ง น cfourlayer

Vnit อา
Thyristors .
→ เ น
ปกร สาร ว แบบ 4 semiconductor device ง

1.) นฐาน ไดโอด แบบ สาร ง ว 4 น C

Shockley Diode ง ดอ ใน พวก Thyristors
-
โครงส าง น สาร จะ เ น PNPN

-
วไป จะ 2 ว อ อ อา ใน คอ + ง และ คา โรค C- า

-
จะ งาน เ อ แรง น อนใ บ ปกร ง
ด กระแส และ จะ ากระแส าง อ จนก า จะ ลด ลง าก า

กระแส ด ว CH dding duvrent ง

# กน # โครงส าง # # วงจร #
ญ # สม ล
A
A •
• Anode
PN JUNCTION 1.
.
.

อ ๖ Anode Ct ) C A)
p E * E ำ
ล B
N Qเ Q, ล B
. R
P C % c
% 1
•

N s +

•
? C C
13& |
-

K •
B
k Q2 Q2
°

* *
E E
PNJUNCTION 3.
CK) Cathode c.)
Cathode
= =

• เ อ การ ไบ ส โดย อ มา Anode เ น บวก เ ยบ บอก Cathode รอย อ Transistor

pn ของ

Q า และ Qg งเ น รอย อ สอง Emitter บ Base CJ unctinon 1.) จะ ไ บไบ สตรง และ ระห าง

Base บ Collector จะ ไ บไบ สก บ c Junction 2.) ในตอน จะ กระแส ไหล อย ระห าง มา Anode และ

dathode

ศทาง ตาไหล ของ กระแสใน วงจร กราฟ ณ กษณะไดโอด น สาร

•
4
ZA =
IEL าน กระแส

\
1

๖ Anodect ) (A)
E
IB เ
=
Id 2 ำ กระแส ด CZ µา
Cwrent
ฎ B Hdding าน ด น
Q1 R a กระแส
PNP 5
:c
I.
+
กระแส ส ต CI s)
Idl
= ±
132 VBIAS
C
|
-

B • เ อไ บไอ สตรง จะ งไ กระแส จนกระ ง แรง นไบ ส ตรง เ ม น

Q2
°

ง แรง น โอเวอ ไบ ส ตรง น

* จน
CVBR (F) ) ณ
ด จะ กระแส
NPN E
Ik ZE 2
=

อ างรวดเ ว และ แรง น ตก ค อม Anode และ dathode

ck ) Cathodec -
ง
จะลดลง

= =
* เ ม กระแส
IA >
IH
อุ
จั
ชั้
นำ
ตั
กึ่
พื้
ชั้
นำ
ตั
กึ่
สั้
คื
ต่
ขั้
มี
ทั่
ทำ
ที่ป้
ดั
อุ
กั
ค้
นํ
นำ
จุ
ถึ
ตํ่
ลั
สี
ตั
ยึ
อู่
ฬุ๊
ย็
ทำ
ต่
กั
ต่
ซึ่
ต่
ที่
ก็
รั
กั
รั
น้
มี
นี้
คุ
ทิ
กั้
ปิ
ย่
ยึ
นำ
ย่
ชั้
ยั
บั
รั
นำ
ดั
ดั
ถึ
ขึ้
ฃิ์
นำ
นี้
จุ
ที่
ดั
นำ
มื่
ป็
พิ่
ป็
ป็
มื่
มื่
ริ่
ที
ป็
ด้
ว่
ม่
ด้
ยู่
ด้
ย่
วิ
ร่
ลั
ห้
น์
ยู่
ว่
ร์
ร์
อั
อั
อั
ว่
อั
มู
ลั
อั
ช์
ร็
ว่
ทั่
ณ์
ร์
ณ์
ร้
ร้
 •
การ ใ งาน วนให จ ใส ใน วงจร relaxation OSC illator จะ ใ ณ กษณะ ของ แรง น เบรกโอเวอ

