjenu n 0 = dobiva se:
p0

NA N 2A + 4 n 2i
p0 = + . (2.5.4.13)
2 2
U p-tipu poluvodi a šupljine su ve inski nosioci, a elektroni manjinski. Dodavanjem
akceptora raste gusto a šupljina, a opada gusto a elektrona.

2 2 n 2i
Ako je N A >> 4 n , tada je p0
i NA i n 0 = .
NA

14
Položaj Fermijeve razine odre en je izrazom:
NV
E f - E V = k T ln . (2.5.4.14)
NA
U dijagramu energija za p-tip poluvodi a Fermijeva se razina nalazi blizu vrha valentne
vrpce, slika 2.5.4.2., jer je NV 1019 cm-3, a NA 1012 cm-3.

Slika 2.5.4.2: Fermijeva razina u p-tipu poluvodi a.

U temperaturnom podru ju nepotpune ionizacije (T < 200K) svi primjesni atomi nisu
ionizirani, što zna i da svi donori nisu dali elektron u vodljivi pojas, a svi akceptori nisu
primili elektron iz valentnog pojasa. Za ove temperature gusto a elektrona n(T<200K) u
vodljivoj vrpci jednaka je broju ioniziranih donora ND+. On se može izra unati ako se
ukupnom broju donora oduzmu donori zaposjednuti elektronima:
1 ND
n( T 200 K ) ND = ND ND . (2.5.4.15)
E - Ef Ef - E D
1 + exp D 1+ exp
ET ET

Sli no se gusto a šupljina p(T<200K) može odrediti iz gusto e ioniziranih akceptora N A :

NA
NA = , (2.5.4.16)
E A - Ef
1+ exp
ET
Izjedna e li se izrazi (2.5.4.1) i (2.5.4.15) dobije se položaj Fermijeve razine u n-tipu
poluvodi a na niskim temperaturama
EC E f ND
N C exp . (2.5.4.17)
k T Ef E D
1 exp
k T
Kako je za T < 200 K Ef - ED > kT, jedinica se u nazivniku desne strane može zanemariti, pa
slijedi:
EC Ef Ef E D
N C exp N D exp
k T k T
EC ED k T N
Ef ln D . (2.5.4.18)
2 2 NC
Analogno, ako se izjedna e izrazi (2.5.4.2) i (2.5.4.16) dobiva se jednadžba za odre ivanje
Fermijeve razine u p-tipu poluvodi a:

15
 EV EA k T N
Ef ln A . (2.5.4.19)
2 2 NV

2.7. Driftno gibanje nosilaca

Gibanje nosilaca u poluvodi u na koji nije priklju en napon (unutar poluvodi a nema
elektri noga polja), je neusmjereno (stohasti ko) s prosje nom termi kom brzinom koja se
mijenja u ovisnosti o temperaturi prema izrazu:
3 ET
vt = (2.7.1)
m*
u kojem je ET temperaturni ekvivalent energije, a m* efektivna masa elektrona (šupljina).
Zbog utjecaja priklju enoga napona u poluvodi u nastaje elektri no polje koje usmjerava
gibanje nosilaca u smjeru svog djelovanja. Pri tome se prosje noj termi koj brzini pribraja
(superponira) brzina zbog djelovanja elektri noga polja, tzv. driftna brzina. Ona je
proporcionalna jakosti elektri noga polja F i pokretljivosti nosilaca :
vd = F, (2.7.2)
gdje je oznaka za pokretljivost nosilaca.
Na slici 2.7.1 prikazano je usmjereno gibanje nosilaca (elektrona i šupljina) u poluvodi u
duljine w, pod utjecajem elektri noga polja iznosa F = U/w.

Slika 2.7.1: Usmjereno gibanje nosilaca u poluvodi u.

Gusto a struje je prema Ohmovom zakonu proporcionalna jakosti elektri noga polja, a
konstanta proporcionalnosti je elektri na provodnost:
I U U
J= = F (2.7.3)
S R S w
Za pozitivni smjer struje prema dogovoru uzima se smjer gibanja pozitivnoga naboja
(šupljina). Kako je gibanje elektrona isto što i gibanje šupljina u suprotnom smjeru, te dvije
struje se zbrajaju i ine ukupnu struju I u strujnom krugu, slika 2.7.1.
Elektri na provodnost poluvodi a je jednaka zbroju elektri ne provodnosti zbog gibanja
elektrona n i elektri ne provodnosti šupljina p:
= n + p =q n n +q p p =q n n +p p (2.7.4)

gdje je n oznaka za pokretljivost elektrona, a p za pokretljivost šupljina.

16
U n-tipu poluvodi a gusto a elektrona je mnogo ve a od gusto e šupljina (n>>p), pa je
elektri na provodnost približno jednaka elektronskoj provodnosti n q n n, dok je za p-
tip poluvodi a prevladavaju a šupljinska provodnost p q p p.
Elektri nu provodnost istog poluvodi a karakterizira njegova intrinsi na gusto a ni:

i = q ni n + p . (2.7.5)

2.8. Difuzijsko gibanje naboja u poluvodi u

Ako u poluvodi u postoji nejednolika gusto a pokretnih nosilaca naboja, tada i bez vanjskog
utjecaja (npr. elektri nog polja) nastaje gibanje naboja iz podru ja ve e ka podru jima manje
gusto e naboja i traje do uspostave jednake raspodjele naboja u cijelom obujmu poluvodi a.
Takav prirodan proces koji se odvija u svakom prostoru gdje postoji nejednolika gusto a bilo
kojih pokretnih estica naziva se difuzija. Npr. difuzijom se širi plin, miris, kap tinte u vodi
itd.. U prosjeku se jednak broj estica širi u svakom smjeru nekog izotropnog prostora. Ali,
ako je odre eni prostor podijeljen na više dijelova (podprostora) s obzirom na gusto u estica,
npr. tako da idu i od lijeva na desno gusto a opada, tada e rezultantno gibanje tih estica biti
u smjeru desne strane. Za ilustraciju prikazan je jednodimenzijski prostor podijeljen na šest
dijelova, slika 2.8.1.

Slika 2.8.1: Ilustracija pojave difuzije u jednodimenzijskom prostoru

s nejednolikom gusto om estica.
U prostoru ozna enom brojem 1, od 12 estica njih šest se giba udesno, a šest ulijevo. U
prostoru broj 2, pet estica se giba ulijevo, a pet udesno, itd. Dakle samo se jedna polovina
estica svakog dijela prikazanoga jednodimenzijskog prostora giba u pozitivnom, polovina u
1
negativnom smjeru osi x. Za trodimenzijski prostor umjesto konstante treba ra unati s
2
1
vrijednoš u zbog više smjerova gibanja (lijevo-desno, gore-dolje, naprijed-natrag). Kako
6
je promjena gusto e estica po dijelovima prostora prikazanog na slici 2.8.1. jednaka -2
(opadaju a gusto a prema pozitivnom smjeru osi x) difuzijska struja iznosi:
1
Id 2 1 (2.8.1)
2
Neto difuzijska struja je jedna estica u pozitivnom smjeru osi x. Dobiveni se rezultat može
uo iti i bez ra una. Npr. izme u dijelova 1 i 2 od šest estica dijela 1 koje se gibaju udesno i
pet estica dijela 2 koje se gibaju ulijevo samo se jedna estica giba udesno. Isto razmatranje
vrijedi za preostale dijelove obujma.
Op enito se za difuzijsku struju estica u jednom smjeru vrijedi izraz:
dn
Id D (2.8.2)
dx

17
 dn
u kojem je D difuzijska konstanta, a promjena (gradijent) gusto e u smjeru osi x.
dx
Ako su estice nabijene (elektroni ili šupljine) tada se za elektrone koji su nosioci negativnog
naboja izraz za gusto u struje (struja po jedinici površine presjeka) može pisati u obliku:
dn
Jn q Dn , (2.8.3)
dx
a za šupljine
dp
Jp q Dp . (2.8.4)
dx
U izrazima (2.8.3) i (2.8.4) Dn i Dp su difuzijske konstante za elektrone, odnosno za šupljine,
a q je naboj elektrona.
Difuzijska konstanta obi no se odre uje mjerenjem pri nekoj temperaturi, a može se i
izra unati ako su poznati odre eni parametri. Njeno fizikalno zna enje može se razjasniti npr.
analizom neprekinute difuzijske raspodjele uskog impulsa elektrona u jednodimenzijskom
prostoru, slika 2.8.2.

Slika 2.8.2: Difuzijska raspodjela impulsa elektrona.

Brzina difuzije elektrona npr. u pozitivnom smjeru osi x, može se odrediti iz raspodjele n(x)
podijeljene po dijelovima širine koja odgovara dužini srednjeg slobodnog prevaljenog puta
(nema sudara s drugim elektronima), slika 2.8.3.

18
 Slika 2.8.3: Podjela difuzijske raspodjele elektrona po dijelovima dužine .
Elektronima u dijelu 1 pripisuje se jednaka vjerojatnost gibanja lijevo i desno, a u srednjem
slobodnom vremenu jedna polovina tih elektrona dospjet e u dio 2. Isti zaklju ak i
razmatranje može se primijeniti na dio 2. Rezultantni broj elektrona koji prelaze podru je s
lijeve i desne strane od to ke x0 iznosi:
1 1
n1 A n2 A (2.8.5)
2 2
gdje je A površina presjeka kroz koji prolaze elektroni.
Brzina protjecanja elektrona po jedinici površine u smjeru osi +x jednaka je:

n (x) n1 n2 (2.8.6)
2
Budu i da je srednji slobodni put upravo mala diferencijalna dužina, razlika u gusto i
elektrona n1 - n2 može se izraziti u obliku derivacije:
n1 n2 n(x ) n(x x)
. (2.8.7)
x
Za male priraste x (tj. male vrijednosti srednjeg slobodnog puta prije raspršenja zbog
me usobnog sudaranja) relacija (2.8.6.) može se pisati u obliku:
2 2
n(x ) n (x x) dn ( x )
n (x) lim . (2.8.8)
2 x 0 x 2 dx
2

Veli ina u izrazu (2.8.8.) ozna ava se kao difuzijska konstanta (za elektrone) Dn. U
2
slu aju gibanja u tri dimenzije, difuzijska konstanta u +x smjeru ima manju vrijednost.
Gusto a struje elektrona jednaka je umnošku brzine gibanja elektrona i naboja koji nose:
dn dn
J ndif q Dn q Dn . (2.8.9)
dx dx
Za difuzijsku gusto u struje šupljina može se napisati sli an izraz:
dp dp
J pdif q Dp q Dp . (2.8.10)
dx dx

19
U izrazima (2.8.9.) i (2.8.10.) uo ava se suprotan predznak struje šupljina i elektrona upravo
zbog suprotnog naboja koji te estice nose.

2.9. Difuzijsko i driftno gibanje

Ako se na poluvodi u kojemu postoji nejednolika raspodjela gusto e elektrona i šupljina

priklju i i elektri no polje, nastaje difuzijska i driftna struja elektrona i šupljina. Ukupna
struja jednaka je zbroju driftne i difuzijske sastavnice. Na slici 2.9.1. prikazana je raspodjela
gusto e elektrona n(x) i šupljina p(x) s opadaju im vrijednostima u pozitivnom smjeru osi x i
priklju enim elektri nim poljem u smjeru osi +x, te su ujedno ucrtani smjerovi odgovaraju ih
sastavnica struje, slika 2.9.1.

Slika 2.9.1: Smjerovi driftne i difuzijske sastavnice struje šupljina i elektrona

u poluvodi u.
Prema prihva enom dogovoru o pozitivnom smjeru elektri ne struje (smjer gibanja estica
koje nose pozitivan naboj), te prema ucrtanom smjeru vektora elektri nog polja, driftna i
difuzijska struja šupljina imaju pozitivan smjer. Elektroni se pod utjecajem elektri nog polja
gibaju u smjeru suprotnom onom od gibanja šupljina. Kako smjeru gibanja negativnog naboja
odgovara suprotan smjer gibanja pozitivnog naboja, driftna sastavnica elektrona ima isti smjer
kao i driftna sastavnica šupljina. Difuzijska struja elektrona ima suprotan smjer od onoga koji
ima difuzijska struja šupljina zbog toga što su isti smjerovi difuzijskog gibanja elektrona i
šupljina.
Sukladno slici 2.9.1. mogu se napisati jednadžbe za gusto u ukupne struje elektrona i
šupljina:
dn ( x )
J n ( x) q n n( x ) E( x ) q D n (2.9.1)
dx
dp( x )
J p (x) q p p( x ) E( x ) q D p (2.9.2)
dx
Sukladno slici 2.9.1., zbog negativnog gradijenta gusto a, difuzijska i driftna sastavnica
struje šupljina se zbrajaju, a te iste sastavnice struje elektrona se oduzimaju. Pri tome ukupna
struja može biti struja elektrona ili struja šupljina što ovisi o odnosu veli ina njihovih gusto a,
o iznosu i smjeru elektri nog polja te o gradijentu gusto a šupljina i elektrona.

2.10. Pokretljivost nosilaca

Na pokretljivost nosilaca u poluvodi u utje u razli iti efekti zbog me usobnog djelovanja
nosilaca s ioniziranim atomima primjesa (ionsko raspršenje), s kristalnom rešetkom (fononsko
raspršenje), te me usobnih sudara samih nosilaca.
Analiza pokretljivosti nosilaca može se provesti po njenim sastavnicama, a pri tome se svaka
sastavnica odnosi na odgovaraju i efekt raspršenja. Uglavnom se razmatraju tri sastavnice
pokretljivosti:

20
-pokretljivost odre ena fononskim raspršenjem

-pokretljivost odre ena ionskim raspršenjem u me usobnom djelovanju nosilaca i ioniziranih

primjesa
-pokretljivost odre ena raspršenjem koje je posljedica me usobnih sudara nosilaca
Za odre ivanje pokretljivosti elektrona i šupljina, ako se razmatra samo utjecaj gusto e
primjesa pri temperaturi T = 300 K, može se upotrijebiti izraz naveden u literaturi 5 :
maks - min
= + min (2.10.1)
N
1+
N ref

u kojemu je N ukupna gusto a svih ioniziranih primjesa, a vrijednost parametara min, maks,
i Nref dane su u tablici 2.10.1. 6 .

nosilac N ref cm 3
maks cm 2 V 1s 1
min cm 2 V 1s 1

elektron 1.12 1017 1430 80 0.72

šupljina 2.23 1017 460 45 0.72
Tablica 2.10.1:Parametri za odre ivanje pokretljivosti nosilaca u siliciju u ovisnosti o

gusto i primjesa, T = 300 K.

2.12. Einsteinova relacija; odnos pokretljivosti nosilaca i difuzijske konstante

Relacija koja povezuje pokretljivost nosilaca naboja i difuzijsku konstantu može se dobiti
analiziraju i gibanje naboja u poluvodi u u kojem gusto a primjesa nije jednoliko
raspodijeljena (nehomogeni poluvodi ), a položaj Fermijeve razine u zabranjenoj vrpci nije
stalan. Na slici 2.12.1. prikazane su energijske razine za nedegenerirani nehomogeni
poluvodi n-tipa u kojemu je gusto a donora na lijevom kraju (x=0) ve a od one na desnome
kraju (x=w), ND0> NDW.

Slika 2.12.1: Energijske razine u nehomogenom poluvodi u n-tipa u ravnoteži.

Zbog gradijenta gusto e u nehomogenom poluvodi u postoji elektri no polje iji je smjer
djelovanja suprotan difuzijskom gibanju nosilaca.
U uvjetima ravnoteže ukupna struja u nehomogenom poluvodi u je jednaka ništici:

21
 dn 0
Jn q n0 n F q Dn 0 (2.12.1)
dx
dp 0
Jp q p0 p F q Dp 0. (2.12.2)
dx
Ravnotežna gusto a elektrona n0, u homogenom nedegeneriranom poluvodi u n-tipa odre ena
je izrazom:
EC Ef
n0 N C exp , (2.12.3)
k T
koji se može primijeniti i na nehomogeni poluvodi , a razlika energijskih razina EC - Ef se
izrazi u ovisnosti o koordinati x s pomo u potencijalne energije elektrona:
EC Ef q U( x ) (2.12.4)
gdje je (-q) naboj elektrona, a U(x) elektri ni potencijal, slika 2.12.2.

Slika 2.12.2: Energijske razine u nehomogenom poluvodi u n-tipa.

Izraz (2.12.3) može se, dakle, prikazati u obliku:
q U( x )
n0 N C exp (2.12.5)
k T
iz kojega proizlazi i gradijent gusto e n0 po koordinati x:
dn 0 q q U( x) dU( x ) q
dU( x )
N C exp n0 . (2.12.6)
dx k T k T dx k T dx
Uvrštavanjem izraza (2.12.6) u (2.12.1), te zamjenom polja F negativnom derivacijom
potencijala po udaljenosti,
dU ( x )
F , (2.12.7)
dx
dobiva se jednadžba:
dU( x ) q dU ( x )
q n0 n q Dn n0 0, (2.12.8)
dx k T dx
iz koje, nakon kra enja istovrsnih veli ina, proistje e poznata Einsteinova relacija,
k T
n Dn , (2.12.9)
q

22
kojom je iskazana me usobna povezanost karakteristi nih parametara za dva mehanizma
provo enja struje u poluvodi ima: drifta (preko pokretljivosti nosilaca) i difuzije (preko
difuzijske konstante).
Veli ina k T/q = UT ima dimenziju volt pa se naziva naponski temperaturni ekvivalent. UT
je po broj anoj vrijednosti jednak energijskom temperaturnom ekvivalentu ET; naravno,
razlika je u jedinicama: UT se iskazuje u voltima, a ET u elektronvoltima. Pri temperaturi T
= 300K naponski temperaturni ekvivalent iznosi UT = 25.9mV.
Na isti na in izvodi se Einsteinova relacija za šupljine:
k T
p Dp . (2.12.10)
q
Promatra li se raspodjela potencijala u nehomogenom poluvodi u u ravnotežnom stanju s
energijskim razinama prikazanim na slici 2.12.2., u to ki x = 0, ravnotežna gusto a elektrona
iznosi n00, a u to ki x = w, n0w. Za potencijal u to ki x = w može se uzeti vrijednost nula (ako
se ta to ka odabere kao ishodišna ili uzemljenje), a u to ki x = 0 neka je vrijednost potencijala
U0. Prema tome definirane su granice integracije izraza (2.12.6):
n0w 0
k T dn 0
dU( x ) (2.12.11)
q n 00
n0 U0

iz kojeg proistje e vrijednost za potencijal Uk:

k T n Dn n 00
Uk ln 00 ln . (2.12.12)
q n 0W n n 0w
Sukladno primijenjenom postupku može se napisati izraz za potencijal na bilo kojem mjestu x
duž poluvodi a:
Dn n 0x
Ux ln . (2.12.13)
n n 0w
Na slici 2.12.3. prikazana je raspodjela potencijala po cijeloj dužini poluvodi a.

