EMA09N03AN

 
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
D
BVDSS  25V 
RDSON (MAX.)  9mΩ 
ID  50A  G
 
UIS, Rg 100% Tested  S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 

PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  UNIT 

Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  V 

TC = 25 °C  50 
Continuous Drain Current  ID 
TC = 100 °C  35  A 

Pulsed Drain Current1  IDM  140 

Avalanche Current  IAS  37.5 

Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=37.5A, RG=25Ω EAS  70 

mJ 
2
Repetitive Avalanche Energy   L = 0.05mH  EAR  15 

TC = 25 °C  50 
Power Dissipation  PD  W 
TC = 100 °C  20 

Operating Junction & Storage Temperature Range  Tj, Tstg  ‐55 to 150  °C 

100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=25V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 

THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT 

Junction‐to‐Case  RJC    2.5 

°C / W 
Junction‐to‐Ambient  RJA    75 
1
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2
Duty cycle  1％ 
 
 
 

2013/8/22 
p.1 
 EMA09N03AN
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 

PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  LIMITS  UNIT

MIN  TYP MAX

STATIC 
Drain‐Source Breakdown Voltage  V(BR)DSS  VGS = 0V, ID = 250A  25      V 

Gate Threshold Voltage  VGS(th)  VDS = VGS, ID = 250A  1  1.7 3 

Gate‐Body Leakage  IGSS  VDS = 0V, VGS = ±20V      ±100 nA
Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS = 20V, VGS = 0V      1  A
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C      25 
On‐State Drain Current1  ID(ON)  VDS = 10V, VGS = 10V  50      A 
1
Drain‐Source On‐State Resistance   RDS(ON)  VGS = 10V, ID = 25A    7.5 9 
mΩ
VGS = 5V, ID = 20A    12 15 
Forward Transconductance1  gfs  VDS = 5V, ID = 20A    20   S 

DYNAMIC 
Input Capacitance  Ciss      830  
Output Capacitance  Coss  VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz    270   pF

Reverse Transfer Capacitance    Crss    131  

Gate Resistance  Rg  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    1.7   Ω 
1,2
Total Gate Charge   Qg(VGS=10V)     16  
Qg(VGS=5V) VDS = 15V, VGS = 10V,    11.5   nC
1,2 ID = 25A 
Gate‐Source Charge   Qgs    2.9  
1,2
Gate‐Drain Charge   Qgd    6.9  
1,2
Turn‐On Delay Time   td(on)      10  
Rise Time1,2  tr   VDS = 15V,      8    nS
1,2
Turn‐Off Delay Time   td(off)  ID = 25A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω    25  
1,2
Fall Time   tf      10  
SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current  IS        50 
A 
Pulsed Current3  ISM        140
Forward Voltage1  VSD  IF = IS, VGS = 0V      1.3  V 
Reverse Recovery Time    trr      22   nS
Peak Reverse Recovery Current  IRM(REC)  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    180   A 
Reverse Recovery Charge  Qrr      12   nC
1
Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2％. 

2013/8/22 
p.2 
 EMA09N03AN
 
2
Independent of operating temperature. 
3
Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMA09N03AN for DPAK (TO‐252) 
 
 
A09
 

  A09N03N: Device Name 
N03N
 
ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

2013/8/22 
p.3 
 EMA09N03AN
 
 
TYPICAL CHARACTERISTICS 
 
ON‐REGION CHARACTERISTIC ON‐ RESISTANCE VARIATION WITH DRAIN CURRENT AND GATE VOLTAGE
  3
100
  V   = 10V 8V
GS 6V

DRAIN ‐ SOURCE ON ‐ RESISTANCE
7V
I  ,DRAIN ‐ SOURCE CURRENT( A )

80
  2.5
5V
  60 2

R       ,NORMALIZED
 
V   = 5V
GS

40
  1.5
6V
7V

DS(ON)
  8V
10V
20 1
D

 
0
  0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 0.5
0 20 40 60 80 100
V   ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE ( V )
DS

  I   ,DRAIN CURRENT( A ) 
D

 
  ON‐ RESISTANCE VARIATION WITH TEMPERATURE  ON‐RESISTANCE VARIATION WITH GATE‐SOURCE VOLTAGE
1.8 0.030
I   = 25A
  D

V   = 10V
GS
I   = 25A
D

  1.6 0.025
DRAIN ‐ SOURCE ON ‐ RESISTANCE
R       ,NORMALIZED

 
R       ,ON‐RESISTANCE(OHM)