(
VBRCF ]
) เ น ว ส าง แรง น Osdillated

-
•

Resistor
น
"
Switch Shockley
Diode Capacitor
+

V •
ปค น ไ จาก วงจร Relaxation Osdillatov
-

เ อ Switch ดวงจร dapaditor จะ ชา จ ประ าน Resistor วย าคง T = RC

ใน วง เ ม
"
โดย Vc V Diode จะ เ ด วงจร
Capaditor ชา จ เ บ ประ ง า แรง น
=
จะ จน

จะ เ ม จนกระ ง
VB µ ⇐,
มอง Diode กระแส และ dapaditor จะ คาย
ประ าน Diode
Voltage ของ

dapaditor ลด ลง Current าน Diode จะ ลด า ลง ก า IH CI <2

µ
) ใ Diode ห ด กระแส
A

Capacitor ชา จ กค ง เ น วงรอบ ส บไป มา

และ จะ
ประ
ว แปร

Cathode
Vka Voltage มา Anode และ c Volt )
=

น โอเวอ ไบ สตรง
VBR (F) = แรง cvolt ,

Ig กระแส Switch CA
mp )
=

ด durrent
Hdding Amps
} IA
IA
กระแส
ะ
I c กระแส
ZH
>
µ

2A =
กระแส ของ Diode Anode CA ) <I ไ า กระแส
mp
มา
µ

Ik กระแส ของ Diode ขา Cathode CA

mp )
=

2. ง SCR c Silicon Control Rectrifier ง

เห อน Diode แ Anode Cathode Gate

Shockley จะ 3 ลง มา 2.) 3.)
-

ฃา Gate ควบ ม การ งาน ของ SCR

# ญลกน #
# โครงส าง #
A A
⑨
•

อ .

G
N
•

K •

K
ส่
คุ
ดั
ตั
รู
ฬื๊
ดั
ที่
ปิ
ค่
ด้
ผ่
ช่
ยั๋
ดั
ค่
ถึ
นำ
ผ่
ตํ่
ที่ผ่
ทำ
นำ
อี
ดั
ที่
ตั
ที่
นำ
ยึ
ที่
น่
มี
สี
ทำ
กุ๊
หุ๊
มิ
ปิ
ก็
ป็
ริ่
ด้
มื่
ริ่
ม่
ว่
ร้
ลั
ห้
ต่
ยุ
ช้
ลื่
น์
รั้
ช้
ร์
มื
ร์
ร์
อั
ลั
ญ่
จุ
คุ
จุ
จุ
จุ
ร์
ที่
ทั่
ร์
ร้
 ใ SCR ไ โดยไ อง รอใ เ ม น จน ง า
จะ นากระแส
Vm Vp
-

สม ล
# วงจร #

Anode
p N JUNCTION L
0

E *
ล B
Q,

จะ
C W

Gate
•
? C
B*

*
Qg
E
PN JUNCT 10N 3.

Cathode

+V +V

< 1. >
RA RA
-

กระแส Gate =
0 A. SCR จะ เห อน Shockley
o IE 0 A. งาน

E
* B
Diode เ อ การ Bias SCR จะ งไ กระแส า ความ
A
r
d
Qเ านทาน ระห าง มา A และ K จะ า ง E Switch 0N
off K

0 V.
C
VG =

B
o •
=
Q2
*
\
off
ZG = 0 A.
E

+V +V

< 2. >
RA IA RA
o Ia
" "
เ อ อน กระแส Gate ใ าเ น ล t เ อ เ ยบ บ
E 1
31
1
ล B
A มา Cathode กระแส จะ เ น กระแส Baseของ Q และ จะ า
2
hl
C
Q
เอน
B

k
เ า บ กระแส ddledtor มอง Q จะ ใ กระแส ไหล
,

IB2 C อ าง อเ อง
.
B
o • Q2
*
\ 0N
ZG
~

E
Ik

< 3. >

งแ
+V +V
-
จะ เอา กระแส Gate ออก SCR จะ า กระแส

และ เ อ ว า ความ
RA IA
N
RA
อ Sd R า กระแส แ านทาน
0 IA
ระห าง A า Switch
~
E
=p ,
มา และ K จะ มาก
=
OFF
@ B
A
hl
d
Qเ
0N K
1
C.
13 2
B
o • Q2
* 0N
IG =
0 A.
E
Ik
-

-
ทั
ต้
ค่
ถึ
ขึ้
ทำ
อู่
ย์
ยั
ทำ
ต้
ค่
นำ
ที่สู
มีค่
ป้
พั
มีค่
นี้
กั
ทำ
กั
มีค่
ต่
ถึ
น่
ก็
น้
ต้
ค่
ต่ำ
มีค่
ที
ป็
มื่
ท่
ป็
มื่
พิ่
มื่
มื่
ม่
ม่
ย่
ด้
ล้
ม้
ห้
ห้
ห้
ยู่
ห้
มื
ว่
ว่
ซ์
มู
นื่
 •
กราฟ ณ กษณะ ของ SCR

ไ โดยไ เ ด
จะ กระแส า
VAK VBµ
-

เอง =

การ เ ยหาย บ SCR สากระแส ไหล าน SCR

ศไ เ น อ ด ของ SCR
ง

-
เ อ อนกระแส Gate ใ SCR ไ
กระแส

โดย VAK VBRC F)