Slika 2.12.3: Raspodjela potencijala u nehomogenom poluvodi u.

Potencijal u to ki x = 0 je pozitivan prema vrijednosti u to ki x = w koja je uzemljena, jer su
neki elektroni zbog gradijenta gusto e difuzijom prešli na desni kraj poluvodi a. Daljnja
difuzija elektrona je zaustavljena uspostavljenim elektri nim poljem koje djeluje suprotno
njihovom gibanju tako da je struja u poluvodi u jednaka ništici.
Dakle, iako je nehomogeni poluvodi u ravnotežnom stanju prema vani elektri ki neutralan, u
njemu je izme u bilo kojih dviju to aka uspostavljena potencijalna razlika, koja ovisi o
gusto i istovrsnih nosilaca u tim to kama. Što je razlika (prijelaz) u gusto i ve a to je i

23
potencijalna razlika ve a. Najve a vrijednost potencijalne razlike postiže se naglim prijelazom
iz podru ja n-tipa u podru je p-tipa poluvodi a. Za takvo nehomogeno poluvodi ko
ustrojstvo, poznato pod nazivom pn spoj može se re i da je temelj svekolike poluvodi ke
elektronike.

2.14. Vrijeme života i poništavanje (rekombinacija) nosilaca

Ako se poluvodi , u kojemu je ravnotežna gusto a vodljivih nosilaca n0 i p0, obasja
svjetloš u odre ene energije h ( je frekvencija fotona, a h Planckova konstanta) koja je
približno jednaka širini zabranjene vrpce dolazi do fotogeneracije elektron-šupljina parova.
Posljedica te pojave je pove ana gusto a vodljivih nosilaca u poluvodi u. Uklanjanjem izvora
svjetla, nastala pove ana gusto a s vremenom opada u procesu me usobnog poništavanja, tzv.
rekombinacije elektrona i šupljina, teže i prvobitnoj ravnotežnoj gusto i n0 odnosno p0.
Nastajanje (generacija) i nestajanje (rekombinacija) fotogeneriranih (ekscesnih) nosilaca
može se razmatrati odvojeno za šupljine, a odvojeno za elektrone. Npr. u poluvodi u n-tipa,
djelovanjem svjetlosne energije, gusto a manjinskih šupljina porast e od ravnotežne
vrijednosti p 0 n na p 0n , slika 2.14.1., a glavnih od n0n na n 0n . Broj fotogeneriranih elektrona
n 0 n n 0n zanemariv je prema broju n0n u poluvodi u n-tipa, pa se može smatrati da je
ravnotežna gusto a glavnih nosilaca naboja ostala nepromijenjena.

Slika 2.14.1: Poluvodi n-tipa pod utjecajem svjetla.

Nakon prestanka djelovanja svjetla fotogenerirane manjinske šupljine rekombiniraju se
okružene velikim brojem elektrona. Višak gusto e šupljina, p 0 n p 0n , opada po
eksponencijalnom zakonu s vremenskom konstantom p koja se zove vrijeme života šupljina,
slika 2.14.2.

t
pn p 0n ( p 0n p 0 n ) exp . (2.14.1)
p

Slika 2.14.2: Poništavanje fotogeneriranih šupljina u ovisnosti o vremenu

u poluvodi u n-tipa.
Ista zakonitost raspodjele vrijedi i za ekscesne manjinske elektrone u poluvodi u p-tipa:

24
 t
nn n 0n (n 0n n 0 n ) exp . (2.14.2)
n

Parametar n je vrijeme života manjinskih elektrona u poluvodi u p-tipa.

Deriviranjem izraza (2.14.1) dobiva se brzina promjene gusto e ekscesnih manjinskih šupljina
u poluvodi u n-tipa:

dp n p0n p 0n t pn p0n
exp . (2.14.3)
dt p p p

Predznak (-) u izrazu (2.14.3) ozna ava opadanje gusto e, odnosno poništavanje ili
rekombinaciju šupljina.
Vrijeme života manjinskih nosilaca nije stalna veli ina ve ovisi o gusto i primjesa u
poluvodi u. Na temelju provedenih mjerenja za silicijski poluvodi 8 izvedene su empirijske
relacije za odre ivanje vremena života manjinskih nosilaca.
p0
Za šupljine u poluvodi u n-tipa: p , (2.14.4)
ND
1
N 0D
gdje je p0 = 3.52 10-5 s, N0D = 7.1 1015 cm-3 (T = 300 K).

n0
Za elektrone u poluvodi u p-tipa: n , (2.14.5)
NA
1
N 0A
gdje je n0 = 1.7 10-5 s, N0A = 7.1 1015 cm-3 (T = 300 K).

2.15. Jednadžba kontinuiteta

Na elna dinami ka svojstva vodljivih nosilaca naboja u poluvodi u su: gibanje pod
utjecajem elektri nog polja (drift), gibanje od podru ja visoke gusto e prema mjestu niske
gusto e (difuzija), te nestajanje nosilaca (rekombinacija). Promjena gusto e nosilaca u
jedinici vremena dana je jednadžbom kontinuiteta koja uklju uje sva tri navedena efekta
preko pripadaju ih karakteristi nih parametara: vrijeme života, difuzijske konstante i
pokretljivosti nosilaca.
Za generirane šupljine u poluvodi u n-tipa jednadžba kontinuiteta ima oblik:
2
pn pn p 0n pn pn
Dp F p , (2.15.1)
t p x2 x
koji se u odre enim uvjetima može svesti na jednostavnije diferencijalne jednadžbe. Npr. ako
se pretpostavi da u poluvodi u nema elektri nog polja, (F = 0), te ako je gusto a šupljina
p
stalna s obzirom na koordinatu x, ( n 0 ), izraz (2.15.1) svodi se na (2.15.3) s rješenjem
x
(2.15.2). Ako se poluvodi razmatra u stacionarnom ravnotežnom stanju (nema promjene
p
gusto e s obzirom na vremensku varijablu, ( n 0 ), te ako se zanemari utjecaj elektri nog
t

25
polja, (F = 0), dobiva se diferencijalna jednadžba (2.15.2) koja uklju uje efekt rekombinacije i
difuzije.
d2p n p n p 0n
. (2.15.2)
dx 2 Dp p
Neto na bi bila pretpostavka da je elektri no polje jednako ništici, (F = 0), jer ako postoji
gradijent gusto e u poluvodi u, postoji i elektri no polje. Ali utjecaj uspostavljenog
elektri nog polja može se zanemariti u odnosu prema utjecaju difuzije na manjinske šupljine
u poluvodi u n-tipa:
Op e rješenje jednadžbe (2.15.2) koja se naziva difuzijska jednadžba je oblika:

x x
pn p 0n A 1 exp A 2 exp , (2.15.3)
Lp Lp

gdje je oznaka Lp uvedena za izraz Dp p , a ozna ava difuzijsku dužinu šupljina.

Konstante A1 i A2 nužno je odrediti iz rubnih uvjeta za poluvodi ko ustrojstvo koje se
razmatra.
Isti izraz vrijedi i za elektrone u poluvodi u p-tipa:
x x
np n 0p B1 exp B 2 exp , (2.15.4)
Ln Ln

gdje je oznaka Ln uvedena za izraz D n n , a ozna ava difuzijsku dužinu elektrona, a

konstante B1 i B2 su definirane rubnim uvjetima koji vrijede za doti ni poluvodi .

26
3. PN SPOJ
3.1 Uvod
Izrazita nehomogenost poluvodi a postiže se tako da se monokristalu u jednom dijelu dodaje
primjesa akceptora, a drugom primjesa donora. Ta dva dijela odvojena su grani nom plohom
(ravninom kompenzacije) koja se zove pn spoj ili pn prijelaz, slika 3.1.1.

Slika 3.1.1: Prikaz pn spoja.

Neto na bi bila tvrdnja da se pn spoj može na initi jednostavnim spajanjem poluvodi a p i n
tipa, kao što bi se moglo pomisliti na temelju slike 3.1.1. Dodir (kontakt) p i n tipa poluvodi a
mogu e je jedino ostvariti posebnim tehnološkim metodama odnosno postupcima planarne
tehnologije na siliciju. Tri su standardna postupka planarne tehnologije:
epitaksijalni rast,
difuzija primjesa,
ionska implantacija.
Epitaksijalni rast (kra e epitaksija) je tehnološki postupak rasta monokristalnog sloja na
monokristalnoj podlozi. Potom slijedi postupak termi ke oksidacije kako bi se stvorio tanki
zaštitni sloj silicijevog dioksida SiO2, slika 3.1.2.

Slika 3.1.2: pn spoj dobiven epitaksijalnim rastom n tipa na podlozi p tipa.

Kada su epitaksijalni sloj i podloga od istog materijala tada je to homoepitaksijalni,
autoepitaksijalni ili izoepitaksijalni rast. Ako je podloga razli ita od epitaksijalnog sloja tada
je to heteroepitaksijalni rast. Za pokretanje procesa epitaksijalnog rasta potrebna je energija
od 1.6 do 1.9 eV (aktivacijska energija), a brzina samog rasta ovisi o temperaturi.
Difuzija primjesa je osnovni tehnološki postupak dobivanja pn spoja koji se obavlja na
visokoj temperaturi u zatvorenom sustavu (difuzijskim pe ima). Za razliku od epitaksijalnog
rasta difuzija primjesa je selektivan proces jer se obavlja na to no odabranim mjestima na
poluvodi u kroz otvor (prozore) u oksidnom sloju na površini silicija. Na slici 3.1.3. prikazan
je tipi an pn spoj dobiven difuzijom primjesa donora u podlogu p tipa.

Slika 3.1.3: pn spoj dobiven difuzijom primjesa.

27
Ionska implantacija je niskotemperaturan tehnološki postupak koji se obavlja uz potencijalnu
razliku ( 100 kV) pri kojoj je omogu eno prodiranje iona kroz površinu vrstog tijela. Pri
tome implantirani ioni ošte uju kristalnu rešetku, a nastala ošte enja se mogu ukloniti
kaljenjem na odre enoj temperaturi (npr. za silicij temperatura iznosi oko 600 oC).
Raspodjela (profil) primjesa u blizini ravnine kompenzacije ovisi o postupku planarne
tehnologije a redovito je neka složena matemati ka funkcija. Npr. raspodjela primjesa u
difuzijskom procesu može se opisati funkcijom pogreške i Gaussovom normalnom funkcijom.
Teorijska razmatranja obi no se aproksimiraju skokovitim i linearno-postupnim pn
prijelazom.

3.2. Skokoviti pn prijelaz

Izrazita nejednolikost (nehomogenost) raspodjele primjesa u poluvodi u postiže se naglim
prijelazom iz podru ja p-tipa u podru je n-tipa, slika 3.2.1.

Slika 3.2.1: Skokoviti pn prijelaz.

P strana je jednoliko one iš ena atomima akceptora, a n strana atomima donora, a na prijelazu
izme u ta dva homogena podru ja razlika u gusto i donora i akceptora mijenja se skokovito.
Ravnotežne gusto i nosilaca na p strani su p0p i n0p, a na n strani su p0n i n0n, slika 3.2.2.

Slika 3.2.2: Zamišljeno neravnotežno stanje pn spoja.

U zamišljenom neravnotežnom stanju pn spoja, Fermijeve razine na p i n strani nisu
izjedna ene. Lijevo i desno od grani ne ravnine, (x = 0), velika je razlika u gusto i istovrsnih
nosilaca p0p i p0n, te n0n i n0p. Posljedica je difuzijsko gibanje šupljina iz p u n stranu, a
elektrona iz n u p stranu. Ravnotežno stanje nastaje kada se uspostavi kontaktna energetska
barijera Ek, a Fermijeve razine izjedna e na jednoj i drugoj strani pn spoja, slika 3.2.3.

28
 Slika 3.2.3: Energijski dijagram pn spoja u ravnoteži.
Sukladno slici 3.2.3. potencijalna energija na barijeri može se izraziti kao:
Ek q Uk q n q p (3.2.1)
Kontaktna se barijera uspostavlja zbog difuzijskoga gibanja šupljina iz p strane u n stranu, a
elektrona iz n strane u p stranu. U okolišu grani ne ravnine pn spoja nastaje podru je koje
zbog pojave poništavanja oskudijeva slobodnim nosiocima, a postoje samo nepokretni ioni
akceptora s negativnim nabojem i donora s pozitivnim nabojem. To podru je, ovisno o
gusto i primjesa, zadire nesimetri no u p i n stranu i naziva se pn barijera, prijelazni sloj,
dvosloj ili osiromašeno podru je, a sjedne i druge strane ome eno je neutralnim podru jima p
i n strana, sl. 3.2.4.

neutralno neutralno
podru je podru je

Slika 3.2.4: Podru je barijere pn spoja u ravnoteži.

Uspostavljeno elektri no polje F ima smjer od pozitivnih atoma donora prema negativnim
akceptorima i zaustavlja prijelaz ve inskih nosilaca tj. elektrona u p stranu i šupljina u n
stranu, ali istodobno omogu ava prijelaz manjinskih nosilaca (za njih barijera ne postoji), tj.
elektrona iz p strane u n stranu i šupljina iz n strane u p stranu. Budu i da je za pn spoj u
ravnoteži ukupna struja elektrona, odnosno šupljina, jednaka ništici, uspostavljeno elektri no
polje omogu ava protjecanje difuzijske struje ve inskih šupljina iz p strane, IDp, koja
poništava driftnu struju manjinskih šupljina iz n strane, ISn. Isto tako driftna sastavnica
manjinskih elektrona iz p strane, ISp, poništava difuzijsku struju ve inskih elektrona iz n
strane IDn, slika 3.2.3. Takvo ravnotežno dinami ko stanje definirano je jednadžbama:
I Dn I Sn 0, (3.2.2)
I Dp ISp 0. (3.2.3)

29
3.2.1. Kontaktni potencijal
Izme u neutralne n strane i neutralne p strane je prijelazno podru je u kojem postoji
intrinsi na ravnina 1 . U toj ravnini, koja se za nesimetri an pn spoj ne poklapa s ravninom pn
spoja, ispunjen je uvjet q = 0 i intrinsi na Fermijeva razina je jednaka Fermijevoj razini
kroz prijelazno podru je, slika 3.2.1.1.

Slika 3.2.1.1: Uz definiciju podru ja barijere pn spoja.

Kontaktna energijska barijera proporcionalna je kontaktnom potencijalu (razlici potencijala
izme u p i n strane pn spoja u ravnotežnim uvjetima):
Ek q Uk . (3.2.1.1)
Iznos kontaktnog potencijala Uk može se odrediti iz uvjeta termi ke ravnoteže (npr. za
gusto u struje elektrona, Jn = 0):
dn 0
0 q n0 n F q Dn , (3.2.1.2)
dx
D n dn 0
F , (3.2.1.3)
n n 0 dx

d k T dn 0
F . (3.2.1.4)
dx q n 0 dx
Integraciju diferencijalne jednadžbe (3.2.1.4) potrebno je provesti u granicama koje odre uje
podru je barijere: od x = -xp do od x = xn, slika 3.2.1.1.
k T n (x )
(xn ) ( xp ) ln 0 n . (3.2.1.5)
q n0( xp )
Ako su svi donori i akceptori ionizirani izraz (3.2.1.5) može se pisati u obliku:
k T N N
(xn ) ( xp ) Uk ln A 2 D , (3.2.1.6)
q ni
gdje je: n 0 ( x n ) N D i n 0 ( x p ) N A .