1.4
0.020
 
DS(ON)

1.2

  0.015
1.0
  °
T   = 125 C
DS(ON)

0.010
0.8
  °
T   = 25 C
A

  0.6 0
‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 2 4 6 8 10
T ,JUNCTION TEMPERATURE(°C )
j
V   ,GATE‐SOURCE VOLTAGE (V )
  GS

  BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE
TRANSFER CHARACTERISTICS
CURRENT AND TEMPERATURE
  50 60
V   = 10V
DS
V   = 0V
GS
T   = ‐55 ° C
 
I  ,REVERSE DRAIN CURRENT( A )

A
T  = 125°C
A
10
40
25 ° C
 
I  ,DRAIN CURRENT( A )

125 ° C 1
  30
25°C
0.1
 
20
‐55°C
  0.01
D

  10
S

0.001

 
0 0.0001
0 1 2 3 4 5 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
  V   ,GATE TO SOURCE VOLTAGE
GS
V   ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )
SD

 
 
 

2013/8/22 
p.4 
 EMA09N03AN
 
 
G A T E C H A R G E C H A R A C T E R IS T IC S
  12 10 4
C A P A C IT A N C E  C H A R A C T E R IS T IC S
ID = 2 5 A

 
10
VGS ,GATE-SOURCE VOLTAGE( V )

C‐CAPACITANCE ( pF )
8 3
10
  10V C is s

V =5V
  6
D S 15V

C o ss
  4 C rss
2
10

 
2
  f  =  1  M H z
V G S= 0  V
  0
18 0 5 10 15 20 25 30
0 6 12
Q g ,G A T E C H A R G E ( n C ) V D S  ‐ D R A IN ‐ S O U R C E  V L T A G E  (  V  )
 
  MAXIMUM SAFE OPERATING AREA SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
300 3000
200 SINGLE PULSE
°
  mi
t 10μ
  s
R    = 2.5 C/W
θJC
°
 ) Li T  = 25 C
C

100 R d s (o  n 2500

 
I  ,DRAIN CURRENT( A )

50 100μ
  s
POWER( W )

  2000
20 1m
s
  10 1500
10m
s
100
  5 m
DC s
1000
D

  2
V   = 10V GS
500
  1 R    = 2.5 C/W
SINGLE PULSE
° θJC
°
Tc = 25 C
  0.50.5 1 10 100
0
0.01 0.1 1 10 100 1000
V   ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V ) SINGLE PULSE TIME ( mSEC ) 
  DS

 
Transient Thermal Response Curve
  1
  0.5 Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Resistance

  0.3
    r(t),Normalized Effective

  0.2 0.2
  0.1 0.1
  0.05
Notes:
0.05
  0.02 DM

0.03
  0.01 1.Duty Cycle,D =
t1
t2
0.02 2.R     =2.5°C/W θ JC

  Single Pulse 3.T  ‐  T   = P * R     (t)
4.R    (t)=r(t) * R
J C θ JC

0.01
θ JC θ JC

‐2
  10 10
‐1
1 10 100 1000
t  ,Time ( mSEC )
  1

 
 
 
 
2013/8/22 
p.5 
 EMA09N03AN
 
Outline Drawing 
 
  E A
  E2 C
 

L
 
 

D2
D
  B2

H
 
L2

B1
  D3

L1
 
P B L3
 
A1
 
 
 
 
 
Dimension  A  A1  B  B1  B2  C  D  D2  D3  E  E2  H  L  L1  L2  L3  P 

Min.  2.10  0.95  0.30  0.40  0.60  0.40  5.30 6.70 2.20 6.40 4.80 9.20  0.89  0.90  0.50 0.00 2.10

Max.  2.50  1.30  0.85  0.94  1.00  0.60  6.20 7.30 3.00 6.70 5.45 10.15 1.70  1.65  1.10 0.30 2.50

Footprint 
 
7.00
 
 
7.00

 
2.00

  1.50
2.50

 
2.3 2.3

 
 
 
 
 
 
 

2013/8/22 
p.6