<

# การ
ห ด SCR ใ กระแส #

-
ห ง จาก การ
กระ น Ctri
g)
ใ SCR กระแส แ ว Sd R จะ
ห ด
า กระแส อเ อ IA IH <

ด า กระแส
2. ง Ia โดย ตรง CC wrent
interuption ง

2.) การ บ ลด า กระแส Cforce Commutation ง

< 1. >
+V +V

เ น ด า กระแส 2A โดยตรง
-

Ia
r
°
โดย อ Switch
1
ห อ คอ นาน
อ กรม
ว SCR
"

RA Ra บ
เ เ cc วง

• า
อ กรม Switdh 0N
IA < IH K

"
p สามนาน Switdh OFF
u)

ฑื๊ ±
6 6 4
- - น
.
4\

(A) C B)
คุ
นำ
ถ้
มี
ผ่
ที่
กั
สู
จำ
ข้
ทิ
ป้
นำ
นำ
ทำ
นำ
ต่
นํ
วิ
ค่
ตั
วิ
ค่
บี
นี้
วิ
ฅุ๋
ค่
ตั
ต่
ก้
ถ้
ตั
กั
ป็
กิ
มื่
กิ
มื่
สี
ล้
ม่
ธี
ด้
ด้
ธี
ม่
ห้
ห้
ธี
ลั
ยุ
นุ
นุ
ยุ
ห้
รื
กั
หิ
ตุ้
ลั
 +V +V
< 2. >

• •
-

บ ลด า กระแส

•
Cc
e -
{
•
Rc
•
dc
e -
{ •
Rd เ อ SCR งาน กระแส านโหลด SW เ ด วงจร
IA + +
- -

t ZA Capacitor ชา จ เ บ เ ม
ประ + VC A)
~
ส ฎ จน กร .
ง =
ฏ
.

๒ SN ๒ SN
G G เ อ องการใ SCR ด SW
o 0
"
ห ด กระแส จะ

Id
• •
a i.
Capaditov จะ ก อเ บ มา Cathode CB ]

ตรง าม บ กระแส ไหล าน Sd R

A Rk Rk จะ คาย
ประ
_ _
จะ ใ เ ด การ ก าง น ห อ IA <
Zti
ไ
"
ใ
อ ใน
" "
SCR
"

กระแส า กระแส
กระแส
ห ด ระยะ เวลา

C A) C B) ประมาณ 2- 30
µ Sed
ว แปร

ใ ใน การ Sd R เ ม CA
IG ๆ
CG
atetrigger Cuvrent ง =
กระแส Gate กระ น กระแส
mp >
CAV Forward duvvent า กระแส เฉ ย ใน การ
=
( Av 6) erage
ง =
งาน Sd R
CAMP - ]

CR evers Breakdown น ง ด านไบ ส ก บ ระห Cathode โดยไ

Vpµ µ Voltag e) = า แรง าง Anode และ

กระแส แ า เลย SCR า กระแส อ าง รวดเ ว และ เ ด การ เ ยหาย

ด จะ

อ าง ถาวร CV olt )

# การ
ประ ก ใ #

<น > .
Switch
+V
เ อ SW เ ดวงจร จะ ใ ไป กระ น Sd R ใ
IG
-

กระแส กระแส

IA ใ กระแส ไหล านโหลด และ Sd R ากระแสไ อ าง อเ อง

"
งแ SW 6 ด วงจร
RL า

เ อ ไหล าน
.

*
"
SW ด วงจร จะ ใ กระแส SCRCI
A)
-

← 2
Sw
1ก า กระแส ใ
Holding Sd R
ห ด ากระแส
2
Ro m
CIH)
• _

+ SM
on
วิ
ค่
บี
ผ่
นำ
ทำ
ที่
ต้
ตำกั
ต่
ถู
ปิ
นำ
ทิ
ผ่
ที่
กั
หั
กั
นำ
ทำ
ทำ
น้
ที่
ตั
ค่
นำ
ด้
สุ
สู
ดั
ค่
ทำ
นำ
น้
นี้
จุ
ถ้
ทำ
ปิ
มี
ทำ
นำ
พิ
ผ่
ต่
ถึ
ปิ
ทำ
ปิ
ตี
ผ่
ที่
พิ
น้
กิ
ปิ
มื่
มื่
ก็
สี
ต็
มื่
กิ
มื่
ริ่
ด้
ย่
ย่
ลั
ย่
ม่
ม่
ห้
ต่
ม่
ห้
ห้
ธี
ห้
ว่
ห้
ยุ
ห้
ห้
ห้
ช้
ยู่
ยุ
ห้
ยุ
รื
ร์
ว่
อั
ลี่
ล้
ข้
นื่
จุ
ตุ้
ร็
ตุ้
จุ
ยุ
ต์
 < 2.> ง แบบ คน ค น
ควบ ม
°
-
"