1
P. Biljanovi , Poluvodi ki elektroni ki elementi, Školska knjiga Zagreb 1996. str. 191.

30
3.2.2. Širina barijere
Širina barijere pn spoja u ravnotežnom stanju ovisi o gusto i primjesa ND i NA, a može se
odrediti rješenjem Poissonove jednadžbe koja uz zanemarenje gusto a slobodnih elektrona i
šupljina u odnosu prema gusto ama ioniziranih donora i akceptora ima oblik:
d2 dF (x)
, (3.2.2.1)
dx 2 dx
u kojoj je (x) gusto a naboja u podru ju barijere, a permitivnost (dielektri ka konstanta)
materijala.
Za podru je barijere od -xp do 0 Poissonova se jednadžba može pisati u obliku:
d2 q NA
, (3.2.2.2)
dx 2
a za podru je od 0 do xn:
d2 q ND
. (3.2.2.3)
dx 2
Integriranjem jednadžbe (3.2.2.2) dobiva se:
q NA
F( x ) x K1 . (3.2.2.4)

Uz rubni uvjet F(-xp) = 0, konstanta K1 iznosi:

q N A xp
K1 , (3.2.2.5)

te se (3.2.2.4) može pisati u obliku:

d q NA
F( x ) (x xp ) . (3.2.2.6)
dx
Za podru je od 0 do xn, jakost elektri noga polja dana je izrazom:
d q ND
F( x ) (x x n ) . (3.2.2.7)
dx
U to ki x = 0 elektri no polje ima maksimalnu vrijednost:
q ND xn q NA xp
Fm . (3.2.2.8)

Integriranjem izraza (3.2.2.6) i (3.2.2.7) dobiva se funkcija raspodjele potencijala u podru ju

barijere:
q NA x2
xp x K2 , (3.2.2.9)
2

q ND x2
xn x K3 . (3.2.2.10)
2

Ako se odabere jedna strana barijere kao ishodišna (npr. (-xp) = p = 0), za konstante K2 i
K3 dobiva se:

31
 2
q N A xp
K2 K3 . (3.2.2.11)
2
Konstante integracije K2 i K3 su jednake jer je funkcija raspodjele potencijala neprekinuta
(kontinuirana).
Vrijednost potencijala u to ki x = xn iznosi:
2
q N D x 2n q NA xp
(xn ) n (3.2.2.12)
2 2
i jednaka je kontaktnom potencijalu Uk.
Uz uvjet:
ND xn NA xp (3.2.2.13)
kojim se izri e elektri na neutralnost cjeline pn spoja, mogu se odrediti širine barijere xn i xp:
2 Uk NA
xn , (3.2.2.14)
q ND (N A N D )

2 Uk ND
xp . (3.2.2.15)
q NA (N A N D )
Ukupna širina barijere jednaka je:
2 U k (N A N D )
dB xn ( xp ) . (3.2.2.16)
q NA ND

Iz uvjeta neutralnosti N D x n N A x p , izravno proistje e zaklju ak: ako je jedna strana pn

spoja više one iš ena, barijera se proteže na slabije one iš enu stranu (jednostrani pn spoj).
Npr ako je NA>>ND, širina barijere je:
2 Uk
dB xn . (3.2.2.17)
q ND
Provedeni postupak rješavanja jednodimenzijske Poissonove jednadžbe za podru je barijere
pn spoja ilustriran je crtežom 3.2.2.1. :

32
 Slika 3.2.2.1: Ilustracija rješenja Poissonove jednadžbe za pn spoj.

3.2.3. PN spoj s priklju enim naponom

Širina podru ja barijere pn spoja može se mijenjati promjenom iznosa i polariteta
priklju enog napona, slika 3.2.3.1.

Slika 3.2.3.1: Polarizacija pn spoja.

Promjena širine podru ja barijere pn spoja izravna je posljedica promjene napona na barijeri
UB, koji je jednak kontaktnom naponu Uk i njemu superponiranom vanjskom naponu U. U
uvjetima propusne polarizacije napon na barijeri je umanjen upravo za iznos priklju enog
napona U:

33
 UB Uk U, (3.2.3.1)
a pri nepropusnoj polarizaciji je pove an, slika 3.2.3.2.
UB Uk U, (3.2.3.2)

Slika 3.2.3.2: Promjena visine barijera (napona UB) u ovisnosti

o polaritetu priklju enog napona U.
Djelovanjem priklju enog napona pn spoj prelazi iz ravnotežnog u neravnotežno stanje. Pri
propusnoj polarizaciji ve inski nosioci poja ano prelaze barijeru na onu stranu gdje su u
manjini (šupljine iz p strane na n stranu, a elektroni iz n strane na p stranu), stoga se taj proces
naziva utiskivanje (injekcija) manjinskih nosilaca. Gusto a utisnutih nosilaca uz rubove
barijere ovisi o iznosu priklju enog napona (pove ana je u odnosu prema ravnotežnoj
manjinskoj gusto i) i postupno se smanjuje prema krajevima p i n strane, zbog efekta
rekombinacije, teže i ravnotežnim manjinskim gusto ama, slika 3.2.3.3.

Slika 3.2.3.3: Gusto a manjinskih nosilaca u uvjetima propusne polarizacije pn spoja.

Dakle, stalno postoji gradijent gusto e s posljedicom difuzijske struje u pn spoju. U uvjetima
nepropusne (reverzne) polarizacije ve inski nosioci ne mogu prelaziti barijeru pa te e struja
manjinskih nosilaca (šupljina iz n strane i elektrona iz p strane). Gusto e tih nosilaca uz
rubove barijere su manje od ravnotežnih, ali prema krajevima p i n strane teže ravnotežnim
razinama, slika 3.2.3.4.

Slika 3.2.3.4: Gusto a manjinskih nosilaca u uvjetima nepropusne polarizacije pn spoja.

U ravnotežnom stanju pn spoja zamišljene se struje difuzije i drifta me usobno poništavaju
(Jn= 0, Jp= 0). Iznosi gusto a tih struja su za nekoliko redova veli ina ve e od gusto e struje

34
polariziranog (propusno ili nepropusno) pn spoja. Pritom su naponi propusne polarizacije
umjerenih vrijednosti, a neravnotežno stanje pn spoja može se smatrati približno ravnotežnim
(kvaziravnotežnim), te se mogu primjeniti i uvjeti ravnoteže: Jn= 0, Jp= 0:
dn
J n 0 q n n F q Dn . (3.2.3.3)
dx
Uz pretpostavku da je cijeli narinuti vanjski napon U na samoj barijeri pn spoja, ukupni napon
barijere pri propusnoj polarizaciji jednak je UB= Uk- U. Razlika potencijala u to kama -xp i xn,
slika 3.2.3.5., iznosi:
k T n( x p )
( xp ) (x n ) p n ln . (3.2.3.4)
q n( x n )

Slika 3.2.3.5: Uz definiciju potencijala na rubovima barijera pn spoja.

Budu i da je:
p n U Uk (3.2.3.5)
za priklju eni napon U može se pisati izraz:
k T n( x p ) k T N N
U ln ln A 2 D (3.2.3.6)
q n( x n ) q ni
U uvjetima niske injekcije (gusto a manjinskih nosilaca mnogo je manja od ravnotežne
gusto e ve inskih nosilaca), odnos ravnotežne gusto e manjinskih elektrona i ve inskih
šupljina na p strani dan je relacijom:
n 2i
n0 ( xp ) n 0p (3.2.3.7)
NA
pa se (3.2.3.6) može pisati kao:
k T k T k T k T
U ln n ( x p ) ln n ( x n ) ln N D ln n 0 p . (3.2.3.8)
q q q q
Ako se pritom uzme u obzir jednakost oznaka:
n( x n ) n 0 n N D
(3.2.3.9)
n( x p ) n p 0
dobiva se relacija koja povezuje ravnotežnu gusto u manjinskih nosilaca (elektrona), gusto u
elektrona uz rub barijere -xp i narinuti vanjski napon U:
q
n p0 n 0 p exp U . (3.2.3.10)
k T

35
Za šupljine uz rub barijere xn vrijedi ista veza s ravnotežnim manjinskim šupljinama na n
strani:
q
p n0 p 0 n exp U . (3.2.3.11)
k T
Relacije (3.2.3.10) i (3.2.3.11) zna ajne su pri odre ivanju rubnih vrijednosti gusto a uz
barijeru pn spoja u uvjetima niske injekcije.

3.2.5. Barijerni (tranzitni) kapacitet; kapacitet dvosloja

U podru ju barijere pn spoja gusto e nosilaca su malene (osiromašeno podru je), a
dominiraju nepokretni negativni ioni akceptora na p strani i pozitivni donori na n strani. Cijeli
taj prostor ima karakteristike dielektrika na koji se s obje strane nastavljaju relativno dobro
vodljiva neutralna p i n podru ja, tvore i tako ustrojstvo sa svojstvom kapacitivnosti
analognoj kapacitivnosti plo astog kondenzatora. Zbog nepropusne polarizacije ioniziraju se
akceptori i donori, širi se podru je barijere i mijenja barijerni kapacitet. Kapacitet po jedinici
površine odre en je izrazom:
dQ
CT , (3.2.5.1)
dU
gdje je Q naboj po jedinici površine, a U je narinut napon na barijeri pn spoja.
Na n strani Q iznosi:
Q q ND xn . (3.2.5.2)
Uvrštavanjem izraza
2 (U k U) NA
xn (3.2.5.3)
q ND (N A N D )
u jednadžbu (3.2.5.2) dobiva se:
2 NA
Q q ND (U k U) (3.2.5.4)
q ND (N A N D )
iz ega, sukladno definicijskom izrazu (3.2.5.1) proistje e relacija za barijerni kapacitet pn
spoja:
q NA ND
CT , (3.2.5.5)
2 (U k U ) (N A N D )
koja se može pisati u skra enom obliku:
CT0
CT (3.2.5.6)
U
1
Uk
gdje je:
q NA ND
C T0 . (3.2.5.7)
2 Uk (N A N D )

36
Kombiniraju i izraz za širinu podru ja barijere:
2 NA ND
d 2B (U k U) (3.2.5.8)
q NA ND
s relacijom (3.2.5.5) dobiva se jednostavan izraz:

CT , (3.2.5.9)
dB
koji je upravo jednadžba za odre ivanje kapaciteta po jedinici površine plo astoga
kondenzatora. Dakle, prema dobivenom izrazu (3.2.5.9), može se povu i formalna analogija
izme u plo astog kondenzatora i podru ja barijere pn spoja.
Relacija za CT (3.2.5.5) izvedena je na temelju odre enih aproksimacija koje vrijede za pn
barijeru u uvjetima nepropusne polarizacije, a koje su sadržane u pretpostavci nepokrivenosti
nepokretnog naboja (osiromašenosti podru ja barijere) i protežnosti priklju enoga napona
isklju ivo na podru je barijere (zbog zanemarivo malog pada napona izvan podru ja barijere).
Pri propusnoj polarizaciji navedene su pretpostavke približno to ne (npr. može se uzeti da je
ve i dio napona na barijeri iako postoji pad napona, zbog protjecanja struje, i izvan podru ja
barijere), te se izraz (3.2.5.5) može upotrijebiti uz odre eni oprez. Npr. pri naponu U = Uk
dobiva se za CT neizmjeran iznos, ali to ne odgovara izmjerenoj vrijednosti na karakteristici
CT = f(U) na slici 3.2.5.1.:

Slika 3.2.5.1: Ovisnost barijernoga kapaciteta o naponu:

a) teorijska karakteristika,
b) izmjerena karakteristika.

37
3.2.7. Odnos struje i napona pn spoja
Uz priklju eni napon U kojim je pn spoj propusno polariziran, pove ava se koncentracija
šupljina na rubu barijere n strane i elektrona na rubu barijere p strane, slika 3.2.7.1.

Slika 3.2.7.1: Rubne vrijednosti pove anih gusto a nosilaca uz barijeru.

Povišene gusto e ekscesnih nosilaca iznose:
q U
n'( x p ) n( x p ) n 0 ( x p ) n 0 ( x p ) exp 1 , (3.2.7.1)
k T

q U
p'( x n ) p( x n ) p 0 ( x n ) p 0 ( x n ) exp 1 . (3.2.7.2)
k T
Izrazi (3.2.7.1) i (3.2.7.2) mogu se upotrijebiti kao rubni uvjeti pri odre ivanju gusto e struje
elektrona u p strani i šupljina u n strani pn spoja. Drugi rubni uvjet je iznos gusto e na
krajevima pn spoja: p'(xcn) = 0; n'(-xp) = 0.
Op e rješenje jednadžbe kontinuiteta za ekscesne šupljine u podru ju od xn do xcn ima oblik:

x x
p'( x ) A exp B exp . (3.2.7.3)
Lp Lp

Uvrštavanjem rubnih uvjeta u (3.2.7.3) dobiva se:

xn xn
p'( x x ) A exp B exp , (3.2.7.4)
Lp Lp

x cn x cn
0 A exp B exp . (3.2.7.5)
Lp Lp

Iz sustava jednadžbi (3.2.7.4) i (3.2.7.5) mogu se odrediti konstante A i B, te izraz za p'(x):

x cn x
p 0 ( x n ) sh
Lp q U
p'( x ) exp 1 . (3.2.7.6)
x xn k T
sh cn
Lp

Gusto a struje šupljina na n strani odre ena je njenom difuzijskom sastavnicom:

38
 dp( x ) dp'( x )
Jp q Dp q Dp , (3.2.7.7)
dx dx
gdje je
dp( x ) dp'( x )
. (3.2.7.8)
dx dx
Jednakost (3.2.7.8) proistje e iz relacije p(x) = p'(x) + pon, slika 3.2.7.2.

Slika 3.2.7.2: Gusto a šupljina na n strani pn spoja.

Uvrštavanjem (3.2.7.6) u (3.2.7.7) dobiva se izraz za gusto u struje šupljina na n strani pn
spoja:

x cn x
q p 0 ( x n ) D p ch
Lp q U
J p (x) exp 1 . (3.2.7.9)
x xn k T
L p sh cn
Lp

U to ki x = xn gusto a te struje jednaka je:

q p 0 (x n ) D p q U
J p (x n ) exp 1 . (3.2.7.10)
x xn k T
Lp th cn
Lp

Gusto a difuzijske struje elektrona u to ki x = -xp jednaka je:

q n0 ( xp ) Dn q U
J n ( xp ) exp 1 . (3.2.7.11)
x cp xp k T
Ln th
Ln
Ukupna gusto a struje je, dakle:
J J p ( x n ) J n ( x p ), (3.2.7.12)

odnosno

39
 q n0 ( xp ) Dn q p0 (xn ) Dp q U
J exp 1 . (3.2.7.13)
x cp x p x xn k T
Ln th L p th cn
Ln Lp

Ako se u (3.2.7.13) uvedu supstitucije:

n 2i n 2i
n0 ( xp ) ; p0 (xn ) ; x cp xp w p ; x cn xn wn ,
NA ND
dobiva se izraz:

Dn Dp q U
J q n 2i exp 1 , (3.2.7.14)
wp w k T
L n N A th Lp N D th n
Ln Lp

koji se obi no piše u jednostavnijem obliku poznatom kao Shockleyjeva jednadžba:

U
I I s exp 1 (3.2.7.15)
UT
k T
gdje je I J S ; UT , a Is reverzna struja zasi enja:
q

Dn Dp
Is q n 2i S . (3.2.7.16)
wp w
L n N A th Lp N D th n
Ln Lp

Reverzna struja zasi enja sastoji se od manjinskih nosilaca i proporcionalna je njihovim

gusto ama. Ukupna struja kroz pn spoj je u svakom njegovom presjeku ista, a odre ena je
zbrojem difuzijske struje elektrona i šupljina u dvjema razli itim to kama (J = Jp(xn) + Jp(-
xp)). Pritom je pretpostavljeno da je neposredno iza barijere na n strani struja šupljina ista kao
i na rubu barijere na p strani, a to vrijedi i za struju elektrona koji ulaze na p stranu. Od ruba
barijere prema dubini p i n podru ja difuzijske struje IDp i IDn opadaju i nakon udaljenosti koja
odgovara difuzijskoj dužini poprimaju male iznose, ali se poja ava struja ve inskih nosilaca
IFp i IFn, tako da ukupna struja kroz pn spoj ima stalnu vrijednost, slika 3.2.7.3.

Slika 3.2.7.3: Struja i njene sastavnice propusno polariziranog pn spoja.

40
Ako su širine neutralnih podru ja wp i wn p i n strane velike u odnosu prema difuzijskim
dužinama Ln i Lp (široka p i n strana), vrijednosti tangensa hiperbolnog približno su jednake
jedinici:
wp wn
th 1 ; th 1,
Ln Lp
pa se izraz (3.2.7.16) svodi na jednostavniji oblik:

Dn Dp
Is q n 2i S . (3.2.7.17)
N A Ln N D Lp

Za wp<<Ln i wn<<Lp (uska p i n strana), funkcija tangens hiperbolni može se aproksimirati

argumentom:
wp wp wn wn
th ; th ,
Ln Ln Lp Lp
pa izraz (3.2.7.16) poprima oblik:
Dn Dp
Is q n 2i S . (3.2.7.18)
NA wp ND wn

Shockleyjeva jednadžba (3.2.7.15) opisuje strujno-naponsku karakteristiku idealnoga pn

spoja, slika 3.2.7.4., i u skladu je s izmjerenim vrijednostima za realni pn spoj tj.
poluvodi ku diodu, poglavito u podru ju negativnih i umjereno pozitivnih napona.

Slika 3.2.7.4: Strujno-naponska karakteristika poluvodi ke diode.

Reverzna struja zasi enja Is, teoretski je asimptota funkcije (3.2.7.15) kad napon U ,a
prakti ki ona poprima kona an iznos ve pri negativnim naponima od nekoliko volti.
U podru ju propusne polarizacije, struja u po etku polagano raste do napona koljena (U =
0.5V za silicijski pn spoj), a zatim naglo raste poprimaju i sve ve e vrijednosti.
Da bi Shockleyjeva jednadžba što bolje opisivala strujno-naponsku karakteristiku stvarne
poluvodi ke diode, uvodi se korekcijski parametar m, ija vrijednost ovisi o struji kroz diodu,
a obi no se nalazi u granicama od 1 do 2.

U
I Is exp 1 . (3.2.7.19)
m UT

41
3.2.9. Akumulirani naboj manjinskih nosilaca
Na slici 3.2.9.1. prikazan je nagomilani (akumulirani) naboj manjinskih šupljina na širokoj n
strani pn spoja. U uvjetima niske injekcije struja šupljina ima difuzijska svojstva, a njihova
gusto a pn(x) opada od ruba barijere xn prema kraju poluvodi a xcn, po eksponencijalnom
zakonu:

x xn
p n ( x) p0n (pn0 p 0 n ) exp , (3.2.9.1)
Lp

gdje je p n 0 p n ( x n ).

Slika 3.2.9.1: Akumulirani naboj na širokoj n strani pn spoja.

Za široku stranu pn spoja vrijedi uvjet xcn - xn = wn >> Lp, slika 3.2.9.1. Akumulirani naboj
šupljina Qp na n strani odre en je izrazom:
x cn

Qp q S p n ( x ) p 0 n dx . (3.2.9.2)
xn

Uvrštavanjem izraza (3.2.9.1) u (3.2.9.2) dobiva se:

xcn
x xn
Qp q S ( p n0 p0n ) exp dx
xn
Lp
x cn
x xn
q S ( p n0 p 0 n ) ( L p ) exp
Lp
xn

x cn x n xn xn
q S ( p n0 p 0 n ) ( L p ) exp exp
L Lp
1 4 4 2 4 p4 3
0
q S ( p n0 p 0 n ) Lp .
(3.2.9.3)
Struja šupljina jest difuzijska struja odre ena izrazom:
dp n ( x )
I dp ( x n ) q S Dp . (3.2.9.4)
dx x xn

42
Uvrštavanjem (3.2.9.1) u (3.2.9.4) dobiva se izraz:
q S Dp x xn
I dp ( x ) (pn0 p 0 n ) exp (3.2.9.5)
Lp Lp

U to ki x = xn struja Idp(x) iznosi:

q S Dp Qp
I dp ( x ) (pn0 p0n ) , (3.2.9.6)
Lp p

gdje je p vrijeme života manjinskih šupljina na n strani.

Na uskoj n strani xcn - xn << Lp , raspodjela manjinskih šupljina približno je linearna, slika
3.2.9.2.

Slika 3.2.9.2: Akumulirani naboj na uskoj n strani pn spoja.

Jednadžba pravca koji je jednozna no definiran to kama T2(xn,pn0) i T1(xcn,p0n) glasi:
p n 0 p0n
p n ( x ) p 0n (x x cn ) . (3.2.9.7)
x n x cn
Akumulirani naboj Qp može se odrediti prema izrazu (3.2.9.2):
x cn

Qp q S ( pn0 p0n ) p n ( x ) p 0 n dx
xn
x cn
( p n0 p0n )
q S (x x cn ) dx
xn x cn xn
xcn
( p n0 p0n ) x2 q S wn
q S x x cn ( p n0 p0n ) . (3.2.9.8)
xn x cn 2 xn
2

Difuzijska struja šupljina jednaka je:

dp n ( x ) p n 0 p0n Qp
I pd q S Dp q S Dp , (3.2.9.9)
dx wn t pr
gdje je tpr vrijeme proleta manjinskih šupljina kroz usku n stranu:
w 2n
t pr . (3.2.9.10)
2 Dp

43
3.2.11. Ovisnost reverzne struje zasi enja o temperaturi
U relaciji za reverznu struju zasi enja:
Dp Dn
Is q S n 2i , (3.2.11.1)
Lp n 0n Ln p 0p

temperaturna je ovisnost uglavnom sadržana u kvadratu intrisi ne gusto e n 2i , dok se

temperaturne promjene ostalih parametara (Dp, Dn, Lp, Ln) mogu zanemariti u odnosu prema
n 2i , pa se (3.2.11.1) može prikazati kao umnožak neke stalne veli ine koja ne ovisi o
temperaturi i intrinsi ne gusto e:
I k ' n 2i (3.2.11.2)
Iz izraza (3.2.11.2) može se izvesti relativna promjena reverzne struje zasi enja o temperaturi:
ln I s ln k ' 2 ln n i , (3.2.11.3)

dI s dn i EG0 dT
2 3 . (3.2.11.4)
Is ni ET T

3.2.12 Ovisnost struje pn spoja o temperaturi

Ovisnost struje o naponu pn spoja dana je Shockleyjevom jednadžbom:

U
I Is exp 1 , (3.2.12.1)
m UT

koja se u podru ju propusne polarizacije, uz uvjet U>>UT, može prikazati u približnom

obliku:
U EG0 q U
I I s exp K T 3 exp . (3.2.12.2)
m UT m k T
Uz stalan napon U, deriviranjem jednadžbe (3.2.12.2) po temperaturi, proistje e izraz za
strujni temperaturni koeficient:
dI E G0 U I
3 . (3.2.12.3)
dT ET m UT T

3.2.13. Ovisnost napona pn spoja o temperaturi

U podru ju propusne polarizacije pn spoja, uz uvjet U >> UT, za napon U može se pisati
relacija:
k T I
U m ln , (3.2.13.1)
q Is
iz koje se, deriviranjem po temperaturi, dobiva izraz za naponski temperaturni koeficient:
dU m k I m k T 1 dI s
ln . (3.2.13.2)
dT q Is q I s dT

44
3.3. Linearno-postupan pn prijelaz
Za razliku od skokovitog pn prijelaza koji odgovara idealiziranoj predodžbi raspodjele
naboja u podru ju barijere, linearno-postupan pn prijelaz je bliže stvarnoj raspodjeli naboja
posebno kod prijelaza dubljih pn spojeva.
Gusto a primjesa na p i n strani linearno-postupnog prijelaza može se približno prikazati s
pravcem odre enim jednadžbom:
ND NA a x, (3.3.1)
u kojoj je a nagib raspodjele gusto e, slika 3.3.1.

Slika 3.3.1: Raspodjela primjesa u linearno-postupnom pn prijelazu.

3.3.1. Kontaktni potencijal

Kontaktni potencijal za linearno-postupan pn prijelaz može se odrediti na sli an na in kao i
za skokoviti pn prijelaz. Budu i da nagib raspodjele gusto e primjesa ima istu vrijednost na p
i n strani, to su i širine barijera p i n strane jednake pa je to simetri ni pn spoj, slika 3.3.1.1.

Slika 3.3.1.1: Širina barijere linearno-postupnog pn prijelaza.

Sukladno slici 3.3.1.1., širina barijere p i n strane iznosi:
dB
xp xn , (3.3.1.1)
2
a pripadaju e gusto e primjesa su:
dB a
ND NA (3.3.1.2)
2
pa se kontaktni potencijal može odrediti izravnim uvrštavanjem izraza (3.3.1.2) u izraz za
kontaktni potencijal skokovitog pn prijelaza:

45
 N N a 2 d 2B
Uk UT ln D 2 A UT ln . (3.3.1.3)
ni 4 n 2i

3.3.2. Raspodjela elektri nog polja i potencijala

Za osiromašeno podru je linearno-postupnog pn prijelaza u kojemu se gusto a slobodnih
elektrona i šupljina može zanemariti u odnosu prema gusto i ioniziranih akceptora i donora,
Poissonova jednadžba ima oblik:
d2 a
x. (3.3.2.1)
dx 2
Integriranjem jednadžbe (3.3.2.1) u podru ju
dB dB
x (3.3.2.2)
2 2
uz uvjet
d dB
F 0 za x = (3.3.2.3)
dx 2
dobiva se izraz za jakost elektri nog polja kao funkcija od x, slika 3.3.2.1 b),
a q 2 d 2B 4 x2
F( x ) x Fmaks 1 (3.3.2.4)
2 2 d 2B
gdje je Fmaks maksimalna jakost elektri nog polja:
q a d B2
Fmaks . (3.3.2.5)
8
Nakon integracije izraza 3.3.2.4 uz rubni uvjet (x)=0 za x=0, dobiva se raspodjela
potencijala:
q a d 2B x3
(x) x . (3.3.2.6)
2 4 3

dB
Na rubovima barijere, tj u to ki x , potencijal iznosi:
2
dB q a d 3B
n , (3.3.2.7)
2 24
dB
a u to ki x
2
dB q a d 3B
p . (3.3.2.8)
2 24
Razlika potencijala u tim to kama upravo je izraz za kontaktni potencijal, slika 3.3.2.1 c)
q a d 3B
Uk n p . (3.3.2.9)
12

46
Iz sustava jednadžbi 3.3.1.3 i 3.3.2.9 može se odrediti širina podru ja barijere dB i kontaktni
potencijal Uk.

Slika 3.3.2.1: Raspodjelau linearno-postupno, pn prijelazu:

a) naboja, b) elektri nog polja, c) potencijala
Iz jednadžbi 3.3.1.3. i 3.3.2.9. odre ena je ovisnost kontaktnog potencijala o nagibu
raspodjele gusto e te grafi ki prikazana na slici 3.3.2.2.

Slika 3.3.2.1: Kontaktni potencijal u ovisnosti o nagibu raspodjele gusto e za

Si pri T=300K.
Ako je na pn spoj narinut vanjski napon U tada je ukupni iznos napona potencijalne barijere
odre en relacijom:
UB UK U, (3.3.2.10)

47
a širina barijere dB je dana izrazom:
1
12 3
dB Uk U . (3.3.2.11)
q a

3.3.3. Prijelazni kapacitet CT

Ukupan naboj osiromašenog podru ja linearno-postupnog pn prijelaza iznosi:
q dB a dB q a d 2B
Q . (3.3.3.1)
2 2 2 8
U skladu s op om definicijom kapaciteta (derivacija naboja po naponu) prema jednadžbi
3.3.3.1 dobiva se izraz za prijelazni kapacitet CT:
dQ q S a dB dd B
CT S (3.3.3.2)
dU 4 dU
dd B
u kojemu se diferencijalni kvocijent može odrediti iz jednadžbe 3.3.2.11, pa je za
dU
kapacitet barijernog podru ja izvedena relacija:
1
2 3
q a S
CT S . (3.3.3.3)
12 U k U dB

3.4. PN spoj dobiven difuzijom primjesa

Difuzija primjesa je fizikalno identi na difuziji slobodnih nosilaca (elektrona i šupljina).
Jedina je razlika u masi estica i uvjetima odvijanja samog procesa. Kako je masa atoma
primjesa mnogo ve a od mase slobodnih elektrona (šupljina) i njihova pokretljivost je manja.
Stoga je nužno atomima primjesa dati dodatnu vanjsku energiju potrebnu za odvijanje procesa
difuzije. Ta dodatna energija je u obliku topline u toplinskim pe ima gdje se plo ice silicija
nalaze u plinovitom oblaku primjesa na temperaturi izme u 900 i 1200 oC. Broj atoma
primjese ograni en je najve im mogu im brojem atoma koji je mogu e zamjeniti u kristalnoj
rešetki silicija na zadanoj temperaturi (topljivost primjese), slika 3.4.1.

48
 Slika 3.4.1: Ovisnost topljivosti primjesa u siliciju o temperaturi.
Difuzija primjese se obavlja na odabranim mjestima na površini silicija kroz otvore (prozore)
na injene na oksidnom sloju SiO2 kojim je presvu ena cijela ploha, slika 3.4.2.

Slika 3.4.2: Difuzija primjese u silicij kroz otvor u silicijskom dioksidu.

Gusto a primjese u ovisnosti o trajanju difuzije i udaljenosti od površine silicija odre ena je
Fickovim zakonima (prvi i drugi Fickov zakon difuzije). Za difuziju samo u smjeru osi x prvi
Fickov zakon glasi:
N ( x, t )
f ( x, t ) D cm -2 s 1
(3.4.1)
x
gdje je:
f(x,t) broj atoma primjese koji pro u u jedinici vremena kroz centimetar etvorni površine
silicija,
D difuzijska konstanta za atome primjese,
N(x,t) gusto a primjese na udaljenosti x od površine silicija nakon vremena t od po etka
difuzije.
Drugi Fickov zakon proistje e iz difuzijske jednadžbe slobodnih nosilaca u kojoj je
izostavljen lan za rekombinaciju i generaciju nosilaca jer te pojave ne postoje u procesu
difuzije primjesa:

49
 2
N ( x, t ) N ( x, t )
D cm -3 s 1
. (3.4.2)
t x2
Difuzijski proces može te i uz stalnu površinsku gusto u primjese na površini silicija. To je
difuzija iz neograni enog izvora ili difuzija uz stalnu površinsku gusto u.
Drugi tip je difuzija iz ograni enog izvora pri kojoj nastaje prostorna preraspodjela
(redistribucija) atoma primjese predhodno unešenih u silicij u prvom koraku difuzije
(predepoziciji).

3.4.1. Difuzija iz neograni enog izvora

Gusto a atoma primjese kao funkcija udaljenosti od površine kristala i vremena trajanja
difuzije, pri difuziji iz neograni enog izvora, može se odrediti pomo u drugog Fickovog
zakona. Ako se kao rubni uvjet u rješavanju parcijalne diferencijalne jednadžbe (3.4.2) uzme
neograni ena protežnost kristala u x smjeru dobiva se izraz:
x
N ( x, t ) N 0 erfc (3.4.1.1)
2 D t
gdje je N0 površinska gusto a koja ujedno odgovara i topivosti primjese, a erfc je oznaka za
komplementarnu funkciju pogrešake, prilog 2. Veli ina D je difuzijska konstanta odre ena
Arrheniusovim zakonom:
EA
D D 0 exp (3.4.1.2)
k T
gdje su parametri D0 i EA dani u tablici 3.4.1.1. za razli ite primjese koje se postupkom
difuzije unose u silicij. D0 je hipotetska vrijednost od D pri termodinami koj temperaturi
T , a EA je aktivacijska energija za odre enu primjesu.
Primjesa fosfor arsen kositar bor aluminij galij indij
D0 cm2/s 10.50 0.32 5.60 10.50 8.00 3.60 16.50
EA eV 3.69 3.56 3.96 3.69 3.47 3.51 3.90

Tablica 3.4.1.1: Vrijednosti parametara D0 i EA za razli ite primjese.

Veli ina D t u izrazu (3.4.1.1) ima dimenziju dužine, stoga se naziva difuzijska dužina
primjese. Funkcija f(x,t) iz prvog Fickovog zakona može se odrediti uvrštavanjem izraza
(3.4.1.1) u diferencijalnu jednadžbu (3.4.1) te se dobiva tok atoma primjese po Gaussovoj
funkciji raspodjele:
N0 D x2
f ( x, t ) exp cm 2 s 1
. (3.4.1.3)
D t 4 D t
Isto tako se može odrediti s pomo u izraza (3.4.1.1) i ukupan broj atoma primjese koji pro u
kroz jedini nu površinu (1 cm2) poluvodi a do trenutka t:
2 N0
Q(t) N ( x, t ) dt D t cm -2 . (3.4.1.4)
0

50
3.4.2. Difuzija iz ograni enog izvora
Ukoliko je ukupan broj atoma primjese odre en izrazom (3.4.1.1) po etni (ograni eni) izvor
iz kojeg primjesa prodire dublje u obujam poluvodi a, tada se prvi korak difuzije kojim je
unešena koli ina Q(t) naziva predepozicija. Da bi koli ina primjese Q(t) ostala
nepromjenjena, površina silicija se prekriva slojem silicijevog dioksida SiO 2 kako bi se
onemogu ilo isparavanje primjese u okolni prostor. Nakon oksidacije poluvodi se stavlja u
difuzijsku pe u kojoj pri temperaturi od oko 1000 oC primjesa prodire (difundiraja) dublje u
obujam poluvodi a. To je drugi korak difuzije primjese ili redistribucija. Raspodjela gusto e
primjese kao funkcija udaljenosti x od površine poluvodi a i trajanja difuzije t odre ena je
Gaussovom raspodjelom koja se dobiva rješenjem jednadžbe drugog Fickovog zakona:
Q x2
N ( x, t ) exp . (3.4.2.1)
D t 4 D t
3.4.3. Dubina pn spoja
Odre ivanje dubine pn spoja dobivenog difuzijom primjese razmotrit e se na siliciju s
jednolikom (uniformnom) gusto om primjese donora ND, u koji se difuzijom unose atomi
akceptora s raspodjelom gusto e N(x,t), slika 3.4.3.1.

Slika 3.4.3.1: Prikaz odre ivanja dubine pn spoja xj.

Na mjestu spoja xj raspodjela gusto a NA(x,t) i ND su jednake:
N A (x, t) N D . (3.4.3.1)
Ako je difuzija primjese akceptora iz neograni enog izvora tada se položaj xj pn spoja može
odrediti iz uvjeta:
xj
N A 0 erfc ND , (3.4.3.2)
2 D t
gdje je NA0 gusto a akceptora na površini silicija.
Rješenjem jednadžbe (3.4.3.2) dobiva se:
N
x j 2 D t erfc 1 D , (3.4.3.3)
NA0
-1
gdje je erfc oznaka za inverznu komplementarnu funkciju pogreške.
Na isti na in izveden je izraz za dubinu pn spoja dobivenog difuzijom primjese iz
ograni enog izvora:
QA
x j 2 D t ln . (3.4.3.4)
ND D t

51
4. BIPOLARNI TRANZISTOR
4.1 Definicija i tehnološka izvedba
Naziv tranzistor nastao je kao složenica od dvije engleske rije i: transfer resistor što u
prijevodu zna i prenijeti otpor. U nazivu bipolarni tranzistor sadržana je osnovna zna ajka
ovog elektroni kog elementa, njegovo aktivno djelovanje (prijenos otpora) koje se temelji na
sudjelovanju obaju tipova nosilaca naboja (bipolarnih nosilaca tj. elektrona i šupljina).
Bipolarni spojni tranzistor (skra enica BJT od engl. bipolar junction transistor) može se u
na elu shvatiti kao ustrojstvo dvaju pn spojeva, tj. kao poluvodi ka cjelina pnp ili npn tipa u
kojoj se središnji sloj naziva baza (oznaka B), a druga dva sloja su emiter (oznaka E) i
kolektor (oznaka C), slika 4.1.1.

Slika 4.1.1: Ustrojstvo i simbol za bipolarni spojni tranzistor:

a) pnp tip, b) npn tip.
S obzirom na tri priklju ka (emiter, baza i kolektor) postoji mogu nost i više na ina
polarizacije odnosno rada tranzistora. Ako tranzistor radi kao poja alo tada je spoj emiter-
baza propusno polariziran, a spoj kolektor-baza nepropusno. Pri tome se promjenom napona
na propusno polariziranom pn spoju, odnosno promjenom struje kroz taj spoj, mijenja i struja
kroz nepropusno polarizirani pn spoj. Ta pojava nazvana tranzistorski efekt ili bipolarno
me udjelovanje dvaju pn spojeva preko zajedni kog uskog podru ja baze temelji se na
mehanizmu utiskivanja (injekcije) manjinskih nosilaca iz emitera, prijenosa (tranzita) tih
nosilaca kroz bazu i sakupljanja (kolekcije) na kolektoru.
Propusno polariziranim spojem emiter-baza omogu eno je utiskivanje manjinskih nosilaca iz
podru ja emitera u podru je baze i obrnuto (ako se radi o npn tranzistoru tada su to elektroni
iz emitera i šupljine iz baze). Kao posljedica tehnološkog postupka izvedbe tranzistora velika
je razlika u gusto i primjesa izme u emitera i baze pa je ukupna struja prakti ki jednaka struji
manjinskih nosilaca iz emitera. Kako je širina baze relativno malena (manja od difuzijske
dužine manjinskih nosilaca u bazi), manji dio utisnutih nosilaca se poništi (rekombinira) u
bazi, a ve i dio dospije u podru je kolektora privu en potencijalom nepropusno polariziranog
spoja kolektor baza, tvore i tako glavnu sastavnicu struje u kolektorskom podru ju.
U ravnotežnom stanju (uvjeti kada nema priklju enog vanjskog napona) na spoju emiter-
baza i spoju kolektor-baza postoje samo energetske barijere zbog kontaktnog potencijala, a
Fermijeva razina je kroz cijelu kristalnu strukturu izjedna ena, slika 4.1.2. a). Kako je
pretpostavljena gusto a primjese u emiteru iznad 5 1018cm-3, emiter je degenerirani n tip
poluvodi a pa Fermijeva razina zadire u vodljivu energijsku vrpcu. Za podru je baze koja je p
tip poluvodi a, Fermijeva razina je blizu valentne vrpce, a u podru ju kolektora je ispod
vodljive vrpce što odgovara n tipu poluvodi a s umjerenom gusto om donorske primjese.
U uvjetima normalne polarizacije (spoj emiter-baza je propusno, a spoj kolektor-baza
nepropusno polariziran), visina potencijalne barijere je umanjena na emiterskom spojištu
upravo za potencijalnu energiju odre enu naponom propusne polarizacije q UBE, a na
kolektorskom spojištu je uve ana za q UCB, slika 4.1.2. b).