Rgc Potentiometer ง ห า ป บ า กระแส ใ บ

A
R
,
Rh

|
SCR c
Ig ง
ห า
กบ
220 V. - R
,
เ น ว านทาน ด กระแส

B
R
2
" "
- ใน การ ป บ า ง จะป บ า การ กระแส ใน วง ก บวก

ป บไ
° °

0-180
nn -
ม ง ด 90
nn

}
า ความ R
2
า
ง
กระแส Gate จะ
ง

ญื .
กำ
ทำ
ทำ
ค่
ทำ
ซ็
กั
จำ
ต้
ตั
กำ
ค่
มุ
ซี
ช่
นำ
ค่
ณื่
สู
สู
มีค่
ค่
สุ
สู
ป็
ด้
ห้
รั
รั
รั
รั
น้
น้
กั
ลั
ลื่
ลั
ที่
ที่
คุ
ฐื๋
ฆุ๊
 < 3. > ไฟ กเ น
วงจร

• งาน ตาม ปก
วงจร เ ยง กระแส แบบ แ ป กลาง จะ กระแส ไฟ า เ า

ใน สภาวะ จะ งไ
Battevy SCR กระแส

ก เ า บ ใ Sd R ไบ สก บ
เพราะ
VA Vk
หลอไป จะ ด จาก แห ง ลาย ไป A C.

• ระบบ ไฟ า ญหา
ไดโอด Dy ,
D2
,
Dg ไบ ส ก บ
จะ วน SCR

จะไ บ ไบ ส ตรง ก เ อ เ ยบ
+
เพราะ
Va G)
-

บ Vk และ
VG ก ( t) เ อเ ยบ บ Vk
การ ไบ ส กระแส ใ Sd R ใ Sd R า กระแส

เ า หลอด ไฟ ไ อ าง อเ อง
เ อ ระบบไฟ า ก บมา ไ SCR จะ ากระแส
ห ด
ชา จ ประ เ า บ
และ
Battery
ฉุ
ทำ
นำ
ยั
นี้
สู่
มีศั
นำ
ทำ
กั
ติ
มีปั
ส่
รั
มีศั
มีศั
กั
มี
กั
พิ
น้
สู่
ต่
น้
กั
ต้
ข้
ท่
ที
รี
ข้
มื่
มื่
มื่
ที
ม่
ด้
ด้
ห้
ด้
ห้
ลั
ย่
ห้
ท็
ลั
ลั
ยุ
ร์
อั
ฟ้
อั
ติ
ล่
ฟ้
ย์
ย์
ฟ้
อั
อั
ย์
นื่
ฉิ
จุ
 3. ง Diac and Triac
เ น durrent ไ ศทาง
devide
Thyristor นา 2
-

อ แตก าง Diad 2 ว อ วน Triad 3 ว อ

3. 2.) ไดแอค CD iad า

-

งาน เห อน Shockley Diode

-
กระแส ไ 2 ศทาง / 2 ว อ
# ญ กษ # # โครงส าง # # กราฟ แสดง ณ กษณะ #

ฒู๊
•
Aา
Aเ
•

u
p µ, Fawaµ
P

ln
• 6
Ag Ag

# วงจร
สม ล =

A
,

Q
ใไT
PNP 3
•
R I R 1
g q
"

ฒู๊ ฒู๊
NPN • Aา • A,

+ -

pnp _
+

า Q4
• •
Aa •
Aa
NPN
Q 2

• •

A2
- _

ไบ ส ตรง ไบ สก บ
" " " "

เ อไบ ส ทาง Ay → Transistor Q.IQ 2 จะ ไบ สตรง วน Q 3 /Q 4 ไบ ส ก บ

เ อไบ ส ทาง Ag → Transistor Qil Q 2 จะ ไบ ส ก บ วน Q 3 /Q 4 ไบ ส ตรง
ข้
ทิ
ทำ
ต่
หั
มี
ส่
ต่
ตั
มี
นำ
สั
ต่
ตั
มี
ทิ
คุ
ยู๋
ยู๋
ยู่
ย์
ส่
ส่
ป็
มื่
มื่
ด้
ลั
ด้
ลั
ลั
มื
อั
อั
อั
อั
อั
อั
อั
อั
มู
ลั
ลั
ต่
ร้
ณ์
 3. 2 ไตร แอก ( Tviac)
-