52
 Slika 4.1.2: Energijski i potencijalni dijagrami za npn tranzistor:
a) i d) u ravnotežnom stanju,
b) i c) u stanju normalne polarizacije.
Širina osiromašenog podru ja na emiterskom i kolektorskom spojištu mijenja se u ovisnosti
o iznosu priklju enog napona i njegovu polaritetu. Stoga su efektivne širine pojedinih
podru ja wE, wB i wC razli ite od tehnoloških dimenzija wE0, wB0 i wC0, a najizraženije su
promjene u podru ju baze na spojištu kolektor-baza zbog nepropusne polarizacije tog spojišta,
slika 4.1.3.

Slika 4.1.3: Definicija podru ja emitera, baze i kolektora

normalno polariziranog npn tranzistora.
Tehnološka izvedba bipolarnih spojnih tranzistora može biti u diskretnom (jedan tranzistor)
ili u integriranom obliku (više tranzistora ili jedan i više tranzistora s drugim elementima na
istoj silicijskoj plo ici), slika 4.1.4.

53
 Slika 4.1.4: Diskretna izvedba planarnog npn tranzistora.
Proizvodnja planarnih tranzistora temelji se na metodama planarne tehnologije na siliciju.
Na jako vodljivoj n+ monokristalnoj silicijskoj podlozi (plo ici) formira se epitaksijalnim
rastom n sloj (epitaksijalni sloj). Zatim se cijela struktura podvrgava procesu oksidacije
(nanošenje sloja silicijeva dioksida), te se kroz male otvore (prozore) difuzijom iz
ograni enog izvora unosi primjesa tj. atomi akceptora formiraju i tako p podru je (podru je
baze). Potom se kroz novi otvor (E) difuzijom iz neograni enog izvora formira n+ podru je
emitera. Kao materijal za kontakt s pojedinim podru jima upotrebljava se aluminij jer se
dobro vezuje s oksidnim slojem, dobro odvodi toplinu i ne stvara sa silicijem ispravlja ki
spoj. Aluminijski spoj s n+ podru jem, zbog velike gusto e primjese (iznad 5 1018cm-3) ima
omski karakter, kao i aluminijski spoj s podru jem baze koje je poluvodi p tipa. Podru je
emitera obi no ima ve u gusto u primjesa u odnosu prema bazi, a baza u odnosu prema
kolektoru. Podru je kolektora je n tip poluvodi a, ali je spojeno na aluminijski kontakt preko
n+ podru ja kako bi se uklonilo ispravlja ko djelovanje na spoju metal-poluvodi .
Tipi na raspodjela (profil) primjese za pojedina podru ja bipolarnog spojnog tranzistora
prikazana je na slici 4.1.5., gdje je uz stvarnu nejednoliku raspodjelu primjese prikazana i
idealizirana jednolika raspodjela sa skokovitim prijelazima.

Slika 4.1.5: Profil primjese u bipolarnom npn tranzistoru:

a) stvarna raspodjela, b) idealizirana sa skokovitim pn prijelazima.

54
4.2. Profili manjinskih nosilaca i podru je rada tranzistora
U stacionarnom stanju raspodjela elektrona u bazi npn tranzistora može se odrediti rješenjem
jednadžbe kontinuiteta (2.14.1) koja napisana za manjinske elektrone u bazi, uz uvjet
nB
0 , prelazi u oblik:
t
2
nB nB n B0
Dn 0 (4.2.1)
x2 nB

gdje je nB gusto a elektrona u bazi, a nB0 je toplinska ravnotežna gusto a:

n i2
n B0 . (4.2.2)
N AB
Rješenje jednadžbe (4.2.1.) potrebno je odrediti uz uvjete:
U BE
nB xE n B 0 exp (4.2.3)
UT

U BC
nB xE w B0 n B 0 exp (4.2.4)
UT
u kojima su zanemarene širine osiromašenih podru ja emiterskog i kolektorskog spojišta, tj.
za efektivnu širinu emitera, baze i kolektora uzete su njihove tehnološke širine wE0, wB0 i wC0,
slika 4.1.3.
Sukladno ovim oznakama rješenje jednadžbe poprima oblik:
x xE x xE
n B (x) n B0 A 1B exp A 2 B exp (4.2.5)
L nB L nB
gdje je:
w B0
nB xE w B0 n B x E exp
LnB
A 1B , (4.2.6)
w
2 sh B 0
LnB

w B0
nB xE w B0 n B x E exp
LnB
A 1B , (4.2.7)
w
2 sh B 0
LnB

nB xE w B0 nB xE w B0 n B0 , (4.2.8)

nB xE nB xE n B0 . (4.2.9)

Ako je spoj emiter-baza propusno, a spoj kolektor-baza nepropusno polariziran, tada se mogu
pisati sljede e relacije:

55
 U BE
n B (x E ) n B 0 exp , (4.2.10)
UT

n B (x E w B0 ) 0. (4.2.11)
Budu i da je za tranzistorski efekt nužan uvjet uske baze, tj. treba biti:
w B0
1 (4.2.12)
LnB
rješenje jednadžbe (4.2.5) može se aproksimirati linearnim rješenjem nakon razvoja u
x xE x xE
Taylorov red lanova exp i exp :
L nB L nB

w B0 xE x
n B (x) n B (x E ) . (4.2.13)
w B0
Na slici 4.2.1. prikazana je linearna raspodjela manjinskih elektrona u bazi npn tranzistora
sukladno relaciji (4.2.13) i nelinearna sukladno relaciji (4.2.5).

Slika 4.2.1: Raspodjela utisnutih elektrona u bazi npn tranzistora

za dvije vrijednosti omjera wB0 .
LnB
Gusto a šupljina u emiterskom i kolektorskom podru ju može se odrediti rješenjem
jednadžbe kontinuiteta za ta podru ja:
2
pE pE p E0
Dp 0 (4.2.14)
x2 pE

2
pC pC p C0
Dp 0 (4.2.15)
x2 pC

gdje je pE vriojeme života šupljina u emiteru, a pC vrijeme života šupljina u kolektoru.

Termi ke ravnoteže gusto a odre ene su izrazima:
n i2 n i2
p E0 ; p C0 . (4.2.16)
N DE N DC

56
Uz rubne uvjete:
p E ( 0) p E0 , (4.2.17)

U BE
p E (x E ) p E 0 exp , (4.2.18)
UT

U BC
p C (x E w B0 ) p C 0 exp , (4.2.19)
UT

p C (x E w B0 xC ) p C0 . (4.2.20)
Rješenja jednadžbi (4.2.14) i (4.2.15) su:

x
sh
U BE L pE
p E ( x) p E0 p E0 exp 1 , (4.2.21)
UT x
sh E
L pE

xE w B0 x C x
sh
U BE LpC
p C (x) p C0 p C0 exp 1 , (4.2.22)
UT x
sh C
LpC

Ovisno o polaritetu napona priklju enog izme u emitera i baze, te kolektora i baze, u na elu
se razlikuju tri podru ja rada tranzistora:
1. normalno aktivno podru je (spoj emiter-baza je propusno, a spoj kolektor-baza nepropusno
polariziran),
2. podru je zasi enja (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su propusno polarizirani),
3. zaporno podru je (spoj emiter-baza i spoj kolektor-baza su nepropusno polarizirani).
Uz navedena tri podru ja teorijski se razmatra i etvrto podru je koji je obrnuto (inverzno) u
odnosu prema normalnom aktivnom podru ju (spoj emiter-baza je nepropusno, a spoj
kolektor-baza propusno polariziran).
Raspodjela utisnutih manjinskih nosilaca u podru je emitera, baze i kolektora mogu se
grafi ki prikazati na temelju jednadžbi (4.2.5), (4.2.21) i (4.2.22). Na slici 4.2.2 prikazane su
raspodjele za sva etiri podru ja rada.

57
 Slika 4.2.2: Raspodjela utisnutih manjinskih nosilaca u podru je
emitera, baze i kolektora za:
a) normalno aktivno podru je, b) podru je zasi enja,
c) zaporno podru je, d) inverzno aktivno podru je.
U normalnom aktivnom podru ju prema slici 4.2.2. ve a gusto a primjese iz emitera rezultira
u ve em utiskivanju nosilaca u podru je baze.
U podru ju zasi enja je utiskivanje elektrona iz kolektora u suprotnom smjeru od utiskivanja
iz emitera. Stoga je struja koja je proporciionalna nagibu raspodjele elektrona u bazi manja u
odnosu prema struji u normalnom aktivnom podru ju. Kvalitativan prikaz ove pojave
prikazan je na slici 4.2.3.

58
 Slika 4.2.3: Raspodjela utisnutih elektrona u bazi npn tranzistora u podru ju zasi enja:
a) iz emitera, b) iz kolektora, c) ukupna raspodjela.
U zapornom podru ju teku male zaporne struje jer se mali broj nosilaca utisne u bazu.
U inverznom aktivnom podru ju se ve i broj šupljina utisne u kolektorsko podru je nego
elektrona u bazu, što rezultira u vrlo malom strujnom poja anju, pa se ovo podru je samo
teorijski razmatra pri odre ivanju parametara tranzistora.

4.3. Struje normalno polariziranog tranzistora

Tranzistor ima tri izvoda (elektrode) stoga tri elektrodne struje: emitera, baze i kolektora,
sastavljene od pripadnih šupljinskih i elektronskih sastavnica (slika 4.3.1.). Za prikazani pnp
tranzistor ucrtani su stvarni smjerovi struja koji odgovaraju smjeru gibanja pozitivnog naboja
(šupljina).

Slika 4.3.1: Struje normalno polariziranog pnp tranzistora.

Struja emitera IE je struja propusno polariziranog spoja emiter-baza, a sastoji se od dvije
sastavnice:

59
1. struje šupljina IpE (šupljine utisnute iz emitera u bazu),
2. struje elektrone InE (elektroni utisnuti iz baze u emiter).
I E I pE I nE (4.3.1)

Sastavnice struje kolektora IC su:

1. struje šupljina IpC (struja IpE umanjena za rekombinacijsku struju IR),
2. reverzne struje zasi enja ICB0 (struja manjinskih nosilaca nepropusno polariziranog spoja
kolektor-baza).
I C I pC I CB 0 (4.3.2)
Struja baze IB sastoji se od tri sastavnice:
1. struje elektrona InE (utisnuta struja iz emitera u bazu),
2. rekombinacijske struje IR , koja je posljedica rekombinacije elektrona u bazi i dijela
šupljina iz emitera,
I R I pE I pC (4.3.3)
3. reverzne struje zasi enja spojišta kolektor-baza ICB0.
I B I nE I R I CB0 (4.3.4)
Struja emitera jednaka je zbroju struje kolektora i struje baze:
I E I C IB (4.3.5)
Za npn tranzistor, slika 4.3.2. sve struje teku u suprotnom smjeru u odnosu prema strujama
pnp tranzistora.

Slika 4.3.2: Struje normalno polariziranog npn tranzistora.

Struje normalno polariziranog npn tranzistora dane su jednadžbama:
IE I nE I pE (4.3.6)
IC I nC I CB0 (4.3.7)
IR I nE I nC (4.3.8)
IB I pE I R I CB 0 (4.3.9)
IE IC IB (4.3.10)
Pri normalnoj polarizaciji npn tranzistora, zbog linearne raspodjele gusto e injektiranih
elektrona u bazi, difuzijska struja elektrona ima prakti ki stalnu vrijednost i približno je
jednaka emiterskoj, odnosno kolektorskoj struji:
dn B q D n n B0 U
I nE q S Dn IE IC exp BE . (4.3.11)
dx w B0 UT
Približne jednakosti u jednadžbi (4.3.1) zna e da se skoro svi elektroni injektirani iz emitera u
podru je baze difuzijom prenesu do kolektorskog spojišta, a odatle do vanjskog priklju ka
kolektora djelovanjem jakoga elektri nog polja (zbog nepropusnog napona izme u kolektora i

60
baze). Struja baze je uglavnom odre ena strujom šupljina IpE koja te e iz podru ja baze u
emiter.
To je difuzijska struja šupljina koja te e u n tip emitera kao što te e difuzijska struja elektrona
u p tip baze. Stoga se struja baze može izraziti relacijom:
dp E q D p S p E0 U BE
IB I pE q Dp S exp , (4.3.12)
dx x x w w E0 UT
E E0

n i2
gdje je p E 0 .
N DE
Tehnološka širina emitera wE0 mnogo je manja od difuzijske dužine šupljina u emiteru
(transparentni emiter), tj. može se pisati nejednakost wE0 << LpE. Obi no je wE0 istog reda
veli ine kao i tehnološka širina baze wB0, ali je redovito u emiteru mnogo ve a gusto a
primjese nego u bazi (pE0 << nB0) što zna i da je struja baze mnogo manja od struje emitera.

4.4. Parametri tranzistora

4.4.1. Djelotvornost emitera
Djelotvornost (efikasnost) emitera definirana je omjerom struje ve inskih nosilaca, šupljina za
pnp, odnosno elektrona za npn tranzistor, i ukupne struje emitera:
I pE I pE
(za pnp tranzistor) (4.4.1.1)
I pE I nE IE

I nE I nE
(za npn tranzistor) (4.4.1.2)
I nE I pE IE
4.4.2. Prijenosni (transportni) faktor
Mjera kvalitete prijenosa definirana je omjerom struje ve inskih nosilaca kolektora i struje
ve inskih nosilaca emitera:

*
I pC IR
1 (za pnp tranzistor) (4.4.2.1)
I pE I pE

* I nC IR
1 (za npn tranzistor) (4.4.2.2)
I nE I nE
4.4.3. Strujno poja anje
Omjer struje ve inskih nosliaca kolektora i ukupne struje emitera jednak je umnošku
djelotvornosti i faktora prijenosa, a definira se kao strujno poja anje tranzistora u spoju
zajedni ke baze:
I pC I pC I pE *
(za pnp tranzistor) (4.4.3.1)
IE I pE I E

I nC I nC I nE *
(za npn tranzistor) (4.4.3.2)
IE I nE I E

61
Sukladno definiciji za strujno poja anje , jednadžba (4.3.1), odnosno (4.3.7) može se pisati
kao funkcija IC = f(IE):
IC IE I CB0 (4.4.3.3)
Uvrštavanjem izraza za struju emitera, IE = IC + IB u relaciju (4.4.3.3) dobiva se funkcija IC =
f(IB):
I CB 0
IC IB IB ( 1) I CB 0 (4.4.3.4)
1 1
u kojoj je faktor strujnog poja anja tranzistora u spoju zajedni kog emitera.

4.6. Djelotvornost emitera

Djelotvornost emitera na npn tranzistor definirana je kao:
I nE I nE 1
. (4.6.1)
IE I nE I pE I pE
1
I nE
Struja emitera, tj. struja diode emiter-baza dana je Shocklyjevom jednadžbom:
q U BE
IE I sE exp 1 , (4.6.2)
k T
u kojoj je IsE struja manjinskih nosilaca spoja emiter-baza, odre ena izrazom:

D nB D pE
I sE q n 2i S . (4.6.3)
N AB LnB th w B LnB N DE LpE th w E LpE

Jednadžba (4.6.3) je jednadžba reverzne struje zasi enja pn spoja, s pridodanim slovima B i E
u oznakama odgovaraju ih parametara za podru je baze, odnosno emitera.
Budu i da je IE = IpE + InE, faktor djelotvornosti jednak je:
1
, (4.6.4)
D pE
N DE LpE th w E LpE
1
D nB
N AB LnB th w B LnB
odnosno
1
D pE N AB LnB th w B LnB
1 . (4.6.5)
D nB N DE LpE th w E LpE

Iako je u pravilu kod stvarnih planarnih tranzistora emiter uska n strana, transparentni emiter,
teorijski se može razmatrati i slu aj kada je emiter široka n strana (wE/LpE >> 1), a baza uska
p strana (wB/LnB << 1). Tada vrijede sljede e aproksimacije:
th( w E L pE ) 1 , (4.6.6)

62
 wB
th( w B L nB ) , (4.6.7)
LnB
te se izraz izraz za djelotvornost pnp tranzistora svodi na jednostavniji oblik:
1
D nE N DB w B
1 . (4.6.8)
D pB N AE L nE

S pomo u Einsteinove relacije (2.11.9) i (2.11.10), djelotvornost emitera može se prikazati

kao funkcija elektri ne provodnosti emitera i baze:
1
. (4.6.9)
B wB
1
E LnE
Djelotvornost emitera je ve a što je ve a njegova elektri na provodnost E, stoga je gusto a
dodanih primjesa u emiteru uvjek ve a od gusto e primjesa u bazi.

4.7. Prijenosni faktor baze

Za normalno polarizirani npn tranzistor gusto e utisnutih elektrona uz rubove barijera xBE i
xBC (slika 4.1.3) dane su izrazima:
q U BE
n '( x BE ) n 0B exp 1 (4.7.1)
k T

q U BC
n '( x BC ) n 0B exp 1 (4.7.2)
k T
u kojima je n0B ravnotežna gusto a elektrona u podru ju baze, slika 4.7.1.:

Slika 4.7.1: Raspodjela elektrona u bazi normalno polariziranog npn tranzistora.

Spoj kolektor-baza je nepropusno polariziran naponom koji je po iznosu mnogo ve i od
vrijednosti k T/q stoga je n'(xCB) približno jednako ravnotežnoj koncentraciji n0B, odnosno
može se uzeti da je n'(xBC) 0.
Op e rješenje jednadžbe kontinuiteta za podru je baze od ruba barijere xBE do xBC je:
x x
n '( x ) A exp B exp , (4.7.3)
Ln Ln

63
gdje su A i B konstante odre ene rubnim uvjetima:
n'(xBC) 0, (4.7.4)
q U BE
za x = xBE, n '( x ) n '( x BE ) n 0B exp 1 (4.7.5)
k T
Uvrštavanjem navedenih rubnih uvjeta u jednadžbu (4.7.3) dobiva se:
n 0 B sh ( x BC x ) L nB q U BE
n '( x ) exp 1 . (4.7.6)
sh( w B L nB ) k T
Deriviranjem izraza za n'(x) dobiva se gradijent gusto e:
dn '( x ) n 0 B ch ( x BC x ) L nB q U BE
exp 1 , (4.7.7)
dx L nB sh ( w B ) L nB k T
kojim je za x = xBC odre ena difuzijska struja InC:
dn '( x )
I nC q S D nB
dx x x BC
, (4.7.8)
n 0B q U BE
q S D nB exp 1
L nB sh w B L nB k T
a za x = xBE, difuzijska struja InE:
dn '( x )
I nE q S D nB
dx x x BE
. (4.7.9)
n 0B ch w B L nB q U BE
q S D nB exp 1
L nB sh w B L nB k T
Omjerom struja InC/InE definiran je faktor prijenosa:

* 1 wB
sch . (4.7.10)
w LnB
ch B
LnB
Uz uvjet wB << LnB (usko podru je baze), za faktor prijenosa može se pisati približan izraz:
2
* 1 1 wB
1 . (4.7.11)
w B2 2 L nB
1
2 L2nB
Što je baza uža u odnosu prema difuzijskoj dužini manjinskih nosilaca, to je prijenos nosilaca
iz emitera kroz bazu do kolektora djelotvorniji, pa se može kazati da je kvaliteta prijenosa
nosilaca, uz utiskivanje iz emitera i sakupljanje na kolektoru, bitna zna ajka tranzistora.
Dakle, za postizanje tranzistorskog efekta treba biti ispunjen uvjet wB << Ln (za npn
tranzistor) iz kojeg proistje e i grani na (najmanja) vrijednost širine baze. Za wB >>
LnB, faktor prijenosa prema izrazu (4.7.10) poprima male vrijednosti, a to zna i da mali dio
utisnutih elektrona dolazi na kolektorsko spojište, te u grani nom slu aju kada * 0,

64
tranzistorski efekt prestaje, a tranzistor se može prikazati kao dvije nasuprot spojene diode,
slika 4.7.2.

Slika 4.7.2: Prikaz tranzistora s dvije diode kad je širina

baze ve a od difuzijske dužine nosilaca.

4.8. Faktor strujnog poja anja

Prema relacijama (4.3.11) i (4.3.12)definiran je faktor strujnog poja anja kao omjer struje
kolektora i struje baze kad je tranzistor spojen na na in da mu je emiter zajedni ka elektroda,
tj. u spoju zajedni kog emitera:
IC D n N DE w E
. (4.8.1)
IB D p N AB w B

Budu i da je NDE >> NAB redovito je faktor >> 1. Omjer Dn/Dp može se izraziti kao omjer
pokretljivosti elektrona i šupljina n/ p. Kako je pokretljivost elektrona ve a od pokretljivosti
šupljina ( 2.5 puta za silicij) to je i faktor npn tranzistora ve i od faktora pnp tranzistora.
Prema relaciji (4.8.1) može se zaklju iti da se ve i postiže pove anjem razine gusto e
primjese u emiteru NDE. Nažalost, takav zaklju ak se u praksi pokazao neto nim što se tuma i
degeneriranim svojstvima poluvodi a. Naime pri gusto ama primjese veli ine od oko 1019cm-
3
i ve ima mijenjaju se fizikalna svojstva materijala, tj. smanjuje se energijski procijep za
iznos EG koji se može odrediti pomo u izraza (2.4.3.1).
Smanjenjem energijskog procijepa nastaje pove anje intrinsi ne gusto e u emiteru ni deg koja
se može odrediti iz izraza (2.2.1) za intrinsi nu gusto u nedegeneriranog poluvodi a u koji je
uvršteno smanjenje energijskog procijepa:
EG EG
ni2deg N V N C exp
k T
(4.8.2)
EG EG 2 EG
N V N C exp exp n i ,
k T k T k T
gdje je ni intrinsi na gusto a nedegeneriranog poluvodi a.
Budu i da je gusto a utisnutih šupljina u podru je emitera proporcionalna veli ini nideg/NDE za
faktor strujnog poja anja može se pisati izraz koji uklju uje efekt degeneriranog emitera:
D n N DE w E EG
exp . (4.8.3)
D p N AB w B k T

Ovisnost faktora strujnog poja anja o razini gusto e primjese NDE za odre enu vrijednost
gusto e NAB prikazana je na slici 1. za temperaturu T = 300 K i T = 280 K.

65
 Slika 4.8.1: Ovisnost faktora strujnog poja anja o gusto i primjese u emiteru.

4.9. Vrijeme proleta nosilaca kroz bazu

Raspodjela gusto a manjinskih nosilaca u bazi tranzistora može se zbog uskog podru ja baze
približno prikazati pravcem, slika 4.9.1.

Slika 4.9.1: Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi npn tranzistora.

Sukladno slici 4.9.1., pravac kroz to ke T1 i T2 jednozna no je odre en jednadžbom:
n '( x BE ) n '( x BC )
n '( x ) n '( x BC ) ( x x BC ) . (4.9.1)
x BE x BC
Linearna funkcija raspodjele (4.9.1) može se, sukladno uvjetu n'(xBE) >> n'(xBC) 0, svesti na
jednostavniji oblik:
n '( x BE ) n '( x BE )
n '( x ) n '( x BC ) ( x x BC ) ( x x BC ) . (4.9.2)
x BE x BC wB
Gusto a difuzijske struje elektrona u bazi tranzistora dana je izazom:

66
 dn '( x ) dn '( x BE )
J nB q D nB q D nB q n '( x ) v( x ) , (4.9.3)
dx wB
u kojemu je v(x) brzina nosilaca kroz bazu.
dx
U skladu s definicijom za brzinu v( x ) može se odrediti vrijeme proleta nosilaca kroz
dt
bazu:
x BC
dx
t pr . (4.9.4)
x BE
v(x)

Uvrštavanjem izraza za brzinu iz (4.9.3)

D nB n '( x BE ) D nB
v( x ) (4.9.5)
w B n '( x ) x x BC
u (4.9.4) dobiva se:
x BC x BC x BC
x x BC x2 x BC
t pr dx x
x BE
D nB 2 D nB x BE
D nB x
BE
(4.9.6)
2 2 2
x BC x BE xBC x BC x BE ( x BC x BE )2 w 2B
2 D nB 2 D nB 2 D nB D nB 2 D nB 2 D nB
Dobiveni izraz za vrijeme proleta nosilaca kroz bazu identi an je izrazu izvedenom za usku n
stranu pn spoja.

4.10. Earlyjev efekt

Porastom napona nepropusne polarizacije na pn spoju pove ava se širina podru ja barijere
koja se u pravilu širi na slabije one iš enu stranu. Isti efekt nastaje u bipolarnom tranzistoru
na nepropusno polariziranom spoju kolektor-baza. Ako je spoj emiter-baza propusno
polariziran naponom stalne vrijednosti, pove anjem napona nepropusne polarizacije na spoju
kolektor-baza, podru je barijere na kolektorskom spojištu se pove ava, tj smanjuje se
efektivna širina baze. Ta promjena efektivne širine ili modulacija baze naziva se Earlyjev
efekt. Primjer za npn tranzistor prikazan je na slici 4.10.1.

Slika 4.10..1: Prikaz Earlyjevog efekta za npn tranzistor.

67
Pri ve im iznosima napona nepropusne polarizacije kolektor-baza UCB, efektivna širina baze
može poprimiti iznos nula pri emu nastaje naponski proboj tranzistora (engl. punch-
through).
Posljedica Earlyjevog efekta o ituje se u promjeni gusto e i nagibu raspodjele gusto e
manjinskih nosilaca naboja u bazi. Smanjenjem efektivne širine baze umanjuje se i
vjerojatnost poništavanja manjinskih nosilaca u bazi pa prema tome i rekombinacijska
sastavnica struje baze, što izravno utje e na pove anje faktora strujnog poja anja (jednadžba
4.8.1.). Nadalje pove ava se nagib (gradijent) raspodjele gusto e manjinskih nosilaca u bazi
(elektrona, ako se radi o npn tranzistoru), te se pove ava elektronska sastavnica struje emitera
koja je proporcionalna nagibu raspodjele gusto e. Navedene se pojave mogu iskazati
jednadžbama:
IR I nE I nC (4.10.1)
2
* 1 wB
IR I nE (1 ) I nE (4.10.2)
2 LnB

S q n B 0 D nB
I nE (4.10.3)
wB
Uvrštavanjem jednadžbe (4.10.3) u (4.10.2) izraz za rekombinacijsku sastavnicu struje baze
poprima oblik:
S q n B 0 D nB 1 w 2B S q n B0 w B Q nB
IR (4.10.4)
wB 2 LnB 2 nB nB

4.11. Ebers-Mollove jednadžbe i model tranzistora

Ebers-Mollov nadomjesni sklop tranzistora sastiji se od dvije diode i dva zavisna strujna
izvora. Na slici 4.11.2. prikazan je tzv. injekcijski Ebers-Mollov model u kojemu su struje
strujnih izvora proporcionalne strujama kroz diode.
.

Slika 4.11.2: Injekcijski Ebers-Mollov model za pnp tranzistor.

Sklop na slici 4.11.2. opisan je jednadžbama:
IE I IR IF 0, (4.11.19)
IC N IF IR 0, (4.11.20)

68
 U EB
IF I ES exp 1 , (4.11.21)
UT

U CB
IR I CS exp 1 . (4.11.22)
UT

Faktor I (alfa inverzno) je strujno poja anja tranzistora u spoju zajedni ke baze kad
tranzistor radi u inverznom aktivnom podru ju (spoj emiter baza je nepropusno polariziran, a
spoj kolektor baza propusno). N (alfa normalno) je strujno poja anje tranzistora u spoju
zajedni ke baze za normalno aktivno podru je.
Iz sustava jednadžbi od (4.11.19) do (4.11.22) mogu se struje IE i IC izraziti kao funkcije
napona UEB i UCB:
U EB U CB
IE I ES exp 1 I I CS exp 1 , (4.11.23)
UT UT

U EB U CB
IC N I ES exp 1 I CS exp 1 . (4.11.24)
UT UT

Ebers-Mollov model u kojemu su struje strujnih izvora proporcionalne vanjskim

(elektrodnim) strujama tranzistora prikazan je na slici 4.11.3.

Slika 4.11.3: Ebers-Mollov model pnp tranzistora.

Sklop na slici 4.11.3. može se opisati jednadžbama:
IE I IC I' 0 , (4.11.28)
IC N IE I'' 0 , (4.11.29)

U EB
I' I EB0 exp 1 , (4.11.30)
UT

U CB
I'' I CB0 exp 1 . (4.11.31)
UT

Iz sustava jednadžbi (4.11.28)-(4.11.31) mogu se struje IC i IE izraziti kao funkcije napona

UEB i UCB:

69
 I EB0 U EB I I CB0 U CB
IE exp 1 exp 1 , (4.11.32)
1 N I UT 1 N I UT

N I EB0 U EB I CB0 U CB
IC exp 1 exp 1 . (4.11.33)
1 N I UT 1 N I UT

Uspore uju i jednadžbe (4.11.32) i (4.11.33) s (4.11.23) i (4.11.24) mogu se napisati relacije
koje me usobno povezuju razli ito definirane reverzne struje zasi enja emiterskog i
kolektorskog spojišta tranzistora:
I EB0
I ES , (4.11.34)
1 N I

I CB 0
I CS , (4.11.35)
1 N I

U Ebers-Mollovom modelu npn tranzistora strujni izvori i struje dioda imaju suprotan
predznak u odnosu prema strujama pnp tranzistora, a zbog npn ustrojstva promjenjeni su i
polariteti napona na spoju emiter-baza i kolektor-baza, slika 4.11.4.

Slika 4.11.4: Ebers-Mollov model npn tranzistora.

Sukladno sklopu prikazanom na slici 4.11.4. mogu se napisati Ebers-Mollove jednadžbe za
npn tranzistor:

U BE U BC
IE I ES exp 1 I I CS exp 1 , (4.11.36)
UT UT

U BE U BC
IC N I ES exp 1 I CS exp 1 . (4.11.37)
UT UT

4.12. Podru ja rada tranzistora

Naponima na emiterskom i kolektorskom spojištu odre ene su i gusto e manjinskih nosilaca
na rubovima barijere tih spojišta. Stoga se, s obzirom na polaritet tih napona, mogu zorno
prikazati etiri podru ja rada raspodjelom gusto a manjinskih nosilaca u bazi tranzistora, slika
4.12.1.

70
 Slika 4.12.1: Podru ja rada npn tranzistora:
"1" - normalno aktivno, "2" - inverzno aktivno,
"3" - zasi enje, "4" - zapiranje.
Sukladno Ebers-Mollovim jednadžbama prikazana etiri podru ja rada tranzistora mogu se
odrediti analiti kim izrazima:
1. Za normalno aktivno podru je, iz jednadžbi za npn tranzistor (4.11.36) i (4.11.37), uz
uvjet UBE >> UT; UBC < 0, dobivaju se relacije:

U BE
IE I ES exp 1 I I CS , (4.12.1)
UT

U BE
IC N I ES exp 1 I CS , (4.12.2)
UT

pomo u kojih se može odrediti funkcija IC = f(IE) za normalno aktivno podru je:
IC N IE I CS (1 N I ), (4.12.3)
odnosno
IC N IE I CB0 . (4.12.4)
2. Za inverzno aktivno podru je izvedena je relacija iz Ebers-Mollovih jednadžbi uz uvjet
UBE < 0 i UBC >> UT,:
IE I IC I EB0 . (4.12.5)
3. Podru je zasi enja definirano je naponima kojima su propusno polarizirana oba spojišta,
UBE > 0 i UBC > 0. Sukladno tim uvjetima iz relacija (4.11.36) i (4.11.37) izvedeni su
izrazi za napone UBE i UBC:
IE I IC I EB0
U BE U T ln , (4.12.6)
I EB 0
IC N IE I CB 0
U BC U T ln . (4.12.7)
I CB 0
Napon izme u kolektora i emitera UCE jednak je razlici napona UBE i UBC, slika 4.12.2.:

71
 Slika 4.12.2: Orijentacija napona za npn tranzistor u zasi enju.
(I E I I C I EB0 ) N
U CE U T ln . (4.12.8)
(I C N I E I CB 0 ) I

4. Zaporno podru je definirano je naponima kojima su nepropusno polarizirana spojišta

emiter baza i kolektor baza, UBE < 0, UBC < 0. Uz te uvjete, iz Ebers-Mollovih jednadžbi
za npn tranzistor proistje u relacije za struje IC i IE:
I EB0
IE (1 N ) (4.12.9)
1 N I

I CB0
IC (1 I ), (4.12.10)
1 N I

koje pokazuju da unato nepropusnoj polarizaciji oba spojišta teku male struje emitera i
kolektora. Stoga se zaporno podru je definira uvjetom IE = 0 i UBC < 0, a pritom je struja
kolektora IC jednaka struji ICB0. Uvrštavanjem uvjeta IE = 0 i IC = ICB0 u Ebers-Mollovu
jednadžbu (4.11.36) dobiva se izraz za napon UBE:
U BE U T ln(1 N ). (4.12.11)
Npr. za vrijednost N = 0.9 pri T = 300 K, emitersko je spojište nepropusno polarizirano
naponom iznosa UBE = -59.5 mV.
Ebers-Mollove jednadžbe izvedene su uz napone emiter-baza i kolektor baza za tranzistor sa
zanemarivim serijskim otporima emitera, baze i kolektora. Tako npr. serijski otpor emitera
sastoji se od otpora priklju ka metalnog kontakta na emiter i tijela emitera. Na isti na in
definiraju se serijski otpori baze i kolektora. Za realni tranzistor u ra un je potrebno uklju iti i
vrijednosti tih otpora. Nadomjesni sklop za realni tranzistor može se prikazati kao idealni
tranzistor s uklju enim serijskim otporima rbb', rcc' i ree', slika 4.12.3. Kako je emiter najja e
one iš eno podru je njegova elektri na provodnost je velika pa se serijski otpor ree' obi no ne
uklju uje u ra un. Podru je baze je relativno usko sa znatnom elektri nom otpornoš u pa se
serijski otpor s tipi nim iznosima od 10 do 100 naj eš e uklju uje u ra un. Pri ve im
strujama kolektora pad napona na serijskom otporu rcc' može zna ajno utjecati na rad
tranzistora.

72
 Slika 4.12.3: Nadomjesni sklop realnog npn tranzistora
(za podru je zasi enja).
U skladu s orijentacijom struja i padova napona u nadomjesnom sklopu na slici 4.12.3., mogu
se napisati jednadžbe naponske ravnoteže:
U BE I B rbb ' U B'E ' I E ree ' 0 (4.12.12)
U BC I B rbb ' U B'C ' I C rcc ' 0. (4.12.13)
Pažljiv e itatelj odmah uo iti nedosljednost u oznakama za napone realnog i idealnog
tranzistora. Prema slici 4.12.3. oznake UB'E' i UB'C' odnose se na idealan tranzistor stoga
odgovaraju oznakama UBE i UBC u Ebers-Mollovim jednadžbama, dok se oznake UBE i UBC
odnose na realan tranzistor.