จะ งาน เ อ ญญาณ สต ห อกระแส มา กระดาน มา Gate

ไ วย แรง น
-
จะ การ กระแส
VBR (F)
# ญ กษ # # โครงส าง #
# กราฟ แสดง ณ กษณะ #

ฒู๊
•
Aา Aเ
•

ี ี

Pn
6 P
N N

•
• •

Ag A2

-
จาก กราฟ แสดง
ณ กษณะ แรง นเ ม า กระแส ของ Triad จะลด ลง เ อ IG เ ม น
เห อน บ ใ ไ ใ
SCR Triad
ห ด า โดย อง IA ZH
จะ กระแส <

Aา otv
tv
z
R

}
1
•

Q 3
R
←
Q • .

,
• Aเ

t
เ อไบ ส มา A
,

'
:%
°
"
o •
.
.
a.
.
.

• •
Ag
-

I
A2
± R
-

ง Current
Way
# า 2 *
'
A
,

.
•
4
Q

|
R
3
-

← z
Q • .

เ อไบ ส
• Aา
A

µ
มา
2

ไหล จาก ว A
Z
Current A เ อ
จะ →
Signal +

•
a. m น แµ µ gµ mน
ฺ
a.
• •
A
I
g.
0

A2
| tv
0
+ v
ทำ
พั
มีสั
ที่
สั
ดั
ด้
นำ
มี
คุ
คุ
อฺ
ยู๋
ดั
น้
ขึ้
ทำ
กั
น้
ทำ
ต้
สี่
ยื๊
ที่
น้
จึ
งฺหื๊
อฺ
อู่
มี
ฃั
ที่
ณํ๋
ที่
มื่
มื่
มื่
มื่
มื่
พิ่
ริ่
ม่
ด้
ห้
ห้
ยุ
รื
ตุ้
มื
อั
อั
ลั
ฒ่
ลั
ลั
ร์
ร้
ณํ้
ณ์
กั๋
 การ ประ ก Triac

าย
< 2. > วงจร
ควบ ม เฟส แบบ

Diode D , / D2 ห า เ ยง กระแส งใน าน ก บวก และ กลบ

กรอบ ปค น โดย R
,
ห า เ น ว ป บ า กระแสท ก

-
เ อ Sine Wave C. + ง เ ามา D
,
จะ กระแส

R, ห า ใน การ ป บ า กระแสไบ ส ใ บ Triac ตาม

Sine Wavect ]
ม เฟส ของ

-
เ อ Sine Wave C- 7 เ ามา Dg จะ า กระแส
Dg จไ บ

ไบ ส ก บ แรง น Sine Wave c- ) จะ าน ว านทาน R

,

เสไป Tric Triad วย า Corrent เ า น บ

IA <
ZH

f ใน วง Sinewavect)
ใ เ ม า Current ใน Sine Wave Ctsk→
*
ม
เ า น

# Triad จะ ห ด ากระแส ก ๆ ค ง ป ค น แรง น

เสา 0 V. เพราะ
IACZH *

4. ง SCS c Silicon - Controlled Switdh ง

เห อน อ Cathode
-
SCR แ มา Gate จะ 2 มา 2.)
gate 2.)
Anodegate
-
สามารถ
ควบ มไ
ง การ กระแส และ
ห ด กระแส

-
SCS ตรา มอง ง าก า SCR

เ น ว Cathode / Anode /
-
Scs Deuice
Thyristor 4

Gate tuvn on l Gate tuvn off

# ญ กษ #
ทำ
ง่
รู
ซี
ซี
ด้
ทั้
ทำ
ตั
ค่
ทำ
นำ
ค่
มุ
กั
นํ
รั
ค่
ด้
ต้
ตั
ผ่
ดั
ทิ
ช่
กั
กั
มุ
น้
กั
ทุ
น้
รู
สู่
ดั
ที่
คื
มี
นำ
ทั้
กำ
อั
ตํ่
สั
ตั
มี
ข้
ต่
ป็
รี
ท่
ท่
ป็
ด้
มื่
ริ่
มื่
วิ
รั
ด้
ต่
ว่
ห้
รั
น้
ลั
ห้
ยุ
ลื่
น้
รึ่
น้
ยุ
ลื่
มื
ลั
อั
อั
ที่
ยุ
คุ
คุ
ที่
ที่
ลั
ต์
ณ์
 # การใ งาน #