4.13. Izlazne karakteristike tranzistora

4.13.1. Spoj zajedni ke baze
Baza tranzistora je zajedni ka elektroda ulaznom i izlaznom krugu tranzistora, slika 4.13.1.1.

Slika 4.13.1.1: npn tranzistor u spoju zajedni ke baze.

Struja IC i napon UCB pripadaju izlaznom, a IE i UBE ulaznom krugu tranzistora. Izlazne su
karakteristike dane kao funkcija IC = f(UCB) pri stalnoj vrijednosti struje IE za pojedinu
karakteristiku, slika 4.13.1.2.

73
 Slika 4.13.1.2: Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedni ke baze.
U normalnom aktivnom podru ju rada tranzistora u spoju zajedni ke baze karakteristike su
približno vodoravni pravci, a mali porast struje IC koji nastaje s pove anjem napona UCB
tuma i se kao posljedica Earlyjevog efekta. Pri propusnom polaritetu napona kolektor-baza, (-
UCB), tranzistor radi u podru ju zasi enja koje je karakterizirano naglim padom struje
kolektora što se tuma i smanjenjem gradijenta gusto e elektrona u bazi.
Stalna vrijednost struje emitera IE pri promjeni (pove anju apsolutne vrijednosti) napona UCB
može se održati promjenom (smanjenjem) napona UBE tako da je gradijent gusto e elektrona
u bazi tranzistora stalan, slika 4.13.1.3.

Slika 4.13.1.3: Definicija stalnog gradijenta gusto e nosilaca (elektrona) u bazi npn
tranzistora pri promjeni napona UCB.

4.13.2. Spoj zajedni kog emitera

U spoju zajedni kog emitera, emiter je zajedni ka elektroda ulaznom i izlaznom krugu
tranzistora, slika 4.13.2.1.

Slika 4.13.2.1: npn tranzistor u spoju zajedni kog emitera.

Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajedni kog emitera dane su kao funkcija IC =
f(UCE) pri stalnoj vrijednosti struje baze za pojedinu karakteristiku (slika 4.13.2.2.).

74
 Slika 4.13.2.2: Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedni kog emitera.
U skladu s jednadžbom UCE = UBE - UBC za aktivno podru je nužno treba biti ispunjen uvjet
UCE > UBE da bi spoj kolektor-baza bio nepropusno polariziran naponom UCB. Pove anjem
napona UCE pove ava se i apsolutni iznos napona UCB, a smanjuje se efektivna širina baze. Da
bi pritom struja baze zadržala stalnu vrijednost potrebno je pove ati gusto u manjinskih
nosilaca (elektrona) n0B na rubu barijere emiterskog spojišta, odnosno pove ati napon
propusne polarizacije UBE spoja emiter-baza, slika 4.13.2.3.

Slika 4.13.2.3: Prikaz utjecaja promjene efektivne širine baze na izlazne karakterisike npn
tranzistora u spoju zajedni kog emitera.

75
5. UNIPOLARNI TRANZISTOR (TRANZISTOR S DJELOVANJEM
ELEKTRI NOG POLJA)
U vo enju struje kod unipolarnih tranzistora sudjeluju ve inski nosioci naboja (elektroni ili
šupljine), a jakost te struje može se mijenjati vanjskim naponom. Zbog toga što se promjena
vodljivosti poluvodi a, a time i jakosti struje, postiže djelovanjem popre noga
(transverzalnoga) elektri noga polja koje je posljedica upravo priklju enog vanjskog napona
na poluvodi , uz naziv unipolarni tranzistor obi no se upotrebljava skra eni naziv tranzistor s
efektom polja. Dio poluvodi a kroz koji te e struja naziva se kanal, a ovisno o tome koji je tip
nosilaca naboja u kanalu, unipolarni tranzistori mogu biti p-kanalni ili n-kanalni. Prvi
unipolarni tranzistori su spojni tranzistori s efektom polja sa skra enim nazivom JFET (engl.
junction field effect transistor). Za razliku od ustrojstva spojnog tranzistora, upravlja ka
elektroda kojom se upravlja protjecanjem struje kroz kanal, može biti odvojena od kanala
izolacijskim slojem silicijevog dioksida. Takav tranzistor pripada skupini tranzistora s
efektom polja s izoliranim vratima, a skra eni mu je naziv IGFET (engl. insulated gate field
effect transistor) ili MOSFET (engl. metal-oxide-semiconductor field effect transistor) zbog
ustrojstva kojega ini silicij kao ishodišni materijal i silicijev dioksid kao izolacijski sloj ispod
metalne elektrode (vrata).

5.1. Tranzistor s efektom polja (JFET)

Na slici 5.1.1.a) prikazan je presjek za simetri ni n-kanalni spojni FET s ozna enim
elektrodama (priklju nicama): uvod S (engl. source), odvod D (engl. drain) i vrata G (engl.
gate). Priklju enim naponima izme u odgovaraju ih elektroda odre ena je radna to ka
tranzistora, a sukladno tim naponima ozna en je i smjer struje odvoda (struja izme u uvoda i
odvoda) koji odgovara smjeru gibanja pozitivnog naboja (šupljina).

Slika 5.1.1: a) n-kanalni spojni FET, b) simbol za n-kanalni spojni FET.

Dio poluvodi a ozna en kao kanal je vodljivi dio ome en dvjema simetri nim barijerama
uspostavljenima naponom nepropusne polarizacije UGS izme u p+ poluvodi a (p-tip
poluvodi a s relativno velikom gusto om akceptorske primjese) i n-tipa poluvodi a s
gusto om donorske primjese manjom u odnosu prema gusto i akceptora u p+ podru ju, slika
5.1.1.a). Struja te e od uvoda prema odvodu zbog priklju enog napona UDS. Sukladno analizi
provedenoj za pn spoj, barijera se širi na slabije one iš enu stranu pn spoja. Stoga e se
porastom apsolutne vrijednosti napona UGS širina kanala smanjivati, a time i njegova
vodljivost.
Pri naponu UDS = 0 i UGS = 0, ako se zanemare osiromašena podru ja koja nastaju zbog
djelovanja kontaktnog potencijala, kanal tranzistora ima najve u širinu iznosa 2a (širina
potpuno otvorenog kanala), slika 5.1.2.

76
 Slika 5.1.2: Širina potpuno otvorenog kanala pri UDS = 0 i UGS = 0.
U skladu sa slikom 5.1.2. vodljivost potpuno otvorenog kanala odre ena je izrazom:
1 q n N D 2a w 2a w
G0 . (5.1.1)
R0 L L
Pri nekom naponu UGS i naponu UDS = 0 širina kanala se jednako po cijeloj njegovoj dužini
smanji na stalnu vrijednost 2b, slika 5.1.3.

Slika 5.1.3: Širina kanala pri nekom naponu UGS i naponu UDS = 0.
U skladu s jednadžbom izvedenom za širinu podru ja barijere jednostranog pn spoja, može se
napisati izraz za širinu barijere:
2 ( U k U GS )
a b . (5.1.2)
q ND
Napon UGS pri kojemu je širina kanala jednaka ništici (b = 0), ozna en je kao napon dodira
UGS0 (engl. pinch-off voltage):
2 ( U k U GS 0 )
a2 , (5.1.3)
q ND
odnosno
a2 q ND
U GS 0 Uk . (5.1.4)
2
Iz jednadžbi (5.1.2) i (5.1.4) može se izraziti poluširina kanal u ovisnosti o naponu UGS i
UGS0:

77
 U k U GS
b a 1 . (5.1.5)
U k U GS 0

Pri naponu UDS 0 i UGS 0 kroz kanal te e struja odvoda stvaraju i pad napona duž kanala.
Napon izme u uvoda i bilo koje to ke u kanalu funkcija je koordinate x, U(x), pa je i napon
nepropusno polariziranog pn spoja vrata-kanal funkcija koordinate x. Posljedica toga je da
širina kanala više nije stalna ve se mijenja duž kanala, slika 5.1.4.

Slika 5.1.4: Širina kanala pri naponu UGS 0 i UDS 0.

Polaze i od izraza za širinu barijere pn spoja (5.1.2) poluširina kanala u ovisnosti o
udaljenosti x može se prikazati kao funkcija:
Uk U GS U ( x )
b( x ) a 1 . (5.1.6)
U k U GS 0

Struja u kanalu je u svakom njegovom presjeku ista. Stoga se izraz za struju odvoda ID može
pisati u obliku:
dU ( x )
I D ( x) ID 2b( x ) w q N D . (5.1.7)
dx
Kako presjek kanala od uvoda prema odvodu 2b(x) w postaje sve manji, slika 5.1.4.,
elektri no polje treba biti sve ve e da bi struja imala stalnu vrijednost ID.
Uvrštavanjem izraza (5.1.6) u (5.1.7) dobiva se:
Uk U GS U ( x ) dU ( x )
ID 2a w q N D n 1 , (5.1.8)
U k U GS 0 dx

odnosno
Uk U GS U( x )
I D dx 2a w q N D n 1 dU ( x ) . (5.1.9)
U k U GS 0

Ako se uvod S uzme kao ishodišna i referentna to ka, integraciju lijeve strane jednadžbe treba
provesti u granicama od x = 0 do x = L, a desne od napona vrijednosti 0 do UDS. Tako se
dobiva izraz:

78
 3 3
2 Uk U GS U DS 2 Uk U GS 2
ID G0 U DS , (5.1.10)
3 Uk U GS 0

gdje je G0 vodljivost potpuno otvorenog kanala:

2a w q N D n
G0 . (5.1.11)
L
Funkcija (5.1.10) poprima maksimalnu vrijednost u to ki UDS = UGS - UGS0, a zatim opada s
porastom napona UDS. Takav tok funkcije ne odgovara stvarnoj (izmjerenoj) karakteristici. Na
izmjerenim karakteristikama utvr eno je da nakon vrijednosti UDS = UGS - UGS0 struja blago
raste s porastom napona UDS (prakti ki ima stalnu vrijednost). Pri naponu UDS = UGS - UGS0,
napon odvod-vrata, UDG, jednak je naponu dodira -UGS0, a to zna i da dodir barijera nastaje na
strani odvoda. Smanjivanje širine kanala kao i dodir barijera nastaju zbog pada napona duž
kanala. Kako je pad napona posljedica protjecanja struje kroz kanal, pri dodiru barijera
prestala bi te i i struja, te bi nestao i uzrok dodira barijera. Stoga je zaklju ak da širina kanala
na mjestu dodira barijera nije jednaka ništici, ve ima mali iznos koji se pri prekora enju
napona dodira proteže prema uvodu, slika 5.1.5.

Slika 5.1.5: Širina kanala uz naponu UDS >UGS - UGS0.

Uvrštavanjem uvjeta UDS = UGS - UGS0 u izraz (5.1.10) dobiva se jednadžba koja vrijedi za
podru je zasi enja:
3 3
2 Uk U GS 0 2 Uk U GS 2
I Dzas G0 U GS U GS 0 . (5.1.12)
3 Uk U GS 0

Dio karakteristike opisan jednadžbom (5.1.10) pripada triodnom podru ju.

Geometrijsko mjesto to aka odre eno uvjetom UDS = UGS - UGS0 na izlaznim karakteristikama
za pojedini napon UGS, jest grani na crta izme u triodnog podru ja i podru ja zasi enja, slika
5.1.6.

79
 Slika 5.1.6: Izlazne karakteristike FETa. Definicija triodnog podru ja i
podru ja zasi enja.
5.1.1. Dinami ki parametri FETa
Derivacija struje ID po naponu UGS pri nekoj stalnoj vrijednosti napona UDS definira se kao
strmina:
ID
gm . (5.1.1.1)
U GS U DS konst.
U triodnom podru ju definiciju za strminu treba primijeniti na izraz (5.1.10), a u podru ju
zasi enja na izraz (5.1.12). Tako se dobiva:
Uk U GS U DS Uk U GS
gm G0 , (5.1.1.2)
Uk U GS 0

Uk U GS
gm G0 1 . (5.1.1.3)
Uk U GS 0

Izlazna dinami ka vodljivost definirana je derivacijom struje I D po naponu UDS pri nekoj
stalnoj vrijednosti napona UGS. Tako je za triodno podru je izveden izraz:

Uk U GS U DS
gd G0 1 . (5.1.1.4)
U k U GS 0

Za odre ivanje dinami ke vodljivosti u podru ju zasi enja može se upotrijebiti empirijski
izraz kojim je iskazan lagan porast struje ID s porastom napona UDS:
ID I Dzas (1 U DS ) , (5.1.1.5)
gdje je parametar koji može imati vrijednost izme u 0.1 i 0.001 V-1. U skladu s relacijom
(5.1.1.5) izlazna dinami ka vodljivost može se odrediti s pomo u izraza:
g dzas I Dzas . (5.1.1.6)
Faktor poja anja definiran je derivacijom napona UDS pri nekoj stalnoj vrijednosti struje I D:
U DS U DS ID gm
rd g m . (5.1.1.7)
U GS ID U GS gd

80
5.1.2. p-kanalni FET
Ustrojstvo p-kanalnog spojnog FETa (kanal je p tipa, a podru je vrata n+ tipa) je takvo da
naponi napajanja UGS i UDS, te struja ID, imaju suprotan predznak od onog za n-kanalni FET,
slika 5.1.2.1.

Slika 5.1.2.1: a) p-kanalni spojni FET. b) simbol za p-kanalni spojni FET.

Stoga u svim jednadžbama izvedenim za n-kanalni FET treba promjeniti predznak uz
veli ine: UDS, UGS, UGS0 i ID:
2 ( U k U GS )
a b , (5.1.2.1)
q NA

a2 q NA
U GS 0 Uk , (5.1.2.2)
2
U k U GS
b a 1 . (5.1.2.3)
U k U GS 0

Triodno podru je:

3 3
2 Uk U GS U DS 2 Uk U GS 2
ID G0 U DS . (5.1.2.4)
3 Uk U GS 0

Grani ni uvjet izme u podru ja zasi enja i triodnog podru ja treba pisati u obliku apsolutnih
vrijednosti:
U DS U GS U GS 0 . (5.1.2.5)
Podru je zasi enja:
3 3
2 Uk U GS 0 2 Uk U GS 2
I Dzas G0 U GS U GS 0 . (5.1.2.6)
3 Uk U GS 0

81
5.1.3. Stati ke karakteristike FETa
Izlazne karakteristike spojnog FETa dane su za triodno podru je jednadžbom (5.1.10), a za
podru je zasi enja jednadžbom (5.1.12). U podru ju zasi enja funkcija ID = f(UGS) je ujedno i
prijenosna karakteristika koja se može približno prikazati paraboli nom funkcijom:
2
U GS
ID I DSS 1 (5.1.3.1)
U GS 0
u odsje ku odre enom to kama UGS0 i IDSS (struja ID pri naponu UGS = 0). Dio parabole izvan
tog podru ja nema fizikalnoga zna enja, slika 5.1.3.1.

Slika 5.1.3.1: Stati ke karakteristike n-kanalnog FETa.

5.2. MOSFET
MOS unipolarni tranzistor može biti izveden kao n-kanalni na p-podlozi ili kao p-kanalni
na n-podlozi, oboga enog ili osiromašenog tipa. Podloga je silicij s relativno malom
gusto om primjese na koju se nanosi tanki sloj silicijeva dioksida SiO2 debljine t0x 0.1 m.
Zatim se odre enim planarnim postupkom (fotolitografski postupak) otvaraju "difuzijski
prozori" u oksidnom sloju kroz koje se difuzijom unosi primjesa, oblikuju i tako podru je
uvoda i odvoda u podlozi. Gusto a primjese u podru ju uvoda i odvoda je relativno velika.
Dio poluvodi a izme u uvoda i odvoda ozna en je kao kanal kroz koji struja može te i jedino
ako su u njemu nosioci naboja istog tipa kao i ve inski nosioci podru ja uvoda i odvoda. To
zna i da je za n-kanalni MOSFET uz površinu izme u p-podloge i izolatora (u kanalu) nužno
stvoriti višak elektrona, odnosno uspostaviti inverzijski sloj izme u uvoda i odvoda. To je
temeljni preduvjet za vo enje MOSFETa.
Inverzijski sloj može nastati pod utjecajem priklju enog napona odgovaraju eg polariteta
izme u vrata i uvoda, UGS. Tako npr. za p kanalni MOSFET pozitivni napon UGS izvla i
elektrone iz dubine podloge te ih gomila uz spoj podloge i izolacijskog sloja oboga uj i tako
podru je kanala elektronima, slika 5.2.1. Što je ve i pozitivni napon UGS to je ve a i
vodljivost kanala, te je uz stalan napon izme u odvoda i uvoda UDS ve a i struja ID izme u
njih. Struja ID može te i uz priklju eni napon UDS samo ako je napon UGS pozitivan i ve i od
odre ene vrijednosti koja se naziva napon praga UGS0. S obzirom na iznesene zna ajke takav
n-kanalni MOSFET pripada skupini oboga enog tipa.

82
 Slika 5.2.1: Presjek n-kanalnog MOSFETa.
Drugi tip n-kanalnog MOSFETa mogu e je oblikovati tako da se izme u uvoda i odvoda
posebnim tehnološkim postupkom unese uzak kanal n-tipa s relativno malom gusto om
primjese, slika 5.2.2. a). Zna ajka je tog n-kanalnog MOSFETa što struja ID može te i i pri
naponu UGS = 0.
Uz negativan napon UGS u izolacijskom sloju dolazi do gomilanja pozitivnog naboja uz
metalni spoj upravlja ke elektrode i izolatora, a negativnog naboja uz spoj izolatora i kanala.
Nagomilani negativni naboj odbija slobodne elektrone u dijelu kanala u blizini spoja s
izolacijskim slojem, te se u kanalu stvara sloj koji je osiromašen slobodnim nosiocima naboja,
slika 5.2.2. b), odnosno smanjena je vodljivost kanala. Upravo zbog svojstva što se vodljivost
podru ja izme u uvoda i odvoda može mjenjati osiromašenjem kanala elektronima ovakav
tranzistor spada u skupinu tranzistora osiromašenog tipa. Pozitivnim naponm UGS postiže se
isti u inak kao i kod tranzistora oboga enog tipa: elektroni se izvla e iz dubine podloge i
gomilaju se u kanalu pove avaju i tako njegovu vodljivost.

Slika 5.2.2: Presjek n-kanalnog MOSFETa osiromašenog tipa:

a) uz napon UGS = 0, b) uz napon UGS < 0.
Napon UGS pri kojem kanal prakti ki prestaje biti vodljiv naziva se napon praga UGS0. Za n-
kanalni MOSFET osiromašenog tipa UGS0 je negativan, a za oboga eni tip je pozitivan, slika
5.2.3.

83
 Slika 5.2.3: Prijenosne karakteristike n-kanalnog MOSFETa.
Zna ajka je n-kanalnog MOSFETa osiromašenog tipa što struja ID može te i i pri negativnim
naponima UGS, pri emu treba biti UGS0 < UGS < 0 (rad u osiromašenom modu) te pri
pozitivnim naponima UGS (rad u oboga enom modu). Za razliku od tranzistora osiromašenog
tipa, kroz kanal tranzistora oboga enog tipa struja može te i samo uz pozitivne napone UGS
pri emu treba biti UGS > UGS0, tj. tranzistor može raditi samo u oboga enom modu.
Za p-kanalni MOSFETa podloga je silicijski poluvodi n-tipa, a podru ja uvoda i odvoda p+-
tipa. Napon praga p-kanalnog MOSFETa oboga enog tipa je negativan, a tranzistor može
raditi jedino u oboga enom modu uz negativan napon UGS. Za osiromašeni tip napon praga
UGS0 je pozitivan, a tranzistor može raditi u osiromašenom modu pri UGS > 0 i oboga enom
modu pri UGS < 0, slika 5.2.4.

Slika 5.2.4: Prijenosne karakteristike p-kanalnog MOSFETa.

5.2.1. Izlazne karakteristike MOSFETa

Osnovni preduvjet za rad MOSFETa je stvaranje inverzijskog sloja na površini podloge uz
izolacijski sloj, odnosno nastajanje pokretnog (površinskog) naboja gusto e m, koja je pri
naponu UDS = 0, odre ena izrazom
,
0 0x
m ( U GS U GS 0 ), (5.2.1.1)
t 0x
budu i da je napon UGS, pri kojemu nastaje inverziski sloj, upravo jednak naponu praga UGS0.

84
Uz priklju eni napon UDS te e i struja izme u uvoda i odvoda. Posljedica je pad napona duž
kanala, odnosno nejednolika širina kanala, slika 5.2.1.1. Pad napona duž kanala je funkcija
udaljenosti x od ishodišne, odnosno referentne to ke (elektrode), pa izraz za površinsku
gusto u naboja treba tako er prikazati kao funkciju udaljenosti x:
,
0 0x
m (x) ( U GS U ( x ) U GS 0 ) . (5.2.1.2)
t 0x
S pomo u relacije (5.2.1.2) može se odrediti vodljivost jedini ne dužine kanala G(x):
G(x) nk m (x) w , (5.2.1.3)
gdje je nk pokretljivost elektrona u kanalu, a w dubina kanala, slika 5.2.1.1.

Slika 5.2.1.1: Geometrijsko ustrojstvo MOSFETa.

Pokretljivost nosilaca u kanalu je manja od pokretljivosti u dubini podloge. Smanjenje
pokretljivosti nastaje zbog djelovanja elektri nog polja u kanalu, te raspršenjem nosilaca na
me upovršini SiO2-Si.
U skladu s relacijom (5.2.13) struja u kanalu ima stalan iznos ID, a može se prikazati kao
umnožak dviju promjenljivih veli ina: vodljivosti G(x) i jakosti elektri nog polja dU(x)/dx:
dU ( x )
ID G( x ) . (5.2.1.4)
dx
S pomo u relacija (5.2.1.2) i (5.2.1.3) izraz (5.2.1.4) može se prikazatiti u obliku integrala
L , U DS
nk 0 0x
I D dx w ( U GS U GS 0 U ( x ))dU (5.2.1.5)
0
t 0x 0

iz kojega nakon provedene integracije lijeve i desne strane u odgovaraju im granicama,

proistje e jednadžba za struju ID:
1 2
ID K ( U GS U GS 0 ) U DS U DS , (5.2.1.6)
2
gdje je
,
nk 0 0x w
K . (5.2.1.7)
t 0x
Funkcija (5.2.1.6) ima minimum u to ki UDS = UGS - UGS0, kojim je ujedno ozna eno i
podru je zasi enja struje ID:
K
I Dzas ( U GS U GS0 )2 . (5.2.1.8)
2

85
Jednadžba (5.2.1.6) opisuje triodno podru je, a (5.2.1.8) podru je zasi enja polja izlaznih
karakteristika n-kanalnog MOSFETa, slika 5.2.1.2.

Slika 5.2.1.2: Izlazne karakteristike n-kanalnog MOSFETa.

a)oboga eni tip; b)osiromašeni tip.
Kod stvarnih, izmjerenih karakteristika postoji mali porast struje ID s porastom napona UDS, te
se za podru je zasi enja može primijeniti empirijska relacija
ID I Dzas (1 U DS ) (5.2.1.9)
u kojoj je parametar koji može imati vrijednost izme u 0.01 i 0.001V-1.
Jednadžbe (5.2.1.6) i (5.2.1.8), iako su izvedene za n-kanalni MOSFET oboga enog tipa s
definiranim predznacima napona u skladu sa slikom 5.2.1.3., vrijede i za sve ostale tipove
MOSFETova, vode i pritom ra una o predznacima odgovaraju ih elektri nih veli ina.

Slika 5.2.1.3: Definicija polariteta napona i smjera struje za n-kanalni MOSFET oboga enog
tipa.

5.2.2. Parametri MOSFETa

U triodnom se podru ju MOSFET može upotrijebiti u elektroni kim sklopovima kao linearni
otpornik iji se iznos može mijenjati naponom UGS, slika 5.2.2.1. Linearna se ovisnost struje
ID i napona UDS postiže, sukladno jednadžbi (13.3.1.6), uz uvjet UDS < UGS - UGS0:
ID K ( U GS U GS 0 ) U DS U 2DS K ( U GS U GS 0 ) U DS . (5.2.2.1)

86
 Slika 5.2.2.1: MOSFET kao promjenjivi linearni otpornik.
Dinami ki su parametri definirani kao i za spojni FET. Primjenom njihovih definicija na
odgovaraju e jednadžbe za triodno podru je rada, dobiva se:
U DS 1
rd , (5.2.2.2)
I D U GS konst. K ( U GS U GS0 U DS )

ID
gm K U DS , (5.2.2.3)
U GS
g m rd , (5.2.2.4)
Za podru je zasi enja:
1
I Dzas , (5.2.2.5)
rd
gm K ( U GS U GS 0 ) . (5.2.2.6)

87
5.3. Nadomjesni sklop za unipolarni tranzistor
Za nadomjesni sklop unipolarnog tranzistora u podru ju rada sa zna ajkama malih promjena
iznosa signala i srednjih frekvencija, može se upotrijebiti linearni sklop koji sadrži naponski
ili strujni ovisni izvor.
Polaze i od funkcije kojom je izražena ovisnost struje iD o dvije varjable uGS i uDS,
iD f ( u GS , u DS ) (5.3.1)
može se odrediti ukupna promjena strujr iD, što s matemati kog stajališta odgovara totalnom
diferencijalu funkcije (5.3.1)
iD iD
di D du GS du DS (5.3.2)
u GS u DS
Kako oznake iD, uGS i uDS uklju uju istosmjerne i trenutne izmjeni ne veli ine:
iD = ID + id,
(5.3.3)
uGS = UGS + ugs, (5.3.4)
uDS = UDS + uds, (5.3.5)
mogu se promjene diD, duGS i duDS prikazati kao trenutne izmjeni ne veli ine id, ugs i uds jer su
za male promjene signala po iznosu zadovoljeni uvjeti:
ID >> id; UGS >> ugs; UDS >> uds. (5.3.6)
U skladu s definicijom za dinami ke parametre:
iD id
gm (5.3.7)
u GS u gs

1 iD id
(5.3.8)
rd u DS u ds
relacija (5.3.2) može se pisati u obliku:
1
id g m u gs u ds (5.3.9)
rd
ili
u ds u gs i d rd (5.3.10)

ako se umjesto gm uvrsti .

rd
Jednadžbama (5.3.9) i (5.3.10) odre en je nadomjesni sklop unipolarnog tranzistora za
podru je srednjih frekvencija i malih promjena iznosa signala, slika 5.3.1.

88
Slika 5.3.1: Nadomjesni sklop unipolarnog trtanzistora
a) sa strujnim izvorom, b) s naponskim izvorom.

89
PRILOG 1.

Fizikalne konstante i veli ine

Konstanta, veli ina Simbol Iznos Dimenzija

Naboj elektrona q 1.602 10-19 C
Masa slobodnog elektrona m0 9.1085 10-31 kg
Planckova konstanta h 6.625 10-34 Js
Planckova konstanta h 4.135 10-15 eV s
Boltzmanova konstanta k 1.381 10-23 J K-1
Boltzmanova konstanta k 8.62 10-5 eV K-1
Permitivnost vakuma 0 8.854 10-12 F m-1
Relativna permitivnost za silicij r 11.7
Intrinsi na gusto a za silicij pri T=300K ni 1.45 1010 cm-3

90
PRILOG 2.
Definicija funkcije pogreške i tablica vrijednosti

Funkcija pogreške erf(z) i njena komplementarna funkcija erfc(z) definirane su izrazima:

z
2
erf ( z) exp x 2 dx , erfc(z) = 1 - erf(z).
0

Za komplementarnu funkciju pogreške vrijedi:

1
erfc( z) dz .
0

Tablica vrijednosti funkcije erfc(z)

z erfc(z) z erfc(z) z erfc(z) z erfc(z) z erfc(z)
0.00 1.000000 0.70 0.322199 1.40 0.047715 2.10 2.979 10-3 2.80 7.50 10-5
0.02 0.977435 0.72 0.308567 1.42 0.044624 2.12 2.716 10-3 2.82 6.70 10-5
0.04 0.954889 0.74 0.295322 1.44 0.041703 2.14 2.475 10-3 2.84 5.90 10-5
0.06 0.932378 0.76 0.282463 1.46 0.038946 2.16 2.253 10-3 2.86 5.20 10-5
0.08 0.909922 0.78 0.269990 1.48 0.036346 2.18 2.049 10-3 2.88 4.60 10-5
0.10 0.887537 0.80 0.257899 1.50 0.033895 2.20 1.863 10-3 2.90 4.10 10-5
0.12 0.865242 0.82 0.246189 1.52 0.031587 2.22 1.692 10-3 2.92 3.60 10-5
0.14 0.843053 0.84 0.234857 1.54 0.029414 2.24 1.536 10-3 2.94 3.20 10-5
0.16 0.820988 0.86 0.223900 1.56 0.027372 2.26 1.393 10-3 2.96 2.80 10-5
0.18 0.799064 0.88 0.213313 1.58 0.025453 2.28 1.262 10-3 2.98 2.50 10-5
0.20 0.777297 0.90 0.203092 1.60 0.023652 2.30 1.143 10-3 3.00 2.21 10-5
0.22 0.755704 0.92 0.193232 1.62 0.021962 2.32 1.034 10-3 3.02 1.95 10-5
0.24 0.734300 0.94 0.183729 1.64 0.020378 2.34 9.35 10-4 3.04 1.71 10-5
0.26 0.712100 0.96 0.174576 1.66 0.018895 2.36 8.45 10-4 3.06 1.51 10-5
0.28 0.692120 0.98 0.165768 1.68 0.017507 2.38 7.63 10-4 3.08 1.32 10-5
0.30 0.671373 1.00 0.157299 1.70 0.016210 2.40 6.89 10-4 3.10 1.17 10-5
0.32 0.650874 1.02 0.149162 1.72 0.014997 2.42 6.21 10-4 3.12 1.02 10-5
0.34 0.630635 1.04 0.141350 1.74 0.013865 2.44 5.59 10-4 3.14 8.97 10-6
0.36 0.610670 1.06 0.133856 1.76 0.01281 2.46 5.03 10-4 3.16 7.86 10-6
0.38 0.590991 1.08 0.126674 1.78 0.011826 2.48 4.26 10-4 3.18 6.89 10-6
0.40 0.571608 1.10 0.119795 1.80 0.010909 2.50 4.07 10-4 3.20 6.03 10-6
0.42 0.552532 1.12 0.113212 1.82 0.010057 2.52 3.66 10-4 3.22 5.27 10-6
0.44 0.533775 1.14 0.106918 1.84 9.264 10-3 2.54 3.28 10-4 3.24 4.60 10-6
0.46 0.515345 1.16 0.100904 1.86 8.828 10-3 2.56 2.94 10-4 3.26 4.02 10-6
0.48 0.497250 1.18 0.095163 1.88 7.844 10-3 2.58 2.64 10-4 3.28 3.51 10-6
0.50 0.479500 1.20 0.089686 1.90 7.210 10-3 2.60 2.36 10-4 3.30 3.06 10-6
0.52 0.462101 1.22 0.084466 1.92 6.622 10-3 2.62 2.11 10-4 3.32 2.66 10-6
0.54 0.445061 1.24 0.079495 1.94 6.077 10-3 2.64 1.89 10-4 3.34 2.32 10-6
0.56 0.428384 1.26 0.074764 1.96 5.574 10-3 2.66 1.69 10-4 3.36 2.02 10-6
0.58 0.412077 1.28 0.070266 1.98 5.108 10-3 2.68 1.51 10-4 3.38 1.75 10-6
0.60 0.396144 1.30 0.065992 2.00 4.678 10-3 2.70 1.34 10-4 3.40 1.52 10-6
0.62 0.380589 1.32 0.061935 2.02 4.281 10-3 2.72 1.20 10-4 3.42 1.32 10-6
0.64 0.365414 1.34 0.058086 2.04 3.914 10-3 2.74 1.07 10-4 3.44 1.15 10-6
0.66 0.350623 1.36 0.054439 2.06 3.577 10-3 2.76 9.50 10-5 3.46 9.92 10-7
0.68 0.336218 1.38 0.050985 2.08 3.266 10-3 2.78 8.40 10-5 3.48 8.59 10-7

91
Literatura

1 P. Biljanovi , Poluvodi ki elektroni ki elementi, Školska knjiga-Zagreb, 1996.,

2 W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors, D.Van Nostrand, New York,
1950.,
3 H.D.P. Lanyon, R.A. Tuft, Bandgap Narrowing in Moderately to Heavily Doped Silicon,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-26,1979, 7,1014-1018,
4 H.D.P. Lanyon, R.A. Tuft, Bandgap Narrowing in Moderately to Heavily Doped Silicon,
IEEE Trans. Electron Devices, ED-26,1979, 7,str. 1014-1018,
5 J.W. Slotboom, H.C. de Graaff, Measurements of Bandgap Narrowing in Si Bipolar
Transistors, Solid-State Electronics, 19, 1976, 10, str. 857-862,
6 C. D. Thurmond, The Standard Thermodynamic Functions for the Formation of
Electrons and Holes in Ge, Si, GaAs and GaP, J. Electrochemical Society, vol. 122, pp.
1133-1141, August 1975.
7 F. J. Morin, J. P. Maita, Electrical Properties of Silicon Containing Arsenic and Boron,
Phys. Rev., vol. 96, pp. 28-35, October, 1954.
8 F. H. Gaensslen, R. C. Jaeger, Temperature Dependent Threshold Behavior of Depletion
Mode MOSFETs, Solid-State Electronics, vol. 22, pp 423-430, April 1979.
9 J. M. Dorkel, Ph. Leturcq, Carrier Mobilities in Silicon Semi-Empirically Related to
Temperature, Doping and Injection Level, Solid-State Electronics, vol. 24, pp. 821-825,
September 1981.
10 D. M. Caughey, R. E. Thomas, Carrier Mobilities in Silicon Empirically Related to
Doping and Field, Proc. IEEE, vol. 55, pp. 2192-2193. December 1967.
11 G. Baccarani, P. Ostoja, Electron Mobility Empirically Related to the Phosphorous
Concetration in Silicon, Solid-State Electronics, vol. 18. pp. 579-580, 1975.
12 A. K. Henning, N. N. Chan, J. T. Watt, J. D. Plummer, Substrate Current at Cryogenic
Temperatures: Measurements and a Two-Dimensional Model for CMOS Technology,
IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-34, pp. 64-74, January 1987.
13 J. G. Fossum, Computer-Aided Numerical Analysis Of Silicon Solar Cells, Solid-State
Electronics, vol. 19, pp. 269-277, April 1976.
14 B. Juzbaši , Elektroni ki elementi, Školska knjiga, Zagreb, 1975.
15 P. Biljanovi , Mikroelektronika-integrirani elektroni ki sklopovi, Školska knjiga,
Zagreb, 1982.
16 J. Millman, C. C. Halkias, Electronic Devices and Circuits, McGraw-Hill, New York,
1967.
17 V. Knapp, P. Coli , Uvod u elektri na i magnetska svojstva materijala, Školska knjiga,
Zagreb, 1990.
18 R. B. Adler, A. C. Smith, R. L. Longini, Introduction to Semiconductor Physics, John
Wiley & Sons, Inc., New York, 1964.

92
19 R. A. Colclaser, S. Diehl-Nagle, Materials and Devices for Electrical Engineers and
Physicists, McGraw-Hill Book Company, New York, 1985.
20 K. Adami , J. Herak, Fizika struktura, stanja i svojstva tvari, Školska knjiga, Zagreb,
1981.

93