1. ง เม กระแส โดย Pusle A) บ 6k

-
อน Pulsect ง เสา มา dathode
gate ใ
Transistor Q 2 Curvent
-

duvrent dollector มอง Q จะ เ น duvvent

2
Base ของ Q า

i. เ อ Qa Q, จะ วย เห อน บ Sdk

< 2. > เ ม า กระแส โดย Pusle G) บ GA

- CU rrent colledtor Q จะ เ น dovrent
Base Q
2

< 3. >
ห ด การ ากระแส
โดย อน Plusec+ ง 6
เสาทาง Anode
gatec
-

ห อ อน Plusec → เรา ทาง

Cathodegatecfi
-

จะ ใ Q ,
และ Q2 เ ด การไบ สก บ
กระแส
และ
ห ด

<4. >
ห ด การ า กระแส
โดย ลด ต
IA < IH

* Sd S and SCR จะ กษณะ การไ งาน ค าย น อเ น

Switch control Powev าย ใ บ Load

Sd S า กระแส ไ เ วก า SCR แ า ง
และ จะ
ห ด
โดย ตรา มอง แรง น และ กระแส SCS งาน จะ ก า
ทำ
ป้
กั
นำ
นำ
ทำด้
ทำ
กั
กั
น้
ถิ
ป้
น้
ทำ
ป้
นี้
มีลั
น้
ที่
คื
กั
ที่จ่
กั
น้
กำ
ค่
ต่ำ
ทำ
ที่
ดั
อั
ป็
ร็
ป็
ริ่
ริ่
มื่
กิ
ป็
ด้
ด้
ว่
ห้
ห้
ล้
ห้
ลั
ว่
ยุ
ต่
ยุ
ยุ
ช้
ยุ
รื
มื
ลั
อั
 Transistov ง
5. ง UJT c
Unijuntion
ไ ไ ด อ ใน เ อง โครงส างไ ไ น สาร
-
Devide
Thyristov จาก 4

ดเ น ปกร รอย อเ ยว Cpn junctiom

ไ ญญาณ ใ
-
ส าง Oscillator ใ ใน การ Tridk บ
Thyristor
# ญ กษ # #โครงส าง #

132
•

Base
•

E
h

}
•

๒ Emitter Pnjunction
•
p

•
Bเ Base 1
•

*
ญ กษ ค าย JFET *

# วงจร UJT #
สม ล

-
ไดโอด จะ แสดงใ เ น ง รอย อ PN มา Emitter
เ น า ความ านทาน ง ระห าง มา
-
resistor
B, จะ
Dynamic ของ สาร ว

Emitter บ Base ,

เ น า ความ านทาน ง ระห าง มา

-
resistor
B จะ
Dynamic ของ สาร ว

Emitter บ Base

ง อ า ความ านทาน รวม ของ อา Base → =

+ r
ำ32
BB BB 3,
จั
จั
ชั้
มี
อุ
ต่
ที่มี
ที่
สั
สั
กั
สั
ย็
ข่
ที่
ต่
ถึ
นำ
ตั
กึ่
ต้
ค่
ข่
กั
นำ
ตั
กึ่
ต้
ค่
นำ
ท่
ต้
ค่
คื
ข่
ซึ่
วุ
กั
นื่
ป็
ป็
ป็
ดี
ด้
ม่
ห็
ด้
ด้
ม่
ร้
ช้
ห้
ล้
ยู่
ห้
ว่
ว่
มู
ลั
ลั
ณ์
ร้
ร้
ณ์
ณ์
 -

า ความ นาน
rfg ,
จะ เ น วน ก บ บ Curvent IE
า ชม จะ เป ยนแปลง ลดลง า
ZE
เ ม น

นไบ ส
Bา
( |
า แรง "
VBB
- =

×
13 เ

"
BB

-
ตรา วน ของ า ความ านทาน PB า / PBB จะเ ยก า Standoff

ratio แทน วย Ceta , ว )

Vpeak point เ น า แรง น

-

Vp =

VBB t Vpn
•

Vp = -

Voltage
ง ด ใ UJT เ ม า กระแส
Standoff ratio
h
• =

า แรง น รอย อ
Vpn pn
• ะ

# กราฟ ณ กษณะ UJT #

• าแรง น
VEB , เ ม น จน ง า Vp จะ ใ

รอย อ ไ บ การไบ ส ตรง ใ เ ด กระแส

pn
IE ไหล จาก มา Emittev ไป Base 1.

•
ความ านทาน r เ ม ลดลง
}3ๆ ใ
VE ลด ลง วย ใน ขณะ Iz เ ม น
ง
•

VE จะ ลด ลง จน
Valley point
ตำ
ค่
ส่
ค่
คิ
กั
ถ้
ดั
ค่
ขึ้
ต้
ค่
ส่
คำอั
ขํ
อี
ทุ
ด้
ว่
ทุ
ที่ทำ
สุ
สู
ดั
ค่
คุ
ต่
ที่
ดั
ค่
น้
ดั
ถ้
นิ
ค่
ถึ
ขึ้
ต่
รั
ทำ
ต้
ค่
ทำ
ที่
ด้
ถึ
ขึ้
ป็
กิ
พิ่
ริ่
รี
พิ่
ริ่
ป็
พิ่
ด้
ห้
ตั
ห้
ห้
ลั
ห้
ลี่
อั
อั
ลั
 # กา ใสงาน # ส าง ญญาณ Tridk ใ บ Sd R ห อ Triac ใ
เ ม า กระแส ใน การ ควบ ม เฟส ง จะ เ ยก า
"
วงจร Relaxation Osdillator

05 dillatov ปค น
"

Relaxation
"
"
วงจร
Voltage
"

2.) อนไฟ D. d. ไป บ วงจร

dapacitor จะ Chavger าน Resistor R
วย ตรา คง T ะ

Rf
2. ง เ อ
Vc เ ม น จน ง Vp รอย อ pn จ ไ ไบ ส ตรง
บ กระแส

dapacitor จะ
discharge ฝาน รอย อ
pn
ไหล าน า ความ านทาน
3เ
ความ านทาน จะ ลด ลง ไป ง มา Base 1. เ ด แรง น ตก ค อม R 2 วย ตรา
การ
discharge ooos
Capacitor
เ อ VE UJT า กระแส
dapacitov เ ม
3.ง <
Vva แ จะ
ห ด
→
จะ

ey
Charge รอบ อไป

Relaxation Oscillator า แรง น

* จาก
ป วงจร
Vp >
Vp ,
และ

Ip เ น า เ ม กระแส ของ UTT จะไ า

C
VBB Vp > K >
VBB Vv C
ห ด กระแส ง
-

กระแส >
-

V Rา IRา ZP Iv
ม h
Vv Ivk เ
ะ
สั
กั
น้
ซึ่
รู
ว่
อั
ด้
ผ่
กั
ป้
ต่
ที่
ถึ
ซึ้
รั
ดั
ยั
ต้
ค่
ขำ
ต้
ค่
ผ่
ต่
นำ
อั
ด้
ที่
น้
ดั
ค่
รู
ต่
ค่
นำ
นำ
ว่
นำ
กิ
ป็
พิ่
ริ่
มื่
ริ่
มื่
รี
ริ่
ด้
ด้
ร่
ร้
ยุ
ยุ
ลื่
ห้
ห้
รื
ที่
อั
คุ
 6.) PUT c
Programmable Unijunction Transistor ง

PUT เ น Deviae
Thyristov
-

เ น Devide Pluse OS dillatov เห อน สบ

generated UJT
-

และ

-
โครงส าง ค าย บ Sd R แ คน - Gate มอง PUT ไ ง ห ด และ กระแส

# ญ กษ # # โครงส าง #
°

A Anode
•

6 p
•

n
• Gate
P
N

K
•

dathode

PUT จะ เ ม กระแส เ อ แรง น Anode า เ า บ อา Gate

Gate ออ บ สารท ง รอย อ ห า ควบ ม การ
Pn
-

มา จะ เกต จะ

ห ด กระแส
กระแส และ การ

-
มา Gate จะ ไบ สใ เ น บวก อ
ก
เสมอ เ อ Va เ ม น จน ง า
Vc บ
Vpn
๊
=
0.7 V

ใ รอย อ ไ บไบ สตรง PUT จะ เ ม กระแส จะ จนก า VA <

VG
pn

วงจรไบ ส
แ "
PUT
กั
ทำ
ทั้
สั
นำ
ฬุ๊
นำ
มีค่
ที่
ดั
ต่
กั
ทั
นี้
ที่
ต่
ซึ่
กั
นำ
ถู
นำ
ที่
กั
ค่
ถึ
ขึ้
ต่
รั
นำ
นำ
ป็
ป็
ป็
มื่
พิ่
ริ่
ท่
ริ่
มื่
ด้
ด้
ห้
ยู่
ห้
ล้
ต่
ยุ
ยุ
ยู่
น้
อั
มื
อั
อั
ว่
ลั
คุ
ที่
ร้
ร้
ณ์
 OSCN ator วย PUT
" "
วงจร Relaxation

าแรง น หนด า Gate โดย Voltage Dividev Resistov

R
2
and
Rg เ อ าย Voltage ใ บ วงจร Capacitov จะ การ
Charge จนกระ ง PUT เ ม กระแส Capaditov
Vg 0.7 V จะ
=

จะ เ ม เ ด แรง น
Discharge าน มา Anode Vk ตก ค ม
Resistor R
4 ตาม า การ Disdharge มอง
Capacitov
เ อ VA
Vvayey
และ < PUT จะ
ห ด กระแส
ที่
ที่
ที่กำ
ดั
ค่
ด้
จ่
ทำ
กั
นำ
ผ่
ที่
ดั
ค่
นำ
มื่
กิ
ริ่
ริ่
มื่
ห้
ยุ
รี
ทั่
 A =
2090006

2×1062
f Zin =

< 741 > 752

Civcuit Zout ะ

Op
→

amp
-

ot
2.)
Input Impedande C
ง ) ะ • I Zin
= น i.
G ะ

52
ะ 0 A.

"
2.) Output Impedance าง 0
° ^

Zout 0
µ
-

=
[ i.
=
.
. ย .
o

V t
ตรา ขยาย แรง น
°
3.) Av C ) ( ง วะ อา 2 →
I. = 1
2
22
4.) Bandwitch อ าน Op amp -
ขยาย อ
" "
2
.

ญญาณไ โดยไ ก ลดทอน

Gain i. dB =
20
logc AP | Vo = A. Vd ; Vd =
า ความ แตก าง
dB zdeal l
Zndut
M#
t i

ใ งาน จ ง
ด
mnrnnrnyeyy
l
dommon V เ า น
}
มา mode ะ
± npai
E" "

- 3dB i ,
Signal
i i
n Vout =
0 V.

i
f
i

ะ i
>
1

t 2.) Diffevende mode c ขยาย V )

t ไ เ า น Signal
¢
dommond Mode Rejection Ratio
Vinput i. Vout ะ จะ ออก

CMRR -

Signal เห ยว

เ ยบ
#
dompavatov # มา Ct ) และ ดอก ลบ C- ง

Ground

ฆ ื๋
i
③
แม

}
I
!
-

F FUYP satuavea
modeopenloop

ะ
i
""

input
W
,
สั
ที่
ย่
คื
สู
ดั
อั
ต่
สู
ฟื่
ทำ
ค่
ถู
ติ
กั
มี
กั
ฮื๋ั
ผู๋
ษู
ท่
ท่
ที
ม่
ด้
ริ
ม่
ช้
นี่
ต่
ณึ๋
นำ
ตุ
 Vref = 4V

5 Vpk
fznput
ะ

I-ff.lt/T
Vvef Znput > Vref
วก
e - →

4" ouipaec + ง
µ
Input < Vref
5 VPK
0 500 HZ
± Ou TPUT G)
t
ะ
V
Koutpu T

ไปทนาย
}
4k¥ Znputou ญื๋
- า =
4ข -

± 5 rpk
0 Znput < Vref
500 HZ
± Ou TPUT Ct )

Homework า าย ไ เ าไห
< >
Vref
=
-4 V จะ # IV. ของ
Integvat
Amplifieu
l

จ แ ละ Circuit
ตร Av ของ
Op Amp
- l
l
< วงจร Diffeurentiator > Diff หา การ เป ยนแปลง Vin จะไ Vout
V ตก ค อม C

Va = 0 V.

dharge
ldischavge

Did ย ~
=
_

5z
r
เ ดจาก diff สม การ Vin
donstant
Time
znptut ตรง สาม Oatput
า Signal Znput
นอ บ า
tfnlt
" ก าง
ความ C = Rd
>
2

|/
ffouipuisignali .TT
I
Z
l
2C
l
3C
lnnt
-

42 5C
จ่
ด่
ยื๋
ท้
พิ
สู
ตื้
ค่
กั
กิ
ท่
ยู่
ด้
ว้
ร่
ด้
ต่
สู
ลี่
ร่
น์
 ส d
"

tregater Amplifier
มา

CF Va
Vaiyfh
ov .li
icp
= 0 ; =

Tา Kmg
-
+

ข µ±
-
-
=
_- •

+ dt

[
t

ฐ
= -
V.
Takef
Ri CF t
°

Vo
#cpf Vindt
=

0
ศื๋
ฬั๊
ลื๋่
ทุ